JP7257025B2 - Fluid supply system - Google Patents

Fluid supply system Download PDF

Info

Publication number
JP7257025B2
JP7257025B2 JP2018225562A JP2018225562A JP7257025B2 JP 7257025 B2 JP7257025 B2 JP 7257025B2 JP 2018225562 A JP2018225562 A JP 2018225562A JP 2018225562 A JP2018225562 A JP 2018225562A JP 7257025 B2 JP7257025 B2 JP 7257025B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
line
purge
fluid
supply system
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018225562A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2020084308A (en
Inventor
裕太 中川
隆司 余湖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikin Inc
Original Assignee
Fujikin Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikin Inc filed Critical Fujikin Inc
Priority to JP2018225562A priority Critical patent/JP7257025B2/en
Publication of JP2020084308A publication Critical patent/JP2020084308A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7257025B2 publication Critical patent/JP7257025B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Flow Control (AREA)

Description

本発明は、流体供給システムに係り、特に複数の流体ラインのパージ処理が可能な流体供給システムに関する。 The present invention relates to a fluid supply system, and more particularly to a fluid supply system capable of purging a plurality of fluid lines.

特許文献１には、複数のパージラインと、これらのパージラインにそれぞれ接続される複数の流体ラインと、これらの流体ラインにそれぞれ設けられる複数の開閉弁とを備えたガス供給装置が開示されている。この装置は、複数のパージラインにパージガスを常時供給しながら開閉弁を開作動することにより、パージラインを介して流体ラインから処理ガスを供給する。 Patent Literature 1 discloses a gas supply device including a plurality of purge lines, a plurality of fluid lines respectively connected to these purge lines, and a plurality of on-off valves respectively provided in these fluid lines. there is This apparatus supplies process gas from fluid lines through purge lines by opening on-off valves while constantly supplying purge gas to a plurality of purge lines.

この装置には、複数の流体ラインが接続される共通ガス供給配管たる合流ラインは存在しないため、流体供給システムにおける処理ガスの残留、混合、反応、及び反応物の発生を低減することができる、とされている。 Since this apparatus does not have a common gas supply pipe, which is a confluence line, to which a plurality of fluid lines are connected, it is possible to reduce the residual, mixing, and reaction of the process gas in the fluid supply system, and the generation of reactants. It is said that

特開２０１７－１９０４９２号公報JP 2017-190492 A

上記特許文献１の場合には、複数のパージラインにパージガスを常時供給しなければならないため、パージガスの消費が膨大な量となり、流体供給システムの運用コストが増大するおそれがある。また、処理ガスはパージガスと常時混合することとなるため、処理ガスの純度が低下し、処理プロセスで製造する例えば半導体基板の生成膜などの性状が悪化するおそれもある。 In the case of Patent Literature 1, since purge gas must be constantly supplied to a plurality of purge lines, a huge amount of purge gas is consumed, which may increase the operating cost of the fluid supply system. In addition, since the processing gas is always mixed with the purge gas, the purity of the processing gas is lowered, which may deteriorate the properties of, for example, a film formed on a semiconductor substrate produced in the processing process.

従って、合流ラインを備えた流体供給ラインにおいて、合流ラインにおける処理ガスなどの流体の残留、混合、反応、及び反応物の発生を低減可能な信頼性の高い流体供給システムが求められている。
本発明は、このような課題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、合流ラインにおける流体の残留、混合、反応、及び反応物の発生を低減することができる、信頼性の高い流体供給システムを提供することにある。 Accordingly, there is a need for a highly reliable fluid supply system that can reduce residual, mixing, reaction, and generation of reactants in the fluid supply line including the merge line.
The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a highly reliable method that can reduce fluid retention, mixing, reaction, and generation of reactants in the merge line. An object of the present invention is to provide a fluid supply system.

