JP7276189B2

JP7276189B2 - electronic device

Info

Publication number: JP7276189B2
Application number: JP2020023471A
Authority: JP
Inventors: 進司柴田; 信一下野
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2020-02-14
Filing date: 2020-02-14
Publication date: 2023-05-18
Anticipated expiration: 2040-02-14
Also published as: JP2021129041A

Description

本発明は、電子装置に関する。 The present invention relates to electronic devices.

従来、スイッチング素子等の温度を測定するサーミスタ等の温度検出素子が実装された電子装置が知られている。例えば特許文献１では、発熱温度の比較的高い発熱部品の近くに温度検出素子を設けている。 2. Description of the Related Art Conventionally, an electronic device mounted with a temperature detecting element such as a thermistor for measuring the temperature of a switching element or the like is known. For example, in Patent Document 1, a temperature detection element is provided near a heat-generating component with a relatively high heat-generating temperature.

特開２０１７－１４７２５９号公報JP 2017-147259 A

特許文献１では、サーミスタが実装される箇所の配線パターンについては言及されていない。例えばサーミスタが比較的大きなグランドパターンに実装されていると、熱がグランドパターン側に引かれることで、温度推定精度が低下する虞がある。本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、温度検出精度を向上可能な電子装置を提供することにある。 Patent Document 1 does not mention the wiring pattern where the thermistor is mounted. For example, if the thermistor is mounted on a relatively large ground pattern, heat is drawn to the ground pattern side, which may reduce the accuracy of temperature estimation. The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an electronic device capable of improving temperature detection accuracy.

本発明の電子装置は、基板（２１、２２、２３）と、発熱素子（１１）と、複数の温度検出素子（１５、１６）と、を備える。発熱素子は、基板に実装される。温度検出素子は、基板に実装され、共通のグランドパターン（３０５、３０６）に接続される。温度検出素子の実装箇所は、グランドパターンから離間しており、それぞれの温度検出素子は、別々のグランド配線（３１５、３１６、３２５、３２６）でグランドパターンと接続されている。
第１態様では、グランドパターンは、隣り合って配置される温度検出素子と接続される高電位側配線（３１７、３１８）の間に形成されており、グランドパターンには、高電位側配線間にビア（５２）が設けられている。第２態様では、発熱素子が実装される発熱素子実装ランド（３０１）と基板の内層にて接続される内層ランド（４０１）は、温度検出素子が実装される箇所まで延びて形成されている。これにより、温度検出精度を向上可能である。
The electronic device of the present invention includes substrates (21, 22, 23), a heating element (11), and a plurality of temperature detection elements (15, 16). A heating element is mounted on the substrate. The temperature detection elements are mounted on the substrate and connected to common ground patterns (305, 306). The mounting locations of the temperature detection elements are separated from the ground pattern, and each temperature detection element is connected to the ground pattern by separate ground wirings (315, 316, 325, 326).
In the first mode, the ground pattern is formed between the high potential side wirings (317, 318) connected to the temperature detection elements arranged adjacently, and the ground pattern has a ground pattern between the high potential side wirings. A via (52) is provided. In the second mode, the heating element mounting land (301) on which the heating element is mounted and the inner layer land (401) connected to the inner layer of the substrate are formed to extend to the location where the temperature detecting element is mounted. Thereby, temperature detection accuracy can be improved .

第１実施形態によるブレーキ液圧制御装置の構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing the configuration of a brake fluid pressure control device according to a first embodiment; FIG. 第１実施形態による電子装置を示す回路図である。1 is a circuit diagram showing an electronic device according to a first embodiment; FIG. 第１実施形態による基板にスイッチング素子およびサーミスタが実装された状態を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a state in which a switching element and a thermistor are mounted on the substrate according to the first embodiment; 第１実施形態による基板を示す平面図である。1 is a plan view showing a substrate according to a first embodiment; FIG. 第１実施形態による２層目の配線パターンを示す模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing a second-layer wiring pattern according to the first embodiment; 図４のＶＩ－ＶＩ線断面図である。FIG. 5 is a sectional view taken along the line VI-VI of FIG. 4; 図４のＶＩＩ－ＶＩＩ線断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line VII-VII of FIG. 4; 第２実施形態による基板を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a substrate according to a second embodiment; 第２実施形態による２層目の配線パターンを示す模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram showing a second layer wiring pattern according to the second embodiment; 図８のＸ－Ｘ線断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line XX of FIG. 8; 第３実施形態による基板を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing a substrate according to a third embodiment; 第３実施形態による２層目の配線パターンを示す模式図である。FIG. 11 is a schematic diagram showing a second layer wiring pattern according to the third embodiment; 図１１のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line XIII-XIII of FIG. 11; 参考例による基板を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a substrate according to a reference example; 図１４のＸＶ－ＸＶ線断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV of FIG. 14;

