JP7265945B2 - Base film for dicing - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウェハ又は半導体パッケージをチップ状にダイシングする際に、それらに貼着して固定し使用される、ダイシング用基体フィルムに関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a dicing substrate film that is used by adhering and fixing a semiconductor wafer or a semiconductor package into chips when dicing them.

半導体チップを製造する方法として、半導体ウェハを予め大面積で製造し、次いでその半導体ウェハをチップ状にダイシング(切断分離)し、最後にダイシングされたチップをピックアッップする方法がある。 As a method of manufacturing semiconductor chips, there is a method of manufacturing a semiconductor wafer with a large area in advance, then dicing (cutting and separating) the semiconductor wafer into chips, and finally picking up the diced chips.

半導体パッケージ(チップ型パッケージ)は、半導体ウェハに、ポリイミドコート、配線形成、ポスト形成、レジン封止、レジン研磨、端子形成と順次パッケージ処理を施した後、最後に個々のチップに切り分けることにより作製される。半導体パッケージは、一般に、半導体チップをガラスエポキシ基板又はリードフレームにボンディングし、パッケージモールド樹脂にて一括モールドした後、硬化したものを、半導体加工用テープに貼り付け固定し、ダイシングブレードによりダイシングされる(特許文献1及び2)。 A semiconductor package (chip type package) is manufactured by subjecting a semiconductor wafer to polyimide coating, wiring formation, post formation, resin encapsulation, resin polishing, and terminal formation in sequence, and finally cutting it into individual chips. be done. A semiconductor package is generally manufactured by bonding a semiconductor chip to a glass epoxy substrate or a lead frame, collectively molding with a package mold resin, and then affixing the hardened product to a semiconductor processing tape and dicing it with a dicing blade. (Patent Documents 1 and 2).

特開2012-119468JP 2012-119468 特許第5053455号Patent No. 5053455

本発明は、ダイシングする際に、切削屑の発生が良好に抑えられ、及び、切削溝のサイドの変形(バンク)の発生が良好に抑えられたダイシング用基体フィルムを提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a substrate film for dicing in which the generation of shavings is well suppressed and the occurrence of deformation (bank) on the side of a cut groove is well suppressed during dicing. .

本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を行った。 The present inventor has conducted extensive research to solve the above problems.

本発明者は、特定のダイシング用基体フィルムが、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。 The present inventors have found that a specific base film for dicing can solve the above problems, and have completed the present invention.

本発明は、下記のダイシング用基体フィルムを提供する。 The present invention provides the following base film for dicing.

項1.
ダイシング用基体フィルムであって、
該ダイシング用基体フィルムは、少なくとも、A層/B層の順に積層されており、
前記A層は、ダイシングされる側であり、メチルメタクリレート・アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン(MABS)樹脂及びポリオレフィン系樹脂を含む樹脂組成物からなり、
前記B層は、ポリオレフィン系樹脂及び/又はビニル芳香族炭化水素系樹脂を含む樹脂組成物からなる、
ダイシング用基体フィルム。
Section 1.
A base film for dicing,
The base film for dicing is laminated at least in the order of A layer/B layer,
The A layer is the side to be diced, and is made of a resin composition containing methyl methacrylate-acrylonitrile-butadiene-styrene (MABS) resin and polyolefin resin,
The layer B is made of a resin composition containing a polyolefin resin and/or a vinyl aromatic hydrocarbon resin,
Base film for dicing.

項2.前記A層は、更にビニル芳香族系樹脂を含む、前記項1に記載のダイシング用基体フィルム。 Section 2. 2. The base film for dicing according to item 1, wherein the layer A further contains a vinyl aromatic resin.

項3.
表面に位置する層は、帯電防止剤を含む、前記項1又は2に記載のダイシング用基体フィルム。
Item 3.
3. The substrate film for dicing according to item 1 or 2, wherein the layer located on the surface contains an antistatic agent.

項4.
半導体パッケージをダイシングする工程において使用される、前記項1~3のいずれかに記載のダイシング用基体フィルム。
Section 4.
4. The base film for dicing according to any one of items 1 to 3, which is used in a step of dicing a semiconductor package.

本発明のダイシング用基体フィルムは、ダイシングする際に、切削屑の発生が良好に抑えられ、及び、切削溝のサイドの変形(バンク)の発生が良好に抑えられたダイシング用基体フィルムである。 The base film for dicing of the present invention is a base film for dicing that satisfactorily suppresses the generation of shavings during dicing and satisfactorily suppresses the occurrence of deformation (bank) on the sides of cut grooves.

本発明は、ダイシング用基体フィルムに関する。 The present invention relates to a base film for dicing.

本発明は、更に、半導体パッケージをダイシングする工程において使用される、ダイシング用基体フィルムに関する。 The present invention further relates to a dicing substrate film used in the process of dicing semiconductor packages.

(1)ダイシング用基体フィルム
本発明のダイシング用基体フィルムは、少なくとも、A層/B層の順に積層されている。
(1) Base film for dicing The base film for dicing of the present invention is laminated at least in the order of A layer/B layer.

本発明のダイシング用基体フィルムにおいて、前記A層は、ダイシングされる側である。 In the base film for dicing of the present invention, the layer A is the side to be diced.

本発明のダイシング用基体フィルムにおいて、前記A層は、メチルメタクリレート・アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン(MABS)樹脂及びポリオレフィン系樹脂を含む樹脂組成物からなる。 In the base film for dicing of the present invention, the layer A is made of a resin composition containing a methyl methacrylate-acrylonitrile-butadiene-styrene (MABS) resin and a polyolefin resin.

本発明のダイシング用基体フィルムにおいて、前記A層は、更にビニル芳香族炭化水素系樹脂を含んでもよい。 In the base film for dicing of the present invention, the layer A may further contain a vinyl aromatic hydrocarbon resin.

本発明のダイシング用基体フィルムにおいて、前記B層は、ポリオレフィン系樹脂及び/又はビニル芳香族炭化水素系樹脂を含む樹脂組成物からなる。 In the base film for dicing of the present invention, the layer B is made of a resin composition containing a polyolefin resin and/or a vinyl aromatic hydrocarbon resin.

本発明のダイシング用基体フィルムにおいて、表面に位置する層は、帯電防止剤を含むことが好ましい。 In the base film for dicing of the present invention, the layer located on the surface preferably contains an antistatic agent.

本発明のダイシング用基体フィルムは、半導体パッケージをダイシングする工程において使用されることが好ましい。 The dicing base film of the present invention is preferably used in a step of dicing a semiconductor package.

以下、本発明のダイシング用基体フィルムを構成する各層について詳細に説明する。 Each layer constituting the base film for dicing of the present invention will be described in detail below.

(1-1)A層
本発明のダイシング用基体フィルムにおいて、A層は、メチルメタクリレート・アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン(MABS)樹脂及びポリオレフィン(PO)系樹脂を含む樹脂組成物からなる。
(1-1) Layer A In the base film for dicing of the present invention, the layer A is made of a resin composition containing a methyl methacrylate-acrylonitrile-butadiene-styrene (MABS) resin and a polyolefin (PO) resin.

