JP7314562B2 - Vibration devices, oscillators, electronic devices and moving objects - Google Patents

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JP7314562B2 JP2019057428A JP2019057428A JP7314562B2 JP 7314562 B2 JP7314562 B2 JP 7314562B2 JP 2019057428 A JP2019057428 A JP 2019057428A JP 2019057428 A JP2019057428 A JP 2019057428A JP 7314562 B2 JP7314562 B2 JP 7314562B2
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Description

本発明は、振動デバイス、発振器、電子機器および移動体に関するものである。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to vibration devices, oscillators, electronic devices, and moving bodies.

特許文献1に記載されている発振器は、ベースと、ベースに支持されている台座と、台座に支持されている振動素子と、を有する。また、振動素子は、導電性の接着剤を用いて台座に機械的および電気的に接続されている。 The oscillator described in Patent Document 1 has a base, a pedestal supported by the base, and a vibration element supported by the pedestal. Also, the vibrating element is mechanically and electrically connected to the base using a conductive adhesive.

特開2006-13650号公報Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2006-13650

このように、導電性の接着剤を用いて振動素子と台座との電気的な接続を行うと、電気的な接続が不十分となり、振動素子の振動特性に影響を与えるおそれ、特に、振動特性が不安定となるおそれがあった。 In this way, if a conductive adhesive is used to electrically connect the vibrating element and the pedestal, the electrical connection may become insufficient, which may affect the vibration characteristics of the vibrating element, and in particular, may cause the vibration characteristics to become unstable.

本適用例に係る振動デバイスは、第1ベース端子および第2ベース端子を含むベースと、
第1接合部材と、
前記ベースに前記第1接合部材を介して接合されている中間基板と、
第2接合部材と、
素子基板、前記素子基板の第1面に配置されている第1励振電極、前記素子基板の第1面と反対の第2面に配置されている第2励振電極、前記第1励振電極と接続されている第1端子および前記第2励振電極と接続されている第2端子を含み、前記中間基板に前記第2接合部材を介して接合されている振動素子と、を備え、
前記第1端子と前記第1ベース端子とが第1ワイヤーにより電気的に接続され、
前記第2端子と前記第2ベース端子とが第2ワイヤーにより電気的に接続されていることを特徴とする。
A vibration device according to this application example includes a base including a first base terminal and a second base terminal;
a first joint member;
an intermediate substrate bonded to the base via the first bonding member;
a second joint member;
an element substrate, a first excitation electrode arranged on the first surface of the element substrate, a second excitation electrode arranged on the second surface opposite to the first surface of the element substrate, a first terminal connected to the first excitation electrode, and a second terminal connected to the second excitation electrode, and a vibration element bonded to the intermediate substrate via the second bonding member;
the first terminal and the first base terminal are electrically connected by a first wire;
The second terminal and the second base terminal are electrically connected by a second wire.

本適用例に係る振動デバイスでは、前記中間基板および前記素子基板は、それぞれ、水晶により構成されていることが好ましい。 In the vibrating device according to this application example, it is preferable that the intermediate substrate and the element substrate are each made of crystal.

本適用例に係る振動デバイスでは、前記中間基板の結晶軸は、前記素子基板の結晶軸に沿っていることが好ましい。 In the vibration device according to this application example, it is preferable that the crystal axis of the intermediate substrate is along the crystal axis of the element substrate.

本適用例に係る振動デバイスでは、前記素子基板は、ATカット水晶基板により構成されていることが好ましい。 In the vibrating device according to this application example, it is preferable that the element substrate is made of an AT-cut crystal substrate.

本適用例に係る振動デバイスでは、平面視で、前記第1ワイヤーが前記第1端子に接続されている箇所は、前記第2接合部材と重なっており、
平面視で、前記第2ワイヤーが前記第2端子に接続されている箇所は、前記第2接合部材と重なっていることが好ましい。
In the vibrating device according to this application example, in plan view, a portion where the first wire is connected to the first terminal overlaps the second joint member,
It is preferable that a portion where the second wire is connected to the second terminal overlap the second joint member in a plan view.

本適用例に係る振動デバイスでは、平面視で、前記第2接合部材は、前記第1接合部材と重なっていることが好ましい。 In the vibration device according to this application example, it is preferable that the second joint member overlaps the first joint member in plan view.

本適用例に係る振動デバイスでは、前記素子基板の前記第2接合部材と接合されている部分の厚さをT1とし、
前記中間基板の前記第2接合部材と接合されている部分の厚さをT2としたとき、
T2≧T1であることが好ましい。
In the vibrating device according to this application example, the thickness of the portion of the element substrate that is bonded to the second bonding member is T1,
When the thickness of the portion of the intermediate substrate that is bonded to the second bonding member is T2,
It is preferred that T2≧T1.

本適用例に係る振動デバイスでは、前記素子基板の前記第1励振電極と前記第2励振電極とに挟まれている部分の厚さをT3としたとき、
T2≧T3であることが好ましい。
In the vibration device according to this application example, when the thickness of the portion sandwiched between the first excitation electrode and the second excitation electrode of the element substrate is T3,
It is preferred that T2≧T3.

本適用例に係る振動デバイスでは、前記素子基板は、ATカット水晶基板により構成され、水晶の結晶軸であるX軸方向に沿う辺を有し、
前記第1端子および前記第2端子は、前記辺に沿って並んで配置されていることが好ましい。
In the vibrating device according to this application example, the element substrate is made of an AT-cut crystal substrate and has a side along the X-axis direction, which is the crystal axis of crystal,
It is preferable that the first terminal and the second terminal are arranged side by side along the side.

本適用例に係る振動デバイスでは、前記素子基板の前記第2接合部材と接合されている第1部分の厚さをT1とし、前記素子基板の前記第1励振電極と前記第2励振電極とに挟まれている第2部分の厚さをT3としたとき、
T3>T1であり、
前記中間基板の前記振動素子側の面は、平面視で、前記第1部分と重なっている第1面と、前記第2部分と重なり、前記第1面に対して前記振動素子とは反対側に位置する第2面と、を有することが好ましい。
In the vibrating device according to this application example, when the thickness of the first portion of the element substrate bonded to the second bonding member is T1, and the thickness of the second portion sandwiched between the first excitation electrode and the second excitation electrode of the element substrate is T3,
T3>T1, and
It is preferable that the surface of the intermediate substrate on the vibration element side has a first surface that overlaps with the first portion and a second surface that overlaps with the second portion and is located on the opposite side of the first surface from the vibration element in a plan view.

本適用例に係る発振器は、上述の振動デバイスと、
前記振動素子と電気的に接続され、発振信号を出力する発振回路と、を備えていることを特徴とする。
The oscillator according to this application example includes the vibration device described above,
an oscillation circuit electrically connected to the vibration element and outputting an oscillation signal.

本適用例に係る電子機器は、上述の発振器と、
前記発振器から出力される発振信号に基づいて動作する演算処理回路と、を備えていることを特徴とする。
An electronic device according to this application example includes the oscillator described above,
and an arithmetic processing circuit that operates based on the oscillation signal output from the oscillator.

本適用例に係る移動体は、上述の発振器と、
前記発振器から出力される発振信号に基づいて動作する演算処理回路と、を備えていることを特徴とする。
A moving object according to this application example includes the oscillator described above,
and an arithmetic processing circuit that operates based on the oscillation signal output from the oscillator.

第1実施形態に係る発振器を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing an oscillator according to a first embodiment; FIG. 図1中の発振器を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an oscillator in FIG. 1; ATカットのカット角を示す図である。It is a figure which shows the cut angle of AT cut. 図1の発振器の変形例を示す平面図である。2 is a plan view showing a modification of the oscillator of FIG. 1; FIG. 第2実施形態に係る発振器の平面図である。FIG. 8 is a plan view of an oscillator according to a second embodiment; 第3実施形態に係る発振器の部分拡大断面図である。FIG. 11 is a partially enlarged cross-sectional view of an oscillator according to a third embodiment; 第4実施形態に係るパーソナルコンピューターを示す斜視図である。FIG. 11 is a perspective view showing a personal computer according to a fourth embodiment; 第5実施形態に係る携帯電話機を示す斜視図である。FIG. 11 is a perspective view showing a mobile phone according to a fifth embodiment; 第6実施形態に係るデジタルスチールカメラを示す斜視図である。FIG. 11 is a perspective view showing a digital still camera according to a sixth embodiment; 第7実施形態に係る自動車を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the motor vehicle which concerns on 7th Embodiment.

以下、本適用例の振動デバイス、発振器、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。 Hereinafter, a vibration device, an oscillator, an electronic device, and a moving body of this application example will be described in detail based on embodiments shown in the accompanying drawings.

<第1実施形態>
図1は、第1実施形態に係る発振器を示す断面図である。図2は、図1中の発振器を示す平面図である。図3は、ATカットのカット角を示す図である。図4は、図1の発振器の変形例を示す平面図である。なお、各図には、水晶の結晶軸であり、互いに直交するX軸、Y’軸およびZ’軸を示している。また、以下では、X軸に平行な方向を「X軸方向」とも言い、Y’軸に平行な方向を「Y’軸方向」とも言い、Z’軸に平行な方向を「Z’軸方向」とも言う。また、各軸の矢印先端側を「プラス側」とも言い、反対側を「マイナス側」とも言う。また、Y’軸方向からの平面視を単に「平面視」とも言う。
<First embodiment>
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the oscillator according to the first embodiment. 2 is a plan view showing the oscillator in FIG. 1. FIG. FIG. 3 is a diagram showing a cut angle of AT cut. 4 is a plan view showing a modification of the oscillator of FIG. 1. FIG. In each figure, X-axis, Y'-axis and Z'-axis, which are crystal axes of quartz and are orthogonal to each other, are shown. Further, hereinafter, the direction parallel to the X-axis is also referred to as the "X-axis direction", the direction parallel to the Y'-axis is also referred to as the "Y'-axis direction", and the direction parallel to the Z'-axis is also referred to as the "Z'-axis direction". Also, the arrow tip side of each axis is also called the "plus side", and the opposite side is also called the "minus side". A planar view from the Y'-axis direction is also simply referred to as a "planar view."

