JP7297124B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7297124B2 JP7297124B2 JP2022078786A JP2022078786A JP7297124B2 JP 7297124 B2 JP7297124 B2 JP 7297124B2 JP 2022078786 A JP2022078786 A JP 2022078786A JP 2022078786 A JP2022078786 A JP 2022078786A JP 7297124 B2 JP7297124 B2 JP 7297124B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- film
- wiring
- electrically connected
- potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 description 663
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 217
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 132
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 115
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 68
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 59
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 description 56
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 49
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 46
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 46
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 42
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 34
- 230000006870 function Effects 0.000 description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 34
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 34
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 33
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 25
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 23
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 23
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 23
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 23
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 23
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 21
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 9
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 9
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 6
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 5
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- HPDFFVBPXCTEDN-UHFFFAOYSA-N copper manganese Chemical compound [Mn].[Cu] HPDFFVBPXCTEDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 2
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VUFNLQXQSDUXKB-DOFZRALJSA-N 2-[4-[4-[bis(2-chloroethyl)amino]phenyl]butanoyloxy]ethyl (5z,8z,11z,14z)-icosa-5,8,11,14-tetraenoate Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCC(=O)OCCOC(=O)CCCC1=CC=C(N(CCCl)CCCl)C=C1 VUFNLQXQSDUXKB-DOFZRALJSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000001973 Ficus microcarpa Species 0.000 description 1
- 229910005555 GaZnO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002089 NOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000002011 beta-particle spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000001362 electron spin resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002365 multiple layer Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004098 selected area electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Geometry (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。特に
、本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、記憶装置、情報処理装置、それ
らの駆動方法、または、それらの製造方法に関する。特に、本発明の一態様は、半導体装
置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製
造方法に関する。
メーカーによって異なるが、通常、少なくとも発光素子と、画素へのビデオ信号の入力を
制御するトランジスタ(スイッチング用トランジスタ)と、該発光素子に供給する電流値
を制御するトランジスタ(駆動用トランジスタ)とが、各画素に設けられている。
作製工程において、半導体膜に一導電性を付与する不純物元素の添加などの工程を、一部
省略することができる。下記の特許文献1には、nチャネル型トランジスタのみで画素が
構成されている発光素子型ディスプレイについて、記載されている。
め、画素間において駆動用トランジスタの閾値電圧にばらつきが生じると、発光素子の輝
度にもそのばらつきが反映されてしまう。従って、閾値電圧のばらつきを見越して駆動用
トランジスタの電流値を補正することができる画素構成の提案は、発光装置の画質向上を
図る上で、重要な課題である。
間の輝度のばらつきが抑えられる、発光装置の提供を課題の一つとする。
れらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、
必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。なお、これら以外の課題は、明細
書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求
項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
第2のゲートを有するトランジスタと、上記トランジスタのソース及びドレインの一方と
、上記第1のゲートとの間の電位差を保持する第1の容量素子と、上記トランジスタのソ
ース及びドレインの一方と、上記第2のゲートとの間の電位差を保持する第2の容量素子
と、上記トランジスタの第2のゲートと、配線との間の導通状態を制御するスイッチと、
上記トランジスタのドレイン電流が供給される発光素子と、を備える。
きが抑えられる、発光装置を提供することができる。
れらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、
必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書
、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項
などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び
詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明
は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
路またはコントローラを含むIC等を当該パネルに実装した状態にあるモジュールとを、
その範疇に含む。さらに、本発明の一態様に係る発光装置は、当該発光装置を作製する過
程における、発光素子が完成する前の一形態に相当する素子基板をその範疇に含み、当該
素子基板は、トランジスタと、トランジスタを介して電圧が供給される画素電極とを、複
数の各画素に備える。
域、或いは上記半導体膜に電気的に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジ
スタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に電
気的に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
る電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、nチャネル型トランジスタ
では、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレイ
ンと呼ばれる。また、pチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレ
インと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、
ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明す
る場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わ
る。
は、XとYとが電気的に接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている場合
と、XとYとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。
したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、
図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとす
る。
、など)であるとする。
とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYとの間に接続されていない場合であ
り、XとYとの電気的な接続を可能とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量
素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など)を介さずに
、XとYとが、接続されている場合である。
とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYとの間に1個以上接続されることが
可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイ
ッチは、導通状態(オン状態)、または、非導通状態(オフ状態)になり、電流を流すか
流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択し
て切り替える機能を有している。なお、XとYとが電気的に接続されている場合は、Xと
Yとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
とする回路(例えば、論理回路(インバータ、NAND回路、NOR回路など)、信号変
換回路(DA変換回路、AD変換回路、ガンマ補正回路など)、電位レベル変換回路(電
源回路(昇圧回路、降圧回路など)、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など)
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路(信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など)、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など)が、XとYとの間に1個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、XとYとの間に別の回路を挟んでいても、Xから出力された信号
がYへ伝達される場合は、XとYとは機能的に接続されているものとする。なお、XとY
とが機能的に接続されている場合は、XとYとが直接的に接続されている場合と、XとY
とが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
が電気的に接続されている場合(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟んで
接続されている場合)と、XとYとが機能的に接続されている場合(つまり、XとYとの
間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合)と、XとYとが直接接続されている
場合(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合)と
が、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示
的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合
と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
図1に、本発明の一態様に係る発光装置の、画素10の構成を一例として示す。図1に示
す画素10は、トランジスタ11と、スイッチ16と、容量素子13と、容量素子18と
、発光素子14とを有する。
rganic Light Emitting Diode)などの、電流または電圧に
よって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、OLEDは、EL層と、
陽極と、陰極とを少なくとも有している。EL層は陽極と陰極の間に設けられた単層また
は複数の層で構成されており、これらの層の中に、発光性の物質を含む発光層を少なくと
も含んでいる。EL層は、陰極と陽極間の電位差が、発光素子14の閾値電圧Vthe以
上になったときに供給される電流により、エレクトロルミネッセンスが得られる。エレク
トロルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(蛍光)と三重項
励起状態から基底状態に戻る際の発光(リン光)とが含まれる。
方が共通電極として機能する。図1では、発光素子14の陽極を画素電極として用い、発
光素子14の陰極を共通電極として用いた画素10の構成を例示している。
記第1のゲートと重畳する第2のゲートを有する。図1では、第1のゲートをG1として
図示し、第2のゲートをG2として図示する。
って制御される。スイッチ16は、トランジスタ11が有する第2のゲートへの、配線B
Lの電位の供給を制御する機能を有する。
できる。或いは、スイッチ16は、単数または複数のトランジスタに加えて、容量素子を
用いていても良い。
レインの一方との間の電位差を、保持する機能を有する。容量素子18は、トランジスタ
11の第1のゲートと、トランジスタ11のソース及びドレインの一方との間の電位差を
、保持する機能を有する。
ランジスタ11のソース及びドレインの一方は、発光素子14のアノードに電気的に接続
されている。そして、トランジスタ11のソース及びドレインの他方は、配線VLに電気
的に接続されており、発光素子14のカソードは、配線CLに電気的に接続されている。
また、配線VLの電位は、配線CLの電位に発光素子14の閾値電圧Vtheと、トラン
ジスタ11の閾値電圧Vthとを加算した電位よりも、高いものとする。よって、画像信
号に従ってトランジスタ11のドレイン電流の値が定まると、上記ドレイン電流が発光素
子14に供給されることで、発光素子14は発光の状態となる。
のソース及びドレインの一方は、発光素子14のカソードに電気的に接続されている。そ
して、トランジスタ11のソース及びドレインの他方は配線VLに電気的に接続されてお
り、発光素子14のアノードは、配線CLに電気的に接続されている。また、配線CLの
電位は、配線VLの電位に発光素子14の閾値電圧Vtheと、トランジスタ11の閾値
電圧Vthとを加算した電位よりも、高いものとする。そして、トランジスタ11がnチ
ャネル型である場合と同様に、トランジスタ11がpチャネル型である場合も、画像信号
に従ってトランジスタ11のドレイン電流の値が定まると、上記ドレイン電流が発光素子
14に供給されることで、発光素子14は発光の状態となる。
定める前に、トランジスタ11のソース及びドレインの一方と、第2のゲートとの間の電
圧Vbgを制御することで、トランジスタ11の閾値電圧Vthを補正し、画素10間で
トランジスタ11の閾値電圧Vthにばらつきが生じるのを防ぐ。
供給することで、トランジスタ11をノーマリオンとする。例えば、トランジスタ11が
nチャネル型である場合、電圧Vbgを高くすると閾値電圧Vthはマイナス方向にシフ
トし、トランジスタ11はノーマリオンとなる。また、トランジスタ11がpチャネル型
である場合、電圧Vbgを低くすると閾値電圧Vthはプラス方向にシフトし、トランジ
スタ11はノーマリオンとなる。
関係を示す。電圧Vbgが0のときのトランジスタ11の閾値電圧VthをVth0とす
る。そして、電圧Vbgを0からプラス方向にシフトさせてVbg1とすると、閾値電圧
VthはVth0からマイナス方向にシフトし、Vth1(Vth1<0)となる。