以下、本発明による電子装置を図面に基づいて説明する。以下、複数の実施形態において、実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。 An electronic device according to the present invention will be described below with reference to the drawings. Hereinafter, in a plurality of embodiments, substantially the same configurations are denoted by the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.

（第１実施形態）
第１実施形態による電子装置を図１～図７に示す。図１に示すように、電子装置１は、例えばブレーキ液圧制御装置９０に適用される。ブレーキ液圧制御装置９０は、モータ９１、液圧ブロック９２、ケース９５、および、コネクタ９６等を備える。 (First embodiment)
An electronic device according to a first embodiment is shown in FIGS. 1-7. As shown in FIG. 1, the electronic device 1 is applied to a brake fluid pressure control device 90, for example. The brake hydraulic pressure control device 90 includes a motor 91, a hydraulic block 92, a case 95, a connector 96, and the like.

モータ９１は、直流モータであって、液圧ブロック９２の内部に組み込まれたポンプ９３を駆動する。ブレーキ液圧制御装置９０は、図示しないソレノイドバルブを備えており、ソレノイドバルブは、ポンプ９３の液圧路の接続、切り離し、弁部の開度調整を行う。車両の制動時、ドライバがブレーキペダルを踏む力に加え、モータ９１の駆動によりポンプ９３を作動させ、ブレーキ液圧を上昇させることで車両が制動される。 The motor 91 is a DC motor and drives a pump 93 built inside a hydraulic block 92 . The brake fluid pressure control device 90 includes a solenoid valve (not shown), which connects or disconnects the fluid pressure path of the pump 93 and adjusts the opening degree of the valve portion. When the vehicle is braked, the vehicle is braked by operating the pump 93 by driving the motor 91 in addition to the driver's stepping force on the brake pedal to increase the brake fluid pressure.

ケース９５は、液圧ブロック９２とモータ９１を挟んで反対側に設けられる。ケース９５の内部には、電子装置１が収容される。ケース９５は、内部の電子装置１およびソレノイドバルブ等が被水しないよう、防水構造となっている。ケース９５には、外部からの電源線や信号線が接続されるコネクタ９６が設けられる。 The case 95 is provided on the opposite side of the hydraulic block 92 and the motor 91 . The electronic device 1 is housed inside the case 95 . The case 95 has a waterproof structure so that the electronic device 1, the solenoid valve, etc. inside it are not exposed to water. The case 95 is provided with connectors 96 to which external power lines and signal lines are connected.

図１および図２に示すように、電子装置１は、スイッチング素子１１、１２、温度検出素子としてのサーミスタ１５、１６、マイコン１９、および、基板２１等を備える。図２に示すように、モータ９１の高電位側には、駆動用のスイッチング素子１１が設けられる。スイッチング素子１１をオンすることで、モータ９１が駆動される。モータ９１の低電位側には、フェイルセーフ用のスイッチング素子１２が設けられる。例えば異常発生時にスイッチング素子１２をオフすることで、モータ９１への通電を遮断することができる。本実施形態では、高電位側のスイッチング素子１１を駆動用、低電位側のスイッチング素子１２をフェイルセーフ用として用いているが、スイッチング素子１１をフェイルセーフ用、スイッチング素子１２を駆動用として用いてもよい。 As shown in FIGS. 1 and 2, the electronic device 1 includes switching elements 11 and 12, thermistors 15 and 16 as temperature detecting elements, a microcomputer 19, a substrate 21, and the like. As shown in FIG. 2, a driving switching element 11 is provided on the high potential side of the motor 91 . By turning on the switching element 11, the motor 91 is driven. A fail-safe switching element 12 is provided on the low potential side of the motor 91 . For example, by turning off the switching element 12 when an abnormality occurs, the power supply to the motor 91 can be cut off. In this embodiment, the switching element 11 on the high potential side is used for driving and the switching element 12 on the low potential side is used for fail-safe use. good too.