図1に示すように、発振器1は、温度補償型水晶発振器(TCXO)であり、パッケージ2と、パッケージ2に収納されている中間基板3、振動素子4および回路素子5と、を有する。発振器1は、振動デバイス10を適用したものであり、振動デバイス10は、パッケージ2、中間基板3および振動素子4から構成されている。ただし、発振器1としては、温度補償型水晶発振器に限定されない。 As shown in FIG. 1, the oscillator 1 is a temperature-compensated crystal oscillator (TCXO) and has a package 2, an intermediate substrate 3, a vibration element 4 and a circuit element 5 housed in the package 2. FIG. The oscillator 1 applies the vibration device 10 , and the vibration device 10 is composed of a package 2 , an intermediate substrate 3 and a vibration element 4 . However, the oscillator 1 is not limited to a temperature compensated crystal oscillator.

パッケージ2は、上面に開口する凹部211を備えるベース21と、凹部211の開口を塞ぐようにベース21の上面に接合部材23を介して接合されているリッド22と、を有する。パッケージ2の内側には凹部211によって内部空間Sが形成され、内部空間Sに中間基板3、振動素子4および回路素子5が収納されている。例えば、ベース21は、アルミナ等のセラミックスで構成することができ、リッド22は、コバール等の金属材料で構成することができる。ただし、ベース21およびリッド22の構成材料としては、それぞれ、特に限定されない。 The package 2 has a base 21 having a recess 211 opening to the top, and a lid 22 joined to the top of the base 21 via a joining member 23 so as to close the opening of the recess 211 . An internal space S is formed inside the package 2 by a concave portion 211, and the internal space S accommodates the intermediate substrate 3, the vibration element 4, and the circuit element 5. As shown in FIG. For example, the base 21 can be made of ceramics such as alumina, and the lid 22 can be made of metal material such as Kovar. However, the constituent materials of the base 21 and the lid 22 are not particularly limited.

また、内部空間Sは、気密であり、減圧状態、好ましくは、より真空に近い状態となっている。これにより、振動素子4の振動特性が向上する。ただし、内部空間Sの雰囲気は、特に限定されず、例えば、窒素またはAr等の不活性ガスを封入した雰囲気であってもよく、減圧状態でなく大気圧状態または加圧状態となっていてもよい。 Further, the internal space S is airtight and is in a decompressed state, preferably in a state closer to a vacuum. Thereby, the vibration characteristics of the vibration element 4 are improved. However, the atmosphere of the internal space S is not particularly limited, and may be, for example, an atmosphere in which an inert gas such as nitrogen or Ar is enclosed, and may be in an atmospheric pressure state or a pressurized state instead of a decompressed state.

また、凹部211は、ベース21の上面に開口している凹部211aと、凹部211aの底面に開口し、凹部211aよりも開口幅が小さい凹部211bと、凹部211bの底面に開口し、凹部211bよりも開口幅が小さい凹部211cと、を有する。そして、凹部211aの底面に中間基板3が第1接合部材B1を介して接合され、中間基板3の上面に振動素子4が第2接合部材B2を介して接合され、凹部211cの底面に回路素子5が接合されている。 Further, the recess 211 has a recess 211a that opens to the top surface of the base 21, a recess 211b that opens to the bottom surface of the recess 211a and has a smaller opening width than the recess 211a, and a recess 211c that opens to the bottom surface of the recess 211b and has a smaller opening width than the recess 211b. The intermediate substrate 3 is bonded to the bottom surface of the recess 211a via the first bonding member B1, the vibration element 4 is bonded to the top surface of the intermediate substrate 3 via the second bonding member B2, and the circuit element 5 is bonded to the bottom surface of the recess 211c.

このように、振動素子4とベース21との間に中間基板3を介在させることにより、例えば、衝撃やパッケージ2の熱撓み等により生じる応力(以下、単に「パッケージ2からの応力」とも言う。)が振動素子4に伝わり難くなり、振動素子4の振動特性の低下や変動を抑制することができる。 By interposing the intermediate substrate 3 between the vibrating element 4 and the base 21 in this way, for example, stress caused by impact or thermal deflection of the package 2 (hereinafter simply referred to as "stress from the package 2") is less likely to be transmitted to the vibrating element 4, and deterioration and fluctuation of the vibration characteristics of the vibrating element 4 can be suppressed.

第1、第2接合部材B1、B2は、機械的な接合を目的とし、電気的な接続を目的としていない。そのため、第1、第2接合部材B1、B2は、導電性であっても絶縁性であってもよい。導電性の接合部材としては、例えば、金バンプ、銀バンプ、銅バンプ、はんだバンプ等の各種金属バンプ、ポリイミド系、エポキシ系、シリコーン系、アクリル系の各種接着剤に銀フィラー等の導電性フィラーを分散させた導電性接着剤等を用いることができる。一方、絶縁性の接合部材としては、例えば、ポリイミド系、エポキシ系、シリコーン系、アクリル系の各種樹脂系の接着剤を用いることができる。なお、第1、第2接合部材B1、B2は、同種であってもよいし、異種であってもよい。 The first and second joint members B1 and B2 are intended for mechanical joint and not for electrical connection. Therefore, the first and second joint members B1 and B2 may be conductive or insulating. Examples of conductive bonding members include various metal bumps such as gold bumps, silver bumps, copper bumps, and solder bumps, and conductive adhesives in which conductive fillers such as silver fillers are dispersed in various polyimide-based, epoxy-based, silicone-based, and acrylic-based adhesives. On the other hand, as the insulating joining member, for example, various resin-based adhesives such as polyimide, epoxy, silicone, and acrylic can be used. Note that the first and second joint members B1 and B2 may be of the same type or of different types.

また、図2に示すように、平面視で、第2接合部材B2は、第1接合部材B1と重なっている。第2接合部材B2を第1接合部材B1に重ねて配置することにより、振動素子4を中間基板3に精度よく接合することができる。具体的には、例えば、中間基板3の上面に配置した第2接合部材B2に所定の力で振動素子4を押し付けることにより、当該振動素子4を中間基板3に接合することができる。第2接合部材B2を第1接合部材B1と重ねて配置することにより、第2接合部材B2が、中間基板3、第1接合部材B1およびベース21の積層体からなる隙間のない構造体によって下方から支持された状態となるため、振動素子4の第2接合部材B2への押し付け力が逃げ難い。そのため、振動素子4を所定の力で第2接合部材B2に押し付けることができ、振動素子4を所望の接合強度でかつ所望の姿勢で中間基板3に接合することができる。したがって、振動素子4を中間基板3に精度よく接合することができる。 Further, as shown in FIG. 2, the second joint member B2 overlaps the first joint member B1 in plan view. By arranging the second bonding member B2 over the first bonding member B1, the vibrating element 4 can be bonded to the intermediate substrate 3 with high accuracy. Specifically, for example, the vibration element 4 can be bonded to the intermediate substrate 3 by pressing the vibration element 4 against the second bonding member B2 arranged on the upper surface of the intermediate substrate 3 with a predetermined force. By arranging the second joint member B2 so as to overlap the first joint member B1, the second joint member B2 is supported from below by the gap-free structure composed of the laminate of the intermediate substrate 3, the first joint member B1, and the base 21. Therefore, the pressing force of the vibrating element 4 against the second joint member B2 is difficult to escape. Therefore, the vibrating element 4 can be pressed against the second bonding member B2 with a predetermined force, and the vibrating element 4 can be bonded to the intermediate substrate 3 with desired bonding strength and in a desired posture. Therefore, the vibrating element 4 can be joined to the intermediate substrate 3 with high accuracy.

特に、本実施形態では、平面視で、第2接合部材B2の全域が第1接合部材B1と重なっている。そのため、前述した効果をより顕著に発揮することができる。ただし、これに限定されず、例えば、平面視で、第2接合部材B2の一部だけが、第1接合部材B1と重なっていてもよいし、全部が第1接合部材B1と重なっていなくてもよい。 In particular, in the present embodiment, the entire area of the second joint member B2 overlaps the first joint member B1 in plan view. Therefore, the effects described above can be exhibited more remarkably. However, the present invention is not limited to this, and for example, only a portion of the second joint member B2 may overlap the first joint member B1 in plan view, or the entirety may not overlap the first joint member B1.

また、図1に示すように、凹部211aの底面には複数の内部端子241が配置されており、凹部211bの底面には複数の内部端子242が配置されており、ベース21の下面には外部端子243が配置されている。本実施形態では、第1ベース端子に相当する内部端子241Aと、第2ベース端子に相当する内部端子241Bの2つの内部端子241を有する。また、各内部端子241、242および外部端子243は、ベース21内に形成されている図示しない内部配線を介して電気的に接続されている。また、各内部端子241A、241Bは、それぞれ、第1、第2ボンディングワイヤーBW1、BW2を介して振動素子4の第1、第2端子423、424と電気的に接続され、各内部端子242は、第3ボンディングワイヤーBW3を介して回路素子5と電気的に接続されている。 Further, as shown in FIG. 1, a plurality of internal terminals 241 are arranged on the bottom surface of the recess 211a, a plurality of internal terminals 242 are arranged on the bottom surface of the recess 211b, and an external terminal 243 is arranged on the bottom surface of the base 21. This embodiment has two internal terminals 241: an internal terminal 241A corresponding to a first base terminal and an internal terminal 241B corresponding to a second base terminal. The internal terminals 241 and 242 and the external terminal 243 are electrically connected via internal wiring (not shown) formed inside the base 21 . The internal terminals 241A and 241B are electrically connected to the first and second terminals 423 and 424 of the vibration element 4 via first and second bonding wires BW1 and BW2, respectively, and each internal terminal 242 is electrically connected to the circuit element 5 via a third bonding wire BW3.

