JP7275894B2 - Semiconductor laser light source module, semiconductor laser device - Google Patents

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本開示は、半導体レーザ光源モジュールおよび半導体レーザ装置に関する。 The present disclosure relates to a semiconductor laser light source module and a semiconductor laser device.

筐体内に収容されたレーザダイオードの電極と、電源電極とをワイヤボンディングにより電気的に接続されている半導体レーザ光源モジュールが知られている（例えば、特許文献１）。 A semiconductor laser light source module is known in which an electrode of a laser diode housed in a housing and a power supply electrode are electrically connected by wire bonding (for example, Patent Document 1).

特開２０１３－６５６００号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-65600

従来の技術では、ワイヤを流れる電流によって寄生インダクタンスが発生するといった問題がある。 A problem with the prior art is that the current flowing through the wires creates parasitic inductance.

本開示は、以下の形態として実現することが可能である。 The present disclosure can be implemented as the following forms.

本開示の一形態によれば、半導体レーザ光源モジュール（１００，１００ｂ，１００ｃ）が提供される。この半導体レーザ光源モジュールは、活性層を含む半導体層（６３）の一方の面側に形成された第一電極（６４）と、前記活性層の他方の面側に形成された第二電極（６２）とを備える端面出射型のレーザダイオード（６０）と、前記レーザダイオードを囲む側壁部（９０Ｗ）を有して前記側壁部のうち少なくとも一部にレーザ光を透過する透光部（９２）を備える筐体（９０）と、前記第一電極に当接される第一導電体（７０，７０ｂ）と、前記第二電極に当接される第二導電体（４０，４０ｂ）と、前記側壁部の外部側に設けられ、前記第一導電体と電気的に接続される第一接続部と、前記側壁部の外部側に設けられ、前記第二導電体と電気的に接続される第二接続部と、前記第二導電体の前記第二電極と当接する側とは逆側に、前記第二導電体と当接するセラミック製の基台部（３０，３０ｃ）と、前記基台部の前記第二導電体と当接する側とは逆側に基台側金属層（２０ｃ）と、を備える。前記基台部は、導電性を有するビア状接続部（３２）を備える。前記基台側金属層は、前記第二接続部と電気的に接続されるとともに、前記ビア状接続部を介して前記第二導電体と電気的に接続される。
本開示の他の形態によれば、半導体レーザ光源モジュール（２００，２００ｅ）が提供される。この半導体レーザ光源モジュールは、活性層を含む半導体層（１６３）の一方の面側に形成された第一電極（１６４）と、前記活性層の他方の面側に形成された第二電極（１６２）とを備える端面出射型のレーザダイオード（１６０）と、前記レーザダイオードを囲む側壁部（１９０Ｗ）を有し、前記側壁部のうち少なくとも一部にレーザ光を透過する透光部（１９２）を備える筐体（１９０）と、前記第一電極と電気的に接続され、前記レーザダイオードを駆動する平板状のＬＤドライバ（１１０）と、前記レーザダイオードを挟んで前記ＬＤドライバの一方の面側と対向するように配され、前記第二電極に当接されて前記レーザダイオードと電気的に接続される導電体（１７０）と、前記ＬＤドライバの他方の面側に当接されるセラミック製の基台部（１３０，１３０ｅ）と、前記筐体の外部側に配置される第一電極パッド（１３４）であって、前記ＬＤドライバと電気的に接続される第一電極パッドと、前記筐体の外部側に配置される第二電極パッド（１３６）であって、前記導電体と電気的に接続される第二電極パッドと、前記基台部のうち前記ＬＤドライバと当接される面の少なくとも一部と当接されて、前記ＬＤドライバの熱を放熱するビア状放熱部（１３８）と、を備える。
本開示の他の形態によれば、半導体レーザ光源モジュール（２００，２００ｅ）が提供される。この半導体レーザ光源モジュールは、活性層を含む半導体層（１６３）の一方の面側に形成された第一電極（１６４）と、前記活性層の他方の面側に形成された第二電極（１６２）とを備える端面出射型のレーザダイオード（１６０）と、前記レーザダイオードを囲む側壁部（１９０Ｗ）を有し、前記側壁部のうち少なくとも一部にレーザ光を透過する透光部（１９２）を備える筐体（１９０）と、前記第一電極と電気的に接続され、前記レーザダイオードを駆動する平板状のＬＤドライバ（１１０）と、前記レーザダイオードを挟んで前記ＬＤドライバの一方の面側と対向するように配され、前記第二電極に当接されて前記レーザダイオードと電気的に接続される導電体（１７０）と、前記ＬＤドライバの他方の面側に当接されるセラミック製の基台部（１３０，１３０ｅ）と、前記筐体の外部側に配置される第一電極パッド（１３４）であって、前記ＬＤドライバと電気的に接続される第一電極パッドと、前記筐体の外部側に配置される第二電極パッド（１３６）であって、前記導電体と電気的に接続される第二電極パッドと、を備える。前記第一電極パッドと、前記第二電極パッドとは、前記側壁部のうち、前記レーザダイオードの位置に対して、前記レーザ光の出射方向側とは逆側となる前記側壁部の外部側に備えられる。 According to one aspect of the present disclosure, a semiconductor laser light source module (100, 100b, 100c) is provided. This semiconductor laser light source module has a first electrode (64) formed on one side of a semiconductor layer (63) including an active layer, and a second electrode (62) formed on the other side of the active layer. ), and a light-transmitting portion (92) having a side wall portion (90W) surrounding the laser diode and transmitting laser light through at least a portion of the side wall portion. A housing (90) provided, a first conductor (70, 70b) in contact with the first electrode, a second conductor (40, 40b) in contact with the second electrode, and the side wall A first connection portion provided on the outside of the portion and electrically connected to the first conductor; and a second connection portion provided on the outside of the side wall portion and electrically connected to the second conductor. Ceramic base parts (30, 30c) in contact with the second conductor and the base part on the opposite side of the connection part and the side of the second conductor in contact with the second electrode, A base-side metal layer (20c) is provided on the side opposite to the side in contact with the second conductor. The base part comprises a via-like connection part (32) having electrical conductivity. The base-side metal layer is electrically connected to the second connection portion and electrically connected to the second conductor through the via-shaped connection portion.
According to another aspect of the present disclosure, a semiconductor laser light source module (200, 200e) is provided. This semiconductor laser light source module has a first electrode (164) formed on one side of a semiconductor layer (163) including an active layer and a second electrode (162) formed on the other side of the active layer. ), and a side wall portion (190W) surrounding the laser diode, at least a part of which has a light transmitting portion (192) that transmits laser light. a flat LD driver (110) electrically connected to the first electrode and driving the laser diode; and one side of the LD driver with the laser diode interposed therebetween. A conductor (170) arranged to face the second electrode and electrically connected to the laser diode, and a ceramic base abutted on the other side of the LD driver. a base portion (130, 130e), a first electrode pad (134) arranged outside the housing and electrically connected to the LD driver, and At least a second electrode pad (136) arranged on the external side, the second electrode pad being electrically connected to the conductor, and a surface of the base portion contacting the LD driver. and a via-shaped heat radiating portion (138) which is in contact with a part and radiates heat of the LD driver.
According to another aspect of the present disclosure, a semiconductor laser light source module (200, 200e) is provided. This semiconductor laser light source module has a first electrode (164) formed on one side of a semiconductor layer (163) including an active layer and a second electrode (162) formed on the other side of the active layer. ), and a side wall portion (190W) surrounding the laser diode, at least a part of which has a light transmitting portion (192) that transmits laser light. a flat LD driver (110) electrically connected to the first electrode and driving the laser diode; and one side of the LD driver with the laser diode interposed therebetween. A conductor (170) arranged to face the second electrode and electrically connected to the laser diode, and a ceramic base abutted on the other side of the LD driver. a base portion (130, 130e), a first electrode pad (134) arranged outside the housing and electrically connected to the LD driver, and a second electrode pad (136) disposed on the external side, the second electrode pad being electrically connected to the conductor; The first electrode pad and the second electrode pad are provided on the outer side of the side wall portion, which is opposite to the laser light emitting direction side with respect to the position of the laser diode, in the side wall portion. Be prepared.

この形態の半導体レーザ光源モジュールによれば、正極側となる第一導電体と、レーザダイオードの第一電極とが当接されて電気的に接続されるとともに、負極側となる第二導電体と、第二電極とが当接されて電気的に接続される。半導体レーザ光源モジュールは、側壁部の外部側に第一接続部と、第二接続部とを備え、半導体レーザ装置の回路基板上に実装可能に構成される。したがって、ボンディングワイヤを用いることなくレーザダイオードに電流を供給でき、寄生インダクタンスの発生を抑制することができる。 According to the semiconductor laser light source module of this aspect, the first conductor on the positive electrode side and the first electrode of the laser diode are brought into contact and electrically connected, and the second conductor on the negative electrode side is connected. , and the second electrode are abutted and electrically connected. The semiconductor laser light source module has a first connection portion and a second connection portion on the outer side of the side wall portion, and is configured to be mountable on the circuit board of the semiconductor laser device. Therefore, current can be supplied to the laser diode without using bonding wires, and the occurrence of parasitic inductance can be suppressed.

本開示の一形態によれば、半導体レーザ光源モジュール（２００，２００ｅ）が提供される。この半導体レーザ光源モジュールは、活性層を含む半導体層（１６３）の一方の面側に形成された第一電極（１６４）と、前記活性層の他方の面側に形成された第二電極（１６２）とを備える端面出射型のレーザダイオード（１６０）と、前記レーザダイオードを囲む側壁部（１９０Ｗ）を有し、前記側壁部のうち少なくとも一部にレーザ光を透過する透光部（１９２）を備える筐体（１９０）と、前記第一電極と電気的に接続され、前記レーザダイオードを駆動する平板状のＬＤドライバ（１１０）と、前記レーザダイオードを挟んで前記ＬＤドライバの一方の面側と対向するように配され、前記第二電極に当接されて前記レーザダイオードと電気的に接続される導電体（１７０）と、前記ＬＤドライバの他方の面側に当接されるセラミック製の基台部（１３０，１３０ｅ）と、前記筐体の外部側に配置される第一電極パッド（１３４）であって、前記ＬＤドライバと電気的に接続される第一電極パッドと、前記筐体の外部側に配置される第二電極パッド（１３６）であって、前記導電体と電気的に接続される第二電極パッドと、を備える。 According to one aspect of the present disclosure, a semiconductor laser light source module (200, 200e) is provided. This semiconductor laser light source module has a first electrode (164) formed on one side of a semiconductor layer (163) including an active layer and a second electrode (162) formed on the other side of the active layer. ), and a side wall portion (190W) surrounding the laser diode, at least a part of which has a light transmitting portion (192) that transmits laser light. a flat LD driver (110) electrically connected to the first electrode and driving the laser diode; and one side of the LD driver with the laser diode interposed therebetween. A conductor (170) arranged to face the second electrode and electrically connected to the laser diode, and a ceramic base abutted on the other side of the LD driver. a base portion (130, 130e), a first electrode pad (134) arranged outside the housing and electrically connected to the LD driver, and a second electrode pad (136) disposed on the external side, the second electrode pad being electrically connected to the conductor;

この形態の半導体レーザ光源モジュールによれば、ＬＤドライバと、レーザダイオードの第一電極とが当接されて電気的に接続されるとともに、第三導電体と、第二電極とが当接されて電気的に接続される。半導体レーザ光源モジュールは、第二電極と電気的に接続される第二電極パッドと、第二電極に電気的に接続される第一電極パッドとを側壁部の外部側に備えることにより、半導体レーザ装置の回路基板上に実装可能に構成される。したがって、ボンディングワイヤを用いることなくＬＤドライバからレーザダイオードに電流を供給でき、寄生インダクタンスの発生を抑制することができる。 According to the semiconductor laser light source module of this aspect, the LD driver and the first electrode of the laser diode are brought into contact and electrically connected, and the third conductor and the second electrode are brought into contact with each other. electrically connected. The semiconductor laser light source module is provided with a second electrode pad electrically connected to the second electrode and a first electrode pad electrically connected to the second electrode on the outside of the side wall, so that the semiconductor laser It is configured to be mountable on the circuit board of the device. Therefore, a current can be supplied from the LD driver to the laser diode without using bonding wires, and the occurrence of parasitic inductance can be suppressed.