本発明は以下の態様として実現することができる。
本態様に係る流体供給システムは、複数の流体ラインと、複数の流体ラインの下流端に接続される合流ラインと、複数の流体ラインにそれぞれ設けられる第１三方弁と、複数の流体ラインに第１三方弁を介して接続される第１パージラインと、合流ラインに開閉弁を介して接続される第２パージラインとを備え、第２パージラインの下流端は、合流ラインの上流端に接続され、複数の流体ラインは、流体の流量を制御する流量制御装置と、流量制御装置から合流ラインに至る低圧ラインと、低圧ラインに設けられる第２三方弁とをそれぞれ備え、低圧ラインに第２三方弁を介して接続される第３パージラインをさらに備える。 The present invention can be implemented as the following aspects.
A fluid supply system according to this aspect includes a plurality of fluid lines, a confluence line connected to a downstream end of the plurality of fluid lines, a first three-way valve provided in each of the plurality of fluid lines, and a first three-way valve in each of the plurality of fluid lines. 1, a first purge line connected via a three-way valve, and a second purge line connected to the confluence line via an on-off valve , the downstream end of the second purge line being connected to the upstream end of the confluence line. and the plurality of fluid lines each include a flow control device for controlling the flow rate of the fluid, a low pressure line extending from the flow control device to the confluence line, and a second three-way valve provided in the low pressure line. It further comprises a third purge line connected via a three-way valve.

また、本態様に係る前述した流体供給システムにおいて、第２パージラインの上流端は、第１パージラインの下流端に接続される。 Further , in the above-described fluid supply system according to this aspect, the upstream end of the second purge line is connected to the downstream end of the first purge line.

また、本態様に係る前述した流体供給システムにおいて、複数の流体ラインの少なくとも何れか１つをパージ処理するとき、当該流体ラインに第１三方弁を介して第１パージラインからパージガスを供給するととともに、開閉弁を介して第２パージラインから合流ラインにパージガスを供給する。 Further, in the above-described fluid supply system according to this aspect, when purging at least one of the plurality of fluid lines, the purge gas is supplied to the fluid line from the first purge line through the first three-way valve. , the purge gas is supplied from the second purge line to the combined line via the on-off valve.

また、本態様に係る前述した流体供給システムにおいて、複数の流体ラインの少なくとも何れか１つをパージ処理するとき、第１パージライン及び第２パージラインからパージガスを供給するとともに、第２三方弁を介して第３パージラインから低圧ラインを経て合流ラインにパージガスを供給する。 Further, in the above-described fluid supply system according to this aspect, when purging at least one of the plurality of fluid lines, the purge gas is supplied from the first purge line and the second purge line, and the second three-way valve is closed. Purge gas is supplied from the third purge line through the low-pressure line to the combined line.

本発明の前述した態様によれば、合流ラインにおける流体の残留、混合、反応、及び反応物の発生を低減することができる、信頼性の高い流体供給システムを提供することができる。 According to the above aspect of the present invention, it is possible to provide a highly reliable fluid supply system capable of reducing fluid retention, mixing, reaction, and generation of reactants in the confluence line.

本発明の第１実施形態に係る流体供給システムの系統図である。1 is a system diagram of a fluid supply system according to a first embodiment of the present invention; FIG. 本発明の第２実施形態に係る流体供給システムの系統図である。FIG. 4 is a system diagram of a fluid supply system according to a second embodiment of the present invention;

以下、図面に基づき本発明の各実施形態に係る流体供給システムについて説明する。なお、以降に説明する流体が流れる各ラインは配管であっても良いし、流路が形成されたマニホールドであっても良い。
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る流体供給システム１の系統図を示す。流体供給システム１は、種々の流体が流れる流体ライン４を複数配列して構成されている。 Hereinafter, a fluid supply system according to each embodiment of the present invention will be described based on the drawings. In addition, each line through which a fluid flows, which will be described later, may be a pipe, or may be a manifold in which a flow path is formed.
<First embodiment>
FIG. 1 shows a system diagram of a fluid supply system 1 according to the first embodiment. The fluid supply system 1 is configured by arranging a plurality of fluid lines 4 through which various fluids flow.

