JP7332985B2 - Static eliminator and flat panel display manufacturing equipment - Google Patents

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Description

本発明は、除電装置およびフラットパネルディスプレイ製造装置に関し、特に、ガラス基板を除電するための除電装置、およびその除電装置を使用したフラットパネルディスプレイ製造装置に関する。 The present invention relates to a static eliminator and a flat panel display manufacturing apparatus, and more particularly to a static eliminator for static eliminating a glass substrate and a flat panel display manufacturing apparatus using the static eliminator.

液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、有機ELディスプレイ等のフラットパネルディスプレイの製造工程で使用され、ガラス基板に対して成膜、イオン注入、またはエッチング等の各種処理を施す装置として、特許文献1に開示されたフラットパネルディスプレイ製造装置が知られている。特許文献1のフラットパネルディスプレイ製造装置は、各種処理を施すための処理室と、処理室にガラス基板を搬出入する搬出入経路を成す搬送路とを備え、処理室内部と搬送路内部はともに高真空状態とされている。さらに、搬送路を構成する真空容器の外壁面には、ガラス基板の搬送や位置決め時に他の物体との摩擦や剥離帯電現象によって帯電したガラス基板を除電するための除電装置が配置されている。この除電装置は、不活性ガスからプラズマを生成するプラズマ室を備え、生成したプラズマを真空容器内に供給し、帯電したガラス基板をプラズマに曝すことによってガラス基板を除電するものである。特許文献1のフラットパネルディスプレイ製造装置においては、複数のガラス基板を順次搬送する過程の間、除電装置から真空容器内へのプラズマの供給が常に行われるか、または、ガラス基板の電位を計測した結果が基準値を超えていた場合に行われる構成とされている。 Patent Document 1 discloses an apparatus used in the manufacturing process of flat panel displays such as liquid crystal displays, plasma displays, and organic EL displays, and performing various processes such as film formation, ion implantation, or etching on glass substrates. Flat panel display manufacturing equipment is known. The flat panel display manufacturing apparatus of Patent Document 1 includes a processing chamber for performing various types of processing, and a transfer path forming a loading/unloading path for loading/unloading a glass substrate into/from the processing chamber. It is in a high vacuum state. Further, on the outer wall surface of the vacuum vessel that constitutes the transport path, a static eliminator is arranged to eliminate static electricity from the glass substrate that has been charged due to friction with other objects or peeling electrification phenomenon during transport or positioning of the glass substrate. This static eliminator has a plasma chamber that generates plasma from an inert gas, supplies the generated plasma into a vacuum vessel, and exposes the charged glass substrate to the plasma to eliminate static from the glass substrate. In the flat panel display manufacturing apparatus of Patent Document 1, during the process of sequentially transporting a plurality of glass substrates, plasma is always supplied from the static eliminator into the vacuum vessel, or the potential of the glass substrates is measured. It is configured to be performed when the result exceeds the standard value.

従来のフラットパネルディスプレイ製造装置においては、除電装置から真空容器内へのプラズマの供給が常に行われていたため、複数のガラス基板を順次搬送して除電する過程において、プラズマ室から真空容器内に流出する不活性ガスによって真空容器の内圧が徐々に高まり、経時的に真空容器内の真空度が低下するという課題があった。また、ガラス基板の電位が基準値を超えていた場合にのみプラズマを供給する場合であっても、ガラス基板が除電され、当該ガラス基板が真空容器から搬出されるまでの間、常に不活性ガスがプラズマ室に供給されていたため、プラズマ室から真空容器内に流出する不活性ガスの量が多く、真空容器内の真空度が低下するという課題があった。すなわち、特許文献1のフラットパネルディスプレイ製造装置においては、搬送路内の内圧を所定値以下に維持する、換言すれば、真空度を所定値以上に維持することが難しいという課題があった。 In the conventional flat panel display manufacturing apparatus, plasma was constantly supplied from the static eliminator into the vacuum chamber. There is a problem that the internal pressure of the vacuum vessel gradually increases due to the inert gas, and the degree of vacuum in the vacuum vessel decreases over time. In addition, even when plasma is supplied only when the potential of the glass substrate exceeds the reference value, the inert gas is always applied until the glass substrate is removed from the vacuum vessel and the glass substrate is removed from the vacuum vessel. was supplied to the plasma chamber, a large amount of inert gas flowed out from the plasma chamber into the vacuum chamber, resulting in a decrease in the degree of vacuum in the vacuum chamber. That is, in the flat panel display manufacturing apparatus of Patent Document 1, there is a problem that it is difficult to maintain the internal pressure in the conveying path at a predetermined value or less, in other words, it is difficult to maintain the degree of vacuum at a predetermined value or more.

特開2019-96459JP 2019-96459

本発明は上記課題を解決するものであり、搬送室内を高真空状態に維持しつつガラス基板を除電できる除電装置、および、フラットパネルディスプレイ製造装置を提供することを目的としている。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a static eliminator capable of eliminating static electricity from a glass substrate while maintaining a high-vacuum state in a transfer chamber, and a flat panel display manufacturing apparatus.

