JP7305415B2 - BACKFLOW PREVENTION DEVICE AND CONTROL METHOD FOR BACKFLOW PREVENTION DEVICE - Google Patents
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本発明は、逆流防止装置、及び、逆流防止装置の制御方法に関する。 The present invention relates to a backflow prevention device and a control method for the backflow prevention device.
従来、入力電圧端子に印加された入力電圧を整流して、出力電圧を出力電圧端子に出力し、当該出力電圧端子から入力電圧端子への逆流を防止する逆流防止装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。 Conventionally, there is known a backflow prevention device that rectifies an input voltage applied to an input voltage terminal, outputs the output voltage to the output voltage terminal, and prevents backflow from the output voltage terminal to the input voltage terminal (for example, , see Patent Document 1).
ここで、図６は、従来の逆流防止装置１００Ａの構成の一例を示す回路図である。この図６に示す従来の逆流防止装置１００Ａでは、昇圧回路ＢＣの入出力電位差を監視して周波数を制御しながら昇圧することで省電力化を図っている（図６）。
Here, FIG. 6 is a circuit diagram showing an example of the configuration of a conventional
外付けのｎＭＯＳトランジスタＴｒを制御する場合、当該ｎＭＯＳトランジスタの闘値は、製品によって異なるため、昇圧回路ＢＣの出力電圧（すなわち、ゲート電圧）は製品毎に設定する必要がある。 When controlling an external nMOS transistor Tr, the threshold value of the nMOS transistor varies depending on the product, so the output voltage (that is, the gate voltage) of the booster circuit BC must be set for each product.
また、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのドレイン側の出力電圧端子ＴＯＵＴに接続される負荷の大きさに基づいて、制御するものでは無い。 Further, the control is not performed based on the magnitude of the load connected to the output voltage terminal TOUT on the drain side of the nMOS transistor Tr.
このように、従来の逆流防止装置１００Ａでは、入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮと出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧ＶＯＵＴとの間の電位差（すなわち、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのソース・ドレイン電圧）を監視して発振回路ＯＳＣを制御しておらず、ｎＭＯＳトランジスタＴｒ毎の閾値に対する調整が必要になるとともに、出力電圧端子ＴＯＵＴに接続される負荷の大きさに基づいてｎＭＯＳトランジスタＴｒのゲート電圧を制御しておらず、消費電力を削減することができない問題がある。
As described above, the conventional
そこで、本発明は、入力電圧端子の入力電圧と出力電圧端子の出力電圧との間の電位差（すなわち、ｎＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン電圧）を監視して発振回路を制御することで、ｎＭＯＳトランジスタの閾値に対する調整をせずに、ｎＭＯＳトランジスタのオン状態を維持しつつ、出力電圧端子に接続される負荷の大きさに基づいてｎＭＯＳトランジスタのゲート電圧を制御して、消費電力を削減することが可能な逆流防止装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention monitors the potential difference between the input voltage of the input voltage terminal and the output voltage of the output voltage terminal (that is, the source-drain voltage of the nMOS transistor) to control the oscillation circuit, so that the nMOS transistor It is possible to reduce power consumption by controlling the gate voltage of the nMOS transistor based on the magnitude of the load connected to the output voltage terminal while maintaining the nMOS transistor's ON state without adjusting the threshold. An object of the present invention is to provide a backflow prevention device.
本発明の一態様に係る逆流防止装置は、
入力電圧端子に印加された入力電圧を整流して、出力電圧を出力電圧端子に出力し、前記出力電圧端子から前記入力電圧端子への逆流を防止する逆流防止装置であって、
ソースが入力電圧端子に接続され且つドレインが出力電圧端子に接続されたｎＭＯＳトランジスタと、
前記ｎＭＯＳトランジスタのソースとゲートとの間に接続され、オンすることにより前記ｎＭＯＳトランジスタのソースとゲートとの間を導通し、一方、オフすることにより前記ｎＭＯＳトランジスタのソースとゲートとの間を遮断する制御スイッチと、
前記入力電圧端子の前記入力電圧と前記出力電圧端子の前記出力電圧との間の電位差を監視し、この監視結果に基づいて前記出力電圧端子から前記入力電圧端子への逆流を防止するように前記制御スイッチを制御する逆電圧保護用電圧監視回路と、
前記入力電圧端子の前記入力電圧が供給されて駆動し、前記入力電圧に応じた振幅の発振信号を出力する発振回路と、
前記発振信号に応じて昇圧動作して前記入力電圧を昇圧し、得られた昇圧電圧をゲート電圧として前記ｎＭＯＳトランジスタのゲートに出力する昇圧回路と、
前記入力電圧端子の前記入力電圧と前記出力電圧端子の前記出力電圧との間の電位差を監視し、この監視結果に基づいて前記発振回路の動作を制御する昇圧用電圧監視回路と、を備える
ことを特徴とする。
A backflow prevention device according to one aspect of the present invention includes:
A backflow prevention device that rectifies an input voltage applied to an input voltage terminal, outputs an output voltage to the output voltage terminal, and prevents backflow from the output voltage terminal to the input voltage terminal,
an nMOS transistor having a source connected to an input voltage terminal and a drain connected to an output voltage terminal;
It is connected between the source and the gate of the nMOS transistor, turns on to conduct between the source and the gate of the nMOS transistor, and turns off to cut off the source and gate of the nMOS transistor. a control switch for
monitoring a potential difference between the input voltage at the input voltage terminal and the output voltage at the output voltage terminal, and based on the monitoring result, preventing reverse current from the output voltage terminal to the input voltage terminal a voltage monitoring circuit for reverse voltage protection that controls the control switch;
an oscillation circuit driven by the input voltage supplied to the input voltage terminal and outputting an oscillation signal having an amplitude corresponding to the input voltage;
a booster circuit that boosts the input voltage by performing a boosting operation according to the oscillation signal and outputs the obtained boosted voltage as a gate voltage to the gate of the nMOS transistor;
a boosting voltage monitoring circuit that monitors the potential difference between the input voltage of the input voltage terminal and the output voltage of the output voltage terminal, and controls the operation of the oscillation circuit based on the monitoring result. characterized by
前記逆流防止装置において、
前記入力電圧端子の前記入力電圧と前記出力電圧端子の前記出力電圧との間の前記電位差は、前記ｎＭＯＳトランジスタのドレインとソースとの間のドレイン・ソース電圧である
ことを特徴とする。
In the backflow prevention device,
The potential difference between the input voltage at the input voltage terminal and the output voltage at the output voltage terminal is a drain-source voltage between the drain and source of the nMOS transistor.
前記逆流防止装置において、
前記昇圧用電圧監視回路は、
前記昇圧回路が昇圧動作することで、前記ドレイン・ソース電圧が予め設定された下限閾値まで降下した場合には、その後、前記発振回路に前記発振信号の出力を停止させることにより、前記昇圧回路が昇圧動作を停止させ、
一方、前記昇圧回路が昇圧動作を停止することで、前記ｎＭＯＳトランジスタの前記ドレイン・ソース電圧が前記下限閾値よりも高い予め設定された上限閾値まで上昇した場合には、その後、前記発振回路に前記発振信号を出力させることにより、前記昇圧回路を昇圧動作させる
ことを特徴とする。
In the backflow prevention device,
The boosting voltage monitoring circuit includes:
When the drain-source voltage drops to a preset lower limit threshold as a result of the boosting operation of the booster circuit, after that, the booster circuit stops outputting the oscillation signal. stop the boost operation,
On the other hand, when the drain-source voltage of the nMOS transistor rises to a preset upper threshold higher than the lower threshold by stopping the boosting operation of the booster circuit, the oscillation circuit then causes the It is characterized in that the booster circuit is operated to boost by outputting an oscillation signal.
前記逆流防止装置において、
前記発振回路が前記発振信号の出力を停止することにより前記昇圧回路が昇圧動作を停止して、前記ゲート電圧を降下させ、
一方、前記発振回路が出力する前記発振信号により前記昇圧回路が昇圧動作して、前記ゲート電圧を上昇させる
ことを特徴とする。
In the backflow prevention device,
When the oscillation circuit stops outputting the oscillation signal, the booster circuit stops the boosting operation to drop the gate voltage,
On the other hand, the booster circuit performs a boosting operation in response to the oscillation signal output by the oscillation circuit to increase the gate voltage.
前記逆流防止装置において、
前記昇圧用電圧監視回路は、
前記昇圧回路の昇圧速度を増加させることで、前記ドレイン・ソース電圧が予め設定された下限閾値まで降下した場合には、その後、前記発振回路に前記発振信号の周波数を減少させることにより、前記昇圧回路の昇圧速度を減少させ、
一方、前記昇圧回路の昇圧速度を減少させることで、前記ｎＭＯＳトランジスタの前記ドレイン・ソース電圧が前記下限閾値よりも高い予め設定された上限閾値まで上昇した場合には、その後、前記発振回路に前記発振信号の周波数を増加させることにより、前記昇圧回路の昇圧速度を増加させる
ことを特徴とする。
In the backflow prevention device,
The boosting voltage monitoring circuit includes:
If the drain-source voltage drops to a preset lower threshold by increasing the boosting speed of the booster circuit, then the oscillator circuit reduces the frequency of the oscillating signal so that the booster Decrease the boost speed of the circuit,
On the other hand, if the drain-source voltage of the nMOS transistor rises to a preset upper threshold higher than the lower threshold by reducing the boosting speed of the booster circuit, then the oscillation circuit The boosting speed of the booster circuit is increased by increasing the frequency of the oscillation signal.