サーミスタ１５、１６は、発熱素子としてのスイッチング素子１１の温度を検出すべく、スイッチング素子１１の近傍に配置される。サーミスタ１５、１６を複数設けることで、異常検出が可能となるので、誤った温度検出値に基づく制御が行われるのを防ぐことができる。スイッチング素子１１の検出値は、マイコン１９に出力される。マイコン１９は、図示しないストロークセンサの検出値に基づくブレーキペダル踏み込み量や、サーミスタ１５、１６の検出値等に基づき、モータ９１の駆動を制御することで、制動力を制御する。 Thermistors 15 and 16 are arranged near the switching element 11 to detect the temperature of the switching element 11 as a heating element. By providing a plurality of thermistors 15 and 16, it is possible to detect an abnormality, thereby preventing control based on an erroneous temperature detection value. A detection value of the switching element 11 is output to the microcomputer 19 . The microcomputer 19 controls the braking force by controlling the drive of the motor 91 based on the amount of depression of the brake pedal based on the detected value of a stroke sensor (not shown), the detected values of the thermistors 15 and 16, and the like.

図３～図７に基づき、基板２１の配線パターンを説明する。図３～図７は、いずれも模式的な図であって、主にスイッチング素子１１およびサーミスタ１５、１６が実装される箇所について示し、スイッチング素子１２およびマイコン１９を省略した。図３はスイッチング素子１１およびサーミスタ１５、１６が実装された状態での基板２１の平面図、図４はスイッチング素子１１およびサーミスタ１５、１６が実装されていない状態での基板２１の平面図であって、レジストにて覆われている配線パターンを破線で示した。後述の実施形態に係る図も同様である。 The wiring pattern of the substrate 21 will be described with reference to FIGS. 3 to 7. FIG. 3 to 7 are schematic diagrams, and mainly show locations where the switching element 11 and thermistors 15 and 16 are mounted, and the switching element 12 and the microcomputer 19 are omitted. 3 is a plan view of substrate 21 with switching element 11 and thermistors 15 and 16 mounted thereon, and FIG. 4 is a plan view of substrate 21 without switching element 11 and thermistors 15 and 16 mounted thereon. A wiring pattern covered with a resist is indicated by a dashed line. The same applies to drawings according to embodiments described later.

スイッチング素子１１、１２、および、サーミスタ１５、１６は、基板２１の一方の面に実装される。本実施形態では、スイッチング素子１１等が実装される面のレジスト直下の配線パターンを第１層、第１層の直下の配線パターンを第２層とし、第１層の配線パターンを第１配線パターン３０、第２層の配線パターンを第２配線パターン４０とする。ここでは、２層分の配線パターンを主に説明しているが、基板２１は、４層基板や６層基板等、層数は問わない。 Switching elements 11 and 12 and thermistors 15 and 16 are mounted on one surface of substrate 21 . In this embodiment, the wiring pattern directly under the resist on the surface on which the switching element 11 etc. are mounted is defined as the first layer, the wiring pattern directly under the first layer is defined as the second layer, and the wiring pattern of the first layer is defined as the first wiring pattern. 30, the wiring pattern of the second layer is referred to as a second wiring pattern 40; Although the wiring pattern for two layers is mainly described here, the number of layers of the substrate 21, such as a four-layer substrate or a six-layer substrate, does not matter.

