JP7331440B2 - Semiconductor switching element drive circuit and multi-level power converter - Google Patents

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Description

本発明は、半導体スイッチング素子駆動回路及びマルチレベル電力変換器に関する。 The present invention relates to semiconductor switching element drive circuits and multilevel power converters.

特許文献1には、半導体スイッチング素子を用いて負荷駆動用電源から供給される入力電圧をスイッチングし、所定の出力電圧を出力するマルチレベル電力変換器が開示されている。 Patent Document 1 discloses a multi-level power converter that switches an input voltage supplied from a load driving power supply using a semiconductor switching element and outputs a predetermined output voltage.

近年、電力変換器に用いられる半導体スイッチング素子として、高速スイッチング、大電流駆動及び高耐圧を可能にする化合物半導体スイッチング素子(例えば、GaNデバイスやSiCデバイス等)が開発されており、その中でもノーマリーオフ型の半導体スイッチング素子が利用されつつある。 In recent years, compound semiconductor switching elements (for example, GaN devices, SiC devices, etc.) that enable high-speed switching, large-current driving, and high withstand voltage have been developed as semiconductor switching elements used in electric power converters. Off-type semiconductor switching elements are being used.

このノーマリーオフ型の半導体スイッチング素子は、通常のシリコンを主体とした構成の半導体スイッチング素子に比べると閾値電圧が低い。そのため、確実に半導体スイッチング素子を遮断状態に制御するには制御端子に負電圧を印加する必要がある。
すなわち、閾値電圧が低い半導体スイッチング素子をスイッチング制御するには、駆動電圧として正電圧の他に負電圧を生成する必要がある。
This normally-off type semiconductor switching element has a lower threshold voltage than an ordinary semiconductor switching element mainly composed of silicon. Therefore, it is necessary to apply a negative voltage to the control terminal in order to reliably control the semiconductor switching element to the cutoff state.
That is, in order to perform switching control of a semiconductor switching element with a low threshold voltage, it is necessary to generate a negative voltage as well as a positive voltage as a driving voltage.

特開2009-177951号公報JP 2009-177951 A

そのため、上記特許文献1に記載のマルチレベル電力変換器において、負電圧を生成するには、新たな電源を追加する必要がある。その結果、装置が大型化し、高コストになる。 Therefore, in the multi-level power converter described in Patent Literature 1, a new power supply needs to be added in order to generate a negative voltage. As a result, the size of the device increases and the cost increases.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的は、マルチレベル電力変換器の半導体スイッチング素子を駆動するにあたって、新たな電源を追加することなく負電圧を生成することである。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and its object is to generate a negative voltage without adding a new power supply when driving a semiconductor switching element of a multilevel power converter. .

(1)本発明の一態様は、マルチレベル電力変換器に設けられたn個(nは4以上の整数)の半導体スイッチング素子を駆動する半導体スイッチング素子駆動回路であって、前記半導体スイッチング素子ごとに設けられた複数の駆動回路を備え、前記各駆動回路は、前記半導体スイッチング素子を導通状態にするための正電圧を生成する第1のコンデンサと、第1の端部が前記第1のコンデンサの第1の端部に接続されている第2のコンデンサと、充電状態の前記第2のコンデンサから放電された電力を充電することで前記半導体スイッチング素子を遮断状態にするための負電圧を生成する第3のコンデンサと、前記第1のコンデンサの第1の端部と前記半導体スイッチング素子の制御端子とを接続することにより前記正電圧を前記半導体スイッチング素子の制御端子に印加して前記半導体スイッチング素子を導通状態とする導通用駆動回路と、前記第3のコンデンサの第1の端部と前記制御端子とを接続することにより前記負電圧を前記半導体スイッチング素子の制御端子に印加して前記半導体スイッチング素子を遮断状態とする遮断用駆動回路と、を備えることを特徴とする半導体スイッチング素子駆動回路である。 (1) One aspect of the present invention is a semiconductor switching element drive circuit for driving n (n is an integer equal to or greater than 4) semiconductor switching elements provided in a multilevel power converter, wherein each of the semiconductor switching elements each of the drive circuits includes a first capacitor for generating a positive voltage for making the semiconductor switching element conductive, and a first end connected to the first capacitor. a second capacitor connected to the first end of and charging power discharged from the second capacitor in a charged state to generate a negative voltage for turning off the semiconductor switching element. and a first end of the first capacitor and a control terminal of the semiconductor switching element are connected to apply the positive voltage to the control terminal of the semiconductor switching element to perform the semiconductor switching. The negative voltage is applied to the control terminal of the semiconductor switching element by connecting the first end of the third capacitor and the control terminal to a conduction drive circuit that brings the element into conduction. A semiconductor switching element drive circuit, comprising: a circuit for breaking the switching element into a cut-off state.

(2)上記(1)の半導体スイッチング素子駆動回路であって、前記第3のコンデンサは、第1の端部が前記第2のコンデンサの第2の端部に接続され、充電状態の前記第2のコンデンサの第1の端部と前記第3のコンデンサの第2の端部とを接続することにより前記第3のコンデンサを充電させる充電回路と、を備えてもよい。 (2) In the semiconductor switching element drive circuit of (1) above, the third capacitor has a first end connected to a second end of the second capacitor, and the third capacitor in a charged state. a charging circuit for charging the third capacitor by connecting the first end of the second capacitor and the second end of the third capacitor.

(3)上記(2)の半導体スイッチング素子駆動回路であって、前記充電回路は、導通状態の前記半導体スイッチング素子を経由して前記第3のコンデンサを充電させてもよい。 (3) In the semiconductor switching element drive circuit of (2) above, the charging circuit may charge the third capacitor via the conducting semiconductor switching element.

(4)上記(1)から上記(3)のいずれかの半導体スイッチング素子駆動回路であって、正極性の制御用電源をさらに備え、前記複数の駆動回路は、第1~第nの駆動回路を備え、前記第m(mは1以上かつn未満の整数)の駆動回路に設けられた前記第1のコンデンサの第1の端部と、前記第(m+1)の駆動回路に設けられた前記第1のコンデンサの第1の端部とは、ダイオードを介して接続されており、前記第1の駆動回路に設けられた前記第1のコンデンサの第1の端部は、前記制御用電源の正極端子に接続されていてもよい。 (4) The semiconductor switching element drive circuit according to any one of (1) to (3) above, further comprising a positive control power source, wherein the plurality of drive circuits are first to n-th drive circuits. a first end of the first capacitor provided in the m-th (m is an integer of 1 or more and less than n) drive circuit, and the (m+1)-th drive circuit provided in the The first end of the first capacitor is connected via a diode, and the first end of the first capacitor provided in the first drive circuit is connected to the control power supply. It may be connected to the positive terminal.

(5)上記(1)から上記(4)のいずれかの半導体スイッチング素子駆動回路と、前記半導体スイッチング素子駆動回路により駆動されるn個の半導体スイッチング素子と、を備えるマルチレベル電力変換器である。 (5) A multi-level power converter comprising the semiconductor switching element drive circuit according to any one of (1) to (4) above, and n semiconductor switching elements driven by the semiconductor switching element drive circuit. .

以上説明したように、本発明によれば、マルチレベル電力変換器の半導体スイッチング素子を駆動するにあたって、新たな電源を追加することなく負電圧を生成することができる。 As described above, according to the present invention, a negative voltage can be generated without adding a new power supply when driving semiconductor switching elements of a multilevel power converter.

本実施形態に係るマルチレベル電力変換器Aの概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram of a multilevel power converter A according to this embodiment; FIG. 本実施形態に係る半導体スイッチング素子駆動回路6の回路図である。2 is a circuit diagram of a semiconductor switching element drive circuit 6 according to this embodiment; FIG. 本実施形態におけるマルチレベル電力変換器Aの出力電圧V及び出力電流Iの波形図である。4 is a waveform diagram of output voltage V and output current I of multilevel power converter A in this embodiment. FIG. 本実施形態に係る動作パターン(1)を示す図である。It is a figure which shows the operation pattern (1) which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る動作パターン(2)を示す図である。It is a figure which shows the operation pattern (2) which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る動作パターン(3)を示す図である。It is a figure which shows the operation pattern (3) which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る動作パターン(4)を示す図である。It is a figure which shows the operation pattern (4) which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る第1の動作モードを示す図である。It is a figure which shows the 1st operation mode which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る第2の動作モードを示す図である。It is a figure which shows the 2nd operation mode which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る第3の動作モードを示す図である。It is a figure which shows the 3rd operation mode which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る第4の動作モードを示す図である。It is a figure which shows the 4th operation mode which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る第5の動作モードを示す図である。It is a figure which shows the 5th operation mode which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る第1の状態のときの半導体スイッチング素子駆動回路6の動作の流れを示す説明図である。4 is an explanatory diagram showing the flow of operation of the semiconductor switching element drive circuit 6 in the first state according to the embodiment; FIG. 本実施形態に係る第2の状態のときの半導体スイッチング素子駆動回路6の動作の流れを示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing the flow of operation of the semiconductor switching element drive circuit 6 in the second state according to the embodiment; 本実施形態に係る第3の状態のときの半導体スイッチング素子駆動回路6の動作の流れを示す説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram showing the flow of operation of the semiconductor switching element drive circuit 6 in the third state according to the embodiment; 本実施形態に係る第4の状態のときの半導体スイッチング素子駆動回路6の動作の流れを示す説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram showing the flow of operation of the semiconductor switching element drive circuit 6 in the fourth state according to the embodiment;

以下に、本実施形態に係る半導体スイッチング素子駆動回路を備えたマルチレベル電力変換器Aについて、説明する。 A multi-level power converter A including a semiconductor switching element drive circuit according to this embodiment will be described below.

本実施形態に係るマルチレベル電力変換器Aは、3レベルの電圧を出力するマルチレベルインバータである。ただし、これに限定されず、マルチレベル電力変換器Aは、3以上のレベルの電圧を出力するマルチレベルインバータ又はマルチレベルコンバータであればよい。
本実施形態のマルチレベル電力変換器Aは、ダイオードクランプ方式の3レベルNPC(Neutral Point Clamped)インバータである。ただし、これに限定されず、マルチレベル電力変換器Aは、フライングキャパシタ方式であってもよい。
The multilevel power converter A according to this embodiment is a multilevel inverter that outputs voltages of three levels. However, the multilevel power converter A is not limited to this, and may be a multilevel inverter or a multilevel converter that outputs three or more levels of voltage.
The multi-level power converter A of this embodiment is a three-level NPC (Neutral Point Clamped) inverter of a diode clamp system. However, without being limited to this, the multi-level power converter A may be of a flying capacitor type.

以下に、本実施形態に係るマルチレベル電力変換器Aの構成について、図1を用いて説明する。図1は、本実施形態に係るマルチレベル電力変換器Aの概略構成図である。 The configuration of the multilevel power converter A according to this embodiment will be described below with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a multilevel power converter A according to this embodiment.

図1に示すように、第1の入力端子P、第2の入力端子N、第3の入力端子NP、出力端子OUT、n(nは4以上の整数)個のスイッチング素子SW、コンデンサC1、コンデンサC2、ダイオードD1、ダイオードD2、制御信号発生部5及び半導体スイッチング素子駆動回路6を備える。 As shown in FIG. 1, a first input terminal P, a second input terminal N, a third input terminal NP, an output terminal OUT, n (n is an integer equal to or greater than 4) switching elements SW, a capacitor C1, A capacitor C2, a diode D1, a diode D2, a control signal generator 5, and a semiconductor switching element drive circuit 6 are provided.

第1の入力端子Pは、第1の直流電源100の正極端子に接続される。第1の直流電源100は、電力変換器Aからモータ等の負荷に供給される電力の供給源である。
第2の入力端子Nは、第1の直流電源100の負極端子に接続される。
第3の入力端子NPは、第1の直流電源100の中間電位点に接続される。ただし、これに限定されず、第3の入力端子NPは、グランドに接続されてもよい。
The first input terminal P is connected to the positive terminal of the first DC power supply 100 . The first DC power supply 100 is a supply source of power supplied from the power converter A to a load such as a motor.
A second input terminal N is connected to the negative terminal of the first DC power supply 100 .
A third input terminal NP is connected to an intermediate potential point of the first DC power supply 100 . However, it is not limited to this, and the third input terminal NP may be connected to the ground.

出力端子OUTは、3レベルの電圧を出力する端子である。出力端子OUTは、上記負荷に接続される。 The output terminal OUT is a terminal for outputting three levels of voltage. The output terminal OUT is connected to the load.

n個のスイッチング素子SWは、第1の入力端子Pと第2の入力端子Nとの間において、直列に接続されている。なお、本実施形態では、マルチレベル電力変換器Aは、3レベルの電圧を出力するマルチレベルインバータであるため、n=4である。すなわち、出力電圧のレベル数をK(3以上の整数)とした場合には、n=2K-2となる。 Between the first input terminal P and the second input terminal N, n switching elements SW are connected in series. In addition, in this embodiment, since the multilevel power converter A is a multilevel inverter that outputs voltages of three levels, n=4. That is, when the number of levels of the output voltage is K (integer of 3 or more), n=2K-2.

本実施形態に係るn個のスイッチング素子SWは、スイッチング素子SW1~SW4を備える。
スイッチング素子SW1~SW4は、第1の入力端子Pと第2の入力端子Nとの間において、直列に接続されている。各スイッチング素子SW1~SW4は、半導体スイッチング素子駆動回路6から供給されるゲート電圧に基づいてオン又オフする半導体スイッチング素子である。これにより、マルチレベル電力変換器Aは、第1の直流電源100から供給される入力電圧を所望のレベルの電圧に変換して負荷に出力する。
The n switching elements SW according to this embodiment include switching elements SW1 to SW4.
The switching elements SW1 to SW4 are connected in series between the first input terminal P and the second input terminal N. As shown in FIG. Each of the switching elements SW1 to SW4 is a semiconductor switching element that is turned on or off based on the gate voltage supplied from the semiconductor switching element driving circuit 6. FIG. As a result, the multilevel power converter A converts the input voltage supplied from the first DC power supply 100 into a voltage of a desired level and outputs the voltage to the load.

例えば、各スイッチング素子SW1~SW4は、MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、SiC(炭化珪素)やGaN(窒化ガリウム)等のワイドギャップ半導体のスイッチング素子等である。本実施形態では、各スイッチング素子SW1~SW4は、n型のMOSFETである場合について、説明する。 For example, the switching elements SW1 to SW4 are wide-gap semiconductor switching elements such as MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor), IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), SiC (silicon carbide), GaN (gallium nitride), and the like. etc. In this embodiment, the switching elements SW1 to SW4 are n-type MOSFETs.

スイッチング素子SW1のドレイン端子は、スイッチング素子SW2のソース端子に接続されている。スイッチング素子SW1のソース端子は、第2の入力端子Nに接続されている。スイッチング素子SW1のゲート端子は、半導体スイッチング素子駆動回路6に接続されている。 A drain terminal of the switching element SW1 is connected to a source terminal of the switching element SW2. A source terminal of the switching element SW1 is connected to the second input terminal N. A gate terminal of the switching element SW1 is connected to the semiconductor switching element drive circuit 6 .

スイッチング素子SW2のドレイン端子は、スイッチング素子SW3のソース端子に接続されている。スイッチング素子SW3のソース端子とスイッチング素子SW2のドレイン端子とは、出力端子OUTに接続されている。
スイッチング素子SW2のソース端子は、スイッチング素子SW1のドレイン端子に接続されている。スイッチング素子SW2のゲート端子は、半導体スイッチング素子駆動回路6に接続されている。
A drain terminal of the switching element SW2 is connected to a source terminal of the switching element SW3. A source terminal of the switching element SW3 and a drain terminal of the switching element SW2 are connected to the output terminal OUT.
A source terminal of the switching element SW2 is connected to a drain terminal of the switching element SW1. A gate terminal of the switching element SW2 is connected to the semiconductor switching element drive circuit 6 .

スイッチング素子SW3のドレイン端子は、スイッチング素子SW4のソース端子に接続されている。スイッチング素子SW3のソース端子は、スイッチング素子SW2のドレイン端子に接続されている。スイッチング素子SW3のゲート端子は、半導体スイッチング素子駆動回路6に接続されている。 A drain terminal of the switching element SW3 is connected to a source terminal of the switching element SW4. A source terminal of the switching element SW3 is connected to a drain terminal of the switching element SW2. A gate terminal of the switching element SW3 is connected to the semiconductor switching element drive circuit 6 .

