JP7354226B2 - 窒化ホウ素ナノチューブ構造体を含む組成物及び凝集体、並びに製造方法 - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
本出願は、全内容が参照により本明細書に援用される２０１８年３月２２日出願の米国特許出願公開第１５／９２８，９６９号の優先権を主張するものである。

本発明の主題の分野
本発明の主題は、理想化された窒化ホウ素ナノチューブに（少なくとも指定された程度で）対応する原子の配列の第一の領域を含む原子の配列を各々が含む新規で予見されない材料に関し、原子の配列は、少なくとも（第一の領域とは異なる）第二の領域も含み、そのような新規で予見されない材料は、特独の組み合わせの特性を有する。

本発明の主題の１つの態様では、したがって、本発明の主題は、独特の組み合わせの特性を有する新規で予見されない材料を提供する。
本発明の主題はまた、そのような新規で予見されない材料を含む新規な組成物及び凝集体も提供する。

本発明の主題はまた、窒化ホウ素ナノチューブを含み、新規な特徴を有する新規な組成物及び凝集体も提供する。
本発明の主題はまた、新規で予見されない材料、組成物、及び凝集体を製造する新規な方法も提供する。

窒化ホウ素ナノチューブは、ナノスケールの中空チューブであり、典型的な直径は、２～２０ナノメートルの範囲内、典型的な長さは数十ナノメートルから数十ミクロンの範囲内である。「窒化ホウ素ナノチューブ」（又は「複数の窒化ホウ素ナノチューブ」）の表現は、概略チューブ状である単層から成る構造体（すなわち、単層窒化ホウ素ナノチューブ）、さらには、各々が概略チューブ状で同心状である複数の層から成る構造体（すなわち、多層窒化ホウ素ナノチューブ）を包含する。

仮想上の理想化された窒化ホウ素ナノチューブは、１又は複数の層（すなわち、壁）から成り、各層はホウ素原子と窒素原子との概略チューブ状の配列から成り、ホウ素原子及び窒素原子は、ホウ素原子と窒素原子とが交互に並んでいる六角形の繰り返しパターンで配列されている。当業者に周知のように、理想化された窒化ホウ素ナノチューブは、ホウ素と窒素とが交互に六角形の繰り返しパターンで配列されているホウ素原子及び窒素原子の１つの層（又は複数の層）を取り、継ぎ目で交互のホウ素／窒素の六角形繰り返しパターンが合うように層の（又はそれぞれの層の）２つの辺が継ぎ目に沿って接し、接続するようにして層（又は複数の層）を湾曲させて、連続する交互の六角形パターン（すなわち、継ぎ目は識別できない）のホウ素原子及び窒素原子の１つの壁の（又は層の数に対応する数の壁の）中空円筒形状アレイを提供することから得られることになる構造体として、概念的に説明することができる。

窒化ホウ素ナノチューブは、多くの場合、その対応する化学的構造及びその対応する特性に関して、カーボンナノチューブと比較される。類似点が存在する一方で（例：非常に優れた機械的強度）、多くの相違点も存在することが知られており、（多くの相違点の中でも）窒化ホウ素ナノチューブが、電気絶縁性であること（一方、カーボンナノチューブは、電気伝導性である）、及び窒化ホウ素ナノチューブが、非常により高い温度まで安定であること、が挙げられる。

窒化ホウ素ナノチューブの多くの際立って好ましい特性としては、とりわけ、強度対質量比（高強度／低密度）、靭性、剛性、熱伝導性、難燃性、耐腐食性、中性子線吸収／保護、耐摩擦及び摩耗性、耐酸化性、疎水性、水素貯蔵量、ナノ粒子キャリア効果（nanoparticle carrier effectiveness）などの特性が挙げられる。

当業者に周知である欠陥窒化ホウ素ナノチューブの形態がいくつか存在し、例えば、ディキシーカップ欠陥（dixie cup defects）及びバンブー欠陥（bamboo defects）である。

上記で述べたように、本発明の主題は、１つの態様において、理想化された窒化ホウ素ナノチューブに（少なくとも指定された程度で）対応する原子の配列の第一の領域を含む原子の配列を各々が含む新規で予見されない材料（エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体と本明細書で定義される）を提供し、原子の配列は、少なくとも（第一の領域とは異なる）第二の領域も含み、そのような新規で予見されない材料は、特独の組み合わせの特性を有する。

本発明の主題の第一の態様によると、少なくとも第一のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体（本明細書で定義される通り）を含む組成物が提供され、第一のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体は、少なくとも第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体（やはり本明細書で定義される通り）及び少なくとも第一の六方晶窒化ホウ素構造体（やはり本明細書で定義される通り）を含み、第一の六方晶窒化ホウ素構造体は、第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体（やはり本明細書で定義される通り）に対してエピタキシャルである。

本発明の主題の第二の態様によると、少なくとも第一のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体（本明細書で定義される通り）を含む一体構造体を含む凝集体が提供され、第一のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体は、少なくとも第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体（やはり本明細書で定義される通り）及び少なくとも第一の六方晶窒化ホウ素構造体（やはり本明細書で定義される通り）を含み、第一の六方晶窒化ホウ素構造体は、窒化ホウ素ナノチューブ構造体（やはり本明細書で定義される通り）に対してエピタキシャルであり、一体構造体は、少なくとも１００ｎｍの第一の寸法及び少なくとも１００ｎｍの第二の寸法を有し、第二の寸法は、第一の寸法に対して直角である。

本発明の主題はまた、本明細書で定義される通りのエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体を含む他の新規な組成物及び凝集体も提供する。
本発明の主題によって提供される新規で予見されないエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体（本明細書で定義される通り）は、マトリックス材料に対する非常に優れた接着性（マトリックス材料からの除去に対する高められた物理的／機械的抵抗性）を例とする改善された特性を呈し、金属が結晶化するための非常に優れたナノ核形成部位を提供し（例：窒化ホウ素ナノチューブ構造体が分解する温度よりも低い融点を有するアルミニウム、マグネシウム、チタンなどの１又は複数の金属をキャストする場合）、及び極めて高い温度に曝された後であっても、好ましい特性を提供することができる。

本発明の主題はまた、独立した窒化ホウ素ナノチューブ（本明細書で定義される）を含み、新規な特徴を有する新規な組成物及び凝集体も提供する。
本発明の主題はまた、窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び／又は独立した窒化ホウ素ナノチューブを含む高純度の組成物及び凝集体にも関し、例えば、窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び／又は独立した窒化ホウ素ナノチューブを含み、残留するホウ素及び独立した六方晶窒化ホウ素（本明細書で定義される）の合計量が、特定の質量パーセント未満（又は以下）に制限されている、組成物及び凝集体である。

本発明の主題の第三の態様によると、複数の独立した窒化ホウ素ナノチューブ（本明細書で定義される）を含む組成物が提供され、［１］組成物中のすべての独立した六方晶窒化ホウ素（やはり本明細書で定義される）の全質量と［２］組成物中のすべての残留するホウ素（やはり本明細書で定義される）の全質量との合計が、組成物の質量の３５％以下を占める。

本発明の主題の第四の態様によると、複数の独立した窒化ホウ素ナノチューブ（本明細書で定義される）を含む一体構造体を含む凝集体が提供され、一体構造体は、少なくとも１００ｎｍの第一の寸法及び少なくとも１００ｎｍの第二の寸法を有し、第二の寸法は、第一の寸法に対して直角であり、［１］一体構造体中の独立した六方晶窒化ホウ素（やはり本明細書で定義される）の全質量と［２］一体構造体中のすべての残留するホウ素（やはり本明細書で定義される）の全質量との合計が、一体構造体の質量の３５％以下を占める。

本発明の主題はまた、窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び／又は独立した窒化ホウ素ナノチューブを含む高品質の組成物並びに凝集体にも関し、例えば、窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び／又は独立した窒化ホウ素ナノチューブを含み、ディキシーカップ欠陥（以下で定義される）を有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び／又は独立した窒化ホウ素ナノチューブ、並びにバンブー欠陥（以下で定義される）を有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び／又は独立した窒化ホウ素ナノチューブの合計量が、特定のパーセント未満（又は以下）に制限されている、組成物並びに凝集体である。

本発明の主題の第五の態様によると、少なくとも５０ｎｍの長さを有する少なくとも１０個の独立した窒化ホウ素ナノチューブ（本明細書で定義される）を含む組成物が提供され：
［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体（やはり本明細書で定義される）との合計の中で、前記合計の１％以下が、ディキシーカップ欠陥（やはり本明細書で定義される）及びバンブー欠陥（やはり本明細書で定義される）の中から選択される少なくとも１つの欠陥を有する。

本発明の主題の第六の態様によると、複数の独立した窒化ホウ素ナノチューブ（本明細書で定義される）を含む一体構造体を含む凝集体が提供され、一体構造体は、少なくとも１００ｎｍの第一の寸法及び少なくとも１００ｎｍの第二の寸法を有し、第二の寸法は、第一の寸法に対して直角であり：
［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体（やはり本明細書で定義される）との合計の中で、前記合計の１％以下が、ディキシーカップ欠陥（やはり本明細書で定義される）及びバンブー欠陥（やはり本明細書で定義される）の中から選択される少なくとも１つの欠陥を有する。

本発明の主題はまた、窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び／又は独立した窒化ホウ素ナノチューブを含む組成物並びに凝集体にも関し、多層窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び／又は独立した窒化ホウ素ナノチューブの量に対する単層窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び／又は独立した窒化ホウ素ナノチューブの量は、特定のパーセント超（又は以上）である。

本発明の主題の第七の態様によると、少なくとも１０個の独立した窒化ホウ素ナノチューブ（本明細書で定義される）を含む組成物が提供され：
［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体（やはり本明細書で定義される）との合計の中で、前記合計の少なくとも５０％の各々が、単層（やはり本明細書で定義される）である。

本発明の主題の第八の態様によると、少なくとも１つの独立した窒化ホウ素ナノチューブ（本明細書で定義される）を含む一体構造体を含む凝集体が提供され、一体構造体は、少なくとも１００ｎｍの第一の寸法及び少なくとも１００ｎｍの第二の寸法を有し、第二の寸法は、第一の寸法に対して直角であり：
［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体（やはり本明細書で定義される）との合計の中で、前記合計の少なくとも５０％の各々が、単層（やはり本明細書で定義される）である。

本発明の主題はまた、新規で予見されない材料、組成物、及び凝集体を製造する新規な方法も提供する。
本発明の主題の第九の態様によると、組成物を製造する方法が提供され、その方法は：
チャンバーの第一の領域に、窒素ガスと水素ガスとの混合物を供給すること；
窒素ガスと水素ガスとの混合物の少なくとも一部分をプラズマに変換すること；
チャンバーの第二の領域に、少なくとも１つのホウ素含有材料と窒素ガスとの混合物を供給し、それによって、少なくとも１つのホウ素含有材料と窒素ガスとの混合物をプラズマと接触させて、反応混合物を形成すること；
混合物の少なくとも一部分を、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体に変換すること、
を含む。

本発明の主題は、添付の図面及び本発明の主題の以下の詳細な記述を参照することで、より充分に理解され得る。

図１は、本発明の主題の第一及び第二の態様に従う、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体、さらにはエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体を含む組成物及び／又は凝集体の製造に用いることができる装置１０の代表的な実施形態を模式的に示す図である。 図２は、図１の一部を拡大した図である。 図３は、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の図である。 図４は、例１の生成物の代表的な部分のＴＥＭ画像であり、窒化ホウ素ナノチューブ構造体の約３０％の各々は、エピタキシャル六方晶窒化ホウ素によって少なくとも３０％覆われていた。 図５は、例２の生成物の代表的な部分のＴＥＭ画像であり、窒化ホウ素ナノチューブ構造体の約９０％の各々は、エピタキシャル六方晶窒化ホウ素によって少なくとも３０％覆われていた。 図６は、例２の生成物の一部分のＴＥＭ画像であり、この画像は（とりわけ）、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体を示している。 図７は、例２の生成物の一部分のＴＥＭ画像であり、この画像は（とりわけ）、独立した六方晶窒化ホウ素及びエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体（そのうちの１つは、窒化ホウ素ナノチューブ構造体の塊を含んでいる）を示している。 図８は、例２の生成物の一部分のＴＥＭ画像であり、この画像は（とりわけ）、窒化ホウ素ナノチューブ構造体の塊及びエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体を示している。 図９は、例２の生成物の一部分のＴＥＭ画像であり、この画像は（とりわけ）、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体を示している。 図１０は、例２の生成物の一部分のＴＥＭ画像であり、この画像は（とりわけ）、残留するホウ素及びエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体を示している。 図１１は、例２の生成物の一部分のＴＥＭ画像であり、この画像は（とりわけ）、残留するホウ素及びエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体を示している。 図１２は、例２の生成物の一部分のＴＥＭ画像であり、この画像は（とりわけ）、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体を示している。 図１３は、独立した窒化ホウ素ナノチューブのＴＥＭ画像である。

特に断りのない限り、本明細書で用いられるすべての用語（技術用語及び科学用語を含む）は、本発明の主題が属する技術分野における当業者によって一般的に理解されるものと同じ意味を有する。一般的に用いられる辞書に定義されている用語などの用語は、該当する技術分野及び本開示の文脈におけるそれらの意味と一致する意味を有するものとして解釈されるべきであり、理想的な又は過剰に形式的な意味には、本明細書においてそのように明確に定義されていない限り、解釈されるものではないことはさらに理解される。

「第一の」、「第二の」などの用語が、本明細書において、様々な構造体、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体、窒化ホウ素ナノチューブ構造体、六方晶窒化ホウ素構造体、部材、パーセント、パーセントの範囲、寸法、領域、及び接続セクションに言及する場合に用いられるが、そのような構造体、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体、窒化ホウ素ナノチューブ構造体、六方晶窒化ホウ素構造体、部材、パーセント、パーセントの範囲、寸法、領域、接続セクションは、これらの数値用語によって限定されない。これらの数値用語は、単に、各々の構造体、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体、窒化ホウ素ナノチューブ構造体、六方晶窒化ホウ素構造体、部材、パーセント、パーセントの範囲、寸法、領域、又は接続セクションを個別に識別するために、及び／又は構造体、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体、窒化ホウ素ナノチューブ構造体、六方晶窒化ホウ素構造体、部材、パーセント、パーセントの範囲、寸法、領域、又は接続セクション同士を区別するために用いられる。

