JP7306165B2 - 複合体、光化学電極、光化学電極の製造方法、及び光電気化学反応装置 - Google Patents
複合体、光化学電極、光化学電極の製造方法、及び光電気化学反応装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7306165B2 JP7306165B2 JP2019156515A JP2019156515A JP7306165B2 JP 7306165 B2 JP7306165 B2 JP 7306165B2 JP 2019156515 A JP2019156515 A JP 2019156515A JP 2019156515 A JP2019156515 A JP 2019156515A JP 7306165 B2 JP7306165 B2 JP 7306165B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold particles
- particles
- photochemical electrode
- fine particles
- molecule
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 104
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 103
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 97
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 97
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 97
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 59
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 claims description 52
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 36
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 claims description 24
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 19
- 229910000152 cobalt phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 11
- ZBDSFTZNNQNSQM-UHFFFAOYSA-H cobalt(2+);diphosphate Chemical compound [Co+2].[Co+2].[Co+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O ZBDSFTZNNQNSQM-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical group O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 8
- 239000003426 co-catalyst Substances 0.000 claims description 7
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical group O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 claims 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 14
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 10
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- TXCBWQYWCDOLHF-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylethylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CCS TXCBWQYWCDOLHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910052588 hydroxylapatite Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N phosphonic acid group Chemical group P(O)(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- UFMZWBIQTDUYBN-UHFFFAOYSA-N cobalt dinitrate Chemical compound [Co+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O UFMZWBIQTDUYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001981 cobalt nitrate Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 iridium metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 3