図１の流体供給システム１は、半導体製造装置のガス供給システムなどに用いられ、例えば７本の流体ライン４が設けられている。各流体ライン４には、異なるＧＡＳ１～７を個別に供給することが可能である。なお、以降、流体ライン４を流れる流体を処理ガスということもある。 A fluid supply system 1 shown in FIG. 1 is used for a gas supply system of a semiconductor manufacturing apparatus or the like, and is provided with, for example, seven fluid lines 4 . Each fluid line 4 can be individually supplied with a different GAS 1-7. In addition, hereinafter, the fluid flowing through the fluid line 4 may be referred to as process gas.

各流体ライン４には、ＧＡＳ１が流れる流体ライン４を代表して符号を付すと、矢印で示す流れ方向の順に、フィルタ６、開閉弁８、レギュレータ１０、圧力計１２、開閉弁１４、第１三方弁１６、流体の流量を制御する流量制御装置１８、開閉弁２０が配置されている。各流体ライン４の下流端４ａには１本の合流ライン２２が接続されている。 Each fluid line 4 is labeled with a symbol representative of the fluid line 4 through which the GAS 1 flows. A three-way valve 16, a flow control device 18 for controlling the flow rate of fluid, and an on-off valve 20 are arranged. A single confluence line 22 is connected to the downstream end 4a of each fluid line 4 .

流体供給システム１を半導体製造装置のガス供給システムとして用いる場合、流体ライン４から合流ライン２２に流入した処理ガスは、処理ガスの反応を行うためのチャンバ２４などに供給される。流体供給システム１には、各流体ライン４を流れた処理ガスをパージして不活性ガスで置換するための第１パージライン２６が設けられている。 When the fluid supply system 1 is used as a gas supply system for a semiconductor manufacturing apparatus, the processing gas flowing from the fluid line 4 into the confluence line 22 is supplied to a chamber 24 or the like for reacting the processing gas. The fluid supply system 1 is provided with a first purge line 26 for purging the processing gas that has flowed through each fluid line 4 and replacing it with an inert gas.

本実施形態の第１パージライン２６は、例えば窒素（Ｎ２）ガスが流れるＮ２パージラインであって、矢印で示す流れ方向の順に、流体ライン４と同様のフィルタ６、開閉弁８、レギュレータ１０、圧力計１２、開閉弁１４と、逆止弁２８とが配置されている。第１パージライン２６は、逆止弁２８の下流において、各流体ライン４に第１三方弁１６を介して接続されている。 The first purge line 26 of the present embodiment is, for example, an N2 purge line through which nitrogen (N2) gas flows. A pressure gauge 12, an on-off valve 14, and a check valve 28 are arranged. A first purge line 26 is connected to each fluid line 4 via a first three-way valve 16 downstream of the check valve 28 .

さらに、本実施形態の流体供給システム１には第２パージライン３０が設けられている。第２パージライン３０には開閉弁３２が設けられ、第２パージライン３０は合流ライン２２に開閉弁３２を介して接続される。第２パージライン３０の下流端３０ａは、合流ライン２２の上流端（末端）２２ａに接続されている。また、第２パージライン３０の上流端３０ｂは、第１パージライン２６の下流端（末端）２６ａに接続されている。 Furthermore, a second purge line 30 is provided in the fluid supply system 1 of the present embodiment. An on-off valve 32 is provided in the second purge line 30 , and the second purge line 30 is connected to the merge line 22 via the on-off valve 32 . A downstream end 30 a of the second purge line 30 is connected to an upstream end (terminal) 22 a of the junction line 22 . The upstream end 30b of the second purge line 30 is connected to the downstream end (terminal) 26a of the first purge line 26. As shown in FIG.

各流体ライン４の少なくとも何れか１つをパージ処理するときは、処理ガスを流した流体ライン４に第１三方弁１６を介して第１パージライン２６からＮ２ガス（パージガス）を供給し、この流体ライン４をパージ処理する。併せて、合流ライン２２に開閉弁３２を介して第２パージライン３０からＮ２ガスを供給し、合流ライン２２をパージ処理する。 When purging at least one of the fluid lines 4, N2 gas (purge gas) is supplied from the first purge line 26 through the first three-way valve 16 to the fluid line 4 through which the processing gas flows. Purge the fluid line 4 . At the same time, N2 gas is supplied from the second purge line 30 to the junction line 22 via the on-off valve 32 to purge the junction line 22 .