第１実施形態の半導体レーザ光源モジュールの外観構成を表す斜視図。1 is a perspective view showing an external configuration of a semiconductor laser light source module according to a first embodiment; FIG. 第１実施形態の半導体レーザ光源モジュールの内部構成を表す分解斜視図。2 is an exploded perspective view showing the internal configuration of the semiconductor laser light source module of the first embodiment; FIG. 図１のＩＩＩ－ＩＩＩ位置での断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view at the III-III position in FIG. 1; 第２実施形態の半導体レーザ光源モジュールの内部構成を表す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing the internal configuration of a semiconductor laser light source module according to a second embodiment; 第３実施形態の半導体レーザ光源モジュールの外観構成を表す斜視図。FIG. 11 is a perspective view showing the external configuration of a semiconductor laser light source module according to a third embodiment; 図５のＶＩＡ－ＶＩＡ位置での断面図。FIG. 6 is a cross-sectional view at the VIA-VIA position in FIG. 5; 第３実施形態における回路基板上の半導体レーザ光源モジュールの配置を表す平面図。FIG. 11 is a plan view showing the arrangement of semiconductor laser light source modules on a circuit board in the third embodiment; 第３実施形態の半導体レーザ光源モジュールの実装方法を表す斜視図。FIG. 11 is a perspective view showing a mounting method of the semiconductor laser light source module of the third embodiment; 第４実施形態の半導体レーザ光源モジュールの外観構成を表す斜視図。FIG. 11 is a perspective view showing the external configuration of a semiconductor laser light source module according to a fourth embodiment; 第４実施形態の半導体レーザ光源モジュールの内部構成を表す分解斜視図。FIG. 11 is an exploded perspective view showing the internal configuration of a semiconductor laser light source module according to a fourth embodiment; 図７のＩＸ－ＩＸ位置での断面図。FIG. 8 is a cross-sectional view at the IX-IX position in FIG. 7; 第５実施形態の半導体レーザ光源モジュールの外観構成を表す斜視図。FIG. 11 is a perspective view showing the external configuration of a semiconductor laser light source module according to a fifth embodiment; 第５実施形態での基台部を表す斜視図。The perspective view showing the base part in 5th Embodiment. 第５実施形態における回路基板上の半導体レーザ光源モジュールの配置を表す平面図。FIG. 11 is a plan view showing the arrangement of semiconductor laser light source modules on a circuit board in the fifth embodiment; 第５実施形態の半導体レーザ光源モジュールの実装方法を表す斜視図。FIG. 11 is a perspective view showing a mounting method of the semiconductor laser light source module of the fifth embodiment; 他の実施形態における回路基板上の半導体レーザ光源モジュールの配置を表す平面図。FIG. 10 is a plan view showing the arrangement of semiconductor laser light source modules on a circuit board in another embodiment; 他の実施形態における回路基板上の半導体レーザ光源モジュールの配置を表す平面図。FIG. 10 is a plan view showing the arrangement of semiconductor laser light source modules on a circuit board in another embodiment;

Ａ．第１実施形態：
図１から図３を用いて第１実施形態の半導体レーザ光源モジュール１００の構造について説明する。半導体レーザ光源モジュール１００を以下、単にモジュール１００とも呼ぶ。 A. First embodiment:
The structure of the semiconductor laser light source module 100 of the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3. FIG. The semiconductor laser light source module 100 is hereinafter simply referred to as the module 100 as well.

図１および図２に示すように、第１実施形態のモジュール１００は、非導電性材料からなる矩形状の筐体９０内部にレーザダイオード６０を備える。モジュール１００は、ＬｉＤＡＲ（Light Detection and Ranging）といった光学的測距装置に搭載される半導体レーザ装置の回路基板上に実装され、測距用のレーザ光を出射するレーザ光源として用いられる。モジュール１００は、ＬｉＤＡＲ以外の光測距装置や、ディスクの記録や読み込み、レーザプリンタ、光通信、照明装置、レーザ顕微鏡、レーザマーカ等の種々の用途のレーザ光源として用いてよい。 As shown in FIGS. 1 and 2, the module 100 of the first embodiment includes a laser diode 60 inside a rectangular housing 90 made of non-conductive material. The module 100 is mounted on a circuit board of a semiconductor laser device mounted on an optical ranging device such as LiDAR (Light Detection and Ranging), and is used as a laser light source that emits laser light for ranging. The module 100 may be used as a laser light source for various applications such as an optical distance measuring device other than LiDAR, disk recording and reading, laser printer, optical communication, illumination device, laser microscope, laser marker, and the like.

レーザダイオード６０は、出射方向ＤＬに測距用のレーザ光を出射する端面出射型のレーザダイオードである。レーザダイオード６０から出射されるレーザ光のパルス幅は、例えば５ｎｓｅｃ程度であり、５ｎｓｅｃの短パルスを用いることで、測距の分解能を高めている。図１および図２には、技術の理解を容易にするため、ＸＹＺ方向とともに、モジュール１００から出射されるレーザ光の出射方向ＤＬを模式的に示した。出射方向ＤＬは、＋Ｘ方向と同一である。図示したＸＹＺ方向および出射方向ＤＬは、各図において共通し、向きを特定する場合には、正の方向を「＋」、負の方向を「－」として、方向表記に正負の符合を併用する。 The laser diode 60 is an edge-emitting laser diode that emits laser light for distance measurement in the emission direction DL. The pulse width of the laser light emitted from the laser diode 60 is, for example, about 5 nsec, and the use of a short pulse of 5 nsec increases the resolution of distance measurement. 1 and 2 schematically show the emission direction DL of the laser light emitted from the module 100 along with the XYZ directions for easy understanding of the technology. The emitting direction DL is the same as the +X direction. The illustrated XYZ direction and emission direction DL are common in each figure, and when specifying the direction, the positive direction is "+" and the negative direction is "-", and both positive and negative signs are used for direction notation. .

筐体９０は、４つの平板状の側壁部９０Ｗで構成され、側壁部９０Ｗでレーザダイオード６０を囲む。筐体９０の＋Ｚ方向側（以下、上面側とも呼ぶ）は、平板状の蓋体である金属製のリッド８０によって封止される。リッド８０は、非導電性材料で構成されてもよい。レーザダイオード６０に対して＋Ｘ方向側の側壁部９０Ｗには、出射方向ＤＬと重なる位置に透光部９２を備え、レーザダイオード６０から出射されるレーザ光を透過する。 The housing 90 is composed of four flat side wall portions 90W and surrounds the laser diode 60 with the side wall portions 90W. The +Z direction side (hereinafter also referred to as the top side) of the housing 90 is sealed with a metal lid 80 that is a flat lid. Lid 80 may be constructed of a non-conductive material. A side wall portion 90W on the +X direction side with respect to the laser diode 60 is provided with a light transmitting portion 92 at a position overlapping with the emission direction DL, through which the laser light emitted from the laser diode 60 is transmitted.

図２および図３を用いて、モジュール１００の内部構造の詳細について説明する。図２に示すように、モジュール１００は、Ｚ方向に沿って下面側から順に、セラミック製の基台部３０と、第二導電体４０と、レーザダイオード６０と、第一導電体７０とを筐体９０内部に備える。なお、図２では、技術の理解を容易にするため筐体９０の図示を省略している。 Details of the internal structure of the module 100 will be described with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. As shown in FIG. 2, the module 100 includes a ceramic base portion 30, a second conductor 40, a laser diode 60, and a first conductor 70 in order from the bottom side along the Z direction. Provided inside body 90 . In FIG. 2, illustration of the housing 90 is omitted for easy understanding of the technology.

本実施形態において、基台部３０には、窒化アルミニウムからなるセラミック基板が用いられるが、アルミナなどの種々のセラミック材料が用いられてもよい。第二導電体４０は、金属層４８と、導電体からなるサブマウントＳｍとの互いの面を当接して構成される。サブマウントＳｍは省略されてもよい。図３に示すように、基台部３０と、第二導電体４０と、レーザダイオード６０と、第一導電体７０とは互いに当接された状態でＺ方向に沿って配置されている。本明細書において、「当接する」とは、各部材同士が直接接触している状態のほか、各部材間にハンダ接合や銀ペーストなどの接着剤、ろう材層を介在させる状態をも含む。 In this embodiment, a ceramic substrate made of aluminum nitride is used for the base portion 30, but various ceramic materials such as alumina may be used. The second conductor 40 is configured by abutting the surfaces of the metal layer 48 and the submount Sm made of a conductor. Submount Sm may be omitted. As shown in FIG. 3, the base portion 30, the second conductor 40, the laser diode 60, and the first conductor 70 are arranged along the Z direction while being in contact with each other. In this specification, the term "abutting" includes not only the state in which the members are in direct contact with each other, but also the state in which an adhesive such as solder joint, silver paste, or brazing material layer is interposed between the members.

レーザダイオード６０は、図３に示すように、レーザ光を発生させるｐｎ接合からなる発光層を内部に有する半導体層６３を備える。半導体層６３は、例えば、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層とで活性層を挟持したダブルへテロ構造の層をｎ型基板上に備えて構成される。レーザダイオード６０のＸ方向の両端面は、劈開面として形成され、素子内部に共振器を構成するレーザ出射側端面およびレーザ反射側端面として機能する。レーザ出射側端面に低反射率コーティング膜を備え、レーザ反射側端面に高反射率コーティング膜を備えてもよい。半導体層６３は、＋Ｚ方向側で正極として機能する平板状の第一電極６４と、－Ｚ方向側で負極として機能する平板状の第二電極６２とによって挟み込まれて構成される。第一電極６４から第二電極６２に、すなわちｐｎ接合の順方向に電流を流すことにより、ｎ型クラッド層からの電子と、ｐ型クラッド層からの正孔とが活性層に流入して結合することで発光する。活性層内の光は、誘導放出により出射方向ＤＬにレーザ光として出射される。 As shown in FIG. 3, the laser diode 60 includes a semiconductor layer 63 having therein a light-emitting layer composed of a pn junction for generating laser light. The semiconductor layer 63 comprises, for example, a double heterostructure layer in which an active layer is sandwiched between an n-type clad layer and a p-type clad layer on an n-type substrate. Both end faces of the laser diode 60 in the X direction are formed as cleavage planes and function as a laser emission side facet and a laser reflection side facet that form a resonator inside the element. A low-reflectance coating film may be provided on the laser emission side facet, and a high-reflection coating film may be provided on the laser reflection side facet. The semiconductor layer 63 is sandwiched between a flat first electrode 64 functioning as a positive electrode on the +Z direction side and a flat second electrode 62 functioning as a negative electrode on the -Z direction side. By passing a current from the first electrode 64 to the second electrode 62, that is, in the forward direction of the pn junction, electrons from the n-type cladding layer and holes from the p-type cladding layer flow into the active layer and combine. It emits light by doing. Light in the active layer is emitted as laser light in the emission direction DL by stimulated emission.

第一電極６４は、上面側で第一導電体７０と当接し、互いに電気的に接続される。第一導電体７０は、平板状の金属層である。本実施形態において、モジュール１００は、図３および図１に示すように、筐体９０の外部側、すなわち＋Ｙ方向側の側壁部９０Ｗの外表面に端面７０Ｗを露出した状態で備える。端面７０Ｗは、第一導電体７０の＋Ｙ方向側の端面である。側壁部９０Ｗから露出した第一導電体７０の端面７０Ｗは、半導体レーザ装置の回路基板上の正極側（アノード）の導体配線と、モジュール１００とを電気的に接続させるための第一接続部として機能する。本実施形態において、端面７０Ｗには、金錫ハンダで構成される第一実装部７２が備えられる。モジュール１００は、第一実装部７２のはんだ付けにより半導体レーザ装置の回路基板の表面に実装される。 The first electrode 64 contacts the first conductor 70 on the upper surface side and is electrically connected to each other. The first conductor 70 is a flat metal layer. In this embodiment, as shown in FIGS. 3 and 1, the module 100 is provided with the end face 70W exposed on the outer surface of the side wall portion 90W on the outside of the housing 90, that is, on the +Y direction side. The end face 70W is the end face of the first conductor 70 on the +Y direction side. The end surface 70W of the first conductor 70 exposed from the side wall portion 90W serves as a first connection portion for electrically connecting the module 100 to the conductor wiring on the positive electrode side (anode) on the circuit board of the semiconductor laser device. Function. In this embodiment, the end surface 70W is provided with a first mounting portion 72 made of gold-tin solder. The module 100 is mounted on the surface of the circuit board of the semiconductor laser device by soldering the first mounting portion 72 .