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBWDPGQMQBYMJP-UHFFFAOYSA-N 4-sulfanylbutylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CCCCS YBWDPGQMQBYMJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 150000001869 cobalt compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- XYJRXVWERLGGKC-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;hydroxide;triphosphate Chemical compound [OH-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O XYJRXVWERLGGKC-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- UOLMNMNHGFGIDE-UHFFFAOYSA-N 3-sulfanylpropylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CCCS UOLMNMNHGFGIDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003071 TaON Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQJQJEJCTLSYRK-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Ti].[Ca] Chemical compound [Ag].[Ti].[Ca] HQJQJEJCTLSYRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Ti] Chemical compound [Ca].[Ti] JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBJOBWPPZLJOLG-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Mg+2].[O-2].[In+3].[O-2].[Zn+2] Chemical compound [O-2].[Mg+2].[O-2].[In+3].[O-2].[Zn+2] XBJOBWPPZLJOLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKEYTLVFLSCKDE-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[Zn+2].[O-2] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[Zn+2].[O-2] KKEYTLVFLSCKDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVOVMWZBBXKBBJ-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Ag].[Ti] Chemical compound [Sr].[Ag].[Ti] JVOVMWZBBXKBBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004577 artificial photosynthesis Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000007806 chemical reaction intermediate Substances 0.000 description 1
- GTKRFUAGOKINCA-UHFFFAOYSA-M chlorosilver;silver Chemical compound [Ag].[Ag]Cl GTKRFUAGOKINCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001429 cobalt ion Inorganic materials 0.000 description 1
- XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+) Chemical compound [Co+2] XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003304 ruthenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- RGZQGGVFIISIHZ-UHFFFAOYSA-N strontium titanium Chemical compound [Ti].[Sr] RGZQGGVFIISIHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/10—Process efficiency
- Y02P20/133—Renewable energy sources, e.g. sunlight
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Description
一方、(2c)については、光励起材料表面に助触媒と呼ばれる、水の酸化分解反応を促進する微粒子の添加が行われている。助触媒としては、白金、イリジウム金属や酸化物、ルテニウム化合物、鉄系化合物、コバルト化合物などが試されてきた。この中で、特にコバルト酸化物やリン酸コバルトなどが水の酸化分解に効果的であるが、これらは電荷分離効果や電荷収集効果を持たないため、電荷利用に関して効果が限定的だという課題があった。
光励起材料と、
前記光励起材料の表面に配された金粒子と、
前記金粒子の表面に配された助触媒微粒子と、
前記金粒子と、前記助触媒微粒子とを結合する有機分子とを有し、
前記有機分子が、分子内に、第15族元素を含む酸基、第16族元素を含む酸基、及び金属元素の酸化物の少なくともいずれかと、チオール基とを有する。
金粒子が表面に配された光励起材料を、分子内に、第15族元素を含む酸基、第16族元素を含む酸基、及び金属元素の酸化物の少なくともいずれかと、チオール基とを有する有機分子を含有する溶液に浸漬する工程と、
次に、前記有機分子を含有する前記溶液から取り出した、前記有機分子が結合した前記金粒子が表面に配された前記光励起材料を、助触媒の前駆体を含む溶液に浸漬させ、前記溶液に通電を行う工程と、