本発明における除電装置は、
ガラス基板に所定の処理を施す処理室と、内部を高真空状態とされ、前記処理室に前記ガラス基板を搬入する経路となる搬送室とを備えるフラットパネルディスプレイ製造装置に使用され、前記搬送室の内部にプラズマを供給して前記ガラス基板を除電する除電装置であって、
原料ガスから前記プラズマを生成するプラズマ生成室と、
前記プラズマ生成室への前記原料ガスへの導入を制御するガス制御部と、を備え、
前記ガス制御部は、前記原料ガスの導入が、前記ガラス基板が前記搬送室内の所定位置に到達した時点において開始され、前記ガラス基板の除電が終了するより前に停止されるよう制御することを特徴としている。
The static eliminator in the present invention is
Used in a flat panel display manufacturing apparatus comprising a processing chamber for performing a predetermined process on a glass substrate, and a transfer chamber which has a high vacuum state inside and serves as a route for carrying the glass substrate into the processing chamber, wherein the transfer chamber A static eliminator for neutralizing the glass substrate by supplying plasma to the inside of the
a plasma generation chamber for generating the plasma from the raw material gas;
a gas control unit that controls introduction of the raw material gas into the plasma generation chamber,
The gas control unit performs control such that introduction of the raw material gas is started when the glass substrate reaches a predetermined position in the transfer chamber, and is stopped before static elimination of the glass substrate is completed. Characterized by

この構成によれば、原料ガスは、ガラス基板が搬送室内の所定位置に到達した時点において開始され、ガラス基板の除電が終了するより前に停止されることから、従来と比較して、一枚のガラス基板を除電する過程におけるプラズマ生成室に原料ガスが供給される時間を短くすることができる。したがって、プラズマの生成に寄与しない原料ガスが少なくなり、従来と比較して搬送室内に流出する原料ガスが少なくなることから、搬送室内を高真空状態に維持することができる。 According to this configuration, the raw material gas is started when the glass substrate reaches a predetermined position in the transfer chamber, and is stopped before the static elimination of the glass substrate is completed. The time during which the raw material gas is supplied to the plasma generation chamber in the process of neutralizing the glass substrate can be shortened. Therefore, the raw material gas that does not contribute to the generation of plasma is reduced, and the raw material gas that flows out into the transfer chamber is reduced compared to the conventional case, so that the transfer chamber can be maintained in a high vacuum state.

また、前記ガラス基板の前記搬送室内における位置を検知し得る検知部を備え、前記ガス制御部は、前記検知部の検知結果に基づいて前記原料ガスの導入を開始する構成としてもよい。 Further, a detection unit capable of detecting the position of the glass substrate in the transfer chamber may be provided, and the gas control unit may start introduction of the raw material gas based on the detection result of the detection unit.

この構成によれば、検知部がガラス基板の位置を検知した検知結果に基づいて、プラズマ生成室への原料ガスの導入を開始がされることから、プラズマ生成室への原料ガスの導入を開始するタイミングをより正確に制御できる。したがって、原料ガスがプラズマ生成室に供給される時間をより短くすることができ、搬送室内に流出する原料ガスがさらに少なくなることから、搬送室内を高真空状態より確実に維持することができる。 According to this configuration, the introduction of the raw material gas into the plasma generation chamber is started based on the detection result of the detection of the position of the glass substrate by the detection unit, so the introduction of the raw material gas into the plasma generation chamber is started. more precise control over when Therefore, the time during which the raw material gas is supplied to the plasma generating chamber can be shortened, and the amount of raw material gas flowing out into the transfer chamber is further reduced, so that the inside of the transfer chamber can be reliably maintained at a high vacuum state.

また、前記原料ガスから前記プラズマを生成するためのフィラメントと、
前記原料ガスの前記プラズマ生成室内への導入の開始および停止に伴って、前記フィラメントの通電の開始および停止を制御する電流制御部と、
を備える構成としてもよい。
a filament for generating the plasma from the raw material gas;
a current control unit for controlling start and stop of energization of the filament in accordance with start and stop of introduction of the raw material gas into the plasma generation chamber;
It is good also as a structure provided with.

この構成によれば、原料ガスのプラズマ生成室内への導入の開始および停止に伴ってフィラメントの通電の開始および停止を制御することから、原料ガスがプラズマ生成室に供給されない間におけるフィラメントへの通電が停止され、フィラメントの劣化が抑制される。 According to this configuration, since the start and stop of energization of the filament are controlled in accordance with the start and stop of the introduction of the source gas into the plasma generation chamber, the energization of the filament is performed while the source gas is not supplied to the plasma generation chamber. is stopped, and deterioration of the filament is suppressed.