図2に示すように、振動素子4は、ATカットの素子基板41と、素子基板41の表面に配置された電極42と、を有する。素子基板41は、厚みすべり振動モードを有し、三次の周波数温度特性を有している。そのため、優れた温度特性を有する振動素子4が得られる。 As shown in FIG. 2 , the vibration element 4 has an AT-cut element substrate 41 and electrodes 42 arranged on the surface of the element substrate 41 . The element substrate 41 has a thickness-shear vibration mode and a tertiary frequency-temperature characteristic. Therefore, the vibrating element 4 having excellent temperature characteristics can be obtained.

ここで、ATカットの素子基板41について簡単に説明すると、素子基板41は、互いに直交する結晶軸X、Y、Zを有する。X軸、Y軸、Z軸は、それぞれ、電気軸、機械軸、光学軸と呼ばれる。図3に示すように、素子基板41は、X-Z面をX軸回りに所定の角度θ回転させた平面に沿って切り出された「回転Yカット水晶基板」であり、θ=35°15’回転させた平面に沿って切り出した基板を「ATカット水晶基板」という。なお、以下では、角度θに対応してX軸まわりに回転したY軸およびZ軸をY’軸およびZ’軸とする。すなわち、素子基板41は、Y’軸方向に厚みを有し、X-Z’面方向に広がりを有する。 Here, briefly describing the AT-cut element substrate 41, the element substrate 41 has crystal axes X, Y, and Z orthogonal to each other. The X-, Y-, and Z-axes are called electrical, mechanical, and optical axes, respectively. As shown in FIG. 3, the element substrate 41 is a “rotated Y-cut crystal substrate” cut out along a plane in which the XZ plane is rotated by a predetermined angle θ around the X-axis, and a substrate cut out along a plane rotated by θ=35°15′ is called an “AT-cut crystal substrate”. Note that the Y-axis and Z-axis rotated around the X-axis corresponding to the angle θ are hereinafter referred to as the Y'-axis and Z'-axis. That is, the element substrate 41 has a thickness in the Y'-axis direction and a spread in the X-Z' plane direction.

図2に示すように、素子基板41の外形は、Y’軸方向からの平面視で矩形である。特に、本実施形態では、素子基板41は、X軸方向を長辺とし、Z’軸方向を短辺とする長手形である。また、素子基板41は、メサ型をなしており、図1に示すように、厚みすべり振動する振動部411と、振動部411の周囲に位置し、振動部411よりも厚さが薄い支持部412と、を有する。また、振動部411は、支持部412に対してY’軸方向の両側に突出している。 As shown in FIG. 2, the outer shape of the element substrate 41 is rectangular in plan view from the Y'-axis direction. In particular, in the present embodiment, the element substrate 41 has a long side shape with long sides in the X-axis direction and short sides in the Z′-axis direction. Further, the element substrate 41 has a mesa shape, and as shown in FIG. Also, the vibrating portion 411 protrudes to both sides in the Y′-axis direction with respect to the supporting portion 412 .

ただし、素子基板41は、これに限定されず、振動部411と支持部412とが同じ厚さであるフラット型であってもよいし、振動部411が支持部412よりも薄い逆メサ型であってもよい。また、素子基板41の周囲を研削して面取りするベベル加工や、上面および下面を凸曲面とするコンベックス加工が施されていてもよい。また、メサ型の場合には、下面側および上面側の一方にだけ突出している構成であってもよいし、逆メサ型の場合には、下面側および上面側の一方にだけ凹没している構成であってもよい。また、素子基板41は、ATカット水晶基板に限定されず、他のカット角、例えば、Zカット、SCカット、STカット、BTカット等の水晶基板であってもよい。 However, the element substrate 41 is not limited to this, and may be a flat type in which the vibrating portion 411 and the supporting portion 412 have the same thickness, or may be an inverted mesa type in which the vibrating portion 411 is thinner than the supporting portion 412 . Further, bevel processing for grinding and chamfering the periphery of the element substrate 41 or convex processing for forming convex curved surfaces on the upper and lower surfaces may be performed. In the case of the mesa type, it may be configured to protrude only on one of the bottom side and the top side, and in the case of the inverted mesa type, it may be configured to be recessed only on the bottom side and the top side. Further, the element substrate 41 is not limited to an AT-cut crystal substrate, and may be a crystal substrate having other cut angles, such as Z-cut, SC-cut, ST-cut, BT-cut, or the like.

また、素子基板41の構成材料は、水晶に限定されず、例えば、ニオブ酸リチウム(LiNbO)、タンタル酸リチウム(LiTaO)、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、四ホウ酸リチウム(Li)、ランガサイト(LaGaSiO14)、ニオブ酸カリウム(KNbO)、リン酸ガリウム(GaPO)、ガリウム砒素(GaAs)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化亜鉛(ZnO、Zn)、チタン酸バリウム(BaTiO)、チタン酸鉛(PbPO)、ニオブ酸ナトリウムカリウム((K,Na)NbO)、ビスマスフェライト(BiFeO)、ニオブ酸ナトリウム(NaNbO)、チタン酸ビスマス(BiTi12)、チタン酸ビスマスナトリウム(Na0.5Bi0.5TiO)等の各種圧電材料であってもよいし、シリコン等の圧電材料以外の材料であってもよい。 In addition, the constituent material of the element substrate 41 is not limited to quartz, and for example, lithium niobate (LiNbO3), lithium tantalate (LiTaO3), lead zirconate titanate (PZT), lithium tetraborate (Li2B.4O.7), Langasite (La3Ga5SiO14), potassium niobate (KNbO3), gallium phosphate (GaPO4), gallium arsenide (GaAs), aluminum nitride (AlN), zinc oxide (ZnO, Zn2O.3), barium titanate (BaTiO3), lead titanate (PbPO3), sodium potassium niobate ((K, Na) NbO3), bismuth ferrite (BiFeO3), sodium niobate (NaNbO3), bismuth titanate (Bi4Ti3O.12), sodium bismuth titanate (Na0.5Bi0.5TiO3), or materials other than piezoelectric materials such as silicon.

図2に示すように、電極42は、振動部411の上面に配置されている第1励振電極421と、振動部411の下面に配置され、振動部411を間に挟んで第1励振電極421と対向する第2励振電極422と、を有する。また、電極42は、支持部412の上面に配置されている第1端子423および第2端子424と、第1励振電極421と第1端子423とを接続する第1引き出し配線425と、第2励振電極422と第2端子424とを接続する第2引き出し配線426と、を有する。 As shown in FIG. 2, the electrode 42 has a first excitation electrode 421 arranged on the upper surface of the vibrating portion 411, and a second excitation electrode 422 arranged on the lower surface of the vibrating portion 411 and facing the first excitation electrode 421 with the vibrating portion 411 interposed therebetween. Further, the electrode 42 has a first terminal 423 and a second terminal 424 arranged on the upper surface of the support portion 412, a first lead wire 425 connecting the first excitation electrode 421 and the first terminal 423, and a second lead wire 426 connecting the second excitation electrode 422 and the second terminal 424.

このような振動素子4は、図1および図2に示すように、支持部412のX軸方向マイナス側の端部において第2接合部材B2を介して中間基板3の上面に接合されている。特に、第2接合部材B2は、平面視で、素子基板41のZ’軸方向の中央部と重なっているため、振動素子4を安定した姿勢で中間基板3に接合することができる。なお、第2接合部材B2の構成としては、特に限定されず、例えば、図4に示すように、2つの第2接合部材B2によって振動素子4を中間基板3に接合してもよい。特に、図4に示す構成では、2つの第2接合部材B2が振動素子4のX軸方向マイナス側に位置する両角部に配置されているため、振動素子4の輪郭振動モードと呼ばれる不要振動を効果的に抑制することができる。そのため、振動漏れが減り、その分、振動素子4の振動特性が向上する。 As shown in FIGS. 1 and 2, the vibrating element 4 is bonded to the upper surface of the intermediate substrate 3 via the second bonding member B2 at the end of the supporting portion 412 on the negative side in the X-axis direction. In particular, since the second bonding member B2 overlaps the central portion of the element substrate 41 in the Z′-axis direction in plan view, the vibration element 4 can be bonded to the intermediate substrate 3 in a stable posture. The configuration of the second joint member B2 is not particularly limited, and for example, as shown in FIG. 4, the vibrating element 4 may be joined to the intermediate substrate 3 by two second joint members B2. In particular, in the configuration shown in FIG. 4, since the two second joint members B2 are arranged at both corners of the vibrating element 4 on the negative side in the X-axis direction, unnecessary vibration called contour vibration mode of the vibrating element 4 can be effectively suppressed. Therefore, vibration leakage is reduced, and the vibration characteristics of the vibrating element 4 are improved accordingly.

また、図2に示すように、第1端子423は、第1ボンディングワイヤーBW1(第1ワイヤー)を介して内部端子241A(第1ベース端子)と電気的に接続されており、第2端子424は、第2ボンディングワイヤーBW2(第2ワイヤー)を介して別の内部端子241B(第2ベース端子)と電気的に接続されている。このように、内部端子241A、241Bと振動素子4との電気的な接続を第1、第2ボンディングワイヤーBW1、BW2を用いて行うことにより、これらの電気的な接続状態が安定し、振動素子4の振動特性が安定する。 Further, as shown in FIG. 2, the first terminal 423 is electrically connected to an internal terminal 241A (first base terminal) via a first bonding wire BW1 (first wire), and the second terminal 424 is electrically connected to another internal terminal 241B (second base terminal) via a second bonding wire BW2 (second wire). Thus, by electrically connecting the internal terminals 241A and 241B and the vibration element 4 using the first and second bonding wires BW1 and BW2, the electrical connection state is stabilized, and the vibration characteristics of the vibration element 4 are stabilized.