を含む。
対向電極と、
前記対向電極に導線を介して接続された光化学電極と、
前記対向電極及び前記光化学電極を水中に浸すための透光性容器と、
を有し、
前記光化学電極が、光励起材料と、前記光励起材料の表面に配された金粒子と、前記金粒子の表面に配された助触媒微粒子と、前記金粒子と、前記助触媒微粒子とを結合する有機分子とを有し、
前記有機分子が、分子内に、第15族元素を含む酸基、第16族元素を含む酸基、及び金属元素の酸化物の少なくともいずれかと、チオール基とを有する。
光励起材料と、
前記光励起材料の表面に配された金粒子と、
前記金粒子の表面に配された助触媒微粒子と、
前記金粒子と、前記助触媒微粒子とを結合する有機分子とを有し、
前記有機分子が、分子内に、第15族元素を含む酸基、第16族元素を含む酸基、及び金属元素の酸化物の少なくともいずれかと、チオール基とを有する。
また、1つの側面として、光励起材料中で光により励起された電子、及び励起によって生じた正孔を効率よく化学反応につなげることができる光化学電極の製造方法を提供できる。
また、1つの側面として、光励起材料中で光により励起された電子、及び励起によって生じた正孔を効率よく化学反応につなげることができる光化学電極を用いた光電気化学反応装置を提供できる。
また、1つの側面として、光励起材料中で光により励起された電子、及び励起によって生じた正孔を効率よく化学反応につなげることができる複合体を提供できる。
開示の光化学電極は、光励起材料と、金粒子と、助触媒微粒子と、有機分子とを少なくとも有し、更に必要に応じて、導電層、基板などのその他の部材を有する。
開示の複合体は、光励起材料と、金粒子と、助触媒微粒子と、有機分子とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
助触媒微粒子は、金粒子の表面に配されている。
金粒子と、助触媒微粒子とは、有機分子を介して結合されている。
有機分子は、分子内に、第15族元素を含む酸基、第16族元素を含む酸基、及び金属元素の酸化物の少なくともいずれかと、チオール基とを有する。
図1は、複合体の一例の断面模式図である。
図1の複合体は、光励起材料1と、金粒子2と、助触媒微粒子3と、有機分子4とを有する。金粒子2は、光励起材料1の表面に配されている。助触媒微粒子3は、金粒子2の表面に配されている。金粒子2と、助触媒微粒子3とは、有機分子4を介して結合されている。
図2の光化学電極は、基板5と、導電層6と、光励起材料1と、金粒子2と、助触媒微粒子3と、有機分子4とを有する。導電層6は、基板5上に形成されている。層状の光励起材料1は、導電層6上に形成されている。金粒子2は、光励起材料1の表面に配されている。助触媒微粒子3は、金粒子2の表面に配されている。金粒子2と、助触媒微粒子3とは、有機分子4を介して結合されている。
金の仕事関数は5eV程度であり、一般的な光励起材料の仕事関数(4eV程度)より大きいため、光励起材料における金と接触している部分ではバンドが曲がっている。電子が光励起されると電荷分離され、励起電子は表面に存在する金から離れる方向に流れると共に、正孔は金粒子に流れる(金から光励起材料に電子が流れ込む)。この効果により、正孔は金粒子に集積された後、特定の有機分子を介して助触媒微粒子に導かれる。助触媒微粒子では、効率よく水の酸化を行なうことができる(図3)。そのため、本発明の複合体あるいは光化学電極では、光励起材料中で光により励起された電子、及び励起によって生じた正孔を効率よく化学反応につなげることができる。その結果、本発明の複合体あるいは光化学電極では、高効率の水の酸化システムを構成することが可能となる。
光励起材料は、光を吸収して励起する材料である。
光励起材料としては、例えば、紫外光型光励起材料、可視光型光励起材料などが挙げられる。
紫外光型光励起材料としては、紫外線以下の波長の光を吸収して励起する材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、紫外光応答型光触媒などが挙げられる。
ここで、紫外線以下の波長とは、例えば、400nm以下の波長が挙げられる。
バンドギャップとは、バンド構造における電子に占有された最も高いエネルギーバンド(価電子帯)の頂上から、最も低い空のバンド(伝導帯)の底までの間のエネルギーの差を指す。
なお、本明細書におけるバンドギャップエネルギーに対応する波長は、以下の関係式により求められる。
λ=1240/Eg
ここで、λは、光の波長(nm)を表し、Egはバンドギャップエネルギー(eV)を表す。
・TiO2(酸化チタン):バンドギャップエネルギー3.2eV
・SrTiO3:バンドギャップエネルギー3.2eV
・ZnO:バンドギャップエネルギー3.4eV
・Ti-CaHAP(チタンカルシウムハイドロキシアパタイト):バンドギャップエネルギー3.6eV
・Ti-SrHAP(チタンストロンチウムハイドロキシアパタイト):バンドギャップエネルギー3.6eV
・Ta2O5(酸化タンタル):バンドギャップエネルギー4.0eV
・Nb2O5(酸化ニオブ):バンドギャップエネルギー3.4eV
・KTaO3(タンタル酸カリウム):バンドギャップエネルギー3.4eV
・GaN(窒化ガリウム):バンドギャップエネルギー3.4eV
・4H-SiC(4H-炭化ケイ素):バンドギャップエネルギー3.3eV
可視光型光励起材料としては、可視光線以下の波長の光を吸収して励起する材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、可視光応答型光触媒などが挙げられる。
ここで、可視光線以下の波長とは、例えば、800nm以下の波長が挙げられる。
・SrTaO2N:バンドギャップエネルギー2.2eV
・WO3(酸化タングステン):バンドギャップエネルギー2.8eV
・BiVO4(バナジン酸ビスマス):バンドギャップエネルギー2.5eV
・Ag3PO4:バンドギャップエネルギー2.5eV
・TiAg-CaHAP(チタン銀カルシウムハイドロキシアパタイト):バンドギャップエネルギー2.8eV
・TiAg-SrHAP(チタン銀ストロンチウムハイドロキシアパタイト):バンドギャップエネルギー2.8eV
・窒化ガリウム-酸化亜鉛固溶体(Ga1-xZnx)(N1-xOx)