第１配線パターン３０には、ランド３０１～３０３、３１１～３１４、および、グランドパターン３０５等が含まれる。第２配線パターン４０には、ランド４０１、および、グランドパターン４０５等が含まれる。本明細書では、幅広の銅箔部分を「ランド」または「パターン」とし、ランドやパターンの間を接続する幅狭の銅箔部分を「配線」とする。また、「ランド」および「パターン」は面状であり、「配線」が線状である、と捉えることもできる。第１配線パターン３０において、実装される電子部品の端子と接続される箇所は、レジストパターンが形成されず、銅箔部分が露出する。なお、銅箔以外のものを用いて電気的接続を行ってもよい。 The first wiring pattern 30 includes lands 301 to 303, 311 to 314, a ground pattern 305, and the like. The second wiring pattern 40 includes a land 401, a ground pattern 405, and the like. In this specification, a wide copper foil portion is referred to as "land" or "pattern", and a narrow copper foil portion connecting between lands or patterns is referred to as "wiring". Also, it can be understood that the "land" and the "pattern" are planar, and the "wiring" is linear. In the first wiring pattern 30, the resist pattern is not formed on the portion to be connected to the terminal of the electronic component to be mounted, and the copper foil portion is exposed. The electrical connection may be made using a material other than copper foil.

図３に示すように、スイッチング素子１１は、モールド部１１０が平面視略矩形に形成される。モールド部１１０の裏面には、ドレイン端子を構成する金属板が露出している。モールド部１１０の１つの側面からは、ソース端子１１２およびゲート端子１１３が突出して設けられる。ドレイン端子、ソース端子１１２およびゲート端子１１３は、それぞれ分離されたランド３１１～３１３に接続される。ランド３０１～３０３は、グランドパターン３０５とも分離されている。 As shown in FIG. 3, the switching element 11 has a molded portion 110 that is substantially rectangular in plan view. A metal plate forming a drain terminal is exposed on the rear surface of the mold portion 110 . A source terminal 112 and a gate terminal 113 protrude from one side surface of the mold section 110 . The drain terminal, source terminal 112 and gate terminal 113 are connected to isolated lands 311-313, respectively. The lands 301 to 303 are also separated from the ground pattern 305 .

図４に示すように、モールド部１１０が配置される箇所には、第１配線パターン３０と第２配線パターン４０とを接続するビア５１が形成される。ビア５１をモールド部１１０の実装領域内に形成することで、基板２１の実装面積を有効に活用することができる。図４では、５つのビア５１を一列に配置しているが、ビアの個数や配置は適宜設定可能である。 As shown in FIG. 4, vias 51 that connect the first wiring pattern 30 and the second wiring pattern 40 are formed at locations where the mold portion 110 is arranged. By forming the vias 51 within the mounting area of the mold section 110, the mounting area of the substrate 21 can be effectively utilized. In FIG. 4, five vias 51 are arranged in a row, but the number and arrangement of vias can be set as appropriate.

サーミスタ１５、１６は、スイッチング素子１１のソース端子１１２およびゲート端子１１３が設けられる面と隣接する面に沿って、横並びに配置される。サーミスタ１５、１６は、スイッチング素子１１の温度を検出すべく、スイッチング素子１１に可及的近づけて配置することが望ましい。 The thermistors 15 and 16 are arranged side by side along a surface adjacent to the surface on which the source terminal 112 and the gate terminal 113 of the switching element 11 are provided. The thermistors 15 and 16 are desirably arranged as close to the switching element 11 as possible in order to detect the temperature of the switching element 11 .

サーミスタ１５、１６は、内側がグランド端子、外側が高電位側端子となるように配置される。サーミスタ１５、１６のグランド端子と接続されるランド３１１、３１２は、ランド３１１、３１２よりも幅狭のグランド配線３１５、３１６を経由して、グランドパターン３０５と接続される。また、サーミスタ１５、１６の高電位側端子と接続されるランド３１３、３１４は、ランド３１３、３１４よりも幅狭の高電位側配線３１７、３１８を経由して、グランドパターン３０５と電気的に分離されているビア５８、５９と接続される。 The thermistors 15 and 16 are arranged so that the inner side serves as a ground terminal and the outer side serves as a high potential side terminal. The lands 311 and 312 connected to the ground terminals of the thermistors 15 and 16 are connected to the ground pattern 305 via ground wirings 315 and 316 narrower than the lands 311 and 312 . Also, the lands 313 and 314 connected to the high potential side terminals of the thermistors 15 and 16 are electrically separated from the ground pattern 305 via high potential side wirings 317 and 318 narrower than the lands 313 and 314. It is connected to the vias 58 and 59 that are connected.