第１及び第２パージライン２６、３０によるパージ処理は、図示しない制御ユニットからの指令に基づいて、各第１三方弁１６の弁体の切り換え及び開閉弁３２の開閉によって自動で行われる。なお、第１及び第２パージライン２６、３０によるパージ処理は、同時に行っても良いし、第１パージライン２６によるパージ処理後に第２パージライン３０によるパージ処理を行うようにしても良い。 Purging by the first and second purge lines 26 and 30 is automatically performed by switching the valve body of each first three-way valve 16 and opening and closing the open/close valve 32 based on commands from a control unit (not shown). The purging processes by the first and second purge lines 26 and 30 may be performed simultaneously, or the purging process by the second purge line 30 may be performed after the purging process by the first purge line 26 .

以上のように、本実施形態の流体供給システム１は、合流ライン２２に接続された第２パージライン３０を備えることにより、合流ライン２２における処理ガスの残留、混合、反応、及び反応物の発生を低減することができる。
具体的には、１本の流体ライン４に処理ガスを流した後、この流体ライン４に第１三方弁１６を介して第１パージライン２６からＮ２ガスを供給し、この流体ライン４をパージ処理する。 As described above, the fluid supply system 1 of the present embodiment is provided with the second purge line 30 connected to the confluence line 22, so that residual, mixed, and reacted processing gases in the confluence line 22 and generation of reactants are controlled. can be reduced.
Specifically, after the processing gas is flowed through one fluid line 4, N2 gas is supplied to this fluid line 4 from the first purge line 26 through the first three-way valve 16 to purge this fluid line 4. process.

併せて、合流ライン２２に開閉弁３２を介して第２パージライン３０からＮ２ガスを供給し、合流ライン２２をパージ処理する。これにより、合流ライン２２を備えた流体供給システム１において、流体ライン４のパージ処理に加え、合流ライン２２のためだけのパージ処理を別個に行うことができる。従って、流体ライン４のパージ処理後に合流ライン２２に処理ガスが残留し、別の流体ライン４に異なる処理ガスを流した場合、合流ライン２２において異なる処理ガスが混合して反応し、反応物が合流ライン２２に発生するようなことを抑制可能である。 At the same time, N2 gas is supplied from the second purge line 30 to the junction line 22 via the on-off valve 32 to purge the junction line 22 . As a result, in the fluid supply system 1 having the confluence line 22 , the purging process for the confluence line 22 can be performed separately in addition to the purging process for the fluid line 4 . Therefore, if the processing gas remains in the merge line 22 after the fluid line 4 is purged and a different processing gas is flowed through the other fluid line 4, the different processing gases will mix and react in the merge line 22 to form a reactant. It is possible to suppress the occurrence in the confluence line 22 .

また、第２パージライン３０の下流端３０ａは、合流ライン２２の上流端２２ａに接続される。これにより、例えば、合流ライン２２の最も上流側に位置する流体ライン４にＧＡＳ７を流した後であっても、合流ライン２２に残留したＧＡＳ７を上流端２２ａから確実にパージ処理することができる。従って、合流ライン２２における処理ガスの残留、混合、反応、及び反応物の発生をより一層確実に低減することができる。 Also, the downstream end 30 a of the second purge line 30 is connected to the upstream end 22 a of the junction line 22 . As a result, for example, even after the GAS 7 is allowed to flow into the fluid line 4 positioned most upstream of the confluence line 22, the GAS 7 remaining in the confluence line 22 can be reliably purged from the upstream end 22a. Therefore, it is possible to more reliably reduce the remaining, mixing, and reacting of the processing gas in the confluence line 22 and the generation of reactants.