・CdS(硫化カドミウム):バンドギャップエネルギー2.4eV
・Fe2O3(酸化鉄(III)):バンドギャップエネルギー2.2eV
・Ta3N5(五窒化三タンタル):バンドギャップエネルギー2.1eV
・TaON(酸窒化タンタル):バンドギャップエネルギー2.5eV
・3C-SiC(3C-炭化ケイ素):バンドギャップエネルギー2.2eV
例えば、光電気化学反応装置を用いて水の電気分解を行う際には、光励起材料の伝導帯下端(CBM、Conduction Band Minimum)は、水の酸化電位よりも貴である(プラス側に大きい)ことが好ましい。
他方、光電気化学反応装置を用いて有機物の生成を行う際には、光励起材料の価電子帯上端(VBM、Valence Band Maximum)は、カソードにおける生成物の酸化還元電位よりも卑である(マイナス側に大きい)ことが好ましい。
なお、酸化還元電位は、水素イオン濃度などに依存するため、その数値を一概に定めることはできない。
層状の光励起材料の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
金粒子は、光励起材料の表面に配されている。
金粒子の大きさとしては、光励起材料よりも小さい限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、平均粒径1μm以下などが挙げられる。
助触媒微粒子は、金粒子の表面に配されている。
助触媒微粒子としては、水の酸化分解反応を促進する微粒子であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、白金、イリジウム金属、イリジウム酸化物、ルテニウム化合物、鉄系化合物、コバルト化合物などが挙げられる。これらの中でも、コバルト酸化物やリン酸コバルトなどが水の酸化分解により効果的である。
有機分子は、金粒子と、助触媒微粒子とを結合する。
有機分子は、分子内に、第15族元素を含む酸基、第16族元素を含む酸基、及び金属元素の酸化物の少なくともいずれかと、チオール基とを有する。
チオール基は、金と特異的に親和性が高い。
第15族元素を含む酸基、第16族元素を含む酸基、及び金属元素の酸化物は、助触媒微粒子と親和性が高い。
そのため、有機分子は、金粒子から助触媒微粒子に正孔の移動が行われる程度に金粒子と、助触媒微粒子とを結合させることができる。
第16族元素としては、例えば、酸素、硫黄、セレン、テルルなどが挙げられる。
金属元素としては、例えば、アルカリ土類金属、遷移金属、第13族元素、第14族元素などが挙げられる。
導電層としては、導電性を有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
導電層の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、銅、銀、金、亜鉛、インジウムなどが挙げられる。
また、導電層の材質は、金属酸化物であってもよい。金属酸化物としては、例えば、スズドープ酸化インジウム(ITO)、フッ素ドープ酸化錫(FTO)、アンチモンドープ酸化スズ(ATO)、酸化インジウム(In2O3)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)、ガリウムドープ酸化亜鉛(GZO)、ニオブドープ酸化チタン(NTO)、酸化スズ、酸化亜鉛-酸化スズ系、酸化インジウム-酸化スズ系、酸化亜鉛-酸化インジウム-酸化マグネシウム系などが挙げられる。
基板の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、例えば、ガラス、有機樹脂などが挙げられる。
ガラスとしては、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、青板ガラス等のソーダガラス(ソーダ石灰ガラス)などが挙げられる。
本発明の光化学電極の製造方法は、浸漬工程と、通電工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
浸漬工程は、金粒子が表面に配された光励起材料を、有機分子を含有する溶液に浸漬する工程である。
光励起材料は、本発明の光化学電極の説明において挙げた光励起材料である。
有機分子は、本発明の光化学電極の説明において挙げた有機分子である。即ち、有機分子は、分子内に、第15族元素を含む酸基、第16族元素を含む酸基、及び金属元素の酸化物の少なくともいずれかと、チオール基とを有する。
有機分子を含有する溶液は、水溶液であってもよいし、有機溶媒溶液であってもよい。
層状の光励起材料の作製方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、光励起材料の粒子をエアロゾルデポジション法により塗布することで形成すること(以下、「NPD成膜」と称することがある)などが挙げられる。
エアロゾルデポジションは、ナノパーティクルデポジション(NPD)と呼ばれることもある。
ナノパーティクルデポジション(NPD)は、下記文献1~文献3においても紹介された方法である。
文献1: Imanaka, Y., Amada, H. & Kumasaka, F. Dielectric and insulating properties of embedded capacitor for flexible electronics prepared by aerosol-type nanoparticle deposition. Jpn. J. Appl. Phys. 52, 05DA02 (2013).
文献2: Imanaka, Y. et al., Nanoparticulated dense and stress-free ceramic thick film for material integration. Adv. Eng. Mater. 15, 1129-1135 (2013).
文献3: Imanaka, Y., Amada, H., Kumasaka, F., Awaji, N. & Kumamoto, A., Nanoparticulate BaTiO3 film produced by aerosol-type nanoparticle deposition. J. Nanopart. Res. 18, 102 (2016).