本発明のダイシング用基体フィルムにおいて、A層は、ダイシングされる側であり、ダイシングフィルムとした場合に、粘着剤層と接する層となる。 In the base film for dicing of the present invention, the layer A is the side to be diced, and when it is made into a dicing film, it is the layer in contact with the pressure-sensitive adhesive layer.

本発明のダイシング用基体フィルムでは、A層が、MABS樹脂及びPO系樹脂を含む樹脂組成物からなることで、ダイシングする際に、切削屑の発生が良好に抑えられ、ダイシングした溝のサイドが変形(バンク)しないか、変形が良好に抑えられるという効果を発揮する。 In the base film for dicing of the present invention, the A layer is made of a resin composition containing a MABS resin and a PO-based resin. It exhibits the effect of not deforming (banking) or suppressing the deformation satisfactorily.

メチルメタクリレート・アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン(MABS)樹脂
MABS(Methyl Methacrylate-Acrylonitrile-Butadiene-Styrene、メチルメタクリレート・アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン)樹脂は、透明ABS樹脂とも言われ、通常ABS(アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン)にメチルメタクリレート成分が加わった樹脂である。
Methyl methacrylate acrylonitrile butadiene styrene (MABS) resin
MABS (Methyl Methacrylate-Acrylonitrile-Butadiene-Styrene, methyl methacrylate-acrylonitrile-butadiene-styrene) resin is also called transparent ABS resin, and is usually a resin obtained by adding a methyl methacrylate component to ABS (acrylonitrile-butadiene-styrene).

前記透明ABS樹脂は、メチルメタクリレートで変性され、特定のゴム粒径及びその割合によって透明性を達成したものである。かかる透明ABS樹脂は、メチルメタクリレートモノマーをアクリロニトリルやスチレンと共に共重合したもの、及び高ゴム含量のABS共重合体を、MAS共重合体(メチルメタクリレート・アクリロニトリル・スチレン共重合体)に均一に溶融混合したもの等を挙げることができる。 The transparent ABS resin is modified with methyl methacrylate and achieves transparency by specific rubber particle size and its ratio. Such transparent ABS resins are obtained by copolymerizing methyl methacrylate monomer with acrylonitrile and styrene, and by uniformly melting and mixing high rubber content ABS copolymer with MAS copolymer (methyl methacrylate-acrylonitrile-styrene copolymer). and the like.

本発明のダイシング用基体フィルムでは、A層(層を構成する樹脂組成物)が、MABS樹脂を含むことで、ダイシングする際に、切削屑の発生が良好に抑えられ、ダイシングした溝のサイドが変形(バンク)しないか、変形が良好に抑えられるという効果を発揮する。 In the base film for dicing of the present invention, the layer A (the resin composition that constitutes the layer) contains MABS resin, so that the generation of shavings is well suppressed during dicing, and the side of the diced groove is It exhibits the effect of not deforming (banking) or suppressing the deformation satisfactorily.

本発明のダイシング用基体フィルムでは、MABS樹脂は、メチルメタクリレート(M)単位が48重量%~70重量%程度、アクリロニトリル(A)単位が1重量%~5重量%程度、ブタジエン(B)単位が2重量%~20重量%程度、及びスチレン(S)単位が25重量%~50重量%程度からなることが好ましい。 In the base film for dicing of the present invention, the MABS resin contains about 48% to 70% by weight of methyl methacrylate (M) units, about 1% to 5% by weight of acrylonitrile (A) units, and about 1% to 5% by weight of butadiene (B) units. It is preferable that the content is about 2% to 20% by weight and the styrene (S) unit is about 25% to 50% by weight.

MABSの密度は、1,000Kg/m3~1,200Kg/m3程度が好ましく、1,050Kg/m3~1,150Kg/m3程度がより好ましい。MABSの密度はISO 1183-1:2004に準拠して求めたものである。 The density of MABS is preferably about 1,000 Kg/m 3 to 1,200 Kg/m 3 , more preferably about 1,050 Kg/m 3 to 1,150 Kg/m 3 . Density of MABS was determined according to ISO 1183-1:2004.

MABSのISO 1133に準拠した温度200℃、荷重49Nで測定したMFR(メルトフローレート)は、1.0g/10分~10.0g/10分程度が好ましく、1.5g/10分~5.5g/10分程度がより好ましい。MABSのMFRを上記範囲とすることで、安定した製膜が可能となる。 The MFR (melt flow rate) measured at a temperature of 200°C and a load of 49 N in accordance with MABS ISO 1133 is preferably 1.0 g/10 minutes to 10.0 g/10 minutes, and 1.5 g/10 minutes to 5.5 g/10 minutes. degree is more preferred. By setting the MFR of MABS within the above range, stable film formation becomes possible.

ポリオレフィン(PO)系樹脂
本発明のダイシング用基体フィルムでは、A層(層を構成する樹脂組成物)が、PO系樹脂を含むことで、ダイシングする際に、切削屑の発生が良好に抑えられ、ダイシングした溝のサイドが変形(バンク)しないか、変形が良好に抑えられるという効果を発揮する。本発明のダイシング用基体フィルムでは、A層が、PO系樹脂を含むことで、硬過ぎることなく、ダイシング工程時に、チップの欠けや飛びが発生しないという効果を発揮する。
Polyolefin (PO)-Based Resin In the base film for dicing of the present invention, the layer A (the resin composition constituting the layer) contains a PO-based resin, so that the generation of shavings during dicing can be suppressed satisfactorily. , the side of the diced groove is not deformed (banked), or the deformation is well suppressed. In the base film for dicing of the present invention, since the layer A contains a PO-based resin, it is not too hard, and chipping and chipping do not occur during the dicing process.

本発明のダイシング用基体フィルムでは、A層が、PO系樹脂を含むことで、ダイシング工程時に、半導体ウェハや半導体パッケージ(チップ)の欠けや飛びは発生しない、ダイシング工程が精度良く行われ、半導体ウェハや半導体パッケージウェハは割れないという効果を発揮する。 In the base film for dicing of the present invention, since the A layer contains a PO-based resin, chipping or flying of the semiconductor wafer or semiconductor package (chip) does not occur during the dicing process. It has the effect of not breaking wafers and semiconductor package wafers.

PO系樹脂としては、好ましくは、例えば、分岐鎖状低密度ポリエチレン(LDPE)、直鎖状低密度ポリエチレン(LLDPE)、高密度ポリエチレン等のポリエチレン(PE)系樹脂、ポリプロピレン(PP)等のポリプロピレン(PP)系樹脂、プロピレン-α-オレフィン共重合体等が例示され、1種類を用いることや、又は2種類以上を適宜組合せて用いることができる。又はこれらの混合物を例示することができる。 PO-based resins are preferably, for example, branched low-density polyethylene (LDPE), linear low-density polyethylene (LLDPE), polyethylene (PE)-based resins such as high-density polyethylene, and polypropylenes such as polypropylene (PP). (PP)-based resins, propylene-α-olefin copolymers, and the like are exemplified, and one type can be used, or two or more types can be used in combination as appropriate. Or a mixture thereof can be exemplified.