前記逆流防止装置において、
前記発振回路が出力する前記発振信号の周波数を予め設定された第１周波数にすることにより前記昇圧回路の昇圧速度が減少して、前記ゲート電圧を降下させ、
一方、前記発振回路が出力する前記発振信号の周波数を前記第１周波数よりも高い予め設定された第２周波数にすることにより前記昇圧回路の昇圧速度が増加して、前記ゲート電圧を上昇させる
ことを特徴とする。
In the backflow prevention device,
By setting the frequency of the oscillation signal output by the oscillation circuit to a preset first frequency, the step-up speed of the step-up circuit is reduced to lower the gate voltage,
On the other hand, by setting the frequency of the oscillation signal output by the oscillation circuit to a preset second frequency higher than the first frequency, the step-up speed of the step-up circuit is increased to raise the gate voltage. characterized by
前記逆流防止装置において、
前記ドレイン・ソース電圧が前記下限閾値まで降下した場合には、前記ゲート電圧を降下させることで、前記ｎＭＯＳトランジスタのオン抵抗が増加して、前記ドレイン・ソース電圧を上昇させ、
一方、前記ドレイン・ソース電圧が前記上限閾値まで上昇した場合には、前記ゲート電圧を上昇させることで、前記ｎＭＯＳトランジスタのオン抵抗が減少して、前記ドレイン・ソース電圧を降下させることで、前記入力電圧端子の前記入力電圧と前記出力電圧端子の前記出力電圧との間の電位差を所定の範囲内に制御する
ことを特徴とする。
In the backflow prevention device,
When the drain-source voltage drops to the lower limit threshold, the on-resistance of the nMOS transistor increases by decreasing the gate voltage, thereby increasing the drain-source voltage,
On the other hand, when the drain-source voltage rises to the upper limit threshold, increasing the gate voltage reduces the on-resistance of the nMOS transistor, thereby decreasing the drain-source voltage. A potential difference between the input voltage of the input voltage terminal and the output voltage of the output voltage terminal is controlled within a predetermined range.
前記逆流防止装置において、
前記逆電圧保護用電圧監視回路は、
前記出力電圧端子の前記出力電圧が、前記入力電圧端子の前記入力電圧よりも予め設定された逆電圧保護用閾値電圧以上高い場合には、前記制御スイッチをオンして、前記ｎＭＯＳトランジスタを強制的にオフさせ、
一方、前記出力電圧端子の前記出力電圧が、前記入力電圧端子の前記入力電圧よりも前記逆電圧保護用閾値電圧以上高くない場合には、前記制御スイッチをオフする
ことを特徴とする。
In the backflow prevention device,
The voltage monitoring circuit for reverse voltage protection,
When the output voltage of the output voltage terminal is higher than the input voltage of the input voltage terminal by a predetermined reverse voltage protection threshold voltage or more, the control switch is turned on to force the nMOS transistor to operate. to turn it off,
On the other hand, when the output voltage of the output voltage terminal is not higher than the input voltage of the input voltage terminal by the reverse voltage protection threshold voltage or more, the control switch is turned off.
前記逆流防止装置において、
前記昇圧用電圧監視回路は、
第１入力に前記ｎＭＯＳトランジスタのソース電圧が入力され、第２入力に前記ｎＭＯＳトランジスタのドレイン電圧が入力され、出力信号を前記発振回路に出力する第１のオペアンプであり、
前記発振回路は、前記第１のオペアンプが出力した出力信号に応じて、発振信号を出力する
ことを特徴とする。
In the backflow prevention device,
The boosting voltage monitoring circuit includes:
a first operational amplifier for receiving a source voltage of the nMOS transistor at a first input, receiving a drain voltage of the nMOS transistor at a second input, and outputting an output signal to the oscillation circuit;
The oscillation circuit outputs an oscillation signal according to the output signal output from the first operational amplifier.
前記逆流防止装置において、
前記逆電圧保護用電圧監視回路は、
第１入力に前記ｎＭＯＳトランジスタのソース電圧が入力され、第２入力に前記ｎＭＯＳトランジスタのドレイン電圧が入力され、出力信号を前記制御スイッチＳＷに出力する第２のオペアンプであり、
前記制御スイッチＳＷは、前記第２のオペアンプが出力した出力信号に応じて、オン又はオフに切り換えられる
ことを特徴とする。
In the backflow prevention device,
The voltage monitoring circuit for reverse voltage protection,
a second operational amplifier having a first input to which the source voltage of the nMOS transistor is input, a second input to which the drain voltage of the nMOS transistor is input, and outputting an output signal to the control switch SW;
The control switch SW is switched on or off according to the output signal output from the second operational amplifier.
前記逆流防止装置において、
前記ｎＭＯＳトランジスタは、アノードが前記ソースに接続され且つカソードが前記ドレインに接続されたボディダイオードを含む
ことを特徴とする。
In the backflow prevention device,
The nMOS transistor includes a body diode having an anode connected to the source and a cathode connected to the drain.
前記逆流防止装置において、
前記入力電圧端子の前記入力電圧と前記出力電圧端子の前記出力電圧との間の電位差が、前記上限閾値と前記下限閾値との間にある場合に、前記昇圧回路は、前記ｎＭＯＳトランジスタのゲート電圧ＶＧが前記ｎＭＯＳトランジスタの閾値電圧以上になるように制御している
ことを特徴とする。
In the backflow prevention device,
When the potential difference between the input voltage of the input voltage terminal and the output voltage of the output voltage terminal is between the upper threshold value and the lower threshold value, the booster circuit increases the gate voltage of the nMOS transistor. It is characterized in that VG is controlled to be equal to or higher than the threshold voltage of the nMOS transistor.
前記逆流防止装置において、
前記入力電圧端子には、直流電圧を出力するバッテリが接続され、前記出力電圧端子には、負荷が接続される
ことを特徴とする。
In the backflow prevention device,
A battery that outputs a DC voltage is connected to the input voltage terminal, and a load is connected to the output voltage terminal.
前記逆流防止装置において、
前記出力電圧端子に接続された前記負荷が大きい場合には、前記ｎＭＯＳトランジスタのドレイン・ソース電圧が上昇することで、ゲート電圧は高くなり、
一方、前記出力電圧端子に接続された前記負荷が小さい場合には、前記ｎＭＯＳトランジスタのドレイン・ソース電圧が降下することで、前記発振回路が停止する時間が増加して、前記発振回路の消費電力が削減される
ことを特徴とする。
In the backflow prevention device,
When the load connected to the output voltage terminal is large, the drain-source voltage of the nMOS transistor increases, thereby increasing the gate voltage,
On the other hand, when the load connected to the output voltage terminal is small, the drain-source voltage of the nMOS transistor decreases, increasing the time during which the oscillation circuit is stopped and increasing the power consumption of the oscillation circuit. is reduced.
本発明の一態様に係る逆流防止装置の制御方法は、入力電圧端子に印加された入力電圧を整流して、出力電圧を出力電圧端子に出力し、前記出力電圧端子から前記入力電圧端子への逆流を防止する逆流防止装置であって、ソースが入力電圧端子に接続され且つドレインが出力電圧端子に接続されたｎＭＯＳトランジスタと、前記ｎＭＯＳトランジスタのソースとゲートとの間に接続され、オンすることにより前記ｎＭＯＳトランジスタのソースとゲートとの間を導通し、一方、オフすることにより前記ｎＭＯＳトランジスタのソースとゲートとの間を遮断する制御スイッチと、前記入力電圧端子の前記入力電圧と前記出力電圧端子の前記出力電圧との間の電位差を監視し、この監視結果に基づいて前記出力電圧端子から前記入力電圧端子への逆流を防止するように前記制御スイッチを制御する逆電圧保護用電圧監視回路と、前記入力電圧端子の前記入力電圧が供給されて駆動し、前記入力電圧に応じた振幅の発振信号を出力する発振回路と、前記発振信号に応じて昇圧動作して前記入力電圧を昇圧し、得られた昇圧電圧をゲート電圧として前記ｎＭＯＳトランジスタのゲートに出力する昇圧回路と、前記入力電圧端子の前記入力電圧と前記出力電圧端子の前記出力電圧との間の電位差を監視し、この監視結果に基づいて前記発振回路の動作を制御する昇圧用電圧監視回路と、を備える逆流防止装置の制御方法であって、
前記昇圧用電圧監視回路は、
前記昇圧回路が昇圧動作することで、前記ドレイン・ソース電圧が予め設定された下限閾値まで降下した場合には、その後、前記発振回路に前記発振信号の出力を停止させることにより、前記昇圧回路が昇圧動作を停止させ、
一方、前記昇圧回路が昇圧動作を停止することで、前記ｎＭＯＳトランジスタの前記ドレイン・ソース電圧が前記下限閾値よりも高い予め設定された上限閾値まで上昇した場合には、その後、前記発振回路に前記発振信号を出力させることにより、前記昇圧回路を昇圧動作させる
ことを特徴とする。
A control method for a backflow prevention device according to an aspect of the present invention includes rectifying an input voltage applied to an input voltage terminal, outputting the output voltage to the output voltage terminal, and transferring the voltage from the output voltage terminal to the input voltage terminal. A backflow prevention device for preventing backflow, which is connected between an nMOS transistor whose source is connected to an input voltage terminal and whose drain is connected to an output voltage terminal, and the source and gate of the nMOS transistor, and is turned on. a control switch that conducts between the source and the gate of the nMOS transistor by turning off, and disconnects between the source and the gate of the nMOS transistor by turning off; the input voltage and the output voltage of the input voltage terminal; a voltage monitoring circuit for reverse voltage protection, which monitors a potential difference between the terminal and the output voltage, and controls the control switch based on the monitoring result so as to prevent reverse current from the output voltage terminal to the input voltage terminal; and an oscillation circuit that is driven by the input voltage of the input voltage terminal and outputs an oscillation signal having an amplitude corresponding to the input voltage, and a boosting operation according to the oscillation signal to boost the input voltage a booster circuit for outputting the obtained boosted voltage as a gate voltage to the gate of said nMOS transistor; and monitoring a potential difference between said input voltage at said input voltage terminal and said output voltage at said output voltage terminal; A boosting voltage monitoring circuit that controls the operation of the oscillation circuit based on the result, and a backflow prevention device control method comprising:
The boosting voltage monitoring circuit includes:
When the drain-source voltage drops to a preset lower limit threshold as a result of the boosting operation of the booster circuit, after that, the booster circuit stops outputting the oscillation signal. stop the boost operation,
On the other hand, when the drain-source voltage of the nMOS transistor rises to a preset upper threshold higher than the lower threshold by stopping the boosting operation of the booster circuit, the oscillation circuit then causes the It is characterized in that the booster circuit is operated to boost by outputting an oscillation signal.