また、平面視で、第1ボンディングワイヤーBW1が第1端子423に接続されている箇所P1は、第2接合部材B2と重なっており、第2ボンディングワイヤーBW2が第2端子424に接続されている箇所P2も、第2接合部材B2と重なっている。これら箇所P1、P2は、第2接合部材B2、中間基板3、第1接合部材B1およびベース21の積層体からなる隙間のない構造体によって下方から支持された状態となっている。 Further, in a plan view, a portion P1 where the first bonding wire BW1 is connected to the first terminal 423 overlaps with the second bonding member B2, and a portion P2 where the second bonding wire BW2 is connected to the second terminal 424 also overlaps the second bonding member B2. These points P1 and P2 are supported from below by a gap-free structure composed of a laminate of the second joint member B2, the intermediate substrate 3, the first joint member B1, and the base 21. As shown in FIG.

そのため、第1、第2ボンディングワイヤーBW1、BW2を第1、第2端子423、424に接続する際に、キャピラリーを十分な力で第1、第2端子423、424に押し付けることができると共に、キャピラリーから第1、第2端子423、424に超音波を効果的に印加することができる。そのため、第1、第2ボンディングワイヤーBW1、BW2と第1、第2端子423、424との接合強度の低下を抑制することができ、振動素子4の電気的な接続状態がさらに安定する。そのため、振動素子4の振動特性がさらに安定する。 Therefore, when connecting the first and second bonding wires BW1 and BW2 to the first and second terminals 423 and 424, the capillaries can be pressed against the first and second terminals 423 and 424 with sufficient force, and ultrasonic waves can be effectively applied from the capillaries to the first and second terminals 423 and 424. Therefore, a decrease in bonding strength between the first and second bonding wires BW1 and BW2 and the first and second terminals 423 and 424 can be suppressed, and the electrical connection state of the vibrating element 4 is further stabilized. Therefore, the vibration characteristics of the vibrating element 4 are further stabilized.

ただし、これに限定されず、箇所P1、P2の少なくとも一方は、平面視で、第2接合部材B2と重なっていなくてもよい。 However, the present invention is not limited to this, and at least one of the locations P1 and P2 may not overlap the second joint member B2 in plan view.

中間基板3は、ベース21と振動素子4との間に介在している。中間基板3は、パッケージ2からの応力を吸収、緩和し、当該応力を振動素子4に伝わり難くする機能を有する。図1に示すように、中間基板3は、板状であり、その下面が第1接合部材B1を介して凹部211aの底面に接合されている。そして、中間基板3の上面に第2接合部材B2を介して振動素子4が接合されている。 The intermediate substrate 3 is interposed between the base 21 and the vibrating element 4 . The intermediate substrate 3 has a function of absorbing and relaxing stress from the package 2 and making it difficult for the stress to be transmitted to the vibrating element 4 . As shown in FIG. 1, the intermediate substrate 3 is plate-shaped, and its bottom surface is bonded to the bottom surface of the recess 211a via the first bonding member B1. A vibrating element 4 is bonded to the upper surface of the intermediate substrate 3 via a second bonding member B2.

このような中間基板3は、素子基板41と同じ材料で構成されている。つまり、本実施形態では、中間基板3は、水晶で構成されている。中間基板3を振動素子4と同じ水晶で構成することにより、中間基板3と振動素子4の熱膨張係数を等しくすることができる。そのため、中間基板3と振動素子4との間には、互いの熱膨張係数差に起因する熱応力が実質的に生じず、振動素子4が応力をより受け難くなる。そのため、振動素子4の振動特性の低下や変動をより効果的に抑制することができる。 Such an intermediate substrate 3 is made of the same material as the element substrate 41 . That is, in this embodiment, the intermediate substrate 3 is made of crystal. By forming the intermediate substrate 3 from the same crystal as the vibrating element 4, the thermal expansion coefficients of the intermediate substrate 3 and the vibrating element 4 can be made equal. Therefore, substantially no thermal stress is generated between the intermediate substrate 3 and the vibrating element 4 due to the difference in thermal expansion coefficients, and the vibrating element 4 is less susceptible to stress. Therefore, it is possible to more effectively suppress deterioration and fluctuation of the vibration characteristics of the vibrating element 4 .

特に、中間基板3は、素子基板41と同じカット角の水晶基板から形成されている。前述したように、素子基板41は、ATカット水晶基板から形成されているため、中間基板3もATカット水晶基板から形成されている。さらに、中間基板3の結晶軸は、素子基板41の結晶軸に沿っている。具体的には、中間基板3の結晶軸のX軸が素子基板41の結晶軸のX軸に沿っており、中間基板3の結晶軸のY軸が素子基板41の結晶軸のY軸に沿っており、中間基板3の結晶軸のZ軸が素子基板41の結晶軸のZ軸に沿っている。水晶は、X軸方向、Y軸方向およびZ軸方向のそれぞれで熱膨張係数が異なるため、中間基板3と素子基板41とを同じカット角とし、互いの結晶軸の向きを揃えることにより、中間基板3と素子基板41との間で前述の熱応力がより生じ難くなる。そのため、振動素子4がさらに応力を受け難くなり、その振動特性の低下や変動をさらに効果的に抑制することができる。 In particular, the intermediate substrate 3 is made of a crystal substrate having the same cut angle as the element substrate 41 . As described above, since the element substrate 41 is made of the AT-cut crystal substrate, the intermediate substrate 3 is also made of the AT-cut crystal substrate. Furthermore, the crystal axis of intermediate substrate 3 is along the crystal axis of element substrate 41 . Specifically, the X-axis of the crystal axis of the intermediate substrate 3 is along the X-axis of the crystal axis of the element substrate 41, the Y-axis of the crystal axis of the intermediate substrate 3 is along the Y-axis of the crystal axis of the element substrate 41, and the Z-axis of the crystal axis of the intermediate substrate 3 is along the Z-axis of the crystal axis of the element substrate 41. Since crystal has different coefficients of thermal expansion in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction, the intermediate substrate 3 and the element substrate 41 are made to have the same cut angle and the orientations of the crystal axes are aligned with each other. Therefore, the vibrating element 4 is less likely to be subjected to stress, and deterioration and fluctuation of its vibration characteristics can be more effectively suppressed.

中間基板3の厚さは、特に限定されないが、中間基板3の厚さをT2とし、振動素子4の振動部411の厚さをT3とし、支持部412の厚さをT1としたとき、T2≧T1であり、さらに、T2≧T3である。このような関係とすることにより、中間基板3を十分に厚くすることができ、前述したパッケージ2からの応力の緩和吸収効果をより顕著に発揮することができる。なお、厚さT2の上限としては、特に限定されないが、例えば、過度な厚肉化を抑制する観点から、T2/T3≦3.0であることが好ましく、T2/T3≦2.5であることがより好ましく、T2/T3≦2.0であることがさらに好ましい。なお、中間基板3の厚さT2は、より具体的には、中間基板3の第2接合部材B2と接合している部分の平均厚さのことを言い、支持部412の厚さT1は、より具体的には、支持部412の第2接合部材B2と接合している部分の平均厚さのことを言う。 The thickness of the intermediate substrate 3 is not particularly limited, but when the thickness of the intermediate substrate 3 is T2, the thickness of the vibrating portion 411 of the vibrating element 4 is T3, and the thickness of the support portion 412 is T1, T2≧T1 and T2≧T3. With such a relationship, the intermediate substrate 3 can be made sufficiently thick, and the above-described effect of relaxing and absorbing the stress from the package 2 can be exhibited more remarkably. Although the upper limit of the thickness T2 is not particularly limited, for example, from the viewpoint of suppressing excessive thickening, T2/T3 ≤ 3.0 is preferable, T2/T3 ≤ 2.5 is more preferable, and T2/T3 ≤ 2.0 is further preferable. The thickness T2 of the intermediate substrate 3 more specifically refers to the average thickness of the portion of the intermediate substrate 3 that is bonded to the second bonding member B2, and the thickness T1 of the supporting portion 412 more specifically refers to the average thickness of the portion of the supporting portion 412 that is bonded to the second bonding member B2.

ただし、中間基板3としては、これに限定されず、例えば、素子基板41と同じカット角であるが、結晶軸の方向が素子基板41とは異なっていてもよい。また、中間基板3は、素子基板41と異なるカット角の水晶板から形成されていてもよい。また、中間基板3の構成材料は、水晶でなくてもよい。また、中間基板3の構成材料は、素子基板41の構成材料と異なっていてもよい。また、厚さT2は、T2<T1であってもよい。 However, the intermediate substrate 3 is not limited to this. Further, the intermediate substrate 3 may be formed of a crystal plate having a cut angle different from that of the element substrate 41 . Further, the constituent material of the intermediate substrate 3 may not be crystal. Further, the constituent material of the intermediate substrate 3 may be different from the constituent material of the element substrate 41 . Also, the thickness T2 may be T2<T1.

回路素子5は、温度センサー51と、発振回路52と、を有する。発振回路52は、振動素子4を発振させ、温度センサー51の検出温度に基づいて温度補償された発振信号を生成する機能を有する。つまり、発振回路52は、振動素子4と電気的に接続され、振動素子4の出力信号を増幅し、増幅した信号を振動素子4にフィードバックすることにより振動素子4を発振させる発振回路部と、温度センサー51から出力される温度情報に基づいて、出力信号の周波数変動が振動素子4の周波数温度特性よりも小さくなるように温度補償する温度補償回路部と、を有する。なお、発振回路52としては、例えば、ピアース発振回路、インバーター型発振回路、コルピッツ発振回路、ハートレー発振回路等の発振回路を用いることができる。 The circuit element 5 has a temperature sensor 51 and an oscillator circuit 52 . The oscillation circuit 52 has a function of oscillating the vibration element 4 and generating a temperature-compensated oscillation signal based on the temperature detected by the temperature sensor 51 . That is, the oscillation circuit 52 has an oscillation circuit section that is electrically connected to the vibration element 4, amplifies the output signal of the vibration element 4, and feeds back the amplified signal to the vibration element 4 to cause the vibration element 4 to oscillate. As the oscillator circuit 52, for example, an oscillator circuit such as a Pierce oscillator circuit, an inverter type oscillator circuit, a Colpitts oscillator circuit, or a Hartley oscillator circuit can be used.