サーミスタ１５、１６が実装されるサーミスタ実装領域Ｒｓの周りには、ランドが形成されないランド未形成領域Ｒｎが設けられる。ランド未形成領域Ｒｎは、グランドパターン３０５の内部に入り込むように形成されている。また、スイッチング素子１１が実装されるランド３０１は、幅狭のランド未形成領域Ｒｎを挟んで、サーミスタ実装領域Ｒｓの三方を取り囲むように形成されている。サーミスタ実装領域Ｒｓの周りを囲むようにランド３０１を形成することで、スイッチング素子１１の熱をサーミスタ１５、１６に伝達しやすくなる。 Around the thermistor mounting region Rs where the thermistors 15 and 16 are mounted, a land non-formation region Rn is provided where no land is formed. The land non-formation region Rn is formed so as to enter the inside of the ground pattern 305 . Also, the land 301 on which the switching element 11 is mounted is formed so as to surround three sides of the thermistor mounting region Rs with a narrow land non-formation region Rn interposed therebetween. By forming the land 301 so as to surround the thermistor mounting region Rs, the heat of the switching element 11 can be easily transferred to the thermistors 15 and 16 .

本実施形態では、サーミスタ１５、１６は、共通のグランドパターン３０５に接続されている。ここで、図１４および図１５に示す参考例の基板２９では、グランドパターン３９５をサーミスタ１５、１６側まで太く延ばし、サーミスタ１５、１６のグランド端子と共通のグランドパターン３９５とを、先端部３９６にて直接的に接続している。このように構成すると、スイッチング素子１１の熱がグランドパターン３９５に引かれることで、温度推定精度が悪くなる虞がある。 In this embodiment, the thermistors 15 and 16 are connected to a common ground pattern 305 . Here, in the substrate 29 of the reference example shown in FIGS. 14 and 15, the ground pattern 395 is thickly extended to the thermistors 15 and 16 side, and the ground terminal of the thermistors 15 and 16 and the common ground pattern 395 are connected to the tip portion 396. directly connected to With this configuration, the heat of the switching element 11 is attracted to the ground pattern 395, which may deteriorate the accuracy of temperature estimation.

そこで本実施形態では、図４等に示すように、サーミスタ実装領域Ｒｓの周りをランド未形成領域Ｒｎとし、相対的に幅狭のグランド配線３１５、３１６にて、サーミスタ１５、１６と幅広のグランドパターン３０５とを接続している。換言すると、サーミスタ実装領域Ｒｓとグランドパターン３０５とは、離間している。これにより、スイッチング素子１１の熱がグランドパターン３０５に引かれることによる検出精度の悪化を防ぐことができる。 Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 4 and the like, the area around the thermistor mounting region Rs is defined as a land non-formed region Rn, and the relatively narrow ground wirings 315 and 316 connect the thermistors 15 and 16 and the wide ground. It connects with the pattern 305 . In other words, the thermistor mounting region Rs and the ground pattern 305 are separated. As a result, it is possible to prevent the deterioration of the detection accuracy due to the heat of the switching element 11 being attracted to the ground pattern 305 .

図５～図７に示すように、スイッチング素子１１が実装されるランド３１１は、ビア５１により第２配線パターン４０の内層ランド４０１と接続される。内層ランド４０１は、サーミスタ１５、１６の直下まで延びて形成されている。これにより、ビア５１および内層ランド４０１を経由し、スイッチング素子１１の熱をサーミスタ１５、１６に伝達可能であるので、温度検出精度が向上する。 As shown in FIGS. 5 to 7, the land 311 on which the switching element 11 is mounted is connected to the inner layer land 401 of the second wiring pattern 40 by the via 51. As shown in FIGS. The inner layer land 401 is formed to extend directly below the thermistors 15 and 16 . As a result, the heat of switching element 11 can be transmitted to thermistors 15 and 16 via via 51 and inner land 401, thereby improving temperature detection accuracy.