第二電極６２は、下面側で第二導電体４０と当接し、互いに電気的に接続される。第二導電体４０は、上述したように、平板状の金属層４８と、導電性のサブマウントＳｍとで構成される。本実施形態では、第二電極６２は、サブマウントＳｍの上面側と当接される。モジュール１００は、図３および図１に示すように、筐体９０の外部側、すなわち＋Ｙ方向側の側壁部９０Ｗの外表面に端面４０Ｗを露出した状態で備える。端面４０Ｗは、第二導電体４０（本実施形態において、金属層４８）の＋Ｙ方向側の端面である。側壁部９０Ｗから露出した第二導電体４０の端面４０Ｗは、半導体レーザ装置の回路基板上の負極側（カソード）の導体配線と、モジュール１００とを電気的に接続させるための第二接続部として機能する。本実施形態において、端面４０Ｗには、金錫ハンダで構成される第二実装部４２が備えられる。モジュール１００は、第二実装部４２のはんだ付けにより半導体レーザ装置の回路基板上に表面実装される。 The second electrode 62 abuts on the second conductor 40 on the lower surface side and is electrically connected to each other. The second conductor 40 is composed of the flat metal layer 48 and the conductive submount Sm, as described above. In this embodiment, the second electrode 62 abuts on the upper surface side of the submount Sm. As shown in FIGS. 3 and 1, the module 100 is provided with the end face 40W exposed on the outer surface of the side wall portion 90W on the outside of the housing 90, that is, on the +Y direction side. The end face 40W is the end face of the second conductor 40 (the metal layer 48 in this embodiment) on the +Y direction side. The end surface 40W of the second conductor 40 exposed from the side wall portion 90W serves as a second connection portion for electrically connecting the module 100 to the conductor wiring on the negative electrode side (cathode) on the circuit board of the semiconductor laser device. Function. In this embodiment, the end face 40W is provided with a second mounting portion 42 made of gold-tin solder. The module 100 is surface-mounted on the circuit board of the semiconductor laser device by soldering the second mounting portion 42 .

モジュール１００は、上述したように第一実装部７２と第二実装部４２とを介して半導体レーザ装置の回路基板上に実装され、レーザダイオードドライバ（以下、ＬＤドライバとも呼ぶ）と電気的に接続される。ＬＤドライバは、半導体レーザ装置の制御装置から出力される発光信号に従ってレーザダイオード６０を駆動し、レーザ光の出力のＯＮ／ＯＦＦを実行する。発光信号とは、レーザダイオード６０の発光タイミングを指示する電気信号である。レーザダイオード６０には、第一導電体７０から第一電極６４を介して、ＬＤドライバから電源および信号が供給される。 The module 100 is mounted on the circuit board of the semiconductor laser device via the first mounting portion 72 and the second mounting portion 42 as described above, and is electrically connected to a laser diode driver (hereinafter also referred to as an LD driver). be done. The LD driver drives the laser diode 60 according to a light emission signal output from the control device of the semiconductor laser device to turn on/off the output of the laser light. A light emission signal is an electrical signal that instructs the light emission timing of the laser diode 60 . Power and signals are supplied from the LD driver to the laser diode 60 from the first conductor 70 via the first electrode 64 .

以上説明したように、本実施形態の半導体レーザ光源モジュール１００によれば、正極側となる第一導電体７０と、レーザダイオード６０の第一電極６４とが当接されて電気的に接続されるとともに、負極側となる第二導電体４０と、第二電極６２とが当接されて電気的に接続される。モジュール１００は、側壁部９０Ｗの外部側に第一接続部と、第二接続部とを備え、半導体レーザ装置の回路基板上に実装可能に構成される。したがって、本実施形態のモジュール１００によれば、ボンディングワイヤを用いることなくレーザダイオード６０に電流を供給でき、寄生インダクタンスの発生を抑制することができる。 As described above, according to the semiconductor laser light source module 100 of the present embodiment, the first conductor 70 on the positive electrode side and the first electrode 64 of the laser diode 60 are brought into contact and electrically connected. At the same time, the second conductor 40 on the negative electrode side and the second electrode 62 are brought into contact and electrically connected. The module 100 has a first connection portion and a second connection portion on the outside of the side wall portion 90W, and is configured to be mountable on the circuit board of the semiconductor laser device. Therefore, according to the module 100 of the present embodiment, current can be supplied to the laser diode 60 without using bonding wires, and the occurrence of parasitic inductance can be suppressed.

本実施形態のモジュール１００によれば、平板状の金属層からなる第一導電体７０の＋Ｙ方向側の端面７０Ｗを＋Ｙ方向側の側壁部９０Ｗの外表面に露出させることにより、半導体レーザ装置の回路基板上に実装するための第一接続部が構成される。したがって、第一導電体７０によりレーザダイオード６０の第一電極６４側からの放熱性を向上させることができる。第一電極６４と第一接続部とを一つの金属層である第一導電体７０で電気的に接続することにより、基板間容量やインダクタンスの発生を抑制することができる。 According to the module 100 of the present embodiment, the +Y-direction side end surface 70W of the first conductor 70 made of a flat metal layer is exposed to the outer surface of the +Y-direction side wall portion 90W. A first connection is configured for mounting on a circuit board. Therefore, the first conductor 70 can improve heat dissipation from the first electrode 64 side of the laser diode 60 . By electrically connecting the first electrode 64 and the first connecting portion with the first conductor 70 which is one metal layer, it is possible to suppress the occurrence of inter-substrate capacitance and inductance.

本実施形態のモジュール１００によれば、平板状の第二導電体４０（より具体的には金属層４８）の＋Ｙ方向側の端面４０Ｗを＋Ｙ方向側の側壁部９０Ｗの外表面に露出させることにより、回路基板上に実装するための第二接続部が構成される。したがって、金属層４８によりレーザダイオード６０の第二電極６２側からの放熱性を向上させることができる。第二電極６２と第二接続部とを一つの金属層４８で電気的に接続することにより、基板間容量やインダクタンスの発生を抑制することができる。 According to the module 100 of the present embodiment, the +Y direction side end surface 40W of the flat second conductor 40 (more specifically, the metal layer 48) is exposed to the outer surface of the +Y direction side wall portion 90W. A second connection portion for mounting on the circuit board is formed by the above. Therefore, the metal layer 48 can improve heat dissipation from the second electrode 62 side of the laser diode 60 . By electrically connecting the second electrode 62 and the second connection part with one metal layer 48, the generation of inter-substrate capacitance and inductance can be suppressed.

本実施形態のモジュール１００によれば、第二導電体４０と当接するセラミック製の基台部３０を筐体９０の下面側に備える。したがって、モジュール１００の放熱性能や耐衝撃性を高めるとともに、絶縁性能や低熱膨張性を向上させることができる。 According to the module 100 of the present embodiment, the ceramic base portion 30 that abuts on the second conductor 40 is provided on the lower surface side of the housing 90 . Therefore, the heat radiation performance and impact resistance of the module 100 can be improved, and the insulation performance and low thermal expansion property can be improved.

Ｂ．第２実施形態：
図４に示すように、第２実施形態の半導体レーザ光源モジュール１００ｂは、第一導電体７０に代えて第一導電体７０ｂと、第二導電体４０に代えて第二導電体４０ｂと、基台部３０に代えて下面金属層２０とを備え、更に、第一導体面７４および第二導体面４４を備える点で第１実施形態のモジュール１００と相違する。下面金属層２０は、平板の金属層である。下面金属層２０のＺ方向での厚みは、本実施形態においてリッド８０と同じであるが、任意の厚みで設定してよい。 B. Second embodiment:
As shown in FIG. 4, the semiconductor laser light source module 100b of the second embodiment includes a first conductor 70b instead of the first conductor 70, a second conductor 40b instead of the second conductor 40, It differs from the module 100 of the first embodiment in that it includes a lower surface metal layer 20 instead of the base portion 30 and further includes a first conductor surface 74 and a second conductor surface 44 . The lower surface metal layer 20 is a flat metal layer. The thickness of the lower surface metal layer 20 in the Z direction is the same as that of the lid 80 in this embodiment, but may be set to any thickness.

本実施形態において、第一導電体７０ｂのＸＹ平面視での外形は、第１実施形態の第一導電体７０の外形よりも小さく構成される。これにより、第一導電体７０ｂは、筐体９０の外部側に露出せず、第一電極６４と当接した状態で筐体９０内に収容される。第二導電体４０ｂは、サブマウントＳｍと、金属層４８ｂとを備える。金属層４８ｂのＸＹ平面視での外形は、第１実施形態の金属層４８の外形よりも小さくなるように構成される。これにより、第二導電体４０ｂの金属層４８ｂは、筐体９０の外部側に露出せず筐体９０内に収容される。サブマウントＳｍやレーザダイオード６０の構成は第１実施形態と同様である。 In this embodiment, the outer shape of the first conductor 70b in XY plan view is configured to be smaller than the outer shape of the first conductor 70 of the first embodiment. As a result, the first conductor 70 b is housed in the housing 90 while being in contact with the first electrode 64 without being exposed to the outside of the housing 90 . The second conductor 40b comprises a submount Sm and a metal layer 48b. The outer shape of the metal layer 48b in XY plan view is configured to be smaller than the outer shape of the metal layer 48 of the first embodiment. As a result, the metal layer 48b of the second conductor 40b is accommodated inside the housing 90 without being exposed to the outside of the housing 90 . The configurations of the submount Sm and the laser diode 60 are the same as in the first embodiment.

第一導体面７４および第二導体面４４は、筐体９０の＋Ｙ方向側の側壁部９０Ｗの外表面上に形成される導体配線の電極パッドである。第一導体面７４および第二導体面４４は、既知の印刷技術やフォトリソグラフィ技術によって側壁部９０Ｗの表面上に形成され、側壁部９０Ｗの厚みよりも小さい厚みを有する。第一導体面７４の表面上には、第一実装部７２が形成され、第二導体面４４の表面上には、第二実装部４２が形成される。 The first conductor surface 74 and the second conductor surface 44 are electrode pads of conductor wiring formed on the outer surface of the side wall portion 90W on the +Y direction side of the housing 90 . The first conductor surface 74 and the second conductor surface 44 are formed on the surface of the side wall portion 90W by a known printing technique or photolithography technique, and have a thickness smaller than the thickness of the side wall portion 90W. A first mounting portion 72 is formed on the surface of the first conductor surface 74 , and a second mounting portion 42 is formed on the surface of the second conductor surface 44 .

第一導体面７４は、金属製のリッド８０と当接し、リッド８０は、第一導電体７０ｂと当接して構成される。これにより、第一導体面７４は、リッド８０および第一導電体７０ｂを介して、第一電極６４と電気的に接続される。他方、第二導体面４４は、下面金属層２０と当接し、下面金属層２０は、第二導電体４０ｂと当接して構成される。これにより、第二導体面４４は、下面金属層２０および第二導電体４０ｂを介して、第二電極６２と電気的に接続される。このように、本実施形態のモジュール１００ｂでは、側壁部９０Ｗの外部側に設けられる第一導体面７４が、半導体レーザ装置の正極と第一導電体７０ｂとを電気的に接続する第一接続部として機能し、第二導体面４４が、半導体レーザ装置の負極と第二導電体４０ｂとを電気的に接続する第二接続部として機能する。 The first conductor surface 74 abuts on a metallic lid 80, and the lid 80 abuts on the first conductor 70b. Thereby, the first conductor surface 74 is electrically connected to the first electrode 64 via the lid 80 and the first conductor 70b. On the other hand, the second conductor surface 44 is in contact with the lower metal layer 20, and the lower metal layer 20 is configured in contact with the second conductor 40b. Thereby, the second conductor surface 44 is electrically connected to the second electrode 62 via the lower surface metal layer 20 and the second conductor 40b. As described above, in the module 100b of the present embodiment, the first conductor surface 74 provided on the outer side of the side wall portion 90W is the first connection portion that electrically connects the positive electrode of the semiconductor laser device and the first conductor 70b. , and the second conductor surface 44 functions as a second connecting portion that electrically connects the negative electrode of the semiconductor laser device and the second conductor 40b.

以上のように、第２実施形態のモジュール１００ｂによれば、第一実装部７２が、側壁部９０Ｗの厚みよりも小さい厚みを有する第一導体面７４上に形成されるので、第一実装部７２周辺の熱容量を低減することができる。したがって、例えば、リフロー方式による第一実装部７２のはんだ付けによりモジュール１００ｂを回路基板上に実装する場合、第一実装部７２の溶融性を向上させることができる。 As described above, according to the module 100b of the second embodiment, the first mounting portion 72 is formed on the first conductor surface 74 having a thickness smaller than the thickness of the side wall portion 90W. The heat capacity around 72 can be reduced. Therefore, for example, when the module 100b is mounted on the circuit board by soldering the first mounting portion 72 by a reflow method, the meltability of the first mounting portion 72 can be improved.

第２実施形態のモジュール１００ｂによれば、第二実装部４２が、側壁部９０Ｗの厚みよりも小さい厚みを有する第二導体面４４上に形成されるので、第二実装部４２周辺の熱容量を低減することができる。したがって、例えば、リフロー方式による第二実装部４２のはんだ付けによりモジュール１００ｂを回路基板上に実装する場合、第二実装部４２の溶融性を向上させることができる。 According to the module 100b of the second embodiment, the second mounting portion 42 is formed on the second conductor surface 44 having a thickness smaller than the thickness of the side wall portion 90W. can be reduced. Therefore, for example, when the module 100b is mounted on the circuit board by soldering the second mounting portion 42 by the reflow method, the meltability of the second mounting portion 42 can be improved.

第２実施形態のモジュール１００ｂによれば、第一実装部７２は、第一導電体７０ｂと当接せず、リッド８０を介して第一導電体７０ｂと電気的に接続される。したがって、第一実装部７２周辺の熱容量を第一導電体７０ｂと当接する状態よりも低減させ、モジュール１００ｂ実装時の第一実装部７２の溶融性を向上させることができる。 According to the module 100b of the second embodiment, the first mounting portion 72 is electrically connected to the first conductor 70b via the lid 80 without coming into contact with the first conductor 70b. Therefore, the heat capacity around the first mounting portion 72 can be reduced compared to the state of contact with the first conductor 70b, and the meltability of the first mounting portion 72 can be improved when the module 100b is mounted.

第２実施形態のモジュール１００ｂによれば、第二実装部４２は、第二導電体４０ｂと当接せず、下面金属層２０を介して第二導電体４０ｂと電気的に接続される。したがって、セラミック製の基台部３０を省略しつつ、下面金属層２０によりモジュール１００ｂの下面側の放熱性を向上させることができる。また、第二実装部４２周辺の熱容量を第二導電体４０ｂと当接する状態よりも低減させ、モジュール１００ｂ実装時の第二実装部４２の溶融性を向上させることができる。 According to the module 100b of the second embodiment, the second mounting portion 42 is electrically connected to the second conductor 40b via the lower surface metal layer 20 without coming into contact with the second conductor 40b. Therefore, while omitting the ceramic base portion 30, the lower surface metal layer 20 can improve the heat radiation performance of the lower surface side of the module 100b. In addition, the heat capacity around the second mounting portion 42 can be reduced compared to the state in which it abuts on the second conductor 40b, and the meltability of the second mounting portion 42 can be improved when the module 100b is mounted.

Ｃ．第３実施形態：
図５および図６Ａに示すように、第３実施形態のモジュール１００ｃは、第一導電体７０に代えて第一導電体７０ｂと、第二導電体４０に代えて第二導電体４０ｂと、基台部３０に代えて基台部３０ｃとを備える点で第１実施形態のモジュール１００と相違する。第一導電体７０ｂおよび第二導電体４０ｂは、第２実施形態の第一導電体７０ｂおよび第二導電体４０ｂと同一であり、筐体９０内に収容される。また、第３実施形態のモジュール１００ｃは、更に、基台側金属層２０ｃと、第一導体面７４および第二導体面４４と、コリメータレンズ９４とを備える点で第１実施形態のモジュール１００と相違する。コリメータレンズ９４は、レーザダイオード６０から射出されたレーザ光を収差補正して平行光にするレンズである。コリメータレンズ９４は、透光部９２よりも出射方向ＤＬ側に備えられる。 C. Third embodiment:
As shown in FIGS. 5 and 6A, the module 100c of the third embodiment includes a first conductor 70b instead of the first conductor 70, a second conductor 40b instead of the second conductor 40, and a base. It is different from the module 100 of the first embodiment in that a base portion 30 c is provided instead of the base portion 30 . The first conductor 70b and the second conductor 40b are the same as the first conductor 70b and the second conductor 40b of the second embodiment, and are accommodated in the housing 90. As shown in FIG. Further, the module 100c of the third embodiment is different from the module 100 of the first embodiment in that it further includes a base-side metal layer 20c, a first conductor surface 74, a second conductor surface 44, and a collimator lens 94. differ. The collimator lens 94 is a lens that corrects the aberration of the laser light emitted from the laser diode 60 and converts it into parallel light. The collimator lens 94 is provided on the emission direction DL side of the translucent portion 92 .

本実施形態では、第一導体面７４と第二導体面４４とが、側壁部９０Ｗのうち出射方向ＤＬとは逆側である－Ｘ方向側の側壁部９０Ｗに備えられる。第一実装部７２および第二実装部４２は、第２実施形態と同様に、第一導体面７４と第二導体面４４との表面上にそれぞれ備えられる。本実施形態において、第一導体面７４は、第２実施形態と同様に、金属製のリッド８０と当接し、第一導電体７０ｂを介して第一電極６４と電気的に接続される。 In this embodiment, the first conductor surface 74 and the second conductor surface 44 are provided on the side wall portion 90W on the −X direction side, which is the side opposite to the emission direction DL, of the side wall portion 90W. The first mounting portion 72 and the second mounting portion 42 are provided on the surfaces of the first conductor surface 74 and the second conductor surface 44, respectively, as in the second embodiment. In this embodiment, as in the second embodiment, the first conductor surface 74 abuts on the metal lid 80 and is electrically connected to the first electrode 64 via the first conductor 70b.

セラミック製の基台部３０ｃは、図６Ａに示すように、円柱状の貫通孔に電気めっき等により導体が充填されているいわゆるスルーホールビアとも呼ばれるビア状接続部３２を複数備える。ビア状接続部３２は、上面側で第二導電体４０ｂの金属層４８ｂと当接されるとともに、下面側で基台側金属層２０ｃと当接される。 As shown in FIG. 6A, the ceramic base portion 30c includes a plurality of via-like connection portions 32, also called through-hole vias, in which cylindrical through-holes are filled with a conductor by electroplating or the like. The via-shaped connecting portion 32 contacts the metal layer 48b of the second conductor 40b on the upper surface side, and contacts the base-side metal layer 20c on the lower surface side.

基台側金属層２０ｃは、基台部３０ｃのうち第二導電体４０ｂと当接する側とは逆側、すなわち基台部３０ｃの下面側に備えられる。基台側金属層２０ｃは、モジュール１００ｃの下面全域に亘って備えられ、更に、モジュール１００ｃの－Ｘ方向側の側壁部９０Ｗの外表面に至る。－Ｘ方向側の側壁部９０Ｗの外表面に備えられる基台側金属層２０ｃを金属層２０Ｗとしたとき、金属層２０Ｗは、第二導体面４４と当接して互いに電気的に接続される。金属層２０Ｗは、基台側金属層２０ｃに接続される導体配線で構成されてもよい。第二導体面４４は、基台側金属層２０ｃと第二導電体４０ｂとを介して第二電極６２と電気的に接続される。このように、本実施形態のモジュール１００ｃでは、第一導体面７４が－Ｘ方向側の側壁部９０Ｗで第一接続部として機能し、第二導体面４４が－Ｘ方向側の側壁部９０Ｗで第二接続部として機能する。 The base-side metal layer 20c is provided on the side of the base portion 30c opposite to the side in contact with the second conductor 40b, that is, on the lower surface side of the base portion 30c. The base-side metal layer 20c is provided over the entire lower surface of the module 100c and further reaches the outer surface of the side wall portion 90W on the -X direction side of the module 100c. When the base-side metal layer 20c provided on the outer surface of the side wall portion 90W on the −X direction side is the metal layer 20W, the metal layer 20W contacts the second conductor surface 44 and is electrically connected to each other. The metal layer 20W may be composed of conductor wiring connected to the base-side metal layer 20c. The second conductor surface 44 is electrically connected to the second electrode 62 via the base side metal layer 20c and the second conductor 40b. Thus, in the module 100c of the present embodiment, the first conductor surface 74 functions as the first connection portion on the side wall portion 90W on the -X direction side, and the second conductor surface 44 functions on the side wall portion 90W on the -X direction side. It functions as a second connection.

次に、図６Ｂ、図６Ｃを用いて、モジュール１００ｃを備える半導体レーザ装置４００ｃの構成について説明する。図６Ｂには、半導体レーザ装置４００ｃに備えられる回路基板ＰＢの＋Ｘ方向側の表面が模式的に示されている。回路基板ＰＢは、導体の配線が形成されたプリント配線板である。モジュール１００ｃは、回路基板ＰＢの＋Ｘ方向側の表面に実装される。回路基板ＰＢには、モジュール１００ｃのほか、キャパシタやＬＤドライバ、プリドライバ、コネクタ等の図示しない電子部品が実装される。 Next, the configuration of a semiconductor laser device 400c including the module 100c will be described with reference to FIGS. 6B and 6C. FIG. 6B schematically shows the surface on the +X direction side of the circuit board PB provided in the semiconductor laser device 400c. The circuit board PB is a printed wiring board on which conductor wiring is formed. The module 100c is mounted on the +X direction surface of the circuit board PB. In addition to the module 100c, electronic components (not shown) such as capacitors, LD drivers, pre-drivers, and connectors are mounted on the circuit board PB.

図６Ｂに示すように、本実施形態の半導体レーザ装置４００ｃは、回路基板ＰＢ上に、複数のモジュール１００ｃを備える。モジュール１００ｃは、図６Ｂの例において９つ備えられる。上述したように、本実施形態のモジュール１００ｃでは、第一導体面７４と第二導体面４４とが、出射方向ＤＬとは逆側である－Ｘ方向側の側壁部９０Ｗに備えられる。図６Ｃに示すように、各モジュール１００ｃは、第一実装部７２と第二実装部４２との一般的なリフロー工程によるはんだ付けによって回路基板ＰＢ上に実装される。これにより、第一接続部として機能する第一導体面７４と、第二接続部として機能する第二導体面４４とが、回路基板ＰＢ上の導体配線に当接された状態で回路基板ＰＢの表面に実装される。実装された各モジュール１００ｃのレーザ光の出射方向ＤＬは、＋Ｘ方向側にそれぞれ揃えられる。 As shown in FIG. 6B, the semiconductor laser device 400c of this embodiment includes a plurality of modules 100c on the circuit board PB. Nine modules 100c are provided in the example of FIG. 6B. As described above, in the module 100c of the present embodiment, the first conductor surface 74 and the second conductor surface 44 are provided on the side wall portion 90W on the -X direction side opposite to the emission direction DL. As shown in FIG. 6C, each module 100c is mounted on the circuit board PB by soldering the first mounting portion 72 and the second mounting portion 42 by a general reflow process. As a result, the first conductor surface 74 functioning as the first connection portion and the second conductor surface 44 functioning as the second connection portion are in contact with the conductor wiring on the circuit board PB. Mounted on the surface. The emission directions DL of the laser beams of the mounted modules 100c are aligned in the +X direction.

図６Ｂおよび図６Ｃに示すように、各モジュール１００ｃは、回路基板ＰＢの表面にＺ方向とＹ方向とのそれぞれにおいて互いに等間隔となるように規則的に配列され、いわゆる二次元アレイを構成している。 As shown in FIGS. 6B and 6C, the modules 100c are arranged regularly on the surface of the circuit board PB so as to be equidistant in both the Z and Y directions, forming a so-called two-dimensional array. ing.

図６Ｃに示すように、本実施形態の半導体レーザ装置４００ｃは、各モジュール１００ｃの出射方向ＤＬ側に、更にマイクロレンズアレイ３００を備える。マイクロレンズアレイ３００は、複数の集光レンズを配列した板状の透光部材である。マイクロレンズアレイ３００の各集光レンズは、各モジュール１００ｃから出射されるレーザ光の光路のそれぞれに対応する位置に配置される。 As shown in FIG. 6C, the semiconductor laser device 400c of this embodiment further includes a microlens array 300 on the emission direction DL side of each module 100c. The microlens array 300 is a plate-like translucent member in which a plurality of condenser lenses are arranged. Each condensing lens of the microlens array 300 is arranged at a position corresponding to each optical path of the laser light emitted from each module 100c.

第３実施形態のモジュール１００ｃによれば、複数のビア状接続部３２を備えるセラミック製の基台部３０ｃと、基台部３０ｃの下面側の基台側金属層２０ｃとを備える。したがって、基台部３０ｃと基台側金属層２０ｃとによってモジュール１００ｃの下面側の放熱性能や耐衝撃性を高めることができる。また、第二実装部４２は、第二導体面４４上に備えられるので、金属層４８ｂ上に第二実装部４２を備える場合よりも第二実装部４２周辺の熱容量を低減することができる。 According to the module 100c of the third embodiment, the ceramic base portion 30c having a plurality of via-shaped connection portions 32 and the base side metal layer 20c on the lower surface side of the base portion 30c are provided. Therefore, the base portion 30c and the base-side metal layer 20c can enhance the heat dissipation performance and impact resistance of the lower surface side of the module 100c. Moreover, since the second mounting portion 42 is provided on the second conductor surface 44, the heat capacity around the second mounting portion 42 can be reduced more than when the second mounting portion 42 is provided on the metal layer 48b.

本実施形態のモジュール１００ｃによれば、第一導体面７４が－Ｘ方向側の側壁部９０Ｗで第一接続部として機能し、第二導体面４４が－Ｘ方向側の側壁部９０Ｗで第二接続部として機能する。すなわち、第一接続部と第二接続部とが、レーザダイオード６０の位置に対して出射方向ＤＬとは逆側の側壁部９０Ｗの外部側に備えられる。したがって、端面出射型のレーザダイオード６０を、例えば、出射方向ＤＬを半導体レーザ装置の回路基板の面方向に対して垂直な方向に一致させた状態で回路基板上に実装することができる。本実施形態のモジュール１００ｃを複数備えることにより、回路基板上にアレイ状のレーザ光源を配置することができる。 According to the module 100c of the present embodiment, the first conductor surface 74 functions as the first connection portion on the side wall portion 90W on the -X direction side, and the second conductor surface 44 functions on the side wall portion 90W on the -X direction side as the second connection portion. Acts as a connection. That is, the first connection portion and the second connection portion are provided on the outer side of the side wall portion 90W on the side opposite to the emission direction DL with respect to the position of the laser diode 60 . Therefore, the edge-emitting laser diode 60 can be mounted on a circuit board, for example, with the emission direction DL aligned with the direction perpendicular to the surface direction of the circuit board of the semiconductor laser device. By providing a plurality of modules 100c of this embodiment, an array of laser light sources can be arranged on the circuit board.