以上、発振器1について説明した。このような発振器1に適用されている振動デバイス10は、前述したように、第1ベース端子および第2ベース端子としての2つの内部端子241A、241Bを含むベース21と、第1接合部材B1と、ベース21に第1接合部材B1を介して接合されている中間基板3と、第2接合部材B2と、素子基板41、素子基板41の第1面である上面に配置されている第1励振電極421、素子基板41の上面と反対の第2面である下面に配置されている第2励振電極422、第1励振電極421と接続されている第1端子423および第2励振電極422と接続されている第2端子424を含み、中間基板3に第2接合部材B2を介して接合されている振動素子4と、を備える。そして、第1端子423と一方の内部端子241Aとが第1ワイヤーとしての第1ボンディングワイヤーBW1により接続され、第2端子424と他方の内部端子241Bとが第2ワイヤーとしての第2ボンディングワイヤーBW2により接続されている。 The oscillator 1 has been described above. As described above, the vibrating device 10 applied to the oscillator 1 includes the base 21 including the two internal terminals 241A and 241B as the first base terminal and the second base terminal, the first bonding member B1, the intermediate substrate 3 and the second bonding member B2 bonded to the base 21 via the first bonding member B1, the second bonding member B2, the element substrate 41, the first excitation electrode 421 arranged on the upper surface which is the first surface of the element substrate 41, and the upper surface of the element substrate 41. a second excitation electrode 422 arranged on the lower surface which is the second surface opposite to the second excitation electrode 421, a first terminal 423 connected to the first excitation electrode 421, and a second terminal 424 connected to the second excitation electrode 422; The first terminal 423 and one internal terminal 241A are connected by a first bonding wire BW1 as a first wire, and the second terminal 424 and the other internal terminal 241B are connected by a second bonding wire BW2 as a second wire.

このように、ベース21と振動素子4との間に中間基板3を介在させることにより、中間基板3がパッケージ2からの応力を吸収、緩和し、当該応力が振動素子4に伝わり難くなる。そのため、温度特性のヒステリシスが小さくなり、振動素子4の振動特性が安定する。特に、本実施形態では、振動素子4が1つの第2接合部材B2によって、片持ち支持、特に一点支持されているため、振動素子4に応力がより伝わり難く、振動素子4の振動特性がさらに安定する。このような効果に加えて、ベース21と振動素子4とを第1、第2ボンディングワイヤーBW1、BW2によって電気的に接続することにより、これらの電気的な接続状態が安定し、振動素子の振動特性が安定する。したがって、優れた振動特性を安定して発揮することのできる振動デバイス10となる。 By interposing the intermediate substrate 3 between the base 21 and the vibrating element 4 in this manner, the intermediate substrate 3 absorbs and relaxes the stress from the package 2 , making it difficult for the stress to be transmitted to the vibrating element 4 . Therefore, the hysteresis of the temperature characteristic is reduced, and the vibration characteristic of the vibrating element 4 is stabilized. In particular, in the present embodiment, the vibration element 4 is cantilever supported, particularly supported at one point, by one second joint member B2, so stress is less likely to be transmitted to the vibration element 4, and the vibration characteristics of the vibration element 4 are further stabilized. In addition to these effects, by electrically connecting the base 21 and the vibration element 4 with the first and second bonding wires BW1 and BW2, the electrical connection between them is stabilized, and the vibration characteristics of the vibration element are stabilized. Therefore, the vibration device 10 can stably exhibit excellent vibration characteristics.

また、前述したように、中間基板3および素子基板41は、それぞれ、水晶により構成されている。このように、中間基板3と素子基板41とを同じ材料から構成することにより、中間基板3と素子基板41の熱膨張係数を等しくすることができる。そのため、中間基板3と素子基板41との間には、互いの熱膨張係数差に起因する熱応力が実質的に生じず、振動素子4が応力をより受け難くなる。そのため、振動素子4の振動特性の低下や変動をより効果的に抑制することができる。 Further, as described above, the intermediate substrate 3 and the element substrate 41 are each made of crystal. By forming the intermediate substrate 3 and the element substrate 41 from the same material as described above, the thermal expansion coefficients of the intermediate substrate 3 and the element substrate 41 can be made equal. Therefore, substantially no thermal stress is generated between the intermediate substrate 3 and the element substrate 41 due to the difference in thermal expansion coefficients, and the vibration element 4 is less susceptible to stress. Therefore, it is possible to more effectively suppress deterioration and fluctuation of the vibration characteristics of the vibrating element 4 .

また、前述したように、中間基板3の結晶軸は、素子基板41の結晶軸に沿っている。水晶は、X軸方向、Y軸方向およびZ軸方向のそれぞれで熱膨張係数が異なるため、中間基板3と素子基板41とを同じカット角とし、互いの結晶軸の向きを揃えることにより、中間基板3と素子基板41との間で前述の熱応力がより生じ難くなる。そのため、振動素子4がさらに応力を受け難くなり、その振動特性の低下や変動をさらに効果的に抑制することができる。 Moreover, as described above, the crystal axis of the intermediate substrate 3 is along the crystal axis of the element substrate 41 . Since crystal has different coefficients of thermal expansion in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction, the intermediate substrate 3 and the element substrate 41 are made to have the same cut angle and the orientations of the crystal axes are aligned with each other. Therefore, the vibrating element 4 is less likely to be subjected to stress, and deterioration and fluctuation of its vibration characteristics can be more effectively suppressed.

また、前述したように、素子基板41は、ATカット水晶基板により構成されている。ATカット水晶基板は、厚みすべり振動モードを有し、三次の周波数温度特性を有している。そのため、素子基板41をATカット水晶基板とすることにより、優れた温度特性を有する振動素子4となる。 Further, as described above, the element substrate 41 is made of an AT-cut crystal substrate. The AT-cut crystal substrate has a thickness-shear vibration mode and a tertiary frequency-temperature characteristic. Therefore, by using an AT-cut crystal substrate as the element substrate 41, the vibration element 4 can have excellent temperature characteristics.

また、前述したように、平面視で、第1ボンディングワイヤーBW1が第1端子423に接続されている箇所P1は、第2接合部材B2と重なっており、平面視で、第2ボンディングワイヤーBW2が第2端子424に接続されている箇所P2は、第2接合部材B2と重なっている。これにより、第1、第2ボンディングワイヤーBW1、BW2を第1、第2端子423、424に接続する際に、キャピラリーを十分な力で第1、第2端子423、424に押し付けることができると共に、キャピラリーから第1、第2端子423、424に超音波を効果的に印加することができる。そのため、第1、第2ボンディングワイヤーBW1、BW2と第1、第2端子423、424との接合強度の低下を抑制することができ、振動素子4の電気的な接続状態がさらに安定する。 Further, as described above, the location P1 where the first bonding wire BW1 is connected to the first terminal 423 overlaps the second bonding member B2 in plan view, and the location P2 where the second bonding wire BW2 is connected to the second terminal 424 overlaps the second bonding member B2 in plan view. As a result, when connecting the first and second bonding wires BW1 and BW2 to the first and second terminals 423 and 424, the capillaries can be pressed against the first and second terminals 423 and 424 with sufficient force, and ultrasonic waves can be effectively applied from the capillaries to the first and second terminals 423 and 424. Therefore, a decrease in bonding strength between the first and second bonding wires BW1 and BW2 and the first and second terminals 423 and 424 can be suppressed, and the electrical connection state of the vibrating element 4 is further stabilized.

また、前述したように、平面視で、第2接合部材B2は、第1接合部材B1と重なっている。これにより、第2接合部材B2が第1接合部材B1によって下方から支持され、振動素子4を所定の力で第2接合部材B2に押し付けることができ、振動素子4を所望の接合強度でかつ所望の姿勢で中間基板3に接合することができる。したがって、振動素子4を中間基板3に精度よく接合することができる。 Further, as described above, the second joint member B2 overlaps the first joint member B1 in plan view. As a result, the second bonding member B2 is supported from below by the first bonding member B1, the vibration element 4 can be pressed against the second bonding member B2 with a predetermined force, and the vibration element 4 can be bonded to the intermediate substrate 3 with desired bonding strength and in a desired posture. Therefore, the vibrating element 4 can be joined to the intermediate substrate 3 with high accuracy.

また、前述したように、素子基板41の第2接合部材B2と接合されている部分である支持部412の厚さをT1とし、中間基板3の第2接合部材B2と接合されている部分の厚さをT2としたとき、T2≧T1である。さらに、素子基板41の第1励振電極421と第2励振電極422とに挟まれている部分である振動部411の厚さをT3としたとき、T2≧T3である。このような関係とすることにより、中間基板3を十分に厚くすることができ、パッケージ2からの応力の緩和吸収効果をより顕著に発揮することができる。 Further, as described above, when the thickness of the supporting portion 412, which is the portion of the element substrate 41 joined to the second joining member B2, is T1, and the thickness of the portion of the intermediate substrate 3 joined to the second joining member B2 is T2, T2≧T1. Furthermore, when the thickness of the vibrating portion 411 sandwiched between the first excitation electrode 421 and the second excitation electrode 422 of the element substrate 41 is T3, T2≧T3. With such a relationship, the intermediate substrate 3 can be sufficiently thick, and the effect of relaxing and absorbing the stress from the package 2 can be exhibited more remarkably.

また、前述したように、発振器1は、振動デバイス10と、振動素子4と電気的に接続され、発振信号を出力する発振回路52と、を備えている。そのため、発振器1は、上述した振動デバイス10の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。 Further, as described above, the oscillator 1 includes the vibration device 10 and the oscillation circuit 52 electrically connected to the vibration element 4 and outputting an oscillation signal. Therefore, the oscillator 1 can enjoy the effects of the vibrating device 10 described above, and can exhibit high reliability.

<第2実施形態>
図5は、第2実施形態に係る発振器の平面図である。
<Second embodiment>
FIG. 5 is a plan view of the oscillator according to the second embodiment.

