JP7361814B2

JP7361814B2 - Light emitting device and method for manufacturing the light emitting device

Info

Publication number: JP7361814B2
Application number: JP2022017911A
Authority: JP
Inventors: 紀幸木津
Original assignee: Nikkiso Co Ltd
Current assignee: Nikkiso Co Ltd
Priority date: 2022-02-08
Filing date: 2022-02-08
Publication date: 2023-10-16
Anticipated expiration: 2042-02-08
Also published as: JP2023115603A

Description

本発明は、発光素子及び発光素子の製造方法に関する。 The present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the light emitting device.

特許文献１には、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層、ｎ型コンタクト電極及びｐ型コンタクト電極を備える発光素子本体を、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）等の無機材料からなる絶縁層で直接的に被覆した半導体発光素子が開示されている。 Patent Document 1 describes that a light emitting element body including an n-type semiconductor layer, a light-emitting layer, a p-type semiconductor layer, an n-type contact electrode, and a p-type contact electrode is made of an insulating layer made of an inorganic material such as silicon oxide (SiO ₂ ). Directly coated semiconductor light emitting devices are disclosed.

特開２０１９－１０６４０６号公報JP2019-106406A

特許文献１に記載の半導体発光素子においては、無機材料からなる絶縁層が直接的に発光素子本体を覆っている。そのため、発光素子本体の表面の段差部及び角部等を起点として絶縁層にクラックが生じるおそれがある。そうなると、クラックを通って水分が発光素子本体近傍に到達し、発光素子本体が劣化するおそれがある。 In the semiconductor light emitting device described in Patent Document 1, an insulating layer made of an inorganic material directly covers the light emitting device body. Therefore, cracks may occur in the insulating layer starting from the stepped portions, corners, etc. on the surface of the light emitting element body. In this case, moisture may reach the vicinity of the light emitting element main body through the cracks, and the light emitting element main body may deteriorate.

そこで、発光素子本体を、比較的クラックの生じ難い有機材料からなる有機被覆部にて覆うことを検討する。この場合において、特に工夫しなければ、有機被覆部が発光層から発される光を吸収し、半導体発光素子の発光出力が低下するおそれがある。 Therefore, consideration will be given to covering the light emitting element main body with an organic coating made of an organic material that is relatively hard to crack. In this case, unless special measures are taken, the organic coating portion may absorb the light emitted from the light emitting layer and the light emitting output of the semiconductor light emitting device may decrease.

本発明は、前述の事情に鑑みてなされたものであり、発光素子本体の劣化を抑制するとともに発光出力の低下を抑制することが可能な発光素子及び発光素子の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and an object of the present invention is to provide a light-emitting element and a method for manufacturing the light-emitting element that can suppress deterioration of the light-emitting element body and suppress a decrease in light emission output. shall be.

本発明は、前記の目的を達成するため、第１導電型の第１半導体層、前記第１半導体層上に形成された発光層、及び前記発光層上に形成されるとともに前記第１導電型とは反対の第２導電型の第２半導体層を有する積層構造体を備える発光素子本体と、前記発光素子本体の表面を平坦化する、有機材料からなる有機被覆部と、前記有機被覆部を覆う、無機材料からなる無機被覆部と、を備え、前記発光素子本体は、前記積層構造体と前記有機被覆部との間に、前記発光層から発される光を反射する反射部を有する発光素子を提供する。 In order to achieve the above object, the present invention provides a first semiconductor layer of a first conductivity type, a light emitting layer formed on the first semiconductor layer, and a light emitting layer formed on the light emitting layer and of the first conductivity type. a light-emitting element body including a laminated structure having a second semiconductor layer of a second conductivity type opposite to that of the light-emitting element body; an inorganic coating made of an inorganic material to cover the light emitting element, and the light emitting element main body has a reflecting part between the laminated structure and the organic coating to reflect light emitted from the light emitting layer. Provide an element.

また、本発明は、前記の目的を達成するため、第１導電型の第１半導体層、前記第１半導体層上に位置する発光層、及び前記発光層上に位置するとともに前記第１導電型とは反対の第２導電型の第２半導体層を有する積層構造体を製造する工程と、前記積層構造体の表面に沿って反射部を形成する工程と、前記積層構造体及び前記反射部を、有機材料からなる有機被覆部にて覆って平坦化する工程と、前記有機被覆部を、無機材料からなる無機被覆部にて覆う工程と、を有する発光素子の製造方法を提供する。 In order to achieve the above object, the present invention also provides a first semiconductor layer of a first conductivity type, a light emitting layer located on the first semiconductor layer, and a light emitting layer located on the light emitting layer and of the first conductivity type. a step of manufacturing a laminated structure having a second semiconductor layer of a second conductivity type opposite to that of the laminated structure, a step of forming a reflective portion along a surface of the laminated structure, and a step of manufacturing the laminated structure and the reflective portion. Provided is a method for manufacturing a light emitting element, which includes the steps of: covering and flattening the organic coating with an organic coating made of an organic material; and covering the organic coating with an inorganic coating made of an inorganic material.

本発明によれば、導体発光素子本体の劣化を抑制するとともに発光出力の低下を抑制することが可能な発光素子及び発光素子の製造方法を提供することが可能となる。 According to the present invention, it is possible to provide a light emitting element and a method for manufacturing the light emitting element that can suppress deterioration of a conductive light emitting element body and suppress a decrease in light emission output.

実施の形態における、発光素子の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a light emitting element in an embodiment. 図１のＩＩ－ＩＩ線矢視断面図である。2 is a sectional view taken along the line II-II in FIG. 1. FIG. 実施の形態における、第１コンタクト電極、第２コンタクト電極、及び反射部のそれぞれの形成領域を模式的に示した図である。FIG. 3 is a diagram schematically showing respective formation regions of a first contact electrode, a second contact electrode, and a reflective portion in an embodiment. 実施の形態における、積層構造体形成工程及び第１蒸着工程後に得られる第１中間体の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a first intermediate obtained after a layered structure forming step and a first vapor deposition step in an embodiment. 実施の形態における、絶縁部形成工程後に得られる第２中間体の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a second intermediate obtained after an insulating part forming step in an embodiment. 実施の形態における、第２蒸着工程後に得られる発光素子本体の断面図である。It is a sectional view of a light emitting element main body obtained after a second vapor deposition process in an embodiment. 実施の形態における、有機被覆部形成工程において、発光素子本体に液状の有機高分子材料が塗布された状態を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state in which a liquid organic polymer material is applied to a light emitting element main body in an organic covering portion forming step in an embodiment. 実施の形態における、有機被覆部形成工程後に得られる第３中間体を示す断面図である。It is a sectional view showing the third intermediate obtained after the organic covering portion forming step in the embodiment. 実施の形態における、無機被覆部形成工程の途中段階の状態を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in the middle of an inorganic covering portion forming step in the embodiment. 実施の形態における、無機被覆部形成工程後の第４中間体の断面図である。It is a sectional view of the 4th intermediate after an inorganic coating part formation process in an embodiment.

［実施の形態］
本発明の実施の形態について、図１乃至図１０を参照して説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、本発明を実施する上での好適な具体例として示すものであり、技術的に好ましい種々の技術的事項を具体的に例示している部分もあるが、本発明の技術的範囲は、この具体的態様に限定されるものではない。 [Embodiment]
Embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 10. The embodiments described below are shown as preferred specific examples for carrying out the present invention, and some portions specifically illustrate various technical matters that are technically preferable. However, the technical scope of the present invention is not limited to this specific embodiment.

（発光素子１）
図１は、本形態における発光素子１の平面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線矢視断面図である。 (Light emitting element 1)
FIG. 1 is a plan view of a light emitting element 1 in this embodiment. FIG. 2 is a sectional view taken along the line II-II in FIG.

本形態の発光素子１は、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ：ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）又は半導体レーザ（ＬＤ：ＬａｓｅｒＤｉｏｄｅ）を構成するものである。本形態において、発光素子１は、深紫外光を発する深紫外ＬＥＤを構成するものであり、例えば殺菌（例えば空気浄化、浄水等）、医療（例えば光線治療、計測・分析等）、ＵＶキュアリング等の分野において用いることができる。本形態の発光素子１は、発光素子本体２（以後、単に「素子本体２」ということもある。）と有機被覆部３と無機被覆部４と第１パッド電極５と第２パッド電極６とを備える。 The light emitting element 1 of this embodiment constitutes, for example, a light emitting diode (LED) or a semiconductor laser (LD). In this embodiment, the light emitting element 1 constitutes a deep ultraviolet LED that emits deep ultraviolet light, and is used, for example, in sterilization (for example, air purification, water purification, etc.), medical treatment (for example, phototherapy, measurement/analysis, etc.), UV curing, etc. It can be used in fields such as The light emitting device 1 of this embodiment includes a light emitting device main body 2 (hereinafter sometimes simply referred to as "device main body 2"), an organic coating section 3, an inorganic coating section 4, a first pad electrode 5, and a second pad electrode 6. Equipped with

（素子本体２）
図２に示すごとく、素子本体２は、積層構造体２１と第１コンタクト電極２２と第２コンタクト電極２３と絶縁部２４と反射部２５とを備える。積層構造体２１は、基板２１１と、バッファ層２１２と、第１導電型を有する第１半導体層２１３と、発光層２１４と、第２導電型を有する第２半導体層２１５とをこの順に有する。本形態において、第１導電型はｎ型であり、第１半導体層２１３はｎ型半導体からなる層である。また、第２導電型はｐ型であり、第２半導体層２１５はｐ型半導体からなる層である。第１コンタクト電極２２は、第１半導体層２１３に接続されており、第２コンタクト電極２３は、第２半導体層２１５に接続されている。 (Element body 2)
As shown in FIG. 2, the element main body 2 includes a laminated structure 21, a first contact electrode 22, a second contact electrode 23, an insulating section 24, and a reflective section 25. The stacked structure 21 includes, in this order, a substrate 211, a buffer layer 212, a first semiconductor layer 213 having a first conductivity type, a light emitting layer 214, and a second semiconductor layer 215 having a second conductivity type. In this embodiment, the first conductivity type is n-type, and the first semiconductor layer 213 is a layer made of n-type semiconductor. Further, the second conductivity type is p-type, and the second semiconductor layer 215 is a layer made of a p-type semiconductor. The first contact electrode 22 is connected to the first semiconductor layer 213, and the second contact electrode 23 is connected to the second semiconductor layer 215.

以後、積層構造体２１を構成する複数の半導体層の積層方向を上下方向Ｚといい、上下方向Ｚの一方側であって、基板２１１に対して各半導体層が積層された側を上側、その反対側を下側という。なお、上下の表現は便宜的なものであり、例えば発光素子１の使用時における、鉛直方向に対する発光素子１の姿勢を限定するものではない。 Hereinafter, the lamination direction of the plurality of semiconductor layers constituting the laminated structure 21 will be referred to as the vertical direction Z, and one side of the vertical direction Z, on which each semiconductor layer is laminated with respect to the substrate 211, will be referred to as the upper side, and The opposite side is called the bottom side. Note that the expression "up and down" is for convenience, and does not limit the posture of the light emitting element 1 with respect to the vertical direction, for example, when the light emitting element 1 is used.

