JP7366027B2 - 逐次的で均質な化学的機能化による多糖材料の加工方法 - Google Patents
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Description
われ、その後、目標置換度に到達するまで継続される。そのような化学的加工の間に生じる溶解は、一般に、非常に多様な状態のデンプン又はデンプンペーストの水性分散物、すなわち、未変化のデンプン粒子、部分的に膨潤したデンプン粒子、完全に膨潤したデンプン粒子、膨潤した粒子の断片、膨潤したデンプン凝集体、溶解したデンプン高分子及び沈殿した老化デンプンをもたらす。これは混合相化学的機能化と称され、これは、デンプンの状態が粒状デンプンと溶解デンプンの中間であることを意味する。
本発明の第1の主題は、順序付けられた一連の少なくとも2つの加工からなる、多糖材料を加工するプロセスである。第1の加工は、多糖材料の水への完全に均質な、好ましくは完全な溶解であり、第2の加工は、均質な化学的機能化であり、これは、少なくとも1つの非架橋の化学的加工、又は少なくとも1つの架橋の化学的加工、又はこれら2つの化学的加工の少なくとも1つの組み合わせからなる。
a. 化学的機能化の前に溶解が実施され、
b. 機能化は、非架橋の化学的加工から、又は架橋の化学的加工から選択される少なくとも1つの化学的加工、又は少なくとも1つの非架橋の化学的加工及び少なくとも1つの架橋の化学的加工の一連を含む
ことを特徴とする。
好ましくはヒドロキシプロピル化を含むことを特徴とし得る。
本発明の第2の主題は、完全に水溶性である無水グルコース単位、好ましくは加工デンプンを含み、前記無水グルコース単位のヒドロキシル官能基が、少なくとも1つのヒドロキシアルキル化学基で置換され、ヒドロキシル官能基を置換するヒドロキシアルキル基が、以下:
- 2位に最大68%、好ましくは最大65%、非常に好ましくは最大64%、
- 及び/又は3位に少なくとも15%、好ましくは少なくとも17%、非常に好ましくは少なくとも17.5%、
- 及び/又は6位に少なくとも15%、好ましくは少なくとも17%、非常に好ましくは少なくとも18%、
のように分布することを特徴とし、
ヒドロキシル官能基を置換するヒドロキシアルキル基のパーセンテージの合計は100%に等しく、これらのパーセンテージはプロトンNMRで測定される、加工された多糖材料である。
- 2位に少なくとも75.5%、好ましくは少なくとも76.5%、
- 及び/又は3位に最大20%、好ましくは最大19%、
- 及び/又は6位に少なくとも4%、好ましくは少なくとも5%、
のように分布することを特徴とし、ヒドロキシル官能基を置換するカルボキシアルキル基のパーセンテージの合計は100%に等しく、これらのパーセンテージはプロトンNMRで測定される。
徴とする。
・ 1つ以上の水硬性結合剤、
・ 1つ以上のフィラー、
・ 1つ以上の増粘剤、
・ 1つ以上の再分散可能な粉末、
・ 1つ以上の加工デンプン、
を含み、
前記加工デンプンが、本発明によるプロセスによるものであることを特徴とする、乾式モルタルである。
・ 20%~45%の水硬性結合剤、
・ 50%~70%のフィラー、
・ 0.2%~1%の増粘剤、
・ 0.5%~5%の再分散可能な粉末、
・ 0.01%~1%の加工デンプン、
を含み、
前記加工デンプンが、本発明によるプロセスによるものであり、パーセンテージの合計が100%に等しいことを特徴とする、乾式モルタルである。
本発明によるプロセスは、一般に、多糖類に適用され得る。「ベース多糖材料」という用語は、本発明によるプロセスに関与し得る任意のタイプの多糖を表す。
水熱加工による均質溶解
本発明による加工プロセスの第1のステップは、粒状構造又は粒子残留物を有しない多糖材料の均質な水溶液を得るための、少なくとも1つの水熱加工によるベース多糖材料の均質な溶解からなる。
スが完全に又は実質的に完全に存在しないこと、また、部分的に膨潤した又は分割された粒子の「痕跡」も完全に又は実質的に完全に存在しないことがわかることを意味する。
次に、溶解した天然多糖材料は、均質に化学的加工された多糖材料に変換される。均質な化学的機能化と呼ばれるこのステップは、ヒドロキシル官能基の化学置換からなり、反応質量の完全混合又は実質的な完全混合を維持する。化学置換反応は、エーテル化、エステル化、及びラジカルグラフト化から選択され、化学的機能化からなり、とりわけ、多糖材料の構成多糖の主鎖の結合の架橋又は切断のいずれからもならない。