本実施形態に係る発振器1は、振動素子4の構成が異なること以外は、前述した第1実施形態の発振器1と同様である。なお、以下の説明では、第2実施形態の発振器1に関し、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関しては、その説明を省略する。また、図5では、前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。 The oscillator 1 according to this embodiment is the same as the oscillator 1 according to the first embodiment described above, except that the configuration of the vibrating element 4 is different. In the following description, regarding the oscillator 1 of the second embodiment, the differences from the above-described first embodiment will be mainly described, and the description of the same items will be omitted. Moreover, in FIG. 5, the same code|symbol is attached|subjected about the structure similar to embodiment mentioned above.

図5に示す振動素子4が有する素子基板41は、前述した第1実施形態と同様にATカット水晶基板から構成されている。また、素子基板41は、平面視形状が矩形であり、X軸方向に沿う2つの辺41a、41bを有する。そして、本実施形態では、第1端子423および第2端子424は、辺41aに沿って並んで配置されている。また、平面視で、振動部411をX軸方向に延長した領域を領域Q1としたとき、第2接合部材B2は、領域Q1の外側に位置し、領域Q1の外側において、振動素子4と中間基板3とを接合している。また、平面視で、第2接合部材B2は、箇所P1、P2と重なっている。 The element substrate 41 of the vibrating element 4 shown in FIG. 5 is composed of an AT-cut crystal substrate as in the first embodiment described above. The element substrate 41 has a rectangular shape in plan view, and has two sides 41a and 41b along the X-axis direction. In this embodiment, the first terminal 423 and the second terminal 424 are arranged side by side along the side 41a. Further, when a region Q1 is defined by extending the vibrating portion 411 in the X-axis direction in plan view, the second bonding member B2 is positioned outside the region Q1, and bonds the vibration element 4 and the intermediate substrate 3 outside the region Q1. Further, in a plan view, the second joint member B2 overlaps the locations P1 and P2.

ここで、振動部411ではX軸方向に沿った厚み滑り振動が生じるため、振動素子4を、領域Q1内において第2接合部材B2を介して中間基板3に接合すると、例えば、振動素子4のCI(クリスタルインピーダンス)値が増加し、振動特性に影響を与えるおそれがある。そこで、本実施形態では、第2接合部材B2を領域Q1の外側に配置することにより、このような問題の発生を抑制している。 Here, since thickness-shear vibration occurs along the X-axis direction in the vibrating portion 411, if the vibrating element 4 is bonded to the intermediate substrate 3 via the second bonding member B2 in the region Q1, for example, the CI (crystal impedance) value of the vibrating element 4 may increase, which may affect the vibration characteristics. Therefore, in this embodiment, the occurrence of such a problem is suppressed by arranging the second bonding member B2 outside the region Q1.

以上のように、本実施形態では、素子基板41は、ATカット水晶基板により構成され、水晶の結晶軸であるX軸方向に沿う辺41a、41bを有する。そして、第1端子423および第2端子424は、辺41aに沿って並んで配置されている。第1、第2端子423、424をこのような配置することにより、平面視で、第2接合部材B2を領域Q1の外側に位置させ易くなる。そのため、上述したような振動素子4のCI(クリスタルインピーダンス)値の増加が抑制され、安定した振動特性を発揮することのできる振動素子4となる。 As described above, in this embodiment, the element substrate 41 is made of an AT-cut crystal substrate and has sides 41a and 41b along the X-axis direction, which is the crystal axis of crystal. The first terminal 423 and the second terminal 424 are arranged side by side along the side 41a. By arranging the first and second terminals 423 and 424 in this way, it becomes easier to position the second joint member B2 outside the region Q1 in plan view. Therefore, an increase in the CI (crystal impedance) value of the vibrating element 4 as described above is suppressed, and the vibrating element 4 can exhibit stable vibration characteristics.

以上のような第2実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。 According to the second embodiment as described above, the same effects as those of the above-described first embodiment can be exhibited.

<第3実施形態>
図6は、第3実施形態に係る発振器の部分拡大断面図である。
<Third Embodiment>
FIG. 6 is a partially enlarged sectional view of the oscillator according to the third embodiment.

本実施形態に係る発振器1は、中間基板3の構成が異なること以外は、前述した第1実施形態の発振器1と同様である。なお、以下の説明では、第3実施形態の発振器1に関し、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図6では、前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。 The oscillator 1 according to this embodiment is the same as the oscillator 1 according to the first embodiment described above, except that the configuration of the intermediate substrate 3 is different. In the following description, the oscillator 1 of the third embodiment will be described with a focus on differences from the above-described first embodiment, and the description of the same items will be omitted. Moreover, in FIG. 6, the same code|symbol is attached|subjected about the structure similar to embodiment mentioned above.

図6に示すように、本実施形態の振動素子4は、前述した第1実施形態と同様にメサ型となっている。すなわち、振動部411の厚さT3が支持部412の厚さT1よりも厚くなっている。また、中間基板3は、平面視で、支持部412のみならず、振動部411とも重なって配置されている。これにより、例えば、前述した第1実施形態と比べて第1接合部材B1の塗布面積が増え、ベース21と中間基板3との接合強度が増す。また、中間基板3は、平面視で振動部411と重なる部分に切り欠きを有する。そのため、中間基板3の上面31は、支持部412と重なり、第2接合部材B2を介して振動素子4が接合されている第1面311と、振動部411と重なり、第1面311よりも下方に位置する第2面312と、を有する。このように、第2面312を第1面311よりも下方にずらすことにより、上面31と振動部411との間に十分な隙間を確保することができ、振動素子4と中間基板3との接触を効果的に抑制することができる。 As shown in FIG. 6, the vibrating element 4 of this embodiment has a mesa shape as in the first embodiment. That is, the thickness T3 of the vibrating portion 411 is thicker than the thickness T1 of the support portion 412 . Further, the intermediate substrate 3 is arranged so as to overlap not only the supporting portion 412 but also the vibrating portion 411 in plan view. As a result, for example, the application area of the first bonding member B1 is increased compared to the first embodiment described above, and the bonding strength between the base 21 and the intermediate substrate 3 is increased. Further, the intermediate substrate 3 has a notch in a portion overlapping with the vibrating portion 411 in plan view. Therefore, the upper surface 31 of the intermediate substrate 3 has a first surface 311 that overlaps the support portion 412 and is bonded to the vibration element 4 via the second bonding member B2, and a second surface 312 that overlaps the vibration portion 411 and is located below the first surface 311. By displacing the second surface 312 below the first surface 311 in this manner, a sufficient gap can be secured between the upper surface 31 and the vibrating portion 411, and contact between the vibrating element 4 and the intermediate substrate 3 can be effectively suppressed.

以上のように、本実施形態では、素子基板41の第2接合部材B2と接合されている第1部分である支持部412の厚さをT1とし、素子基板41の第1励振電極421と第2励振電極422とに挟まれている第2部分である振動部411の厚さをT3としたとき、T3>T1である。また、中間基板3の振動素子4側の面である上面31は、平面視で、支持部412と重なっている第1面311と、振動部411と重なり、第1面311に対して下側すなわち振動素子4とは反対側に位置する第2面312と、を有する。これにより、中間基板3と振動素子4との接触を抑制しつつ、中間基板3とベース21との接合強度を高めることができる。 As described above, in the present embodiment, T3>T1, where T1 is the thickness of the supporting portion 412 that is the first portion of the element substrate 41 that is bonded to the second bonding member B2, and T3 is the thickness of the vibrating portion 411 that is the second portion that is sandwiched between the first excitation electrode 421 and the second excitation electrode 422 of the element substrate 41. Further, the upper surface 31, which is the surface of the intermediate substrate 3 on the vibration element 4 side, has a first surface 311 that overlaps with the support portion 412 and a second surface 312 that overlaps with the vibration portion 411 and is positioned below the first surface 311, i.e., on the opposite side of the vibration element 4 in plan view. Thereby, the bonding strength between the intermediate substrate 3 and the base 21 can be increased while suppressing the contact between the intermediate substrate 3 and the vibration element 4 .

以上のような第3実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。 According to the third embodiment as described above, the same effects as those of the above-described first embodiment can be exhibited.

<第4実施形態>
図7は、第4実施形態に係るパーソナルコンピューターを示す斜視図である。
<Fourth Embodiment>
FIG. 7 is a perspective view showing a personal computer according to the fourth embodiment.

図7に示す電子機器としてのパーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部1108を備えた表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター1100には、発振器1が内蔵されている。また、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102や表示部1108などの制御に関する演算処理を行う演算処理回路1110を備えている。演算処理回路1110は、発振器1から出力される発振信号に基づいて動作する。 A personal computer 1100 as an electronic device shown in FIG. 7 includes a main body 1104 having a keyboard 1102 and a display unit 1106 having a display 1108. The display unit 1106 is rotatably supported by the main body 1104 via a hinge structure. Such a personal computer 1100 incorporates the oscillator 1 . The personal computer 1100 also includes an arithmetic processing circuit 1110 that performs arithmetic processing related to control of the keyboard 1102, the display unit 1108, and the like. Arithmetic processing circuit 1110 operates based on the oscillation signal output from oscillator 1 .

このように、電子機器としてのパーソナルコンピューター1100は、発振器1と、発振器1から出力される発振信号に基づいて動作する演算処理回路1110と、を備える。そのため、前述した発振器1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。 As described above, the personal computer 1100 as an electronic device includes the oscillator 1 and the arithmetic processing circuit 1110 that operates based on the oscillation signal output from the oscillator 1 . Therefore, the effect of the oscillator 1 described above can be enjoyed, and high reliability can be exhibited.

<第5実施形態>
図8は、第5実施形態に係る携帯電話機を示す斜視図である。
<Fifth Embodiment>
FIG. 8 is a perspective view showing a mobile phone according to the fifth embodiment.

