JP7290756B2 - 受信機光サブアセンブリ、双方向光サブアセンブリ、光モジュール、および光ネットワークデバイス - Google Patents

Description

本出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、２０１９年６月２１日に中国国家知識産権局に出願された、「ＲＥＣＥＩＶＥＲ ＯＰＴＩＣＡＬ ＳＵＢ－ＡＳＳＥＭＢＬＹ， ＢＩ－ＤＩＲＥＣＴＩＯＮＡＬ ＯＰＴＩＣＡＬ ＳＵＢ－ＡＳＳＥＭＢＬＹ， ＯＰＴＩＣＡＬ ＭＯＤＵＬＥ， ＡＮＤ ＯＰＴＩＣＡＬ ＮＥＴＷＯＲＫ ＤＥＶＩＣＥ」と題する中国特許出願第２０１９１０５４４０６３．６号の優先権を主張するものである。

本出願は、光通信分野に関し、特に、受信機光サブアセンブリ、双方向光サブアセンブリ、光モジュール、および光ネットワークデバイスに関する。

ビッグデータ時代の到来により、情報量は、爆発的に増加しており、ネットワークスループットに対する要件は、ますます高くなってきている。光通信ネットワークは、超高帯域幅および低電磁干渉などの利点により、最新の通信ソリューションの主流となっている。ファイバトゥザホームによって代表されるアクセスネットワークは、大規模に展開されている。光通信ネットワークは、主にパッシブ光ネットワーク（ｐａｓｓｉｖｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｎｅｔｗｏｒｋ、ＰＯＮ）の形態において存在する。ＰＯＮ内の光ネットワークデバイスは、光回線終端装置（ｏｐｔｉｃａｌ ｌｉｎｅ ｔｅｒｍｉｎａｌ、ＯＬＴ）、光ネットワークユニット（ｏｐｔｉｃａｌ ｎｅｔｗｏｒｋ ｕｎｉｔ、ＯＮＵ）などを含む。

受信機光サブアセンブリは、光ネットワークデバイスにおける必須の構成要素である。受信機光サブアセンブリは、光信号を受信し、光信号を電気信号に変換するように構成される。受信機光サブアセンブリは、通常、複雑な電磁放射環境内に配置されるので、受信機光サブアセンブリの通信信号に対する電磁放射の電磁クロストークを無視することはできない。受信機光サブアセンブリへの電磁クロストークをどのように低減するかは、産業において緊急に解決される必要がある問題である。

本出願は、受信機光サブアセンブリの耐電磁クロストーク性能を改善する受信機光サブアセンブリ、双方向光サブアセンブリ、光モジュール、および光ネットワークデバイスを提供する。

第１の態様によれば、受信機光サブアセンブリが提供される。受信機光サブアセンブリは、フォトダイオードと、トランスインピーダンス増幅器と、第１のフィルタ構成要素とを含む。フォトダイオードは、光信号を電気信号に変換するように構成され、フォトダイオードの正極は、トランスインピーダンス増幅器の入力端子に接続され、フォトダイオードの負極は、電源に接続するように構成される。トランスインピーダンス増幅器は、フォトダイオードによって出力された電気信号を増幅するように構成され、トランスインピーダンス増幅器の電力用端子は、電源に接続するように構成され、トランスインピーダンス増幅器の第１のグランド端子は、外部グランドに接続するように構成される。第１のフィルタ構成要素の第１の端子は、トランスインピーダンス増幅器の第２のグランド端子に接続され、第１のフィルタ構成要素の第２の端子は、外部グランドに接続するように構成される。

本出願のこの実施形態では、トランスインピーダンス増幅器の第１のグランド端子は、直流接地を実装するために外部グランドに接続される。それに加えて、第１のフィルタ構成要素は、交流接地を実装するために、トランスインピーダンス増幅器の第２のグランド端子と外部グランドとの間に配置される。第１のフィルタ構成要素は、グランドからの電磁クロストーク信号をフィルタリングすることができ、それによって、受信機光サブアセンブリの電磁干渉対策性能を改善する。

第１の態様を参照すると、可能な実装形態では、受信機光サブアセンブリは、ベースをさらに含み、ベースは、外部グランドに接続するように構成され、トランスインピーダンス増幅器の第１のグランド端子は、ベースを介して外部グランドに接続され、第１のフィルタ構成要素の第２の端子は、ベースを介して外部グランドに接続される。

本出願のこの実施形態では、受信機光サブアセンブリは、ベースを含み、ベースは、外部グランドに接続され得る。受信機光サブアセンブリの様々な構成要素または要素、たとえば、トランスインピーダンス増幅器または様々なフィルタ構成要素は、ベースを介して外部グランドに接続され得る。このようにして、受信機光サブアセンブリの内部要素の接地機能が実装され、受信機光サブアセンブリの構造が最適化される。

第１の態様を参照すると、可能な実装形態では、受信機光サブアセンブリは、第２のフィルタ構成要素をさらに含み、第２のフィルタ構成要素の第１の端子は、フォトダイオードの負極に接続され、第２のフィルタ構成要素の第２の端子は、第１のフィルタ構成要素の第１の端子に接続される。

本出願のこの実施形態では、第２のフィルタ構成要素および第１のフィルタ構成要素は、フォトダイオードの電力用端子からのクロストーク信号をフィルタリングすることができる。それに加えて、第２のフィルタ構成要素、フォトダイオード、およびトランスインピーダンス増幅器は、高周波信号のループがベースを通過しないように、独立した信号ループをさらに形成し得る。電源からの電磁クロストークが抑制され、ベースグランド（ベースＧＮＤ）またはトランスインピーダンス増幅器からの電磁クロストークも絶縁および吸収され、それによって、電磁クロストークからの受信機光サブアセンブリのトランスインピーダンス増幅ループ全体のフルパス絶縁を実施し、耐電磁クロストーク性能を改善する。

第１の態様を参照すると、可能な実装形態では、受信機光サブアセンブリは、第３のフィルタ構成要素をさらに含み、第３のフィルタ構成要素の第１の端子は、トランスインピーダンス増幅器の電力用端子に接続され、第３のフィルタ構成要素の第２の端子は、トランスインピーダンス増幅器の第２のグランド端子に接続される。

本出願のこの実施形態では、第１のフィルタ構成要素および第３のフィルタ構成要素は、トランスインピーダンス増幅器の電力用端子からのクロストーク信号をフィルタリングすることができる。それに加えて、第３のフィルタ構成要素およびトランスインピーダンス増幅器は、高周波信号のループがベースを通過しないように、独立した信号ループをさらに形成し得る。電源からの電磁クロストークが抑制され、ベースグランド（ベースＧＮＤ）またはトランスインピーダンス増幅器からの電磁クロストークも絶縁および吸収され、それによって、耐電磁クロストーク性能を改善する。

第１の態様を参照すると、可能な実装形態では、受信機光サブアセンブリは、第４のフィルタ構成要素をさらに含み、第４のフィルタ構成要素の第１の端子は、第３のフィルタ構成要素の第２の端子に接続され、第４のフィルタ構成要素の第２の端子は、外部グランドに接続される。

本出願のこの実施形態では、第３のフィルタ構成要素および第４のフィルタ構成要素は、トランスインピーダンス増幅器の電力用端子からのクロストーク信号をフィルタリングすることができる。それに加えて、第３のフィルタ構成要素およびトランスインピーダンス増幅器はまた、高周波信号のループがベースを通過しないように、独立した信号ループをさらに形成し得る。電源からの電磁クロストークが抑制され、ベースグランド（ベースＧＮＤ）またはトランスインピーダンス増幅器のグランド端子からの電磁クロストークも絶縁および吸収され、それによって、耐電磁クロストーク性能を改善する。

第１の態様を参照すると、可能な実装形態では、受信機光サブアセンブリは、第５のフィルタ構成要素をさらに含み、第５のフィルタ構成要素の第１の端子は、トランスインピーダンス増幅器の電力用端子に接続され、第５のフィルタ構成要素の第２の端子は、外部グランドに接続される。

本出願のこの実施形態では、第５のフィルタ構成要素は、トランスインピーダンス増幅器の電力用端子からのクロストーク信号を抑制するように構成され得、それによって、受信機光サブアセンブリの耐電磁クロストーク性能を改善する。

第１の態様を参照すると、可能な実装形態では、受信機光サブアセンブリは、第６のフィルタ構成要素をさらに含み、第６のフィルタ構成要素の第１の端子は、フォトダイオードの負極に接続され、第６のフィルタ構成要素の第２の端子は、外部グランドに接続される。

本出願のこの実施形態では、第６のフィルタ構成要素は、フォトダイオードの電力用端子からのクロストーク信号を抑制するように構成され得、それによって、受信機光サブアセンブリの耐電磁クロストーク性能を改善する。

第１の態様を参照すると、可能な実装形態では、第１のフィルタ構成要素の静電容量は、１００ｐＦよりも大きい。

本出願のこの実施形態では、グランドからの電磁クロストークがフィルタリングされ得るように、ベースグランドおよびトランスインピーダンス増幅器のグランド端子からのクロストーク信号は、第１のフィルタ構成要素の大きい静電容量を使用することによって、吸収および絶縁され得る。

第１の態様によれば、可能な実装形態では、クロストーク信号周波数帯域における第１のフィルタ構成要素の散乱パラメータは、２０ｄＢよりも大きい。

本出願のこの実施形態では、第１のフィルタ構成要素がクロストーク信号に対してより強いフィルタリング機能を有するように、第１のフィルタ構成要素のより大きい散乱パラメータがクロストーク信号周波数帯域において設定され得る。

第１の態様を参照すると、可能な実装形態では、第１のフィルタ構成要素は、キャパシタを含む。

第１の態様を参照すると、可能な実装形態では、トランスインピーダンス増幅器の第２のグランド端子は、トランスインピーダンス増幅器の入力段グランド端子を含む。

本出願のこの実施形態では、グランドからの電磁クロストーク信号がトランスインピーダンス増幅器の入力段、すなわち、トランスインピーダンス増幅機能の前にフィルタリングされ得るように、トランスインピーダンス増幅器の入力段グランド端子は、第２のグランド端子として使用される。このようにして、トランスインピーダンス増幅器によって増幅されたクロストーク信号によって引き起こされる電磁クロストークのより強い影響が回避され得、耐電磁干渉性能が最適化される。

第１の態様を参照すると、可能な実装形態では、トランスインピーダンス増幅器の電力用端子およびフォトダイオードの負極は、同じ外部電源に接続するように構成される。

本出願のこの実施形態では、追加の外部電源が提供される必要がないように、トランスインピーダンス増幅器の電力用端子およびフォトダイオードの負極は、同じ外部電源に接続される。これは、回路設計を簡略化するという利点を有する。

第１の態様を参照すると、可能な実装形態では、トランスインピーダンス増幅器の電力用端子およびフォトダイオードの負極は、異なる外部電源に接続するように構成される。

本出願のこの実施形態では、回路設計の柔軟性が改善されるように、トランスインピーダンス増幅器の電力用端子およびフォトダイオードの負極は、異なる外部電源に接続される。

第１の態様を参照すると、可能な実装形態では、トランスインピーダンス増幅器の電力用端子は、外部電源に接続するように構成され、トランスインピーダンス増幅器は、電圧調整モジュールを含み、電圧調整モジュールは、トランスインピーダンス増幅器の電力用端子に接続され、フォトダイオードの負極は、電圧調整モジュールに接続するように構成される。

本出願のこの実施形態では、トランスインピーダンス増幅器の電力用端子は、外部電源に接続され、追加の外部電源が提供される必要がないように、電力は、トランスインピーダンス増幅器内部の電圧調整モジュールを使用することによってフォトダイオードに供給される。これは、回路設計を簡略化するという利点を有する。

第１の態様の任意の２つ以上の可能な実装形態は、互いに組み合わされ得ることが理解され得る。

第２の態様によれば、双方向光サブアセンブリが提供される。双方向光サブアセンブリは、第１の態様または第１の態様の可能な実装形態のうちの任意の１つによる受信機光サブアセンブリを含む。

第３の態様によれば、光モジュールが提供される。光モジュールは、第２の態様による双方向光サブアセンブリを含む。

第４の態様によれば、光ネットワークデバイスが提供される。光ネットワークデバイスは、第３の態様による光モジュールを含む。

第４の態様によれば、可能な実装形態では、光ネットワークデバイスは、ＯＬＴまたはＯＮＵである。

本出願の実施形態によるアプリケーションシナリオの概略図である。 本出願の実施形態による、トランジスタアウトライン缶（ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ｏｕｔｌｉｎｅ ｃａｎ、ＴＯ ＣＡＮ）形態においてパッケージングされた受信機光サブアセンブリの構造の構造図である。 本出願の実施形態による受信機光サブアセンブリの回路の概略図である。 従来技術における受信機光サブアセンブリの信号ループの概略図である。 本出願の別の実施形態による受信機光サブアセンブリの回路の概略図である。 本出願の実施形態によるトランスインピーダンス増幅器の概略図である。 本出願の別の実施形態によるトランスインピーダンス増幅器の概略図である。 本出願の別の実施形態による受信機光サブアセンブリの回路の概略図である。 本出願の別の実施形態による受信機光サブアセンブリの回路の概略図である。 本出願の実施形態によるフィルタ構成要素の概略図である。 本出願の別の実施形態による受信機光サブアセンブリの回路の概略図である。 本出願の別の実施形態による受信機光サブアセンブリの回路の概略図である。 本出願の別の実施形態による受信機光サブアセンブリの回路の概略図である。 本出願の別の実施形態による受信機光サブアセンブリの回路の概略図である。 本出願の別の実施形態による受信機光サブアセンブリの回路の概略図である。 図１５における受信機光サブアセンブリの信号ループの概略図である。 図１５における受信機光サブアセンブリの信号ループの概略図である。 本出願の別の実施形態による受信機光サブアセンブリの回路の概略図である。 図１７における受信機光サブアセンブリの信号ループの概略図である。 図１７における受信機光サブアセンブリの信号ループの概略図である。 本出願の別の実施形態による受信機光サブアセンブリの回路の概略図である。 図１５におけるＴＯ ＣＡＮ形態においてパッケージングされた受信機光サブアセンブリの構造の概略図である。 図１９におけるＴＯ ＣＡＮ形態においてパッケージングされた受信機光サブアセンブリの構造の概略図である。

以下は、添付図面を参照して本出願における技術的解決策について説明する。

本出願の実施形態における技術的解決策は、様々なパッシブ光ネットワーク（ｐａｓｓｉｖｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｎｅｔｗｏｒｋ、ＰＯＮ）システム、たとえば、次世代ＰＯＮ（ｎｅｘｔ－ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ＰＯＮ、ＮＧ－ＰＯＮ）、ＮＧ－ＰＯＮ １、ＮＧ－ＰＯＮ ２、ギガビット対応ＰＯＮ（ｇｉｇａｂｉｔ－ｃａｐａｂｌｅ ＰＯＮ、ＧＰＯＮ）、１０ギガビット毎秒ＰＯＮ（１０ ｇｉｇａｂｉｔ ｐｅｒ ｓｅｃｏｎｄ ＰＯＮ、ＸＧ－ＰＯＮ）、１０ギガビット対応対称パッシブ光ネットワーク（１０－ｇｉｇａｂｉｔ－ｃａｐａｂｌｅ ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ｐａｓｓｉｖｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｎｅｔｗｏｒｋ、ＸＧＳ－ＰＯＮ）、イーサネットＰＯＮ（Ｅｔｈｅｒｎｅｔ ＰＯＮ、ＥＰＯＮ）、１０ギガビット毎秒ＥＰＯＮ（１０ ｇｉｇａｂｉｔ ｐｅｒ ｓｅｃｏｎｄ ＥＰＯＮ、１０Ｇ－ＥＰＯＮ）、次世代ＥＰＯＮ（ｎｅｘｔ－ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ＥＰＯＮ、ＮＧ－ＥＰＯＮ）、波長分割多重（ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ－ｄｉｖｉｓｉｏｎ ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ、ＷＤＭ）ＰＯＮ、時分割および波長分割多重（ｔｉｍｅ ａｎｄ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｄｉｖｉｓｉｏｎ ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ、ＴＷＤＭ）ＰＯＮ、ポイントツーポイント（ｐｏｉｎｔ－ｔｏ－ｐｏｉｎｔ、Ｐ２Ｐ）ＷＤＭ ＰＯＮ（Ｐ２Ｐ－ＷＤＭ ＰＯＮ）、非同期転送モードＰＯＮ（ａｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｍｏｄｅ ＰＯＮ、ＡＰＯＮ）、広帯域ＰＯＮ（ｂｒｏａｄｂａｎｄ ＰＯＮ、ＢＰＯＮ）、２５ギガビット毎秒ＰＯＮ（２５ ｇｉｇａｂｉｔ ｐｅｒ ｓｅｃｏｎｄ ＰＯＮ、２５Ｇ－ＰＯＮ）、５０ギガビット毎秒ＰＯＮ（５０ ｇｉｇａｂｉｔ ｐｅｒ ｓｅｃｏｎｄ ＰＯＮ、５０Ｇ－ＰＯＮ）、１００ギガビット毎秒ＰＯＮ（１００ ｇｉｇａｂｉｔ ｐｅｒ ｓｅｃｏｎｄ ＰＯＮ、１００Ｇ－ＰＯＮ）、２５ギガビット毎秒ＥＰＯＮ（２５ ｇｉｇａｂｉｔ ｐｅｒ ｓｅｃｏｎｄ ＥＰＯＮ、２５Ｇ－ＥＰＯＮ）、５０ギガビット毎秒ＥＰＯＮ（５０ ｇｉｇａｂｉｔ ｐｅｒ ｓｅｃｏｎｄ ＥＰＯＮ、５０Ｇ－ＥＰＯＮ）、１００ギガビット毎秒ＥＰＯＮ（１００ ｇｉｇａｂｉｔ ｐｅｒ ｓｅｃｏｎｄ ＥＰＯＮ、１００Ｇ－ＥＰＯＮ）、ならびに別のレートのＧＰＯＮまたはＥＰＯＮに適用され得、光伝送ネットワーク（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｎｅｔｗｏｒｋ、ＯＴＮ）などの光ネットワークにさらに適用され得る。

図１は、本出願の実施形態によるパッシブ光ネットワーク（ＰＯＮ）のアプリケーションシナリオの概略図である。図１に示されているように、パッシブ光ネットワーク（ＰＯＮ）は、光回線終端装置（ｏｐｔｉｃａｌ ｌｉｎｅ ｔｅｒｍｉｎａｌ、ＯＬＴ）と、光分配ネットワーク（ｏｐｔｉｃａｌ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｎｅｔｗｏｒｋ、ＯＤＮ）と、光ネットワークユニット（ｏｐｔｉｃａｌ ｎｅｔｗｏｒｋ ｕｎｉｔ、ＯＮＵ）とを含む。ＯＬＴは、ＯＤＮを介して、ユーザ側に配置された複数のＯＮＵに接続される。ＯＬＴおよびＯＮＵは、各々、１つまたは複数の光モジュールを含む。光モジュールは、光サブアセンブリ（ｏｐｔｉｃａｌ ｓｕｂ－ａｓｓｅｍｂｌｙ、ＯＳＡ）を含む。ＯＬＴとＯＮＵとの間の高速光伝送が実現されるように、被送信アナログまたはデジタル信号は、送信するための光信号に変換され、光信号は、受信され、対応するアナログまたはデジタル信号に変換される。

光サブアセンブリは、通常、光ネットワークデバイス（たとえば、ＯＬＴまたはＯＮＵ）内に配置される。光サブアセンブリは、光信号を受信および送信するように構成される。光サブアセンブリは、受信機光サブアセンブリ（ｒｅｃｅｉｖｅｒ ｏｐｔｉｃａｌ ｓｕｂ－ａｓｓｅｍｂｌｙ、ＲＯＳＡ）および送信機光サブアセンブリ（ｔｒａｎｓｍｉｔｔｉｎｇ ｏｐｔｉｃａｌ ｓｕｂ－ａｓｓｅｍｂｌｙ、ＴＯＳＡ）、または双方向光サブアセンブリ（ｂｉ－ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｏｐｔｉｃａｌ ｓｕｂ－ａｓｓｅｍｂｌｙ、ＢＯＳＡ）を含み得る。受信機光サブアセンブリは、光信号を受信し、光信号を電気信号に変換するように構成される。送信機光サブアセンブリは、電気信号を光信号に変換し、光信号を送信するように構成される。双方向光サブアセンブリは、受信機光サブアセンブリの機能を含むだけでなく、送信機光サブアセンブリの機能も含む。言い換えれば、双方向光サブアセンブリは、受信機光サブアセンブリと送信機光サブアセンブリとを含むものと理解され得る。本出願のこの実施形態では、受信機光サブアセンブリは、光受信機と呼ばれる場合もある。光サブアセンブリが適用される光モジュールおよび光ネットワークデバイスのタイプは、本明細書のこの実施形態では限定されないことが留意されるべきである。ＯＬＴおよびＯＮＵに加えて、本明細書のこの実施形態における光モジュールおよび光サブアセンブリは、別のタイプの光ネットワークデバイス、たとえば、光スイッチまたはルータにさらに適用され得る。

図２は、本出願の実施形態による、トランジスタアウトライン缶（ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ｏｕｔｌｉｎｅ ｃａｎ、ＴＯ ＣＡＮ）形式内にパッケージングされた受信機光サブアセンブリ１０の構造の概略図である。図２に示されているように、受信機光サブアセンブリは、フォトダイオード（ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ、ＰＤ）２と、トランスインピーダンス増幅器（ｔｒａｎｓ－ｉｍｐｅｄａｎｃｅ ａｍｐｌｉｆｉｅｒ、ＴＩＡ）３と、受信機光サブアセンブリが正常に動作するように駆動するキャパシタ、抵抗器、およびインダクタなどの一般的に使用される電気要素とを含む。受信機光サブアセンブリは、前述の要素を担持するベース４、シーリングおよび光信号結合を実行するように構成されたチューブキャップ５、およびレンズなどの機能要素をさらに含み得る。ベース４は、ヘッダ（ｈｅａｄｅｒ）と呼ばれる場合もある。ベース４には、いくつかのピン６が設けられ、ピン６は、それぞれ、電源に接続し、グランドに接続し、光－電気変換後に取得された電気信号を出力するように構成される。ベース４上のピン６は、金線を使用することによって、フォトダイオード２およびトランスインピーダンス増幅器３上の信号電極に接続され得る。このようにして、光－電気変換後に取得された信号が出力され得る。フォトダイオードによって受け取られる光は、弱いので、フォトダイオード２によって生成された電気信号は、増幅のためにトランスインピーダンス増幅器３に出力される必要があり、次いで、増幅された電気信号が、ピン６を介して出力される。

通常、ピン６およびベース４の底部は、電気的に絶縁され、たとえば、ガラスセメントまたは別の絶縁材料を使用することによって絶縁され得る。底部全体は、グランド平面として使用され得、底部に接続された専用のピンを介して外部グランドに接続される。外部グランドは、アースまたはアースに接続された導体として理解され得る。ベース４上の要素は、代替的には、溶接によって接続され得る。

受信機光サブアセンブリがＯＮＵ内に配置される例が使用される。ＯＮＵおよび端末デバイス（携帯電話またはルータなど）は、通常、ワイヤレスフィデリティ（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ Ｆｉｄｅｌｉｔｙ、Ｗｉ－Ｆｉ）などのワイヤレス通信技術を使用することによって伝送を実行する。したがって、受信機光サブアセンブリは、通常、複雑な電磁放射環境内に配置される。受信機光サブアセンブリの通信信号への電磁放射によって引き起こされる干渉は、電磁クロストークと呼ばれ、干渉信号は、クロストーク信号と呼ばれる場合もある。たとえば、特に１０Ｇ ＰＯＮ高速時代では、１０Ｇ ＰＯＮ信号および５Ｇ Ｗｉ－Ｆｉキャリアの変調周波数が同じ周波数帯域（両方とも５ＧＨｚ）であるので、従来のフィルタリング手段を使用することによって、５Ｇ Ｗｉ－Ｆｉ信号によって発生される電磁クロストークをフィルタリングすることは困難である。一例では、受信機光サブアセンブリ内で発生される電気信号は、０．１マイクロアンペア（μＡ）から１０μＡのオーダであるが、５Ｇ Ｗｉ－Ｆｉ信号の送信電力は、通常、５００ミリワット（ｍＷ）であり、これは、受信機光サブアセンブリの信号よりも５００万倍大きく、受信機光サブアセンブリの信号と非常に容易に干渉する。受信機光サブアセンブリに対する電磁クロストークの影響は、通常、クロストークありの感度とクロストークなしの感度との間の差によって定義される電力コストによって表される。通常の受信機光サブアセンブリがどのような干渉対策も持たない場合、その干渉度は、１０ｂＢを超える可能性がある。これは、システムの正常な動作に深刻な影響を与える。したがって、受信機光サブアセンブリへの電磁クロストークをどのように低減するかは、産業において緊急に解決される必要がある問題である。

高速（たとえば、１０Ｇを超える伝送速度）のイーサネット伝送システムでは、受信機光サブアセンブリは、一般に、光スイッチまたはルータなどのデバイス上に配置され、受信機光サブアセンブリも、複雑な電磁放射環境内に配置される。たとえば、光サブアセンブリ内の送信機光サブアセンブリの高速駆動電流は、通常、少なくとも１００ｍＡに達する可能性があり、高速交流電流は、回路内の不連続インピーダンスに遭遇すると、電磁波を放射し、したがって、受信機光サブアセンブリに弱い電気信号（約０．１マイクロアンペア（μＡ）から１０μＡのオーダ）を発生し、干渉を引き起こす。そのような干渉は、通常、送信と受信との間のクロストークと呼ばれる。そのようなクロストークは、光サブアセンブリおよび光モジュールが設計されるときに、可能な限り排除および回避されるべきである。それに加えて、光スイッチまたはルータなどのデバイス内には、消費電力が大きく、大容量の多くのスイッチングチップが存在する。これらのチップが動作するとき、大きい電磁放射が発生する。それに加えて、通常、高速回路のインピーダンスを完全に連続にすることは困難であり、電磁放射は必ず外部に生成される。すべての電磁放射は、受信機光サブアセンブリに弱い電気信号を生成し、干渉を引き起こす。したがって、光ネットワークデバイス内の電磁放射によって受信機光サブアセンブリに対して引き起こされるクロストークをどのように低減するかは、光サブアセンブリを設計する上で常に大きな課題である。また、外部からの電磁クロストークによって影響も受ける。

前述の問題に対して、本出願は、耐電磁クロストーク受信機光サブアセンブリの解決策を提供する。受信機光サブアセンブリの感度に対する電磁クロストークの影響は、特別な耐干渉構造を使用することによって低減される。

図３は、本出願の実施形態による受信機光サブアセンブリ１０の回路の概略図である。図３に示されているように、受信機光サブアセンブリ１０は、フォトダイオード（ＰＤ）２と、トランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ）３と、ベースとを含む。フォトダイオード２の負極は、電力用端子Ｖ_ＰＤに接続される。電力用端子Ｖ_ＰＤは、電源Ｖ_ＰＤに接続するように構成される。電源Ｖ_ＰＤは、フォトダイオード２の駆動電源である。フォトダイオード２の正極は、トランスインピーダンス増幅器３の入力端子に接続される。フォトダイオード２は、光－電気変換を実行し、電気信号を生成するように構成される。フォトダイオード２によって出力される電流は、弱いので、フォトダイオード２によって出力された電気信号は、トランスインピーダンス増幅器３によって増幅される。トランスインピーダンス増幅器３は、増幅された電気信号を出力する。

図３に示されているトランスインピーダンス増幅器３の構造は、トランスインピーダンス増幅器３の例である。トランスインピーダンス増幅器３は、たとえば、等価トランスインピーダンス３２と出力バッファ３４とを含み得る。トランスインピーダンス増幅器３の増幅率は、通常、等価トランスインピーダンス３２を使用することによって表され、入力された弱い電気信号電流に対するトランスインピーダンス増幅器３によって出力された信号の電圧振幅の比に数値的に等しい。出力バッファ３４は、トランスインピーダンス増幅器３の出力段であり、トランスインピーダンス増幅器３によって増幅された信号をある方式において出力するように、たとえば、信号を差動増幅方式または単純な単一端子方式において出力するように構成される。トランスインピーダンス増幅器３は、入力端子と、出力端子（ＴＩＡ ＯＵＴ＋およびＴＩＡ ＯＵＴ－）と、電力用端子Ｖ_ＣＣと、グランド端子（ＧＮＤ １およびＧＮＤ ２）とをさらに含み得る。トランスインピーダンス増幅器３の入力端子は、フォトダイオード２によって出力された電気信号を受信するように構成され、トランスインピーダンス増幅器３の出力端子は、増幅された電気信号を出力するように構成される。たとえば、トランスインピーダンス増幅器３の出力端子は、差動信号出力端子ＴＩＡ ＯＵＴ＋およびＴＩＡ ＯＵＴ－を含み得る。トランスインピーダンス増幅器３の電力用端子Ｖ_ＣＣは、電源Ｖ_ＣＣに接続するように構成される。電源Ｖ_ＣＣは、トランスインピーダンス増幅器３の電源である。トランスインピーダンス増幅器３のグランド端子は、接地され得る。図３に示されているように、トランスインピーダンス増幅器３のグランド端子は、ベースグランド（ベースＧＮＤ）に接続することによって外部グランドに接続され得る。上記で説明されているように、グランド端子がベースに接続されることは、グランド端子がベースの底部に接続され、底部が専用のピンを介して外部グランドに接続されることを意味する場合がある。

図３は、クロストーク信号および正常な信号のループをさらに示す。図３に示されているように、電磁クロストークは、受信機光サブアセンブリ１０に入るクロストーク信号の異なるソースに基づく３つのタイプのクロストーク信号を含む場合がある。第１のタイプは、フォトダイオード２の電力用端子Ｖ_ＰＤを介して信号ループに入るクロストーク信号である。第２のタイプは、トランスインピーダンス増幅器３の電力用端子Ｖ_ＣＣを介して信号ループに入るクロストーク信号である。第３のタイプは、グランド（ＧＮＤ）を介して信号ループに入るクロストーク信号であり、これは、たとえば、ベースグランド（ベースＧＮＤ）またはトランスインピーダンス増幅器３のグランド端子を介して信号ループに入るクロストーク信号として理解され得る。前述の３つのタイプのクロストーク信号は、正常な信号に対して干渉を引き起こす。したがって、これらのクロストーク信号は、回路が設計されるときに、可能な限りフィルタリングされる必要がある。

一例では、図４は、耐電磁クロストークソリューションを示す。図４に示されているように、受信機光サブアセンブリ１０は、第５のフィルタ構成要素１５と第６のフィルタ構成要素１６とを含む。第５のフィルタ構成要素１５の第１の端子は、電力用端子Ｖ_ＣＣに接続され、第５のフィルタ構成要素１５の第２の端子は、ベースグランドに接続される。第５のフィルタ構成要素１５は、電力用端子Ｖ_ＣＣからのクロストーク信号をフィルタリングするように構成され得る。第６のフィルタ構成要素１６の第１の端子は、電力用端子Ｖ_ＰＤに接続され、第６のフィルタ構成要素１６の第２の端子は、ベースに接続される。第６のフィルタ構成要素１６は、電力用端子Ｖ_ＰＤからのクライアント信号をフィルタリングするように構成され得る。

しかしながら、図４における回路は、ベースグランド（ベースＧＮＤ）またはトランスインピーダンス増幅器３のグランド端子を介して信号ループに入るクロストーク信号を処理することができない。たとえば、クロストーク信号は、第５のフィルタ構成要素１５の下面を介して信号ループに入る場合があり、第６のフィルタ構成要素１６の下面を介して信号ループに入る場合があり、またはベースグランド（ベースＧＮＤ）およびトランスインピーダンス増幅器３のグランド端子を介して信号ループに入る場合がある。クロストーク信号は、トランスインピーダンス増幅器３によって増幅され、正常な信号と一緒に出力される。これは、正常な信号伝送に影響を及ぼし、特に１０Ｇ ＰＯＮシステムについて、５Ｇ Ｗｉ－Ｆｉのクロストークに関する信号の周波数は、システムの正常な信号の周波数と一致し、後続の回路におけるクロストーク信号をフィルタリングすることは困難である。

可能な解決策では、電力コストをさらに低減し、システムの正常な動作を確実にするために、電磁シールドカバーが受信機光サブアセンブリ１０の外側に追加され得る。しかしながら、これは、コストを増加させる。さらに、シールドカバーの構造のサイズが大きいので、受信機光サブアセンブリ１０全体のサイズが増加され、コンパクトなシナリオにおける要件を満たすことが困難である。

前述の問題を解決するために、本出願は、グランドからのクロストーク信号を低減する耐電磁クロストークソリューションをさらに提供する。図５は、本出願の別の実施形態による受信機光サブアセンブリ１０の回路の概略図である。

図５に示されているように、受信機光サブアセンブリ１０は、フォトダイオード２と、トランスインピーダンス増幅器３と、第１のフィルタ構成要素１１とを含む。フォトダイオード２とトランスインピーダンス増幅器３との間の接続関係は、図３に示されているものと同じである。簡略化のため、詳細についてここでは再び説明されない。図５において、トランスインピーダンス増幅器３の第１のグランド端子（ＧＮＤ １）は、外部グランドに接続するように構成され、トランスインピーダンス増幅器３の第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）は、第１のフィルタ構成要素１１の第１の端子に接続され、第１のフィルタ構成要素１１の第２の端子は、外部グランドに接続される。言い換えれば、第１のフィルタ構成要素１１は、外部グランドとトランスインピーダンス増幅器３の第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）との間に配置される。そのような構造を使用することによって、グランドからのクロストーク信号が効果的にフィルタリングされ得る。

本出願のこの実施形態では、トランスインピーダンス増幅器３の第１のグランド端子（ＧＮＤ １）は、直流接地を実装するために外部グランドに接続される。それに加えて、第１のフィルタ構成要素１１は、交流接地を実装するために、トランスインピーダンス増幅器３の第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）と外部グランドとの間に配置される。第１のフィルタ構成要素１１は、グランドからの電磁クロストーク信号をフィルタリングすることができ、それによって、受信機光サブアセンブリ１０の耐電磁干渉性能を改善する。

トランスインピーダンス増幅器３は、１つまたは複数のグランド端子を含むことが留意されるべきである。１つのグランド端子のみを含むトランスインピーダンス増幅器３はまた、拡張方式（たとえば、１つのグランド点上の複数のワイヤをグランドに溶接する方式）において複数のグランド端子の効果を達成し得る。トランスインピーダンス増幅器３の複数のグランド端子は、複数の第１のグランド端子（ＧＮＤ １）と複数の第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）とに分割され得る。たとえば、トランスインピーダンス増幅器は、１つまたは複数の入力段グランド端子と１つまたは複数の出力段グランド端子とを含み得、１つまたは複数の中間段グランド端子をさらに含み得る。１つまたは複数の中間段グランド端子は、入力段と出力段との間に機能的に配置された１つまたは複数のグランド端子であり得る。トランスインピーダンス増幅器チップの性能および内部レイアウト要件により、異なるグランド端子は、通常、それぞれ、トランスインピーダンス増幅器３上の異なる物理的位置において配置される。異なるグランド端子間には、インダクタンス、静電容量、抵抗などの回路パラメータが存在する。したがって、グランド端子は、まとめて１つのものとして説明することはできない。本出願では、第１のグランド端子および第２のグランド端子は、トランスインピーダンス増幅器３上の物理的位置の任意の２つまたは２つのグループにおける異なるグランド端子を表し、トランスインピーダンス増幅器は、１つまたは複数の第１のグランド端子と１つまたは複数の第２のグランド端子とを含み得る。

たとえば、図６に示されているトランスインピーダンス増幅器は、１つの入力グランド端子３０１と２つの出力段グランド端子３０２および３０３とを含む。グランド端子を第１のグランド端子と第２のグランド端子とに分割する解決策は、以下の通りである。

（１）３０１は、第１のグランド端子であり、３０２および３０３は、第２のグランド端子に結合される。

（２）３０１および３０２は、第１のグランド端子に結合され、３０３は、第２のグランド端子である。

（３）３０１は、第１のグランド端子であり、３０２は、第１のグランド端子であり、３０３は、第２のグランド端子である。この解決策では、３０１および３０２は、独立した第１のグランド端子として使用され、すなわち、３０１および３０２は、両方とも第１のグランド端子である。

（４）３０１は、第１のグランド端子であり、３０２は、第２のグランド端子であり、３０３は、第２のグランド端子である。この解決策では、３０２および３０３は、独立した第２のグランド端子であり、すなわち、３０２および３０３は、両方とも本出願で説明されている第２のグランド端子である。

（５）３０１は、第２のグランド端子であり、３０２および３０３は、第１のグランド端子に結合される。

（６）３０１および３０２は、第２のグランド端子に結合され、３０３は、第１のグランド端子である。

（７）３０１は、第２のグランド端子であり、３０２は、第２のグランド端子であり、３０３は、第１のグランド端子である。この解決策では、３０１および３０２は、独立した第２のグランド端子として使用され、すなわち、３０１および３０２は、両方とも第２のグランド端子である。

（８）３０１は、第２のグランド端子であり、３０２は、第１のグランド端子であり、３０３は、第１のグランド端子である。この解決策では、３０２および３０３は、独立した第１のグランド端子として使用され、すなわち、３０２および３０３は、両方とも本明細書で説明されている第１のグランド端子である。

学習され得るように、トランスインピーダンス増幅器３は、第１のグランド端子（ＧＮＤ １）に関する複数の分割方式と第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）に関する複数の分割方式とを有する。トランスインピーダンス増幅器３の１つまたは複数の第１のグランド端子（ＧＮＤ １）は、直流グランド（外部グランド）に接続するように個別に構成される。トランスインピーダンス増幅器３の１つまたは複数の第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）は、交流グランドに接続するように個別に構成される（フィルタ構成要素（たとえば、第１のフィルタ構成要素１１）を介してグランドに個別に接続される）。第１のフィルタ構成要素１１は、複数の独立したフィルタを含み得、各フィルタは、第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）に接続されることが留意されるべきである。

さらに、図７は、本出願におけるトランスインピーダンス増幅器３の第１のグランド端子（ＧＮＤ １）および第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）のための分割解決策の例である。同じ機能を有する入力段グランド端子４０１および４０２が第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）に結合され、同じ機能を有する中間段グランド端子４０３および４０４が第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）に結合され、同じ機能を有する出力段グランド端子４０５および４０６が第１のグランド端子（ＧＮＤ １）に結合される。第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）は、第１のフィルタ構成要素１１１に接続される。第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）は、別の第１のフィルタ構成要素１１２に接続される。グランド端子４０１および４０２は、トランスインピーダンス増幅器３において同じ機能を有し、互いに物理的に近接しており、共に第１のフィルタ構成要素１１１に接続される。このようにして、第１のフィルタ構成要素を使用しながら、グランド端子４０１および４０２の電磁干渉ノイズがフィルタリングされ得、コストが低減される。したがって、グランド端子４０１および４０２は、最適化された耐電磁干渉性能を有する。同様に、グランド端子４０３および４０４は、トランスインピーダンス増幅器３において同じ機能を有し、互いに物理的に近接しており、共に第１のフィルタ構成要素１１２に接続され、最適化された耐電磁干渉性能も有する。図７に示されているように、トランスインピーダンス増幅器３の入力段グランド端子および中間段グランド端子は、両方とも、第１のフィルタ構成要素（１１１および１１２）に接続する第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）として使用される。このようにして、入力段グランド端子および中間段グランド端子の電磁干渉ノイズは、フィルタリングされ得、それによって、耐電磁干渉性能を改善する。トランスインピーダンス増幅器３の出力段グランド端子が第１のフィルタ構成要素１１１に接続する第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）として使用される場合、出力段グランド端子の電磁干渉ノイズもフィルタリングされ得、それによって、耐電磁干渉性能を改善することが留意されるべきである。したがって、トランスインピーダンス増幅器３の第１のグランド端子（ＧＮＤ １）は、直流グランド（外部グランド）に接続するように構成され、トランスインピーダンス増幅器３の第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）は、（フィルタ構成要素を介してグランドに接続された）交流グランドに接続するように構成されるものとして理解され得る。トランスインピーダンス増幅器３の直流グランドが性能要件を満たすことができることが保証される限り、トランスインピーダンス増幅器３のすべての他のグランド端子は、対応するグランド端子の電磁干渉ノイズをフィルタリングし、それによって耐電磁干渉性能を改善するために、第１のフィルタ構成要素（１１、１１１、１１２）に接続され得る。さらに、グランド（ベースグランドまたはトランスインピーダンス増幅器３のグランド端子）からの電磁クロストーク信号がトランスインピーダンス増幅器３の入力段において、すなわちトランスインピーダンス増幅機能の前にフィルタリングされ得るように、トランスインピーダンス増幅器３の入力段グランド端子は、第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）として使用される。このようにして、トランスインピーダンス増幅器によって増幅されたクロストーク信号によって引き起こされる電磁クロストークのより強い影響が回避され得、耐電磁干渉性能が最適化される。

オプションで、受信機光サブアセンブリ１０は、ベースを含み、ベースは、外部グランドに接続され得る。受信機光サブアセンブリ１０内の関連要素は、ベースを介して外部グランドに接続され得る。たとえば、トランスインピーダンス増幅器３の第１のグランド端子（ＧＮＤ １）は、受信機光サブアセンブリ１０のベースを介して外部グランドに接続され、第１のフィルタ構成要素１１の第２の端子は、受信機光サブアセンブリ１０のベースを介して外部グランドに接続される。代替的には、受信機光サブアセンブリ１０内の関連要素は、外部グランドに直接接続され得る。

オプションで、第１のフィルタ構成要素１１は、大きい静電容量を有するフィルタ構成要素であり得る。一例では、第１のフィルタ構成要素１１の静電容量は、１００ピコファラッド（ｐＦ）であり得、または１００ｐＦよりも大きくてもよい。ベースに接続された外部グランドは、ボードのアースであり得る。ベースグランド（ベースＧＮＤ）またはトランスインピーダンス増幅器３のグランド端子上に収集されるクロストーク信号の寄生パラメータが小さく、漏れが早い。クロストーク信号は、短期間に収集され、パルス型の特性を有する。ベースグランド（ベースＧＮＤ）またはトランスインピーダンス増幅器３のグランド端子からのクロストーク信号は、グランドからの電磁クロストークがフィルタリングされ得るように、第１のフィルタ構成要素１１の大きい静電容量を使用することによって吸収および絶縁され得る。

オプションで、第１のフィルタ構成要素１１がクロストーク信号に対してより強いフィルタリング機能を有するように、第１のフィルタ構成要素１１のより大きい散乱パラメータがクロストーク信号周波数帯域において設定され得る。たとえば、第１のフィルタ構成要素１１の散乱パラメータは、クロストーク信号周波数帯域において２０ｄＢよりも大きく設定され得る。

オプションで、図５に基づいて、本出願の実施形態における受信機光サブアセンブリ１０は、様々な変形例をさらに有し、すべての変形は、本出願の実施形態の保護範囲内に入る。たとえば、いくつかの変形例では、受信機光サブアセンブリ１０は、電力用端子Ｖ_ＰＤからのクロストーク信号もしくは電力用端子Ｖ_ＣＣからのクロストーク信号をさらにフィルタリングすることができ、または別の機能を実装することができる。以下は、添付図面を参照して、本出願の実施形態における受信機光サブアセンブリ１０について引き続き説明する。

オプションで、本出願の様々な実施形態では、トランスインピーダンス増幅器３の電源Ｖ_ＣＣおよびフォトダイオード２の電源Ｖ_ＰＤは、同じ外部電源であり得、または異なる外部電源であり得る。たとえば、図８に示されているように、トランスインピーダンス増幅器３の電力用端子Ｖ_ＣＣおよびフォトダイオード２の負極は、同じ外部電源Ｖ_ＣＣに接続され得る。この場合、受信機光サブアセンブリ１０は、１つの外部電源に接続され得、外部電源は、トランスインピーダンス増幅器３とフォトダイオード２の両方に電力を供給する。

代替的には、本出願の様々な実施形態では、図９に示されているように、トランスインピーダンス増幅器３の電力用端子Ｖ_ＣＣは、外部電源Ｖ_ＣＣに接続され得る。トランスインピーダンス増幅器３は、電圧調整モジュール（図には示されていない）を含み得る。電圧調整モジュールは、トランスインピーダンス増幅器３の電力用端子Ｖ_ＣＣに接続される。フォトダイオード２の負極は、電圧調整モジュールに接続される。電圧調整モジュールは、入力電圧を変換し、変換後に取得される出力電圧を生成し得る。電圧調整モジュールは、フォトダイオードの電源Ｖ_ＰＤに相当する。この場合、トランスインピーダンス増幅器３の電源は、外部電源であり、フォトダイオードは、トランスインピーダンス増幅器３内に配置された電圧調整モジュールを使用して電力を供給される。オプションで、電圧調整モジュールは、内蔵電力モジュール、電圧レギュレータ、電圧変換器などと呼ばれる場合もある。

オプションで、本出願の様々な実施形態におけるフィルタ構成要素、たとえば、以下で説明されている第１のフィルタ構成要素１１および第２のフィルタ構成要素１２から第６のフィルタ構成要素１６は、特定の電磁クロストーク周波数帯域に対するフィルタリング機能を実装することができる構成要素であり得る。フィルタ構成要素は、アクティブフィルタ構成要素および／またはパッシブフィルタ構成要素を含み得る。図１０は、本出願の実施形態によるフィルタ構成要素の概略図である。図１０における（ａ）に示されているように、フィルタ構成要素は、キャパシタを含み得る。図１０における（ｂ）に示されているように、フィルタ構成要素は、キャパシタと抵抗器とを含み得、または別の集積構成要素をさらに含み得る。図１０における（ｃ）に示されているように、フィルタ構成要素は、キャパシタとインダクタとを含み得る、または別の集積構成要素をさらに含み得る。図１０における（ｄ）に示されているように、フィルタ構成要素は、直列に接続された複数のキャパシタを含み得る。図１０における（ｅ）に示されているように、フィルタ構成要素は、並列に接続された複数のキャパシタを含み得る。図１０におけるキャパシタまたはインダクタは、ワイヤシーティング（ｗｉｒｅ ｓｅａｔｉｎｇ）によって形成された構造であり得る。本出願の様々な実施形態におけるフィルタ構成要素は、前述の例における構成要素に限定されず、他の形態であり得ることが理解され得る。特定の電磁クロストーク周波数帯域におけるフィルタリング機能を実装することができる任意の構成要素は、本出願の様々な実施形態におけるフィルタ構成要素として理解され得る。

図１１は、本出願の別の実施形態による受信機光サブアセンブリ１０の回路の概略図である。図１１に示されているように、第１のフィルタ構成要素１１に加えて、受信機光サブアセンブリ１０は、第２のフィルタ構成要素１２をさらに含み得る。第２のフィルタ構成要素１２の第１の端子は、フォトダイオード２の負極に接続され、第２のフィルタ構成要素１２の第２の端子は、第１のフィルタ構成要素１１の第１の端子に接続される。言い換えれば、第２のフィルタ構成要素１２は、フォトダイオード２の負極と第１のフィルタ構成要素１１との間に配置される。フォトダイオード２の負極は、電源Ｖ_ＰＤに接続するように構成されているので、第２のフィルタ構成要素１２が電力用端子Ｖ_ＰＤと第１のフィルタ構成要素１１との間に配置されているとも考えられ得る。第２のフィルタ構成要素１２および第１のフィルタ構成要素１１は、フォトダイオード２の電力用端子Ｖ_ＰＤからのクロストーク信号をフィルタリングすることができる。

それに加えて、高周波信号のループがベースを通過しないように、第２のフィルタ構成要素１２、フォトダイオード２、およびトランスインピーダンス増幅器３は、インピーダンス信号ループをさらに形成し得る。電源からの電磁クロストークが抑制され、ベースグランド（ベースＧＮＤ）またはトランスインピーダンス増幅器３のグランド端子からの電磁クロストークも絶縁および吸収され、それによって、電磁クロストークからの受信機光サブアセンブリ１０のトランスインピーダンス増幅ループ全体のフルパス絶縁を実施し、耐電磁クロストーク性能を改善する。

一例では、第２のフィルタ構成要素１２がクロストーク信号に対してより強いフィルタリング機能を有するように、クロストーク信号周波数帯域における第２のフィルタ構成要素１２の散乱パラメータは、可能な限り大きく設定され得る。たとえば、第２のフィルタ構成要素１２の散乱パラメータは、クロストーク信号周波数帯域において２０ｄＢよりも大きくてもよい。

図１２は、本出願の別の実施形態による受信機光サブアセンブリ１０の回路の概略図である。図１２に示されているように、受信機光サブアセンブリ１０は、第１のフィルタ構成要素１１と第３のフィルタ構成要素１３とを含む。第３のフィルタ構成要素１３の第１の端子は、トランスインピーダンス増幅器３の電力用端子Ｖ_ＣＣに接続され、第３のフィルタ構成要素１３の第２の端子は、トランスインピーダンス増幅器３の第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）に接続される。言い換えれば、第３のフィルタ構成要素１３は、トランスインピーダンス増幅器３の電力用端子Ｖ_ＣＣとトランスインピーダンス増幅器３の第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）との間に配置される。トランスインピーダンス増幅器３の電力用端子Ｖ_ＣＣは、電源Ｖ_ＣＣに接続するように構成され、トランスインピーダンス増幅器３の第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）は、第１のフィルタ構成要素１１の第１の端子に接続されるので、第３のフィルタ構成要素１３が電源ＶＣＣと第１のフィルタ構成要素１１との間に配置されているとも考えられ得る。第１のフィルタ構成要素１１および第３のフィルタ構成要素１３は、電力用端子Ｖ_ＣＣからのクロストーク信号をフィルタリングすることができる。

それに加えて、第３のフィルタ構成要素１３およびトランスインピーダンス増幅器３は、高周波信号のループがベースを通過しないように、独立した信号ループをさらに形成し得る。電源からの電磁クロストークが抑制され、ベースグランド（ベースＧＮＤ）またはトランスインピーダンス増幅器３のグランド端子からの電磁クロストークも絶縁および吸収され、それによって、耐電磁クロストーク性能を改善する。

オプションで、第３のフィルタ構成要素１３は、大きい静電容量を有するフィルタ構成要素であり得る。一例では、第３のフィルタ構成要素１３の静電容量は、１００ピコファラッド（ｐＦ）であり得、または１００ｐＦよりも大きくてもよい。グランドからの電磁クロストークがより迅速にフィルタリングされ得るように、大きい静電容量を有する構成要素が第３のフィルタ構成要素１３として使用される。

オプションで、第３のフィルタ構成要素１３がクロストーク信号に対してより強いフィルタリング機能を有するように、第３のフィルタ構成要素１３のより大きい散乱パラメータがクロストーク信号周波数帯域において設定され得る。たとえば、第３のフィルタ構成要素１３の散乱パラメータは、クロストーク信号周波数帯域において２０ｄＢよりも大きく設定され得る。

オプションで、図１３に示されているように、図１２における受信機光サブアセンブリ１０は、第２のフィルタ構成要素１２をさらに含み得る。第２のフィルタ構成要素１２の接続関係および機能は、上記で説明されているものと同じであり、詳細についてここでは再び説明されない。

図１４は、本出願の別の実施形態による受信機光サブアセンブリ１０の回路の概略図である。図１４に示されているように、受信機光サブアセンブリ１０は、第１のフィルタ構成要素１１と、第２のフィルタ構成要素１２と、第３のフィルタ構成要素１３と、第４のフィルタ構成要素１４とを含む。第４のフィルタ構成要素１４の第１の端子は、第３のフィルタ構成要素１３の第２の端子に接続される。第４のフィルタ構成要素１４の第２の端子は、外部グランドに接続される。言い換えれば、第４のフィルタ構成要素１４は、第３のフィルタ構成要素１３と外部グランドとの間に配置される。第４のフィルタ構成要素１４は、グランドからの電磁クロストークをフィルタリングするように構成され得る。本出願のこの実施形態では、第１のフィルタ構成要素１１から第３のフィルタ構成要素１３の機能は、上記で説明されているものと同じまたは同様であり、詳細についてここでは再び説明されない。

オプションで、第３のフィルタ構成要素１３の第２の端子は、トランスインピーダンス増幅器３の第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）に接続されるので、第４のフィルタ構成要素１４の２つの端子の接続関係は、第１のフィルタ構成要素１１のものと同じであり得る。具体的には、トランスインピーダンス増幅器３の第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）は、１つまたは複数のグランド端子を含み得るので、第１のフィルタ構成要素１１および第４のフィルタ構成要素１４は、トランスインピーダンス増幅器３の同じグランド端子に接続され得、またはトランスインピーダンス増幅器３の異なるグランド端子に接続され得る。第１のフィルタ構成要素１１および第４のフィルタ構成要素１４に接続された第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）がトランスインピーダンス増幅器３の異なるグランド端子である場合、第１のフィルタ構成要素１１および第４のフィルタ構成要素１４は、異なるフィルタ構成要素を使用することによって実装され得る。第１のフィルタ構成要素１１および第４のフィルタ構成要素１４に接続された第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）がトランスインピーダンス増幅器３の同じグランド端子である場合、第１のフィルタ構成要素１１および第４のフィルタ構成要素１４は、（たとえば、図１３に示されているように）同じフィルタ構成要素であり得る。たとえば、第１のフィルタ構成要素１１および第４のフィルタ構成要素１４は、同じキャパシタを使用することによって実装され得、または複数のキャパシタを使用することによって実装され得る。たとえば、第１のフィルタ構成要素１１の静電容量が１００ｐＦであり、第４のフィルタ構成要素１４の静電容量が１００ｐＦである場合、２００ｐＦのキャパシタが、トランスインピーダンス増幅器３の第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）と外部グランドとの間に配置され得、または２つの１００ｐＦのキャパシタが、トランスインピーダンス増幅器３の第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）と外部グランドとの間に並列に接続され得、または別の方式が実装のために使用され得る。

本出願のこの実施形態では、第１のフィルタ構成要素１１および第２のフィルタ構成要素１２は、フォトダイオード２の電力用端子Ｖ_ＰＤからのクロストーク信号をフィルタリングすることができる。第３のフィルタ構成要素１３および第４のフィルタ構成要素１４は、電力用端子Ｖ_ＣＣからのクロストーク信号をフィルタリングすることができる。それに加えて、第２のフィルタ構成要素１２、フォトダイオード２、およびトランスインピーダンス増幅器３は、独立した信号ループを形成し得る。第３のフィルタ構成要素１３およびトランスインピーダンス増幅器３も、独立した信号ループを形成し得る。２つの独立した信号ループは、高周波信号のループがベースを通過しないようにすることができる。電源からの電磁クロストークが抑制され、ベースグランド（ベースＧＮＤ）またはトランスインピーダンス増幅器３のグランド端子からの電磁クロストークも絶縁および吸収され、それによって耐電磁クロストーク性能を改善する。

図１５は、本出願の別の実施形態による受信機光サブアセンブリ１０の回路の概略図である。図１５に示されているように、受信機光サブアセンブリ１０は、第１のフィルタ構成要素１１と、第２のフィルタ構成要素１２と、第５のフィルタ構成要素１５とを含む。第５のフィルタ構成要素１５の第１の端子は、トランスインピーダンス増幅器３の電力用端子Ｖ_ＣＣに接続され、第５のフィルタ構成要素１５の第２の端子は、外部グランドに接続される。言い換えれば、第５のフィルタ構成要素１５は、トランスインピーダンス増幅器３の電力用端子Ｖ_ＣＣと外部グランドとの間に配置される。第５のフィルタ構成要素１５は、電力用端子Ｖ_ＣＣからのクロストーク信号を抑制するように構成され得る。

オプションで、図１５に示されているように、受信機光サブアセンブリ１０は、第６のフィルタ構成要素１６をさらに含む。第６のフィルタ構成要素１６の第１の端子は、フォトダイオード２の負極に接続され、第６のフィルタ構成要素１６の第２の端子は、外部グランドに接続される。言い換えれば、第６のフィルタ構成要素１６は、フォトダイオード２の負極と外部グランドとの間に配置される。フォトダイオード２の負極は、電力用端子Ｖ_ＰＤに接続されているので、第６のフィルタ構成要素１６は、フォトダイオード２の電力用端子Ｖ_ＰＤと外部グランドとの間に配置されていると考えられ得る。第６のフィルタ構成要素１６は、フォトダイオード２の電力用端子Ｖ_ＰＤからのクロストーク信号をフィルタリングするように構成され得る。

オプションで、図５から図１４に示されている任意の受信機光サブアセンブリ１０は、第５のフィルタ構成要素１５および／または第６のフィルタ構成要素１６を含み得る。

図１６（ａ）および図１６（ｂ）は、図１５における受信機光サブアセンブリ１０の信号ループの概略図である。図１６（ａ）は、電力用端子Ｖ_ＣＣまたは電力用端子Ｖ_ＰＤからのクロストーク信号を示す。図１６（ｂ）は、ベースグランド（ベースＧＮＤ）からのクロストーク信号を示す。図１６（ａ）および図１６（ｂ）に示されているように、電力用端子Ｖ_ＣＣからのクロストーク信号は、第５のフィルタ構成要素１５によってフィルタリングされ得、電力用端子Ｖ_ＰＤからのクロストーク信号は、第６のフィルタ構成要素１６によってフィルタリングされ得る。代替的には、電力用端子Ｖ_ＰＤからのクロストーク信号は、第１のフィルタ構成要素１１および第２のフィルタ構成要素１２によってフィルタリングされ得る。第２のフィルタ構成要素１２、フォトダイオード２、およびトランスインピーダンス増幅器３は、独立した信号ループを形成する。第１のフィルタ構成要素１１は、グランドからのクロストーク信号を絶縁しており、クロストーク信号は、前述の信号ループに入らないので、グランドからの電磁干渉は、良好に抑制される。

グランドからの大部分のクロストーク信号は、第１のフィルタ構成要素１１によってフィルタリングされ得る。グランドからのクロストーク信号のごく一部は、第５のフィルタ構成要素１５によってフィルタリングされ得る。トランスインピーダンス増幅器３内部のＶ_ＣＣ電源線は、高周波クロストークに対して良好なフィルタリング効果を有するので、トランスインピーダンス増幅器３内部のＶ_ＣＣ電源線は、クロストーク信号のこの部分がトランスインピーダンス増幅器３に入った後、クロストーク信号のこの部分をフィルタリングすることができる。グランドからのクロストーク信号のごく一部が第６のフィルタ構成要素１６を通ってＶ_ＰＤ電力ループに入り、クロストーク信号のこの部分は、第１のフィルタ構成要素１１および第２のフィルタ構成要素１２によってフィルタリングされ得る。

図１５、図１６（ａ）、および図１６（ｂ）に示されている受信機光サブアセンブリ１０は、電力用端子Ｖ_ＰＤ、電力用端子Ｖ_ＣＣ、およびグランドからのクロストーク信号に対して良好なフィルタリング能力を有し、それによって、受信機光サブアセンブリ１０の耐電磁干渉能力を改善する。

図１７は、本出願の別の実施形態による受信機光サブアセンブリ１０の回路の概略図である。図１７における受信機光サブアセンブリ１０は、第１のフィルタ構成要素１１から第６のフィルタ構成要素１６を含む。図１７における様々なフィルタ構成要素の接続方式は、前述の実施形態におけるものと同じである。簡略化のために、詳細についてここでは再び説明されない。

図１８（ａ）および図１８（ｂ）は、図１７における受信機光サブアセンブリ１０の信号ループの概略図である。図１８（ａ）は、電力用端子Ｖ_ＣＣおよび電力用端子Ｖ_ＰＤからのクロストーク信号を示す。図１８（ｂ）は、グランド（ベースＧＮＤ）からのクロストーク信号を示す。図１８（ａ）および図１８（ｂ）に示されているように、電力用端子Ｖ_ＣＣからのクロストーク信号は、第５のフィルタ構成要素１５によってフィルタリングされ得、電力用端子Ｖ_ＰＤからのクロストーク信号は、第６のフィルタ構成要素１６によってフィルタリングされ得る。代替的に、電力用端子Ｖ_ＰＤからのクロストーク信号は、第１のフィルタ構成要素１１および第２のフィルタ構成要素１２によってフィルタリングされ得る。第２のフィルタ構成要素１２、フォトダイオード２、トランスインピーダンス増幅器３は、独立した信号ループを形成する。それに加えて、第３のフィルタ構成要素１３およびトランスインピーダンス増幅器３も、独立した信号ループを形成する。第１のフィルタ構成要素１１および第４のフィルタ構成要素１４は、グランドからのクロストーク信号を絶縁しており、クロストーク信号は、前述の２つの信号ループに入らないので、グランドからの電磁干渉は、良好に抑制され、それによって、電磁クロストークに対するフィルタリング能力を改善する。

グランドからのクロストーク信号のごく一部は、第５のフィルタ構成要素１５を介して電源Ｖ_ＣＣ電力ループにさらに入る場合があり、クロストーク信号のこの部分は、第３のフィルタ構成要素１３および第４のフィルタ構成要素１４によってフィルタリングされ得る。グランドからのクロストーク信号のごく一部は、第６のフィルタ構成要素１６を介してＶ_ＰＤ電力ループに入り、クロストーク信号のこの部分は、第１のフィルタ構成要素１１および第２のフィルタ構成要素１２によってフィルタリングされ得る。

図１９は、本出願の別の実施形態による受信機光サブアセンブリ１０の回路の概略図である。図１９における受信機光サブアセンブリ１０は、図１７におけるものと同様である。違いは、図１９における受信機光サブアセンブリ１０が第４のフィルタ構成要素１４を含まないことであり、または第１のフィルタ構成要素１１および第４のフィルタ構成要素１４が１つのフィルタ構成要素に結合されていると理解され得る。

図２０および図２１を参照して、以下は、本出願に対応する、ＴＯ ＣＡＮ形態においてパッケージングされた受信機光サブアセンブリ１０の実施形態について引き続き説明する。

図２０は、図１５におけるＴＯ ＣＡＮ形態においてパッケージングされた受信機光サブアセンブリ１０の構造の概略図である。図２０に示されているように、受信機光サブアセンブリ１０は、電源Ｖ_ＣＣピンと、電源Ｖ_ＰＤピンと、トランスインピーダンス増幅器３の差動出力端子ＴＩＡ ＯＵＴ＋ピンおよびＴＩＡ ＯＵＴ－ピンとを含む。それに加えて、ベースの底部全体が、グランドケーブルとしてグランドピン（図には示されていない）に接続される。具体的には、電源Ｖ_ＣＣピン、第５のフィルタ構成要素１５の上面、およびトランスインピーダンス増幅器３の電力用端子は、ボンディングワイヤを使用することによって接続され得る。図２０における実線（すなわち、ボンディングワイヤ）は、様々な構成要素間の接続関係を表し、破線は、様々な要素の参照番号を識別するために使用される。第５のフィルタ構成要素１５の下面は、導電性接着剤または溶接によってベースグランドＧＮＤに接続される。電源Ｖ_ＰＤピン、第６のフィルタ構成要素１６の上面、および第２のフィルタ構成要素１２の上面は、ボンディングワイヤを使用することによって接続される。第２のフィルタ構成要素１２の上面は、導電性接着剤または溶接によってフォトダイオード２の負極（下面）に接続される。フォトダイオード２の正極は、ボンディングワイヤを使用することによってトランスインピーダンス増幅器３の入力端子ＩＮに接続される。第１のフィルタ構成要素１１の上面は、導電性接着剤または溶接によって第２のフィルタ構成要素１２の下面に接続され得る。第１のフィルタ構成要素１１の下面は、導電性接着剤または溶接によってベースグランド（ベースＧＮＤ）に接続され得る。トランスインピーダンス増幅器３の第１のグランド端子（ＧＮＤ １）は、ベースグランド（ベースＧＮＤ）に接続される。トランスインピーダンス増幅器３の第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）は、ボンディングワイヤを使用することによって第１のフィルタ構成要素１１の上面に接続され得る。

図２１は、図１９におけるＴＯ ＣＡＮ形態においてパッケージングされた受信機光サブアセンブリ１０の構造の概略図である。図２０と比較して、図２１における受信機光サブアセンブリ１０は、第３のフィルタ構成要素１３をさらに含む。簡略化のために、図２０におけるものと同じまたは同様の構造を有する図２１における部分について、ここでは再び説明されない。図２１における実線（すなわち、ボンディングワイヤ）は、様々な構成要素間の接続関係を表し、破線は、様々な要素の参照番号を識別するために使用される。オプションで、導電性材料の層がトランスインピーダンス増幅器３の上面を覆い得、導電性材料は、トランスインピーダンス増幅器３のグランド端子に接続される。グランド端子は、トランスインピーダンス増幅器の第１のグランド端子（ＧＮＤ １）および／または第２のグランド端子（ＧＮＤ ２）を含み得る。したがって、様々な前述の構成要素は、トランスインピーダンス増幅器３の上面に接続された導電性材料を介して、トランスインピーダンス増幅器３のグランド端子に接続され得る。導電性材料は、接地コーティングと呼ばれる場合もある。Ｖ_ＣＣピンは、ボンディングワイヤを使用することによって、第１のフィルタ構成要素１１の上面、第３のフィルタ構成要素１３の上面、およびトランスインピーダンス増幅器３の電力用端子に接続される。第３のフィルタ構成要素１３の下面は、導電性接着剤または溶接によって、トランスインピーダンス増幅器３の上面の接地コーティングに接続される。

図２０および図２１を参照して、以上は、本出願の実施形態におけるＣＯ ＣＡＮ形態においてパッケージングされた２つのタイプの受信機光サブアセンブリの構造について説明している。当業者は、本出願の実施形態における別の受信機光サブアセンブリも同様の構造を使用することによって実装され得ることを理解することができる。簡略化のために、詳細についてここでは説明されない。

当業者は、本明細書で開示されている実施形態で説明されている例と組み合わせて、ユニットおよびアルゴリズムステップが、電子ハードウェア、またはコンピュータソフトウェアと電子ハードウェアとの組合せによって実装され得ることを認識し得る。機能がハードウェアによって実行されるか、またはソフトウェアによって実行されるかは、特定のアプリケーションと、技術的解決策の設計制約条件とに依存する。当業者は、特定のアプリケーションごとに、説明されている機能を実装するために異なる方法を使用し得るが、実装が本出願の範囲を超えると考えられるべきではない。

便利で簡潔な説明の目的のために、説明されているシステム、装置、およびユニットの詳細な作業プロセスについて、前述の方法の実施形態における対応するプロセスを参照することが、当業者によって明確に理解され得る。詳細について、ここでは再び説明されない。

本明細書で提供されているいくつかの実施形態では、開示されているシステム、装置、および方法は、他の方式で実装され得ることが理解されるべきである。たとえば、上記で説明されている装置の実施形態は、単なる例である。たとえば、ユニットへの分割は、単なる論理的な機能分割であり、実際の実装中は他の分割であり得る。たとえば、複数のユニットまたは構成要素が別のシステムに組み合わされるかもしくは統合されてもよく、またはいくつかの特徴が無視されてもよく、もしくは実行されなくてもよい。それに加えて、表示または論じられている相互結合または直接結合または通信接続は、いくつかのインターフェースを介して実装され得る。装置間またはユニット間の間接的な結合または通信接続は、電気的、機械的、または他の形態において実装され得る。

別個の構成要素として説明されているユニットは、物理的に別個であってもなくてもよく、ユニットとして表示されている構成要素は、物理的ユニットであってもなくてもよく、１つの位置に配置され得、または複数のネットワークユニット上に分散され得る。ユニットのうちのいくつかまたはすべては、実施形態の解決策の目的を達成するための実際の要件に従って選択され得る。

それに加えて、本出願の実施形態における機能ユニットが１つの処理ユニットに統合され得、またはユニットの各々が物理的に単独で存在し得、または２つ以上のユニットが１つのユニットに統合される。

機能がソフトウェア機能ユニットの形態において実装され、独立した製品として販売または使用される場合、機能は、コンピュータ可読記憶媒体内に記憶され得る。そのような理解に基づいて、本出願の技術的解決策は本質的に、または従来技術に寄与する部分、もしくは技術的解決策の一部は、ソフトウェア製品の形態において実装され得る。コンピュータソフトウェア製品は、記憶媒体内に記憶され、コンピュータデバイス（パーソナルコンピュータ、サーバ、またはネットワークデバイスであり得る）が本出願の実施形態において説明されている方法のステップのすべてまたはいくつかを実行することを可能にするためのいくつかの命令を含む。前述の記憶媒体は、ＵＳＢフラッシュドライブ、リムーバブルハードディスク、読み取り専用メモリ（Ｒｅａｄ－Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ、ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ、ＲＡＭ）、磁気ディスク、または光ディスクなどの、プログラムコードを記憶することができる任意の媒体を含む。

前述の説明は、本出願の単なる特定の実装形態であり、本出願の保護範囲を限定することを意図するものではない。本出願で開示されている技術的範囲内の当業者によって容易に理解されるいかなる変形または置換も、本出願の保護範囲内に入るものとする。したがって、本出願の保護範囲は、特許請求の範囲の保護範囲に従うものとする。

２ フォトダイオード（ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ、ＰＤ）、フォトダイオード、フォトダイオード（ＰＤ）
３ トランスインピーダンス増幅器（ｔｒａｎｓ－ｉｍｐｅｄａｎｃｅ ａｍｐｌｉｆｉｅｒ、ＴＩＡ）、トランスインピーダンス増幅器、トランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ）
４ ベース
５ チューブキャップ
６ ピン
１０ 受信機光サブアセンブリ
１１ 第１のフィルタ構成要素
１２ 第２のフィルタ構成要素
１３ 第３のフィルタ構成要素
１４ 第４のフィルタ構成要素
１５ 第５のフィルタ構成要素
１６ 第６のフィルタ構成要素
３２ 等価トランスインピーダンス
３４ 出力バッファ
１１１ 第１のフィルタ構成要素
１１２ 第１のフィルタ構成要素
３０１ 入力グランド端子
３０２ 出力段グランド端子
３０３ 出力段グランド端子
４０１ 入力段グランド端子、グランド端子
４０２ 入力段グランド端子、グランド端子
４０３ 中間段グランド端子
４０４ 中間段グランド端子
４０５ 出力段グランド端子
４０６ 出力段グランド端子

Claims (18)

1. フォトダイオードと、トランスインピーダンス増幅器と、第１のフィルタ構成要素とを備える受信機光サブアセンブリであって、
   前記フォトダイオードが、光信号を電気信号に変換するように構成され、前記フォトダイオードの正極が、前記トランスインピーダンス増幅器の入力端子に接続され、前記フォトダイオードの負極が、電源に接続するように構成され、
   前記トランスインピーダンス増幅器が、前記フォトダイオードによって出力された前記電気信号を増幅するように構成され、前記トランスインピーダンス増幅器の電力用端子が、電源に接続するように構成され、前記トランスインピーダンス増幅器の出力バッファに接続された第１のグランド端子が、外部グランドに接続するように構成され、
   前記第１のフィルタ構成要素の第１の端子が、前記トランスインピーダンス増幅器の等価トランスインピーダンスに接続された第２のグランド端子に接続され、前記第１のフィルタ構成要素の第２の端子が、前記外部グランドに接続するように構成される、受信機光サブアセンブリ。
2. ベースをさらに備え、前記ベースが、前記外部グランドに接続するように構成され、前記トランスインピーダンス増幅器の前記第１のグランド端子が、前記ベースを介して前記外部グランドに接続され、前記第１のフィルタ構成要素の前記第２の端子が、前記ベースを介して前記外部グランドに接続される、請求項１に記載の受信機光サブアセンブリ。
3. 第２のフィルタ構成要素をさらに備え、前記第２のフィルタ構成要素の第１の端子が、前記フォトダイオードの前記負極に接続され、前記第２のフィルタ構成要素の第２の端子が、前記第１のフィルタ構成要素の前記第１の端子に接続される、請求項１または２に記載の受信機光サブアセンブリ。
4. 第３のフィルタ構成要素をさらに備え、前記第３のフィルタ構成要素の第１の端子が、前記トランスインピーダンス増幅器の前記電力用端子に接続され、前記第３のフィルタ構成要素の第２の端子が、前記トランスインピーダンス増幅器の前記第２のグランド端子に接続される、請求項１から３のいずれか一項に記載の受信機光サブアセンブリ。
5. 第４のフィルタ構成要素をさらに備え、前記第４のフィルタ構成要素の第１の端子が、前記第３のフィルタ構成要素の前記第２の端子に接続され、前記第４のフィルタ構成要素の第２の端子が、前記外部グランドに接続される、請求項４に記載の受信機光サブアセンブリ。
6. 第５のフィルタ構成要素をさらに備え、前記第５のフィルタ構成要素の第１の端子が、前記トランスインピーダンス増幅器の前記電力用端子に接続され、前記第５のフィルタ構成要素の第２の端子が、前記外部グランドに接続される、請求項１から５のいずれか一項に記載の受信機光サブアセンブリ。
7. 第６のフィルタ構成要素をさらに備え、前記第６のフィルタ構成要素の第１の端子が、前記フォトダイオードの前記負極に接続され、前記第６のフィルタ構成要素の第２の端子が、前記外部グランドに接続される、請求項１から６のいずれか一項に記載の受信機光サブアセンブリ。
8. 前記第１のフィルタ構成要素の静電容量が、１００ピコファラッド（ｐＦ）よりも大きい、請求項１から７のいずれか一項に記載の受信機光サブアセンブリ。
9. クロストーク信号周波数帯域における前記第１のフィルタ構成要素の散乱パラメータが、２０デシベル（ｄＢ）よりも大きい、請求項１から８のいずれか一項に記載の受信機光サブアセンブリ。
10. 前記第１のフィルタ構成要素が、キャパシタを含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の受信機光サブアセンブリ。
11. 前記トランスインピーダンス増幅器の前記第２のグランド端子が、前記トランスインピーダンス増幅器の入力段グランド端子を備える、請求項１から１０のいずれか一項に記載の受信機光サブアセンブリ。
12. 前記トランスインピーダンス増幅器の前記電力用端子および前記フォトダイオードの前記負極が、同じ外部電源に接続するように構成される、請求項１から１１のいずれか一項に記載の受信機光サブアセンブリ。
13. 前記トランスインピーダンス増幅器の前記電力用端子および前記フォトダイオードの前記負極が、異なる外部電源に接続するように構成される、請求項１から１１のいずれか一項に記載の受信機光サブアセンブリ。
14. 前記トランスインピーダンス増幅器の前記電力用端子が、外部電源に接続するように構成され、前記トランスインピーダンス増幅器が、電圧調整モジュールを備え、前記電圧調整モジュールが、前記トランスインピーダンス増幅器の前記電力用端子に接続され、前記フォトダイオードの前記負極が、前記電圧調整モジュールに接続するように構成される、請求項１から１１のいずれか一項に記載の受信機光サブアセンブリ。
15. 請求項１から１４のいずれか一項に記載の受信機光サブアセンブリを備える双方向光サブアセンブリ。
16. 請求項１５に記載の双方向光サブアセンブリを備える光モジュール。
17. 請求項１６に記載の光モジュールを備える光ネットワークデバイス。
18. 前記光ネットワークデバイスが、光回線終端装置（ＯＬＴ）または光ネットワークユニット（ＯＮＵ）である、請求項１７に記載の光ネットワークデバイス。

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