ソース及びドレインの一方との電位差であるゲート電圧Vgsを一定の値に保ち、なおか
つ、トランジスタ11のドレイン電流がトランジスタ11の第2のゲート及び容量素子1
3に流れる構成とする。
荷が移動し、トランジスタ11のソース及びドレインの一方の電位がシフトする。そして
、トランジスタ11のソース及びドレインの一方の電位がシフトするのに伴い、電圧Vb
gが変化するため、トランジスタ11の閾値電圧は、ノーマリオフとなる方向にシフトす
る。例えば、トランジスタ11がnチャネル型である場合、電圧Vbgがマイナス方向に
シフトするため、閾値電圧Vthはプラス方向にシフトする。また、トランジスタ11が
pチャネル型である場合、電圧Vbgがプラス方向にシフトするため、閾値電圧Vthは
マイナス方向にシフトする。
圧Vgsに限りなく近づくと、ドレイン電流が0に収束し、トランジスタ11はオフする
。このときの、トランジスタ11の閾値電圧VthをVth2とする。図9に示すように
、電圧VbgがVbg2となると、ゲート電圧Vgsが一定の値に保たれたトランジスタ
11のドレイン電流が0に収束する。これにより、閾値電圧VthがVth2に補正され
ることとなる。上記電位差ΔV0は、容量素子13に保持される。
値電圧のばらつきが、トランジスタ11のドレイン電流の値に影響を及ぼすのを防ぐこと
ができる。その結果、画素間の輝度のばらつきを抑えることができる。
の電圧Vbgを制御することで、トランジスタ11の閾値電圧Vthを補正することがで
きる画素10の構成について示したが、トランジスタ11のソース及びドレインの一方と
、第1のゲートとの間の電圧Vgsを制御することで、トランジスタ11の閾値電圧Vt
hを補正できるようにしても良い。
る画素10の構成を、一例として示す。図33に示す画素10では、トランジスタ11の
第2のゲートの電位は、配線SLから供給される画像信号に従って制御される。スイッチ
16は、トランジスタ11が有する第1のゲートへの、配線BLの電位の供給を制御する
機能を有する。容量素子13は、トランジスタ11の第1のゲートと、トランジスタ11
のソース及びドレインの一方との間の電位差を、保持する機能を有する。容量素子18は
、トランジスタ11の第2のゲートと、トランジスタ11のソース及びドレインの一方と
の間の電位差を、保持する機能を有する。本発明の一態様では、上記構成により、画像信
号に従ってトランジスタ11のドレイン電流の値を定める前に、トランジスタ11のソー
ス及びドレインの一方と、第1のゲートとの間の電圧Vgsを制御することで、トランジ
スタ11の閾値電圧Vthを補正し、画素10間でトランジスタ11の閾値電圧Vthに
ばらつきが生じるのを防ぐことができる。
図2(A)に、図1に示した画素10の、具体的な構成を一例として示す。
光素子14に加えて、スイッチ15乃至スイッチ17と、容量素子18とを有する。
スタ11の第1のゲートに電気的に接続されている。また、配線SLは、スイッチ15及
びスイッチ12を介して、発光素子14が有する画素電極に電気的に接続されている。ト
ランジスタ11は、ソース及びドレインの一方が、発光素子14の画素電極に電気的に接
続されており、ソース及びドレインの他方が、配線VLに電気的に接続されている。トラ
ンジスタ11の第2のゲートは、スイッチ16を介して配線BLに電気的に接続されてい
る。発光素子14が有する画素電極は、スイッチ17を介して配線ILに電気的に接続さ
れている。容量素子13が有する一対の電極は、一方がトランジスタ11の第2のゲート
に電気的に接続されており、他方が発光素子14の画素電極に電気的に接続されている。
容量素子18が有する一対の電極は、一方がトランジスタ11の第1のゲートに電気的に
接続されており、他方が発光素子14の画素電極に電気的に接続されている。発光素子1
4の共通電極は、配線CLに電気的に接続されている。
す画素10と構成が異なる。
スタ11の第1のゲートに電気的に接続されている。また、配線SLは、スイッチ15、
スイッチ12、及びスイッチ19を介して、発光素子14が有する画素電極に電気的に接
続されている。トランジスタ11は、ソース及びドレインの一方が、スイッチ19を介し
て発光素子14の画素電極に電気的に接続されており、ソース及びドレインの他方が、配
線VLに電気的に接続されている。トランジスタ11の第2のゲートは、スイッチ16を
介して配線BLに電気的に接続されている。発光素子14が有する画素電極は、スイッチ
17及びスイッチ19を介して配線ILに電気的に接続されている。容量素子13が有す
る一対の電極は、一方がトランジスタ11の第2のゲートに電気的に接続されており、他
方がスイッチ19を介して発光素子14の画素電極に電気的に接続されている。容量素子
18が有する一対の電極は、一方がトランジスタ11の第1のゲートに電気的に接続され
ており、他方がスイッチ19を介して発光素子14の画素電極に電気的に接続されている
。発光素子14の共通電極は、配線CLに電気的に接続されている。
、画素の構成例について説明する。図2(A)に示す画素10の、スイッチ12と、スイ
ッチ15乃至スイッチ17としてそれぞれトランジスタを用いた場合の、画素10の構成
例を図3(A)に示す。
トランジスタ12tと、スイッチ15乃至スイッチ17としての機能をそれぞれ有するト
ランジスタ15t乃至トランジスタ17tと、容量素子13、容量素子18、及び発光素
子14とを有する。
配線SLに、ソース及びドレインの他方がトランジスタ11の第1のゲートに、それぞれ
電気的に接続されている。トランジスタ12tは、ゲートが配線GLbに、ソース及びド
レインの一方が発光素子14の画素電極に、ソース及びドレインの他方がトランジスタ1
1の第1のゲートに、それぞれ電気的に接続されている。トランジスタ11は、ソース及
びドレインの一方が発光素子14の画素電極に、ソース及びドレインの他方が配線VLに
、それぞれ電気的に接続されている。トランジスタ16tは、ゲートが配線GLbに、ソ
ース及びドレインの一方が配線BLに、ソース及びドレインの他方がトランジスタ11の
第2のゲートに、それぞれ電気的に接続されている。トランジスタ17tは、ゲートが配
線GLdに、ソース及びドレインの一方が配線ILに、ソース及びドレインの他方が発光
素子14の画素電極に、それぞれ電気的に接続されている。
気的に接続されており、他方が発光素子14の画素電極に電気的に接続されている。容量
素子18が有する一対の電極は、一方がトランジスタ11の第1のゲートに電気的に接続
されており、他方が発光素子14の画素電極に電気的に接続されている。発光素子14の
共通電極は、配線CLに電気的に接続されている。
、画素の構成例について説明する。図2(B)に示す画素10の、スイッチ12と、スイ
ッチ15乃至スイッチ17と、スイッチ19として、それぞれトランジスタを用いた場合
の、画素10の構成例を図3(B)に示す。
トランジスタ12tと、スイッチ15乃至スイッチ17としての機能をそれぞれ有するト
ランジスタ15t乃至トランジスタ17tと、スイッチ19としての機能を有するトラン
ジスタ19tと、容量素子13、容量素子18、及び発光素子14とを有する。
配線SLに、ソース及びドレインの他方がトランジスタ11の第1のゲートに、それぞれ
電気的に接続されている。トランジスタ12tは、ゲートが配線GLbに、ソース及びド
レインの一方がトランジスタ19tのソース及びドレインの一方に、ソース及びドレイン
の他方がトランジスタ11の第1のゲートに、それぞれ電気的に接続されている。トラン
ジスタ11は、ソース及びドレインの一方がトランジスタ19tのソース及びドレインの
一方に、ソース及びドレインの他方が配線VLに、それぞれ電気的に接続されている。ト
ランジスタ16tは、ゲートが配線GLbに、ソース及びドレインの一方が配線BLに、
ソース及びドレインの他方がトランジスタ11の第2のゲートに、それぞれ電気的に接続
されている。トランジスタ17tは、ゲートが配線GLdに、ソース及びドレインの一方
が配線ILに、ソース及びドレインの他方がトランジスタ19tのソース及びドレインの
一方に、それぞれ電気的に接続されている。トランジスタ19tは、ゲートが配線GLc
に、ソース及びドレインの他方が発光素子14の画素電極に、それぞれ電気的に接続され
ている。
気的に接続されており、他方がトランジスタ19tのソース及びドレインの一方に電気的
に接続されている。容量素子18が有する一対の電極は、一方がトランジスタ11の第1
のゲートに電気的に接続されており、他方がトランジスタ19tのソース及びドレインの
一方に電気的に接続されている。発光素子14の共通電極は、配線CLに電気的に接続さ
れている。
としてそれぞれトランジスタを用いた場合の、画素10の別の構成例を図4(A)に示す
。
BLではなく、配線VLに電気的に接続されている点において、図3(B)に示す画素1
0と構成が異なる。
と、スイッチ19として、それぞれトランジスタを用いた場合の、画素10の別の構成例
を図4(B)に示す。
線GLaに電気的に接続されている点において、図3(B)に示す画素10と構成が異な
る。
次いで、図3(B)に示す画素10を例に挙げて、本発明の一態様にかかる発光装置の画
素の動作について説明する。
に入力される画像信号Vdataの、電位のタイミングチャートとを示す。なお、図5に
示すタイミングチャートは、図3(B)に示す画素10に含まれるトランジスタが全てn
チャネル型である場合を例示するものである。また、図6及び図7に、各期間における画
素10の動作を模式的に示す。ただし、図6及び図7では、画素10の動作を分かりやす
く示すために、トランジスタ11以外のトランジスタを、スイッチとして図示する。
ルの電位が与えられ、配線GLcにローレベルの電位が与えられ、配線GLdにハイレベ
ルの電位が与えられる。よって、図6(A)に示すように、トランジスタ12t、トラン
ジスタ16t、及びトランジスタ17tがオンとなり、トランジスタ15t、及びトラン
ジスタ19tはオフとなる。
、発光素子14の共通電極に電気的に接続された配線CLには電位Vcatが、それぞれ
与えられている。よって、トランジスタ11の第1のゲート(ノードAと示す)には電位
V1が与えられ、トランジスタ11の第2のゲート(ノードBと示す)には電位V0が与
えられ、トランジスタ11のソース及びドレインの一方(ノードCと示す)には電位V1
が与えられる。
の閾値電圧Vthとを加算した電位よりも、高くすることが望ましい。そして、電位V0
は、トランジスタ11の閾値電圧Vthをマイナス方向にシフトさせる程度に、ノードC
に対して十分高い電位であることが望ましい。具体的には、図9に示すように、電圧Vb
gが0であるときのトランジスタ11の閾値電圧VthがVth0であるとし、ノードB
とノードCの電位差に相当する電圧VbgをVbg1とする。これにより、期間t1では
、トランジスタ11の閾値電圧VthはVth1となる。上記構成により、トランジスタ
11はノーマリオンとなるため、ノードAとノードCの電位差、すなわち、トランジスタ
11のゲート電圧が0であっても、トランジスタ11をオンにすることができる。
値電圧Vthをプラス方向にシフトさせる程度に、ノードCに対して十分低い電位である
ことが望ましい。上記構成により、トランジスタ11はノーマリオンとなるため、ノード
AとノードCの電位差、すなわち、トランジスタ11のゲート電圧が0であっても、トラ
ンジスタ11をオンにすることができる。
ベルの電位が与えられ、配線GLcにローレベルの電位が与えられ、配線GLdにローレ
ベルの電位が与えられる。よって、図6(B)に示すように、トランジスタ12t及びト
ランジスタ16tがオンとなり、トランジスタ15t、トランジスタ17t、及びトラン
ジスタ19tはオフとなる。
。よって、ノードBに電位V0が与えられた状態が維持されており、期間t2の開始時に
はトランジスタ11の閾値電圧VthはVth1とマイナス方向にシフトしたままなので
、トランジスタ11はオンである。そして、期間t2では、配線VLと配線ILの間の電
流の経路は、スイッチ17により遮断されるので、トランジスタ11のドレイン電流によ
りノードA及びノードCの電位は上昇を始める。ノードCの電位が上昇すると、ノードB
とノードCの電位差に相当する電圧Vbgが低くなり、トランジスタ11の閾値電圧Vt
hはプラス方向にシフトしていく。そして、最終的に、トランジスタ11の閾値電圧Vt
hが0に限りなく近づくと、トランジスタ11はオフする。トランジスタ11の閾値電圧
Vthが0であるときの、ノードBとノードCの電位差はV0-V2とする。
、ゲート電圧0に対してドレイン電流が0に収束するように、その閾値電圧Vthが0に
補正されることとなる。ノードBとノードCの電位差V0-V2は、容量素子13に印加
される。
ベルの電位が与えられ、配線GLcにローレベルの電位が与えられ、配線GLdにハイレ
ベルの電位が与えられる。よって、図7(A)に示すように、トランジスタ15t及びト
ランジスタ17tがオンとなり、トランジスタ12t、トランジスタ16t、及びトラン
ジスタ19tはオフとなる。
が、配線ILには電位V1がそれぞれ与えられている。そして、ノードBはフローティン
グの状態にあるので、ノードCが電位V2から電位V1に変化することで、容量素子13
によりノードBは電位V0から電位V0+V1-V2に変化する。そして、容量素子13
には電位差V0-V2が保持されているため、トランジスタ11の閾値電圧Vthは0に
維持されている。また、ノードAに電位Vdataが与えられ、トランジスタ11のゲー
ト電圧はVdata-V1となる。
ベルの電位が与えられ、配線GLcにハイレベルの電位が与えられ、配線GLdにローレ
ベルの電位が与えられる。よって、図7(B)に示すように、トランジスタ19tがオン
となり、トランジスタ12t、トランジスタ15t、トランジスタ16t、及びトランジ
スタ17tはオフとなる。
CLには電位Vcatが、それぞれ与えられている。期間t4では、トランジスタ19t
がオンになることで、ノードCの電位が変動し、電位V3になると、ノードAは電位Vd
ata+V3-V1、ノードBは電位V0-V2+V3となる。ノードA、ノードB、及
びノードCの電位が変化しても、容量素子13には電位差V0-V2が保持されており、
容量素子18には電位差Vdata-V1が保持されている。そして、配線VLと配線C
Lの間には、トランジスタ11のゲート電圧に対応する値のドレイン電流が流れる。発光
素子14の輝度は、上記ドレイン電流の値に従って定まる。
びドレインの他方と、トランジスタ11の第2のゲートとが電気的に分離しているので、
それぞれの電位を個別に制御することができる。そのため、トランジスタ11がノーマリ
オンである場合に、すなわちトランジスタ11の元の閾値電圧Vth0がマイナスの値を
有している場合に、期間t2においてトランジスタ11のソース及びドレインの一方の電
位が第2のゲートの電位V0よりも高くなるまで、容量素子13に電荷を蓄積することが
できる。よって、本発明の一態様に係る発光装置では、トランジスタ11がノーマリオン
であっても、期間t2において、ゲート電圧0に対してドレイン電流が0に収束するよう
に、その閾値電圧Vthを0に補正することができる。
のゲートとが電気的に分離している、図3(A)、図3(B)、図4(B)に示す画素1
0を有する発光装置では、例えばトランジスタ11の半導体膜に酸化物半導体を用いた場
合などに、トランジスタ11がノーマリオンとなっても、表示ムラを低減でき、高い画質
の表示を行うことができる。
、これに限定されない。例えば、スイッチは、様々な箇所に配置することができる。例え
ば、図6(A)の場合には、図36(A)のような構成となっており、図6(B)の場合
には、図36(B)のような構成となっており、図7(A)の場合には、図37(A)の
ような構成となっており、図7(B)の場合には、図37(B)のような構成となってい
ればよい。それぞれの場合において、このような構成となるように、スイッチを適切な場
所に配置すればよい。
0の動作例に相当する。次いで、内部補正に加えて、閾値電圧のばらつきに起因する画素
10間の輝度のばらつきを、画像信号の補正(以下、外部補正と呼ぶ)により抑える場合
の、画素10の動作について説明する。
GLa乃至配線GLdに入力される電位のタイミングチャートと、配線SLに入力される
画像信号Vdataの、電位のタイミングチャートとを図8に示す。なお、図8に示すタ
イミングチャートは、図3(B)に示す画素10に含まれるトランジスタが全てnチャネ
ル型である場合を例示するものである。
説明に従って画素10は動作する。
ベルの電位が与えられ、配線GLcにローレベルの電位が与えられ、配線GLdにハイレ
ベルの電位が与えられる。よって、トランジスタ17tがオンとなり、トランジスタ12
t、トランジスタ15t、トランジスタ16t、及びトランジスタ19tはオフとなる。
さらに、配線ILは、モニター回路に電気的に接続される。
を介して、モニター回路に供給される。モニター回路は、配線ILに流れたドレイン電流
を用いて、当該ドレイン電流の値を情報として含む信号を生成する。そして、本発明の一
態様にかかる発光装置では、上記信号を用いて、画素10に供給される画像信号の電位V
dataの値を、補正することができる。
。例えば、発光装置において、期間t1乃至期間t4の動作を複数回繰り返した後に、期
間t5の動作を行うようにしても良い。また、一行の画素10において期間t5の動作を
行った後、最小の階調値0に対応する画像信号を、当該動作を行った一行の画素10に書
き込むことで、発光素子14を非発光の状態にした後、次の行の画素10において、期間
t5の動作を行うようにしても良い。
11の閾値電圧のばらつきのみならず、移動度など、閾値電圧以外のトランジスタ11の
電気的特性のばらつきをも補正することができる。ただし、外部補正に加えて内部補正も
行う場合、閾値電圧のマイナスシフト或いはプラスシフトの補正は、内部補正によって行
われる。よって、外部補正では、移動度などの、トランジスタ11における閾値電圧以外
の電気的特性のばらつきを補正すればよい。したがって、外部補正に加えて内部補正も行
う場合、外部補正だけを行う場合にくらべて、補正後における画像信号の電位の振幅を、
小さく抑えることができる。よって、画像信号の電位の振幅が大きすぎるために、階調値
間における画像信号の電位差が大きくなり、画像内の輝度の変化をなめらかなグラデーシ
ョンで表現することが難しくなる、という事態が生じるのを防ぐことができ、画質が低下
するのを防ぐことができる。
b、配線GLd、及び配線SLに与えられる電位のタイミングチャートに従って、同様に
動作させることができる。ただし、図3(A)に示す画素10の場合、期間t2において
、トランジスタ11のドレイン電流が発光素子14に流れないように、電位V0を、発光
素子14の閾値電圧Vthe、及びトランジスタ15tの閾値電圧Vthを、電位Vca
tに加算した電位よりも低くすることが望ましい。
b、配線GLc、配線GLd、及び配線SLに与えられる電位のタイミングチャートに従
って、同様に動作させることができる。
b、配線GLc、及び配線SLに与えられる電位のタイミングチャートに従って、同様に
動作させることができる。
よい。または、配線ILと配線CLとを1本にまとめることによって、配線ILを省略し
てもよい。これにより、配線数を減らすことができる。一例として、図2(A)において
、配線ILを省略した場合の例を、図38(A)に示す。同様に、図2(B)に適用した
場合の例を、図38(B)に示す。他の図面において、同様に適用することが出来る。
次いで、図10に、本発明の一態様に係る発光装置の、画素部の構成を一例として示す。
図10では、画素部40が、マトリクス状に配列された複数の画素10を有している。ま
た、画素部40は、配線GL、配線SL、配線VL、配線BL、配線IL、及び配線CL
(図示しない)を少なくとも有する。複数の各画素10は、配線GLの少なくとも一つと