図8に示す電子機器としての携帯電話機1200は、図示しないアンテナ、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には表示部1208が配置されている。このような携帯電話機1200には、発振器1が内蔵されている。また、携帯電話機1200は、操作ボタン1202などの制御に関する演算処理を行う演算処理回路1210を備えている。演算処理回路1210は、発振器1から出力される発振信号に基づいて動作する。 A mobile phone 1200 as an electronic device shown in FIG. 8 includes an antenna (not shown), a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204 and a mouthpiece 1206, and a display unit 1208 is arranged between the operation button 1202 and the earpiece 1204. Such a mobile phone 1200 incorporates the oscillator 1 . The mobile phone 1200 also includes an arithmetic processing circuit 1210 that performs arithmetic processing related to control of the operation buttons 1202 and the like. Arithmetic processing circuit 1210 operates based on the oscillation signal output from oscillator 1 .

このように、電子機器としての携帯電話機1200は、発振器1と、発振器1から出力される発振信号に基づいて動作する演算処理回路1210と、を備える。そのため、前述した発振器1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。 As described above, the mobile phone 1200 as an electronic device includes the oscillator 1 and the arithmetic processing circuit 1210 that operates based on the oscillation signal output from the oscillator 1 . Therefore, the effect of the oscillator 1 described above can be enjoyed, and high reliability can be exhibited.

<第6実施形態>
図9は、第6実施形態に係るデジタルスチールカメラを示す斜視図である。
<Sixth embodiment>
FIG. 9 is a perspective view showing a digital still camera according to the sixth embodiment.

図9に示すデジタルスチールカメラ1300は、ボディ1302を有し、ボディ1302の背面にはCCDによる撮像信号に基づいて表示を行う表示部1310が設けられている。表示部1310は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ボディ1302の正面側(図中裏面側)には、光学レンズやCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。そして、撮影者が表示部1310に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押すと、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送・格納される。このようなデジタルスチールカメラ1300には、例えば、発振器1が内蔵されている。また、デジタルスチールカメラ1300は、表示部1310や受光ユニット1304などの制御に関する演算処理を行う演算処理回路1312を備えている。演算処理回路1312は、発振器1から出力される発振信号に基づいて動作する。 A digital still camera 1300 shown in FIG. 9 has a body 1302, and a display section 1310 is provided on the rear surface of the body 1302 to perform display based on an imaging signal from a CCD. Display unit 1310 functions as a viewfinder that displays an electronic image of a subject. A light receiving unit 1304 including an optical lens and a CCD is provided on the front side (rear side in the figure) of the body 1302 . When the photographer confirms the subject image displayed on the display unit 1310 and presses the shutter button 1306 , the CCD imaging signal at that time is transferred and stored in the memory 1308 . Such a digital still camera 1300 incorporates an oscillator 1, for example. The digital still camera 1300 also includes an arithmetic processing circuit 1312 that performs arithmetic processing related to control of the display section 1310, the light receiving unit 1304, and the like. Arithmetic processing circuit 1312 operates based on the oscillation signal output from oscillator 1 .

このように、電子機器としてのデジタルスチールカメラ1300は、発振器1と、発振器1から出力される発振信号に基づいて動作する演算処理回路1312と、を備える。そのため、前述した発振器1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。 As described above, the digital still camera 1300 as an electronic device includes the oscillator 1 and the arithmetic processing circuit 1312 that operates based on the oscillation signal output from the oscillator 1 . Therefore, the effect of the oscillator 1 described above can be enjoyed, and high reliability can be exhibited.

なお、本適用例の電子機器は、前述したパーソナルコンピューター、携帯電話機およびデジタルスチールカメラの他にも、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計(スマートウォッチを含む)、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンタ)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、HMD(ヘッドマウントディスプレイ)等のウェアラブル端末、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、移動体端末基地局用機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーター、ネットワークサーバー等に適用することができる。 In addition to the personal computers, mobile phones, and digital still cameras described above, the electronic devices of this application example include, for example, smartphones, tablet terminals, watches (including smart watches), inkjet ejection devices (e.g., inkjet printers), laptop personal computers, televisions, wearable terminals such as HMDs (head-mounted displays), video cameras, video tape recorders, car navigation devices, pagers, electronic notebooks (including those with communication functions), electronic dictionaries, calculators, electronic game devices, word processors, workstations, video phones, security television monitors, and electronic twins. Eyeglasses, POS terminals, medical equipment (e.g., electronic thermometers, sphygmomanometers, blood glucose meters, electrocardiogram measuring devices, ultrasonic diagnostic equipment, electronic endoscopes), fish finders, various measuring devices, mobile terminal base station equipment, instruments (e.g., vehicles, aircraft, ship instruments), flight simulators, network servers, etc.

<第7実施形態>
図10は、第7実施形態に係る自動車を示す斜視図である。
<Seventh embodiment>
FIG. 10 is a perspective view showing an automobile according to the seventh embodiment.

図10に示す自動車1500には、発振器1と、発振器1から出力される発振信号に基づいて動作する演算処理回路1510が内蔵されている。そのような発振器1と演算処理回路1510は、例えば、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム(ABS)、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム(TPMS:Tire Pressure Monitoring System)、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム等の電子制御ユニット(ECU:electronic control unit)に広く適用できる。 An automobile 1500 shown in FIG. 10 incorporates an oscillator 1 and an arithmetic processing circuit 1510 that operates based on an oscillation signal output from the oscillator 1 . Such oscillator 1 and arithmetic processing circuit 1510, for example, keyless entry, immobilizer, car navigation system, car air conditioner, anti-lock braking system (ABS), air bag, tire pressure monitoring system (TPMS: Tire Pressure Monitoring System), engine control, battery monitor of hybrid and electric vehicles, electronic control unit (ECU: electronic control unit) such as a vehicle attitude control system can be widely applied.

このように、移動体としての自動車1500は、発振器1と、発振器1から出力される発振信号に基づいて動作する演算処理回路1510と、を備える。そのため、前述した発振器1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。 As described above, the automobile 1500 as a moving object includes the oscillator 1 and the arithmetic processing circuit 1510 that operates based on the oscillation signal output from the oscillator 1 . Therefore, the effect of the oscillator 1 described above can be enjoyed, and high reliability can be exhibited.

なお、移動体としては、自動車1500に限定されず、例えば、飛行機、船舶、AGV(無人搬送車)、二足歩行ロボット、ドローン等の無人飛行機等にも適用することができる。 The mobile object is not limited to the automobile 1500, and can be applied to, for example, airplanes, ships, AGVs (automated guided vehicles), bipedal robots, and unmanned airplanes such as drones.

以上、本適用例の振動デバイス、発振器、電子機器および移動体を図示の実施形態に基づいて説明したが、本適用例は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本適用例に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、本適用例は、前記各実施形態のうちの、任意の2以上の構成を組み合わせたものであってもよい。 The vibration device, the oscillator, the electronic device, and the moving body of this application example have been described above based on the illustrated embodiments, but this application example is not limited to this, and the configuration of each part can be replaced with any configuration having similar functions. In addition, other arbitrary components may be added to this application example. Further, this application example may be a combination of any two or more configurations of the above embodiments.

1…発振器、10…振動デバイス、2…パッケージ、21…ベース、211、211a、211b、211c…凹部、22…リッド、23…接合部材、241、241A、241B、242…内部端子、243…外部端子、3…中間基板、31…上面、311…第1面、312…第2面、4…振動素子、41…素子基板、41a、41b…辺、411…振動部、412…支持部、42…電極、421…第1励振電極、422…第2励振電極、423…第1端子、424…第2端子、425…第1引き出し配線、426…第2引き出し配線、5…回路素子、51…温度センサー、52…発振回路、1100…パーソナルコンピューター、1102…キーボード、1104…本体部、1106…表示ユニット、1108…表示部、1110…演算処理回路、1200…携帯電話機、1202…操作ボタン、1204…受話口、1206…送話口、1208…表示部、1210…演算処理回路、1300…デジタルスチールカメラ、1302…ボディ、1304…受光ユニット、1306…シャッターボタン、1308…メモリー、1310…表示部、1312…演算処理回路、1500…自動車、1510…演算処理回路、B1…第1接合部材、B2…第2接合部材、BW1…第1ボンディングワイヤー、BW2…第2ボンディングワイヤー、BW3…第3ボンディングワイヤー、P1、P2…箇所、Q1…領域、S…内部空間、X、Y、Y’、Z、Z’…結晶軸、θ…角度 Reference Signs List 1 oscillator 10 vibration device 2 package 21 base 211, 211a, 211b, 211c concave portion 22 lid 23 joining member 241, 241A, 241B, 242 internal terminal 243 external terminal 3 intermediate substrate 31 upper surface 311 first surface 312 second surface 4 vibration element 41 element substrate 41a, 41b... Side 411... Vibration part 412... Support part 42... Electrode 421... First excitation electrode 422... Second excitation electrode 423... First terminal 424... Second terminal 425... First lead wire 426... Second lead wire 5... Circuit element 51... Temperature sensor 52... Oscillation circuit 1100... Personal computer 1102... Keyboard 1104... Body part 1106 DESCRIPTION OF SYMBOLS Display unit 1108 Display section 1110 Arithmetic processing circuit 1200 Mobile phone 1202 Operation button 1204 Earpiece 1206 Mic mouthpiece 1208 Display section 1210 Arithmetic processing circuit 1300 Digital still camera 1302 Body 1304 Light receiving unit 1306 Shutter button 1308 Memory 1310 Display section 1312 Arithmetic processing circuit 1500 Automobile 1510 Arithmetic processing circuit B1 First bonding member B2 Second bonding member BW1 First bonding wire BW2 Second bonding wire BW3 Third bonding wire P1, P2 Part Q1 Region S Internal space X, Y, Y', Z, Z' Crystal axis θ Angle

Claims (12)