本実施形態のモジュール１００ｃによれば、レーザダイオード６０の出射方向ＤＬ側にコリメータレンズ９４を備えるので、モジュール１００ｃを平行光のレーザ光を出射するレーザ光源とすることができる。 According to the module 100c of this embodiment, since the collimator lens 94 is provided on the side of the laser diode 60 in the emission direction DL, the module 100c can be used as a laser light source that emits parallel laser light.

本実施形態の半導体レーザ装置４００ｃによれば、複数の半導体レーザ光源モジュール１００ｃのそれぞれは、レーザ光の出射方向ＤＬ側とは逆側となる第一接続部と第二接続部とが回路基板ＰＢの導体配線に当接された状態で回路基板ＰＢの表面に規則的な配列で実装される。したがって、回路基板ＰＢの面方向に垂直な方向に複数のレーザ光を照射するレーザアレイを備えることができ、半導体レーザ装置４００ｃを高出力化することができる。 According to the semiconductor laser device 400c of this embodiment, in each of the plurality of semiconductor laser light source modules 100c, the first connection portion and the second connection portion, which are opposite to the laser light emission direction DL side, are connected to the circuit board PB. are mounted in a regular array on the surface of the circuit board PB while being in contact with the conductor wiring. Therefore, it is possible to provide a laser array for irradiating a plurality of laser beams in a direction perpendicular to the surface direction of the circuit board PB, and to increase the output power of the semiconductor laser device 400c.

本実施形態の半導体レーザ装置４００ｃによれば、複数のモジュール１００ｃから出射されるそれぞれのレーザ光の光路に対応するマイクロレンズアレイ３００を備える。したがって、複数のモジュール１００ｃのそれぞれから出射されるレーザ光を任意の光路に設定することができる。 The semiconductor laser device 400c of this embodiment includes the microlens array 300 corresponding to the optical path of each laser beam emitted from the plurality of modules 100c. Therefore, the laser light emitted from each of the plurality of modules 100c can be set to an arbitrary optical path.

Ｄ．第４実施形態：
図７から図９を用いて第４実施形態の半導体レーザ光源モジュール２００の構造について説明する。半導体レーザ光源モジュール２００を以下、単にモジュール２００とも呼ぶ。図７および図８に示すように、第４実施形態のモジュール２００は、矩形状の非導電性材料からなる筐体１９０内部にレーザダイオード１６０を備えて構成される。図８に示すように、モジュール２００は、Ｚ方向に沿って下面側から順に、セラミック製の基台部１３０と、キャパシタ１２０およびＬＤドライバ１１０と、導電体からなるサブマウントＳｍと、レーザダイオード１６０と、第三導電体１７０とを筐体１９０内部に備える。なお、図８では、技術の理解を容易にするため筐体１９０の図示を省略している。 D. Fourth embodiment:
The structure of the semiconductor laser light source module 200 of the fourth embodiment will be described with reference to FIGS. 7 to 9. FIG. The semiconductor laser light source module 200 is hereinafter simply referred to as the module 200 as well. As shown in FIGS. 7 and 8, the module 200 of the fourth embodiment includes a laser diode 160 inside a rectangular casing 190 made of a non-conductive material. As shown in FIG. 8, the module 200 includes a ceramic base portion 130, a capacitor 120 and an LD driver 110, a conductor submount Sm, and a laser diode 160 in order from the bottom side along the Z direction. and a third conductor 170 are provided inside the housing 190 . In FIG. 8, illustration of the housing 190 is omitted for easy understanding of the technology.

レーザダイオード１６０は、レーザ光を発生させるｐｎ接合からなる発光層を内部に有する半導体層１６３を備える。半導体層１６３は、－Ｚ方向側で正極として機能する第一電極１６４と、Ｚ方向側で負極として機能する第二電極１６２とによって挟み込まれた状態で形成される。レーザダイオード１６０の構成は第１実施形態でのレーザダイオード６０と同様であるが、第一電極１６４と、第二電極１６２との位置関係がＺ方向において逆になる点で、第１実施形態とは相違する。すなわち、本実施形態のモジュール２００では、レーザダイオード１６０よりも＋Ｚ方向側が負極側であり、－Ｚ方向側が正極側である。 The laser diode 160 includes a semiconductor layer 163 having therein a light-emitting layer composed of a pn junction for generating laser light. The semiconductor layer 163 is formed in a state sandwiched between a first electrode 164 functioning as a positive electrode on the −Z direction side and a second electrode 162 functioning as a negative electrode on the Z direction side. The configuration of the laser diode 160 is similar to that of the laser diode 60 in the first embodiment, but the positional relationship between the first electrode 164 and the second electrode 162 is reversed in the Z direction. are different. That is, in the module 200 of this embodiment, the +Z direction side of the laser diode 160 is the negative electrode side, and the -Z direction side is the positive electrode side.

筐体１９０は、図７に示すように、レーザダイオード１６０を囲む側壁部１９０Ｗを備える。筐体１９０の上面側は、金属製のリッド１８０によって封止される。図７に示すように、＋Ｙ方向側の側壁部１９０Ｗには、第一配線電極１９５が備えられる。第一配線電極１９５は、一端側をリッド１８０の一部と当接される導体配線である。第一配線電極１９５の他端側は、モジュール２００の下面側に設けられる第二電極パッド１３６と互いに電気的に接続される。＋Ｘ方向側の側壁部１９０Ｗには、レーザ光の出射経路となる位置に透光部１９２を備え、レーザダイオード１６０から出射されるレーザ光を透過する。 The housing 190 includes a side wall portion 190W surrounding the laser diode 160, as shown in FIG. The top side of the housing 190 is sealed with a metal lid 180 . As shown in FIG. 7, a first wiring electrode 195 is provided on the side wall portion 190W on the +Y direction side. The first wiring electrode 195 is a conductor wiring whose one end side is in contact with a part of the lid 180 . The other end side of the first wiring electrode 195 is electrically connected to the second electrode pad 136 provided on the lower surface side of the module 200 . The side wall portion 190W on the +X direction side is provided with a light-transmitting portion 192 at a position serving as an emission path of the laser light, through which the laser light emitted from the laser diode 160 is transmitted.

ＬＤドライバ１１０は、図９に示すように、基台部１３０の上面側に当接された状態で配置される。ＬＤドライバ１１０は、図８および図９に示すように、上面にドライバ電極１１２を備える。ドライバ電極１１２は、サブマウントＳｍと当接されて互いに電気的に接続される導体配線である。サブマウントＳｍが省略される場合には、ドライバ電極１１２は、レーザダイオード１６０の第二電極１６２と当接されて電気的に接続される。ＬＤドライバ１１０は、半導体レーザ装置の制御装置から出力される発光信号に従ってレーザダイオード１６０を駆動し、ドライバ電極１１２を介して第一電極１６４にレーザダイオード１６０の電源および信号を供給してレーザ光の出力のＯＮ／ＯＦＦを実行する。 As shown in FIG. 9, the LD driver 110 is placed in contact with the upper surface of the base portion 130 . As shown in FIGS. 8 and 9, the LD driver 110 has driver electrodes 112 on its upper surface. The driver electrodes 112 are conductor wirings that are in contact with the submount Sm and electrically connected to each other. If the submount Sm is omitted, the driver electrode 112 is in contact with and electrically connected to the second electrode 162 of the laser diode 160 . The LD driver 110 drives the laser diode 160 in accordance with a light emission signal output from the control device of the semiconductor laser device, supplies power and signals for the laser diode 160 to the first electrode 164 via the driver electrode 112, and emits laser light. Executes ON/OFF of the output.

第二電極１６２は、上面側で第三導電体１７０と当接されて互いに電気的に接続される。第三導電体１７０は、平板状の金属層であり、レーザダイオード１６０を挟んでＬＤドライバ１１０の一方の面側と対向するように配される。第三導電体１７０は、上面側をリッド１８０と当接されて互いに電気的に接続される。上述したように、リッド１８０の一部は、第一配線電極１９５と当接され、第二電極パッド１３６と電気的に接続される。第二電極パッド１３６は、モジュール２００の下面側で半導体レーザ装置の回路基板上の負極側（カソード）の導体配線とモジュール２００とを電気的に接続するための第二接続部として機能する。 The second electrode 162 is in contact with the third conductor 170 on the upper surface side and electrically connected to each other. The third conductor 170 is a flat metal layer, and is arranged to face one surface of the LD driver 110 with the laser diode 160 interposed therebetween. The third conductor 170 is in contact with the lid 180 on the upper surface side and electrically connected to each other. As described above, a portion of the lid 180 contacts the first wiring electrode 195 and is electrically connected to the second electrode pad 136 . The second electrode pad 136 functions as a second connection portion for electrically connecting the negative electrode (cathode) conductor wiring on the circuit board of the semiconductor laser device to the module 200 on the lower surface side of the module 200 .

キャパシタ１２０は、図８に示すように、基台部１３０の上面側でＬＤドライバ１１０と並列させた状態で配置される。キャパシタ１２０は、保持した電荷を短パルスの電流としてＬＤドライバ１１０に入力する。キャパシタ１２０は、基台部１３０に設けられる第二ビア状接続部１３３と当接されて互いに電気的に接続される。第二ビア状接続部１３３は、いわゆるスルーホールビアであり、基台部１３０の下面側に位置する第三電極パッド１３５に当接されて電気的に接続される。 The capacitor 120 is arranged in parallel with the LD driver 110 on the upper surface side of the base portion 130, as shown in FIG. The capacitor 120 inputs the held charge to the LD driver 110 as a short-pulse current. The capacitor 120 is in contact with the second via-shaped connecting portion 133 provided on the base portion 130 and electrically connected to each other. The second via-shaped connection portion 133 is a so-called through-hole via, and is electrically connected to the third electrode pad 135 located on the lower surface side of the base portion 130 by being brought into contact therewith.

基台部１３０は、いわゆるセラミック基板であり、本実施形態において窒化アルミニウムが用いられるが、アルミナなどの種々のセラミック材料が用いられてもよい。基台部１３０は、図８に示すように、複数の第一ビア状接続部１３２と、第二ビア状接続部１３３と、第二電極パッド１３６と、第一電極パッド１３４と、第三電極パッド１３５と、ビア状放熱部１３８とを備える。 The base portion 130 is a so-called ceramic substrate, and although aluminum nitride is used in this embodiment, various ceramic materials such as alumina may be used. As shown in FIG. 8, the base portion 130 includes a plurality of first via-like connection portions 132, second via-like connection portions 133, second electrode pads 136, first electrode pads 134, and third electrodes. A pad 135 and a via-shaped heat dissipation part 138 are provided.

第一ビア状接続部１３２は、上面側をＬＤドライバ１１０の下面側の導体配線や電極パッドと電気的に接続され、下面側を第一電極パッド１３４と電気的に接続される。半導体レーザ装置から出力される指令信号は、第一電極パッド１３４から入力され、第一ビア状接続部１３２を介してＬＤドライバ１１０に入力される。すなわち、第一電極パッド１３４は、モジュール２００の下面側で半導体レーザ装置の回路基板上の正極側（アノード）の導体配線とモジュール２００とを電気的に接続するための第一接続部として機能する。 The first via-like connecting portion 132 is electrically connected to the conductor wiring and electrode pads on the bottom side of the LD driver 110 on the top side, and electrically connected to the first electrode pad 134 on the bottom side. A command signal output from the semiconductor laser device is input from the first electrode pad 134 and input to the LD driver 110 via the first via-like connection portion 132 . That is, the first electrode pad 134 functions as a first connection portion for electrically connecting the positive electrode side (anode) conductive wiring on the circuit board of the semiconductor laser device to the module 200 on the lower surface side of the module 200 . .

