JP7368081B2 - optical device - Google Patents

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Description

本発明は、例えば赤外線デバイス等の光デバイスに関する。 The present invention relates to optical devices such as infrared devices.

従来、半導体素子が樹脂により封止された半導体デバイスにおいて、デバイスの薄型化のために、いわゆるＷＬＣＳＰ（Wafer level Chip Size Package）やＦＯＷＬＰ（Fan Out Wafer Level Package）のようなパッケージ構造が用いられている。 Conventionally, package structures such as WLCSP (Wafer level Chip Size Package) and FOWLP (Fan Out Wafer Level Package) have been used to make the device thinner in semiconductor devices in which semiconductor elements are encapsulated with resin. There is.

特開２０１８－０３７６３８号公報Japanese Patent Application Publication No. 2018-037638

しかしながら、上述したような、半導体素子が樹脂で封止された半導体デバイスでは、樹脂が吸湿して膨潤することにより、半導体素子に対して応力がかかる場合がある。特に、半導体素子の半導体基板の厚さ方向に樹脂が配置されている場合には、膨潤した樹脂によって半導体基板が反りやすくなってしまう。半導体デバイスが赤外線デバイス等の光デバイスである場合には、半導体基板の反りにより光デバイスの特性変動が生じる場合がある。薄型の半導体パッケージにおいては、半導体基板の反りはより大きくなるため、光デバイスの特性の変動がより顕著に生じる。 However, in a semiconductor device as described above in which a semiconductor element is sealed with a resin, stress may be applied to the semiconductor element due to the resin absorbing moisture and swelling. In particular, when resin is arranged in the thickness direction of a semiconductor substrate of a semiconductor element, the semiconductor substrate tends to warp due to the swollen resin. When the semiconductor device is an optical device such as an infrared device, the characteristics of the optical device may vary due to warpage of the semiconductor substrate. In a thin semiconductor package, the warpage of the semiconductor substrate becomes larger, so that the characteristics of the optical device fluctuate more significantly.

本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、薄型でありつつ半導体基板の変形による特性変動を抑制した光デバイスを得ることにある。 The present invention has been made in view of these problems, and an object thereof is to obtain an optical device that is thin and suppresses characteristic fluctuations due to deformation of a semiconductor substrate.

上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る光デバイスは、半導体基板、半導体基板の一方の主面上に形成され、光を受光又は発光可能な半導体層、及び半導体層上に形成された電極を有する光電変換素子を含む光電変換チップと、光電変換チップの電極形成面とは反対側の面を露出させるように光電変換チップの側面を覆う封止部と、光電変換チップの電極形成面上に設けられる絶縁層及び電極と接続される再配線とを有する再配線層と、を備え、光電変換チップの電極形成面と反対側の面は、封止部の再配線層とは反対側の面の全面から突出していることを特徴とする。 In order to solve the above problems, an optical device according to one embodiment of the present invention includes a semiconductor substrate, a semiconductor layer formed on one main surface of the semiconductor substrate and capable of receiving or emitting light, and a semiconductor layer formed on the semiconductor layer. a photoelectric conversion chip including a photoelectric conversion element having an electrode formed thereon; a sealing part that covers a side surface of the photoelectric conversion chip so as to expose a surface of the photoelectric conversion chip opposite to the electrode formation surface; and an electrode of the photoelectric conversion chip. A rewiring layer having an insulating layer provided on the formation surface and a rewiring connected to the electrode, and the surface of the photoelectric conversion chip opposite to the electrode formation surface is different from the rewiring layer of the sealing part. It is characterized by protruding from the entire surface of the opposite side.

本発明の一態様によれば、薄型でありつつ特性変動を抑制した光デバイスを得ることができる。 According to one aspect of the present invention, it is possible to obtain an optical device that is thin and suppresses characteristic fluctuations.

本発明の第一実施形態に係る光デバイスの一構成例を示す概略図である。1 is a schematic diagram showing a configuration example of an optical device according to a first embodiment of the present invention. 図１（Ｂ）の断面図をより詳細に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing the cross-sectional view of FIG. 1(B) in more detail. 本発明の第一実施形態に係る光デバイスの製造工程を示す断面工程図である。FIG. 3 is a cross-sectional process diagram showing the manufacturing process of the optical device according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第一実施形態に係る光デバイスの製造工程を示す断面工程図である。FIG. 3 is a cross-sectional process diagram showing the manufacturing process of the optical device according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第一実施形態に係る光デバイスの変形例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing a modification of the optical device according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第一実施形態に係る光デバイスの変形例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing a modification of the optical device according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第二実施形態に係る光デバイスの一構成例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing one example of composition of an optical device concerning a second embodiment of the present invention. 本発明の第三実施形態に係る光デバイスの一構成例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing one example of composition of an optical device concerning a third embodiment of the present invention. 本発明の第四実施形態に係る光デバイスの一構成例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing one example of composition of an optical device concerning a fourth embodiment of the present invention. 本発明の第五実施形態に係る光デバイスの一構成例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing one example of composition of an optical device concerning a fifth embodiment of the present invention. 本発明の第五実施形態に係る光デバイスの製造工程を示す断面工程図である。FIG. 7 is a cross-sectional process diagram showing a manufacturing process of an optical device according to a fifth embodiment of the present invention. 本発明の第五実施形態に係る光デバイスの一構成例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing one example of composition of an optical device concerning a fifth embodiment of the present invention.

以下、実施形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
以下、図面を参照して本発明の各実施形態について説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained through embodiments, but the following embodiments do not limit the invention according to the claims. Furthermore, not all combinations of features described in the embodiments are essential to the solution of the invention.
Hereinafter, each embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

１．第一実施形態
以下、第一実施形態に係る光デバイスについて、図１～６を参照して説明する。第一実施形態に係る光デバイスは、例えば、赤外線等の光を検出することによって人の存在を検知する人感センサや、ＮＤＩＲ（Non-dispersive infrared）方式を用いたガスセンサとして用いられる。また、第一実施形態に係る光デバイスは、赤外線等の光を発光するＬＥＤ(Light Emitting Diode）として用いられる。 1. First Embodiment An optical device according to a first embodiment will be described below with reference to FIGS. 1 to 6. The optical device according to the first embodiment is used, for example, as a human sensor that detects the presence of a person by detecting light such as infrared rays, or as a gas sensor using an NDIR (Non-dispersive infrared) method. Further, the optical device according to the first embodiment is used as an LED (Light Emitting Diode) that emits infrared light or the like.

（光デバイスの構成）
図１は、第一実施形態に係る光デバイス１を説明するための構成図であり、図１（Ａ）は光デバイス１の一構成例を示す平面図、図１（Ｂ）は光デバイス１の一構成例を示す側面図、図１（Ｃ）は光デバイス１の一構成例を示す底面図である。図２は、図１（Ｃ）に示すＢ－Ｂ’断面における光デバイス１の断面図である。本実施形態では、光デバイス１が図示しない回路基板と接続される面（外部接続端子が形成される面）を底面とし、外部接続端子が形成される面とは反対側の面を上面として説明する。 (Optical device configuration)
FIG. 1 is a configuration diagram for explaining the optical device 1 according to the first embodiment, FIG. 1(A) is a plan view showing one configuration example of the optical device 1, and FIG. FIG. 1C is a side view showing an example of the configuration of the optical device 1, and FIG. 1C is a bottom view showing an example of the configuration of the optical device 1. FIG. 2 is a cross-sectional view of the optical device 1 along the BB' cross section shown in FIG. 1(C). In this embodiment, the surface of the optical device 1 to be connected to a circuit board (not shown) (the surface on which external connection terminals are formed) is the bottom surface, and the surface opposite to the surface on which the external connection terminals are formed is the top surface. do.

図１に示すように、光デバイス１は、光電変換チップ１０と、光電変換チップ１０の一部を封止する封止部２０と、光電変換チップ１０と電気的に接続された再配線層３０と、再配線層３０と電気的に接続された複数の外部接続端子４０（図１中では４つの外部接続端子４０ａ～４０ｄ）とを備えている。
光デバイス１の一面からは、光電変換チップ１０の光出射面又は光入射面となる光出入射面１０ａが露出している。ここで、「光出入射面１０ａ」とは、光の出射及び入射のいずれか一方の機能を有する面をいう。本実施形態では、図２中に示す光デバイス１の上面から光出入射面１０ａが露出する例を示している。すなわち、本実施形態において、光デバイス１では、デバイス上面から光が入射又は出射する。光電変換チップ１０の光出入射面１０ａは、封止部２０の上面（封止部２０の再配線層３０とは反対側の面）に対して凹んだ位置に設けられている。これにより、封止部２０によって、光電変換チップ１０に入射する光の入射角及び光電変換チップ１０から出射する光の出射角を制限する視野角制限部として機能する。光電変換チップ１０は、製造時にダイシングにより個片化されるが、この際にチッピングが発生し、光電変換チップ１０のチッピング部分周辺において入射又は出射する光に外乱が生じる場合がある。しかしながら、視野角制限部により、光の外乱を抑制することができる。また、視野角制限部を設けることにより、封止部２０によって、光電変換チップ１０の上面を構成する膜の側面が保護され、耐水性が向上する。 As shown in FIG. 1, the optical device 1 includes a photoelectric conversion chip 10, a sealing part 20 that seals a part of the photoelectric conversion chip 10, and a rewiring layer 30 electrically connected to the photoelectric conversion chip 10. and a plurality of external connection terminals 40 (four external connection terminals 40a to 40d in FIG. 1) electrically connected to the rewiring layer 30.
A light exit/incident surface 10a serving as a light exit surface or a light incident surface of the photoelectric conversion chip 10 is exposed from one surface of the optical device 1. Here, the "light exit/incident surface 10a" refers to a surface that has the function of either light emission or light input. This embodiment shows an example in which the light exit/incident surface 10a is exposed from the top surface of the optical device 1 shown in FIG. That is, in the present embodiment, light enters or exits the optical device 1 from the top surface of the device. The light exit/incident surface 10a of the photoelectric conversion chip 10 is provided at a recessed position with respect to the upper surface of the sealing section 20 (the surface of the sealing section 20 on the opposite side to the rewiring layer 30). Thereby, the sealing section 20 functions as a viewing angle limiting section that limits the incident angle of light that enters the photoelectric conversion chip 10 and the exit angle of light that exits from the photoelectric conversion chip 10 . The photoelectric conversion chip 10 is separated into pieces by dicing during manufacturing, but chipping occurs at this time, and disturbance may occur in the incident or emitted light around the chipped portion of the photoelectric conversion chip 10. However, the viewing angle limiting section can suppress light disturbance. Furthermore, by providing the viewing angle limiting section, the sealing section 20 protects the side surface of the film that constitutes the upper surface of the photoelectric conversion chip 10, improving water resistance.

図２に示すように、光電変換チップ１０の光出入射面１０ａと反対側の面には、電極１１３ａ及び１１３ｂが設けられている。光電変換チップ１０の電極１１３ａ及び１１３ｂが形成された面（電極形成面１０ｂ）は、再配線層３０と密接している。光電変換チップ１０は、電極１１３ａ及び１１３ｂを介して再配線層３０と電気的に接続される。
以下、光デバイス１の各部について詳細に説明する。 As shown in FIG. 2, electrodes 113a and 113b are provided on the surface of the photoelectric conversion chip 10 opposite to the light exit/incident surface 10a. The surface of the photoelectric conversion chip 10 on which the electrodes 113a and 113b are formed (electrode formation surface 10b) is in close contact with the rewiring layer 30. The photoelectric conversion chip 10 is electrically connected to the rewiring layer 30 via electrodes 113a and 113b.
Each part of the optical device 1 will be described in detail below.

（光電変換チップ）
第一実施形態に係る光電変換チップ１０は、光電変換素子１１と、反射防止膜１２とを備えている。光電変換素子１１は、半導体基板１１１、半導体基板１１１の一方の主面（図２中に示す下面）上に形成された半導体層１１２、及び半導体層１１２上に形成された電極１１３を有している。光電変換素子１１は、透光性を有する半導体基板１１１を介して半導体層１１２からの光を外部に出射し、また、外部からの光を半導体基板１１１を介して半導体層１１２に取り込む。
反射防止膜１２は、半導体基板１１１の他方の主面（図２中に示す上面）上に設けられている。反射防止膜１２は、透光性を有し、光電変換素子１１に入射する光又は光電変換素子１１から出射する光を透過させる。反射防止膜１２の光電変換素子１１と反対側の面は、光電変換チップ１０の光出入射面１０ａとなっている。 (Photoelectric conversion chip)
The photoelectric conversion chip 10 according to the first embodiment includes a photoelectric conversion element 11 and an antireflection film 12. The photoelectric conversion element 11 includes a semiconductor substrate 111, a semiconductor layer 112 formed on one main surface (lower surface shown in FIG. 2) of the semiconductor substrate 111, and an electrode 113 formed on the semiconductor layer 112. There is. The photoelectric conversion element 11 emits light from the semiconductor layer 112 to the outside through the semiconductor substrate 111 having a light-transmitting property, and also takes in light from the outside into the semiconductor layer 112 through the semiconductor substrate 111.
The antireflection film 12 is provided on the other main surface (the upper surface shown in FIG. 2) of the semiconductor substrate 111. The antireflection film 12 has a light-transmitting property, and allows light incident on the photoelectric conversion element 11 or light emitted from the photoelectric conversion element 11 to pass therethrough. The surface of the antireflection film 12 opposite to the photoelectric conversion element 11 serves as the light exit/incident surface 10a of the photoelectric conversion chip 10.