本発明におけるフラットパネルディスプレイ製造装置は、
ガラス基板に所定の処理を施す処理室と、内部を高真空状態とされ、前記処理室に前記ガラス基板を搬入する経路となる搬送室と、前記搬送室の内部にプラズマを供給して前記ガラス基板を除電し得る除電装置と、を備えるフラットパネルディスプレイ製造装置であって、
前記除電装置は、原料ガスから前記プラズマを生成するプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室への前記原料ガスの導入を制御するガス制御部と、を備え、
前記ガス制御部は、前記原料ガスの導入が、前記ガラス基板が前記搬送室内の所定位置に到達した時点において開始され、前記ガラス基板の除電が終了するより前に停止されるよう制御することを特徴としている。
The flat panel display manufacturing apparatus in the present invention is
a processing chamber for performing a predetermined process on a glass substrate; a transfer chamber whose interior is kept in a high vacuum state and serves as a route for carrying the glass substrate into the processing chamber; A flat panel display manufacturing apparatus comprising a static elimination device capable of eliminating static electricity from a substrate,
The static eliminator comprises a plasma generation chamber for generating the plasma from a raw material gas, and a gas control unit for controlling introduction of the raw material gas into the plasma generation chamber,
The gas control unit performs control such that introduction of the raw material gas is started when the glass substrate reaches a predetermined position in the transfer chamber, and is stopped before static elimination of the glass substrate is completed. Characterized by

この構成によれば、原料ガスは、ガラス基板が搬送室内の所定位置に到達した時点において開始され、ガラス基板の除電が終了するより前に停止されることから、従来と比較して、一枚のガラス基板を除電する過程におけるプラズマ生成室に原料ガスが供給される時間を短くすることができる。したがって、プラズマの生成に寄与しない原料ガスが少なくなり、従来と比較して搬送室内に流出する原料ガスが少なくなることから、搬送室内を高真空状態に維持することができる。 According to this configuration, the raw material gas is started when the glass substrate reaches a predetermined position in the transfer chamber, and is stopped before the static elimination of the glass substrate is completed. The time during which the raw material gas is supplied to the plasma generation chamber in the process of neutralizing the glass substrate can be shortened. Therefore, the raw material gas that does not contribute to the generation of plasma is reduced, and the raw material gas that flows out into the transfer chamber is reduced compared to the conventional case, so that the transfer chamber can be maintained in a high vacuum state.

本発明によれば、搬送室内を高真空状態に維持しつつガラス基板を除電することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, a glass substrate can be static-eliminated, maintaining the inside of a conveyance chamber in a high-vacuum state.

本発明の一実施形態における除電装置、および、フラットパネルディスプレイ製造装置を模式的に示す模式的平面図。1 is a schematic plan view schematically showing a static eliminator and a flat panel display manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG. 除電装置の構成を模式的に示す平面図。The top view which shows the structure of a static elimination apparatus typically.

本発明における一実施形態である除電装置10、および除電装置10を備えるフラットパネルディスプレイ製造装置100について説明する。
フラットパネルディスプレイ製造装置100は、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、有機ELディスプレイ等のフラットパネルディスプレイの製造工程で使用され、ガラス基板Sに対して成膜、イオン注入、またはエッチング等の各種処理を施す装置である。また、除電装置10は、後述するように、キセノンやアルゴン等の不活性ガスである原料ガスGから生成したプラズマPを生成し、生成したプラズマPを搬送室30内のガラス基板Sに向けて供給する装置である。搬送中等において摩擦や剥離によって帯電したガラス基板Sは、除電装置10から供給されたプラズマPに曝されることで除電された後、所定の処理を施されることになる。
A static eliminator 10 as an embodiment of the present invention and a flat panel display manufacturing apparatus 100 including the static eliminator 10 will be described.
The flat panel display manufacturing apparatus 100 is used in the manufacturing process of flat panel displays such as liquid crystal displays, plasma displays, and organic EL displays, and performs various processes such as film formation, ion implantation, and etching on a glass substrate S. is. In addition, as will be described later, the static eliminator 10 generates a plasma P generated from a raw material gas G, which is an inert gas such as xenon or argon, and directs the generated plasma P toward the glass substrate S in the transfer chamber 30. It is a device that supplies The glass substrate S that has been charged due to friction or peeling during transportation or the like is exposed to the plasma P supplied from the static eliminator 10 to be neutralized, and then subjected to a predetermined treatment.

図1に示すように、フラットパネルディスプレイ製造装置100は、ガラス基板Sに対して所定の処理を施す処理室20と、内部を大気圧下と高真空下に置き換え可能な真空予備室40と、処理室20と真空予備室40との間に配置された搬送室30を備えている。また、処理室20と搬送室30の内部は高真空状態とされている。 As shown in FIG. 1, a flat panel display manufacturing apparatus 100 includes a processing chamber 20 for performing predetermined processing on a glass substrate S, a vacuum preliminary chamber 40 whose interior can be exchanged between atmospheric pressure and high vacuum, A transfer chamber 30 is arranged between the processing chamber 20 and the vacuum preliminary chamber 40 . Further, the insides of the processing chamber 20 and the transfer chamber 30 are kept in a high vacuum state.