スイッチング素子SW4のドレイン端子は、第1の入力端子Pに接続されている。スイッチング素子SW4のソース端子は、スイッチング素子SW3のドレイン端子に接続されている。スイッチング素子SW4のゲート端子は、半導体スイッチング素子駆動回路6に接続されている。 A drain terminal of the switching element SW4 is connected to the first input terminal P. As shown in FIG. A source terminal of the switching element SW4 is connected to a drain terminal of the switching element SW3. A gate terminal of the switching element SW4 is connected to the semiconductor switching element drive circuit 6 .

コンデンサC1は、第1の端部が第1の入力端子Pに接続され、第2の端部が第3の入力端子NPに接続されている。
コンデンサC2は、第1の端部がコンデンサC1の第2の端部及び第3の入力端子NPに接続され、第2の端部が第2の入力端子Nに接続されている。
The capacitor C1 has a first end connected to the first input terminal P and a second end connected to the third input terminal NP.
The capacitor C2 has a first end connected to the second end of the capacitor C1 and the third input terminal NP, and a second end connected to the second input terminal N.

ダイオードD1は、アノードが第3の入力端子NPに接続され、カソードがスイッチング素子SW4のソース端子及びスイッチング素子SW3のドレイン端子に接続されている。
ダイオードD2は、カソードが第3の入力端子NPに接続され、アノードがスイッチング素子SW2のソース端子及びスイッチング素子SW1のドレイン端子に接続されている。
The diode D1 has an anode connected to the third input terminal NP and a cathode connected to the source terminal of the switching element SW4 and the drain terminal of the switching element SW3.
The diode D2 has a cathode connected to the third input terminal NP and an anode connected to the source terminal of the switching element SW2 and the drain terminal of the switching element SW1.

制御信号発生部5は、半導体スイッチング素子駆動回路6に接続されている。制御信号発生部5は、半導体スイッチング素子駆動回路6に対して、上記ゲート電圧の生成を指示する制御信号を出力する。制御信号とは、例えば、PWM(pulse width modulation)信号である。 The control signal generator 5 is connected to the semiconductor switching element drive circuit 6 . The control signal generator 5 outputs a control signal to the semiconductor switching element drive circuit 6 to instruct generation of the gate voltage. A control signal is, for example, a PWM (pulse width modulation) signal.

半導体スイッチング素子駆動回路6は、制御信号発生部5から出力される制御信号に基づいて、スイッチング素子SW1~SW4のそれぞれをオン又はオフに制御する。半導体スイッチング素子駆動回路6は、片電源である第2の直流電源7からの出力電圧に基づいて、スイッチング素子SW1~SW4のそれぞれのゲート端子に、ゲート電圧を出力する。 Based on the control signal output from the control signal generator 5, the semiconductor switching element drive circuit 6 controls each of the switching elements SW1 to SW4 to turn on or off. The semiconductor switching element drive circuit 6 outputs a gate voltage to each gate terminal of the switching elements SW1 to SW4 based on the output voltage from the second DC power supply 7 which is a single power supply.

以下において、本実施形態に係る半導体スイッチング素子駆動回路6の具体的な構成について、図2を用いて説明する。図2は、本実施形態に係る半導体スイッチング素子駆動回路6の回路図である。 A specific configuration of the semiconductor switching element drive circuit 6 according to this embodiment will be described below with reference to FIG. FIG. 2 is a circuit diagram of the semiconductor switching element drive circuit 6 according to this embodiment.

図2に示すように、半導体スイッチング素子駆動回路6は、第2の直流電源7及び複数の駆動回路8を備える。 As shown in FIG. 2 , the semiconductor switching element drive circuit 6 includes a second DC power supply 7 and a plurality of drive circuits 8 .

第2の直流電源7は、正極性の制御用電源である。例えば、第2の直流電源7は、スイッチング素子SW1~SW4を駆動するための電源であってもよいし、不図示の他の装置を駆動するための電源であってもよい。第2の直流電源7の出力電圧は、出力電圧VDDである。 The second DC power supply 7 is a positive control power supply. For example, the second DC power supply 7 may be a power supply for driving the switching elements SW1 to SW4, or may be a power supply for driving other devices (not shown). The output voltage of the second DC power supply 7 is the output voltage VDD.

複数の駆動回路8は、第mの駆動回路から第(m+1)の駆動回路を備える。なお、mは、1以上かつn未満の整数である。本実施形態では、n=4であるため、複数の駆動回路8は、第1の駆動回路8a、第2の駆動回路8b、第3の駆動回路8c及び第4の駆動回路8dを備える。 The plurality of drive circuits 8 includes m-th drive circuit to (m+1)-th drive circuit. In addition, m is an integer greater than or equal to 1 and less than n. In this embodiment, since n=4, the multiple drive circuits 8 include a first drive circuit 8a, a second drive circuit 8b, a third drive circuit 8c and a fourth drive circuit 8d.

第1の駆動回路8aは、スイッチング素子SW1に対応して設けられている。第1の駆動回路8aは、第2の直流電源7からの出力電圧VDDに基づいて、スイッチング素子SW1のオン又はオフを制御する。具体的には、第1の駆動回路8aは、スイッチング素子SW1を十分にオンさせるために、そのゲート端子に印加する正電圧をゲート電圧として生成し、その生成した正電圧をスイッチング素子SW1のゲート端子に印加する。また、第1の駆動回路8aは、スイッチング素子SW1を十分にオフ(遮断状態)させるために、そのゲート端子に印加する負電圧をゲート電圧として生成して、その生成した負電圧をスイッチング素子SW1のゲート端子に印加する。 The first drive circuit 8a is provided corresponding to the switching element SW1. The first drive circuit 8a controls ON/OFF of the switching element SW1 based on the output voltage VDD from the second DC power supply 7 . Specifically, in order to sufficiently turn on the switching element SW1, the first drive circuit 8a generates a positive voltage to be applied to the gate terminal of the switching element SW1 as a gate voltage, and applies the generated positive voltage to the gate of the switching element SW1. Apply to terminal. Further, in order to sufficiently turn off (cut off) the switching element SW1, the first drive circuit 8a generates a negative voltage to be applied to the gate terminal of the switching element SW1 as a gate voltage, and applies the generated negative voltage to the switching element SW1. applied to the gate terminal of

第2の駆動回路8bは、スイッチング素子SW2に対応して設けられている。第2の駆動回路8bは、第2の直流電源7からの出力電圧VDDに基づいて、スイッチング素子SW2のオン又はオフを制御する。具体的には、第2の駆動回路8bは、スイッチング素子SW2を十分にオンさせるために、そのゲート端子に印加する正電圧をゲート電圧として生成し、その生成した正電圧をスイッチング素子SW2のゲート端子に印加する。また、第2の駆動回路8bは、スイッチング素子SW2を十分にオフ(遮断状態)させるために、そのゲート端子に印加する負電圧をゲート電圧として生成して、その生成した負電圧をスイッチング素子SW2のゲート端子に印加する。 The second drive circuit 8b is provided corresponding to the switching element SW2. The second drive circuit 8b controls ON/OFF of the switching element SW2 based on the output voltage VDD from the second DC power supply 7. FIG. Specifically, in order to sufficiently turn on the switching element SW2, the second drive circuit 8b generates a positive voltage to be applied to the gate terminal of the switching element SW2 as a gate voltage, and applies the generated positive voltage to the gate of the switching element SW2. Apply to terminal. Further, in order to sufficiently turn off (cut off) the switching element SW2, the second drive circuit 8b generates a negative voltage to be applied to the gate terminal of the switching element SW2 as a gate voltage, and applies the generated negative voltage to the switching element SW2. applied to the gate terminal of

第3の駆動回路8cは、スイッチング素子SW3に対応して設けられている。第3の駆動回路8cは、第2の直流電源7からの出力電圧VDDに基づいて、スイッチング素子SW3のオン又はオフを制御する。具体的には、第3の駆動回路8cは、スイッチング素子SW3を十分にオンさせるために、そのゲート端子に印加する正電圧をゲート電圧として生成し、その生成した正電圧をスイッチング素子SW3のゲート端子に印加する。また、第3の駆動回路8cは、スイッチング素子SW3を十分にオフ(遮断状態)させるために、そのゲート端子に印加する負電圧をゲート電圧として生成して、その生成した負電圧をスイッチング素子SW3のゲート端子に印加する。 A third drive circuit 8c is provided corresponding to the switching element SW3. The third drive circuit 8c controls ON/OFF of the switching element SW3 based on the output voltage VDD from the second DC power supply 7. FIG. Specifically, in order to sufficiently turn on the switching element SW3, the third drive circuit 8c generates a positive voltage to be applied to the gate terminal of the switching element SW3 as a gate voltage, and applies the generated positive voltage to the gate of the switching element SW3. Apply to terminal. Further, the third drive circuit 8c generates, as a gate voltage, a negative voltage to be applied to the gate terminal of the switching element SW3 in order to sufficiently turn off (cut off state) the switching element SW3, and applies the generated negative voltage to the switching element SW3. applied to the gate terminal of

第4の駆動回路8dは、スイッチング素子SW4に対応して設けられている。第4の駆動回路8dは、第2の直流電源7からの出力電圧VDDに基づいて、スイッチング素子SW4のオン又はオフを制御する。具体的には、第4の駆動回路8dは、スイッチング素子SW4を十分にオンさせるために、そのゲート端子に印加する正電圧をゲート電圧として生成し、その生成した正電圧をスイッチング素子SW4のゲート端子に印加する。また、第4の駆動回路8dは、スイッチング素子SW4を十分にオフ(遮断状態)させるために、そのゲート端子に印加する負電圧をゲート電圧として生成して、その生成した負電圧をスイッチング素子SW4のゲート端子に印加する。 A fourth drive circuit 8d is provided corresponding to the switching element SW4. The fourth drive circuit 8 d controls ON or OFF of the switching element SW4 based on the output voltage VDD from the second DC power supply 7 . Specifically, in order to sufficiently turn on the switching element SW4, the fourth drive circuit 8d generates a positive voltage to be applied to the gate terminal of the switching element SW4 as a gate voltage, and applies the generated positive voltage to the gate of the switching element SW4. Apply to terminal. Further, the fourth drive circuit 8d generates a negative voltage to be applied to the gate terminal of the switching element SW4 as a gate voltage in order to sufficiently turn off (cut off state) the switching element SW4, and applies the generated negative voltage to the switching element SW4. applied to the gate terminal of

以下に、本実施形態に係る第1の駆動回路8aから第4の駆動回路8dの構成について、具体的に説明する。なお、同様の機能を有する構成部については同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。ただし、第1の駆動回路8aから第4の駆動回路8dの各構成部を区別する目的として、第1の駆動回路8aの各構成部の符号の末尾に添え字「a」を付し、第2の駆動回路8bの各構成部の符号の末尾に添え字「b」を付し、第3の駆動回路8cの各構成部の符号の末尾に添え字「c」を付し、第4の駆動回路8dの各構成部の符号の末尾に添え字「d」を付して説明する場合がある。 The configurations of the first drive circuit 8a to the fourth drive circuit 8d according to this embodiment will be specifically described below. Components having similar functions are denoted by the same reference numerals, and description thereof may be omitted. However, for the purpose of distinguishing each component of the first drive circuit 8a to the fourth drive circuit 8d, the suffix "a" is attached to the end of each component of the first drive circuit 8a. The suffix "b" is added to the end of each component of the drive circuit 8b of No. 2, the suffix "c" is added to the end of the reference of each component of the third drive circuit 8c, and the fourth The suffix "d" may be attached to the end of the reference numerals of the components of the drive circuit 8d in some cases.

まず、本実施形態に係る第1の駆動回路8aの構成について説明する。 First, the configuration of the first drive circuit 8a according to this embodiment will be described.

第1の駆動回路8aは、正電源用コンデンサ9a(第1のコンデンサ)、負電源バッファ用コンデンサ10a(第2のコンデンサ)、逆流防止用ダイオード11a、制限抵抗12a、充放電制御部13a、整流用ダイオード14a、電圧制限用ダイオード15a、負電源用コンデンサ16a(第3のコンデンサ)及び制限抵抗17aを備える。 The first drive circuit 8a includes a positive power supply capacitor 9a (first capacitor), a negative power supply buffer capacitor 10a (second capacitor), a backflow prevention diode 11a, a limiting resistor 12a, a charge/discharge control section 13a, a rectifier diode 14a, voltage limiting diode 15a, negative power supply capacitor 16a (third capacitor), and limiting resistor 17a.

正電源用コンデンサ9aは、第1の端部が第2の直流電源7の正極端子に接続され、第2の端部が第2の直流電源7の負極端子及びスイッチング素子SW1のソース端子に接続されている。 The positive power supply capacitor 9a has a first end connected to the positive terminal of the second DC power supply 7 and a second end connected to the negative terminal of the second DC power supply 7 and the source terminal of the switching element SW1. It is

負電源バッファ用コンデンサ10aは、第1の端部が正電源用コンデンサ9aの第1の端部及び第2の直流電源7の正極端子に接続され、第2の端部が整流用ダイオード14aのカソード及び電圧制限用ダイオード15aのアノードに接続されている。
逆流防止用ダイオード11aは、アノードが負電源バッファ用コンデンサ10aの第1の端子に接続され、カソードが制限抵抗12aを介してスイッチング素子SW1のドレイン端子に接続されている。
The negative power supply buffer capacitor 10a has a first end connected to the first end of the positive power supply capacitor 9a and the positive terminal of the second DC power supply 7, and a second end connected to the rectifying diode 14a. It is connected to the cathode and the anode of the voltage limiting diode 15a.
The backflow prevention diode 11a has an anode connected to the first terminal of the negative power buffer capacitor 10a and a cathode connected to the drain terminal of the switching element SW1 via the limiting resistor 12a.

制限抵抗12aは、第1の端部が逆流防止用ダイオード11aのカソードに接続され、第2の端部がスイッチング素子SW1のドレイン端子に接続されている。
充放電制御部13aは、制御信号発生部5から出力される制御信号に基づいて、正電源用コンデンサ9a、負電源バッファ用コンデンサ10a、及び負電源用コンデンサ16aの充放電を制御する。以下に、充放電制御部13aの構成について、具体的に説明する。
The limiting resistor 12a has a first end connected to the cathode of the backflow prevention diode 11a and a second end connected to the drain terminal of the switching element SW1.
Based on the control signal output from the control signal generator 5, the charge/discharge controller 13a controls charging and discharging of the positive power supply capacitor 9a, the negative power supply buffer capacitor 10a, and the negative power supply capacitor 16a. The configuration of the charge/discharge control unit 13a will be specifically described below.

充放電制御部13aは、スイッチング素子20a(導通用駆動回路)及びスイッチング素子21a(遮断用駆動回路)を備える。
スイッチング素子20aは、スイッチング素子SW1のゲート端子に導通用駆動信号を供給する。導通用駆動信号とは、スイッチング素子20aをオンさせる信号であり、例えば、正電圧のゲート電圧である。例えば、スイッチング素子20aは、NPN型のIGBTである。
The charge/discharge control unit 13a includes a switching element 20a (drive circuit for conduction) and a switching element 21a (drive circuit for interruption).
The switching element 20a supplies a conduction drive signal to the gate terminal of the switching element SW1. The conduction drive signal is a signal that turns on the switching element 20a, and is, for example, a positive gate voltage. For example, the switching element 20a is an NPN IGBT.

スイッチング素子21aは、スイッチング素子SW1のゲート端子に遮断用駆動信号を供給する。遮断用駆動信号とは、スイッチング素子20aをオフさせる信号であり、例えば、負電圧のゲート電圧である。例えば、スイッチング素子21aは、PNP型のIGBTである。
なお、本実施形態では、充放電制御部13aは、スイッチング素子20a及びスイッチング素子21aを用いたプッシュプル回路であるが、これに限定されず、スイッチング素子SW1のオン又はオフを制御する制御回路であれば特に限定されない。
The switching element 21a supplies a cut-off drive signal to the gate terminal of the switching element SW1. The cut-off drive signal is a signal that turns off the switching element 20a, and is, for example, a negative gate voltage. For example, the switching element 21a is a PNP IGBT.
In the present embodiment, the charge/discharge control unit 13a is a push-pull circuit using the switching element 20a and the switching element 21a, but is not limited to this, and is a control circuit that controls on or off of the switching element SW1. There is no particular limitation, if any.