い又は伴わず、多糖材料のアルコール官能基と反応できることを意味する。均質な化学的機能化は、多糖材料の分子量の桁の変更を引き起こさない。
「実質的な完全混合物」という用語により、出願人は、主に良好なマクロ混合物、すなわち反応体積における反応材料の均質な分布、特にデッドゾーン又は滞留ゾーンがないことを特徴とする混合物の状態を意味する。このような混合物は、化合物の濃度が反応器内のいずれの点でも実質的に同じ値であることを特徴とする。
エーテル化
本発明のプロセスの1つの変形によれば、エーテル化は、含窒素試薬で始まるヒドロキシアルキル化、カルボキシアルキル化又はカチオン化から選択され、これらの反応は、デンプン質材料である多糖材料で実施される。
ンプンは、0.05~2、好ましくは0.1~1、最も好ましくは0.15~0.6、より好ましくは0.15~0.5の範囲のヒドロキシプロピル官能基による置換度を有する。
本発明によるプロセスの1つの変形によれば、エステル化は、少なくとも2つのカルボン酸官能基を含む、エステル化剤として知られる試薬を用いて実施されるものから選択され、デンプン質材料である多糖材料で実施される。
多糖材料の均質な架橋の化学的機能化は、完全混合又は実質的な完全混合を確実にする撹拌条件下での少なくとも1つの架橋剤による架橋からなる。一実施形態によれば、架橋剤は、短距離架橋剤である。これは、短距離架橋とも称される。別の実施形態によれば、架橋剤は、長距離架橋剤、又は長距離架橋システムである。これは、長距離架橋とも称される。最後に、最終的な実施形態によれば、短距離及び長距離架橋の組み合わせは、少なくとも1つの短距離架橋剤及び少なくとも1つの長距離架橋剤を組み合わせることによって実施される。
本発明に有用な第1のタイプの架橋は、「短距離」架橋であり、これは短距離架橋剤を用いて実施される。
が8個未満の炭素原子を含有する脂肪族又は芳香族ジイソシアネートである。
本発明に有用な第2のタイプの架橋は、「長距離」架橋であり、これは長距離架橋剤又は長距離架橋システムのいずれかを用いて実施される。
化学的加工反応の結果得られた、機能化され、架橋された糊化多糖材料のコロイド溶液は、当業者に公知の任意の乾燥技術によって粉末に変換される。
質材料粉末は、乾式レーザー散乱によって測定された、10μm~1mm、好ましくは10μm~500μm、最も好ましくは20μm~50μmの範囲の体積平均直径を特徴とする粒子サイズを有する。必要に応じて、所望の粒子サイズを達成するために、乾燥操作を終了する粉末に粉砕操作を適用してもよい。
る。
本発明によるプロセスを実施するのに有用な装置は、粘性媒体の均質な混合を、好ましくは中程度の剪断下でポンピングすることにより、最も好ましくは低剪断下でポンピングすることにより実施することができる撹拌反応器である。一般に、一軸式、共回転又は逆回転の二軸式又はプラウシェアタイプの少なくとも1つの撹拌ローターを、単独で、又は軸方向/半径方向の混合ポンプ撹拌ローターと組み合わせて含む、撹拌装置を備えた任意の反応器は、粘性混合物の撹拌に適している。
ティックミキサーを備えた管状連続反応器;押出機)が代替的に使用され得る。
出願人は、化学置換反応が溶解したデンプンで実施されるという事実により、導入された化学基がデンプン鎖上に均一に分布すると推定している。これらの接着相の加工により、化学基はおそらくより均質にデンプン鎖に分布するであろう。化学基のこの新規の分布は、おそらく本発明によるデンプンの適用性に寄与するであろう。
本発明によるプロセスによって得られる多糖材料は、導入された化学官能基の全く驚くべき分布を特徴とする。プロトン核磁気共鳴などの分析方法によって、出願人は実際に、本発明によるプロセスが、置換されたヒドロキシル基の位置について先行技術プロセスとは異なる化学的機能化を有する多糖材料を得ることが可能であることを見出した。
性であり、少なくとも1つのヒドロキシアルキル化学基で置換されたヒドロキシル官能基を含み、多糖材料の構成単位上に前記ヒドロキシアルキル基の分布を有し、プロトンNMRで測定される、無水グルコース単位を含む加工された多糖材料であって、ここで、
a. 2位に結合したヒドロキシアルキル基のパーセンテージは、68%以下、好ましくは65%以下、非常に好ましくは64%以下、