図1に破線矢印で示すように、ガラス基板Sはフラットパネルディスプレイ製造100内を所定の搬送経路Rに沿って搬送装置(不図示)により搬送される。すなわち、ガラス基板Sは、外部から内部を大気圧下に置かれた真空予備室40に搬入され、真空予備室40の内部を高真空状態とした後、搬送室30内を経由して処理室20内に搬送される。つまり、搬送室30は、処理室20にガラス基板Sを搬入する経路を構成するものである。また、処理室20において所定の処理を施されたガラス基板Sは再び搬送室30に搬出され、真空予備室40を経由して外部に搬出される構成とされている。 As indicated by the dashed arrow in FIG. 1, the glass substrate S is transported along a predetermined transport route R within the flat panel display manufacturing 100 by a transport device (not shown). That is, the glass substrate S is carried from the outside into the pre-vacuum chamber 40 whose interior is placed under the atmospheric pressure, and after the interior of the pre-vacuum chamber 40 is brought into a high vacuum state, the glass substrate S is transferred through the transfer chamber 30 to the processing chamber. 20. That is, the transfer chamber 30 constitutes a route for carrying the glass substrate S into the processing chamber 20 . Further, the glass substrate S that has been subjected to the predetermined processing in the processing chamber 20 is carried out again to the transfer chamber 30 and is carried out to the outside via the vacuum preparatory chamber 40 .

尚、搬送室30は、処理室20にガラス基板Sを搬入する経路を構成するものであればよく、真空予備室40と処理室20との間に配置されるものに限らない。例えば、処理室20とは異なる処理室(不図示)から処理室20への搬送経路となるものであってもよい。また、処理室20において所定の処理を施された後のガラス基板Sは搬送室30とは別の搬送室(不図示)に搬出される構成であってもよい。 The transfer chamber 30 is not limited to being arranged between the pre-vacuum chamber 40 and the processing chamber 20 as long as it constitutes a path for carrying the glass substrate S into the processing chamber 20 . For example, it may serve as a transport path from a processing chamber (not shown) different from the processing chamber 20 to the processing chamber 20 . Further, the glass substrate S after being subjected to a predetermined process in the processing chamber 20 may be transferred to a transfer chamber (not shown) different from the transfer chamber 30 .

また、図1に示すように、フラットパネルディスプレイ製造装置100は、搬送室30に隣接するよう配置された除電装置10を備える。除電装置10は、搬送室30の内部に位置するガラス基板Sに向けてプラズマPを供給することによって帯電したガラス基板Sを除電するものである。 Further, as shown in FIG. 1 , the flat panel display manufacturing apparatus 100 includes a static eliminator 10 arranged adjacent to the transfer chamber 30 . The static eliminator 10 supplies plasma P toward the glass substrate S positioned inside the transfer chamber 30 to eliminate static electricity from the charged glass substrate S. As shown in FIG.

図2に示すように、除電装置10は、搬送室30を構成する外壁31に絶縁版11を介して取り付けられており、キセノンやアルゴンなどの不活性ガスである原料ガスGが蓄えられたガス源18と、ガス源18から導入された原料ガスGからプラズマPを生成するプラズマ生成室13と、ガス源18からプラズマ生成室13への原料ガスGの導入を制御するガス制御部17を備えている。プラズマ生成室13において生成されたプラズマPは、プラズマ生成室13から搬送室30に通じるプラズマ輸送路12を通じてガラス基板Sに供給される構成とされている。 As shown in FIG. 2, the static eliminator 10 is attached to an outer wall 31 constituting a transfer chamber 30 via an insulating plate 11, and is a gas in which a raw material gas G, which is an inert gas such as xenon or argon, is stored. source 18, plasma generation chamber 13 for generating plasma P from raw material gas G introduced from gas source 18, and gas controller 17 for controlling introduction of raw material gas G from gas source 18 to plasma generation chamber 13. ing. The plasma P generated in the plasma generation chamber 13 is configured to be supplied to the glass substrate S through the plasma transport path 12 leading from the plasma generation chamber 13 to the transfer chamber 30 .

図2に示すように、除電装置10は、プラズマ生成室13内に熱電子を放出し、原料ガスGを電離させてプラズマPを生成するためのフィラメント16を備えており、フィラメント16に接続されたフィラメント電源Vf、フィラメント16とプラズマを生成室11との間に接続されたアーク電源Va、およびプラズマ生成室13と搬送室30の外壁31との間に接続された引出電源Veを備えている。プラズマ生成室13の周囲には、プラズマ生成室13の内壁面での電子やイオンの消失を防止するためのカスプ磁場を生成するための永久磁石14が配置されている。 As shown in FIG. 2, the static eliminator 10 includes a filament 16 for emitting thermal electrons into the plasma generation chamber 13 to ionize the raw material gas G to generate the plasma P. filament power supply Vf connected between filament 16 and plasma generation chamber 11; arc power supply Va connected between plasma generation chamber 13 and outer wall 31 of transfer chamber 30; . Permanent magnets 14 for generating a cusp magnetic field for preventing disappearance of electrons and ions on the inner wall surface of the plasma generation chamber 13 are arranged around the plasma generation chamber 13 .