ナノパーティクルデポジション(NPD)は、原料粒子をガス中に分散させたエアロゾルをノズルから基材に向けて噴射して、エアロゾルを基材表面に衝突させ、原料粒子からなる膜を基材上に形成させる方法である。
真空ポンプで継続的に減圧された系内で、ガス気流とともに無機材料である原料粒子がエアロゾルを形成して搬送される。搬送された原料粒子は、ノズル内で原料粒子同士が衝突しながら破砕される。原料粒子においては、原料粒子内部では結晶性を維持しつつ、原料粒子表面の結晶構造の一部が歪み、各原料粒子の表面エネルギー状態が高くなる。破砕された原料粒子が基板上に堆積する際に、高エネルギー状態にある不安定な原料粒子表面部が安定化する作用(凝集力)で原料粒子同士が再結合する。その結果、緻密なナノ粒子の集合構造体の膜が基板上に室温レベルの温度下で得られる。また、膜をアニールする場合も、膜の内部はナノ粒子で構成されているために、最適焼結を500℃以上、低くすることができる。
図4は、エアロゾルデポジション法による成膜に用いられる成膜装置の一例の構造図である。
エアロゾルデポジション成膜装置は、エアロゾル室910及び成膜チャンバー920を有している。エアロゾル室910には成膜される材料の微粒子911が入れられており、He、N2、Ar等のキャリアガスが入れられたガスボンベ930が配管960を介して接続されている。また、エアロゾル室910と成膜チャンバー920とは、配管941により接続されており、成膜チャンバー920内における配管941の端部にはノズル921が設けられている。成膜チャンバー920内においては、ノズル921の開口部と対向する側に、ステージ922が設けられており、ステージ922には、成膜がなされる基板923が設置されている。この成膜チャンバー920内は真空に排気可能であり、配管942を介し、メカニカルブースターポンプ943及び真空ポンプ944が接続されている。尚、エアロゾル室910内を排気することができるように、エアロゾル室910は、配管945及び不図示のバルブ等を介し配管942と接続されている。また、エアロゾル室910が設置される領域には、エアロゾル室910において、成膜される材料の微粒子が固まる、もしくは、成膜中に粒子が偏ることを防ぐため、エアロゾル室910を振動させるための振動器950が設けられている。
通電工程は、有機分子を含有する溶液から取り出した、有機分子が結合した金粒子が表面に配された光励起材料を、助触媒微粒子の前駆体を含む溶液に浸漬させ、溶液に通電を行う工程である。
通電による電気化学処理によって助触媒微粒子の前駆体が助触媒微粒子に転化されるとともに、助触媒微粒子が、有機分子と結合される。その結果、金粒子と、助触媒微粒子とが、有機分子を介して結合される。
本発明の光電気化学反応装置は、対向電極と、光化学電極と、透光性容器とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
光化学電極は、本発明の光化学電極であり、陽極である。
光化学電極は、対向電極に導線を介して接続される。
透光性容器は、対向電極及び光化学電極を水中に浸すための容器である。透光性容器の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、プラスチック、ガラス、石英などが挙げられる。
光電気化学反応装置は、陽極である光化学電極10と、陰極である対向電極15と、光化学電極10及び対向電極15を接続する導線16と、光化学電極10及び対向電極15を収容する透光性容器17とを有する。透光性容器17には、水18が入っており、光化学電極10及び対向電極15は水18に浸っている。
対向電極15には、例えば、水素の発生に高い触媒活性を示すPt金属電極が用いられる。
<光化学電極の作製>
フッ素添加酸化スズ(FTO)薄膜付きのガラス板上にナノパーティクルデポジションにより酸化タングステン(WO3)の薄膜を成膜し、WO3薄膜付きFTO基板を得た。形成したWO3薄膜上に金を15秒スパッタし、600℃で30分アニールしてWO3薄膜上に粒径が100ナノメートル程度の金の粒子を形成した。そうすることで、金粒子付きWO3光陽極を得た。
スパッタ時間を4秒(4s)、8秒(8s)、15秒(15s)と変化させることにより、WO3薄膜上に金粒子が成長していることが確認できた。
そうすることにより、光化学電極を得た。
(1)金粒子のみが付いた場合(参考例1)は、金粒子なしの場合(比較例1)と比較して、光電流が1.2倍となった。
(2)金粒子なしでリン酸コバルトを担持した場合(参考例2)は、金粒子なしの場合(比較例1)と比較して、光電流が1.2倍となった。
(3)実施例1の光化学電極を用いた場合は、金粒子なしの場合(比較例1)と比較して、光電流が1.5倍となった。
なお、比較例1は、上記WO3薄膜付きFTO基板である。
参考例1は、上記金粒子付きWO3光陽極である。
参考例2は、上記WO3薄膜付きFTO基板を実施例1と同様の電気化学処理をすることにより作製した。
<複合体の作製>
酸化チタン(TiO2)粉体を塩化金酸溶液に浸漬して光を照射後、水洗・乾燥して焼成することによりTiO2表面に金粒子を担持した。塩化白金酸溶液を用いて、同様の手順により金粒子に加えて、さらに白金粒子も担持させた。この白金粒子は水素発生の助触媒となる。この金粒子及び白金粒子付きTiO2粉体を実施例1と同様に4×10-3mol/Lのメルカプトブチルホスホン酸水溶液に浸漬させることで、金粒子の表面に、メルカプトブチルホスホン酸のチオール基を介してSAM膜を形成した。チオール基と白金との相互作用は強くないため、白金粒子にはSAM膜は形成されない。この粉体を硝酸コバルト0.3mMとリン酸ナトリウム0.1Mを含む水溶液に浸漬して紫外光照射を行うことにより、ホスホン酸基上にリン酸コバルトの微小粒子を成長させた。以上により、複合体を得た。
得られた複合体を水中に入れ、紫外光を照射することにより、水を効率よく酸素と水素に分解することが可能となる。
(付記1)
光励起材料と、