ビア状放熱部１３８は、略直方体形状の貫通孔に電気めっき等により導体を充填されているいわゆるスルーホールビアである。ビア状放熱部１３８は、ＬＤドライバ１１０の下面側の少なくとも一部と当接されるように配置される。本実施形態において、ビア状放熱部１３８は２つ備えられる。ビア状放熱部１３８は一つであってもよく、省略されてもよい。ビア状放熱部１３８は、第一ビア状接続部１３２や第二ビア状接続部１３３よりも体積が大きくなるように構成され、ＬＤドライバ１１０の熱を下面側から放熱させる。本実施形態において、ビア状放熱部１３８は、ＬＤドライバ１１０とは電気的に接続されず導体配線として機能しないが、ＬＤドライバ１１０と電気的に接続されて導体配線として機能させてもよい。 The via-shaped heat radiating portion 138 is a so-called through-hole via in which a substantially rectangular parallelepiped through-hole is filled with a conductor by electroplating or the like. The via-shaped heat dissipation portion 138 is arranged so as to abut on at least a portion of the lower surface side of the LD driver 110 . In this embodiment, two via-shaped heat dissipation portions 138 are provided. The number of via-shaped heat radiating portions 138 may be one, or may be omitted. The via-shaped heat radiation part 138 is configured to have a larger volume than the first via-shaped connection part 132 and the second via-shaped connection part 133, and radiates the heat of the LD driver 110 from the lower surface side. In this embodiment, the via-shaped heat dissipation part 138 is not electrically connected to the LD driver 110 and does not function as conductor wiring, but may be electrically connected to the LD driver 110 and function as conductor wiring.

以上説明したように、本実施形態の半導体レーザ光源モジュール２００によれば、筐体１９０内に収容されたＬＤドライバ１１０と、レーザダイオード１６０の第一電極１６４とが当接されて電気的に接続されるとともに、第三導電体１７０と、第二電極１６２とが当接されて電気的に接続される。モジュール２００は、第二電極１６２と電気的に接続される第二電極パッド１３６と、第二電極１６２に電気的に接続される第一電極パッド１３４とを側壁部１９０Ｗの外部側に備えることにより、半導体レーザ装置の回路基板上に実装可能に構成される。したがって、ボンディングワイヤを用いることなく筐体１９０内のＬＤドライバ１１０からレーザダイオード１６０に電流を供給でき、寄生インダクタンスの発生を抑制することができる。 As described above, according to the semiconductor laser light source module 200 of the present embodiment, the LD driver 110 accommodated in the housing 190 and the first electrode 164 of the laser diode 160 are brought into contact and electrically connected. At the same time, the third conductor 170 and the second electrode 162 are brought into contact and electrically connected. The module 200 includes a second electrode pad 136 electrically connected to the second electrode 162 and a first electrode pad 134 electrically connected to the second electrode 162 on the outer side of the side wall portion 190W. , can be mounted on the circuit board of the semiconductor laser device. Therefore, current can be supplied from the LD driver 110 in the housing 190 to the laser diode 160 without using bonding wires, and the occurrence of parasitic inductance can be suppressed.

本実施形態のモジュール２００によれば、ビア状放熱部１３８が、ＬＤドライバ１１０の下面側の少なくとも一部と当接されるように基台部１３０に備えられる。これにより、ＬＤドライバ１１０の下面側からの放熱性能を向上させることができる。 According to the module 200 of this embodiment, the via-shaped heat radiating section 138 is provided in the base section 130 so as to abut on at least a portion of the lower surface side of the LD driver 110 . Thereby, the heat dissipation performance from the lower surface side of the LD driver 110 can be improved.

本実施形態のモジュール２００によれば、第一実装部として機能する第一電極パッド１３４と、ＬＤドライバ１１０とを電気的に接続する導電性の第一ビア状接続部１３２が基台部１３０内に備えられる。これにより、ボンディングワイヤを用いることなくＬＤドライバ１１０と半導体レーザ装置の回路基板とを電気的に接続することができ、寄生インダクタンスの発生を抑制することができる。本実施形態のモジュール２００では、更に、基台部１３０は、キャパシタ１２０と第三電極パッド１３５とを電気的に接続する第二ビア状接続部１３３を備えるので、キャパシタ１２０を筐体１９０内に備えつつ、寄生インダクタンスの発生を抑制することができる。 According to the module 200 of the present embodiment, the conductive first via-shaped connection portion 132 electrically connecting the first electrode pad 134 functioning as the first mounting portion and the LD driver 110 is provided in the base portion 130. be prepared for Thereby, the LD driver 110 and the circuit board of the semiconductor laser device can be electrically connected without using bonding wires, and the occurrence of parasitic inductance can be suppressed. In the module 200 of this embodiment, the base portion 130 further includes the second via-shaped connection portion 133 that electrically connects the capacitor 120 and the third electrode pad 135, so that the capacitor 120 can be placed inside the housing 190. In addition, it is possible to suppress the occurrence of parasitic inductance.

本実施形態のモジュール２００によれば、ＬＤドライバ１１０は、上面側にドライバ電極１１２を有する。ＬＤドライバ１１０は、モジュール２００の筐体１９０内に搭載されるとともに、ドライバ電極１１２を介して第一電極１６４と電気的に接続される。したがって、寄生インダクタンスの発生を抑制しつつ、ＬＤドライバ１１０とレーザダイオード１６０との導体配線を簡略なものとすることができる。 According to the module 200 of this embodiment, the LD driver 110 has the driver electrodes 112 on the upper surface side. The LD driver 110 is mounted inside the housing 190 of the module 200 and electrically connected to the first electrode 164 via the driver electrode 112 . Therefore, the conductor wiring between the LD driver 110 and the laser diode 160 can be simplified while suppressing the occurrence of parasitic inductance.

本実施形態のモジュール２００によれば、ＬＤドライバ１１０と第一電極１６４との間に導電性のサブマウントＳｍを備える。したがって、レーザダイオード１６０やＬＤドライバ１１０で発生する熱を放熱させることができるとともに、レーザダイオード１６０とＬＤドライバ１１０との間に生じる熱膨張率差による応力を緩和させることができる。 According to the module 200 of this embodiment, the conductive submount Sm is provided between the LD driver 110 and the first electrode 164 . Therefore, the heat generated by the laser diode 160 and the LD driver 110 can be dissipated, and the stress caused by the difference in thermal expansion coefficient between the laser diode 160 and the LD driver 110 can be relieved.

Ｅ．第５実施形態：
図１０および図１１に示すように、第５実施形態のモジュール２００ｅは、第一電極パッド１３４および第二電極パッド１３６が、側壁部１９０Ｗのうち、レーザダイオード１６０の位置に対して出射方向ＤＬとは逆側、すなわち－Ｘ方向側の側壁部１９０Ｗに備えられる点と、基台部１３０に代えて基台部１３０ｅを備える点と、第一配線電極１９５を備えない点と、コリメータレンズ１９４を備える点とで、第４実施形態のモジュール２００と相違する。 E. Fifth embodiment:
As shown in FIGS. 10 and 11, in the module 200e of the fifth embodiment, the first electrode pads 134 and the second electrode pads 136 are arranged in the emission direction DL with respect to the position of the laser diode 160 on the side wall portion 190W. is provided on the side wall portion 190W on the opposite side, that is, on the -X direction side; It is different from the module 200 of the fourth embodiment in that it is provided.

第二電極パッド１３６は、図１０に示すように、－Ｘ方向側の側壁部１９０Ｗの＋Ｚ方向側の端部に配置され、導電体のリッド１８０と当接される。第二電極パッド１３６は、リッド１８０と第三導電体１７０を介して第二電極１６２と電気的に接続され、－Ｘ方向側の側壁部１９０Ｗ上で第二接続部として機能する。第一電極パッド１３４は、－Ｘ方向側の側壁部１９０Ｗの－Ｚ方向側の端部に配置される。 As shown in FIG. 10, the second electrode pad 136 is arranged at the +Z direction side end of the -X direction side wall portion 190W and is in contact with the conductor lid 180 . The second electrode pad 136 is electrically connected to the second electrode 162 via the lid 180 and the third conductor 170, and functions as a second connection portion on the side wall portion 190W on the -X direction side. The first electrode pad 134 is arranged at the −Z direction side end of the −X direction side wall portion 190W.

基台部１３０ｅは、いわゆるセラミック基板であり、図１１に示すように、第一ビア状接続部１３２を備える点で、第４実施形態での基台部１３０と共通するが、更に、下面側に第二配線電極１９６を備える点で第４実施形態での基台部１３０と相違する。本実施形態において、基台部１３０ｅは、ビア状放熱部１３８と、第二ビア状接続部１３３および第三電極パッド１３５を備えないが、備えてもよい。 The base portion 130e is a so-called ceramic substrate, and as shown in FIG. It is different from the base portion 130 in the fourth embodiment in that the second wiring electrode 196 is provided on the base portion 130 of the fourth embodiment. In this embodiment, the base portion 130e does not include the via-shaped heat dissipation portion 138, the second via-shaped connection portion 133, and the third electrode pad 135, but may include them.

第二配線電極１９６は、基台部１３０ｅの下面側に備えられる導体配線である。第二配線電極１９６は、側壁部１９０Ｗに設けられる各第一電極パッド１３４と、各第一ビア状接続部１３２とを電気的に接続する。これにより、本実施形態において、第一電極パッド１３４は、第二配線電極１９６および第一ビア状接続部１３２を介してＬＤドライバ１１０に電気的に接続され、サブマウントＳｍを介して第二電極１６２に電気的に接続される。第一電極パッド１３４は、－Ｘ方向側の側壁部１９０Ｗで第一接続部として機能する。 The second wiring electrode 196 is a conductor wiring provided on the lower surface side of the base portion 130e. The second wiring electrode 196 electrically connects each first electrode pad 134 provided on the side wall portion 190W and each first via-shaped connection portion 132 . Thus, in the present embodiment, the first electrode pad 134 is electrically connected to the LD driver 110 via the second wiring electrode 196 and the first via-shaped connecting portion 132, and is electrically connected to the second electrode via the submount Sm. 162 is electrically connected. The first electrode pad 134 functions as a first connection portion on the side wall portion 190W on the -X direction side.

次に、図１２、図１３を用いて、モジュール２００ｅを備える半導体レーザ装置４００ｅの構成について説明する。図１２には、半導体レーザ装置４００ｅに備えられる回路基板ＰＢの＋Ｘ方向側の表面が模式的に示されている。図１２に示すように、本実施形態の半導体レーザ装置４００ｅは、回路基板ＰＢ上に、複数のモジュール２００ｅを備える。モジュール２００ｅは、図１２の例において９つ備えられる。 Next, the configuration of the semiconductor laser device 400e including the module 200e will be described with reference to FIGS. 12 and 13. FIG. FIG. 12 schematically shows the surface on the +X direction side of the circuit board PB provided in the semiconductor laser device 400e. As shown in FIG. 12, the semiconductor laser device 400e of this embodiment includes a plurality of modules 200e on the circuit board PB. Nine modules 200e are provided in the example of FIG.

上述したように、本実施形態のモジュール２００ｅでは、第一電極パッド１３４および第二電極パッド１３６が、レーザダイオード１６０の位置に対して出射方向ＤＬとは逆側である－Ｘ方向側の側壁部１９０Ｗに備えられる。図１３に示すように、各モジュール２００ｅは、第一電極パッド１３４と第二電極パッド１３６との一般的なリフロー工程によるはんだ付けによって回路基板ＰＢ上に実装される。これにより、第一接続部として機能する第一電極パッド１３４と、第二接続部として機能する第二電極パッド１３６とが、回路基板ＰＢ上の導体配線に当接された状態で回路基板ＰＢの表面に実装される。実装された各モジュール２００ｅのレーザ光の出射方向ＤＬは、＋Ｘ方向側にそれぞれ揃えられる。 As described above, in the module 200e of the present embodiment, the first electrode pad 134 and the second electrode pad 136 are located on the side wall portion on the -X direction side opposite to the emission direction DL with respect to the position of the laser diode 160. Equipped for 190W. As shown in FIG. 13, each module 200e is mounted on the circuit board PB by soldering the first electrode pads 134 and the second electrode pads 136 by a general reflow process. As a result, the first electrode pad 134 functioning as the first connection portion and the second electrode pad 136 functioning as the second connection portion are in contact with the conductor wiring on the circuit board PB. Mounted on the surface. The emission directions DL of the laser beams of the mounted modules 200e are aligned in the +X direction.

図１２および図１３に示すように、各モジュール２００ｅは、回路基板ＰＢの表面にＺ方向とＹ方向とのそれぞれにおいて互いに等間隔となるように規則的に配列され、いわゆる二次元アレイを構成している。 As shown in FIGS. 12 and 13, each module 200e is regularly arranged on the surface of the circuit board PB so as to be equidistant from each other in both the Z direction and the Y direction, forming a so-called two-dimensional array. ing.

図１３に示すように、本実施形態の半導体レーザ装置４００ｅは、各モジュール２００ｅの出射方向ＤＬ側に、更にマイクロレンズアレイ３００を備える。マイクロレンズアレイ３００の構成は、第３実施形態でのマイクロレンズアレイ３００と同様である。マイクロレンズアレイ３００の各集光レンズは、各モジュール２００ｅから出射されるレーザ光の光路のそれぞれに対応する位置に配置される。 As shown in FIG. 13, the semiconductor laser device 400e of this embodiment further includes a microlens array 300 on the emission direction DL side of each module 200e. The configuration of the microlens array 300 is the same as the microlens array 300 in the third embodiment. Each condensing lens of the microlens array 300 is arranged at a position corresponding to each optical path of the laser light emitted from each module 200e.