前記α-オレフィンとしては、好ましくは、炭素数2以上(但し、炭素数3は除く)のα-オレフィンを挙げることができ、より好ましくは、例えば、エチレン、1-ブテン、1-ペンテン、1-ヘキセン、1-オクテン、1-デセン等が例示できる。これらのα-オレフィンは、前記成分の中から、1種類を用いることや、又は2種類以上を適宜組合せて用いることができる。 Examples of the α-olefin preferably include α-olefins having 2 or more carbon atoms (excluding carbon atoms of 3), and more preferably, for example, ethylene, 1-butene, 1-pentene, 1 -Hexene, 1-octene, 1-decene and the like can be exemplified. These α-olefins can be used singly or in combination of two or more of the above components.

PE系樹脂としては、エチレン単独重合体、エチレンと炭素数3~8のオレフィン単量体との共重合体、又は、エチレンと(メタ)アクリル酸アルキルエステル系単量体との共重合体である、ことが好ましい。 Ethylene homopolymers, copolymers of ethylene and C3-8 olefin monomers, or copolymers of ethylene and (meth)acrylic acid alkyl ester monomers can be used as PE resins. Yes, preferably.

PE系樹脂は、ポリエチレン単位を主成分としてなる高分子であれば良く、例えば、エチレン単独重合体(エチレンホモポリマー)、エチレンと炭素数3~8のオレフィン単量体との共重合体、又は、エチレンと(メタ)アクリル酸アルキルエステル系単量体との共重合体等を好適に用いることができる。 The PE resin may be a polymer mainly composed of polyethylene units, such as an ethylene homopolymer (ethylene homopolymer), a copolymer of ethylene and an olefin monomer having 3 to 8 carbon atoms, or , copolymers of ethylene and (meth)acrylic acid alkyl ester monomers, and the like can be suitably used.

PE系樹脂として共重合体を用いる時は、ポリエチレン単位を80重量%以上含有しているものが好ましく、90重量%以上含有しているものがより好ましい。 When a copolymer is used as the PE resin, it preferably contains 80% by weight or more of polyethylene units, more preferably 90% by weight or more.

PE系樹脂の中でも、分岐鎖状低密度ポリエチレン(LDPE)、直鎖状低密度ポリエチレン(LLDPE)、エチレン-酢酸ビニル共重合体(EVA)、エチレン-メチルアクリレート共重合体(EMA)、エチレン-エチルアクリレート共重合体、エチレン-ブチルアクリレート共重合体、エチレン-メチルメタクリレート共重合体(EMMA)及びエチレン-メタクリル酸共重合体(EMAA)が好ましい。このうち、特に、LDPE、LLDPE等が好適である。PE系樹脂は、これら1種の成分を用いることができ、2種以上の成分を用いることもできる。 Among PE resins, branched low density polyethylene (LDPE), linear low density polyethylene (LLDPE), ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ethylene-methyl acrylate copolymer (EMA), ethylene- Ethyl acrylate copolymers, ethylene-butyl acrylate copolymers, ethylene-methyl methacrylate copolymers (EMMA) and ethylene-methacrylic acid copolymers (EMAA) are preferred. Among these, LDPE, LLDPE, etc. are particularly suitable. One of these components can be used for the PE-based resin, and two or more components can also be used.

LDPEの密度は、915Kg/m3~937Kg/m3程度が好ましく、917Kg/m3~935Kg/m3程度がより好ましい。LDPEの密度はISO 1183-1:2004に準拠して求めたものである。 The density of LDPE is preferably about 915 Kg/m 3 to 937 Kg/m 3 , more preferably about 917 Kg/m 3 to 935 Kg/m 3 . LDPE densities are determined according to ISO 1183-1:2004.

LDPEの融点は、100℃~130℃程度が好ましい。 The melting point of LDPE is preferably about 100°C to 130°C.

LDPEのISO 1133に準拠した温度190℃、荷重21.18Nで測定したMFR(メルトフローレート)は、0.3g/10分~20g/10分程度が好ましく、0.5g/10分~10g/10分程度がより好ましい。LDPEのMFRを上記範囲とすることで、安定した製膜が可能となる。 The MFR (melt flow rate) measured at a temperature of 190°C and a load of 21.18N in accordance with ISO 1133 of LDPE is preferably about 0.3g/10 minutes to 20g/10 minutes, and about 0.5g/10 minutes to 10g/10 minutes. is more preferred. By setting the MFR of LDPE within the above range, stable film formation is possible.

PP系樹脂としては、プロピレン単独重合体(ホモPP)、又はプロピレンとそれ以外のα-オレフィンとの共重合体(ランダムコポリマーPP、ブロックコポリマーPP)を例示できる。 Examples of PP-based resins include propylene homopolymers (homo PP) and copolymers of propylene and other α-olefins (random copolymer PP, block copolymer PP).

前記プロピレン以外のα-オレフィンとしては、例えば、炭素数2~20のプロピレン以外のα-オレフィンを挙げることができる。具体的には、例えば、エチレン、1-ブテン、1-ペンテン、1-ヘキセン、4-メチル-1-ペンテン、3-メチル-1-ペンテン、1-オクテン、3-メチル-1-ブテン、1-デセン、1-ドデセン、1-テトラデセン、1-ヘキサデセン、1-オクタデセン、1-エイコセン、シクロペンテン、シクロヘプテン、ノルボルネン、5-エチル-2-ノルボルネン、テトラシクロドデセン、2-エチル-1,4,5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロナフタレンが挙げられる。この中、炭素数2~4の、例えば、エチレン、ブテンが好ましく、エチレンがより好ましい。これらプロピレン以外のα-オレフィンは、1種であっても、2種以上の併用であってもよい。 Examples of the α-olefin other than propylene include α-olefins other than propylene having 2 to 20 carbon atoms. Specifically, for example, ethylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 4-methyl-1-pentene, 3-methyl-1-pentene, 1-octene, 3-methyl-1-butene, 1 -decene, 1-dodecene, 1-tetradecene, 1-hexadecene, 1-octadecene, 1-eicosene, cyclopentene, cycloheptene, norbornene, 5-ethyl-2-norbornene, tetracyclododecene, 2-ethyl-1,4, 5,8-dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphthalene. Among them, those having 2 to 4 carbon atoms, such as ethylene and butene, are preferred, and ethylene is more preferred. These α-olefins other than propylene may be used singly or in combination of two or more.

プロピレンとそれ以外のα-オレフィンとの共重合体は、具体的には、例えば、プロピレン-エチレン共重合体、プロピレン-ブテン共重合体、プロピレン-エチレン-ブテン共重合体等を挙げることができる。この中、プロピレン-エチレン共重合体、プロピレン-エチレン-ブテン共重合体が好ましく、プロピレン-エチレン共重合体がより好ましい。 Specific examples of copolymers of propylene and other α-olefins include propylene-ethylene copolymers, propylene-butene copolymers, and propylene-ethylene-butene copolymers. . Among these, propylene-ethylene copolymers and propylene-ethylene-butene copolymers are preferred, and propylene-ethylene copolymers are more preferred.