基板２１１は、発光層２１４が発する光（本形態においては深紫外光）を透過する性質を有する基板であり、例えばサファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）基板とすることができる。また、基板２１１として、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板又は窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）基板等を用いてもよい。 The substrate 211 is a substrate that has a property of transmitting light (deep ultraviolet light in this embodiment) emitted by the light emitting layer 214, and can be, for example, a sapphire (Al ₂ O ₃ ) substrate. Further, as the substrate 211, for example, an aluminum nitride (AlN) substrate, an aluminum gallium nitride (AlGaN) substrate, or the like may be used.

バッファ層２１２、第１半導体層２１３、発光層２１４及び第２半導体層２１５を構成する半導体としては、例えば、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）にて表される２～４元系のＩＩＩ族窒化物半導体を用いることができる。なお、深紫外ＬＥＤにおいては、インジウムを含まないＡｌ_ｚＧａ_１－ｚＮ系（０≦ｚ≦１）が用いられることが多い。 As the semiconductor forming the buffer layer 212, the first semiconductor layer 213, the light emitting layer 214, and the second semiconductor layer 215, for example, Al _x Ga _y In _1-x-y N (0≦x≦1, 0≦y≦ 1, 0≦x+y≦1) A two- to four-element group III nitride semiconductor can be used. Note that in deep ultraviolet LEDs, an Al _z Ga _1-z N system (0≦z≦1) that does not contain indium is often used.

バッファ層２１２は、基板２１１上に形成されている。バッファ層２１２は、アンドープのＡｌ_ａＧａ_１－ａＮ（０≦ａ≦１）からなる。一例として、バッファ層２１２は、基板２１１上に形成された窒化アルミニウム（すなわちａ＝１）からなるＡｌＮ層と、ＡｌＮ層上に形成されたアンドープの窒化アルミニウムガリウム（すなわち０＜ａ＜１）からなるＡｌＧａＮ層とを有する。なお、これに限られず、バッファ層２１２は単層とすることも可能である。また、基板２１１が窒化アルミニウム基板又は窒化アルミニウムガリウム基板である場合、バッファ層２１２は必ずしも設けなくてもよい。 Buffer layer 212 is formed on substrate 211. The buffer layer 212 is made of undoped Al _a Ga _1-a N (0≦a≦1). As an example, the buffer layer 212 includes an AlN layer made of aluminum nitride (i.e., a=1) formed on the substrate 211, and an AlN layer made of undoped aluminum gallium nitride (i.e., 0<a<1) formed on the AlN layer. It has an AlGaN layer. Note that the buffer layer 212 is not limited to this, and may be a single layer. Further, when the substrate 211 is an aluminum nitride substrate or an aluminum gallium nitride substrate, the buffer layer 212 does not necessarily need to be provided.

第１半導体層２１３は、バッファ層２１２上に形成されている。第１半導体層２１３は、ｎ型不純物がドープされたＡｌ_ｂＧａ_１－ｂＮ（０≦ｂ≦１）からなる。第１半導体層２１３は、単層構造でも複数層構造でもよい。上側から見たとき、第１半導体層２１３は、バッファ層２１２よりも一回り小さく、第１半導体層２１３の外形は、バッファ層２１２の外形の内側に収まるよう形成されている。 The first semiconductor layer 213 is formed on the buffer layer 212. The first semiconductor layer 213 is made of Al _b Ga _1-b N (0≦b≦1) doped with n-type impurities. The first semiconductor layer 213 may have a single layer structure or a multilayer structure. When viewed from above, the first semiconductor layer 213 is slightly smaller than the buffer layer 212, and the outer shape of the first semiconductor layer 213 is formed to fit inside the outer shape of the buffer layer 212.

発光層２１４は、第１半導体層２１３の上面の一部に形成されており、発光層２１４上に第２半導体層２１５が形成されている。ここで、第２半導体層２１５上に形成される第２コンタクト電極２３は、図１に示すごとく櫛状に形成されており、発光層２１４及び第２半導体層２１５は、第２コンタクト電極２３と上下方向Ｚに重なる位置に、第２コンタクト電極２３と同様な櫛状に形成されている。第２コンタクト電極２３の形状については後述する。なお、図１においては、上側から見たときの第１コンタクト電極２２、第２コンタクト電極２３、及び有機被覆部３の輪郭位置を破線にて示している。 The light emitting layer 214 is formed on a part of the upper surface of the first semiconductor layer 213, and the second semiconductor layer 215 is formed on the light emitting layer 214. Here, the second contact electrode 23 formed on the second semiconductor layer 215 is formed in a comb shape as shown in FIG. It is formed in a comb shape similar to the second contact electrode 23 at a position overlapping in the vertical direction Z. The shape of the second contact electrode 23 will be described later. In addition, in FIG. 1, the outline positions of the first contact electrode 22, the second contact electrode 23, and the organic coating portion 3 when viewed from above are shown by broken lines.

発光層２１４は、Ａｌ_ｃＧａ_１－ｃＮ（０≦ｃ≦１）からなり、例えば井戸層を１つ有する単一量子井戸構造、又は井戸層を複数有する多重量子井戸構造とすることができる。発光層２１４においては、第１半導体層２１３から供給される電子と、第２半導体層２１５から供給される正孔とが再結合し、発光する。発光層２１４は、波長３６５ｎｍ以下の深紫外光を出力するために、バンドギャップが３．４ｅＶ以上となるよう構成されている。特に本形態において、発光層２１４は、中心波長が２００ｎｍ以上３６５ｎｍ以下の深紫外光を発生することができるよう構成されている。また、発光層２１４が発する光の中心波長は、２８０ｎｍ以下とすることもできる。 The light emitting layer 214 is made of Al _c Ga _1-c N (0≦c≦1), and can have, for example, a single quantum well structure having one well layer or a multiple quantum well structure having multiple well layers. . In the light emitting layer 214, electrons supplied from the first semiconductor layer 213 and holes supplied from the second semiconductor layer 215 are recombined to emit light. The light emitting layer 214 is configured to have a band gap of 3.4 eV or more in order to output deep ultraviolet light with a wavelength of 365 nm or less. In particular, in this embodiment, the light emitting layer 214 is configured to be able to generate deep ultraviolet light having a center wavelength of 200 nm or more and 365 nm or less. Further, the center wavelength of the light emitted by the light emitting layer 214 can also be set to 280 nm or less.

第２半導体層２１５は、発光層２１４上に形成されている。第２半導体層２１５は、ｐ型不純物がドープされたＡｌ_ｄＧａ_１－ｄＮ（０≦ｄ≦１）からなる。第２半導体層２１５は、単層構造でも複数層構造でもよい。 The second semiconductor layer 215 is formed on the light emitting layer 214. The second semiconductor layer 215 is made of Al _d Ga _1-d N (0≦d≦1) doped with p-type impurities. The second semiconductor layer 215 may have a single layer structure or a multilayer structure.

本形態において、第１半導体層２１３の側面２１３ａ、発光層２１４の側面２１４ａ及び第２半導体層２１５の側面２１５ａは、第１半導体層２１３、発光層２１４及び第２半導体層２１５が上側に向かうほど幅狭となるよう傾斜している。すなわち、第１半導体層２１３、発光層２１４及び第２半導体層２１５は、メサ構造となるよう形成されている。 In this embodiment, the side surface 213a of the first semiconductor layer 213, the side surface 214a of the light emitting layer 214, and the side surface 215a of the second semiconductor layer 215 are formed as the first semiconductor layer 213, the light emitting layer 214, and the second semiconductor layer 215 go upward. It is sloped to make it narrower. That is, the first semiconductor layer 213, the light emitting layer 214, and the second semiconductor layer 215 are formed to have a mesa structure.

第１半導体層２１３の上面における発光層２１４から露出した露出上面２１３ｂには、第１コンタクト電極２２が形成されており、第２半導体層２１５の上面には、第２コンタクト電極２３が形成されている。第１コンタクト電極２２は、第１半導体層２１３にオーミック接触しており、第２コンタクト電極２３は、第２半導体層２１５にオーミック接触している。第１コンタクト電極２２及び第２コンタクト電極２３のうち、少なくとも第２コンタクト電極２３は、発光層２１４が発する光を反射可能な金属からなる。第２コンタクト電極２３は、発光層２１４が発する光の中心波長における反射率が５０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましい。第２コンタクト電極２３は、発光層２１４が発する紫外光の反射率を高めるべく、ロジウム（Ｒｈ）又はアルミニウム（Ａｌ）を含有していることが好ましい。なお、第１コンタクト電極２２も、第２コンタクト電極２３と同様に、発光層２１４が発する光を反射する金属にて構成することが、基板２１１面から取り出される光を増やす観点から好ましい。 A first contact electrode 22 is formed on the exposed upper surface 213b exposed from the light emitting layer 214 on the upper surface of the first semiconductor layer 213, and a second contact electrode 23 is formed on the upper surface of the second semiconductor layer 215. There is. The first contact electrode 22 is in ohmic contact with the first semiconductor layer 213, and the second contact electrode 23 is in ohmic contact with the second semiconductor layer 215. Of the first contact electrode 22 and the second contact electrode 23, at least the second contact electrode 23 is made of a metal that can reflect the light emitted by the light emitting layer 214. The reflectance of the second contact electrode 23 at the center wavelength of light emitted by the light emitting layer 214 is preferably 50% or more, more preferably 70% or more. The second contact electrode 23 preferably contains rhodium (Rh) or aluminum (Al) in order to increase the reflectance of ultraviolet light emitted by the light emitting layer 214. Note that, like the second contact electrode 23, the first contact electrode 22 is preferably made of a metal that reflects the light emitted by the light emitting layer 214, from the viewpoint of increasing the amount of light extracted from the surface of the substrate 211.

図１に示すごとく、第１コンタクト電極２２は、上下方向Ｚに直交する方向に延在する第１基部２２１と、第１基部２２１の複数箇所から第２コンタクト電極２３側に突出する第１突出部２２２とを有する。第２コンタクト電極２３は、第１基部２２１と略平行に形成された第２基部２３１と、第２基部２３１の複数箇所から第１コンタクト電極２２側に突出する第２突出部２３２とを有する。上側から見たとき、隣り合う第１突出部２２２の間に、複数の第２突出部２３２が１つずつ挿入されている。以後、上下方向Ｚに直交する方向であって第１基部２２１及び第２基部２３１のそれぞれが延在する方向を横方向Ｘといい、上下方向Ｚ及び横方向Ｘの双方に直交する方向を縦方向Ｙという。縦方向Ｙは、第１突出部２２２及び第２突出部２３２のそれぞれが延在する方向である。 As shown in FIG. 1, the first contact electrode 22 includes a first base 221 extending in a direction perpendicular to the vertical direction Z, and a first protrusion protruding from a plurality of locations of the first base 221 toward the second contact electrode 23. 222. The second contact electrode 23 has a second base 231 formed substantially parallel to the first base 221 and second protrusions 232 that protrude from a plurality of locations of the second base 231 toward the first contact electrode 22 side. When viewed from above, a plurality of second protrusions 232 are inserted one by one between adjacent first protrusions 222 . Hereinafter, the direction perpendicular to the vertical direction Z, in which the first base 221 and the second base 231 extend, will be referred to as the horizontal direction X, and the direction perpendicular to both the vertical direction Z and the horizontal direction X will be referred to as the vertical direction. It is called direction Y. The vertical direction Y is a direction in which each of the first protrusion 222 and the second protrusion 232 extends.