「各々」の表現は、複数の項目（又は「少なくとも１つの」項目など）における特徴（又は複数の特徴）と関連して、本明細書の多くの箇所で用いられ、複数の項目によって何らかの方法で提供されるが必ずしも個別の項目によって提供されるわけではない特徴とは対照的に、又は複数の項目に関する特徴の平均である特徴とは対照的に、その特徴（又は複数の特徴）が、指定された項目（又は個別の項目）の各々に存在することを示すためのものである。「各々」の表現のそのような使用は、様々な形態を取り、例えば：
「各々が原子の配列を含む材料…」、
「各々が概略チューブ状で同心状である複数の層」、
「１又は複数の層（すなわち、壁）、各層はホウ素原子と窒素原子との概略チューブ状の配列から成る」、
「前記合計の少なくとも５０％の各々は、単層である」、
「少なくとも１つの六方晶窒化ホウ素構造体の各々は、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである」、
「各エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体は、窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び少なくとも１つの六方晶窒化ホウ素構造体を含む」、
「各々が窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体」、
「含む構造体（又は各々が含む複数の構造体）」、
「窒化ホウ素ナノチューブ構造体の最外壁にある原子の少なくとも１０％の各々について、［１］窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体中にあり、［２］そのような原子の１０ナノメートル以内にある原子が存在する」、
「［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブの量と［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の量との合計の少なくとも１０％である量の窒化ホウ素ナノチューブ構造体の各々であって：
窒化ホウ素ナノチューブ構造体は、少なくとも５０ｎｍの長さを有し、窒化ホウ素ナノチューブ構造体の最外壁の合計で少なくとも１０％が、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている」、並びに
「前記合計の少なくとも一部の各々」、
である。

上記で述べたように、本発明の主題の第一の態様によると、少なくとも第一のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体を含む組成物が提供され、第一のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体は、少なくとも第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び少なくとも第一の六方晶窒化ホウ素構造体を含み、第一の六方晶窒化ホウ素構造体は、第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである。

「エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体」の表現は、本明細書で用いられる場合、本発明の主題によって提供される新規で予見されない構造体を意味し、すなわち、窒化ホウ素ナノチューブ構造体（以下で定義される）及び少なくとも１つの六方晶窒化ホウ素構造体（以下で定義される）を含み、少なくとも１つの六方晶窒化ホウ素構造体の各々が、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである、構造体を意味する。したがって、各エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体は、窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び少なくとも１つの六方晶窒化ホウ素構造体を含む。

当業者に周知であるように、「エピタキシャル」の表現は、結晶核形成及び結晶成長に関連して広く用いられる。
結晶は、３つすべての空間次元に広がる規則的な繰り返しパターン、結晶格子、に配列された原子、分子、又はイオンとして定義される。結晶成長は、より多くの原子、分子、又はイオンが結晶格子中のそれらの決められた位置に付加されるに従って、既存の結晶が大きくなるプロセスである。結晶成長の過程で、原子、分子、又はイオンは、非常に規則的な結晶が成長するために、正しい格子位置に収まる必要がある。原子、分子、又はイオンが理想的な結晶格子での位置とは異なる位置に収まった場合、欠陥が形成される。典型的には、結晶格子中の原子、分子、又はイオンは、所定の位置に保持され、すなわち、それらは、それ自体の位置から容易には移動することができず、したがって、分子又はイオンが、成長する格子中の所定の位置に一度収まると固定されるという意味で、結晶成長は、多くの場合不可逆的である。

結晶化は、典型的には、２つのプロセス、すなわち、結晶核形成及び結晶成長から成るものとして理解される。結晶核形成は、新しい結晶が形成される場合（すなわち、既存の結晶が存在しない場合であり、結晶成長は、原子、分子、又はイオンが、存在している結晶、すなわち核形成された（及び所望に応じて成長した結晶に付加される場合であり、すなわち、核形成された結晶への付加が、結晶成長と称され、核形成されて既にある程度成長した結晶への付加も、結晶成長と称される）。

エピタキシは、別の結晶上における特定の配向の結晶の核形成を意味し、配向は、下地の結晶によって決定される。第一の構造体（すなわち、六方晶窒化ホウ素構造体）が、第二の構造体（すなわち、窒化ホウ素ナノチューブ構造体）に対してエピタキシャルであるという本明細書における記述は、［１］第二の構造体中の原子及び［２］第二の構造体に最も近い第一の構造体中の原子が、第二の構造体に相当する理想化された構造体中の原子が互いに対して配列されるようにして、互いに対して配列されていることを、すなわち、それらが、第一の構造体上での第二の構造体の核形成及び核形成された第二の構造体上での第二の構造体の成長の結果である（又は結果となる）ようにして配列されていることを意味する。

したがって、「窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体」の表現（及び類似の表現、例えば、「窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体」、「少なくとも１つの六方晶窒化ホウ素構造体の各々は、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである」、「窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素」など）は、本明細書で用いられる場合、その様な各々の六方晶窒化ホウ素構造体において、［１］六方晶窒化ホウ素構造体中の原子及び［２］六方晶窒化ホウ素構造体に最も近い窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の原子が、理想化された六方晶窒化ホウ素構造体（以下で考察）中の原子が互いに対して配列されるようにして、互いに対して配列されていることを、すなわち、それらが、窒化ホウ素ナノチューブ構造体上での六方晶窒化ホウ素構造体の核形成及び核形成された六方晶窒化ホウ素構造体上での六方晶窒化ホウ素構造体の成長の結果である（又は結果となる）ようにして配列されていることを意味する。

六方晶窒化ホウ素は、極性の高いＢ－Ｎ結合によって強く結合されたホウ素原子と窒素原子とから成る二次元のハニカム格子の積層を特徴とする。六方晶窒化ホウ素の層は、全体として、ＡＡ’積層モードで積層しており、すなわち、１つの層中の部分正電荷を有するホウ素原子が、隣接する層の反対に帯電した窒素原子上に位置している。

「窒化ホウ素ナノチューブ構造体」の表現は、本明細書において、ホウ素原子と窒素原子とが、同じ長さ、径、及び壁数の理想化された窒化ホウ素ナノチューブ（上記で考察）に対して１０パーセント以下の欠陥率を有する原子配列で存在するエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の部分を意味するために用いられる。

「欠陥率」の表現は、本明細書で用いられる場合、理想化された構造体に対して不適切な位置に置かれた構造体中の原子のパーセントを意味し、すなわち、「理想化された窒化ホウ素ナノチューブに対して１０パーセント以下の欠陥率を有する原子配列」の表現は、本明細書で用いられる場合、（同じ長さ、径、及び壁数の）理想化された窒化ホウ素ナノチューブからの逸脱の割合が、１０パーセント以下である構造体を包含し、そのような逸脱は、理想化された窒化ホウ素ナノチューブ中のそれぞれの位置に対応していない位置にある実際の窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の原子の数を、理想化された窒化ホウ素ナノチューブ中の原子に対する位置の総数で除して（又は、理想化された窒化ホウ素ナノチューブ中の位置の総数に対する、理想化された窒化ホウ素ナノチューブ中のそれぞれの位置に対応している位置にある実際の窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の原子のパーセントを、１００パーセントから差し引いて）定量化される。単一の逸脱は、理想化された窒化ホウ素ナノチューブ中の単一の原子が、異なる原子によって置き換えられる場合、又は単一のシフトが発生する場合である。例えば、実際の窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の原子配列を、理想化された窒化ホウ素ナノチューブ中の原子配列と比較する場合、単一セットの逸脱は、実際の窒化ホウ素ナノチューブ構造体の周囲に延びる一連の原子（一原子分の幅）を包含し得るものであり、その一連の原子のそれぞれの両側にある原子（一連の原子は含まない）が理想化された窒化ホウ素ナノチューブ中の原子配列と比較される。

上記で述べたように、仮想上の理想化された窒化ホウ素ナノチューブは、１又は複数の層（すなわち、壁）から成り、各層はホウ素原子と窒素原子との概略チューブ状の配列から成り、ホウ素原子及び窒素原子は、ホウ素原子と窒素原子とが交互に並んでいる六角形の繰り返しパターンで配列されている。

「六方晶窒化ホウ素構造体」の表現は、本明細書で用いられる場合、ホウ素原子と窒素原子とが、同じ形状及び層数の理想化された六方晶窒化ホウ素構造体（以下で考察）に対して１０パーセント以下の欠陥率を有する原子配列で存在するエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の部分を意味する。

上記のように、「欠陥率」の表現は、本明細書で用いられる場合、理想化された構造体に対して不適切な位置に置かれた構造体中の原子のパーセントを意味する。この文脈において、すなわち、「同じ形状及び層数の理想化された六方晶窒化ホウ素構造体（以下で考察）に対して１０パーセント以下の欠陥率」の表現において、１０パーセント以下の欠陥率は、同じ形状及び層数の理想化された六方晶窒化ホウ素構造体からの逸脱の割合が、１０パーセント以下である構造体を包含し、そのような逸脱は、理想化された六方晶窒化ホウ素構造体中のそれぞれの位置に対応していない位置にある実際の原子配列中の原子の数を、理想化された六方晶窒化ホウ素構造体中の原子に対する位置の総数で除して（又は、理想化された六方晶窒化ホウ素構造体中の位置の総数に対する、理想化された六方晶窒化ホウ素構造体中のそれぞれの位置に対応している位置にある実際の原子配列中の原子のパーセントを、１００パーセントから差し引いて）定量化され、パーセントとして表される。単一の逸脱は、理想化された六方晶窒化ホウ素構造体中の単一の原子が、異なる原子によって置き換えられる場合、又は単一のシフトが発生する場合である。例えば、実際の材料中の原子配列を、理想化された六方晶窒化ホウ素構造体中の原子配列と比較する場合、単一セットの逸脱は、実際の材料にわたって延びる一連の原子（一原子分の幅）を包含し、その一連の原子のそれぞれの両側にある原子（一連の原子は含まない）が理想化された六方晶窒化ホウ素構造体中の原子配列と比較される。

「理想化された六方晶窒化ホウ素構造体」の表現は、本明細書で用いられる場合、１又は複数の層から成る仮想上の理想的な窒化ホウ素構造体を意味し、各層は、無欠陥の六方晶窒化ホウ素結晶に相当するホウ素原子及び窒素原子の配列から成る。当業者であれば公知であるように、六方晶窒化ホウ素結晶中のホウ素原子及び窒素原子は、ホウ素原子と窒素原子とが交互に並んでいる六角形の繰り返しパターンで配列されている。

「六方晶窒化ホウ素領域」の表現は、本明細書で用いられる場合、六方晶窒化ホウ素構造体の領域（例：一体的単体構造体の領域）を意味する。
「六方晶窒化ホウ素」の表現は、１又は複数の六方晶窒化ホウ素構造体を意味するために本明細書で用いられる。

「窒化ホウ素ナノチューブ構造体上に核形成されたホウ素原子及び窒素原子」の表現は、本明細書で用いられる場合、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体中のすべてのホウ素原子及び窒素原子の中から、窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の原子と接触しているホウ素原子及び窒素原子のみを、すなわち、窒化ホウ素ナノチューブ構造体上の六方晶窒化ホウ素の核形成の結果である（又は結果となる）ようにして配列されているホウ素原子及び窒素原子のみを意味する。例えば、六方晶窒化ホウ素が窒化ホウ素ナノチューブ構造体上で核形成され、成長する場合、「窒化ホウ素ナノチューブ構造体上で核形成されたホウ素原子及び窒素原子」の表現は、窒化ホウ素ナノチューブ構造体上で核形成されたホウ素原子及び窒素原子のみを意味し、核形成されたホウ素原子及び窒素原子上に続いて成長したホウ素原子及び窒素原子は意味しない。

したがって、「窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素」（上記で定義される）の表現は、「窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素」の表現が、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体全てにある原子の全てを意味する（窒化ホウ素ナノチューブ上に核形成されたホウ素原子及び窒素原子だけでなく）という点で、「窒化ホウ素ナノチューブ構造体上に核形成されたホウ素原子及び窒素原子」の表現とは異なる。

「独立した窒化ホウ素ナノチューブ」の表現は、本明細書において、［１］同じ長さ、径、及び壁数の理想化された窒化ホウ素ナノチューブ（上記で考察）に対して１０パーセント以下の欠陥率を有し、及び［２］それに対してエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体が存在しない（すなわち、理想化された窒化ホウ素ナノチューブに対して１０パーセント以下の欠陥率を有する原子配列の窒素原子及びホウ素原子に対してエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素が存在しない）原子配列のホウ素原子及び窒素原子を含む構造体を意味する。

「独立した六方晶窒化ホウ素」の表現は、本明細書において、［１］同じ形状及び層数の理想化された六方晶窒化ホウ素構造体（上記で考察）に対して１０パーセント以下の欠陥率を有し、及び［２］それに対してエピタキシャルである窒化ホウ素ナノチューブ構造体が存在しない（すなわち、理想化された六方晶窒化ホウ素構造体に対して１０パーセント以下の欠陥率を有する原子配列がエピタキシャルとなる窒化ホウ素ナノチューブが存在しない）原子配列のホウ素原子及び窒素原子を含む構造体（又は各々が含む複数の構造体）を意味する。

以下で考察されるように、本明細書で開示されるエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の特徴の１つは、六方晶窒化ホウ素構造体（窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである）が窒化ホウ素ナノチューブ構造体を（部分的に又は完全に）「覆っている」ことが、容易に知覚される（例：正常なヒトの視力によって）ことである。本明細書は、いずれの特定の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対しても、窒化ホウ素ナノチューブ構造体が六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている程度をパーセントとして定量することができる定義を含む。当業者が、特定のいずれかの構造体がそのような被覆に関連する本明細書における表現を満たすかどうかを容易に判断可能であるように、及び／又は特定のいずれかの組成物若しくは凝集体が、少なくとも特定のパーセントで各々が覆われている少なくとも特定のパーセントの窒化ホウ素ナノチューブ構造体に関連する表現を満たすかどうかを容易に判断可能であるように、そのような定量を確定的に（すなわち、極めて正確に）する目的で、本明細書は、そのような計算を充分に正確に行うための非常に詳細な定義を（以下に）含む。

「窒化ホウ素ナノチューブ構造体の最外壁の合計で少なくとも１０％が、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている」の表現は、本明細書で用いられる場合、窒化ホウ素ナノチューブ構造体の最外壁にある原子の少なくとも１０％の各々に対して、［１］窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体中にあり、［２］そのような原子の１０ナノメートル以内にある原子が存在することを意味する。

「最外壁」の表現は、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に関連して本明細書で用いられる場合、多層窒化ホウ素ナノチューブ構造体の最外壁（すなわち、窒化ホウ素ナノチューブ構造体の軸線から最も遠く、チューブ内の空間から最も遠くにある壁）、又は（単層窒化ホウ素ナノチューブ構造体の場合）単一の壁を意味する。

「最外壁」の表現は、独立した窒化ホウ素ナノチューブに関連して本明細書で用いられる場合、独立した多層窒化ホウ素ナノチューブの最外壁（すなわち、独立した窒化ホウ素ナノチューブの軸線から最も遠く、チューブ内の空間から最も遠くにある壁）、又は（独立した単層窒化ホウ素ナノチューブの場合）単一の壁を意味する。

エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体中において窒化ホウ素ナノチューブ構造体が六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われているパーセントの計算に関する上記の定義に加えて、複数の窒化ホウ素ナノチューブ構造体が一緒に塊を形成し得るエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体も存在し、塊全体（複数の窒化ホウ素ナノチューブ構造体を含む）が、塊中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体（例：最も外側のもの）に対してエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって（少なくともあるパーセントまで）覆われ得る。当業者が、特定のいずれかの構造体がそのような被覆に関連する本明細書における表現を満たすかどうかを容易に判断可能であるように、及び／又は特定のいずれかの組成物若しくは凝集体がそのような被覆に関連する表現を満たすかどうかを容易に判断可能であるように、そのような定量を充分に正確にする目的で、本明細書は、そのような計算を充分に正確に行うためのさらなる定義を（「塊」の定義及び特定の種類の塊から始めて）含む。

「塊」の表現は、本明細書で用いられる場合（例：「独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊」、「窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊」、及び「窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊」の表現において）、すべてが互いに接触している少なくとも２つの独立した窒化ホウ素ナノチューブの群、すべてが互いに接触している少なくとも２つの窒化ホウ素ナノチューブ構造体の群、又はすべてが互いに接触している少なくとも１つの独立した窒化ホウ素ナノチューブと少なくとも１つの窒化ホウ素ナノチューブ構造体との群を意味する。単一の「塊」は、群の各メンバーが群の他のすべてのメンバーと直接接触又は間接的に接触している群を意味する（群のそれぞれのメンバー間での間接的な接触とは、メンバーが互いに直接は接触していないが、メンバー間に拡がる一連の直接接触したメンバーの対を意味し、すなわち、第一及び第二のメンバーは、互いに直接接触し、第三のメンバーは、第一及び第二のメンバーのうちの少なくとも１つと直接接触し、第四のメンバーは、第一から第三のメンバーのうちの少なくとも１つと直接接触し、第五のメンバーは、第一から第四のメンバーのうちの少なくとも１つと直接接触する、などである）。「塊」が本発明の主題の文脈において重要である代表的な例は、以下の「外部原子…」の定義の後に考察される。

「独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊」の表現は、本明細書で用いられる場合、複数の独立した窒化ホウ素ナノチューブを含み、窒化ホウ素ナノチューブ構造体は含まない塊を意味する。

「窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊」の表現は、本明細書で用いられる場合、複数の窒化ホウ素ナノチューブ構造体を含み、独立した窒化ホウ素ナノチューブは含まない塊を意味する。

「窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊」の表現は、本明細書で用いられる場合、少なくとも１つの窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び少なくとも１つの独立した窒化ホウ素ナノチューブを含む塊を意味する。類似の表現は、類似の構造体を意味し、例えば、同様に、いずれかの指定された数（又は範囲）の窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び／又は独立した窒化ホウ素ナノチューブの塊は、［１］窒化ホウ素ナノチューブ構造体の総数と［２］独立した窒化ホウ素ナノチューブの総数との合計が、そのような指定された数に等しい（又は指定された範囲内にある）構造体を意味する。

「［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の外部原子の合計で少なくとも１０％が、
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている」の表現は、
本明細書で用いられる場合、［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の外部原子（以下で定義される）の少なくとも１０％の各々に対して、［ａ］塊中の窒化ホウ素ナノチューブに対してエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体中にあり、［ｂ］そのような外部原子の１０ナノメートル以内にある原子が存在することを意味する。

「［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の外部原子」の表現は、本明細書で用いられる場合、［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体上のいずれかの原子であって、その原子に対して、その原子と接触し、［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体上の他のいずれの原子とも交差することなくその原子から少なくとも１ｍｍにわたって延びている半径０．１オングストロームの円筒形領域が存在する、いずれの原子をも包含する。

「塊」が本発明の主題の文脈において重要である代表的な例は、塊中の１若しくは複数の窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び／又は１若しくは複数の独立した窒化ホウ素ナノチューブが、他の窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び／又は独立した窒化ホウ素ナノチューブによって実質的に完全に覆われている場合である（例：そのような実質的に完全に覆われた窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び／又は１若しくは複数の独立した窒化ホウ素ナノチューブは、大きい塊の中にある）。そのような状況では、そのような実質的に完全な窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び／又は１若しくは複数の独立した窒化ホウ素ナノチューブの原子は、本明細書の記述に従って、「外部原子」の上記の定義を満たさず、したがって、そのような原子は、「［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の外部原子の合計で少なくとも１０％が、
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている」
の表現が満たされているかどうかを判断する際に考慮されない。

「残留するホウ素」の表現は、本明細書で用いられる場合、ホウ素及び／又はホウ素化合物から成る（又は、主として成る）塊を意味する。
「凝集体」の表現は、本明細書で用いられる場合、一体的単体構造体、すなわち、一体構造体、すなわち、構造体のいずれの部分を掴んで持ち上げても持ち上げることができる構造体を意味する（すなわち、そのような部分を掴んで持ち上げることが、構造体のいずれの部分も、重力によって構造体の他のいずれかの部分から分裂させることなく可能である）。

「一体的単体構造体」の表現は、本明細書で用いられる場合、単体である構造体を意味する。
「複数」の表現は、本明細書で用いられる場合、２つ以上を意味する（例：「複数の六方晶窒化ホウ素構造体」の表現は、２つ以上の六方晶窒化ホウ素構造体を意味する）。

指定された量「以下」の表現は、本明細書で用いられる場合、指定された量又はそれよりも少ないことを意味する（例：「組成物の質量の３５％以下」の表現は、組成物の質量の３５％又は３５％未満を意味する）。

「少なくとも」指定された量の表現は、本明細書で用いられる場合、指定された量又はそれ以上を意味し（例：「少なくとも１０個の窒化ホウ素ナノチューブ構造体」の表現は、１０個又はそれ以上の窒化ホウ素ナノチューブ構造体を意味する）、逆も同様である（例：「２つ又はそれ以上の窒化ホウ素ナノチューブ構造体」の表現は、少なくとも２つの窒化ホウ素ナノチューブ構造体を意味する）。

「［組成物又は凝集体］が、少なくとも［指定されたパーセントの］［ある種類の材料］を含む」（例：「組成物が、少なくとも１０質量％の六方晶窒化ホウ素を含む」）の表現は、指定された種類の材料が、組成物又は凝集体全体の中で指定されたパーセント（又はパーセントの範囲）を占めることを意味し、逆も同様である（すなわち、「［指定された材料」が、［組成物又は凝集体］の［指定されたパーセント］を占める、の表現は、組成物又は凝集体の指定されたパーセント（又はパーセントの範囲）が、指定された材料であることを意味する。

「合計」が、２つ以上の項目に対するそれぞれの値の合計として特徴付けられる表現において、例えば、以下の表現：
「［１］組成物中のすべての独立した六方晶窒化ホウ素の全質量と［２］組成物中のすべての残留するホウ素の全質量との合計」、
「［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計」、
「［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊と、［３］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［４］組成物中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと、［５］組成物中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体とのそれぞれの量の合計」、
並びに、「組成物」が「一体構造体」によって置き換えられる及び／又は「一体構造体」と共に含まれる類似の表現において、値のうちの１又は複数がゼロであることが可能であり、すなわち、項目を含めることは、そのような項目に対する値が必ずしもゼロ以外であることを意味するものではない。

「プラズマ」及び「イオン化ガス」の表現は、本明細書において、それらの周知の意味に従って用いられ、充分なエネルギーがガスに対して供給されて、原子又は分子から電子が遊離され、したがって、イオンと電子とが共存可能とされた場合に得られる物質を意味する（物質の第四の状態とも称される、すなわち、固体、液体、気体、プラズマ）。

上記で述べたように、本発明の主題の第一の態様によると：
少なくとも第一のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体、
を含む組成物が提供され、
第一のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体は、少なくとも第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び少なくとも第一の六方晶窒化ホウ素構造体を含み、
第一の六方晶窒化ホウ素構造体は、第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである。

本明細書で述べる他の特徴のいずれを、適宜、含んでいても又は含んでいなくてもよい本発明の主題の第一の態様に従ういくつかの実施形態では：
［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブの量と［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の量との合計は、少なくとも１０個であり、
［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブの量と［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の量との合計の少なくとも１０％である量の窒化ホウ素ナノチューブ構造体の各々について：
窒化ホウ素ナノチューブ構造体は、少なくとも５０ｎｍの長さを有し、窒化ホウ素ナノチューブ構造体の最外壁の合計で少なくとも１０％が、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われており、
並びに、そのような実施形態のいくつかでは：
［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブの量と［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の量との合計の少なくとも第一のパーセント（２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、及び９０％の中から選択される）である、又は第一のパーセントの範囲内（１０％～２０％、２０％～３０％、３０％～４０％、４０％～５０％、５０％～６０％、６０％～７０％、７０％～８０％、及び８０％～９０％の中から選択される）である量の窒化ホウ素ナノチューブ構造体の各々について：
窒化ホウ素ナノチューブ構造体は、少なくとも５０ｎｍの長さを有し、窒化ホウ素ナノチューブ構造体の最外壁の、合計で少なくとも第二のパーセント（１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、及び９０％の中から選択される）、又は合計で第二のパーセントの範囲内（１０％～２０％、２０％～３０％、３０％～４０％、４０％～５０％、５０％～６０％、６０％～７０％、７０％～８０％、及び８０％～９０％の中から選択される）が、各々が窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われており、
第一のパーセント（又は第一のパーセントの範囲）と第二のパーセント（又は第二のパーセントの範囲）とのいずれの組み合わせも含む。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第一の態様に従ういくつかの実施形態では：
［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊と、［３］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［４］組成物中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと、［５］組成物中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体とのそれぞれの量の合計は、少なくとも１０個であり、
［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、及び［５］組成物中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の中で、前記合計の少なくとも３０％である量の各々について：
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の外部原子の合計で少なくとも１０％が、
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われており、
並びに、そのような実施形態のいくつかでは：
［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊と、［３］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［４］組成物中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと、［５］組成物中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体とのそれぞれの量の合計は、少なくとも１０個であり、
［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、及び［５］組成物中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の中で、前記合計の少なくとも第一のパーセント（４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、及び９０％の中から選択される）である、又は第一のパーセントの範囲内（３０％～４０％、４０％～５０％、５０％～６０％、６０％～７０％、７０％～８０％、及び８０％～９０％の中から選択される）である量の各々について：
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の外部原子の、合計で少なくとも第二のパーセント（１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、及び９０％の中から選択される）、又は合計で第二のパーセントの範囲内（１０％～２０％、２０％～３０％、３０％～４０％、４０％～５０％、５０％～６０％、６０％～７０％、７０％～８０％、及び８０％～９０％の中から選択される）が、
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われており、
第一のパーセント（又は第一のパーセントの範囲）と第二のパーセント（又は第二のパーセントの範囲）とのいずれの組み合わせも含む。

上記で述べたように、本発明の主題の第二の態様によると：
少なくとも第一のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体を含む一体構造体、
を含む凝集体が提供され、
第一のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体は、少なくとも第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び少なくとも第一の六方晶窒化ホウ素構造体を含み、
第一の六方晶窒化ホウ素構造体は、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルであり、
一体構造体は、少なくとも１００ｎｍの第一の寸法及び少なくとも１００ｎｍの第二の寸法を有し、第二の寸法は、第一の寸法に対して直角である。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第二の態様に従ういくつかの実施形態では：
［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブの量と［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の量との合計の少なくとも１０％である量の一体構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体の各々について：
窒化ホウ素ナノチューブ構造体の最外壁の合計で少なくとも１０％が、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われており、
並びに、そのような実施形態のいくつかでは：
［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブの量と［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の量との合計の少なくとも第一のパーセント（２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、及び９０％の中から選択される）である、又は第一のパーセントの範囲内（１０％～２０％、２０％～３０％、３０％～４０％、４０％～５０％、５０％～６０％、６０％～７０％、７０％～８０％、及び８０％～９０％の中から選択される）である量の一体構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体の各々について：
窒化ホウ素ナノチューブ構造体の最外壁の、合計で少なくとも第二のパーセント（２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、及び９０％の中から選択される）、又は合計で第二のパーセントの範囲内（１０％～２０％、２０％～３０％、３０％～４０％、４０％～５０％、５０％～６０％、６０％～７０％、７０％～８０％、及び８０％～９０％の中から選択される）が、各々が窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われており、
第一のパーセント（又は第一のパーセントの範囲）と第二のパーセント（又は第二のパーセントの範囲）とのいずれの組み合わせも含む。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第二の態様に従ういくつかの実施形態では：
［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、及び［５］一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の中で、
［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊と、［３］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［４］一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと、［５］一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体とのそれぞれの量の合計の少なくとも１０％である量の各々について：
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の外部原子の合計で少なくとも１０％が、
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われており、
並びに、そのような実施形態のいくつかでは：
［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、及び［５］一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の中で、
［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊と、［３］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［４］一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと、［５］一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体とのそれぞれの量の合計の少なくとも第一のパーセント（２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、及び９０％の中から選択される）である、又は第一のパーセントの範囲内（１０％～２０％、２０％～３０％、３０％～４０％、４０％～５０％、５０％～６０％、６０％～７０％、７０％～８０％、及び８０％～９０％の中から選択される）である量の各々について：
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の外部原子の、合計で少なくとも第二のパーセント（２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、及び９０％の中から選択される）、又は合計で第二のパーセントの範囲内（１０％～２０％、２０％～３０％、３０％～４０％、４０％～５０％、５０％～６０％、６０％～７０％、７０％～８０％、及び８０％～９０％の中から選択される）が、
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われており、
第一のパーセント（又は第一のパーセントの範囲）と第二のパーセント（又は第二のパーセントの範囲）とのいずれの組み合わせも含む。