本発明の一態様に係る逆流防止装置の制御方法は、入力電圧端子に印加された入力電圧を整流して、出力電圧を出力電圧端子に出力し、前記出力電圧端子から前記入力電圧端子への逆流を防止する逆流防止装置であって、ソースが入力電圧端子に接続され且つドレインが出力電圧端子に接続されたｎＭＯＳトランジスタと、前記ｎＭＯＳトランジスタのソースとゲートとの間に接続され、オンすることにより前記ｎＭＯＳトランジスタのソースとゲートとの間を導通し、一方、オフすることにより前記ｎＭＯＳトランジスタのソースとゲートとの間を遮断する制御スイッチと、前記入力電圧端子の前記入力電圧と前記出力電圧端子の前記出力電圧との間の電位差を監視し、この監視結果に基づいて前記出力電圧端子から前記入力電圧端子への逆流を防止するように前記制御スイッチを制御する逆電圧保護用電圧監視回路と、前記入力電圧端子の前記入力電圧が供給されて駆動し、前記入力電圧に応じた振幅の発振信号を出力する発振回路と、前記発振信号に応じて昇圧動作して前記入力電圧を昇圧し、得られた昇圧電圧をゲート電圧として前記ｎＭＯＳトランジスタのゲートに出力する昇圧回路と、前記入力電圧端子の前記入力電圧と前記出力電圧端子の前記出力電圧との間の電位差を監視し、この監視結果に基づいて前記発振回路の動作を制御する昇圧用電圧監視回路と、を備える逆流防止装置の制御方法であって、
前記昇圧用電圧監視回路は、
前記昇圧回路が昇圧動作することで、前記ドレイン・ソース電圧が予め設定された下限閾値まで降下した場合には、その後、前記発振回路に前記発振信号の出力を停止させることにより、前記昇圧回路が昇圧動作を停止させ、
一方、前記昇圧回路が昇圧動作を停止することで、前記ｎＭＯＳトランジスタの前記ドレイン・ソース電圧が前記下限閾値よりも高い予め設定された上限閾値まで上昇した場合には、その後、前記発振回路に前記発振信号を出力させることにより、前記昇圧回路を昇圧動作させる
ことを特徴とする。
A control method for a backflow prevention device according to an aspect of the present invention includes rectifying an input voltage applied to an input voltage terminal, outputting the output voltage to the output voltage terminal, and transferring the voltage from the output voltage terminal to the input voltage terminal. A backflow prevention device for preventing backflow, which is connected between an nMOS transistor whose source is connected to an input voltage terminal and whose drain is connected to an output voltage terminal, and the source and gate of the nMOS transistor, and is turned on. a control switch that conducts between the source and the gate of the nMOS transistor by turning off, and disconnects between the source and the gate of the nMOS transistor by turning off; the input voltage and the output voltage of the input voltage terminal; a voltage monitoring circuit for reverse voltage protection, which monitors a potential difference between the terminal and the output voltage, and controls the control switch based on the monitoring result so as to prevent reverse current from the output voltage terminal to the input voltage terminal; and an oscillation circuit that is driven by the input voltage of the input voltage terminal and outputs an oscillation signal having an amplitude corresponding to the input voltage, and a boosting operation according to the oscillation signal to boost the input voltage a booster circuit for outputting the obtained boosted voltage as a gate voltage to the gate of said nMOS transistor; and monitoring a potential difference between said input voltage at said input voltage terminal and said output voltage at said output voltage terminal; A boosting voltage monitoring circuit that controls the operation of the oscillation circuit based on the result, and a backflow prevention device control method comprising:
The boosting voltage monitoring circuit includes:
When the drain-source voltage drops to a preset lower limit threshold as a result of the boosting operation of the booster circuit, after that, the booster circuit stops outputting the oscillation signal. stop the boost operation,
On the other hand, when the drain-source voltage of the nMOS transistor rises to a preset upper threshold higher than the lower threshold by stopping the boosting operation of the booster circuit, the oscillation circuit then causes the It is characterized in that the booster circuit is operated to boost by outputting an oscillation signal.
本発明の一態様に係る逆流防止装置は、入力電圧端子に印加された入力電圧を整流して、出力電圧を出力電圧端子に出力し、出力電圧端子から入力電圧端子への逆流を防止する逆流防止装置であって、ソースが入力電圧端子に接続され且つドレインが出力電圧端子に接続されたｎＭＯＳトランジスタと、ｎＭＯＳトランジスタのソースＳとゲートとの間に接続され、オンすることによりｎＭＯＳトランジスタのソースとゲートとの間を導通し、一方、オフすることによりｎＭＯＳトランジスタのソースとゲートとの間を遮断する制御スイッチと、入力電圧端子の入力電圧と出力電圧端子の出力電圧との間の電位差を監視し、この監視結果に基づいて出力電圧端子から入力電圧端子への逆流を防止するように制御スイッチを制御する逆電圧保護用電圧監視回路と、入力電圧端子の入力電圧が供給されて駆動し、入力電圧に応じた振幅の発振信号を出力する発振回路と、発振信号に応じて昇圧動作して入力電圧を昇圧し、得られた昇圧電圧をゲート電圧としてｎＭＯＳトランジスタのゲートに出力する昇圧回路と、入力電圧端子の入力電圧と出力電圧端子の出力電圧との間の電位差を監視し、この監視結果に基づいて発振回路の動作を制御する昇圧用電圧監視回路と、を備える。 A backflow prevention device according to one aspect of the present invention rectifies an input voltage applied to an input voltage terminal, outputs the output voltage to the output voltage terminal, and prevents a backflow from the output voltage terminal to the input voltage terminal. an nMOS transistor whose source is connected to the input voltage terminal and whose drain is connected to the output voltage terminal, and which is connected between the source S and the gate of the nMOS transistor, turning on the source of the nMOS transistor; and the gate, and on the other hand, the control switch that cuts off the source and gate of the nMOS transistor by turning it off, and the potential difference between the input voltage of the input voltage terminal and the output voltage of the output voltage terminal A reverse voltage protection voltage monitoring circuit that monitors and controls a control switch to prevent reverse current from the output voltage terminal to the input voltage terminal based on this monitoring result, and the input voltage of the input voltage terminal is supplied and driven. , an oscillation circuit that outputs an oscillation signal having an amplitude corresponding to the input voltage, and a booster circuit that performs a boosting operation according to the oscillation signal to boost the input voltage and outputs the obtained boosted voltage as a gate voltage to the gate of the nMOS transistor. and a boosting voltage monitoring circuit that monitors the potential difference between the input voltage of the input voltage terminal and the output voltage of the output voltage terminal, and controls the operation of the oscillation circuit based on the monitoring result.
すなわち、本発明の一態様に係る逆流防止装置によれば、入力電圧端子の入力電圧と出力電圧端子の出力電圧との間の電位差（すなわち、ｎＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン電圧）を監視して発振回路を制御することで、ｎＭＯＳトランジスタの閾値に対する調整をせずに、ｎＭＯＳトランジスタのオン状態を維持しつつ、出力電圧端子に接続される負荷の大きさに基づいてｎＭＯＳトランジスタのゲート電圧を制御して、消費電力を削減することができる。 That is, according to the backflow prevention device according to one aspect of the present invention, the potential difference between the input voltage of the input voltage terminal and the output voltage of the output voltage terminal (that is, the source-drain voltage of the nMOS transistor) is monitored to oscillate. By controlling the circuit, the gate voltage of the nMOS transistor is controlled based on the magnitude of the load connected to the output voltage terminal while maintaining the on state of the nMOS transistor without adjusting the threshold value of the nMOS transistor. power consumption can be reduced.