図２に示すごとく、絶縁部２４は、積層構造体２１と反射部２５との間に位置し、薄膜状に形成されている。絶縁部２４は、積層構造体２１と反射部２５とが導通することを防ぐ役割を有する。絶縁部２４は、積層構造体２１の表面のうち、バッファ層２１２の上面から上側に位置する面を覆っている。また、絶縁部２４は、上側から見たときの第１コンタクト電極２２及び第２コンタクト電極２３の形成領域には形成されていない。 As shown in FIG. 2, the insulating section 24 is located between the laminated structure 21 and the reflective section 25, and is formed into a thin film shape. The insulating part 24 has a role of preventing conduction between the laminated structure 21 and the reflective part 25. The insulating section 24 covers the surface of the stacked structure 21 located above the upper surface of the buffer layer 212 . Further, the insulating portion 24 is not formed in the formation region of the first contact electrode 22 and the second contact electrode 23 when viewed from above.

絶縁部２４は、電気的絶縁性を有する無機材料からなる。絶縁部２４は、例えば、発光層２１４から発される光の透過率が５０％以上である。絶縁部２４は、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等からなる。本形態において、絶縁部２４は、単層からなるが、複数層からなっていてもよい。 The insulating portion 24 is made of an inorganic material having electrical insulation properties. For example, the insulating section 24 has a transmittance of 50% or more for light emitted from the light emitting layer 214. The insulating portion 24 is made of, for example, silicon dioxide (SiO ₂ ), alumina (Al ₂ O ₃ ), or the like. In this embodiment, the insulating section 24 is made of a single layer, but may be made of a plurality of layers.

反射部２５は、絶縁部２４における積層構造体２１に接する側と反対側の面に形成されている。反射部２５は、発光層２１４から発された光であって、積層構造体２１中において上側に向かう光を下側に向けて反射する役割を有する。積層構造体２１中において上側に向かう光は、例えば、発光層２１４から直接的に上側に向かって発される光や、積層構造体２１の各層の表面において反射されて上側に向かう光等がある。 The reflective portion 25 is formed on the surface of the insulating portion 24 that is opposite to the side that is in contact with the laminated structure 21 . The reflecting portion 25 has a role of reflecting the light emitted from the light emitting layer 214 and directed upward in the laminated structure 21 downward. The light directed upward in the laminated structure 21 includes, for example, light emitted directly upward from the light emitting layer 214, light reflected on the surface of each layer of the laminated structure 21, and light directed upward. .

反射部２５は、発光層２１４が発する光を反射可能な導体、具体的には金属からなる。反射部２５は、発光層２１４が発する光の中心波長における反射率が５０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましい。反射部２５は、発光層２１４が発する紫外光の反射率を高めるべく、ロジウム（Ｒｈ）又はアルミニウム（Ａｌ）を含有していることが好ましい。本形態において、反射部２５は、第２コンタクト電極２３と同一の金属からなる。 The reflective portion 25 is made of a conductor, specifically metal, that can reflect the light emitted by the light emitting layer 214. The reflective portion 25 preferably has a reflectance of 50% or more, more preferably 70% or more, at the center wavelength of the light emitted by the light emitting layer 214. The reflective portion 25 preferably contains rhodium (Rh) or aluminum (Al) in order to increase the reflectance of ultraviolet light emitted by the light emitting layer 214. In this embodiment, the reflective portion 25 is made of the same metal as the second contact electrode 23.

反射部２５は、バッファ層２１２の上面と、第１半導体層２１３の側面２１３ａ及び上面と、発光層２１４の側面２１４ａと、第２半導体層２１５の側面２１５ａのそれぞれに、絶縁部２４を介して対向するよう形成されている。反射部２５における、第１半導体層２１３の側面２１３ａ、発光層２１４の側面２１４ａ、及び第２半導体層２１５の側面２１５ａのそれぞれに対向する部位は、これらの面に沿うよう上下方向Ｚに対して傾斜した傾斜部２５１である。また、反射部２５は、有機被覆部３及び無機被覆部４の双方と、絶縁部２４との間に形成されており、有機被覆部３及び無機被覆部４の双方に接している。なお、これに限られず、例えば反射部２５は、有機被覆部３に接するが無機被覆部４には接さないよう構成されてもよい。 The reflective section 25 is provided on the upper surface of the buffer layer 212, the side surface 213a and upper surface of the first semiconductor layer 213, the side surface 214a of the light emitting layer 214, and the side surface 215a of the second semiconductor layer 215, via the insulating section 24. They are formed to face each other. The portions of the reflective portion 25 that are opposite to the side surface 213a of the first semiconductor layer 213, the side surface 214a of the light emitting layer 214, and the side surface 215a of the second semiconductor layer 215 are arranged along these surfaces in the vertical direction Z. This is a sloped portion 251. Further, the reflective portion 25 is formed between both the organic coating portion 3 and the inorganic coating portion 4 and the insulating portion 24, and is in contact with both the organic coating portion 3 and the inorganic coating portion 4. Note that the present invention is not limited to this, and for example, the reflecting section 25 may be configured to be in contact with the organic coating section 3 but not with the inorganic coating section 4.

図３は、上側から見たときの、第１コンタクト電極２２、第２コンタクト電極２３、及び反射部２５のそれぞれの形成領域を模式的に示した図である。反射部２５は、第１コンタクト電極２２及び第２コンタクト電極２３から離れて形成されている。上側から見たとき、反射部２５は、第１コンタクト電極２２及び第２コンタクト電極２３の全体を取り囲むよう形成された包囲部２５２と、第１コンタクト電極２２と第２コンタクト電極２３との間を蛇行するよう形成された蛇行部２５３とを有する。 FIG. 3 is a diagram schematically showing the formation regions of the first contact electrode 22, the second contact electrode 23, and the reflective section 25, when viewed from above. The reflective portion 25 is formed apart from the first contact electrode 22 and the second contact electrode 23. When viewed from above, the reflective section 25 includes an enclosing section 252 formed to entirely surround the first contact electrode 22 and the second contact electrode 23, and a space between the first contact electrode 22 and the second contact electrode 23. It has a meandering portion 253 formed in a meandering manner.

図３に示すごとく、上側から見たときにおいて、反射部２５と第１コンタクト電極２２との最短距離をＬ１、反射部２５と第２コンタクト電極２３との最短距離をＬ２、第１コンタクト電極２２と第２コンタクト電極２３との最短距離をＬ３とする。このとき、最短距離Ｌ１及びＬ２のそれぞれは、０．０５×Ｌ３以上０．４５×Ｌ３以下を満たす。本形態において、上側から見たとき、反射部２５と第１コンタクト電極２２との間隔は一定となっている。同様に、上側から見たとき、反射部２５と第２コンタクト電極２３との間隔は一定となっている。そして、上側から見たとき、反射部２５における第１コンタクト電極２２に臨む側の端縁の各部は、第１コンタクト電極２２との間の最短距離が０．０５×Ｌ３以上０．４５×Ｌ３以下を満たしている。同様に、上側から見たとき、反射部２５における第２コンタクト電極２３に臨む側の端縁の各部は、第２コンタクト電極２３との間の最短距離が０．０５×Ｌ３以上０．４５×Ｌ３以下を満たしている。 As shown in FIG. 3, when viewed from above, the shortest distance between the reflective section 25 and the first contact electrode 22 is L1, the shortest distance between the reflective section 25 and the second contact electrode 23 is L2, and the first contact electrode 22 The shortest distance between the contact electrode 23 and the second contact electrode 23 is defined as L3. At this time, each of the shortest distances L1 and L2 satisfies 0.05×L3 or more and 0.45×L3 or less. In this embodiment, when viewed from above, the distance between the reflective portion 25 and the first contact electrode 22 is constant. Similarly, when viewed from above, the distance between the reflective portion 25 and the second contact electrode 23 is constant. When viewed from above, each part of the edge of the reflective part 25 on the side facing the first contact electrode 22 has a shortest distance from the first contact electrode 22 of 0.05*L3 or more to 0.45*L3. Meets the following requirements. Similarly, when viewed from above, each part of the edge of the reflective part 25 on the side facing the second contact electrode 23 has a shortest distance from the second contact electrode 23 of 0.05×L3 or more or more than 0.45× Meets L3 or lower.

図２に示すごとく、反射部２５は、絶縁部２４に沿って屈曲するとともに全体において一定の厚みを有する板状に形成されている。本形態において、反射部２５の厚みは、第２コンタクト電極２３の厚みと同等である。反射部２５の厚みと第２コンタクト電極２３との厚みとが同等であるとは、例えば、反射部２５の厚みと第２コンタクト電極２３の厚みとの差の絶対値が、反射部２５の厚みと第２コンタクト電極２３の厚みとのうち大きい方の１０％以下となるような場合も含む。詳細は後述するが、本形態において反射部２５は第２コンタクト電極２３と同時に蒸着により形成されるため、反射部２５と第２コンタクト電極２３とは互いに厚みが同等となる。 As shown in FIG. 2, the reflecting section 25 is formed into a plate shape that is bent along the insulating section 24 and has a constant thickness throughout. In this embodiment, the thickness of the reflective portion 25 is equivalent to the thickness of the second contact electrode 23. The thickness of the reflective part 25 and the thickness of the second contact electrode 23 are equivalent, for example, the absolute value of the difference between the thickness of the reflective part 25 and the thickness of the second contact electrode 23 is equal to the thickness of the reflective part 25. This also includes a case where the thickness is 10% or less of the larger of the thickness of the second contact electrode 23 and the thickness of the second contact electrode 23. Although details will be described later, in this embodiment, the reflective portion 25 is formed by vapor deposition at the same time as the second contact electrode 23, so the reflective portion 25 and the second contact electrode 23 have the same thickness.

（有機被覆部３）
図２に示すごとく、有機被覆部３は、素子本体２を覆い、素子本体２の表面形状に存在する段差及び角部を埋めて平坦化する。有機被覆部３は、電気的絶縁性を有する有機高分子材料から構成することができる。本形態において、有機被覆部３は、フォトレジストからなる。フォトレジストとしては、ポジ型及びネガ型のいずれかを採用することが可能である。 (Organic coating part 3)
As shown in FIG. 2, the organic covering portion 3 covers the element body 2 and fills in the steps and corners existing in the surface shape of the element body 2 to flatten it. The organic covering portion 3 can be made of an organic polymer material having electrical insulation properties. In this embodiment, the organic coating portion 3 is made of photoresist. As the photoresist, either a positive type or a negative type can be used.