第1ベース端子および第2ベース端子を含むベースと、
第1接合部材と、
前記ベースに前記第1接合部材を介して接合されている中間基板と、
第2接合部材と、
素子基板、前記素子基板の第1面に配置されている第1励振電極、前記素子基板の第1面と反対の第2面に配置されている第2励振電極、前記第1励振電極と接続されている第1端子および前記第2励振電極と接続されている第2端子を含み、前記中間基板に前記第2接合部材を介して接合されている振動素子と、を備え、
前記第1端子と前記第1ベース端子とが第1ワイヤーにより電気的に接続され、
前記第2端子と前記第2ベース端子とが第2ワイヤーにより電気的に接続されており、
平面視で、前記第1ワイヤーが前記第1端子に接続されている箇所は、前記第2接合部材と重なっており、
平面視で、前記第2ワイヤーが前記第2端子に接続されている箇所は、前記第2接合部材と重なっていることを特徴とする振動デバイス。
a base including a first base terminal and a second base terminal;
a first joint member;
an intermediate substrate bonded to the base via the first bonding member;
a second joint member;
an element substrate, a first excitation electrode arranged on the first surface of the element substrate, a second excitation electrode arranged on the second surface opposite to the first surface of the element substrate, a first terminal connected to the first excitation electrode, and a second terminal connected to the second excitation electrode, and a vibration element bonded to the intermediate substrate via the second bonding member;
the first terminal and the first base terminal are electrically connected by a first wire;
the second terminal and the second base terminal are electrically connected by a second wire,
In plan view, a portion where the first wire is connected to the first terminal overlaps the second joint member,
The vibrating device according to claim 1, wherein a portion where the second wire is connected to the second terminal overlaps the second joint member in plan view.
第1ベース端子および第2ベース端子を含むベースと、
第1接合部材と、
前記ベースに前記第1接合部材を介して接合されている中間基板と、
第2接合部材と、
素子基板、前記素子基板の第1面に配置されている第1励振電極、前記素子基板の第1面と反対の第2面に配置されている第2励振電極、前記第1励振電極と接続されている第1端子および前記第2励振電極と接続されている第2端子を含み、前記中間基板に前記第2接合部材を介して接合されている振動素子と、を備え、
前記第1端子と前記第1ベース端子とが第1ワイヤーにより電気的に接続され、
前記第2端子と前記第2ベース端子とが第2ワイヤーにより電気的に接続されており、
平面視で、前記第2接合部材は、前記第1接合部材と重なっていることを特徴とする振動デバイス。
a base including a first base terminal and a second base terminal;
a first joint member;
an intermediate substrate bonded to the base via the first bonding member;
a second joint member;
an element substrate, a first excitation electrode arranged on the first surface of the element substrate, a second excitation electrode arranged on the second surface opposite to the first surface of the element substrate, a first terminal connected to the first excitation electrode, and a second terminal connected to the second excitation electrode, and a vibration element bonded to the intermediate substrate via the second bonding member;
the first terminal and the first base terminal are electrically connected by a first wire;
the second terminal and the second base terminal are electrically connected by a second wire,
The vibrating device according to claim 1, wherein the second joint member overlaps the first joint member in plan view .
第1ベース端子および第2ベース端子を含むベースと、
第1接合部材と、
前記ベースに前記第1接合部材を介して接合されている中間基板と、
第2接合部材と、
素子基板、前記素子基板の第1面に配置されている第1励振電極、前記素子基板の第1面と反対の第2面に配置されている第2励振電極、前記第1励振電極と接続されている第1端子および前記第2励振電極と接続されている第2端子を含み、前記中間基板に前記第2接合部材を介して接合されている振動素子と、を備え、
前記第1端子と前記第1ベース端子とが第1ワイヤーにより電気的に接続され、
前記第2端子と前記第2ベース端子とが第2ワイヤーにより電気的に接続されており、
前記素子基板の前記第2接合部材と接合されている部分の厚さをT1とし、
前記中間基板の前記第2接合部材と接合されている部分の厚さをT2としたとき、
T2≧T1であることを特徴とする振動デバイス。
a base including a first base terminal and a second base terminal;
a first joint member;
an intermediate substrate bonded to the base via the first bonding member;
a second joint member;
an element substrate, a first excitation electrode arranged on the first surface of the element substrate, a second excitation electrode arranged on the second surface opposite to the first surface of the element substrate, a first terminal connected to the first excitation electrode, and a second terminal connected to the second excitation electrode, and a vibration element bonded to the intermediate substrate via the second bonding member;
the first terminal and the first base terminal are electrically connected by a first wire;
the second terminal and the second base terminal are electrically connected by a second wire,
T1 is the thickness of the portion of the element substrate that is bonded to the second bonding member,
When the thickness of the portion of the intermediate substrate that is bonded to the second bonding member is T2,
A vibrating device characterized in that T2≧T1 .
前記素子基板の前記第1励振電極と前記第2励振電極とに挟まれている部分の厚さをT3としたとき、
T2≧T3である請求項に記載の振動デバイス。
When the thickness of the portion sandwiched between the first excitation electrode and the second excitation electrode of the element substrate is T3,
4. The vibrating device according to claim 3 , wherein T2≧T3.
第1ベース端子および第2ベース端子を含むベースと、
第1接合部材と、
前記ベースに前記第1接合部材を介して接合されている中間基板と、
第2接合部材と、
素子基板、前記素子基板の第1面に配置されている第1励振電極、前記素子基板の第1面と反対の第2面に配置されている第2励振電極、前記第1励振電極と接続されている第1端子および前記第2励振電極と接続されている第2端子を含み、前記中間基板に前記第2接合部材を介して接合されている振動素子と、を備え、
前記第1端子と前記第1ベース端子とが第1ワイヤーにより電気的に接続され、
前記第2端子と前記第2ベース端子とが第2ワイヤーにより電気的に接続されており、
前記素子基板の前記第2接合部材と接合されている第1部分の厚さをT1とし、前記素子基板の前記第1励振電極と前記第2励振電極とに挟まれている第2部分の厚さをT3としたとき、
T3>T1であり、
前記中間基板の前記振動素子側の面は、平面視で、前記第1部分と重なっている第1面と、前記第2部分と重なり、前記第1面に対して前記振動素子とは反対側に位置する第2面と、を有することを特徴とする振動デバイス。
a base including a first base terminal and a second base terminal;
a first joint member;
an intermediate substrate bonded to the base via the first bonding member;
a second joint member;
an element substrate, a first excitation electrode arranged on the first surface of the element substrate, a second excitation electrode arranged on the second surface opposite to the first surface of the element substrate, a first terminal connected to the first excitation electrode, and a second terminal connected to the second excitation electrode, and a vibration element bonded to the intermediate substrate via the second bonding member;
the first terminal and the first base terminal are electrically connected by a first wire;
the second terminal and the second base terminal are electrically connected by a second wire,
When the thickness of the first portion of the element substrate bonded to the second bonding member is T1, and the thickness of the second portion sandwiched between the first excitation electrode and the second excitation electrode of the element substrate is T3,
T3>T1, and
A vibrating device, wherein the surface of the intermediate substrate on the vibrating element side has a first surface that overlaps with the first portion and a second surface that overlaps with the second portion and is located on the opposite side of the first surface to the vibrating element in plan view.
前記中間基板および前記素子基板は、それぞれ、水晶により構成されている請求項1ないし5のいずれか1項に記載の振動デバイス。 6. The vibrating device according to claim 1, wherein said intermediate substrate and said element substrate are each made of crystal. 前記中間基板は、互いに直交する結晶軸であるX軸、Y軸およびZ軸を有し、
前記素子基板は、互いに直交する結晶軸であるX軸、Y軸およびZ軸を有し、
前記中間基板の前記結晶軸の前記X軸は、前記素子基板の前記結晶軸の前記X軸に沿っており、前記中間基板の前記結晶軸の前記Y軸は、前記素子基板の前記結晶軸の前記Y軸に沿っており、前記中間基板の前記結晶軸の前記Z軸は、前記素子基板の前記結晶軸の前記Z軸に沿っている請求項に記載の振動デバイス。
the intermediate substrate has X-axis, Y-axis and Z-axis, which are crystal axes orthogonal to each other;
The element substrate has X-axis, Y-axis and Z-axis, which are crystal axes orthogonal to each other,
7. The vibration device according to claim 6 , wherein the X-axis of the crystal axis of the intermediate substrate is along the X-axis of the crystal axis of the element substrate, the Y -axis of the crystal axis of the intermediate substrate is along the Y-axis of the crystal axis of the element substrate, and the Z-axis of the crystal axis of the intermediate substrate is along the Z-axis of the crystal axis of the element substrate.
前記素子基板は、ATカット水晶基板により構成されている請求項またはに記載の振動デバイス。 8. The vibrating device according to claim 6 , wherein said element substrate is composed of an AT-cut crystal substrate. 前記素子基板は、ATカット水晶基板により構成され、水晶の結晶軸であるX軸方向に沿う辺を有し、
前記第1端子および前記第2端子は、前記辺に沿って並んで配置されている請求項1ないしのいずれか1項に記載の振動デバイス。
The element substrate is composed of an AT-cut crystal substrate and has a side along the X-axis direction, which is the crystal axis of crystal,
The vibration device according to any one of claims 1 to 7 , wherein the first terminal and the second terminal are arranged side by side along the side.
請求項1ないしのいずれか1項に記載の振動デバイスと、
前記振動素子と電気的に接続され、発振信号を出力する発振回路と、を備えていることを特徴とする発振器。
a vibration device according to any one of claims 1 to 9 ;
An oscillator, comprising: an oscillator circuit electrically connected to the vibrating element and outputting an oscillation signal.
請求項10に記載の発振器と、
前記発振器から出力される発振信号に基づいて動作する演算処理回路と、を備えていることを特徴とする電子機器。
an oscillator according to claim 10 ;
and an arithmetic processing circuit that operates based on the oscillation signal output from the oscillator.
請求項10に記載の発振器と、
前記発振器から出力される発振信号に基づいて動作する演算処理回路と、を備えていることを特徴とする移動体。
an oscillator according to claim 10 ;
and an arithmetic processing circuit that operates based on the oscillation signal output from the oscillator.
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