スイッチング素子20aのコレクタ端子は、正電源用コンデンサ9aの第1の端部及び負電源バッファ用コンデンサ10aの第1の端部に接続されている。スイッチング素子20aのエミッタ端子は、スイッチング素子21aのエミッタ端子に接続されている。スイッチング素子20aのベース端子とスイッチング素子21aのベース端子とは制御信号発生部5に接続されている。スイッチング素子20aのエミッタ端子とスイッチング素子21aのエミッタ端子との接続点は、制限抵抗17aを介してスイッチング素子SW1のゲート端子に接続されている。スイッチング素子21aのコレクタ端子は、負電源用コンデンサ16aの第1の端部に接続されている。 The collector terminal of the switching element 20a is connected to the first end of the positive power supply capacitor 9a and the first end of the negative power supply buffer capacitor 10a. The emitter terminal of the switching element 20a is connected to the emitter terminal of the switching element 21a. A base terminal of the switching element 20a and a base terminal of the switching element 21a are connected to the control signal generator 5. FIG. A connection point between the emitter terminal of the switching element 20a and the emitter terminal of the switching element 21a is connected to the gate terminal of the switching element SW1 via the limiting resistor 17a. A collector terminal of the switching element 21a is connected to a first end of the negative power supply capacitor 16a.

整流用ダイオード14aは、アノードが負電源用コンデンサ16aの第1の端部に接続され、カソードが負電源バッファ用コンデンサ10aの第2の端部に接続されている。 The rectifying diode 14a has an anode connected to the first end of the negative power supply capacitor 16a and a cathode connected to the second end of the negative power supply buffer capacitor 10a.

電圧制限用ダイオード15aは、負電源用コンデンサ16aに対して並列に接続されている。例えば、電圧制限用ダイオード15aは、アノードが負電源バッファ用コンデンサ10aの第2の端部に接続され、カソードが正電源用コンデンサ9aの第2の端部に接続されている。電圧制限用ダイオード15aは、負電源用コンデンサ16aの両端の電圧を所定の電圧に制限する。前記所定の電圧は、スイッチング素子SW1のゲート端子に印加する負電圧のゲート電圧に相当する。したがって、スイッチング素子SW1がオフされる場合のゲート電圧やスイッチング素子SW1のゲート端子の耐圧に基づいて設定される。本実施形態では、電圧制限用ダイオード15aは、いわゆるツェナーダイオードであって、ツェナーダイオードの降伏電圧が前記所定の電圧に相当する。 The voltage limiting diode 15a is connected in parallel with the negative power supply capacitor 16a. For example, the voltage limiting diode 15a has an anode connected to the second end of the negative power supply buffer capacitor 10a and a cathode connected to the second end of the positive power supply capacitor 9a. The voltage limiting diode 15a limits the voltage across the negative power supply capacitor 16a to a predetermined voltage. The predetermined voltage corresponds to a negative gate voltage applied to the gate terminal of the switching element SW1. Therefore, it is set based on the gate voltage when the switching element SW1 is turned off and the withstand voltage of the gate terminal of the switching element SW1. In this embodiment, the voltage limiting diode 15a is a so-called Zener diode, and the breakdown voltage of the Zener diode corresponds to the predetermined voltage.

負電源用コンデンサ16aは、第1の端部が整流用ダイオード14aのアノード及びスイッチング素子21aのコレクタ端子に接続され、第2の端部が正電源用コンデンサ9aの第2の端部及び第2の直流電源7の負極端子に接続されている。また、負電源用コンデンサ16aの第2の端部は、スイッチング素子SW1のソース端子に接続されている。 The negative power supply capacitor 16a has a first end connected to the anode of the rectifying diode 14a and the collector terminal of the switching element 21a, and a second end connected to the second end of the positive power supply capacitor 9a and the second end of the positive power supply capacitor 9a. is connected to the negative electrode terminal of the DC power supply 7 of . A second end of the negative power supply capacitor 16a is connected to the source terminal of the switching element SW1.

制限抵抗17aは、第1の端部がスイッチング素子20aのエミッタ端子とスイッチング素子21aのエミッタ端子とに接続され、第2の端部がスイッチング素子SW1のゲート端子に接続されている。 The limiting resistor 17a has a first end connected to the emitter terminal of the switching element 20a and the emitter terminal of the switching element 21a, and a second end connected to the gate terminal of the switching element SW1.

次に、本実施形態に係る第2の駆動回路8bの構成について説明する。 Next, the configuration of the second drive circuit 8b according to this embodiment will be described.

第2の駆動回路8bは、正電源用コンデンサ9b(第1のコンデンサ)、負電源バッファ用コンデンサ10b(第2のコンデンサ)、逆流防止用ダイオード11b、制限抵抗12b、充放電制御部13b、整流用ダイオード14b、電圧制限用ダイオード15b、負電源用コンデンサ16b(第3のコンデンサ)、制限抵抗17b、制限抵抗18b及び逆流防止用ダイオード19bを備える。 The second drive circuit 8b includes a positive power supply capacitor 9b (first capacitor), a negative power supply buffer capacitor 10b (second capacitor), a backflow prevention diode 11b, a limiting resistor 12b, a charge/discharge control section 13b, a rectifier diode 14b, voltage limiting diode 15b, negative power supply capacitor 16b (third capacitor), limiting resistor 17b, limiting resistor 18b, and backflow prevention diode 19b.

正電源用コンデンサ9bは、第1の端部が逆流防止用ダイオード19bのカソードに接続され、第2の端部がスイッチング素子SW2のソース端子に接続されている。 The positive power supply capacitor 9b has a first end connected to the cathode of the backflow prevention diode 19b and a second end connected to the source terminal of the switching element SW2.

負電源バッファ用コンデンサ10bは、第1の端部が正電源用コンデンサ9bの第1の端部及び逆流防止用ダイオード19bのカソードに接続され、第2の端部が整流用ダイオード14bのカソード及び電圧制限用ダイオード15bのアノードに接続されている。
逆流防止用ダイオード11bは、アノードが負電源バッファ用コンデンサ10bの第1の端子に接続され、カソードが制限抵抗12bを介してスイッチング素子SW2のドレイン端子に接続されている。
The negative power supply buffer capacitor 10b has a first end connected to the first end of the positive power supply capacitor 9b and the cathode of the reverse current prevention diode 19b, and a second end connected to the cathode of the rectification diode 14b and the cathode of the reverse current prevention diode 19b. It is connected to the anode of the voltage limiting diode 15b.
The backflow prevention diode 11b has an anode connected to the first terminal of the negative power supply buffer capacitor 10b and a cathode connected to the drain terminal of the switching element SW2 via the limiting resistor 12b.

制限抵抗12bは、第1の端部が逆流防止用ダイオード11bのカソードに接続され、第2の端部がスイッチング素子SW2のドレイン端子に接続されている。
充放電制御部13bは、制御信号発生部5から出力される制御信号に基づいて、正電源用コンデンサ9b、負電源バッファ用コンデンサ10b、及び負電源用コンデンサ16bの充放電を制御する。以下に、充放電制御部13bの構成について、具体的に説明する。
The limiting resistor 12b has a first end connected to the cathode of the backflow prevention diode 11b and a second end connected to the drain terminal of the switching element SW2.
The charge/discharge control section 13b controls charge/discharge of the positive power supply capacitor 9b, the negative power supply buffer capacitor 10b, and the negative power supply capacitor 16b based on the control signal output from the control signal generation section 5. FIG. The configuration of the charge/discharge control unit 13b will be specifically described below.

充放電制御部13bは、スイッチング素子20b(導通用駆動回路)及びスイッチング素子21b(遮断用駆動回路)を備える。
スイッチング素子20bは、スイッチング素子SW2のゲート端子に導通用駆動信号を供給する。例えば、スイッチング素子20bは、NPN型のIGBTである。
The charge/discharge control unit 13b includes a switching element 20b (drive circuit for conduction) and a switching element 21b (drive circuit for interruption).
The switching element 20b supplies a conduction drive signal to the gate terminal of the switching element SW2. For example, the switching element 20b is an NPN IGBT.

スイッチング素子21bは、スイッチング素子SW2のゲート端子に遮断用駆動信号を供給する。例えば、スイッチング素子21bは、PNP型のIGBTである。
なお、本実施形態では、充放電制御部13bは、スイッチング素子20b及びスイッチング素子21bを用いたプッシュプル回路であるが、これに限定されず、スイッチング素子SW2のオン又はオフを制御する制御回路であれば特に限定されない。
The switching element 21b supplies a cut-off drive signal to the gate terminal of the switching element SW2. For example, the switching element 21b is a PNP IGBT.
In the present embodiment, the charge/discharge control unit 13b is a push-pull circuit using the switching element 20b and the switching element 21b, but is not limited to this, and is a control circuit that controls on or off of the switching element SW2. There is no particular limitation, if any.

スイッチング素子20bのコレクタ端子は、正電源用コンデンサ9bの第1の端部及び負電源バッファ用コンデンサ10bの第1の端部に接続されている。スイッチング素子20bのエミッタ端子は、スイッチング素子21bのエミッタ端子に接続されている。スイッチング素子20bのベース端子とスイッチング素子21bのベース端子とは制御信号発生部5に接続されている。スイッチング素子20bのエミッタ端子とスイッチング素子21bのエミッタ端子との接続点は、制限抵抗17bを介してスイッチング素子SW2のゲート端子に接続されている。スイッチング素子21bのコレクタ端子は、負電源用コンデンサ16bの第1の端部に接続されている。 The collector terminal of the switching element 20b is connected to the first end of the positive power supply capacitor 9b and the first end of the negative power supply buffer capacitor 10b. The emitter terminal of the switching element 20b is connected to the emitter terminal of the switching element 21b. A base terminal of the switching element 20b and a base terminal of the switching element 21b are connected to the control signal generator 5. FIG. A connection point between the emitter terminal of the switching element 20b and the emitter terminal of the switching element 21b is connected to the gate terminal of the switching element SW2 via the limiting resistor 17b. A collector terminal of the switching element 21b is connected to a first end of the negative power supply capacitor 16b.

整流用ダイオード14bは、アノードが負電源用コンデンサ16bの第1の端部に接続され、カソードが負電源バッファ用コンデンサ10bの第2の端部に接続されている。 The rectifying diode 14b has an anode connected to the first end of the negative power supply capacitor 16b and a cathode connected to the second end of the negative power supply buffer capacitor 10b.

電圧制限用ダイオード15bは、負電源用コンデンサ16bに対して並列に接続されている。例えば、電圧制限用ダイオード15bは、アノードが負電源バッファ用コンデンサ10bの第2の端部に接続され、カソードが正電源用コンデンサ9bの第2の端部に接続されている。電圧制限用ダイオード15bは、負電源用コンデンサ16bの両端の電圧を所定の電圧に制限する。前記所定の電圧は、スイッチング素子SW2のゲート端子に印加する負電圧のゲート電圧に相当する。したがって、スイッチング素子SW2がオフされる場合のゲート電圧やスイッチング素子SW2のゲート端子の耐圧に基づいて設定される。本実施形態では、電圧制限用ダイオード15bは、いわゆるツェナーダイオードであって、ツェナーダイオードの降伏電圧が前記所定の電圧に相当する。 The voltage limiting diode 15b is connected in parallel with the negative power supply capacitor 16b. For example, the voltage limiting diode 15b has an anode connected to the second end of the negative power supply buffer capacitor 10b and a cathode connected to the second end of the positive power supply capacitor 9b. The voltage limiting diode 15b limits the voltage across the negative power supply capacitor 16b to a predetermined voltage. The predetermined voltage corresponds to a negative gate voltage applied to the gate terminal of the switching element SW2. Therefore, it is set based on the gate voltage when the switching element SW2 is turned off and the withstand voltage of the gate terminal of the switching element SW2. In this embodiment, the voltage limiting diode 15b is a so-called Zener diode, and the breakdown voltage of the Zener diode corresponds to the predetermined voltage.

負電源用コンデンサ16bは、第1の端部が整流用ダイオード14bのアノード及びスイッチング素子21bのコレクタ端子に接続され、第2の端部が正電源用コンデンサ9bの第2の端部に接続されている。また、負電源用コンデンサ16bの第2の端部は、スイッチング素子SW2のソース端子に接続されている。 The negative power supply capacitor 16b has a first end connected to the anode of the rectifying diode 14b and the collector terminal of the switching element 21b, and a second end connected to the second end of the positive power supply capacitor 9b. ing. A second end of the negative power supply capacitor 16b is connected to the source terminal of the switching element SW2.

制限抵抗17bは、第1の端部がスイッチング素子20bのエミッタ端子とスイッチング素子21bのエミッタ端子とに接続され、第2の端部がスイッチング素子SW2のゲート端子に接続されている。 The limiting resistor 17b has a first end connected to the emitter terminal of the switching element 20b and the emitter terminal of the switching element 21b, and a second end connected to the gate terminal of the switching element SW2.

制限抵抗18bは、第1の端部が第2の直流電源7の正極端子に接続され、第2の端部が逆流防止用ダイオード19bのアノードに接続されている。
逆流防止用ダイオード19bは、アノードが制限抵抗18bを介して第2の直流電源7の正極端子に接続され、カソードが正電源用コンデンサ9bの第1の端部及び負電源バッファ用コンデンサ10bの第1の端部に接続されている。
The limiting resistor 18b has a first end connected to the positive terminal of the second DC power supply 7 and a second end connected to the anode of the backflow prevention diode 19b.
The backflow prevention diode 19b has an anode connected to the positive terminal of the second DC power supply 7 via a limiting resistor 18b, and a cathode connected to the first end of the positive power supply capacitor 9b and the first end of the negative power supply buffer capacitor 10b. 1 end.

次に、本実施形態に係る第3の駆動回路8cの構成について説明する。 Next, the configuration of the third drive circuit 8c according to this embodiment will be described.

第3の駆動回路8cは、正電源用コンデンサ9c(第1のコンデンサ)、負電源バッファ用コンデンサ10c(第2のコンデンサ)、逆流防止用ダイオード11c、制限抵抗12c、充放電制御部13c(第3のコンデンサ)、整流用ダイオード14c、電圧制限用ダイオード15c、負電源用コンデンサ16c、制限抵抗17c、制限抵抗18c及び逆流防止用ダイオード19cを備える。 The third drive circuit 8c includes a positive power supply capacitor 9c (first capacitor), a negative power supply buffer capacitor 10c (second capacitor), a backflow prevention diode 11c, a limiting resistor 12c, and a charge/discharge control section 13c (second capacitor). 3), a rectifying diode 14c, a voltage limiting diode 15c, a negative power supply capacitor 16c, a limiting resistor 17c, a limiting resistor 18c, and a backflow prevention diode 19c.

正電源用コンデンサ9cは、第1の端部が逆流防止用ダイオード19cのカソードに接続され、第2の端部がスイッチング素子SW3のソース端子に接続されている。 The positive power supply capacitor 9c has a first end connected to the cathode of the backflow prevention diode 19c and a second end connected to the source terminal of the switching element SW3.

負電源バッファ用コンデンサ10cは、第1の端部が正電源用コンデンサ9cの第1の端部及び逆流防止用ダイオード19cのカソードに接続され、第2の端部が整流用ダイオード14cのカソード及び電圧制限用ダイオード15cのアノードに接続されている。
逆流防止用ダイオード11cは、アノードが負電源バッファ用コンデンサ10cの第1の端子に接続され、カソードが制限抵抗12cを介してスイッチング素子SW3のドレイン端子に接続されている。
The negative power supply buffer capacitor 10c has a first end connected to the first end of the positive power supply capacitor 9c and the cathode of the backflow prevention diode 19c, and a second end connected to the cathode of the rectifier diode 14c and the cathode of the reverse current prevention diode 19c. It is connected to the anode of the voltage limiting diode 15c.
The backflow prevention diode 11c has an anode connected to the first terminal of the negative power supply buffer capacitor 10c and a cathode connected to the drain terminal of the switching element SW3 via the limiting resistor 12c.