本形態において、有機被覆部３は、素子本体２における第１半導体層２１３の上側に形成されており、バッファ層２１２における第１半導体層２１３と重ならない部位の上側には形成されていない。発光層２１４、第２半導体層２１５、第１コンタクト電極２２及び第２コンタクト電極２３は、有機被覆部３の内側に配されている。また、発光層２１４、第２半導体層２１５、第１コンタクト電極２２及び第２コンタクト電極２３の周囲に形成された絶縁部２４及び反射部２５も、有機被覆部３の内側に配されている。反射部２５における、第１コンタクト電極２２側の端縁２５４及び第２コンタクト電極２３側の端縁２５５も、有機被覆部３にて覆われている。 In this embodiment, the organic covering portion 3 is formed above the first semiconductor layer 213 in the element body 2, and is not formed above a portion of the buffer layer 212 that does not overlap with the first semiconductor layer 213. The light emitting layer 214 , the second semiconductor layer 215 , the first contact electrode 22 , and the second contact electrode 23 are arranged inside the organic coating 3 . Further, the insulating part 24 and the reflective part 25 formed around the light emitting layer 214, the second semiconductor layer 215, the first contact electrode 22, and the second contact electrode 23 are also arranged inside the organic coating part 3. An edge 254 on the first contact electrode 22 side and an edge 255 on the second contact electrode 23 side of the reflective portion 25 are also covered with the organic coating portion 3 .

有機被覆部３の外面３１（すなわち無機被覆部４に接する面）は、有機被覆部３の内面３２（すなわち無機被覆部４と接さない面）よりも平坦となるよう構成されている。有機被覆部３の外面３１は、上下方向Ｚに直交する上面３１１と、上下方向Ｚに形成された側面３１２とを備える。外面３１における上面３１１と側面３１２との間の角部３１３は、曲面状（すなわちアール状）に形成されている。なお、有機被覆部３の外面３１の側面３１２は、例えば下側程、外方へ向かうように傾斜等していてもよい。 The outer surface 31 of the organic coating 3 (ie, the surface in contact with the inorganic coating 4) is configured to be flatter than the inner surface 32 of the organic coating 3 (ie, the surface not in contact with the inorganic coating 4). The outer surface 31 of the organic covering part 3 includes an upper surface 311 that is perpendicular to the vertical direction Z, and a side surface 312 that is formed in the vertical direction Z. A corner 313 between the upper surface 311 and the side surface 312 on the outer surface 31 is formed in a curved shape (that is, a rounded shape). In addition, the side surface 312 of the outer surface 31 of the organic covering part 3 may be inclined, for example, so that the lower side is toward the outside.

ここで、図２に示すごとく、第２コンタクト電極２３の上面２３３と有機被覆部３の下端面３３との間の上下方向Ｚの長さをＨとしたとき、有機被覆部３の厚みＴ１は、０．８Ｈ≦Ｔ１≦１．２Ｈを満たしている。すなわち、有機被覆部３の上面３１１は、第２コンタクト電極２３の上面２３３と略面一に形成されている。有機被覆部３の上面３１１は、第２コンタクト電極２３の上面２３３と面一に形成されることが好ましい。ここで、有機被覆部３の上面３１１と第２コンタクト電極２３の上面２３３とを面一になるよう設計したものの、製造公差等により有機被覆部３の上面３１１と第２コンタクト電極２３の上面２３３との位置が僅かにずれたような場合も、有機被覆部３の上面３１１と第２コンタクト電極２３の上面２３３とは面一であるとする。そして、第２コンタクト電極２３の上面２３３は、第２パッド電極６との導通を図るべく、有機被覆部３から露出している。 Here, as shown in FIG. 2, when the length in the vertical direction Z between the upper surface 233 of the second contact electrode 23 and the lower end surface 33 of the organic coating section 3 is H, the thickness T1 of the organic coating section 3 is , 0.8H≦T1≦1.2H. That is, the upper surface 311 of the organic covering portion 3 is formed substantially flush with the upper surface 233 of the second contact electrode 23 . The upper surface 311 of the organic covering portion 3 is preferably formed flush with the upper surface 233 of the second contact electrode 23 . Although the top surface 311 of the organic coating section 3 and the top surface 233 of the second contact electrode 23 are designed to be flush with each other, due to manufacturing tolerances, the top surface 311 of the organic coating section 3 and the top surface 233 of the second contact electrode 23 It is assumed that the upper surface 311 of the organic covering portion 3 and the upper surface 233 of the second contact electrode 23 are flush even when the positions thereof are slightly shifted. The upper surface 233 of the second contact electrode 23 is exposed from the organic covering portion 3 in order to establish electrical conduction with the second pad electrode 6.

有機被覆部３には、有機被覆部３を上下方向Ｚに貫通した複数のコンタクトホール３４が形成されている。複数のコンタクトホール３４は、第１コンタクト電極２２と上下方向Ｚに重なる位置に形成されており、下端が第１コンタクト電極２２に向かって開口している。複数のコンタクトホール３４は、互いに同等の形状を有し、等間隔に形成されている。図１に示すごとく、第１コンタクト電極２２の第１基部２２１に開口する複数のコンタクトホール３４は、横方向Ｘに等間隔に設けられており、第２コンタクト電極２３の第１突出部２２２に開口する複数のコンタクトホール３４は、縦方向Ｙに等間隔に設けられている。等間隔とは、厳密な等間隔に限られず、例えば、隣り合うコンタクトホール３４間の間隔のうちの最大値と最小値との差が当該最大値の１０％以下となるような、略等間隔も含む。なお、図１においては、コンタクトホール３４の下端部の輪郭位置を破線で表している。 A plurality of contact holes 34 are formed in the organic covering part 3, passing through the organic covering part 3 in the vertical direction Z. The plurality of contact holes 34 are formed at positions overlapping with the first contact electrode 22 in the vertical direction Z, and have lower ends opening toward the first contact electrode 22. The plurality of contact holes 34 have the same shape and are formed at regular intervals. As shown in FIG. 1, a plurality of contact holes 34 opening in the first base 221 of the first contact electrode 22 are provided at equal intervals in the lateral direction The plurality of open contact holes 34 are provided at equal intervals in the vertical direction Y. Equal intervals are not limited to strictly equal intervals, but are, for example, approximately equal intervals such that the difference between the maximum value and the minimum value of the intervals between adjacent contact holes 34 is 10% or less of the maximum value. Also included. Note that in FIG. 1, the outline position of the lower end of the contact hole 34 is indicated by a broken line.

図２に示すごとく、コンタクトホール３４は、上下方向Ｚに長尺に形成されている。本形態において、コンタクトホール３４の上下方向Ｚの長さ（本形態においては後述のホール内導体５１の長さＬと同等である。）は、第１コンタクト電極２２の厚みＴ２よりも長い。コンタクトホール３４は、上側の位置ほど内径が大きくなるテーパ状（本形態においては円錐台形状）に形成されている。 As shown in FIG. 2, the contact hole 34 is formed to be elongated in the vertical direction Z. As shown in FIG. In this embodiment, the length of the contact hole 34 in the vertical direction Z (in this embodiment, it is equivalent to the length L of the in-hole conductor 51 described later) is longer than the thickness T2 of the first contact electrode 22. The contact hole 34 is formed in a tapered shape (in this embodiment, a truncated conical shape) such that the inner diameter becomes larger toward the upper position.

本形態において、有機被覆部３は単層構造であるが、複数層構造であってもよい。また、有機被覆部３は、フォトレジストから構成したが、例えばフォトレジスト以外の有機材料から構成することも可能である。 In this embodiment, the organic coating portion 3 has a single layer structure, but may have a multilayer structure. Further, although the organic coating portion 3 is made of photoresist, it can also be made of an organic material other than photoresist, for example.

（無機被覆部４）
図２に示すごとく、無機被覆部４は、有機被覆部３を外周側及び上側から覆っている。さらに、無機被覆部４は、有機被覆部３からはみ出した反射部２５を、絶縁部２４と反対側から覆っている。無機被覆部４は、電気的絶縁性を有するとともに、水分を通し難い無機材料からなる。本形態において、無機被覆部４は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）からなる。無機被覆部４は、絶縁部２４と同じ材料にて構成することも可能である。 (Inorganic coating part 4)
As shown in FIG. 2, the inorganic covering part 4 covers the organic covering part 3 from the outer circumferential side and the upper side. Further, the inorganic coating section 4 covers the reflective section 25 protruding from the organic coating section 3 from the side opposite to the insulating section 24 . The inorganic covering portion 4 is made of an inorganic material that has electrical insulation properties and is difficult for moisture to pass through. In this embodiment, the inorganic coating portion 4 is made of silicon dioxide (SiO ₂ ). The inorganic covering part 4 can also be made of the same material as the insulating part 24.

無機被覆部４には、内側に第１パッド電極５が配された第１開口部４１と、内側に第２パッド電極６が配された第２開口部４２とが形成されている。第１開口部４１は、第１コンタクト電極２２と上下方向Ｚに対向する位置に形成されており、第２開口部４２は、第２コンタクト電極２３と上下方向Ｚに対向する位置に形成されている。本形態において、無機被覆部４は単層からなるが、複数層からなる構成であってもよい。 The inorganic covering portion 4 is formed with a first opening 41 in which the first pad electrode 5 is disposed, and a second opening 42 in which the second pad electrode 6 is disposed. The first opening 41 is formed at a position facing the first contact electrode 22 in the vertical direction Z, and the second opening 42 is formed at a position facing the second contact electrode 23 in the vertical direction Z. There is. In this embodiment, the inorganic covering portion 4 is made of a single layer, but may be made of a plurality of layers.

（第１パッド電極５及び第２パッド電極６）
図２に示すごとく、第１パッド電極５は、第１コンタクト電極２２と電気的に接続されており、第２パッド電極６は、第２コンタクト電極２３と電気的に接続されている。図１に示すごとく、上側から見たとき、第１パッド電極５は、発光素子１の縦方向Ｙの中心位置よりも第１コンタクト電極２２の第１基部２２１側に形成されており、第２パッド電極６は、前記中心位置よりも第２コンタクト電極２３の第２基部２３１側の領域に形成されている。 (First pad electrode 5 and second pad electrode 6)
As shown in FIG. 2, the first pad electrode 5 is electrically connected to the first contact electrode 22, and the second pad electrode 6 is electrically connected to the second contact electrode 23. As shown in FIG. 1, when viewed from above, the first pad electrode 5 is formed closer to the first base 221 of the first contact electrode 22 than the center position of the light emitting element 1 in the vertical direction Y, and The pad electrode 6 is formed in a region closer to the second base portion 231 of the second contact electrode 23 than the center position.