前記光励起材料の表面に配された金粒子と、
前記金粒子の表面に配された助触媒微粒子と、
前記金粒子と、前記助触媒微粒子とを結合する有機分子とを有し、
前記有機分子が、分子内に、第15族元素を含む酸基、第16族元素を含む酸基、及び金属元素の酸化物の少なくともいずれかと、チオール基とを有する、ことを特徴とする光化学電極。
(付記2)
前記有機分子が、メルカプトアルキルホスホン酸である付記1に記載の光化学電極。
(付記3)
前記光励起材料が、可視光応答型光触媒、及び紫外光応答型光触媒の少なくともいずれかである付記1から2のいずれかに記載の光化学電極。
(付記4)
前記可視光応答型光触媒が、酸化タングステンである付記3に記載の光化学電極。
(付記5)
前記紫外光応答型光触媒が、酸化チタンある付記3に記載の光化学電極。
(付記6)
前記助触媒微粒子が、コバルト酸化物及びリン酸コバルトの少なくともいずれかの微粒子である付記1から5のいずれかに記載の光化学電極。
(付記7)
金粒子が表面に配された光励起材料を、分子内に、第15族元素を含む酸基、第16族元素を含む酸基、及び金属元素の酸化物の少なくともいずれかと、チオール基とを有する有機分子を含有する溶液に浸漬する工程と、
前記有機分子を含有する前記溶液から取り出した、前記有機分子が結合した前記金粒子が表面に配された前記光励起材料を、助触媒微粒子の前駆体を含む溶液に浸漬させ、前記溶液に通電を行う工程と、
を含むことを特徴とする光化学電極の製造方法。
(付記8)
前記有機分子が、メルカプトアルキルホスホン酸である付記7に記載の光化学電極の製造方法。
(付記9)
前記光励起材料が、可視光応答型光触媒、及び紫外光応答型光触媒の少なくともいずれかである付記7から8のいずれかに記載の光化学電極の製造方法。
(付記10)
前記可視光応答型光触媒が、酸化タングステンである付記9に記載の光化学電極の製造方法。
(付記11)
前記紫外光応答型光触媒が、酸化チタンある付記9に記載の光化学電極の製造方法。
(付記12)
前記助触媒微粒子が、コバルト酸化物及びリン酸コバルトの少なくともいずれかの微粒子である付記7から11のいずれかに記載の光化学電極の製造方法。
(付記13)
対向電極と、
前記対向電極に導線を介して接続された光化学電極と、
前記対向電極及び前記光化学電極を水中に浸すための透光性容器と、
を有し、
前記光化学電極が、光励起材料と、前記光励起材料の表面に配された金粒子と、前記金粒子の表面に配された助触媒微粒子と、前記金粒子と、前記助触媒微粒子とを結合する有機分子とを有し、
前記有機分子が、分子内に、第15族元素を含む酸基、第16族元素を含む酸基、及び金属元素の酸化物の少なくともいずれかと、チオール基とを有する、ことを特徴とする光電気化学反応装置。
(付記14)
前記有機分子が、メルカプトアルキルホスホン酸である付記13に記載の光電気化学反応装置。
(付記15)
前記光励起材料が、可視光応答型光触媒、及び紫外光応答型光触媒の少なくともいずれかである付記13から14のいずれかに記載の光電気化学反応装置。
(付記16)
前記可視光応答型光触媒が、酸化タングステンである付記15に記載の光電気化学反応装置。
(付記17)
前記紫外光応答型光触媒が、酸化チタンある付記15に記載の光電気化学反応装置。
(付記18)
前記助触媒微粒子が、コバルト酸化物及びリン酸コバルトの少なくともいずれかの微粒子である付記13から17のいずれかに記載の光電気化学反応装置。
(付記19)
光励起材料と、
前記光励起材料の表面に配された金粒子と、
前記金粒子の表面に配された助触媒微粒子と、
前記金粒子と、前記助触媒微粒子とを結合する有機分子とを有し、
前記有機分子が、分子内に第15族元素を含む酸基、第16族元素を含む酸基、及び金属元素の酸化物の少なくともいずれかと、チオール基と、を有する、ことを特徴とする複合体。
(付記20)
前記有機分子が、メルカプトアルキルホスホン酸である付記19に記載の複合体。
(付記21)
前記光励起材料が、可視光応答型光触媒、及び紫外光応答型光触媒の少なくともいずれかである付記19から20のいずれかに記載の複合体。
(付記22)
前記可視光応答型光触媒が、酸化タングステンである付記21に記載の複合体。
(付記23)
前記紫外光応答型光触媒が、酸化チタンある付記21に記載の複合体。
(付記24)
前記助触媒微粒子が、コバルト酸化物及びリン酸コバルトの少なくともいずれかの微粒子である付記19から23のいずれかに記載の複合体。
2 金粒子
3 助触媒微粒子
4 有機分子
5 基板
6 導電層
Claims (9)
- 光励起材料と、
前記光励起材料の表面に配された金粒子と、
前記金粒子の表面に配された助触媒微粒子と、
前記金粒子と、前記助触媒微粒子とを結合する有機分子とを有し、
前記有機分子が、分子内に、スルホン酸基と、チオール基とを有する、ことを特徴とする光化学電極。 - 前記有機分子が、メルカプトアルキルホスホン酸である請求項1に記載の光化学電極。
- 前記光励起材料が、可視光応答型光触媒、及び紫外光応答型光触媒の少なくともいずれかである請求項1から2のいずれかに記載の光化学電極。
- 前記可視光応答型光触媒が、酸化タングステンである請求項3に記載の光化学電極。
- 前記紫外光応答型光触媒が、酸化チタンある請求項3に記載の光化学電極。
- 前記助触媒微粒子が、コバルト酸化物及びリン酸コバルトの少なくともいずれかの微粒子である請求項1から5のいずれかに記載の光化学電極。
- 金粒子が表面に配された光励起材料を、分子内に、スルホン酸基と、チオール基とを有する有機分子を含有する溶液に浸漬する工程と、
前記有機分子を含有する前記溶液から取り出した、前記有機分子が結合した前記金粒子が表面に配された前記光励起材料を、助触媒微粒子の前駆体を含む溶液に浸漬させ、前記溶液に通電を行う工程と、
を含むことを特徴とする光化学電極の製造方法。 - 対向電極と、
前記対向電極に導線を介して接続された光化学電極と、
前記対向電極及び前記光化学電極を水中に浸すための透光性容器と、
を有し、
