JP7280113B2 - PLASMA PROCESSING APPARATUS, MONITORING METHOD AND MONITORING PROGRAM - Google Patents
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Description
本開示は、プラズマ処理装置、監視方法および監視プログラムに関する。 The present disclosure relates to a plasma processing apparatus, monitoring method and monitoring program.
特許文献１には、高周波電源から整合器を介して処理室に供給される高周波電力の整合器での入力電力の値と電力設定値との差を求め、整合器の入力電力の値が電力設定値になるように高周波電源の出力電力を制御する技術が提案されている。
In
本開示は、センサを配置することなく異常の発生を検出できる技術を提供する。 The present disclosure provides technology capable of detecting the occurrence of an abnormality without arranging a sensor.
本開示の一態様によるプラズマ処理装置は、記憶部と、取得部と、監視部とを有する。記憶部は、載置台に載置された被処理体に対するプラズマ処理の処理条件が変化した場合の載置台の温度に関する値の変化を示した変化情報を記憶する。取得部は、載置台の温度に関する値を所定のサイクルで取得する。監視部は、変化情報に基づき、取得部により取得される載置台の温度に関する値の変化からプラズマ処理の処理条件の変化を監視する。 A plasma processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a storage unit, an acquisition unit, and a monitoring unit. The storage unit stores change information indicating a change in value regarding the temperature of the mounting table when the processing conditions for plasma processing on the object to be processed placed on the mounting table are changed. The acquisition unit acquires a value related to the temperature of the mounting table in a predetermined cycle. Based on the change information, the monitoring unit monitors changes in the processing conditions of the plasma processing based on changes in the values relating to the temperature of the mounting table acquired by the acquisition unit.
本開示によれば、センサを配置することなく異常の発生を検出できる。 According to the present disclosure, occurrence of abnormality can be detected without arranging a sensor.
以下、図面を参照して本願の開示するプラズマ処理装置、監視方法および監視プログラムの実施形態について詳細に説明する。本開示においては、プラズマ処理装置の具体例として、プラズマエッチングを行う装置を例にとり詳細に説明する。なお、本実施形態により、開示するプラズマ処理装置、監視方法および監視プログラムが限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of a plasma processing apparatus, a monitoring method, and a monitoring program disclosed in the present application will be described in detail with reference to the drawings. In the present disclosure, as a specific example of the plasma processing apparatus, an apparatus for performing plasma etching will be described in detail. Note that the present embodiment does not limit the disclosed plasma processing apparatus, monitoring method, and monitoring program.
ところで、例えば、プラズマ処理装置には、処理容器内に各種プローブや各種電気センサなどのセンサを配置してセンサでプラズマの状態を検出し、プラズマの状態の変化から異常の発生を検出するものがある。しかし、プラズマ処理装置は、処理容器内にセンサを配置すると、製造コストが上昇する。また、プラズマ処理装置は、処理容器内にセンサを配置すると、センサが特異点となり、特異点の周囲でプラズマ処理の均一性が低下する。そこで、プラズマ処理装置では、センサを配置することなく異常の発生を検出することが期待されている。 By the way, for example, in a plasma processing apparatus, sensors such as various probes and various electrical sensors are arranged in a processing container to detect the state of the plasma and detect the occurrence of an abnormality from changes in the state of the plasma. be. However, the plasma processing apparatus increases the manufacturing cost when the sensor is arranged in the processing container. Further, in the plasma processing apparatus, when the sensor is arranged in the processing container, the sensor becomes a singular point, and the uniformity of the plasma processing deteriorates around the singular point. Therefore, the plasma processing apparatus is expected to detect the occurrence of abnormality without arranging a sensor.
［プラズマ処理装置の構成］
最初に、実施形態に係るプラズマ処理装置１０の構成について説明する。図１は、実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図１には、実施形態に係るプラズマ処理装置１０の縦断面における構造が概略的に示されている。図１に示すプラズマ処理装置１０は、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置である。プラズマ処理装置１０は、略円筒状の処理容器１２を備えている。処理容器１２は、例えば、アルミニウムから構成されている。また、処理容器１２の表面は、陽極酸化処理が施されている。
[Configuration of plasma processing apparatus]
First, the configuration of the
処理容器１２内には、載置台１６が設けられている。載置台１６は、静電チャック１８および基台２０を有する。静電チャック１８の上面は、プラズマ処理の対象となる被処理体が載置される載置面とされている。本実施形態では、被処理体としてウエハＷが静電チャック１８の上面に載置される。基台２０は、略円盤形状を有しており、主部が、例えばアルミニウムといった導電性の金属により構成されている。基台２０は、下部電極を構成している。基台２０は、支持部１４によって支持されている。支持部１４は、処理容器１２の底部から延びる円筒状の部材である。
A mounting table 16 is provided in the
基台２０には、整合器ＭＵ１を介して第１の高周波電源ＨＦＳが電気的に接続されている。第１の高周波電源ＨＦＳは、プラズマ生成用の高周波電力を発生する電源であり、２７～１００ＭＨｚの周波数、一例においては４０ＭＨｚの高周波電力を発生する。これにより、基台２０直上にプラズマが生成される。整合器ＭＵ１は、第１の高周波電源ＨＦＳの出力インピーダンスと負荷側（基台２０側）の入力インピーダンスを整合させるための回路を有する。
A first high-frequency power supply HFS is electrically connected to the
また、基台２０には、整合器ＭＵ２を介して第２の高周波電源ＬＦＳが電気的に接続されている。第２の高周波電源ＬＦＳは、ウエハＷにイオンを引き込むための高周波電力（高周波バイアス電力）を発生して、当該高周波バイアス電力を基台２０に供給する。これにより、基台２０にバイアス電位が生じる。高周波バイアス電力の周波数は、４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数であり、一例においては３ＭＨｚである。整合器ＭＵ２は、第２の高周波電源ＬＦＳの出力インピーダンスと負荷側（基台２０側）の入力インピーダンスを整合させるための回路を有する。
A second high-frequency power supply LFS is electrically connected to the
基台２０上には、静電チャック１８が設けられている。静電チャック１８は、クーロン力等の静電力によりウエハＷを吸着し、当該ウエハＷを保持する。静電チャック１８は、セラミック製の本体部内に静電吸着用の電極Ｅ１が設けられている。電極Ｅ１には、スイッチＳＷ１を介して直流電源２２が電気的に接続されている。ウエハＷを保持する吸着力は、直流電源２２から印加される直流電圧の値に依存する。
An
また、静電チャック１８上のウエハＷの周囲には、フォーカスリングＦＲが配置される。フォーカスリングＦＲは、プラズマ処理の均一性を向上させるために設けられている。フォーカスリングＦＲは、実行すべきプラズマ処理に応じて適宜選択される材料から構成されている。例えば、フォーカスリングＦＲは、シリコン、または石英により構成される。
A focus ring FR is arranged around the wafer W on the
基台２０の内部には、冷媒流路２４が形成されている。冷媒流路２４には、処理容器１２の外部に設けられたチラーユニットから配管２６ａを介して冷媒が供給される。冷媒流路２４に供給された冷媒は、配管２６ｂを介してチラーユニットに戻る。
A
処理容器１２内には、上部電極３０が設けられている。上部電極３０は、載置台１６の上方において、基台２０と対向配置されている。基台２０と上部電極３０とは、互いに略平行に設けられている。
An
上部電極３０は、絶縁性遮蔽部材３２を介して、処理容器１２の上部に支持されている。上部電極３０は、電極板３４と電極支持体３６とを有する。電極板３４は、処理空間Ｓに面しており、複数のガス吐出孔３４ａが形成されている。電極板３４は、ジュール熱の少ない低抵抗の導電体または半導体により構成されている。上部電極３０は、温度の制御が可能とされている。例えば、上部電極３０は、不図示のヒーターなどの温調機構が設けられ、温度の制御が可能とされている。
The
電極支持体３６は、電極板３４を着脱自在に支持する。電極支持体３６は、例えばアルミニウムといった導電性材料により構成されている。電極支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。電極支持体３６には、ガス吐出孔３４ａに連通する複数のガス通流孔３６ｂがガス拡散室３６ａから下方に延びている。また、電極支持体３６には、ガス拡散室３６ａに処理ガスを導くガス導入口３６ｃが形成されている。ガス導入口３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。
The
ガス供給管３８には、バルブ群４２および流量制御器群４４を介してガスソース群４０が接続されている。バルブ群４２は、複数の開閉バルブを有する。流量制御器群４４は、マスフローコントローラといった複数の流量制御器を有する。また、ガスソース群４０は、プラズマ処理に必要な複数種のガス用のガスソースを有する。ガスソース群４０の複数のガスソースは、対応の開閉バルブおよび対応のマスフローコントローラを介してガス供給管３８に接続されている。
A
プラズマ処理装置１０では、ガスソース群４０の複数のガスソースのうち選択された一以上のガスソースからの一以上のガスが、ガス供給管３８に供給される。ガス供給管３８に供給されたガスは、ガス拡散室３６ａに至り、ガス通流孔３６ｂおよびガス吐出孔３４ａを介して処理空間Ｓに吐出される。
In the
また、図１に示すように、プラズマ処理装置１０は、接地導体１２ａをさらに有する。接地導体１２ａは、略円筒状の接地導体であり、処理容器１２の側壁から上部電極３０の高さ位置よりも上方に延びるように設けられている。
Moreover, as shown in FIG. 1, the
また、プラズマ処理装置１０では、処理容器１２の内壁に沿ってデポシールド４６が着脱自在に設けられている。また、デポシールド４６は、支持部１４の外周にも設けられている。デポシールド４６は、処理容器１２にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止するものであり、アルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することにより構成されている。デポシールド４６は、温度の制御が可能とされている。例えば、デポシールド４６は、不図示のヒーターなどの温調機構が設けられ、温度の制御が可能とされている。
Also, in the
処理容器１２の底部側においては、支持部１４と処理容器１２の内壁との間に排気プレート４８が設けられている。排気プレート４８は、例えば、アルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することにより構成されている。処理容器１２は、排気プレート４８の下方に排気口１２ｅが設けられている。排気口１２ｅには、排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有する。排気装置５０は、プラズマ処理を実施する際、処理容器１２内を所望の真空度まで減圧する。また、処理容器１２の側壁には、ウエハＷの搬入出口１２ｇが設けられている。搬入出口１２ｇは、ゲートバルブ５４により開閉可能となっている。
An
上記のように構成されたプラズマ処理装置１０は、制御部１００によって、その動作が統括的に制御される。制御部１００は、例えば、コンピュータであり、プラズマ処理装置１０の各部を制御する。プラズマ処理装置１０は、制御部１００によって、動作が統括的に制御される。
The operation of the
［載置台の構成］
次に、載置台１６について詳細に説明する。図２は、実施形態に係る載置台を示す平面図である。上述したように、載置台１６は、静電チャック１８および基台２０を有する。静電チャック１８は、セラミックで形成され、上面が、ウエハＷおよびフォーカスリングＦＲを載置する載置領域１８ａとされている。載置領域１８ａは、平面視において略円形の領域とされている。図１に示すように、静電チャック１８は、ウエハＷが配置される領域に静電吸着用の電極Ｅ１が設けられている。電極Ｅ１は、スイッチＳＷ１を介して直流電源２２に接続されている。
[Construction of Mounting Table]
Next, the mounting table 16 will be described in detail. FIG. 2 is a plan view showing the mounting table according to the embodiment. As described above, the mounting table 16 has the
また、図１に示すように、載置領域１８ａ内、且つ、電極Ｅ１の下方には、複数のヒーターＨＴが設けられている。載置領域１８ａは、複数の分割領域７５に分割され、それぞれの分割領域７５にヒーターＨＴが設けられている。例えば、載置領域１８ａは、図２に示すように、中央の円状の分割領域７５ａ（センター部）及び３つの環状の分割領域７５ｂ～７５ｄ（ミドル部、エッジ部、フォーカスリング部）に分割されている。分割領域７５ａ～７５ｄには、それぞれヒーターＨＴが設けられている。分割領域７５ａ～７５ｃには、ウエハＷが配置される。分割領域７５ｄには、フォーカスリングＦＲが配置される。本実施形態では、載置台１６の面内を４つの分割領域７５ａ～７５ｄに分けて温度制御する場合を例に説明するが、分割領域７５の数は４つに限らず、２つ又は３つでもあってもよく、５つ以上でもあってもよい。
Further, as shown in FIG. 1, a plurality of heaters HT are provided within the mounting
ヒーターＨＴは、不図示の配線を介して、図１に示す、ヒーター電源ＨＰに個別に接続されている。ヒーター電源ＨＰは、制御部１００から制御の元、各ヒーターＨＴに個別に調整された電力を供給する。これにより、各ヒーターＨＴが発する熱が個別に制御され、載置領域１８ａ内の複数の分割領域の温度が個別に調整される。
The heaters HT are individually connected to the heater power supply HP shown in FIG. 1 via wiring (not shown). The heater power supply HP supplies individually adjusted electric power to each heater HT under the control of the
ヒーター電源ＨＰには、各ヒーターＨＴへ供給する供給電力を検出する電力検出部ＰＤが設けられている。なお、電力検出部ＰＤは、ヒーター電源ＨＰとは別に、ヒーター電源ＨＰから各ヒーターＨＴへの電力が流れる配線に設けてもよい。電力検出部ＰＤは、各ヒーターＨＴへ供給する供給電力を検出する。例えば、電力検出部ＰＤは、各ヒーターＨＴへ供給する供給電力として、電力量［Ｗ］を検出する。ヒーターＨＴは、電力量に応じて発熱する。このため、ヒーターＨＴへ供給する電力量は、ヒータパワーを表す。電力検出部ＰＤは、検出した各ヒーターＨＴへの供給電力を示す電力データを制御部１００に通知する。
The heater power source HP is provided with a power detector PD that detects the power supplied to each heater HT. In addition, the power detector PD may be provided separately from the heater power supply HP in wiring through which power flows from the heater power supply HP to each heater HT. The power detector PD detects the power supplied to each heater HT. For example, the power detector PD detects the amount of power [W] as power supplied to each heater HT. The heater HT generates heat according to the amount of electric power. Therefore, the amount of electric power supplied to the heater HT represents the heater power. The power detection unit PD notifies the
また、載置台１６は、載置領域１８ａの各分割領域７５に、それぞれヒーターＨＴの温度が検出可能な不図示の温度センサが設けられている。温度センサは、ヒーターＨＴとは別に温度を測定する素子であってもよい。また、温度センサは、ヒーターＨＴへの電力が流れる配線に配置され、温度上昇に応じて電気抵抗が増大する性質を利用して、温度を検出する素子であってもよい。各温度センサにより検出されたセンサ値は、温度測定器ＴＤに送られる。温度測定器ＴＤは、各センサ値から載置領域１８ａの各分割領域７５の温度を測定する。温度測定器ＴＤは、載置領域１８ａの各分割領域７５の温度を示す温度データを制御部１００に通知する。
Further, the mounting table 16 is provided with a temperature sensor (not shown) capable of detecting the temperature of the heater HT in each divided
さらに、図示しない伝熱ガス供給機構およびガス供給ラインによって伝熱ガス、例えばＨｅガスが静電チャック１８の上面とウエハＷの裏面との間に供給されてもよい。
Furthermore, a heat transfer gas such as He gas may be supplied between the upper surface of the
［制御部の構成］
次に、制御部１００について詳細に説明する。図３は、実施形態に係るプラズマ処理装置を制御する制御部の概略的な構成を示したブロック図である。制御部１００は、外部インターフェース１０１と、プロセスコントローラ１０２と、ユーザインターフェース１０３と、記憶部１０４とが設けられている。
[Configuration of control unit]
Next, the
外部インターフェース１０１は、プラズマ処理装置１０の各部と通信可能とされ、各種のデータを入出力する。例えば、外部インターフェース１０１には、電力検出部ＰＤから各ヒーターＨＴへの供給電力を示す電力データが入力する。また、外部インターフェース１０１には、温度測定器ＴＤから載置領域１８ａの各分割領域７５の温度を示す温度データが入力する。また、外部インターフェース１０１は、各ヒーターＨＴへ供給する供給電力を制御する制御データをヒーター電源ＨＰへ出力する。
The
プロセスコントローラ１０２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を備えプラズマ処理装置１０の各部を制御する。
The
ユーザインターフェース１０３は、工程管理者がプラズマ処理装置１０を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマ処理装置１０の稼動状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
The user interface 103 includes a keyboard for inputting commands for the process manager to manage the
記憶部１０４には、プラズマ処理装置１０で実行される各種処理をプロセスコントローラ１０２の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や、処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。また、記憶部１０４には、プラズマ処理を行う上での装置やプロセスに関するパラメータ等が格納されている。なお、制御プログラムやレシピ、パラメータは、コンピュータで読み取り可能なコンピュータ記録媒体（例えば、ハードディスク、ＤＶＤなどの光ディスク、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）に記憶されていてもよい。また、制御プログラムやレシピ、パラメータは、他の装置に記憶され、例えば専用回線を介してオンラインで読み出して利用されてもよい。
The
プロセスコントローラ１０２は、プログラムやデータを格納するための内部メモリを有し、記憶部１０４に記憶された制御プログラムを読み出し、読み出した制御プログラムの処理を実行する。プロセスコントローラ１０２は、制御プログラムが動作することにより各種の処理部として機能する。例えば、プロセスコントローラ１０２は、ヒーター制御部１０２ａと、第１取得部１０２ｂと、第２取得部１０２ｃと、設定温度算出部１０２ｄと、監視部１０２ｅと、アラート部１０２ｆと、補正部１０２ｇの機能を有する。なお、本実施形態では、プロセスコントローラ１０２が、各種の処理部として機能する場合を例に説明するが、これに限定されるものではない。例えば、ヒーター制御部１０２ａ、第１取得部１０２ｂ、第２取得部１０２ｃ、設定温度算出部１０２ｄ、監視部１０２ｅ、アラート部１０２ｆ、補正部１０２ｇの機能を複数のコントローラで分散して実現してもよい。
The
ところで、プラズマ処理では、ウエハＷの温度によって処理の進行が変化する。例えば、プラズマエッチングでは、ウエハＷの温度によってエッチングの進行速度が変化する。そこで、プラズマ処理装置１０では、各ヒーターＨＴによって、ウエハＷの温度を目標温度に制御することが考えられる。
By the way, in plasma processing, progress of the processing changes depending on the temperature of the wafer W. FIG. For example, in plasma etching, the progress rate of etching changes depending on the temperature of the wafer W. FIG. Therefore, in the
しかし、プラズマ処理では、プラズマからウエハＷに向かって入熱がある。このため、プラズマ処理装置１０は、プラズマ処理中のウエハＷの温度を目標温度に精度よく制御できない場合がある。
However, in plasma processing, there is heat input toward the wafer W from the plasma. Therefore, the
ウエハＷの温度に影響を与えるエネルギーの流れを説明する。図４は、ウエハの温度に影響を与えるエネルギーの流れを模式的に示す図である。図４には、ウエハＷや、静電チャック（ＥＳＣ）１８を含む載置台１６が簡略化して示されている。図４の例は、静電チャック１８の載置領域１８ａの１つの分割領域７５について、ウエハＷの温度に影響を与えるエネルギーの流れを示している。載置台１６は、静電チャック１８および基台２０を有する。静電チャック１８と基台２０は、接着層１９により接着されている。静電チャック１８の載置領域１８ａの内部には、ヒーターＨＴが設けられている。基台２０の内部には、冷媒が流れる冷媒流路２４が形成されている。
The flow of energy that affects the temperature of wafer W will now be described. FIG. 4 is a diagram schematically showing the flow of energy that affects the temperature of the wafer. FIG. 4 shows a wafer W and a mounting table 16 including an electrostatic chuck (ESC) 18 in a simplified manner. The example of FIG. 4 shows the energy flow that affects the temperature of the wafer W in one divided
ヒーターＨＴは、ヒーター電源ＨＰから供給される供給電力に応じて発熱し、温度が上昇する。図４では、ヒーターＨＴへ供給される供給電力をヒータパワーＰｈとして示している。ヒーターＨＴでは、ヒータパワーＰｈを静電チャック１８のヒーターＨＴが設けられている領域の面積Ａで割った単位面積当たりの発熱量（熱流束）ｑｈが生じる。
The heater HT generates heat according to the power supplied from the heater power source HP, and the temperature rises. In FIG. 4, the power supplied to the heater HT is indicated as heater power Ph . The heater HT generates a heat generation amount (heat flux) qh per unit area, which is obtained by dividing the heater power Ph by the area A of the region of the
プラズマ処理装置１０では、上部電極３０やデポシールド４６などの処理容器１２の内部パーツの温度の制御している場合、内部パーツから輻射熱が発生する。例えば、上部電極３０やデポシールド４６の温度をデポの付着を抑制するために高温に制御している場合、ウエハＷには、上部電極３０やデポシールド４６から輻射熱が入熱する。図４では、上部電極３０やデポシールド４６からウエハＷへの輻射熱ｑｒとして示している。
In the
また、プラズマ処理を行っている場合、ウエハＷは、プラズマから入熱する。図４では、プラズマからウエハＷへの入熱量をウエハＷの面積で割った単位面積当たりのプラズマからの熱流束ｑｐとして示している。ウエハＷは、プラズマからの熱流束ｑｐの入熱や輻射熱ｑｒの入熱により、温度が上昇する。 Further, when plasma processing is being performed, the wafer W receives heat from the plasma. FIG. 4 shows the heat flux qp from the plasma per unit area, which is obtained by dividing the amount of heat input from the plasma to the wafer W by the area of the wafer W. FIG. The temperature of the wafer W rises due to the heat input of the heat flux qp and the heat input of the radiant heat qr from the plasma.
輻射熱による入熱は、処理容器１２の内部パーツの温度の温度に比例する。例えば、輻射熱による入熱は、上部電極３０やデポシールド４６の温度に比例する。プラズマからの入熱は、主にウエハＷへの照射されるプラズマ中のイオンの量と、プラズマ中のイオンをウエハＷに引き込むためのバイアス電位との積に比例することが知られている。ウエハＷへの照射されるプラズマ中のイオンの量は、プラズマの電子密度に比例する。プラズマの電子密度は、プラズマの生成で印加する第１の高周波電源ＨＦＳからの高周波電力ＨＦＳのパワーに比例する。また、プラズマの電子密度は、処理容器１２内の圧力に依存する。プラズマ中のイオンをウエハＷに引き込むためのバイアス電位は、バイアス電位の発生で印加する第２の高周波電源ＬＦＳからの高周波電力ＬＦＳのパワーに比例する。また、プラズマ中のイオンをウエハＷに引き込むためのバイアス電位は、処理容器１２内の圧力に依存する。なお、高周波電力ＬＦＳが載置台１６に印加されていない場合、プラズマが生成された時に生じるプラズマの電位（プラズマポテンシャル）と載置台１６の電位差によって、イオンが載置台へ引き込まれる。
The heat input due to radiant heat is proportional to the temperature of the internal parts of the
また、プラズマからの入熱は、プラズマの発光による加熱やプラズマ中の電子やラジカルによるウエハＷへの照射、イオンとラジカルによるウエハＷ上の表面反応などが含まれる。これらの成分も高周波電源のパワーや処理容器１２内の圧力に依存する。プラズマからの入熱は、その他、プラズマ生成に関わる装置パラメータ、例えば、載置台１６と上部電極３０との間隔距離や処理空間Ｓに供給されるガス種に依存する。
The heat input from the plasma includes heating due to plasma light emission, irradiation of the wafer W by electrons and radicals in the plasma, surface reaction on the wafer W by ions and radicals, and the like. These components also depend on the power of the high frequency power source and the pressure inside the
ウエハＷに伝わった熱は、静電チャック１８に伝わる。ここで、静電チャック１８には、ウエハＷの熱が全て伝わるわけではなく、ウエハＷと静電チャック１８との接触度合など、熱の伝わり難さに応じて静電チャック１８に熱が伝わる。熱の伝わり難さ、すなわち熱抵抗は、熱の伝熱方向に対する断面積に反比例する。このため、図４では、ウエハＷから静電チャック１８の表面への熱の伝わり難さを、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の単位面積当たりの熱抵抗Ｒｔｈ・Ａとして示している。なお、Ａは、ヒーターＨＴが設けられている領域（分割領域７５）の面積である。Ｒｔｈは、ヒーターＨＴが設けられている領域全体における熱抵抗である。また、図４では、ウエハＷから静電チャック１８表面への入熱量を、ウエハＷから静電チャック１８表面への単位面積当たりの熱流束ｑとして示している。なお、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａは、静電チャック１８の表面状態、ウエハＷの保持で直流電源２２から印加される直流電圧の値、および静電チャック１８の上面とウエハＷの裏面との間に供給される伝熱ガスの圧力に依存する。また、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａは、その他、熱抵抗もしくは熱伝導率に関与する装置パラメータにも依存する。
The heat transferred to the wafer W is transferred to the
静電チャック１８の表面に伝わった熱は、静電チャック１８の温度を上昇させ、さらに、ヒーターＨＴに伝わる。図４では、静電チャック１８表面からヒーターＨＴへの入熱量を、静電チャック１８表面からヒーターＨＴへの単位面積当たりの熱流束ｑｃとして示している。
The heat transmitted to the surface of the
一方、基台２０は、冷媒流路２４を流れる冷媒により冷却され、接触する静電チャック１８を冷却する。このとき、図４では、接着層１９を通過して静電チャック１８の裏面から基台２０への抜熱量を、静電チャック１８の裏面から基台２０への単位面積当たりの熱流束ｑsusとして示している。これにより、ヒーターＨＴは、抜熱によって冷却され、温度が低下する。
On the other hand, the
ヒーターＨＴの温度が一定となるように制御している場合、ヒーターＨＴの位置において、ヒーターＨＴに入熱する熱量およびヒーターＨＴで発生する発熱量の総和と、ヒーターＨＴから抜熱される抜熱量とが等しい状態となる。例えば、プラズマを点火して無い未点火状態では、輻射熱ｑｒの熱量およびヒーターＨＴで発生する発熱量の総和と、ヒーターＨＴから抜熱される抜熱量とが等しい状態となる。図５Ａは、未点火状態のエネルギーの流れを模式的に示す図である。図５Ａの例では、基台２０から冷却により、ヒーターＨＴから「１００」の熱量が抜熱されている。ウエハＷには、輻射熱により「１」の熱量が伝わる。ウエハＷや静電チャック１８の温度が略一定に安定した状態である場合、ウエハＷに伝わった熱は、静電チャック１８にそのまま伝わる。ウエハＷに入熱した「１」の熱量は、静電チャック１８を介して、ヒーターＨＴに入熱する。ヒーターＨＴの温度が一定となるように制御している場合、ヒーターＨＴには、ヒーター電源ＨＰからヒータパワーＰｈにより「９９」の熱量が発生する。
When the temperature of the heater HT is controlled to be constant, at the position of the heater HT, the sum of the amount of heat input to the heater HT and the amount of heat generated by the heater HT, and the amount of heat removed from the heater HT. are equal. For example, in an unignited state in which plasma is not ignited, the sum of the amount of heat generated by the radiant heat qr and the amount of heat generated by the heater HT is equal to the amount of heat removed from the heater HT. FIG. 5A is a diagram schematically showing the flow of energy in an unignited state. In the example of FIG. 5A, a heat amount of “100” is removed from the heater HT by cooling from the
一方、例えば、プラズマを点火した点火状態では、ヒーターＨＴには、静電チャック１８を介して、プラズマからも入熱する。図５Ｂは、点火状態のエネルギーの流れを模式的に示す図である。ここで、点火状態には、過度状態と定常状態とがある。過度状態は、例えば、ウエハＷや静電チャック１８に対する入熱量が抜熱量よりも多く、ウエハＷや静電チャック１８の温度が経時的に上昇傾向となる状態である。定常状態は、ウエハＷや静電チャック１８の入熱量と抜熱量が等しくなり、ウエハＷや静電チャック１８の温度に経時的な上昇傾向がなくなり、温度が略一定となった状態である。
On the other hand, for example, in an ignition state in which plasma is ignited, heat is also input to the heater HT from the plasma via the
図５Ｂの例でも、基台２０から冷却により、ヒーターＨＴから「１００」の熱量が抜熱されている。点火状態の場合、ウエハＷは、定常状態となるまで、プラズマからの入熱により温度が上昇する。ヒーターＨＴには、静電チャック１８を介してウエハＷから熱が伝わる。上述のように、ヒーターＨＴの温度が一定となるように制御している場合、ヒーターＨＴに入熱される熱量とヒーターＨＴから抜熱される熱量は、等しい状態となる。ヒーターＨＴは、ヒーターＨＴの温度を一定に維持するために必要な熱量が低下する。このため、ヒーターＨＴへの供給電力が低下する。
In the example of FIG. 5B as well, the heat amount of “100” is removed from the heater HT by cooling from the
例えば、図５Ｂにおいて、「過度状態」とした例では、プラズマからウエハＷへ「８０」の熱量が伝わる。また、ウエハＷには、輻射熱により「１」の熱量が伝わる。ウエハＷに伝わった熱は、静電チャック１８に伝わる。また、ウエハＷの温度が定常状態ではない場合、ウエハＷに伝わった熱は、一部がウエハＷの温度の上昇に作用する。ウエハＷの温度上昇に作用する熱量は、ウエハＷの熱容量に依存する。このため、ウエハＷに伝わった「８１」の熱量のうち、「６１」の熱量がウエハＷから静電チャック１８の表面へ伝わる。静電チャック１８の表面に伝わった熱は、ヒーターＨＴに伝わる。また、静電チャック１８の温度が定常状態ではない場合、静電チャック１８の表面に伝わった熱は、一部が静電チャック１８の温度の上昇に作用する。静電チャック１８の温度上昇に作用する熱量は静電チャック１８の熱容量に依存する。このため、静電チャック１８の表面に伝わった「６１」の熱量のうち、「４１」の熱量がヒーターＨＴに伝わる。このため、ヒーターＨＴの温度が一定となるように制御している場合、ヒーターＨＴには、ヒーター電源ＨＰからヒータパワーＰｈにより「５９」の熱量が供給される。
For example, in FIG. 5B, the amount of heat of "80" is transferred from the plasma to the wafer W in the example of "transient state". Also, a heat quantity of "1" is transmitted to the wafer W by radiant heat. The heat transferred to the wafer W is transferred to the
また、図５Ｂにおいて、「定常状態」とした例では、プラズマからウエハＷへ「８０」の熱量が伝わる。また、ウエハＷには、輻射熱により「１」の熱量が伝わる。ウエハＷに伝わった熱は、静電チャック１８に伝わる。また、ウエハＷの温度が定常状態である場合、ウエハＷは、入熱量と出熱量が等しい状態となっている。このため、プラズマからウエハＷに伝わった「８１」の熱量がウエハＷから静電チャック１８の表面へ伝わる。静電チャック１８の表面に伝わった熱は、ヒーターＨＴに伝わる。静電チャック１８の温度が定常状態である場合、静電チャック１８は、入熱量と出熱量が等しいとなっている。このため、静電チャック１８の表面に伝わった「８１」の熱量がヒーターＨＴに伝わる。このため、ヒーターＨＴの温度が一定となるように制御している場合、ヒーターＨＴには、ヒーター電源ＨＰからヒータパワーＰｈにより「１９」の熱量が供給される。
Further, in FIG. 5B, in the example of "steady state", the amount of heat of "80" is transferred from the plasma to the wafer W. In FIG. Also, a heat quantity of "1" is transmitted to the wafer W by radiant heat. The heat transferred to the wafer W is transferred to the
図５Ａおよび図５Ｂに示したように、ヒーターＨＴへの供給電力は、未点火状態よりも点火状態の方が低下する。また、点火状態では、ヒーターＨＴへの供給電力が定常状態となるまで低下する。 As shown in FIGS. 5A and 5B, the power supplied to the heater HT is lower in the ignited state than in the unignited state. In addition, in the ignition state, the power supplied to the heater HT decreases until it reaches a steady state.
なお、図５Ａおよび図５Ｂに示したように、ヒーターＨＴの温度が一定となるように制御している場合、「未点火状態」、「過度状態」、「定常状態」のいずれの状態であっても、基台２０から冷却により、ヒーターＨＴから「１００」の熱量が抜熱されている。すなわち、ヒーターＨＴから基台２０の内部に形成された冷媒流路２４に供給される冷媒に向かう単位面積当たりの熱流束ｑsusは、常に一定となり、ヒーターＨＴから冷媒までの温度勾配も常に一定である。そのため、ヒーターＨＴの温度が一定となるように制御するために用いられる温度センサは、必ずしもヒーターＨＴに直接取り付ける必要はない。例えば、静電チャック１８の裏面、接着層１９の中、基台２０の内部など、ヒーターＨＴと冷媒までの間であれば、ヒーターＨＴと温度センサ間の温度差も常に一定であり、ヒーターＨＴ温度とセンサの間にある材質が有する熱伝導率、熱抵抗などを用いて温度センサとヒーターＨＴの間の温度差（ΔＴ）を算出し、温度センサで検出される温度の値に温度差（ΔＴ）を加算することによって、ヒーターＨＴの温度として出力することが可能であり、実際のヒーターＨＴの温度が一定となるように制御することができる。
As shown in FIGS. 5A and 5B, when the temperature of the heater HT is controlled to be constant, any of the "unignited state", "transient state", and "steady state" However, due to cooling from the
図６は、ウエハの温度とヒーターへの供給電力の変化の一例を示す図である。図６の（Ａ）は、ウエハＷの温度の変化を示している。図６の（Ｂ）は、ヒーターＨＴへの供給電力の変化を示している。図６の例は、ヒーターＨＴの温度が一定となるように制御し、プラズマを点火して無い未点火状態からプラズマを点火して、ウエハＷの温度とヒーターＨＴへの供給電力を測定した結果の一例を示している。ウエハＷの温度は、ケーエルエー・テンコール（KLA-Tencor）社から販売されているEtch Tempなどの温度計測用のウエハを用いて計測した。この温度計測用のウエハは、高価である。このため、量産現場では、プラズマ処理装置１０の各ヒーターＨＴの温度の調整に温度計測用のウエハを使用すると、コストアップとなる。また、量産現場では、プラズマ処理装置１０の各ヒーターＨＴの温度の調整に温度計測用のウエハを使用すると、生産性が低下する。
FIG. 6 is a diagram showing an example of changes in the temperature of the wafer and the power supplied to the heater. (A) of FIG. 6 shows changes in the temperature of the wafer W. FIG. FIG. 6B shows changes in power supplied to the heater HT. In the example of FIG. 6, the temperature of the heater HT is controlled to be constant, and the plasma is ignited from an unignited state where the plasma is not ignited, and the temperature of the wafer W and the power supplied to the heater HT are measured. shows an example. The temperature of the wafer W was measured using a wafer for temperature measurement such as Etch Temp sold by KLA-Tencor. This temperature measurement wafer is expensive. For this reason, at a mass production site, if a wafer for temperature measurement is used to adjust the temperature of each heater HT of the
図６の期間Ｔ１は、プラズマを点火して無い未点火状態である。期間Ｔ１では、ヒーターＨＴへの供給電力が一定となっている。図６の期間Ｔ２は、プラズマを点火した点火状態であり、過渡状態である。期間Ｔ２では、ヒーターＨＴへの供給電力が低下する。また、期間Ｔ２では、ウエハＷの温度が一定の温度まで上昇する。図６の期間Ｔ３は、プラズマを点火した点火状態である。期間Ｔ３では、ウエハＷの温度は一定であり、定常状態となっている。静電チャック１８も定常状態となると、ヒーターＨＴへの供給電力は、略一定となり、低下する傾向の変動が安定する。図６の期間Ｔ４は、プラズマを消した未点火状態である。期間Ｔ４では、ウエハＷに対するプラズマから入熱が無くなるため、ウエハＷの温度が低下し、ヒーターＨＴへの供給電力が増加している。
A period T1 in FIG. 6 is an unignited state in which plasma is not ignited. During the period T1, the power supplied to the heater HT is constant. A period T2 in FIG. 6 is an ignition state in which plasma is ignited, which is a transient state. During the period T2, the power supplied to the heater HT is reduced. Also, in the period T2, the temperature of the wafer W rises to a constant temperature. A period T3 in FIG. 6 is an ignition state in which the plasma is ignited. During the period T3, the temperature of the wafer W is constant and is in a steady state. When the
図６の期間Ｔ２に示される過度状態でのヒーターＨＴへの供給電力の低下の傾向は、プラズマからウエハＷへの入熱量や、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の熱抵抗などによって変化する。 The tendency of the power supplied to the heater HT to decrease in the transient state shown in period T2 in FIG. do.
図７は、点火状態のエネルギーの流れを模式的に示す図である。なお、図７は、何れも過度状態の例である。また、輻射熱の入熱は、影響が小さいため、省略している。例えば、図７において、「入熱量：小、熱抵抗：小」とした例では、プラズマからウエハＷへ「８０」の熱量が伝わる。プラズマからウエハＷに伝わった「８０」の熱量のうち、「６０」の熱量がウエハＷから静電チャック１８の表面へ伝わる。そして、静電チャック１８の表面に伝わった「６０」の熱量のうち、「４０」の熱量がヒーターＨＴに伝わる。例えば、ヒーターＨＴの温度が一定となるように制御している場合、ヒーターＨＴには、ヒーター電源ＨＰからヒータパワーＰｈにより「６０」の熱量が供給される。
FIG. 7 is a diagram schematically showing the flow of energy in an ignition state. In addition, FIG. 7 is an example of an excessive state. Also, the heat input of radiant heat is omitted because it has little effect. For example, in FIG. 7, in the case of "heat input: small, thermal resistance: small", the amount of heat transferred from the plasma to the wafer W is "80". Out of the "80" amount of heat transmitted from the plasma to the wafer W, the amount of "60" is transmitted from the wafer W to the surface of the
また、図７において、「入熱量：大、熱抵抗：小」とした例では、プラズマからウエハＷへ「１００」の熱量が伝わる。プラズマからウエハＷに伝わった「１００」の熱量のうち、「８０」の熱量がウエハＷから静電チャック１８の表面へ伝わる。そして、静電チャック１８の表面に伝わった「８０」の熱量のうち、「６０」の熱量がヒーターＨＴに伝わる。例えば、ヒーターＨＴの温度が一定となるように制御している場合、ヒーターＨＴには、ヒーター電源ＨＰからヒータパワーＰｈにより「４０」の熱量が供給される。
Further, in FIG. 7, in the example of "heat input: large, thermal resistance: small", a heat amount of "100" is transferred from the plasma to the wafer W. In FIG. Of the "100" heat amount transferred from the plasma to the wafer W, "80" heat amount is transferred from the wafer W to the surface of the
また、図７において、「入熱量：小、熱抵抗：大」とした例では、プラズマからウエハＷへ「８０」の熱量が伝わる。プラズマからウエハＷに伝わった「８０」の熱量のうち、「４０」の熱量がウエハＷから静電チャック１８の表面へ伝わる。静電チャック１８の表面に伝わった「４０」の熱量のうち、「２０」の熱量がヒーターＨＴに伝わる。例えば、ヒーターＨＴの温度が一定となるように制御している場合、ヒーターＨＴには、ヒーター電源ＨＰからヒータパワーＰｈにより「８０」の熱量が供給される。
In addition, in FIG. 7, in the example of "heat input: small, thermal resistance: large", a heat amount of "80" is transferred from the plasma to the wafer W. FIG. Of the heat amount of "80" transferred from the plasma to the wafer W, the heat amount of "40" is transferred from the wafer W to the surface of the
このように、ヒーターＨＴの温度を一定に制御している場合、ヒータパワーＰｈは、プラズマからウエハＷへの入熱量や、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の熱抵抗よって変化する。よって、図６の（Ｂ）に示される期間Ｔ２のヒーターＨＴへの供給電力の低下の傾向は、プラズマからウエハＷへの入熱量や、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の熱抵抗などによって変化する。このため、期間Ｔ２のヒーターＨＴへの供給電力のグラフは、プラズマからウエハＷへの入熱量や、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の熱抵抗をパラメータとしてモデル化できる。すなわち、期間Ｔ２のヒーターＨＴへの供給電力の変化は、プラズマからウエハＷへの入熱量や、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の熱抵抗をパラメータとして、演算式によりモデル化できる。
Thus, when the temperature of the heater HT is controlled to be constant, the heater power Ph changes depending on the amount of heat input from the plasma to the wafer W and the thermal resistance between the surfaces of the wafer W and the
本実施形態では、図６の（Ｂ）に示す、期間Ｔ２のヒーターＨＴへの供給電力の変化を単位面積当たりの式としてモデル化する。例えば、プラズマからの熱流束があるときの単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈは、以下の式（２）のように表せる。プラズマからの熱流束がないときの定常状態での単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ０は、以下の式（３）のように表せる。静電チャック１８の表面とヒーター間の単位面積当たりの熱抵抗Ｒｔｈｃ・Ａは、以下の式（４）のように表せる。熱流束ｑｐおよび熱抵抗Ｒｔｈ・Ａをパラメータとし、ａ１、ａ２、ａ３、λ１、λ２、τ１、τ２を以下の式（５）－（１１）のように表した場合、発熱量ｑｈは、以下の式（１）のように表せる。
In this embodiment, the change in power supplied to the heater HT during the period T2 shown in FIG. 6B is modeled as an equation per unit area. For example, the amount qh of heat generated from the heater HT per unit area when there is a heat flux from the plasma can be expressed by the following equation (2). The amount qh0 of heat generated from the heater HT per unit area in a steady state when there is no heat flux from the plasma can be expressed by the following equation (3). A thermal resistance R thc ·A per unit area between the surface of the
ここで、
Ｐｈは、プラズマからの熱流束があるときのヒータパワー[Ｗ]である。
Ｐｈ０は、プラズマからの熱流束がないときの定常状態でのヒータパワー[Ｗ]である。
ｑｈは、プラズマからの熱流束があるときの単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量[Ｗ／ｍ２]である。
ｑｈ０は、プラズマからの熱流束がないときの定常状態での単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量[Ｗ／ｍ２]である。
ｑｐは、プラズマからウエハＷへの単位面積当たりの熱流束[Ｗ／ｍ２]である。
Ｒｔｈ・Ａは、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の単位面積当たりの熱抵抗[Ｋ・ｍ２／Ｗ]である。
Ｒｔｈｃ・Ａは、静電チャック１８の表面とヒーター間の単位面積当たりの熱抵抗[Ｋ・ｍ２／Ｗ]である。
Ａは、ヒーターＨＴ設けられた分割領域７５の面積［ｍ２］である。
ρｗは、ウエハＷの密度［ｋｇ／ｍ３］である。
Ｃｗは、ウエハＷの単位面積当たりの熱容量[Ｊ／Ｋ・ｍ２]である。
ｚｗは、ウエハＷの厚さ［ｍ］である。
ρｃは、静電チャック１８を構成するセラミックの密度［ｋｇ／ｍ３］である。
Ｃｃは、静電チャック１８を構成するセラミックの単位面積当たりの熱容量[Ｊ／Ｋ・ｍ２]である。
ｚｃは、静電チャック１８の表面からヒーターＨＴまでの距離[ｍ]である。
κｃは、静電チャック１８を構成するセラミックの熱伝導率[Ｗ／Ｋ・ｍ]である。
ｔは、プラズマを点火してからの経過時間[ｓｅｃ]である。
here,
Ph is the heater power [W] when there is a heat flux from the plasma.
Ph0 is the steady state heater power [W] when there is no heat flux from the plasma.
q h is the amount of heat generated from the heater HT per unit area [W/m 2 ] when there is a heat flux from the plasma.
q h0 is the calorific value [W/m 2 ] from the heater HT per unit area in a steady state when there is no heat flux from the plasma.
q p is the heat flux per unit area from the plasma to the wafer W [W/m 2 ].
R th ·A is the thermal resistance per unit area between the surface of the wafer W and the electrostatic chuck 18 [K·m 2 /W].
R thc ·A is the thermal resistance per unit area between the surface of the
A is the area [m 2 ] of the divided
ρ w is the density of the wafer W [kg/m 3 ].
Cw is the heat capacity per unit area of the wafer W [J/K·m 2 ].
zw is the thickness of the wafer W [m].
ρ c is the density of the ceramic constituting the electrostatic chuck 18 [kg/m 3 ].
C c is the heat capacity per unit area of the ceramic constituting the electrostatic chuck 18 [J/K·m 2 ].
zc is the distance [m] from the surface of the
κ c is the thermal conductivity [W/K·m] of the ceramic that constitutes the
t is the elapsed time [sec] after the plasma is ignited.
式（５）に示したａ１について、１／ａ１がウエハＷの温まり難さを示す時定数となる。また、式（６）に示したａ２について、１／ａ２が静電チャック１８の熱の入り難さ、温まり難さを示す時定数となる。また、式（７）に示したａ３について、１／ａ３が静電チャック１８の熱の浸透し難さ、温まり難さを示す時定数となる。
1/a 1 is the time constant indicating the difficulty of warming the wafer W with respect to a 1 shown in the equation (5). In addition, 1/a 2 of a 2 shown in equation (6) is a time constant indicating the difficulty of heat entering and warming up of the
ウエハＷの密度ρｗ、ウエハＷの単位面積当たりの熱容量ＣｗおよびウエハＷの厚さｚｗは、ウエハＷの実際の構成からそれぞれ予め定まる。ヒーターＨＴの面積Ａ、静電チャック１８を構成するセラミックの密度ρｃ、および、静電チャック１８を構成するセラミックの単位面積当たりの熱容量Ｃｃは、プラズマ処理装置１０の実際の構成からそれぞれ予め定まる。静電チャック１８の表面からヒーターＨＴまでの距離ｚｃ、および、静電チャック１８を構成するセラミックの熱伝導κｃも、プラズマ処理装置１０の実際の構成からそれぞれ予め定まる。Ｒｔｈｃ・Ａは、熱伝導κｃ、距離ｚｃから式（４）により予め定まる。
The density ρ w of the wafer W, the heat capacity C w per unit area of the wafer W, and the thickness z w of the wafer W are predetermined from the actual configuration of the wafer W, respectively. The area A of the heater HT, the density ρ c of the ceramic forming the
プラズマを点火してからの経過時間ｔごとのプラズマからの熱流束があるときのヒータパワーＰｈ、および、プラズマからの熱流束がないときの定常状態でのヒータパワーＰｈ０は、プラズマ処理装置１０を用いて計測により求めることができる。そして、式（２）に示すように、求めたヒータパワーＰｈをヒーターＨＴの面積Ａで除算することによって、プラズマからの熱流束があるときの単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈを求めることができる。また、式（３）に示すように、求めたヒータパワーＰｈ０をヒーターＨＴの面積Ａで除算することによって、プラズマからの熱流束がないときの定常状態での単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ０を求めることができる。
The heater power P h when there is a heat flux from the plasma and the heater power P h0 in a steady state when there is no heat flux from the plasma at each elapsed time t after igniting the
そして、プラズマからウエハＷへの単位面積当たりの熱流束ｑｐ、および、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の単位面積当たりの熱抵抗Ｒｔｈ・Ａは、計測結果を用いて、（１）式のフィッティングを行うことにより、求めることができる。
Then, using the measurement results, the heat flux q p per unit area from the plasma to the wafer W and the thermal resistance R th ·A per unit area between the surface of the wafer W and the
なお、図５Ｂの定常状態は、図５Ａに示す未点火状態から、プラズマからウエハＷへの入熱分が、そのままヒーターＨＴに入熱として増加している。このため、プラズマからウエハＷへの入熱量は、図６の期間Ｔ１に示した未点火状態の供給電力と期間Ｔ３に示した定常状態の供給電力の値の差から算出してもよい。例えば、プラズマからウエハＷへの単位面積当たりの熱流束ｑｐは、以下の（１２）式のように、プラズマからの熱流束がないとき（未点火状態）のヒータパワーＰｈ０と期間Ｔ３に示した定常状態のヒータパワーＰｈとの差を単位面積当たりに換算した値から算出できる。また、プラズマからウエハＷへの単位面積当たりの熱流束ｑｐは、以下の（１２）式のように、プラズマからの熱流束がないとき（未点火状態）のヒータパワーＰｈ０から求められる単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ０と期間Ｔ３に示した定常状態のヒータパワーＰｈから求められる単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈとの差から算出できる。 In the steady state shown in FIG. 5B, the heat input from the plasma to the wafer W increases as heat input to the heater HT from the non-ignited state shown in FIG. 5A. Therefore, the amount of heat input from the plasma to the wafer W may be calculated from the difference between the supplied power in the unignited state shown in period T1 in FIG. 6 and the supplied power in the steady state shown in period T3. For example, the heat flux qp per unit area from the plasma to the wafer W is given by the following equation (12), when there is no heat flux from the plasma (unignited state), the heater power Ph0 and the period T3 are: It can be calculated from the value obtained by converting the difference from the indicated heater power P h in the steady state to a unit area. Also, the heat flux qp per unit area from the plasma to the wafer W is a unit obtained from the heater power P h0 when there is no heat flux from the plasma (unignitioned state), as in the following equation (12): It can be calculated from the difference between the amount of heat generated by the heater HT per unit area qh0 and the amount of heat generated by the heater HT per unit area qh obtained from the heater power Ph in the steady state shown in the period T3.
ｑｐ＝（Ｐｈ０－Ｐｈ）／Ａ＝ｑｈ０－ｑｈ （１２） q p = (P h0 −P h )/A=q h0 −q h (12)
また、図６の（Ａ）に示される期間Ｔ２のウエハＷの温度のグラフも、プラズマからウエハＷへの入熱量や、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の熱抵抗をパラメータとしてモデル化できる。本実施形態では、期間Ｔ２のウエハＷの温度の変化を単位面積当たりの式としてモデル化する。例えば、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａをパラメータとし、式（５）－（１１）に示したａ１、ａ２、ａ３、λ１、λ２、τ１、τ２を用いた場合、ウエハＷの温度ＴＷ[℃]は、以下の式（１３）のように表せる。
The graph of the temperature of the wafer W during the period T2 shown in FIG. 6A is also modeled using the amount of heat input from the plasma to the wafer W and the thermal resistance between the surfaces of the wafer W and the
ここで、
ＴＷは、ウエハＷの温度[℃]である。
Ｔｈは、一定に制御したヒーターＨＴの温度[℃]である。
here,
TW is the temperature of the wafer W [°C].
Th is the temperature [° C.] of the heater HT which is controlled to be constant.
ヒーターの温度Ｔｈは、実際にウエハＷの温度を一定に制御した際の条件から求めることができる。 The temperature Th of the heater can be obtained from the conditions when the temperature of the wafer W is actually controlled to be constant.
計測結果を用いて、（１）式のフィッティングを行うことにより、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａが求まった場合、ウエハＷの温度ＴＷは、式（１３）から算出できる。 When the heat flux q p and the thermal resistance R th ·A are obtained by fitting the equation (1) using the measurement results, the temperature T W of the wafer W can be calculated from the equation (13). .
経過時間ｔが、式（１０）、（１１）に示した時定数τ１、τ２より十分に長い場合、式（１３）は、以下の式（１４）のように省略できる。すなわち、図６の期間Ｔ３である定常状態に移行した後のウエハＷの温度ＴＷが目標温度となるヒーターＨＴの温度Ｔｈを算出する場合、式（１３）は、式（１４）のように表せる。 If the elapsed time t is sufficiently longer than the time constants τ 1 and τ 2 shown in equations (10) and (11), equation (13) can be omitted as equation (14) below. That is, when calculating the temperature T h of the heater HT at which the temperature T W of the wafer W after shifting to the steady state which is the period T3 in FIG. can be expressed as
例えば、式（１４）により、ヒーターの温度Ｔｈ、熱流束ｑｐ、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａ、Ｒｔｈｃ・ＡからウエハＷの温度ＴＷを求めることができる。 For example, the temperature TW of the wafer W can be obtained from the temperature T h of the heater, the heat flux q p , and the thermal resistances R th ·A and R thc ·A from the equation (14).
ところで、プラズマ処理装置１０は、異常や故障の発生や経時変化などにより、プラズマ処理の処理条件が変化する場合がある。例えば、プラズマ処理装置１０は、異常や故障の発生や経時変化などにより、処理容器１２内の圧力や、プラズマ処理で印加される電力などが変化する場合がある。このようなプラズマ処理の処理条件は、第１の高周波電源ＨＦＳからの高周波電力ＨＦＳのパワー、第２の高周波電源ＬＦＳからの高周波電力ＬＦＳのパワーが挙げられる。また、このようなプラズマ処理の処理条件は、処理容器１２内の圧力、載置台１６の表面粗さ、伝熱ガスの圧力、ウエハＷの裏面膜厚、ウエハＷのそり、上部電極３０の温度、デポシールド４６の温度が挙げられる。なお、このようなプラズマ処理の処理条件は、これらに限定されるものではなく、異常や故障の発生や経時変化などで変化するものであれば何れであってもよい。
By the way, in the
プラズマ処理装置１０では、プラズマ処理の処理条件が変化した場合、プラズマからの入熱量や輻射熱による入熱量、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の熱抵抗などが変化し、載置台１６の温度に関する値が変化する。この載置台１６の温度に関する値としては、例えば、未点火状態で載置台１６の温度を所定の温度に維持するためのヒーターＨＴでの発熱量、ウエハＷと載置台１６との間の熱抵抗、点火状態でプラズマから載置台１６に流入する入熱量が挙げられる。なお、載置台１６の温度に関する値は、これらに限定されるものではなく、載置台１６の温度に関する値であって、プラズマ処理の処理条件の変化によって変化が発生するものであれば何れであってもよい。
In the
例えば、プラズマ処理装置１０は、上部電極３０の温度や、デポシールド４６の温度が変化した場合、ウエハＷへの輻射熱の入熱量が変わる。これにより、未点火状態で各ヒーターＨＴに供給されるヒータパワーＰｈ０が変化し、単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ０が変化する。発熱量ｑｈ０は、ヒータパワーＰｈ０をヒーターＨＴごとの面積で除算することによって求められる。図８Ａは、上部電極、デポシールドの温度が変化した場合のヒーターからの発熱量の変化の一例を示した図である。図８Ａには、プラズマ未点火状態でセンター部（Center）、ミドル部（Middle）、エッジ部（Edge）、フォーカスリング部（Ｆ／Ｒ）の各分割領域７５に設けられたヒーターＨＴに供給されるヒータパワーＰｈ０によるヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ０の変化が示されている。実線は、上部電極３０の温度を４０℃から１２０℃に変化させた場合のヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ０の変化を示している。破線は、デポシールド４６の温度を４０℃から１２０℃に変化させた場合のヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ０の変化を示している。このように、上部電極３０の温度や、デポシールド４６の温度が上昇した場合、ウエハＷへの輻射熱の入熱量が増加するため、ヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ０が低下する。また、実線と破線に示すように、上部電極３０とデポシールド４６では、温度が変化した場合の各分割領域７５に温度の変化に違いがある。例えば、上部電極３０からの輻射熱は、載置台１６の上部から入熱する。このため、上部電極３０の温度が変化した場合、センター部、ミドル部など載置台１６の面内を中央付近の領域ほどヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ０が大きく変化する。一方、デポシールド４６からの輻射熱は載置台１６の側面から入熱する。このため、デポシールド４６の温度が変化した場合、エッジ部、フォーカスリング部など載置台１６の面内を周辺付近の領域ほどヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ０が大きく変化する。よって、各分割領域７５のヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ０の変化パターンから上部電極３０とデポシールド４６のどちらの温度が変化したかを特定できる。
For example, in the
また、例えば、プラズマ処理装置１０は、第１の高周波電源ＨＦＳからの高周波電力ＨＦＳのパワーや、第２の高周波電源ＬＦＳからの高周波電力ＬＦＳのパワーが変化した場合、プラズマからの入熱量が変わる。これにより、プラズマを点火した定常状態で各ヒーターＨＴに供給されるヒータパワーＰｈが変化し、単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈが変化する。発熱量ｑｈは、ヒータパワーＰｈをヒーターＨＴごとの面積で除算することによって求められる。図８Ｂは、高周波電力ＨＦＳ、高周波電力ＬＦＳが変化した場合のヒーターからの発熱量の変化の一例を示した図である。図８Ｂには、プラズマを点火した定常状態でセンター部（Center）、ミドル部（Middle）、エッジ部（Edge）、フォーカスリング部（Ｆ／Ｒ）の各分割領域７５に設けられたヒーターＨＴに供給されるヒータパワーＰｈによるヒーターＨＴからの発熱量ｑｈの変化が示されている。実線は、高周波電力ＨＦＳのパワーを５００Ｗから１０００Ｗに変化させた場合のヒーターＨＴからの発熱量ｑｈの変化を示している。破線は、高周波電力ＬＦＳのパワーを５００Ｗから１０００Ｗに変化させた場合のヒーターＨＴからの発熱量ｑｈの変化を示している。このように、高周波電力ＨＦＳのパワーや、高周波電力ＬＦＳのパワーが上昇した場合、プラズマからの入熱量が増加するため、ヒーターＨＴからの発熱量ｑｈが低下する。また、実線と破線に示すように、高周波電力ＨＦＳと高周波電力ＬＦＳではパワーの変化による各分割領域７５に温度には違いがある。例えば、高周波電力ＨＦＳのパワーが変化した場合、フォーカスリング部など載置台１６の面内を周辺付近の領域でヒーターＨＴからの発熱量ｑｈが大きく変化する。一方、高周波電力ＬＦＳが変化した場合、エッジ部など載置台１６の面内の中央付近とフォーカスリング部など載置台１６の面内を周辺付近の領域のヒーターＨＴからの発熱量ｑｈが大きく変化する。よって、各分割領域７５のヒーターＨＴからの発熱量ｑｈの変化パターンから高周波電力ＨＦＳと高周波電力ＬＦＳのどちらのパワーが変化したかを特定できる。
Further, for example, in the
また、例えば、プラズマ処理装置１０は、処理容器１２内の圧力が変化した場合、プラズマからの入熱量が変わる。これにより、プラズマを点火した定常状態で各ヒーターＨＴに供給されるヒータパワーＰｈが変化し、単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈが変化する。発熱量ｑｈは、ヒータパワーＰｈをヒーターＨＴごとの面積で除算することによって求められる。図８Ｃは、処理容器内の圧力が変化した場合のヒーターからの発熱量の変化の一例を示した図である。図８Ｃには、プラズマを点火した定常状態でセンター部（Center）、ミドル部（Middle）、エッジ部（Edge）、フォーカスリング部（Ｆ／Ｒ）の各分割領域７５に設けられたヒーターＨＴに供給されるヒーターＨＴからの発熱量ｑｈの変化が示されている。実線は、処理容器１２内の圧力を３０ｍＴｏｒｒから５０ｍＴｏｒｒに変化させた場合のヒーターＨＴからの発熱量ｑｈの変化を示している。このように、処理容器１２内の圧力が増加した場合、プラズマからの入熱量が低下するため、ヒーターＨＴからの発熱量ｑｈが増加する。また、処理容器１２内の圧力が増加した場合、フォーカスリング部など載置台１６の面内を周辺付近の領域のヒーターＨＴからの発熱量ｑｈが大きく変化する。よって、各分割領域７５のヒーターＨＴからの発熱量ｑｈの変化パターンから処理容器１２内の圧力が変化したかを特定できる。
Further, for example, in the
また、例えば、プラズマ処理装置１０は、静電チャック１８の上面とウエハＷの裏面との間に供給される伝熱ガスの圧力が変化した場合、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の熱抵抗が変化する。また、プラズマ処理装置１０は、ウエハＷの裏面膜厚が変化した場合、ウエハＷと静電チャック１８の表面間の熱抵抗が変化する。図８Ｄは、伝熱ガスの圧力、ウエハＷの裏面膜厚が変化した場合の熱抵抗の変化の一例を示した図である。図８Ｄには、センター部（Center）、ミドル部（Middle）、エッジ部（Edge）、フォーカスリング部（Ｆ／Ｒ）の各分割領域７５の熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの変化が示されている。実線は、静電チャック１８の上面とウエハＷの裏面との間に供給される伝熱ガスの圧力を１０Ｔｏｒｒから３０Ｔｏｒｒに変化させた場合の熱抵抗の変化を示している。破線は、ウエハＷの裏面のＳｉＯ２層の膜厚を０ｎｍから１０００ｎｍに変化させた場合の熱抵抗の変化を示している。このように、伝熱ガスの圧力やウエハＷの裏面の膜厚が上昇した場合、熱抵抗が変化してプラズマからの入熱量が変化する。また、実線と破線に示すように、伝熱ガスの圧力とウエハＷの裏面の膜厚では熱抵抗の変化に違いがある。例えば、伝熱ガスの圧力が変化した場合、センター部などウエハＷの中央付近の領域の熱抵抗が大きく変化する。一方、ウエハＷの裏面の膜厚が変化した場合、ウエハＷの領域全体で熱抵抗が大きく変化する。よって、各分割領域７５の熱抵抗の変化パターンから伝熱ガスの圧力やウエハＷの裏面の膜厚が変化したかを特定できる。
Further, for example, when the pressure of the heat transfer gas supplied between the upper surface of the
図３に戻る。ヒーター制御部１０２ａは、各ヒーターＨＴの温度を制御する。例えば、ヒーター制御部１０２ａは、各ヒーターＨＴへの供給電力を指示する制御データをヒーター電源ＨＰへ出力して、ヒーター電源ＨＰから各ヒーターＨＴへ供給する供給電力を制御することにより、各ヒーターＨＴの温度を制御する。
Return to FIG. The
プラズマ処理の際、ヒーター制御部１０２ａには、各ヒーターＨＴの目標とする設定温度が設定される。例えば、ヒーター制御部１０２ａには、載置領域１８ａの各分割領域７５ごとに、目標とするウエハＷの温度が、当該分割領域７５のヒーターＨＴの設定温度として設定される。この目標とするウエハＷの温度は、例えば、ウエハＷに対するプラズマエッチングの精度が最も良好となる温度である。
During the plasma processing, a target set temperature for each heater HT is set in the
ヒーター制御部１０２ａは、プラズマ処理の際、各ヒーターＨＴが設定された設定温度となるよう各ヒーターＨＴへの供給電力を制御する。例えば、ヒーター制御部１０２ａは、外部インターフェース１０１に入力する温度データが示す載置領域１８ａの各分割領域７５の温度を、分割領域７５ごとに、当該分割領域７５の設定温度と比較する。ヒーター制御部１０２ａは、比較結果を用いて、設定温度に対して温度が低い分割領域７５、および、設定温度に対して温度が高い分割領域７５を特定する。ヒーター制御部１０２ａは、設定温度に対して温度が低い分割領域７５に対する供給電力を増加させ、設定温度に対して温度が高い分割領域７５に対する供給電力を減少させる制御データをヒーター電源ＨＰへ出力する。
The
第１取得部１０２ｂは、プラズマ処理の処理条件が変化した場合の載置台１６の温度に関する値の変化を示した変化情報１０４ａを取得する。
The
最初に、第１取得部１０２ｂは、ウエハＷを載置台１６に配置し、プラズマ処理の処理条件とされた処理パラメータを標準条件として、プラズマ処理を実施して、載置台１６の温度に関する値を取得する。標準条件は、例えば、半導体を生産する生産プロセスでウエハＷに対して実際のプラズマ処理を実施する処理条件とする。第１取得部１０２ｂは、処理条件を標準条件として、プラズマ処理を実施する。
First, the
プラズマ処理の際、ヒーター制御部１０２ａには、各ヒーターＨＴの目標とする設定温度が設定される。ヒーター制御部１０２ａは、プラズマ処理の際、各ヒーターＨＴが設定された設定温度となるよう各ヒーターＨＴへの供給電力を制御する。
During the plasma processing, a target set temperature for each heater HT is set in the
第１取得部１０２ｂは、ヒーター制御部１０２ａにより、各ヒーターＨＴの温度が一定となるよう各ヒーターＨＴへの供給電力を制御した状態で、プラズマ処理を実施して、載置台１６の温度に関する値を取得する。例えば、第１取得部１０２ｂは、プラズマ処理の開始前のプラズマが未点火状態での各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する。また、第１取得部１０２ｂは、プラズマを点火してから各ヒーターＨＴへの供給電力が低下する傾向の変動が安定するまでの過渡状態での各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する。また、第１取得部１０２ｂは、プラズマを点火した後、各ヒーターＨＴへの供給電力の低下なくなって安定した定常状態での各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する。未点火状態での各ヒーターＨＴへの供給電力は、各ヒーターＨＴで少なくとも１つ計測されていればよく、複数回計測して平均値を未点火状態の供給電力としてもよい。過渡状態および定常状態での各ヒーターＨＴへの供給電力は、２回以上計測されていればよい。供給電力を計測する計測タイミングは、供給電力が低下する傾向が大きいタイミングを含むことが好ましい。また、計測タイミングは、計測回数が少ない場合、所定期間以上離れていることが好ましい。本実施形態では、第１取得部１０２ｂは、プラズマ処理の期間中、所定周期（例えば、０．１秒周期）で各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する。これにより、過渡状態および定常状態での各ヒーターＨＴへの供給電力が多数計測される。
The
第１取得部１０２ｂは、所定のサイクルで、未点火状態、過渡状態および定常状態の各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する。
The
第１取得部１０２ｂは、ヒーターＨＴごとに、未点火状態で温度を所定の温度に維持するためのヒーターＨＴでの発熱量を算出する。例えば、第１取得部１０２ｂは、ヒーターＨＴごとに、未点火状態でのヒーターＨＴへの供給電力から、未点火状態のヒータパワーＰｈ０を算出する。
The first obtaining
また、第１取得部１０２ｂは、ヒーターＨＴごとに、ウエハＷと載置台１６との間の熱抵抗、点火状態でプラズマから載置台１６に流入する入熱量を算出する。例えば、第１取得部１０２ｂは、ヒーターＨＴごとに、プラズマからの入熱量およびウエハＷとヒーターＨＴ間の熱抵抗をパラメータとし、過渡状態の供給電力を算出する算出モデルに対して、計測された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いてフィッティングを行って、ヒーターＨＴごとに入熱量および熱抵抗を算出する。
For each heater HT, the
例えば、第１取得部１０２ｂは、ヒーターＨＴごとに、経過時間ｔごとの未点火状態のヒータパワーＰｈ０を求める。また、第１取得部１０２ｂは、ヒーターＨＴごとに、経過時間ｔごとの過渡状態のヒータパワーＰｈを求める。第１取得部１０２ｂは、求めたヒータパワーＰｈ０をヒーターＨＴごとの面積で除算することによって、経過時間ｔごとの未点火状態の単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ０を求める。また、第１取得部１０２ｂは、求めたヒータパワーＰｈをヒーターＨＴごとの面積で除算することによって、経過時間ｔごとの過渡状態の単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈを求める。
For example, the first obtaining
そして、第１取得部１０２ｂは、上記の式（１）－（１１）を算出モデルとして用いて、ヒーターＨＴごとに、経過時間ｔごとの発熱量ｑｈおよび発熱量ｑｈ0のフィッティングを行い、誤差が最も小さくなる熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを算出する。
Then, the
なお、第１取得部１０２ｂは、未点火状態の供給電力と定常状態の供給電力の差からプラズマからウエハＷへの入熱量を算出してもよい。例えば、第１取得部１０２ｂは、（１２）式を用いて、未点火状態のヒータパワーＰｈ０と定常状態のヒータパワーＰｈとの差をヒーターＨＴごとの面積で除算することから熱流束ｑｐを算出してもよい。
Note that the
次に、第１取得部１０２ｂは、プラズマ処理の処理条件とされた処理パラメータを変化させる。例えば、第１取得部１０２ｂは、処理パラメータとして、高周波電力ＨＦＳのパワー、高周波電力ＬＦＳのパワー、伝熱ガスの圧力、ウエハＷの裏面膜厚、上部電極３０の温度、デポシールド４６の温度の何れかを変化させる。なお、処理パラメータは、１つずつ変化させることが好ましいが、複数同時に変化させてもよい。
Next, the
第１取得部１０２ｂは、載置台１６に新たなウエハＷを配置し、変化させた処理条件でプラズマ処理を実施して、載置台１６の温度に関する値を取得する。例えば、第１取得部１０２ｂは、ヒーター制御部１０２ａが各ヒーターＨＴの温度が一定の設定温度となるよう各ヒーターＨＴへの供給電力を制御している状態で、プラズマ処理の未点火状態、過渡状態および定常状態での各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する。
The
第１取得部１０２ｂは、ヒーターＨＴごとに、未点火状態でのヒーターＨＴへの供給電力から、未点火状態で温度を所定の温度に維持するためのヒーターＨＴでの発熱量として、未点火状態のヒータパワーＰｈ０を算出する。また、第１取得部１０２ｂは、上述の算出モデルに対して、計測された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いてフィッティングを行って、ヒーターＨＴごとにウエハＷへの入熱量および熱抵抗を算出する。なお、第１取得部１０２ｂは、未点火状態の供給電力と定常状態の供給電力の差からプラズマからウエハＷへの入熱量を算出してもよい。
The
第１取得部１０２ｂは、プラズマ処理の処理条件とされた処理パラメータをそれぞれ所定の範囲で変化させ、載置台１６の温度に関する値を取得する。例えば、第１取得部１０２ｂは、プラズマ処理の処理条件とされた処理パラメータをそれぞれ所定の範囲で変化させ、ヒータパワーＰｈ０、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを算出する。そして、第１取得部１０２ｂは、プラズマ処理の処理条件が変化した場合の載置台１６の温度に関する値の変化を示した変化情報１０４ａを生成する。例えば、第１取得部１０２ｂは、プラズマ処理の処理条件とされた変化させた処理パラメータごとに、各分割領域７５の載置台１６の温度に関する値の変化パターンを記録した変化情報１０４ａを生成する。例えば、第１取得部１０２ｂは、高周波電力ＨＦＳのパワー、高周波電力ＬＦＳのパワー、伝熱ガスの圧力、ウエハＷの裏面膜厚、上部電極３０の温度、デポシールド４６の温度が変化した場合の各分割領域７５のヒータパワーＰｈ０、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの変化を示した変化パターンを記録した変化情報１０４ａを生成する。変化情報１０４ａは、処理条件ごとに、ヒータパワーＰｈ０、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを記憶させたものとしてもよい。また、変化情報１０４ａは、何れの処理条件でのヒータパワーＰｈ０、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを基準として、基準との処理条件、ヒータパワーＰｈ０、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの差を記憶したものとしてもよい。第１取得部１０２ｂは、生成した変化情報１０４ａを記憶部１０４に記憶させる。
The
これにより、記憶部１０４には、変化情報１０４ａが記憶される。なお、本実施形態では、第１取得部１０２ｂが処理条件を変えたプラズマ処理を実施して変化情報１０４ａを取得する場合を例に説明するが、これに限定されるものではない。記憶部１０４には、事前に準備された変化情報１０４ａや他の装置で生成された変化情報１０４ａが記憶されてもよい。
Thereby, the
ところで、上述したように、プラズマ処理装置１０は、異常や故障の発生や経時変化などにより、プラズマ処理の処理条件が変化する場合がある。そこで、実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、半導体を生産する生産プロセスでウエハＷにプラズマ処理を行う際、記憶部１０４に記憶された変化情報１０４ａに基づいて、プラズマ処理の処理条件の変化を監視する。
By the way, as described above, in the
プラズマ処理の際、ヒーター制御部１０２ａには、各ヒーターＨＴの目標とする設定温度が設定される。ヒーター制御部１０２ａは、プラズマ処理の際、各ヒーターＨＴが設定された設定温度となるよう各ヒーターＨＴへの供給電力を制御する。
During the plasma processing, a target set temperature for each heater HT is set in the
第２取得部１０２ｃは、ヒーター制御部１０２ａが各ヒーターＨＴの温度が一定の設定温度となるよう各ヒーターＨＴへの供給電力を制御している状態で、プラズマ処理を実施して、載置台１６の温度に関する値を取得する。例えば、第２取得部１０２ｃは、プラズマ処理の開始前のプラズマが未点火状態での各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する。また、第２取得部１０２ｃは、プラズマを点火してから各ヒーターＨＴへの供給電力が低下する傾向の変動が安定するまでの過渡状態での各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する。また、第２取得部１０２ｃは、プラズマを点火した後、各ヒーターＨＴへの供給電力の低下なくなって安定した定常状態での各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する。未点火状態での各ヒーターＨＴへの供給電力は、各ヒーターＨＴで少なくとも１つ計測されていればよく、複数回計測して平均値を未点火状態の供給電力としてもよい。過渡状態および定常状態での各ヒーターＨＴへの供給電力は、２回以上計測されていればよい。供給電力を計測する計測タイミングは、供給電力が低下する傾向が大きいタイミングを含むことが好ましい。また、計測タイミングは、計測回数が少ない場合、所定期間以上離れていることが好ましい。本実施形態では、第２取得部１０２ｃは、プラズマ処理の期間中、所定周期（例えば、０．１秒周期）で各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する。これにより、過渡状態および定常状態での各ヒーターＨＴへの供給電力が多数計測される。
The second acquisition unit 102c performs the plasma processing to perform the plasma processing while the
第２取得部１０２ｃは、所定のサイクルで、未点火状態と、過渡状態と、定常状態の各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する。例えば、第２取得部１０２ｃは、ウエハＷが交換され、交換されたウエハＷを載置台１６に載置してプラズマ処理を行う際に、毎回、未点火状態と、過渡状態と、定常状態の各ヒーターＨＴへの供給電力を計測する。なお、例えば、第２取得部１０２ｃは、プラズマ処理ごとに、未点火状態と、過渡状態と、定常状態の各ヒーターＨＴへの供給電力を計測してもよい。 The second acquisition unit 102c measures the power supplied to each heater HT in a non-ignited state, a transient state, and a steady state in a predetermined cycle. For example, when the wafer W is exchanged and the exchanged wafer W is mounted on the mounting table 16 and plasma processing is performed, the second obtaining unit 102c changes the non-ignited state, the transient state, and the steady state each time. The power supplied to each heater HT is measured. For example, the second acquisition unit 102c may measure the power supplied to each heater HT in the unignited state, the transient state, and the steady state for each plasma process.
第２取得部１０２ｃは、ヒーターＨＴごとに、未点火状態で温度を所定の温度に維持するためのヒーターＨＴでの発熱量を算出する。例えば、第２取得部１０２ｃは、ヒーターＨＴごとに、未点火状態でのヒーターＨＴへの供給電力から、未点火状態のヒータパワーＰｈ０を算出する。 The second obtaining unit 102c calculates, for each heater HT, the amount of heat generated by the heater HT for maintaining the temperature at a predetermined temperature in an unignited state. For example, the second acquisition unit 102c calculates the unfired heater power Ph0 for each heater HT from the power supplied to the heater HT in the unfired state.
また、第２取得部１０２ｃは、ヒーターＨＴごとに、ウエハＷと載置台１６との間の熱抵抗、点火状態でプラズマから載置台１６に流入する入熱量を算出する。例えば、第２取得部１０２ｃは、ヒーターＨＴごとに、上述の算出モデルに対して、計測された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いてフィッティングを行って、入熱量および熱抵抗を算出する。 The second acquisition unit 102c also calculates the thermal resistance between the wafer W and the mounting table 16 and the amount of heat input from the plasma flowing into the mounting table 16 in the ignition state for each heater HT. For example, the second acquisition unit 102c performs fitting using the measured supplied power in the unignited state and the transient state to the above-described calculation model for each heater HT, and calculates the heat input amount and the thermal resistance. .
例えば、第２取得部１０２ｃは、ヒーターＨＴごとに、経過時間ｔごとの未点火状態のヒータパワーＰｈ０を求める。また、第２取得部１０２ｃは、ヒーターＨＴごとに、経過時間ｔごとの過渡状態のヒータパワーＰｈを求める。第２取得部１０２ｃは、求めたヒータパワーＰｈ０をヒーターＨＴごとの面積で除算することによって、経過時間ｔごとの未点火状態の単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈ０を求める。また、第２取得部１０２ｃは、求めたヒータパワーＰｈをヒーターＨＴごとの面積で除算することによって、経過時間ｔごとの過渡状態の単位面積当たりのヒーターＨＴからの発熱量ｑｈを求める。 For example, the second obtaining unit 102c obtains the unfired heater power Ph0 for each elapsed time t for each heater HT. The second acquisition unit 102c also obtains the heater power Ph in the transient state for each elapsed time t for each heater HT. The second obtaining unit 102c divides the obtained heater power P h0 by the area of each heater HT to obtain the amount of heat q h0 from the heater HT per unit area in the unignited state for each elapsed time t. The second acquisition unit 102c also divides the obtained heater power Ph by the area of each heater HT to obtain the amount qh of heat generated from the heater HT per unit area in the transient state for each elapsed time t.
そして、第２取得部１０２ｃは、上記の式（１）－（１１）を算出モデルとして用いて、ヒーターＨＴごとに、経過時間ｔごとの発熱量ｑｈおよび発熱量ｑｈ0のフィッティングを行い、誤差が最も小さくなる熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを算出する。 Then, the second acquisition unit 102c uses the above equations (1) to (11) as a calculation model to perform fitting of the calorific value qh and the calorific value qh0 for each elapsed time t for each heater HT, The heat flux q p and the thermal resistance R th ·A that minimize the error are calculated.
なお、第２取得部１０２ｃは、未点火状態の供給電力と定常状態の供給電力の差からプラズマからウエハＷへの入熱量を算出してもよい。例えば、第１取得部１０２ｂは、（１２）式を用いて、未点火状態のヒータパワーＰｈ０と定常状態のヒータパワーＰｈとの差をヒーターＨＴごとの面積で除算することから熱流束ｑｐを算出してもよい。
Note that the second acquisition unit 102c may calculate the amount of heat input from the plasma to the wafer W from the difference between the supplied power in the unignited state and the supplied power in the steady state. For example, the
第２取得部１０２ｃは、所定のサイクルで、未点火状態のヒータパワーＰｈ０、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを算出する。例えば、第２取得部１０２ｃは、ウエハＷが交換されるごとに、当該ウエハＷを載置台１６に載置した状態で測定された未点火状態と過渡状態と定常状態の供給電力を用いて、未点火状態のヒータパワーＰｈ０、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを算出する。 The second acquisition unit 102c calculates the unignited heater power P h0 , the heat flux q p , and the thermal resistance R th ·A in a predetermined cycle. For example, every time the wafer W is replaced, the second acquisition unit 102c uses the supplied power in the unignited state, the transient state, and the steady state, which are measured with the wafer W mounted on the mounting table 16, to obtain A heater power P h0 in an unignited state, a heat flux q p , and a thermal resistance R th ·A are calculated.
設定温度算出部１０２ｄは、ヒーターＨＴごとに、算出された入熱量および熱抵抗を用いて、ウエハＷが目標温度となるヒーターＨＴの設定温度を算出する。例えば、設定温度算出部１０２ｄは、ヒーターＨＴごとに、算出された熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを式（５）、（６）、（１３）に代入し、式（５）－（１１）に示したａ１、ａ２、ａ３、λ１、λ２、τ１、τ２を用いて、式（１３）からヒーターＨＴの温度Ｔｈを算出する。例えば、設定温度算出部１０２ｄは、経過時間ｔを定常状態とみなせる程度の大きい所定の値として、ヒーターＨＴの温度Ｔｈを算出する。算出されるヒーターＨＴの温度Ｔｈは、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度である。なお、ヒーターＨＴの温度Ｔｈは、式（１４）から求めてもよい。
The set
なお、設定温度算出部１０２ｄは、式（１３）から現在のヒーターＨＴの温度ＴでのウエハＷの温度ＴＷを算出してもよい。例えば、設定温度算出部１０２ｄは、現在のヒーターＨＴの温度Ｔで、経過時間ｔを定常状態とみなせる程度の大きい所定の値とした場合のウエハＷの温度ＴＷを算出する。次に、設定温度算出部１０２ｄは、算出した温度ＴＷと目標温度との差分ΔＴＷを算出する。そして、設定温度算出部１０２ｄは、現在のヒーターＨＴの温度Ｔから差分ΔＴＷの減算を行った温度を、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度Ｔｈと算出してもよい。
Note that the set
設定温度算出部１０２ｄは、ヒーター制御部１０２ａの各ヒーターＨＴの設定温度を、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度に修正する。
The set
設定温度算出部１０２ｄは、所定のサイクルで、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度を算出し、各ヒーターＨＴの設定温度を修正する。例えば、設定温度算出部１０２ｄは、ウエハＷが交換されるごとに、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度を算出し、各ヒーターＨＴの設定温度を修正する。なお、例えば、設定温度算出部１０２ｄは、プラズマ処理ごとに、ウエハＷの温度が目標温度となるヒーターＨＴの温度を算出し、各ヒーターＨＴの設定温度を修正してもよい。
The set
これにより、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、プラズマ処理中のウエハＷの温度を目標温度に精度よく制御できる。
Thereby, the
ところで、上述したように、プラズマ処理装置１０は、異常や故障の発生や経時変化などにより、プラズマ処理の処理条件が変化する場合がある。
By the way, as described above, in the
そこで、監視部１０２ｅは、変化情報１０４ａに基づき、第２取得部により取得される載置台１６の温度に関する値の変化からプラズマ処理の処理条件の変化を監視する。例えば、監視部１０２ｅは、所定のサイクルで、第２取得部により算出される各ヒーターＨＴの未点火状態のヒータパワーＰｈ０、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを記憶する。そして、監視部１０２ｅは、各ヒーターＨＴのヒータパワーＰｈ０、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａに、変化情報１０４ａに記憶された何れかの変化パターンの変化が発生したかを監視する。例えば、監視部１０２ｅは、最初のウエハＷと直近のウエハＷでそれぞれ算出された各ヒーターＨＴのヒータパワーＰｈ０、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａを比較する。そして、監視部１０２ｅは、最初のウエハＷと直近のウエハＷとのヒーターＨＴごとのヒータパワーＰｈ０、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの変化を求める。監視部１０２ｅは、ヒーターＨＴごとのヒータパワーＰｈ０、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの変化が、変化情報１０４ａに記憶された何れかの変化パターンの変化に該当するか判定する。例えば、監視部１０２ｅは、ヒーターＨＴごとのヒータパワーＰｈ０、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの何れかに所定の許容値以上の変化が発生したか判定する。監視部１０２ｅは、所定の許容値以上の変化が発生している場合、ヒーターＨＴごとのヒータパワーＰｈ０、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの変化パターンを、変化情報１０４ａに記憶された変化パターンと比較して、所定以上類似する変化パターンを特定する。例えば、監視部１０２ｅは、比較の結果、ヒータパワーＰｈ０、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの何れかで、各分割領域７５の差がそれぞれ許容値以内の変化パターンを特定する。なお、監視部１０２ｅは、変化パターンを複数特定してもよい。また、監視部１０２ｅは、変化パターンが複数特定された場合、差の最も小さい変化パターンを１つ特定してもよい。監視部１０２ｅは、特定した変化パターンで変化させていた処理パラメータを、変化したプラズマ処理の処理条件と特定する。
Therefore, based on the change information 104a, the
アラート部１０２ｆは、監視部１０２ｅの監視の結果、プラズマ処理の処理条件に所定以上の変化が検出された場合、アラートを行う。例えば、アラート部１０２ｆは、監視部１０２ｅの監視の結果、ヒーターＨＴごとのヒータパワーＰｈ０、熱流束ｑｐ、および、熱抵抗Ｒｔｈ・Ａの何れかに所定の許容値以上の変化が発生している場合、アラートを行う。また、アラート部１０２ｆは、監視部１０２ｅにより特定された処理パラメータを変化したプラズマ処理の処理条件として報知するアラートを行う。アラート部１０２ｆは、変化パターンが複数特定された場合、それぞれの変化パターンで変化させていた処理パラメータを変化したプラズマ処理の処理条件として報知するアラートを行う。アラートは、工程管理者やプラズマ処理装置１０の管理者などに異常を報知できれば、何れの方式でもよい。例えば、アラート部１０２ｆは、ユーザインターフェース１０３に異常を報知するメッセージを表示する。
The
これにより、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、異常や故障の発生や経時変化などにより、プラズマ処理の処理条件が変化した場合、異常の発生を報知できる。また、プラズマ処理装置１０は、異常となった処理パラメータを報知できる。これにより、工程管理者やプラズマ処理装置１０の管理者は、異常や故障の発生や経時変化の発生を知ることができる。また、工程管理者やプラズマ処理装置１０の管理者は、報知された処理パラメータからメンテナンスすべきパーツを推定でき、プラズマ処理装置１０を早期に回復させることができる。
Thereby, the
補正部１０２ｇは、監視部１０２ｅの監視の結果、プラズマ処理の処理条件に所定以上の変化が検出された場合、検出された処理条件の変化を打ち消すようにプラズマ処理の処理条件を補正する。例えば、補正部１０２ｇは、監視部１０２ｅにより特定された処理パラメータの値を変化した分だけ補正する。
When the
これにより、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、異常や故障の発生や経時変化などにより、プラズマ処理の処理条件が変化した場合、変化した処理条件を元の状態に自動で補正できる。
As a result, the
［処理の流れ］
次に、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０が実施する処理の流れについて説明する。最初に、プラズマ処理装置１０が変化情報１０４ａを生成する生成処理の流れについて説明する。図９は、実施形態に係る生成処理の流れの一例を示すフローチャートである。この生成処理は、所定のタイミング、例えば、ユーザインターフェース１０３で生成処理の開始を指示する所定操作が行われたタイミングで実行される。
[Process flow]
Next, the flow of processing performed by the
ヒーター制御部１０２ａは、各ヒーターＨＴが設定温度となるよう各ヒーターＨＴへの供給電力を制御する（ステップＳ１０）。
The
第１取得部１０２ｂは、プラズマ処理の処理条件とされた処理パラメータを標準条件としてプラズマ処理を実施して、載置台１６の温度に関する値を取得する（ステップＳ１１）。
The
第１取得部１０２ｂは、処理パラメータをそれぞれ所定の範囲で変化させた全ての処理条件でプラズマ処理を実施したか否かを判定する（ステップＳ１２）。全ての処理条件でプラズマ処理を実施した場合（ステップＳ１２：Ｙｅｓ）、後述するステップＳ１５へ移行する。
The
一方、全ての処理条件でプラズマ処理を実施していない場合（ステップＳ１２：Ｎｏ）、第１取得部１０２ｂは、まだ未実施の処理条件に処理条件を変更する（ステップＳ１３）。第１取得部１０２ｂは、変更した処理条件でプラズマ処理を実施して、載置台１６の温度に関する値を取得し（ステップＳ１４）、上述のステップＳ１２へ移行する。
On the other hand, if plasma processing has not been performed under all processing conditions (step S12: No), the
第１取得部１０２ｂは、取得した各処理条件での載置台１６の温度に関する値から処理条件が変化した場合の載置台１６の温度に関する値の変化を示した変化情報１０４ａを生成する（ステップＳ１５）。第１取得部１０２ｂは、生成した変化情報１０４ａを記憶部１０４に格納して（ステップＳ１６）、処理を終了する。
The
次に、プラズマ処理装置１０が異常の発生を監視する監視処理の流れについて説明する。図１０は、実施形態に係る監視処理の流れの一例を示すフローチャートである。この監視処理は、所定のタイミング、例えば、半導体を生産する生産プロセスのプラズマ処理を開始するタイミングで実行される。
Next, the flow of monitoring processing for monitoring the occurrence of abnormality by the
ヒーター制御部１０２ａは、各ヒーターＨＴが設定温度となるよう各ヒーターＨＴへの供給電力を制御する（ステップＳ２０）。
The
第２取得部１０２ｃは、プラズマ処理の際に、所定のサイクルで、載置台１６の温度に関する値を取得する（ステップＳ２１）。 The second acquisition unit 102c acquires a value related to the temperature of the mounting table 16 in a predetermined cycle during plasma processing (step S21).
監視部１０２ｅは、変化情報１０４ａに基づき、第２取得部により取得される載置台１６の温度に関する値の変化からプラズマ処理の処理条件の変化を監視する（ステップＳ２２）。
Based on the change information 104a, the
アラート部１０２ｆは、監視部１０２ｅの監視の結果、プラズマ処理の処理条件に所定以上の変化が検出されたか否かを判定する（ステップＳ２３）。変化が検出されない場合（ステップＳ２３：Ｎｏ）、後述するステップＳ２６へ移行する。
The
一方、変化が検出された場合（ステップＳ２３：Ｙｅｓ）、アラート部１０２ｆは、アラートを行う（ステップＳ２４）。補正部１０２ｇは、検出された処理条件の変化を打ち消すようにプラズマ処理の処理条件を補正する（ステップＳ２５）。
On the other hand, if a change is detected (step S23: Yes), the
監視部１０２ｅは、生産プロセスのプラズマ処理が全て完了したか否かを判定する（ステップＳ２６）。生産プロセスのプラズマ処理が全て完了してない場合（ステップＳ２６：Ｎｏ）、上述のステップＳ２１へ移行する。
The
一方、生産プロセスのプラズマ処理が全て完了した場合（ステップＳ２６：Ｙｅｓ）、処理を終了する。 On the other hand, if all the plasma processes in the production process have been completed (step S26: Yes), the process ends.
このように、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、記憶部１０４と、第２取得部１０２ｃと、監視部１０２ｅとを有する。記憶部１０４は、載置台１６に載置されたウエハＷに対するプラズマ処理の処理条件が変化した場合の載置台１６の温度に関する値の変化を示した変化情報１０４ａを記憶する。第２取得部１０２ｃは、載置台１６の温度に関する値を所定のサイクルで取得する。監視部１０２ｅは、変化情報１０４ａに基づき、第２取得部１０２ｃにより取得される載置台１６の温度に関する値の変化からプラズマ処理の処理条件の変化を監視する。これにより、プラズマ処理装置１０は、センサを配置することなく異常の発生を検出できる。
Thus, the
また、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、載置台１６に、ウエハＷが載置される載置面の温度を調整可能なヒーターＨＴが設けられている。載置台の温度に関する値は、未点火状態で載置台１６の温度を所定の温度に維持するためのヒーターＨＴでの発熱量、ウエハＷと載置台１６との間の熱抵抗、および、点火状態でプラズマから載置台１６に流入する入熱量の少なくとも１つとされている。これにより、プラズマ処理装置１０は、センサを配置することなく異常の発生を検出できる。
Further, in the
また、載置台１６は、ウエハＷが載置される載置面の温度を調整可能なヒーターＨＴが設けられている。載置台１６の温度に関する値は、未点火状態で載置台１６の温度を所定の温度に維持するためのヒーターＨＴでの発熱量、ウエハＷと載置台１６との間の熱抵抗、および、点火状態でプラズマから載置台１６に流入する入熱量の少なくとも１つとされている。これにより、プラズマ処理装置１０は、センサを配置することなく異常の発生を検出できる。
Further, the mounting table 16 is provided with a heater HT capable of adjusting the temperature of the mounting surface on which the wafer W is mounted. The values relating to the temperature of the mounting table 16 are the amount of heat generated by the heater HT for maintaining the temperature of the mounting table 16 at a predetermined temperature in an unignited state, the thermal resistance between the wafer W and the mounting table 16, and the ignition is at least one of the amount of heat input that flows into the mounting table 16 from the plasma in this state. Thereby, the
また、第２取得部１０２ｃは、ヒーターＨＴの温度が一定となるようヒーターＨＴへの供給電力を制御した状態で、プラズマを点火して無い未点火状態と、プラズマを点火してからヒーターＨＴへの供給電力が低下する過渡状態での供給電力を計測する。そして、第２取得部１０２ｃは、プラズマから載置台１６に流入する入熱量およびウエハＷと載置台１６との間の熱抵抗をパラメータとし、過渡状態の供給電力を算出する算出モデルに対して、計測された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いてフィッティングを行って、入熱量および熱抵抗を算出する。これにより、プラズマ処理装置１０は、センサを配置することなく入熱量および熱抵抗を取得できる。
Further, the second acquisition unit 102c controls the power supply to the heater HT so that the temperature of the heater HT is constant. Measure the supplied power in the transient state where the supplied power of the Then, the second acquisition unit 102c uses the heat input amount flowing into the mounting table 16 from the plasma and the thermal resistance between the wafer W and the mounting table 16 as parameters, and calculates the supply power in the transient state by using the calculation model, Fitting is performed using the measured supplied power in the unignited state and the transient state to calculate the heat input and thermal resistance. Thereby, the
また、第２取得部１０２ｃは、ヒーターＨＴの温度が一定となるようヒーターＨＴへの供給電力を制御した状態で、プラズマを点火して無い未点火状態と、プラズマを点火してヒーターＨＴへの供給電力が安定した定常状態での供給電力を計測する。第２取得部１０２ｃは、計測された未点火状態と定常状態の供給電力の差から入熱量を算出する。これにより、プラズマ処理装置１０は、センサを配置することなく入熱量を取得できる。
In addition, the second acquisition unit 102c controls the power supply to the heater HT so that the temperature of the heater HT is constant, and the non-ignited state in which the plasma is not ignited and the state in which the plasma is ignited and the heater HT is supplied to the heater HT. Measure the supplied power in a steady state where the supplied power is stable. The second acquisition unit 102c calculates the amount of heat input from the measured difference between the supplied power in the unignited state and the steady state. Thereby, the
また、第２取得部１０２ｃは、ヒーターＨＴの温度が一定となるようヒーターＨＴへの供給電力を制御した状態で、プラズマを点火して無い未点火状態の供給電力を計測する。そして、第２取得部１０２ｃは、計測された未点火状態の供給電力から未点火状態で載置台１６の温度を所定の温度に維持するためのヒーターＨＴでの発熱量を算出する。これにより、プラズマ処理装置１０は、センサを配置することなくヒーターＨＴでの発熱量を取得できる。
Further, the second acquisition unit 102c measures the power supplied to the heater HT in an unignited state in which the plasma is not ignited while controlling the power supplied to the heater HT so that the temperature of the heater HT is constant. Then, the second acquisition unit 102c calculates the amount of heat generated by the heater HT for maintaining the temperature of the mounting table 16 at a predetermined temperature in the unignited state from the measured supplied power in the unignited state. Thereby, the
また、載置台１６は、ウエハＷが載置される載置面が複数の分割領域７５に分割され、各分割領域７５にヒーターＨＴが設けられている。変化情報１０４ａは、プラズマ処理の処理条件とされた処理パラメータの変化ごとに各分割領域７５の載置台１６の温度に関する値の変化パターンが記憶されている。第２取得部１０２ｃは、各分割領域７５の載置台１６の温度に関する値を取得する。監視部１０２ｅは、変化情報１０４ａに基づき、第２取得部１０２ｃにより取得される各分割領域７５の載置台１６の温度に関する値の変化パターンから変化した処理パラメータを特定する。これにより、プラズマ処理装置１０は、センサを配置することなく変化した処理パラメータを特定できる。
Further, the mounting table 16 has a mounting surface on which the wafer W is mounted, which is divided into a plurality of divided
また、プラズマ処理装置１０は、アラート部１０２ｆをさらに有する。アラート部１０２ｆは、監視部１０２ｅによる監視の結果、プラズマ処理の処理条件に所定以上の変化が検出された場合、アラートを行う。これにより、プラズマ処理装置１０は、プラズマ処理の処理条件が所定以上の変化した場合、アラートを行うことができる。
Moreover, the
また、プラズマ処理装置１０は、補正部１０２ｇをさらに有する。補正部１０２ｇは、監視部１０２ｅによる監視の結果、プラズマ処理の処理条件に所定以上の変化が検出された場合、当該処理条件の変化を打ち消すようにプラズマ処理の処理条件を補正する。これにより、プラズマ処理装置１０は、変化したプラズマ処理の処理条件を自動で補正することができる。
Moreover, the
以上、実施形態について説明してきたが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は、多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 Although the embodiments have been described above, the embodiments disclosed this time should be considered as examples and not restrictive in all respects. Indeed, the above-described embodiments may be embodied in many different forms. Also, the above-described embodiments may be omitted, substituted, or modified in various ways without departing from the scope and spirit of the claims.
例えば、上記の実施形態では、被処理体として半導体ウエハにプラズマ処理を行う場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。被処理体は、温度によってプラズマ処理の進行に影響があるものであれば何れであってもよい。 For example, in the above embodiments, the plasma processing is performed on a semiconductor wafer as an object to be processed, but the present invention is not limited to this. Any object can be used as long as the temperature of the object affects the progress of plasma processing.
また、上記の実施形態では、アラート部１０２ｆによるアラートと、補正部１０２ｇによる処理条件の補正を両方行う場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、プラズマ処理装置１０は、アラート部１０２ｆによるアラートと、補正部１０２ｇによる処理条件の補正の何れか一方のみを行うものとしてもよい。
Further, in the above embodiment, the case where both the alert by the
また、上記の実施形態では、図２に示すように、静電チャック１８の載置領域１８ａを径方向に略均等な間隔で４つの分割領域７５に分割した場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、静電チャック１８の載置領域１８ａは、ウエハＷの中心側で間隔を大きく、外周側で間隔を小さい分割領域７５に分割してもよい。図１１Ａは、他の実施形態に係る載置台を示す平面図である。図１１Ａでは、静電チャック１８の載置領域１８ａは、中央の円状の分割領域７５ａ及び４つの環状の分割領域７５ｂ～７５ｅに分割されている。分割領域７５ａ～７５ｄには、ウエハＷが配置される。分割領域７５ｅには、フォーカスリングＦＲが配置される。また、ウエハＷの中心側となる分割領域７５ａは幅が大きく分割されている。ウエハＷの外周側となる分割領域７５ｂ～７５ｄは幅が小さく分割されている。また、静電チャック１８の載置領域１８ａは、周方向に分割されてもよい。図１１Ｂは、他の実施形態に係る載置台を示す平面図である。図１１Ｂでは、載置領域１８ａは、中央の円形の分割領域７５と、当該円形の分割領域７５を囲む同心状の複数の環状の分割領域に分割されている。また、環状の分割領域は、周方向に複数の分割領域７５に分割されている。また、分割領域７５の形状は、円状や環状以外であってもよい。図１１Ｃは、他の実施形態に係る載置台を示す平面図である。図１１Ｃでは、載置領域１８ａは、格子状に分割領域７５に分割されている。
Further, in the above embodiment, as shown in FIG. 2, the case where the mounting
また、上記の実施形態では、静電チャック１８の載置領域１８ａを分割した各分割領域７５について載置台１６の温度に関する値を取得してプラズマ処理の処理条件の変化を監視する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、プラズマ処理装置１０は、静電チャック１８の載置領域１８ａ全体で載置台１６の温度に関する値を１つ取得し、取得した値の変化からプラズマ処理の処理条件の変化を監視してもよい。また、プラズマ処理装置１０は、何れかの分割領域７５について載置台１６の温度に関する値を取得し、取得した値の変化からプラズマ処理の処理条件の変化を監視してもよい。
Further, in the above-described embodiment, for each divided
また、上記の実施形態では、プラズマ処理としてプラズマエッチングを行う場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。プラズマ処理は、プラズマを用いており、温度によって処理の進行に影響があるものであれば何れであってもよい。 Further, in the above embodiment, the case where plasma etching is performed as plasma processing has been described as an example, but the present invention is not limited to this. Plasma treatment uses plasma, and any treatment may be used as long as the temperature affects the progress of the treatment.
１０ プラズマ処理装置
１６ 載置台
１８ 静電チャック
１８ａ 載置領域
２０ 基台
７５ 分割領域
１００ 制御部
１０２ プロセスコントローラ
１０２ａ ヒーター制御部
１０２ｂ 第１取得部
１０２ｃ 第２取得部
１０２ｄ 設定温度算出部
１０２ｅ 監視部
１０２ｆ アラート部
１０２ｇ 補正部
１０４ 記憶部
１０４ａ 変化情報
ＨＰ ヒーター電源
ＨＴ ヒーター
ＰＤ 電力検出部
ＴＤ 温度測定器
Ｗ ウエハ
10
Claims (20)
前記載置台の温度に関する値を所定のサイクルで取得する取得部と、
前記変化情報に基づき、前記取得部により取得される前記載置台の温度に関する値の変化からプラズマ処理の処理条件の変化を監視する監視部と、
を有し、
前記載置台の温度に関する値は、プラズマを点火して無い未点火状態で前記載置台の温度を所定の温度に維持するための前記ヒーターでの発熱量、前記被処理体と前記載置台との間の熱抵抗、および、プラズマを点火した点火状態でプラズマから前記載置台に流入する入熱量の少なくとも１つとされ、
前記取得部は、前記ヒーターの温度が一定となるよう前記ヒーターへの供給電力を制御した状態で、プラズマを点火して無い未点火状態の供給電力を計測し、計測された未点火状態の供給電力から未点火状態で前記載置台の温度を所定の温度に維持するための前記ヒーターでの発熱量を算出する
プラズマ処理装置。 The present invention relates to the temperature of the mounting table provided with a heater capable of adjusting the temperature of the mounting surface on which the object to be processed is mounted, when the processing conditions for plasma processing of the object to be processed are changed. a storage unit storing change information indicating a change in value;
an acquisition unit that acquires a value related to the temperature of the mounting table in a predetermined cycle;
a monitoring unit that monitors changes in processing conditions for plasma processing based on changes in values relating to the temperature of the mounting table acquired by the acquisition unit, based on the change information;
has
The value related to the temperature of the mounting table includes the amount of heat generated by the heater for maintaining the temperature of the mounting table at a predetermined temperature in an unignited state in which plasma is not ignited, and at least one of a heat input amount flowing from the plasma into the mounting table in an ignition state in which the plasma is ignited,
The acquisition unit measures the supplied power in an unignited state in which the plasma is not ignited while controlling the power supplied to the heater so that the temperature of the heater is constant, and measures the measured unignited power supply. calculating the amount of heat generated by the heater for maintaining the temperature of the mounting table at a predetermined temperature in an unignited state from electric power;
Plasma processing equipment.
請求項１に記載のプラズマ処理装置。 The obtaining unit controls the electric power supplied to the heater so that the temperature of the heater is constant, and the unignited state in which the plasma is not ignited and the electric power supplied to the heater after the plasma is ignited. The supplied power is measured in a decreasing transient state, and the measured unignited state and transient state are measured using the amount of heat input from the plasma flowing into the mounting table and the thermal resistance between the object to be processed and the mounting table as parameters. 2. The plasma processing apparatus according to claim 1 , wherein said heat input amount and said thermal resistance are calculated using the supplied power of .
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
The obtaining unit controls the power supplied to the heater so that the temperature of the heater is constant, and the power supply to the heater is stabilized in an unignited state in which plasma is not ignited, and in a plasma ignited state. 2. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the supplied power in the steady state is measured, and the heat input is calculated from the difference between the measured supplied power in the non-ignited state and the steady state.
前記変化情報は、プラズマ処理の処理条件とされた処理パラメータの変化ごとに各分割領域の前記載置台の温度に関する値の変化パターンが記憶され、
前記取得部は、各分割領域の前記載置台の温度に関する値を取得し、
前記監視部は、前記変化情報に基づき、前記取得部により取得される各分割領域の前記載置台の温度に関する値の変化パターンから変化した処理パラメータを特定する
請求項１～３の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。 The mounting table has a mounting surface on which the object to be processed is mounted is divided into a plurality of divided areas, and the heater is provided in each divided area,
The change information stores a change pattern of values relating to the temperature of the mounting table in each divided region for each change in a processing parameter set as a processing condition of the plasma processing,
The acquisition unit acquires a value related to the temperature of the mounting table in each divided area,
4. The monitoring unit, based on the change information, identifies the processing parameter that has changed from a change pattern of values relating to the temperature of the mounting table in each divided area acquired by the acquisition unit . 3. The plasma processing apparatus according to .
をさらに有する請求項１～４の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。 5. The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, further comprising an alert section that issues an alert when a change of a predetermined value or more is detected in the processing conditions of the plasma processing as a result of monitoring by the monitoring section.
をさらに有する請求項１～５の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。 Claims 1 to 1, further comprising: a correction unit for correcting the processing conditions of the plasma processing so as to cancel out the change in the processing conditions of the plasma processing when a change in the processing conditions of the plasma processing exceeding a predetermined value is detected as a result of monitoring by the monitoring unit. 6. The plasma processing apparatus according to any one of 5 .
前記被処理体に対するプラズマ処理の処理条件が変化した場合の前記載置台の温度に関する値の変化を示した変化情報に基づき、取得される前記載置台の温度に関する値の変化からプラズマ処理の処理条件の変化を監視する
処理を実行し、
前記載置台の温度に関する値は、プラズマを点火して無い未点火状態で前記載置台の温度を所定の温度に維持するための前記ヒーターでの発熱量、前記被処理体と前記載置台との間の熱抵抗、および、プラズマを点火した点火状態でプラズマから前記載置台に流入する入熱量の少なくとも１つとされ、
前記取得する処理は、前記ヒーターの温度が一定となるよう前記ヒーターへの供給電力を制御した状態で、プラズマを点火して無い未点火状態の供給電力を計測し、計測された未点火状態の供給電力から未点火状態で前記載置台の温度を所定の温度に維持するための前記ヒーターでの発熱量を算出する
ことを特徴とする監視方法。 A heater capable of adjusting the temperature of a mounting surface on which an object to be processed is mounted is provided, and a value relating to the temperature of a mounting table on which the object to be processed is mounted and plasma processing is performed is acquired in a predetermined cycle,
A processing condition for plasma processing from a change in a value regarding the temperature of the mounting table obtained based on change information indicating a change in the value regarding the temperature of the mounting table when the processing condition for the plasma processing of the object to be processed changes. Executes a process that monitors changes in
The value related to the temperature of the mounting table includes the amount of heat generated by the heater for maintaining the temperature of the mounting table at a predetermined temperature in an unignited state in which plasma is not ignited, and at least one of a heat input amount flowing from the plasma into the mounting table in an ignition state in which the plasma is ignited,
In the process for obtaining, the power supplied to the heater is controlled so that the temperature of the heater is constant, and the power supplied to the heater in an unignited state in which the plasma is not ignited is measured. Calculating the amount of heat generated by the heater for maintaining the temperature of the mounting table at a predetermined temperature in an unignited state from the supplied power
A monitoring method characterized by:
前記被処理体に対するプラズマ処理の処理条件が変化した場合の前記載置台の温度に関する値の変化を示した変化情報に基づき、取得される前記載置台の温度に関する値の変化からプラズマ処理の処理条件の変化を監視する
処理を実行させ、
前記載置台の温度に関する値は、プラズマを点火して無い未点火状態で前記載置台の温度を所定の温度に維持するための前記ヒーターでの発熱量、前記被処理体と前記載置台との間の熱抵抗、および、プラズマを点火した点火状態でプラズマから前記載置台に流入する入熱量の少なくとも１つとされ、
前記取得する処理は、前記ヒーターの温度が一定となるよう前記ヒーターへの供給電力を制御した状態で、プラズマを点火して無い未点火状態の供給電力を計測し、計測された未点火状態の供給電力から未点火状態で前記載置台の温度を所定の温度に維持するための前記ヒーターでの発熱量を算出する
ことを特徴とする監視プログラム。 A heater capable of adjusting the temperature of a mounting surface on which an object to be processed is mounted is provided, and a value relating to the temperature of a mounting table on which the object to be processed is mounted and plasma processing is performed is acquired in a predetermined cycle,
A processing condition for plasma processing from a change in a value regarding the temperature of the mounting table obtained based on change information indicating a change in the value regarding the temperature of the mounting table when the processing condition for the plasma processing of the object to be processed changes. Execute the process to monitor changes in
The value related to the temperature of the mounting table includes the amount of heat generated by the heater for maintaining the temperature of the mounting table at a predetermined temperature in an unignited state in which plasma is not ignited, and at least one of a heat input amount flowing from the plasma into the mounting table in an ignition state in which the plasma is ignited,
In the process for obtaining, the power supplied to the heater is controlled so that the temperature of the heater is constant, and the power supplied to the heater in an unignited state in which the plasma is not ignited is measured. Calculating the amount of heat generated by the heater for maintaining the temperature of the mounting table at a predetermined temperature in an unignited state from the supplied power
A monitoring program characterized by:
前記載置台の温度に関する値を所定のサイクルで取得する取得部と、an acquisition unit that acquires a value related to the temperature of the mounting table in a predetermined cycle;
前記変化情報に基づき、前記取得部により取得される前記載置台の温度に関する値の変化からプラズマ処理の処理条件の変化を監視する監視部と、a monitoring unit that monitors changes in processing conditions for plasma processing based on changes in values relating to the temperature of the mounting table acquired by the acquisition unit, based on the change information;
を有し、has
前記載置台の温度に関する値は、前記被処理体と前記載置台との間の熱抵抗、および、プラズマを点火した点火状態でプラズマから前記載置台に流入する入熱量とされ、The values related to the temperature of the mounting table are the thermal resistance between the object to be processed and the mounting table, and the amount of heat input that flows into the mounting table from the plasma in an ignition state in which the plasma is ignited,
前記取得部は、前記ヒーターの温度が一定となるよう前記ヒーターへの供給電力を制御した状態で、プラズマを点火して無い未点火状態と、プラズマを点火してから前記ヒーターへの供給電力が低下する過渡状態での供給電力を計測し、プラズマから前記載置台に流入する入熱量および被処理体と前記載置台との間の熱抵抗をパラメータとし、前記過渡状態の供給電力を算出する算出モデルに対して、計測された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いてフィッティングを行って、前記入熱量および前記熱抵抗を算出するThe obtaining unit controls the electric power supplied to the heater so that the temperature of the heater is constant, and the unignited state in which the plasma is not ignited and the electric power supplied to the heater after the plasma is ignited. Calculation of measuring the supply power in the transient state that decreases, and calculating the supply power in the transient state using the amount of heat input from the plasma flowing into the mounting table and the thermal resistance between the object to be processed and the mounting table as parameters. Fitting is performed on the model using the measured supplied power in the unignited state and the transient state to calculate the heat input and the thermal resistance.
プラズマ処理装置。Plasma processing equipment.
前記変化情報は、プラズマ処理の処理条件とされた処理パラメータの変化ごとに各分割領域の前記載置台の温度に関する値の変化パターンが記憶され、The change information stores a change pattern of values relating to the temperature of the mounting table in each divided region for each change in a processing parameter set as a processing condition of the plasma processing,
前記取得部は、各分割領域の前記載置台の温度に関する値を取得し、The acquisition unit acquires a value related to the temperature of the mounting table in each divided area,
前記監視部は、前記変化情報に基づき、前記取得部により取得される各分割領域の前記載置台の温度に関する値の変化パターンから変化した処理パラメータを特定するBased on the change information, the monitoring unit specifies a processing parameter that has changed from a change pattern of values relating to the temperature of the mounting table in each divided area acquired by the acquisition unit.
請求項９に記載のプラズマ処理装置。The plasma processing apparatus according to claim 9.
をさらに有する請求項９又は１０に記載のプラズマ処理装置。The plasma processing apparatus according to claim 9 or 10, further comprising:
をさらに有する請求項９～１１の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。The plasma processing apparatus according to any one of claims 9 to 11, further comprising:
前記被処理体に対するプラズマ処理の処理条件が変化した場合の前記載置台の温度に関する値の変化を示した変化情報に基づき、取得される前記載置台の温度に関する値の変化からプラズマ処理の処理条件の変化を監視するA processing condition for plasma processing from a change in a value regarding the temperature of the mounting table obtained based on change information indicating a change in the value regarding the temperature of the mounting table when the processing condition for the plasma processing of the object to be processed changes. monitor changes in
処理を実行し、perform the processing,
前記載置台の温度に関する値は、前記被処理体と前記載置台との間の熱抵抗、および、プラズマを点火した点火状態でプラズマから前記載置台に流入する入熱量とされ、The values related to the temperature of the mounting table are the thermal resistance between the object to be processed and the mounting table, and the amount of heat input that flows into the mounting table from the plasma in an ignition state in which the plasma is ignited,
前記取得する処理は、前記ヒーターの温度が一定となるよう前記ヒーターへの供給電力を制御した状態で、プラズマを点火して無い未点火状態と、プラズマを点火してから前記ヒーターへの供給電力が低下する過渡状態での供給電力を計測し、プラズマから前記載置台に流入する入熱量および被処理体と前記載置台との間の熱抵抗をパラメータとし、前記過渡状態の供給電力を算出する算出モデルに対して、計測された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いてフィッティングを行って、前記入熱量および前記熱抵抗を算出するThe processing to acquire is a state in which the power supplied to the heater is controlled so that the temperature of the heater is constant, an unignited state in which the plasma is not ignited, and a power supply to the heater after the plasma is ignited. Measure the supplied power in a transient state in which the temperature decreases, and calculate the supplied power in the transient state using the amount of heat input from the plasma flowing into the mounting table and the thermal resistance between the object to be processed and the mounting table as parameters. Fitting is performed on the calculation model using the measured supplied power in the unignited state and the transient state to calculate the heat input amount and the thermal resistance.
ことを特徴とする監視方法。A monitoring method characterized by:
前記被処理体に対するプラズマ処理の処理条件が変化した場合の前記載置台の温度に関する値の変化を示した変化情報に基づき、取得される前記載置台の温度に関する値の変化からプラズマ処理の処理条件の変化を監視するA processing condition for plasma processing from a change in a value regarding the temperature of the mounting table obtained based on change information indicating a change in the value regarding the temperature of the mounting table when the processing condition for the plasma processing of the object to be processed changes. monitor changes in
処理を実行させ、let the process run,
前記載置台の温度に関する値は、前記被処理体と前記載置台との間の熱抵抗、および、プラズマを点火した点火状態でプラズマから前記載置台に流入する入熱量とされ、The values related to the temperature of the mounting table are the thermal resistance between the object to be processed and the mounting table, and the amount of heat input that flows into the mounting table from the plasma in an ignition state in which the plasma is ignited,
前記取得する処理は、前記ヒーターの温度が一定となるよう前記ヒーターへの供給電力を制御した状態で、プラズマを点火して無い未点火状態と、プラズマを点火してから前記ヒーターへの供給電力が低下する過渡状態での供給電力を計測し、プラズマから前記載置台に流入する入熱量および被処理体と前記載置台との間の熱抵抗をパラメータとし、前記過渡状態の供給電力を算出する算出モデルに対して、計測された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いてフィッティングを行って、前記入熱量および前記熱抵抗を算出するThe processing to acquire is a state in which the power supplied to the heater is controlled so that the temperature of the heater is constant, an unignited state in which the plasma is not ignited, and a power supply to the heater after the plasma is ignited. Measure the supplied power in a transient state in which the temperature decreases, and calculate the supplied power in the transient state using the amount of heat input from the plasma flowing into the mounting table and the thermal resistance between the object to be processed and the mounting table as parameters. Fitting is performed on the calculation model using the measured supplied power in the unignited state and the transient state to calculate the heat input and the thermal resistance.
ことを特徴とする監視プログラム。A monitoring program characterized by:
前記載置台の温度に関する値を所定のサイクルで取得する取得部と、an acquisition unit that acquires a value related to the temperature of the mounting table in a predetermined cycle;
前記変化情報に基づき、前記取得部により取得される前記載置台の温度に関する値の変化からプラズマ処理の処理条件の変化を監視する監視部と、a monitoring unit that monitors changes in processing conditions for plasma processing based on changes in values relating to the temperature of the mounting table acquired by the acquisition unit, based on the change information;
を有し、has
前記載置台の温度に関する値は、プラズマを点火した点火状態でプラズマから前記載置台に流入する入熱量とされ、The value related to the temperature of the mounting table is the amount of heat input that flows from the plasma into the mounting table in an ignition state in which the plasma is ignited,
前記取得部は、前記ヒーターの温度が一定となるよう前記ヒーターへの供給電力を制御した状態で、プラズマを点火して無い未点火状態と、プラズマを点火して前記ヒーターへの供給電力が安定した定常状態での供給電力を計測し、計測された未点火状態と定常状態の供給電力の差から前記入熱量を算出するThe obtaining unit controls the power supplied to the heater so that the temperature of the heater is constant, and the power supply to the heater is stabilized in an unignited state in which plasma is not ignited, and in a plasma ignited state. The supplied power in the steady state is measured, and the heat input is calculated from the difference between the measured unignited state and steady state supplied power.
プラズマ処理装置。Plasma processing equipment.
前記変化情報は、プラズマ処理の処理条件とされた処理パラメータの変化ごとに各分割領域の前記載置台の温度に関する値の変化パターンが記憶され、The change information stores a change pattern of values relating to the temperature of the mounting table in each divided region for each change in a processing parameter set as a processing condition of the plasma processing,
前記取得部は、各分割領域の前記載置台の温度に関する値を取得し、The acquisition unit acquires a value related to the temperature of the mounting table in each divided area,
前記監視部は、前記変化情報に基づき、前記取得部により取得される各分割領域の前記載置台の温度に関する値の変化パターンから変化した処理パラメータを特定するBased on the change information, the monitoring unit specifies a processing parameter that has changed from a change pattern of values relating to the temperature of the mounting table in each divided area acquired by the acquisition unit.
請求項１５に記載のプラズマ処理装置。The plasma processing apparatus according to claim 15.
をさらに有する請求項１５又は１６に記載のプラズマ処理装置。17. The plasma processing apparatus according to claim 15 or 16, further comprising:
をさらに有する請求項１５～１７の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。18. The plasma processing apparatus according to any one of claims 15 to 17, further comprising:
前記被処理体に対するプラズマ処理の処理条件が変化した場合の前記載置台の温度に関する値の変化を示した変化情報に基づき、取得される前記載置台の温度に関する値の変化からプラズマ処理の処理条件の変化を監視するA processing condition for plasma processing from a change in a value regarding the temperature of the mounting table obtained based on change information indicating a change in the value regarding the temperature of the mounting table when the processing condition for the plasma processing of the object to be processed changes. monitor changes in
処理を実行し、perform the processing,
前記載置台の温度に関する値は、プラズマを点火した点火状態でプラズマから前記載置台に流入する入熱量とされ、The value related to the temperature of the mounting table is the amount of heat input that flows from the plasma into the mounting table in an ignition state in which the plasma is ignited,
前記取得する処理は、前記ヒーターの温度が一定となるよう前記ヒーターへの供給電力を制御した状態で、プラズマを点火して無い未点火状態と、プラズマを点火して前記ヒーターへの供給電力が安定した定常状態での供給電力を計測し、計測された未点火状態と定常状態の供給電力の差から前記入熱量を算出するThe processing to be acquired includes a state in which the power supplied to the heater is controlled so that the temperature of the heater is constant, an unignited state in which the plasma is not ignited, and a state in which the plasma is ignited and the power supplied to the heater is reduced. Measure the power supply in a stable steady state, and calculate the heat input from the difference between the measured power supply in the unignited state and in the steady state.
ことを特徴とする監視方法。A monitoring method characterized by:
前記被処理体に対するプラズマ処理の処理条件が変化した場合の前記載置台の温度に関する値の変化を示した変化情報に基づき、取得される前記載置台の温度に関する値の変化からプラズマ処理の処理条件の変化を監視するA processing condition for plasma processing from a change in a value regarding the temperature of the mounting table obtained based on change information indicating a change in the value regarding the temperature of the mounting table when the processing condition for the plasma processing of the object to be processed changes. monitor changes in
処理を実行させ、let the process run,
前記載置台の温度に関する値は、プラズマを点火した点火状態でプラズマから前記載置台に流入する入熱量とされ、The value related to the temperature of the mounting table is the amount of heat input that flows from the plasma into the mounting table in an ignition state in which the plasma is ignited,
前記取得する処理は、前記ヒーターの温度が一定となるよう前記ヒーターへの供給電力を制御した状態で、プラズマを点火して無い未点火状態と、プラズマを点火して前記ヒーターへの供給電力が安定した定常状態での供給電力を計測し、計測された未点火状態と定常状態の供給電力の差から前記入熱量を算出するThe processing to be acquired includes a state in which the power supplied to the heater is controlled so that the temperature of the heater is constant, an unignited state in which the plasma is not ignited, and a state in which the plasma is ignited and the power supplied to the heater is reduced. Measure the power supply in a stable steady state, and calculate the heat input from the difference between the measured power supply in the unignited state and in the steady state.
ことを特徴とする監視プログラム。A monitoring program characterized by:
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