図２に示すごとく、第１パッド電極５は、コンタクトホール３４内に充填されるよう形成されたホール内導体５１と、無機被覆部４の第１開口部４１内に埋設された第１埋設部５２と、無機被覆部４から上側に露出した第１露出部５３とを一体的に備える。 As shown in FIG. 2, the first pad electrode 5 includes an in-hole conductor 51 formed to be filled in the contact hole 34 and a first buried part buried in the first opening 41 of the inorganic covering part 4. 52 and a first exposed portion 53 exposed upward from the inorganic coating portion 4.

ホール内導体５１は、当該ホール内導体５１が配されたコンタクトホール３４の内側領域と同等の形状となる。すなわち、ホール内導体５１は、上下方向Ｚに長尺に形成されている。また、ホール内導体５１の上下方向Ｚの長さＬは、第１コンタクト電極２２の厚みＴ２よりも長く、第１コンタクト電極２２の厚みＴ２よりも３倍以上長いことが好ましい。 The in-hole conductor 51 has the same shape as the inner region of the contact hole 34 in which the in-hole conductor 51 is arranged. That is, the in-hole conductor 51 is formed to be elongated in the vertical direction Z. Further, the length L of the in-hole conductor 51 in the vertical direction Z is longer than the thickness T2 of the first contact electrode 22, and is preferably three times or more longer than the thickness T2 of the first contact electrode 22.

ホール内導体５１は、コンタクトホール３４の内側領域の形状と同様に、上下方向Ｚに直交する断面の面積が、上側の部位ほど大きくなるテーパ状（本形態においては円錐台形状）に形成されている。上下方向Ｚに直交するホール内導体５１の断面の面積は、上下方向Ｚに直交する第１コンタクト電極２２の面積の１００％未満であることが好ましく、上下方向Ｚに直交する第１コンタクト電極２２の面積の５％以上９５％以下であることがより好ましい。第１コンタクト電極２２の面積は、第１コンタクト電極２２の上面の面積である。なお、本形態のように、ホール内導体５１が複数形成されている場合において、上下方向Ｚに直交するホール内導体５１の断面の面積とは、上下方向Ｚに直交するすべてのホール内導体５１の断面の面積の合計を意味するものとする。また、本形態のように、各ホール内導体５１がテーパ状に形成されているような場合は、上下方向Ｚの各位置において、ホール内導体５１の断面の面積が、上下方向Ｚに直交する第１コンタクト電極２２の面積の１００％未満であることが好ましく、５％以上９５％以下であることがより好ましい。ホール内導体５１の下端部は、第１コンタクト電極２２と電気的に接続されている。 Similar to the shape of the inner region of the contact hole 34, the in-hole conductor 51 is formed in a tapered shape (in this embodiment, a truncated conical shape) in which the area of the cross section perpendicular to the vertical direction Z becomes larger toward the upper part. There is. The cross-sectional area of the in-hole conductor 51 perpendicular to the vertical direction Z is preferably less than 100% of the area of the first contact electrode 22 perpendicular to the vertical direction Z. More preferably, the area is 5% or more and 95% or less of the area. The area of the first contact electrode 22 is the area of the upper surface of the first contact electrode 22. Note that when a plurality of in-hole conductors 51 are formed as in this embodiment, the area of the cross section of the in-hole conductor 51 perpendicular to the vertical direction Z refers to the area of the cross section of all the in-hole conductors 51 orthogonal to the up-down direction Z. shall mean the sum of the cross-sectional areas of . Further, when each in-hole conductor 51 is formed in a tapered shape as in this embodiment, the area of the cross section of the in-hole conductor 51 is perpendicular to the up-down direction Z at each position in the up-down direction Z. It is preferably less than 100% of the area of the first contact electrode 22, and more preferably 5% or more and 95% or less. A lower end portion of the in-hole conductor 51 is electrically connected to the first contact electrode 22 .

第１埋設部５２は、第１開口部４１内に充填されるよう形成されており、その下端部が各ホール内導体５１の上端部に接続されている。図示は省略するが、第１埋設部５２は、第１コンタクト電極２２と上下方向Ｚに対向する櫛状の領域に形成されている。 The first buried portion 52 is formed to fill the first opening 41, and its lower end is connected to the upper end of each in-hole conductor 51. Although not shown, the first buried portion 52 is formed in a comb-shaped region facing the first contact electrode 22 in the vertical direction Z.

図１に示すごとく、第１露出部５３は、上側から見たときの形状が横方向Ｘに長尺な略長方形状となるよう形成されている。図２に示すごとく、第１露出部５３の下端部が第１埋設部５２に接続されている。 As shown in FIG. 1, the first exposed portion 53 is formed to have a substantially rectangular shape elongated in the horizontal direction X when viewed from above. As shown in FIG. 2, the lower end portion of the first exposed portion 53 is connected to the first buried portion 52.

第２パッド電極６は、無機被覆部４の第２開口部４２に埋設された第２埋設部６１と、無機被覆部４から上側に露出した第２露出部６２とを一体的に備える。 The second pad electrode 6 integrally includes a second buried part 61 buried in the second opening 42 of the inorganic covering part 4 and a second exposed part 62 exposed upward from the inorganic covering part 4.

第２埋設部６１は、第２開口部４２内に充填されるよう形成されており、その下端部が第２コンタクト電極２３の上面２３３に接続されている。図示は省略するが、第２埋設部６１は、第２コンタクト電極２３と上下方向Ｚに対向する櫛状の領域に形成されている。 The second buried portion 61 is formed to fill the second opening 42 , and its lower end portion is connected to the upper surface 233 of the second contact electrode 23 . Although not shown, the second buried portion 61 is formed in a comb-shaped region facing the second contact electrode 23 in the vertical direction Z.

図１に示すごとく、第２露出部６２は、上側から見たときの形状が横方向Ｘに長尺な略長方形状となるよう形成されている。第１露出部５３と第２露出部６２とは、縦方向Ｙに間隔をあけて並んでいる。図２に示すごとく、第２露出部６２の下端部が第２埋設部６１に接続されている。 As shown in FIG. 1, the second exposed portion 62 is formed to have a substantially rectangular shape elongated in the lateral direction X when viewed from above. The first exposed portion 53 and the second exposed portion 62 are arranged at intervals in the vertical direction Y. As shown in FIG. 2, the lower end portion of the second exposed portion 62 is connected to the second buried portion 61.

第１パッド電極５と第２パッド電極６とのそれぞれは、それぞれ単一部材にて構成した例を示したが、複数の部材を上下方向Ｚ等に接続して構成してもよい。 Although an example has been shown in which each of the first pad electrode 5 and the second pad electrode 6 is made of a single member, they may be made of a plurality of members connected in the vertical direction Z or the like.

第１パッド電極５の第１露出部５３及び第２パッド電極６の第２露出部６２は、例えば図示しないサブマウントの電極に実装される。例えば、発光素子１は、基板２１１がサブマウントと反対側に位置する姿勢で、サブマウントの電極に、金（Ａｕ）バンプ等を介してフリップチップ実装される。この場合、発光素子１から発される光は、主に素子本体２の基板２１１からサブマウントと反対側に取り出される。 The first exposed portion 53 of the first pad electrode 5 and the second exposed portion 62 of the second pad electrode 6 are mounted, for example, on an electrode of a submount (not shown). For example, the light emitting element 1 is flip-chip mounted to an electrode of a submount via a gold (Au) bump or the like, with the substrate 211 positioned on the opposite side of the submount. In this case, the light emitted from the light emitting element 1 is mainly extracted from the substrate 211 of the element body 2 to the side opposite to the submount.

（発光素子１の製造方法）
次に、図４乃至図１０を参照しつつ、本形態の発光素子１の製造方法の一例につき説明する。 (Method for manufacturing light emitting element 1)
Next, an example of a method for manufacturing the light emitting device 1 of this embodiment will be described with reference to FIGS. 4 to 10.

発光素子１の製造方法は、積層構造体形成工程、第１蒸着工程と、絶縁部形成工程と、第２蒸着工程と、有機被覆部形成工程と、無機被覆部形成工程と、第３蒸着工程とを有する。 The method for manufacturing the light emitting device 1 includes a layered structure forming step, a first vapor deposition step, an insulating portion forming step, a second vapor deposition step, an organic coating forming step, an inorganic coating forming step, and a third vapor deposition step. and has.

図４は、積層構造体形成工程及び第１蒸着工程後に得られる第１中間体１１の断面図である。積層構造体形成工程は、積層構造体２１を形成する工程である。積層構造体形成工程においては、まず、基板２１１上にバッファ層２１２、第１半導体層２１３、発光層２１４及び第２半導体層２１５が順次エピタキシャル成長される。エピタキシャル成長法としては、有機金属化学気相成長法（ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシ法（ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍＥｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）、ハライド気相エピタキシ法（ＨｙｄｒｉｄｅＶａｐｏｒＰｈａｓｅＥｐｉｔａｘｙ：ＨＶＰＥ）等の周知のエピタキシャル成長法を用いることができる。各層をエピタキシャル成長させるための成長温度、成長圧力、及び成長時間等の製造条件については、各層の構成に応じた一般的な条件とすることができる。 FIG. 4 is a cross-sectional view of the first intermediate body 11 obtained after the layered structure forming step and the first vapor deposition step. The layered structure forming step is a step of forming the layered structure 21. In the layered structure forming step, first, a buffer layer 212, a first semiconductor layer 213, a light emitting layer 214, and a second semiconductor layer 215 are epitaxially grown on a substrate 211 in this order. Examples of epitaxial growth methods include metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), molecular beam epitaxy (MBE), and halide vapor phase epitaxy (Hydride vapor deposition). Awareness of Phase Epitaxy (HVPE), etc. The epitaxial growth method can be used. Manufacturing conditions such as growth temperature, growth pressure, and growth time for epitaxially growing each layer can be general conditions depending on the configuration of each layer.

次いで、第２半導体層２１５の上面の所定箇所に、図示しないマスクが形成される。そして、マスクと上下方向Ｚに重ならない位置に形成された第２半導体層２１５及び発光層２１４が、エッチングにより除去される。これにより、第１半導体層２１３に、発光層２１４から上側に露出した露出上面２１３ｂが形成される。露出上面２１３ｂを形成した後、マスクを除去することで、積層構造体２１が得られる。 Next, a mask (not shown) is formed at a predetermined location on the upper surface of the second semiconductor layer 215. Then, the second semiconductor layer 215 and the light emitting layer 214, which are formed at positions that do not overlap the mask in the vertical direction Z, are removed by etching. As a result, an exposed upper surface 213b exposed upward from the light emitting layer 214 is formed in the first semiconductor layer 213. After forming the exposed upper surface 213b, the mask is removed to obtain the laminated structure 21.

次いで、第１蒸着工程が行われる。第１蒸着工程においては、蒸着により、第１半導体層２１３の露出上面２１３ｂ上に第１コンタクト電極２２が形成される。例えば、バッファ層２１２上面から上側に位置する積層構造体２１の表面であって、第１コンタクト電極２２が形成される面以外の面にマスクが形成され、蒸着により第１コンタクト電極２２が形成された後、マスクが除去される。蒸着としては、電子ビーム蒸着法やスパッタリング法等を採用可能であり、これについては第２蒸着工程及び第３蒸着工程においても同様である。第１蒸着工程により、図４に示す第１中間体１１が得られる。 Next, a first deposition process is performed. In the first vapor deposition step, the first contact electrode 22 is formed on the exposed upper surface 213b of the first semiconductor layer 213 by vapor deposition. For example, a mask is formed on the surface of the stacked structure 21 located above the upper surface of the buffer layer 212, other than the surface on which the first contact electrode 22 is formed, and the first contact electrode 22 is formed by vapor deposition. After that, the mask is removed. As the vapor deposition, an electron beam vapor deposition method, a sputtering method, or the like can be employed, and the same applies to the second vapor deposition step and the third vapor deposition step. The first intermediate body 11 shown in FIG. 4 is obtained by the first vapor deposition step.

次いで、絶縁部形成工程が行われる。図５は、絶縁部形成工程後に得られる第２中間体１２の断面図である。絶縁部形成工程においては、例えば化学気相成長（ＣＶＤ：ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの周知の技術を用いて、第１中間体１１の表面のうちバッファ層２１２の上面から上側の面が、二酸化ケイ素又はアルミナ等の無機材料からなる薄膜にて覆われる。そして、形成された無機材料からなる薄膜のうち、第２コンタクト電極２３が配される部位、及び第１コンタクト電極２２の表面に形成された部位が除去されることで絶縁部２４が形成され、図５に示す第２中間体１２が得られる。 Next, an insulating part forming step is performed. FIG. 5 is a cross-sectional view of the second intermediate body 12 obtained after the insulating portion forming step. In the insulating part forming step, using a well-known technique such as chemical vapor deposition (CVD), the surface of the first intermediate 11 above the upper surface of the buffer layer 212 is coated with carbon dioxide. Covered with a thin film made of inorganic material such as silicon or alumina. Then, of the formed thin film made of an inorganic material, a portion where the second contact electrode 23 is disposed and a portion formed on the surface of the first contact electrode 22 are removed, thereby forming an insulating portion 24, A second intermediate 12 shown in FIG. 5 is obtained.

次いで、第２蒸着工程が行われる。図６は、第２蒸着工程後に得られる素子本体２の断面図である。第２蒸着工程においては、蒸着により、第２コンタクト電極２３と反射部２５とが同時に形成される。例えば、第２蒸着工程においては、第２中間体１２の、第２コンタクト電極２３及び反射部２５が形成される箇所以外がマスクで覆われ、蒸着により第２コンタクト電極２３及び反射部２５が同時形成され、その後マスクが除去される。このように、第２コンタクト電極２３と反射部２５とは、フォトリソグラフィ技術によって同時に形成され、第２コンタクト電極２３と反射部２５との厚みが互いに同じになる。第２蒸着工程により、図６に示す素子本体２が得られる。 Next, a second deposition process is performed. FIG. 6 is a cross-sectional view of the element body 2 obtained after the second vapor deposition step. In the second vapor deposition step, the second contact electrode 23 and the reflective portion 25 are simultaneously formed by vapor deposition. For example, in the second vapor deposition step, parts of the second intermediate body 12 other than where the second contact electrode 23 and the reflective part 25 are formed are covered with a mask, and the second contact electrode 23 and the reflective part 25 are simultaneously formed by vapor deposition. is formed and then the mask is removed. In this way, the second contact electrode 23 and the reflective part 25 are formed simultaneously by photolithography, and the thicknesses of the second contact electrode 23 and the reflective part 25 are the same. Through the second vapor deposition step, the element body 2 shown in FIG. 6 is obtained.

次いで、有機被覆部形成工程が行われる。図７は、有機被覆部形成工程において、素子本体２に液状の有機高分子材料３０が塗布された状態を示す断面図である。図８は、有機被覆部形成工程後に得られる第３中間体１３を示す断面図である。有機被覆部形成工程においては、図７に示すごとく、有機被覆部の原料となる液状の有機高分子材料３０が、素子本体２の上に塗布される。塗布方法は、スプレーコート、スピンコートなど、種々の方法を採用することが可能である。有機高分子材料３０の塗布の際は、第２コンタクト電極２３の上面２３３が、有機高分子材料３０から上側に露出される。なお、有機高分子材料３０を塗布した直後の状態において、第２コンタクト電極２３の上面２３３が有機高分子材料３０に覆われていてもよいが、この場合は、第２コンタクト電極２３の上側に形成された有機高分子材料３０を後に除去される。 Next, an organic coating portion forming step is performed. FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state in which a liquid organic polymer material 30 is applied to the element body 2 in the organic coating portion forming step. FIG. 8 is a cross-sectional view showing the third intermediate 13 obtained after the organic coating portion forming step. In the organic coating forming step, as shown in FIG. 7, a liquid organic polymeric material 30, which is a raw material for the organic coating, is applied onto the element body 2. Various coating methods can be used, such as spray coating and spin coating. When applying the organic polymer material 30, the upper surface 233 of the second contact electrode 23 is exposed upward from the organic polymer material 30. Note that the upper surface 233 of the second contact electrode 23 may be covered with the organic polymer material 30 immediately after the organic polymer material 30 is applied, but in this case, the upper surface 233 of the second contact electrode 23 The formed organic polymer material 30 is later removed.

有機高分子材料３０の塗布後、有機高分子材料３０に露光及び現像が行われ、図８に示すごとく所定形状の有機被覆部３が形成される。このとき、有機高分子材料３０から、外周部と、コンタクトホール３４となる部位とが除去される。有機高分子材料３０がネガ型のフォトレジストである場合は、有機高分子材料３０の除去される箇所以外の箇所を上側から露光し、現像する。これにより、有機高分子材料３０における露光された箇所が現像後に残り、有機被覆部３となる。露光時の光の拡散により、現像後のコンタクトホール３４は、下側程内径が小さくなるよう形成される。また、有機高分子材料３０がポジ型のフォトレジストである場合は、有機高分子材料３０の除去される箇所を上側から露光し、現像する。これにより、有機高分子材料３０における露光された箇所以外の箇所が現像後に残り、有機被覆部３となる。露光時、有機高分子材料３０におけるコンタクトホール３４となる部位は、上側の部位ほど強く光が当たるため、現像後のコンタクトホール３４は、下側程内径が小さくなるよう形成される。有機被覆部形成工程によって、図８に示す第３中間体１３が得られる。 After applying the organic polymer material 30, the organic polymer material 30 is exposed to light and developed to form an organic coating 3 having a predetermined shape as shown in FIG. At this time, the outer peripheral portion and the portion that will become the contact hole 34 are removed from the organic polymer material 30. When the organic polymer material 30 is a negative photoresist, the portions of the organic polymer material 30 other than the portions to be removed are exposed from above and developed. As a result, the exposed portion of the organic polymer material 30 remains after development and becomes the organic coating portion 3. Due to the diffusion of light during exposure, the contact hole 34 after development is formed so that the inner diameter becomes smaller toward the bottom. Further, when the organic polymer material 30 is a positive photoresist, the portion of the organic polymer material 30 to be removed is exposed from above and developed. As a result, portions of the organic polymer material 30 other than the exposed portions remain after development and become the organic coating portions 3. During exposure, the upper portion of the organic polymer material 30 that will become the contact hole 34 is more strongly exposed to light, so the contact hole 34 after development is formed so that the inner diameter becomes smaller toward the lower portion. The third intermediate 13 shown in FIG. 8 is obtained by the organic coating portion forming step.

次いで、無機被覆部形成工程が行われる。図９は、無機被覆部形成工程の途中段階の状態を示す断面図である。図１０は、無機被覆部形成工程後の第４中間体１４の断面図である。図９に示すごとく、無機被覆部形成工程においては、例えば、化学気相成長法等の周知の技術を用いて、第３中間体１３を上側から覆うよう無機被覆部４が形成される。無機被覆部４は、一旦、コンタクトホール３４内にも形成される。 Next, an inorganic covering portion forming step is performed. FIG. 9 is a cross-sectional view showing an intermediate stage of the inorganic coating forming step. FIG. 10 is a cross-sectional view of the fourth intermediate body 14 after the inorganic coating portion forming step. As shown in FIG. 9, in the inorganic coating forming step, the inorganic coating 4 is formed to cover the third intermediate 13 from above using a well-known technique such as chemical vapor deposition. The inorganic covering portion 4 is also once formed inside the contact hole 34 .

そして、図１０に示すごとく、無機被覆部４におけるコンタクトホール３４内の部位が除去され、第１パッド電極の第１埋設部（図２の符号５２参照）が形成される部位が除去されて第１開口部４１が形成される。また、無機被覆部４における第２パッド電極の第２埋設部（図２の符号６１参照）が形成される部位が除去されて第２開口部４２が形成される。無機被覆部４における第１開口部４１及び第２開口部４２の形成は、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて実現可能である。無機被覆部形成工程にて、図１０に示す第４中間体１４が得られる。 Then, as shown in FIG. 10, a portion of the inorganic covering portion 4 inside the contact hole 34 is removed, a portion where the first buried portion of the first pad electrode (see reference numeral 52 in FIG. 2) is to be formed is removed, and a portion of the inorganic covering portion 4 is removed. 1 opening 41 is formed. Further, a portion of the inorganic covering portion 4 where the second buried portion (see reference numeral 61 in FIG. 2) of the second pad electrode is formed is removed to form the second opening portion 42. Formation of the first opening 41 and the second opening 42 in the inorganic covering portion 4 can be realized using, for example, photolithography technology. In the inorganic coating portion forming step, a fourth intermediate 14 shown in FIG. 10 is obtained.

次いで、第３蒸着工程が行われる。第３蒸着工程においては、図示は省略するが、無機被覆部４の上面における、第１パッド電極５及び第２パッド電極６を形成する箇所以外の箇所にマスクを形成し、蒸着により、第１パッド電極５及び第２パッド電極６を形成する。第１パッド電極５及び第２パッド電極６の形成後、マスクが除去される。
以上のように、本形態の発光素子１を製造することができる。 Next, a third vapor deposition process is performed. In the third vapor deposition step, although not shown, a mask is formed on the upper surface of the inorganic coating section 4 at locations other than the locations where the first pad electrode 5 and the second pad electrode 6 are to be formed, and the first A pad electrode 5 and a second pad electrode 6 are formed. After forming the first pad electrode 5 and the second pad electrode 6, the mask is removed.
As described above, the light emitting device 1 of this embodiment can be manufactured.