制限抵抗12cは、第1の端部が逆流防止用ダイオード11cのカソードに接続され、第2の端部がスイッチング素子SW3のドレイン端子に接続されている。
充放電制御部13cは、制御信号発生部5から出力される制御信号に基づいて、正電源用コンデンサ9c、負電源バッファ用コンデンサ10c、及び負電源用コンデンサ16cの充放電を制御する。以下に、充放電制御部13cの構成について、具体的に説明する。
The limiting resistor 12c has a first end connected to the cathode of the backflow prevention diode 11c and a second end connected to the drain terminal of the switching element SW3.
Based on the control signal output from the control signal generator 5, the charge/discharge controller 13c controls the charge/discharge of the positive power supply capacitor 9c, the negative power supply buffer capacitor 10c, and the negative power supply capacitor 16c. The configuration of the charge/discharge control unit 13c will be specifically described below.

充放電制御部13cは、スイッチング素子20c(導通用駆動回路)及びスイッチング素子21c(遮断用駆動回路)を備える。
スイッチング素子20cは、スイッチング素子SW3のゲート端子に導通用駆動信号を供給する。例えば、スイッチング素子20cは、NPN型のIGCTである。
The charge/discharge control unit 13c includes a switching element 20c (drive circuit for conduction) and a switching element 21c (drive circuit for interruption).
The switching element 20c supplies a conduction drive signal to the gate terminal of the switching element SW3. For example, the switching element 20c is an NPN IGCT.

スイッチング素子21cは、スイッチング素子SW3のゲート端子に遮断用駆動信号を供給する。例えば、スイッチング素子21cは、PNP型のIGCTである。
なお、本実施形態では、充放電制御部13cは、スイッチング素子20c及びスイッチング素子21cを用いたプッシュプル回路であるが、これに限定されず、スイッチング素子SW3のオン又はオフを制御する制御回路であれば特に限定されない。
The switching element 21c supplies a cutoff drive signal to the gate terminal of the switching element SW3. For example, the switching element 21c is a PNP-type IGCT.
In this embodiment, the charge/discharge control unit 13c is a push-pull circuit using the switching element 20c and the switching element 21c. There is no particular limitation, if any.

スイッチング素子20cのコレクタ端子は、正電源用コンデンサ9cの第1の端部及び負電源バッファ用コンデンサ10cの第1の端部に接続されている。スイッチング素子20cのエミッタ端子は、スイッチング素子21cのエミッタ端子に接続されている。スイッチング素子20cのベース端子とスイッチング素子21cのベース端子とは制御信号発生部5に接続されている。スイッチング素子20cのエミッタ端子とスイッチング素子21cのエミッタ端子との接続点は、制限抵抗17cを介してスイッチング素子SW3のゲート端子に接続されている。スイッチング素子21cのコレクタ端子は、負電源用コンデンサ16cの第1の端部に接続されている。 The collector terminal of the switching element 20c is connected to the first end of the positive power supply capacitor 9c and the first end of the negative power supply buffer capacitor 10c. The emitter terminal of the switching element 20c is connected to the emitter terminal of the switching element 21c. A base terminal of the switching element 20c and a base terminal of the switching element 21c are connected to the control signal generator 5. FIG. A connection point between the emitter terminal of the switching element 20c and the emitter terminal of the switching element 21c is connected to the gate terminal of the switching element SW3 via the limiting resistor 17c. A collector terminal of the switching element 21c is connected to a first end of the negative power supply capacitor 16c.

整流用ダイオード14cは、アノードが負電源用コンデンサ16cの第1の端部に接続され、カソードが負電源バッファ用コンデンサ10cの第2の端部に接続されている。 The rectifying diode 14c has an anode connected to the first end of the negative power supply capacitor 16c and a cathode connected to the second end of the negative power supply buffer capacitor 10c.

電圧制限用ダイオード15cは、負電源用コンデンサ16cに対して並列に接続されている。例えば、電圧制限用ダイオード15cは、アノードが負電源バッファ用コンデンサ10cの第2の端部に接続され、カソードが正電源用コンデンサ9cの第2の端部に接続されている。電圧制限用ダイオード15cは、負電源用コンデンサ16cの両端の電圧を所定の電圧に制限する。前記所定の電圧は、スイッチング素子SW3のゲート端子に印加する負電圧のゲート電圧に相当する。したがって、スイッチング素子SW3がオフされる場合のゲート電圧やスイッチング素子SW3のゲート端子の耐圧に基づいて設定される。本実施形態では、電圧制限用ダイオード15cは、いわゆるツェナーダイオードであって、ツェナーダイオードの降伏電圧が前記所定の電圧に相当する。 The voltage limiting diode 15c is connected in parallel with the negative power supply capacitor 16c. For example, the voltage limiting diode 15c has an anode connected to the second end of the negative power supply buffer capacitor 10c and a cathode connected to the second end of the positive power supply capacitor 9c. The voltage limiting diode 15c limits the voltage across the negative power supply capacitor 16c to a predetermined voltage. The predetermined voltage corresponds to a negative gate voltage applied to the gate terminal of the switching element SW3. Therefore, it is set based on the gate voltage when the switching element SW3 is turned off and the withstand voltage of the gate terminal of the switching element SW3. In this embodiment, the voltage limiting diode 15c is a so-called Zener diode, and the breakdown voltage of the Zener diode corresponds to the predetermined voltage.

負電源用コンデンサ16cは、第1の端部が整流用ダイオード14cのアノード及びスイッチング素子21cのコレクタ端子に接続され、第2の端部が正電源用コンデンサ9cの第2の端部に接続されている。また、負電源用コンデンサ16cの第2の端部は、スイッチング素子SW3のソース端子に接続されている。 The negative power supply capacitor 16c has a first end connected to the anode of the rectifying diode 14c and the collector terminal of the switching element 21c, and a second end connected to the second end of the positive power supply capacitor 9c. ing. A second end of the negative power supply capacitor 16c is connected to the source terminal of the switching element SW3.

制限抵抗17cは、第1の端部がスイッチング素子20cのエミッタ端子とスイッチング素子21cのエミッタ端子とに接続され、第2の端部がスイッチング素子SW3のゲート端子に接続されている。 The limiting resistor 17c has a first end connected to the emitter terminal of the switching element 20c and the emitter terminal of the switching element 21c, and a second end connected to the gate terminal of the switching element SW3.

制限抵抗18cは、第1の端部が逆流防止用ダイオード19bのカソードに接続され、第2の端部が逆流防止用ダイオード19cのアノードに接続されている。
逆流防止用ダイオード19cは、アノードが制限抵抗18cを介して逆流防止用ダイオード19bのカソードに接続され、カソードが正電源用コンデンサ9cの第1の端部及び負電源バッファ用コンデンサ10cの第1の端部に接続されている。
The limiting resistor 18c has a first end connected to the cathode of the backflow prevention diode 19b and a second end connected to the anode of the backflow prevention diode 19c.
The backflow prevention diode 19c has an anode connected to the cathode of the backflow prevention diode 19b via the limiting resistor 18c, and a cathode connected to the first end of the positive power supply capacitor 9c and the first end of the negative power supply buffer capacitor 10c. connected to the ends.

次に、本実施形態に係る第4の駆動回路8dの構成について説明する。 Next, the configuration of the fourth drive circuit 8d according to this embodiment will be described.

第4の駆動回路8dは、正電源用コンデンサ9d(第1のコンデンサ)、負電源バッファ用コンデンサ10d(第2のコンデンサ)、逆流防止用ダイオード11d、制限抵抗12d、充放電制御部13d、整流用ダイオード14d、電圧制限用ダイオード15d、負電源用コンデンサ16d(第3のコンデンサ)、制限抵抗17d、制限抵抗18d及び逆流防止用ダイオード19dを備える。 The fourth drive circuit 8d includes a positive power supply capacitor 9d (first capacitor), a negative power supply buffer capacitor 10d (second capacitor), a backflow prevention diode 11d, a limiting resistor 12d, a charge/discharge control section 13d, a rectifier diode 14d, voltage limiting diode 15d, negative power supply capacitor 16d (third capacitor), limiting resistor 17d, limiting resistor 18d, and backflow prevention diode 19d.

正電源用コンデンサ9dは、第1の端部が逆流防止用ダイオード19dのカソードに接続され、第2の端部がスイッチング素子SW4のソース端子に接続されている。 The positive power supply capacitor 9d has a first end connected to the cathode of the backflow prevention diode 19d and a second end connected to the source terminal of the switching element SW4.

負電源バッファ用コンデンサ10dは、第1の端部が正電源用コンデンサ9dの第1の端部及び逆流防止用ダイオード19dのカソードに接続され、第2の端部が整流用ダイオード14dのカソード及び電圧制限用ダイオード15dのアノードに接続されている。
逆流防止用ダイオード11dは、アノードが負電源バッファ用コンデンサ10dの第1の端子に接続され、カソードが制限抵抗12dを介してスイッチング素子SW4のドレイン端子に接続されている。
The negative power supply buffer capacitor 10d has a first end connected to the first end of the positive power supply capacitor 9d and the cathode of the backflow prevention diode 19d, and a second end connected to the cathode of the rectification diode 14d and the cathode of the reverse current prevention diode 19d. It is connected to the anode of the voltage limiting diode 15d.
The backflow prevention diode 11d has an anode connected to the first terminal of the negative power buffer capacitor 10d and a cathode connected to the drain terminal of the switching element SW4 via the limiting resistor 12d.

制限抵抗12dは、第1の端部が逆流防止用ダイオード11dのカソードに接続され、第2の端部がスイッチング素子SW4のドレイン端子に接続されている。
充放電制御部13dは、制御信号発生部5から出力される制御信号に基づいて、正電源用コンデンサ9d、負電源バッファ用コンデンサ10d、及び負電源用コンデンサ16dの充放電を制御する。以下に、充放電制御部13dの構成について、具体的に説明する。
The limiting resistor 12d has a first end connected to the cathode of the backflow prevention diode 11d and a second end connected to the drain terminal of the switching element SW4.
Based on the control signal output from the control signal generator 5, the charge/discharge controller 13d controls charging and discharging of the positive power supply capacitor 9d, the negative power supply buffer capacitor 10d, and the negative power supply capacitor 16d. The configuration of the charge/discharge control unit 13d will be specifically described below.

充放電制御部13dは、スイッチング素子20d(導通用駆動回路)及びスイッチング素子21d(遮断用駆動回路)を備える。
スイッチング素子20dは、スイッチング素子SW4のゲート端子に導通用駆動信号を供給する。例えば、スイッチング素子20dは、NPN型のIGCTである。
The charge/discharge control unit 13d includes a switching element 20d (drive circuit for conduction) and a switching element 21d (drive circuit for interruption).
The switching element 20d supplies a conduction drive signal to the gate terminal of the switching element SW4. For example, the switching element 20d is an NPN IGCT.

スイッチング素子21dは、スイッチング素子SW4のゲート端子に遮断用駆動信号を供給する。例えば、スイッチング素子21dは、PNP型のIGCTである。
なお、本実施形態では、充放電制御部13dは、スイッチング素子20d及びスイッチング素子21dを用いたプッシュプル回路であるが、これに限定されず、スイッチング素子SW4のオン又はオフを制御する制御回路であれば特に限定されない。
The switching element 21d supplies a cut-off drive signal to the gate terminal of the switching element SW4. For example, the switching element 21d is a PNP-type IGCT.
In the present embodiment, the charge/discharge control unit 13d is a push-pull circuit using the switching element 20d and the switching element 21d, but is not limited to this, and is a control circuit that controls on or off of the switching element SW4. There is no particular limitation, if any.

スイッチング素子20dのコレクタ端子は、正電源用コンデンサ9dの第1の端部及び負電源バッファ用コンデンサ10dの第1の端部に接続されている。スイッチング素子20dのエミッタ端子は、スイッチング素子21dのエミッタ端子に接続されている。スイッチング素子20dのベース端子とスイッチング素子21dのベース端子とは制御信号発生部5に接続されている。スイッチング素子20dのエミッタ端子とスイッチング素子21dのエミッタ端子との接続点は、制限抵抗17dを介してスイッチング素子SW4のゲート端子に接続されている。スイッチング素子21dのコレクタ端子は、負電源用コンデンサ16dの第1の端部に接続されている。 The collector terminal of the switching element 20d is connected to the first end of the positive power supply capacitor 9d and the first end of the negative power supply buffer capacitor 10d. The emitter terminal of the switching element 20d is connected to the emitter terminal of the switching element 21d. A base terminal of the switching element 20d and a base terminal of the switching element 21d are connected to the control signal generator 5. FIG. A connection point between the emitter terminal of the switching element 20d and the emitter terminal of the switching element 21d is connected to the gate terminal of the switching element SW4 via the limiting resistor 17d. A collector terminal of the switching element 21d is connected to a first end of the negative power supply capacitor 16d.

整流用ダイオード14dは、アノードが負電源用コンデンサ16dの第1の端部に接続され、カソードが負電源バッファ用コンデンサ10dの第2の端部に接続されている。 The rectifying diode 14d has an anode connected to the first end of the negative power supply capacitor 16d and a cathode connected to the second end of the negative power supply buffer capacitor 10d.

電圧制限用ダイオード15dは、負電源用コンデンサ16dに対して並列に接続されている。例えば、電圧制限用ダイオード15dは、アノードが負電源バッファ用コンデンサ10dの第2の端部に接続され、カソードが正電源用コンデンサ9dの第2の端部に接続されている。電圧制限用ダイオード15dは、負電源用コンデンサ16dの両端の電圧を所定の電圧に制限する。前記所定の電圧は、スイッチング素子SW4のゲート端子に印加する負電圧のゲート電圧に相当する。したがって、スイッチング素子SW4がオフされる場合のゲート電圧やスイッチング素子SW4のゲート端子の耐圧に基づいて設定される。本実施形態では、電圧制限用ダイオード15dは、いわゆるツェナーダイオードであって、ツェナーダイオードの降伏電圧が前記所定の電圧に相当する。 The voltage limiting diode 15d is connected in parallel with the negative power supply capacitor 16d. For example, the voltage limiting diode 15d has an anode connected to the second end of the negative power supply buffer capacitor 10d and a cathode connected to the second end of the positive power supply capacitor 9d. The voltage limiting diode 15d limits the voltage across the negative power supply capacitor 16d to a predetermined voltage. The predetermined voltage corresponds to a negative gate voltage applied to the gate terminal of the switching element SW4. Therefore, it is set based on the gate voltage when the switching element SW4 is turned off and the withstand voltage of the gate terminal of the switching element SW4. In this embodiment, the voltage limiting diode 15d is a so-called Zener diode, and the breakdown voltage of the Zener diode corresponds to the predetermined voltage.

負電源用コンデンサ16dは、第1の端部が整流用ダイオード14dのアノード及びスイッチング素子21dのコレクタ端子に接続され、第2の端部が正電源用コンデンサ9dの第2の端部に接続されている。また、負電源用コンデンサ16dの第2の端部は、スイッチング素子SW4のソース端子に接続されている。 The negative power supply capacitor 16d has a first end connected to the anode of the rectifying diode 14d and the collector terminal of the switching element 21d, and a second end connected to the second end of the positive power supply capacitor 9d. ing. A second end of the negative power supply capacitor 16d is connected to the source terminal of the switching element SW4.

制限抵抗17dは、第1の端部がスイッチング素子20dのエミッタ端子とスイッチング素子21dのエミッタ端子とに接続され、第2の端部がスイッチング素子SW4のゲート端子に接続されている。 The limiting resistor 17d has a first end connected to the emitter terminal of the switching element 20d and the emitter terminal of the switching element 21d, and a second end connected to the gate terminal of the switching element SW4.

制限抵抗18dは、第1の端部が逆流防止用ダイオード19cのカソードに接続され、第2の端部が逆流防止用ダイオード19dのアノードに接続されている。
逆流防止用ダイオード19dは、アノードが制限抵抗18dを介して逆流防止用ダイオード19cのカソードに接続され、カソードが正電源用コンデンサ9dの第1の端部及び負電源バッファ用コンデンサ10dの第1の端部に接続されている。
The limiting resistor 18d has a first end connected to the cathode of the backflow prevention diode 19c and a second end connected to the anode of the backflow prevention diode 19d.
The backflow prevention diode 19d has an anode connected to the cathode of the backflow prevention diode 19c via a limiting resistor 18d, and a cathode connected to the first end of the positive power supply capacitor 9d and the first end of the negative power supply buffer capacitor 10d. connected to the ends.