プロピレンとそれ以外のα-オレフィンとの共重合体として、プロピレンとエチレンとのランダムコポリマーPP、ホモポリプロピレン(ホモPP)及びポリエチレン(PE)を含むブロックコポリマーPP等が好ましい。 As copolymers of propylene and other α-olefins, random copolymer PP of propylene and ethylene, block copolymer PP containing homopolypropylene (homoPP) and polyethylene (PE), and the like are preferable.

PPの密度は、850Kg/m3~950Kg/cm3程度が好ましく、860Kg/m3~920Kg/m3程度がより好ましい。PPの密度はISO 1183-1:2004に準拠して求めたものである。 The density of PP is preferably about 850 Kg/m 3 to 950 Kg/cm 3 , more preferably about 860 Kg/m 3 to 920 Kg/m 3 . Density of PP was determined according to ISO 1183-1:2004.

PPの融点は、120℃~160℃程度が好ましい。 The melting point of PP is preferably about 120°C to 160°C.

PPのISO 1133に準拠した温度230℃、荷重21.18Nで測定したMFR(メルトフローレート)は、1.0g/10分~15.0g/10分程度が好ましく、4.0g/10分~13.0g/10分程度がより好ましい。PPのMFRを上記範囲とすることで、安定した製膜が可能となる。 The MFR (melt flow rate) of PP measured at a temperature of 230°C and a load of 21.18N according to ISO 1133 is preferably about 1.0g/10 minutes to 15.0g/10 minutes, and 4.0g/10 minutes to 13.0g/10 minutes. Minutes are more preferred. By setting the MFR of PP within the above range, stable film formation becomes possible.

ビニル芳香族炭化水素系樹脂
本発明のダイシング用基体フィルムでは、A層(層を構成する樹脂組成物)は、ビニル芳香族炭化水素系樹脂を含んでも良い。本発明のダイシング用基体フィルムでは、ビニル芳香族炭化水素系樹脂は、A層に含まれるMABS樹脂とPO系樹脂との間で、相溶化剤として機能する。
Vinyl Aromatic Hydrocarbon Resin In the base film for dicing of the present invention, the layer A (resin composition constituting the layer) may contain a vinyl aromatic hydrocarbon resin. In the base film for dicing of the present invention, the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin functions as a compatibilizer between the MABS resin and the PO-based resin contained in the A layer.

本発明のダイシング用基体フィルムでは、A層は、ビニル芳香族炭化水素系樹脂ビニル芳香族炭化水素系樹脂として、ビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体の水素添加物、ビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体、ビニル芳香族炭化水素と脂肪族不飽和カルボン酸エステルとの共重合体等を用いることが好ましく、ビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体の水素添加物を用いることが特に好ましい。 In the base film for dicing of the present invention, the layer A is a vinyl aromatic hydrocarbon-based resin as a vinyl aromatic hydrocarbon-based resin, a hydrogenated product of a copolymer of a vinyl aromatic hydrocarbon and a conjugated diene hydrocarbon, a vinyl It is preferable to use a copolymer of an aromatic hydrocarbon and a conjugated diene hydrocarbon, a copolymer of a vinyl aromatic hydrocarbon and an aliphatic unsaturated carboxylic acid ester, or the like. It is particularly preferred to use a hydrogenated product of a copolymer with.

ビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体の水素添加物として、スチレン系単量体とジエン系単量体とのランダム共重合体の水素添加物や、スチレン系単量体とジエン系単量体とのブロック共重合体の水素添加物がある。これらを水添ランダム共重合体や水添ブロック共重合体とも呼ぶ。本発明のダイシング用基体フィルムでは、柔軟性、透明性等の点から、ランダム共重合体が好適である。 As a hydrogenated product of a copolymer of a vinyl aromatic hydrocarbon and a conjugated diene hydrocarbon, a hydrogenated product of a random copolymer of a styrene-based monomer and a diene-based monomer, and a styrene-based monomer and There are hydrogenated products of block copolymers with diene monomers. These are also called hydrogenated random copolymers or hydrogenated block copolymers. A random copolymer is suitable for the base film for dicing of the present invention in terms of flexibility, transparency, and the like.

水添ランダム共重合体は、具体例として、式:-CH(C6H5)CH2-で示されるスチレン系単量体単位と、式:-CH2CH2CH2CH2-で示されるエチレン単位と、式:-CH(C2H5)CH2-で示されるブチレン単位とがランダムに結合している。 Specific examples of the hydrogenated random copolymer include a styrene - based monomer unit represented by the formula: -CH( C6H5 ) CH2- and a formula: -CH2CH2CH2CH2- . ethylene units and butylene units represented by the formula: -CH( C2H5 ) CH2- are randomly bonded.

水添ブロック共重合体は、該共重合体の一端又は両末端にビニル芳香族炭化水素由来のブロックセグメントを有し、更に共役ジエン炭化水素由来のブロックセグメントを有するもの、或いはこれらをブレンドしたものの水素添加物等が挙げられる。ブロック共重合体、或いは水添ブロック共重合体は、具体例として、該共重合体の一端に、式:-CH(C6H5)CH2-で示されるスチレン系単量体由来のブロックセグメントを有し、その中程に、式:-CH2CH2CH2CH2-で示されるエチレン単位、及び/又は、式:-CH(C2H5)CH2-で示されるブチレン単位を含むブロックセグメントを有する。ブロック共重合体、或いは水添ブロック共重合体は、具体例として、該共重合体の他端に、式:-CH2CH2CH2CH2-で示されるエチレン単位を含むセグメントを有する。 The hydrogenated block copolymer has a vinyl aromatic hydrocarbon-derived block segment at one end or both ends of the copolymer, and further has a conjugated diene hydrocarbon-derived block segment, or a blend thereof. A hydrogen additive etc. are mentioned. As a specific example of the block copolymer or hydrogenated block copolymer, at one end of the copolymer, a block derived from a styrene-based monomer represented by the formula: -CH( C6H5 ) CH2- segments, in the middle of which are ethylene units of the formula -CH2CH2CH2CH2- and /or butylene units of the formula -CH( C2H5 ) CH2- has a block segment containing The block copolymer or hydrogenated block copolymer has, as a specific example, a segment containing an ethylene unit represented by the formula: -CH2CH2CH2CH2- at the other end of the copolymer .

本発明のダイシング用基体フィルムでは、A層は、ビニル芳香族炭化水素系樹脂ビニル芳香族炭化水素系樹脂として、水添ブロック共重合体として、スチレン・エチレンブチレン・オレフィン結晶のブロックコポリマー(SEBC)やスチレン・エチレンブチレン・スチレンのブロックコポリマー(SEBS)を用いることが特に好ましい。 In the base film for dicing of the present invention, layer A comprises a vinyl aromatic hydrocarbon resin as a vinyl aromatic hydrocarbon resin and a hydrogenated block copolymer as a block copolymer of styrene/ethylene butylene/olefin crystals (SEBC). and styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymers (SEBS) are particularly preferred.

ビニル芳香族炭化水素系樹脂(SEBS等)の密度は、850Kg/m3~1,100Kg/m3程度が好ましく、900Kg/m3~1,050Kg/m3程度がより好ましい。ビニル芳香族炭化水素系樹脂の密度はISO 1183-1:2004に準拠して求めたものである。 The density of the vinyl aromatic hydrocarbon resin (SEBS, etc.) is preferably about 850 Kg/m 3 to 1,100 Kg/m 3 , more preferably about 900 Kg/m 3 to 1,050 Kg/m 3 . The density of the vinyl aromatic hydrocarbon resin is determined according to ISO 1183-1:2004.

ビニル芳香族炭化水素系樹脂(SEBS等)のISO 1133に準拠した温度230℃、荷重21.18Nで測定したMFR(メルトフローレート)は、1.0g/10分~20.0g/10分程度が好ましく、3.0g/10分~15.0g/10分程度がより好ましい。ビニル芳香族炭化水素系樹脂のMFRを上記範囲とすることで、安定した製膜が可能となる。 The MFR (melt flow rate) of vinyl aromatic hydrocarbon resin (SEBS, etc.) measured at a temperature of 230°C and a load of 21.18N according to ISO 1133 is preferably about 1.0g/10 minutes to 20.0g/10 minutes. About 3.0 g/10 minutes to 15.0 g/10 minutes is more preferable. By setting the MFR of the vinyl aromatic hydrocarbon resin within the above range, stable film formation is possible.

帯電防止剤
本発明のダイシング用基体フィルムにおいて、例えばA層等、表面に位置する層(層を構成する樹脂組成物)は、帯電防止剤を含むことが好ましい。
Antistatic Agent In the substrate film for dicing of the present invention, the layer located on the surface (resin composition constituting the layer) such as layer A preferably contains an antistatic agent.

本発明のダイシング用基体フィルムでは、表面に位置する層は、帯電防止剤を含むので、半導体チップを剥離する際に、剥離帯電が生じず、チップの回路が破損しないという効果を発揮する。 In the base film for dicing of the present invention, since the layer located on the surface contains an antistatic agent, when the semiconductor chip is peeled off, the peeling electrification does not occur and the circuit of the chip is not damaged.

本発明のダイシング用基体フィルムでは、帯電防止剤として、ポリエーテルエステルアミド樹脂(PEEA樹脂)及び親水性ポリオレフィン樹脂(親水性PO樹脂)からなる群から選ばれる少なくとも1種の成分を用いることが好ましい。 In the base film for dicing of the present invention, it is preferable to use at least one component selected from the group consisting of polyetheresteramide resin (PEEA resin) and hydrophilic polyolefin resin (hydrophilic PO resin) as an antistatic agent. .

帯電防止剤の含有量は、層中(層を構成する樹脂組成物中)に、MABS樹脂及びPO系樹脂100重量部に対して、又は、MABS樹脂、PO系樹脂及びビニル芳香族炭化水素系樹脂100重量部に対して、10重量部~30重量部程度好ましく、15重量部~25重量部程度がより好ましい。帯電防止剤を前記範囲で配合することにより、本発明のフィルムの特性を損なうことなく、有効に、発生する静電気を素早く除電することができる。 The content of the antistatic agent in the layer (in the resin composition constituting the layer) is based on 100 parts by weight of MABS resin and PO resin, or MABS resin, PO resin and vinyl aromatic hydrocarbon About 10 parts by weight to 30 parts by weight is preferable, and about 15 parts by weight to 25 parts by weight is more preferable with respect to 100 parts by weight of the resin. By blending the antistatic agent within the above range, the generated static electricity can be effectively and quickly eliminated without impairing the properties of the film of the present invention.

ポリエステルエーテルアミド樹脂(PEEA樹脂)
ポリエーテルエステルアミド樹脂(PEEA樹脂)は、親水性付与の主たるユニット成分であるポリエーテルエステルと、ポリアミドユニットとから構成されるポリマーである。PEEA樹脂は、市販されているものも用いることや、公知の方法で容易に製造することができる。PEEA樹脂として、例えば、三洋化成工業株式会社のペレスタットNC6321等が例示される。
Polyester ether amide resin (PEEA resin)
A polyether ester amide resin (PEEA resin) is a polymer composed of a polyether ester, which is a main unit component for imparting hydrophilicity, and a polyamide unit. As the PEEA resin, a commercially available one can be used, or it can be easily produced by a known method. Examples of PEEA resins include Perestat NC6321 manufactured by Sanyo Chemical Industries, Ltd., and the like.

PEEA樹脂は、例えば、主鎖中にエーテル基を有するポリジオール成分にジカルボン酸成分を反応させて末端エステルに変え、これにアミノカルボン酸又はラクタムを反応させて製造することできる。本発明のダイシング用基体フィルムでは、PEEA樹脂は、アクリル系樹脂との相溶性が良く、ブリードアウトするような現象は一切ないことから、好ましく用いることができる。 A PEEA resin can be produced, for example, by reacting a polydiol component having an ether group in the main chain with a dicarboxylic acid component to convert it into a terminal ester, which is then reacted with an aminocarboxylic acid or a lactam. In the base film for dicing of the present invention, the PEEA resin can be preferably used because it has good compatibility with the acrylic resin and does not cause any phenomenon such as bleeding out.

親水性ポリオレフィン樹脂(ポリエーテル/ポリオレフィンブロック共重合体)
本発明のダイシング用基体フィルムでは、親水性PO樹脂(ポリエーテル/ポリオレフィンブロック共重合体)として、例えば、親水性ポリエチレン(親水性PE)、親水性ポリプロピレン(親水性PP)等を、少なくとも1種の成分を、好ましく用いることができる。
Hydrophilic polyolefin resin (polyether/polyolefin block copolymer)
In the base film for dicing of the present invention, at least one kind of hydrophilic PO resin (polyether/polyolefin block copolymer), for example, hydrophilic polyethylene (hydrophilic PE), hydrophilic polypropylene (hydrophilic PP), etc. can be preferably used.

親水性PE及び親水性PP樹脂は、基本的にはポリエチレン鎖又はポリプロピレン鎖とポリオキシアルキレン鎖とがブロック結合したものである。親水性PE及び親水性PPは、高い除電作用が発揮されるので、静電気の蓄積をなくすことができる。前記ブロック結合は、エステル基、アミド基、エーテル基、ウレタン基等によって行われている。本発明のダイシング用基体フィルムでは、フィルム樹脂との相溶性の点から、前記ブロック結合は、エステル基又はエーテル基であることが好ましい。 Hydrophilic PE and hydrophilic PP resins are basically block-bonded polyethylene or polypropylene chains and polyoxyalkylene chains. Hydrophilic PE and hydrophilic PP can eliminate the accumulation of static electricity because they exhibit high static elimination action. The block bond is formed by an ester group, an amide group, an ether group, a urethane group, or the like. In the base film for dicing of the present invention, the block bond is preferably an ester group or an ether group from the viewpoint of compatibility with the film resin.

ポリエーテル/ポリオレフィンブロック共重合体として、例えば、三洋化成工業株式会社のペレスタット、ペレクトロン等が例示される。 Examples of polyether/polyolefin block copolymers include Perestat and Pelectron manufactured by Sanyo Chemical Industries, Ltd.