（半導体基板）
半導体基板１１１は、ＰＮ接合又はＰＩＮ接合のフォトダイオード構造の半導体層１１２を成膜することが可能な基板である。半導体基板１１１は、赤外線等の光透過性を有するものであれば特に制限されない。半導体基板１１１は、半導体を含む材料を有する基板又は絶縁性基板のいずれであってもよい。すなわち、「半導体基板」は、半導体素子としての光電変換素子１１を構成する基板であることを意味している。半導体基板１１１は、一例として、シリコン（Ｓｉ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、サファイヤ、リン化インジウム（ＩｎＰ）等で形成された基板を挙げることが出来る。半導体層１１２がＩｎ、Ｓｂ、Ａｓ、Ａｌ等を含むナローギャップ半導体材料（例えばＩｎＳｂ）を含む材料で形成される場合、格子欠陥の少ない半導体層１１２を形成するする観点から、半導体基板１１１としてＧａＡｓ基板を用いることが好ましい。この場合、半導体基板１１１は光に対して高い透過率を有し、かつ半導体基板１１１上に高品質の結晶性成長が可能となる。 (semiconductor substrate)
The semiconductor substrate 111 is a substrate on which a semiconductor layer 112 having a PN junction or PIN junction photodiode structure can be formed. The semiconductor substrate 111 is not particularly limited as long as it can transmit light such as infrared rays. The semiconductor substrate 111 may be either a substrate containing a material containing a semiconductor or an insulating substrate. That is, "semiconductor substrate" means a substrate that constitutes the photoelectric conversion element 11 as a semiconductor element. Examples of the semiconductor substrate 111 include a substrate made of silicon (Si), gallium arsenide (GaAs), sapphire, indium phosphide (InP), or the like. When the semiconductor layer 112 is formed of a material containing a narrow gap semiconductor material (for example, InSb) containing In, Sb, As, Al, etc., from the viewpoint of forming the semiconductor layer 112 with few lattice defects, GaAs is used as the semiconductor substrate 111. Preferably, a substrate is used. In this case, the semiconductor substrate 111 has a high transmittance to light, and high quality crystalline growth is possible on the semiconductor substrate 111.

（半導体層）
半導体層１１２は、第一導電型半導体層、活性層及び第二導電型半導体層（図示せず）とで構成されたＰＩＮ接合のフォトダイオード構造を有している。半導体層１１２としては、ＰＮ接合もしくはＰＩＮ接合のフォトダイオード構造、又はＬＥＤ構造を有する半導体層であれば、本実施形態における構造に制限されない。また、半導体層１１２は、第一導電型半導体層と第二導電型半導体層とで構成されたＰＮ接合のフォトダイオード構造であってもよい。半導体層１１２は、赤外線等の特定波長の光に対して感度を有する公知の物質を適用することが可能であり、例えば、ＩｎＳｂを含む半導体層を適用することが出来る。 (semiconductor layer)
The semiconductor layer 112 has a PIN junction photodiode structure including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer (not shown). The semiconductor layer 112 is not limited to the structure in this embodiment as long as it has a PN junction or PIN junction photodiode structure, or an LED structure. Further, the semiconductor layer 112 may have a PN junction photodiode structure including a first conductivity type semiconductor layer and a second conductivity type semiconductor layer. For the semiconductor layer 112, a known material that is sensitive to light of a specific wavelength such as infrared rays can be used, and for example, a semiconductor layer containing InSb can be used.

（電極）
電極１１３は、半導体層１１２上に形成された電極１１３ａ及び１１３ｂを有している。電極１１３ａは、半導体層１１２の第一導電型半導体層と電気的に接続されている。電極１１３ｂは、半導体層１１２の第二導電型半導体層と電気的に接続されている。
電極１１３ａ及び１１３ｂは、半導体層１１２と電気的なコンタクトが取れる材料であれば特に制限されない。半導体基板１１１側から入射された光の一部は、電極１１３ａ，１１３ｂや電極１１３ａ，１１３ｂと電気的に接続された配線（例えば、後述する再配線３２ａ～３２ｄ等）によって反射される。そのため、半導体層１１２を大面積の電極１１３ａ，１１３ｂ等で覆えば受光効率は増加する効果がある。 (electrode)
The electrode 113 has electrodes 113a and 113b formed on the semiconductor layer 112. The electrode 113a is electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer of the semiconductor layer 112. The electrode 113b is electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer of the semiconductor layer 112.
The electrodes 113a and 113b are not particularly limited as long as they are made of a material that can make electrical contact with the semiconductor layer 112. A portion of the light incident from the semiconductor substrate 111 side is reflected by the electrodes 113a, 113b and wiring electrically connected to the electrodes 113a, 113b (for example, rewirings 32a to 32d, etc., which will be described later). Therefore, covering the semiconductor layer 112 with large area electrodes 113a, 113b, etc. has the effect of increasing the light receiving efficiency.

（反射防止膜）
反射防止膜１２は、半導体基板１１１の他方の主面上（図２中の上側の面）に設けられている。反射防止膜１２の光電変換素子１１と反対側の面は、光電変換チップ１０の光出入射面１０ａとなっている。反射防止膜１２は、光電変換チップ１０の外部から光電変換素子１１に入射する光、又は光電変換素子１１から光電変換チップ１０の外部に出射する光が、光電変換素子１１の表面において反射することを抑制し、光入射効率又は光出射効率を向上させる。反射防止膜１２は、透光性を有し、例えば二酸化チタン（ＴｉＯ２）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、ＤＬＣ（Diamond-Like Carbon）等の単層膜、又はこれら材料が積層された積層膜である。 (Anti-reflection film)
The antireflection film 12 is provided on the other main surface of the semiconductor substrate 111 (the upper surface in FIG. 2). The surface of the antireflection film 12 opposite to the photoelectric conversion element 11 serves as the light exit/incident surface 10a of the photoelectric conversion chip 10. The antireflection film 12 prevents light entering the photoelectric conversion element 11 from outside the photoelectric conversion chip 10 or light emitted from the photoelectric conversion element 11 to the outside of the photoelectric conversion element 10 to be reflected on the surface of the photoelectric conversion element 11. and improve light input efficiency or light output efficiency. The anti-reflection film 12 has translucency, and is made of, for example, a single layer film of titanium dioxide (TiO 2 ), silicon dioxide (SiO 2 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), DLC (Diamond-Like Carbon), etc. Or it is a laminated film in which these materials are laminated.

（封止部）
封止部２０は、樹脂材料で構成されており、光電変換チップ１０の光出入射面１０ａを露出させるように、光電変換チップ１０の側面を覆っている。また、封止部２０が光電変換チップ１０の側面を覆うことにより、光電変換チップ１０の電極形成面１０ｂが再配線層３０に対して露出する。すなわち、本実施形態に係る光デバイス１においては、図２に示す光電変換チップ１０の上面（光出入射面１０ａ）及び底面（電極形成面１０ｂ）以外が封止部２０によって封止されている。なお、封止部２０は、半導体基板１１１を介して半導体層１１２に赤外線等の光が入射できるように形成されていれば良く、光電変換素子１１のどの面を覆っているかは特に制限されない。例えば、封止部２０は、光電変換素子１１の電極形成面１０ｂの一部を覆っていてもよく、光電変換素子１１の側面の一部を覆っていなくてもよい。 (Sealing part)
The sealing part 20 is made of a resin material and covers the side surface of the photoelectric conversion chip 10 so as to expose the light exit/incident surface 10a of the photoelectric conversion chip 10. Further, since the sealing portion 20 covers the side surface of the photoelectric conversion chip 10, the electrode forming surface 10b of the photoelectric conversion chip 10 is exposed to the rewiring layer 30. That is, in the optical device 1 according to the present embodiment, the parts other than the top surface (light exit/incident surface 10a) and bottom surface (electrode formation surface 10b) of the photoelectric conversion chip 10 shown in FIG. 2 are sealed by the sealing part 20. . Note that the sealing portion 20 may be formed so that light such as infrared rays can enter the semiconductor layer 112 via the semiconductor substrate 111, and there is no particular restriction on which surface of the photoelectric conversion element 11 it covers. For example, the sealing part 20 may cover a part of the electrode formation surface 10b of the photoelectric conversion element 11, and does not need to cover a part of the side surface of the photoelectric conversion element 11.

封止部２０としては、量産性、機械強度及び光電変換素子１１への応力の観点から、再配線層３０の再配線３２ａ～３２ｄで形成される材料の線膨張係数に近い線膨張係数を有する樹脂材料を用いることが好ましい。封止部２０は、例えば一般的な半導体デバイスで使われるエポキシ樹脂等の樹脂材料で形成される。
また、封止部２０を構成する材料は、エポキシ樹脂等の樹脂材料の他にフィラーや不可避的に混在する不純物などを含んでいてもよい。フィラーとしては、シリカやアルミナ等が好適に用いられる。フィラーの混合量は、封止部２０を構成する材料中、５０体積％以上９９体積％以下であることが好ましく、７０体積％以上９９体積％以下であることがより好ましく、８５体積％以上９９体積％以下であることがさらに好ましい。 The sealing portion 20 has a linear expansion coefficient close to that of the material formed by the rewirings 32a to 32d of the rewiring layer 30 from the viewpoint of mass productivity, mechanical strength, and stress on the photoelectric conversion element 11. Preferably, a resin material is used. The sealing portion 20 is made of, for example, a resin material such as epoxy resin used in general semiconductor devices.
Further, the material constituting the sealing portion 20 may contain filler, unavoidably mixed impurities, etc. in addition to a resin material such as an epoxy resin. As the filler, silica, alumina, etc. are preferably used. The amount of filler mixed in the material constituting the sealing part 20 is preferably 50 volume% or more and 99 volume% or less, more preferably 70 volume% or more and 99 volume% or less, and 85 volume% or more and 99 volume% or less. More preferably, it is less than or equal to % by volume.

（再配線層）
再配線層３０は、光電変換チップ１０及び封止部２０の電極形成面１０ｂ側に形成される。再配線層３０は、第一絶縁層３１１及び第二絶縁層３１２を有する絶縁層３１と、光電変換チップ１０の電極１１３ａ，１１３ｂと電気的に接続される再配線３２ａ～３２ｄと、外部接続端子４０ａ～４０ｄを接続するためのパッド３３ａ～３３ｄとを備えている。図１（Ｃ）に示すように本実施形態の光電変換チップ１０では、電極１１３ａに対して再配線３２ａ及び３２ｃが接続されており、電極１１３ｂに対して再配線３２ｂ及び３２ｄが接続されている。また、再配線３２ａ～３２ｄは、それぞれ外部接続端子４０ａ～４０ｄに接続されている。 (Rewiring layer)
The rewiring layer 30 is formed on the electrode forming surface 10b side of the photoelectric conversion chip 10 and the sealing part 20. The rewiring layer 30 includes an insulating layer 31 having a first insulating layer 311 and a second insulating layer 312, rewirings 32a to 32d electrically connected to the electrodes 113a and 113b of the photoelectric conversion chip 10, and external connection terminals. It is provided with pads 33a to 33d for connecting 40a to 40d. As shown in FIG. 1C, in the photoelectric conversion chip 10 of this embodiment, rewirings 32a and 32c are connected to the electrode 113a, and rewirings 32b and 32d are connected to the electrode 113b. . Furthermore, the rewirings 32a to 32d are connected to external connection terminals 40a to 40d, respectively.

第一絶縁層３１１は、光電変換チップ１０及び封止部２０の電極形成面１０ｂ側に形成された絶縁層である。第一絶縁層３１１は、反りが小さく、再配線３２ａ～３２ｄとの接合性に優れ、耐熱性の高い材料により形成され、具体的にはポリイミド等の樹脂材料により形成される。第一絶縁層３１１は、光電変換素子１１の電極１１３ａ，１１３ｂの位置に第一絶縁層３１１を貫通する開口３１１ａ，３１１ｂをそれぞれ有している。これにより、図１（ｃ）に示すように、当該開口３１１ａ，３１１ｂを介して、再配線３２ａ，３２ｃが電極１１３ａと電気的に接続可能となり、再配線３２ｂ、３２ｄが電極１１３ｂと電気的に接続可能となる。 The first insulating layer 311 is an insulating layer formed on the electrode forming surface 10b side of the photoelectric conversion chip 10 and the sealing part 20. The first insulating layer 311 is formed of a material that has small warpage, excellent bonding properties with the rewiring lines 32a to 32d, and high heat resistance, and is specifically formed of a resin material such as polyimide. The first insulating layer 311 has openings 311a and 311b penetrating the first insulating layer 311 at the positions of the electrodes 113a and 113b of the photoelectric conversion element 11, respectively. As a result, as shown in FIG. 1C, the rewirings 32a and 32c can be electrically connected to the electrode 113a through the openings 311a and 311b, and the rewirings 32b and 32d can be electrically connected to the electrode 113b. Connection is now possible.