以下に、本実施形態におけるマルチレベル電力変換器Aの動作について、図3~図7を用いて説明する。図3は、本実施形態におけるマルチレベル電力変換器Aの出力電圧V及び出力電流Iの波形図である。 The operation of the multilevel power converter A in this embodiment will be described below with reference to FIGS. 3 to 7. FIG. FIG. 3 is a waveform diagram of the output voltage V and the output current I of the multilevel power converter A in this embodiment.

マルチレベル電力変換器Aの半導体スイッチング素子駆動回路6は、スイッチング素子SW1~SW4を、予め設定された複数の動作パターン(1)~(4)に従ってオン又はオフすることで、出力端子OUTから正弦波を出力する通常動作を実行する。複数の動作パターン(1)~(4)は、図3に示すように、出力電圧V及び出力電流Iの正負の関係から既定される。各動作パターン(1)~(4)は、スイッチング素子SW1~SW4のスイッチング動作を示す。 The semiconductor switching element drive circuit 6 of the multilevel power converter A turns on or off the switching elements SW1 to SW4 in accordance with a plurality of preset operation patterns (1) to (4), thereby generating a sine current from the output terminal OUT. Perform normal operation to output waves. A plurality of operation patterns (1) to (4) are determined from the positive/negative relationship between the output voltage V and the output current I, as shown in FIG. Operation patterns (1) to (4) represent switching operations of the switching elements SW1 to SW4.

具体的には、動作パターン(1)は、図4に示すように、第1の状態と第2の状態とを交互に繰り返す動作パターンである。第1の状態は、図4(a)に示すように、スイッチング素子S1及びスイッチング素子SW2がオフ状態であり、スイッチング素子S3及びスイッチング素子SW4がオン状態である。第2の状態は、図4(b)に示すように、スイッチング素子S1及びスイッチング素子SW4がオフ状態であり、スイッチング素子S2及びスイッチング素子SW3がオン状態である。
なお、動作パターン(1)は、出力電圧V及び出力電流Iがともに正(V>0、I>0)の場合に行われる動作パターンである。
Specifically, the operation pattern (1) is an operation pattern in which the first state and the second state are alternately repeated, as shown in FIG. In the first state, as shown in FIG. 4A, the switching element S1 and the switching element SW2 are in the OFF state, and the switching element S3 and the switching element SW4 are in the ON state. In the second state, as shown in FIG. 4B, the switching element S1 and the switching element SW4 are in the OFF state, and the switching element S2 and the switching element SW3 are in the ON state.
The operation pattern (1) is an operation pattern performed when both the output voltage V and the output current I are positive (V>0, I>0).

動作パターン(2)は、図5に示すように、第3の状態と第4の状態とを交互に繰り返す動作パターンである。第3の状態は、図5(a)に示すように、スイッチング素子S3及びスイッチング素子SW4がオフ状態であり、スイッチング素子S1及びスイッチング素子SW2がオン状態である。第4の状態は、図5(b)に示すように、スイッチング素子S1及びスイッチング素子SW4がオフ状態であり、スイッチング素子S2及びスイッチング素子SW3がオン状態である。
なお、動作パターン(2)は、出力電圧Vが負であり、出力電流Iが正(V<0、I>0)の場合に行われる動作パターンである。
Operation pattern (2) is an operation pattern in which the third state and the fourth state are alternately repeated, as shown in FIG. In the third state, as shown in FIG. 5A, the switching element S3 and the switching element SW4 are in the OFF state, and the switching element S1 and the switching element SW2 are in the ON state. In the fourth state, as shown in FIG. 5B, the switching element S1 and the switching element SW4 are in the OFF state, and the switching element S2 and the switching element SW3 are in the ON state.
The operation pattern (2) is an operation pattern performed when the output voltage V is negative and the output current I is positive (V<0, I>0).

動作パターン(3)は、図6に示すように、第5の状態と第6の状態とを交互に繰り返す動作パターンである。第5の状態は、図6(a)に示すように、スイッチング素子S3及びスイッチング素子SW4がオフ状態であり、スイッチング素子S1及びスイッチング素子SW2がオン状態である。第6の状態は、図6(b)に示すように、スイッチング素子S1及びスイッチング素子SW4がオフ状態であり、スイッチング素子S2及びスイッチング素子SW3がオン状態である。
なお、動作パターン(3)は、出力電圧V及び出力電流Iがともに負(V<0、I<0)の場合に行われる動作パターンである。
Operation pattern (3) is an operation pattern in which the fifth state and the sixth state are alternately repeated, as shown in FIG. In the fifth state, as shown in FIG. 6A, the switching element S3 and the switching element SW4 are in the OFF state, and the switching element S1 and the switching element SW2 are in the ON state. In the sixth state, as shown in FIG. 6B, the switching element S1 and the switching element SW4 are in the OFF state, and the switching element S2 and the switching element SW3 are in the ON state.
The operation pattern (3) is an operation pattern performed when both the output voltage V and the output current I are negative (V<0, I<0).

動作パターン(4)は、図7に示すように、第7の状態と第8の状態とを交互に繰り返す動作パターンである。第7の状態は、図7(a)に示すように、スイッチング素子S1及びスイッチング素子SW4がオフ状態であり、スイッチング素子S2及びスイッチング素子SW3がオン状態である。第8の状態は、図7(b)に示すように、スイッチング素子S1及びスイッチング素子SW2がオフ状態であり、スイッチング素子S3及びスイッチング素子SW4がオン状態である。
なお、動作パターン(4)は、出力電圧Vが正であり、出力電流Iが負(V>0、I<0)の場合に行われる動作パターンである。
Operation pattern (4) is an operation pattern in which the seventh state and the eighth state are alternately repeated, as shown in FIG. In the seventh state, as shown in FIG. 7A, the switching element S1 and the switching element SW4 are in the OFF state, and the switching element S2 and the switching element SW3 are in the ON state. In the eighth state, as shown in FIG. 7B, the switching element S1 and the switching element SW2 are in the OFF state, and the switching element S3 and the switching element SW4 are in the ON state.
The operation pattern (4) is an operation pattern performed when the output voltage V is positive and the output current I is negative (V>0, I<0).

このように、半導体スイッチング素子駆動回路6は、出力電圧V及び出力電流Iの正負の関係に基づいて、動作パターン(1)から動作パターン(4)から一つを選択し、その選択した動作パターンに従ってスイッチング素子SW1~SW4のスイッチング動作を制御することで出力端子OUTから正弦波を出力する通常動作を実行する。ただし、半導体スイッチング素子駆動回路6は、通常動作を実行するにあたって、事前に充電動作を実行する必要がある。充電動作とは、正電源用コンデンサ9b~9d及び負電源バッファ用コンデンサ10b~10dを充電する動作である。なお、正電源用コンデンサ9a及び負電源バッファ用コンデンサ10aは、スイッチング素子SW1~SW4のスイッチング動作に関係なく、常に充電される。
以下に、本実施形態に係る充電動作について、図8~12を用いて説明する。
Thus, the semiconductor switching element drive circuit 6 selects one of the operation patterns (1) to (4) based on the positive/negative relationship between the output voltage V and the output current I, and selects the selected operation pattern. By controlling the switching operations of the switching elements SW1 to SW4 in accordance with , a normal operation for outputting a sine wave from the output terminal OUT is executed. However, the semiconductor switching element drive circuit 6 needs to perform the charging operation in advance before performing the normal operation. The charging operation is an operation of charging the positive power supply capacitors 9b to 9d and the negative power supply buffer capacitors 10b to 10d. The positive power supply capacitor 9a and the negative power supply buffer capacitor 10a are always charged regardless of the switching operations of the switching elements SW1 to SW4.
The charging operation according to this embodiment will be described below with reference to FIGS. 8 to 12. FIG.

半導体スイッチング素子駆動回路6は、スイッチング素子SW1~SW4をオン状態又はオフ状態に制御することで充電動作を実行する。半導体スイッチング素子駆動回路6は、第1の動作モードから第5の動作モードのうち、複数の動作を実行することで充電動作を実行する。 The semiconductor switching element driving circuit 6 performs charging operation by controlling the switching elements SW1 to SW4 to be on or off. Semiconductor switching element drive circuit 6 executes a charging operation by executing a plurality of operations among the first to fifth operation modes.

<第1の動作モード>
第1の動作モードは、図8に示すように、半導体スイッチング素子駆動回路6が、スイッチング素子SW1をオン状態に制御し、スイッチング素子SW2~SW4をオフ状態に制御するモードである。第1のモードでは、第2の直流電源7からの電流は、制限抵抗18b、逆流防止用ダイオード19b、正電源用コンデンサ9b、スイッチング素子SW1からなる第1の充電回路W1を通る。これにより、正電源用コンデンサ9bが充電される。また、第2の直流電源7からの電流は、制限抵抗18b、逆流防止用ダイオード19b、負電源バッファ用コンデンサ10b、電圧制限用ダイオード15b、スイッチング素子SW1からなる第2の充電回路W2を通る。これにより、負電源バッファ用コンデンサ10bが充電される。したがって、第1の動作モードでは、スイッチング素子SW1がオン状態に制御されることで、第2の直流電源7から正電源用コンデンサ9b及び負電源バッファ用コンデンサ10bに対して電荷が充電される。
<First Operation Mode>
In the first operation mode, as shown in FIG. 8, the semiconductor switching element drive circuit 6 controls the switching element SW1 to be on and the switching elements SW2 to SW4 to be off. In the first mode, the current from the second DC power supply 7 passes through the first charging circuit W1 consisting of the limiting resistor 18b, the reverse current prevention diode 19b, the positive power supply capacitor 9b, and the switching element SW1. As a result, the positive power supply capacitor 9b is charged. The current from the second DC power supply 7 passes through a second charging circuit W2 consisting of a limiting resistor 18b, a backflow preventing diode 19b, a negative power buffer capacitor 10b, a voltage limiting diode 15b, and a switching element SW1. As a result, the negative power supply buffer capacitor 10b is charged. Therefore, in the first operation mode, the positive power supply capacitor 9b and the negative power supply buffer capacitor 10b are charged from the second DC power supply 7 by turning on the switching element SW1.

<第2の動作モード>
第2の動作モードは、図9に示すように、半導体スイッチング素子駆動回路6がスイッチング素子SW1及びSW2をオン状態に制御し、スイッチング素子SW3及びSW4をオフ状態に制御するモードである。したがって、第1の充電回路W1及び第2の充電回路W2が形成されるため、第2の直流電源7から正電源用コンデンサ9b及び負電源バッファ用コンデンサ10bに対して電荷が充電される。
さらに、第2の動作モードでは、スイッチング素子SW2がオン状態であるため、第2の直流電源7からの電流は、制限抵抗18b、逆流防止用ダイオード19b、制限抵抗18c、逆流防止用ダイオード19c、正電源用コンデンサ9c、スイッチング素子SW2、スイッチング素子SW1からなる第3の充電回路W3を通る。これにより、正電源用コンデンサ9cが充電される。また、第2の直流電源7からの電流は、制限抵抗18b、逆流防止用ダイオード19b、制限抵抗18c、逆流防止用ダイオード19c、負電源バッファ用コンデンサ10c、電圧制限用ダイオード15c、スイッチング素子SW2、スイッチング素子SW1からなる第4の充電回路W4を通る。これにより、負電源バッファ用コンデンサ10cが充電される。
<Second Operation Mode>
In the second operation mode, as shown in FIG. 9, the semiconductor switching element drive circuit 6 controls the switching elements SW1 and SW2 to be on and the switching elements SW3 and SW4 to be off. Therefore, since the first charging circuit W1 and the second charging circuit W2 are formed, charges are charged from the second DC power supply 7 to the positive power supply capacitor 9b and the negative power supply buffer capacitor 10b.
Furthermore, in the second operation mode, since the switching element SW2 is in the ON state, the current from the second DC power supply 7 is limited to the limiting resistor 18b, the backflow preventing diode 19b, the limiting resistor 18c, the backflow preventing diode 19c, It passes through a third charging circuit W3 comprising a positive power supply capacitor 9c, a switching element SW2, and a switching element SW1. As a result, the positive power supply capacitor 9c is charged. Also, the current from the second DC power supply 7 flows through a limiting resistor 18b, a backflow preventing diode 19b, a limiting resistor 18c, a backflow preventing diode 19c, a negative power supply buffer capacitor 10c, a voltage limiting diode 15c, a switching element SW2, a It passes through a fourth charging circuit W4 comprising a switching element SW1. As a result, the negative power supply buffer capacitor 10c is charged.

<第3の動作モード>
第3の動作モードは、図10に示すように、半導体スイッチング素子駆動回路6がスイッチング素子SW2をオン状態に制御し、スイッチング素子SW1、SW3及びSW4をオフ状態に制御するモードである。第3の動作モードでは、正電源用コンデンサ9bが充電されている状態において実行される動作モードであって、スイッチング素子SW2のみがオン状態に制御されることで、正電源用コンデンサ9bの電荷が正電源用コンデンサ9c及び負電源バッファ用コンデンサ10cへ充電される。正電源用コンデンサ9bが充電されている状態とは、例えば、正電源用コンデンサ9bが第2の直流電源7の正極端子の電位(VDD)と同電位まで充電されている状態である。
具体的には、正電源用コンデンサ9bからの電流は、制限抵抗18c、逆流防止用ダイオード19c、正電源用コンデンサ9c、スイッチング素子SW2からなる第5の充電回路W5を通る。これにより、正電源用コンデンサ9cが充電される。また、正電源用コンデンサ9bからの電流は、制限抵抗18c、逆流防止用ダイオード19c、負電源バッファ用コンデンサ10c、電圧制限用ダイオード15c、スイッチング素子SW2からなる第6の充電回路W6を通る。これにより、負電源バッファ用コンデンサ10cが充電される。
<Third Operation Mode>
As shown in FIG. 10, the third operation mode is a mode in which the semiconductor switching element drive circuit 6 controls the switching element SW2 to be on and the switching elements SW1, SW3 and SW4 to be off. The third operation mode is an operation mode executed in a state where the positive power supply capacitor 9b is charged, and only the switching element SW2 is controlled to be turned on, so that the positive power supply capacitor 9b is charged. The positive power supply capacitor 9c and the negative power supply buffer capacitor 10c are charged. The state in which the positive power supply capacitor 9b is charged is, for example, a state in which the positive power supply capacitor 9b is charged to the same potential as the potential (VDD) of the positive terminal of the second DC power supply 7 .
Specifically, the current from the positive power supply capacitor 9b passes through a fifth charging circuit W5 consisting of a limiting resistor 18c, a backflow prevention diode 19c, a positive power supply capacitor 9c, and a switching element SW2. As a result, the positive power supply capacitor 9c is charged. The current from the positive power supply capacitor 9b passes through a sixth charging circuit W6 consisting of a limiting resistor 18c, a backflow prevention diode 19c, a negative power supply buffer capacitor 10c, a voltage limiting diode 15c, and a switching element SW2. As a result, the negative power supply buffer capacitor 10c is charged.