上記で述べたように、本発明の主題の第三の態様によると：
複数の独立した窒化ホウ素ナノチューブ、
を含む組成物が提供され、
［１］組成物中のすべての独立した六方晶窒化ホウ素の全質量と［２］組成物中のすべての残留するホウ素の全質量との合計が、組成物の質量の３５％以下を占める。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第三の態様に従ういくつかの実施形態では：
［１］組成物中のすべての独立した六方晶窒化ホウ素の全質量と［２］組成物中のすべての残留するホウ素の全質量との合計が、組成物の質量の、第一のパーセント（３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、及び５％の中から選択される）以下を占める、又は第一のパーセントの範囲内（３０％～３５０％、２５％～３０％、２０％～２５％、１５％～２０％、１０％～１５％、及び５％～１０％の中から選択される）であるパーセントを占める。

上記で述べたように、本発明の主題の第四の態様によると：
複数の独立した窒化ホウ素ナノチューブを含む一体構造体、
を含む凝集体が提供され、
一体構造体は、少なくとも１００ｎｍの第一の寸法及び少なくとも１００ｎｍの第二の寸法を有し、第二の寸法は、第一の寸法に対して直角であり、
［１］一体構造体中の独立した六方晶窒化ホウ素の全質量と［２］一体構造体中のすべての残留するホウ素の全質量との合計が、一体構造体の質量の３５％以下を占める。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第四の態様に従ういくつかの実施形態では：
［１］一体構造体中のすべての独立した六方晶窒化ホウ素の全質量と［２］一体構造体中のすべての残留するホウ素の全質量との合計が、一体構造体の質量の、第一のパーセント（３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、及び５％の中から選択される）以下を占める、又は第一のパーセントの範囲内（３０％～３５０％、２５％～３０％、２０％～２５％、１５％～２０％、１０％～１５％、及び５％～１０％の中から選択される）であるパーセントを占める。

上記で述べたように、本発明の主題の第五の態様によると：
少なくとも５０ｎｍの長さを有する少なくとも１０個の独立した窒化ホウ素ナノチューブ、
を含む組成物が提供され、
［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の１％以下が、ディキシーカップ欠陥及びバンブー欠陥の中から選択される少なくとも１つの欠陥を有する。

当業者であれば、ディキシーカップ欠陥及びバンブー欠陥について熟知している。明確とするために、「バンブー欠陥」の表現は、窒化ホウ素ナノチューブに関して本明細書で用いられる場合、窒化ホウ素ナノチューブが、窒化ホウ素ナノチューブの直径が５ｎｍ以下の長さにわたって少なくとも１０％増加する（すなわち、窒化ホウ素ナノチューブの長さ方向に沿って５ｎｍ以下の間隔での窒化ホウ素ナノチューブのそれぞれの直径（すなわち、窒化ホウ素ナノチューブの軸線に対して直角である直径）が、少なくとも１０％異なっている（すなわち、１つの直径が、他の直径の少なくとも１．１倍である））複数の領域を有することを意味する。

明確とするために、「ディキシーカップ欠陥」の表現は、窒化ホウ素ナノチューブ（又は複数の窒化ホウ素ナノチューブ）に関して本明細書で用いられる場合、窒化ホウ素ナノチューブ（又は窒化ホウ素ナノチューブの各々）が、それが第一の（広い）端部及び第二の（狭い）端部（窒化ホウ素ナノチューブ又は壁の軸線に沿って互いに離れている）を有するという意味でテーパ状であり、第二の（狭い）端部が第一の（広い）端部の直径の６５％以下である直径（軸線に対して直角）を有し、窒化ホウ素ナノチューブの狭い端部が、別のテーパ状窒化ホウ素ナノチューブの広い端部の中に入っていることを意味する（すなわち、窒化ホウ素ナノチューブの軸線に対して直角であり、「ディキシーカップの重なり」領域にある面が、両方の窒化ホウ素ナノチューブを通ることになる）。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第五の態様に従ういくつかの実施形態では：
［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の第一のパーセント（０．８％、０．６％、０．４％、０．３％、０．２％、及び０．１％の中から選択される）以下、又は第一のパーセントの範囲内（０．０％～０．１％、０．１％～０．２％、０．２％～０．３％、０．３％～０．４％、０．４％～０．６％、０．６％～０．８％、及び０．８％～１．０％の中から選択される）であるパーセントが、ディキシーカップ欠陥及びバンブー欠陥の中から選択される少なくとも１つの欠陥を有する。

上記で述べたように、本発明の主題の第六の態様によると：
複数の独立した窒化ホウ素ナノチューブを含む一体構造体、
を含む凝集体が提供され、
一体構造体は、少なくとも１００ｎｍの第一の寸法及び少なくとも１００ｎｍの第二の寸法を有し、第二の寸法は、第一の寸法に対して直角であり、
［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の１％以下が、ディキシーカップ欠陥及びバンブー欠陥の中から選択される少なくとも１つの欠陥を有する。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第六の態様に従ういくつかの実施形態では：
［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の第一のパーセント（０．８％、０．６％、０．４％、０．３％、０．２％、及び０．１％の中から選択される）以下、又は第一のパーセントの範囲内（０．０％～０．１％、０．１％～０．２％、０．２％～０．３％、０．３％～０．４％、０．４％～０．６％、０．６％～０．８％、及び０．８％～１．０％の中から選択される）であるパーセントが、ディキシーカップ欠陥及びバンブー欠陥の中から選択される少なくとも１つの欠陥を有する。

上記で述べたように、本発明の主題の第七の態様によると：
少なくとも１０個の独立した窒化ホウ素ナノチューブ、
を含む組成物が提供され、
［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の少なくとも５０％の各々が、単層である。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第七の態様に従ういくつかの実施形態では、［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との前記合計のうちの、単層である少なくとも一部の各々が、独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、又は窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊に存在する。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第七の態様に従ういくつかの実施形態では、［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の５０～６０パーセントの各々が、単層である。

上記で述べたように、本発明の主題の第八の態様によると：
少なくとも１つの独立した窒化ホウ素ナノチューブを含む一体構造体、
を含む凝集体が提供され、
一体構造体は、少なくとも１００ｎｍの第一の寸法及び少なくとも１００ｎｍの第二の寸法を有し、第二の寸法は、第一の寸法に対して直角であり、
［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の少なくとも５０％の各々が、単層である。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第八の態様に従ういくつかの実施形態では、［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との前記合計のうちの、単層である少なくとも一部の各々が、独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、又は窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊に存在する。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第八の態様に従ういくつかの実施形態では、［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の５０～６０パーセントの各々が、単層である。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第一、第二、第五、第六、第七、及び第八の態様のいずれかに従ういくつかの実施形態では、組成物中のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の合わせた質量は、組成物又は一体構造体（すなわち、第一、第三、第五、及び第七の態様に関する組成物、並びに第二、第四、第六、及び第八の態様に関する一体構造体であり、「組成物又は一体構造体」の他の出現においても以下同様）の質量の少なくとも６５％を占め、
そのような実施形態のいくつかでは、組成物中のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の合わせた質量は、組成物又は一体構造体の質量の少なくとも第一のパーセント（７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、９７％、及び９９％の中から選択される）を占める、又は第一のパーセントの範囲内（６５％～７０％、７０％～７５％、７５％～８０％、８０％～８５％、８５％～９０％、９０％～９５％、９５％～９７％、及び９７％～９９％の中から選択される）であるパーセントを占める。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、及び第八の態様のいずれかに従ういくつかの実施形態では、組成物又は一体構造体の少なくとも１０質量％が、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体を含む。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、及び第八の態様のいずれかに従ういくつかの実施形態では、組成物又は一体構造体中の原子の少なくとも１０％の各々について、原子は、組成物中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体中に存在する。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第一及び第二の態様のいずれかに従ういくつかの実施形態では、組成物又は一体構造体中のすべての独立した六方晶窒化ホウ素の合わせた質量、及び［２］組成物又は一体構造体中のすべてのアモルファスホウ素の合わせた質量が、組成物又は一体構造体の質量の３５％未満を占め、
そのような実施形態のいくつかでは、組成物又は一体構造体中のすべての独立した六方晶窒化ホウ素の合わせた質量、及び［２］組成物又は一体構造体中のすべてのアモルファスホウ素の合わせた質量が、組成物又は一体構造体の質量の、第一のパーセント（３０％、２５％、２０％、１５％、１０％、及び５％の中から選択される）未満を占める、又は第一のパーセントの範囲内（１０％～２０％、２０％～３０％、３０％～４０％、４０％～５０％、５０％～６０％、６０％～７０％、７０％～８０％、及び８０％～９０％の中から選択される）であるパーセントを占める。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第一、第二、第三、及び第四の態様のいずれかに従ういくつかの実施形態では、［１］組成物又は一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物又は一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計で、前記合計の１％以下が、ディキシーカップ欠陥及びバンブー欠陥の中から選択される少なくとも１つの欠陥を有し、
そのような実施形態のいくつかでは、［１］組成物又は一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物又は一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計で、前記合計の第一のパーセント（０．８％、０．６％、０．４％、０．３％、０．２％、及び０．１％の中から選択される）以下、又は第一のパーセントの範囲内（０．０％～０．１％、０．１％～０．２％、０．２％～０．３％、０．３％～０．４％、０．４％～０．６％、０．６％～０．８％、及び０．８％～１．０％の中から選択される）であるパーセントが、ディキシーカップ欠陥及びバンブー欠陥の中から選択される少なくとも１つの欠陥を有する。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第一、第二、第三、第四、第五、及び第六の態様のいずれかに従ういくつかの実施形態では、［１］組成物又は一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物又は一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計で、前記合計の少なくとも５０％の各々が、単層である。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第三及び第四の態様のいずれかに従ういくつかの実施形態では、独立した六方晶窒化ホウ素が、組成物又は凝集体の１質量パーセント以下を占め、
そのような実施形態のいくつかでは、独立した六方晶窒化ホウ素は、組成物又は凝集体の質量の少なくとも第一のパーセント（０．８％、０．６％、０．４％、０．３％、０．２％、及び０．１％の中から選択される）を占める、又は第一のパーセントの範囲内（０．０％～０．１％、０．１％～０．２％、０．２％～０．３％、０．３％～０．４％、０．４％～０．６％、０．６％～０．８％、及び０．８％～１．０％の中から選択される）であるパーセントを占める。

図１は、本発明の主題の第一及び第二の態様に従う、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体、さらにはエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体を含む組成物及び／又は凝集体の製造に用いることができる装置１０の代表的な実施形態を模式的に示す図である。図２は、図１の一部を拡大した図であり、装置１０の一部分を示す。

装置１０は、プラズマ発生装置１１、カラー領域１２、第一の反応セクション１３（第一の反応チャンバー領域を定める）、及び第二の反応セクション１４（第二の反応チャンバー領域を定める）を備える。

プラズマ発生装置１１は、壁部１５、電磁波発生装置及び導波路１６、並びにスパーカー１７を備える。導波路は、インダクターであり、例えば銅管の（１／４”以上）、数ターン（通常は３～６）のコイルの形態である。銅コイルは、高い電気伝導性を提供する非磁性コイルである。ターン数は、高周波数電源出力との適合を提供するインダクターのインダクタンス及び電気抵抗に適合するように定められる。

プラズマ発生装置１１の壁部１５は、高周波透過性（すなわち、ＲＦ透過性）、電気伝導性、及び非磁性であるＲＦ透過性領域１８を備える。ＲＦ透過性領域１８を製造することができる適切な材料の代表的な例は、アルミナである。

ＡＣ電源１９は、高周波エネルギーを、数十キロヘルツから数千ギガヘルツの範囲より選択される複数の周波数の電磁波を発生させる電磁波発生装置１６に供給し、そのような電磁波は、プラズマ発生領域１１の壁部１５のＲＦ透過性部分１８を透過する。

プラズマ発生装置１１の内部には、プラズマ発生装置空間２１がある。
スパーカー１７は、移動式電極２９及び放電突起３０を備える。移動式電極２９は、最大磁場密度及び最大電場密度を含むプラズマ発生装置空間２１の領域中に制御可能に延びるように構成されている。放電突起３０は、電気伝導性で非磁性の材料から製造され、移動式電極２９が接近すると放電点を作り出すように構成されており、そのような放電が、プラズマを発生させる。移動式電極２９は、そのような放電の後、最大磁場密度及び最大電場密度の領域から引き出されるように構成されている。

プラズマ発生装置１１は、材料（例：窒素ガス）が通ってプラズマ発生装置空間２１中に導入可能となる１又は複数のポート２０を有する。
プラズマ発生装置１１は、プラズマ発生装置１１で発生されたプラズマのプルームが通ってカラー領域１２の内部のカラー空間２３に進入するプルーム開口部２２を有する。

カラー領域１２は、フィードストック（例：ホウ素粉末、窒化ホウ素、炭化ホウ素、三酸化ホウ素、ホウ酸など）を、所望に応じてキャリアガスと共に通してカラー空間２３中へ（及びプラズマプルーム中へ）導入（例：注入）することができる少なくとも１つの反応体フィード開口部２４を備える。

第一の反応容器セクション１３は、第一の反応容器セクション１３内部の第一の反応チャンバー領域２６へのアクセスを提供する１又は複数のアクセスポート２５を備えていてよい。１又は複数のアクセスポート２５（含まれる場合）は、診断のための（反応の光学的モニタリングなど）、反応チャンバー中に構造物を挿入するための（例：ワイヤ又はメッシュなどのクエンチ改変材（quench modifiers））、又は生成物を取り出すためのアクセスを提供することができる。

同様に、第二の反応容器セクション１４は、第二の反応容器セクション１４内部の第二の反応チャンバー領域２８へのアクセスを提供する１又は複数のアクセスポート２７を備えていてよい。１又は複数のアクセスポート２７（含まれる場合）は、診断のための（反応の光学的モニタリングなど）、反応チャンバー中に構造物を挿入するための（例：ワイヤ又はメッシュなどのクエンチ改変材）、又は生成物を取り出すためのアクセスを提供することができる。

装置１０は、さらに、冷却を可能とし及び／又は気液シールを提供するために、プラズマ発生装置１１の外側に外部シェル３１を備える。図１に示される実施形態では、外部シェル３１は、プラズマ発生装置１１に対して実質的に同心状であり、プラズマ発生装置１１が内部管、外部シェルが外部管である。外部シェル３１の端部にある孔部３２により、水を例とする冷却剤を、外部シェル３１内のチャンバー３３の底部へと流し（示した方向に向かって）、チャンバー３３の上部から出すことができる。外部シェル３１は、プラズマ発生装置１１のシールも補助し、それによって、プラズマ及びガスのいかなるリークも回避又は低減する補助となる。外部シェル３１は、好ましくは、ＲＦ透過性である。外部シェル３１が製造され得る適切な材料の代表的な例としては、石英及びセラミック材料が挙げられる。

いくつかの実施形態では、生成物は、第一の反応チャンバー領域２６及び／又は第二の反応チャンバー領域２８から、連続的に又は半連続的に取り出すことができる（例：第一の反応チャンバー領域２６及び／又は第二の反応チャンバー領域２８から生成物を運び出すコンベヤによって）（すなわち、バッチ運転ではない）。

出口ポート３４が、第二の反応容器セクション１４に形成され、第一の排気ライン３５が、出口ポート３４に接続されている。圧力レギュレータ３６が、第一の排気ライン３５に接続され、第二の排気ライン３７が、圧力レギュレータ３６に接続され、それによって、ガス（例：窒素、アルゴン、及び水素）を排気することができ、第一及び第二の反応チャンバー領域２６及び２８の内部圧力を制御することができる。圧力レギュレータ３６としては、適切ないかなる圧力レギュレータ（例：ニードルバルブ）が用いられてもよい。

上記の考察において、プラズマ発生装置は、誘導結合プラズマ発生装置である。その代わりに、別の選択肢として、プラズマ発生装置は、ＤＣアークプラズマ発生装置（すなわち、ＤＣ電源によって駆動するプラズマ発生装置）であってもよい。当業者であれば、ＤＣアークプラズマ発生装置について熟知しており、そのようないかなるプラズマ発生装置が用いられてもよい。いくつかの実施形態では、窒化ホウ素ナノチューブに対してエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体を有する窒化ホウ素ナノチューブを含む組成物及び／又は凝集体の製造において、誘導結合プラズマ発生装置が有利であり（ＤＣアークプラズマ発生装置と比較して）、なぜなら、誘導結合プラズマ発生装置は、より大きいプラズマ体積、より低いプラズマガス速度、及びより長い反応時間を提供するからである。加えて、誘導結合プラズマ発生装置には電極が存在しないことから、誘導結合プラズマ発生装置は、相対的にメンテナンスフリーであり得、（電極を含む必要のあるＤＣアークプラズマ発生装置とは異なり）製造中の材料に電極から汚染物が導入されることがない。

プラズマプルームの電力密度及び体積は、プラズマ発生装置への入力電力を変化させることによって、プラズマ発生装置空間２１内の圧力を変化させることによって、及び／又は装置１０へ供給される材料（例：窒素ガス、窒素キャリアガスと共にホウ素粉末、など）の流量を変化させることによって調節可能である。

図１に示される装置１０はまた、
本発明の主題の第三の態様（又は第四の態様）に従う、［１］組成物（又は凝集体）中のすべての独立した六方晶窒化ホウ素の全質量と［２］組成物（又は凝集体）中のすべての残留するホウ素の全質量との合計が、組成物（又は凝集体）の質量の３５％以下を占める、複数の独立した窒化ホウ素ナノチューブを含む組成物（又は凝集体）；
本発明の主題の第五の態様（又は第六の態様）に従う、［１］組成物（又は凝集体）中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物（又は凝集体）中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の１％以下が、ディキシーカップ欠陥及びバンブー欠陥の中から選択される少なくとも１つの欠陥を有する、少なくとも５０ｎｍの長さを有する少なくとも１０個の独立した窒化ホウ素ナノチューブを含む組成物（又は凝集体）；並びに
本発明の主題の第七の態様（又は第八の態様）に従う、［１］組成物（又は凝集体）中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物（又は凝集体）中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の少なくとも５０％の各々が、単層である、少なくとも１０個の独立した窒化ホウ素ナノチューブを含む組成物（又は凝集体）、
を製造するために用いることができる。

本発明の主題の第一の態様に従うエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体を製造することができる方法の１つの具体的な代表的実施形態は、
５０リットル毎分の窒素と水素との混合物（９６質量部の窒素と４質量部の水素）を、図１に示す装置１０のプラズマ発生装置空間２１へ（図１に示す装置１０のポート２０を通して）供給することであって、装置はさらに、プラズマ発生装置１１の外径が３．５インチであり、プラズマ発生装置１１の内径が２．０インチであり、プラズマ発生装置１１の長さ（図１に示される配向では縦方向）が１０．０インチであり、カラー領域１２の外径が３．５インチであり、カラー領域１２の内径が１．４０インチであり、カラー領域１２の長さ（図１に示される配向では縦方向）が３．０インチであり、プルーム開口部２２（プラズマ発生装置空間２１とカラー空間２３との間の接続セクション）の直径が１．３８インチであり、反応体フィード開口部２４がカラー領域１２の長さ方向に沿った途中にあり、第一の反応容器セクション１３の内径が８．０インチであり、第一の反応容器セクション１３の長さ（図１に示される配向では縦方向）が２４インチであり、第二の反応容器セクション１４の内径が８．０インチであり、第二の反応容器セクション１４の長さ（図１に示される配向では縦方向）が２４インチであり（すなわち、第一の反応容器セクション１３及び第二の反応容器セクション１４が一緒になって、均一な直径の円筒形チャンバー領域を定め、それは、第一の反応チャンバー領域２６と第二の反応チャンバー領域２８とを組み合わせたものであり、直径が８インチ、長さが４８インチである）、反応体フィード開口部２４の直径が１／１６インチであることを特徴とする、供給すること；
プラズマ発生装置空間２１中の窒素及び水素を、３５～４５ｋＷを電磁波発生装置１６に供給することによってイオン化すること；並びに
カラー空間へ（反応体フィード開口部２４を介して、装置１０内の最も高い温度の位置で）、２０～９０ｍｇ／分の固体元素状ホウ素粉末（装置１０への投入前は室温）を、窒素ガス（例：０．１～１０．０リットル毎分）に同伴させて供給すること、
を含み、同時に、第一の反応容器セクション１３及び第二の反応容器セクション１４内の圧力を、１０ｐｓｉ～２０ｐｓｉの範囲内に維持する（圧力はこの範囲内で変動し得る）。

この代表的な実施形態では、カラー領域１２の少なくとも一部での温度は、プラズマによって提供される熱で約８０００Ｋであり、一方第一の反応容器セクション１３及び第二の反応容器セクション１４での温度は、カラー領域１２から遠い程低い。

本発明の主題に従うエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体は、ロックキャンディー（rock candy）に似ており、（この類推を続けると）窒化ホウ素ナノチューブ構造体は、紐であり、核形成して成長した六方晶窒化ホウ素は、砂糖である。

装置の最も熱いゾーンで窒化ホウ素ナノチューブ構造体に変換されないホウ素及び窒素のイオンは、装置中で過飽和状態となり、窒化ホウ素ナノチューブ構造体上に蓄積し、そこでは、窒化ホウ素ナノチューブ構造体上で六方晶窒化ホウ素構造体を核形成し（すなわち、窒化ホウ素ナノチューブ構造体上に核形成されたホウ素原子及び窒素原子を有する構造体を生成し）、及び／又は既に核形成された窒化ホウ素構造体上に成長する。

上記の代表的な実施形態に従って形成された窒化ホウ素ナノチューブ構造体の直径は、全体として（例：その９０％以上）、３～３０ｎｍの範囲内である。
上記の代表的な実施形態に従って形成された窒化ホウ素ナノチューブ構造体の長さは、全体として（例：その９０％以上）、１０ｎｍ～５０マイクロメートルの範囲内である。

上記の代表的な実施形態に従って形成された窒化ホウ素ナノチューブ構造体とエピタキシャルであり、それを覆っている六方晶窒化ホウ素の小塊（nodule）は、全体として（例：その９０％以上）、１ｎｍ～２００ｎｍの厚さである（そして、例えばＴＥＭ画像で、容易に識別される）。

六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われていない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の部分、及び独立した窒化ホウ素ナノチューブ（存在する場合）は、非常に平滑で、容易に識別される（例：透過型電子顕微鏡画像で（すなわち、ＴＥＭ画像））。

残留するホウ素の部分（上記で述べた代表的な実施形態の生成物中）は、全体としてアモルファスである（そして、例えばＴＥＭ画像で、容易に識別される）。代表的な生成物は、６５質量部のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体、並びに３５質量部の残留するホウ素及び／又は独立した六方晶窒化ホウ素を含む（典型的には、１質量部未満の独立した六方晶窒化ホウ素を含む）。

本発明の主題に従う生成物は、それを様々な用途で有用とする数多くの特性を呈する。例えば、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体は、対応する独立した窒化ホウ素ナノチューブよりも厚く、及び／又はより粗い外部を有し、それによって、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体は、マトリックス材料に容易に接着し、すなわち、マトリックス材料からの除去に対する高められた物理的／機械的抵抗性を提供することができる（図３は、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の図である）。

加えて、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体は、金属が結晶化するためのナノ核形成部位を提供する（例：アルミニウム、マグネシウム、又はチタンなどのＢＮＮＴが分解する温度よりも低い融点を有する金属をキャストする場合）。

加えて、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体は、極めて高い温度に掛けられた後、非常に優れた特性を提供する（いくつかの場合では、六方晶窒化ホウ素が、それが覆っている窒化ホウ素構造体のための犠牲層として作用し得る）。

本発明の主題に従うエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体のいくつかの実施形態は、上述の有利な特性のいずれかの組み合わせを提供する。
一般的に、装置１０のポート２０に供給される窒素と水素との混合物中の水素の割合を増加させることは（すなわち、４重量パーセント超）、形成されるエピタキシャル六方晶窒化ホウ素構造体の量を増加させ、装置１０のポート２０に供給される窒素と水素との混合物中の水素の割合を減少させることは（すなわち、４重量パーセント未満）、形成されるエピタキシャル六方晶窒化ホウ素構造体の量を減少させる。本発明の主題は、特定のいかなる理論にも限定されないが、ポート２０に供給される混合物中に供給される水素は、窒化ホウ素ナノチューブ構造体上の六方晶窒化ホウ素構造体の核形成を補助するエネルギーを提供するものと考えられる。

固体元素状ホウ素粉末を、０．１～１０．０リットル毎分の窒素ガスに同伴させて、反応体フィード開口部２４（１／１６インチの直径を有する）を介してカラー空間へ供給することは、約５３．３ｃｍ／秒～５３３０ｃｍ／秒の窒素ガス流量に等しい。本発明の主題は、特定のいかなる理論にも限定されないが、この高い窒素ガス流量が、著しい量のホウ素を、窒化ホウ素ナノチューブ構造体が形成されている領域を通って未反応のまま通過させ、それによって、そうして形成された窒化ホウ素ナノチューブ構造体上での六方晶窒化ホウ素の核形成に関与することができるホウ素が提供されるものと考えられる。

より大型の装置が用いられた場合は、ホウ素フィードが同伴される窒素ガスの流量は、水素及びホウ素が未反応のまま通過する反応ゾーンが大きくなることに対する調節のために、増加されることになる。同様に、より大きい流量の窒素及び水素がプラズマ発生装置空間２１に供給される場合は（例：より大型の装置において）、電磁波発生装置１６に供給される電力が、窒素及び水素をイオン化するのに充分なように増加されることになる。

本発明の主題は、特定のいかなる理論にも限定されないが、プルーム開口部の直径の減少による収縮が、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の生成をもたらす流動特性を作り出しているものと考えられる。カラー空間２３の直径が、第一の反応チャンバー領域２６のより大きい直径と比較して小さいことも、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の生成をもたらす流動特性に寄与している（又は流動特性を提供している）ものと考えられる。

方法の上述の代表的な実施形態は、
本発明の主題の第三の態様（又は第四の態様）に従う、［１］組成物（又は凝集体）中のすべての独立した六方晶窒化ホウ素の全質量と［２］組成物（又は凝集体）中のすべての残留するホウ素の全質量との合計が、組成物（又は凝集体）の質量の３５％以下を占める、複数の独立した窒化ホウ素ナノチューブを含む組成物（又は凝集体）；
本発明の主題の第五の態様（又は第六の態様）に従う、［１］組成物（又は凝集体）中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物（又は凝集体）中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の１％以下が、ディキシーカップ欠陥及びバンブー欠陥の中から選択される少なくとも１つの欠陥を有する、少なくとも５０ｎｍの長さを有する少なくとも１０個の独立した窒化ホウ素ナノチューブを含む組成物（又は凝集体）；並びに／又は、
本発明の主題の第七の態様（又は第八の態様）に従う、［１］組成物（又は凝集体）中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物（又は凝集体）中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の少なくとも５０％の各々が、単層である、少なくとも１０個の独立した窒化ホウ素ナノチューブを含む組成物（又は凝集体）、
を製造するためにも用いることができる。

したがって、加えて、本発明の主題は：
［１］組成物（又は凝集体）中のすべての独立した六方晶窒化ホウ素の全質量と［２］組成物（又は凝集体）中のすべての残留するホウ素の全質量との合計が、組成物（又は凝集体）の質量の３５％以下を占めることを例とする、有利に高い純度を有する組成物（又は凝集体）；
［１］組成物（又は凝集体）中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物（又は凝集体）中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の１％以下が、ディキシーカップ欠陥及びバンブー欠陥の中から選択される少なくとも１つの欠陥を有するという、有利に高い品質を有する組成物（又は凝集体）；並びに／又は、
［１］組成物（又は凝集体）中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物（又は凝集体）中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の少なくとも５０％の各々が、単層であることを例とする、単層である独立した窒化ホウ素ナノチューブ及び窒化ホウ素ナノチューブ構造体の有利に高いパーセントを有する組成物（又は凝集体）、
を提供する。

そのような組成物又は凝集体は、上述の有利な特徴のいかなる組み合わせを有していてもよく、また、本発明の主題に従うエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の上述の有利な特徴のいずれを有していてもよい。

上記で述べたように、本発明の主題の第九の態様によると、組成物を製造する方法が提供され、その方法は：
チャンバーの第一の領域に、窒素ガスと水素ガスとの混合物を供給すること；
窒素ガスと水素ガスとの混合物の少なくとも一部分をプラズマに変換すること；
チャンバーの第二の領域に、少なくとも１つのホウ素含有材料と窒素ガスとの混合物を供給し、それによって、少なくとも１つのホウ素含有材料と窒素ガスとの混合物をプラズマと接触させて、反応混合物を形成すること；
混合物の少なくとも一部分を、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体に変換すること、
を含む。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第九の態様に従ういくつかの実施形態では、チャンバーは：
第一の領域；
第二の領域；
少なくとも第三の領域；
第一の領域と第二の領域との間の連結を提供する第一の接続セクション；及び、
第二の領域と第三の領域との間の連結を提供する第二の接続セクション、
を備え、
第一の領域は、第一の領域、第二の領域、及び第三の領域を通って延びるチャンバーの軸線に対して直角である少なくとも１つの第一の領域断面積を有し、
第二の領域は、チャンバーの軸線に対して直角である少なくとも１つの第二の領域断面積を有し、
第三の領域は、チャンバーの軸線に対して直角である少なくとも１つの第三の領域断面積を有し、
第一の接続セクションは、チャンバーの軸線に対して直角である少なくとも１つの第一の接続セクション断面積を有し、
第二の接続セクションは、チャンバーの軸線に対して直角である少なくとも１つの第二の接続セクション断面積を有し、
各第一の接続セクション断面積は、第一の領域断面積よりも小さく、及び第二の領域断面積よりも小さく、
各第二の接続セクション断面積は、第三の領域断面積よりも小さく、
並びに、そのような実施形態のいくつかでは：
第三の領域の少なくとも一部分内の圧力は、少なくとも１０ｐｓｉであり；
第三の領域の少なくとも一部分内の圧力は、１０～２０ｐｓｉの範囲内であり；及び／又は、
第三の領域の少なくとも一部分内の圧力は、１５～２０ｐｓｉの範囲内である。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第九の態様に従ういくつかの実施形態では、窒素ガスと水素ガスとの混合物中の水素ガスの重量パーセントは、１質量パーセント～７質量パーセントの範囲内である（いくつかの実施形態では、少なくとも２質量パーセント、いくつかの実施形態では、２質量パーセント～７質量パーセントの範囲内、いくつかの実施形態では、４質量パーセント又は約４．０質量パーセントである）。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第九の態様に従ういくつかの実施形態では、窒素ガスと水素ガスとの混合物中の水素ガスの重量パーセントは、少なくとも３質量パーセントである。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第九の態様に従ういくつかの実施形態では、窒素ガスと水素ガスとの混合物中の水素ガスの重量パーセントは、少なくとも４質量パーセントである。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第九の態様に従ういくつかの実施形態では、窒素ガスと水素ガスとの混合物は、少なくとも３０リットル毎分の量で第一の領域に供給される。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第九の態様に従ういくつかの実施形態では、窒素ガスと水素ガスとの混合物は、少なくとも４０リットル毎分の量で第一の領域に供給される。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第九の態様に従ういくつかの実施形態では、窒素ガスと水素ガスとの混合物は、少なくとも５０リットル毎分の量で第一の領域に供給される。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第九の態様に従ういくつかの実施形態では、少なくとも１つのホウ素含有材料と窒素ガスとの混合物のチャンバーの第二の領域への前記供給は、少なくとも２０ｍｇ／分の速度でホウ素を供給することを含む。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第九の態様に従ういくつかの実施形態では、少なくとも１つのホウ素含有材料と窒素ガスとの混合物のチャンバーの第二の領域への前記供給は、２０ｍｇ／分～９０ｍｇ／分の範囲内の速度でホウ素を供給することを含む。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第九の態様に従ういくつかの実施形態では、少なくとも１つのホウ素含有材料と窒素ガスとの混合物のチャンバーの第二の領域への前記供給は、０．１リットル毎分～１．３リットル毎分の範囲内の速度で窒素ガスを供給することを含む。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第九の態様に従ういくつかの実施形態では、少なくとも１つのホウ素含有材料と窒素ガスとの混合物のチャンバーの第二の領域への前記供給は、１．３リットル毎分～８．４リットル毎分の範囲内の速度で窒素ガスを供給することを含む。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第九の態様に従ういくつかの実施形態では、窒素ガスと水素ガスとの混合物の少なくとも一部分のプラズマへの前記変換は、第一の領域内で電磁波を発生させることを含む。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第九の態様に従ういくつかの実施形態では、電磁波の前記発生は、高周波エネルギーを、少なくとも３５ｋＷ（いくつかの実施形態では、３５～４５ｋＷ）の電力量（power rate）で電磁波発生装置に供給することを含む。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第九の態様に従ういくつかの実施形態では、電磁波の前記発生は、高周波エネルギーを、少なくとも３９（いくつかの実施形態では、３９～４５ｋＷ）の電力量で電磁波発生装置に供給することを含む。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第九の態様に従ういくつかの実施形態では、チャンバーの少なくとも一部分内の圧力は、少なくとも１０ｐｓｉである。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第九の態様に従ういくつかの実施形態では、チャンバーの少なくとも一部分内の圧力は、１０～２０ｐｓｉの範囲内である。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第九の態様に従ういくつかの実施形態では、チャンバーの少なくとも一部分内の圧力は、１５～２０ｐｓｉの範囲内である。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第九の態様に従ういくつかの実施形態では、方法は、さらに、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の少なくともいくつかを硝酸と接触させることを含み、
そのような実施形態のいくつかでは、方法は、さらに、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の少なくともいくつかを、７００～９００℃の範囲内の温度に掛けることを含む。

適宜、本明細書で述べる他の特徴のいずれを含んでいても又は含んでいなくてもよい、本発明の主題の第九の態様に従ういくつかの実施形態では、方法は、さらに、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の少なくともいくつかを、７００～９００℃の範囲内の温度に掛けることを含む。

実施例１
５０リットル毎分の窒素と水素との混合物（９６質量部の窒素と４質量部の水素）を、図１に示す装置のプラズマ発生装置空間へ（ポートを通して）供給した。装置はさらに、プラズマ発生装置の外径が３．５インチであり、プラズマ発生装置の内径が２．０インチであり、プラズマ発生装置の長さが１０．０インチであり、カラー領域の外径が３．５インチであり、カラー領域の内径が１．４０インチであり、カラー領域の長さが３．０インチであり、プルーム開口部（プラズマ発生装置空間とカラー空間との間の接続セクション）の直径が１．３８インチであり、反応体フィード開口部がカラー領域の長さ方向に沿った途中にあり、第一の反応容器セクションの内径が８．０インチであり、第一の反応容器セクションの長さが２４インチであり、第二の反応容器セクションの内径が８．０インチであり、第二の反応容器セクションの長さが２４インチであり、反応体フィード開口部の直径が１／１６インチであることを特徴とし、
電磁波発生装置に３９ｋＷを供給して、プラズマ発生装置空間中の窒素と水素とをイオン化し、
カラー空間へ、反応体フィード開口部を介して、２２ｍｇ／分の固体元素状ホウ素粉末（装置への投入前は室温）を、１．３リットル毎分の窒素ガスに同伴させて供給し、
第一の反応容器セクション及び第二の反応容器セクション内の圧力を、１５ｐｓｉ～２０ｐｓｉの範囲内に維持し（すなわち、圧力はこの範囲内で変動した）、カラー領域の少なくとも一部での温度は、約８０００Ｋであった。

図４は、例１の生成物の代表的な部分のＴＥＭ画像であり、窒化ホウ素ナノチューブ構造体の約３０％の各々は、エピタキシャル六方晶窒化ホウ素によって少なくとも３０％覆われていた。

独立した窒化ホウ素ナノチューブと窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の５０％超が、単層であり、残りは、二層及び多層であった。
ディキシーカップ欠陥又はバンブー欠陥を有していたのは、独立した窒化ホウ素ナノチューブと窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の１％未満であった。

残留するホウ素及び独立した六方晶窒化ホウ素の質量の合計は、生成物の３５質量％未満であった。
実施例２
５０リットル毎分の窒素と水素との混合物（９６質量部の窒素と４質量部の水素）を、例１で用いたものと同じ装置のプラズマ発生装置空間へ（ポートを通して）供給し、
電磁波発生装置に３９ｋＷを供給して、プラズマ発生装置空間中の窒素と水素とをイオン化し、
カラー空間へ、反応体フィード開口部を介して、２２ｍｇ／分の固体元素状ホウ素粉末（装置への投入前は室温）を、８．４リットル毎分の窒素ガスに同伴させて供給し、
第一の反応容器セクション及び第二の反応容器セクション内の圧力を、１５ｐｓｉ～２０ｐｓｉの範囲内に維持し（すなわち、圧力はこの範囲内で変動した）、カラー領域の少なくとも一部での温度は、約８０００Ｋであった。

図５は、例２の生成物の代表的な部分のＴＥＭ画像であり、窒化ホウ素ナノチューブ構造体の約９０％の各々は、エピタキシャル六方晶窒化ホウ素によって少なくとも３０％覆われていた。

図６は、例２の生成物の一部分のＴＥＭ画像であり、この画像は、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体を示している。
図６のＴＥＭ画像中の符号６１は、高純度及び高品質の窒化ホウ素ナノチューブの例を指している。

図６のＴＥＭ画像中の符号６２は、未反応アモルファスホウ素の例を指している。
図６のＴＥＭ画像中の符号６３、６４、及び６５は、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の例を指している。

図７は、例２の生成物の一部分のＴＥＭ画像であり、この画像は、独立した六方晶窒化ホウ素、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体（そのうちの１つは、窒化ホウ素ナノチューブ構造体の塊を含んでいる）を示している。

図７のＴＥＭ画像中の符号７１は、独立した六方晶窒化ホウ素構造体の例を指している。
図７のＴＥＭ画像中の符号７２は、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体（窒化ホウ素ナノチューブ構造体の塊を含んでいる）の例を指している。

図７のＴＥＭ画像中の符号７３は、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体（単一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体を含んでいる）の例を指している。
図７のＴＥＭ画像中の符号７４は、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体（２つの窒化ホウ素ナノチューブ構造体の塊を含んでいる）の例を指している。

図８は、例２の生成物の一部分のＴＥＭ画像であり、この画像は、窒化ホウ素ナノチューブ構造体の塊及びエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体を示している。
図８のＴＥＭ画像中の符号８１は、窒化ホウ素ナノチューブの独立した塊（すなわち、エピタキシャル六方晶窒化ホウ素の核形成又は成長のない塊）の例を指している。

図８のＴＥＭ画像中の符号８２は、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体（窒化ホウ素ナノチューブ構造体の束の側部に窒化ホウ素核形成を含んでいる）の例を指している。

図９は、例２の生成物の一部分のＴＥＭ画像であり、この画像は、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体を示している。
図９のＴＥＭ画像中の符号９１は、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体（単一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体を含んでいる）の例を指している。

図９のＴＥＭ画像中の符号９２は、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体（窒化ホウ素ナノチューブ構造体の塊を含んでいる）の例を指している。
図１０は、例２の生成物の一部分のＴＥＭ画像であり、この画像は、残留するホウ素及びエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体を示している。

図１０のＴＥＭ画像中の符号１０１及び１０２は、残留するアモルファスホウ素の例を指している。
図１０のＴＥＭ画像中の符号１０３は、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の例を指している。

図１０のＴＥＭ画像中の符号１０４は、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体（窒化ホウ素ナノチューブ構造体の塊を含んでいる）の例を指している。
図１１は、例２の生成物の一部分のＴＥＭ画像であり、この画像は、残留するホウ素及びエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体を示している。

図１１のＴＥＭ画像中の符号１１１及び１１２は、残留するアモルファスホウ素の例を指している。
図１１のＴＥＭ画像中の符号１１３及び１１４は、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の例を指している。

図１２は、例２の生成物の一部分のＴＥＭ画像であり、この画像は、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体を示している。
図１２のＴＥＭ画像中の符号１２１及び１２２は、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の例を指している。

独立した窒化ホウ素ナノチューブと窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の５０％超が、単層であり、残りは、二層及び多層であった。
ディキシーカップ欠陥又はバンブー欠陥を有していたのは、独立した窒化ホウ素ナノチューブと窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の１％未満であった。

残留するホウ素及び独立した六方晶窒化ホウ素の質量の合計は、生成物の３５質量％未満であった。
図１３は、独立した窒化ホウ素ナノチューブのＴＥＭ画像である。

以下は、番号を付与した一連の節であり、各々が、本発明の主題の範囲内である主題を定める。
節１．少なくとも第一のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体、
を含み、
第一のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体は、少なくとも第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び少なくとも第一の六方晶窒化ホウ素構造体を含み、
第一の六方晶窒化ホウ素構造体は、第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである、
組成物。

節２．［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブの量と［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の量との合計は、少なくとも１０個であり、
［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブの量と［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の量との合計の少なくとも１０％である量の窒化ホウ素ナノチューブ構造体の各々について：
窒化ホウ素ナノチューブ構造体は、少なくとも５０ｎｍの長さを有し、窒化ホウ素ナノチューブ構造体の最外壁の合計で少なくとも１０％が、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
節１に記載の組成物。

節３．［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブの量と［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の量との合計の少なくとも３０％である量の窒化ホウ素ナノチューブ構造体の各々について：
窒化ホウ素ナノチューブ構造体は、少なくとも５０ｎｍの長さを有し、窒化ホウ素ナノチューブ構造体の最外壁の合計で少なくとも３０％が、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
節２に記載の組成物。

節４．［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブの量と［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の量との合計の少なくとも８０％である量の窒化ホウ素ナノチューブ構造体の各々について：
窒化ホウ素ナノチューブ構造体は、少なくとも５０ｎｍの長さを有し、窒化ホウ素ナノチューブ構造体の最外壁の合計で少なくとも３０％が、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
節２に記載の組成物。

節５．［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊と、［３］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［４］組成物中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと、［５］組成物中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体とのそれぞれの量の合計は、少なくとも１０個であり、
［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、及び［５］組成物中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の中で、前記合計の少なくとも３０％である量の各々について：
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の外部原子の合計で少なくとも１０％が、
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
節１に記載の組成物。

節６．［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、及び［５］組成物中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の中で、前記合計の少なくとも３０％である量の各々について：
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の外部原子の合計で少なくとも３０％が、
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
節５に記載の組成物。

節７．［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、及び［５］組成物中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の中で、前記合計の少なくとも８０％である量の各々について：
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の外部原子の合計で少なくとも３０％が、
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
節５に記載の組成物。

節８．少なくとも第一のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体を含む一体構造体、
を含み、
第一のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体は、少なくとも第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び少なくとも第一の六方晶窒化ホウ素構造体を含み、
第一の六方晶窒化ホウ素構造体は、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルであり、
一体構造体は、少なくとも１００ｎｍの第一の寸法及び少なくとも１００ｎｍの第二の寸法を有し、第二の寸法は、第一の寸法に対して直角である、
凝集体。

節９．［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブの量と［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の量との合計の少なくとも１０％である量の一体構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体の各々について：
窒化ホウ素ナノチューブ構造体の最外壁の合計で少なくとも１０％が、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
節８に記載の凝集体。

節１０．［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブの量と［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の量との合計の少なくとも３０％である量の一体構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体の各々について：
窒化ホウ素ナノチューブ構造体の最外壁の合計で少なくとも３０％が、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
節９に記載の凝集体。

節１１．［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブの量と［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の量との合計の少なくとも８０％である量の一体構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体の各々について：
窒化ホウ素ナノチューブ構造体の最外壁の合計で少なくとも３０％が、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
節９に記載の凝集体。

節１２．［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、及び［５］一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の中で、
［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊と、［３］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［４］一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと、［５］一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体とのそれぞれの量の合計の少なくとも１０％である量の各々について：
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の外部原子の合計で少なくとも１０％が、
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
節８に記載の凝集体。

節１３．［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、及び［５］一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の中で、
［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊と、［３］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［４］一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと、［５］一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体とのそれぞれの量の合計の少なくとも３０％である量の各々について：
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の外部原子の合計で少なくとも３０％が、
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
節１２に記載の凝集体。

節１４．［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、及び［５］一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の中で、
［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊と、［３］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［４］一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと、［５］一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体とのそれぞれの量の合計の少なくとも８０％である量の各々について：
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の外部原子の合計で少なくとも３０％が、
［２］窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
節１２に記載の凝集体。

節１５．組成物であって：
複数の独立した窒化ホウ素ナノチューブ、
を含み、
［１］組成物中のすべての独立した六方晶窒化ホウ素の全質量と［２］組成物中のすべての残留するホウ素の全質量との合計が、組成物の質量の３５％以下を占める、
組成物。

節１６．［１］組成物中のすべての独立した六方晶窒化ホウ素の全質量と［２］組成物中のすべての残留するホウ素の全質量との合計が、組成物の質量の２５％以下を占める、節１５に記載の組成物。

節１７．複数の独立した窒化ホウ素ナノチューブを含む一体構造体、
を含み、
一体構造体は、少なくとも１００ｎｍの第一の寸法及び少なくとも１００ｎｍの第二の寸法を有し、第二の寸法は、第一の寸法に対して直角であり、
［１］一体構造体中の独立した六方晶窒化ホウ素の全質量と［２］一体構造体中のすべての残留するホウ素の全質量との合計が、一体構造体の質量の３５％以下を占める、
凝集体。

節１８．［１］凝集体中のすべての独立した六方晶窒化ホウ素の全質量と［２］凝集体中のすべての残留するホウ素の全質量との合計が、凝集体の質量の２５％以下を占める、節１７に記載の凝集体。

節１９．組成物であって：
少なくとも５０ｎｍの長さを有する少なくとも１０個の独立した窒化ホウ素ナノチューブ、
を含み、
［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の１％以下が、ディキシーカップ欠陥及びバンブー欠陥の中から選択される少なくとも１つの欠陥を有する、
組成物。

節２０．複数の独立した窒化ホウ素ナノチューブを含む一体構造体、
を含み、
一体構造体は、少なくとも１００ｎｍの第一の寸法及び少なくとも１００ｎｍの第二の寸法を有し、第二の寸法は、第一の寸法に対して直角であり、
［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の１％以下が、ディキシーカップ欠陥及びバンブー欠陥の中から選択される少なくとも１つの欠陥を有する、
凝集体。

節２１．組成物であって：
少なくとも１０個の独立した窒化ホウ素ナノチューブ、
を含み、
［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の少なくとも５０％の各々が、単層である、
組成物。

節２２．［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との前記合計のうちの、単層である少なくとも一部の各々が、独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、又は窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊に存在する、節２１に記載の組成物。

節２３．［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の５０～６０パーセントの各々が、単層である、節２１に記載の組成物。

節２４．少なくとも１つの独立した窒化ホウ素ナノチューブを含む一体構造体、
を含み、
一体構造体は、少なくとも１００ｎｍの第一の寸法及び少なくとも１００ｎｍの第二の寸法を有し、第二の寸法は、第一の寸法に対して直角であり、
［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の少なくとも５０％の各々が、単層である、
凝集体。

節２５．［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との前記合計のうちの、単層である少なくとも一部の各々が、独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、又は窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊に存在する、節２４に記載の凝集体。

節２６．［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の５０～６０パーセントの各々が、単層である、節２４に記載の凝集体。

節２７．組成物中のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の合わせた質量が、組成物の質量の少なくとも６５％を占める、節１～７、１９、及び２１のいずれか１つに記載の組成物。

節２８．組成物中のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の合わせた質量が、組成物の質量の少なくとも７５％を占める、節２７に記載の組成物。
節２９．組成物中のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の合わせた質量が、一体構造体の質量の少なくとも６５％を占める、節８～１４、２０、及び２４のいずれか１つに記載の凝集体。

節３０．組成物中のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の合わせた質量が、一体構造体の質量の少なくとも７５％を占める、節２９に記載の凝集体。
節３１．組成物の少なくとも１０質量％が、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体を含む、節１～７、１５、１６、１９、２１～２３、２７、及び２８のいずれか１つに記載の組成物。

節３２．一体構造体の少なくとも１０質量％が、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体を含む、節８～１４、１７、１８、２０、２４～２６、２９、及び３０のいずれか１つに記載の凝集体。

節３３．組成物中の原子の少なくとも１０％の各々について、原子は、組成物中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体中に存在する、節１～７、１５、１６、１９、２１～２３、２７、２８、及び３１のいずれか１つに記載の組成物。

節３４．一体構造体中の原子の少なくとも１０％の各々について、原子は、組成物中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体中に存在する、節８～１４、１７、１８、２０、２４～２６、２９、３０、及び３２のいずれか１つに記載の凝集体。

節３５．［１］組成物中のすべての独立した六方晶窒化ホウ素の合わせた質量と［２］組成物中のすべてのアモルファスホウ素の合わせた質量との合計が、組成物の質量の３５％未満を占める、節１～７、２７、２８、３１、及び３３のいずれか１つに記載の組成物。

節３６．［１］一体構造体中のすべての独立した六方晶窒化ホウ素の合わせた質量と［２］一体構造体中のすべてのアモルファスホウ素の合わせた質量との合計が、一体構造体の質量の３５％未満を占める、節８～１４、２９、３０、３２、及び３４のいずれか１つに記載の凝集体。

節３７．［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の１％以下が、ディキシーカップ欠陥及びバンブー欠陥の中から選択される少なくとも１つの欠陥を有する、節１～７、１５、１６、２７、２８、３１、３３、及び３５のいずれか１つに記載の組成物。

節３８．［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の１％以下が、ディキシーカップ欠陥及びバンブー欠陥の中から選択される少なくとも１つの欠陥を有する、節８～１４、１７、１８、２９、３０、３２、３４、及び３６のいずれか１つに記載の凝集体。

節３９．［１］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の少なくとも５０パーセントの各々が、単層である、節１～７、１５、１６、１９、２７、２８、３１、３３、３５、及び３７のいずれか１つに記載の組成物。

節４０．［１］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の少なくとも５０パーセントの各々が、単層である、節８～１４、１７、１８、２０、２９、３０、３２、３４、３６、及び３８のいずれか１つに記載の凝集体。

節４１．独立した六方晶窒化ホウ素が、組成物の１質量パーセント以下を占める、節１５、１６、２７、２８、３１、３３、３５、３７、及び３９のいずれか１つに記載の組成物。

節４２．独立した六方晶窒化ホウ素が、凝集体の１質量パーセント以下を占める、節１７、１８、２９、３０、３２、３４、３６、３８、及び４０のいずれか１つに記載の凝集体。

節４３．組成物を製造する方法であって：
チャンバーの第一の領域に、窒素ガスと水素ガスとの混合物を供給すること；
窒素ガスと水素ガスとの混合物の少なくとも一部分をプラズマに変換すること；
チャンバーの第二の領域に、少なくとも１つのホウ素含有材料と窒素ガスとの混合物を供給し、それによって、少なくとも１つのホウ素含有材料と窒素ガスとの混合物をプラズマと接触させて、反応混合物を形成すること；
混合物の少なくとも一部分を、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体に変換すること、
を含む、方法。

節４４．チャンバーが：
第一の領域；
第二の領域；
少なくとも第三の領域；
第一の領域と第二の領域との間の連結を提供する第一の接続セクション；及び、
第二の領域と第三の領域との間の連結を提供する第二の接続セクション、
を備え、
第一の領域は、第一の領域、第二の領域、及び第三の領域を通って延びるチャンバーの軸線に対して直角である少なくとも１つの第一の領域断面積を有し、
第二の領域は、チャンバーの軸線に対して直角である少なくとも１つの第二の領域断面積を有し、
第三の領域は、チャンバーの軸線に対して直角である少なくとも１つの第三の領域断面積を有し、
第一の接続セクションは、チャンバーの軸線に対して直角である少なくとも１つの第一の接続セクション断面積を有し、
第二の接続セクションは、チャンバーの軸線に対して直角である少なくとも１つの第二の接続セクション断面積を有し、
各第一の接続セクション断面積は、第一の領域断面積よりも小さく、及び第二の領域断面積よりも小さく、
各第二の接続セクション断面積は、第三の領域断面積よりも小さい、
節４３に記載の方法。

節４５．第三の領域の少なくとも一部分内の圧力が、少なくとも１０ｐｓｉである、節４４に記載の方法。
節４６．第三の領域の少なくとも一部分内の圧力が、１０～２０ｐｓｉの範囲内である、節４４に記載の方法。

節４７．第三の領域の少なくとも一部分内の圧力が、１５～２０ｐｓｉの範囲内である、節４４に記載の方法。
節４８．窒素ガスと水素ガスとの混合物中の水素ガスの重量パーセントが、少なくとも２質量パーセントである、節４３～４７のいずれか１つに記載の方法。

節４９．窒素ガスと水素ガスとの混合物中の水素ガスの重量パーセントが、少なくとも３質量パーセントである、節４３～４７のいずれか１つに記載の方法。
節５０．窒素ガスと水素ガスとの混合物中の水素ガスの重量パーセントが、少なくとも４質量パーセントである、節４３～４７のいずれか１つに記載の方法。

節５１．窒素ガスと水素ガスとの混合物が、少なくとも３０リットル毎分の量で第一の領域に供給される、節４３～５０のいずれか１つに記載の方法。
節５２．窒素ガスと水素ガスとの混合物が、少なくとも４０リットル毎分の量で第一の領域に供給される、節４３～５０のいずれか１つに記載の方法。

節５３．窒素ガスと水素ガスとの混合物が、少なくとも５０リットル毎分の量で第一の領域に供給される、節４３～５０のいずれか１つに記載の方法。
節５４．少なくとも１つのホウ素含有材料と窒素ガスとの混合物のチャンバーの第二の領域への前記供給が、少なくとも２０ｍｇ／分の速度でホウ素を供給することを含む、節４３～５３のいずれか１つに記載の方法。

節５５．少なくとも１つのホウ素含有材料と窒素ガスとの混合物のチャンバーの第二の領域への前記供給が、２０ｍｇ／分～９０ｍｇ／分の範囲内の速度でホウ素を供給することを含む、節４３～５３のいずれか１つに記載の方法。

節５６．少なくとも１つのホウ素含有材料と窒素ガスとの混合物のチャンバーの第二の領域への前記供給が、０．１リットル毎分～１．３リットル毎分の範囲内の速度で窒素ガスを供給することを含む、節４３～５５のいずれか１つに記載の方法。

節５７．少なくとも１つのホウ素含有材料と窒素ガスとの混合物のチャンバーの第二の領域への前記供給が、１．３リットル毎分～８．４リットル毎分の範囲内の速度で窒素ガスを供給することを含む、節４３～５５のいずれか１つに記載の方法。

節５８．窒素ガスと水素ガスとの混合物の少なくとも一部分のプラズマへの前記変換が、第一の領域内で電磁波を発生させることを含む、節４３～５７のいずれか１つに記載の方法。

節５９．電磁波の前記発生が、高周波エネルギーを、少なくとも３５ｋＷの電力量で電磁波発生装置に供給することを含む、節５８に記載の方法。
節６０．電磁波の前記発生が、高周波エネルギーを、少なくとも３９ｋＷの電力量で電磁波発生装置に供給することを含む、節５８に記載の方法。

節６１．方法が、さらに、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の少なくともいくつかを硝酸と接触させることを含む、節４３～６０のいずれか１つに記載の方法。
節６２．方法が、さらに、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の少なくともいくつかを、７００～９００℃の範囲内の温度に掛けることを含む、節４３～６１のいずれか１つに記載の方法。

Claims (45)

1. 少なくとも第一のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体、
   を含み、
   前記第一のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体は、少なくとも第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び少なくとも第一の六方晶窒化ホウ素構造体を含み、
   前記第一の六方晶窒化ホウ素構造体は、前記第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルであり、
   ここで、前記第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に最も近い前記第一の六方晶窒化ホウ素構造体中の原子は、第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対応する理想化された構造体中の原子が互いに対して配列されるように、互いに対して配列されている、
   組成物。
2. ［１］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブの量と［２］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の量との合計が、少なくとも１０個であり、
   ［１］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブの前記量と［２］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の前記量との前記合計の少なくとも１０％である量の窒化ホウ素ナノチューブ構造体の各々について：
   前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体は、少なくとも５０ｎｍの長さを有し、前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体の最外壁の合計で少なくとも１０％が、前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
   請求項１に記載の組成物。
3. ［１］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブの前記量と［２］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の前記量との前記合計の少なくとも３０％である量の窒化ホウ素ナノチューブ構造体の各々について：
   前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体は、少なくとも５０ｎｍの長さを有し、前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体の前記最外壁の合計で少なくとも３０％が、前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
   請求項２に記載の組成物。
4. ［１］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブの前記量と［２］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の前記量との前記合計の少なくとも８０％である量の窒化ホウ素ナノチューブ構造体の各々について：
   前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体は、少なくとも５０ｎｍの長さを有し、前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体の前記最外壁の合計で少なくとも３０％が、前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
   請求項２に記載の組成物。
5. ［１］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［２］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊と、［３］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［４］前記組成物中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと、［５］前記組成物中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体とのそれぞれの量の合計が、少なくとも１０個であり、
   ［２］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、及び［５］前記組成物中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体の中で、前記合計の少なくとも３０％である量の各々について：
   ［２］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］前記塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の外部原子の合計で少なくとも１０％が、
   ［２］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］前記塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
   請求項１に記載の組成物。
6. ［２］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、及び［５］前記組成物中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体の中で、前記合計の少なくとも３０％である量の各々について：
   ［２］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］前記塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の外部原子の合計で少なくとも３０％が、
   ［２］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］前記塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
   請求項５に記載の組成物。
7. ［２］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、及び［５］前記組成物中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体の中で、前記合計の少なくとも８０％である量の各々について：
   ［２］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］前記塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の外部原子の合計で少なくとも３０％が、
   ［２］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］前記塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
   請求項５に記載の組成物。
8. 少なくとも第一のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体を含む一体構造体
   を含み、
   前記第一のエピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体は、少なくとも第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び少なくとも第一の六方晶窒化ホウ素構造体を含み、
   前記第一の六方晶窒化ホウ素構造体は、前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルであり、ここで、前記第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に最も近い前記第一の六方晶窒化ホウ素構造体中の原子は、第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対応する理想化された構造体中の原子が互いに対して配列されるように、互いに対して配列されていて、
   前記一体構造体は、少なくとも１００ｎｍの第一の寸法及び少なくとも１００ｎｍの第二の寸法を有し、前記第二の寸法は、前記第一の寸法に対して直角である、
   凝集体。
9. ［１］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブの量と［２］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の量との合計の少なくとも１０％である量の前記一体構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体の各々について：
   前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体の最外壁の合計で少なくとも１０％が、前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
   請求項８に記載の凝集体。
10. ［１］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブの前記量と［２］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の前記量との前記合計の少なくとも３０％である量の前記一体構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体の各々について：
    前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体の前記最外壁の合計で少なくとも３０％が、前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
    請求項９に記載の凝集体。
11. ［１］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブの前記量と［２］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の前記量との前記合計の少なくとも８０％である量の前記一体構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体の各々について：
    前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体の前記最外壁の合計で少なくとも３０％が、前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
    請求項９に記載の凝集体。
12. ［２］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、及び［５］前記一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の中で、
    ［１］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［２］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊と、［３］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［４］前記一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと、［５］前記一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体とのそれぞれの量の合計の少なくとも１０％である量の各々について：
    ［２］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］前記塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の外部原子の合計で少なくとも１０％が、
    ［２］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］前記塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
    請求項８に記載の凝集体。
13. ［２］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、及び［５］前記一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の中で、
    ［１］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［２］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊と、［３］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［４］前記一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと、［５］前記一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体とのそれぞれの量の合計の少なくとも３０％である量の各々について：
    ［２］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］前記塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の外部原子の合計で少なくとも３０％が、
    ［２］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］前記塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
    請求項１２に記載の凝集体。
14. ［２］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、及び［５］前記一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体の中で、
    ［１］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［２］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊と、［３］前記一体構造体中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊と、［４］前記一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと、［５］前記一体構造体中の、塊ではなく、少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体とのそれぞれの量の合計の少なくとも８０％である量の各々について：
    ［２］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］前記塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体の外部原子の合計で少なくとも３０％が、
    ［２］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体塊、［３］前記窒化ホウ素ナノチューブ構造体／独立した窒化ホウ素ナノチューブ塊、又は［５］前記塊ではない窒化ホウ素ナノチューブ構造体中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体によって覆われている、
    請求項１２に記載の凝集体。
15. 前記組成物中の前記エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の合わせた質量が、前記組成物の質量の少なくとも６５％を占める、請求項１に記載の組成物。
16. 前記組成物中の前記エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の前記合わせた質量が、前記組成物の質量の少なくとも７５％を占める、請求項１５に記載の組成物。
17. 前記組成物の少なくとも１０質量％が、窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対して各々がエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体を含む、請求項１に記載の組成物。
18. 前記組成物中の原子の少なくとも１０％の各々について、前記原子は、前記組成物中の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対してエピタキシャルである六方晶窒化ホウ素構造体中に存在する、請求項１に記載の組成物。
19. ［１］前記組成物中のすべての独立した六方晶窒化ホウ素の合わせた質量と［２］前記組成物中のすべてのアモルファスホウ素の合わせた質量との合計が、前記組成物の質量の３５％未満を占める、請求項１に記載の組成物。
20. ［１］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の１％以下が、ディキシーカップ欠陥及びバンブー欠陥の中から選択される少なくとも１つの欠陥を有する、請求項１に記載の組成物。
21. ［１］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する独立した窒化ホウ素ナノチューブと［２］前記組成物中の少なくとも５０ｎｍの長さを有する窒化ホウ素ナノチューブ構造体との合計の中で、前記合計の少なくとも５０パーセントの各々が、単層である、請求項１に記載の組成物。
22. 組成物を製造する方法であって：
    チャンバーの第一の領域に、窒素ガスと水素ガスとの混合物を供給すること；
    窒素ガスと水素ガスとの前記混合物の少なくとも一部分をプラズマに変換すること；
    前記チャンバーの第二の領域に、少なくとも１つのホウ素含有材料と窒素ガスとの混合物を供給し、それによって、少なくとも１つのホウ素含有材料と窒素ガスとの前記混合物を前記プラズマと接触させて、反応混合物を形成すること；
    前記混合物の少なくとも一部分を、エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体に変換すること、
    を含み、
    ここで、各エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体は少なくとも第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体及び第一の六方晶窒化ホウ素中構造体を含み、前記第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に最も近い前記第一の六方晶窒化ホウ素構造体中の原子は、第一の窒化ホウ素ナノチューブ構造体に対応する理想化された構造体中の原子が互いに対して配列されるように、互いに対して配列されている、
    方法。
23. 前記チャンバーが：
    前記第一の領域；
    前記第二の領域；
    少なくとも第三の領域；
    前記第一の領域と前記第二の領域との間の連結を提供する第一の接続セクション；及び、
    前記第二の領域と前記第三の領域との間の連結を提供する第二の接続セクション、
    を備え、
    前記第一の領域は、前記第一の領域、前記第二の領域、及び前記第三の領域を通って延びる前記チャンバーの軸線に対して直角である少なくとも１つの第一の領域断面積を有し、
    前記第二の領域は、前記チャンバーの前記軸線に対して直角である少なくとも１つの第二の領域断面積を有し、
    前記第三の領域は、前記チャンバーの前記軸線に対して直角である少なくとも１つの第三の領域断面積を有し、
    前記第一の接続セクションは、前記チャンバーの前記軸線に対して直角である少なくとも１つの第一の接続セクション断面積を有し、
    前記第二の接続セクションは、前記チャンバーの前記軸線に対して直角である少なくとも１つの第二の接続セクション断面積を有し、
    各第一の接続セクション断面積は、前記第一の領域断面積よりも小さく、及び前記第二の領域断面積よりも小さく、
    各第二の接続セクション断面積は、前記第三の領域断面積よりも小さい、
    請求項２２に記載の方法。
24. 前記第三の領域の少なくとも一部分内の圧力が、少なくとも１０ｐｓｉである、請求項２３に記載の方法。
25. 前記第三の領域の少なくとも一部分内の圧力が、１０～２０ｐｓｉの範囲内である、請求項２３に記載の方法。
26. 前記第三の領域の少なくとも一部分内の圧力が、１５～２０ｐｓｉの範囲内である、請求項２３に記載の方法。
27. 窒素ガスと水素ガスとの前記混合物中の水素ガスの重量パーセントが、少なくとも２質量パーセントである、請求項２２に記載の方法。
28. 窒素ガスと水素ガスとの前記混合物中の水素ガスの重量パーセントが、少なくとも３質量パーセントである、請求項２２に記載の方法。
29. 窒素ガスと水素ガスとの前記混合物中の水素ガスの重量パーセントが、少なくとも４質量パーセントである、請求項２２に記載の方法。
30. 窒素ガスと水素ガスとの前記混合物が、少なくとも３０リットル毎分の量で前記第一の領域に供給される、請求項２２に記載の方法。
31. 窒素ガスと水素ガスとの前記混合物が、少なくとも４０リットル毎分の量で前記第一の領域に供給される、請求項２２に記載の方法。
32. 窒素ガスと水素ガスとの前記混合物が、少なくとも５０リットル毎分の量で前記第一の領域に供給される、請求項２２に記載の方法。
33. 少なくとも１つのホウ素含有材料と窒素ガスとの混合物の前記チャンバーの第二の領域への前記供給が、少なくとも２０ｍｇ／分の速度でホウ素を供給することを含む、請求項２２に記載の方法。
34. 少なくとも１つのホウ素含有材料と窒素ガスとの混合物の前記チャンバーの第二の領域への前記供給が、２０ｍｇ／分～９０ｍｇ／分の範囲内の速度でホウ素を供給することを含む、請求項２２に記載の方法。
35. 少なくとも１つのホウ素含有材料と窒素ガスとの混合物の前記チャンバーの第二の領域への前記供給が、０．１リットル毎分～１．３リットル毎分の範囲内の速度で窒素ガスを供給することを含む、請求項２２に記載の方法。
36. 少なくとも１つのホウ素含有材料と窒素ガスとの混合物の前記チャンバーの第二の領域への前記供給が、１．３リットル毎分～８．４リットル毎分の範囲内の速度で窒素ガスを供給することを含む、請求項２２に記載の方法。
37. 窒素ガスと水素ガスとの前記混合物の少なくとも一部分のプラズマへの前記変換が、前記第一の領域内で電磁波を発生させることを含む、請求項２２に記載の方法。
38. 電磁波の前記発生が、高周波エネルギーを、少なくとも３５ｋＷの電力量で電磁波発生装置に供給することを含む、請求項３７に記載の方法。
39. 電磁波の前記発生が、高周波エネルギーを、少なくとも３９ｋＷの電力量で電磁波発生装置に供給することを含む、請求項３７に記載の方法。
40. 前記チャンバーの少なくとも一部分内の圧力が、少なくとも１０ｐｓｉである、請求項２２に記載の方法。
41. 前記チャンバーの少なくとも一部分内の圧力が、１０～２０ｐｓｉの範囲内である、請求項２２に記載の方法。
42. 前記チャンバーの少なくとも一部分内の圧力が、１５～２０ｐｓｉの範囲内である、請求項２２に記載の方法。
43. 前記方法が、さらに、前記エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の少なくともいくつかを硝酸と接触させることを含む、請求項２２に記載の方法。
44. 前記方法が、さらに、前記エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の少なくともいくつかを、７００～９００℃の範囲内の温度に掛けることを含む、請求項４３に記載の方法。
45. 前記方法が、さらに、前記エピタキシャルｈ－ＢＮ／ＢＮＮＴ構造体の少なくともいくつかを、７００～９００℃の範囲内の温度に掛けることを含む、請求項２２に記載の方法。
    
    
    
    
    

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