、配線SLの少なくとも一つと、配線VLの少なくとも一つと、配線BLの少なくとも一
つと、配線ILの少なくとも一つと、配線CLとに、それぞれ電気的に接続されている。
できる。具体的に、図10に示す画素部40の場合、x列×y行の画素10がマトリクス
状に電気的に接続されている。そして、配線GL1乃至配線GLyで示す複数の配線GL
と、配線SL1乃至配線SLxで示す複数の配線SLと、配線VL1乃至配線VLxで示
す複数の配線VLと、配線BL1乃至配線BLxで示す複数の配線BLと、配線IL1乃
至配線ILxで示す複数の配線ILと、一の配線CLとが、画素部40内に配置されてい
る場合を例示している。
GLdの全て、またはいずれか複数をそれぞれ含むものとする。
いて、例えば、図6(A)、図6(B)、図7(B)などの動作が行われている場合、別
の行において、例えば、図7(A)の動作を行うことが出来る。したがって、図6(A)
や図6(B)などの動作を、十分に長い期間にわたって、実行することができる。そのた
め、精度よく補正することが出来る。
に行わない場合には、例えば、配線BLは、配線SLと接続してもよい。または、例えば
、配線BLと配線SLとを1本にまとめることによって、配線BLを省略してもよい。こ
れにより、配線数を減らすことができる。一例として、図2(A)において、配線BLを
省略した場合の例を、図39(A)に示す。同様に、図2(B)に適用した場合の例を、
図39(B)に示す。他の図面において、同様に適用することが出来る。
6(B)に示すような、ノードBとノードCの電位差V0-V2を容量素子13に印加す
る動作を行わないため、図7(A)などにおいて、画像信号の電位Vdataを、点順次
で画素に入力させることができる。その場合の例を図40に示す。スイッチ60A、スイ
ッチ60B、スイッチ60Cなどが、回路61によって制御されながら、順にオンしてい
く。その結果、点順次駆動を行うことが出来る。ここで、回路61は、1個ずつシフトし
た波形を出力することが出来る機能を有している。例えば、回路61は、シフトレジスタ
としての機能を有している。したがって、スイッチ60A、スイッチ60B、スイッチ6
0C、回路61は、ソース線駆動回路としての機能を有しているということもできる。
中の複数の配線において、どれか一つの配線を選択して、画像信号の電位Vdataを入
力していくようにしてもよい。例えば、配線SL1と配線SL2とを、スイッチ62Aと
スイッチ62Bとで選択し、配線SL3と配線SL4とを、スイッチ62Cとスイッチ6
2Dとで選択する場合の例を、図41に示す。図41では、配線63Aが選択されること
によって、スイッチ62Aとスイッチ62Cがオン状態になり、配線63Bが選択される
ことによって、スイッチ62Bとスイッチ62Dなどがオン状態になる。ここでは、2本
の配線SLの中から1本を選択する場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定
されない。さらに多くの配線SLの中から、1本を選択するようにしてもよい。
成の一例を図11に示す。選択回路41は、電位V1が与えられる配線42と、モニター
回路との接続端子TERのいずれか一方を選択する機能を有する。選択された配線42及
び接続端子TERのいずれか一方と、配線ILとの間を、導通状態にすることができる。
を制御するスイッチ43と、上記一の配線ILと接続端子TERとの間の導通状態を制御
するスイッチ44とを有する。
次いで、モニター回路45の構成例を図12に示す。図12に示すモニター回路45は、
オペアンプ46と、容量素子47と、スイッチ48とを有する。
され、容量素子47が有する一対の電極の他方は、オペアンプ46の出力端子に接続され
ている。スイッチ48は、容量素子47に蓄積されている電荷を放出させる機能を有して
おり、具体的には、容量素子47が有する一対の電極間の電気的な導通状態を制御する機
能を有する。オペアンプ46の非反転入力端子(+)は配線49に接続されており、配線
49には電位V1が供給される。
際には、モニター回路45をボルテージフォロワとして機能させる。具体的には、スイッ
チ48をオンにすることで、配線49に供給される電位V1を、モニター回路45を介し
て配線ILに供給することができる。
ず、モニター回路45をボルテージフォロワとして機能させることで、配線ILに電位V
1を供給した後、モニター回路45を積分回路として機能させることで、画素10から取
り出した電流を電圧に変換する。具体的には、スイッチ48をオンにすることで、配線4
9に供給された電位V1を、モニター回路45を介して配線ILに供給した後、スイッチ
48をオフにする。スイッチ48がオフの状態において、画素10から取り出されたドレ
イン電流が配線TERに供給されると、容量素子47に電荷が蓄積され、容量素子47が
有する一対の電極間に電圧が生じる。上記電圧は、配線TERに供給されたドレイン電流
の総量に比例するので、オペアンプ46の出力端子に接続された配線OUTには、所定の
期間内におけるドレイン電流の総量に対応した電位が、与えられる。
図13(A)に、図1に示した画素10の、具体的な構成を一例として示す。
加えて、スイッチ15乃至スイッチ17と、容量素子18とを有する。
ジスタ11の第1のゲートに電気的に接続されている。トランジスタ11は、ソース及び
ドレインの一方が、発光素子14の画素電極に電気的に接続されており、ソース及びドレ
インの他方が、配線VLに電気的に接続されている。トランジスタ11の第2のゲートは
、スイッチ16を介して配線BLに電気的に接続されている。発光素子14が有する画素
電極は、スイッチ17を介して配線ILに電気的に接続されている。容量素子13が有す
る一対の電極は、一方がトランジスタ11の第2のゲートに電気的に接続されており、他
方が発光素子14の画素電極に電気的に接続されている。容量素子18が有する一対の電
極は、一方がトランジスタ11の第1のゲートに電気的に接続されており、他方が発光素
子14の画素電極に電気的に接続されている。発光素子14の共通電極は、配線CLに電
気的に接続されている。
。
に示す画素10と構成が異なる。
ジスタ11の第1のゲートに電気的に接続されている。トランジスタ11は、ソース及び
ドレインの一方が、スイッチ19を介して発光素子14の画素電極に電気的に接続されて
おり、ソース及びドレインの他方が、配線VLに電気的に接続されている。トランジスタ
11の第2のゲートは、スイッチ16を介して配線BLに電気的に接続されている。発光
素子14が有する画素電極は、スイッチ17及びスイッチ19を介して配線ILに電気的
に接続されている。容量素子13が有する一対の電極は、一方がトランジスタ11の第2
のゲートに電気的に接続されており、他方がスイッチ19を介して発光素子14の画素電
極に電気的に接続されている。容量素子18が有する一対の電極は、一方がトランジスタ
11の第1のゲートに電気的に接続されており、他方がスイッチ19を介して発光素子1
4の画素電極に電気的に接続されている。発光素子14の共通電極は、配線CLに電気的
に接続されている。
の、画素の構成例について説明する。図13(A)に示す画素10の、スイッチ15乃至
スイッチ17としてそれぞれトランジスタを用いた場合の、画素10の構成例を図14(
A)に示す。
しての機能をそれぞれ有するトランジスタ15t乃至トランジスタ17tと、容量素子1
3、容量素子18、及び発光素子14とを有する。
配線SLに、ソース及びドレインの他方がトランジスタ11の第1のゲートに、それぞれ
電気的に接続されている。トランジスタ11は、ソース及びドレインの一方が発光素子1
4の画素電極に、ソース及びドレインの他方が配線VLに、それぞれ電気的に接続されて
いる。トランジスタ16tは、ゲートが配線GLbに、ソース及びドレインの一方が配線
BLに、ソース及びドレインの他方がトランジスタ11の第2のゲートに、それぞれ電気
的に接続されている。トランジスタ17tは、ゲートが配線GLdに、ソース及びドレイ
ンの一方が配線ILに、ソース及びドレインの他方が発光素子14の画素電極に、それぞ
れ電気的に接続されている。
気的に接続されており、他方が発光素子14の画素電極に電気的に接続されている。容量
素子18が有する一対の電極は、一方がトランジスタ11の第1のゲートに電気的に接続
されており、他方が発光素子14の画素電極に電気的に接続されている。発光素子14の
共通電極は、配線CLに電気的に接続されている。
の、画素の構成例について説明する。図13(B)に示す画素10の、スイッチ15乃至
スイッチ17と、スイッチ19として、それぞれトランジスタを用いた場合の、画素10
の構成例を図14(B)に示す。
しての機能をそれぞれ有するトランジスタ15t乃至トランジスタ17tと、スイッチ1
9としての機能を有するトランジスタ19tと、容量素子13、容量素子18、及び発光
素子14とを有する。
配線SLに、ソース及びドレインの他方がトランジスタ11の第1のゲートに、それぞれ
電気的に接続されている。トランジスタ11は、ソース及びドレインの一方がトランジス
タ19tのソース及びドレインの一方に、ソース及びドレインの他方が配線VLに、それ
ぞれ電気的に接続されている。トランジスタ16tは、ゲートが配線GLbに、ソース及
びドレインの一方が配線BLに、ソース及びドレインの他方がトランジスタ11の第2の
ゲートに、それぞれ電気的に接続されている。トランジスタ17tは、ゲートが配線GL
dに、ソース及びドレインの一方が配線ILに、ソース及びドレインの他方がトランジス
タ19tのソース及びドレインの一方に、それぞれ電気的に接続されている。トランジス
タ19tは、ゲートが配線GLcに、ソース及びドレインの他方が発光素子14の画素電
極に、それぞれ電気的に接続されている。
気的に接続されており、他方がトランジスタ19tのソース及びドレインの一方に電気的
に接続されている。容量素子18が有する一対の電極は、一方がトランジスタ11の第1
のゲートに電気的に接続されており、他方がトランジスタ19tのソース及びドレインの
一方に電気的に接続されている。発光素子14の共通電極は、配線CLに電気的に接続さ
れている。
トランジスタを用いた場合の、画素10の別の構成例を図15(A)に示す。
線BLではなく、配線VLに電気的に接続されている点において、図14(B)に示す画
素10と構成が異なる。
9として、それぞれトランジスタを用いた場合の、画素10の別の構成例を図15(B)
に示す。
配線GLaに電気的に接続されている点において、図14(B)に示す画素10と構成が
異なる。
次いで、図14(B)に示す画素10を例に挙げて、本発明の一態様にかかる発光装置の
画素の動作について説明する。
Lに入力される画像信号Vdataの、電位のタイミングチャートとを示す。なお、図1
6に示すタイミングチャートは、図14(B)に示す画素10に含まれるトランジスタが
全てnチャネル型である場合を例示するものである。
ルの電位が与えられ、配線GLcにローレベルの電位が与えられ、配線GLdにハイレベ
ルの電位が与えられる。よって、トランジスタ15t、トランジスタ16t、及びトラン
ジスタ17tがオンとなり、トランジスタ19tはオフとなる。
、配線ILには電位V1が、発光素子14の共通電極に電気的に接続された配線CLには
電位Vcatが、それぞれ与えられている。よって、トランジスタ11の第1のゲート(
ノードAと示す)には電位V4が与えられ、トランジスタ11の第2のゲート(ノードB
と示す)には電位V0が与えられ、トランジスタ11のソース及びドレインの一方(ノー
ドCと示す)には電位V1が与えられる。
の閾値電圧Vthとを加算した電位よりも、高くすることが望ましい。そして、電位V0
は、トランジスタ11の閾値電圧Vthをマイナス方向にシフトさせる程度に、ノードC
に対して十分高い電位であることが望ましい。具体的には、図9に示すように、電圧Vb
gが0であるときのトランジスタ11の閾値電圧VthがVth0であるとすると、期間
t1では、ノードBとノードCの電位差に相当する電圧VbgをVbg1とし、それによ
って、トランジスタ11の閾値電圧VthをVth1とする。上記構成により、トランジ
スタ11はノーマリオンとなるため、ノードAとノードCの電位差、すなわち、トランジ
スタ11のゲート電圧がV4-V1であっても、トランジスタ11をオンにすることがで
きる。
値電圧Vthをプラス方向にシフトさせる程度に、ノードCに対して十分低い電位である
ことが望ましい。上記構成により、トランジスタ11はノーマリオンとなるため、ノード
AとノードCの電位差、すなわち、トランジスタ11のゲート電圧がV4-V1であって
も、トランジスタ11をオンにすることができる。
ベルの電位が与えられ、配線GLcにローレベルの電位が与えられ、配線GLdにローレ
ベルの電位が与えられる。よって、トランジスタ16tがオンとなり、トランジスタ15
t、トランジスタ17t、及びトランジスタ19tはオフとなる。
。よって、ノードBに電位V0が与えられた状態が維持されており、期間t2の開始時に
はトランジスタ11の閾値電圧VthはVth1とマイナス方向にシフトしたままなので
、トランジスタ11はオンである。そして、期間t2では、配線VLと配線ILの間の電
流の経路は、スイッチ17により遮断されるので、トランジスタ11のドレイン電流によ
りノードA及びノードCの電位は上昇を始める。ノードCの電位が上昇すると、ノードB
とノードCの電位差に相当する電圧Vbgが低くなり、トランジスタ11の閾値電圧Vt
hはプラス方向にシフトしていく。そして、最終的に、トランジスタ11の閾値電圧Vt
hがトランジスタ11のゲート電圧V4-V1に限りなく近づくと、トランジスタ11は
オフする。トランジスタ11の閾値電圧VthがV4-V1であるときの、ノードBとノ
ードCの電位差はV0-V2とする。
、ゲート電圧V4-V1に対してドレイン電流が0に収束するように、その閾値電圧Vt
hがV4-V1に補正されることとなる。ノードBとノードCの電位差V0-V2は、容
量素子13に印加される。
ベルの電位が与えられ、配線GLcにローレベルの電位が与えられ、配線GLdにハイレ
ベルの電位が与えられる。よって、トランジスタ15t及びトランジスタ17tがオンと
なり、トランジスタ16t、及びトランジスタ19tはオフとなる。
が、配線ILには電位V1がそれぞれ与えられている。そして、ノードBはフローティン
グの状態にあるので、ノードCが電位V2から電位V1に変化することで、容量素子13
によりノードBは電位V0から電位V0+V1-V2に変化する。そして、容量素子13
には電位差V0-V2が保持されているため、トランジスタ11の閾値電圧VthはV4
-V1に維持されている。また、ノードAに電位Vdataが与えられ、トランジスタ1
1のゲート電圧はVdata-V1となる。
ベルの電位が与えられ、配線GLcにハイレベルの電位が与えられ、配線GLdにローレ
ベルの電位が与えられる。よって、トランジスタ19tがオンとなり、トランジスタ15
t、トランジスタ16t、及びトランジスタ17tはオフとなる。
CLには電位Vcatが、それぞれ与えられている。期間t4では、トランジスタ19t
がオンになることで、ノードCの電位が変動し、電位V3になると、ノードAは電位Vd
ata+V3-V1、ノードBは電位V0-V2+V3となる。ノードA、ノードB、及
びノードCの電位が変化しても、容量素子13には電位差V0-V2が保持されており、
容量素子18には電位差Vdata-V1が保持されている。そして、配線VLと配線C
Lの間には、トランジスタ11のゲート電圧に対応する値のドレイン電流が流れる。発光
素子14の輝度は、上記ドレイン電流の値に従って定まる。
及びドレインの他方と、トランジスタ11の第2のゲートとが電気的に分離しているので
、それぞれの電位を個別に制御することができる。そのため、トランジスタ11がノーマ
リオンである場合に、すなわちトランジスタ11の元の閾値電圧Vth0がマイナスの値
を有している場合に、期間t2においてトランジスタ11のソース及びドレインの一方の
電位が第2のゲートの電位V0よりも高くなるまで、容量素子13に電荷を蓄積すること
ができる。よって、本発明の一態様に係る発光装置では、トランジスタ11がノーマリオ
ンであっても、期間t2において、ゲート電圧V4-V1に対してドレイン電流が0に収
束するように、その閾値電圧VthをV4-V1に補正することができる。
のゲートとが電気的に分離している、図14(A)、図14(B)、図15(B)に示す
画素10を有する発光装置では、例えばトランジスタ11の半導体膜に酸化物半導体を用
いた場合などに、トランジスタ11がノーマリオンとなっても、表示ムラを低減でき、高
い画質の表示を行うことができる。
閾値電圧のばらつきに起因する画素10間の輝度のばらつきを、外部補正により抑える場
合の、画素10の動作について説明する。
t1乃至期間t4までは、図16に示すタイミングチャートと同様に、上述した説明に従
って画素10は動作する。
Lbにローレベルの電位が与えられ、配線GLcにローレベルの電位が与えられ、配線G
Ldにハイレベルの電位が与えられる。よって、トランジスタ17tがオンとなり、トラ
ンジスタ15t、トランジスタ16t、及びトランジスタ19tはオフとなる。
さらに、配線ILは、モニター回路に電気的に接続される。
を介して、モニター回路に供給される。モニター回路は、配線ILに流れたドレイン電流
を用いて、当該ドレイン電流の値を情報として含む信号を生成する。そして、本発明の一
態様にかかる発光装置では、上記信号を用いて、画素10に供給される画像信号の電位V
dataの値を、補正することができる。
。例えば、発光装置において、期間t1乃至期間t4の動作を複数回繰り返した後に、期
間t5の動作を行うようにしても良い。また、一行の画素10において期間t5の動作を
行った後、最小の階調値0に対応する画像信号を、当該動作を行った一行の画素10に書
き込むことで、発光素子14を非発光の状態にした後、次の行の画素10において、期間
t5の動作を行うようにしても良い。
線GLd、及び配線SLに与えられる電位のタイミングチャートに従って、同様に動作さ
せることができる。また、外部補正の動作も、図14(B)に示す画素と同様に行うこと
ができる。ただし、図14(A)に示す画素10の場合、期間t2において、トランジス
タ11のドレイン電流が発光素子14に流れないように、電位V0を、発光素子14の閾
値電圧Vthe、及びトランジスタ15tの閾値電圧Vthを、電位Vcatに加算した
電位よりも低くすることが望ましい。
線GLc、配線GLd、及び配線SLに与えられる電位のタイミングチャートに従って、
同様に動作させることができる。また、外部補正の動作も、図14(B)に示す画素と同
様に行うことができる。
線GLc、及び配線SLに与えられる電位のタイミングチャートに従って、同様に動作さ
せることができる。また、外部補正の動作も、図14(B)に示す画素と同様に行うこと
ができる。
次いで、チャネル形成領域が酸化物半導体膜で形成されているトランジスタ(OSトラン
ジスタ)について説明する。
ジスタ(TA1、TA2、TB1)の上面図(レイアウト図)と、それぞれの回路記号を
示す。図28は、トランジスタ(TA1、TA2、TB1)の断面図である。トランジス
タTA1のa1-a2線およびb1-b2線による断面図、トランジスタTA2のa3-
a4線およびb3-b4線による断面図、ならびにトランジスタTB1のa5-a6線、
b5-b6線による断面図を、図28(A)、図28(B)に示す。これらトランジスタ
のチャネル長方向の断面構造が、図28(A)に示され、同チャネル幅方向の断面構造が
図28(B)に示されている。
、同一絶縁表面上に集積されており、これらのトランジスタは、同一の作製工程で作成す
ることが可能である。なお、ここでは、デバイス構造の明瞭化のため、各トランジスタの