（実施の形態の作用及び効果）
本形態の発光素子１は、素子本体２と、素子本体２の表面を平坦化する有機被覆部３と、有機被覆部３を覆う無機被覆部４とを備える。これにより、有機被覆部３及び無機被覆部４にクラックが生じ難い。すなわち、有機材料からなる有機被覆部３は、比較的クラックが生じ難く、また、無機被覆部４は、表面が平坦な有機被覆部３を覆っているため、有機被覆部３及び無機被覆部４にクラックが生じ難い。これらにクラックが生じると、クラックを通って水分が素子本体２に到達し、素子本体２を劣化させるおそれがあるが、本形態によれば素子本体２の劣化を抑制することができる。 (Actions and effects of embodiments)
The light emitting device 1 of this embodiment includes a device body 2, an organic coating portion 3 that flattens the surface of the device body 2, and an inorganic coating portion 4 that covers the organic coating portion 3. This makes it difficult for cracks to occur in the organic coating portion 3 and the inorganic coating portion 4. That is, the organic covering part 3 made of an organic material is relatively hard to crack, and since the inorganic covering part 4 covers the organic covering part 3 with a flat surface, the organic covering part 3 and the inorganic covering part 4 Cracks are less likely to occur. If cracks occur in these, moisture may reach the element body 2 through the cracks and cause the element body 2 to deteriorate, but according to this embodiment, deterioration of the element body 2 can be suppressed.

さらに、素子本体２は、積層構造体２１と有機被覆部３との間に、発光層２１４から発される光を反射する反射部２５を有する。それゆえ、発光層２１４から発される光が有機被覆部３にて吸収されることを抑制できる結果、発光素子１の発光出力が向上する。 Furthermore, the element main body 2 has a reflective part 25 between the laminated structure 21 and the organic coating part 3, which reflects the light emitted from the light emitting layer 214. Therefore, the light emitted from the light emitting layer 214 can be suppressed from being absorbed by the organic covering portion 3, and as a result, the light emitting output of the light emitting element 1 is improved.

また、反射部２５は、導体であり、かつ、第１コンタクト電極２２及び第２コンタクト電極２３から離れるよう形成されており、素子本体２は、反射部２５と積層構造体２１との間に、無機材料からなる絶縁部２４を有する。それゆえ、発光素子１を発光させるべく発光素子１に電圧を印加した際、反射部２５に電流が流れることを抑制できる結果、発光素子１の発光出力の低下を抑制できる。 Further, the reflecting part 25 is a conductor and is formed to be separated from the first contact electrode 22 and the second contact electrode 23, and the element body 2 has a space between the reflecting part 25 and the laminated structure 21. It has an insulating part 24 made of an inorganic material. Therefore, when a voltage is applied to the light emitting element 1 to cause the light emitting element 1 to emit light, it is possible to suppress the flow of current to the reflecting portion 25, and as a result, a decrease in the light emission output of the light emitting element 1 can be suppressed.

また、上下方向Ｚから見たときにおいて、反射部２５と第１コンタクト電極２２との最短距離をＬ１、反射部２５と第２コンタクト電極２３との最短距離をＬ２、第１コンタクト電極２２と第２コンタクト電極２３との最短距離をＬ３としたとき、Ｌ１及びＬ２のそれぞれは、０．０５×Ｌ３以上０．４５×Ｌ３以下を満たす。Ｌ１及びＬ２のそれぞれが０．０５×Ｌ３以上を満たすことにより、反射部２５と第１コンタクト電極２２及び第２コンタクト電極２３との間が導通することを抑制しやすい。また、Ｌ１及びＬ２のそれぞれが０．４５×Ｌ３以下を満たすことで、反射部２５と第１コンタクト電極２２及び第２コンタクト電極２３との間から有機被覆部３へ漏れる光の量を抑制しやすい。 Also, when viewed from the vertical direction Z, the shortest distance between the reflective section 25 and the first contact electrode 22 is L1, the shortest distance between the reflective section 25 and the second contact electrode 23 is L2, and the shortest distance between the first contact electrode 22 and the first contact electrode 22 is L1. When the shortest distance to the two contact electrodes 23 is L3, each of L1 and L2 satisfies a range of 0.05×L3 or more and 0.45×L3 or less. By each of L1 and L2 satisfying 0.05×L3 or more, conduction between the reflective portion 25 and the first contact electrode 22 and the second contact electrode 23 can be easily suppressed. Furthermore, by satisfying each of L1 and L2 to be 0.45×L3 or less, the amount of light leaking from between the reflective portion 25 and the first contact electrode 22 and the second contact electrode 23 to the organic coating portion 3 can be suppressed. Cheap.

また、反射部２５は、第１コンタクト電極２２及び第２コンタクト電極２３の少なくとも一方と同じ材料からなる。それゆえ、反射部２５を形成するために、第１コンタクト電極２２及び第２コンタクト電極２３の材料以外の材料を新たに準備する必要がない。 Further, the reflective portion 25 is made of the same material as at least one of the first contact electrode 22 and the second contact electrode 23. Therefore, in order to form the reflective part 25, there is no need to newly prepare materials other than the materials of the first contact electrode 22 and the second contact electrode 23.

また、反射部２５は、有機被覆部３及び無機被覆部４の双方と積層構造体２１との間に形成されている。それゆえ、反射部２５が広い範囲に形成され、発光層２１４から発された光が有機被覆部３に漏れることを一層抑制することができる。 Further, the reflective section 25 is formed between both the organic coating section 3 and the inorganic coating section 4 and the laminated structure 21 . Therefore, the reflective portion 25 is formed over a wide range, and leakage of light emitted from the light emitting layer 214 to the organic coating portion 3 can be further suppressed.

また、積層構造体２１のうち、少なくとも発光層２１４及び第２半導体層２１５は、メサ構造となるよう形成されており、反射部２５は、発光層２１４の側面２１４ａ及び第２半導体層２１５の側面２１５ａに沿った傾斜部２５１を有する。それゆえ、素子本体２内を上側に向かう光は、傾斜部２５１にて反射されて下側に向かいやすくなり、発光層２１４から下側から取り出される光を増やすことができる。 Further, in the laminated structure 21, at least the light emitting layer 214 and the second semiconductor layer 215 are formed to have a mesa structure, and the reflective part 25 is formed on a side surface 214a of the light emitting layer 214 and a side surface of the second semiconductor layer 215. It has an inclined portion 251 along 215a. Therefore, light traveling upward in the element main body 2 is more likely to be reflected by the inclined portion 251 and directed downward, making it possible to increase the amount of light extracted from the light emitting layer 214 from below.

また、発光層２１４は、紫外光を発する。このような場合、発光層２１４が発する紫外光が有機被覆部３に到達すると、紫外光が有機被覆部３に吸収されるとともに有機被覆部３が劣化する。本形態においては、反射部２５を備えるため、有機被覆部３へ紫外光が到達することを抑制できる結果、有機被覆部３による紫外光の吸収を抑制できるとともに、有機被覆部３の劣化を抑制できる。 Further, the light emitting layer 214 emits ultraviolet light. In such a case, when the ultraviolet light emitted by the light-emitting layer 214 reaches the organic coating part 3, the ultraviolet light is absorbed by the organic coating part 3 and the organic coating part 3 deteriorates. In this embodiment, since the reflective section 25 is provided, it is possible to suppress ultraviolet light from reaching the organic coating section 3, thereby suppressing absorption of ultraviolet light by the organic coating section 3 and suppressing deterioration of the organic coating section 3. can.

また、本形態の発光素子１の製造方法において、反射部２５は、第１コンタクト電極２２及び第２コンタクト電極２３の少なくとも一方と同時に蒸着により形成される。それゆえ、発光素子１の生産性を向上させることができる。 Furthermore, in the method for manufacturing the light emitting device 1 of this embodiment, the reflective portion 25 is formed by vapor deposition at the same time as at least one of the first contact electrode 22 and the second contact electrode 23. Therefore, productivity of the light emitting device 1 can be improved.

以上のごとく、本形態によれば、素子本体の劣化を抑制するとともに発光出力の低下を抑制することが可能な発光素子及び発光素子の製造方法を提供することができる。 As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide a light emitting element and a method for manufacturing the light emitting element, which can suppress deterioration of the element body and suppress a decrease in light emission output.

（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。 (Summary of embodiments)
Next, technical ideas understood from the embodiments described above will be described using reference numerals and the like in the embodiments. However, each reference numeral in the following description does not limit the constituent elements in the claims to those specifically shown in the embodiments.

［１］本発明の第１の実施態様は、第１導電型の第１半導体層（２１３）、前記第１半導体層（２１３）上に形成された発光層（２１４）、及び前記発光層（２１４）上に形成されるとともに前記第１導電型とは反対の第２導電型の第２半導体層（２１５）を有する積層構造体（２１）を備える発光素子本体（２）と、前記発光素子本体（２）の表面を平坦化する、有機材料からなる有機被覆部（３）と、前記有機被覆部（３）を覆う、無機材料からなる無機被覆部（４）と、を備え、前記発光素子本体（２）は、前記積層構造体（２１）と前記有機被覆部（３）との間に、前記発光層（２１４）から発される光を反射する反射部（２５）を有する発光素子（１）である。
これにより、発光素子本体の劣化を抑制するとともに発光素子の発光出力の低下を抑制することができる。 [1] The first embodiment of the present invention includes a first semiconductor layer (213) of a first conductivity type, a light emitting layer (214) formed on the first semiconductor layer (213), and a light emitting layer (214) formed on the first semiconductor layer (213). 214) a light emitting element main body (2) comprising a laminated structure (21) formed thereon and having a second semiconductor layer (215) of a second conductivity type opposite to the first conductivity type, and the light emitting element body (2); an organic coating section (3) made of an organic material that flattens the surface of the main body (2); and an inorganic coating section (4) made of an inorganic material that covers the organic coating section (3); The element body (2) is a light emitting element having a reflective part (25) between the laminated structure (21) and the organic covering part (3) to reflect light emitted from the light emitting layer (214). (1).
Thereby, it is possible to suppress deterioration of the light emitting element body and to suppress a decrease in the light emission output of the light emitting element.

［２］本発明の第２の実施態様は、第１の実施態様において、前記発光素子本体（２）が、前記第１半導体層（２１３）上に接続された第１コンタクト電極（２２）と、前記第２半導体層（２１５）上に接続された第２コンタクト電極（２３）と、を有し、前記反射部（２５）が、導体であり、かつ、前記第１コンタクト電極（２２）及び前記第２コンタクト電極（２３）から離れて形成されており、前記発光素子本体（２）が、前記反射部（２５）と前記積層構造体（２１）との間に、無機材料からなる絶縁部（２４）を有するであることである。
これにより、発光素子の発光出力の低下を抑制することができる。 [2] In a second embodiment of the present invention, in the first embodiment, the light emitting element body (2) has a first contact electrode (22) connected to the first semiconductor layer (213). , a second contact electrode (23) connected on the second semiconductor layer (215), and the reflective part (25) is a conductor, and the first contact electrode (22) and The light emitting element body (2) is formed apart from the second contact electrode (23), and the light emitting element body (2) has an insulating part made of an inorganic material between the reflective part (25) and the laminated structure (21). (24).
Thereby, it is possible to suppress a decrease in the light emission output of the light emitting element.

