JP7272778B2 - 折り返し導波路低速波構造を用いる進行波管用の内部負荷 - Google Patents
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Description
-電子を束にまとめる、すなわちビーム流の密度をマイクロ波信号の周波数に応じて変調する第1のステップと、
-このように得られた電子の束を同相に配置して、電子のエネルギーを波へ伝達すべく場により電子を遅延する第2のステップの2段階に分けられる。
-中央プレートの長手軸と同一方向の直線ビームトンネル、および導波路の幅方向に折り返された蛇行折り返しスリットを含む中央プレートと、
-各々が当該中央プレートの上下に配置されていて、導波路を閉じる下部プレートおよび上部プレートと、
-導波路の長手軸に沿って、下部プレート、上部プレート、または中央プレートの導波路の少なくとも1個の内面に形成され、且つ少なくとも部分的に損失材料を含んでいる、可変な断面の少なくとも1本の溝を、
ハイブリッド低速波が内部を通って伝播し、損失材料を含む1個以上の溝の部分の開始端と終端の間で振幅が少なくとも20dB減衰する閉じた低速波構造を形成すべく含んでいる。
-中央プレート内に、中央プレートの長手軸と同一方向の直線ビームトンネル、および導波路の幅方向に折り返された蛇行折り返しスリットを穿孔するステップと、
-導波路の長手軸に沿って、下部プレート、上部プレート、または中央プレートの導波路の少なくとも1個の内面に、少なくとも部分的に損失材料を含んでいる、可変な断面の少なくとも1本の溝を形成するステップと、
-導波路を閉じる下部プレートおよび上部プレートを当該中央プレートの上下に配置するステップを、
ハイブリッド低速波が内部を通って伝播し、損失材料を含む1個以上の溝の部分の開始端と終端の間で振幅が少なくとも20dB減衰する閉じた低速波構造を形成すべく含んでいる。
-中央プレート20の長手軸zと同一方向の直線ビームトンネル21、および導波路の幅方向に折り返された蛇行折り返しスリット22を含む中央プレート20と、
-各々が当該中央プレート20の上下に配置されていて、導波路を閉じる下部プレート23および上部プレート24と、
-導波路の長手軸zに沿って、下部プレート23、上部プレート24、または中央プレート20の導波路の少なくとも1個の内面に形成され、且つ少なくとも部分的に損失材料を含んでいる、可変な断面の少なくとも1本の溝25を、
ハイブリッド低速波が内部を通って伝播し、損失材料を含む1個以上の溝の部分の開始端と終端の間で振幅が少なくとも20dB減衰する閉じた低速波構造を形成すべく含んでいる。
-中央プレート20内に、中央プレート20の長手軸zと同一方向の直線ビームトンネル21、および導波路の幅方向に折り返された蛇行折り返しスリット22を穿孔するステップと、
-導波路の長手軸zに沿って、下部プレート23、上部プレート24、または中央プレート20の導波路の少なくとも1個の内面に、少なくとも部分的に損失材料を含んでいる、可変な断面の少なくとも1本の溝25を形成するステップと、
-導波路を閉じる下部プレート23および上部プレート24を当該中央プレート20の上下に配置するステップを、
ハイブリッド低速波が内部を通って伝播し、損失材料を含む1個以上の溝の部分の開始端と終端の間で振幅が少なくとも20dB減衰する閉じた低速波構造を形成すべく含んでいる。
2 第2の区間
3 第3の区間
4 入力端
5 出力端
6 負荷
7 螺旋部
8 エンベロープ
9 ロッド
10 折り返し導波路
11 直線導波路
12 ビームトンネル
13 損失誘電ブロック
20 中央プレート
21 直線ビームトンネル
22 蛇行折り返しスリット
23 下部プレート
24 上部プレート
25 溝
Claims (8)
- 折り返し導波路低速波構造であって、
-中央プレート(20)の長手軸(z)と同一方向の直線ビームトンネル(21)、および前記導波路の幅方向に折り返された蛇行折り返しスリット(22)を含む中央プレート(20)と、
-各々が前記中央プレート(20)の上下に配置されていて、前記導波路を閉じる下部プレート(23)および上部プレート(24)と、
-前記導波路の前記長手軸(z)に沿って、前記下部プレート(23)、前記上部プレート(24)、または前記中央プレート(20)の前記導波路の少なくとも1個の内面に形成され、且つ少なくとも部分的に損失材料を含んでいる、少なくとも1本の溝(25)とを、
ハイブリッド低速波が内部を通って伝播し、損失材料を含む前記少なくとも1本の溝の部分の開始端と終端の間で振幅が少なくとも20dB減衰する閉じた低速波構造を形成すべく含んでおり、前記少なくとも1本の溝(25)のうちの第1の溝の前記長手軸(z)に垂直な断面が、前記長手軸(z)に沿って変化する、折り返し導波路低速波構造。 - 前記損失材料が損失誘電体である、請求項1に記載の折り返し導波路低速波構造。
- 折り返し導波路低速波構造は、少なくとも2本の溝(25)を有し、
少なくとも2本の溝(25)のうちの第2の溝が一定の断面を有し、波の伝搬方向に向けられた前記導波路の軸に沿って前記長手軸(z)の横座標が増大するのに伴い増大する所与の量の損失誘電体を含んでいる、請求項2に記載の折り返し導波路低速波構造。 - 折り返し導波路低速波構造は、少なくとも3本の溝(25)を有し、
少なくとも3本の溝(25)のうちの第3の溝が前記長手軸(z)に垂直な、一定のままであるかまたは前記横座標の増大に伴い増大する断面を有し、前記横座標の増大に伴いマイクロ波の損失レベルが増大する損失誘電体で満たされている、請求項3に記載の折り返し導波路低速波構造。 - 前記損失材料が、鉄、ニッケル、モリブデン、およびチタンから選択された金属の混合物の層であり、溝(25)の内面を少なくとも部分的に覆っている、請求項1に記載の折り返し導波路低速波構造。
- 折り返し導波路低速波構造は、少なくとも2本の溝(25)を有し、
少なくとも2本の溝(25)のうちの第2の溝が、前記長手軸(z)に垂直な、縁の長さが一定のままの断面を有し、前記長手軸(z)の横座標の増大に伴い増大する量の金属の同一の前記混合物の層を含んでいる、請求項5に記載の折り返し導波路低速波構造。 - 折り返し導波路低速波構造は、少なくとも3本の溝(25)を有し、
少なくとも3本の溝(25)のうちの第3の溝が、前記長手軸(z)に垂直な、縁の長さが一定のままであるかまたは前記横座標の増大に伴い増大する断面を有し、金属の同一の前記混合物の層を含んでいる、請求項6に記載の折り返し導波路低速波構造。 - 折り返し導波路低速波構造を製造する工程であって、
-中央プレート(20)内に、中央プレート(20)の長手軸(z)と同一方向の直線ビームトンネル(21)、および前記導波路の幅方向に折り返された蛇行折り返しスリット(22)を穿孔するステップと、
-前記導波路の長手軸(z)に沿って、下部プレート(23)、上部プレート(24)、または中央プレート(20)の前記導波路の少なくとも1個の内面に、少なくとも部分的に損失材料を含んでいる、少なくとも1本の溝(25)を形成するステップであって、前記少なくとも1本の溝(25)のうちの第1の溝の前記長手軸(z)に垂直な断面が、前記長手軸(z)に沿って変化する、形成するステップと、
-前記導波路を閉じる前記下部プレート(23)および前記上部プレート24それぞれを前記中央プレート(20)の上下それぞれに配置するステップとを、
ハイブリッド低速波が内部を通って伝播し、損失材料を含む前記少なくとも1本の溝の部分の開始端と終端の間で振幅が少なくとも20dB減衰する閉じた低速波構造を形成すべく含む工程。
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