本実施形態のモジュール２００ｅによれば、第一電極パッド１３４と、第二電極パッド１３６とが、側壁部１９０Ｗのうち、レーザダイオード１６０の位置に対して出射方向ＤＬとは逆側である－Ｘ方向側の側壁部１９０Ｗの外部側に備えられる。したがって、端面出射型のレーザダイオード１６０を、例えば、出射方向ＤＬを半導体レーザ装置の回路基板の面方向に対して垂直な方向に一致させた状態で回路基板上に実装することができる。本実施形態のモジュール２００ｅを複数備えることにより、回路基板上にアレイ状のレーザ光源を配置することができる。 According to the module 200e of the present embodiment, the first electrode pad 134 and the second electrode pad 136 are located on the opposite side of the side wall portion 190W from the emission direction DL with respect to the position of the laser diode 160 -X. It is provided on the outer side of the side wall portion 190W on the direction side. Therefore, the edge-emitting laser diode 160 can be mounted on a circuit board, for example, with the emission direction DL aligned with the direction perpendicular to the surface direction of the circuit board of the semiconductor laser device. By providing a plurality of modules 200e of this embodiment, an array of laser light sources can be arranged on the circuit board.

本実施形態のモジュール２００ｅによれば、レーザダイオード１６０の出射方向ＤＬ側にコリメータレンズ１９４を備えるので、モジュール２００ｅを平行光のレーザ光を出射するレーザ光源とすることができる。 According to the module 200e of this embodiment, since the collimator lens 194 is provided on the side of the laser diode 160 in the emission direction DL, the module 200e can be used as a laser light source that emits parallel laser light.

本実施形態の半導体レーザ装置４００ｅによれば、複数の半導体レーザ光源モジュール２００ｅのそれぞれは、レーザ光の出射方向ＤＬ側とは逆側となる第一接続部と第二接続部とが回路基板ＰＢの導体配線に当接された状態で回路基板ＰＢの表面に規則的な配列で実装される。したがって、回路基板ＰＢの面方向に垂直な方向に複数のレーザ光を照射するレーザアレイを備えることができ、半導体レーザ装置４００ｅを高出力化することができる。 According to the semiconductor laser device 400e of the present embodiment, in each of the plurality of semiconductor laser light source modules 200e, the first connection portion and the second connection portion, which are opposite to the laser light emission direction DL side, are connected to the circuit board PB. are mounted in a regular array on the surface of the circuit board PB while being in contact with the conductor wiring. Therefore, it is possible to provide a laser array for irradiating a plurality of laser beams in a direction perpendicular to the surface direction of the circuit board PB, and to increase the output power of the semiconductor laser device 400e.

本実施形態の半導体レーザ装置４００ｅによれば、複数のモジュール２００ｅから出射されるそれぞれのレーザ光の光路に対応するマイクロレンズアレイ３００を備える。したがって、複数のモジュール２００ｅのそれぞれから出射されるレーザ光を任意の光路に設定することができる。 The semiconductor laser device 400e of this embodiment includes the microlens array 300 corresponding to the optical path of each laser beam emitted from the plurality of modules 200e. Therefore, the laser light emitted from each of the plurality of modules 200e can be set to an arbitrary optical path.

Ｆ．他の実施形態：
（Ｆ１）上記第１実施形態では、第一導電体７０のＹ方向側の端面７０ＷをＹ方向側の側壁部９０Ｗの外表面に露出させて第一接続部が構成され、平板状の第二導電体４０（より具体的には金属層４８）のＹ方向側の端面４０ＷをＹ方向側の側壁部９０Ｗの外表面に露出させて第二接続部が構成される。これに対して、第一導電体７０、第二導電体４０のいずれか一方の端面をＹ方向側の側壁部９０Ｗの外表面に露出させる構成であってもよい。この場合において、第一導体面７４または第二導体面４４を第一接続部または第二接続部として構成してよい。 F. Other embodiments:
(F1) In the above-described first embodiment, the first connecting portion is configured by exposing the end surface 70W on the Y direction side of the first conductor 70 to the outer surface of the side wall portion 90W on the Y direction side, and the flat second A second connecting portion is formed by exposing the Y-direction end face 40W of the conductor 40 (more specifically, the metal layer 48) to the outer surface of the Y-direction side wall portion 90W. On the other hand, the end face of either the first conductor 70 or the second conductor 40 may be exposed to the outer surface of the side wall portion 90W on the Y direction side. In this case, the first conductor surface 74 or the second conductor surface 44 may be configured as the first connection portion or the second connection portion.

（Ｆ２）上記第２実施形態および第３実施形態では、第二導体面４４は、下面金属層２０または基台側金属層２０ｃを介して第二電極６２と電気的に接続される。これに対して、下面金属層２０または基台側金属層２０ｃに代えて、例えば基台部３０の上面に形成された導体配線によって第二導体面４４と第二電極６２とが電気的に接続されてもよい。 (F2) In the second and third embodiments, the second conductor surface 44 is electrically connected to the second electrode 62 via the lower metal layer 20 or the base metal layer 20c. On the other hand, the second conductor surface 44 and the second electrode 62 are electrically connected by conductor wiring formed on the upper surface of the base portion 30, for example, instead of the lower surface metal layer 20 or the base side metal layer 20c. may be

（Ｆ３）上記第２実施形態および第３実施形態では、第一電極６４は、導電体からなるリッド８０を介して第一導体面７４と電気的に接続される。これに対して非導電体からなるリッド８０の下面に形成された導体配線によって第一電極６４と第一導体面７４とが電気的に接続されてもよい。 (F3) In the second and third embodiments, the first electrode 64 is electrically connected to the first conductor surface 74 via the lid 80 made of a conductor. On the other hand, the first electrode 64 and the first conductor surface 74 may be electrically connected by conductor wiring formed on the lower surface of the lid 80 made of a non-conductor.

（Ｆ４）上記各実施形態では、筐体９０は側壁部９０Ｗの一部に透光部９２を備え、筐体１９０は側壁部１９０Ｗの一部に透光部１９２を備えるが、側壁部９０Ｗや側壁部１９０Ｗをガラス等で構成することにより側壁部９０Ｗや側壁部１９０Ｗの全体を透光部として構成してもよい。この形態の半導体レーザ光源モジュールによれば、レーザダイオードの出射方向とは逆側から出射されるレーザ光を取得することができる。 (F4) In each of the above embodiments, the housing 90 includes the light-transmitting portion 92 on a portion of the side wall portion 90W, and the housing 190 includes the light-transmitting portion 192 on a portion of the side wall portion 190W. By configuring the side wall portion 190W with glass or the like, the side wall portion 90W or the entire side wall portion 190W may be configured as a light transmitting portion. According to the semiconductor laser light source module of this aspect, the laser light emitted from the side opposite to the emission direction of the laser diode can be obtained.

（Ｆ５）上記第３実施形態の半導体レーザ装置４００ｃでは、各モジュール１００ｃは、回路基板ＰＢの表面に、Ｚ方向とＹ方向とのそれぞれにおいて互いに等間隔となるように規則的に配列される。これに対して、各モジュール１００ｃは、図１４に示すように、回路基板ＰＢの表面に、互い違いに配置されるいわゆる千鳥状の配置により規則的な配列で実装されてもよい。この形態の半導体レーザ装置４００ｃによれば、各モジュール１００ｃを高密度化し、半導体レーザ装置４００ｃのレーザ光の分解能を高くすることができる。 (F5) In the semiconductor laser device 400c of the third embodiment, the modules 100c are regularly arranged on the surface of the circuit board PB so as to be equidistant in both the Z direction and the Y direction. On the other hand, as shown in FIG. 14, the modules 100c may be mounted on the surface of the circuit board PB in a regular arrangement in a so-called staggered arrangement. According to the semiconductor laser device 400c of this form, the density of each module 100c can be increased, and the resolution of the laser light of the semiconductor laser device 400c can be increased.

（Ｆ６）上記第５実施形態の半導体レーザ装置４００ｅでは、各モジュール２００ｅは、回路基板ＰＢの表面に、Ｚ方向とＹ方向とのそれぞれにおいて互いに等間隔となるように規則的に配列される。これに対して、各モジュール２００ｅは、図１５に示すように、回路基板ＰＢの表面に、互い違いに配置されるいわゆる千鳥状の配置により規則的な配列で実装されてもよい。この形態の半導体レーザ装置４００ｅによれば、各モジュール２００ｅを高密度化し、半導体レーザ装置４００ｅによるレーザ光の分解能を高くすることができる。 (F6) In the semiconductor laser device 400e of the fifth embodiment, the modules 200e are regularly arranged on the surface of the circuit board PB so as to be equidistant in both the Z direction and the Y direction. On the other hand, as shown in FIG. 15, the modules 200e may be mounted on the surface of the circuit board PB in a regular arrangement in a so-called staggered arrangement. According to the semiconductor laser device 400e of this form, the density of each module 200e can be increased, and the resolution of laser light by the semiconductor laser device 400e can be increased.

本開示は、上述の実施形態や変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。 The present disclosure is not limited to the embodiments and modifications described above, and can be implemented in various configurations without departing from the scope of the present disclosure. For example, the technical features in the embodiments and modifications corresponding to the technical features in each form described in the summary column of the invention are used to solve some or all of the above problems, or In order to achieve some or all of the effects, it is possible to appropriately replace or combine them. Also, if the technical features are not described as essential in this specification, they can be deleted as appropriate.

４０，４０ｂ 第二導電体、６０、１６０ レーザダイオード、６２，１６２ 第二電極、６３，１６３ 半導体層、６４，１６４ 第一電極、７０，７０ｂ 第一導電体、９０ 筐体、９０Ｗ，１９０Ｗ 側壁部、９２，１９２ 透光部、１００，１００ｂ，１００ｃ，２００，２００ｅ 半導体レーザ光源モジュール、１１０ ＬＤドライバ、１３０，１３０ｅ 基台部、１３４ 第一電極パッド、１３６ 第二電極パッド、１７０ 第三導電体、 40,40b Second conductor 60,160 Laser diode 62,162 Second electrode 63,163 Semiconductor layer 64,164 First electrode 70,70b First conductor 90 Housing 90W, 190W Side wall Part 92, 192 Translucent part 100, 100b, 100c, 200, 200e Semiconductor laser light source module 110 LD driver 130, 130e Base part 134 First electrode pad 136 Second electrode pad 170 Third conductive body,

Claims (19)

半導体レーザ光源モジュール（１００，１００ｂ，１００ｃ）であって、
活性層を含む半導体層（６３）の一方の面側に形成された第一電極（６４）と、前記活性層の他方の面側に形成された第二電極（６２）とを備える端面出射型のレーザダイオード（６０）と、
前記レーザダイオードを囲む側壁部（９０Ｗ）を有し、前記側壁部のうち少なくとも一部にレーザ光を透過する透光部（９２）を備える筐体（９０）と、
前記第一電極に当接される第一導電体（７０，７０ｂ）と、
前記第二電極に当接される第二導電体（４０，４０ｂ）と、
前記側壁部の外部側に設けられ、前記第一導電体と電気的に接続される第一接続部と、
前記側壁部の外部側に設けられ、前記第二導電体と電気的に接続される第二接続部と、
前記第二導電体の前記第二電極と当接する側とは逆側に、前記第二導電体と当接するセラミック製の基台部（３０，３０ｃ）と、
前記基台部の前記第二導電体と当接する側とは逆側に基台側金属層（２０ｃ）と、を備え、
前記基台部は、導電性を有するビア状接続部（３２）を備え、
前記基台側金属層は、前記第二接続部と電気的に接続されるとともに、前記ビア状接続部を介して前記第二導電体と電気的に接続される、
半導体レーザ光源モジュール。 A semiconductor laser light source module (100, 100b, 100c),
An edge emission type comprising a first electrode (64) formed on one side of a semiconductor layer (63) including an active layer and a second electrode (62) formed on the other side of the active layer a laser diode (60) of
a housing (90) having a side wall portion (90W) surrounding the laser diode and including a translucent portion (92) in at least a portion of the side wall portion for transmitting laser light;
a first conductor (70, 70b) in contact with the first electrode;
a second conductor (40, 40b) in contact with the second electrode;
a first connection portion provided outside the side wall portion and electrically connected to the first conductor;
a second connection portion provided on the outer side of the side wall portion and electrically connected to the second conductor;
a ceramic base portion (30, 30c) in contact with the second conductor , on the side opposite to the side of the second conductor in contact with the second electrode;
A base-side metal layer (20c) on the side opposite to the side of the base portion that contacts the second conductor,
The base portion includes a conductive via-shaped connection portion (32),
The base-side metal layer is electrically connected to the second connection portion and electrically connected to the second conductor through the via-shaped connection portion,
Semiconductor laser light source module. 前記第一導電体は、平板状の金属層を含み、
前記第一導電体に含まれる前記平板状の金属層の端面（７０Ｗ）が、前記側壁部の外部側に露出して前記第一接続部として機能する、請求項１に記載の半導体レーザ光源モジュール。 The first conductor includes a flat metal layer,
2. The semiconductor laser light source module according to claim 1, wherein an end face (70W) of said flat metal layer included in said first conductor is exposed to the outside of said side wall portion and functions as said first connection portion. . 更に、前記側壁部の外部側に、前記側壁部の厚みよりも小さい厚みを有する第一導体面（７４）であって、前記第一導電体と電気的に接続される第一導体面を備え、
前記第一導体面の外部側の表面が前記第一接続部として機能する、請求項１に記載の半導体レーザ光源モジュール。 Further, a first conductor surface (74) having a thickness smaller than that of the sidewall portion and electrically connected to the first conductor is provided on the outer side of the sidewall portion. ,
2. The semiconductor laser light source module according to claim 1, wherein the outer surface of said first conductor surface functions as said first connecting portion. 前記第二導電体は、平板状の金属層（４８）を含み、
前記第二導電体に含まれる前記平板状の金属層の端面（４０Ｗ）が、前記側壁部の外部側に露出して前記第二接続部として機能する、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の半導体レーザ光源モジュール。 The second conductor includes a flat metal layer (48),
4. Any one of claims 1 to 3, wherein an end surface (40W) of the flat metal layer included in the second conductor is exposed to the outside of the side wall portion and functions as the second connection portion. 1. The semiconductor laser light source module according to claim 1. 更に、前記側壁部の外部側に、前記側壁部の厚みよりも小さい厚みを有する第二導体面（４４）であって、前記第二導電体と電気的に接続される第二導体面を備え、
前記第二導体面の外部側の表面が前記第二接続部として機能する、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の半導体レーザ光源モジュール。 Further, a second conductor surface (44) having a thickness smaller than that of the sidewall portion and electrically connected to the second conductor is provided on the outer side of the sidewall portion. ,
4. The semiconductor laser light source module according to claim 1, wherein the outer surface of said second conductor surface functions as said second connecting portion. 更に、前記透光部の外表面上にコリメータレンズ（９４）を備える、請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の半導体レーザ光源モジュール。 6. The semiconductor laser light source module according to any one of claims 1 to 5, further comprising a collimator lens (94) on the outer surface of said translucent portion. 前記第一接続部と前記第二接続部とは、前記レーザダイオードの位置に対して、前記レーザ光の出射方向側とは逆側となる前記側壁部の外部側に備えられる、請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の半導体レーザ光源モジュール。 The first connection portion and the second connection portion are provided on the outer side of the side wall portion opposite to the laser light emission direction side with respect to the position of the laser diode. 7. The semiconductor laser light source module according to claim 6. 請求項７に記載の半導体レーザ光源モジュールであって、複数の半導体レーザ光源モジュールと、
前記複数の半導体レーザ光源モジュールに電流を供給する回路基板（ＰＢ）と、を備え、
前記複数の半導体レーザ光源モジュールのそれぞれは、前記側壁部の外部側に備えられる前記第一接続部と前記第二接続部とが前記回路基板の導体配線に当接された状態で、前記回路基板の表面に規則的な配列で実装される、
半導体レーザ装置。 8. The semiconductor laser light source module according to claim 7, comprising: a plurality of semiconductor laser light source modules;
a circuit board (PB) that supplies current to the plurality of semiconductor laser light source modules;
Each of the plurality of semiconductor laser light source modules is configured such that the first connection portion and the second connection portion provided on the outer side of the side wall portion are in contact with the conductor wiring of the circuit board. implemented in a regular array on the surface of
Semiconductor laser device. 請求項８に記載の半導体レーザ装置であって、
前記複数の半導体レーザ光源モジュールは、前記回路基板の表面に互い違いに配置されることにより前記規則的な配列で実装される、
半導体レーザ装置。 9. The semiconductor laser device according to claim 8,
The plurality of semiconductor laser light source modules are mounted in the regular arrangement by alternately arranging them on the surface of the circuit board.
Semiconductor laser device. 請求項８または請求項９に記載の半導体レーザ装置であって、
更に、前記規則的に配列された前記複数の半導体レーザ光源モジュールから出射されるそれぞれのレーザ光の光路に対応するマイクロレンズアレイ（３００）を備える、
半導体レーザ装置。 10. The semiconductor laser device according to claim 8 or 9,
further comprising a microlens array (300) corresponding to each optical path of the laser light emitted from the plurality of regularly arranged semiconductor laser light source modules;
Semiconductor laser device. 半導体レーザ光源モジュール（２００，２００ｅ）であって、
活性層を含む半導体層（１６３）の一方の面側に形成された第一電極（１６４）と、前記活性層の他方の面側に形成された第二電極（１６２）とを備える端面出射型のレーザダイオード（１６０）と、
前記レーザダイオードを囲む側壁部（１９０Ｗ）を有し、前記側壁部のうち少なくとも一部にレーザ光を透過する透光部（１９２）を備える筐体（１９０）と、
前記第一電極と電気的に接続され、前記レーザダイオードを駆動する平板状のＬＤドライバ（１１０）と、
前記レーザダイオードを挟んで前記ＬＤドライバの一方の面側と対向するように配され、前記第二電極に当接されて前記レーザダイオードと電気的に接続される導電体（１７０）と、
前記ＬＤドライバの他方の面側に当接されるセラミック製の基台部（１３０，１３０ｅ）と、
前記筐体の外部側に配置される第一電極パッド（１３４）であって、前記ＬＤドライバと電気的に接続される第一電極パッドと、
前記筐体の外部側に配置される第二電極パッド（１３６）であって、前記導電体と電気的に接続される第二電極パッドと、
前記基台部のうち前記ＬＤドライバと当接される面の少なくとも一部と当接されて、前記ＬＤドライバの熱を放熱するビア状放熱部（１３８）と、を備える
半導体レーザ光源モジュール。 A semiconductor laser light source module (200, 200e),
An edge emission type comprising a first electrode (164) formed on one side of a semiconductor layer (163) including an active layer and a second electrode (162) formed on the other side of the active layer a laser diode (160) of
a housing (190) having a side wall portion (190W) surrounding the laser diode and including a translucent portion (192) that transmits a laser beam in at least a part of the side wall portion;
a flat LD driver (110) electrically connected to the first electrode and driving the laser diode;
a conductor (170) arranged to face one surface side of the LD driver with the laser diode therebetween and electrically connected to the laser diode by being in contact with the second electrode;
a ceramic base portion (130, 130e) that abuts against the other surface side of the LD driver;
a first electrode pad (134) arranged outside the housing, the first electrode pad being electrically connected to the LD driver;
a second electrode pad (136) arranged on the outer side of the housing, the second electrode pad being electrically connected to the conductor;
A semiconductor laser light source module, comprising: a via-shaped heat radiating portion (138) that is in contact with at least a portion of a surface of the base portion that is in contact with the LD driver and that radiates heat from the LD driver. 請求項１１に記載の半導体レーザ光源モジュールであって、
前記基台部は、前記ＬＤドライバと前記第一電極パッドとを電気的に接続する導電性のビア状接続部（１３２）を備える
半導体レーザ光源モジュール。 The semiconductor laser light source module according to claim 11,
The semiconductor laser light source module, wherein the base portion includes a conductive via-like connection portion (132) for electrically connecting the LD driver and the first electrode pad. 前記ＬＤドライバは、前記一方の面側にドライバ電極（１１２）を有し、前記ドライバ電極と前記第一電極とが互いに電気的に接続される
請求項１１または請求項１２に記載の半導体レーザ光源モジュール。 13. The semiconductor laser light source according to claim 11, wherein said LD driver has a driver electrode (112) on said one surface side, and said driver electrode and said first electrode are electrically connected to each other. module. 更に、前記ＬＤドライバと前記第一電極との間に導電性のサブマウント（Ｓｍ）を備え、
前記サブマウントは、前記ドライバ電極と当接して前記ＬＤドライバと電気的に接続されるとともに、前記第一電極と当接して前記レーザダイオードと電気的に接続される
請求項１３に記載の半導体レーザ光源モジュール。 Furthermore, a conductive submount (Sm) is provided between the LD driver and the first electrode,
14. The semiconductor laser according to claim 13, wherein the submount abuts against the driver electrode and is electrically connected to the LD driver, and abuts against the first electrode and is electrically connected to the laser diode. light source module. 更に、前記透光部の外表面上にコリメータレンズ（１９４）を備える、請求項１１から請求項１４までのいずれか一項に記載の半導体レーザ光源モジュール。 15. The semiconductor laser light source module according to any one of claims 11 to 14, further comprising a collimator lens (194) on the outer surface of said translucent portion. 半導体レーザ光源モジュール（２００，２００ｅ）であって、
活性層を含む半導体層（１６３）の一方の面側に形成された第一電極（１６４）と、前記活性層の他方の面側に形成された第二電極（１６２）とを備える端面出射型のレーザダイオード（１６０）と、
前記レーザダイオードを囲む側壁部（１９０Ｗ）を有し、前記側壁部のうち少なくとも一部にレーザ光を透過する透光部（１９２）を備える筐体（１９０）と、
前記第一電極と電気的に接続され、前記レーザダイオードを駆動する平板状のＬＤドライバ（１１０）と、
前記レーザダイオードを挟んで前記ＬＤドライバの一方の面側と対向するように配され、前記第二電極に当接されて前記レーザダイオードと電気的に接続される導電体（１７０）と、
前記ＬＤドライバの他方の面側に当接されるセラミック製の基台部（１３０，１３０ｅ）と、
前記筐体の外部側に配置される第一電極パッド（１３４）であって、前記ＬＤドライバと電気的に接続される第一電極パッドと、
前記筐体の外部側に配置される第二電極パッド（１３６）であって、前記導電体と電気的に接続される第二電極パッドと、を備え、
前記第一電極パッドと、前記第二電極パッドとは、前記側壁部のうち、前記レーザダイオードの位置に対して、前記レーザ光の出射方向側とは逆側となる前記側壁部の外部側に備えられる、
半導体レーザ光源モジュール。 A semiconductor laser light source module (200, 200e),
An edge emission type comprising a first electrode (164) formed on one side of a semiconductor layer (163) including an active layer and a second electrode (162) formed on the other side of the active layer a laser diode (160) of
a housing (190) having a side wall portion (190W) surrounding the laser diode and including a translucent portion (192) that transmits a laser beam in at least a part of the side wall portion;
a flat LD driver (110) electrically connected to the first electrode and driving the laser diode;
a conductor (170) arranged to face one surface side of the LD driver with the laser diode therebetween and electrically connected to the laser diode by being in contact with the second electrode;
a ceramic base portion (130, 130e) that abuts against the other surface side of the LD driver;
a first electrode pad (134) arranged outside the housing, the first electrode pad being electrically connected to the LD driver;
a second electrode pad (136) arranged on the exterior side of the housing, the second electrode pad being electrically connected to the conductor;
The first electrode pad and the second electrode pad are provided on the outer side of the side wall portion, which is opposite to the laser light emission direction side with respect to the position of the laser diode, in the side wall portion. be prepared,
Semiconductor laser light source module. 請求項１６に記載の半導体レーザ光源モジュールであって、複数の半導体レーザ光源モジュールと、
前記複数の半導体レーザ光源モジュールに電流を供給する回路基板（ＰＢ）と、を備え、
前記複数の半導体レーザ光源モジュールのそれぞれは、前記側壁部の外部側に備えられる前記第一電極パッドと前記第二電極パッドとが前記回路基板の導体配線に当接された状態で、前記回路基板の表面に規則的な配列で実装される、
半導体レーザ装置（４００ｅ）。 17. The semiconductor laser light source module according to claim 16, comprising: a plurality of semiconductor laser light source modules;
a circuit board (PB) that supplies current to the plurality of semiconductor laser light source modules;
Each of the plurality of semiconductor laser light source modules is mounted on the circuit board while the first electrode pad and the second electrode pad provided on the outer side of the side wall portion are in contact with the conductor wiring of the circuit board. implemented in a regular array on the surface of
A semiconductor laser device (400e). 請求項１７に記載の半導体レーザ装置であって、
前記複数の半導体レーザ光源モジュールは、前記回路基板の表面に互い違いに配置されることにより前記規則的な配列で実装される、
半導体レーザ装置。 18. The semiconductor laser device according to claim 17,
The plurality of semiconductor laser light source modules are mounted in the regular arrangement by alternately arranging them on the surface of the circuit board.
Semiconductor laser device. 請求項１７または請求項１８に記載の半導体レーザ装置であって、
前記規則的に配列された前記複数の半導体レーザ光源モジュールから出射されるそれぞれのレーザ光の光路に対応するマイクロレンズアレイ（３００）を備える、
半導体レーザ装置。 19. The semiconductor laser device according to claim 17 or 18,
A microlens array (300) corresponding to each optical path of the laser light emitted from the plurality of regularly arranged semiconductor laser light source modules,
Semiconductor laser device.
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