<第4の動作モード>
第4の動作モードは、図11に示すように、半導体スイッチング素子駆動回路6がスイッチング素子SW2及びSW3をオン状態に制御し、スイッチング素子SW1及びSW4をオフ状態に制御するモードである。第4の動作モードでは、正電源用コンデンサ9bが充電されている状態において実行される動作モードであって、スイッチング素子SW2及びSW3がオン状態に制御されることで、正電源用コンデンサ9bの電荷が正電源用コンデンサ9c,9d及び負電源バッファ用コンデンサ10c,10dへ充電される。
具体的には、第5の充電回路W5及び第6の充電回路W6が形成されているため、正電源用コンデンサ9c及び負電源バッファ用コンデンサ10cが充電される。
さらに、スイッチング素子SW3がオン状態であるため、正電源用コンデンサ9bからの電流は、制限抵抗18c、逆流防止用ダイオード19c、制限抵抗18d、逆流防止用ダイオード19d、正電源用コンデンサ9d、スイッチング素子SW3、スイッチング素子SW2からなる第7の充電回路W7を通る。これにより、正電源用コンデンサ9dが充電される。また、正電源用コンデンサ9bからの電流は、制限抵抗18c、逆流防止用ダイオード19c、制限抵抗18d、逆流防止用ダイオード19d、負電源バッファ用コンデンサ10d、電圧制限用ダイオード15d、スイッチング素子SW3、スイッチング素子SW2からなる第8の充電回路W8を通る。これにより、負電源バッファ用コンデンサ10dが充電される。
<Fourth Operation Mode>
In the fourth operation mode, as shown in FIG. 11, the semiconductor switching element drive circuit 6 controls the switching elements SW2 and SW3 to be on and the switching elements SW1 and SW4 to be off. The fourth operation mode is an operation mode executed in a state where the positive power supply capacitor 9b is charged, and the switching elements SW2 and SW3 are controlled to be in the ON state, so that the positive power supply capacitor 9b is charged. are charged to positive power supply capacitors 9c and 9d and negative power supply buffer capacitors 10c and 10d.
Specifically, since the fifth charging circuit W5 and the sixth charging circuit W6 are formed, the positive power supply capacitor 9c and the negative power supply buffer capacitor 10c are charged.
Furthermore, since the switching element SW3 is in the ON state, the current from the positive power supply capacitor 9b flows through the limiting resistor 18c, the backflow prevention diode 19c, the limiting resistor 18d, the backflow prevention diode 19d, the positive power supply capacitor 9d, and the switching element. SW3 and a seventh charging circuit W7 comprising a switching element SW2. As a result, the positive power supply capacitor 9d is charged. Also, the current from the positive power supply capacitor 9b flows through a limiting resistor 18c, a backflow preventing diode 19c, a limiting resistor 18d, a backflow preventing diode 19d, a negative power supply buffer capacitor 10d, a voltage limiting diode 15d, a switching element SW3, and a switching element SW3. It passes through an eighth charging circuit W8 consisting of element SW2. As a result, the negative power supply buffer capacitor 10d is charged.

<第5の動作モード>
第5の動作モードは、図12に示すように、半導体スイッチング素子駆動回路6がスイッチング素子SW3をオン状態に制御し、スイッチング素子SW1、SW2及びSW4をオフ状態に制御するモードである。第5の動作モードでは、正電源用コンデンサ9cが充電されている状態において実行される動作モードであって、スイッチング素子SW3のみがオン状態に制御されることで、正電源用コンデンサ9cの電荷が正電源用コンデンサ99d及び負電源バッファ用コンデンサ10dへ充電される。正電源用コンデンサ9cが充電されている状態とは、例えば、正電源用コンデンサ9cが第2の直流電源7の正極端子の電位(VDD)と同電位まで充電されている状態である。
具体的には、スイッチング素子SW3がオン状態であるため、正電源用コンデンサ9cからの電流は、制限抵抗18d、逆流防止用ダイオード19d、正電源用コンデンサ9d、スイッチング素子SW3からなる第9の充電回路W9を通る。これにより、正電源用コンデンサ9dが充電される。また、正電源用コンデンサ9cからの電流は、制限抵抗18d、逆流防止用ダイオード19d、負電源バッファ用コンデンサ10d、電圧制限用ダイオード15d、スイッチング素子SW3からなる第10の充電回路W10を通る。これにより、負電源バッファ用コンデンサ10dが充電される。
<Fifth Operation Mode>
As shown in FIG. 12, the fifth operation mode is a mode in which the semiconductor switching element drive circuit 6 controls the switching element SW3 to the ON state and controls the switching elements SW1, SW2 and SW4 to the OFF state. The fifth operation mode is an operation mode executed in a state where the positive power supply capacitor 9c is charged, and only the switching element SW3 is controlled to be turned on, so that the positive power supply capacitor 9c is charged. The positive power supply capacitor 99d and the negative power supply buffer capacitor 10d are charged. The state in which the positive power supply capacitor 9c is charged is, for example, a state in which the positive power supply capacitor 9c is charged to the same potential as the potential (VDD) of the positive terminal of the second DC power supply 7 .
Specifically, since the switching element SW3 is in the ON state, the current from the positive power supply capacitor 9c flows through the ninth charging current formed by the limiting resistor 18d, the reverse current prevention diode 19d, the positive power supply capacitor 9d, and the switching element SW3. through circuit W9. As a result, the positive power supply capacitor 9d is charged. The current from the positive power supply capacitor 9c passes through a tenth charging circuit W10 consisting of a limiting resistor 18d, a backflow prevention diode 19d, a negative power supply buffer capacitor 10d, a voltage limiting diode 15d, and a switching element SW3. As a result, the negative power supply buffer capacitor 10d is charged.

このように、例えば、半導体スイッチング素子駆動回路6は、通常動作を実行する前において、第1の動作モード、第2の動作モード、第4の動作モードの順に動作モードを切り替えることで充電動作を実行する。これにより、半導体スイッチング素子駆動回路6は、正電源用コンデンサ9b~9d及び負電源バッファ用コンデンサ10b~10dを充電することができる。ただし、充電動作は、正電源用コンデンサ9b~9d及び負電源バッファ用コンデンサ10b~10dを充電できればよく、第1の動作モード、第2の動作モード、第4の動作モードの順に動作モードを切り替える動作に限定されない。例えば、充電動作は、第2の動作モード、第4の動作モードの順に切り替える動作であってもよいし、第1の動作モード、第2の動作モード、第5の動作モードの順に切り替える動作であってもよい。 In this manner, for example, the semiconductor switching element drive circuit 6 performs the charging operation by switching the operation modes in order of the first operation mode, the second operation mode, and the fourth operation mode before executing the normal operation. Execute. As a result, the semiconductor switching element drive circuit 6 can charge the positive power supply capacitors 9b to 9d and the negative power supply buffer capacitors 10b to 10d. However, the charging operation only needs to charge the positive power supply capacitors 9b to 9d and the negative power supply buffer capacitors 10b to 10d. Not limited to action. For example, the charging operation may be an operation of switching in the order of the second operation mode and the fourth operation mode, or an operation of switching in the order of the first operation mode, the second operation mode and the fifth operation mode. There may be.

以下に、本実施形態におけるマルチレベル電力変換器Aの通常動作について、図13~16を用いて具体的に説明する。まず、動作パターン(1)の場合について説明する。 The normal operation of the multilevel power converter A in this embodiment will be specifically described below with reference to FIGS. 13 to 16. FIG. First, the case of operation pattern (1) will be described.

<第1の状態>
図13は、本実施形態に係る第1の状態のときの半導体スイッチング素子駆動回路6の動作の流れを示す説明図である。
<First state>
FIG. 13 is an explanatory diagram showing the flow of operation of the semiconductor switching element drive circuit 6 in the first state according to this embodiment.

図13に示すように、充放電制御部13aは、スイッチング素子21aをオン状態に制御することで、負電源用コンデンサ16aの第1の端部とスイッチング素子SW1のゲート端子とを導通させる。これにより、負電源用コンデンサ16aに充電されていた電荷は、スイッチング素子SW1の入力容量200a、スイッチング素子21aを通り、負電源用コンデンサ16aに戻る経路を通る。この場合には、入力容量200aに充電されていた電荷が放電されるので、スイッチング素子SW1がオンからオフに移行する。換言すれば、負電源用コンデンサ16aに充電されていた負電荷は、スイッチング素子21a、入力容量200aを通り、負電源用コンデンサ16aの第2の端部に戻る経路を通る。したがって、負電源用コンデンサ16aの第1の端部からスイッチング素子b2のゲート端子に負電荷が供給されることで、スイッチング素子SW1のゲート端子に負電圧のゲート電圧が印加される。これにより、スイッチング素子SW1がオフ状態になる。 As shown in FIG. 13, the charge/discharge control unit 13a controls the switching element 21a to be in the ON state, thereby conducting the first end of the negative power supply capacitor 16a and the gate terminal of the switching element SW1. As a result, the electric charge charged in the negative power supply capacitor 16a passes through the input capacitance 200a of the switching element SW1, the switching element 21a, and returns to the negative power supply capacitor 16a. In this case, since the electric charge charged in the input capacitor 200a is discharged, the switching element SW1 is turned off from on. In other words, the negative charge charged in the negative power supply capacitor 16a passes through the switching element 21a, the input capacitor 200a, and the path returning to the second end of the negative power supply capacitor 16a. Therefore, by supplying negative charges from the first end of the negative power supply capacitor 16a to the gate terminal of the switching element b2, a negative gate voltage is applied to the gate terminal of the switching element SW1. As a result, the switching element SW1 is turned off.

同様に、図13に示すように、充放電制御部13bは、スイッチング素子21bがオンされているため、負電源用コンデンサ16bの第1の端部とスイッチング素子SW2のゲート端子とを導通させる。これにより、負電源用コンデンサ16bに充電されていた電荷は、スイッチング素子SW2の入力容量200b、スイッチング素子21bを通り、負電源用コンデンサ16bに戻る経路を通る。この場合には、入力容量200bに充電されていた電荷が放電されるので、スイッチング素子SW2がオンからオフに移行する。換言すれば、負電源用コンデンサ16bに充電されていた負電荷は、スイッチング素子21b、入力容量200bを通り、負電源用コンデンサ16bの第2の端部に戻る経路を通る。したがって、負電源用コンデンサ16bの第1の端部からスイッチング素子SW2のゲート端子に負電荷が供給されることで、スイッチング素子SW2のゲート端子に負電圧のゲート電圧が印加される。これにより、スイッチング素子SW2がオフ状態になる。 Similarly, as shown in FIG. 13, since the switching element 21b is turned on, the charge/discharge control section 13b conducts the first end of the negative power supply capacitor 16b and the gate terminal of the switching element SW2. As a result, the charge charged in the negative power supply capacitor 16b passes through the input capacitance 200b of the switching element SW2, the switching element 21b, and returns to the negative power supply capacitor 16b. In this case, the electric charge stored in the input capacitor 200b is discharged, so that the switching element SW2 is turned off from on. In other words, the negative charge charged in the negative power supply capacitor 16b passes through the switching element 21b, the input capacitor 200b, and the path returning to the second end of the negative power supply capacitor 16b. Therefore, by supplying negative charges from the first end of the negative power supply capacitor 16b to the gate terminal of the switching element SW2, a negative gate voltage is applied to the gate terminal of the switching element SW2. As a result, the switching element SW2 is turned off.

充放電制御部13cは、スイッチング素子20cをオン状態に制御し、スイッチング素子21cをオフ状態に制御する。これにより、正電源用コンデンサ9cに充電されていた電荷は、スイッチング素子20c、スイッチング素子SW3の入力容量200cを経由し、正電源用コンデンサ9cの第2の端部に戻る経路を通る。したがって、入力容量200cは、正電源用コンデンサ9cから放電された電荷により充電を開始する。その後、入力容量200cに一定量の電荷が充電されると、スイッチング素子SW3がオフ状態からオン状態に移行する。 The charge/discharge control unit 13c controls the switching element 20c to be on and the switching element 21c to be off. As a result, the electric charge charged in the positive power supply capacitor 9c passes through the switching element 20c and the input capacitance 200c of the switching element SW3, and returns to the second end of the positive power supply capacitor 9c. Therefore, the input capacitor 200c starts charging with the charge discharged from the positive power supply capacitor 9c. After that, when the input capacitor 200c is charged with a certain amount of charge, the switching element SW3 shifts from the off state to the on state.

スイッチング素子SW3がオン状態に移行すると、負電源バッファ用コンデンサ10cに充電された電荷が放電される。したがって、負電源バッファ用コンデンサ10cに充電されていた電荷は、逆流防止用ダイオード11c、制限抵抗12c、スイッチング素子SW3、負電源用コンデンサ16c、整流用ダイオード14cを経由し、負電源バッファ用コンデンサ10cの第2の端部に戻る経路を通る。したがって、負電源用コンデンサ16cは、負電源バッファ用コンデンサ10cから放電された電荷により充電される。すなわち、負電源用コンデンサ16cの第2の端部には正電荷が充電され、負電源用コンデンサ16cの第1の端部には負電荷が充電される。換言すれば、第1の状態では、充電状態の負電源バッファ用コンデンサ10cの第1の端部と負電源用コンデンサ16cの第2の端部とを接続することにより負電源用コンデンサ16cを充電させる第11の充電回路W11を形成する。第11の充電回路W11は、導通状態のスイッチング素子SW3を経由して負電源用コンデンサ16cを充電させる。なお、本実施形態の第1の状態では、第11の充電回路W11は、負電源バッファ用コンデンサ10c、逆流防止用ダイオード11c、制限抵抗12c、スイッチング素子SW3、負電源用コンデンサ16c及び整流用ダイオード14cを備える。 When the switching element SW3 is turned on, the charge stored in the negative power supply buffer capacitor 10c is discharged. Therefore, the charge stored in the negative power supply buffer capacitor 10c passes through the backflow prevention diode 11c, the limiting resistor 12c, the switching element SW3, the negative power supply capacitor 16c, the rectifying diode 14c, and the negative power supply buffer capacitor 10c. through a path returning to the second end of the . Therefore, the negative power supply capacitor 16c is charged with the charges discharged from the negative power supply buffer capacitor 10c. That is, the second end of the negative power supply capacitor 16c is charged with positive charges, and the first end of the negative power supply capacitor 16c is charged with negative charges. In other words, in the first state, the negative power supply capacitor 16c is charged by connecting the first end of the charged negative power supply buffer capacitor 10c to the second end of the negative power supply capacitor 16c. An eleventh charging circuit W11 is formed. The eleventh charging circuit W11 charges the negative power supply capacitor 16c through the conducting switching element SW3. In the first state of the present embodiment, the eleventh charging circuit W11 includes the negative power supply buffer capacitor 10c, the reverse current prevention diode 11c, the limiting resistor 12c, the switching element SW3, the negative power supply capacitor 16c, and the rectifying diode. 14c.

充放電制御部13dは、スイッチング素子20dをオン状態に制御し、スイッチング素子21dをオフ状態に制御する。これにより、正電源用コンデンサ9dに充電されていた電荷は、スイッチング素子20d、スイッチング素子SW4の入力容量200dを経由し、正電源用コンデンサ9dの第2の端部に戻る経路を通る。したがって、入力容量200dは、正電源用コンデンサ9dから放電された電荷により充電を開始する。その後、入力容量200dに一定量の電荷が充電されると、スイッチング素子SW4がオフ状態からオン状態に移行する。 The charge/discharge control unit 13d controls the switching element 20d to be on and the switching element 21d to be off. As a result, the electric charge charged in the positive power supply capacitor 9d passes through the switching element 20d and the input capacitance 200d of the switching element SW4, and returns to the second end of the positive power supply capacitor 9d. Therefore, the input capacitor 200d starts charging with the charge discharged from the positive power supply capacitor 9d. After that, when the input capacitor 200d is charged with a certain amount of charge, the switching element SW4 shifts from the off state to the on state.

スイッチング素子SW4がオン状態に移行すると、負電源バッファ用コンデンサ10dに充電された電荷が放電される。したがって、負電源バッファ用コンデンサ10dに充電されていた電荷は、逆流防止用ダイオード11d、制限抵抗12d、スイッチング素子SW4、負電源用コンデンサ16d、整流用ダイオード14dを経由し、負電源バッファ用コンデンサ10dの第2の端部に戻る経路を通る。したがって、負電源用コンデンサ16dは、負電源バッファ用コンデンサ10dから放電された電荷により充電される。すなわち、負電源用コンデンサ16dの第2の端部には正電荷が充電され、負電源用コンデンサ16dの第1の端部には負電荷が充電される。換言すれば、第1の状態では、充電状態の負電源バッファ用コンデンサ10dの第1の端部と負電源用コンデンサ16dの第2の端部とを接続することにより負電源用コンデンサ16dを充電させる第12の充電回路W12を形成する。第12の充電回路W12は、導通状態のスイッチング素子SW4を経由して負電源用コンデンサ16dを充電させる。なお、本実施形態の第1の状態では、第12の充電回路W12は、負電源バッファ用コンデンサ10d、逆流防止用ダイオード11d、制限抵抗12d、スイッチング素子SW4、負電源用コンデンサ16d及び整流用ダイオード14dを備える。 When the switching element SW4 is turned on, the charge stored in the negative power supply buffer capacitor 10d is discharged. Therefore, the electric charge stored in the negative power supply buffer capacitor 10d passes through the backflow prevention diode 11d, the limiting resistor 12d, the switching element SW4, the negative power supply capacitor 16d, and the rectifying diode 14d, and is transferred to the negative power supply buffer capacitor 10d. through a path returning to the second end of the . Therefore, the negative power supply capacitor 16d is charged with the charges discharged from the negative power supply buffer capacitor 10d. That is, the second end of the negative power supply capacitor 16d is charged with positive charges, and the first end of the negative power supply capacitor 16d is charged with negative charges. In other words, in the first state, the negative power supply capacitor 16d is charged by connecting the first end of the charged negative power supply buffer capacitor 10d and the second end of the negative power supply capacitor 16d. A twelfth charging circuit W12 is formed to allow the The twelfth charging circuit W12 charges the negative power supply capacitor 16d via the conducting switching element SW4. In the first state of the present embodiment, the twelfth charging circuit W12 includes the negative power buffer capacitor 10d, the reverse current prevention diode 11d, the limiting resistor 12d, the switching element SW4, the negative power capacitor 16d, and the rectifying diode. 14d.