また、プラズマ輸送路12の外周には、プラズマ輸送路12に沿った磁場Bを生成するための一対のコイル15が巻回されており、プラズマPは磁場Bに捕捉され、プラズマ輸送路12の内壁面との消失を避けて搬送室30内に放出される。また、プラズマ輸送路12には、プラズマ輸送路12の開閉を行うためのバルブVが設けられており、バルブVを閉じることによって搬送室30側を真空状態にしたたまプラズマ生成室13側を大気開放して除電装置10をメンテナンスすることが可能となる。 A pair of coils 15 for generating a magnetic field B along the plasma transport path 12 is wound around the outer periphery of the plasma transport path 12, and the plasma P is captured by the magnetic field B, It is discharged into the transfer chamber 30 while avoiding disappearance with the inner wall surface. Further, the plasma transport path 12 is provided with a valve V for opening and closing the plasma transport path 12. By closing the valve V, the transport chamber 30 side is evacuated, and the plasma generation chamber 13 side is exposed to the atmosphere. It is possible to open the static eliminator 10 for maintenance.

図1および図2に示すように、除電装置10は、搬送経路Rに沿って搬送されるガラス基板Sが搬送室30内の所定位置Aに到達したことを検知しうる検知部19をさらに備えている。本実施形態においては、検知部19は光学センサーから構成されている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the static eliminator 10 further includes a detector 19 capable of detecting that the glass substrate S transported along the transport path R has reached a predetermined position A within the transport chamber 30. ing. In this embodiment, the detection unit 19 is composed of an optical sensor.

本実施形態においては、搬送室30内をガラス基板Sが順次搬送されていく過程において、すなわち、複数枚のガラス基板Sに対して順次除電を行う過程において、フィラメント電源Vf、アーク電源Va、および引出電源Veの各電源は常にオンの状態とされている。 In the present embodiment, in the process of sequentially transporting the glass substrates S in the transport chamber 30, that is, in the process of sequentially removing static electricity from the plurality of glass substrates S, the filament power supply Vf, the arc power supply Va, and the Each power source of the extraction power source Ve is always on.

また、ガス制御部17は、ガス源18からプラズマ生成室13への原料ガスGの導入の開始および停止が、各ガラス基板Sを除電する度に繰り返されるよう制御を行うものである。すなわち、本発明は、複数枚のガラス基板Sに対して順次除電を行う過程において、原料ガスGがプラズマ生成室13へ必要最小限あるいはそれに近い時間だけ供給されるよう制御されることにより、搬送室30内に流出する原料ガスGの量を最小限に抑え、搬送室30内の高真空状態を長時間にわたって維持できるようにするものである。 Further, the gas control unit 17 performs control such that starting and stopping of introduction of the raw material gas G from the gas source 18 into the plasma generation chamber 13 are repeated every time each glass substrate S is neutralized. That is, in the present invention, in the process of sequentially removing static electricity from a plurality of glass substrates S, the raw material gas G is controlled to be supplied to the plasma generation chamber 13 only for the minimum necessary time or a time period close to that. The amount of raw material gas G flowing out into the chamber 30 is minimized, and the high vacuum state in the transfer chamber 30 can be maintained for a long period of time.

次に、本実施形態における除電装置10およびフラットパネルディスプレイ製造装置100の動作について説明する。
まず、搬送経路Rに沿ってガラス基板Sが搬送室30内を搬送される過程において、検知部19により、ガラス基板Sが所定位置Aに到達したことが検知される。すると、検知部19の検知結果がガス制御部17に伝えられ、ガス制御部17によりプラズマ生成室13への原料ガスGの導入が開始される。そして、原料ガスGの供給開始から所定時間(1秒から1.5秒程度)経過した後、プラズマ生成室13への原料ガスGの導入を停止する。このガス制御部17がプラズマ生成室13への原料ガスGの導入を停止するタイミングは、ガラス基板Sを除電するのに十分なプラズマがガラス基板Sに向けて供給され、ガラス基板Sに帯電した電荷が除去されたと考えられるタイミングより前に設定されている。すなわち、ガス制御部17は、ガラス基板Sの除電が終了するより前に、プラズマ生成室13への原料ガスGの導入を停止する。
Next, operations of the static eliminator 10 and the flat panel display manufacturing apparatus 100 in this embodiment will be described.
First, in the process in which the glass substrate S is transported along the transport path R within the transport chamber 30 , the detector 19 detects that the glass substrate S has reached the predetermined position A. As shown in FIG. Then, the detection result of the detection unit 19 is transmitted to the gas control unit 17 , and the introduction of the source gas G into the plasma generation chamber 13 is started by the gas control unit 17 . Then, after a predetermined time (approximately 1 second to 1.5 seconds) has passed since the supply of the raw material gas G was started, the introduction of the raw material gas G into the plasma generation chamber 13 is stopped. The timing at which the gas control unit 17 stops the introduction of the source gas G into the plasma generation chamber 13 is when plasma sufficient to neutralize the glass substrate S is supplied toward the glass substrate S and the glass substrate S is charged. It is set before the timing when the charge is considered to be removed. That is, the gas control unit 17 stops introducing the raw material gas G into the plasma generation chamber 13 before the charge removal of the glass substrate S is completed.

除電されたガラス基板Sは、処理室20に搬入されて所定の処理を施される。その後、新たなガラス基板Sが順次搬送室30内を搬送され、各ガラス基板Sが所定位置Aに到達する度に上記の動作が繰り返される。 The glass substrate S from which static electricity has been removed is carried into the processing chamber 20 and subjected to predetermined processing. After that, new glass substrates S are successively transported in the transport chamber 30, and the above operation is repeated every time each glass substrate S reaches the predetermined position A. As shown in FIG.

プラズマ生成室13に導入された原料は、フィラメント16から放出された熱電子によって電離されてプラズマPとなった後、搬送室30内のガラス基板Sに向けて供給され、ガラス基板Sを除電する。すなわち、原料ガスGがプラズマ生成室13に供給された後、プラズマとなって搬送室30内に供給され、ガラス基板Sの除電が終了するまでには時間差が生じる。したがって、仮に、ガラス基板Sの除電が終了した時点でプラズマ生成室13への原料ガスGの導入が停止される構成とすると、前述の時間差の間は、ガラス基板Sの除電に実施的に寄与しない余分な原料ガスGがプラズマ生成室13に供給されることになる。この余分な原料ガスGの少なくとも一部が搬送室30内に漏れ出すと搬送室30の内圧を徐々に高めることになり、真空容器内の真空度が低下していくことになる。 The raw material introduced into the plasma generation chamber 13 is ionized by thermoelectrons emitted from the filament 16 to become plasma P, and then supplied toward the glass substrate S in the transfer chamber 30 to neutralize the glass substrate S. . That is, after the raw material gas G is supplied to the plasma generation chamber 13, it becomes plasma and is supplied into the transfer chamber 30, and there is a time lag until the static elimination of the glass substrate S is completed. Therefore, if the introduction of the raw material gas G into the plasma generation chamber 13 is stopped at the time when the static elimination of the glass substrate S is completed, the above-described time difference effectively contributes to the static elimination of the glass substrate S. Excess raw material gas G is supplied to the plasma generation chamber 13 . When at least a portion of the excess raw material gas G leaks into the transfer chamber 30, the internal pressure of the transfer chamber 30 is gradually increased, and the degree of vacuum within the vacuum vessel is lowered.

これに対し、本実施形態の除電装置10およびフラットパネルディスプレイ製造装置100では、一枚のガラス基板Sの除電に必要なプラズマPを生成し得る量の原料ガスGがプラズマ生成室13に導入された時点においてガス制御部17は原料ガスGの供給を停止するよう構成されている。すなわち、ガス制御部17はガラス基板Sの除電が終了するより前に、プラズマ生成室13への原料ガスGの導入を停止する制御を行っている。したがって、従来と比較して、一枚のガラス基板Sを除電する過程における、プラズマ生成室13に原料ガスGが供給される時間が短くなり、プラズマPの生成に寄与しない原料ガスGがプラズマ生成室13に流出することが抑制される。その結果、流出した原料ガスGによって搬送室30の内圧が徐々に高まることが抑制され、搬送室内を高真空状態に維持しつつガラス基板を除電することができる。 On the other hand, in the static eliminator 10 and the flat panel display manufacturing apparatus 100 of the present embodiment, the source gas G is introduced into the plasma generation chamber 13 in an amount capable of generating the plasma P necessary for static elimination of one glass substrate S. The gas control unit 17 is configured to stop the supply of the raw material gas G at the point in time. That is, the gas control unit 17 performs control to stop the introduction of the raw material gas G into the plasma generation chamber 13 before the charge removal of the glass substrate S is completed. Therefore, compared with the conventional art, the time during which the raw material gas G is supplied to the plasma generation chamber 13 in the process of removing static electricity from one glass substrate S is shortened, and the raw material gas G that does not contribute to the generation of the plasma P is used to generate the plasma. Outflow to the chamber 13 is suppressed. As a result, the gradual increase in the internal pressure of the transfer chamber 30 due to the outflowing raw material gas G is suppressed, and the static electricity of the glass substrate can be removed while maintaining the transfer chamber in a high-vacuum state.

尚、検知部19は、ガラス基板Sが所定位置Aに到達したことを検知するものに限らない。例えば、検知部19は、搬送経路Rのおける所定位置Aよりも手前の位置でガラス基板Sが到達したことを検知する構成としてもよい。この場合、ガス制御部17は、ガラス基板Sを検知する検知から所定位置Aへ移動するのに要する時間に基づいて原料ガスGの導入を開始する。すなわち、ガス制御部17は、検知部19の検知結果に基づいてプラズマ生成室13への原料ガスGの導入を開始するものであればよく、結果として、ガラス基板Sが搬送室30内の所定位置Aに到達した時点において原料ガスGの導入を開始するものであればよい。 Note that the detection unit 19 is not limited to detecting that the glass substrate S has reached the predetermined position A. For example, the detection unit 19 may be configured to detect that the glass substrate S has arrived at a position before the predetermined position A on the transport path R. In this case, the gas control unit 17 starts introducing the raw material gas G based on the time required for the glass substrate S to move to the predetermined position A from detection. That is, the gas control unit 17 only needs to start introducing the raw material gas G into the plasma generation chamber 13 based on the detection result of the detection unit 19. It is sufficient if the introduction of the raw material gas G is started when the position A is reached.

また、図2に示すように、本実施形態の除電装置10およびフラットパネルディスプレイ製造装置100においては、フィラメント16に流れる電流を制御する電流制御部50を備える構成としてもよい。電流制御部50は、フィラメント16が通電している間、引出電源Veを流れる引出電流Ieの値が一定となるよう、または、常に目標値に近づくよう制御を行っており、除電装置10は電流制御部50を備えることにより搬送室30内に安定してプラズマPを供給することができる。 Further, as shown in FIG. 2 , the static eliminator 10 and the flat panel display manufacturing apparatus 100 of the present embodiment may be configured to include a current control section 50 that controls the current flowing through the filament 16 . While the filament 16 is energized, the current control unit 50 performs control so that the value of the extraction current Ie flowing through the extraction power supply Ve is constant or always approaches a target value. Plasma P can be stably supplied into the transfer chamber 30 by providing the controller 50 .

本実施形態においては、フィラメント電源Vfは常にオンの状態とされているものであるが、電流制御部50がフィラメント電源Vfのオン・オフを制御して、フィラメント16の通電を制御するものであってもよい。この場合、一例として、電流制御部50はフィラメント16への通電を、ガス制御部17がプラズマ生成室13への原料ガスGの供給を開始した時点から所定時間(0.5秒程度)経過後に開始し、ガス制御部17がプラズマ生成室13への原料ガスGの供給を停止した時点から所定時間(0.5秒程度)経過後に停止する制御を行う。したがって、電流制御部50は、原料ガスGのプラズマ生成室13内への導入の開始および停止に伴ってフィラメントの通電の開始および停止を制御することから、原料ガスGが供給されない間はフィラメントへの通電が停止されるため、フィラメント16を常に通電させる場合と比較してフィラメント16の劣化が抑制される。 In this embodiment, the filament power supply Vf is always on, but the current control unit 50 controls the on/off of the filament power supply Vf to control the energization of the filament 16. may In this case, as an example, the current control unit 50 energizes the filament 16 after a predetermined time (about 0.5 seconds) has passed since the gas control unit 17 started supplying the raw material gas G to the plasma generation chamber 13. After a predetermined time (approximately 0.5 seconds) has elapsed since the gas control unit 17 stopped supplying the raw material gas G to the plasma generation chamber 13, control is performed to stop the supply. Therefore, the current control unit 50 controls the start and stop of energization of the filament as the introduction of the source gas G into the plasma generation chamber 13 is started and stopped. is stopped, deterioration of the filament 16 is suppressed compared to the case where the filament 16 is constantly energized.

前述のように、本実施形態の除電装置10およびフラットパネルディスプレイ製造装置100は、処理室20に搬送される複数のガラス基板Sを順次除電する場合であっても、プラズマPは各ガラス基板Sが所定位置Aに到達したタイミングで間欠的に供給されることになる。つまり、一枚のガラス基板Sを除電するために供給される原料ガスG、および生成されるプラズマPは最小限に必要な程度にごくわずかなものとなり、搬送室20内の内圧が所定値を超えることなく高真空状態に維持することができる。 As described above, the static eliminator 10 and the flat panel display manufacturing apparatus 100 of the present embodiment, even when the plurality of glass substrates S transported to the processing chamber 20 are sequentially statically eliminated, the plasma P is generated on each glass substrate S is intermittently supplied at the timing when reaches the predetermined position A. That is, the raw material gas G supplied for neutralizing the single glass substrate S and the plasma P generated are extremely small to the minimum necessary extent, and the internal pressure in the transfer chamber 20 does not exceed a predetermined value. It can be maintained in a high vacuum state without exceeding.

また、本実施形態においては、プラズマPはフィラメント16から放出される熱電子により原料ガスGが電離されて生成するものであるが、原料ガスGからプラズマPを生成する方法はこれに限定されるものではない。例えば、プラズマ生成室13に導波管等によってマイクロ波を導入し、マイクロ波のエネルギーによって原料ガスGを電離させる構成であってもよい。 In the present embodiment, the plasma P is generated by ionizing the raw material gas G by thermal electrons emitted from the filament 16, but the method of generating the plasma P from the raw material gas G is limited to this. not a thing For example, microwaves may be introduced into the plasma generation chamber 13 through a waveguide or the like, and the material gas G may be ionized by the energy of the microwaves.

また、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であることは言うまでもない。 Further, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and that various modifications are possible without departing from the spirit of the present invention.

