JP7310019B2 - 歯科インプラント装置 - Google Patents
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Description
図1Aおよび1Bは、歯科インプラントのシナリオを、各ステップを達成するために使用し得るブラストプロトコルの関連する処置ステップと関連付ける表を示す。一般に、図1Aに見られるように、乱れた部位は、その部位から歯またはインプラントが意図的または偶発的に除去された直後またはまもなくしてインプラントを受け入れてよい。代替的に、図1Bに見られるように、乱れのない部位は、歯が除去され、かつ、その部位が治癒後しばらくして、インプラントを受け入れてもよい。
1.インプラント部位の軟組織を切開する。
2.抜歯部位を準備する。
3.滅菌済み超硬ドリルまたはバーを用いて骨切りを行う。
4.骨切り部位の深さを測定する。
5.準備済みインプラント部位へレーザを照射する。
6.インプラントにレーザを照射する(体外)。
7.インプラントを埋入する。
8.バイオスティミュレーションを実施する。
9.必要に応じてメンテナンス治療を行う。
1.インプラント部位の軟組織を切開する。
2.抜歯部位を準備する。
3.滅菌済み超硬ドリルまたはバーを用いて骨切りを行う。
4.骨切り部位の深さを測定する。
5.インプラント部位にレーザを照射する
6.インプラントにレーザを照射する(体外)。
7.インプラントを埋入する。
8.バイオスティミュレーションを実施する。
9.必要に応じてメンテナンス治療を行う。
BLAST処置は、歯科用インプラントの埋入および/またはメンテナンスに関連する複数のステップを含む。例えば、BLASTは、歯の偶発的な喪失に続く歯科インプラントの埋入、または、邪魔されない部位での歯科インプラントの埋入を取り扱ってもよい。以下のステップは、インプラントを埋入するためのBLAST処置を説明する。
インプラント周囲の感染と炎症は、歯垢や歯石(結石)に含まれるある種の細菌が原因である。これらの細菌は、歯肉を刺激する毒素を作り出し、深いポケットを生じさせ、インプラントへの骨の付着の破壊をもたらす。これらの毒素は時間とともに歯茎の組織を破壊し、感染を進行させ、骨が失われることもある。
インプラント周囲粘膜炎とインプラント周囲炎には、初期、浅い、深い骨ポケットを減らし、病的組織、インプラント周囲病原体、病理学的タンパク質、インプラント表面の歯石やその他の結石、金属インプラント劣化の腐食副産物を除去することが含まれる場合がある。これにより、インプラント固定具への新しい骨の再成長、再生、再結合を実現する。上記にかかわらず、全てのインプラントがチタン(例えば、セラミック)で作られているわけではないことに留意すべきであり、このプロセスは、そのような他の種類のインプラントに適用されてもよい。
Claims (5)
- 長期的結果の予測可能性および成功率を高めるべく、部位へのインプラントの埋入前および埋入後に前記部位と前記インプラントの両方を消毒および処理するためのレーザベースの歯科インプラント装置であって、
ハンドピースと、
前記ハンドピースから伸長するレーザファイバと、
前記レーザファイバの一部を包むカニューラと、
パルスレーザビーム発生器と、
ディスプレイと、
超音波プローブと
を備え、
前記超音波プローブは、超音波スケーリングにより前記部位の深さを決定するように機能し、
前記レーザファイバは、前記カニューラから伸長する自由長を有し、
前記自由長は、前記部位の前記深さに一致するように調節され、
前記パルスレーザビーム発生器から出力すべきパルスレーザビームの許容レーザパラメータのセットが、前記ディスプレイ上のユーザインターフェースに選択可能に表示され、
選択された前記許容レーザパラメータのセットに従うパルスレーザビームが、埋入前に、前記レーザファイバの前記自由長の先端から照射され、前記部位を照射し、
埋入前に、前記パルスレーザビームは、インプラント固定具の親水性インプラント表面を得るべく、前記インプラント固定具を照射するレーザビームであり、
埋入後に、前記パルスレーザビームは、インプラント部位を刺激するレーザビームである、
ことを特徴とする歯科インプラント装置。 - 前記選択された許容レーザパラメータのセットは、埋入前に前記部位を止血するのに十分な照射時間を含む、請求項1に記載の歯科インプラント装置。
- 前記選択された許容レーザパラメータのセットは、埋入前に前記部位を止血するのに繰り返す照射回数を含む、請求項1に記載の歯科インプラント装置。
- 前記選択された許容レーザパラメータのセットは、埋入前に前記部位の活性化成長因子を活性化し、遺伝子発現をアップレギュレートし、炎症性サイトカインおよびプロスタグランジンの産生を抑制するのに十分な照射時間を含む、請求項1に記載の歯科インプラント装置。
- 前記選択された許容レーザパラメータのセットは、埋入前に前記部位の活性化成長因子を活性化し、遺伝子発現をアップレギュレートし、炎症性サイトカインおよびプロスタグランジンの産生を抑制するために繰り返す照射回数を含む、請求項1に記載の歯科インプラント装置。
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