［３］本発明の第３の実施態様は、第２の実施態様において、前記第１半導体層（２１３）、前記発光層（２１４）、及び前記第２半導体層（２１５）の積層方向（Ｚ）から見たときにおいて、前記反射部（２５）と前記第１コンタクト電極（２２）との最短距離をＬ１、前記反射部（２５）と前記第２コンタクト電極（２３）との最短距離をＬ２、前記第１コンタクト電極（２２）と前記第２コンタクト電極（２３）との最短距離をＬ３としたとき、前記Ｌ１及び前記Ｌ２のそれぞれが、０．０５×Ｌ３以上０．４５×Ｌ３以下を満たすことである。
これにより、反射部と、第１コンタクト電極及び第２コンタクト電極との間が導通することを抑制するとともに、発光層から発された光が有機被覆部へ漏れることを抑制することができる。 [3] A third embodiment of the present invention is a stacking direction (Z) of the first semiconductor layer (213), the light emitting layer (214), and the second semiconductor layer (215) in the second embodiment. ), the shortest distance between the reflective part (25) and the first contact electrode (22) is L1, and the shortest distance between the reflective part (25) and the second contact electrode (23) is L2. , when the shortest distance between the first contact electrode (22) and the second contact electrode (23) is L3, each of L1 and L2 is greater than or equal to 0.05×L3 and less than or equal to 0.45×L3. It is about fulfilling.
Thereby, it is possible to suppress conduction between the reflective part and the first contact electrode and the second contact electrode, and to suppress leakage of light emitted from the light emitting layer to the organic coating part.

［４］本発明の第４の実施態様は、第１乃至第３のいずれか１つの実施態様において、前記発光素子本体（２）が、前記第１半導体層（２１３）上に接続された第１コンタクト電極（２２）と、前記第２半導体層（２１５）上に接続された第２コンタクト電極（２３）と、を有し、前記反射部（２５）が、前記第１コンタクト電極（２２）及び第２コンタクト電極（２３）の少なくとも一方と同じ材料からなることである。
これにより、反射部を形成するために、第１コンタクト電極及び第２コンタクト電極の材料以外の材料を新たに準備する必要がない。 [4] In a fourth embodiment of the present invention, in any one of the first to third embodiments, the light emitting element main body (2) is connected to the first semiconductor layer (213). 1 contact electrode (22), and a second contact electrode (23) connected on the second semiconductor layer (215), and the reflective part (25) is connected to the first contact electrode (22). and the second contact electrode (23).
This eliminates the need to newly prepare materials other than the materials for the first contact electrode and the second contact electrode in order to form the reflective portion.

［５］本発明の第５の実施態様は、第１乃至第４のいずれか１つの実施態様において、前記反射部（２５）が、前記有機被覆部（３）及び前記無機被覆部（４）の双方と前記積層構造体（２１）との間に形成されていることである。
これにより、反射部が広い範囲に形成され、発光層から発された光が有機被覆部に漏れることを一層抑制することができる。 [5] In a fifth embodiment of the present invention, in any one of the first to fourth embodiments, the reflective portion (25) is configured to include the organic coating portion (3) and the inorganic coating portion (4). and the laminated structure (21).
Thereby, the reflective portion is formed over a wide range, and leakage of light emitted from the light emitting layer to the organic coating portion can be further suppressed.

［６］本発明の第６の実施態様は、第１乃至第５のいずれか１つの実施態様において、前記積層構造体（２１）のうち、少なくとも前記発光層（２１４）及び前記第２半導体層（２１５）が、メサ構造となるよう形成されており、前記反射部（２５）が、前記発光層（２１４）の側面（２１４ａ）及び第２半導体層（２１５）の側面（２１５ａ）に沿った傾斜部（２５１）を有することである。
これにより、発光素子本体内の光は、傾斜部にて反射されることで、特定の一方向に集光されやすくなる。 [6] In a sixth embodiment of the present invention, in any one of the first to fifth embodiments, at least the light emitting layer (214) and the second semiconductor layer of the laminated structure (21) are provided. (215) is formed to have a mesa structure, and the reflective portion (25) extends along the side surface (214a) of the light emitting layer (214) and the side surface (215a) of the second semiconductor layer (215). It has an inclined part (251).
Thereby, the light inside the light emitting element main body is reflected by the inclined portion, so that the light is easily focused in one specific direction.

［７］本発明の第７の実施態様は、第１乃至第６のいずれか１つの実施態様において、前記発光層（２１４）が、紫外光を発することである。
これにより、有機被覆部による紫外光の吸収を抑制できるとともに、有機被覆部の劣化を抑制できる。 [7] A seventh embodiment of the present invention is that in any one of the first to sixth embodiments, the light emitting layer (214) emits ultraviolet light.
Thereby, absorption of ultraviolet light by the organic coating portion can be suppressed, and deterioration of the organic coating portion can be suppressed.

［８］本発明の第８の実施態様は、第１導電型の第１半導体層（２１３）、前記第１半導体層（２１３）上に位置する発光層（２１４）、及び前記発光層（２１４）上に位置するとともに前記第１導電型とは反対の第２導電型の第２半導体層（２１５）を有する積層構造体（２１）を製造する工程と、前記積層構造体（２１）の表面に沿って反射部（２５）を形成する工程と、前記積層構造体（２１）及び前記反射部（２５）を、有機材料からなる有機被覆部（３）にて覆って平坦化する工程と、前記有機被覆部（３）を、無機材料からなる無機被覆部（４）にて覆う工程と、を有する発光素子（１）の製造方法である。
これにより、発光素子本体が劣化し難く、かつ、発光出力を向上させやすい発光素子を製造することが可能となる。 [8] The eighth embodiment of the present invention includes a first semiconductor layer (213) of a first conductivity type, a light emitting layer (214) located on the first semiconductor layer (213), and a light emitting layer (214). ) and having a second semiconductor layer (215) of a second conductivity type opposite to the first conductivity type; a step of forming a reflective part (25) along the layered structure (21) and a step of planarizing the layered structure (21) and the reflective part (25) by covering them with an organic covering part (3) made of an organic material; A method for manufacturing a light emitting element (1), comprising the step of covering the organic covering part (3) with an inorganic covering part (4) made of an inorganic material.
This makes it possible to manufacture a light-emitting element whose main body is less likely to deteriorate and whose light-emitting output is easier to improve.

［９］本発明の第９の実施態様は、第８の実施態様において、前記第１半導体層（２１３）の表面に第１コンタクト電極（２２）を蒸着により形成し、前記第２半導体層（２１５）の表面に第２コンタクト電極（２３）を蒸着により形成する工程をさらに備え、前記反射部（２５）が、前記第１コンタクト電極（２２）及び前記第２コンタクト電極（２３）の少なくとも一方と同時に蒸着により形成されることである。
これにより、発光素子の生産性を向上させることができる。 [9] In a ninth embodiment of the present invention, in the eighth embodiment, a first contact electrode (22) is formed on the surface of the first semiconductor layer (213) by vapor deposition, and a first contact electrode (22) is formed on the surface of the second semiconductor layer (213) by vapor deposition. further comprising the step of forming a second contact electrode (23) on the surface of the first contact electrode (215) by vapor deposition, wherein the reflective part (25) is connected to at least one of the first contact electrode (22) and the second contact electrode (23). At the same time, it is formed by vapor deposition.
Thereby, productivity of light emitting elements can be improved.

（付記）
以上、本発明の実施の形態を説明したが、前述した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。また、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。 (Additional note)
Although the embodiments of the present invention have been described above, the embodiments described above do not limit the invention according to the claims. Furthermore, it should be noted that not all combinations of features described in the embodiments are essential for solving the problems of the invention. Moreover, the present invention can be implemented with appropriate modifications within a range that does not depart from the spirit thereof.

１…発光素子
２…発光素子本体
２１…積層構造体
２１３…第１半導体層
２１４…発光層
２１４ａ…側面
２１５…第２半導体層
２１５ａ…側面
２２…第１コンタクト電極
２３…第２コンタクト電極
２４…絶縁部
２５…反射部
２５１…傾斜部
３…有機被覆部
４…無機被覆部
Ｚ…積層方向 1... Light emitting element 2... Light emitting element body 21... Laminated structure 213... First semiconductor layer 214... Light emitting layer 214a... Side surface 215... Second semiconductor layer 215a... Side surface 22... First contact electrode 23... Second contact electrode 24... Insulating section 25...Reflecting section 251...Slope section 3...Organic coating section 4...Inorganic coating section Z...Lamination direction

Claims

a first semiconductor layer of a first conductivity type; a light emitting layer formed on the first semiconductor layer; and a second semiconductor of a second conductivity type opposite to the first conductivity type formed on the light emitting layer. a light emitting element body including a laminated structure having layers;
an organic coating made of an organic material that flattens the surface of the light emitting element body;
an inorganic covering part made of an inorganic material that covers the organic covering part,
The light emitting element main body has a reflective part between the laminated structure and the organic covering part that reflects light emitted from the light emitting layer.

The light emitting element body has a first contact electrode connected on the first semiconductor layer, and a second contact electrode connected on the second semiconductor layer,
The reflective portion is a conductor and is formed apart from the first contact electrode and the second contact electrode,
The light emitting element main body has an insulating part made of an inorganic material between the reflective part and the laminated structure.
The light emitting device according to claim 1.

When viewed from the stacking direction of the first semiconductor layer, the light emitting layer, and the second semiconductor layer, L1 is the shortest distance between the reflective section and the first contact electrode, and L1 is the shortest distance between the reflective section and the second contact electrode. When the shortest distance between the first contact electrode and the second contact electrode is L2, and the shortest distance between the first contact electrode and the second contact electrode is L3, each of L1 and L2 is 0.05×L3 or more and 0.45×L3 or less. Fulfill,
The light emitting device according to claim 2.

The light emitting element body has a first contact electrode connected on the first semiconductor layer, and a second contact electrode connected on the second semiconductor layer,
The reflective portion is made of the same material as at least one of the first contact electrode and the second contact electrode.
The light emitting device according to any one of claims 1 to 3.

The reflective portion is formed between both the organic coating portion and the inorganic coating portion and the laminated structure.
The light emitting device according to any one of claims 1 to 4.

Of the laminated structure, at least the light emitting layer and the second semiconductor layer are formed to have a mesa structure,
The reflective portion has an inclined portion along a side surface of the light emitting layer and a side surface of the second semiconductor layer.
The light emitting device according to any one of claims 1 to 5.

The light emitting layer emits ultraviolet light.
The light emitting device according to any one of claims 1 to 6.

a first semiconductor layer of a first conductivity type, a light emitting layer located on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer of a second conductivity type located on the light emitting layer and opposite to the first conductivity type. A step of manufacturing a laminated structure having
forming a reflective portion along the surface of the laminated structure;
a step of covering and planarizing the laminated structure and the reflective section with an organic covering section made of an organic material;
covering the organic coating portion with an inorganic coating portion made of an inorganic material;
A method of manufacturing a light emitting element having the following.

further comprising forming a first contact electrode on the surface of the first semiconductor layer by vapor deposition, and forming a second contact electrode on the surface of the second semiconductor layer by vapor deposition,
The reflective portion is formed by vapor deposition simultaneously with at least one of the first contact electrode and the second contact electrode.
A method for manufacturing a light emitting device according to claim 8.