前記光化学電極が、光励起材料と、前記光励起材料の表面に配された金粒子と、前記金粒子の表面に配された助触媒微粒子と、前記金粒子と、前記助触媒微粒子とを結合する有機分子とを有し、
前記有機分子が、分子内に、スルホン酸基と、チオール基とを有する、ことを特徴とする光電気化学反応装置。 - 光励起材料と、
前記光励起材料の表面に配された金粒子と、
前記金粒子の表面に配された助触媒微粒子と、
前記金粒子と、前記助触媒微粒子とを結合する有機分子とを有し、
前記有機分子が、分子内に、スルホン酸基と、チオール基とを有する、ことを特徴とする複合体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019156515A JP7306165B2 (ja) | 2019-08-29 | 2019-08-29 | 複合体、光化学電極、光化学電極の製造方法、及び光電気化学反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019156515A JP7306165B2 (ja) | 2019-08-29 | 2019-08-29 | 複合体、光化学電極、光化学電極の製造方法、及び光電気化学反応装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021031754A JP2021031754A (ja) | 2021-03-01 |
JP7306165B2 true JP7306165B2 (ja) | 2023-07-11 |
Family
ID=74675554
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019156515A Active JP7306165B2 (ja) | 2019-08-29 | 2019-08-29 | 複合体、光化学電極、光化学電極の製造方法、及び光電気化学反応装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7306165B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015002144A (ja) | 2013-06-18 | 2015-01-05 | 株式会社東芝 | 光触媒電極、水の光分解装置及び水の光分解方法 |
JP2017124393A (ja) | 2015-07-31 | 2017-07-20 | Toto株式会社 | 光触媒材及びその製造方法 |
-
2019
- 2019-08-29 JP JP2019156515A patent/JP7306165B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015002144A (ja) | 2013-06-18 | 2015-01-05 | 株式会社東芝 | 光触媒電極、水の光分解装置及び水の光分解方法 |
JP2017124393A (ja) | 2015-07-31 | 2017-07-20 | Toto株式会社 | 光触媒材及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021031754A (ja) | 2021-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Yoshino et al. | CO2 reduction using water as an electron donor over heterogeneous photocatalysts aiming at artificial photosynthesis | |
Zhou et al. | Photocatalysis with TiO2 nanotubes:“colorful” reactivity and designing site-specific photocatalytic centers into TiO2 nanotubes | |
Ahmed et al. | Enhanced photoelectrochemical water oxidation on nanostructured hematite photoanodes via p-CaFe2O4/n-Fe2O3 heterojunction formation | |
Tee et al. | Recent progress in energy‐driven water splitting | |
Tan et al. | Exploring the different roles of particle size in photoelectrochemical and photocatalytic water oxidation on BiVO4 | |
Gan et al. | Towards highly efficient photoanodes: boosting sunlight-driven semiconductor nanomaterials for water oxidation | |
Marschall | Semiconductor composites: strategies for enhancing charge carrier separation to improve photocatalytic activity | |
Wang et al. | Surface engineered CuO nanowires with ZnO islands for CO2 photoreduction | |
Zhang et al. | Revisiting one-dimensional TiO 2 based hybrid heterostructures for heterogeneous photocatalysis: a critical review | |