ゲート(G)、ソース(S)、およびドレイン(D)への電位や電源の供給するための配
線との電気的な接続は省略している。
(G)とバックゲート(BG)を有するトランジスタである。ゲート(G)及びバックゲ
ート(BG)は、いずれか一方が第1のゲートに相当し、他方が第2のゲートに相当する
。トランジスタTA1、トランジスタTA2はバックゲートをゲートに接続した構造とし
ている。トランジスタTB1(図27(C))は、BGを有さないトランジスタである。
図28に示すように、これらのトランジスタ(TA1、TA2、TB1)は、基板30に
形成されている。以下、図27、図28を参照して、これらのトランジスタの構成を説明
する。
トランジスタTA1は、ゲート電極GE1、ソース電極SE1、ドレイン電極DE1、バ
ックゲート電極BGE1、および酸化物半導体膜OS1を有する。
酸化物半導体膜OS1をOS1や膜OS1と呼ぶなど、素子や素子の構成要素を省略して
呼ぶ場合がある。また、信号、電位、回路などについても同様に省略する場合がある。
間の距離とする。また、OSトランジスタのチャネル幅は、酸化物半導体膜とゲート電極
が重なる領域でのソース電極またはドレイン電極の幅とする。トランジスタTA1のチャ
ネル長は、La1であり、チャネル幅はWa1である。
に接して一対の電極(SE1、DE1)が形成されている。図27(A)に示すように、
膜OS1は、電極GE1および一対の電極(SE1、DE1)と重ならない部分を有して
いる。膜OS1は、チャネル長方向の長さがチャネル長La1よりも長く、かつチャネル
幅方向の長さがチャネル幅Wa1よりも長い。
いる。絶縁膜35上に電極BGE1が形成されている。電極BGE1は、膜OS1および
電極GE1と重なるように設けられている。ここでは、一例として、電極GE1と同じ形
状で、同じ位置に配置されるように電極BGE1を設けている。電極BGE1は、絶縁膜
34絶縁膜35および絶縁膜36を貫通する開口CG1において、電極GE1に接してい
る。この構造により、トランジスタTA1のゲートとバックゲートが電気的に接続される
。
オン電流を増加させることができる。バックゲートBGE1を設けることで、トランジス
タTA1の強度を向上させることができる。基板30の曲げ等の変形に対して、電極BG
E1が補強部材となってトランジスタTA1を壊れにくくすることができる。
半導体膜(31、32、33)でなる3層構造としている。膜OS1を構成する酸化物半
導体膜は、少なくとも1つ同じ金属元素を含む金属酸化物膜であることが好ましく、In
を含むことが特に好ましい。トランジスタの半導体膜を構成することが可能なInを含む
金属酸化物としては、In-Ga酸化物膜、In-M-Zn酸化物膜(MはAl、Ga、
Y、Zr、La、Ce、またはNd)が代表的である。また、このような金属酸化物膜に
他の元素や材料を添加した膜を用いることもできる。
』は、後述するトランジスタTA2およびトランジスタTB1のチャネル形成領域を構成
する膜でもある。そのため、トランジスタTA2およびトランジスタTB1に要求される
電気的特性(例えば、電界効果移動度、しきい値電圧など)に応じて、適切な組成の酸化
物半導体膜を用いればよい。例えば、『33』にチャネルが形成されるように、酸化物半
導体膜31-32の主成分である金属元素の組成を調節することが好ましい。
ネル形成領域が絶縁膜34、35に接しないようにすることができる。また、酸化物半導
体膜31-32を少なくとも1つ同じ金属元素を含む金属酸化物膜とすることで、『32
』と『31』の界面、および『32』と『33』の界面において、界面散乱が起こりにく
くすることができる。これにより、トランジスタTA1の電界効果移動度をトランジスタ
TA2やトランジスタTB1よりも高くすることができる、また、オン状態でのドレイン
電流(オン電流)を増加させることができる。
トランジスタTA2は、ゲート電極GE2、ソース電極SE2、ドレイン電極DE2、バ
ックゲート電極BGE2、および酸化物半導体膜OS2を有する。電極BGE2は、絶縁
膜34乃至絶縁膜36を貫通する開口CG2において電極GE2に接している。トランジ
スタTA2は、トランジスタTA1の変形例であり、膜OS2が酸化物半導体膜33でな
る単層構造である点でトランジスタTA1と異なり、その他については同様である。ここ
では、トランジスタTA2のチャネル長La2、チャネル幅Wa2は、トランジスタTA
1のチャネル長La1、チャネル幅Wa1と等しくなるようにしている。
トランジスタTB1は、ゲート電極GE3、ソース電極SE3、ドレイン電極DE3およ
び酸化物半導体膜OS3を有する。トランジスタTB1は、トランジスタTA2の変形例
である。トランジスタTA2と同様に、膜OS3が酸化物半導体膜33でなる単層構造で
ある。トランジスタTA2とは、バックゲート電極を有していない点で異なる。また、膜
OS3および電極(GE3、SE3、DE3)のレイアウトが異なる。図27(C)に示
すように、膜OS3は、電極GE3と重なっていない領域は、電極SE3または電極DE
3の何れかと重なっている。そのため、トランジスタTB1のチャネル幅Wb1は、膜O
S3の幅で決定されている。チャネル長Lb1は、トランジスタTA2と同様、電極SE
3と電極DE3間の距離で決定され、ここでは、トランジスタTA2のチャネル長La2
よりも長くしている。
絶縁膜34、絶縁膜35および絶縁膜36は、基板30のトランジスタ(TA1、TA2
、TB1)が形成される領域全体に形成される膜である。絶縁膜34、絶縁膜35、及び
絶縁膜36は、単層あるいは複数層の絶縁膜で形成される。絶縁膜34は、トランジスタ
(TA1、TA2、TB1)のゲート絶縁膜を構成する膜である。また、絶縁膜35およ
び絶縁膜36は、トランジスタ(TA1、TA2、TB1)のバックチャネル側のゲート
絶縁膜を構成する膜である。また、最上面の絶縁膜36は、基板30に形成されるトラン
ジスタの保護膜として機能するような材料で形成することが好ましい。絶縁膜36は適宜
設ければよい。3層目の電極BGE1と2層目の電極(SE1、DE1)を絶縁するため
に、これらの間に少なくとも1層絶縁膜が存在していればよい。
ることができる。これら絶縁膜34乃至絶縁膜36を構成する絶縁膜としては、酸化アル
ミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒
化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、
酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタル等でなる膜があげられ
る。また、これらの絶縁膜は、スパッタリング法、CVD法、MBE法、ALD法または
PLD法を用いて形成することができる。
ここでは、OSトランジスタの半導体膜を構成する酸化物半導体膜について説明する。膜
OS1にように半導体膜を多層構造とする場合、これらを構成する酸化物半導体膜は、少
なくとも1つ同じ金属元素を含む金属酸化物膜であることが好ましく、Inを含むことが
好ましい。
小さくする。In-M-Zn酸化物膜(MはAl、Ga、Y、Zr、La、Ce、または
Nd)の場合、Inの原子数比をMの原子数比よりも小さくする。この場合、Znの原子
数比が最も大きくなるようにすることができる。
大きくする。In-M-Zn酸化物膜の場合、Inの原子数比をMの原子数比よりも大き
くする。In-M-Zn酸化物膜では、Inの原子数比がMおよびZnの原子数比よりも
大きくすることが好ましい。
にする、または小さくする。In-M-Zn酸化物膜の場合、Inの原子数比をMの原子
数比と同じにする。この場合、Znの原子数比が、InおよびMよりも大きくすることが
できる。ここでは、『33』は、後述するトランジスタTA2、トランジスタTB1のチ
ャネル形成領域を構成する膜でもある。
場合は、ターゲットの構成材料の原子数比等を調節することで可能である。また、CVD
法で成膜する場合は、原料ガスの流量比などを調節することで可能である。以下、酸化物
半導体膜31乃至酸化物半導体膜33として、スパッタリング法でIn-M-Zn酸化物
膜を形成する場合を例に、成膜に使用されるターゲットについて述べる。これらの膜を成
膜するために、In-M-Zn酸化物でなるターゲットが用いられる。
と、x1/y1は、1/6以上1未満であることが好ましい。また、z1/y1は、1/
3以上6以下、さらには1以上6以下であることが好ましい。
:M:Zn=1:3:4、In:M:Zn=1:3:6、In:M:Zn=1:3:8、
In:M:Zn=1:4:4、In:M:Zn=1:4:5、In:M:Zn=1:4:
6、In:M:Zn=1:4:7、In:M:Zn=1:4:8、In:M:Zn=1:
5:5、In:M:Zn=1:5:6、In:M:Zn=1:5:7、In:M:Zn=
1:5:8、In:M:Zn=1:6:8等がある。
と、x2/y2は、1より大きく6以下であることが好ましい。また、z2/y2は1よ
り大きく6以下であることが好ましい。ターゲットの金属元素の原子数比の代表例として
は、In:M:Zn=2:1:1.5、In:M:Zn=2:1:2.3、In:M:Z
n=2:1:3、In:M:Zn=3:1:2、In:M:Zn=3:1:3、In:M
:Zn=3:1:4等がある。
と、x3/y3は、1/6以上1以下であることが好ましい。また、z3/y3は、1/
3以上6以下、さらには1以上6以下であることが好ましい。ターゲットの金属元素の原
子数比の代表例としては、In:M:Zn=1:1:1、In:M:Zn=1:1:1.
2、In:M:Zn=1:3:2、In:M:Zn=1:3:4、In:M:Zn=1:
3:6、In:M:Zn=1:3:8、In:M:Zn=1:4:4、In:M:Zn=
1:4:5、In:M:Zn=1:4:6、In:M:Zn=1:4:7、In:M:Z
n=1:4:8、In:M:Zn=1:5:5、In:M:Zn=1:5:6、In:M
:Zn=1:5:7、In:M:Zn=1:5:8、In:M:Zn=1:6:8等があ
る。
Zn=x:y:zとした場合、1≦z/y≦6とすることで、In-M-Zn酸化物膜と
してCAAC-OS膜が形成されやすくなるため好ましい。なお、CAAC-OS膜につ
いては後述する。
膜を用いる。例えば、酸化物半導体膜31乃至酸化物半導体膜33として、キャリア密度
が1×1017個/cm3以下、好ましくは1×1015個/cm3以下、さらに好まし
くは1×1013個/cm3以下の酸化物半導体膜を用いる。特に、酸化物半導体膜31
乃至酸化物半導体膜33として、キャリア密度が、8×1011個/cm3未満、より好
ましくは1×1011個/cm3未満、さらに好ましくは1×1010個/cm3未満で
あり、且つ、1×10-9個/cm3以上の酸化物半導体膜を用いることが好ましい。
低い酸化物半導体膜を用いることで、さらに優れた電気的特性を有するトランジスタを作
製することができる。ここでは、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低い(酸素欠損の少
ない)ことを高純度真性または実質的に高純度真性とよぶ。高純度真性または実質的に高
純度真性である酸化物半導体は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くする
ことができる場合がある。従って、当該酸化物半導体膜にチャネル領域が形成されるトラ
ンジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気的特性(ノーマリオンともいう。)にな
ることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、
欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。また、高純度真性ま
たは実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、オフ電流が著しく小さく、チャネル幅
が1×106μmでチャネル長Lが10μmの素子であっても、ソース電極とドレイン電
極間の電圧(ドレイン電圧)が1Vから10Vの範囲において、オフ電流が、半導体パラ
メータアナライザの測定限界以下、すなわち1×10-13A以下という特性を得ること
ができる。従って、当該酸化物半導体膜にチャネル領域が形成されるトランジスタは、電
気的特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる。不純物としては、水素、窒
素、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属等がある。
素が脱離した格子(または酸素が脱離した部分)に酸素欠損が形成される。当該酸素欠損
に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が
金属原子と結合する酸素と結合することで、キャリアである電子を生成する場合がある。
従って、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリオン特性とな
りやすい。
限り低減されていることが好ましい。具体的には、酸化物半導体膜31乃至酸化物半導体
膜33において、二次イオン質量分析法(SIMS:Secondary Ion Ma
ss Spectrometry)により得られる水素濃度を、5×1019atoms
/cm3以下、より好ましくは1×1019atoms/cm3以下、5×1018at
oms/cm3未満、好ましくは1×1018atoms/cm3以下、より好ましくは
5×1017atoms/cm3以下、さらに好ましくは1×1016atoms/cm
3以下とする。
が含まれると、膜中の酸素欠損が増加し、これらの膜がn型化してしまう。このため、酸
化物半導体膜31乃至酸化物半導体膜33におけるシリコンや炭素の濃度(二次イオン質
量分析法により得られる濃度)を、2×1018atoms/cm3以下、好ましくは2
×1017atoms/cm3以下とする。
り得られるアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、1×1018atoms/c
m3以下、好ましくは2×1016atoms/cm3以下にする。アルカリ金属及びア
ルカリ土類金属は、酸化物半導体と結合するとキャリアを生成する場合があり、トランジ
スタのオフ電流が増大してしまうことがある。このため、酸化物半導体膜31乃至酸化物
半導体膜33のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を低減することが好ましい。
子が生じ、キャリア密度が増加し、n型化しやすい。そのため窒素が含まれている酸化物
半導体を用いたトランジスタはノーマリオン特性となりやすいので、酸化物半導体膜31
乃至酸化物半導体膜33の窒素含有量はできる限り低減されていることが好ましい、例え
ば、二次イオン質量分析法により得られる窒素濃度を5×1018atoms/cm3以
下にすることが好ましい。
、必要とするトランジスタの半導体特性及び電気的特性(電界効果移動度、しきい値電圧
等)に応じて適切な組成の酸化物半導体膜を用いればよい。また、必要とするトランジス
タの半導体特性及び電気的特性を得るために、酸化物半導体膜31乃至酸化物半導体膜3
3のキャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密
度等を適切なものとすることが好ましい。
Nd)の原子数比よりもInの原子数比が大きい酸化物半導体膜32でチャネルが形成さ
れるため、電界効果移動度を高くすることができる。代表的には、その電界効果移動度は
、10cm2/Vsより大きく60cm2/Vs未満、好ましくは15cm2/Vs以上
50cm2/Vs未満である。そのため、アクティブマトリクス型表示装置の回路にトラ
ンジスタTA1を用いる場合は、高速動作が要求される駆動回路に好適である。
効果移動度を有するトランジスタTA1を駆動回路に設けることで、駆動周波数を高くす
ることができるため、より高精細な表示装置を実現することができる。
ランジスタTA1よりも電界効果移動度が低く、その大きさは、3cm2/Vs以上10
cm2/Vs以下程度である。トランジスタTA2、TB1は、酸化物半導体膜32を有
していないため、トランジスタTA1よりも光によって劣化しにくく、光照射によるオフ
電流の増大量が少ない。そのため、チャネル形成領域が酸化物半導体膜33で形成される
トランジスタTA2、TB1は光が照射されるような画素部に好適である。
光が照射されるとオフ状態における電流が増大しやすい。トランジスタTA1が画素部の
ように遮光が十分できない画素部よりも光の影響が少ない周辺駆動回路に適している理由
の1つである。また、もちろん、トランジスタTA2、TB1のような構成のトランジス
タも、駆動回路に設けることが可能である。
膜33について述べたが、これらに限られず、必要とするトランジスタの半導体特性及び
電気的特性に応じて、トランジスタの構成を変更すればよい。例えば、バックゲート電極
の有無、酸化物半導体膜の積層構造、酸化物半導体膜、ゲート電極、ソース電極およびド
レイン電極の形状や配置等を適宜変更することができる。
次に、酸化物半導体の構造について説明する。
置されている状態をいう。したがって、-5°以上5°以下の場合も含まれる。また、「
略平行」とは、二つの直線が-30°以上30°以下の角度で配置されている状態をいう
。また、「垂直」とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状
態をいう。したがって、85°以上95°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは
、二つの直線が60°以上120°以下の角度で配置されている状態をいう。
。
たは、酸化物半導体は、例えば、結晶性酸化物半導体と非晶質酸化物半導体とに分けられ
る。
Crystalline Oxide Semiconductor)、多結晶酸化物
半導体、微結晶酸化物半導体、非晶質酸化物半導体などがある。また、結晶性酸化物半導
体としては、単結晶酸化物半導体、CAAC-OS、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物
半導体などがある。
scope)によって、CAAC-OS膜の明視野像および回折パターンの複合解析像(
高分解能TEM像ともいう。)を観察することで複数の結晶部を確認することができる。
一方、高分解能TEM像によっても明確な結晶部同士の境界、即ち結晶粒界(グレインバ
ウンダリーともいう。)を確認することができない。そのため、CAAC-OS膜は、結
晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子の各層は、
CAAC-OS膜の膜を形成する面(被形成面ともいう。)または上面の凹凸を反映した
形状であり、CAAC-OS膜の被形成面または上面と平行に配列する。
ると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列していることを確認で
きる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られない。
置を用いて構造解析を行うと、例えばInGaZnO4の結晶を有するCAAC-OS膜
のout-of-plane法による解析では、回折角(2θ)が31°近傍にピークが
現れる場合がある。このピークは、InGaZnO4の結晶の(009)面に帰属される
ことから、CAAC-OS膜の結晶がc軸配向性を有し、c軸が被形成面または上面に略
垂直な方向を向いていることが確認できる。
による解析では、2θが31°近傍のピークの他に、2θが36°近傍にもピークが現れ
る場合がある。2θが36°近傍のピークは、CAAC-OS膜中の一部に、c軸配向性
を有さない結晶が含まれることを示している。CAAC-OS膜は、2θが31°近傍に
ピークを示し、2θが36°近傍にピークを示さないことが好ましい。
シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体膜の主成分以外の元素である。特に、シリコ
ンなどの、酸化物半導体膜を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化
物半導体膜から酸素を奪うことで酸化物半導体膜の原子配列を乱し、結晶性を低下させる
要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径
(または分子半径)が大きいため、酸化物半導体膜内部に含まれると、酸化物半導体膜の
原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体膜に含まれる不純
物は、キャリアトラップやキャリア発生源となる場合がある。
半導体膜中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによって
キャリア発生源となることがある。
実質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜
は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。したがって、
当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性(
ノーマリーオンともいう。)になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純
度真性である酸化物半導体膜は、キャリアトラップが少ない。そのため、当該酸化物半導
体膜を用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとな
る。なお、酸化物半導体膜のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要す
る時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度が
高く、欠陥準位密度が高い酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、電気特性が不安定と
なる場合がある。
の変動が小さい。
域と、明確な結晶部を確認することのできない領域と、を有する。微結晶酸化物半導体膜
に含まれる結晶部は、1nm以上100nm以下、または1nm以上10nm以下の大き
さであることが多い。特に、1nm以上10nm以下、または1nm以上3nm以下の微
結晶であるナノ結晶(nc:nanocrystal)を有する酸化物半導体膜を、nc
-OS(nanocrystalline Oxide Semiconductor)
膜と呼ぶ。また、nc-OS膜は、例えば、高分解能TEM像では、結晶粒界を明確に確
認できない場合がある。
3nm以下の領域)において原子配列に周期性を有する。また、nc-OS膜は、異なる
結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。し
たがって、nc-OS膜は、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体膜と区別が付かな
い場合がある。例えば、nc-OS膜に対し、結晶部よりも大きい径のX線を用いるXR
D装置を用いて構造解析を行うと、out-of-plane法による解析では、結晶面
を示すピークが検出されない。また、nc-OS膜に対し、結晶部よりも大きいプローブ
径(例えば50nm以上)の電子線を用いる電子回折(制限視野電子回折ともいう。)を
行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、nc-OS膜に対し
、結晶部の大きさと近いか結晶部より小さいプローブ径の電子線を用いるナノビーム電子
回折を行うと、スポットが観測される。また、nc-OS膜に対しナノビーム電子回折を
行うと、円を描くように(リング状に)輝度の高い領域が観測される場合がある。また、
nc-OS膜に対しナノビーム電子回折を行うと、リング状の領域内に複数のスポットが
観測される場合がある。
ため、nc-OS膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、
nc-OS膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、nc-O
S膜は、CAAC-OS膜と比べて欠陥準位密度が高くなる。
物半導体膜である。石英のような無定形状態を有する酸化物半導体膜が一例である。
lane法による解析では、結晶面を示すピークが検出されない。また、非晶質酸化物半
導体膜に対し、電子回折を行うと、ハローパターンが観測される。また、非晶質酸化物半
導体膜に対し、ナノビーム電子回折を行うと、スポットが観測されず、ハローパターンが
観測される。
を有する場合がある。そのような構造を有する酸化物半導体膜を、特に非晶質ライク酸化
物半導体(a-like OS:amorphous-like Oxide Semi
conductor)膜と呼ぶ。
る場合がある。また、高分解能TEM像において、明確に結晶部を確認することのできる
領域と、結晶部を確認することのできない領域と、を有する。a-like OS膜は、
TEMによる観察程度の微量な電子照射によって、結晶化が起こり、結晶部の成長が見ら
れる場合がある。一方、良質なnc-OS膜であれば、TEMによる観察程度の微量な電
子照射による結晶化はほとんど見られない。
EM像を用いて行うことができる。例えば、InGaZnO4の結晶は層状構造を有し、
In-O層の間に、Ga-Zn-O層を2層有する。InGaZnO4の結晶の単位格子
は、In-O層を3層有し、またGa-Zn-O層を6層有する、計9層がc軸方向に層
状に重なった構造を有する。よって、これらの近接する層同士の間隔は、(009)面の
格子面間隔(d値ともいう。)と同程度であり、結晶構造解析からその値は0.29nm
と求められている。そのため、高分解能TEM像における格子縞に着目し、格子縞の間隔
が0.28nm以上0.30nm以下である箇所においては、それぞれの格子縞がInG
aZnO4の結晶のa-b面に対応する。
体膜の組成がわかれば、該組成と同じ組成における単結晶の密度と比較することにより、
その酸化物半導体膜の構造を推定することができる。例えば、単結晶の密度に対し、a-
like OS膜の密度は78.6%以上92.3%未満となる。また、例えば、単結晶
の密度に対し、nc-OS膜の密度およびCAAC-OS膜の密度は92.3%以上10
0%未満となる。なお、単結晶の密度に対し密度が78%未満となる酸化物半導体膜は、
成膜すること自体が困難である。
数比]を満たす酸化物半導体膜において、菱面体晶構造を有する単結晶InGaZnO4
の密度は6.357g/cm3となる。よって、例えば、In:Ga:Zn=1:1:1
[原子数比]を満たす酸化物半導体膜において、a-like OS膜の密度は5.0g
/cm3以上5.9g/cm3未満となる。また、例えば、In:Ga:Zn=1:1:
1[原子数比]を満たす酸化物半導体膜において、nc-OS膜の密度およびCAAC-
OS膜の密度は5.9g/cm3以上6.3g/cm3未満となる。
単結晶を組み合わせることにより、所望の組成の単結晶に相当する密度を算出することが
できる。所望の組成の単結晶の密度は、組成の異なる単結晶を組み合わせる割合に対して
、加重平均を用いて算出すればよい。ただし、密度は、可能な限り少ない種類の単結晶を
組み合わせて算出することが好ましい。
晶酸化物半導体膜、CAAC-OS膜のうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
基板30としては、様々な基板を用いることができ、特定のものに限定されることはない
。基板30の一例としては、半導体基板(例えば単結晶基板又はシリコン基板)、SOI
基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、
ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを
有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィル
ムなどがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケ
イ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基
材フィルムなどの一例としては、以下のものがあげられる。例えば、ポリエチレンテレフ
タレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(
PES)に代表されるプラスチックがある。または、一例としては、アクリル等の合成樹
脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニ
ル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、
アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。特に、半導体基板、単結
晶基板、又はSOI基板などを用いてトランジスタを製造することによって、特性、サイ
ズ、又は形状などのばらつきが少なく、電流能力が高く、サイズの小さいトランジスタを
製造することができる。このようなトランジスタによって回路を構成すると、回路の低消
費電力化、又は回路の高集積化を図ることができる。
してもよい。下地絶縁膜としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒
化酸化シリコン、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化アルミニウム
、酸化窒化アルミニウム等がある。なお、下地絶縁膜として、窒化シリコン、酸化ガリウ
ム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化アルミニウム等を用いることで、基板30
から不純物(代表的にはアルカリ金属、水、水素等)が酸化物半導体膜(OS1-OS3
)への拡散を抑制することができる。
ゲート電極(GE1、GE2、GE3)は、単層の導電膜、または2つ以上の導電膜が積
層された多層構造の膜である。ゲート電極(GE1、GE2、GE3)として形成される
導電膜は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンか
ら選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を
組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、マンガン、ジルコニウムのい
ずれか一または複数から選択された金属元素を用いてもよい。また、アルミニウムに、チ
タン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ば
れた一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。また、インジ
ウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むイン
ジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫
酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物等の透光性を有
する導電性材料を適用することもできる。
を形成することができる。ゲート電極(GE1、GE2、GE3)を2層構造とする場合
は、例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を形成する、窒化チタン膜上にチタン膜を形成
する、窒化チタン膜上にタングステン膜を形成する、窒化タンタル膜または窒化タングス
テン膜上にタングステン膜を形成すればよい。また、ゲート電極(GE1、GE2、GE
3)を3層構造とする場合は、例えば、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を
積層し、さらにその上にチタン膜を形成すればよい。
ゲート電極(GE1、GE2、GE3)を形成する。
合には、WF6ガスとB2H6ガスを順次繰り返し導入して初期タングステン膜を形成し
、その後、WF6ガスとH2ガスを同時に導入してタングステン膜を形成する。なお、B
2H6ガスに代えてSiH4ガスを用いてもよい。
クジェット法等で行うことが可能である。
ゲート電極GE1-GE3を覆って、絶縁膜34を形成する。絶縁膜34は、単層の絶縁
膜あるいは2層以上の多層構造の絶縁膜である。絶縁膜34として形成される絶縁膜は、
酸化物絶縁膜、窒化物絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、および窒化酸化絶縁膜等が挙げられる。
なお、本明細書において、酸化窒化物とは、窒素より酸素の含有量が多い材料であり、窒
化酸化物とは酸素より窒素の含有量が多い材料とする。
、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウム
またはGa-Zn系金属酸化物などでなる絶縁膜を形成することができる。また、このよ
うな絶縁膜として、ハフニウムシリケート(HfSiOx)、窒素が添加されたハフニウ
ムシリケート(HfSixOyNz)、窒素が添加されたハフニウムアルミネート(Hf
AlxOyNz)、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどのhigh-k材料でなる膜
を形成することができる。high-k材料を用いることでトランジスタのゲートリーク
を低減できる。
OS3)とゲート絶縁膜との界面特性を向上させるため、絶縁膜34においてこれらの層
(OS1、OS2、OS3)と接する領域は酸化物絶縁膜あるいは酸化窒化絶縁膜で形成
することが好ましい。例えば、絶縁膜34の最上層の膜は、酸化シリコン膜あるいは酸化
窒化シリコン膜とすればよい。
しくは10nm以上300nm以下であり、より好ましくは50nm以上250nm以下
である。
マを発生させるための電源装置は、RF電源装置、AC電源装置、DC電源装置等を適宜
用いることができる。
酸素の混合ガスを適宜用いる。なお、希ガス及び酸素の混合ガスの場合、希ガスに対して
酸素のガス比を高めることが好ましい。
せて、適宜選択すればよい。
合、基板温度を150℃以上750℃以下、好ましくは150℃以上450℃以下、さら
に好ましくは200℃以上350℃以下とすることで、酸化物半導体膜31-32として
、CAAC-OS膜を形成することができる。
る。例えば、成膜室内に存在する不純物濃度(水素、水、二酸化炭素及び窒素など)を低
減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点が-
80℃以下、好ましくは-100℃以下である成膜ガスを用いる。
を軽減すると好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、30体積%以上が好ましく、100体
積%がより好ましい。
加熱処理を行うことで、酸化物半導体膜の水素濃度を2×1020atoms/cm3以
下、好ましくは5×1019atoms/cm3以下、より好ましくは1×1019at
oms/cm3以下、5×1018atoms/cm3未満、好ましくは1×1018a
toms/cm3以下、より好ましくは5×1017atoms/cm3以下、さらに好
ましくは1×1016atoms/cm3以下とすることができる。
下で行うことで、後述するCAAC化率が、70%以上100%未満、好ましくは80%
以上100%未満、好ましくは90%以上100%未満、より好ましくは95%以上98
%以下である酸化物半導体膜を得ることができる。また、水素、水等の含有量が低減され
た酸化物半導体膜を得ることが可能である。すなわち、不純物濃度が低く、欠陥準位密度
の低い酸化物半導体膜を形成することができる。
aZnOX(X>0)膜を成膜する場合には、In(CH3)3ガスとO3ガスを順次繰
り返し導入してInO2層を形成し、その後、Ga(CH3)3ガスとO3ガスを同時に
導入してGaO層を形成し、更にその後Zn(CH3)2ガスとO3ガスを同時に導入し
てZnO層を形成する。なお、これらの層の順番はこの例に限らない。また、これらのガ
スを混ぜてInGaO2層やInZnO2層、GaInO層、ZnInO層、GaZnO
層などの混合化合物層を形成してもよい。なお、O3ガスに変えてAr等の不活性ガスで
バブリングしたH2Oガスを用いてもよいが、Hを含まないO3ガスを用いる方が好まし
い。また、In(CH3)3ガスにかえて、In(C2H5)3ガスを用いてもよい。ま
た、Ga(CH3)3ガスにかえて、Ga(C2H5)3ガスを用いてもよい。また、Z
n(CH3)2ガスを用いてもよい。
る膜であり、その膜厚を3nm以上200nm以下とすることができる。それらの厚さは
、好ましくは3nm以上100nm以下であり、さらに好ましくは30nm以上50nm
以下である。酸化物半導体膜31の膜厚は例えば、3nm以上100nm以下とすること
ができ、好ましくは3nm以上30nm以下であり、より好ましくは3nm以上15nm
以下である。酸化物半導体膜31は、酸化物半導体膜32、酸化物半導体膜33よりも薄
く形成することが好ましい。
グ法で成膜する。これらの成膜に用いられるターゲットの金属元素の原子数比(In:G
a:Zn)は、例えば、酸化物半導体膜31は1:3:6であり、酸化物半導体膜32は
3:1:2であり、酸化物半導体膜33は、1:1:1.2または1:1:1とすること
ができる。また、酸化物半導体膜31、32、33の厚さは、それぞれ、5nm、35n
m、35nmとすることができる。
電極(SE1、DE1、SE2、DE2、SE3、DE3)はゲート電極(GE1、GE
2、GE3)と同様に形成することができる。
mの銅-マンガン合金膜の順に、これらの膜をスパッタリング法により積層することで、
3層構造の電極(SE1、DE1、SE2、DE2、SE3、DE3)を形成することが
できる。
スタには、トランジスタ(TA1、TA2)、あるいはトランジスタ(TA3、TA4、
TC1)のように、チャネル長を短くすることが好ましい。このようなトランジスタのチ
ャネル長は、2.5μm未満とすることが好ましい。例えば、2.2μm以下とすればよ
い。本実施の形態のトランジスタでは、チャネル長はソース電極とドレイン電極間の距離
で決定されるため、チャネル長の最小値は、電極(SE1、DE1、SE2、DE2、S
E3、DE3)となる導電膜を加工する精度で制約される。本実施の形態のトランジスタ
では、例えば、チャネル長は0.5μm以上、あるいは1.0μm以上とすることができ
る。
例えば、『35』としては、2層構造の絶縁膜を形成することができる。ここでは、『3
5』の1層目の膜を絶縁膜35aと呼び、2層目の膜を絶縁膜35bと呼ぶことにする。
み、且つ欠陥量の少ない酸化物絶縁膜を形成することができる。窒素を含み、且つ欠陥量
の少ない酸化物絶縁膜の代表例としては、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜
等がある。
いてg値が2.037以上2.039以下の第1のシグナル、g値が2.001以上2.
003以下の第2のシグナル、及びg値が1.964以上1.966以下の第3のシグナ
ルが観測される。なお、第1のシグナル及び第2のシグナルのスプリット幅、並びに第2
のシグナル及び第3のシグナルのスプリット幅は、XバンドのESR測定において約5m
Tである。また、g値が2.037以上2.039以下の第1のシグナル、g値が2.0
01以上2.003以下の第2のシグナル、及びg値が1.964以上1.966以下で
ある第3のシグナルのスピンの密度の合計が1×1018spins/cm3未満であり
、代表的には1×1017spins/cm3以上1×1018spins/cm3未満
である。
第1シグナル、g値が2.001以上2.003以下の第2のシグナル、及びg値が1.
964以上1.966以下の第3のシグナルは、窒素酸化物(NOx、xは0以上2以下
、好ましくは1以上2以下)起因のシグナルに相当する。窒素酸化物の代表例としては、
一酸化窒素、二酸化窒素等がある。即ち、g値が2.037以上2.039以下の第1の
シグナル、g値が2.001以上2.003以下の第2のシグナル、及びg値が1.96
4以上1.966以下である第3のシグナルのスピンの密度の合計が少ないほど、酸化物
絶縁膜に含まれる窒素酸化物の含有量が少ないといえる。
1、OS2、OS3)との界面におけるキャリアのトラップを低減することが可能である
。この結果、トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減することが可能であり、トラン
ジスタの電気的特性の変動を低減することができる。
y Ion Mass Spectrometry)で測定される窒素濃度が6×102
0/cm3以下であることが好ましい。それは、トランジスタの作製工程中に絶縁膜35
aにおいて、窒素酸化物が生成されにくくなるからである。
D法により酸化窒化シリコン膜を形成することができる。この場合、原料ガスとしては、
シリコンを含む堆積性気体及び酸化性気体を用いることが好ましい。シリコンを含む堆積
性気体の代表例としては、シラン、ジシラン、トリシラン、フッ化シラン等がある。酸化
性気体としては、一酸化二窒素、二酸化窒素等がある。
倍以上80倍以下とし、処理室内の圧力を100Pa未満、好ましくは50Pa以下とす
るCVD法を用いることで、絶縁膜35aとして、窒素を含み、且つ欠陥量の少ない酸化
物絶縁膜を形成することができる。
物絶縁膜を用いて形成することができる。化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素
を含む酸化物絶縁膜は、加熱により酸素の一部が脱離する。化学量論的組成を満たす酸素
よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、TDS分析にて、酸素原子に換算しての酸素の
脱離量が1.0×1018atoms/cm3以上、好ましくは3.0×1020ato
ms/cm3以上である酸化物絶縁膜である。なお、上記TDS分析時における膜の表面
温度としては100℃以上700℃以下、または100℃以上500℃以下の範囲が好ま
しい。
00nm以下の、酸化シリコン、酸化窒化シリコン等を用いることができる。絶縁膜35
bとして、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を用いて形
成する場合、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜として酸
化窒化シリコン膜をCVD法を用いて形成することができる。
うな条件で成膜を行うことができる。プラズマCVD装置の真空排気された処理室内に載
置された基板を180℃以上280℃以下、さらに好ましくは200℃以上240℃以下
に保持し、処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力を100Pa以上250P
a以下、さらに好ましくは100Pa以上200Pa以下とし、処理室内に設けられる電
極に0.17W/cm2以上0.5W/cm2以下、さらに好ましくは0.25W/cm
2以上0.35W/cm2以下の高周波電力を供給する。
。さらに、好ましくは、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等のブロッキ
ング効果を有する。代表的には、窒化シリコンなどの窒化物絶縁膜を形成すればよい。窒
化シリコン膜の他、窒化酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜
等も用いることができる。
る酸化物絶縁膜を設けてもよい。このような酸化物絶縁膜としては、酸化アルミニウム、
酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化
イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等がある。
nm以上200nm以下である。酸素、水素、水等に対してブロッキング効果を有する絶
縁膜36を形成することで、酸化物半導体膜31乃至酸化物半導体膜33から外部への酸
素の拡散を防ぎ、また外部から酸化物半導体膜31乃至酸化物半導体膜33への水素、水
等の侵入を防ぐことができる。
む堆積性気体、窒素、及びアンモニアを原料ガスとして用いることが好ましい。これらの
原料ガスを用いることで、プラズマ中でアンモニアが解離し、活性種が発生する。当該活
性種が、シリコンを含む堆積性気体に含まれるシリコン及び水素の結合、及び窒素の三重
結合を切断する。この結果、シリコン及び窒素の結合が促進され、シリコン及び水素の結
合が少なく、欠陥が少なく、緻密な窒化シリコン膜を形成することができる。一方、原料
ガスにおいて、窒素に対するアンモニアの量が多いと、シリコンを含む堆積性気体及び窒
素それぞれの分解が進まず、シリコン及び水素結合が残存してしまい、欠陥が増大した、
且つ粗な窒化シリコン膜が形成されてしまう。これらのため、原料ガスにおいて、アンモ
ニアに対する窒素の流量比を5以上50以下、好ましくは10以上50以下とすることが
好ましい。
150℃以上基板歪み点未満、好ましくは200℃以上450℃以下、更に好ましくは3
00℃以上450℃以下とする。当該加熱処理により、絶縁膜35の2層目を構成する酸
化物絶縁膜に含まれる酸素を、酸化物半導体膜31乃至酸化物半導体膜33に移動させて
、これらに含まれる酸素欠損を低減することができる。加熱処理は、例えば、窒素及び酸
素を含む混合ガス雰囲気で、加熱温度350℃、加熱時間1時間とすればよい。
を放出させることを目的として加熱処理を行ってもよい。この加熱処理は、例えば、窒素
及び酸素を含む混合ガス雰囲気で、加熱温度350℃、加熱時間1時間とすればよい。
バックゲート電極(BGE1、BGE2)はゲート電極(GE1、GE2、GE3)と同
様に形成することができる。
図29(A)、図29(B)に、それぞれ、トランジスタTA3、トランジスタTA4の
上面図(レイアウト図)と、その回路記号を示す。図30(A)、図30(B)に、トラ
ンジスタTA3のa7-a8線およびb7-b8線による断面図、並びにトランジスタT
A4のa9-a10線およびb9-b10線による断面図を示す。
ドレイン電極DE4、およびバックゲート電極BGE4を有する。トランジスタTA3は
、トランジスタTA1の変形例であり、電極BGE4が、2つの開口CG4、CG5にお
いて、電極GE4と接している点がトランジスタTA1と異なり、他はトランジスタTA
1と同様である。図30(B)に示すように、チャネル幅方向で、膜OS4が電極GE4
と電極BGE4で囲まれており、トランジスタTA3の強度をより向上させることができ
る。
ドレイン電極DE5、およびバックゲート電極BGE5を有する。トランジスタTA4は
、トランジスタTA2の変形例であり、電極BGE5を電極GE5と接続せず、電極BG
E5を電極GE5に異なる信号や電位を入力可能としている。例えば、電極GE5にトラ
ンジスタTA4の導通状態を制御する信号を入力し、電極BGE5にトランジスタTA4
のしきい値電圧を補正するような信号や電位を入力することが可能である。
図31(A)、図31(B)、図31(C)に、それぞれ、トランジスタTC1、トラン
ジスタTB2、およびトランジスタTD1の上面図(レイアウト図)と、その回路記号を
示す。図32(A)、図32(B)に、トランジスタTC1のa11-a12線およびb
11b12線による断面図、トランジスタTB2のa13-a14線およびb13-b1
4線による断面図、並びにトランジスタTD1のa15-a16線およびb15-b16
線による断面図を示す。
ドレイン電極DE6、およびバックゲート電極BGE6を有する。電極BGE6は開口C
G6において電極GE6に接している。トランジスタTC1は、トランジスタTA1の変
形例であり、膜OS6が2層構造としている。膜OS6は、『32』と『33』とでなる
。トランジスタTC1もトランジスタTA1と同様に、チャネル形成領域が『32』で構
成されるトランジスタである。そのため、トランジスタTC1も、トランジスタTA1と
同程度に高い電界効果移動のトランジスタであり、代表的には、電界効果移動度が10c
m2/Vsより大きく60cm2/Vs未満、好ましくは15cm2/Vs以上50cm
2/Vs未満のトランジスタである。よって、トランジスタTC1もトランジスタTA1
と同様に、駆動回路のような高速動作させるトランジスタに好適である。
ドレイン電極DE7、およびバックゲート電極BGE7を有する。電極BGE7は開口C
G7において電極GE7に接している。トランジスタTB2は、トランジスタTB1の変
形例であり、電極BGE7を有する点でトランジスタTB2と異なる。トランジスタTB
2は、電極GE7と接続された電極BGE7を有しているため、トランジスタTB1より
もオン電流が高く、また機械的な強度が向上されている。
およびドレイン電極DE8を有する。トランジスタTD1は、トランジスタTB1の変形
例であり、膜OS8全体が電極GE8に重なっており、電極GE8の端部の外側にある部
分を有していない。このように、トランジスタTD1は、膜OS8がトランジスタTB1
よりも光に曝されにくい構造となっているため、画素部のトランジスタに好適である。
(絶縁膜、酸化物半導体膜、金属酸化物膜、導電膜等)は、スパッタリング法、化学気相
堆積(CVD)法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積(PLD)法を用いて形成すること
ができる。あるいは、塗布法や印刷法で形成することができる。成膜方法としては、スパ
ッタリング法、プラズマ化学気相堆積(PECVD)法が代表的であるが、熱CVD法で
もよい。熱CVD法の例として、MOCVD(有機金属化学堆積)法やALD(原子層成
膜)法を使ってもよい。
ンバー内に送り、基板近傍または基板上で反応させて基板上に堆積させることで成膜を行
う。このように、熱CVD法は、プラズマを発生させない成膜方法であるため、プラズマ
ダメージにより欠陥が生成されることが無いという利点を有する。
次にチャンバーに導入され、そのガス導入の順序を繰り返すことで成膜を行う。例えば、
それぞれのスイッチングバルブ(高速バルブともよぶ)を切り替えて2種類以上の原料ガ
スを順番にチャンバーに供給し、複数種の原料ガスが混ざらないように第1の原料ガスと
同時またはその後に不活性ガス(アルゴン、或いは窒素など)などを導入し、第2の原料
ガスを導入する。なお、同時に不活性ガスを導入する場合には、不活性ガスはキャリアガ
スとなり、また、第2の原料ガスの導入時にも同時に不活性ガスを導入してもよい。また
、不活性ガスを導入する代わりに真空排気によって第1の原料ガスを排出した後、第2の
原料ガスを導入してもよい。第1の原料ガスが基板の表面に吸着して第1の単原子層を成
膜し、後から導入される第2の原料ガスと反応して、第2の単原子層が第1の単原子層上
に積層されて薄膜が形成される。
に優れた薄膜を形成することができる。薄膜の厚さは、ガス導入順序を繰り返す回数によ
って調節することができるため、精密な膜厚調節が可能であり、微細なトランジスタを作
製する場合に適している。
10は、図4(A)に示す画素10と、トランジスタ19tの位置が異なる。具体的に、
図17に示す画素10では、トランジスタ19tが配線VLと、トランジスタ11のソー
ス及びドレインの他方、及びトランジスタ16tのソース及びドレインの一方との間に接
続されている点において、図4(A)に示す画素10と構成が異なる。
10は、図15(A)に示す画素10と、トランジスタ19tの位置が異なる。具体的に
、図18に示す画素10では、トランジスタ19tが配線VLと、トランジスタ11のソ
ース及びドレインの他方、及びトランジスタ16tのソース及びドレインの一方との間に
接続されている点において、図15(A)に示す画素10と構成が異なる。
ジスタが、ゲートを半導体膜の片側において少なくとも有していれば良いが、半導体膜を
間に介して当該ゲートと重畳するもう一つのゲートを、さらに有していても良い。トラン
ジスタ11以外のトランジスタが、一対のゲートを有している場合、一対のゲートの一方
をバックゲートとすると、通常のゲート及びバックゲートに同じ高さの電位が与えられて
いても良いし、バックゲートにのみ接地電位などの固定の電位が与えられていても良い。
バックゲートに与える電位の高さを制御することで、トランジスタの閾値電圧を制御する
ことができる。また、バックゲートを設けることで、チャネル形成領域が増え、ドレイン
電流の増加を実現することができる。また、バックゲートを設けることで、半導体膜に空
乏層ができやすくなるため、S値の改善を図ることができる。
本発明の一態様にかかる発光装置に用いられるトランジスタは、非晶質、微結晶、多結晶
または単結晶である、シリコン又はゲルマニウムなどの半導体膜または半導体基板に、チ
ャネル形成領域を有していても良い。シリコンの薄膜を用いてトランジスタを形成する場
合、当該薄膜には、プラズマCVD法などの気相成長法若しくはスパッタリング法で作製
された非晶質シリコン、非晶質シリコンをレーザーアニールなどの処理により結晶化させ
た多結晶シリコン、単結晶シリコンウェハに水素イオン等を注入して表層部を剥離した単
結晶シリコンなどを用いることができる。
用いたトランジスタの断面図を例示する。図34では、nチャネル型のトランジスタ70
と、pチャネル型のトランジスタ71とを示す。
と、導電膜73上の絶縁膜74と、絶縁膜74を間に介して導電膜73と重畳する半導体
膜75と、半導体膜75上の絶縁膜76と、絶縁膜76を間に介して半導体膜75と重畳
し、なおかつゲートとして機能する導電膜77a及び導電膜77bと、導電膜77a及び
導電膜77b上の絶縁膜78と、絶縁膜78上の絶縁膜79と、絶縁膜78及び絶縁膜7
9に設けられた開口部において半導体膜75に電気的に接続され、なおかつソースまたは
ドレインとして機能する導電膜80及び導電膜81とを有する。
び導電膜77bは、絶縁膜76側から順に積層されている。また、半導体膜75は、導電
膜77bと重畳する位置にチャネル形成領域82と、チャネル形成領域82を間に挟むよ
うに位置する一対のLDD(Light Doped Drain)領域83と、チャネ
ル形成領域82、LDD領域83を間に挟むように位置する一対の不純物領域84とを有
する。一対の不純物領域84はソース領域またはドレイン領域として機能する。また、L
DD領域83、及び不純物領域84は、n型の導電型を半導体膜75に付与する不純物元
素、例えば、ボロン(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)等が添加されてい
る。
膜85と、導電膜85上の絶縁膜74と、絶縁膜74を間に介して導電膜85と重畳する
半導体膜86と、半導体膜86上の絶縁膜76と、絶縁膜76を間に介して半導体膜86
と重畳し、なおかつゲートとして機能する導電膜87a及び導電膜87bと、導電膜87
a及び導電膜87b上の絶縁膜78と、絶縁膜78上の絶縁膜79と、絶縁膜78及び絶
縁膜79に設けられた開口部において半導体膜86に電気的に接続され、なおかつソース
またはドレインとして機能する導電膜88及び導電膜89とを有する。
び導電膜87bは、絶縁膜76側から順に積層されている。また、半導体膜75は、導電
膜87bと重畳する位置にチャネル形成領域90と、チャネル形成領域90を間に挟むよ
うに位置する一対の不純物領域91とを有する。一対の不純物領域91はソース領域また
はドレイン領域として機能する。また、不純物領域91は、p型の導電型を半導体膜86
に付与する不純物元素、例えば、リン(P)、ヒ素(As)等が添加されている。
結晶化方法として、レーザ光を用いたレーザ結晶化法、触媒元素を用いる結晶化法がある
。或いは、触媒元素を用いる結晶化法とレーザ結晶化法とを組み合わせて用いることもで
きる。また、基板72として石英のような耐熱性に優れている基板を用いる場合、電熱炉
を使用した熱結晶化方法、赤外光を用いたランプアニール結晶化法、触媒元素を用いる結
晶化法、950℃程度の高温アニールを組み合わせた結晶化法を用いても良い。
次いで、本発明の一態様にかかる発光装置400の作製方法について、図19及び図20
を用いて説明する。
成する(図19(A)参照)。第1の素子層410には、半導体素子が設けられている。
或いは、第1の素子層410には、半導体素子に加え、表示素子、または画素電極などの
表示素子の一部が設けられていても良い。
がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板等を、基板4
62として用いてもよい。
ン膜、酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラ
ス基板からの汚染を防止でき、好ましい。
脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等の有機樹脂膜を用いることができる。中で
もポリイミド樹脂を用いると耐熱性が高いため好ましい。絶縁膜420として、例えば、
ポリイミド樹脂を用いる場合、該ポリイミド樹脂の膜厚は、3nm以上20μm以下、好
ましくは500nm以上2μm以下である。絶縁膜420として、ポリイミド樹脂を用い
る場合、スピンコート法、ディップコート法、ドクターブレード法等により形成すること
ができる。例えば、絶縁膜420としてポリイミド樹脂を用いる場合、ドクターブレード
法により、当該ポリイミド樹脂を用いた膜の一部を除去することで、所望の厚さを有する
絶縁膜420を得ることができる。
と好ましい。例えば、第1の素子層410に含まれる、無機材料を用いた絶縁膜または導
電膜は、成膜温度が150℃以上300℃以下、さらには200℃以上270℃以下で形
成されることが好ましい。また、第1の素子層410に含まれる、有機樹脂材料を用いた
絶縁膜等は、成膜温度が室温以上100℃以下で形成されると好ましい。
AC-OSを用いることが好ましい。当該トランジスタの酸化物半導体膜にCAAC-O
Sを用いると、例えば、発光装置400を折り曲げる際に、チャネル形成領域にクラック
等が入りづらく、曲げに対する耐性を高めることが可能となる。
錫酸化物を用いると、発光装置400を折り曲げる際に、当該導電膜にクラック等が入り
づらくなるため、好ましい。
し、基板462から絶縁膜420と第1の素子層410を剥離する。これにより、絶縁膜
420と第1の素子層410は、仮支持基板466側に設けられる(図19(B)参照)
。
金属基板などを用いることができる。また、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を
有するプラスチック基板を用いてもよいし、フィルムのような可撓性基板を用いてもよい
。
させることが可能であるもののように、必要時に仮支持基板466と素子層410とを化
学的もしくは物理的に分離することが可能な接着剤を用いる。
、基板462の絶縁膜420が形成されていない側、すなわち図19(B)に示す下方側
より絶縁膜420にレーザ光468を照射することで、絶縁膜420を脆弱化させること
で基板462と絶縁膜420を剥離することができる。また、上記レーザ光468の照射
エネルギー密度を調整することで、基板462と絶縁膜420の密着性が高い領域と、基
板462と絶縁膜420の密着性が低い領域を作り分けてから剥離してもよい。
て例示したが、これに限定されない。例えば、絶縁膜420と第1の素子層410との界
面で剥離してもよい。
0を剥離してもよい。または、絶縁膜420と第1の素子層410との界面に液体を浸透
させて絶縁膜420から第1の素子層410を剥離してもよい。上記液体としては、例え
ば、水、極性溶媒等を用いることができる。絶縁膜420を剥離する界面、具体的には基
板462と絶縁膜420との界面または絶縁膜420と第1の素子層410との界面に液
体を浸透させることによって、第1の素子層410に与えられる剥離に伴い発生する静電
気等の影響を抑制することができる。
C)参照)。
着剤464及び仮支持基板466を取り外す(図19(D)参照)。
除去すると好ましい。
05と、第2の基板405上の接着層412と、接着層412上の絶縁膜440と、第2
の素子層411と、を形成する(図20(A)参照)。
は有機樹脂を用いて形成することができる。
素子層410と第2の素子層411と、を貼り合わせる(図20(B)参照)。
ては、可撓性を有する構成が好ましい。封止層432としては、例えば、ガラスフリット
などのガラス材料や、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂
、熱硬化性の樹脂などの樹脂材料を用いることができる。
次いで、本発明の一態様にかかる発光装置400の別の作製方法について、図21を用い
て説明する。なお、図21では、絶縁膜420及び絶縁膜440として無機絶縁膜を用い
る構成について説明する。
形成し、絶縁膜420上に第1の素子層410を形成する(図21(A)参照)。
、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オス
ミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、または該元
素を含む化合物材料を含み、単層または積層された構造を用いることができる。また、シ
リコンを含む層の場合、該シリコンを含む層の結晶構造としては、非晶質、微結晶、多結
晶、単結晶のいずれでもよい。
。なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
ブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしく
は酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、またはタング
ステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。な
お、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金
に相当する。
層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される
絶縁層を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を
含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸
化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素(N2O)プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の
強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラ
ズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスと
の混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層463
の表面状態を変えることにより、剥離層463と後に形成される絶縁膜420との密着性
を制御することが可能である。
リコン膜、酸化アルミニウム膜などの透湿性の低い無機絶縁膜を用いることができる。上
記無機絶縁膜は、例えば、スパッタリング法、PECVD法等を用いて形成することがで
きる。
し、剥離層463から絶縁膜420と第1の素子層410を剥離する。これにより、絶縁
膜420と第1の素子層410は、仮支持基板466側に設けられる(図21(B)参照
)。
、剥離層463と絶縁膜420との界面に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、該金属
酸化膜を結晶化により脆弱化して、剥離層463から絶縁膜420を剥離することができ
る。また、剥離層463をタングステン膜で形成した場合は、アンモニア水と過酸化水素
水の混合溶液によりタングステン膜をエッチングしながら剥離を行ってもよい。
420を剥離してもよい。上記液体としては、例えば、水、極性溶媒等を用いることがで
きる。絶縁膜420を剥離する界面、具体的には剥離層463と絶縁膜420との界面に
液体を浸透させることによって、第1の素子層410に与えられる剥離に伴い発生する静
電気等の影響を抑制することができる。
参照)。
着剤464と仮支持基板466を取り除く(図21(D)参照)。
除去すると好ましい。
05と、第2の基板405上の接着層412と、接着層412上の絶縁膜440と、第2
の素子層411と、を形成する。その後、第1の素子層410と第2の素子層411の間
に、封止層432を充填し、第1の素子層410と第2の素子層411と、を貼り合わせ
る。
ばICチップなどを実装させてもよい。
図22に、本発明の一態様に係る発光装置の、画素部の断面構造を一例として示す。なお
、図22では、図3(A)に示す画素10が有する、トランジスタ11、容量素子18、
及び発光素子14の、断面構造を例示している。
とを有する。トランジスタ11は、第1のゲートとして機能する導電膜501と、導電膜
501上の絶縁膜502と、絶縁膜502を間に介して導電膜501と重畳する半導体膜
503と、半導体膜503に電気的に接続されたソースまたはドレインとして機能する導
電膜504及び導電膜505と、半導体膜503、導電膜504及び導電膜505上の絶
縁膜550と、絶縁膜550を間に介して導電膜501と重畳し、第2のゲートとして機
能する導電膜551と、を有する。
、絶縁膜502を間に挟んで導電膜501と重なり、なおかつ電極として機能する導電膜
504とを有する。
、窒化酸化珪素、窒化珪素、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化
ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム及び酸化タンタルを一種以
上含む絶縁膜を、単層で、または積層させて用いればよい。なお、本明細書中において、
酸化窒化物は、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物
は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。
ている。半導体膜503として酸化物半導体を用いる場合、絶縁膜511は、半導体膜5
03に酸素を供給させることが可能な材料を用いることが望ましい。上記材料を絶縁膜5
11に用いることで、絶縁膜511に含まれる酸素を半導体膜503に移動させることが
可能であり、半導体膜503の酸素欠損量を低減することができる。絶縁膜511に含ま
れる酸素の半導体膜503への移動は、絶縁膜511を形成した後に、加熱処理を行うこ
とで効率的に行うことができる。
設けられている。導電膜524は、絶縁膜511及び絶縁膜520に設けられた開口部に
おいて、導電膜504に接続されている。
導電膜524と重なる位置に開口部を有する。また、絶縁膜525上において、絶縁膜5
25の開口部とは異なる位置に、絶縁膜526が設けられている。そして、絶縁膜525
及び絶縁膜526上には、EL層527及び導電膜528が、順に積層するように設けら
れている。導電膜524及び導電膜528が、EL層527を間に挟んで重なり合う部分
が、発光素子14として機能する。そして、導電膜524及び導電膜528は、一方が陽
極、他方が陰極として機能する。
る。基板530上、すなわち、基板530の発光素子14に近い側の面上には、光を遮蔽
する機能を有する遮蔽膜531が設けられている。そして、遮蔽膜531は、発光素子1
4と重なる領域に開口部を有している。発光素子14に重なる開口部において、基板53
0上には特定の波長範囲の可視光を透過する着色層532が設けられている。
図23(A)は、本発明の一態様に係る発光装置の外観の一例を示す、斜視図である。図
23(A)に示す発光装置は、パネル1601と、コントローラ、電源回路、画像処理回
路、画像メモリ、CPUなどが設けられた回路基板1602と、接続部1603とを有し
ている。パネル1601は、画素が複数設けられた画素部1604と、複数の画素を行ご
とに選択する駆動回路1605と、選択された行内の画素への画像信号Sigの入力を制
御する駆動回路1606とを有する。
1601に入力される。接続部1603には、FPC(Flexible Printe
d Circuit)などを用いることができる。FPCにチップを実装したものをCO
Fテープと呼び、COFテープを用いると、より小さい面積でより高密度の実装を行うこ
とができる。また、接続部1603にCOFテープを用いる場合、回路基板1602内の
一部の回路、或いはパネル1601が有する駆動回路1605や駆動回路1606の一部
などを別途用意したチップに形成しておき、COF(Chip On Film)法を用
いて当該チップをCOFテープに接続しておいても良い。
に示す。
ど)である。さらに、COFテープ1607に、CR部品も実装でき、回路基板1602
の面積縮小も図れる。フレキシブル基板の配線パターンは、実装するチップの端子に対応
して複数形成される。チップ1608は、ボンダー装置などにより、配線パターンを有す
るフレキシブル基板上に位置決めして配置し、熱圧着することによって実装される。
したが特に限定されない。1つのCOFテープ1607の片面または両面に複数列のチッ
プを実装することができるが、コスト削減のためには、実装するチップ数を少なくするた
め一列とすることが好ましく、さらに好ましくは1個とすることが望ましい。
図25に、回路基板2003の外観図を示す。回路基板2003は、スリット2211を
有するFPC2201上に、Bluetooth(登録商標。IEEE802.15.1
に同じ。)規格の通信装置2101、マイコン2102、記憶装置2103、FPGA2
104、DAコンバータ2105、充電制御IC2106、レベルシフタ2107を設け
た構成を有する。また、回路基板2003は、入出力コネクタ2108を介して本発明の
一態様にかかる発光装置と電気的に接続する。また、FPC2201にスリット2211
を設けることにより、FPC2201を用いた回路基板2003の可撓性を高めている。
3と共に発光装置も湾曲させることができる。よって、可撓性を有する基板を用いた発光
装置と、回路基板2003とは、装着部位の形状に合わせて繰り返し変形することができ
るので、腕や足などの身体に装着可能な電子機器に利用するのに適している。
図26(A)は本発明の一態様の情報処理装置1000の外観を説明する模式図であり、
図26(B)は、図26(A)に示す切断線X1-X2における断面の構造を説明する断
面図である。また、図26(C)および図26(D)は本発明の一態様の情報処理装置1
000の外観を説明する模式図であり、図26(E)は、図26(C)および図26(D
)に示す切断線X3-X4における断面の構造を説明する断面図である。図26(C)は
情報処理装置1000の正面を説明する模式図であり。図26(D)は情報処理装置10
00の背面を説明する模式図である。
、情報処理装置1000の正面だけでなく、側面や背面にも設けられていてもよい。また
、位置入力部1001または表示部1002は、情報処理装置1000の上面に設けられ
ていてもよい。また、位置入力部1001または表示部1002は、情報処理装置100
0の底面に設けられていてもよい。
続端子等を有していてもよい。
面にのみ表示するのではなく、筐体1003の側面にも表示を行うことが可能となる。特
に、筐体1003の2以上の側面に沿って表示領域を設けると、表示の多様性がより高ま
るため好ましい。
は、それぞれ独立な表示領域として用いて異なる画像等を表示してもよいし、いずれか2
つ以上の表示領域にわたって一つの画像等を表示してもよい。例えば、情報処理装置の正
面に沿って配置された表示領域に表示する画像を、情報処理装置の側面に沿って設けられ
る表示領域などに連続して表示してもよい。
演算装置1005が表示部1002と離隔した位置に設けられている。図26(E)では
、演算装置1005が表示部1002と重なる位置に設けられている。
1(1)に対向する第2の領域1001(2)と、第1の領域1001(1)および第2
の領域1001(2)の間に第3の領域1001(3)と、が形成されるように折り曲げ
ることができる可撓性を有する(図26(B)参照)。また、他の一例として、第1の領
域1001(1)と、第3の領域1001(3)と、第3の領域1001(3)に対向す
る第4の領域1001(4)と、が形成されるように折り曲げることができる可撓性を有
する(図26(E)参照)。
3の領域1001(3)に対向する第4の領域1001(4)と、が形成されるように折
り曲げることができる可撓性を有していても良い。
領域1001(1)に正対する配置に限られず、第1の領域1001(1)に傾きを持っ
て向き合う配置も含むものとする。また、第3の領域1001(3)に対向する第4の領
域1001(4)の配置は、第3の領域1001(3)に正対する配置に限られず、第3
の領域1001(3)に傾きを持って向き合う配置も含むものとする。
第3の領域1001(3)、または第4の領域1001(4)の一部と重なるように配置
される。
1を含んで構成される。そして、位置入力部1001は、例えば、第1の領域1001(
1)と、第1の領域に対向する第2の領域1001(2)と、第1の領域1001(1)
および第2の領域1001(2)の間に表示部1002と重なる第3の領域1001(3
)と、が形成されるように折り曲げることができる。これにより、例えば掌もしくは手の
指の何れかが、第1の領域1001(1)または第2の領域1001(2)などの何れか
に近接したのかを知ることができる。その結果、操作性に優れたヒューマンインターフェ
イスを提供できる。または、操作性に優れた新規な情報処理装置を提供できる。
る。樹脂としては、例えばポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ア
ラミド、エポキシ、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等を挙げることができる。ま
た、可撓性を有さないような通常の基板としては、ガラス基板、石英基板、半導体基板な
どを用いることが出来る。
本発明の一態様に係る発光装置は、表示装置、ノート型パーソナルコンピュータ、記録媒
体を備えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile D
isc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用い
ることができる。その他に、本発明の一態様に係る発光装置を用いることができる電子機
器として、携帯電話、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジタ
ルスチルカメラなどのカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)
、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイ
ヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンター、プリンター複合機、現金自動預け入れ払
い機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図24に示す
。
する。本発明の一態様に係る発光装置は、表示部5002に用いることができる。なお、
表示装置には、パーソナルコンピュータ用、TV放送受信用、広告表示用などの全ての情
報表示用表示装置が含まれる。
等を有する。本発明の一態様に係る発光装置は、表示部5102に用いることができる。
。本発明の一態様に係る発光装置に可撓性を有する基板を用いることで、曲面を有する筐
体5701に支持された表示部5702に、当該発光装置を用いることができ、フレキシ
ブルかつ軽くて使い勝手の良い表示装置を提供することができる。
表示部5304、マイクロホン5305、スピーカー5306、操作キー5307、スタ
イラス5308等を有する。本発明の一態様に係る発光装置は、表示部5303または表
示部5304に用いることができる。表示部5303または表示部5304に本発明の一
態様に係る発光装置を用いることで、ユーザーの使用感に優れ、品質の低下が起こりにく
い携帯型ゲーム機を提供することができる。なお、図24(D)に示した携帯型ゲーム機
は、2つの表示部5303と表示部5304とを有しているが、携帯型ゲーム機が有する
表示部の数は、これに限定されない。
態様に係る発光装置は、表示部5602に用いることができる。そして、可撓性を有する
基板を用いることで、発光装置に可撓性を持たせることができるので、フレキシブルかつ
軽くて使い勝手の良い電子書籍を提供することができる。
ピーカー5904、カメラ5903、外部接続部5906、操作用のボタン5905が設
けられている。表示部5902に、本発明の一態様に係る発光装置を用いることできる。
また、本発明の一態様に係る発光装置を、可撓性を有する基板に形成した場合、図24(
F)に示すような曲面を有する表示部5902に当該発光装置を適用することが可能であ
る。
本実施例では、上記の実施の形態に示す画素を用いて作製した表示装置について説明する
。
AC-OS膜を用いて形成したOSトランジスタとし、CAAC-OS膜は、In-Ga
-Zn酸化物を用いて形成した。
ドレイン間の電圧(Vds)を0.1Vとした場合と10Vとした場合の測定結果を示し
ている。なお、OSトランジスタのチャネル長Lは6μm、チャネル幅Wは6μmとした
。また、OSトランジスタにはバックゲートを設けており、バックゲート-ソース間の電
圧(Vbgs)が0Vの状態で測定を行った。
閾値電圧の中央値は4.38Vであり、閾値電圧のばらつきは3σ=0.88Vであった
。
rrier Lowering)効果が減少する。バックゲートを用いないシングルゲー
ト構造の場合、チャネル長変調係数が約0.05V-1であったのに対し、バックゲート
を用いた場合は約0.009V-1となっており、飽和性が向上していた。
に示す。図42(B)は、OSトランジスタのソース電位を固定した状態で、Vbgsを
変化させてI-V特性を測定し、その測定結果から閾値電圧を算出してプロットしたグラ
フである。なお、図42(B)は、Vds=10Vの場合の測定結果である。
側に変化すると閾値電圧はプラス側にシフトしていることがわかる。さらに、VthはV
bgsに対して線形にシフトしていることがわかる。なお、閾値電圧のシフト量は、チャ
ネル部とバックゲート部の間の層間膜の膜厚および層間膜の誘電率にも依存する。層間膜
の膜厚が厚いほど、また、誘電率が低いほど、Vbgsが閾値電圧に与える影響は小さく
なる。
示す。なお、図43(A)に示す画素は、図3(B)、図4(B)に示す画素10に対応
する。そして、図43(A)に示す画素を図43(B)に示すタイミングチャートに従っ
て駆動することにより、閾値電圧の補正を行った。閾値電圧の補正の動作は、上記の実施
の形態の記載を参酌することができる。なお、期間Iにおいて、G3はハイレベルであり
、Tr4はオン状態であり、駆動トランジスタDrTrのソース電位はCATHODE電
位にOLEDの閾値VthOLEDを足した電位となる。
ppiであり、開口率は61%であった。また、スキャンドライバはガラス上に内蔵し、
ソースドライバにはCOFを用いている。
した。表示装置の構造を、図44(A)に示す。
色の蛍光材料による発光ユニットと、緑色と赤色の燐光材料による発光ユニットを直列に
接続した2層のタンデム素子構造とした。
正常に表示できていることがわかる。
算結果を示す。ここで、グラフの横軸であるΔVthは、閾値電圧の補正によるVthの
シフト量である。また、グラフの縦軸であるVgs-Vthは、図43(B)の期間IV
の発光期間における駆動トランジスタDrTrのVgsから、閾値電圧の補正後の駆動ト
ランジスタDrTrの閾値電圧を引いた値である。閾値電圧の補正が正常に行われていれ
ば、Vgs-Vthの値は閾値電圧に依存しないため、グラフの傾きは0となる。
-Vthの値のばらつきが、ΔVth=0におけるVgs-Vthの値の10%程度に抑
えられていることがわかる。
動トランジスタDrTrの閾値電圧Vthがプラス値である場合は、Vth=0からV0
-(Cathode+VthOLED)の電位だけプラス側にシフトした範囲までを補正
することができ、駆動トランジスタDrTrの閾値電圧がマイナス値である場合は、Vt
h=0からAnode-V0の電位だけマイナス側にシフトした範囲までの閾値電圧のば
らつきを補正することができる。また、駆動トランジスタDrTrの閾値電圧のばらつき
がプラス値の範囲におさまる場合には、V0の電源をAnodeとすることができる。こ
の場合、画素内の電源線V0を1つ減らすことができる。
装置を作製することができる。
11 トランジスタ
12 スイッチ
12t トランジスタ
13 容量素子
14 発光素子
15 スイッチ
15t トランジスタ
16 スイッチ
16t トランジスタ
17 スイッチ
17t トランジスタ
18 容量素子
19 スイッチ
19t トランジスタ
30 基板
31 酸化物半導体膜
31-32 酸化物半導体膜
32 酸化物半導体膜
33 酸化物半導体膜
34 絶縁膜
35 絶縁膜
35a 絶縁膜
35b 絶縁膜
36 絶縁膜
40 画素部
41 選択回路
42 配線
43 スイッチ
44 スイッチ
45 モニター回路
46 オペアンプ
47 容量素子
48 スイッチ
49 配線
60A スイッチ
60B スイッチ
60C スイッチ
61 回路
62A スイッチ
62B スイッチ
62C スイッチ
63A 配線
63B 配線
70 トランジスタ
71 トランジスタ
72 基板
73 導電膜
74 絶縁膜
75 半導体膜
76 絶縁膜
77a 導電膜
77b 導電膜
78 絶縁膜
79 絶縁膜
80 導電膜
81 導電膜
82 チャネル形成領域
83 LDD領域
84 不純物領域
85 導電膜
86 半導体膜
87a 導電膜
87b 導電膜
88 導電膜
89 導電膜
90 チャネル形成領域
91 不純物領域
360 接続電極
380 異方性導電膜
400 発光装置
401 基板
405 基板
408 FPC
410 素子層
411 素子層
412 接着層
418 接着層
420 絶縁膜
432 封止層
440 絶縁膜
462 基板
463 剥離層
464 剥離用接着剤
466 仮支持基板
468 レーザ光
500 基板
501 導電膜
502 絶縁膜
503 半導体膜
504 導電膜
505 導電膜
511 絶縁膜
520 絶縁膜
524 導電膜
525 絶縁膜
526 絶縁膜
527 EL層
528 導電膜
530 基板
531 遮蔽膜
532 着色層
550 絶縁膜
551 導電膜
802 IEEE
1000 情報処理装置
1001 位置入力部
1001(1) 第1の領域
1001(2) 第2の領域
1001(3) 第3の領域
1001(4) 第4の領域
1002 表示部
1003 筐体
1005 演算装置
1601 パネル
1602 回路基板
1603 接続部
1604 画素部
1605 駆動回路
1606 駆動回路
1607 COFテープ
1608 チップ
2003 回路基板
2101 通信装置
2102 マイコン
2103 記憶装置
2104 FPGA
2105 DAコンバータ
2106 充電制御IC
2107 レベルシフタ
2108 入出力コネクタ
2201 FPC
2211 スリット
5001 筐体
5002 表示部
5003 支持台
5101 筐体
5102 表示部
5103 操作キー
5301 筐体
5302 筐体
5303 表示部
5304 表示部
5305 マイクロホン
5306 スピーカー
5307 操作キー
5308 スタイラス
5601 筐体
5602 表示部
5701 筐体
5702 表示部
5901 筐体
5902 表示部
5903 カメラ
5904 スピーカー
5905 ボタン
5906 外部接続部
5907 マイク
Claims (2)
- トランジスタと、第1のスイッチ乃至第4のスイッチと、第1の容量素子及び第2の容量素子と、発光素子と、を有する発光装置であって、
前記第1のスイッチは、端子の一方が第1の配線に電気的に接続され、かつ、端子の他方が前記トランジスタの第1のゲートに電気的に接続され、
前記トランジスタは、ソースまたはドレインの一方が第2の配線に電気的に接続され、かつ、ソースまたはドレインの他方が前記発光素子に電気的に接続され、
前記第2のスイッチは、端子の一方が前記トランジスタの第1のゲートに電気的に接続され、かつ、端子の他方が前記発光素子に電気的に接続され、
前記第3のスイッチは、端子の一方が前記第1の配線に電気的に接続され、かつ、端子の他方が前記トランジスタの第2のゲートに電気的に接続され、
前記第4のスイッチは、端子の一方が第3の配線に電気的に接続され、かつ、端子の他方が前記発光素子に電気的に接続され、
前記第1の容量素子は、第1の電極が前記トランジスタの第1のゲートと電気的に接続され、かつ、第2の電極が前記トランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
前記第2の容量素子は、第1の電極が前記トランジスタの第2のゲートと電気的に接続され、かつ、第2の電極が前記トランジスタのソースまたはドレインの他方と導通し、
前記第1の配線は、画像信号を供給する機能を有し、
前記第2の配線は、第1の電位を供給する機能を有し、
前記第3の配線は、第2の電位を供給する機能を有する発光装置。 - トランジスタと、第1のスイッチ乃至第5のスイッチと、第1の容量素子及び第2の容量素子と、発光素子と、を有する発光装置であって、
前記第1のスイッチは、端子の一方が第1の配線に電気的に接続され、かつ、端子の他方が前記トランジスタの第1のゲートに電気的に接続され、
前記トランジスタは、ソースまたはドレインの一方が第2の配線に電気的に接続され、かつ、ソースまたはドレインの他方が前記発光素子に電気的に接続され、
前記第2のスイッチは、端子の一方が前記トランジスタの第1のゲートに電気的に接続され、かつ、端子の他方が前記発光素子に電気的に接続され、
前記第3のスイッチは、端子の一方が前記第1の配線に電気的に接続され、かつ、端子の他方が前記トランジスタの第2のゲートに電気的に接続され、
前記第4のスイッチは、端子の一方が第3の配線に電気的に接続され、かつ、端子の他方が前記発光素子に電気的に接続され、
前記第5のスイッチは、端子の一方が前記トランジスタのソースまたはドレインの他方に電気的に接続され、かつ、端子の他方が前記発光素子に電気的に接続され、
前記第1の容量素子は、第1の電極が前記トランジスタの第1のゲートと電気的に接続され、かつ、第2の電極が前記トランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
前記第2の容量素子は、第1の電極が前記トランジスタの第2のゲートと電気的に接続され、かつ、第2の電極が前記トランジスタのソースまたはドレインの他方と導通し、
前記第1の配線は、画像信号を供給する機能を有し、
前記第2の配線は、第1の電位を供給する機能を有し、
前記第3の配線は、第2の電位を供給する機能を有する発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023096943A JP2023130353A (ja) | 2013-12-12 | 2023-06-13 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013257337 | 2013-12-12 | ||
JP2013257337 | 2013-12-12 | ||
JP2020186635A JP2021039368A (ja) | 2013-12-12 | 2020-11-09 | 発光装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020186635A Division JP2021039368A (ja) | 2013-12-12 | 2020-11-09 | 発光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023096943A Division JP2023130353A (ja) | 2013-12-12 | 2023-06-13 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022116050A JP2022116050A (ja) | 2022-08-09 |
JP7297124B2 true JP7297124B2 (ja) | 2023-06-23 |
Family
ID=68166875
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019087986A Expired - Fee Related JP6793222B2 (ja) | 2013-12-12 | 2019-05-08 | 電子機器 |
JP2020186635A Withdrawn JP2021039368A (ja) | 2013-12-12 | 2020-11-09 | 発光装置 |
JP2022078786A Active JP7297124B2 (ja) | 2013-12-12 | 2022-05-12 | 発光装置 |
JP2023096943A Pending JP2023130353A (ja) | 2013-12-12 | 2023-06-13 | 発光装置 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019087986A Expired - Fee Related JP6793222B2 (ja) | 2013-12-12 | 2019-05-08 | 電子機器 |
JP2020186635A Withdrawn JP2021039368A (ja) | 2013-12-12 | 2020-11-09 | 発光装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023096943A Pending JP2023130353A (ja) | 2013-12-12 | 2023-06-13 | 発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (4) | JP6793222B2 (ja) |
KR (2) | KR20220018536A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113571002A (zh) * | 2020-04-29 | 2021-10-29 | 深圳市柔宇科技股份有限公司 | 像素电路、显示面板及电子设备 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010060816A (ja) | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Canon Inc | 画素回路、発光表示装置及びそれらの駆動方法 |
JP2010266494A (ja) | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Sony Corp | 表示装置、表示方法 |
JP2010286502A (ja) | 2009-05-15 | 2010-12-24 | Fujifilm Corp | 表示装置 |
JP2013077814A (ja) | 2011-09-16 | 2013-04-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、発光装置、及び電子機器 |
CN103280182A (zh) | 2013-05-29 | 2013-09-04 | 上海中科高等研究院 | Amoled阈值电压的补偿方法及补偿电路 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003195810A (ja) | 2001-12-28 | 2003-07-09 | Casio Comput Co Ltd | 駆動回路、駆動装置及び光学要素の駆動方法 |
JP6099336B2 (ja) * | 2011-09-14 | 2017-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
-
2019
- 2019-05-08 JP JP2019087986A patent/JP6793222B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2020
- 2020-11-09 JP JP2020186635A patent/JP2021039368A/ja not_active Withdrawn
-
2022
- 2022-01-27 KR KR1020220012640A patent/KR20220018536A/ko not_active Application Discontinuation
- 2022-05-12 JP JP2022078786A patent/JP7297124B2/ja active Active
-
2023
- 2023-02-16 KR KR1020230020806A patent/KR102618182B1/ko active IP Right Grant
- 2023-06-13 JP JP2023096943A patent/JP2023130353A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010060816A (ja) | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Canon Inc | 画素回路、発光表示装置及びそれらの駆動方法 |
JP2010266494A (ja) | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Sony Corp | 表示装置、表示方法 |
JP2010286502A (ja) | 2009-05-15 | 2010-12-24 | Fujifilm Corp | 表示装置 |
JP2013077814A (ja) | 2011-09-16 | 2013-04-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、発光装置、及び電子機器 |
CN103280182A (zh) | 2013-05-29 | 2013-09-04 | 上海中科高等研究院 | Amoled阈值电压的补偿方法及补偿电路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220018536A (ko) | 2022-02-15 |
JP2023130353A (ja) | 2023-09-20 |
KR20230030605A (ko) | 2023-03-06 |
JP6793222B2 (ja) | 2020-12-02 |
KR102618182B1 (ko) | 2023-12-27 |
JP2021039368A (ja) | 2021-03-11 |
JP2019174817A (ja) | 2019-10-10 |
JP2022116050A (ja) | 2022-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US12068335B2 (en) | Light-emitting device | |
JP6896918B2 (ja) | 表示装置 | |
US10002972B2 (en) | OLED display device comprising dual gate transistor | |
JP2023026473A (ja) | 半導体装置 | |
JP7254998B2 (ja) | 表示装置 | |
JP7297124B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7153118B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2024138319A (ja) | 表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220531 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230329 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230523 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230613 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7297124 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |