JP7152510B2 - radar equipment - Google Patents

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Description

本発明はレーダ装置に関する。 The present invention relates to radar equipment.

近年、自動運転等の基盤技術として、車両周囲の障害物を検知するレーダ装置が開発されている。この種のレーダ装置として、パッチアンテナ(アンテナ)が形成された基板上にホーンが設置されたものが知られている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に記載のホーンには、基板上のパッチアンテナに対応して導波路が形成されている。ホーンの導波路は基板から遠ざかるにつれて開口径が広がるように形成されており、導波路によってパッチアンテナから放射された電波が指向性を持って放射されて障害物の検知感度が高められている。 In recent years, radar devices for detecting obstacles around a vehicle have been developed as a basic technology for automatic driving and the like. As this type of radar device, there is known one in which a horn is installed on a substrate on which a patch antenna (antenna) is formed (see, for example, Patent Document 1). In the horn described in Patent Document 1, a waveguide is formed corresponding to the patch antenna on the substrate. The waveguide of the horn is formed so that the opening diameter widens as the distance from the substrate increases, and the waveguide radiates radio waves emitted from the patch antenna with directivity, thereby enhancing the detection sensitivity of obstacles.

国際公開第2008/120826号WO2008/120826

しかしながら、上記したようなレーダ装置では、ホーン全体が金属で形成されていると装置重量が増加する。一方で、ホーンを軽量な樹脂で形成すると、ホーンを電波が通過して電波の指向性及び強度が弱くなるという問題があった。 However, in the radar device as described above, if the entire horn is made of metal, the weight of the device increases. On the other hand, if the horn is made of lightweight resin, there is a problem that radio waves pass through the horn and the directivity and strength of the radio waves are weakened.

本発明は前記課題を解決するもので、その目的とするところは、装置重量を増加させることなく、電波の指向性及び強度を向上することができるレーダ装置を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to provide a radar device capable of improving the directivity and strength of radio waves without increasing the weight of the device.

本発明の一態様のレーダ装置は、一方の主面にアンテナが設けられた基板と、前記基板の一方の主面に配置された樹脂製のホーンと、を備えたレーダ装置であって、前記ホーンには、前記アンテナに対応する位置に前記基板の一方の主面から遠ざかるにつれて幅広になる導波路が形成され、前記導波路を形成する前記ホーンの壁面に金属膜でシールド層が形成されたことを特徴とする。 A radar device according to one aspect of the present invention includes a substrate provided with an antenna on one main surface, and a resin horn arranged on one main surface of the substrate, the radar device comprising: In the horn, a waveguide was formed at a position corresponding to the antenna, the waveguide becoming wider with increasing distance from one main surface of the substrate, and a shield layer made of a metal film was formed on the wall surface of the horn forming the waveguide. It is characterized by

本発明によれば、シールド層によって導波路から放出される電波の指向性及び強度が向上されると共に、樹脂製のホーンを採用することで、金属の使用量を抑えてレーダ装置の軽量化を実現することができる。本発明に関連する更なる特徴は、本明細書の記述、添付図面から明らかになるものである。また、上記した以外の、課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。 According to the present invention, the directivity and strength of radio waves emitted from the waveguide are improved by the shield layer, and by adopting a resin horn, the amount of metal used can be suppressed and the weight of the radar device can be reduced. can be realized. Further features related to the present invention will become apparent from the description of the specification and the accompanying drawings. Further, problems, configurations, and effects other than those described above will be clarified by the following description of the embodiments.

第1の実施形態に係るレーダ装置の分解斜視図。1 is an exploded perspective view of a radar device according to a first embodiment; FIG. 第1の実施形態に係るレーダ装置の断面模式図。1 is a schematic cross-sectional view of a radar device according to a first embodiment; FIG. 図3Aは比較例に係る電波の放射状態の説明図、図3Bは第1の実施形態の電波の放射状態の説明図。FIG. 3A is an explanatory diagram of a radio wave radiation state according to a comparative example, and FIG. 3B is an explanatory diagram of a radio wave radiation state according to the first embodiment. 図4Aは比較例に係る複数アンテナによる電波の放射状態の説明図、図4Bは第1の実施形態の複数アンテナによる電波の放射状態の説明図。4A is an explanatory diagram of a radio wave radiation state from multiple antennas according to a comparative example, and FIG. 4B is an explanatory diagram of a radio wave radiation state from multiple antennas according to the first embodiment. 図5Aは比較例に係る伝熱経路及び放熱経路の説明図、図5Bは第1の実施形態に係る伝熱経路及び放熱経路の説明図。FIG. 5A is an explanatory diagram of a heat transfer path and a heat dissipation path according to a comparative example, and FIG. 5B is an explanatory diagram of a heat transfer path and a heat dissipation path according to the first embodiment. 第2の実施形態のレーダ装置の断面模式図。The cross-sectional schematic diagram of the radar apparatus of 2nd Embodiment. 第3の実施形態のレーダ装置の断面模式図。The cross-sectional schematic diagram of the radar apparatus of 3rd Embodiment. 第4の実施形態のレーダ装置の断面模式図。The cross-sectional schematic diagram of the radar apparatus of 4th Embodiment. 第5の実施形態のレーダ装置の断面模式図。The cross-sectional schematic diagram of the radar apparatus of 5th Embodiment. 第6の実施形態のレーダ装置の断面模式図。The cross-sectional schematic diagram of the radar apparatus of 6th Embodiment. 第7の実施形態のレーダ装置の断面模式図。The cross-sectional schematic diagram of the radar apparatus of 7th Embodiment. 第8の実施形態のレーダ装置の断面模式図。The cross-sectional schematic diagram of the radar apparatus of 8th Embodiment. 第9の実施形態のレーダ装置の断面模式図。The cross-sectional schematic diagram of the radar apparatus of 9th Embodiment.

[第1の実施形態]
以下、図1を参照して、第1の実施形態に係るレーダ装置の全体構成について説明する。図1は、第1の実施形態に係るレーダ装置の分解斜視図である。なお、以下の説明では、レーダ装置としてミリ波レーダを例示して説明するが、本開示の技術は電波を放出して障害物を検知する他のレーダ装置に利用することが可能である。
[First embodiment]
Hereinafter, the overall configuration of the radar device according to the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is an exploded perspective view of the radar device according to the first embodiment. In the following description, a millimeter wave radar will be exemplified as a radar device, but the technique of the present disclosure can be used for other radar devices that detect obstacles by emitting radio waves.

図1に示すように、レーダ装置1は、ミリ波レーダ装置であり、ミリ波帯の電波を放射して、障害物からの反射波を受信して障害物を検知している。レーダ装置1の基板10の一方の主面11には、複数のMMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)チップ14が設けられている。各MMICチップ14には給電線(不図示)を介して複数のアンテナ13が接続されている。各MMICチップ14からの電力供給によって各アンテナ13から電波が放射され、各アンテナ13で捕らえた電波は給電線を通じて各MMICチップ14に送られる。 As shown in FIG. 1, the radar device 1 is a millimeter wave radar device that emits radio waves in the millimeter wave band and receives reflected waves from obstacles to detect obstacles. A plurality of MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) chips 14 are provided on one main surface 11 of the substrate 10 of the radar device 1 . A plurality of antennas 13 are connected to each MMIC chip 14 via feeder lines (not shown). A radio wave is radiated from each antenna 13 by power supply from each MMIC chip 14, and the radio wave captured by each antenna 13 is sent to each MMIC chip 14 through a feeder line.

なお、アンテナ13は、基板10上に設けられたパッチアンテナ等の平面アンテナでもよいし、基板10上に設けられた表面実装型のチップアンテナでもよい。基板10上には、半導体チップとして送受信用のMMICチップ14が配置される構成にしたが、送信用のMMICチップ14と受信用のMMICチップ14が個別に配置されてもよい。半導体チップとして、他のMIC(Microwave Integrated Circuit)チップが使用されてもよい。また、基板10には、ガラスエポキシ基板、セラミック基板等が使用されてもよいし、低誘電率のフッ素樹脂製の高周波用基板が使用されてもよい。 The antenna 13 may be a flat antenna such as a patch antenna provided on the substrate 10 or may be a surface-mounted chip antenna provided on the substrate 10 . Although the MMIC chip 14 for transmission and reception is arranged as a semiconductor chip on the substrate 10, the MMIC chip 14 for transmission and the MMIC chip 14 for reception may be arranged separately. Other MIC (Microwave Integrated Circuit) chips may be used as semiconductor chips. Further, as the substrate 10, a glass epoxy substrate, a ceramic substrate, or the like may be used, or a high frequency substrate made of fluorine resin having a low dielectric constant may be used.

レーダ装置1の基板10の一方の主面11には、外面を金属メッキした平面視矩形状の樹脂製のホーン20が配置されている。ホーン20には、基板10上の複数のアンテナ13に対応する位置にそれぞれ導波路23が形成されている。各導波路23は、短距離用、中距離用、長距離用に種類が分かれている。複数の導波路23から外部に向けて電波が放出されることで、レーダ装置1からの距離が異なる障害物を検知することが可能になっている。各導波路23は、基板10の一方の主面11から遠ざかるにつれて幅広になるように、ホーン20のテーパ面によって角錐状又は円錐状に形成されている。 On one main surface 11 of the substrate 10 of the radar device 1, a resin horn 20 having a rectangular shape in plan view and having a metal-plated outer surface is arranged. Waveguides 23 are formed in the horn 20 at positions corresponding to the plurality of antennas 13 on the substrate 10 . Each waveguide 23 is classified into types for short distance, medium distance, and long distance. It is possible to detect obstacles at different distances from the radar device 1 by emitting radio waves from the plurality of waveguides 23 to the outside. Each waveguide 23 is formed in a pyramidal or conical shape by the tapered surface of the horn 20 so that the width of each waveguide 23 increases with increasing distance from one main surface 11 of the substrate 10 .

なお、ホーン20には、PBT(Polybutylene Terephthalate)樹脂、PPS(Poly Phenylene Sulfide)樹脂、PP(Poly Propylene)樹脂、ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene)樹脂、PS(Poly Styrene)樹脂、PE(Poly Ethylene)樹脂、PVC(Poly Vinyl Chloride)樹脂、PC(Poly Carbonate)樹脂、PET(Poly Ethylene Terephthalate)樹脂、LCP(Liquid Crystal Polymer)樹脂、PPO(Poly Phenylene Oxide)樹脂、エポキシ(Epoxy)樹脂、Si(Silicone)樹脂、ポリエステル(Polyester)樹脂などを主成分とする熱可塑性樹脂、または熱硬化性樹脂の軽量で熱伝導率が低い樹脂が使用されてもよい。金属メッキによってホーン20の外面に形成された金属膜28(図2参照)には、熱伝導率が高くシールド性を持った銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、ニッケル(Ni)、錫(Sn)等のいずれかを少なくとも含む金属が使用されてもよい。ホーン20の外面の金属膜28は、メッキの他、スパッタ法、インクジェット法、スクリーン印刷法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、PVD(Physical Vapor Deposition)法等によって形成されてもよい。 The horn 20 is made of PBT (Polybutylene Terephthalate) resin, PPS (Poly Phenylene Sulfide) resin, PP (Poly Propylene) resin, ABS (Acrylonitrile Butadiene Styrene) resin, PS (Poly Styrene) resin, PE (Poly Ethylene) resin. , PVC (Poly Vinyl Chloride) resin, PC (Poly Carbonate) resin, PET (Poly Ethylene Terephthalate) resin, LCP (Liquid Crystal Polymer) resin, PPO (Poly Phenylene Oxide) resin, Epoxy resin, Si (Silicone) A resin, a thermoplastic resin based on polyester resin or the like, or a thermosetting resin, which is lightweight and has low thermal conductivity, may be used. The metal film 28 (see FIG. 2) formed on the outer surface of the horn 20 by metal plating includes silver (Ag), copper (Cu), gold (Au), nickel (Ni), which have high thermal conductivity and shielding properties. ), tin (Sn), etc. may be used. The metal film 28 on the outer surface of the horn 20 may be formed by a sputtering method, an inkjet method, a screen printing method, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a PVD (Physical Vapor Deposition) method, or the like, in addition to plating.

ホーン20には、複数の導波路23を覆うように平面視矩形状のレンズ30が配置されている。レンズ30の基板10側の裏面には、ホーン20の複数の導波路23に対応して複数のレンズ面31(図2参照)が形成されている。アンテナ13から導波路23内で放射状に拡散した電波はレンズ30で平面波に変換されて外部に放出される。外部からの反射波はレンズ30によって導波路23内で収束されてアンテナ13に受信される。なお、レンズ30には、PBT樹脂、PPS樹脂等の誘電体材料が使用されてもよい。 The horn 20 is provided with a rectangular lens 30 in plan view so as to cover the plurality of waveguides 23 . A plurality of lens surfaces 31 (see FIG. 2) corresponding to the plurality of waveguides 23 of the horn 20 are formed on the rear surface of the lens 30 on the substrate 10 side. Radio waves radially diffused in the waveguide 23 from the antenna 13 are converted into plane waves by the lens 30 and emitted to the outside. Reflected waves from the outside are converged within the waveguide 23 by the lens 30 and received by the antenna 13 . Note that dielectric materials such as PBT resin and PPS resin may be used for the lens 30 .

ホーン20及びレンズ30の外縁部は矩形枠状のハウジング35で押さえられている。
ハウジング35は、ホーン20及びレンズ30を抜け止めする開口縁部36と、レーダ装置1の側面を形成する側壁部37とを有している。ハウジング35の開口縁部36上には、レーダ装置1の表面を形成するカバー39が固定されている。カバー39は、ハウジング35に固定される外周部分を除いて膨出しており、雨や風等の自然環境から装置内部を保護するレドームとして機能している。なお、ハウジング35及びカバー39には、PBT樹脂、PPS樹脂等の樹脂材料が使用されてもよい。
The outer edges of the horn 20 and the lens 30 are held by a rectangular frame-shaped housing 35 .
The housing 35 has an opening edge portion 36 that prevents the horn 20 and the lens 30 from coming off, and a side wall portion 37 that forms the side surface of the radar device 1 . A cover 39 forming the surface of the radar device 1 is fixed on the opening edge 36 of the housing 35 . The cover 39 bulges out except for the outer peripheral portion fixed to the housing 35, and functions as a radome that protects the inside of the device from the natural environment such as rain and wind. A resin material such as PBT resin or PPS resin may be used for the housing 35 and the cover 39 .

基板10の他方の主面12には、基板10の熱を逃がす放熱板40が設けられている。
放熱板40の基板10側の表面には、基板10上の複数のMMICチップ14に対応する位置に複数の支持台41が形成されている。放熱板40の裏面は、レーダ装置1の裏面を形成するベース45に支持されている。各支持台41の支持面は放熱シートS1を介して基板10に接触し、ベース45は放熱シートS2を介して放熱板40に接触している。レーダ装置1には、放熱板40及びベース45によってMMICチップ14の熱を逃がす放熱経路が形成される。なお、放熱板40及びベース45にはアルミニウム等の熱伝導率が高い材料が使用されてもよい。なお、図示はしないが、図1に示すように放熱板40とベース45は必ずしも分離する必要はなく、放熱板40とベース45を一体化した部品(ベース)として使用することもできる。すなわち、放熱板40が放熱部材として機能してもよいし、放熱板40とベース45が一体化した部品が放熱部材として機能してもよい。
A radiator plate 40 for releasing heat from the substrate 10 is provided on the other main surface 12 of the substrate 10 .
A plurality of supports 41 are formed on the surface of the heat sink 40 on the side of the substrate 10 at positions corresponding to the plurality of MMIC chips 14 on the substrate 10 . The back surface of the heat sink 40 is supported by a base 45 that forms the back surface of the radar device 1 . The supporting surface of each support table 41 is in contact with the substrate 10 through the heat dissipation sheet S1, and the base 45 is in contact with the heat dissipation plate 40 through the heat dissipation sheet S2. In the radar device 1 , a heat dissipation path for releasing heat from the MMIC chip 14 is formed by the heat dissipation plate 40 and the base 45 . A material with high thermal conductivity such as aluminum may be used for the radiator plate 40 and the base 45 . Although not shown, the radiator plate 40 and the base 45 do not necessarily need to be separated as shown in FIG. That is, the radiator plate 40 may function as a heat radiator, or a component in which the radiator plate 40 and the base 45 are integrated may function as a radiator member.

図2を参照して、第1の実施形態に係るレーダ装置の詳細構成について説明する。図2は、第1の実施形態に係るレーダ装置の断面模式図である。 A detailed configuration of the radar apparatus according to the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the radar device according to the first embodiment.

図2に示すように、基板10の一方の主面11にはMMICチップ14が配置されると共に、MMICチップ14に離間してアンテナ13が設けられている。また、基板10の一方の主面11には、樹脂成形体の外面に金属メッキによって金属膜28を形成したホーン20が配置されている。ホーン20の外周部分には基板10の外縁を囲む周壁部21が設けられ、周壁部21はハウジング35の開口縁部36を避けるように段状に形成されている。ホーン20の内側部分には導波路23が形成されたホーン本体22が設けられ、ホーン本体22の基板10側の裏面はMMICチップ14やアンテナ13に対応する箇所が部分的に突出している。 As shown in FIG. 2, an MMIC chip 14 is arranged on one main surface 11 of the substrate 10, and an antenna 13 is provided apart from the MMIC chip 14. As shown in FIG. Also, on one main surface 11 of the substrate 10, a horn 20 having a metal film 28 formed by metal plating on the outer surface of a resin molding is arranged. A peripheral wall portion 21 surrounding the outer edge of the substrate 10 is provided on the outer peripheral portion of the horn 20 . A horn body 22 having a waveguide 23 formed therein is provided inside the horn 20, and portions corresponding to the MMIC chip 14 and the antenna 13 protrude from the rear surface of the horn body 22 on the substrate 10 side.

ホーン本体22の裏面には、MMICチップ14に対応する箇所に、MMICチップ14の表面に当接する断面視台形状の当接部24が設けられている。また、ホーン本体22の裏面には、アンテナ13に対応する箇所に、導波路23に沿って突出する薄厚のガイド部25が設けられている。導波路23は、基板10の一方の主面11から遠ざかるにつれて対向間隔が広くなるように、ホーン本体22及びガイド部25のテーパ状の壁面26によって形成されている。また、ホーン本体22の表面側にはレンズ30が配置されており、レンズ30の裏面には導波路23の中心線を光軸とする凸面状のレンズ面31が形成されている。 A contact portion 24 having a trapezoidal cross-sectional view and contacting the surface of the MMIC chip 14 is provided on the rear surface of the horn body 22 at a location corresponding to the MMIC chip 14 . A thin guide portion 25 protruding along the waveguide 23 is provided on the rear surface of the horn body 22 at a location corresponding to the antenna 13 . The waveguide 23 is formed by the horn main body 22 and the tapered wall surface 26 of the guide portion 25 such that the distance between the waveguides 23 increases as the distance from the main surface 11 of the substrate 10 increases. A lens 30 is arranged on the front side of the horn main body 22, and a convex lens surface 31 is formed on the back side of the lens 30 with the center line of the waveguide 23 as the optical axis.

基板10の他方の主面12には放熱板40が設けられている。放熱板40の外周部分には基板10の外縁を囲む周壁部42が設けられ、放熱板40の内側部分にはMMICチップ14に対応する箇所で基板10に当接する支持台41が設けられている。放熱板40の周壁部42はホーン20の周壁部21に当接しており、放熱板40の支持台41は放熱シートS1を介して基板10に当接している。放熱板40は、放熱シートS2を介してベース45に支持されている。ベース45は放熱板40と同様に熱伝導率が高い金属で形成されているため、ベース45も放熱板として機能している。 A heat sink 40 is provided on the other main surface 12 of the substrate 10 . A peripheral wall portion 42 surrounding the outer edge of the substrate 10 is provided on the outer peripheral portion of the heat sink 40 , and a support base 41 is provided on the inner portion of the heat sink 40 so as to contact the substrate 10 at a location corresponding to the MMIC chip 14 . . The peripheral wall portion 42 of the heat sink 40 is in contact with the peripheral wall portion 21 of the horn 20, and the support base 41 of the heat sink 40 is in contact with the substrate 10 via the heat sink sheet S1. The heat sink 40 is supported by the base 45 via the heat sink sheet S2. Since the base 45 is made of metal with high thermal conductivity like the heat sink 40, the base 45 also functions as a heat sink.

ホーン20の外面が金属膜28で覆われているため、導波路23を形成するホーン20の壁面には金属膜28によって電波を遮蔽するシールド層29が形成されている。これにより、導波路23内の電波のシールド性が確保されて、電波の指向性及び強度が向上される。また、当接部24が金属膜28を介してMMICチップ14の表面に接触しているため、MMICチップ14からシールド層29に向かう伝熱経路R2が金属膜28で形成されると共に、MMICチップ14から放熱板40に向かう放熱経路R3が金属膜28で形成される。これにより、導波路23内の結露の発生が防止されると共に、MMICチップ14の温度上昇が抑えられている。 Since the outer surface of the horn 20 is covered with the metal film 28 , the wall surface of the horn 20 forming the waveguide 23 is formed with a shield layer 29 that shields radio waves with the metal film 28 . As a result, the radio wave shielding property in the waveguide 23 is ensured, and the directivity and strength of the radio wave are improved. Further, since the contact portion 24 is in contact with the surface of the MMIC chip 14 through the metal film 28, the heat transfer path R2 from the MMIC chip 14 to the shield layer 29 is formed by the metal film 28, and the MMIC chip A heat dissipation path R3 from 14 to the heat dissipation plate 40 is formed of the metal film 28. As shown in FIG. As a result, the occurrence of dew condensation in the waveguide 23 is prevented, and the temperature rise of the MMIC chip 14 is suppressed.

図3A及び図3Bを参照して、レーダ装置の電波の指向性及び強度について説明する。
図3Aは、比較例に係る電波の放射状態の説明図である。図3Bは、第1の実施形態の電波の放射状態の説明図である。なお、比較例のレーダ装置は、本実施形態のレーダ装置と比較して樹脂製のホーンの外面が金属メッキされていない点でのみ相違している。
The directivity and intensity of radio waves of a radar device will be described with reference to FIGS. 3A and 3B.
FIG. 3A is an explanatory diagram of a radiation state of radio waves according to a comparative example. FIG. 3B is an explanatory diagram of the radiation state of radio waves according to the first embodiment. The radar device of the comparative example differs from the radar device of the present embodiment only in that the outer surface of the resin horn is not plated with metal.

図3Aに示すように、比較例に係るレーダ装置50では、MMICチップ53からアンテナ52に電力が供給されると、アンテナ52から外部に向けて電波が放射される。アンテナ52から導波路55の内側に向う電波は、導波路55を通じてレンズ面57に導かれて、レンズ面57で平面波に変換されて障害物の検知に使用される。アンテナ52から導波路55の外側に向かう電波は、樹脂製のホーン54内を直進して外部に放出されて障害物の検知に使用されない。よって、ホーン54の軽量化を図ることができるものの、電波利用効率が低くなって、電波の指向性及び強度が低下している。 As shown in FIG. 3A, in the radar device 50 according to the comparative example, when power is supplied from the MMIC chip 53 to the antenna 52, radio waves are radiated from the antenna 52 to the outside. A radio wave directed from the antenna 52 toward the inside of the waveguide 55 is guided through the waveguide 55 to the lens surface 57, converted into a plane wave by the lens surface 57, and used to detect obstacles. Radio waves from the antenna 52 directed to the outside of the waveguide 55 go straight through the resin-made horn 54 and are emitted to the outside, and are not used for detecting obstacles. Therefore, although the weight of the horn 54 can be reduced, the radio wave utilization efficiency is lowered, and the directivity and strength of the radio wave are lowered.

一方で、図3Bに示すように、第1の実施形態に係るレーダ装置1では、導波路23を形成するホーン20のテーパ状の壁面26に金属膜28でシールド層29が形成されて導波路23のシールド性が確保されている。アンテナ13から導波路23の内側に向かう電波も、アンテナ13から導波路23の外側に向かう電波も、ホーン20のシールド層29によってレンズ面31に導かれて、レンズ面31で平面波に変換されて障害物の検知に使用される。よって、ホーン20の軽量化を図ることができると共に、電波利用効率が高くなって、電波の指向性及び強度が向上して検知精度が向上される。 On the other hand, as shown in FIG. 3B , in the radar device 1 according to the first embodiment, a shield layer 29 is formed of a metal film 28 on the tapered wall surface 26 of the horn 20 forming the waveguide 23 to form the waveguide. 23 shielding is ensured. Both the radio wave from the antenna 13 to the inside of the waveguide 23 and the radio wave from the antenna 13 to the outside of the waveguide 23 are guided to the lens surface 31 by the shield layer 29 of the horn 20 and converted into plane waves by the lens surface 31. Used for obstacle detection. Therefore, the weight of the horn 20 can be reduced, the radio wave utilization efficiency is increased, the directivity and strength of the radio wave are improved, and the detection accuracy is improved.

図4A及び図4Bを参照して、レーダ装置の電波干渉について説明する。図4Aは、比較例に係る複数アンテナによる電波の放射状態の説明図である。図4Bは、第1の実施形態の複数アンテナによる電波の放射状態の説明図である。 Radio wave interference of the radar apparatus will be described with reference to FIGS. 4A and 4B. FIG. 4A is an explanatory diagram of a radiation state of radio waves from a plurality of antennas according to a comparative example. FIG. 4B is an explanatory diagram of a radiation state of radio waves by a plurality of antennas according to the first embodiment.

図4Aに示すように、比較例に係るレーダ装置50には複数のアンテナ52に対応して複数の導波路55が形成され、各アンテナ52から同時に電波が放射されている。各アンテナ52から各導波路55の内側に向かう電波は、それぞれ導波路55を通じてレンズ面57に導かれて、レンズ面57で平面波に変換されて障害物の検知に使用される。各アンテナ52から各導波路55の外側に向かう電波は、樹脂製のホーン54内を直進して隣の導波路55に入り込んで電波干渉を起こしている。この電波干渉によって障害物の検知性能が悪化している。 As shown in FIG. 4A, a radar device 50 according to the comparative example has a plurality of waveguides 55 corresponding to a plurality of antennas 52, and radio waves are radiated from each antenna 52 at the same time. Radio waves directed from each antenna 52 toward the inside of each waveguide 55 are guided to the lens surface 57 through the waveguide 55, converted into plane waves by the lens surface 57, and used to detect obstacles. Radio waves from each antenna 52 directed to the outside of each waveguide 55 go straight through the resin-made horn 54 and enter the adjacent waveguide 55 to cause radio wave interference. Obstacle detection performance is degraded by this radio wave interference.

一方で、図4Bに示すように、第1の実施形態に係るレーダ装置1では、複数のアンテナ13から同時に電波が放射されても、ホーン20のシールド層29によって導波路23外への電波の漏れが防止されている。アンテナ13から導波路23の内側に向かう電波も、アンテナ13から導波路23の外側に向かう電波も、ホーン20のシールド層29によってレンズ面31に導かれて、レンズ面31で平面波に変換されて障害物の検知に使用される。よって、複数の導波路23の間で電波干渉を起こすことがなく、電波干渉によって障害物の検知性能が悪化することがない。 On the other hand, as shown in FIG. 4B , in the radar device 1 according to the first embodiment, even if radio waves are radiated from the plurality of antennas 13 at the same time, the shield layer 29 of the horn 20 prevents radio waves from reaching the outside of the waveguide 23 . Leakage is prevented. Both the radio wave from the antenna 13 to the inside of the waveguide 23 and the radio wave from the antenna 13 to the outside of the waveguide 23 are guided to the lens surface 31 by the shield layer 29 of the horn 20 and converted into plane waves by the lens surface 31. Used for obstacle detection. Therefore, radio wave interference does not occur between the plurality of waveguides 23, and obstacle detection performance does not deteriorate due to radio wave interference.

図5A及び図5Bを参照して、レーダ装置の伝熱経路及び放熱経路について説明する。
図5Aは、比較例に係る伝熱経路及び放熱経路の説明図である。図5Bは、第1の実施形態に係る伝熱経路及び放熱経路の説明図である。
A heat transfer path and a heat dissipation path of the radar device will be described with reference to FIGS. 5A and 5B.
FIG. 5A is an explanatory diagram of a heat transfer path and a heat dissipation path according to a comparative example; FIG. 5B is an explanatory diagram of a heat transfer path and a heat dissipation path according to the first embodiment;

図5Aに示すように、比較例に係るレーダ装置50では、MMICチップ53の発熱によって装置内の空気が温められると、内外温度差によってホーン54のテーパ状の壁面58に結露59が生じて電波が乱れる場合がある。また、MMICチップ53の発熱が基板51及び放熱シートS1を介して放熱板60の支持台61に伝えられ、さらに放熱板60から放熱シートS2を介してベース62に伝えられる。MMICチップ53から基板51の厚み方向に向かう放熱経路R1だけでは、MMICチップ53の温度上昇を効果的に抑えることができない。 As shown in FIG. 5A, in the radar device 50 according to the comparative example, when the air inside the device is warmed by the heat generated by the MMIC chip 53, condensation 59 occurs on the tapered wall surface 58 of the horn 54 due to the temperature difference between the inside and the outside, and radio waves are generated. may be disturbed. Heat generated by the MMIC chip 53 is transmitted to the support base 61 of the heat sink 60 through the substrate 51 and the heat sink sheet S1, and further from the heat sink 60 to the base 62 through the heat sink sheet S2. The temperature rise of the MMIC chip 53 cannot be effectively suppressed only by the heat dissipation path R1 extending from the MMIC chip 53 in the thickness direction of the substrate 51 alone.

一方で、図5Bに示すように、第1の実施形態に係るレーダ装置1では、ホーン20の外面にMMICチップ14からシールド層29に向かう伝熱経路R2が形成されている。
伝熱経路R2は、当接部24からガイド部25までのホーン20の外面を覆う金属膜28によって形成され、ガイド部25の先端部分で伝熱経路R2の金属膜28とシールド層29の金属膜28が連なっている。MMICチップ14の発熱が伝熱経路R2を通じてシールド層29に伝わり、シールド層29が温められて結露59の発生が抑えられる。このように、導波路23の結露59の発生を抑えるために、MMICチップ14の発熱を利用している。
On the other hand, as shown in FIG. 5B, in the radar device 1 according to the first embodiment, a heat transfer path R2 from the MMIC chip 14 to the shield layer 29 is formed on the outer surface of the horn 20 .
The heat transfer path R2 is formed by a metal film 28 covering the outer surface of the horn 20 from the contact portion 24 to the guide portion 25. At the tip portion of the guide portion 25, the metal film 28 of the heat transfer path R2 and the metal of the shield layer 29 are formed. A membrane 28 is continuous. The heat generated by the MMIC chip 14 is transmitted to the shield layer 29 through the heat transfer path R2, and the shield layer 29 is warmed, thereby suppressing the formation of dew condensation 59. In this way, the heat generation of the MMIC chip 14 is used to suppress the occurrence of dew condensation 59 on the waveguide 23 .

このとき、MMICチップ14の発熱はホーン20の外面の金属膜28に伝わり易いが、ホーン20の樹脂成形部分は熱伝導率が低いため、ホーン20の外面の金属膜28から内側の樹脂成形部分には熱が伝わり難くなっている。MMICチップ14から熱伝導率が高く熱容量が小さな金属膜28に集中的に熱が伝わるため、MMICチップ14の発熱によって伝熱経路R2を介してシールド層29を短時間で温めることができる。よって、レーダ装置1の起動直後からシールド層29を温めることができ、結露59による電波の乱れを効果的に抑えることができる。 At this time, the heat generated by the MMIC chip 14 is easily transmitted to the metal film 28 on the outer surface of the horn 20, but since the resin-molded portion of the horn 20 has a low thermal conductivity, the resin-molded portion inside the metal film 28 on the outer surface of the horn 20 is heated. It is difficult for heat to be transmitted to Since heat is intensively transferred from the MMIC chip 14 to the metal film 28 having high thermal conductivity and small heat capacity, the heat generated by the MMIC chip 14 can heat the shield layer 29 in a short time through the heat transfer path R2. Therefore, the shield layer 29 can be warmed immediately after the radar device 1 is started, and the disturbance of radio waves due to the condensation 59 can be effectively suppressed.

また、第1の実施形態に係るレーダ装置1では、ホーン20の外面にMMICチップ14から放熱板40に向かう放熱経路R3が形成されている。放熱経路R3は、当接部24から周壁部21までのホーン20の外面を覆う金属膜28によって形成され、ホーン20の周壁部21と放熱板40の周壁部42の合わせ面で放熱経路R3の金属膜28が放熱板40に接触している。MMICチップ14の発熱が放熱経路R3を通じて放熱板40の周壁部42に伝えられ、放熱板40から放熱シートS2を介してベース45に伝えられる。
このように、MMICチップ14から基板10の厚み方向に向かう放熱経路R1に加えて、MMICチップ14からホーン20の外面を通る放熱経路R3によってMMICチップ14の温度上昇を抑えることができる。
Further, in the radar device 1 according to the first embodiment, a heat radiation path R3 is formed on the outer surface of the horn 20 from the MMIC chip 14 toward the heat radiation plate 40 . The heat radiation path R3 is formed by a metal film 28 covering the outer surface of the horn 20 from the contact portion 24 to the peripheral wall portion 21, and the heat radiation path R3 is formed at the joint surface between the peripheral wall portion 21 of the horn 20 and the peripheral wall portion 42 of the heat sink 40. Metal film 28 is in contact with heat sink 40 . The heat generated by the MMIC chip 14 is transmitted to the peripheral wall portion 42 of the heat sink 40 through the heat radiation path R3, and is then transmitted from the heat sink 40 to the base 45 via the heat radiation sheet S2.
In this way, in addition to the heat radiation path R1 extending from the MMIC chip 14 in the thickness direction of the substrate 10, the temperature rise of the MMIC chip 14 can be suppressed by the heat radiation path R3 passing from the MMIC chip 14 through the outer surface of the horn 20.

ここでは、シールド層29と伝熱経路R2及び放熱経路R3を同一材料の金属膜28で形成したが、この構成に限定されない。シールド層29は伝熱経路R2及び放熱経路R3よりもシールド性が高い金属膜で形成され、伝熱経路R2及び放熱経路R3はシールド層29よりも熱伝導率が高い金属膜で形成されてもよい。例えば、シールド層29にはシールド性が高いニッケルが使用され、伝熱経路R2及び放熱経路R3には熱伝導率が高い銅が使用されてもよい。ニッケルでシールド性を確保するためには0.021μm以上の厚みが必要であり、銅で伝熱性を確保するためには10μm以上の厚みが必要である。 Here, although the shield layer 29, the heat transfer path R2, and the heat dissipation path R3 are formed of the metal film 28 of the same material, the configuration is not limited to this. The shield layer 29 may be formed of a metal film having a higher shielding property than the heat transfer path R2 and the heat dissipation path R3, and the heat transfer path R2 and the heat dissipation path R3 may be formed of a metal film having a higher thermal conductivity than the shield layer 29. good. For example, nickel with high shielding properties may be used for the shield layer 29, and copper with high thermal conductivity may be used for the heat transfer path R2 and the heat dissipation path R3. Nickel requires a thickness of 0.021 μm or more to ensure shielding properties, and copper requires a thickness of 10 μm or more to ensure heat conductivity.

また、シールド層29と伝熱経路R2及び放熱経路R3とを同一の金属膜28で形成する場合に、シールド層29の金属膜28の肉厚よりも伝熱経路R2及び放熱経路R3の金属膜28の肉厚が大きく形成されてもよい。例えば、シールド層29と伝熱経路R2及び放熱経路R3を銅膜で形成する場合に、シールド層29は0.24μm以上の厚みの銅膜で形成され、伝熱経路R2及び放熱経路R3は10μm以上の厚みの銅膜で形成されてもよい。これにより、MMICチップ14の発熱が、伝熱経路R2及び放熱経路R3の金属膜28が厚くなった分だけ、MMICチップ14から金属膜28に熱を伝え易くなる。また、シールド層29は、複数層構造で形成されてもよく、例えばシールド性が高いニッケルと熱伝導率が高い銅の二層構造で形成されてもよい。 When the shield layer 29, the heat transfer path R2 and the heat dissipation path R3 are formed of the same metal film 28, the thickness of the metal film of the heat transfer path R2 and the heat dissipation path R3 is greater than the thickness of the metal film 28 of the shield layer 29. The thickness of 28 may be formed large. For example, when the shield layer 29, the heat transfer path R2, and the heat dissipation path R3 are formed of a copper film, the shield layer 29 is formed of a copper film having a thickness of 0.24 μm or more, and the heat transfer path R2 and the heat dissipation path R3 are formed of a copper film having a thickness of 10 μm. It may be formed of a copper film having a thickness equal to or greater than the above thickness. As a result, the heat generated by the MMIC chip 14 can be easily transferred from the MMIC chip 14 to the metal film 28 by the thickness of the metal film 28 of the heat transfer path R2 and the heat dissipation path R3. Moreover, the shield layer 29 may be formed with a multi-layer structure, for example, it may be formed with a two-layer structure of nickel with high shielding properties and copper with high thermal conductivity.

以上のように、第1の実施形態のレーダ装置1では、金属膜28によって導波路23内のシールド性が確保されて、導波路23から放出される電波の指向性及び電波強度が向上される。また、樹脂製のホーン20を採用することで、金属の使用量を抑えてレーダ装置1の軽量化を実現することができる。ホーン20の外面を通る伝熱経路R2によって、MMICチップ14の発熱を利用して導波路23の結露の発生を抑えることができる。さらに、ホーン20の外面を通る放熱経路R3によって、MMICチップ14の発熱が放熱板40に逃がされて、MMICチップ14の温度上昇を抑えることができる。 As described above, in the radar device 1 of the first embodiment, the metal film 28 ensures the shielding property inside the waveguide 23, and the directivity and the intensity of the radio waves emitted from the waveguide 23 are improved. . Moreover, by adopting the resin horn 20, the amount of metal used can be reduced, and the weight of the radar device 1 can be reduced. The heat transfer path R2 passing through the outer surface of the horn 20 makes it possible to use the heat generated by the MMIC chip 14 to suppress the occurrence of dew condensation on the waveguide 23. FIG. Further, the heat generated by the MMIC chip 14 is released to the heat sink 40 by the heat radiation path R3 passing through the outer surface of the horn 20, so that the temperature rise of the MMIC chip 14 can be suppressed.

第1の実施形態では、ホーン20の外面の金属膜28によって放熱経路を増やす構成にしたが、基板10上に設けた放熱パターンとMMICチップ14に設けた放熱部材を利用して放熱経路を増やしてもよい。以下、第2-第9の実施形態を参照して、レーダ装置の放熱経路について説明する。また、第2-第9の実施形態では、第1の実施形態と実質的に同一の構成及び類似する構成については同一の符号を付して説明する。 In the first embodiment, the metal film 28 on the outer surface of the horn 20 is used to increase the number of heat radiation paths. may The heat dissipation paths of the radar apparatus will be described below with reference to second to ninth embodiments. In addition, in the second to ninth embodiments, substantially the same or similar configurations as in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.

[第2の実施形態]
図6は、第2の実施形態のレーダ装置の断面模式図である。なお、第2の実施形態のレーダ装置は、基板、ホーン、放熱板の一部構成のみ第1の実施形態と相違している。したがって、主に放熱経路についてのみ説明し、第1の実施形態と同様な構成については説明を極力省略する。ここでは、MMICチップの放熱経路について説明するが、以下の実施形態の放熱経路は他の電子部品の放熱に適用することも可能である。
[Second embodiment]
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the radar device of the second embodiment. The radar device of the second embodiment differs from that of the first embodiment only in the partial configurations of the substrate, the horn, and the radiator plate. Therefore, only the heat radiation path will be mainly described, and the description of the configuration similar to that of the first embodiment will be omitted as much as possible. Here, the heat dissipation path of the MMIC chip will be described, but the heat dissipation path of the following embodiments can also be applied to heat dissipation of other electronic components.

図6に示すように、第2の実施形態に係るレーダ装置1は、基板10の一方の主面11に電子部品としてMMICチップ14が設けられている。基板10の一方の主面11には、MMICチップ14付近から基板10の外縁部まで延びた放熱パターン15によって放熱経路R4が形成されている。放熱パターン15は、回路パターンから電気的に離間している。放熱パターン15の一端部はMMICチップ14から僅かに離間しており、放熱パターン15の他端部は基板10の外縁部でホーン20の周壁部21に接触している。なお、放熱パターン15は、銅やアルミニウム等の熱伝導率が高い材料で形成されていればよい。また、放熱パターン15の他端部は基板10の外縁部に沿って延びていてもよい。 As shown in FIG. 6, the radar device 1 according to the second embodiment has an MMIC chip 14 as an electronic component provided on one main surface 11 of the substrate 10 . A heat dissipation path R4 is formed on one main surface 11 of the substrate 10 by a heat dissipation pattern 15 extending from the vicinity of the MMIC chip 14 to the outer edge of the substrate 10 . The heat dissipation pattern 15 is electrically separated from the circuit pattern. One end of the heat radiation pattern 15 is slightly separated from the MMIC chip 14 , and the other end of the heat radiation pattern 15 is in contact with the peripheral wall 21 of the horn 20 at the outer edge of the substrate 10 . Note that the heat dissipation pattern 15 may be made of a material having high thermal conductivity such as copper or aluminum. Also, the other end of the heat dissipation pattern 15 may extend along the outer edge of the substrate 10 .

MMICチップ14には半固体状又はゲル状の放熱部材として放熱グリスG1が塗布されており、MMICチップ14が放熱グリスG1を介して放熱パターン15の一端部に接続されている。また、放熱パターン15の他端部には放熱グリスG2が塗布されており、放熱パターン15の他端部が放熱グリスG2を介してホーン20に接続されている。放熱グリスG1、G2がMMICチップ14と放熱パターン15の隙間やホーン20と放熱パターン15の隙間に入り込むことで熱抵抗を減らすことができる。なお、放熱部材としては、熱伝導性フィラーをグリスに分散した放熱グリスの代わりに、熱伝導性フィラーを接着剤に分散した放熱接着剤が使用されてもよい。 The MMIC chip 14 is coated with heat radiation grease G1 as a semi-solid or gel heat radiation member, and the MMIC chip 14 is connected to one end of the heat radiation pattern 15 via the heat radiation grease G1. The other end of the heat radiation pattern 15 is coated with heat radiation grease G2, and the other end of the heat radiation pattern 15 is connected to the horn 20 via the heat radiation grease G2. Thermal resistance can be reduced by the heat dissipation greases G1 and G2 entering the gap between the MMIC chip 14 and the heat dissipation pattern 15 and the gap between the horn 20 and the heat dissipation pattern 15 . As the heat dissipating member, a heat dissipating adhesive obtained by dispersing a heat conductive filler in an adhesive may be used instead of the heat dissipating grease obtained by dispersing the heat conductive filler in the grease.

また、ホーン20及び放熱板40には、基板10の外縁から食み出した食み出し部27、43によって放熱経路R5が形成されている。ホーン20の食み出し部27は基板10の一方の主面11側の外縁部を覆うように周壁部21から食み出し、放熱板40の食み出し部43は基板10の他方の主面12側の外縁部を覆うように周壁部42から食み出して、ホーン20の食み出し部27と放熱板40の食み出し部43が接触している。ホーン20の食み出し部27と放熱板40の食み出し部43は基板10の外縁部に沿って形成されており、ホーン20と放熱板40が広い範囲で接触している。なお、ホーン20及び放熱板40には基板10の外縁部の一部に沿って食み出し部27、43が部分的に形成されていてもよい。 Further, the horn 20 and the heat dissipation plate 40 are formed with a heat dissipation path R5 by protruding portions 27 and 43 protruding from the outer edge of the substrate 10 . The protruding portion 27 of the horn 20 protrudes from the peripheral wall portion 21 so as to cover the outer edge portion on the one main surface 11 side of the substrate 10 , and the protruding portion 43 of the heat sink 40 extends to the other main surface of the substrate 10 . The protruding portion 27 of the horn 20 and the protruding portion 43 of the radiator plate 40 are in contact with each other, protruding from the peripheral wall portion 42 so as to cover the outer edge portion on the 12 side. The protruding portion 27 of the horn 20 and the protruding portion 43 of the heat sink 40 are formed along the outer edge of the substrate 10, and the horn 20 and the heat sink 40 are in contact with each other over a wide range. In addition, protrusions 27 and 43 may be partially formed in the horn 20 and the radiator plate 40 along a part of the outer edge of the substrate 10 .

ホーン20の食み出し部27と放熱板40の食み出し部43の接触状態によっては、食み出し部27、43の接触面の僅かな隙間によって熱抵抗が増加する場合がある。このため、ホーン20の食み出し部27と放熱板40の食み出し部43は放熱グリスG3を介して接続されている。これにより、ホーン20の食み出し部27と放熱板40の食み出し部43の接触面の隙間を放熱グリスG3で埋めて、放熱グリスG3によってホーン20と放熱板40の間の熱抵抗を減らすことができる。なお、ホーン20の食み出し部27と放熱板40の食み出し部43が隙間なく接触している場合には放熱グリスG3は不要である。 Depending on the state of contact between the protruding portion 27 of the horn 20 and the protruding portion 43 of the radiator plate 40, a slight gap between the contact surfaces of the protruding portions 27 and 43 may increase thermal resistance. For this reason, the protruding portion 27 of the horn 20 and the protruding portion 43 of the heat sink 40 are connected via the heat dissipation grease G3. As a result, the gap between the contact surfaces of the protruding portion 27 of the horn 20 and the protruding portion 43 of the radiator plate 40 is filled with the heat radiating grease G3, and the thermal resistance between the horn 20 and the heat radiating plate 40 is reduced by the heat radiating grease G3. can be reduced. In addition, when the protruding portion 27 of the horn 20 and the protruding portion 43 of the heat sink 40 are in contact with each other without a gap, the heat dissipation grease G3 is unnecessary.

以上のように、第2の実施形態のレーダ装置1には、放熱パターン15及び放熱グリスG1、G2によってMMICチップ14からホーン20に向かう放熱経路R4が形成されている。さらに、レーダ装置1には、食み出し部27、43及び放熱グリスG3によってホーン20から放熱板40に向かう放熱経路R5が形成されている。このように、MMICチップ14から基板10の厚み方向に向かう放熱経路R1に加えて、放熱経路R4、R5によって熱抵抗が小さな放熱経路が形成されている。よって、複数の放熱経路R1、R4、R5によってMMICチップ14の温度上昇を効果的に抑えることができる。 As described above, in the radar device 1 of the second embodiment, the heat radiation path R4 from the MMIC chip 14 to the horn 20 is formed by the heat radiation pattern 15 and the heat radiation greases G1 and G2. Further, in the radar device 1, a heat dissipation route R5 from the horn 20 to the heat dissipation plate 40 is formed by the protrusions 27 and 43 and the heat dissipation grease G3. Thus, in addition to the heat radiation path R1 extending from the MMIC chip 14 in the thickness direction of the substrate 10, the heat radiation paths R4 and R5 form heat radiation paths with low thermal resistance. Therefore, the temperature rise of the MMIC chip 14 can be effectively suppressed by the plurality of heat dissipation paths R1, R4, R5.

[第3の実施形態]
図7は、第3の実施形態のレーダ装置の断面模式図である。なお、第3の実施形態のレーダ装置は、放熱部材として放熱グリスの代わりに放熱シートを使用した点で第2の実施形態と相違している。したがって、第2の実施形態と同様な構成については説明を極力省略する。ここでは、MMICチップの放熱経路について説明するが、以下の実施形態の放熱経路は他の電子部品の放熱に適用することも可能である。
[Third embodiment]
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the radar device of the third embodiment. The radar apparatus of the third embodiment differs from the second embodiment in that a heat dissipation sheet is used as a heat dissipation member instead of the heat dissipation grease. Therefore, the description of the same configuration as that of the second embodiment will be omitted as much as possible. Here, the heat dissipation path of the MMIC chip will be described, but the heat dissipation path of the following embodiments can also be applied to heat dissipation of other electronic components.

図7に示すように、第3の実施形態に係るレーダ装置1は、MMICチップ14に放熱シートS3が貼着されており、MMICチップ14が放熱シートS3を介して放熱パターン15の一端部に接続されている。放熱パターン15の他端部には放熱シートS4が貼着されており、放熱パターン15の他端部が放熱シートS4を介してホーン20に接続されている。ホーン20の食み出し部27及び放熱板40の食み出し部43は、基板10の外縁に沿って設けた放熱シートS5を介して接続されている。放熱シートとしては、例えば熱伝導性フィラーを配合したシート材が使用される。 As shown in FIG. 7, in the radar device 1 according to the third embodiment, a heat dissipation sheet S3 is attached to the MMIC chip 14, and the MMIC chip 14 is attached to one end of the heat dissipation pattern 15 via the heat dissipation sheet S3. It is connected. A heat dissipation sheet S4 is attached to the other end of the heat dissipation pattern 15, and the other end of the heat dissipation pattern 15 is connected to the horn 20 via the heat dissipation sheet S4. The protruding portion 27 of the horn 20 and the protruding portion 43 of the heat dissipation plate 40 are connected via a heat dissipation sheet S5 provided along the outer edge of the substrate 10 . As the heat dissipation sheet, for example, a sheet material containing a heat conductive filler is used.

以上のように、第3の実施形態のレーダ装置1には、放熱パターン15及び放熱シートS3、S4によってMMICチップ14からホーン20に向かう放熱経路R4が形成されている。さらに、レーダ装置1には、食み出し部27、43及び放熱シートS5によってホーン20から放熱板40に向かう放熱経路R5が形成されている。このように、複数の放熱経路R1、R4、R5によってMMICチップ14の温度上昇を効果的に抑えることができる。また、放熱部材の厚みを一定にすることができ、放熱部材の厚みの違いによる放熱性のバラツキを減らすことができる。また、レーダ装置1の組み立て時の装置寸法のバラツキを抑えることができる。 As described above, in the radar device 1 of the third embodiment, the heat radiation path R4 from the MMIC chip 14 to the horn 20 is formed by the heat radiation pattern 15 and the heat radiation sheets S3 and S4. Further, in the radar device 1, a heat dissipation path R5 from the horn 20 to the heat dissipation plate 40 is formed by the protrusions 27 and 43 and the heat dissipation sheet S5. Thus, the temperature rise of the MMIC chip 14 can be effectively suppressed by the plurality of heat dissipation paths R1, R4, R5. In addition, the thickness of the heat radiating member can be made constant, and variations in heat dissipation due to differences in the thickness of the heat radiating member can be reduced. In addition, it is possible to suppress variations in device dimensions when assembling the radar device 1 .

[第4の実施形態]
図8は、第4の実施形態のレーダ装置の断面模式図である。なお、第4の実施形態のレーダ装置は、金属板によって放熱経路を形成した点で第2の実施形態と相違している。したがって、第2の実施形態と同様な構成については説明を極力省略する。ここでは、MMICチップの放熱経路について説明するが、以下の実施形態の放熱経路は他の電子部品の放熱に適用することも可能である。
[Fourth embodiment]
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of the radar device of the fourth embodiment. The radar device of the fourth embodiment differs from that of the second embodiment in that the heat radiation path is formed by a metal plate. Therefore, the description of the same configuration as that of the second embodiment will be omitted as much as possible. Here, the heat dissipation path of the MMIC chip will be described, but the heat dissipation path of the following embodiments can also be applied to heat dissipation of other electronic components.

図8に示すように、第4の実施形態に係るレーダ装置1は、MMICチップ14に放熱接着剤A1が塗布されており、MMICチップ14が放熱接着剤A1を介して放熱パターン15の一端部に接続されている。放熱パターン15の他端部には放熱グリスG2が塗布されており、放熱パターン15の他端部が放熱グリスG2を介してホーン20に接続されている。基板10の一方の主面11には、当該主面11から高さ方向に離間した金属板19によって放熱経路R6が形成されている。金属板19は、MMICチップ14の上面から放熱パターン15の延在方向の途中部分まで伸びている。 As shown in FIG. 8, in the radar device 1 according to the fourth embodiment, the MMIC chip 14 is coated with the heat dissipation adhesive A1, and the MMIC chip 14 is attached to one end of the heat dissipation pattern 15 via the heat dissipation adhesive A1. It is connected to the. A heat dissipation grease G2 is applied to the other end of the heat dissipation pattern 15, and the other end of the heat dissipation pattern 15 is connected to the horn 20 via the heat dissipation grease G2. A heat radiation path R6 is formed on one main surface 11 of the substrate 10 by a metal plate 19 spaced from the main surface 11 in the height direction. The metal plate 19 extends from the upper surface of the MMIC chip 14 to a midway portion in the extending direction of the heat dissipation pattern 15 .

金属板19の一端部はMMICチップ14上の放熱接着剤A1に支持され、金属板19の他端部は放熱パターン15上の放熱接着剤A2に支持されている。なお、金属板19は、放熱パターン15と同様に、銅やアルミニウム等の熱伝導率が高い材料で形成されていればよい。金属板19の形状や構造は特に限定されるものではない。ホーン20の食み出し部27及び放熱板40の食み出し部43は、基板10の外縁に沿って設けた放熱グリスG3を介して接続されている。なお、第4の実施形態では、放熱グリスG2、G3の代わりに放熱シートが使用されてもよい。 One end of the metal plate 19 is supported by the heat dissipation adhesive A1 on the MMIC chip 14, and the other end of the metal plate 19 is supported by the heat dissipation adhesive A2 on the heat dissipation pattern 15. FIG. It should be noted that the metal plate 19 may be made of a material having high thermal conductivity such as copper or aluminum, like the heat dissipation pattern 15 . The shape and structure of the metal plate 19 are not particularly limited. The protruding portion 27 of the horn 20 and the protruding portion 43 of the heat sink 40 are connected via heat dissipating grease G3 provided along the outer edge of the substrate 10 . Incidentally, in the fourth embodiment, a heat dissipation sheet may be used instead of the heat dissipation greases G2 and G3.

以上のように、第4の実施形態のレーダ装置1には、上記の放熱経路R1、R4、R5に加えて、放熱接着剤A1、A2及び金属板19によってMMICチップ14から放熱パターン15に向かう放熱経路R6が形成されている。複数の放熱経路R1、R4-R6によってMMICチップ14の温度上昇を効果的に抑えることができる。 As described above, in the radar device 1 of the fourth embodiment, in addition to the heat radiation paths R1, R4, and R5, the heat radiation adhesives A1 and A2 and the metal plate 19 extend from the MMIC chip 14 to the heat radiation pattern 15. A heat dissipation path R6 is formed. A temperature rise of the MMIC chip 14 can be effectively suppressed by the plurality of heat dissipation paths R1, R4-R6.

[第5の実施形態]
図9は、第5の実施形態のレーダ装置の断面模式図である。なお、第5の実施形態のレーダ装置は、壁部によって放熱経路を形成した点で第2の実施形態と相違している。したがって、第2の実施形態と同様な構成については説明を極力省略する。ここでは、MMICチップの放熱経路について説明するが、以下の実施形態の放熱経路は他の電子部品の放熱に適用することも可能である。
[Fifth Embodiment]
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the radar device of the fifth embodiment. The radar device of the fifth embodiment is different from the second embodiment in that the heat radiation path is formed by the wall . Therefore, the description of the same configuration as that of the second embodiment will be omitted as much as possible. Here, the heat dissipation path of the MMIC chip will be described, but the heat dissipation path of the following embodiments can also be applied to heat dissipation of other electronic components.

図9に示すように、第5の実施形態に係るレーダ装置1は、放熱パターン15の一端側がMMICチップ14を囲むように環状に形成されている。MMICチップ14には放熱グリスG1が塗布されており、MMICチップ14が放熱グリスG1を介して放熱パターン15が環状部分に接続されている。放熱パターン15の他端部には放熱グリスG2が塗布されており、放熱パターン15の他端部が放熱グリスG2を介してホーン20の周壁部21に接続されている。ホーン20には、MMICチップ14の周囲を囲む壁部33によって放熱経路R7が形成されている。 As shown in FIG. 9 , in the radar device 1 according to the fifth embodiment, one end side of the heat radiation pattern 15 is formed in a ring so as to surround the MMIC chip 14 . The heat dissipation grease G1 is applied to the MMIC chip 14, and the heat dissipation pattern 15 of the MMIC chip 14 is connected to the annular portion through the heat dissipation grease G1. The heat dissipation grease G2 is applied to the other end of the heat dissipation pattern 15, and the other end of the heat dissipation pattern 15 is connected to the peripheral wall portion 21 of the horn 20 via the heat dissipation grease G2. The horn 20 has a heat radiation path R7 formed by a wall portion 33 surrounding the MMIC chip 14. As shown in FIG.

壁部33はホーン20の基板10側の裏面から突出して、放熱グリスG4を介して放熱パターン15の環状部分に接続されている。なお、壁部33の平面視の断面形状は円環形状に限らず、MMICチップ14を囲むことができる形状であればよい。同様に、放熱パターン15の環状部分は円環形状に限らず、MMICチップ14を囲むことができる形状であればよい。また、ホーン20の食み出し部27及び放熱板40の食み出し部43は、基板10の外縁に沿って設けた放熱グリスG3を介して接続されている。なお、第5の実施形態では、放熱グリスG1-G4の代わりに放熱シートが使用されてもよい。 The wall portion 33 protrudes from the rear surface of the horn 20 on the substrate 10 side and is connected to the annular portion of the heat dissipation pattern 15 via the heat dissipation grease G4. Note that the cross-sectional shape of the wall portion 33 in plan view is not limited to an annular shape, and may be any shape that can surround the MMIC chip 14 . Similarly, the annular portion of the heat radiation pattern 15 is not limited to an annular shape, and may have any shape that can surround the MMIC chip 14 . Further, the protruding portion 27 of the horn 20 and the protruding portion 43 of the heat sink 40 are connected via heat dissipating grease G3 provided along the outer edge of the substrate 10 . Incidentally, in the fifth embodiment, a heat dissipation sheet may be used instead of the heat dissipation greases G1 to G4.

以上のように、第5の実施形態のレーダ装置1には、上記の放熱経路R1、R4、R5に加えて、放熱グリスG4及び壁部33によって放熱パターン15の一端部からホーン20に向かう放熱経路R7が形成されている。複数の放熱経路R1、R4、R5、R7によってMMICチップ14の温度上昇を効果的に抑えることができる。 As described above, in the radar device 1 of the fifth embodiment, in addition to the heat dissipation paths R1, R4, and R5, heat dissipation from one end of the heat dissipation pattern 15 to the horn 20 is caused by the heat dissipation grease G4 and the wall portion 33. A route R7 is formed. A temperature rise of the MMIC chip 14 can be effectively suppressed by the plurality of heat dissipation paths R1, R4, R5, and R7.

[第6の実施形態]
図10は、第6の実施形態のレーダ装置の断面模式図である。なお、第6の実施形態のレーダ装置は、放熱ビアによって放熱経路を形成した点で第2の実施形態と相違している。したがって、第2の実施形態と同様な構成については説明を極力省略する。ここでは、MMICチップの放熱経路について説明するが、以下の実施形態の放熱経路は他の電子部品の放熱に適用することも可能である。
[Sixth Embodiment]
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the radar device of the sixth embodiment. The radar device of the sixth embodiment is different from the second embodiment in that the heat dissipation path is formed by heat dissipation vias. Therefore, the description of the same configuration as that of the second embodiment will be omitted as much as possible. Here, the heat dissipation path of the MMIC chip will be described, but the heat dissipation path of the following embodiments can also be applied to heat dissipation of other electronic components.

図10に示すように、第6の実施形態に係るレーダ装置1は、基板10の一方の主面11上のMMICチップ14に放熱グリスG1が塗布されており、MMICチップ14が放熱グリスG1を介して放熱パターン15の一端部に接続されている。放熱パターン15の他端部には放熱グリスG2が塗布されており、放熱パターン15の他端部が放熱グリスG2を介してホーン20に接続されている。基板10の他方の主面12には、基板10の外縁部に沿って放熱パターン16が形成されており、放熱パターン16が放熱グリスG5を介して放熱板40に接続されている。 As shown in FIG. 10, in the radar device 1 according to the sixth embodiment, the MMIC chip 14 on one main surface 11 of the substrate 10 is coated with the heat dissipation grease G1. It is connected to one end of the heat dissipation pattern 15 via the heat dissipation pattern 15 . A heat dissipation grease G2 is applied to the other end of the heat dissipation pattern 15, and the other end of the heat dissipation pattern 15 is connected to the horn 20 via the heat dissipation grease G2. A heat dissipation pattern 16 is formed along the outer edge of the substrate 10 on the other main surface 12 of the substrate 10, and the heat dissipation pattern 16 is connected to the heat dissipation plate 40 via heat dissipation grease G5.

基板10の外縁部には当該基板10を厚み方向に貫通して、放熱パターン15と放熱パターン16を接続する導電性の放熱ビア17によって放熱経路R8が形成されている。このように、ホーン20及び放熱板40の食み出し部によって放熱経路を形成する代わりに、放熱ビア17によって放熱経路を形成することで装置を小型化することが可能になっている。なお、一方の主面11及び他方の主面12に放熱パターン15、16を設ける構成に限らず、一方の主面11のみに放熱パターン15が設けられていてもよい。なお、第6の実施形態では、放熱グリスG1、G2、G5の代わりに放熱シートが使用されてもよい。 A heat dissipation path R8 is formed at the outer edge of the substrate 10 by a conductive heat dissipation via 17 that penetrates the substrate 10 in the thickness direction and connects the heat dissipation pattern 15 and the heat dissipation pattern 16 . In this way, instead of forming the heat dissipation path by the protruding portions of the horn 20 and the heat dissipation plate 40, by forming the heat dissipation path by the heat dissipation vias 17, it is possible to reduce the size of the device. The configuration is not limited to the configuration in which the heat dissipation patterns 15 and 16 are provided on one main surface 11 and the other main surface 12, and the heat dissipation pattern 15 may be provided only on one main surface 11. FIG. Incidentally, in the sixth embodiment, a heat dissipation sheet may be used instead of the heat dissipation greases G1, G2, and G5.

以上のように、第6の実施形態のレーダ装置1には、上記の放熱経路R1、R4に加えて、放熱ビア17によってホーン20から放熱板40に向かう放熱経路R8が形成されている。複数の放熱経路R1、R4、R8によってMMICチップ14の温度上昇を効果的に抑えることができる。なお、放熱ビア17はホーン20と放熱板40を接続可能に形成されていればよく、放熱ビア17は放熱パターン15、16に接続されていなくてもよい。 As described above, in the radar device 1 of the sixth embodiment, in addition to the heat radiation paths R1 and R4, the heat radiation path R8 from the horn 20 to the heat radiation plate 40 is formed by the heat radiation vias 17. A temperature rise of the MMIC chip 14 can be effectively suppressed by the plurality of heat dissipation paths R1, R4, and R8. The heat dissipation vias 17 need only be formed so that the horn 20 and the heat dissipation plate 40 can be connected, and the heat dissipation vias 17 need not be connected to the heat dissipation patterns 15 and 16 .

[第7の実施形態]
図11は、第7の実施形態のレーダ装置の断面模式図である。なお、第7の実施形態のレーダ装置は、放熱パターンが一部を除いてレジスト層で覆われている点で第2の実施形態と相違している。したがって、第2の実施形態と同様な構成については説明を極力省略する。ここでは、MMICチップの放熱経路について説明するが、以下の実施形態の放熱経路は他の電子部品の放熱に適用することも可能である。
[Seventh Embodiment]
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of the radar device of the seventh embodiment. The radar device of the seventh embodiment is different from that of the second embodiment in that the radiation pattern is covered with a resist layer except for a part. Therefore, the description of the same configuration as that of the second embodiment will be omitted as much as possible. Here, the heat dissipation path of the MMIC chip will be described, but the heat dissipation path of the following embodiments can also be applied to heat dissipation of other electronic components.

図11に示すように、第7の実施形態に係るレーダ装置1は、放熱パターン15が両端を除いてレジスト層18で覆われている。MMICチップ14には放熱グリスG1が塗布されており、MMICチップ14が放熱グリスG1を介してレジスト層18から露出した放熱パターン15の一端部(露出部分)に接続されている。また、レジスト層18から露出した放熱パターン15の他端部(露出部分)に放熱グリスG2が塗布されており、放熱パターン15の他端部が放熱グリスG2を介してホーン20に接続されている。なお、第7の実施形態の放熱経路については第2の実施形態と同様である。 As shown in FIG. 11, in the radar device 1 according to the seventh embodiment, the heat dissipation pattern 15 is covered with a resist layer 18 except for both ends. A heat dissipation grease G1 is applied to the MMIC chip 14, and the MMIC chip 14 is connected to one end (exposed portion) of the heat dissipation pattern 15 exposed from the resist layer 18 via the heat dissipation grease G1. Also, the other end (exposed portion) of the heat dissipation pattern 15 exposed from the resist layer 18 is coated with heat dissipation grease G2, and the other end of the heat dissipation pattern 15 is connected to the horn 20 via the heat dissipation grease G2. . Note that the heat dissipation path of the seventh embodiment is the same as that of the second embodiment.

以上のように、第6の実施形態のレーダ装置1では、複数の放熱経路によってMMICチップ14の温度上昇を効果的に抑えることができる。放熱パターン15がレジスト層18で覆われていても、熱抵抗の小さな放熱経路を形成することができる。 As described above, in the radar device 1 of the sixth embodiment, the temperature rise of the MMIC chip 14 can be effectively suppressed by the plurality of heat dissipation paths. Even if the heat radiation pattern 15 is covered with the resist layer 18, a heat radiation path with a small heat resistance can be formed.

[第8の実施形態]
図12は、第8の実施形態のレーダ装置の断面模式図である。なお、第8の実施形態のレーダ装置は、ホーンにMMICチップに当接する当接部が設けられた点で第2の実施形態と相違している。したがって、第2の実施形態と同様な構成については説明を極力省略する。ここでは、MMICチップの放熱経路について説明するが、以下の実施形態の放熱経路は他の電子部品の放熱に適用することも可能である。
[Eighth Embodiment]
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view of the radar device of the eighth embodiment. The radar device of the eighth embodiment is different from the second embodiment in that the horn is provided with a contact portion that contacts the MMIC chip. Therefore, the description of the same configuration as that of the second embodiment will be omitted as much as possible. Here, the heat dissipation path of the MMIC chip will be described, but the heat dissipation path of the following embodiments can also be applied to heat dissipation of other electronic components.

図12に示すように、第8の実施形態に係るレーダ装置1は、ホーン20の当接部24が放熱グリスG1を介してMMICチップ14の表面に接触している。このため、ホーン20にはMMICチップ14からシールド層(図1参照)に向かう伝熱経路R2とMMICチップ14から放熱板40に向かう放熱経路R3が形成されている。また、第8の実施形態に係るレーダ装置1には、第2の実施形態と同様に、放熱経路R1、R4、R5が形成されている。このため、導波路内の結露の発生が防止されると共に、MMICチップ14の温度上昇が抑えられている。 As shown in FIG. 12, in the radar device 1 according to the eighth embodiment, the contact portion 24 of the horn 20 is in contact with the surface of the MMIC chip 14 via heat dissipation grease G1. For this reason, the horn 20 is formed with a heat transfer path R2 from the MMIC chip 14 to the shield layer (see FIG. 1) and a heat dissipation path R3 from the MMIC chip 14 to the heat sink 40. FIG. Further, in the radar device 1 according to the eighth embodiment, heat radiation paths R1, R4, and R5 are formed as in the second embodiment. As a result, the occurrence of dew condensation in the waveguide is prevented, and the temperature rise of the MMIC chip 14 is suppressed.

以上のように、第7の実施形態のレーダ装置1では、複数の放熱経路によってMMICチップ14の温度上昇を効果的に抑えることができる。また、放熱経路を増やすことで、樹脂製のホーン20の外面にメッキされた金属膜を薄く形成しても、MMICチップ14の温度上昇を規定温度に抑えることができる。 As described above, in the radar device 1 of the seventh embodiment, it is possible to effectively suppress the temperature rise of the MMIC chip 14 by means of a plurality of heat dissipation paths. Further, by increasing the number of heat dissipation paths, even if the metal film plated on the outer surface of the resin horn 20 is formed thin, the temperature rise of the MMIC chip 14 can be suppressed to a specified temperature.

[第9の実施形態]
図13は、第9の実施形態のレーダ装置の断面模式図である。なお、第9の実施形態のレーダ装置は、金属製のホーンを使用した点で第2の実施形態と相違している。したがって、第2の実施形態と同様な構成については説明を極力省略する。ここでは、MMICチップの放熱経路について説明するが、以下の実施形態の放熱経路は他の電子部品の放熱に適用することも可能である。
[Ninth Embodiment]
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of the radar device of the ninth embodiment. The radar device of the ninth embodiment differs from that of the second embodiment in that it uses a metal horn. Therefore, the description of the same configuration as that of the second embodiment will be omitted as much as possible. Here, the heat dissipation path of the MMIC chip will be described, but the heat dissipation path of the following embodiments can also be applied to heat dissipation of other electronic components.

図13に示すように、第9の実施形態に係るレーダ装置1は、ホーン20がアルミニウム等のシールド性及び熱伝導率が高い材料で形成されている。また、第9の実施形態に係るレーダ装置1には、第2の実施形態と同様に、放熱経路R1、R4、R5が形成されている。このような構成でも、複数の放熱経路によってMMICチップ14の温度上昇を効果的に抑えることができる。また、熱容量が大きな金属製のホーン20を使用することで、MMICチップ14の放熱性を高めることができる。 As shown in FIG. 13, in the radar device 1 according to the ninth embodiment, the horn 20 is made of a material having high shielding properties and thermal conductivity, such as aluminum. Further, in the radar device 1 according to the ninth embodiment, heat radiation paths R1, R4, and R5 are formed as in the second embodiment. Even with such a configuration, the temperature rise of the MMIC chip 14 can be effectively suppressed by a plurality of heat dissipation paths. Also, by using the metal horn 20 having a large heat capacity, the heat dissipation of the MMIC chip 14 can be enhanced.

なお、上記した各実施形態では、基板10に複数のアンテナ13が設けられ、ホーン20に複数の導波路23が形成される構成にしたが、基板10に単一のアンテナ13が設けられ、ホーン20に単一の導波路23が形成されていてもよい。 In each of the above-described embodiments, the substrate 10 is provided with a plurality of antennas 13 and the horn 20 is provided with a plurality of waveguides 23. However, the substrate 10 is provided with a single antenna 13 and the horn A single waveguide 23 may be formed in 20 .

また、上記した各実施形態では、ホーン20の外面全体に金属膜28が形成されて、シールド層29、伝熱経路R2、放熱経路R3が形成される構成にしたが、この構成に限定されない。ホーン20の外面に部分的に金属膜28が形成されて、シールド層29、伝熱経路R2、放熱経路R3が形成されてもよい。 In each of the above-described embodiments, the metal film 28 is formed on the entire outer surface of the horn 20, and the shield layer 29, the heat transfer path R2, and the heat dissipation path R3 are formed, but the configuration is not limited to this. A metal film 28 may be partially formed on the outer surface of the horn 20 to form the shield layer 29, the heat transfer path R2, and the heat dissipation path R3.

以上の通り、本実施形態に記載のレーダ装置(1)は、一方の主面(11)にアンテナ(13)が設けられた基板(10)と、基板(10)の一方の主面(11)に配置された樹脂製のホーン(20)と、を備えたレーダ装置(1)であって、ホーン(20)には、アンテナ(13)に対応する位置に基板(10)の一方の主面(11)から遠ざかるにつれて幅広になる導波路(23)が形成され、導波路(23)を形成するホーン(20)の壁面(26)に金属膜(28)でシールド層(29)が形成されている。 As described above, the radar device (1) according to the present embodiment includes a substrate (10) provided with an antenna (13) on one main surface (11), and one main surface (11) of the substrate (10). ), and the horn (20) is provided with one main antenna (10) of the substrate (10) at a position corresponding to the antenna (13). A waveguide (23) is formed which becomes wider with distance from the surface (11), and a shield layer (29) is formed of a metal film (28) on the wall surface (26) of the horn (20) forming the waveguide (23). It is

この構成によれば、金属膜(28)によって導波路(23)内のシールド性が確保されて、導波路(23)から放出される電波の指向性及び電波強度が向上される。また、樹脂製のホーン(20)を採用することで、金属の使用量を抑えてレーダ装置(1)の軽量化を実現することができる。 According to this configuration, the metal film (28) secures the shielding property in the waveguide (23), and the directivity and radio wave intensity of the radio waves emitted from the waveguide (23) are improved. Moreover, by adopting the resin horn (20), it is possible to reduce the amount of metal used and reduce the weight of the radar device (1).

本実施形態に記載のレーダ装置(1)において、アンテナ(13)は基板(10)の一方の主面(11)に設けられた複数のアンテナ(13)であり、導波路(23)はホーン(20)の複数のアンテナ(13)に対応する位置に形成された複数の導波路(23)である。 In the radar device (1) according to this embodiment, the antenna (13) is a plurality of antennas (13) provided on one main surface (11) of the substrate (10), and the waveguide (23) is a horn. A plurality of waveguides (23) formed at positions corresponding to the plurality of antennas (13) of (20).

この構成によれば、複数の導波路(23)の間で電波干渉を抑えることができる。 According to this configuration, radio wave interference can be suppressed between the plurality of waveguides (23).

本実施形態に記載のレーダ装置(1)において、基板(10)の一方の主面(11)にはアンテナ(13)に接続された電子部品(MMICチップ14)が配置されており、ホーン(20)には、電子部品(MMICチップ14)からシールド層(29)に向かう伝熱経路(R2)が金属膜で形成されている。 In the radar device (1) according to this embodiment, an electronic component (MMIC chip 14) connected to an antenna (13) is arranged on one main surface (11) of a substrate (10), and a horn ( In 20), a heat transfer path (R2) from the electronic component (MMIC chip 14) to the shield layer (29) is formed of a metal film.

この構成によれば、ホーン(20)の外面を通る伝熱経路(R2)によって、電子部品(MMICチップ14)の発熱を利用して、導波路(23)の結露(59)の発生を抑えることができる。ホーン(20)は熱伝導率が低い樹脂製であり、電子部品(MMICチップ14)から熱伝導率が高い金属に集中的に熱が伝わって、短時間でシールド層(29)を温めることができる。 According to this configuration, the heat transfer path (R2) passing through the outer surface of the horn (20) utilizes the heat generated by the electronic component (MMIC chip 14) to suppress the occurrence of condensation (59) on the waveguide (23). be able to. The horn (20) is made of resin with low thermal conductivity, and the heat is intensively transmitted from the electronic component (MMIC chip 14) to the metal with high thermal conductivity, so that the shield layer (29) can be warmed in a short period of time. can.

本実施形態に記載のレーダ装置(1)において、基板(10)の他方の主面(12)に設けられた放熱部材(放熱板40)を備え、ホーン(20)には、電子部品(MMICチップ14)から放熱部材(放熱板40)に向かう放熱経路(R3)が金属膜で形成されている。 The radar device (1) according to the present embodiment includes a heat dissipation member (heat dissipation plate 40) provided on the other main surface (12) of the substrate (10), and the horn (20) includes an electronic component (MMIC A heat dissipation route (R3) from the chip 14) to the heat dissipation member (heat dissipation plate 40) is formed of a metal film.

この構成によれば、ホーン(20)の外面を通る放熱経路(R3)によって、電子部品(MMICチップ14)の発熱が放熱部材(放熱板40)に逃がされて、電子部品(MMICチップ14)の温度上昇を抑えることができる。 According to this configuration, the heat generated by the electronic component (MMIC chip 14) is dissipated to the heat radiating member (radiating plate 40) through the heat radiation path (R3) passing through the outer surface of the horn (20). ) can be suppressed.

本実施形態に記載のレーダ装置(1)において、シールド層(29)は伝熱経路(R2)及び放熱経路(R3)よりもシールド性が高い金属膜(28)で形成され、伝熱経路(R2)及び放熱経路(R3)はシールド層(29)よりも熱伝導率が高い金属膜(28)で形成されている。 In the radar device (1) according to this embodiment, the shield layer (29) is formed of a metal film (28) having a higher shielding property than the heat transfer path (R2) and the heat dissipation path (R3). R2) and the heat radiation path (R3) are formed of a metal film (28) having a higher thermal conductivity than the shield layer (29).

この構成によれば、導波路(23)のシールド性を高める共に、電子部品(MMICチップ14)の温度上昇を抑えることができる。 According to this configuration, it is possible to improve the shielding performance of the waveguide (23) and suppress the temperature rise of the electronic component (MMIC chip 14).

本実施形態に記載のレーダ装置(1)において、シールド層(29)の金属膜(28)の肉厚よりも伝熱経路(R2)及び放熱経路(R3)の金属膜(28)の肉厚が大きく形成されている。 In the radar device (1) according to this embodiment, the thickness of the metal film (28) of the heat transfer path (R2) and the heat dissipation path (R3) is greater than the thickness of the metal film (28) of the shield layer (29). is largely formed.

この構成によれば、伝熱経路(R2)及び放熱経路(R3)の金属膜(28)の肉厚が大きいため、電子部品(MMICチップ14)の発熱を金属膜(28)に効果的に逃がすことができる。 According to this configuration, since the thickness of the metal film (28) of the heat transfer path (R2) and the heat dissipation path (R3) is large, the heat generated by the electronic component (MMIC chip 14) is effectively transferred to the metal film (28). can escape.

本実施形態に記載のレーダ装置(1)において、金属膜(28)が銀、銅、金、ニッケル、及び錫の少なくともいずれかを含む金属で形成される。 In the radar device (1) according to this embodiment, the metal film (28) is made of metal containing at least one of silver, copper, gold, nickel, and tin.

この構成によれば、熱伝導率が高くシールド性を有する金属によって金属膜(28)を形成できる。 According to this configuration, the metal film (28) can be formed from a metal having high thermal conductivity and shielding properties.

本実施形態に記載のレーダ装置(1)は、一方の主面(11)に電子部品(MMICチップ14)が配置された基板(10)と、基板(10)の一方の主面(11)に配置された樹脂製のホーン(20)と、基板(10)の他方の主面(12)に配置された放熱部材(放熱板40)と、を備えたレーダ装置(1)であって、ホーン(20)の外面が金属膜(28)で覆われており、ホーン(20)の金属膜(28)によって電子部品(MMICチップ14)から放熱部材(放熱板40)に向かう放熱経路(R3)が形成されている。 A radar device (1) according to this embodiment includes a substrate (10) having an electronic component (MMIC chip 14) arranged on one main surface (11), and one main surface (11) of the substrate (10). A radar device (1) comprising: a resin horn (20) arranged on the substrate (10); The outer surface of the horn (20) is covered with a metal film (28), and the metal film (28) of the horn (20) forms a heat dissipation path (R3 ) is formed.

この構成によれば、電子部品(MMICチップ14)の発熱がホーン(20)及び放熱部材(放熱板40)に逃がされて、電子部品(MMICチップ14)の温度上昇を抑えることができる。 According to this configuration, the heat generated by the electronic component (MMIC chip 14) is released to the horn (20) and the heat radiation member (heat radiation plate 40), so that the temperature rise of the electronic component (MMIC chip 14) can be suppressed.

以上、本発明の実施形態について詳述したが、本発明は、前記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を行うことができるものである。例えば、前記した実施の形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。さらに、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various designs can be made without departing from the spirit of the invention described in the claims. Changes can be made. For example, the above-described embodiments have been described in detail in order to explain the present invention in an easy-to-understand manner, and are not necessarily limited to those having all the described configurations. Also, part of the configuration of one embodiment can be replaced with the configuration of another embodiment, and the configuration of another embodiment can be added to the configuration of one embodiment. Furthermore, it is possible to add, delete, or replace part of the configuration of each embodiment with another configuration.

1 レーダ装置
10 基板
11 一方の主面
12 他方の主面
13 アンテナ
14 MMICチップ(電子部品)
20 ホーン
23 導波路
26 ホーンの壁面
28 金属膜
29 シールド層
40 放熱板(放熱部材)
45 ベース(放熱部材)
R2 伝熱経路
R3 放熱経路
1 radar device 10 substrate 11 one main surface 12 the other main surface 13 antenna 14 MMIC chip (electronic component)
20 Horn 23 Waveguide 26 Wall surface 28 of horn Metal film 29 Shield layer 40 Radiator plate (heat radiation member)
45 base (heat dissipation member)
R2 Heat transfer path R3 Heat dissipation path

Claims (7)

一方の主面にアンテナが設けられた基板と、前記基板の一方の主面に配置された樹脂製のホーンと、を備えたレーダ装置であって、
前記ホーンには、前記アンテナに対応する位置に前記基板の一方の主面から遠ざかるにつれて幅広になる導波路が形成され、
前記導波路を形成する前記ホーンの壁面に金属膜でシールド層が形成され
前記基板の一方の主面には前記アンテナに接続された電子部品が配置されており、
前記ホーンには、前記電子部品から前記シールド層に向かう伝熱経路が金属膜で形成されたことを特徴とするレーダ装置。
A radar device comprising a substrate provided with an antenna on one principal surface and a resin horn arranged on one principal surface of the substrate,
The horn is formed with a waveguide at a position corresponding to the antenna, the waveguide becoming wider as the distance from one main surface of the substrate increases,
A shield layer is formed of a metal film on a wall surface of the horn that forms the waveguide ,
An electronic component connected to the antenna is arranged on one main surface of the substrate,
A radar apparatus according to claim 1 , wherein the horn has a heat transfer path from the electronic component to the shield layer formed of a metal film .
前記アンテナは前記基板の一方の主面に設けられた複数のアンテナであり、前記導波路は前記ホーンの前記複数のアンテナに対応する位置に形成された複数の導波路であることを特徴とする請求項1に記載のレーダ装置。 The antennas are a plurality of antennas provided on one main surface of the substrate, and the waveguides are a plurality of waveguides formed at positions corresponding to the plurality of antennas of the horn. The radar device according to claim 1. 前記基板の他方の主面に設けられた放熱部材を備え、
前記ホーンには、前記電子部品から前記放熱部材に向かう放熱経路が金属膜で形成されたことを特徴とする請求項に記載のレーダ装置。
A heat dissipation member provided on the other main surface of the substrate,
2. The radar apparatus according to claim 1 , wherein the horn has a heat radiation path from the electronic component to the heat radiation member formed of a metal film.
前記シールド層は前記伝熱経路及び前記放熱経路よりもシールド性が高い金属膜で形成され、前記伝熱経路及び前記放熱経路は前記シールド層よりも熱伝導率が高い金属膜で形成されたことを特徴とする請求項に記載のレーダ装置。 The shield layer is formed of a metal film having higher shielding properties than the heat transfer path and the heat dissipation path, and the heat transfer path and the heat dissipation path are formed of a metal film having higher thermal conductivity than the shield layer. The radar device according to claim 3 , characterized by: 前記シールド層の金属膜の肉厚よりも前記伝熱経路及び前記放熱経路の金属膜の肉厚が大きく形成されたことを特徴とする請求項に記載のレーダ装置。 4. The radar device according to claim 3 , wherein the thickness of the metal film of the heat transfer path and the heat radiation path is formed larger than the thickness of the metal film of the shield layer. 前記金属膜が銀、銅、金、ニッケル、及び錫の少なくともいずれかを含む金属で形成されることを特徴とする請求項1から請求項のいずれか一項に記載のレーダ装置。 6. The radar device according to any one of claims 1 to 5 , wherein the metal film is made of metal containing at least one of silver, copper, gold, nickel, and tin. 一方の主面に電子部品が配置された基板と、前記基板の一方の主面に配置された樹脂製のホーンと、前記基板の他方の主面に配置された放熱部材と、を備えたレーダ装置であって、
前記ホーンの外面が金属膜で覆われており、前記ホーンの金属膜によって前記電子部品から前記放熱部材に向かう放熱経路が形成されたことを特徴とするレーダ装置。
A radar comprising a substrate on which electronic components are arranged on one main surface, a resin horn arranged on one main surface of the substrate, and a heat radiating member arranged on the other main surface of the substrate a device,
A radar apparatus according to claim 1, wherein an outer surface of the horn is covered with a metal film, and the metal film of the horn forms a heat radiation path from the electronic component to the heat radiation member.
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