b. 及び/又は3位に結合したヒドロキシアルキル基のパーセンテージは、15%以上、好ましくは17%以上、非常に好ましくは17.5%以上、
c. 及び/又は6位に結合したヒドロキシアルキル基のパーセンテージは、15%以上、好ましくは17%以上、非常に好ましくは18%以上である。
a. 2位に結合したカルボキシアルキル基のパーセンテージは75.5%以上、好ましくは76.5%以上、
b. 及び/又は3位に結合したカルボキシアルキル基のパーセンテージは、20%以下、好ましくは19%以下、
c. 及び/又は6位に結合したカルボキシアルキル基のパーセンテージは、4%以上、好ましくは5%以上である。
ルキル及びカルボキシアルキル置換基の分布を測定する方法は、それ自体は公知である、25℃でのプロトン核磁気共鳴測定である。
spectroscopy of alpha-limit dextrins」で刊行された方法から適合され得る。
本発明のプロセスに従って加工されたデンプンは、加工デンプンの分野で建築材料の添加剤として典型的に使用される少なくとも3つのタイプの化学置換基:ヒドロキシプロピル置換基、カルボキシメチル置換基及びトリメタホスフェートとの架橋を有し得、これらの置換基は、低い、例えば、0.3以下の置換度で存在し得る。従来技術の知識とは対照的に、これらの置換基の含有量が低いことは、それにもかかわらず、乾式モルタルに優れた特性を与える乾燥生成物を得ることを可能にする。本発明による加工デンプンを乾式モルタル製剤に組み込むことにより、優れた滑り抵抗及び耐火性を有し、同時に許容可能なオープンタイム及び硬化時間を有する接着剤が得られる。
えない。
以下の実施例は、先行技術に従い加工デンプンを調製するためのプロセスを説明する。
先行技術に従ったプロセス実施のこの実施例は、製造業者Lodige Process Technology社製のDruvatherm DVT10反応器で行われる。これは、ジャケット付きで、水平に配置された円筒型反応器であり、その撹拌装置は、最大1,000,000mPa.sであり得る粘度を持つ流体に適している。撹拌装置は、中央の水平軸に沿って配置されたプラウシェアパドルを備えた主ミキサーと、反応器の内壁近くに配置された回転ナイフを備えた補助ミキサーで構成されている。各ミキサーは、各自調節可能な速度で回転することができる。
の液体プロピレンオキシドを導入する。次に、圧力を調節せずにプロピレンオキシドが完全に消費されるまで、反応媒体を39℃で16時間維持する。このヒドロキシプロピル化の間、デンプンは、硫酸ナトリウムの存在によって、ジャガイモデンプンの糊化温度(約65℃)未満でその粒状構造を保つ。
次に、3つの化学置換の完了時に得られた加工デンプンゲルを7.5rpmの回転速度で、シリンダーを10バールの蒸気で90~100℃に加熱し、製造業者Andritz
Gouda社製の乾燥ドラムに通過させることにより固体に変換する。このようにして、固形デンプンの薄片が得られる。これらの薄片は、製造業者Retsch社製の2μmの格子を装備したハンマーミルで、1500rpmで連続的に粉砕され、次に、50Hzに設定されたSeptuブランドの超微細ミルで、3000rpmの回転速度で粉砕される。この結果、白色微粉末になる。この粉末の体積平均直径は37μmである。
以下の実施例は、本発明に従い加工デンプンを調製するためのプロセスを説明する。
本発明に従ったプロセス実施のこの実施例は、先行技術に従いプロセスの実施例1につき使用される反応器と同一の製造業者Lodige Process Technology社製のDruvatherm DVT10反応器で行われる。
gの乾燥モノクロロ酢酸ナトリウムを一度にデンプン接着剤に導入する。反応器を80℃で5時間撹拌して、反応終了に達する。このカルボキシメチル化の完了時に、ROQ2と呼ばれるデンプンは、以下の乾燥プロトコルに従って固形で調製される。
実施例1の加工デンプンに関して、3つの化学置換の完了時に得られた加工デンプンゲルは、次に、乾燥ドラムでの乾燥及び連続粉砕の実施例1で実行されたものと同じ操作により固体に変換され、結果として、白色微粉末となる。この粉末の体積平均直径は、35μmである。
規格NF EN 12004-2:2017-04によれば、タイル接着剤は、モルタルを区別するために出願人が選択した組成物の乾式モルタルから始めて、第6項(paragraph 6)の指示に従い調製される。これらの接着剤は、セラミックタイルを10cm×10cmの大きさで接着するために使用され、同規格の8.2項の指示に従い、その滑り抵抗を比較する。
乾式モルタルの組成物は、先行技術又は本発明に従い、Equiomから供給されたCEM I Portland 52.5N CP2セメント40部、Societe Nouvelle du Littoralから供給された0.1~0.4μmの大きさの砂59部、Wackerから供給された再分散可能な粉末Vinnapas 5010N、0.50部、Dowから供給されたセルロースエーテルWalocel MKX 6000、0.50部、及び加工デンプン、0.05部である。この組成物を満たす乾式モルタル847.9gの調製を可能にする産物の質量を表3に示す。全ての成分は乾燥粉末の形態である。
タイルの接着剤は、乾式モルタルから調製され、セメントの質量に対する水の質量の比が0.7になるように接着される。このようにして、表3の組成物に従い調製された237.3gの水及び847.9gの乾式モルタルは、規格NF EN 120004-2の6項の手順に従い混合され、唯一の違いは、その規格で想定されている2回でなく、1回の混合操作のみが実施されることである。
st Sintco社製のL01.M03自動モルタルミキサーのタンクにその質量の水が注がれる。次に、その質量の乾式モルタルを水に分散させ、次に、285±10rpmの回転速度及び125±10rpmの遊星運動で1分間混合する。この単回の混合操作の完了時に、接着剤はすぐに滑り抵抗試験に使用される。
材料及び装置は、規格NF EN 12004-2:2017-04のものである。この接着モルタルは実施例3に従い調製される。手順は、上記規格の第8.2.3項の手順である。
硬化時間の測定方法は、規格NF EN 480-2:2006-11に記載されている方法で、直径1.13mm、長さ50mmのビカット針、及び底辺直径が80mm、天面直径が70mm及び高さが40mmのビカット円錐台型(Vicat frustoconical mold)を備えた製造業者Acmel社製のPA8自動セッティングメーターを使用した。その規格とは異なり、硬化時間試験の調製と実施に必要な全てのステップは、23℃±2℃の大気雰囲気及び50%±5%の相対湿度の大気雰囲気で実行される。
存在するデンプンの性質が異なる乾式モルタルから調製された様々な接着剤について測定された滑り値及び硬化開始時間を表4に示す。
本発明に従い加工デンプンは、表5による石膏ベースの吹き付けモルタル製剤中の結合有機補助剤として使用し得る。
本発明のプロセスに従い加工されたデンプンは、プラスターボード用プラスターに対して増粘特性を有する。本発明による様々な加工デンプンの増粘特性は、“Liants-platres et enduits a base de platre pour
le batiment-Partie 2:methodes d’essais[Binding plasters and plaster-based rende
rings for construction-Part 2:test methods]”と題された規格NF EN 13279-2(2014年2月改訂)の「Dispersion method」と題された第4.3.2項に従い、ビカット散布測定に従い比較される。
本発明による加工デンプンは、プラスターボード用の湿式プラスターを形成するための結合有機補助剤として使用し得る。表6の製剤に従って、本発明のプロセスに従い加工されたいくつかのデンプンが試験される。
底辺直径75mmのビカット円錐台形リングに、表6の製剤に従い湿式プラスターの調製物を充填し、少しの気泡も混入しないようにプラスターをゆっくりとリングに注ぎ、ブレードで、自由表面を平らにする。この充填操作には、通常約15秒かかる。充填が完了するとすぐに、ビカットリングが急速に垂直に持ち上げられて、プラスターが放出され、その後、それが支持ガラスプレート上に展延され、湿式プラスターのたまりを形成する。リングを外してから15秒後、展延は通常安定し、湿式プラスターの水たまりの平均最大直径を測定する。
はなく、架橋によって設けられた空間構造のおかげで、再び可能になった相互作用によるものである。
この実施例は、実施例5の石膏ベースのプラスター製剤から調製されたプラスターボードについての本発明に従ったデンプンによる「コア」機械的強度の増加を示す(表6)。
長さ×幅×厚さの寸法が15cm×7.5cm×1cmに等しいプラスターボードをそれぞれ以下のプロトコルに従い準備する。デンプンを添加する場合、1種類のデンプンのみを添加する。デンプンの混合物はなし。
ペーストの上に置き、長方形のボード用原紙の凹部をペーストに接触させる。この2番目のボード用原紙はプラスターボードの上面を構成する。次に、この長方形のボード用原紙の上に2番目のプラスチック板を配置して、金型表面全体を覆う。
各プラスターボードの硬度は、Instron(登録商標)9566機を使用して、10mm/分の速度で深さ5mmまでのパンチの貫通抵抗法によって測定される。この「5mm」の硬度は、ニュートン(N)で表される。各プレートについて、プラスターボードの不均質性を考慮に入れるために、図1に従いプラスターボードの表面全体にわたり5回の貫通測定が行われる。5mmの硬度はこれらの5回の測定の平均値であり、標準偏差は情報のために与えられる(単位はニュートン)。
デンプンを含まないプラスターペーストで調製されたプラスターボードと比較して、結果(表8及び図2)は、プラスターペーストへの天然デンプンの添加により約7%、及びRoquette M-ST310アルファ化デンプンの添加により約10%の硬度の増加を示す。硬度の増加は、本発明に従いデンプンROQ1及びROQ3で約26%に達する。したがって、本発明によるデンプンROQ1及びROQ3は、プラスターボードの硬度を増加させるのに効率的であり、すなわち、それらは、プラスターボードのコア機械的強度を増加させることを可能にする。
この実施例では、2つの連続した化学的加工を受けたデンプンのプロトンNMR測定を活用する方法について説明する。第1段階は、ヒドロキシプロピル化であり、そのサンプルは、「Ech_HP」と表示され分析される。次に、第2段階は、カルボキシメチル化であり、そのサンプルは「Ech_HP+CM」と表示され、ヒドロキシプロピル化されたサンプル「Ech_HP」の前述の分析法、特に、ヒドロキシプロピル化のためにH1プロトンのシグナルを取り去ることにより分析される。
この方法は、ヒドロキシプロピルのみで加工されたデンプンに有効である。
室温に戻す。
- 5.61ppm及び4.64ppmの場合:アルファ還元及びベータ還元末端AGUのH1プロトン、
- 4.95ppmの場合:アルファ(1,6)結合AGUのH1プロトン、
- 5.67ppmの場合:2位のヒドロキシルがエーテル化されるAGUのH1プロトン;表面積はS_OR2_HPとして表示される、
- 5.52ppmの場合:3位のヒドロキシルがエーテル化されるAGUのH1プロトン;表面積はS_OR3_HPとして表示される、
- 5.40ppmの場合:アルファ(1,4)結合したAGUのH1プロトン及び6位のヒドロキシルがエーテル化されるAGUのH1プロトン
- 1.15ppmの場合:この二重線は、ヒドロキシプロピル基に結合した全てのメチルプロトンを表す;表面積はS_CH3_HPとして表示される、
- 2位でHP置換されたAGUの%=100xS_OR2_HP/S_OR_HP_tot
- 3位でHP置換されたAGUの%=100xS_OR3_HP/S_OR_HP_tot
- 6位でHP置換のされたAGUの%=100xS_OR6_HP/S_OR_HP_tot
この方法は、最初にヒドロキシプロピルで加工され、次にカルボキシメチルで加工されたデンプンに有効である。ヒドロキシプロピル化の後、カルボキシメチル化の前のそのNMRスペクトルは、前述の方法(Ech_HPの方法)に従い分析された。
Xu及びSeibによる文献を参照すると、無水グルコース(AGUと表示)H1プロトンは次のように識別される:
- 5.61ppm及び4.64ppmの場合:アルファ還元及びベータ還元末端AGUのH1プロトン、
- 4.95ppmの場合:アルファ(1,6)結合AGUのH1プロトン、
- 5.67ppmの場合:2位のヒドロキシルがエーテル化されるAGUのH1プロトン;表面積はS_OR2_HP+CMとして表示される、
- 5.52ppmの場合:3位のヒドロキシルがエーテル化されるAGUのH1プロトン;表面積はS_OR3_HP+CMとして表示される、
- 5.40ppmの場合:アルファ(1,4)結合したAGUのH1プロトン及び、6位のヒドロキシルがエーテル化されるAGUのH1プロトン
- 1.15ppmの場合:この二重線は、ヒドロキシプロピル基に結合した全てのメチルプロトンを表す;表面積はS_CH3_HPとして表示される、
- 4.22ppmの場合:この二重線は、カルボキシメチル基に結合した全てのプロトンを表す;表面積はS_CH2_CMとして表示される、
- 2位の場合:S_OR2_CM=S_OR2_HP+CM-S_OR2_HP
- 3位の場合:S_OR3_CM=S_OR3_HP+CM-S_OR3_HP
- 6位の場合:S_OR6_CM=(S_CH3_HP)/3+(S_CH2_CM)/2-S_OR2_CM-S_OR3_CM-S_OR6_HP
- 2位でCM置換されたAGUの%=100xS_OR2_CM/S_OR_CM_tot
- 3位でCM置換されたAGUの%=100xS_OR3_CM/S_OR_CM_tot
- 6位でCM置換されたAGUの%=100xS_OR6_CM/S_OR_CM_tot
先行技術のプロセスによって(実施例1など)ヒドロキシプロピル化によりDS0.26(EDT5と表示)に加工されたデンプンを、本発明に従ったプロセス(実施例2など)でヒドロキシプロピル化によりDS0.20(ROQ1と表示)又はDS0.57(ROQ11と表示)に調製したデンプンと比較する。HPサンプル上の置換基の位置を決定するために、プロトンNMR法を用いて、3つの加工デンプンを分析した。2位、3位及び6位に結合したヒドロキシプロピル基のパーセンテージがこのようにして定量化された(表9)。
- 2位の置換率は、少なくとも6%低く、
- 3位及び6位の置換率は、少なくとも3%高い。
- 2位の置換率は、少なくとも1.5%高く、
- 3位の置換率は、少なくとも2%低く、
- 6位の置換率は、少なくとも4%高い。
Claims (10)
- 完全に水溶性である加工デンプンであって、前記加工デンプンの無水グルコース単位のヒドロキシル官能基が、少なくとも1つのヒドロキシアルキル化学基で置換され、前記ヒドロキシル官能基を置換する前記ヒドロキシアルキル基が、以下:
- 2位に最大68%、
- 及び/又は3位に少なくとも17.5%、
- 及び/又は6位に少なくとも15%、
のように分布することを特徴とし、前記ヒドロキシル官能基を置換する前記ヒドロキシアルキル基のパーセンテージの合計は100%に等しく、これらのパーセンテージはプロトンNMRで測定され、
前記加工デンプンの前記無水グルコース単位の前記ヒドロキシル官能基が、少なくとも1つのカルボキシアルキル化学基で置換され、前記ヒドロキシル官能基を置換する前記カルボキシアルキル基は、以下:
- 2位に少なくとも75.5%、
- 及び/又は3位に最大20%、
- 及び/又は6位に少なくとも4%、
のように分布することを特徴とし、前記ヒドロキシル官能基を置換する前記カルボキシアルキル基のパーセンテージの合計は100%に等しく、これらのパーセンテージはプロトンNMRで測定される、
加工デンプン。 - 前記ヒドロキシアルキル基がヒドロキシプロピル又はヒドロキシエチルから選択されることを特徴とする、請求項1に記載の加工デンプン。
- 前記ヒドロキシアルキル基がヒドロキシプロピル基であり、そのヒドロキシプロピル置換度が、0.05~2であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の加工デンプン。
- 前記カルボキシアルキル基が、カルボキシメチルであることを特徴とする、請求項3に記載の加工デンプン。
- そのカルボキシメチル置換度が、0.03~2であることを特徴とする、請求項4に記載の加工デンプン。
- 長距離架橋剤又は短距離架橋剤から選択される架橋剤で架橋されることを特徴とする、請求項1~5のいずれか一項に記載の加工デンプン。
- 乾式レーザー散乱によって測定された、10μm~1mmの体積平均直径を有する粉末の形態であることを特徴とする、請求項1~6のいずれか一項に記載の加工デンプン。
- 加熱なしで可溶性であり、少なくとも95%非晶質であることを特徴とする、請求項1~7のいずれか一項に記載の加工デンプン。
- 乾式モルタル組成物における有機補助剤としての、少なくとも1つの請求項1~8のいずれか一項に記載の加工デンプン、の使用。
- 石膏ベースのモルタルにおける、少なくとも1つの請求項1~8のいずれか一項に記載の加工デンプン、の使用。
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