A層の樹脂組成
本発明のダイシング用基体フィルムにおいて、A層の樹脂組成物は、MABS樹脂を含み、MABS樹脂を5重量%~70重量%程度含むことが好ましく、10重量%~50重量%程度含むことがより好ましく、15重量%~30重量%程度含むことが更に好ましい。
Resin composition of layer A In the base film for dicing of the present invention, the resin composition of layer A contains a MABS resin, preferably about 5 wt% to 70 wt%, more preferably 10 wt% to 50 wt%. It is more preferable to contain about 15% by weight to 30% by weight.

本発明のダイシング用基体フィルムにおいて、A層の樹脂組成物は、PO系樹脂を含み、PO系樹脂を95重量%~30重量%程度含むことが好ましく、90重量%~50重量%程度含むことがより好ましく、85重量%~70重量%程度含むことが更に好ましい。 In the base film for dicing of the present invention, the resin composition of the A layer contains a PO-based resin, preferably about 95% to 30% by weight, more preferably about 90% to 50% by weight, of the PO-based resin. is more preferable, and it is even more preferable to contain about 85% by weight to 70% by weight.

本発明のダイシング用基体フィルムにおいて、A層に含まれるMABS樹脂及びPO系樹脂を、前記範囲の配合組成とすることにより、ダイシングする際に、切削屑の発生が良好に抑えられ、ダイシングした溝のサイドが変形(バンク)しないか、変形が良好に抑えられるという効果を発揮する。 In the base film for dicing of the present invention, the MABS resin and the PO-based resin contained in the A layer have a compounding composition within the above range, so that the generation of cutting waste is suppressed well during dicing, and the diced groove The side of the is not deformed (banked), or the deformation is suppressed satisfactorily.

本発明のダイシング用基体フィルムにおいて、A層の樹脂組成物は、更にビニル芳香族炭化水素系樹脂(SEBS樹脂等)を含む場合、MABS樹脂5重量%~70重量%、PO系樹脂10重量%~90重量%、ビニル芳香族炭化水素系樹脂を5重量%~20重量%程度含むことが好ましく、MABS樹脂10重量%~50重量%、PO系樹脂35重量%~83重量%、ビニル芳香族炭化水素系樹脂を7重量%~15重量%程度含むことがより好ましく、MABS樹脂15重量%~30重量%、PO系樹脂58重量%~76重量%、ビニル芳香族炭化水素系樹脂を9重量%~12重量%程度含むことが更に好ましい。 In the base film for dicing of the present invention, when the resin composition of the layer A further contains a vinyl aromatic hydrocarbon resin (SEBS resin, etc.), the MABS resin is 5% to 70% by weight and the PO resin is 10% by weight. ~90% by weight, preferably containing 5% to 20% by weight of vinyl aromatic hydrocarbon resin, 10% to 50% by weight of MABS resin, 35% to 83% by weight of PO resin, vinyl aromatic It is more preferable to contain about 7% to 15% by weight of hydrocarbon resin, 15% to 30% by weight of MABS resin, 58% to 76% by weight of PO resin, and 9% by weight of vinyl aromatic hydrocarbon resin. % to 12% by weight is more preferable.

(1-2)B層
本発明のダイシング用基体フィルムにおいて、B層は、ポリオレフィン(PO)系樹脂、アイオノマー樹脂、又はビニル芳香族炭化水素系樹脂を含む樹脂組成物からなる。
(1-2) Layer B In the base film for dicing of the present invention, the layer B is made of a resin composition containing a polyolefin (PO) resin, an ionomer resin, or a vinyl aromatic hydrocarbon resin.

上記アイオノマー樹脂は、オレフィンと不飽和カルボン酸とを構成単位とする共重合体である。オレフィンとしてはエチレン、プロピレン等が挙げられ、該不飽和カルボン酸として、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸オクチル等のメタクリル酸アルキルエステルを好ましく用いることができる。 The ionomer resin is a copolymer containing olefin and unsaturated carboxylic acid as structural units. Olefins include ethylene, propylene and the like, and unsaturated carboxylic acids include (meth)acrylic acid, propyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, hexyl (meth)acrylate, (meth)acrylic acid, Methacrylic acid alkyl esters such as octyl can be preferably used.

アイオノマー樹脂は、エチレンと、前記(メタ)アクリル酸を構成単位とする二元共重合体や、エチレン、前記(メタ)アクリル酸及び前記(メタ)アクリル酸アルキルエステルを構成単位とする三元共重合体が挙げられる。アイオノマー樹脂として、二元共重合体系アイオノマー樹脂、又は三元共重合体系アイオノマー樹脂中のカルボン酸の少なくとも一部を金属イオンで中和したものを好ましく用いることができる。 The ionomer resin is a binary copolymer having ethylene and the (meth)acrylic acid as structural units, or a ternary copolymer having ethylene, the (meth)acrylic acid and the (meth)acrylic acid alkyl ester as structural units. polymers. As the ionomer resin, a binary copolymer ionomer resin or a terpolymer ionomer resin in which at least part of the carboxylic acid is neutralized with metal ions can be preferably used.

ここで用いられる金属イオンは、二価の金属イオン、三価の金属イオン等が挙げられる。二価の金属イオンとしてはMg2+、Ca2+、Ba2+、Ni2+、Zn2+、Fe2+、Co2+、Sn2+、Pb2+、Mn2+等が挙げられ、三価の金属イオンとしてはAl3+、Fe3+、Cr3+等が挙げられる。 The metal ions used here include divalent metal ions, trivalent metal ions, and the like. Divalent metal ions include Mg 2+ , Ca 2+ , Ba 2+ , Ni 2+ , Zn 2+ , Fe 2+ , Co 2+ , Sn 2+ , Pb 2+ , Mn 2+ and the like. and trivalent metal ions such as Al 3+ , Fe 3+ , and Cr 3+ .

本発明のダイシング用基体フィルムにおいて、B層は、A層の隣に位置する層であり、チャックテーブル側に位置する層である。本発明のダイシング用基体フィルムにおいて、B層は、チャックテーブルと良好に密着し、ダイシング用基体フィルムは動かないという効果を発揮する。 In the base film for dicing of the present invention, the B layer is a layer located next to the A layer and located on the chuck table side. In the base film for dicing of the present invention, the B layer exhibits an effect that it adheres well to the chuck table and the base film for dicing does not move.

本発明のダイシング用基体フィルムにおいて、B層が表面に位置する時は、帯電防止剤を含むことが好ましい。 In the base film for dicing of the present invention, when the layer B is located on the surface, it preferably contains an antistatic agent.

本発明のダイシング用基体フィルムでは、更に、B層を挟んで、A層の反対面に位置する層(例えばC層)を設けても良い。C層は、B層で用いることができる樹脂組成物からなる。 In the base film for dicing of the present invention, a layer (for example, a C layer) may be provided on the opposite side of the A layer with the B layer interposed therebetween. The C layer is made of a resin composition that can be used in the B layer.

本発明のダイシング用基体フィルムにおいて、C層が表面に位置する時は、帯電防止剤を含むことが好ましい。 In the base film for dicing of the present invention, when the C layer is located on the surface, it preferably contains an antistatic agent.

本発明において、「表面に位置する層」とは、最外側の層のことをいう。 In the present invention, the term "layer located on the surface" refers to the outermost layer.

(1-3)ダイシング用基体フィルムの層構成
本発明のダイシング用基体フィルムは、少なくとも、A層/B層の順に積層されている。
(1-3) Layer structure of base film for dicing The base film for dicing of the present invention is laminated at least in the order of A layer/B layer.

本発明のダイシング用基体フィルムの全体の厚さとしては、50μm~300μm程度が好ましく、80μm~250μm程度がより好ましく、90μm~220μm程度が更に好ましい。ダイシング用基体フィルムの全体の厚さを50μm以上に設定することにより、半導体ウェハ又は半導体パッケージをチップ状にダイシングする際に、半導体ウェハ又は半導体パッケージを衝撃から保護することが可能となる。 The overall thickness of the base film for dicing of the present invention is preferably about 50 μm to 300 μm, more preferably about 80 μm to 250 μm, even more preferably about 90 μm to 220 μm. By setting the overall thickness of the dicing base film to 50 μm or more, it is possible to protect the semiconductor wafer or semiconductor package from impact when the semiconductor wafer or semiconductor package is diced into chips.

ダイシング用基体フィルムの具体例として、その全厚さが100μm~200μm程度の場合を説明する。 As a specific example of the base film for dicing, a case where the total thickness is about 100 μm to 200 μm will be described.

A層の厚さは、50μm~100μm程度が好ましく、60μm~80μm程度がより好ましく、65μm~75μm程度が更に好ましい。 The thickness of the layer A is preferably about 50 μm to 100 μm, more preferably about 60 μm to 80 μm, even more preferably about 65 μm to 75 μm.

B層の厚さは、10μm~80μm程度が好ましく、20μm~60μm程度がより好ましく、30μm~50μm程度が更に好ましい。 The thickness of the B layer is preferably about 10 μm to 80 μm, more preferably about 20 μm to 60 μm, even more preferably about 30 μm to 50 μm.

(2)半導体パッケージ用のダイシング用基体フィルム
本発明のダイシング用基体フィルムは、半導体パッケージをダイシングする工程において使用されるダイシング用基体フィルムであることが好ましい。
(2) Base film for dicing for semiconductor packages The base film for dicing of the present invention is preferably a base film for dicing used in the step of dicing semiconductor packages.

半導体パッケージをダイシングする工程において、従来のダイシングフィルム(PP単膜等)を使用してダイシングを行うと、切り屑が発生し易く、パッケージを汚染する可能性が有った。例えば、ダイシングブレードで、半導体パッケージを乗せた状態で、従来のダイシングフィルムを用いてダイシングすると多くの切り屑が生じていた。また、切り屑が多いものには、ダイシングフィルムをダイシングした溝のサイドに大きな変形(バンク)が見られた。つまり、ダイシングフィルムをダイシングした溝のサイドが盛り上がる現象が生じていた。その切り屑は半導体パッケージを汚染してしまう可能性が有った。そして、半導体パッケージが汚染されると、通電不良や、屑が挟まること等により、ピックアップミスが起こる可能性が有った。 In the process of dicing a semiconductor package, if a conventional dicing film (PP single film, etc.) is used for dicing, chips are likely to be generated and there is a possibility that the package will be contaminated. For example, when a dicing blade is used to dice a semiconductor package with a conventional dicing film, a large amount of chips are generated. In addition, large deformations (banks) were observed on the sides of the diced grooves of the dicing film in those with a large amount of chips. In other words, a phenomenon occurs in which the sides of the groove formed by dicing the dicing film swell. The chips could contaminate the semiconductor package. If the semiconductor package is contaminated, there is a possibility that a pick-up error may occur due to poor conduction, debris being caught, or the like.

本発明のダイシング用基体フィルムは、半導体パッケージをダイシングする工程において用いても、切り屑が発生しない基体フィルムである。また、本発明のダイシング用基体フィルムは、ダイシングフィルムをダイシングした溝のサイドが変形(バンク)しないか、小さな変形で済み、切り屑が少ない基体フィルムである。 The base film for dicing of the present invention is a base film that does not generate chips even when used in the process of dicing semiconductor packages. In addition, the base film for dicing of the present invention is a base film in which the side of the groove obtained by dicing the dicing film is not deformed (bank) or can be deformed to a small degree, and there are few chips.

(3)ダイシング用基体フィルムの製法
本発明において、少なくともA層/B層の順に積層された3層構成のダイシング用基体フィルムは、A層及びB層の各層に用いる樹脂組成物を多層共押出成形して製造することができる。具体的には、各層を形成するための樹脂組成物を、A層/B層の順に積層されるよう共押出成形することにより製造することができる。
(3) Manufacturing method of base film for dicing In the present invention, the base film for dicing, which has a three-layer configuration in which at least A layer and B layer are laminated in this order, is obtained by multilayer coextrusion of the resin composition used for each layer of A layer and B layer. It can be manufactured by molding. Specifically, resin compositions for forming each layer can be produced by co-extrusion so that the layers are laminated in the order of A layer/B layer.

上記した各層用樹脂を、夫々この順でスクリュー式押出機に供給し、180~240℃で多層Tダイからフィルム状に押出し、これを30~70℃の冷却ロ-ルに通しながら冷却して、実質的に無延伸で引き取る。或いは、各層用樹脂を一旦ペレットとして取得した後、上記の様に押出成形しても良い。 The above resins for each layer are supplied to a screw extruder in this order, extruded into a film form from a multi-layer T die at 180 to 240°C, and cooled while being passed through cooling rolls at 30 to 70°C. , withdrawn substantially unstretched. Alternatively, the resin for each layer may be once obtained as pellets and then extruded as described above.

引き取りの際に実質的に無延伸とするのは、ダイシング後に行うフィルムの拡張を有効
に行う利点がある為である。この実質的に無延伸とは、無延伸、或いは、ダイシングフィルムの拡張に悪影響を与えない程度の僅少の延伸を含むものである。通常、フィルム引き取りの際に、たるみの生じない程度の引っ張りであれば良い。
The reason why the film is substantially unstretched at the time of take-off is that there is an advantage in that the film is effectively stretched after dicing. The term "substantially non-stretching" includes non-stretching or slight stretching to the extent that expansion of the dicing film is not adversely affected. Generally, it is enough to stretch the film so that it does not slack when the film is taken over.

(4)ダイシングフィルムの製造
本発明のダイシングフィルムは、周知の技術に沿って製造することができる。例えば、粘着剤層を構成する粘着剤を有機溶剤等の溶媒に溶解させ、これをダイシング用基体フィルム上に塗布し、溶媒を除去することにより基体フィルム/粘着剤層の構成のフィルムを得ることができる。
(4) Production of dicing film The dicing film of the present invention can be produced according to known techniques. For example, the adhesive constituting the adhesive layer is dissolved in a solvent such as an organic solvent, the resulting solution is applied onto a base film for dicing, and the solvent is removed to obtain a film having a structure of base film/adhesive layer. can be done.

以下に、本発明を、実施例を用いてより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES The present invention will be described in more detail below using examples, but the present invention is not limited to these examples.

(1)ダイシング用基体フィルムの原料
表1にダイシング用基体フィルムの原料を示した。
(1) Raw material of base film for dicing Table 1 shows the raw material of the base film for dicing.

Figure 0007265945000001
Figure 0007265945000001

[略称の説明]
PP-1:ポリオレフィン系樹脂(ポリプロピレン系樹脂)
PP-2:ポリオレフィン系樹脂(ポリプロピレン系樹脂)
MABS:メチルメタクリレート・アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂
SEBS-1:ビニル芳香族炭化水素系樹脂(スチレン・エチレンブチレン・スチレンのブロックコポリマー)
SEBS-2:ビニル芳香族炭化水素系樹脂(スチレン・エチレンブチレン・スチレンのブロックコポリマー)
PE:ポリオレフィン系樹脂(分岐鎖状低密度ポリエチレン)
[Explanation of abbreviation]
PP-1: Polyolefin resin (polypropylene resin)
PP-2: Polyolefin resin (polypropylene resin)
MABS: Methyl methacrylate, acrylonitrile, butadiene, styrene resin
SEBS-1: Vinyl aromatic hydrocarbon resin (block copolymer of styrene, ethylene butylene, and styrene)
SEBS-2: Vinyl aromatic hydrocarbon resin (block copolymer of styrene, ethylene butylene, and styrene)
PE: Polyolefin resin (branched low-density polyethylene)

(2)A層/B層/C層のダイシング用基体フィルムの製造
表2に記載のA層/B層/C層(3層)となるように、各成分及び組成で樹脂組成物を配合し、ダイシング用基体フィルムを作製した。
(2) Manufacture of base film for dicing of A layer/B layer/C layer A resin composition is blended with each component and composition so that it becomes A layer/B layer/C layer (three layers) shown in Table 2. Then, a base film for dicing was produced.

各層を構成する樹脂組成物を、220℃に調整された夫々の押出機に投入しA層/B層/C層の順序になるように、220℃のTダイスにより押出し、積層し、30℃の冷却水が循環するチルロール上に共押出しせしめて、フラット状の3層フィルムを得た。 The resin composition constituting each layer is put into each extruder adjusted to 220°C, extruded with a T-die at 220°C in the order of A layer / B layer / C layer, laminated, and 30°C A flat three-layer film was obtained by co-extrusion on a chill roll through which cooling water was circulated.

Figure 0007265945000002
Figure 0007265945000002

(3)ダイシング用基体フィルムの評価
(3-1)バンク高さ評価
<評価方法>
フィルムを、ダイシングを行うと形成された溝の脇にバンクが生じる。そのバンクの基材層表面からの平均高さを、計測手段として株式会社キーエンス製レーザー顕微鏡(VK-X100)を用いて測定し、以下の基準により評価した(表3)。
(3) Evaluation of substrate film for dicing
(3-1) Bank height evaluation <Evaluation method>
When the film is diced, banks are formed on the sides of the formed grooves. The average height of the bank from the substrate layer surface was measured using a laser microscope (VK-X100) manufactured by Keyence Corporation as a measuring means, and evaluated according to the following criteria (Table 3).

<評価基準>
〇:基材層表面からのバンク高さが45μm以下の高さである。バンク高さが低く、切り屑が発生していないか、切り屑の発生が抑えられている。
×:基材層表面からのバンク高さが45μmを超える高さである。バンク高さが高く、切り屑が発生している。
<Evaluation Criteria>
◯: The height of the bank from the substrate layer surface is 45 μm or less. The bank height is low, and chips are not generated or the generation of chips is suppressed.
x: The height of the bank from the surface of the substrate layer exceeds 45 μm. Bank height is high and chips are generated.

(3-2)切削屑評価
<評価方法>
フィルムを、株式会社ディスコ製のダイシング装置(DAD-2H/6)を用い、以下のブレードを用いてフィルム基材に、表面層から切り込み深さ40μm(A層への切り込み)の条件で切り込みを入れた。
(3-2) Chip evaluation <Evaluation method>
Using a dicing machine (DAD-2H/6) manufactured by Disco Co., Ltd., the film is cut into the film substrate using the following blades under the conditions of a depth of cut of 40 μm (cut to layer A) from the surface layer. I put it in.

ブレ-ド:ディスコ株式会社製
ブレ-ド:40,000rpm
カット速度:100mm/秒
カットサイズ:5mm角
カット深さ:40μm
Blade: DISCO Corporation Blade: 40,000rpm
Cutting speed: 100mm/sec Cut size: 5mm square Cut depth: 40μm

<評価基準>
株式会社キーエンス製マイクロスコープ(VHX-100)用いて、目視で評価した(表3)。
〇:髭の様な切り屑が無い。
×:髭の様な切り屑が有る。
<Evaluation Criteria>
Visual evaluation was performed using a microscope (VHX-100) manufactured by Keyence Corporation (Table 3).
◯: There is no shavings like whiskers.
x: There are chips like whiskers.

Figure 0007265945000003
Figure 0007265945000003

本発明のダイシング用基体フィルムは、A層は、MABS樹脂及びPO系樹脂を含む樹脂組成物からなることで、ダイシングする際に、切削屑の発生が良好に抑えられ、ダイシングした溝のサイドが変形(バンク)しないか、変形が良好に抑えられるという効果を発揮した。 In the base film for dicing of the present invention, the layer A is made of a resin composition containing a MABS resin and a PO-based resin. It exhibited the effect of not deforming (banking) or suppressing deformation satisfactorily.

本発明のダイシング用基体フィルムは、ダイシングする際に、切削屑の発生が良好に抑えられ、ダイシングした溝のサイドが変形(バンク)しないか、変形が良好に抑えられると評価できる。 The base film for dicing of the present invention can be evaluated that the generation of shavings is well suppressed during dicing, and that the sides of the diced grooves are not deformed (bank) or the deformation is well suppressed.

Claims (4)

ダイシング用基体フィルムであって、
該ダイシング用基体フィルムは、少なくとも、A層/B層の順に積層されており、
前記A層は、ダイシングされる側であり、メチルメタクリレート・アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン(MABS)樹脂及びポリオレフィン系樹脂を含む樹脂組成物からなり、
前記B層は、ポリオレフィン系樹脂及び/又はビニル芳香族炭化水素系樹脂を含む樹脂組成物からなる、
ダイシング用基体フィルム。
A base film for dicing,
The base film for dicing is laminated at least in the order of A layer/B layer,
The A layer is the side to be diced, and is made of a resin composition containing methyl methacrylate-acrylonitrile-butadiene-styrene (MABS) resin and polyolefin resin,
The layer B is made of a resin composition containing a polyolefin resin and/or a vinyl aromatic hydrocarbon resin,
Base film for dicing.
前記A層は、更にビニル芳香族系樹脂を含む、請求項1に記載のダイシング用基体フィルム。 2. The base film for dicing according to claim 1, wherein said layer A further contains a vinyl aromatic resin. 表面に位置する層は、帯電防止剤を含む、請求項1又は2に記載のダイシング用基体フィルム。 3. The base film for dicing according to claim 1, wherein the layer located on the surface contains an antistatic agent. 半導体パッケージをダイシングする工程において使用される、請求項1~3のいずれかに記載のダイシング用基体フィルム。 4. The base film for dicing according to claim 1, which is used in a step of dicing a semiconductor package.
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