Wang et al. | Photocatalytic water splitting with the Cr-doped Ba2In2O5/In2O3 composite oxide semiconductors | |
Wang et al. | Photocatalytic water oxidation on BiVO4 with the electrocatalyst as an oxidation cocatalyst: essential relations between electrocatalyst and photocatalyst | |
Mumtaz et al. | Core–shell vanadium modified titania@ β-In2S3 hybrid nanorod arrays for superior interface stability and photochemical activity | |
Hirayama et al. | Solar-driven photoelectrochemical water oxidation over an n-type lead–titanium oxyfluoride anode | |
Hermans et al. | Energy-band alignment of BiVO4 from photoelectron spectroscopy of solid-state interfaces | |
JP2020044534A (ja) | 複合光触媒の製造方法、及び、複合光触媒 | |
Chuaicham et al. | Importance of ZnTiO3 phase in ZnTi-mixed metal oxide photocatalysts derived from layered double hydroxide | |
Zhou et al. | Promising three-dimensional flowerlike CuWO4 photoanode modified with CdS and FeOOH for efficient photoelectrochemical water splitting | |
Wang et al. | Visible–near-infrared-light-driven oxygen evolution reaction with noble-metal-free WO2–WO3 hybrid nanorods | |
Ma et al. | Augmenting the photocurrent of CuWO4 photoanodes by heat treatment in the nitrogen atmosphere | |
Pal et al. | Integration of LaCo (OH) x photo-electrocatalyst and plasmonic gold nanoparticles with Sb-doped TiO2 nanorods for photoelectrochemical water oxidation | |
Wang et al. | Deposition of heterojunction of ZnO on hydrogenated TiO2 nanotube arrays by atomic layer deposition for enhanced photoelectrochemical water splitting | |
Wu et al. | P-type Cu-doped Zn0. 3Cd0. 7S/graphene photocathode for efficient water splitting in a photoelectrochemical tandem cell | |
Bhattacharyya et al. | Efficient photosynthesis of organics from aqueous bicarbonate ions by quantum dots using visible light | |
Kim et al. | In situ growth of the Bi2S3 nanowire array on the Bi2MoO6 film for an improved photoelectrochemical performance | |
Chang et al. | Highly efficient hydrogen and electricity production combined with degradation of organics based on a novel solar water-energy nexus system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220517 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20220601 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230314 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230316 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230508 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230530 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230612 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7306165 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |