JP7261666B2 - RADAR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING RADAR DEVICE - Google Patents

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Description

本発明はレーダ装置及びレーダ装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a radar device and a method of manufacturing a radar device.

車両周囲の障害物を検知するレーダ装置としてのマイクロ波・ミリ波センサ装置の発明が下記特許文献1に開示されている。下記特許文献1に開示されたマイクロ波・ミリ波センサ装置によれば、共振キャビティに負性抵抗を発生するように3電極高周波増幅素子を集積化させるとともに、電磁波を空間へ放射するアンテナ機能を共用させるように放射型発振器を構成し、該放射型発振器の発振放射波が送信RF信号であり、該送信RF信号の被測定物による反射波が受信RF信号であり、該受信RF信号を前記放射型発振器で受け、放射型発振器自身によるホモダインミキシングによりIF信号を取得し、RF帯において発振動作中の前記3電極高周波増幅素子が有する直流からIF帯における増幅利得によって増幅されたIF信号を信号解析処理手段により解析及び処理することに基づいて、被測定物の検知を行うようにした、としている。 Patent Document 1 below discloses an invention of a microwave/millimeter wave sensor device as a radar device for detecting obstacles around a vehicle. According to the microwave/millimeter wave sensor device disclosed in Patent Document 1 below, a three-electrode high-frequency amplification element is integrated so as to generate a negative resistance in the resonance cavity, and an antenna function for radiating electromagnetic waves into space is provided. A radiation type oscillator is configured to be shared, an oscillation radiation wave of the radiation type oscillator is a transmission RF signal, a reflected wave of the transmission RF signal by the device under test is a reception RF signal, and the reception RF signal is the above-mentioned An IF signal is received by a radiation-type oscillator and obtained by homodyne mixing by the radiation-type oscillator itself, and the IF signal amplified by the amplification gain in the IF band from the direct current of the three-electrode high-frequency amplifying element that is oscillating in the RF band. The object to be measured is detected based on the analysis and processing by the analysis processing means.

国際公開第2008/120826号WO2008/120826

上記特許文献1には、ある開口を確保して放射ビームを鋭くし、検知感度を高めるために、放射型発振器基板の放射面側にホーン状の放射構造部(以下単にホーンともいう)を設けた構成が示されているが、ホーン全体が金属で形成されていると装置重量が増加する。一方で、ホーンを軽量な樹脂で形成すると、ホーンを電波が通過して電波の指向性及び強度が弱くなるとともに、熱伝導率が低い樹脂製ホーンを経由した部品発熱の放熱性が低下するという問題があった。 In the above Patent Document 1, a horn-shaped radiation structure (hereinafter simply referred to as a horn) is provided on the radiation surface side of the radiation oscillator substrate in order to secure a certain opening to sharpen the radiation beam and improve the detection sensitivity. However, if the entire horn is made of metal, the weight of the device increases. On the other hand, if the horn is made of lightweight resin, radio waves pass through the horn, weakening the directivity and strength of the radio waves. I had a problem.

本発明は前記課題を解決するもので、その目的とするところは、装置重量を増加させることなく、低コストであって、電波の指向性及び強度を向上させるとともに、部品発熱の放熱性を向上させることができるレーダ装置を提供すること、及びレーダ装置の製造方法を提供することである。 The object of the present invention is to solve the above problems, without increasing the weight of the device, at a low cost, and improving the directivity and strength of radio waves, as well as improving the heat dissipation of heat generated by parts. It is another object of the present invention to provide a radar device that can be manufactured, and to provide a method for manufacturing the radar device.

本発明の一態様のレーダ装置は、基板の一方の主面にアンテナと該アンテナに接続された電子部品とが配置され、前記アンテナおよび前記電子部品に重なるように樹脂製のホーンが配置されたレーダ装置であって、前記ホーンには、前記アンテナに対応する位置に前記基板の一方の主面から遠ざかるにつれて幅広になる導波路が形成され、前記ホーンの外面にはめっき層が形成され、前記ホーンの前記導波路を形成する壁面には前記めっき層によってシールド層が形成され、前記ホーンの前記基板と対向する対向面には、前記ホーンの前記電子部品の対向する位置から前記ホーンの周壁部まで伝熱層が延設されていることを特徴とする。 In a radar device according to one aspect of the present invention, an antenna and an electronic component connected to the antenna are arranged on one main surface of a substrate, and a resin horn is arranged so as to overlap the antenna and the electronic component. In the radar device, the horn has a waveguide formed at a position corresponding to the antenna, the waveguide becoming wider with distance from one main surface of the substrate, a plating layer formed on an outer surface of the horn, and the A shield layer is formed by the plating layer on a wall surface of the horn that forms the waveguide, and a peripheral wall portion of the horn is formed on a surface of the horn that faces the substrate from a position that faces the electronic component of the horn. It is characterized in that the heat transfer layer is extended to.

本発明によれば、シールド層によって導波路から放出される電波の指向性及び強度が向上されると共に、樹脂製のホーンを採用することで、金属の使用量を抑えてレーダ装置の軽量化を実現することができる。さらに、ホーンの基板に対向する対向面に、伝熱層を設けることによって低コストで基板に実装された電子部品の放熱性を向上させることができる。本発明に関連する更なる特徴は、本明細書の記述、添付図面から明らかになるものである。また、上記した以外の、課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。 According to the present invention, the directivity and strength of radio waves emitted from the waveguide are improved by the shield layer, and by adopting a resin horn, the amount of metal used can be suppressed and the weight of the radar device can be reduced. can be realized. Furthermore, by providing a heat transfer layer on the surface of the horn facing the board, the heat dissipation of the electronic component mounted on the board can be improved at a low cost. Further features related to the present invention will become apparent from the description of the specification and the accompanying drawings. Further, problems, configurations, and effects other than those described above will be clarified by the following description of the embodiments.

第1の実施形態に係るレーダ装置の分解斜視図。1 is an exploded perspective view of a radar device according to a first embodiment; FIG. 第1の実施形態に係る複数のアンテナを有し、電波の放射状態を示したレーダ装置の断面模式図。1 is a schematic cross-sectional view of a radar apparatus having a plurality of antennas according to a first embodiment and showing a radiation state of radio waves; FIG. 図2のレーダ装置の1つのアンテナを拡大して示し、電波の放射状態、伝熱経路及び放熱経路を示した拡大断面模式図。FIG. 3 is an enlarged schematic cross-sectional view showing one antenna of the radar device of FIG. MMICチップ(電子部品)と伝熱層との配置を示す平面模式図。FIG. 2 is a schematic plan view showing the arrangement of an MMIC chip (electronic component) and a heat transfer layer; 伝熱層をホーンと一体化成形する製造方法を示す断面模式図。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a manufacturing method for integrally molding a heat transfer layer with a horn. 第1の実施形態に係るレーダ装置に伝熱部材を設けた場合の図3に対応する拡大断面模式図。FIG. 4 is an enlarged schematic cross-sectional view corresponding to FIG. 3 when a heat transfer member is provided in the radar device according to the first embodiment; 図7Aは比較例に係る電波の放射状態、伝熱経路及び放熱経路の説明図、図7Bは比較例に係る複数アンテナによる電波の放射状態の説明図。7A is an explanatory diagram of a radio wave radiation state, a heat transfer path, and a heat radiation path according to a comparative example, and FIG. 7B is an explanatory diagram of a radio wave radiation state by a plurality of antennas according to the comparative example.

[第1の実施形態]
以下、図1~図5を参照して、第1の実施形態に係るレーダ装置1について説明する。まず、図1を参照して、第1の実施形態に係るレーダ装置の全体構成について説明する。図1は、第1の実施形態に係るレーダ装置の分解斜視図である。なお、以下の説明では、レーダ装置としてミリ波レーダを例示して説明するが、本開示の技術は電波を放出して障害物を検知する他のレーダ装置に利用することが可能である。
[First Embodiment]
A radar device 1 according to a first embodiment will be described below with reference to FIGS. 1 to 5. FIG. First, referring to FIG. 1, the overall configuration of the radar device according to the first embodiment will be described. FIG. 1 is an exploded perspective view of the radar device according to the first embodiment. In the following description, a millimeter wave radar will be exemplified as a radar device, but the technique of the present disclosure can be used for other radar devices that detect obstacles by emitting radio waves.

レーダ装置1は、ミリ波レーダ装置であり、ミリ波帯の電波が放射され、障害物からの反射波が受信されて障害物が検知されるものである。図1に示すように、レーダ装置1の基板10の一方の主面11には、複数のアンテナ13と、複数の電子部品としてのMMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)チップ14とが設けられている。各MMICチップ14には給電線(不図示)を介して複数のアンテナ13が接続されている。各MMICチップ14からの電力供給によって各アンテナ13から電波が放射され、各アンテナ13で捕らえた電波は給電線を通じて各MMICチップ14に送られる。 The radar device 1 is a millimeter wave radar device that emits radio waves in the millimeter wave band and receives reflected waves from obstacles to detect obstacles. As shown in FIG. 1, a plurality of antennas 13 and MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) chips 14 as a plurality of electronic components are provided on one main surface 11 of a substrate 10 of the radar device 1 . A plurality of antennas 13 are connected to each MMIC chip 14 via feeder lines (not shown). A radio wave is radiated from each antenna 13 by power supply from each MMIC chip 14, and the radio wave captured by each antenna 13 is sent to each MMIC chip 14 through a feeder line.

また、アンテナ13は、基板10上に設けられたパッチアンテナ等の平面アンテナでもよいし、基板10上に設けられた表面実装型のチップアンテナでもよい。基板10上には、半導体チップとして送受信用のMMICチップ14が配置される構成にしたが、送信用のMMICチップ14と受信用のMMICチップ14が個別に配置されてもよい。半導体チップとして、他のMIC(Microwave Integrated Circuit)チップが使用されてもよい。また、基板10には、ガラスエポキシ基板、セラミック基板等が使用されてもよいし、低誘電率のフッ素樹脂製の高周波用基板が使用されてもよい。 Further, the antenna 13 may be a flat antenna such as a patch antenna provided on the substrate 10 or may be a surface-mounted chip antenna provided on the substrate 10 . Although the MMIC chip 14 for transmission and reception is arranged as a semiconductor chip on the substrate 10, the MMIC chip 14 for transmission and the MMIC chip 14 for reception may be arranged separately. Other MIC (Microwave Integrated Circuit) chips may be used as semiconductor chips. Further, as the substrate 10, a glass epoxy substrate, a ceramic substrate, or the like may be used, or a high frequency substrate made of fluorine resin having a low dielectric constant may be used.

レーダ装置1の基板10の一方の主面11には、アンテナ13及びMMICチップ14に重なるように平面視矩形状のホーン20が配置されている。ホーン20は、樹脂製材料により構成されており、その外面27には金属メッキによりホーン20全体を覆うようにめっき層28が形成されている。ホーン20には、基板10上の複数のアンテナ13に対応する位置にそれぞれ導波路23が形成されている。さらに、ホーン20の基板10と対向する対向面には、ホーン20のMMICチップ14に対向する位置からホーン20の周壁部まで伝熱層80が延設されている。伝熱層80は、基板10上のMMICチップ14などの半導体チップが実装された部分の対向面の近傍に一体化成形されている(図2参照)。なお、各導波路23は、短距離用、中距離用、長距離用に種類が分かれている。複数の導波路23から外部に向けて電波が放出されることで、レーダ装置1からの距離が異なる障害物を検知することが可能になっている。各導波路23は、基板10の一方の主面11から遠ざかるにつれて幅広になるように(面積が大きくなるように)、ホーン20のテーパ面によって例えば、角錐状又は円錐状に形成されている。 A rectangular horn 20 in plan view is arranged on one main surface 11 of the substrate 10 of the radar device 1 so as to overlap the antenna 13 and the MMIC chip 14 . The horn 20 is made of a resin material, and a plating layer 28 is formed on the outer surface 27 of the horn 20 so as to cover the entire horn 20 by metal plating. Waveguides 23 are formed in the horn 20 at positions corresponding to the plurality of antennas 13 on the substrate 10 . Furthermore, a heat transfer layer 80 extends from a position of horn 20 facing MMIC chip 14 to the peripheral wall portion of horn 20 on the surface of horn 20 facing substrate 10 . The heat transfer layer 80 is integrally molded in the vicinity of the surface facing the portion of the substrate 10 where the semiconductor chip such as the MMIC chip 14 is mounted (see FIG. 2). The waveguides 23 are classified into types for short distance, medium distance, and long distance. It is possible to detect obstacles at different distances from the radar device 1 by emitting radio waves from the plurality of waveguides 23 to the outside. Each waveguide 23 is formed, for example, in a pyramid shape or a conical shape by the tapered surface of the horn 20 so that the width (area increases) as it goes away from one main surface 11 of the substrate 10 .

また、ホーン20には、PBT(Polybutylene Terephthalate)樹脂、PPS(Poly Phenylene Sulfide)樹脂、PP(Poly Propylene)樹脂、ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene)樹脂、PS(Polystyrene)樹脂、PE(Poly Ethylene)樹脂、PVC(Polyvinyl Chloride)樹脂、PC(Polycarbonate)樹脂、PET(Polyethyleneterephthalate)樹脂、LCP(Liquid Crystal Polymer)樹脂、PPO(Polyphenyleneether)樹脂,エポキシ(Epoxy)樹脂、Si(Silicone)樹脂、ポリエステル(Polyester)樹脂などを主成分とする熱可塑性樹脂、又は熱硬化性樹脂の軽量で熱伝導率が低い樹脂が使用されてもよい。また、金属メッキによってホーン20の外面27に形成されためっき層28(図2参照)には、熱伝導率が高くシールド性を持った銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、ニッケル(Ni)、錫(Sn)、アルミニウム(Al)、鉄(Fe)等のいずれかを少なくとも含む金属が使用されてもよい。なお、ホーン20の外面27のめっき層28は、メッキの他、スパッタ法、インクジェット法、スクリーン印刷法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、PVD(Physical Vapor Deposition)法等によって形成されてもよい。伝熱層80は合金又は純金属を用いることができる。合金として、銅合金、アルミ合金、SUS,真鍮合金、鉄合金、マグネシウム合金、などの金属板を用いることができる。また、これらの合金は薄肉の金属箔としてもよい。純金属としては、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、ニッケル(Ni)、錫(Sn)、アルミニウム(Al)、鉄(Fe)等の金属板又は金属箔を用いることができる。 Further, the horn 20 includes PBT (Polybutylene Terephthalate) resin, PPS (Poly Phenylene Sulfide) resin, PP (Poly Propylene) resin, ABS (Acrylonitrile Butadiene Styrene) resin, PS (Polystyrene) resin, PE (Poly Ethylene) resin, PVC (Polyvinyl Chloride) resin, PC (Polycarbonate) resin, PET (Polyethyleneterephthalate) resin, LCP (Liquid Crystal Polymer) resin, PPO (Polyphenyleneether) resin, Epoxy resin, Si (Silicone) resin, Polyester resin A thermoplastic resin or a thermosetting resin having a light weight and a low thermal conductivity may be used. In addition, the plating layer 28 (see FIG. 2) formed on the outer surface 27 of the horn 20 by metal plating includes silver (Ag), copper (Cu), gold (Au), which have high thermal conductivity and shielding properties. A metal containing at least one of nickel (Ni), tin (Sn), aluminum (Al), iron (Fe), and the like may be used. In addition to plating, the plating layer 28 on the outer surface 27 of the horn 20 may be formed by a sputtering method, an inkjet method, a screen printing method, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a PVD (Physical Vapor Deposition) method, or the like. An alloy or pure metal can be used for the heat transfer layer 80 . Metal plates such as copper alloys, aluminum alloys, SUS, brass alloys, iron alloys, and magnesium alloys can be used as alloys. Also, these alloys may be used as thin metal foils. As pure metals, metal plates or metal foils such as silver (Ag), copper (Cu), gold (Au), nickel (Ni), tin (Sn), aluminum (Al), and iron (Fe) can be used. can.

ホーン20には、複数の導波路23を覆うように平面視矩形状のレンズ30が配置されている。レンズ30の基板10側の裏面には、ホーン20の複数の導波路23に対応して複数のレンズ面31(図2参照)が形成されている。そして、アンテナ13から導波路23内で放射状に拡散した電波はレンズ30で平面波に変換されて外部に放出される。また、外部からの反射波はレンズ30によって導波路23内で収束されてアンテナ13に受信される。なお、レンズ30には、例えばPBT樹脂、PPS樹脂等の誘電体材料が使用されてもよい。 The horn 20 is provided with a rectangular lens 30 in plan view so as to cover the plurality of waveguides 23 . A plurality of lens surfaces 31 (see FIG. 2) corresponding to the plurality of waveguides 23 of the horn 20 are formed on the rear surface of the lens 30 on the substrate 10 side. Then, the radio wave radially diffused in the waveguide 23 from the antenna 13 is converted into a plane wave by the lens 30 and emitted to the outside. Reflected waves from the outside are converged within the waveguide 23 by the lens 30 and received by the antenna 13 . Note that dielectric materials such as PBT resin and PPS resin may be used for the lens 30 .

ホーン20及びレンズ30の外縁部は矩形枠状のハウジング35で押さえられている。ハウジング35は、ホーン20及びレンズ30の抜け止めをする開口縁部36と、レーダ装置1の側面を形成する側壁部37とを有している。ハウジング35の開口縁部36上には、レーダ装置1の表面を形成するカバー39が固定されている。カバー39は、ハウジング35に固定される外周部分を除いて膨出しており、雨や風等の自然環境から装置内部を保護するレドームとして機能している。なお、ハウジング35及びカバー39には、例えばPBT樹脂、PPS樹脂等の樹脂材料が使用されてもよい。 The outer edges of the horn 20 and the lens 30 are held by a rectangular frame-shaped housing 35 . The housing 35 has an opening edge portion 36 that prevents the horn 20 and the lens 30 from coming off, and a side wall portion 37 that forms the side surface of the radar device 1 . A cover 39 forming the surface of the radar device 1 is fixed on the opening edge 36 of the housing 35 . The cover 39 bulges out except for the outer peripheral portion fixed to the housing 35, and functions as a radome that protects the inside of the device from the natural environment such as rain and wind. For the housing 35 and the cover 39, a resin material such as PBT resin or PPS resin may be used.

基板10の他方の主面12には、基板10の熱を逃がすための放熱板40が設けられている。放熱板40の基板10側の表面には、基板10上の複数のMMICチップ14に対応する位置に複数の支持台41が形成されている。放熱板40の裏面は、レーダ装置1の裏面を形成するベース45に支持されている。各支持台41の支持面は放熱シートS1を介して基板10に接触し、ベース45は放熱シートS2を介して放熱板40に接触している。レーダ装置1には、放熱板40及びベース45によってMMICチップ14の熱を逃がす放熱経路が形成される。なお、放熱板40及びベース45にはアルミニウム等の熱伝導率が高い材料が使用されてもよい。なお、図示はしないが、図1に示すように放熱板40とベース45は必ずしも分離される必要はなく、放熱板40とベース45を一体化した部品(ベース)として使用することもできる。 A radiator plate 40 is provided on the other main surface 12 of the substrate 10 to release heat from the substrate 10 . A plurality of supports 41 are formed on the surface of the heat sink 40 on the side of the substrate 10 at positions corresponding to the plurality of MMIC chips 14 on the substrate 10 . The back surface of the heat sink 40 is supported by a base 45 that forms the back surface of the radar device 1 . The supporting surface of each support table 41 is in contact with the substrate 10 through the heat dissipation sheet S1, and the base 45 is in contact with the heat dissipation plate 40 through the heat dissipation sheet S2. In the radar device 1 , a heat dissipation path for releasing heat from the MMIC chip 14 is formed by the heat dissipation plate 40 and the base 45 . A material with high thermal conductivity such as aluminum may be used for the radiator plate 40 and the base 45 . Although not shown, the radiator plate 40 and the base 45 do not necessarily need to be separated as shown in FIG.

図2及び図3を参照して、第1の実施形態に係るレーダ装置の詳細構成について説明する。図2は、第1の実施形態に係る複数のアンテナを有し、電波の放射状態を示したレーダ装置の断面模式図である。図3は、図2のレーダ装置の1つのアンテナを拡大して示し、電波の放射状態、伝熱経路及び放熱経路を示した拡大断面模式図である。 A detailed configuration of the radar apparatus according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a radar apparatus having a plurality of antennas according to the first embodiment and showing a radiation state of radio waves. FIG. 3 is an enlarged schematic cross-sectional view showing one antenna of the radar device of FIG.

図2に示すように、基板10の一方の主面11にはMMICチップ14が配置されると共に、MMICチップ14に離間してアンテナ13が設けられている。また、基板10の一方の主面11には、ホーン20が配置されている。ホーン20の外周部分には基板10の外縁が囲まれる周壁部21が設けられ、周壁部21はハウジング35の開口縁部36を避けるように段状に形成されている。また、ホーン20の内側部分には導波路23が形成されたホーン本体22が設けられ、ホーン本体22の基板10側の裏面はMMICチップ14やアンテナ13に対応する箇所が部分的に突出している。 As shown in FIG. 2, an MMIC chip 14 is arranged on one main surface 11 of the substrate 10, and an antenna 13 is provided apart from the MMIC chip 14. As shown in FIG. A horn 20 is arranged on one main surface 11 of the substrate 10 . A peripheral wall portion 21 surrounding the outer edge of the substrate 10 is provided on the outer peripheral portion of the horn 20 . A horn body 22 having a waveguide 23 formed therein is provided inside the horn 20, and portions corresponding to the MMIC chip 14 and the antenna 13 partially protrude from the rear surface of the horn body 22 on the substrate 10 side. .

ホーン本体22の裏面には、MMICチップ14に対応する箇所に、MMICチップ14の表面に当接される当接部24が設けられている。また、ホーン本体22の裏面には、アンテナ13に対応する箇所に、導波路23に沿って突出される薄厚のガイド部25が設けられている。導波路23は、基板10の一方の主面11から遠ざかるにつれて対向間隔が広くなるように、ホーン本体22及びガイド部25のテーパ状の壁面26によって形成されている。また、ホーン本体22の表面側にはレンズ30が配置されており、レンズ30の裏面には導波路23の中心線を光軸とする凸面状のレンズ面31が形成されている。 A contact portion 24 that contacts the surface of the MMIC chip 14 is provided on the rear surface of the horn body 22 at a location corresponding to the MMIC chip 14 . A thin guide portion 25 protruding along the waveguide 23 is provided on the rear surface of the horn body 22 at a location corresponding to the antenna 13 . The waveguide 23 is formed by the horn main body 22 and the tapered wall surface 26 of the guide portion 25 such that the distance between the waveguides 23 increases as the distance from the main surface 11 of the substrate 10 increases. A lens 30 is arranged on the front side of the horn main body 22, and a convex lens surface 31 is formed on the back side of the lens 30 with the center line of the waveguide 23 as the optical axis.

基板10の他方の主面12には放熱板40が設けられている。放熱板40の外周部分には、基板10の外縁が囲まれる周壁部42が設けられ、放熱板40の内側部分にはMMICチップ14に対応する箇所にて基板10に当接される支持台41が設けられている。放熱板40の周壁部42は、ホーン20の周壁部21に当接されており、放熱板40の支持台41は、放熱シートS1を介して基板10に当接されている。放熱板40は、放熱シートS2を介してベース45に支持されている。ベース45は、放熱板40と同様に熱伝導率が高い金属で形成されているため、ベース45も放熱板として機能している。 A heat sink 40 is provided on the other main surface 12 of the substrate 10 . A peripheral wall portion 42 that surrounds the outer edge of the substrate 10 is provided on the outer peripheral portion of the heat sink 40 , and a support base 41 that abuts on the substrate 10 at a portion corresponding to the MMIC chip 14 on the inner portion of the heat sink 40 . is provided. The peripheral wall portion 42 of the heat sink 40 is in contact with the peripheral wall portion 21 of the horn 20, and the support base 41 of the heat sink 40 is in contact with the substrate 10 via the heat sink sheet S1. The heat sink 40 is supported by the base 45 via the heat sink sheet S2. Since the base 45 is made of a metal having a high thermal conductivity like the heat sink 40, the base 45 also functions as a heat sink.

また、ホーン20は、導波路23が形成されるホーン20の壁面26もめっき層28で覆われているので、ホーン20の壁面26には、めっき層28によって電波を遮蔽するシールド層29が形成されている。つまり、ホーン20全体を覆うめっき層28のうち、ホーン20の壁面26を覆う部分は、電波を遮蔽するシールド層29を構成する。壁面26のシールド層29により、導波路23内の電波のシールド性が確保されて、電波の指向性及び強度が向上される。また、当接部24がめっき層28を介してMMICチップ14の表面に接触しているので、めっき層28は、MMICチップ14からシールド層29に向かう伝熱経路R2(図3参照)を形成すると共に、MMICチップ14から放熱板40に向かう放熱経路R3(図3参照)を形成する。これにより、導波路23内の結露の発生が防止されると共に、MMICチップ14の温度上昇が抑えられている。 Further, in the horn 20, since the wall surface 26 of the horn 20 on which the waveguide 23 is formed is also covered with the plating layer 28, the wall surface 26 of the horn 20 is formed with a shield layer 29 for shielding radio waves by the plating layer 28. It is That is, the portion of the plated layer 28 covering the entire horn 20 that covers the wall surface 26 of the horn 20 constitutes a shield layer 29 that shields radio waves. The shielding layer 29 on the wall surface 26 ensures shielding of radio waves in the waveguide 23 and improves the directivity and strength of the radio waves. Also, since the contact portion 24 is in contact with the surface of the MMIC chip 14 via the plating layer 28, the plating layer 28 forms a heat transfer path R2 (see FIG. 3) from the MMIC chip 14 to the shield layer 29. At the same time, a heat dissipation path R3 (see FIG. 3) is formed from the MMIC chip 14 to the heat dissipation plate 40. As shown in FIG. As a result, the occurrence of dew condensation in the waveguide 23 is prevented, and the temperature rise of the MMIC chip 14 is suppressed.

ここで、放熱経路R3によりMMICチップ14の発熱を放熱板40に効率よく伝熱するためには、前記したように熱伝導性に優れた銅を用いてもめっき層28には10μm以上の肉厚が必要である。銅で10μm以上のメッキをする場合には、製造時間が長くなり、コストが高くなる問題がある。 Here, in order to efficiently transfer the heat generated by the MMIC chip 14 to the heat sink 40 through the heat dissipation path R3, the plating layer 28 must have a thickness of 10 μm or more even if copper, which has excellent thermal conductivity, is used as described above. thickness is required. In the case of plating with copper to a thickness of 10 μm or more, there is a problem that the manufacturing time is long and the cost is high.

そこで、本実施形態では、めっき層28の他に、めっき層28よりも熱伝導性が高い伝熱層80を設けて放熱経路R3の熱伝導性を向上させている。伝熱層80は、シールド層29(めっき層28)よりも肉厚が大きい金属材料からなる板状部材を、ホーン20と一体化成形することによって構成されている。 Therefore, in this embodiment, in addition to the plating layer 28, a heat transfer layer 80 having higher thermal conductivity than the plating layer 28 is provided to improve the thermal conductivity of the heat dissipation path R3. The heat transfer layer 80 is formed by integrally molding a plate-shaped member made of a metal material having a greater thickness than the shield layer 29 (plated layer 28 ) and the horn 20 .

伝熱層80は、基板10上のMMICチップ14などの半導体チップが実装された部分の対向面の近傍に位置するように、ホーン20に一体化成形されている(図2参照)。伝熱層80は、図3に示すように、発熱部品であるMMICチップ14に対向する位置からホーン(20)の周壁部(21)まで延設されている。伝熱層80は、金属材料であれば材質によらず、厚さが50μm以上であれば放熱性能を満足できる。なお、銅合金などの伝熱性に優れた材質であれば、厚さ10μm以上の金属箔を用いることもできる。 The heat transfer layer 80 is integrally formed with the horn 20 so as to be positioned near the surface facing the portion of the substrate 10 on which the semiconductor chip such as the MMIC chip 14 is mounted (see FIG. 2). As shown in FIG. 3, the heat transfer layer 80 extends from a position facing the MMIC chip 14, which is a heat generating component, to the peripheral wall portion (21) of the horn (20). The heat transfer layer 80 can satisfy the heat dissipation performance if the thickness is 50 μm or more regardless of the material as long as it is a metal material. A metal foil having a thickness of 10 μm or more can be used as long as it is a material having excellent heat conductivity such as a copper alloy.

本実施形態では、伝熱層80と伝熱層80の表面を覆うめっき層28とによって放熱経路R3が形成されている。伝熱層80は、MMICチップ14と対向する位置に伝熱層80の少なくとも一部が配置されるように、ホーン20の表面の伝熱層取付部27aに一体化成形されている。伝熱層80は、伝熱層取付部27aに取り付けられた状態でその表面側82がめっき層28によって覆われている。伝熱層80は、ホーン20の周壁部21と放熱板40の周壁部42の合わせ面でめっき層28を介して放熱板40に接触されている。そして、MMICチップ14の発熱が伝熱層80及びめっき層28からなる放熱経路R3を通じて放熱板40の周壁部42に伝えられ、また、放熱板40から放熱シートS2を介してベース45に伝えられる。このように、MMICチップ14から基板10の厚み方向に向かう放熱経路R1に加えて、MMICチップ14からホーン20の外面27における伝熱層80とめっき層28を通る放熱経路R3によってMMICチップ14の温度上昇を抑えることができる。 In this embodiment, the heat transfer layer 80 and the plating layer 28 covering the surface of the heat transfer layer 80 form the heat dissipation path R3. The heat transfer layer 80 is formed integrally with the heat transfer layer mounting portion 27 a on the surface of the horn 20 so that at least a portion of the heat transfer layer 80 is arranged at a position facing the MMIC chip 14 . The surface side 82 of the heat transfer layer 80 is covered with the plating layer 28 while being attached to the heat transfer layer attachment portion 27a. The heat transfer layer 80 is in contact with the heat sink 40 via the plating layer 28 at the mating surfaces of the peripheral wall portion 21 of the horn 20 and the peripheral wall portion 42 of the heat sink 40 . The heat generated by the MMIC chip 14 is transmitted to the peripheral wall portion 42 of the heat sink 40 through the heat radiation path R3 composed of the heat transfer layer 80 and the plating layer 28, and is also transmitted from the heat sink 40 to the base 45 via the heat radiation sheet S2. . In this way, in addition to the heat radiation path R1 from the MMIC chip 14 in the thickness direction of the substrate 10, the heat radiation path R3 from the MMIC chip 14 through the heat transfer layer 80 and the plating layer 28 on the outer surface 27 of the horn 20 heats the MMIC chip 14. Temperature rise can be suppressed.

ここで、MMICチップ14の放熱性の向上には、伝熱層80の設置面積を大きくすることが有効であるが、そうすると装置重量が重くなる問題がある。従って、伝熱層80はMMICチップ14の全体を覆う場合に限らず、図4に示すMMICチップ(電子部品)14と伝熱層80との配置のように、MMICチップ14と対向する上部の少なくとも一部の位置とホーン20の周壁部21を繋ぐように設置されていればよい。かかる構成により、MMICチップ14からの発熱をめっき層28のみで放熱する場合に比べて肉厚が大きく放熱性に優れた伝熱層80を伝わって放熱する放熱経路R3(図3参照)が形成できる。 In order to improve the heat dissipation of the MMIC chip 14, it is effective to increase the installation area of the heat transfer layer 80, but this increases the weight of the device. Therefore, the heat transfer layer 80 is not limited to covering the entire MMIC chip 14, but is an upper portion facing the MMIC chip 14, as in the arrangement of the MMIC chip (electronic component) 14 and the heat transfer layer 80 shown in FIG. It suffices if it is installed so as to connect at least a part of the position and the peripheral wall portion 21 of the horn 20 . With this configuration, a heat dissipation path R3 (see FIG. 3) is formed through which the heat generated from the MMIC chip 14 is dissipated through the heat transfer layer 80, which is thicker and has excellent heat dissipation properties than in the case where the heat is dissipated only by the plating layer 28. can.

また、伝熱層80と一体化成形したホーン20の製造方法としては、例えば、図5に示すようなインサード成形で製造することができる。ホーン20の製造方法は、図5に示すように樹脂成形の金型70内に伝熱層80を挿入し、金型を閉じた状態で樹脂材料81を金型70内に充填し、ホーン20の表面の伝熱層取付部27aに伝熱層80を露出させた状態で一体化成形する。その後、金型70から取り出した伝熱層80の表面側82及び伝熱層80と一体化成形したホーン20の外面27にめっき層28を形成する。なお、伝熱層80の表面側82のめっき層28は、導波路23のシールド層29と連続して形成している。この連続しためっき層の形成によって、導波路23のシールド層29への伝熱経路R2を形成する。また、厚さ100μm程度の伝熱層の製造コストは、一般に10μm程度のCuめっき形成費用に比べて安価である。このようにして製造された伝熱層80を有するホーン20と、別途製造されたアンテナ13等が設けられた基板10、レンズ30、ハウジング35、カバー39、放熱板40及びベース45等とともに組み立てることで第1の実施形態のレーダ装置1を製造する。 As a method for manufacturing the horn 20 integrally molded with the heat transfer layer 80, for example, it can be manufactured by insert molding as shown in FIG. As shown in FIG. 5, the method of manufacturing the horn 20 includes inserting a heat transfer layer 80 into a mold 70 for resin molding, filling the mold 70 with a resin material 81 while the mold is closed, and forming the horn 20. is integrally molded with the heat transfer layer 80 exposed to the heat transfer layer mounting portion 27a on the surface. After that, the plating layer 28 is formed on the surface side 82 of the heat transfer layer 80 removed from the mold 70 and the outer surface 27 of the horn 20 integrally formed with the heat transfer layer 80 . The plated layer 28 on the surface side 82 of the heat transfer layer 80 is formed continuously with the shield layer 29 of the waveguide 23 . By forming this continuous plating layer, a heat transfer path R2 to the shield layer 29 of the waveguide 23 is formed. Moreover, the manufacturing cost of a heat transfer layer having a thickness of about 100 μm is generally lower than the cost of forming a Cu plating having a thickness of about 10 μm. Assembling the horn 20 having the heat transfer layer 80 manufactured in this way, the substrate 10 provided with the separately manufactured antenna 13, etc., the lens 30, the housing 35, the cover 39, the radiator plate 40, the base 45, etc. to manufacture the radar device 1 of the first embodiment.

また、図5に示すように、金型70を用いた樹脂成形手法で伝熱層80と一体化成形したホーン20を形成することによって、伝熱層のホーンへの組付け作業を省略し、さらなるコスト低減を図ることができる。また、厚さ100μm程度の伝熱層のコストは、一般に10μm程度のCuめっき(シールド層29)形成費用に比べて安価であり、導波路のシールド層29の肉厚は一般的に0.1~1μmあれば良い。従って、MMICチップ14の発熱を伝熱するため、部分的に伝熱層80を用いて放熱経路R3を形成し、全体のシールド層29の肉厚を薄くすることにより、よりコスト低減を図ることができる。 Further, as shown in FIG. 5, by forming the horn 20 integrally molded with the heat transfer layer 80 by a resin molding method using a mold 70, the work of assembling the heat transfer layer to the horn is omitted. Further cost reduction can be achieved. Also, the cost of a heat transfer layer with a thickness of about 100 μm is generally lower than the cost of forming Cu plating (shield layer 29) with a thickness of about 10 μm, and the thickness of the shield layer 29 of the waveguide is generally 0.1 μm. ~1 μm is sufficient. Therefore, in order to transfer the heat generated by the MMIC chip 14, the heat transfer layer 80 is partially used to form the heat dissipation path R3, and the overall thickness of the shield layer 29 is reduced to further reduce the cost. can be done.

また、図5に示すように、金型70を用いた樹脂成形手法により、伝熱層80と一体化成形したホーン20を形成することによって、伝熱層80のホーン20への組付け作業の省略により、さらなるコスト低減を図ることができる。 Further, as shown in FIG. 5, by forming the horn 20 integrally molded with the heat transfer layer 80 by a resin molding method using a mold 70, the work of assembling the heat transfer layer 80 to the horn 20 is simplified. By omitting, further cost reduction can be achieved.

また、図6に示すレーダ装置1のように、MMICチップ14に伝熱部材A1が塗布され、MMICチップ14を、伝熱部材A1を介して放熱経路R3に接続させることもできる。なお、伝熱部材A1は、放熱作用がある高分子材料を含む成分で構成されており、接着剤やグリスなどを用いることができる。これにより、MMICチップ14と放熱経路R3間に隙間ができる時も、この隙間を伝熱部材A1で埋めることによって、放熱不良を防止できる。 Alternatively, as in the radar device 1 shown in FIG. 6, the MMIC chip 14 may be coated with the heat transfer member A1, and the MMIC chip 14 may be connected to the heat dissipation path R3 via the heat transfer member A1. Note that the heat transfer member A1 is composed of a component containing a polymer material that has a heat dissipation effect, and an adhesive, grease, or the like can be used. As a result, even when a gap is formed between the MMIC chip 14 and the heat dissipation path R3, heat dissipation failure can be prevented by filling the gap with the heat transfer member A1.

また、伝熱層80によりMMICチップ14の上部が完全に覆われ、めっき層28とともに伝熱経路R2が形成されるようにしてもよい。これにより、MMICチップ14の発熱によって伝熱経路R2を介してシールド層29をより短時間で加熱することができ、確実に結露を防止できる。 Alternatively, the heat transfer layer 80 may completely cover the upper portion of the MMIC chip 14 and form the heat transfer path R2 together with the plating layer 28. FIG. As a result, the heat generated by the MMIC chip 14 can heat the shield layer 29 through the heat transfer path R2 in a shorter time, and dew condensation can be reliably prevented.

なお、上記した第1の実施形態では、基板10に複数のアンテナ13が設けられ、ホーン20に複数の導波路23が形成される構成にしたが、基板10に単一のアンテナ13が設けられ、ホーン20に単一の導波路23が形成されていてもよい。 In the above-described first embodiment, the substrate 10 is provided with a plurality of antennas 13 and the horn 20 is provided with a plurality of waveguides 23. However, the substrate 10 is provided with a single antenna 13. , a single waveguide 23 may be formed in the horn 20 .

また、上記した第1の実施形態では、ホーン20の外面27全体にめっき層28が形成されて、シールド層29、伝熱経路R2、放熱経路R3が形成される構成にしたが、この構成に限定されない。すなわち、ホーン20の外面27に部分的にめっき層28が形成されて、シールド層29、伝熱経路R2、放熱経路R3が形成されてもよい。このとき、放熱経路R3においては、少なくとも伝熱層80が設けられる部分に、めっき層28が形成されるようにしてもよい。反対に、放熱経路R3において、めっき層28が形成される位置に伝熱層80が形成されるようにしてもよい。 In the above-described first embodiment, the plating layer 28 is formed on the entire outer surface 27 of the horn 20, and the shield layer 29, the heat transfer path R2, and the heat dissipation path R3 are formed. Not limited. That is, the plated layer 28 may be partially formed on the outer surface 27 of the horn 20 to form the shield layer 29, the heat transfer path R2, and the heat dissipation path R3. At this time, the plating layer 28 may be formed at least in the portion where the heat transfer layer 80 is provided in the heat dissipation path R3. Conversely, the heat transfer layer 80 may be formed at the position where the plating layer 28 is formed in the heat dissipation path R3.

また、上記した第1の実施形態では、伝熱層80をホーン20と一体化成形した後、ホーン20及び伝熱層80の表面側82にめっき層28を設けていたが、これに限らず、ホーン20にめっき層28を形成した後、めっき層28の表面に伝熱層80を設けてホーン20の外面27から露出させた構成としてもよく、また、伝熱層80がホーン20の外面27から露出する部分だけめっき層28を省略する構成としてもよい。 In addition, in the above-described first embodiment, after the heat transfer layer 80 is integrally formed with the horn 20, the plating layer 28 is provided on the surface side 82 of the horn 20 and the heat transfer layer 80, but this is not the only option. Alternatively, after the plating layer 28 is formed on the horn 20 , the heat transfer layer 80 may be provided on the surface of the plating layer 28 and exposed from the outer surface 27 of the horn 20 . The plating layer 28 may be omitted from the portion exposed from 27 .

さらに、上記した第1の実施形態では、ホーン20と伝熱層80を、一体化成形した場合を示したが、これに限らず、ホーン20と伝熱層80を別々に形成した後、組み合わせてもよい。 Furthermore, in the above-described first embodiment, the case where the horn 20 and the heat transfer layer 80 are integrally molded is shown, but this is not limiting, and the horn 20 and the heat transfer layer 80 are separately formed and then combined. may

次に、図2、図3、図7A及び図7Bを参照して、第1の実施形態のレーダ装置1の効果について説明する。図7Aは比較例に係る電波の放射状態、伝熱経路及び放熱経路の説明図、図7Bは比較例に係る複数アンテナによる電波の放射状態の説明図である。なお、比較例のレーダ装置は、本実施形態のレーダ装置と比較して樹脂製のホーンの外面27が金属メッキされていない点、及び伝熱層80が設けられていない点で相違している。 Next, effects of the radar device 1 of the first embodiment will be described with reference to FIGS. 2, 3, 7A and 7B. FIG. 7A is an explanatory diagram of a radio wave radiation state, a heat transfer path, and a heat dissipation path according to a comparative example, and FIG. 7B is an explanatory diagram of a radio wave radiation state by a plurality of antennas according to the comparative example. The radar device of the comparative example differs from the radar device of the present embodiment in that the outer surface 27 of the resin horn is not plated with metal and that the heat transfer layer 80 is not provided. .

まず、第1の実施形態の図3と比較例の図7Aを参照して、レーダ装置の電波の指向性及び強度について説明する。 First, with reference to FIG. 3 of the first embodiment and FIG. 7A of the comparative example, the directivity and intensity of radio waves of the radar device will be described.

図7Aに示すように、比較例に係るレーダ装置50では、MMICチップ53からアンテナ52に電力が供給されると、アンテナ52から外部に向けて電波が放射される。アンテナ52から導波路55の内側に向う電波は、導波路55を通じてレンズ面57に導かれて、レンズ面57で平面波に変換されて障害物の検知に使用される。しかしながら、アンテナ52から導波路55の外側に向かう電波は、樹脂製のホーン54内を直進して外部に放出されて障害物の検知に使用されない。よって、ホーン54の軽量化を図ることができるものの、電波利用効率が低くなって、電波の指向性及び強度が低下している。 As shown in FIG. 7A, in the radar device 50 according to the comparative example, when power is supplied from the MMIC chip 53 to the antenna 52, radio waves are radiated from the antenna 52 to the outside. A radio wave directed from the antenna 52 toward the inside of the waveguide 55 is guided through the waveguide 55 to the lens surface 57, converted into a plane wave by the lens surface 57, and used to detect obstacles. However, radio waves directed from the antenna 52 to the outside of the waveguide 55 go straight through the resin-made horn 54 and are emitted to the outside, and are not used for detecting obstacles. Therefore, although the weight of the horn 54 can be reduced, the radio wave utilization efficiency is lowered, and the directivity and strength of the radio wave are lowered.

一方で、図3に示すように、第1の実施形態に係るレーダ装置1では、導波路23が形成されるホーン20のテーパ状の壁面26にめっき層28でシールド層29が形成されて導波路23のシールド性が確保されている。そのため、アンテナ13から導波路23の内側に向かう電波も、アンテナ13から導波路23の外側に向かう電波も、ホーン20のシールド層29によってレンズ面31に導かれて、レンズ面31で平面波に変換されて障害物の検知に使用される。よって、ホーン20の軽量化を図ることができると共に、電波利用効率が高くなって、電波の指向性及び強度が向上して検知精度が向上される。 On the other hand, as shown in FIG. 3, in the radar device 1 according to the first embodiment, a shield layer 29 is formed of a plated layer 28 on the tapered wall surface 26 of the horn 20 on which the waveguide 23 is formed. Shielding properties of the wave path 23 are ensured. Therefore, both the radio wave from the antenna 13 to the inside of the waveguide 23 and the radio wave from the antenna 13 to the outside of the waveguide 23 are guided to the lens surface 31 by the shield layer 29 of the horn 20 and converted into plane waves by the lens surface 31. used for obstacle detection. Therefore, the weight of the horn 20 can be reduced, the radio wave utilization efficiency is increased, the directivity and strength of the radio wave are improved, and the detection accuracy is improved.

次に、第1の実施形態の図3と比較例の図7Aを参照して、レーダ装置の伝熱経路及び放熱経路について説明する。 Next, with reference to FIG. 3 of the first embodiment and FIG. 7A of the comparative example, a heat transfer path and a heat dissipation path of the radar system will be described.

図7Aに示すように、比較例に係るレーダ装置50では、MMICチップ53の発熱によって装置内の空気が暖められると、内外温度差によってホーン54のテーパ状の壁面58に結露が生じて電波が乱れる場合がある。また、MMICチップ53の発熱が基板51及び放熱シートS1を介して放熱板60の支持台61に伝えられ、さらに放熱板60から放熱シートS2を介してベース62に伝えられる。しかしながら、MMICチップ53から基板51の厚み方向に向かう放熱経路R1だけでは、MMICチップ53の温度上昇を効果的に抑えることが困難である。 As shown in FIG. 7A, in the radar device 50 according to the comparative example, when the air inside the device is warmed by the heat generated by the MMIC chip 53, dew condensation occurs on the tapered wall surface 58 of the horn 54 due to the temperature difference between the inside and the outside, and radio waves are emitted. It can get messy. Heat generated by the MMIC chip 53 is transmitted to the support base 61 of the heat sink 60 through the substrate 51 and the heat sink sheet S1, and further from the heat sink 60 to the base 62 through the heat sink sheet S2. However, it is difficult to effectively suppress the temperature rise of the MMIC chip 53 only with the heat radiation path R1 extending from the MMIC chip 53 in the thickness direction of the substrate 51 .

一方で、図3に示すように、第1の実施形態に係るレーダ装置1では、ホーン20の外面27にMMICチップ14からシールド層29に向かう伝熱経路R2が形成されている。伝熱経路R2は、当接部24からガイド部25までのホーン20の外面27を覆うめっき層28によって形成され、ガイド部25の先端部分で伝熱経路R2のめっき層28とシールド層29のめっき層28が連なっている。そのため、MMICチップ14の発熱が伝熱経路R2を通じてシールド層29に伝わり、シールド層29が加熱されて結露の発生が抑えられる。このように、導波路23の結露の発生を抑えるために、MMICチップ14の発熱を利用している。 On the other hand, as shown in FIG. 3, in the radar device 1 according to the first embodiment, a heat transfer path R2 from the MMIC chip 14 to the shield layer 29 is formed on the outer surface 27 of the horn 20 . The heat transfer path R2 is formed by the plating layer 28 covering the outer surface 27 of the horn 20 from the contact portion 24 to the guide portion 25, and the plated layer 28 of the heat transfer path R2 and the shield layer 29 are formed at the tip portion of the guide portion 25. The plated layers 28 are continuous. Therefore, the heat generated by the MMIC chip 14 is transmitted to the shield layer 29 through the heat transfer path R2, and the shield layer 29 is heated to suppress the occurrence of dew condensation. In this way, the heat generated by the MMIC chip 14 is used to suppress the occurrence of dew condensation on the waveguide 23 .

このとき、MMICチップ14の発熱はホーン20の外面27のめっき層28に伝わり易いが、ホーン20の樹脂成形部分は熱伝導率が低いため、ホーン20の外面27のめっき層28から内側の樹脂成形部分には熱が伝わり難くなっている。そこで、MMICチップ14から熱伝導率が高くて熱容量が小さなめっき層28に集中的に熱が伝わるため、MMICチップ14の発熱によって伝熱経路R2を介してシールド層29を短時間で暖めることができる。よって、レーダ装置1の起動直後からシールド層29を暖めることができ、結露による電波の乱れを効果的に抑えることができる。さらに、めっき層28に加えて、伝熱層80を設けることで、シールド層29に効率よく熱を伝えることができるようになるため、より導波路の結露の発生を抑えることができるようになる。 At this time, the heat generated by the MMIC chip 14 is easily transferred to the plated layer 28 on the outer surface 27 of the horn 20, but since the resin-molded portion of the horn 20 has a low thermal conductivity, the resin inside the plated layer 28 on the outer surface 27 of the horn 20 is heated. It is difficult for heat to be transmitted to the molded part. Therefore, heat is intensively transferred from the MMIC chip 14 to the plated layer 28, which has a high thermal conductivity and a small heat capacity. can. Therefore, the shield layer 29 can be warmed immediately after the radar device 1 is activated, and the disturbance of radio waves due to dew condensation can be effectively suppressed. Furthermore, by providing the heat transfer layer 80 in addition to the plating layer 28, heat can be efficiently transferred to the shield layer 29, so that the occurrence of dew condensation in the waveguide can be further suppressed. .

また、第1の実施形態に係るレーダ装置1では、ホーン20の外面27にMMICチップ14からホーン20の周壁部21に向かう放熱経路R3が形成されている。放熱経路R3は、当接部24から周壁部21までのホーン20の外面27を覆うめっき層28及び伝熱層80によって形成され、ホーン20の周壁部21と放熱板40の周壁部42の合わせ面で放熱経路R3のめっき層28が放熱板40に接触している。そのため、MMICチップ14の発熱が放熱経路R3を通じて放熱板40の周壁部42に伝えられ、放熱板40から放熱シートS2を介してベース45に伝えられる。このように、MMICチップ14から基板10の厚み方向に向かう放熱経路R1に加えて、MMICチップ14からホーン20の外面27を通るめっき層28及び伝熱層80からなる放熱経路R3によってMMICチップ14の温度上昇を抑えることができる。 Further, in the radar device 1 according to the first embodiment, a heat radiation path R3 is formed on the outer surface 27 of the horn 20 from the MMIC chip 14 toward the peripheral wall portion 21 of the horn 20 . The heat dissipation path R3 is formed by the plating layer 28 and the heat transfer layer 80 covering the outer surface 27 of the horn 20 from the contact portion 24 to the peripheral wall portion 21, and the peripheral wall portion 21 of the horn 20 and the peripheral wall portion 42 of the heat sink 40 are aligned. The plated layer 28 of the heat dissipation path R3 is in contact with the heat dissipation plate 40 on the surface. Therefore, the heat generated by the MMIC chip 14 is transferred to the peripheral wall portion 42 of the heat dissipation plate 40 through the heat dissipation path R3, and is transferred from the heat dissipation plate 40 to the base 45 via the heat dissipation sheet S2. Thus, in addition to the heat radiation path R1 from the MMIC chip 14 in the thickness direction of the substrate 10, the heat radiation path R3 from the MMIC chip 14 passing through the outer surface 27 of the horn 20 and the plated layer 28 and the heat transfer layer 80 also heats the MMIC chip 14. temperature rise can be suppressed.

ここでは、シールド層29と、伝熱経路R2及び放熱経路R3とを同一材料のめっき層28で形成したが、この構成に限定されない。すなわち、シールド層29は伝熱経路R2及び放熱経路R3よりもシールド性が高いめっき層で形成され、伝熱経路R2及び放熱経路R3はシールド層29よりも熱伝導率が高いめっき層で形成されてもよい。例えば、シールド層29にはシールド性が高いニッケルが使用され、伝熱経路R2及び放熱経路R3には熱伝導率が高い銅が使用されてもよい。この場合、ニッケルでシールド性を確保するためには0.021μm以上の厚みが必要であり、銅で伝熱性を確保するためには10μm以上の厚みが必要である。 Although the shield layer 29, the heat transfer path R2, and the heat dissipation path R3 are formed of the plated layer 28 of the same material here, the configuration is not limited to this. That is, the shield layer 29 is formed of a plated layer having a higher shielding property than the heat transfer path R2 and the heat dissipation path R3, and the heat transfer path R2 and the heat dissipation path R3 are formed of a plated layer having a higher thermal conductivity than the shield layer 29. may For example, nickel with high shielding properties may be used for the shield layer 29, and copper with high thermal conductivity may be used for the heat transfer path R2 and the heat dissipation path R3. In this case, a thickness of 0.021 μm or more is required to ensure shielding properties with nickel, and a thickness of 10 μm or more is necessary to ensure heat conductivity with copper.

また、シールド層29と伝熱経路R2及び放熱経路R3とを同一のめっき層28で形成する場合に、シールド層29のめっき層28の肉厚よりも伝熱経路R2及び放熱経路R3のめっき層28の肉厚が大きく形成されてもよい。例えば、シールド層29と伝熱経路R2及び放熱経路R3を銅膜で形成する場合に、シールド層29は0.24μm以上の厚みの銅膜で形成され、伝熱経路R2及び放熱経路R3は10μm以上の厚みの銅膜で形成されてもよい。これにより、伝熱経路R2及び放熱経路R3のめっき層28が厚くなった分だけ、MMICチップ14の熱をめっき層28に伝え易くしている。また、シールド層29は、複数層構造で形成されてもよく、例えばシールド性が高いニッケルと熱伝導率が高い銅の二層構造で形成されてもよい。 Further, when forming the shield layer 29 and the heat transfer path R2 and the heat dissipation path R3 with the same plating layer 28, the plating layer of the heat transfer path R2 and the heat dissipation path R3 is thicker than the thickness of the plating layer 28 of the shield layer 29. The thickness of 28 may be formed large. For example, when the shield layer 29, the heat transfer path R2, and the heat dissipation path R3 are formed of a copper film, the shield layer 29 is formed of a copper film having a thickness of 0.24 μm or more, and the heat transfer path R2 and the heat dissipation path R3 are formed of a copper film having a thickness of 10 μm. It may be formed of a copper film having a thickness equal to or greater than the above thickness. As a result, the heat of the MMIC chip 14 can be easily transferred to the plated layer 28 by the thickness of the plated layer 28 of the heat transfer path R2 and the heat dissipation path R3. Moreover, the shield layer 29 may be formed with a multi-layer structure, for example, it may be formed with a two-layer structure of nickel with high shielding properties and copper with high thermal conductivity.

以上のように、第1の実施形態のレーダ装置1では、めっき層28によって導波路23内のシールド性が確保されて、導波路23から放出される電波の指向性が向上され、電波強度が増大される。また、樹脂製のホーン20を採用することで、金属の使用量を抑えてレーダ装置1の軽量化を実現することができる。さらに、ホーン20の外面27を通る伝熱経路R2によって、MMICチップ14の発熱を利用して導波路23の結露の発生を抑えることができる。さらにまた、めっき層28及び伝熱層80により形成されたホーン20の外面27を通る放熱経路R3によって、MMICチップ14の熱を放熱板40に逃がして、MMICチップ14の温度上昇を抑えることができる。 As described above, in the radar device 1 of the first embodiment, the plating layer 28 secures the shielding property in the waveguide 23, improves the directivity of the radio wave emitted from the waveguide 23, and increases the radio wave intensity. Increased. Moreover, by adopting the resin horn 20, the amount of metal used can be reduced, and the weight of the radar device 1 can be reduced. Furthermore, the heat transfer path R2 passing through the outer surface 27 of the horn 20 makes it possible to use the heat generated by the MMIC chip 14 to suppress the occurrence of dew condensation on the waveguide 23. FIG. Furthermore, the heat of the MMIC chip 14 is released to the heat sink 40 through the heat radiation path R3 passing through the outer surface 27 of the horn 20 formed by the plating layer 28 and the heat transfer layer 80, thereby suppressing the temperature rise of the MMIC chip 14. can.

次に、図2及び図7Bを参照して、レーダ装置の電波干渉について説明する。 Next, with reference to FIGS. 2 and 7B, radio wave interference of the radar device will be described.

図7Bに示すように、比較例に係るレーダ装置50には複数のアンテナ52に対応して複数の導波路55が形成され、各アンテナ52から同時に電波が放射されている。各アンテナ52から各導波路55の内側に向かう電波は、それぞれ導波路55を通じてレンズ面57に導かれて、レンズ面57で平面波に変換されて障害物の検知に使用される。しかしながら、各アンテナ52から各導波路55の外側に向かう電波は、樹脂製のホーン54内を直進して隣の導波路55に入り込んで電波干渉を起こしている。そのため、この電波干渉によって障害物の検知性能が悪化している。 As shown in FIG. 7B, a radar device 50 according to the comparative example has a plurality of waveguides 55 corresponding to a plurality of antennas 52, and radio waves are radiated from each antenna 52 at the same time. Radio waves directed from each antenna 52 toward the inside of each waveguide 55 are guided to the lens surface 57 through the waveguide 55, converted into plane waves by the lens surface 57, and used to detect obstacles. However, radio waves traveling from each antenna 52 to the outside of each waveguide 55 go straight through the resin-made horn 54 and enter the adjacent waveguide 55, causing radio wave interference. Therefore, the radio wave interference deteriorates the obstacle detection performance.

一方で、図2に示すように、第1の実施形態に係るレーダ装置1では、複数のアンテナ13から同時に電波が放射されても、ホーン20のシールド層29によって導波路23外への電波の漏れが防止されている。また、アンテナ13から導波路23の内側に向かう電波も、アンテナ13から導波路23の外側に向かう電波も、ホーン20のシールド層29によってレンズ面31に導かれて、レンズ面31で平面波に変換されて障害物の検知に使用される。よって、複数の導波路23の間で電波干渉を起こすことがなく、電波干渉によって障害物の検知性能が悪化することがない。 On the other hand, as shown in FIG. 2 , in the radar device 1 according to the first embodiment, even if radio waves are radiated from the plurality of antennas 13 at the same time, the shield layer 29 of the horn 20 prevents the radio waves from reaching the outside of the waveguide 23 . Leakage is prevented. Further, both the radio wave from the antenna 13 to the inside of the waveguide 23 and the radio wave from the antenna 13 to the outside of the waveguide 23 are guided to the lens surface 31 by the shield layer 29 of the horn 20 and converted into plane waves by the lens surface 31. used for obstacle detection. Therefore, radio wave interference does not occur between the plurality of waveguides 23, and obstacle detection performance does not deteriorate due to radio wave interference.

以上の通り、本実施形態に記載のレーダ装置(1)は、基板(10)の一方の主面(11)にアンテナ(13)と、アンテナ(13)に接続された電子部品(MMICチップ14)とが配置され、アンテナ(13)および電子部品(MMICチップ14)に重なるように樹脂製のホーン(20)が配置されたレーダ装置(1)であって、ホーン(20)には、アンテナ(13)に対応する位置に基板(10)の一方の主面(11)から遠ざかるにつれて幅広になる導波路(23)が形成され、ホーン(20)の外面(27)にはめっき層(28)が形成され、ホーン(20)の導波路(23)を形成する壁面(26)にはめっき層(28)によってシールド層(29)が形成され、ホーン(20)の基板(10)と対向する対向面には、ホーン(20)の電子部品(MMICチップ14)と対向する位置からホーン(20)の周壁部(21)まで伝熱層(80)が延設されている。 As described above, the radar device (1) according to this embodiment includes an antenna (13) on one main surface (11) of a substrate (10) and an electronic component (MMIC chip 14) connected to the antenna (13). ) are arranged, and a resin horn (20) is arranged so as to overlap an antenna (13) and an electronic component (MMIC chip 14), wherein the horn (20) has an antenna A waveguide (23) is formed at a position corresponding to (13) and becomes wider as it goes away from one main surface (11) of the substrate (10), and a plating layer (28) is formed on the outer surface (27) of the horn (20). ) is formed, and a shield layer (29) is formed by a plating layer (28) on the wall surface (26) forming the waveguide (23) of the horn (20), facing the substrate (10) of the horn (20). A heat transfer layer (80) extends from a position facing the electronic component (MMIC chip 14) of the horn (20) to the peripheral wall (21) of the horn (20) on the facing surface.

この構成によれば、シールド層(29)によって導波路(23)から放出される電波の指向性及び強度が向上されると共に、樹脂製のホーン(20)を採用することで、金属の使用量を抑えてレーダ装置(1)の軽量化を実現することができる。さらに、ホーン(20)の基板(10)に対向する対向面に、伝熱層(80)を設けることによって低コストで基板(10)に実装された電子部品(MMICチップ14)の放熱性を向上させることができる。 According to this configuration, the directivity and strength of radio waves emitted from the waveguide (23) are improved by the shield layer (29), and the use of the resin horn (20) reduces the amount of metal used. can be suppressed and the weight of the radar device (1) can be reduced. Furthermore, by providing a heat transfer layer (80) on the opposite surface of the horn (20) facing the substrate (10), the heat dissipation of the electronic component (MMIC chip 14) mounted on the substrate (10) can be improved at low cost. can be improved.

本実施形態に記載のレーダ装置(1)において、アンテナ(13)は基板(10)の一方の主面(11)に設けられた複数のアンテナ(13)であり、導波路(23)はホーン(20)の複数のアンテナ(13)に対応する位置に形成された複数の導波路(23)である。 In the radar device (1) according to this embodiment, the antenna (13) is a plurality of antennas (13) provided on one main surface (11) of the substrate (10), and the waveguide (23) is a horn. A plurality of waveguides (23) formed at positions corresponding to the plurality of antennas (13) of (20).

この構成によれば、複数の導波路(23)の間で電波干渉を抑えることができる。また、複数の導波路(23)から外部に向けて電波が放出されることで、レーダ装置(1)からの距離が異なる障害物を検知することが可能になる。 According to this configuration, radio wave interference can be suppressed between the plurality of waveguides (23). In addition, by emitting radio waves from the plurality of waveguides (23) to the outside, it becomes possible to detect obstacles at different distances from the radar device (1).

本実施形態に記載のレーダ装置(1)において、ホーン(20)には、電子部品(MMICチップ14)からシールド層(29)に向かう伝熱経路(R2)が伝熱層(80)及びめっき層(28)で形成されている。 In the radar device (1) according to this embodiment, the horn (20) has a heat transfer path (R2) from the electronic component (MMIC chip 14) to the shield layer (29). It is formed by a layer (28).

この構成によれば、ホーン(20)の外面(27)を通る伝熱経路(R2)によって、電子部品(MMICチップ14)の発熱を利用して、導波路(23)の結露の発生を抑えることができる。ホーン(20)は熱伝導率が低い樹脂製であり、電子部品(MMICチップ14)から熱伝導率が高い金属に集中的に熱が伝わって、短時間でシールド層(29)を暖めることができる。 According to this configuration, the heat transfer path (R2) passing through the outer surface (27) of the horn (20) utilizes the heat generated by the electronic component (MMIC chip 14) to suppress the occurrence of dew condensation on the waveguide (23). be able to. The horn (20) is made of resin with low thermal conductivity, and the heat from the electronic component (MMIC chip 14) is intensively transferred to the metal with high thermal conductivity, so that the shield layer (29) can be warmed in a short time. can.

本実施形態に記載のレーダ装置(1)において、基板(10)の他方の主面(12)に設けられた放熱板(40)又はベース(45)を備え、ホーン(20)には、電子部品(MMICチップ14)から放熱板(40)又はベース(45)に向かう放熱経路(R3)が伝熱層(80)及びめっき層(28)で形成されている。 The radar device (1) according to this embodiment comprises a heat sink (40) or a base (45) provided on the other main surface (12) of the substrate (10), and the horn (20) has an electronic A heat dissipation path (R3) from the component (MMIC chip 14) to the heat dissipation plate (40) or base (45) is formed by the heat transfer layer (80) and the plating layer (28).

この構成によれば、ホーン(20)の外面(27)を通る放熱経路(R3)によって、電子部品(MMICチップ14)の熱を放熱板(40)又はベース(45)に逃がして、電子部品(MMICチップ14)の温度上昇を抑えることができる。 According to this configuration, the heat of the electronic component (MMIC chip 14) is released to the heat sink (40) or the base (45) through the heat radiation path (R3) passing through the outer surface (27) of the horn (20), thereby (MMIC chip 14) temperature rise can be suppressed.

本実施形態に記載のレーダ装置(1)において、伝熱層(80)の肉厚は、めっき層(28)の肉厚よりも大きく形成されている。 In the radar device (1) according to this embodiment, the thickness of the heat transfer layer (80) is formed to be greater than the thickness of the plating layer (28).

この構成によれば、伝熱層(80)の肉厚が大きいため、電子部品(MMICチップ14)の熱をめっき層(28)に効果的に逃がすことができる。 According to this configuration, since the thickness of the heat transfer layer (80) is large, the heat of the electronic component (MMIC chip 14) can be effectively released to the plating layer (28).

本実施形態に記載のレーダ装置(1)において、前記ホーン(20)は、前記伝熱層(80)と一体化成形されている。 In the radar device (1) according to this embodiment, the horn (20) is integrally formed with the heat transfer layer (80).

この構成によれば、伝熱層(80)のホーン(20)への組付け作業の省略により、さらなるコスト低減を図ることができる。 With this configuration, further cost reduction can be achieved by omitting the work of assembling the heat transfer layer (80) to the horn (20).

本実施形態に記載のレーダ装置(1)において、伝熱層(80)又はめっき層(28)は、銀、銅、金、ニッケル、錫、アルミニウム、鉄の少なくともいずれかを含む金属で形成される。 In the radar device (1) according to this embodiment, the heat transfer layer (80) or the plating layer (28) is made of metal containing at least one of silver, copper, gold, nickel, tin, aluminum and iron. be.

この構成によれば、熱伝導率が高くシールド性を有する金属によって伝熱層(80)又はめっき層(28)を形成できる。 According to this configuration, the heat transfer layer (80) or the plated layer (28) can be formed from a metal having high thermal conductivity and shielding properties.

本実施形態に記載のレーダ装置(1)の製造方法は、一方の主面(11)に電子部品(MMICチップ14)を配置した基板(10)と、基板(10)の一方の主面(11)に配置した樹脂製のホーン(20)と、基板(10)の他方の主面(12)に配置した放熱板(40)又はベース(45)と、を備えたレーダ装置(1)の製造方法であって、前記伝熱層(80)を設置した金型(70)内に樹脂(81)を充填することによって、前記伝熱層(80)を露出した状態で前記ホーン(20)に一体化成形し、前記伝熱層(80)が一体化成形された前記ホーン(20)の表面をメッキ処理する。 The manufacturing method of the radar device (1) according to the present embodiment comprises: a substrate (10) having an electronic component (MMIC chip 14) arranged on one main surface (11); 11), and a radiator plate (40) or base (45) arranged on the other main surface (12) of the substrate (10). In the manufacturing method, the horn (20) is formed in a state in which the heat transfer layer (80) is exposed by filling a resin (81) in a mold (70) in which the heat transfer layer (80) is installed. The surface of the horn (20) integrally molded with the heat transfer layer (80) is plated.

この構成によれば、伝熱層(80)のホーン(20)への組付け作業の省略により、さらなるコスト低減を図ることができ、基板(10)に実装された電子部品(MMICチップ14)の放熱性を向上することができる。 According to this configuration, the work of assembling the heat transfer layer (80) to the horn (20) is omitted, so that further cost reduction can be achieved. heat dissipation can be improved.

以上、本発明の実施形態について詳述したが、本発明は、前記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を行うことができるものである。例えば、前記した実施の形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。さらに、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various designs can be made without departing from the spirit of the invention described in the claims. Changes can be made. For example, the above-described embodiments have been described in detail in order to explain the present invention in an easy-to-understand manner, and are not necessarily limited to those having all the described configurations. Also, part of the configuration of one embodiment can be replaced with the configuration of another embodiment, and the configuration of another embodiment can be added to the configuration of one embodiment. Furthermore, it is possible to add, delete, or replace part of the configuration of each embodiment with another configuration.

1 レーダ装置
10 基板
11 一方の主面
12 他方の主面
13 アンテナ
14 MMICチップ(電子部品)
20 ホーン
23 導波路
26 ホーンの壁面
27 ホーンの外面
28 めっき層
29 シールド層
40 放熱板
R2 伝熱経路
R3 放熱経路
70 金型
80 伝熱層
81 樹脂材料
82 表面側
A1 伝熱部材
1 radar device 10 substrate 11 one main surface 12 the other main surface 13 antenna 14 MMIC chip (electronic component)
20 horn 23 waveguide 26 horn wall surface 27 horn outer surface 28 plating layer 29 shield layer 40 radiator plate R2 heat transfer path R3 heat dissipation path 70 mold 80 heat transfer layer 81 resin material 82 surface side A1 heat transfer member

Claims (6)

基板の一方の主面にアンテナと該アンテナに接続された電子部品とが配置され、前記アンテナおよび前記電子部品に重なるように樹脂製のホーンが配置されたレーダ装置であって、
前記ホーンには、前記アンテナに対応する位置に前記基板の一方の主面から遠ざかるにつれて幅広になる導波路が形成され、
前記ホーンの外面にはめっき層が形成され、
前記ホーンの前記導波路を形成する壁面には前記めっき層によってシールド層が形成され、
前記ホーンの前記基板と対向する対向面には、前記ホーンの前記電子部品と対向する位置から前記ホーンの周壁部まで伝熱層が延設されており、
前記ホーンは、前記伝熱層と一体化成形されている
ことを特徴とするレーダ装置。
A radar device in which an antenna and an electronic component connected to the antenna are arranged on one main surface of a substrate, and a resin horn is arranged so as to overlap the antenna and the electronic component,
The horn is formed with a waveguide at a position corresponding to the antenna, the waveguide becoming wider as the distance from one main surface of the substrate increases,
A plating layer is formed on the outer surface of the horn,
A shield layer is formed by the plating layer on the wall surface forming the waveguide of the horn,
A heat transfer layer extends from a position of the horn facing the electronic component to a peripheral wall portion of the horn on a surface of the horn facing the substrate,
The radar device, wherein the horn is integrally formed with the heat transfer layer.
前記アンテナは前記基板の一方の主面に設けられた複数のアンテナであり、前記導波路は前記ホーンの前記複数のアンテナに対応する位置に形成された複数の導波路であることを特徴とする請求項1に記載のレーダ装置。 The antennas are a plurality of antennas provided on one main surface of the substrate, and the waveguides are a plurality of waveguides formed at positions corresponding to the plurality of antennas of the horn. The radar device according to claim 1. 前記ホーンには、前記電子部品から前記シールド層に向かう伝熱経路が前記伝熱層及び前記めっき層で形成されていることを特徴とする請求項1に記載のレーダ装置。 2. The radar device according to claim 1 , wherein the heat transfer path from the electronic component to the shield layer is formed in the horn by the heat transfer layer and the plating layer. 前記基板の他方の主面に設けられた放熱板又はベースを備え、
前記ホーンには、前記電子部品から前記放熱板又は前記ベースに向かう放熱経路が前記伝熱層及び前記めっき層で形成されていることを特徴とする請求項1に記載のレーダ装置。
A heat sink or base provided on the other main surface of the substrate,
2. The radar apparatus according to claim 1 , wherein the horn includes the heat transfer layer and the plated layer forming a heat dissipation path from the electronic component to the heat dissipation plate or the base.
前記伝熱層の肉厚は、前記めっき層の肉厚よりも大きく形成されていることを特徴とする請求項1に記載のレーダ装置。 2. The radar device according to claim 1 , wherein the thickness of said heat transfer layer is formed to be greater than the thickness of said plating layer. 前記伝熱層又は前記めっき層は、銀、銅、金、ニッケル、錫、アルミニウム、鉄の少なくともいずれかを含む金属で形成されることを特徴とする請求項1に記載のレーダ装置。 2. The radar device according to claim 1, wherein the heat transfer layer or the plated layer is made of metal containing at least one of silver, copper, gold, nickel, tin, aluminum, and iron.
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