再配線３２ａ～３２ｄは、後述する光電変換チップ１０の電極１１３ａ，１１３ｂと、外部接続端子４０ａ～４０ｄとを電気的に接続する。再配線３２ａ～３２ｄは、第一絶縁層３１１と第二絶縁層３１２との間に設けられている。再配線３２ａは、第一絶縁層３１１の開口３１１ａから露出する電極１１３ａの表面及び開口３１１ａの側壁を覆い、開口３１１ａの側壁からパッド３３ａまで第一絶縁層３１１の表面上で延在する。再配線３２ｂは、第一絶縁層３１１の開口３１１ｂから露出する電極１１３ｂの表面と、開口３１１ｂの側壁とを覆い、開口３１１ｂの側壁からパッド３３ｂまで第一絶縁層３１１の表面上で延在する。再配線３２ｃ，３２ｄについても、再配線３２ａ，３２ｂと同様に形成され、パッド３３ｃ，３３ｄとそれぞれ接続される。 The rewirings 32a to 32d electrically connect electrodes 113a and 113b of the photoelectric conversion chip 10, which will be described later, and external connection terminals 40a to 40d. The rewirings 32a to 32d are provided between the first insulating layer 311 and the second insulating layer 312. The rewiring 32a covers the surface of the electrode 113a exposed from the opening 311a of the first insulating layer 311 and the sidewall of the opening 311a, and extends on the surface of the first insulating layer 311 from the sidewall of the opening 311a to the pad 33a. The rewiring 32b covers the surface of the electrode 113b exposed from the opening 311b of the first insulating layer 311 and the side wall of the opening 311b, and extends on the surface of the first insulating layer 311 from the side wall of the opening 311b to the pad 33b. . Rewirings 32c and 32d are also formed in the same manner as rewirings 32a and 32b, and are connected to pads 33c and 33d, respectively.

再配線３２ａは、下地層３２１ａ及び導体層３２２ａを有している。下地層３２１ａは、例えば無電解めっき又はスパッタリングにより形成され、後に電気めっきにより導体層３２２ａを形成する際の電極の役割を果たす。また、下地層３２１ａは、第一絶縁層３１１と導体層３２２ａとの接着性を向上させる役割も果たす。下地層３２１ａは、例えば銅（Ｃｕ）により形成される。導体層３２２ａは、下地層３２１ａ上に形成され、例えば電解めっきにより形成される。導体層３２２ａは、例えば銅（Ｃｕ）により形成される。 The rewiring 32a includes a base layer 321a and a conductor layer 322a. The base layer 321a is formed, for example, by electroless plating or sputtering, and serves as an electrode when the conductor layer 322a is later formed by electroplating. Further, the base layer 321a also serves to improve the adhesiveness between the first insulating layer 311 and the conductor layer 322a. The base layer 321a is made of copper (Cu), for example. The conductor layer 322a is formed on the base layer 321a, for example, by electrolytic plating. The conductor layer 322a is made of copper (Cu), for example.

再配線３２ｂは、下地層３２１ｂ及び導体層３２２ｂを有している。下地層３２１ｂは下地層３２１ａと、導体層３２２ｂは導体層３２２ａと同様の構成である。再配線３２ｃ，３２ｄについても同様に、下地層及び導体層をそれぞれ有している。 The rewiring 32b includes a base layer 321b and a conductor layer 322b. The base layer 321b has the same structure as the base layer 321a, and the conductor layer 322b has the same structure as the conductor layer 322a. Similarly, the rewirings 32c and 32d each have a base layer and a conductor layer.

第二絶縁層３１２は、第一絶縁層３１１の表面に形成された絶縁層である。第二絶縁層３１２は、第一絶縁層３１１と同様に、例えばポリイミド等の樹脂材料により形成される。第二絶縁層３１２は、平面視で第一絶縁層３１１の開口３１１ａ，３１１ｂと重ならない領域（例えば、平面視で開口３１１ａ，３１１ｂよりも外側の領域）に、第二絶縁層３１２を貫通する開口３１２ａ～３１２ｄ（開口３１２ｃ，３１２ｄは図示せず）を有する。これにより、図２に示すように、当該開口３１２ａ～３１２ｄを介して、パッド３３ａ～３３ｄが再配線３２ａ～３２ｄと電気的に接続可能となる。 The second insulating layer 312 is an insulating layer formed on the surface of the first insulating layer 311. The second insulating layer 312, like the first insulating layer 311, is made of a resin material such as polyimide. The second insulating layer 312 penetrates the second insulating layer 312 in a region that does not overlap with the openings 311a, 311b of the first insulating layer 311 in a plan view (for example, a region outside the openings 311a, 311b in a plan view). It has openings 312a to 312d (openings 312c and 312d are not shown). Thereby, as shown in FIG. 2, the pads 33a to 33d can be electrically connected to the rewirings 32a to 32d via the openings 312a to 312d.

パッド３３ａ～３３ｄは、外部接続端子４０ａ～４０ｄを再配線３２ａ～３２ｄとそれぞれ接続するために設けられる。パッド３３ａ～３３ｄは、例えばＮｉ層とＡｕ層との積層膜により形成されている。パッド３３ａ～３３ｄは、第二絶縁層３１２の開口３１２ａ～３１２ｄから露出する再配線３２ａ～３２ｄの表面のそれぞれ及び開口３１２ａ，３１２ｂの側壁を覆う。 Pads 33a to 33d are provided to connect external connection terminals 40a to 40d to rewirings 32a to 32d, respectively. The pads 33a to 33d are formed of, for example, a laminated film of a Ni layer and an Au layer. The pads 33a to 33d cover the surfaces of the rewiring lines 32a to 32d exposed through the openings 312a to 312d of the second insulating layer 312 and the side walls of the openings 312a and 312b, respectively.

（外部接続端子）
外部接続端子４０ａ～４０ｄは、パッド３３ａ～３３ｄと接しており、第二絶縁層３１２の開口３１２ａ，３１２ｂから露出する再配線３２ａ～３２ｄそれぞれと電気的に接続されている。外部接続端子４０ａ～４０ｄは、たとえばはんだボールである。光デバイス１を図示しない回路基板に実装する際には、外部接続端子４０ａ～４０ｄのそれぞれが回路基板の所定位置に接するように配置する。このあと、リフローにより外部接続端子４０ａ～４０ｄを加熱後冷却することにより、光デバイス１と回路基板とをはんだ付けする。 (External connection terminal)
The external connection terminals 40a to 40d are in contact with the pads 33a to 33d, and are electrically connected to the rewirings 32a to 32d exposed through the openings 312a and 312b of the second insulating layer 312, respectively. The external connection terminals 40a to 40d are, for example, solder balls. When the optical device 1 is mounted on a circuit board (not shown), each of the external connection terminals 40a to 40d is placed in contact with a predetermined position on the circuit board. Thereafter, the optical device 1 and the circuit board are soldered by heating and cooling the external connection terminals 40a to 40d by reflow.

本実施形態の光デバイス１では、半導体層１１２の第一導電型半導体層と接続された電極１１３ａと外部接続端子４０ａ、４０ｃとが、再配線３２ａ、３２ｃによって電気的に接続される。また、光デバイス１では、半導体層１１２の第二導電型半導体層と接続された電極１１３ｂと外部接続端子４０ｂ、４０ｄとが、再配線３２ｂ、３２ｄによって電気的に接続される。すなわち、外部接続端子４０ａ、４０ｃは、第一導電型の外部端子であり、外部接続端子４０ｂ、４０ｄは、第二導電型の外部端子となる。 In the optical device 1 of this embodiment, the electrode 113a connected to the first conductivity type semiconductor layer of the semiconductor layer 112 and the external connection terminals 40a, 40c are electrically connected by the rewirings 32a, 32c. Further, in the optical device 1, the electrode 113b connected to the second conductivity type semiconductor layer of the semiconductor layer 112 and the external connection terminals 40b and 40d are electrically connected by rewirings 32b and 32d. That is, the external connection terminals 40a and 40c are first conductivity type external terminals, and the external connection terminals 40b and 40d are second conductivity type external terminals.

第一実施形態に係る光デバイス１では、樹脂材料で構成された封止部２０が半導体素子である光電変換素子１１の側面を覆っており、光電変換素子１１の一方の主面は封止部２０から露出し、光電変換素子１１の他方の主面は封止部２０から露出して再配線層３０と当接している。このため、光デバイス１では、封止部２０の樹脂が膨潤した場合であっても半導体基板１１１の厚さ方向への応力が生じにくくなり、半導体基板１１１の反りが生じにくくなる。このため、半導体層１１２は、応力を受けなくなるため、光デバイス１の特性変動が生じにくくなる。 In the optical device 1 according to the first embodiment, the sealing part 20 made of a resin material covers the side surface of the photoelectric conversion element 11 which is a semiconductor element, and one main surface of the photoelectric conversion element 11 is covered with the sealing part 20. The other main surface of the photoelectric conversion element 11 is exposed from the sealing part 20 and is in contact with the rewiring layer 30 . Therefore, in the optical device 1, even if the resin of the sealing part 20 swells, stress in the thickness direction of the semiconductor substrate 111 is less likely to occur, and the semiconductor substrate 111 is less likely to warp. Therefore, the semiconductor layer 112 is not subjected to stress, so that the characteristics of the optical device 1 are less likely to change.

具体的には、赤外線センサや発光装置（ＬＥＤ）等といった光デバイス１の発光量の変動や受光感度の変動や半導体層１１２の抵抗値の変動が生じにくくなる。特に、光デバイス１がｐｐｂオーダの分解能を要求するガスセンサの場合には、光信号レベルが外乱の影響によって僅かに変化した場合でも、ガス濃度測定結果に大きな誤差が生じることになる。このため、本実施形態に係る光デバイス１により、ガス濃度の測定結果の変動が顕著に生じにくくなる。 Specifically, fluctuations in the amount of light emitted by the optical device 1 such as an infrared sensor or a light emitting device (LED), fluctuations in the light receiving sensitivity, and fluctuations in the resistance value of the semiconductor layer 112 are less likely to occur. In particular, if the optical device 1 is a gas sensor that requires resolution on the ppb order, even if the optical signal level changes slightly due to the influence of disturbance, a large error will occur in the gas concentration measurement result. Therefore, with the optical device 1 according to the present embodiment, fluctuations in the gas concentration measurement results are less likely to occur significantly.

（光デバイスの製造方法）
以下、本実施形態に係る光デバイス１の製造方法を図３（Ａ）から図３（Ｇ）及び図４（Ａ）から図４（Ｆ）の工程断面図を用いて説明する。図３（Ａ）から図３（Ｇ）は、光電変換素子１１を用いて再構成基板を形成する工程を示している。また、図４（Ａ）から図４（Ｆ）は再構成基板に対して再配線層３０及び外部接続端子４０を形成する工程を示している。 (Manufacturing method of optical device)
Hereinafter, a method for manufacturing the optical device 1 according to this embodiment will be described using process cross-sectional views of FIGS. 3(A) to 3(G) and FIGS. 4(A) to 4(F). 3(A) to FIG. 3(G) show a process of forming a reconfigured substrate using the photoelectric conversion element 11. 4(A) to FIG. 4(F) show the steps of forming the rewiring layer 30 and external connection terminals 40 on the reconfigured substrate.

（再構成基板形成工程）
まず、予め、半導体基板１１１の一方の面に半導体層１１２及び電極１１３ａ，１１３ｂが形成され、半導体基板１１１の他方の面に反射防止膜１２が形成された、個片化された光電変換チップ１０を準備する。個片化された光電変換チップ１０は、反射防止膜１２の表面に保護層２００が設けられている。半導体基板１１１となる半導体ウエハの他方の面に反射防止膜１２を形成し、反射防止膜１２の表面に保護層２００を形成した後、個片化することにより、反射防止膜１２及び保護層２００付きの光電変換チップ１０を得ることができる。保護層２００は、例えば、有機塗布膜を用いて、厚み３μｍ以上２０μｍ以下で形成される。 (Reconstructed substrate formation process)
First, a photoelectric conversion chip 10 is singulated, in which a semiconductor layer 112 and electrodes 113a, 113b are formed on one surface of a semiconductor substrate 111, and an antireflection film 12 is formed on the other surface of the semiconductor substrate 111. Prepare. A protective layer 200 is provided on the surface of the antireflection film 12 in the photoelectric conversion chip 10 that has been cut into pieces. After forming the anti-reflection film 12 on the other side of the semiconductor wafer that will become the semiconductor substrate 111 and forming the protective layer 200 on the surface of the anti-reflection film 12, the anti-reflection film 12 and the protective layer 200 are separated into pieces. A photoelectric conversion chip 10 can be obtained. The protective layer 200 is formed using, for example, an organic coating film and has a thickness of 3 μm or more and 20 μm or less.

次に、図３（Ａ）に示すように、ガラス基板等の基板２１０を準備し、基板２１０の一方の面に接着フィルム２１２を貼り付ける。
続いて、図３（Ｂ）に示すように、基板２１０の一方の面に貼り付けられた接着フィルム２１２に対して、個片化した光電変換チップ１０を貼り付ける。このとき、光電変換チップ１０の半導体層１１２及び電極１１３ａ，１１３ｂを形成した面が接着フィルム２１２側を向くようにして光電変換チップ１０を貼り付ける。 Next, as shown in FIG. 3A, a substrate 210 such as a glass substrate is prepared, and an adhesive film 212 is attached to one surface of the substrate 210.
Subsequently, as shown in FIG. 3B, the individualized photoelectric conversion chips 10 are attached to the adhesive film 212 attached to one surface of the substrate 210. At this time, the photoelectric conversion chip 10 is attached so that the surface of the photoelectric conversion chip 10 on which the semiconductor layer 112 and the electrodes 113a and 113b are formed faces the adhesive film 212 side.

図３（Ｃ）に示すように、接着フィルム２１２上に光電変換チップ１０が貼り付けられた基板２１０を、図示しない上金型及び下金型で形成されたキャビティ内に配置し、キャビティ内に溶融樹脂を充填、硬化させてモールド樹脂層２２０を形成する。モールド樹脂層２２０は、光電変換素子１１、反射防止膜１２及び保護層２００を覆うようにして形成される。モールド樹脂層２２０は、例えばコンプレッション成形やトランスファー成形により形成することができる。 As shown in FIG. 3C, a substrate 210 with a photoelectric conversion chip 10 attached on an adhesive film 212 is placed in a cavity formed by an upper mold and a lower mold (not shown), and Molten resin is filled and cured to form a mold resin layer 220. The mold resin layer 220 is formed to cover the photoelectric conversion element 11, the antireflection film 12, and the protective layer 200. The mold resin layer 220 can be formed, for example, by compression molding or transfer molding.

図３（Ｄ）に示すように、モールド樹脂層２２０の上面をポリッシング等により研磨し、保護層２００を露出させる。これにより、光電変換チップ１０の側面を覆う封止部２０が形成される。
図３（Ｅ）に示すように、封止部２０から露出した保護層２００を剥離液を用いて剥離する。剥離液は、保護層２００と封止部２０及び反射防止膜１２との界面に浸透し、保護層２００のみを剥離する。これにより、光電変換チップ１０の光出入射面１０ａ（反射防止膜１２の上面）が封止部２０の上面から凹んだ位置で露出する。 As shown in FIG. 3D, the upper surface of the mold resin layer 220 is polished by polishing or the like to expose the protective layer 200. Thereby, a sealing portion 20 that covers the side surface of the photoelectric conversion chip 10 is formed.
As shown in FIG. 3E, the protective layer 200 exposed from the sealing part 20 is peeled off using a stripping liquid. The stripping liquid permeates the interface between the protective layer 200, the sealing part 20, and the antireflection film 12, and peels off only the protective layer 200. As a result, the light exit/incident surface 10a (the upper surface of the antireflection film 12) of the photoelectric conversion chip 10 is exposed at a position recessed from the upper surface of the sealing part 20.

図３（Ｆ）に示すように、接着フィルム２１２から基板２１０を剥離した後、図３（Ｇ）に示すように、接着フィルム２１２を光電変換チップ１０及び封止部２０から剥離する。以上により、再構成基板２３０が形成される。 After the substrate 210 is peeled off from the adhesive film 212 as shown in FIG. 3(F), the adhesive film 212 is peeled off from the photoelectric conversion chip 10 and the sealing part 20 as shown in FIG. 3(G). Through the above steps, the reconfigured substrate 230 is formed.

（再配線層形成工程）
続いて、再構成基板２３０の裏面に、再配線層３０を形成する工程について説明する。なお、図４（Ａ）から図４（Ｆ）では、説明を容易にするために、再構成基板２３０のうちの一部分を拡大して示して再配線層形成工程を説明する。 (Rewiring layer formation process)
Next, a process of forming the rewiring layer 30 on the back surface of the reconfigurable substrate 230 will be described. Note that in FIGS. 4(A) to 4(F), in order to facilitate the explanation, a part of the reconfigured substrate 230 is shown in an enlarged manner to explain the rewiring layer forming process.

図４（Ａ）に示すように、再構成基板２３０の裏面（光電変換素子１１の電極形成面１０ｂ）に、第一絶縁層３１１を形成する。続いて、第一絶縁層３１１のうち、光電変換素子１１の電極１１３ａ，１１３ｂの位置に、第一絶縁層３１１を貫通する開口３１１ａ，３１１ｂをそれぞれ形成する。 As shown in FIG. 4A, a first insulating layer 311 is formed on the back surface of the reconfigured substrate 230 (electrode formation surface 10b of the photoelectric conversion element 11). Subsequently, openings 311a and 311b penetrating the first insulating layer 311 are formed at the positions of the electrodes 113a and 113b of the photoelectric conversion element 11 in the first insulating layer 311, respectively.

図４（Ｂ）に示すように、第一絶縁層３１１の上に、例えば無電解銅（Ｃｕ）めっきにより再配線３２ａ～３２ｄの下地層３２１ａ～３２１ｄ（下地層３２１ｃ、３２１は図示せず）を形成する。下地層３２１ａは、第一絶縁層３１１の開口３１１ａから露出する電極１１３ａの表面及び開口３１１ａの側壁を覆い、開口３１１ａの側壁から第一絶縁層３１１のパッド３３ａが形成される位置まで延在するように形成する。同様にして、電極１１３ａ上からパッド３３ａが形成される位置まで延在するように下地層３２１ｃを形成する。下地層３２１ｂは、第一絶縁層３１１の開口３１１ｂから露出する電極１１３ｂの表面及び開口３１１ｂの側壁を覆い、開口３１１ｂの側壁から第一絶縁層３１１のパッド３３ｂが形成される位置まで延在するように形成する。同様にして、電極１１３ｂ上からパッド３３ｄが形成される位置まで延在するように下地層３２１ｄを形成する。 As shown in FIG. 4B, base layers 321a to 321d (base layers 321c and 321 are not shown) for rewirings 32a to 32d are formed on the first insulating layer 311 by, for example, electroless copper (Cu) plating. form. The base layer 321a covers the surface of the electrode 113a exposed from the opening 311a of the first insulating layer 311 and the side wall of the opening 311a, and extends from the side wall of the opening 311a to the position where the pad 33a of the first insulating layer 311 is formed. Form it like this. Similarly, a base layer 321c is formed so as to extend from above the electrode 113a to the position where the pad 33a is formed. The base layer 321b covers the surface of the electrode 113b exposed from the opening 311b of the first insulating layer 311 and the side wall of the opening 311b, and extends from the side wall of the opening 311b to the position where the pad 33b of the first insulating layer 311 is formed. Form it like this. Similarly, a base layer 321d is formed so as to extend from above the electrode 113b to the position where the pad 33d is formed.

図４（Ｃ）に示すように、下地層３２１ａ～３２１ｄ上に、下地層３２１ａ～３２１ｄを電極とした電解銅（Ｃｕ）めっきにより導体層３２２ａ～３２２ｄ（導体層３２２ｃ，３２２ｄは図示せず）を形成する。これにより、電極１１３ａからパッド３３ａ及びパッド３３ｃが形成される位置まで導体層３２２ａ，３２２ｃが形成され、電極１１３ｂからパッド３３ｂ及びパッド３３ｄが形成される位置まで導体層３２２ｂ，３２２ｄが形成される。 As shown in FIG. 4C, conductor layers 322a to 322d (conductor layers 322c and 322d are not shown) are formed by electrolytic copper (Cu) plating on the base layers 321a to 321d using the base layers 321a to 321d as electrodes. form. As a result, conductor layers 322a and 322c are formed from the electrode 113a to the positions where the pads 33a and 33c are formed, and conductor layers 322b and 322d are formed from the electrode 113b to the positions where the pads 33b and 33d are formed.

図４（Ｄ）に示すように、第一絶縁層３１１及び再配線３２ａ～３２ｄ上に、第二絶縁層３１２を形成する。続いて、第二絶縁層３１２のうち、後にパッド３３ａ～３３ｄを形成する部分に、第二絶縁層３１２を貫通する開口３１２ａ～３１２ｄ（開口３１２ｃ，３１２ｄは図示せず）を形成する。開口３１２ａ～３１２ｄは、再配線３２ａ～３２ｄ上であり、かつ平面視で第一絶縁層３１１の開口３１１ａ～３１１ｄと重ならない領域（例えば、平面視で開口３１１ａ～３１１ｄよりも外側の領域）に設けられる。 As shown in FIG. 4(D), a second insulating layer 312 is formed on the first insulating layer 311 and the rewiring lines 32a to 32d. Subsequently, openings 312a to 312d (openings 312c and 312d are not shown) passing through the second insulating layer 312 are formed in portions of the second insulating layer 312 where pads 33a to 33d will be formed later. The openings 312a to 312d are located above the rewiring lines 32a to 32d and are located in areas that do not overlap with the openings 311a to 311d of the first insulating layer 311 in a plan view (for example, areas outside the openings 311a to 311d in a plan view). provided.

図４（Ｅ）に示すように、第二絶縁層３１２の開口３１２ａ～３１２ｄの位置に、パッド３３ａ～３３ｄ（パッド３３ｃ，３３ｄは図示せず）を形成する。パッド３３ａ～３３ｄは、例えば無電解ニッケル（Ｎｉ）めっきにより下地層となるＮｉ層を形成した後、無電解金（Ａｕ）めっきによりＡｕ層を形成して得る。パッド３３ａ～３３ｄは、第二絶縁層３１２の開口３１２ａ～３１２ｄから露出する再配線３２ａ～３２ｄの表面及び開口３１２ａ～３１２ｄの側壁を覆って形成される。 As shown in FIG. 4E, pads 33a to 33d (pads 33c and 33d are not shown) are formed at the positions of the openings 312a to 312d in the second insulating layer 312. The pads 33a to 33d are obtained by, for example, forming a Ni layer as a base layer by electroless nickel (Ni) plating, and then forming an Au layer by electroless gold (Au) plating. The pads 33a to 33d are formed to cover the surfaces of the rewiring lines 32a to 32d exposed through the openings 312a to 312d of the second insulating layer 312 and the sidewalls of the openings 312a to 312d.

図４（Ｆ）に示すように、パッド３３ａ～３３ｄ上に、はんだボールにより外部接続端子４０ａ～４０ｄ（外部接続端子４０ｃ，４０ｄは図示せず）を形成する。最後に、再配線層３０が形成された再構成基板２３０の封止部２０部分をダイシングブレードでダイシングすることにより、個片化された光デバイス１を得ることができる。 As shown in FIG. 4F, external connection terminals 40a to 40d (external connection terminals 40c and 40d are not shown) are formed using solder balls on the pads 33a to 33d. Finally, by dicing the sealing portion 20 portion of the reconfigured substrate 230 on which the rewiring layer 30 is formed using a dicing blade, the optical device 1 can be obtained into individual pieces.

なお、第一実施形態に係る光デバイス１の製造方法において、保護層２００を設ける代わりに、光電変換チップ１０の形状に合わせた突出部を有する上金型を用いて樹脂成形を行っても良い。この場合、封止部２０の上面から上金型の突出部の高さの分だけ凹んだ位置に光電変換チップ１０の上面を形成することができる。 Note that in the method for manufacturing the optical device 1 according to the first embodiment, instead of providing the protective layer 200, resin molding may be performed using an upper mold having a protrusion that matches the shape of the photoelectric conversion chip 10. . In this case, the upper surface of the photoelectric conversion chip 10 can be formed at a position recessed from the upper surface of the sealing part 20 by the height of the protrusion of the upper mold.

（第一実施形態の変形例）
（１）第一実施形態に係る光デバイス１では、光電変換チップ１０の光出入射面１０ａである反射防止膜１２の上面が、封止部２０の上面よりも凹んだ位置に設けられている例について説明したが、このような構成に限られない。
例えば図５の断面図に示すように、光電変換チップ１０の光出入射面１０ａである反射防止膜１２の上面が、封止部２０の上面よりも突出する位置に設けられていても良い。この場合、例えば保護層２００を設けない光電変換チップ１０を用い、モールド樹脂層２２０を形成する際に上金型表面にフッ素樹脂等で構成された樹脂シートを設け、樹脂シートに対して光電変換チップ１０が食い込むような状態で溶融樹脂に注入・硬化を行う。これにより、光電変換チップ１０の上面がモールド樹脂層２２０（封止部２０）の上面から突出するように形成される。 (Modified example of first embodiment)
(1) In the optical device 1 according to the first embodiment, the upper surface of the antireflection film 12, which is the light exit/incident surface 10a of the photoelectric conversion chip 10, is provided at a position recessed from the upper surface of the sealing part 20. Although an example has been described, the configuration is not limited to this.
For example, as shown in the cross-sectional view of FIG. 5, the top surface of the antireflection film 12, which is the light exit/incident surface 10a of the photoelectric conversion chip 10, may be provided at a position that projects beyond the top surface of the sealing part 20. In this case, for example, the photoelectric conversion chip 10 without the protective layer 200 is used, and when forming the mold resin layer 220, a resin sheet made of fluororesin or the like is provided on the upper mold surface, and the photoelectric conversion is performed on the resin sheet. The molten resin is injected and hardened in such a state that the chip 10 bites into it. Thereby, the upper surface of the photoelectric conversion chip 10 is formed so as to protrude from the upper surface of the mold resin layer 220 (sealing section 20).

（２）また、図６の断面図に示すように、光電変換チップ１０の光出入射面１０ａが、封止部２０の上面と面一であってもよい。この場合、変形例１同様の方法例えば保護層２００を設けない光電変換チップ１０を用い、モールド樹脂層２２０を形成する際に上金型表面に樹脂シートを設け、樹脂シートに対して光電変換チップ１０が食い込むような状態で溶融樹脂に注入・硬化を行う。これにより、光電変換チップ１０の上面がモールド樹脂層２２０（封止部２０）の上面から突出するように形成される。
図５及び図６に示す構成の光デバイス１では、封止部２０によって光の入射角又は出射角の制限を受けずに赤外線等の光を検出することができる。 (2) Furthermore, as shown in the cross-sectional view of FIG. 6, the light exit/incident surface 10a of the photoelectric conversion chip 10 may be flush with the upper surface of the sealing part 20. In this case, a method similar to Modification 1 is used, for example, using the photoelectric conversion chip 10 without the protective layer 200, and when forming the mold resin layer 220, a resin sheet is provided on the upper mold surface, and the photoelectric conversion chip is attached to the resin sheet. 10 is injected into the molten resin and hardened. Thereby, the upper surface of the photoelectric conversion chip 10 is formed so as to protrude from the upper surface of the mold resin layer 220 (sealing section 20).
In the optical device 1 having the configuration shown in FIGS. 5 and 6, it is possible to detect light such as infrared rays without being limited by the angle of incidence or the angle of emission of light due to the sealing part 20.

（第一実施形態の効果）
第一実施形態に係る光デバイスでは、以下の効果を有する。
（１）樹脂材料で構成された封止部２０が半導体素子である光電変換素子１１の側面を覆っており、光電変換素子１１の一方の主面は封止部２０から露出し、光電変換素子１１の他方の主面は封止部２０から露出して再配線層３０と当接している。このため、半導体基板１１１の反りが生じにくくなり、光デバイス１の特性変動が生じにくくなる。
（２）光デバイス１の配線を、再配線層で構成することができる。このため、光デバイス１を薄型化することができる。
（３）光デバイス１は、光電変換素子１１の上面に反射防止膜１２が設けられており、反射防止膜１２が光電変換チップ１０の光出入射面１０ａとなっている。このため、反射防止膜１２によって、光電変換チップ１０の外部から光電変換素子１１に入射する光、又は光電変換素子１１から光電変換チップ１０の外部に出射する光が、光電変換素子１１の表面において反射することを抑制し、光入射効率又は光出射効率を向上させることができる。 (Effects of first embodiment)
The optical device according to the first embodiment has the following effects.
(1) The sealing part 20 made of a resin material covers the side surface of the photoelectric conversion element 11, which is a semiconductor element, and one main surface of the photoelectric conversion element 11 is exposed from the sealing part 20, and the photoelectric conversion element The other main surface of 11 is exposed from the sealing part 20 and is in contact with the rewiring layer 30 . Therefore, the semiconductor substrate 111 is less likely to warp, and the characteristics of the optical device 1 are less likely to change.
(2) The wiring of the optical device 1 can be configured with a rewiring layer. Therefore, the optical device 1 can be made thinner.
(3) In the optical device 1, an antireflection film 12 is provided on the upper surface of the photoelectric conversion element 11, and the antireflection film 12 serves as the light exit/incident surface 10a of the photoelectric conversion chip 10. Therefore, the anti-reflection film 12 prevents light entering the photoelectric conversion element 11 from outside the photoelectric conversion chip 10 or light emitted from the photoelectric conversion element 11 to the outside of the photoelectric conversion element 10 from reaching the surface of the photoelectric conversion element 11. It is possible to suppress reflection and improve light incidence efficiency or light emission efficiency.

２．第二実施形態
以下、本発明の第二実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
（光デバイスの構成）
図１及び図２を参照しつつ、図７を用いて、第二実施形態に係る光デバイス２０１の構成を説明する。
光デバイス２０１は、図７に示すように、光電変換素子１１が光電変換チップ１０を構成しており、半導体基板１１１の他方の主面が封止部２０から露出している。光デバイス２０１は、光電変換素子１１の半導体基板１１１の一方の面に半導体層１１２及び電極１１３ａ，１１３ｂが形成されており、半導体基板１１１の他方の面は、光電変換チップ１０の光出入射面１０ａとなっている。すなわち、光デバイス２０１は、反射防止膜１２を有していない点で、第一実施形態に係る光デバイス１と相違する。
その他の構成は、上述した第一実施形態と同様であるため、説明を省略する。 2. Second Embodiment A second embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(Optical device configuration)
The configuration of an optical device 201 according to the second embodiment will be described using FIG. 7 while referring to FIGS. 1 and 2.
In the optical device 201, as shown in FIG. 7, the photoelectric conversion element 11 constitutes the photoelectric conversion chip 10, and the other main surface of the semiconductor substrate 111 is exposed from the sealing part 20. In the optical device 201, a semiconductor layer 112 and electrodes 113a, 113b are formed on one surface of a semiconductor substrate 111 of a photoelectric conversion element 11, and the other surface of the semiconductor substrate 111 is a light exit/incident surface of the photoelectric conversion chip 10. It is 10a. That is, the optical device 201 differs from the optical device 1 according to the first embodiment in that it does not have the antireflection film 12.
The other configurations are the same as those of the first embodiment described above, so the explanation will be omitted.

光デバイス２０１の光出入射面１０ａとなる半導体基板１１１の他方の面は、封止部２０の上面に対して凹んだ位置に設けられているが、光デバイス２０１の構成はこのような構成に限られない。光デバイス２０１の光出入射面１０ａとなる半導体基板１１１の他方の面は、封止部２０の上面に対して面一であっても良い。 The other surface of the semiconductor substrate 111, which serves as the light exit/incident surface 10a of the optical device 201, is provided at a recessed position with respect to the upper surface of the sealing part 20. Not limited. The other surface of the semiconductor substrate 111, which becomes the light exit/incident surface 10a of the optical device 201, may be flush with the upper surface of the sealing part 20.

また、光デバイス２０１がＬＥＤ等の発光デバイスである場合には、光出入射面１０ａとなる半導体基板１１１の他方の面が凹凸形状を有していることが好ましい。光出入射面１０ａが凹凸形状を有していることにより、光電変換素子１１から斜めに出射された光が光電変換素子１１内に反射すること等による光の損失が少なく光電変換チップ１０の発光効率が向上するためである。 Moreover, when the optical device 201 is a light emitting device such as an LED, it is preferable that the other surface of the semiconductor substrate 111, which becomes the light exit/incident surface 10a, has an uneven shape. Since the light exit/incident surface 10a has an uneven shape, the light emitted from the photoelectric conversion chip 10 can emit light with less loss of light due to reflection of light emitted obliquely from the photoelectric conversion element 11 into the photoelectric conversion element 11, etc. This is because efficiency is improved.

（第二実施形態における効果）
第二実施形態に係る光デバイスでは、第一実施形態における効果（１）（２）に加えて、以下の効果を有する。
（１）光デバイス２０１は、光電変換素子１１が光電変換チップ１０を構成している。このため、光デバイス２０１をより薄型化することができる。
（２）光デバイス２０１は、デバイス外部に露出する半導体基板１１１の一面（光電変換チップ１０の光出入射面１０ａ）が凹凸形状を有していても良い。このため、光電変換素子１１から出射された光の損失が少なく光電変換チップ１０の発光効率が向上する。 (Effects in second embodiment)
The optical device according to the second embodiment has the following effects in addition to effects (1) and (2) in the first embodiment.
(1) In the optical device 201, the photoelectric conversion element 11 constitutes the photoelectric conversion chip 10. Therefore, the optical device 201 can be made thinner.
(2) In the optical device 201, one surface of the semiconductor substrate 111 (the light exit/incident surface 10a of the photoelectric conversion chip 10) exposed to the outside of the device may have an uneven shape. Therefore, the loss of light emitted from the photoelectric conversion element 11 is reduced, and the luminous efficiency of the photoelectric conversion chip 10 is improved.

３．第三実施形態
図１及び図２を参照しつつ、図８を用いて、第二実施形態に係る光デバイス３０１の構成を説明する。
光デバイス３０１は、図８に示すように、光電変換素子１１の上面（半導体基板１１１の他方の面）に光学フィルタ３２０が設けられた光電変換チップ３１０を備えている。光デバイス３０１では、光学フィルタ３２０の上面が封止部２０から露出している。光デバイス３０１では、光学フィルタ３２０の上面が光電変換チップ１０の光出入射面１０ａとなっている。すなわち、光デバイス３０１は、反射防止膜１２に代えて光学フィルタ３２０を有している点で、第一実施形態に係る光デバイス１と相違する。
光学フィルタ３２０以外の構成は、上述した第一実施形態と同様であるため、説明を省略する。 3. Third Embodiment The configuration of an optical device 301 according to a second embodiment will be described using FIG. 8 while referring to FIGS. 1 and 2.
As shown in FIG. 8, the optical device 301 includes a photoelectric conversion chip 310 in which an optical filter 320 is provided on the upper surface of the photoelectric conversion element 11 (the other surface of the semiconductor substrate 111). In the optical device 301, the upper surface of the optical filter 320 is exposed from the sealing part 20. In the optical device 301, the upper surface of the optical filter 320 serves as the light exit/incident surface 10a of the photoelectric conversion chip 10. That is, the optical device 301 differs from the optical device 1 according to the first embodiment in that it includes an optical filter 320 instead of the antireflection film 12.
The configuration other than the optical filter 320 is the same as that of the first embodiment described above, so a description thereof will be omitted.

（光学フィルタ）
光学フィルタ３２０は、所望の波長範囲の光を選択的に（すなわち、透過率高く）透過させる機能を有している。光学フィルタ３２０は、例えば、赤外線のみを透過する機能を有する。光学フィルタ３２０を構成する光学部材の材料としては、シリコン（Ｓｉ）、ガラス（ＳｉＯ２）、サファイヤ（Ａｌ２Ｏ３）、Ｇｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣａＦ２、ＢａＦ２など、予め設定した波長範囲の光が透過する材料が用いられる。また、光学フィルタ３２０は、蒸着等により光学部材に薄膜が設けられた構成であっても良い。薄膜材料としては、シリコン（Ｓｉ）、ガラス（ＳｉＯ２）、サファイヤ（Ａｌ２Ｏ３）、Ｇｅ、ＺｎＳ、ＴｉＯ２、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等が用いられる。 (optical filter)
The optical filter 320 has a function of selectively transmitting light in a desired wavelength range (that is, with high transmittance). For example, the optical filter 320 has a function of transmitting only infrared rays. Materials for the optical members constituting the optical filter 320 include silicon (Si), glass (SiO 2 ), sapphire (Al 2 O 3 ), Ge, ZnS, ZnSe, CaF 2 , BaF 2 , etc. within a preset wavelength range. A material is used that allows light to pass through. Further, the optical filter 320 may have a structure in which a thin film is provided on an optical member by vapor deposition or the like. As the thin film material, silicon (Si), glass ( SiO2 ), sapphire ( Al2O3 ), Ge , ZnS, TiO2 , MgF2 , SiO2 , ZrO2 , Ta2O5 , etc. are used.

また、光学フィルタ３２０は、光学部材上に異なる屈折率を有する誘電体を層状に積層した誘電体多層膜フィルタとしても良い。この場合、層状に積層した誘電体層は、光学部材の片面又は両面に形成される。誘電体層を光学部材の両面に設ける場合、誘電体層は、光学部材の表面、裏面において異なる厚みで形成されていてもよい。 Further, the optical filter 320 may be a dielectric multilayer filter in which dielectrics having different refractive indexes are laminated in layers on an optical member. In this case, the dielectric layer stacked in layers is formed on one or both sides of the optical member. When providing dielectric layers on both sides of the optical member, the dielectric layers may be formed with different thicknesses on the front and back surfaces of the optical member.

光デバイス３０１の光出入射面１０ａとなる光学フィルタ３２０の上面は、封止部２０の上面に対して凹んだ位置に設けられているが、光デバイス３０１の構成はこのような構成に限られない。デバイス３０１の光出入射面１０ａとなる光学フィルタ３２０の上面は、封止部２０の上面に対して面一であっても良い。
さらに、光デバイス３０１の光電変換チップ３１０は、光学フィルタ３２０の表面に、第一実施形態と同様の反射防止膜１２が設けられていても良い。 Although the upper surface of the optical filter 320, which serves as the light exit/incident surface 10a of the optical device 301, is provided at a recessed position with respect to the upper surface of the sealing part 20, the configuration of the optical device 301 is limited to such a configuration. do not have. The upper surface of the optical filter 320 serving as the light exit/incident surface 10a of the device 301 may be flush with the upper surface of the sealing part 20.
Furthermore, in the photoelectric conversion chip 310 of the optical device 301, an antireflection film 12 similar to that of the first embodiment may be provided on the surface of the optical filter 320.

（第三実施形態における効果）
第三実施形態に係る光デバイスでは、第一実施形態における効果（１）（２）に加えて、以下の効果を有する。
（１）光デバイス３０１は、光電変換素子１１の上面に光学フィルタ３２０を有している。このため、所望の波長範囲の光を選択的に透過させることができ、所望の波長範囲の光の検出精度を向上させることができる。 (Effects in the third embodiment)
The optical device according to the third embodiment has the following effects in addition to effects (1) and (2) in the first embodiment.
(1) The optical device 301 has an optical filter 320 on the top surface of the photoelectric conversion element 11. Therefore, light in a desired wavelength range can be selectively transmitted, and the detection accuracy of light in a desired wavelength range can be improved.

４．第四実施形態
図１及び図２を参照しつつ、図９を用いて、第五実施形態に係る光デバイス４０１の構成を説明する。
光デバイス４０１は、図９に示すように、光電変換素子１１の上面（半導体基板１１１の他方の面）にシリコン（Ｓｉ）チップ４１２が設けられた光電変換チップ４１０を備えている。光デバイス４０１では、シリコンチップ４１２の上面４１２ａが封止部２０から露出している。光デバイス４０１では、シリコンチップ４１２の上面４１２ａが光電変換チップ１０の光出入射面１０ａとなっている。すなわち、光デバイス４０１は、反射防止膜１２に代えてシリコンチップ４１２を有している点で、第一実施形態に係る光デバイス１と相違する。
シリコンチップ４１２以外の構成は、上述した第一実施形態と同様であるため、説明を省略する。 4. Fourth Embodiment The configuration of an optical device 401 according to a fifth embodiment will be described using FIG. 9 while referring to FIGS. 1 and 2.
As shown in FIG. 9, the optical device 401 includes a photoelectric conversion chip 410 in which a silicon (Si) chip 412 is provided on the upper surface of the photoelectric conversion element 11 (the other surface of the semiconductor substrate 111). In the optical device 401, the upper surface 412a of the silicon chip 412 is exposed from the sealing part 20. In the optical device 401, the upper surface 412a of the silicon chip 412 serves as the light exit/incident surface 10a of the photoelectric conversion chip 10. That is, the optical device 401 differs from the optical device 1 according to the first embodiment in that it includes a silicon chip 412 instead of the antireflection film 12.
The configuration other than the silicon chip 412 is the same as that of the first embodiment described above, so the explanation will be omitted.

（シリコンチップ）
光デバイス４０１がＬＥＤ等の発光デバイスである場合には、光出入射面１０ａとなるシリコンチップ４１２の一方の表面である上面４１２ａが、凹凸形状に加工されている。上面４１２ａが凹凸形状を有していることにより、光電変換素子１１から斜めに出射された光が光電変換素子１１内に反射すること等による光の損失が少なく光電変換チップ１０の発光効率が向上する。
シリコンチップ４１２の凹凸形状は、頂点の高さが０．７μｍ以上１０μｍ以下である突起が複数連続して配置されて形成されていることが好ましい。また、シリコンチップ４１２の凹凸形状を構成する突起は、当該突起の底面の一辺の長さが１００μｍ以下である六角錐形状であることが好ましい。突起の形状を六角錐形状とすることにより、突起の頂点同士のピッチを小さくして、突起の形成密度を向上させることができる。このため、光電変換チップ１０の発光効率をより向上させることができる。 (silicon chip)
When the optical device 401 is a light emitting device such as an LED, the upper surface 412a, which is one surface of the silicon chip 412 and serves as the light exit/incident surface 10a, is processed into an uneven shape. Since the upper surface 412a has an uneven shape, there is less loss of light due to reflection of light obliquely emitted from the photoelectric conversion element 11 into the photoelectric conversion element 11, etc., and the luminous efficiency of the photoelectric conversion chip 10 is improved. do.
The uneven shape of the silicon chip 412 is preferably formed by continuously arranging a plurality of protrusions each having a peak height of 0.7 μm or more and 10 μm or less. Further, it is preferable that the protrusions forming the uneven shape of the silicon chip 412 have a hexagonal pyramid shape in which the length of one side of the bottom surface of the protrusions is 100 μm or less. By forming the protrusions into a hexagonal pyramid shape, it is possible to reduce the pitch between the vertices of the protrusions and improve the formation density of the protrusions. Therefore, the luminous efficiency of the photoelectric conversion chip 10 can be further improved.

（第四実施形態における効果）
第四実施形態に係る光デバイスでは、第一実施形態における効果（１）（２）に加えて、以下の効果を有する。
（１）光デバイス４０１は、光電変換素子１１の上面にシリコンチップ４１２を有しており、光出入射面１０ａとなるシリコンチップ４１２の表面が凹凸形状に加工されている。このため、光電変換素子１１から出射された光の損失が少なく光電変換チップ１０の発光効率が向上する。
（２）シリコンチップ４１２の表面の凹凸形状は、突起が複数連続して配置されて形成されており、突起の形状を六角錐形状に形成しても良い。この場合、突起の形成密度を向上させることができるため、光電変換チップ１０の発光効率をより向上させることができる。 (Effects in the fourth embodiment)
The optical device according to the fourth embodiment has the following effects in addition to effects (1) and (2) in the first embodiment.
(1) The optical device 401 has a silicon chip 412 on the upper surface of the photoelectric conversion element 11, and the surface of the silicon chip 412, which becomes the light exit/incident surface 10a, is processed into an uneven shape. Therefore, the loss of light emitted from the photoelectric conversion element 11 is reduced, and the luminous efficiency of the photoelectric conversion chip 10 is improved.
(2) The uneven shape of the surface of the silicon chip 412 is formed by a plurality of consecutively arranged protrusions, and the protrusions may be formed into a hexagonal pyramid shape. In this case, since the formation density of the protrusions can be improved, the light emitting efficiency of the photoelectric conversion chip 10 can be further improved.

５．第五実施形態
図１～図４を参照しつつ、図１０及び図１１を用いて、第五実施形態に係る光デバイスの構成を説明する。
第五実施形態に係る光デバイスは、第一実施形態に係る光デバイス１の光出入射面１０ａ側に、光学フィルタチップ（以下、光学フィルタという）５１２を含むフィルタブロック５１０を備えたフィルタブロック付きの光デバイス５００である。本実施形態では、光デバイス５００が赤外線センサ等の受光デバイスである場合について説明する。 5. Fifth Embodiment The configuration of an optical device according to a fifth embodiment will be described using FIGS. 10 and 11 while referring to FIGS. 1 to 4.
The optical device according to the fifth embodiment has a filter block equipped with a filter block 510 including an optical filter chip (hereinafter referred to as an optical filter) 512 on the light exit/incident surface 10a side of the optical device 1 according to the first embodiment. This is an optical device 500. In this embodiment, a case will be described in which the optical device 500 is a light receiving device such as an infrared sensor.

光デバイス５００では、光がフィルタブロック５１０中の光学フィルタ５１２を介して光デバイス１の光電変換素子１１に入射し、光が検出される。すなわち、光デバイス５００は、フィルタブロック５１０を備える点で、第一実施形態に係る光デバイス１と相違する。なお、光デバイス５００は、光デバイス１の代わりに、図５、図６に示す第一実施形態の変形例の光デバイス１や、第二実施形態に係る反射防止膜等を有していない光デバイス２０１、第四実施形態に係るシリコンチップ４１２を有する光デバイス４０１を用いても良い。
フィルタブロック５１０以外の構成は、上述した第一実施形態と同様であるため、説明を省略する。 In the optical device 500, light enters the photoelectric conversion element 11 of the optical device 1 via the optical filter 512 in the filter block 510, and the light is detected. That is, the optical device 500 differs from the optical device 1 according to the first embodiment in that it includes a filter block 510. Note that, instead of the optical device 1, the optical device 500 includes the optical device 1 of a modification of the first embodiment shown in FIGS. The device 201 may be an optical device 401 having a silicon chip 412 according to the fourth embodiment.
The configuration other than the filter block 510 is the same as that of the first embodiment described above, so the explanation will be omitted.

（フィルタブロック）
フィルタブロック５１０は、光学フィルタ５１２と光学フィルタ５１２の側面を覆う封止部材５２０とを有している。これにより、光の入射面となる光学フィルタ５１２の一方の面５１２ｂ及び光の出射面となる他方の面５１２ａは、封止部材５２０から露出している。以下、光学フィルタ５１２の一方の面５１２ａを光出射面５１２ａ、他方の面５１２ｂを光入射面５１２ｂという。
フィルタブロック５１０では、光学フィルタ５１２の光出射面５１２ａと封止部材５２０とにより凹部５３０が形成されている。凹部５３０の底面５３０ａの少なくとも一部は、光学フィルタ５１２の光出射面５１２ａで形成され、凹部５３０の側壁５３０ｂは、封止部材５２０で形成されている。光学フィルタ５１２は、凹部５３０が光デバイス１の封止部２０から露出する光電変換チップ１０を覆うように配置されている。光学フィルタ５１２と、凹部５３０とは、接着剤等で構成された接続部材５５０により接続されている。 (filter block)
The filter block 510 includes an optical filter 512 and a sealing member 520 that covers the side surface of the optical filter 512. As a result, one surface 512b of the optical filter 512, which serves as a light incident surface, and the other surface 512a, which serves as a light exit surface, are exposed from the sealing member 520. Hereinafter, one surface 512a of the optical filter 512 will be referred to as a light exit surface 512a, and the other surface 512b will be referred to as a light entrance surface 512b.
In the filter block 510, a recess 530 is formed by the light exit surface 512a of the optical filter 512 and the sealing member 520. At least a portion of the bottom surface 530a of the recess 530 is formed by the light exit surface 512a of the optical filter 512, and the side wall 530b of the recess 530 is formed by the sealing member 520. The optical filter 512 is arranged such that the recess 530 covers the photoelectric conversion chip 10 exposed from the sealing part 20 of the optical device 1. The optical filter 512 and the recess 530 are connected by a connecting member 550 made of adhesive or the like.

また、フィルタブロック５１０は、光学フィルタ５１２を配置するための開口ｈ１を有するフレーム材５４０を備えている。フレーム材５４０は、光学フィルタ５１２を取り囲む環状部５４２と、環状部５４２からフィルタブロック５１０の各側面に向かって伸びる複数の接続部５４４とを備えている。図１０（Ｃ）に示すように、接続部５４４は、上面側の一部がハーフエッチングされており、環状部５４２と比較して厚みが薄く形成されている。
環状部５４２は、光学フィルタ５１２を取り囲む形状であればよく、環形状のフレームの一部が除去された形状を含む。図１０では、平面視におけるフレーム材５４０の環状部５４２の形状が、角環形状の一部が除去された形状（Ｃ字形状）となっている。本実施形態では、光学フィルタ５１２が配置されるＣ字形状の内側部分を「開口ｈ１」と定義する。 Furthermore, the filter block 510 includes a frame member 540 having an opening h1 for arranging the optical filter 512. The frame member 540 includes an annular portion 542 surrounding the optical filter 512 and a plurality of connecting portions 544 extending from the annular portion 542 toward each side of the filter block 510. As shown in FIG. 10C, a portion of the upper surface of the connecting portion 544 is half-etched, and the connecting portion 544 is thinner than the annular portion 542. As shown in FIG.
The annular portion 542 may have any shape as long as it surrounds the optical filter 512, and includes a shape in which a portion of an annular frame is removed. In FIG. 10, the shape of the annular portion 542 of the frame member 540 in plan view is a shape (C-shape) in which a part of the square ring shape is removed. In this embodiment, the inner part of the C-shape in which the optical filter 512 is arranged is defined as an "opening h1."

フレーム材５４０は、フィルタブロック５１０の上面５１０ａ及び側面５１０ｂにおいてフレーム材５４０の一部（接続部５４４の端面）が封止部材５２０から露出している。すなわち、封止部材５２０は、フレーム材５４０の環状部５４２の側壁面（内壁面及び外壁面）及び底面と、接続部５４４とを封止している。
フレーム材５４０は、放射率が小さい部材であることが好ましく、例えば、放射率が０．３以下の部材であることが好ましい。放射率が小さい部材としては例えば、金属が挙げられ、具体的には、銅、銀、金、白金、ニッケル、パラジウムなどが挙げられる。
光学フィルタ５１２は、第三実施形態に係る光学フィルタ３２０と同様の構成とすることができる。封止部材５２０は、封止部２０と同様の材料により形成される。 A portion of the frame material 540 (the end surface of the connecting portion 544) is exposed from the sealing member 520 at the top surface 510a and side surface 510b of the filter block 510. That is, the sealing member 520 seals the side wall surface (inner wall surface and outer wall surface) and bottom surface of the annular portion 542 of the frame member 540 and the connecting portion 544 .
The frame material 540 is preferably a member with a low emissivity, for example, preferably a member with an emissivity of 0.3 or less. Examples of members with low emissivity include metals, and specific examples include copper, silver, gold, platinum, nickel, and palladium.
The optical filter 512 can have a similar configuration to the optical filter 320 according to the third embodiment. The sealing member 520 is made of the same material as the sealing part 20.

光デバイス５００の製造方法は、フィルタブロック５１０の製造工程と、光デバイス１の製造工程と、フィルタブロック５１０と光デバイス１との接続工程と、を有する。光デバイス１の製造工程は、第一実施形態で説明した製造工程と同様であるため、説明を省略する。
以下、フィルタブロック５１０の製造工程について説明する。 The method for manufacturing the optical device 500 includes a process for manufacturing the filter block 510, a process for manufacturing the optical device 1, and a process for connecting the filter block 510 and the optical device 1. The manufacturing process of the optical device 1 is the same as the manufacturing process described in the first embodiment, so a description thereof will be omitted.
The manufacturing process of the filter block 510 will be described below.

（フィルタブロック製造工程）
図１１（Ａ）～図１１（Ｆ）は、フィルタブロック５１０の製造方法を工程順に示す断面図である。ここでは、図１０（Ａ）に示したＥ－Ｅ’線でフィルタブロック５１０を切断した断面に沿って、各工程を説明する。
図１１（Ａ）に示すように、まず始めに、耐熱性の粘着シート６１０を用意し、この粘着シート６１０の粘着層にフレーム材５４０の表面５４２ａを貼り付ける。図１１（Ｂ）に示すように、フレーム材５４０の開口ｈ１内に光学フィルタ５１２を配置して、光学フィルタ５１２の光入射面５１２ｂを粘着シート６１０の粘着層に貼り付ける。 (Filter block manufacturing process)
11(A) to FIG. 11(F) are cross-sectional views showing a method for manufacturing the filter block 510 in order of steps. Here, each process will be explained along the cross section of the filter block 510 taken along the line EE' shown in FIG. 10(A).
As shown in FIG. 11A, first, a heat-resistant adhesive sheet 610 is prepared, and the surface 542a of the frame material 540 is attached to the adhesive layer of this adhesive sheet 610. As shown in FIG. 11B, the optical filter 512 is placed in the opening h1 of the frame material 540, and the light incident surface 512b of the optical filter 512 is attached to the adhesive layer of the adhesive sheet 610.

次に、図１１（Ｃ）に示すように、フレーム材５４０の表面５４２ａ側に下金型６２０を配置すると共に、フレーム材５４０の裏面５４２ｂ側に上金型６３０を配置する。そして、下金型６２０と上金型６３０とにより光学フィルタ５１２を挟み込み、下金型６２０と上金型６３０とに挟まれた空間にサイドから溶融したエポキシ樹脂等の樹脂材料を注入し、充填後、硬化する。これにより、封止部材５２０を形成する。図１１（Ｃ）に示すように、例えば上金型６３０の下側の面は断面視で凹凸形状となっており、凸部６３０ａがフッ素樹脂等で構成された樹脂シート６４０を介して光学フィルタ５１２と対向している。この凸部６３０ａによって、図１１（Ｄ）に示すように、フィルタブロック５１０に凹部５３０が形成される。 Next, as shown in FIG. 11C, a lower mold 620 is placed on the front surface 542a side of the frame material 540, and an upper mold 630 is placed on the back surface 542b side of the frame material 540. Then, the optical filter 512 is sandwiched between the lower mold 620 and the upper mold 630, and a resin material such as molten epoxy resin is injected from the side into the space sandwiched between the lower mold 620 and the upper mold 630 to fill it. After that, it hardens. This forms the sealing member 520. As shown in FIG. 11(C), for example, the lower surface of the upper mold 630 has an uneven shape in cross-sectional view, and the convex portion 630a forms an optical filter through a resin sheet 640 made of fluororesin or the like. It is facing 512. This convex portion 630a forms a concave portion 530 in the filter block 510, as shown in FIG. 11(D).

図１１（Ｄ）に示すように、光学フィルタ５１２及びフレーム材５４０を封止した封止部材５２０を、下金型６２０及び上金型６３０間から取り出す。フレーム材５４０の表面５４２ａ側から粘着シート６１０を除去する。粘着シート６１０の除去後、必要に応じてポストキュアを施す。 As shown in FIG. 11(D), the sealing member 520 that has sealed the optical filter 512 and the frame material 540 is taken out from between the lower mold 620 and the upper mold 630. The adhesive sheet 610 is removed from the surface 542a side of the frame material 540. After removing the adhesive sheet 610, post-curing is performed as necessary.

図１１（Ｅ）に示すように、封止部材５２０の裏面側（凹部５３０形成側）にダイシングテープ６５０を貼り付け、ダイシング装置によりダイシングして個片化する。以上により、図１１（Ｆ）に示すように、封止部材５２０及びフレーム材５４０は個々の製品に切り離されて図１０（Ａ）～図１０（Ｃ）に示すフィルタブロック５１０が完成する。 As shown in FIG. 11E, a dicing tape 650 is attached to the back side of the sealing member 520 (the side where the recess 530 is formed), and the sealing member is diced into pieces using a dicing device. Through the above steps, as shown in FIG. 11(F), the sealing member 520 and the frame material 540 are separated into individual products to complete the filter block 510 shown in FIGS. 10(A) to 10(C).

（フィルタブロック及び光デバイスの接続工程）
フィルタブロック５１０と光デバイス１とは以下のようにして接続される。まず、光デバイス１の上面（光出入射面１０ａ側の面）に、例えば接着剤である熱硬化型樹脂を塗布する。接着剤を塗布する領域は光電変換素子１１以外の領域であればよい。接着剤が塗布された光デバイス１の上面に、フィルタブロック５１０の裏面側（凹部５３０形成側）を接触させ、例えば熱処理を施して接着剤を硬化させて接続部材５５０を形成する。
以上により、フィルタブロック５１０と光デバイス１とを接続部材５５０により接続して、図１０（Ａ）～図１０（Ｄ）に示すフィルタブロック５１０付きの光デバイス５００が完成する。 (Filter block and optical device connection process)
Filter block 510 and optical device 1 are connected as follows. First, a thermosetting resin, which is an adhesive, for example, is applied to the upper surface of the optical device 1 (the surface on the light exit/incident surface 10a side). The area to which the adhesive is applied may be any area other than the photoelectric conversion element 11. The back side of the filter block 510 (the side where the recess 530 is formed) is brought into contact with the upper surface of the optical device 1 coated with the adhesive, and the adhesive is cured by, for example, heat treatment to form the connection member 550.
As described above, the filter block 510 and the optical device 1 are connected by the connecting member 550, and the optical device 500 with the filter block 510 shown in FIGS. 10(A) to 10(D) is completed.

（第五実施形態における効果）
第五実施形態に係る光デバイス５００では、光電変換素子１１を有する光デバイス１が薄型であるため、フィルタブロック５１０を設けていてもデバイス全体として薄型化することができる。 (Effects in the fifth embodiment)
In the optical device 500 according to the fifth embodiment, since the optical device 1 having the photoelectric conversion element 11 is thin, the entire device can be made thin even if the filter block 510 is provided.

６．第六実施形態
図１及び図２、図１０を参照しつつ、図１２を用いて、第六実施形態に係る光デバイス６００の構成を説明する。
第六実施形態に係る光デバイス６００は、第五実施形態に係るフィルタブロック５１０を、光電変換チップ１０と、ＩＣチップ６１４とが封止された光デバイス６０１に接続したフィルタブロック付きの光デバイス６００である。ＩＣチップ６１４は、光電変換チップ１０の駆動回路又は光電変換チップ１０からの信号を処理する信号処理回路を含む。本実施形態では、光デバイス６００が赤外線センサ等の受光デバイスである場合について説明する。光デバイス６００では、光がフィルタブロック５１０中の光学フィルタ５１２を介して光デバイス６０１の光電変換素子１１に入射し、光が検出される。また、光デバイス６００では、検出された光に基づく信号を光デバイス６００内で処理して出力する機能を有する。すなわち、フィルタブロック付き光デバイス６００は、光デバイス６０１がＩＣチップ６１４を有する点で、第五実施形態に係る光デバイス５００と相違する。
ＩＣチップ６１４以外の構成は、上述した第五実施形態と同様であるため、説明を省略する。 6. Sixth Embodiment The configuration of an optical device 600 according to a sixth embodiment will be described using FIG. 12 while referring to FIGS. 1, 2, and 10.
An optical device 600 according to the sixth embodiment is an optical device 600 with a filter block in which a filter block 510 according to the fifth embodiment is connected to an optical device 601 in which a photoelectric conversion chip 10 and an IC chip 614 are sealed. It is. The IC chip 614 includes a drive circuit for the photoelectric conversion chip 10 or a signal processing circuit that processes signals from the photoelectric conversion chip 10. In this embodiment, a case will be described in which the optical device 600 is a light receiving device such as an infrared sensor. In the optical device 600, light enters the photoelectric conversion element 11 of the optical device 601 via the optical filter 512 in the filter block 510, and the light is detected. Further, the optical device 600 has a function of processing a signal based on the detected light within the optical device 600 and outputting the processed signal. That is, the optical device 600 with a filter block differs from the optical device 500 according to the fifth embodiment in that the optical device 601 includes an IC chip 614.
The configuration other than the IC chip 614 is the same as that of the fifth embodiment described above, so a description thereof will be omitted.

（ＩＣチップ）
ＩＣチップ６１４は、光電変換素子１１とともに、封止部２０で覆われている。ＩＣチップ６１４は、例えば再配線層３０を介して光電変換チップ１０と電気的に接続されており、光電変換チップ１０からの電流を検出する検出回路等の信号処理回路を含む。なお、光デバイス６０１が発光デバイスの場合、ＩＣチップ６１４は、光電変換素子１１の駆動回路を含む。ＩＣチップ６１４は、再配線層３０と電気的に接続されており、処理された信号を再配線層３０、外部接続端子４０を介して図示しない回路基板に形成された回路に出力する。 (IC chip)
The IC chip 614 and the photoelectric conversion element 11 are covered with the sealing part 20. The IC chip 614 is electrically connected to the photoelectric conversion chip 10 via the rewiring layer 30, for example, and includes a signal processing circuit such as a detection circuit that detects the current from the photoelectric conversion chip 10. Note that when the optical device 601 is a light emitting device, the IC chip 614 includes a drive circuit for the photoelectric conversion element 11. The IC chip 614 is electrically connected to the rewiring layer 30 and outputs the processed signal to a circuit formed on a circuit board (not shown) via the rewiring layer 30 and the external connection terminal 40.

このようなＩＣチップ６１４を有する光デバイス６０１は、例えば第一実施形態の図３（Ｂ）に示す工程において、接着フィルム２１２に対して、個片化した光電変換チップ１０とともにＩＣチップ６１４を貼り付け、封止部２０を形成する事により得られる。 In the optical device 601 having such an IC chip 614, for example, in the step shown in FIG. This can be obtained by attaching the sealing part 20 and forming the sealing part 20.

（第六実施形態における効果）
第六実施形態に係る光デバイス６００では、光電変換素子１１を有する光デバイス６０１が薄型であるため、フィルタブロック５１０を設けていてもデバイス全体として薄型化することができる。 (Effects in the sixth embodiment)
In the optical device 600 according to the sixth embodiment, since the optical device 601 having the photoelectric conversion element 11 is thin, the entire device can be made thin even if the filter block 510 is provided.

本発明の範囲は、図示され記載された例示的な実施形態に限定されるものではなく、本発明が目的とするものと均等な効果をもたらす全ての実施形態をも含む。さらに、本発明の範囲は、請求項により画される発明の特徴の組み合わせに限定されるものではなく、全ての開示されたそれぞれの特徴のうち特定の特徴のあらゆる所望する組み合わせによって画されうる。 The scope of the invention is not limited to the exemplary embodiments shown and described, but also includes all embodiments giving equivalent effect to the object of the invention. Furthermore, the scope of the invention is not limited to the combinations of inventive features defined by the claims, but may be defined by any desired combinations of specific features of each and every disclosed feature.

１，２０１，３０１，４０１，５００，６００，６０１ 光デバイス
１０ 光電変換チップ
１０ａ 光出入射面
１０ｂ 電極形成面
１１ 光電変換素子
１２ 反射防止膜
２０ 封止部
３０ 再配線層
３１ 絶縁層
３１１ 第一絶縁層
３１２ 第二絶縁層
３１１ａ，３１１ｂ 開口
３１２ａ，３１２ｂ，３１２ｃ，３１２ｄ 開口
３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ 再配線
３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ パッド
４０，４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ 外部接続端子
１１１ 半導体基板
１１２ 半導体層
１１３ 電極
１１３ａ 電極
１１３ｂ 電極
２００ 保護層
２１０ 基板
２１２ 接着フィルム
２２０ モールド樹脂層
２３０ 再構成基板
３１０ 光電変換チップ
３２０ 光学フィルタ
３２１ａ，３２１ｂ，３２１ｃ，３２１ｄ 下地層
３２２ａ，３２２ｂ，３２２ｃ，３２２ｄ 導体層
４１２ シリコンチップ
４１２ａ シリコンチップ４１２の上面
５１０ フィルタブロック
５１０ａ 上面
５１０ｂ 側面
５１２ 光学フィルタ
５１２ａ 光出射面（光学フィルタ５１２の一方の面）
５１２ｂ 光入射面（光学フィルタ５１２の他方の面）
５２０ 封止部材
５３０ 凹部
５３０ａ 凹部５３０の底面
５３０ｂ 凹部５３０の側壁
５４０ フレーム材
５４２ 環状部
５４２ａ フレーム材５４０の表面
５４２ｂ フレーム材５４０の裏面
５４４ 接続部
５５０ 接続部材
６１０ 粘着シート
６１４ ＩＣチップ
６２０ 下金型
６３０ 上金型
６３０ａ 凸部
６４０ 樹脂シート
６５０ ダイシングテープ 1,201,301,401,500,600,601 Optical device 10 Photoelectric conversion chip 10a Light exit/incident surface 10b Electrode formation surface 11 Photoelectric conversion element 12 Antireflection film 20 Sealing part 30 Rewiring layer 31 Insulating layer 311 First Insulating layer 312 Second insulating layer 311a, 311b Opening 312a, 312b, 312c, 312d Opening 32a, 32b, 32c, 32d Rewiring 33a, 33b, 33c, 33d Pad 40, 40a, 40b, 40c, 40d External connection terminal 111 Semiconductor Substrate 112 Semiconductor layer 113 Electrode 113a Electrode 113b Electrode 200 Protective layer 210 Substrate 212 Adhesive film 220 Molded resin layer 230 Reconfigured substrate 310 Photoelectric conversion chip 320 Optical filter 321a, 321b, 321c, 321d Base layer 322a, 322b, 322c, 322d Conductor Layer 412 Silicon chip 412a Top surface 510 of silicon chip 412 Filter block 510a Top surface 510b Side surface 512 Optical filter 512a Light exit surface (one surface of optical filter 512)
512b Light incidence surface (the other surface of the optical filter 512)
520 Sealing member 530 Recess 530a Bottom surface 530b of recess 530 Side wall 540 of recess 530 Frame material 542 Annular portion 542a Surface 542b of frame material 540 Back surface 544 of frame material 540 Connection portion 550 Connection member 610 Adhesive sheet 614 IC chip 620 Lower mold 630 Upper mold 630a Convex portion 640 Resin sheet 650 Dicing tape

Claims (12)

半導体基板、前記半導体基板の一方の主面上に形成され、光を受光又は発光可能な半導体層、及び前記半導体層上に形成された電極を有する光電変換素子を含む光電変換チップと、
前記光電変換チップの前記電極が形成される電極形成面とは反対側の面を露出させるように前記光電変換チップの側面を覆う封止部と、
前記光電変換チップの前記電極形成面上に設けられる絶縁層及び前記電極と接続される再配線とを有する再配線層と、
を備え、
前記光電変換チップの前記電極形成面と反対側の面は、前記封止部の前記再配線層とは反対側の面の全面から突出している
光デバイス。 a photoelectric conversion chip including a semiconductor substrate, a semiconductor layer formed on one main surface of the semiconductor substrate and capable of receiving or emitting light, and a photoelectric conversion element having an electrode formed on the semiconductor layer;
a sealing part that covers a side surface of the photoelectric conversion chip so as to expose a surface opposite to an electrode formation surface on which the electrodes of the photoelectric conversion chip are formed;
a rewiring layer having an insulating layer provided on the electrode formation surface of the photoelectric conversion chip and a rewiring connected to the electrode;
Equipped with
In the optical device, the surface of the photoelectric conversion chip opposite to the electrode formation surface protrudes from the entire surface of the sealing portion opposite to the rewiring layer. 前記半導体基板の他方の主面は、前記封止部から露出している
請求項１に記載の光デバイス。 The optical device according to claim 1, wherein the other main surface of the semiconductor substrate is exposed from the sealing portion. 前記半導体基板の他方の主面は、凹凸形状を有する
請求項２に記載の光デバイス。 3. The optical device according to claim 2, wherein the other main surface of the semiconductor substrate has an uneven shape. 前記光電変換チップは、前記半導体基板の他方の主面上に設けられた反射防止膜又は一方の表面が凹凸形状に加工されたシリコンチップを有し、
前記反射防止膜の一方の面、又は前記凹凸形状に加工された面は、前記封止部から露出している
請求項１又は２のいずれか１項に記載の光デバイス。 The photoelectric conversion chip has an antireflection film provided on the other main surface of the semiconductor substrate or a silicon chip with one surface processed into an uneven shape,
3. The optical device according to claim 1, wherein one surface of the antireflection film or the surface processed into the uneven shape is exposed from the sealing portion. 前記シリコンチップの前記凹凸形状は、頂点の高さが０．７μｍ以上１０μｍ以下である突起が複数連続して配置されて形成されている
請求項４に記載の光デバイス。 5. The optical device according to claim 4, wherein the uneven shape of the silicon chip is formed by continuously arranging a plurality of protrusions each having a peak height of 0.7 μm or more and 10 μm or less. 前記突起は、底面の一辺の長さが１００μｍ以下である六角錐形状である
請求項５に記載の光デバイス。 6. The optical device according to claim 5, wherein the protrusion has a hexagonal pyramid shape in which the length of one side of the bottom surface is 100 μm or less. 前記光電変換チップは、前記半導体基板の他方の主面上に設けられた光学フィルタチップを有し、
前記光学フィルタチップの一方の面は、前記封止部から露出している
請求項１から４のいずれか１項に記載の光デバイス。 The photoelectric conversion chip has an optical filter chip provided on the other main surface of the semiconductor substrate,
The optical device according to any one of claims 1 to 4, wherein one surface of the optical filter chip is exposed from the sealing part. 光学フィルタチップと前記光学フィルタチップの側面を覆う封止部材とを有し、前記光学フィルタチップの一方の面と前記封止部材とで凹部が形成され、前記凹部の底面の少なくとも一部は前記光学フィルタチップの一方の面で形成され、前記凹部の側壁は前記封止部材で形成されている光学フィルタブロックを備え、
前記光学フィルタブロックは、前記凹部が前記封止部から露出する前記光電変換チップを覆うように配置されている
請求項１から６のいずれか１項に記載の光デバイス。 It has an optical filter chip and a sealing member that covers a side surface of the optical filter chip, a recess is formed by one surface of the optical filter chip and the sealing member, and at least a part of the bottom surface of the recess is formed by the sealing member. an optical filter block formed on one side of the optical filter chip, the side wall of the recess being formed of the sealing member;
The optical device according to any one of claims 1 to 6, wherein the optical filter block is arranged so that the recessed part covers the photoelectric conversion chip exposed from the sealing part. 前記光電変換チップと電気的に接続されたＩＣチップを備え、
前記ＩＣチップは、前記封止部で覆われている
請求項１から８のいずれか１項に記載の光デバイス。 comprising an IC chip electrically connected to the photoelectric conversion chip,
The optical device according to any one of claims 1 to 8, wherein the IC chip is covered with the sealing part. 前記ＩＣチップは、前記光電変換チップに対して電流を供給する駆動回路、又は前記光電変換チップからの電流を検出する検出回路を有する
請求項９に記載の光デバイス。 10. The optical device according to claim 9, wherein the IC chip includes a drive circuit that supplies current to the photoelectric conversion chip, or a detection circuit that detects current from the photoelectric conversion chip. 前記再配線層と電気的に接続された外部接続端子を備える
請求項１から１０のいずれか１項に記載の光デバイス。 The optical device according to claim 1 , further comprising an external connection terminal electrically connected to the rewiring layer. 前記半導体基板は、光透過性を有する
請求項１から１１のいずれか１項に記載の光デバイス。 The optical device according to any one of claims 1 to 11, wherein the semiconductor substrate has optical transparency.
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Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005019578A (en) 2003-06-25 2005-01-20 Hitachi Cable Ltd Semiconductor photodetector
WO2006095834A1 (en) 2005-03-09 2006-09-14 Asahi Kasei Emd Corporation Optical device and optical device manufacturing method
WO2008032404A1 (en) 2006-09-15 2008-03-20 Fujitsu Microelectronics Limited Semiconductor device and method for manufacturing same
JP2009049342A (en) 2007-08-23 2009-03-05 Toyoda Gosei Co Ltd Light emitting device
JP2009152299A (en) 2007-12-19 2009-07-09 Panasonic Corp Optical device and optical-device manufacturing method
JP2009302221A (en) 2008-06-12 2009-12-24 Nec Electronics Corp Electronic device, and method of manufacturing the same
JP2010226072A (en) 2009-02-24 2010-10-07 Hamamatsu Photonics Kk Semiconductor photodetector
JP2011058929A (en) 2009-09-09 2011-03-24 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Infrared sensor
JP2011080772A (en) 2009-10-02 2011-04-21 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Infrared sensor and method for manufacturing the same
JP2011249484A (en) 2010-05-25 2011-12-08 Panasonic Corp Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
JP2012215431A (en) 2011-03-31 2012-11-08 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Infrared sensor
JP2017504959A (en) 2013-12-05 2017-02-09 アーエムエス アクチエンゲゼルシャフトａｍｓ ＡＧ Optical sensor assembly and method of manufacturing optical sensor assembly
US20170092818A1 (en) 2015-09-24 2017-03-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting element mounting substrate and light-emitting package using the same, fabricating method of the light-emitting element mounting substrate and fabricating method of light-emitting device using the same
JP2018037638A (en) 2016-08-31 2018-03-08 株式会社東芝 Semiconductor package and semiconductor package manufacturing method

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005019578A (en) 2003-06-25 2005-01-20 Hitachi Cable Ltd Semiconductor photodetector
WO2006095834A1 (en) 2005-03-09 2006-09-14 Asahi Kasei Emd Corporation Optical device and optical device manufacturing method
WO2008032404A1 (en) 2006-09-15 2008-03-20 Fujitsu Microelectronics Limited Semiconductor device and method for manufacturing same
JP2009049342A (en) 2007-08-23 2009-03-05 Toyoda Gosei Co Ltd Light emitting device
JP2009152299A (en) 2007-12-19 2009-07-09 Panasonic Corp Optical device and optical-device manufacturing method
JP2009302221A (en) 2008-06-12 2009-12-24 Nec Electronics Corp Electronic device, and method of manufacturing the same
JP2010226072A (en) 2009-02-24 2010-10-07 Hamamatsu Photonics Kk Semiconductor photodetector
JP2011058929A (en) 2009-09-09 2011-03-24 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Infrared sensor
JP2011080772A (en) 2009-10-02 2011-04-21 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Infrared sensor and method for manufacturing the same
JP2011249484A (en) 2010-05-25 2011-12-08 Panasonic Corp Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
JP2012215431A (en) 2011-03-31 2012-11-08 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Infrared sensor
JP2017504959A (en) 2013-12-05 2017-02-09 アーエムエス アクチエンゲゼルシャフトａｍｓ ＡＧ Optical sensor assembly and method of manufacturing optical sensor assembly
US20170092818A1 (en) 2015-09-24 2017-03-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting element mounting substrate and light-emitting package using the same, fabricating method of the light-emitting element mounting substrate and fabricating method of light-emitting device using the same
JP2018037638A (en) 2016-08-31 2018-03-08 株式会社東芝 Semiconductor package and semiconductor package manufacturing method

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