以下、本発明に係る逆流防止装置について、図面とともに説明する。 A backflow prevention device according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
図１は、本発明の実施形態に係る逆流防止装置１００の構成の一例を示す回路図である。また、図２は、図１に示す逆流防止装置１００の昇圧用電圧監視回路Ｘの構成の一例を示す図である。また、図３は、図１に示す逆流防止装置１００の逆電圧保護用電圧監視回路Ｙの構成の一例を示す図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of the configuration of a
図１に示す逆流防止装置１００は、入力電圧端子ＴＩＮに印加された入力電圧ＶＩＮを整流して、出力電圧ＶＯＵＴを出力電圧端子ＴＯＵＴに出力し、出力電圧端子ＴＯＵＴから入力電圧端子ＴＩＮへの逆流を防止するようになっている。
The
この逆流防止装置１００は、例えば、図１に示すように、入力電圧端子ＴＩＮと、出力電圧端子ＴＯＵＴと、ｎＭＯＳトランジスタＴｒと、制御スイッチＳＷと、逆電圧保護用電圧監視回路Ｙと、発振回路ＯＳＣと、昇圧回路ＢＣと、昇圧用電圧監視回路Ｘと、を備える。
そして、入力電圧端子ＴＩＮは、例えば、直流電圧を出力するバッテリ（図示せず）が接続されるようになっている。
For example, as shown in FIG. 1, the
A battery (not shown) that outputs a DC voltage, for example, is connected to the input voltage terminal TIN.
また、出力電圧端子ＴＯＵＴは、例えば、負荷（図示せず）が接続されるようになっている。 A load (not shown), for example, is connected to the output voltage terminal TOUT.
また、ｎＭＯＳトランジスタＴｒは、例えば、図１に示すように、ソースＳが入力電圧端子ＴＩＮに接続され且つドレインＤが出力電圧端子ＴＯＵＴに接続されている。 The nMOS transistor Tr has, for example, a source S connected to the input voltage terminal TIN and a drain D connected to the output voltage terminal TOUT, as shown in FIG.
このｎＭＯＳトランジスタＴｒは、例えば、図１に示すように、アノードがソースＳに接続され且つカソードがドレインＤに接続されたボディダイオードＺを含む。 This nMOS transistor Tr includes, for example, a body diode Z whose anode is connected to the source S and whose cathode is connected to the drain D, as shown in FIG.
なお、入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮと出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧ＶＯＵＴとの間の電位差は、例えば、図１に示すように、このｎＭＯＳトランジスタＴｒのドレインとソースとの間のドレイン・ソース電圧ＶＤＳである。 Note that the potential difference between the input voltage VIN of the input voltage terminal TIN and the output voltage VOUT of the output voltage terminal TOUT is, for example, as shown in FIG. voltage VDS.
また、制御スイッチＳＷは、例えば、図１に示すように、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのソースＳとゲートＧとの間に接続されている。 Also, the control switch SW is connected between the source S and the gate G of the nMOS transistor Tr, for example, as shown in FIG.
例えば、この制御スイッチＳＷは、オンすることによりｎＭＯＳトランジスタＴｒのソースとゲートとの間を導通するようになっている。 For example, when the control switch SW is turned on, it conducts between the source and the gate of the nMOS transistor Tr.
一方、この制御スイッチＳＷは、オフすることによりｎＭＯＳトランジスタＴｒのソースとゲートとの間を遮断するようになっている。 On the other hand, the control switch SW cuts off the source and gate of the nMOS transistor Tr by turning it off.
また、逆電圧保護用電圧監視回路Ｙは、入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮと出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧ＶＯＵＴとの間の電位差を監視し、この監視結果に基づいて出力電圧端子ＴＯＵＴから入力電圧端子ＴＩＮへの逆流を防止するように制御スイッチＳＷを制御するようになっている。 In addition, the reverse voltage protection voltage monitoring circuit Y monitors the potential difference between the input voltage VIN of the input voltage terminal TIN and the output voltage VOUT of the output voltage terminal TOUT. The control switch SW is controlled so as to prevent backflow to the voltage terminal TIN.
例えば、この逆電圧保護用電圧監視回路Ｙは、出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧ＶＯＵＴが、入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮよりも予め設定された逆電圧保護用閾値電圧以上高い場合には、制御スイッチＳＷをオンして、ｎＭＯＳトランジスタＴｒを強制的にオフさせるようになっている。 For example, when the output voltage VOUT of the output voltage terminal TOUT is higher than the input voltage VIN of the input voltage terminal TIN by a predetermined reverse voltage protection threshold voltage or more, the reverse voltage protection voltage monitoring circuit Y controls The switch SW is turned on to forcibly turn off the nMOS transistor Tr.
これにより、後述のように、出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧ＶＯＵＴが入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮよりも予め設定された逆電圧保護用閾値電圧以上高い場合には、出力電圧端子ＴＯＵＴから逆流する電流を遮断することができるようになっている。 As a result, as will be described later, when the output voltage VOUT of the output voltage terminal TOUT is higher than the input voltage VIN of the input voltage terminal TIN by a preset reverse voltage protection threshold voltage or more, a reverse current flows from the output voltage terminal TOUT. The current can be interrupted.
一方、この逆電圧保護用電圧監視回路Ｙは、出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧ＶＯＵＴが、入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮよりも逆電圧保護用閾値電圧以上高くない場合には、制御スイッチＳＷをオフするようになっている。 On the other hand, when the output voltage VOUT of the output voltage terminal TOUT is not higher than the input voltage VIN of the input voltage terminal TIN by the reverse voltage protection threshold voltage or more, the reverse voltage protection voltage monitoring circuit Y switches the control switch SW. It is turned off.
これにより、後述のように、ｎＭＯＳトランジスタＴｒが、昇圧回路ＢＣが出力する電圧により、オン／オフが制御される状態になるようになっている。 As a result, as will be described later, the nMOS transistor Tr is turned on/off controlled by the voltage output from the booster circuit BC.
すなわち、後述のように、出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧ＶＯＵＴが入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮよりも逆電圧保護用閾値電圧以上高くない場合には、ｎＭＯＳトランジスタｔｒは、昇圧用電圧監視回路Ｘがゲート電圧ＶＧを制御することで、オン／オフが制御される状態になるようになっている。 That is, as will be described later, when the output voltage VOUT of the output voltage terminal TOUT is not higher than the input voltage VIN of the input voltage terminal TIN by the reverse voltage protection threshold voltage or more, the nMOS transistor tr functions as the boosting voltage monitoring circuit X controls the gate voltage VG so that the on/off state is controlled.
このような逆電圧保護用電圧監視回路Ｙは、例えば、図３に示すように、第１入力（非反転入力端子）にｎＭＯＳトランジスタＴｒのソース電圧（すなわち、入力電圧ＶＩＮ）が入力され、第２入力（反転入力端子）にｎＭＯＳトランジスタＴｒのドレイン電圧（すなわち、入力電圧ＶＩＮ）が入力され、出力信号を制御スイッチＳＷに出力する第２のオペアンプＣＯＭＰ２である。この場合、制御スイッチＳＷは、第２のオペアンプＣＯＭＰ２が出力した出力信号ＶＹに応じて、オン又はオフに切り換えられるようになっている。 In such a reverse voltage protection voltage monitoring circuit Y, for example, as shown in FIG. The second operational amplifier COMP2 receives the drain voltage (that is, the input voltage VIN) of the nMOS transistor Tr at its second input (inverted input terminal) and outputs an output signal to the control switch SW. In this case, the control switch SW is switched on or off according to the output signal VY output from the second operational amplifier COMP2.
また、発振回路ＯＳＣは、入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮが供給されて駆動し、入力電圧ＶＩＮに応じた振幅の発振信号ＳＡを出力するようになっている。 Further, the oscillation circuit OSC is supplied with the input voltage VIN of the input voltage terminal TIN to be driven, and outputs an oscillation signal SA having an amplitude corresponding to the input voltage VIN.
また、昇圧回路ＢＣは、発振信号ＳＡに応じて昇圧動作して入力電圧ＶＩＮを昇圧し、得られた昇圧電圧をゲート電圧ＶＧとしてｎＭＯＳトランジスタＴｒのゲートＧに出力するようになっている。 The booster circuit BC performs a boosting operation according to the oscillation signal SA to boost the input voltage VIN, and outputs the obtained boosted voltage as the gate voltage VG to the gate G of the nMOS transistor Tr.
また、昇圧用電圧監視回路Ｘは、入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮと出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧ＶＯＵＴとの間の電位差を監視し、この監視結果に基づいて発振回路ＯＳＣの動作を制御するようになっている。 Further, the boosting voltage monitoring circuit X monitors the potential difference between the input voltage VIN of the input voltage terminal TIN and the output voltage VOUT of the output voltage terminal TOUT, and controls the operation of the oscillation circuit OSC based on the monitoring result. It's like
例えば、この昇圧用電圧監視回路Ｘは、昇圧回路ＢＣが昇圧動作することで、ドレイン・ソース電圧ＶＤＳが予め設定された下限閾値Ｖｔｈｂまで降下した場合には、その後、発振回路ＯＳＣに発振信号ＳＡの出力を停止させることにより、昇圧回路ＢＣが昇圧動作を停止させるようになっている。 For example, when the drain-source voltage VDS drops to a preset lower threshold value Vthb due to the boosting operation of the boosting circuit BC, the boosting voltage monitoring circuit X outputs the oscillation signal SA to the oscillation circuit OSC. By stopping the output of the booster circuit BC, the boosting operation is stopped.
すなわち、この逆流防止装置１００において、発振回路ＯＳＣが発振信号ＳＡの出力を停止することにより昇圧回路ＢＣが昇圧動作を停止して、ゲート電圧ＶＧを降下させるようになっている。
That is, in the
したがって、例えば、この逆流防止装置１００において、出力電圧端子ＴＯＵＴに接続された負荷が小さい場合には、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのドレイン・ソース電圧ＶＤＳを降下させることで、発振回路ＯＳＣが停止する時間が増加して、発振回路ＯＳＣの消費電力が削減されるようになっている。
Therefore, for example, in this
このように、この昇圧用電圧監視回路Ｘは、ドレイン・ソース電圧ＶＤＳが下限閾値Ｖｔｈｂまで降下した場合には、ゲート電圧ＶＧを降下させることで、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのオン抵抗が増加して、ドレイン・ソース電圧ＶＤＳを上昇させるようになっている。 As described above, when the drain-source voltage VDS drops to the lower limit threshold value Vthb, the boosting voltage monitoring circuit X drops the gate voltage VG, thereby increasing the on-resistance of the nMOS transistor Tr and increasing the drain voltage.・The source voltage VDS is raised.
一方、昇圧用電圧監視回路Ｘは、昇圧回路ＢＣが昇圧動作を停止することで、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのドレイン・ソース電圧ＶＤＳが下限閾値Ｖｔｈｂよりも高い予め設定された上限閾値Ｖｔｈａまで上昇した場合には、その後、発振回路ＯＳＣに発振信号ＳＡを出力させることにより、昇圧回路ＢＣを昇圧動作させるようになっている。 On the other hand, the voltage-boosting voltage monitoring circuit X detects when the drain-source voltage VDS of the nMOS transistor Tr rises to a preset upper threshold value Vtha higher than the lower threshold value Vthb by stopping the boosting operation of the booster circuit BC. After that, the oscillator circuit OSC is caused to output the oscillation signal SA, thereby causing the booster circuit BC to perform a boosting operation.
すなわち、この逆流防止装置１００において、発振回路ＯＳＣが出力する発振信号ＳＡにより昇圧回路ＢＣが昇圧動作して、ゲート電圧ＶＧを上昇させるようになっている。
That is, in the
したがって、例えば、この逆流防止装置１００において、出力電圧端子ＴＯＵＴに接続された負荷が大きい場合には、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのドレイン・ソース電圧ＶＤＳが上昇することで、ゲート電圧ＶＧは高くなるようになっている。
Therefore, for example, in the
このように、この昇圧用電圧監視回路Ｘは、ドレイン・ソース電圧ＶＤＳが上限閾値Ｖｔｈａまで上昇した場合には、ゲート電圧ＶＧを上昇させることで、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのオン抵抗が減少して、ドレイン・ソース電圧ＶＤＳが降下することで、入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮと出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧ＶＯＵＴとの間の電位差を所定の範囲内に制御するようになっている。 As described above, when the drain-source voltage VDS rises to the upper limit threshold value Vtha, the boosting voltage monitoring circuit X increases the gate voltage VG to decrease the on-resistance of the nMOS transistor Tr and - By dropping the source voltage VDS, the potential difference between the input voltage VIN of the input voltage terminal TIN and the output voltage VOUT of the output voltage terminal TOUT is controlled within a predetermined range.
以上のように、この逆流防止装置１００において、入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮと出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧との間の電位差が、上限閾値Ｖｔｈａと下限閾値Ｖｔｈｂとの間にある場合に、昇圧回路ＢＣは、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのゲート電圧ＶＧがｎＭＯＳトランジスタＴｒの閾値電圧以上になるように制御している。
As described above, in the
なお、昇圧用電圧監視回路Ｘは、例えば、図２に示すように、第１入力（非反転入力端子）に前記ｎＭＯＳトランジスタＴｒのソース電圧（すなわち、入力電圧ＶＩＮ）が入力され、第２入力（反転入力端子）にｎＭＯＳトランジスタＴｒのドレイン電圧（すなわち、出力電圧ＶＯＵＴ）が入力され、出力信号ＶＸを発振回路ＯＳＣに出力する第１のオペアンプＣＯＭＰ１である。この場合、発振回路ＯＳＣは、例えば、第１のオペアンプＣＯＭＰ１が出力した出力信号に応じて、発振信号ＳＡを出力するようになっている。 Note that the boosting voltage monitoring circuit X, for example, as shown in FIG. It is the first operational amplifier COMP1 that receives the drain voltage (that is, the output voltage VOUT) of the nMOS transistor Tr at (the inverting input terminal) and outputs the output signal VX to the oscillation circuit OSC. In this case, the oscillation circuit OSC outputs the oscillation signal SA according to, for example, the output signal output from the first operational amplifier COMP1.
以上のような構成を有する逆流防止装置１００によれば、入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮと出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧との間の電位差（すなわち、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのソース・ドレイン電圧）を監視して発振回路ＯＳＣを制御することで、ｎＭＯＳトランジスタＴｒの閾値に対する調整をせずに、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのオン状態を維持しつつ、出力電圧端子ＴＯＵＴに接続される負荷の大きさに基づいてｎＭＯＳトランジスタＴｒのゲート電圧ＶＧを制御して、消費電力を削減することができるようになっている。
According to the
次に、以上のような構成を有する逆流防止装置１００の制御方法の例について説明する。
Next, an example of a control method for the
ここで、図４は、本発明の実施形態に係る図１に示す逆流防止装置１００の動作波形の一例を示す図である。
Here, FIG. 4 is a diagram showing an example of operating waveforms of the
例えば、図４に示すように、昇圧用電圧監視回路Ｘは、昇圧回路ＢＣが昇圧動作することで、ドレイン・ソース電圧ＶＤＳが予め設定された下限閾値Ｖｔｈｂまで降下した場合には、その後、発振回路ＯＳＣに発振信号ＳＡの出力を停止させることにより、昇圧回路ＢＣが昇圧動作を停止させる。 For example, as shown in FIG. 4, when the booster circuit BC performs the boosting operation and the drain-source voltage VDS drops to the preset lower limit threshold value Vthb, the boosting voltage monitoring circuit X thereafter causes oscillation. By causing the circuit OSC to stop outputting the oscillation signal SA, the booster circuit BC stops the boosting operation.
すなわち、この逆流防止装置１００において、発振回路ＯＳＣが発振信号ＳＡの出力を停止することにより昇圧回路ＢＣが昇圧動作を停止して、ゲート電圧ＶＧを降下させる。
That is, in this
したがって、例えば、この逆流防止装置１００において、出力電圧端子ＴＯＵＴに接続された負荷が小さい場合には、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのドレイン・ソース電圧ＶＤＳを降下させることで、発振回路ＯＳＣが停止する時間が増加して、発振回路ＯＳＣの消費電力が削減される（図４）。
Therefore, for example, in this
このように、この昇圧用電圧監視回路Ｘは、ドレイン・ソース電圧ＶＤＳが下限閾値Ｖｔｈｂまで降下した場合には、ゲート電圧ＶＧを降下させることで、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのオン抵抗が増加して、ドレイン・ソース電圧ＶＤＳを上昇させる（図４）。 As described above, when the drain-source voltage VDS drops to the lower limit threshold value Vthb, the boosting voltage monitoring circuit X drops the gate voltage VG, thereby increasing the on-resistance of the nMOS transistor Tr and increasing the drain voltage. • Increase the source voltage VDS (Fig. 4).
一方、昇圧用電圧監視回路Ｘは、昇圧回路ＢＣが昇圧動作を停止することで、ｎＭＯＳトランジスタＴｒの前記ドレイン・ソース電圧ＶＤＳが下限閾値Ｖｔｈｂよりも高い予め設定された上限閾値Ｖｔｈａまで上昇した場合には、その後、発振回路ＯＳＣに発振信号ＳＡを出力させることにより、昇圧回路ＢＣを昇圧動作させる（図４）。 On the other hand, when the booster circuit BC stops the boosting operation, the boosting voltage monitoring circuit X increases the drain-source voltage VDS of the nMOS transistor Tr to a preset upper threshold value Vtha higher than the lower threshold value Vthb. Then, the oscillation circuit OSC is caused to output the oscillation signal SA, thereby causing the booster circuit BC to perform a boosting operation (FIG. 4).
すなわち、この逆流防止装置１００において、発振回路ＯＳＣが出力する発振信号ＳＡにより昇圧回路ＢＣが昇圧動作して、ゲート電圧ＶＧを上昇させる。
That is, in the
したがって、例えば、この逆流防止装置１００において、出力電圧端子ＴＯＵＴに接続された負荷が大きい場合には、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのドレイン・ソース電圧ＶＤＳが上昇することで、ゲート電圧ＶＧは高くなる。
Therefore, for example, in the
このように、この昇圧用電圧監視回路Ｘは、ドレイン・ソース電圧ＶＤＳが上限閾値Ｖｔｈａまで上昇した場合には、ゲート電圧ＶＧを上昇させることで、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのオン抵抗が減少して、ドレイン・ソース電圧ＶＤＳが降下することで、入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮと出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧ＶＯＵＴとの間の電位差を所定の範囲内に制御する。 As described above, when the drain-source voltage VDS rises to the upper limit threshold value Vtha, the boosting voltage monitoring circuit X increases the gate voltage VG to decrease the on-resistance of the nMOS transistor Tr and - By dropping the source voltage VDS, the potential difference between the input voltage VIN of the input voltage terminal TIN and the output voltage VOUT of the output voltage terminal TOUT is controlled within a predetermined range.
なお、既述のように、例えば、逆電圧保護用電圧監視回路Ｙは、出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧ＶＯＵＴが、入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮよりも予め設定された逆電圧保護用閾値電圧以上高い場合には、制御スイッチＳＷをオンして、ｎＭＯＳトランジスタＴｒを強制的にオフさせる。 As described above, for example, in the reverse voltage protection voltage monitoring circuit Y, the output voltage VOUT of the output voltage terminal TOUT is higher than the input voltage VIN of the input voltage terminal TIN. If it is higher than this, the control switch SW is turned on to forcibly turn off the nMOS transistor Tr.
これにより、出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧ＶＯＵＴが入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮよりも予め設定された逆電圧保護用閾値電圧以上高い場合には、出力電圧端子ＴＯＵＴから逆流する電流を遮断することができる。 As a result, when the output voltage VOUT of the output voltage terminal TOUT is higher than the input voltage VIN of the input voltage terminal TIN by a predetermined reverse voltage protection threshold voltage or more, the reverse current from the output voltage terminal TOUT is cut off. can be done.
一方、逆電圧保護用電圧監視回路Ｙは、出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧ＶＯＵＴが、入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮよりも逆電圧保護用閾値電圧以上高くない場合には、制御スイッチＳＷをオフする。 On the other hand, the reverse voltage protection voltage monitoring circuit Y turns off the control switch SW when the output voltage VOUT of the output voltage terminal TOUT is not higher than the input voltage VIN of the input voltage terminal TIN by the reverse voltage protection threshold voltage or more. do.
これにより、ｎＭＯＳトランジスタＴｒが、昇圧回路ＢＣが出力する電圧により、オン／オフが制御される状態になる。 As a result, the nMOS transistor Tr is turned on/off controlled by the voltage output from the booster circuit BC.
すなわち、出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧ＶＯＵＴが入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮよりも逆電圧保護用閾値電圧以上高くない場合には、ｎＭＯＳトランジスタｔｒは、昇圧用電圧監視回路Ｘがゲート電圧ＶＧを制御することで、オン／オフが制御される状態になる。 That is, when the output voltage VOUT of the output voltage terminal TOUT is not higher than the input voltage VIN of the input voltage terminal TIN by the threshold voltage for reverse voltage protection or more, the nMOS transistor tr is such that the boosting voltage monitoring circuit X increases the gate voltage VG. By controlling, it becomes a state in which on/off is controlled.
以上のように、本実施例１係る逆流防止装置１００によれば、入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮと出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧との間の電位差（すなわち、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのソース・ドレイン電圧）を監視して発振回路ＯＳＣを制御することで、ｎＭＯＳトランジスタＴｒの閾値に対する調整をせずに、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのオン状態を維持しつつ、出力電圧端子ＴＯＵＴに接続される負荷の大きさに基づいてｎＭＯＳトランジスタＴｒのゲート電圧ＶＧを制御して、消費電力を削減することができる。
As described above, according to the
既述の実施例１では、逆流防止装置１００の昇圧用電圧監視回路Ｘは、昇圧回路ＢＣが昇圧動作することで、ドレイン・ソース電圧ＶＤＳが予め設定された下限閾値Ｖｔｈｂまで降下した場合には、その後、発振回路ＯＳＣに発振信号ＳＡの出力を停止させることにより、昇圧回路ＢＣが昇圧動作を停止させる構成及び動作の一例について説明した。
In the above-described first embodiment, the boosting voltage monitoring circuit X of the
本実施例２では、この昇圧用電圧監視回路Ｘは、ドレイン・ソース電圧ＶＤＳが予め設定された下限閾値Ｖｔｈｂまで降下した場合の他の制御動作の例について説明する。 In the second embodiment, another example of the control operation of the boosting voltage monitoring circuit X when the drain-source voltage VDS drops to the preset lower limit threshold value Vthb will be described.
ここで、図５は、本発明の実施形態に係る図１に示す逆流防止装置１００の動作波形の他の例を示す図である。
Here, FIG. 5 is a diagram showing another example of operating waveforms of the
例えば、図５に示すように、この昇圧用電圧監視回路Ｘは、昇圧回路ＢＣの昇圧速度を増加させることで、ドレイン・ソース電圧ＶＤＳが予め設定された下限閾値Ｖｔｈｂまで降下した場合には、その後、発振回路ＯＳＣに発振信号ＳＡの周波数を減少させることにより、昇圧回路ＢＣの昇圧速度を減少させるようにしてもよい。 For example, as shown in FIG. 5, the boosting voltage monitoring circuit X increases the boosting speed of the boosting circuit BC, and when the drain-source voltage VDS drops to the preset lower limit threshold Vthb, Thereafter, the boosting speed of the booster circuit BC may be decreased by causing the oscillator circuit OSC to decrease the frequency of the oscillation signal SA.
すなわち、この逆流防止装置１００において、発振回路ＯＳＣが出力する発振信号ＳＡの周波数を予め設定された第１周波数Ｆ１にすることにより昇圧回路ＢＣの昇圧速度が減少して、ゲート電圧ＶＧを降下させるようにしてもよい（図５）。
That is, in this
このように、この昇圧用電圧監視回路Ｘは、実施例１と同様に、ドレイン・ソース電圧ＶＤＳが下限閾値Ｖｔｈｂまで降下した場合には、ゲート電圧ＶＧを降下させることで、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのオン抵抗が増加して、ドレイン・ソース電圧ＶＤＳを上昇させる。 As described above, the boosting voltage monitoring circuit X reduces the gate voltage VG to turn on the nMOS transistor Tr when the drain-source voltage VDS drops to the lower threshold value Vthb, as in the first embodiment. The resistance increases, raising the drain-source voltage VDS.
一方、図５に示すように、この昇圧用電圧監視回路Ｘは、昇圧回路ＢＣの昇圧速度を減少させることで、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのドレイン・ソース電圧ＶＤＳが下限閾値Ｖｔｈｂよりも高い予め設定された上限閾値Ｖｔｈａまで上昇した場合には、その後、発振回路ＯＳＣに発振信号ＳＡの周波数を増加させることにより、昇圧回路ＢＣの昇圧速度を増加させるようにしてもよい。 On the other hand, as shown in FIG. 5, the boosting voltage monitoring circuit X reduces the boosting speed of the boosting circuit BC so that the drain-source voltage VDS of the nMOS transistor Tr is set higher than the lower limit threshold Vthb in advance. When it rises to the upper limit threshold value Vtha, the boosting speed of the booster circuit BC may be increased by causing the oscillation circuit OSC to increase the frequency of the oscillation signal SA.
すなわち、この逆流防止装置１００において、発振回路ＯＳＣが出力する発振信号ＳＡの周波数を第１周波数Ｆ１よりも高い予め設定された第２周波数Ｆ２にすることにより昇圧回路ＢＣの昇圧速度が増加して、ゲート電圧ＶＧを上昇させるようにしてもよい（図５）。
That is, in this
このように、この昇圧用電圧監視回路Ｘは、実施例１と同様に、ドレイン・ソース電圧ＶＤＳが上限閾値Ｖｔｈａまで上昇した場合には、ゲート電圧ＶＧを上昇させることで、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのオン抵抗が減少して、ドレイン・ソース電圧ＶＤＳを降下させることで、入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮと出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧ＶＯＵＴとの間の電位差を所定の範囲内に制御する。 As described above, the boosting voltage monitoring circuit X increases the gate voltage VG to turn on the nMOS transistor Tr when the drain-source voltage VDS rises to the upper threshold value Vtha, as in the first embodiment. The resistance decreases to drop the drain-source voltage VDS, thereby controlling the potential difference between the input voltage VIN at the input voltage terminal TIN and the output voltage VOUT at the output voltage terminal TOUT within a predetermined range.
すなわち、実施例２に係る逆流防止装置１００において、出力電圧端子ＴＯＵＴに接続された負荷が小さい場合には、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのドレイン・ソース電圧ＶＤＳが降下することで、発振回路ＯＳＣの発振周波数が減少して、発振回路ＯＳＣの消費電力が削減される。
That is, in the
なお、この実施例２におけるその他の逆流防止装置１００の構成及び動作は、実施例１と同様である。
The rest of the configuration and operation of the
すなわち、本実施例２に係る逆流防止装置１００によれば、入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮと出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧との間の電位差（すなわち、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのソース・ドレイン電圧）を監視して発振回路ＯＳＣを制御することで、ｎＭＯＳトランジスタＴｒの閾値に対する調整をせずに、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのオン状態を維持しつつ、出力電圧端子ＴＯＵＴに接続される負荷の大きさに基づいてｎＭＯＳトランジスタＴｒのゲート電圧ＶＧを制御して、消費電力を削減することができる。
That is, according to the
以上のように、本発明の一態様に係る逆流防止装置は、入力電圧端子ＴＩＮに印加された入力電圧ＶＩＮを整流して、出力電圧ＶＯＵＴを出力電圧端子ＴＯＵＴに出力し、出力電圧端子ＴＯＵＴから入力電圧端子ＴＩＮへの逆流を防止する逆流防止装置であって、ソースＳが入力電圧端子ＴＩＮに接続され且つドレインＤが出力電圧端子ＴＯＵＴに接続されたｎＭＯＳトランジスタＴｒと、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのソースＳとゲートＧとの間に接続され、オンすることによりｎＭＯＳトランジスタＴｒのソースとゲートとの間を導通し、一方、オフすることによりｎＭＯＳトランジスタＴｒのソースとゲートとの間を遮断する制御スイッチＳＷと、入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮと出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧との間の電位差を監視し、この監視結果に基づいて出力電圧端子ＴＯＵＴから入力電圧端子ＴＩＮへの逆流を防止するように制御スイッチＳＷを制御する逆電圧保護用電圧監視回路Ｙと、入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮが供給されて駆動し、入力電圧ＶＩＮに応じた振幅の発振信号ＳＡを出力する発振回路ＯＳＣと、発振信号ＳＡに応じて昇圧動作して入力電圧ＶＩＮを昇圧し、得られた昇圧電圧をゲート電圧ＶＧとしてｎＭＯＳトランジスタＴｒのゲートＧに出力する昇圧回路ＢＣと、入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮと出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧との間の電位差を監視し、この監視結果に基づいて発振回路ＯＳＣの動作を制御する昇圧用電圧監視回路Ｘと、を備える。 As described above, the backflow prevention device according to one aspect of the present invention rectifies the input voltage VIN applied to the input voltage terminal TIN, outputs the output voltage VOUT to the output voltage terminal TOUT, and outputs the output voltage VOUT from the output voltage terminal TOUT. A backflow prevention device for preventing backflow to an input voltage terminal TIN, comprising an nMOS transistor Tr whose source S is connected to the input voltage terminal TIN and whose drain D is connected to the output voltage terminal TOUT, and the source S of the nMOS transistor Tr. and the gate G, and turns on to provide conduction between the source and the gate of the nMOS transistor Tr, and turns off to cut off the connection between the source and the gate of the nMOS transistor Tr. , the potential difference between the input voltage VIN of the input voltage terminal TIN and the output voltage of the output voltage terminal TOUT is monitored, and based on this monitoring result, the reverse current from the output voltage terminal TOUT to the input voltage terminal TIN is prevented. a reverse voltage protection voltage monitoring circuit Y that controls the control switch SW; an oscillation circuit OSC that is driven by being supplied with the input voltage VIN of the input voltage terminal TIN and outputs an oscillation signal SA having an amplitude corresponding to the input voltage VIN; A booster circuit BC that boosts the input voltage VIN according to the oscillation signal SA and outputs the obtained boosted voltage as the gate voltage VG to the gate G of the nMOS transistor Tr, and the input voltage VIN of the input voltage terminal TIN. a boosting voltage monitoring circuit X that monitors a potential difference from the output voltage of the output voltage terminal TOUT and controls the operation of the oscillation circuit OSC based on the monitoring result.
すなわち、本発明の一態様に係る逆流防止装置によれば、入力電圧端子ＴＩＮの入力電圧ＶＩＮと出力電圧端子ＴＯＵＴの出力電圧との間の電位差（すなわち、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのソース・ドレイン電圧）を監視して発振回路ＯＳＣを制御することで、ｎＭＯＳトランジスタＴｒの閾値に対する調整をせずに、ｎＭＯＳトランジスタＴｒのオン状態を維持しつつ、出力電圧端子ＴＯＵＴに接続される負荷の大きさに基づいてｎＭＯＳトランジスタＴｒのゲート電圧ＶＧを制御して、消費電力を削減することができる。 That is, according to the backflow prevention device according to one aspect of the present invention, the potential difference between the input voltage VIN of the input voltage terminal TIN and the output voltage of the output voltage terminal TOUT (that is, the source-drain voltage of the nMOS transistor Tr) is By monitoring and controlling the oscillation circuit OSC, while maintaining the ON state of the nMOS transistor Tr without adjusting the threshold value of the nMOS transistor Tr, the load connected to the output voltage terminal TOUT is controlled. Power consumption can be reduced by controlling the gate voltage VG of the nMOS transistor Tr.
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。 While several embodiments of the invention have been described, these embodiments have been presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and modifications can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and spirit of the invention, as well as the scope of the invention described in the claims and equivalents thereof.
１００ 逆流防止装置
ＴＩＮ 入力電圧端子
ＴＯＵＴ 出力電圧端子
Ｔｒ ｎＭＯＳトランジスタ
ＳＷ 制御スイッチ
Ｙ 逆電圧保護用電圧監視回路
ＯＳＣ 発振回路
ＢＣ 昇圧回路
Ｘ 昇圧用電圧監視回路
ＣＯＭＰ１ 第１のオペアンプ
ＣＯＭＰ２ 第２のオペアンプ
ＶＩＮ 入力電圧
ＶＯＵＴ 出力電圧
100 Backflow prevention device TIN Input voltage terminal TOUT Output voltage terminal Tr NMOS transistor SW Control switch Y Reverse voltage protection voltage monitoring circuit OSC Oscillation circuit BC Boosting circuit X Boosting voltage monitoring circuit COMP1 First operational amplifier COMP2 Second operational amplifier VIN Input Voltage VOUT Output voltage
Claims (15)
ソースが入力電圧端子に接続され且つドレインが出力電圧端子に接続されたｎＭＯＳトランジスタと、
前記ｎＭＯＳトランジスタのソースとゲートとの間に接続され、オンすることにより前記ｎＭＯＳトランジスタのソースとゲートとの間を導通し、一方、オフすることにより前記ｎＭＯＳトランジスタのソースとゲートとの間を遮断する制御スイッチと、
前記入力電圧端子の前記入力電圧と前記出力電圧端子の前記出力電圧との間の電位差を監視し、この監視結果に基づいて前記出力電圧端子から前記入力電圧端子への逆流を防止するように前記制御スイッチを制御する逆電圧保護用電圧監視回路と、
前記入力電圧端子の前記入力電圧が供給されて駆動し、前記入力電圧に応じた振幅の発振信号を出力する発振回路と、
前記発振信号に応じて昇圧動作して前記入力電圧を昇圧し、得られた昇圧電圧をゲート電圧として前記ｎＭＯＳトランジスタのゲートに出力する昇圧回路と、
前記入力電圧端子の前記入力電圧と前記出力電圧端子の前記出力電圧との間の電位差を監視し、この監視結果に基づいて前記発振回路の動作を制御する昇圧用電圧監視回路と、を備えるものであり、
前記昇圧用電圧監視回路は、
前記昇圧回路の昇圧速度を増加させることで、前記電位差が予め設定された下限閾値まで降下した場合には、その後、前記発振回路に前記発振信号の周波数を減少させることにより、前記昇圧回路の昇圧速度を減少させ、
一方、前記昇圧回路の昇圧速度を減少させることで、前記電位差が前記下限閾値よりも高い予め設定された上限閾値まで上昇した場合には、その後、前記発振回路に前記発振信号の周波数を増加させることにより、前記昇圧回路の昇圧速度を増加させる
ことを特徴とする逆流防止装置。 A backflow prevention device that rectifies an input voltage applied to an input voltage terminal, outputs an output voltage to the output voltage terminal, and prevents backflow from the output voltage terminal to the input voltage terminal,
an nMOS transistor having a source connected to an input voltage terminal and a drain connected to an output voltage terminal;
It is connected between the source and the gate of the nMOS transistor, turns on to conduct between the source and the gate of the nMOS transistor, and turns off to cut off the source and gate of the nMOS transistor. a control switch for
monitoring a potential difference between the input voltage at the input voltage terminal and the output voltage at the output voltage terminal, and based on the monitoring result, preventing reverse current from the output voltage terminal to the input voltage terminal a voltage monitoring circuit for reverse voltage protection that controls the control switch;
an oscillation circuit driven by the input voltage supplied to the input voltage terminal and outputting an oscillation signal having an amplitude corresponding to the input voltage;
a booster circuit that boosts the input voltage by performing a boosting operation according to the oscillation signal and outputs the obtained boosted voltage as a gate voltage to the gate of the nMOS transistor;
a boosting voltage monitoring circuit that monitors the potential difference between the input voltage of the input voltage terminal and the output voltage of the output voltage terminal, and controls the operation of the oscillation circuit based on the monitoring result. and
The boosting voltage monitoring circuit includes:
If the potential difference drops to a preset lower limit threshold by increasing the boosting speed of the booster circuit, then the oscillation circuit reduces the frequency of the oscillation signal to boost the booster circuit. reduce speed,
On the other hand, if the potential difference rises to a preset upper threshold value higher than the lower threshold value by decreasing the boosting speed of the booster circuit, then causing the oscillation circuit to increase the frequency of the oscillation signal. to increase the boosting speed of the booster circuit
A backflow prevention device characterized by:
ことを特徴とする請求項１に記載の逆流防止装置。 2. The potential difference between the input voltage at the input voltage terminal and the output voltage at the output voltage terminal is the drain-source voltage between the drain and source of the nMOS transistor. The backflow prevention device according to .
前記昇圧回路が昇圧動作することで、前記ドレイン・ソース電圧が予め設定された下限閾値まで降下した場合には、その後、前記発振回路に前記発振信号の出力を停止させることにより、前記昇圧回路が昇圧動作を停止させ、
一方、前記昇圧回路が昇圧動作を停止することで、前記ｎＭＯＳトランジスタの前記ドレイン・ソース電圧が前記下限閾値よりも高い予め設定された上限閾値まで上昇した場合には、その後、前記発振回路に前記発振信号を出力させることにより、前記昇圧回路を昇圧動作させる
ことを特徴とする請求項２に記載の逆流防止装置。 The boosting voltage monitoring circuit includes:
When the drain-source voltage drops to a preset lower limit threshold as a result of the boosting operation of the booster circuit, after that, the booster circuit stops outputting the oscillation signal. stop the boost operation,
On the other hand, when the drain-source voltage of the nMOS transistor rises to a preset upper threshold higher than the lower threshold by stopping the boosting operation of the booster circuit, the oscillation circuit then causes the 3. The backflow prevention device according to claim 2, wherein the booster circuit is operated to boost by outputting an oscillation signal.
一方、前記発振回路が出力する前記発振信号により前記昇圧回路が昇圧動作して、前記ゲート電圧を上昇させる
ことを特徴とする請求項３に記載の逆流防止装置。 When the oscillation circuit stops outputting the oscillation signal, the booster circuit stops the boosting operation to drop the gate voltage,
4. The backflow prevention device according to claim 3, wherein, on the other hand, the booster circuit performs a boosting operation by the oscillation signal output from the oscillation circuit to increase the gate voltage.
一方、前記発振回路が出力する前記発振信号の周波数を前記第１周波数よりも高い予め設定された第２周波数にすることにより前記昇圧回路の昇圧速度が増加して、前記ゲート電圧を上昇させる
ことを特徴とする請求項１に記載の逆流防止装置。 By setting the frequency of the oscillation signal output by the oscillation circuit to a preset first frequency, the step-up speed of the step-up circuit is reduced to lower the gate voltage,
On the other hand, by setting the frequency of the oscillation signal output by the oscillation circuit to a preset second frequency higher than the first frequency, the step-up speed of the step-up circuit is increased to raise the gate voltage. The backflow prevention device according to claim 1 , characterized by:
一方、前記ドレイン・ソース電圧が前記上限閾値まで上昇した場合には、前記ゲート電圧を上昇させることで、前記ｎＭＯＳトランジスタのオン抵抗が減少して、前記ドレイン・ソース電圧を降下させることで、前記入力電圧端子の前記入力電圧と前記出力電圧端子の前記出力電圧との間の電位差を所定の範囲内に制御する
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の逆流防止装置。 When the drain-source voltage drops to the lower limit threshold, the on-resistance of the nMOS transistor increases by decreasing the gate voltage, thereby increasing the drain-source voltage,
On the other hand, when the drain-source voltage rises to the upper limit threshold, increasing the gate voltage reduces the on-resistance of the nMOS transistor, thereby decreasing the drain-source voltage. 4. The backflow prevention device according to claim 2, wherein the potential difference between the input voltage of the input voltage terminal and the output voltage of the output voltage terminal is controlled within a predetermined range.
前記出力電圧端子の前記出力電圧が、前記入力電圧端子の前記入力電圧よりも予め設定された逆電圧保護用閾値電圧以上高い場合には、前記制御スイッチをオンして、前記ｎＭＯＳトランジスタを強制的にオフさせ、
一方、前記出力電圧端子の前記出力電圧が、前記入力電圧端子の前記入力電圧よりも前記逆電圧保護用閾値電圧以上高くない場合には、前記制御スイッチをオフする
ことを特徴とする請求項４に記載の逆流防止装置。 The voltage monitoring circuit for reverse voltage protection,
When the output voltage of the output voltage terminal is higher than the input voltage of the input voltage terminal by a predetermined reverse voltage protection threshold voltage or more, the control switch is turned on to force the nMOS transistor to operate. to turn it off,
On the other hand, when the output voltage of the output voltage terminal is not higher than the input voltage of the input voltage terminal by the reverse voltage protection threshold voltage or more, the control switch is turned off. The backflow prevention device according to .
第１入力に前記ｎＭＯＳトランジスタのソース電圧が入力され、第２入力に前記ｎＭＯＳトランジスタのドレイン電圧が入力され、出力信号を前記発振回路に出力する第１のオペアンプであり、
前記発振回路は、前記第１のオペアンプが出力した出力信号に応じて、発振信号を出力する
ことを特徴とする請求項３に記載の逆流防止装置。 The boosting voltage monitoring circuit includes:
a first operational amplifier for receiving a source voltage of the nMOS transistor at a first input, receiving a drain voltage of the nMOS transistor at a second input, and outputting an output signal to the oscillation circuit;
4. The backflow prevention device according to claim 3, wherein the oscillation circuit outputs an oscillation signal according to the output signal output from the first operational amplifier.
第１入力に前記ｎＭＯＳトランジスタのソース電圧が入力され、第２入力に前記ｎＭＯＳトランジスタのドレイン電圧が入力され、出力信号を前記制御スイッチＳＷに出力する第２のオペアンプであり、
前記制御スイッチＳＷは、前記第２のオペアンプが出力した出力信号に応じて、オン又はオフに切り換えられる
ことを特徴とする請求項３に記載の逆流防止装置。 The voltage monitoring circuit for reverse voltage protection,
a second operational amplifier having a first input to which the source voltage of the nMOS transistor is input, a second input to which the drain voltage of the nMOS transistor is input, and outputting an output signal to the control switch SW;
4. The backflow prevention device according to claim 3, wherein the control switch SW is switched on or off according to the output signal output from the second operational amplifier.
ことを特徴とする請求項３に記載の逆流防止装置。 4. The backflow prevention device according to claim 3, wherein the nMOS transistor includes a body diode having an anode connected to the source and a cathode connected to the drain.
ことを特徴とする請求項３に記載の逆流防止装置。 When the potential difference between the input voltage of the input voltage terminal and the output voltage of the output voltage terminal is between the upper threshold value and the lower threshold value, the booster circuit increases the gate voltage of the nMOS transistor. 4. The backflow prevention device according to claim 3, wherein VG is controlled to be equal to or higher than the threshold voltage of said nMOS transistor.
ことを特徴とする請求項３に記載の逆流防止装置。 4. The backflow prevention device according to claim 3, wherein the input voltage terminal is connected to a battery that outputs a DC voltage, and the output voltage terminal is connected to a load.
一方、前記出力電圧端子に接続された前記負荷が小さい場合には、前記ｎＭＯＳトランジスタのドレイン・ソース電圧が降下することで、前記発振回路が停止する時間が増加して、前記発振回路の消費電力が削減される
ことを特徴とする請求項１２に記載の逆流防止装置。 When the load connected to the output voltage terminal is large, the drain-source voltage of the nMOS transistor increases, thereby increasing the gate voltage,
On the other hand, when the load connected to the output voltage terminal is small, the drain-source voltage of the nMOS transistor decreases, increasing the time during which the oscillation circuit is stopped and increasing the power consumption of the oscillation circuit. 13. The backflow prevention device according to claim 12 , wherein is reduced.
前記昇圧用電圧監視回路は、
前記昇圧回路の昇圧速度を増加させることで、前記電位差が予め設定された下限閾値まで降下した場合には、その後、前記発振回路に前記発振信号の周波数を減少させることにより、前記昇圧回路の昇圧速度を減少させ、
一方、前記昇圧回路の昇圧速度を減少させることで、前記電位差が前記下限閾値よりも高い予め設定された上限閾値まで上昇した場合には、その後、前記発振回路に前記発振信号の周波数を増加させることにより、前記昇圧回路の昇圧速度を増加させる
ことを特徴とする逆流防止装置の制御方法。 A backflow prevention device for rectifying an input voltage applied to an input voltage terminal, outputting the output voltage to the output voltage terminal, and preventing reverse current from the output voltage terminal to the input voltage terminal, wherein the source is the input voltage. an nMOS transistor connected to the terminal and having a drain connected to the output voltage terminal, connected between the source and the gate of the nMOS transistor, and conducting between the source and the gate of the nMOS transistor by turning on; On the other hand, a control switch which cuts off between the source and the gate of the nMOS transistor by turning off, and a potential difference between the input voltage of the input voltage terminal and the output voltage of the output voltage terminal are monitored, a reverse voltage protection voltage monitoring circuit for controlling the control switch to prevent a reverse current from the output voltage terminal to the input voltage terminal based on a monitoring result; and a drive supplied with the input voltage of the input voltage terminal. an oscillation circuit for outputting an oscillation signal having an amplitude corresponding to the input voltage; a voltage boosting operation according to the oscillation signal to boost the input voltage; and a boosting voltage for monitoring the potential difference between the input voltage at the input voltage terminal and the output voltage at the output voltage terminal and controlling the operation of the oscillation circuit based on the monitoring result. A control method for a backflow prevention device comprising a monitoring circuit,
The boosting voltage monitoring circuit includes:
If the potential difference drops to a preset lower limit threshold by increasing the boosting speed of the booster circuit, then the oscillation circuit reduces the frequency of the oscillation signal to boost the booster circuit. reduce speed,
On the other hand, if the potential difference rises to a preset upper threshold value higher than the lower threshold value by decreasing the boosting speed of the booster circuit, then causing the oscillation circuit to increase the frequency of the oscillation signal. to increase the boosting speed of the booster circuit
A control method for a backflow prevention device, characterized by:
ことを特徴とする請求項１４に記載の逆流防止装置の制御方法。 15. The potential difference between the input voltage at the input voltage terminal and the output voltage at the output voltage terminal is the drain-source voltage between the drain and source of the nMOS transistor. Control method of the backflow prevention device according to 1 .
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