以上説明したように、本実施形態の電子装置１は、基板２１と、スイッチング素子１１と、複数のサーミスタ１５、１６と、を備える。スイッチング素子１１は、基板２１に実装される。サーミスタ１５、１６は、基板２１に実装され、共通のグランドパターン３０５に接続される。サーミスタ１５、１６の実装箇所は、グランドパターン３０５から離間しており、それぞれのサーミスタ１５、１６は、別々のグランド配線３１５、３１６でグランドパターン３０５と接続されている。 As described above, the electronic device 1 of this embodiment includes the substrate 21 , the switching element 11 , and the plurality of thermistors 15 and 16 . The switching element 11 is mounted on the substrate 21 . Thermistors 15 and 16 are mounted on substrate 21 and connected to common ground pattern 305 . The mounting locations of the thermistors 15 and 16 are separated from the ground pattern 305, and the thermistors 15 and 16 are connected to the ground pattern 305 by separate ground wirings 315 and 316, respectively.

サーミスタ１５、１６を複数設けることで、サーミスタ１５、１６の異常検出が可能となる。また、サーミスタ１５、１６とグランドパターン３０５とを、相対的に細いグランド配線３１５、３１６で接続することで、グランドパターン３０５側へ熱が引かれるのを抑制可能である。これにより、スイッチング素子１１の温度検出精度を向上可能である。 By providing a plurality of thermistors 15 and 16, an abnormality of the thermistors 15 and 16 can be detected. Further, by connecting the thermistors 15 and 16 and the ground pattern 305 with relatively thin ground wirings 315 and 316, it is possible to suppress the heat being drawn to the ground pattern 305 side. Thereby, the temperature detection accuracy of the switching element 11 can be improved.

隣り合って配置されるサーミスタ１５、１６とグランドパターン３０５とを接続するグランド配線３１５、３１６の間は、グランドパターン３０５が形成されていないグランドパターン未形成領域となっている。本実施形態では、ランド未形成領域Ｒｎがグランドパターン未形成領域を構成している。これにより、スイッチング素子１１の熱がグランドパターン３０５側へ引かれるのを、より抑制することができる。 A ground pattern non-formed region in which the ground pattern 305 is not formed is formed between the ground wirings 315 and 316 connecting the thermistors 15 and 16 and the ground pattern 305 arranged adjacent to each other. In this embodiment, the land non-formation region Rn constitutes the ground pattern non-formation region. Thereby, it is possible to further suppress the heat of the switching element 11 from being drawn to the ground pattern 305 side.

スイッチング素子１１が実装されるランド３０１と基板２１の内層にて接続される内層ランド４０１は、サーミスタ１５、１６が実装される箇所まで延びて形成されている。これにより、スイッチング素子１１の熱をサーミスタ１５、１６により適切に伝達させることができる。 An inner-layer land 401 connected to a land 301 on which the switching element 11 is mounted and an inner-layer land 401 of the substrate 21 are formed so as to extend to locations where the thermistors 15 and 16 are mounted. Thereby, the heat of the switching element 11 can be appropriately transferred to the thermistors 15 and 16 .

（第２実施形態）
第２実施形態を図８～図１０に示す。本実施形態の基板２２では、グランドパターンの形状が異なっているので、この点を中心に説明する。グランドパターン３０６は、高電位側配線３１７、３１８の間にて、サーミスタ１５、１６側まで延びて形成される突状部３０７を有する。サーミスタ１５、１６のグランド端子と接続されるランド３１１、３１２は、グランド配線３２５、３２６により、グランドパターン３０６の突状部３０７の先端と接続される。 (Second embodiment)
A second embodiment is shown in FIGS. Since the substrate 22 of the present embodiment has a different shape of the ground pattern, this point will be mainly described. The ground pattern 306 has a projecting portion 307 extending to the thermistors 15 and 16 between the high potential side wirings 317 and 318 . The lands 311 and 312 connected to the ground terminals of the thermistors 15 and 16 are connected to the tip of the projecting portion 307 of the ground pattern 306 by ground wirings 325 and 326 .

また、突状部３０７のサーミスタ１５、１６側の端部には、ビア５２が形成される。ビア５２を形成することで、グランドパターン３０６とランド未形成領域Ｒｎとを、熱的に分断する。すなわち、ビア５２は、「熱分断ビア」と捉えることもできる。このように構成しても、スイッチング素子１１の熱がグランドパターン３０６に引かれることによる検出精度の悪化を防ぐことができる。 A via 52 is formed at the end of the protrusion 307 on the thermistors 15 and 16 side. Forming the via 52 thermally separates the ground pattern 306 from the land non-formed region Rn. That is, the via 52 can also be regarded as a "thermal isolation via". Even with this configuration, it is possible to prevent the deterioration of the detection accuracy due to the heat of the switching element 11 being attracted to the ground pattern 306 .

本実施形態では、グランドパターン３０６は、隣り合って配置されるサーミスタ１５、１６と接続される高電位側配線３１７、３１８の間に延びて形成されている。グランドパターン３０６には、高電位側配線３１７、３１８間にビア５２が設けられている。ビア５２を形成し、グランドパターン３０５とランド未形成領域Ｒｎとを熱的に分断することで、スイッチング素子１１の熱がグランドパターン３０５側へ引かれるのを抑制することができる。また上記実施形態と同様の効果を奏する。 In this embodiment, the ground pattern 306 is formed extending between the high potential side wirings 317 and 318 connected to the thermistors 15 and 16 arranged adjacent to each other. A via 52 is provided between the high potential side wirings 317 and 318 in the ground pattern 306 . By forming the via 52 to thermally separate the ground pattern 305 from the land non-formed region Rn, it is possible to suppress the heat of the switching element 11 from being drawn to the ground pattern 305 side. Moreover, the same effects as those of the above-described embodiment can be obtained.

（第３実施形態）
第３実施形態を図１１～図１３に示す。ここでは、第２実施形態のグランドパターン３０６としているが、第１実施形態のグランドパターン３０５としてもよい。本実施形態の基板２３では、サーミスタ１５、１６の間に、スイッチング素子１１が実装されるランド３０１と接続される中間ランド３４０が形成される。中間ランド３４０は、ビア形成部３４１、および、ビア形成部３４１から突出して形成される突出部３４２を有し、全周がランド未形成領域Ｒｎで囲まれている。 (Third embodiment)
A third embodiment is shown in FIGS. 11-13. Here, the ground pattern 306 of the second embodiment is used, but the ground pattern 305 of the first embodiment may be used. In the substrate 23 of this embodiment, an intermediate land 340 is formed between the thermistors 15 and 16 and connected to the land 301 on which the switching element 11 is mounted. The intermediate land 340 has a via formation portion 341 and a protruding portion 342 protruding from the via formation portion 341, and is surrounded by a non-land region Rn.

ビア形成部３４１は、グランド配線３２５、３２６の間に設けられ、ビア５３が形成される。ビア５３は、内層ランド４０１、および、ビア５１を経由し、ランド３０１と接続される。これにより、中間ランド３４０は、スイッチング素子１１が実装されるランド３０１と接続される。突出部３４２は、サーミスタ１５、１６の間まで延びて形成される。これにより、スイッチング素子１１の熱は、サーミスタ１５、１６に隣接する中間ランド３４０に伝達されるので、温度検出精度が向上する。 The via forming portion 341 is provided between the ground wirings 325 and 326, and the via 53 is formed. Via 53 is connected to land 301 via inner layer land 401 and via 51 . Thereby, intermediate land 340 is connected to land 301 on which switching element 11 is mounted. The projecting portion 342 is formed extending between the thermistors 15 and 16 . As a result, the heat of the switching element 11 is transmitted to the intermediate land 340 adjacent to the thermistors 15 and 16, thereby improving the temperature detection accuracy.

本実施形態では、隣り合って配置される２つのサーミスタ１５、１６のグランド配線３１５、３１６の間には、内層ランド４０１を経由してランド３０１と接続される中間ランド３４０が形成されている。これにより、スイッチング素子１１の熱をサーミスタ１５、１６により適切に伝達させることができる。また上記実施形態と同様の効果を奏する。 In this embodiment, an intermediate land 340 connected to the land 301 via the inner layer land 401 is formed between the ground wirings 315 and 316 of the two thermistors 15 and 16 arranged adjacent to each other. Thereby, the heat of the switching element 11 can be appropriately transferred to the thermistors 15 and 16 . Moreover, the same effects as those of the above-described embodiment can be obtained.

実施形態では、スイッチング素子１１が「発熱素子」、サーミスタ１５、１６が「温度検出素子」、ビア５２が「ビア」、ランド３０１が「発熱素子実装ランド」、内層ランド４０１が「内層ランド」に対応する。 In the embodiment, the switching element 11 is the "heating element", the thermistors 15 and 16 are the "temperature detecting elements", the via 52 is the "via", the land 301 is the "heating element mounting land", and the inner layer land 401 is the "inner layer land". handle.

（他の実施形態）
上記実施形態では、温度検出素子は、駆動用のスイッチング素子１１の温度を検出する。他の実施形態では、温度検出素子は、基板に実装される駆動用のスイッチング素子以外の発熱素子、例えばダイオード、インダクタ、抵抗等の温度を検出してもよい。上記実施形態では、温度検出素子は２つである。他の実施形態では、温度検出素子は、３以上であってもよい。また、温度検出素子は、サーミスタ以外のものを用いてもよい。 (Other embodiments)
In the above embodiment, the temperature detection element detects the temperature of the driving switching element 11 . In other embodiments, the temperature detection element may detect the temperature of a heating element other than the drive switching element mounted on the substrate, such as a diode, an inductor, or a resistor. In the above embodiment, there are two temperature detection elements. In other embodiments, there may be three or more temperature sensing elements. Also, the temperature detection element may be one other than the thermistor.

上記実施形態の電子装置は、ブレーキ液圧制御装置に適用される。他の実施形態では、ブレーキ液圧制御装置に限らず、基板に実装された発熱素子の温度検出を要する装置に適用可能である。以上、本発明は、上記実施形態になんら限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施可能である。 The electronic device of the above embodiment is applied to a brake fluid pressure control device. Other embodiments are applicable not only to the brake fluid pressure control device but also to any device that requires temperature detection of a heating element mounted on a substrate. As described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and can be implemented in various forms without departing from the scope of the invention.

１・・・電子装置
１１・・・スイッチング素子
１５、１６・・・サーミスタ（温度検出素子）
２１～２３・・・基板
３０１・・・ランド（発熱素子実装ランド）４０１・・・ランド（内層ランド）
３０５、３０６・・・グランドパターン
３１５、３１６、３２５、３２６・・・グランド配線
３４０・・・中間ランド
５２・・・ビア DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Electronic device 11... Switching element 15, 16... Thermistor (temperature detection element)
21 to 23: substrate 301: land (heating element mounting land) 401: land (inner layer land)
305, 306... ground pattern 315, 316, 325, 326... ground wiring 340... intermediate land 52... via

Claims

a substrate (22 , 23);
a heating element (11) mounted on the substrate;
a plurality of temperature detection elements (15, 16) mounted on the substrate and connected to common ground patterns (305, 306);
with
Mounting locations of the temperature detection elements are separated from the ground pattern, and the respective temperature detection elements are connected to the ground pattern by separate ground wirings (315, 316, 325, 326),
The ground pattern is formed between high potential side wirings (317, 318) connected to the temperature detection elements arranged adjacent to each other,
The electronic device , wherein the ground pattern is provided with a via (52) between the high potential side wirings .

A heating element mounting land (301) on which the heating element is mounted and an inner layer land (401) connected in an inner layer of the substrate are formed so as to extend to a location where the temperature detecting element is mounted . The electronic device described in .

substrates (21, 22, 23);
a heating element (11) mounted on the substrate;
a plurality of temperature detection elements (15, 16) mounted on the substrate and connected to common ground patterns (305, 306);
with
Mounting locations of the temperature detection elements are separated from the ground pattern, and the respective temperature detection elements are connected to the ground pattern by separate ground wirings (315, 316, 325, 326),
An electronic device in which a heating element mounting land (301) on which the heating element is mounted and an inner layer land (401) connected in an inner layer of the substrate are formed so as to extend to a location where the temperature detecting element is mounted.

4. The electronic device according to claim 3 , wherein a ground pattern non-formed region in which the ground pattern is not formed is provided between the ground wiring connecting the temperature detecting element and the ground pattern which are arranged adjacent to each other. .

An intermediate land (340) connected to the heating element mounting land via the inner layer land is formed between the ground wirings of the temperature detecting elements arranged adjacent to each other. The electronic device according to any one of .