S ガラス基板
G 原料ガス
P プラズマ
A 所定位置
10 除電装置
100 フラットパネルディスプレイ製造装置
13 プラズマ生成室
16 フィラメント
17 ガス制御部
18 ガス源
19 検知部
20 処理室
30 搬送室
40 真空予備室
50 電流制御部

S Glass substrate G Raw material gas P Plasma A Predetermined position 10 Static eliminator 100 Flat panel display manufacturing apparatus 13 Plasma generation chamber 16 Filament 17 Gas control unit 18 Gas source 19 Detection unit 20 Processing chamber 30 Transfer chamber 40 Pre-vacuum chamber 50 Current control unit

Claims (4)

ガラス基板に所定の処理を施す処理室と、内部を高真空状態とされ、前記処理室に前記ガラス基板を搬入する経路となる搬送室とを備えるフラットパネルディスプレイ製造装置に使用され、前記搬送室の内部にプラズマを供給して前記ガラス基板を除電する除電装置であって、
原料ガスから前記プラズマを生成するプラズマ生成室と、
通電されて前記プラズマ生成室内に熱電子を放出するフィラメントと、
前記プラズマ生成室への前記原料ガスの導入を制御するガス制御部と、を備え、
前記ガス制御部は、前記原料ガスの導入が、前記ガラス基板が前記搬送室内の所定位置に到達した時点において開始され、前記ガラス基板の除電が終了するより前であり、前記原料ガスの供給開始から所定時間経過後に停止されるよう制御し、
前記ガス制御部が前記原料ガスの供給を停止した時点において前記フィラメントは通電されていることを特徴とする除電装置。
Used in a flat panel display manufacturing apparatus comprising a processing chamber for performing a predetermined process on a glass substrate, and a transfer chamber which has a high vacuum state inside and serves as a route for carrying the glass substrate into the processing chamber, wherein the transfer chamber A static eliminator for neutralizing the glass substrate by supplying plasma to the inside of the
a plasma generation chamber for generating the plasma from the raw material gas;
a filament that is energized to emit thermoelectrons into the plasma generation chamber;
a gas control unit that controls introduction of the raw material gas into the plasma generation chamber;
The gas control unit starts the introduction of the raw material gas when the glass substrate reaches a predetermined position in the transfer chamber, before the completion of static elimination of the glass substrate, and starts the supply of the raw material gas. Control to stop after a predetermined time has elapsed from
A static eliminator , wherein the filament is energized when the gas control unit stops the supply of the raw material gas .
前記ガラス基板の前記搬送内における位置を検知し得る検知部を備え、
前記ガス制御部は、前記検知部の検知結果に基づいて前記原料ガスの導入を開始することを特徴とする請求項1に記載の除電装置。
A detection unit capable of detecting the position of the glass substrate in the transfer chamber ,
2. The static eliminator according to claim 1, wherein the gas control unit starts introducing the source gas based on the detection result of the detection unit.
記原料ガスの前記プラズマ生成室内への導入の開始および停止に伴って、前記フィラメントの通電の開始および停止を制御する電流制御部をさらに備え、
前記電流制御部は、前記ガス制御部が前記プラズマ生成室への前記原料ガスの供給を停止した時点から所定時間経過後に、前記フィラメントへの通電を停止することを特徴とする請求項1または2に記載の除電装置。
further comprising a current control unit for controlling start and stop of energization of the filament in accordance with start and stop of introduction of the raw material gas into the plasma generation chamber;
3. The current control unit stops energizing the filament after a predetermined time has passed since the gas control unit stopped supplying the raw material gas to the plasma generation chamber. The static eliminator according to .
ガラス基板に所定の処理を施す処理室と、内部を高真空状態とされ、前記処理室に前記ガラス基板を搬入する経路となる搬送室と、前記搬送室の内部にプラズマを供給して前記ガラス基板を除電し得る除電装置と、を備えるフラットパネルディスプレイ製造装置であって、
前記除電装置は、原料ガスから前記プラズマを生成するプラズマ生成室と、通電されて前記プラズマ生成室内に熱電子を放出するフィラメントと、前記プラズマ生成室への前記原料ガスの導入を制御するガス制御部と、を備え、
前記ガス制御部は、前記原料ガスの導入が、前記ガラス基板が前記搬送内の所定位置に到達した時点において開始され、前記ガラス基板の除電が終了するより前であり、前記原料ガスの供給開始から所定時間経過後に停止されるよう制御し、
前記ガス制御部が前記原料ガスの供給を停止した時点において前記フィラメントは通電されていることを特徴とするフラットパネルディスプレイ製造装置。
a processing chamber for performing a predetermined process on a glass substrate; a transfer chamber whose interior is kept in a high vacuum state and serves as a route for carrying the glass substrate into the processing chamber; A flat panel display manufacturing apparatus comprising a static elimination device capable of eliminating static electricity from a substrate,
The static eliminator includes a plasma generation chamber for generating the plasma from a raw material gas, a filament that is energized to emit thermal electrons into the plasma generation chamber, and a gas controller that controls introduction of the raw material gas into the plasma generation chamber. and
The gas control unit starts the introduction of the raw material gas when the glass substrate reaches a predetermined position in the transfer chamber , before the completion of static elimination of the glass substrate, and supplies the raw material gas. Control to stop after a predetermined time has elapsed from the start ,
The flat panel display manufacturing apparatus , wherein the filament is energized when the gas control section stops the supply of the raw material gas .
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