<第2の状態>
図14は、本実施形態に係る第2の状態のときの半導体スイッチング素子駆動回路6の動作の流れを示す説明図である。
図14に示すように、充放電制御部13aは、スイッチング素子21aをオン状態に制御して、負電源用コンデンサ16aの第1の端部とスイッチング素子SW1のゲート端子とを導通させる。これにより、負電源用コンデンサ16aの第1の端部からスイッチング素子SW1のゲート端子に負電荷が供給され、スイッチング素子SW1のゲート端子に負電圧のゲート電圧が印加される。したがって、スイッチング素子SW1がオフ状態になる。
<Second state>
FIG. 14 is an explanatory diagram showing the operation flow of the semiconductor switching element drive circuit 6 in the second state according to this embodiment.
As shown in FIG. 14, the charge/discharge control unit 13a controls the switching element 21a to be in an ON state to connect the first end of the negative power supply capacitor 16a and the gate terminal of the switching element SW1. As a result, negative charges are supplied from the first end of the negative power supply capacitor 16a to the gate terminal of the switching element SW1, and a negative gate voltage is applied to the gate terminal of the switching element SW1. Therefore, the switching element SW1 is turned off.

充放電制御部13dは、スイッチング素子21dがオフ状態に制御し、スイッチング素子21dがオン状態に制御する。そのため、負電源用コンデンサ16dの第1の端部とスイッチング素子SW4のゲート端子とが導通する。これにより、負電源用コンデンサ16dに充電されていた電荷は、スイッチング素子SW4の入力容量200d、スイッチング素子21dを通り、負電源用コンデンサ16dに戻る経路を通る。この場合には、入力容量200dに充電されていた電荷が放電されるので、スイッチング素子SW4がオン状態からオフ状態に移行する。換言すれば、負電源用コンデンサ16dに充電されていた負電荷は、スイッチング素子21d、入力容量200dを通り、負電源用コンデンサ16dの第2の端部に戻る経路を通る。したがって、負電源用コンデンサ16dの第1の端部からスイッチング素子SW4のゲート端子に負電荷が供給されることで、スイッチング素子SW4のゲート端子に負電圧のゲート電圧が印加される。これにより、スイッチング素子SW4がオフ状態になる。 The charge/discharge control unit 13d controls the switching element 21d to be turned off and the switching element 21d to be turned on. Therefore, the first end of the negative power supply capacitor 16d and the gate terminal of the switching element SW4 are electrically connected. As a result, the charge charged in the negative power supply capacitor 16d passes through the input capacitance 200d of the switching element SW4, the switching element 21d, and returns to the negative power supply capacitor 16d. In this case, since the electric charge charged in the input capacitor 200d is discharged, the switching element SW4 shifts from the ON state to the OFF state. In other words, the negative charge charged in the negative power supply capacitor 16d passes through the switching element 21d, the input capacitor 200d, and the path returning to the second end of the negative power supply capacitor 16d. Therefore, by supplying negative charges from the first end of the negative power supply capacitor 16d to the gate terminal of the switching element SW4, a negative gate voltage is applied to the gate terminal of the switching element SW4. As a result, the switching element SW4 is turned off.

充放電制御部13bは、スイッチング素子20bをオン状態に制御し、スイッチング素子21bをオフ状態に制御する。これにより、正電源用コンデンサ9bに充電されていた電荷は、スイッチング素子20b、スイッチング素子SW2の入力容量200bを経由し、正電源用コンデンサ9bの第2の端部に戻る経路を通る。したがって、入力容量200bは、正電源用コンデンサ9bから放電された電荷により充電を開始する。その後、入力容量200bに一定量の電荷が充電されると、スイッチング素子SW2がオフ状態からオン状態に移行する。 The charge/discharge control unit 13b controls the switching element 20b to the ON state and controls the switching element 21b to the OFF state. As a result, the charge charged in the positive power supply capacitor 9b passes through the switching element 20b, the input capacitance 200b of the switching element SW2, and returns to the second end of the positive power supply capacitor 9b. Therefore, the input capacitor 200b starts charging with the charge discharged from the positive power supply capacitor 9b. After that, when the input capacitor 200b is charged with a certain amount of charge, the switching element SW2 changes from the off state to the on state.

スイッチング素子SW2がオン状態に移行すると、負電源バッファ用コンデンサ10bに充電された電荷が放電される。したがって、負電源バッファ用コンデンサ10bに充電されていた電荷は、逆流防止用ダイオード11b、制限抵抗12b、スイッチング素子SW2、負電源用コンデンサ16b、整流用ダイオード14bを経由し、負電源バッファ用コンデンサ10bの第2の端部に戻る経路を通る。したがって、負電源用コンデンサ16bは、負電源バッファ用コンデンサ10bから放電された電荷により充電される。すなわち、負電源用コンデンサ16bの第2の端部には正電荷が充電され、負電源用コンデンサ16bの第1の端部には負電荷が充電される。換言すれば、第2の状態では、充電状態の負電源バッファ用コンデンサ10bの第1の端部と負電源用コンデンサ16bの第2の端部とを接続することにより負電源用コンデンサ16bを充電させる第13の充電回路W13を形成する。第13の充電回路W13は、導通状態のスイッチング素子SW2を経由して負電源用コンデンサ16bを充電させる。なお、本実施形態の第2の状態では、第13の充電回路W13は、負電源バッファ用コンデンサ10b、逆流防止用ダイオード11b、制限抵抗12b、スイッチング素子SW2、負電源用コンデンサ16b及び整流用ダイオード14bを備える。 When the switching element SW2 is turned on, the charge stored in the negative power supply buffer capacitor 10b is discharged. Therefore, the electric charge charged in the negative power supply buffer capacitor 10b passes through the backflow prevention diode 11b, the limiting resistor 12b, the switching element SW2, the negative power supply capacitor 16b, the rectifying diode 14b, and the negative power supply buffer capacitor 10b. through a path returning to the second end of the . Therefore, the negative power supply capacitor 16b is charged with the charges discharged from the negative power supply buffer capacitor 10b. That is, the second end of the negative power supply capacitor 16b is charged with positive charges, and the first end of the negative power supply capacitor 16b is charged with negative charges. In other words, in the second state, the negative power supply capacitor 16b is charged by connecting the first end of the charged negative power supply buffer capacitor 10b to the second end of the negative power supply capacitor 16b. A thirteenth charging circuit W13 is formed. The thirteenth charging circuit W13 charges the negative power supply capacitor 16b via the conducting switching element SW2. In the second state of the present embodiment, the thirteenth charging circuit W13 includes the negative power supply buffer capacitor 10b, the reverse current prevention diode 11b, the limiting resistor 12b, the switching element SW2, the negative power supply capacitor 16b, and the rectifying diode. 14b.

充放電制御部13cは、第1の状態と同様に、スイッチング素子20cをオン状態に制御し、スイッチング素子21cをオフ状態に制御する。これにより、スイッチング素子SW3がオン状態に制御される。 As in the first state, the charge/discharge control unit 13c controls the switching element 20c to the ON state and controls the switching element 21c to the OFF state. As a result, the switching element SW3 is controlled to be in the ON state.

次に、本実施形態に係る動作パターン(2)の場合について説明する。
<第3の状態>
図15は、本実施形態に係る第3の状態のときの半導体スイッチング素子駆動回路6の動作の流れを示す説明図である。
Next, the case of operation pattern (2) according to this embodiment will be described.
<Third state>
FIG. 15 is an explanatory diagram showing the operation flow of the semiconductor switching element drive circuit 6 in the third state according to this embodiment.

図15に示すように、充放電制御部13aは、スイッチング素子20aをオン状態に制御し、スイッチング素子21aをオフ状態に制御する。これにより、正電源用コンデンサ9aに充電されていた電荷は、スイッチング素子20a、スイッチング素子SW1の入力容量200aを経由し、正電源用コンデンサ9aの第2の端部に戻る経路を通る。したがって、入力容量200aは、正電源用コンデンサ9aから放電された電荷により充電を開始する。その後、入力容量200aに一定量の電荷が充電されると、スイッチング素子SW1がオフ状態からオン状態に移行する。 As shown in FIG. 15, the charge/discharge control unit 13a controls the switching element 20a to be on and the switching element 21a to be off. As a result, the electric charge charged in the positive power supply capacitor 9a passes through the switching element 20a and the input capacitance 200a of the switching element SW1, and returns to the second end of the positive power supply capacitor 9a. Therefore, the input capacitor 200a starts charging with the charge discharged from the positive power supply capacitor 9a. After that, when the input capacitor 200a is charged with a certain amount of charge, the switching element SW1 changes from the off state to the on state.

スイッチング素子SW1がオン状態に移行すると、負電源バッファ用コンデンサ10aに充電された電荷が放電される。したがって、負電源バッファ用コンデンサ10aに充電されていた電荷は、逆流防止用ダイオード11a、制限抵抗12a、スイッチング素子SW1、負電源用コンデンサ16a、整流用ダイオード14aを経由し、負電源バッファ用コンデンサ10aの第2の端部に戻る経路を通る。したがって、負電源用コンデンサ16aは、負電源バッファ用コンデンサ10aから放電された電荷により充電される。すなわち、負電源用コンデンサ16aの第2の端部には正電荷が充電され、負電源用コンデンサ16aの第1の端部には負電荷が充電される。換言すれば、第3の状態では、充電状態の負電源バッファ用コンデンサ10aの第1の端部と負電源用コンデンサ16aの第2の端部とを接続することにより負電源用コンデンサ16aを充電させる第14の充電回路W14を形成する。第14の充電回路W14は、導通状態のスイッチング素子SW1を経由して負電源用コンデンサ16aを充電させる。なお、本実施形態の第3の状態では、第14の充電回路W14は、負電源バッファ用コンデンサ10a、逆流防止用ダイオード11a、制限抵抗12a、スイッチング素子SW1、負電源用コンデンサ16a及び整流用ダイオード14aを備える。 When the switching element SW1 is turned on, the charge stored in the negative power supply buffer capacitor 10a is discharged. Therefore, the electric charge charged in the negative power supply buffer capacitor 10a passes through the backflow prevention diode 11a, the limiting resistor 12a, the switching element SW1, the negative power supply capacitor 16a, the rectifying diode 14a, and the negative power supply buffer capacitor 10a. through a path returning to the second end of the . Therefore, the negative power supply capacitor 16a is charged with the charges discharged from the negative power supply buffer capacitor 10a. That is, the second end of the negative power supply capacitor 16a is charged with positive charges, and the first end of the negative power supply capacitor 16a is charged with negative charges. In other words, in the third state, the negative power supply capacitor 16a is charged by connecting the first end of the charged negative power supply buffer capacitor 10a and the second end of the negative power supply capacitor 16a. A 14th charging circuit W14 is formed. The fourteenth charging circuit W14 charges the negative power supply capacitor 16a via the conducting switching element SW1. In the third state of the present embodiment, the fourteenth charging circuit W14 includes the negative power supply buffer capacitor 10a, the reverse current prevention diode 11a, the limiting resistor 12a, the switching element SW1, the negative power supply capacitor 16a, and the rectifying diode. 14a.

同様に、図15に示すように、充放電制御部13bは、スイッチング素子20bをオン状態に制御し、スイッチング素子21bをオフ状態に制御する。これにより、正電源用コンデンサ9bに充電されていた電荷は、スイッチング素子20b、スイッチング素子SW2の入力容量200bを経由し、正電源用コンデンサ9bの第2の端部に戻る経路を通る。したがって、入力容量200bは、正電源用コンデンサ9bから放電された電荷により充電を開始する。その後、入力容量200bに一定量の電荷が充電されると、スイッチング素子SW2がオフ状態からオン状態に移行する。 Similarly, as shown in FIG. 15, the charge/discharge control unit 13b controls the switching element 20b to the ON state and controls the switching element 21b to the OFF state. As a result, the charge charged in the positive power supply capacitor 9b passes through the switching element 20b, the input capacitance 200b of the switching element SW2, and returns to the second end of the positive power supply capacitor 9b. Therefore, the input capacitor 200b starts charging with the charge discharged from the positive power supply capacitor 9b. After that, when the input capacitor 200b is charged with a certain amount of charge, the switching element SW2 changes from the off state to the on state.

スイッチング素子SW2がオン状態に移行すると、第13の充電回路W13が形成されるため、負電源バッファ用コンデンサ10bに充電された電荷が放電される。したがって、負電源バッファ用コンデンサ10bに充電されていた電荷は、逆流防止用ダイオード11b、制限抵抗12b、スイッチング素子SW2、負電源用コンデンサ16b、整流用ダイオード14bを経由し、負電源バッファ用コンデンサ10bの第2の端部に戻る経路を通る。したがって、負電源用コンデンサ16bは、負電源バッファ用コンデンサ10bから放電された電荷により充電される。 When the switching element SW2 is turned on, the thirteenth charging circuit W13 is formed, so that the negative power supply buffer capacitor 10b is discharged. Therefore, the electric charge charged in the negative power supply buffer capacitor 10b passes through the backflow prevention diode 11b, the limiting resistor 12b, the switching element SW2, the negative power supply capacitor 16b, the rectifying diode 14b, and the negative power supply buffer capacitor 10b. through a path returning to the second end of the . Therefore, the negative power supply capacitor 16b is charged with the charges discharged from the negative power supply buffer capacitor 10b.

充放電制御部13cは、スイッチング素子20cをオフ状態に制御し、スイッチング素子21cをオン状態に制御する。そのため、負電源用コンデンサ16cの第1の端部とスイッチング素子SW3のゲート端子とが導通する。これにより、負電源用コンデンサ16cに充電されていた電荷は、スイッチング素子SW3の入力容量200c、スイッチング素子21cを通り、負電源用コンデンサ16cに戻る経路を通る。この場合には、入力容量200cに充電されていた電荷が放電されるので、スイッチング素子SW3がオン状態からオフ状態に移行する。換言すれば、負電源用コンデンサ16cに充電されていた負電荷は、スイッチング素子21c、入力容量200cを通り、負電源用コンデンサ16cの第2の端部に戻る経路を通る。したがって、負電源用コンデンサ16cの第1の端部からスイッチング素子SW3のゲート端子に負電荷が供給されることで、スイッチング素子SW3のゲート端子に負電圧のゲート電圧が印加される。これにより、スイッチング素子SW3がオフ状態になる。 The charge/discharge control unit 13c controls the switching element 20c to be turned off and the switching element 21c to be turned on. Therefore, the first end of the negative power supply capacitor 16c and the gate terminal of the switching element SW3 are electrically connected. As a result, the charge charged in the negative power supply capacitor 16c passes through the input capacitance 200c of the switching element SW3, the switching element 21c, and returns to the negative power supply capacitor 16c. In this case, since the electric charge charged in the input capacitor 200c is discharged, the switching element SW3 shifts from the ON state to the OFF state. In other words, the negative charge charged in the negative power supply capacitor 16c passes through the switching element 21c, the input capacitor 200c, and the path returning to the second end of the negative power supply capacitor 16c. Therefore, by supplying negative charges from the first end of the negative power supply capacitor 16c to the gate terminal of the switching element SW3, a negative gate voltage is applied to the gate terminal of the switching element SW3. As a result, the switching element SW3 is turned off.

充放電制御部13dは、スイッチング素子21dがオフ状態に制御し、スイッチング素子21dがオン状態に制御する。そのため、負電源用コンデンサ16dの第1の端部とスイッチング素子SW4のゲート端子とが導通する。これにより、負電源用コンデンサ16dに充電されていた電荷は、スイッチング素子SW4の入力容量200d、スイッチング素子21dを通り、負電源用コンデンサ16dに戻る経路を通る。この場合には、入力容量200dに充電されていた電荷が放電されるので、スイッチング素子SW4がオン状態からオフ状態に移行する。換言すれば、負電源用コンデンサ16dに充電されていた負電荷は、スイッチング素子21d、入力容量200dを通り、負電源用コンデンサ16dの第2の端部に戻る経路を通る。したがって、負電源用コンデンサ16dの第1の端部からスイッチング素子SW4のゲート端子に負電荷が供給されることで、スイッチング素子SW4のゲート端子に負電圧のゲート電圧が印加される。これにより、スイッチング素子SW4がオフ状態になる。 The charge/discharge control unit 13d controls the switching element 21d to be turned off and the switching element 21d to be turned on. Therefore, the first end of the negative power supply capacitor 16d and the gate terminal of the switching element SW4 are electrically connected. As a result, the charge charged in the negative power supply capacitor 16d passes through the input capacitance 200d of the switching element SW4, the switching element 21d, and returns to the negative power supply capacitor 16d. In this case, since the electric charge charged in the input capacitor 200d is discharged, the switching element SW4 shifts from the ON state to the OFF state. In other words, the negative charge charged in the negative power supply capacitor 16d passes through the switching element 21d, the input capacitor 200d, and the path returning to the second end of the negative power supply capacitor 16d. Therefore, by supplying negative charges from the first end of the negative power supply capacitor 16d to the gate terminal of the switching element SW4, a negative gate voltage is applied to the gate terminal of the switching element SW4. As a result, the switching element SW4 is turned off.

<第4の状態>
図16は、本実施形態に係る第4の状態のときの半導体スイッチング素子駆動回路6の動作の流れを示す説明図である。
<Fourth state>
FIG. 16 is an explanatory diagram showing the operation flow of the semiconductor switching element drive circuit 6 in the fourth state according to this embodiment.

図16に示すように、充放電制御部13aは、スイッチング素子20aをオフ状態に制御し、スイッチング素子21aをオン状態に制御する。そのため、負電源用コンデンサ16aの第1の端部とスイッチング素子SW1のゲート端子とが導通する。これにより、負電源用コンデンサ16aに充電されていた電荷は、スイッチング素子SW1の入力容量200a、スイッチング素子21aを通り、負電源用コンデンサ16aに戻る経路を通る。この場合には、入力容量200aに充電されていた電荷が放電されるので、スイッチング素子SW1がオン状態からオフ状態に移行する。換言すれば、負電源用コンデンサ16aに充電されていた負電荷は、スイッチング素子21a、入力容量200aを通り、負電源用コンデンサ16aの第2の端部に戻る経路を通る。したがって、負電源用コンデンサ16aの第1の端部からスイッチング素子SW1のゲート端子に負電荷が供給されることで、スイッチング素子SW1のゲート端子に負電圧のゲート電圧が印加される。これにより、スイッチング素子SW1がオフ状態になる。 As shown in FIG. 16, the charge/discharge control unit 13a controls the switching element 20a to be turned off and the switching element 21a to be turned on. Therefore, the first end of the negative power supply capacitor 16a and the gate terminal of the switching element SW1 are electrically connected. As a result, the electric charge charged in the negative power supply capacitor 16a passes through the input capacitance 200a of the switching element SW1, the switching element 21a, and returns to the negative power supply capacitor 16a. In this case, since the electric charge charged in the input capacitor 200a is discharged, the switching element SW1 shifts from the ON state to the OFF state. In other words, the negative charge charged in the negative power supply capacitor 16a passes through the switching element 21a, the input capacitor 200a, and the path returning to the second end of the negative power supply capacitor 16a. Therefore, by supplying negative charges from the first end of the negative power supply capacitor 16a to the gate terminal of the switching element SW1, a negative gate voltage is applied to the gate terminal of the switching element SW1. As a result, the switching element SW1 is turned off.

充放電制御部13bは、第3の状態と同様に、スイッチング素子20bをオン状態に制御し、スイッチング素子21bをオフ状態に制御する。これにより、スイッチング素子SW2がオン状態に制御される。 As in the third state, the charge/discharge control unit 13b controls the switching element 20b to the ON state and controls the switching element 21b to the OFF state. As a result, the switching element SW2 is controlled to be in the ON state.

充放電制御部13cは、スイッチング素子20cをオン状態に制御し、スイッチング素子21cをオフ状態に制御する。これにより、正電源用コンデンサ9cに充電されていた電荷は、スイッチング素子20c、スイッチング素子SW3の入力容量200cを経由し、正電源用コンデンサ9cの第2の端部に戻る経路を通る。したがって、入力容量200cは、正電源用コンデンサ9cから放電された電荷により充電を開始する。その後、入力容量200cに一定量の電荷が充電されると、スイッチング素子SW3がオフ状態からオン状態に移行する。 The charge/discharge control unit 13c controls the switching element 20c to be on and the switching element 21c to be off. As a result, the electric charge charged in the positive power supply capacitor 9c passes through the switching element 20c and the input capacitance 200c of the switching element SW3, and returns to the second end of the positive power supply capacitor 9c. Therefore, the input capacitor 200c starts charging with the charge discharged from the positive power supply capacitor 9c. After that, when the input capacitor 200c is charged with a certain amount of charge, the switching element SW3 shifts from the off state to the on state.

スイッチング素子SW3がオン状態に移行すると、第11の充電回路W11が形成されるため、負電源バッファ用コンデンサ10cに充電された電荷が放電される。したがって、負電源バッファ用コンデンサ10cに充電されていた電荷は、逆流防止用ダイオード11c、制限抵抗12c、スイッチング素子SW3、負電源用コンデンサ16c、整流用ダイオード14cを経由し、負電源バッファ用コンデンサ10cの第2の端部に戻る経路を通る。したがって、負電源用コンデンサ16cは、負電源バッファ用コンデンサ10cから放電された電荷により充電される。 When the switching element SW3 transitions to the ON state, the eleventh charging circuit W11 is formed, so that the charge charged in the negative power supply buffer capacitor 10c is discharged. Therefore, the charge stored in the negative power supply buffer capacitor 10c passes through the backflow prevention diode 11c, the limiting resistor 12c, the switching element SW3, the negative power supply capacitor 16c, the rectifying diode 14c, and the negative power supply buffer capacitor 10c. through a path returning to the second end of the . Therefore, the negative power supply capacitor 16c is charged with the charges discharged from the negative power supply buffer capacitor 10c.

充放電制御部13dは、第4の状態と同様に、スイッチング素子20dをオフ状態に制御し、スイッチング素子21dをオン状態に制御する。これにより、スイッチング素子SW4がオフ状態に制御される。 As in the fourth state, the charge/discharge control unit 13d controls the switching element 20d to be turned off and the switching element 21d to be turned on. As a result, the switching element SW4 is controlled to be turned off.

動作パターン(3)の半導体スイッチング素子駆動回路6の動作は、動作パターン(2)と同様であるため、説明を省略する。動作パターン(4)の半導体スイッチング素子駆動回路6の動作は、動作パターン(1)と同様であるため、説明を省略する。 Since the operation of the semiconductor switching element drive circuit 6 in the operation pattern (3) is the same as that in the operation pattern (2), the explanation is omitted. Since the operation of the semiconductor switching element drive circuit 6 in the operation pattern (4) is the same as that in the operation pattern (1), the explanation is omitted.

また、動作パターン(1)及び動作パターン(2)において、説明の便宜上、各駆動回路8において、正電源用コンデンサ9及び負電源バッファ用コンデンサ10への充電に関しては説明を省略したが、例えば、第1の充電回路W1から第10の充電回路W10の少なくともいずれかが形成された場合には、正電源用コンデンサ9及び負電源バッファ用コンデンサ10への充電が行われる。 Further, in the operation pattern (1) and the operation pattern (2), for convenience of explanation, the charging of the positive power supply capacitor 9 and the negative power supply buffer capacitor 10 in each drive circuit 8 is omitted. When at least one of the first charging circuit W1 to the tenth charging circuit W10 is formed, the positive power supply capacitor 9 and the negative power supply buffer capacitor 10 are charged.

上述したように、半導体スイッチング素子駆動回路6は、マルチレベル電力変換器の複数の半導体スイッチング素子SW1~SW4を駆動する。半導体スイッチング素子駆動回路6は、半導体スイッチング素子SW1~SW4ごとに設けられた複数の駆動回路8(第1の駆動回路8aから第4の駆動回路8d)を備える。各駆動回路8は、正電源用コンデンサ9、負電源バッファ用コンデンサ10、負電源用コンデンサ16、スイッチング素子20及びスイッチング素子21を備える。
正電源用コンデンサ9は、半導体スイッチング素子SWを導通状態にするための正電圧を生成する。負電源バッファ用コンデンサ10は、第1の端部が正電源用コンデンサ9の第1の端部に接続されている。負電源用コンデンサ16は、充電状態の負電源バッファ用コンデンサ10から放電された電力を充電することで半導体スイッチング素子SWを遮断状態にするための負電圧を生成する。スイッチング素子20は、正電源用コンデンサ9の第1の端部と半導体スイッチング素子SWの制御端子とを接続することにより正電圧を半導体スイッチング素子SWの制御端子に印加して半導体スイッチング素子SWを導通状態とする。スイッチング素子21は、負電源用コンデンサ16の第1の端部と半導体スイッチング素子SWの制御端子とを接続することにより負電圧を半導体スイッチング素子SWの制御端子に印加して半導体スイッチング素子SWを遮断状態とする。
As described above, the semiconductor switching element drive circuit 6 drives a plurality of semiconductor switching elements SW1-SW4 of the multilevel power converter. The semiconductor switching element driving circuit 6 includes a plurality of driving circuits 8 (first driving circuit 8a to fourth driving circuit 8d) provided for each of the semiconductor switching elements SW1 to SW4. Each drive circuit 8 includes a positive power supply capacitor 9 , a negative power supply buffer capacitor 10 , a negative power supply capacitor 16 , a switching element 20 and a switching element 21 .
A positive power supply capacitor 9 generates a positive voltage for turning on the semiconductor switching element SW. The negative power supply buffer capacitor 10 has a first end connected to the first end of the positive power supply capacitor 9 . The negative power supply capacitor 16 generates a negative voltage for turning off the semiconductor switching element SW by charging the power discharged from the charged negative power supply buffer capacitor 10 . The switching element 20 applies a positive voltage to the control terminal of the semiconductor switching element SW by connecting the first end of the positive power supply capacitor 9 and the control terminal of the semiconductor switching element SW to turn on the semiconductor switching element SW. state. The switching element 21 connects the first end of the negative power supply capacitor 16 and the control terminal of the semiconductor switching element SW to apply a negative voltage to the control terminal of the semiconductor switching element SW to cut off the semiconductor switching element SW. state.

これにより、半導体スイッチング素子駆動回路6は、マルチレベル電力変換器の半導体スイッチング素子SWを駆動するにあたって、新たな電源を追加することなく負電圧を生成することができる。 Thereby, the semiconductor switching element driving circuit 6 can generate a negative voltage without adding a new power supply when driving the semiconductor switching element SW of the multilevel power converter.

以上、この発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計等も含まれる。 Although the embodiment of the present invention has been described in detail with reference to the drawings, the specific configuration is not limited to this embodiment, and design and the like are included within the scope of the gist of the present invention.

A マルチレベル電力変換器
SW1~SW4 スイッチング素子(半導体スイッチング素子)
9a~9d 正電源用コンデンサ(第1のコンデンサ)
10a~10d 負電源バッファ用コンデンサ(第2のコンデンサ)
16a~16d 負電源用コンデンサ(第3のコンデンサ)
20a~20d スイッチング素子(導通用駆動回路)
21a~21d スイッチング素子(遮断用駆動回路)
7 第2の直流電源(制御用電源)
A Multi-level power converter SW1 to SW4 Switching element (semiconductor switching element)
9a to 9d Positive power supply capacitor (first capacitor)
10a to 10d Negative power supply buffer capacitor (second capacitor)
16a to 16d Negative power supply capacitor (third capacitor)
20a to 20d switching elements (driving circuits for conduction)
21a to 21d switching element (breaking drive circuit)
7 Second DC power supply (control power supply)

Claims (3)

マルチレベル電力変換器に設けられたn個(nは4以上の整数)の半導体スイッチング素子を駆動する半導体スイッチング素子駆動回路であって、
前記半導体スイッチング素子ごとに設けられた複数の駆動回路を備え、
前記各駆動回路は、
前記半導体スイッチング素子を導通状態にするための正電圧を生成する第1のコンデンサと、
第1の端部が前記第1のコンデンサの第1の端部に接続されている第2のコンデンサと、
充電状態の前記第2のコンデンサから放電された電力を充電することで前記半導体スイッチング素子を遮断状態にするための負電圧を生成する第3のコンデンサと、
前記第1のコンデンサの第1の端部と前記半導体スイッチング素子の制御端子とを接続することにより前記正電圧を前記半導体スイッチング素子の制御端子に印加して前記半導体スイッチング素子を導通状態とする導通用駆動回路と、
前記第3のコンデンサの第1の端部と前記制御端子とを接続することにより前記負電圧を前記半導体スイッチング素子の制御端子に印加して前記半導体スイッチング素子を遮断状態とする遮断用駆動回路と、を備え、
前記第3のコンデンサは、第1の端部が整流用ダイオードを介して前記第2のコンデンサの第2の端部に接続され、
充電状態の前記第2のコンデンサの第1の端部と前記第3のコンデンサの第2の端部とを接続することにより前記第3のコンデンサを充電させる充電回路と、を備え、
前記充電回路は、導通状態の前記半導体スイッチング素子を経由して前記第3のコンデンサを充電させることを特徴とする半導体スイッチング素子駆動回路。
A semiconductor switching element drive circuit for driving n (n is an integer of 4 or more) semiconductor switching elements provided in a multilevel power converter,
A plurality of drive circuits provided for each of the semiconductor switching elements,
Each drive circuit is
a first capacitor for generating a positive voltage for turning on the semiconductor switching element;
a second capacitor having a first end connected to the first end of the first capacitor;
a third capacitor that generates a negative voltage for turning off the semiconductor switching element by charging electric power discharged from the charged second capacitor;
By connecting the first end of the first capacitor and the control terminal of the semiconductor switching element, the positive voltage is applied to the control terminal of the semiconductor switching element to turn on the semiconductor switching element. a universal drive circuit;
a cut-off drive circuit for connecting the first end of the third capacitor and the control terminal to apply the negative voltage to the control terminal of the semiconductor switching element to set the semiconductor switching element in a cut-off state; , and
the third capacitor has a first end connected to a second end of the second capacitor via a rectifying diode ;
a charging circuit for charging the third capacitor by connecting a first end of the second capacitor in a charged state and a second end of the third capacitor;
A semiconductor switching element driving circuit, wherein the charging circuit charges the third capacitor via the conductive semiconductor switching element.
正極性の制御用電源をさらに備え、
前記複数の駆動回路は、第1~第nの駆動回路を備え、
前記第m(mは1以上かつn未満の整数)の駆動回路に設けられた前記第1のコンデンサの第1の端部と、前記第(m+1)の駆動回路に設けられた前記第1のコンデンサの第1の端部とは、ダイオードを介して接続されており、
前記第1の駆動回路に設けられた前記第1のコンデンサの第1の端部は、前記制御用電源の正極端子に接続されている、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体スイッチング素子駆動回路。
It also has a positive control power supply,
The plurality of drive circuits comprises first to n-th drive circuits,
a first end of the first capacitor provided in the m-th (m is an integer equal to or more than n and less than n) drive circuit, and the first capacitor provided in the (m+1)-th drive circuit connected through a diode to the first end of the capacitor;
2. The semiconductor switching element according to claim 1, wherein a first end of said first capacitor provided in said first drive circuit is connected to a positive terminal of said power supply for control. drive circuit.
請求項1又は2に記載の半導体スイッチング素子駆動回路と、
前記半導体スイッチング素子駆動回路により駆動されるn個の半導体スイッチング素子と、
を備えることを特徴とするマルチレベル電力変換器。
A semiconductor switching element drive circuit according to claim 1 or 2;
n semiconductor switching elements driven by the semiconductor switching element drive circuit;
A multi-level power converter, comprising:
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