また、合流ライン２２の最も上流側に位置する流体ライン４を流れるＧＡＳ７の比重が他のＧＡＳ１～６よりも大きい場合、ＧＡＳ７が流れる流体ライン４の使用後に他の流体ライン４を使用してパージ処理したとしても合流ライン２２にＧＡＳ７が残留し易い。このような場合であっても、合流ライン２２に残留した処理ガスを合流ライン２２の上流端２２ａから確実にパージ処理可能である。 Further, when the specific gravity of the GAS 7 flowing through the fluid line 4 located on the most upstream side of the confluence line 22 is larger than that of the other GAS 1 to 6, the other fluid line 4 is used for purging after using the fluid line 4 through which the GAS 7 flows. GAS7 tends to remain in the confluence line 22 even after treatment. Even in such a case, the process gas remaining in the junction line 22 can be reliably purged from the upstream end 22 a of the junction line 22 .

また、第２パージライン３０の上流端３０ｂは、第１パージライン２６の下流端２６ａに接続される。これにより、例えば第１パージライン２６が既に設けられている場合、第１パージライン２６を利用し、その下流端２６ａから第２パージライン３０を延設するだけの簡単な改造により、第２パージライン３０によるパージ処理を行うことができる。 Also, the upstream end 30 b of the second purge line 30 is connected to the downstream end 26 a of the first purge line 26 . As a result, for example, when the first purge line 26 is already provided, the second purge can be performed by simply modifying the first purge line 26 and extending the second purge line 30 from the downstream end 26a thereof. Purging by line 30 can be performed.

＜第２実施形態＞
以下、本発明の第２実施形態に係る流体供給システム１について説明する。図２は、本実施形態に係る流体供給システム１の系統図を示す。本実施形態の流体供給システム１は、第１実施形態で説明した第１及び第２パージライン２６、３０に加え、第３パージライン３４をさらに備えている。 <Second embodiment>
A fluid supply system 1 according to a second embodiment of the present invention will be described below. FIG. 2 shows a system diagram of the fluid supply system 1 according to this embodiment. The fluid supply system 1 of this embodiment further includes a third purge line 34 in addition to the first and second purge lines 26 and 30 described in the first embodiment.

また、各流体ライン４には、流量制御装置１８から合流ライン２２に至る範囲に低圧ライン４ｂがそれぞれ形成されている。低圧ライン４ｂは、流量制御装置１８において弁体などにより流路が絞られることによって、流体ライン４の流量制御装置１８の下流側に形成される。各低圧ライン４ｂの開閉弁２０の下流側には、それぞれ第２三方弁３６が設けられている。 A low-pressure line 4 b is formed in each fluid line 4 in a range from the flow control device 18 to the confluence line 22 . The low-pressure line 4 b is formed downstream of the flow control device 18 in the fluid line 4 by narrowing the flow path with a valve element or the like in the flow control device 18 . A second three-way valve 36 is provided downstream of the on-off valve 20 of each low-pressure line 4b.

本実施形態の第３パージライン３４は、例えばアルゴン（Ａｒ）ガスが流れるＡｒパージラインであって、矢印で示す流れ方向の順に、流体ライン４と同様のフィルタ６、開閉弁８、レギュレータ１０、圧力計１２、開閉弁１４、流量制御装置１８、開閉弁２０が配置されている。第３パージライン３４は、開閉弁１４の下流において、各低圧ライン４ｂに第２三方弁３６を介して接続されている。なお、図２においては、ＧＡＳ１が流れる流体ライン４を代表して低圧ライン４ｂ及び第２三方弁３６の符号を付している。 The third purge line 34 of the present embodiment is, for example, an Ar purge line through which argon (Ar) gas flows. A pressure gauge 12, an on-off valve 14, a flow controller 18, and an on-off valve 20 are arranged. Downstream of the on-off valve 14, the third purge line 34 is connected to each low-pressure line 4b via a second three-way valve 36. As shown in FIG. In FIG. 2, the reference numerals of the low-pressure line 4b and the second three-way valve 36 are given as representatives of the fluid line 4 through which the GAS 1 flows.

第３パージライン３４は、図２に示すように独立して設けても良いし、図示しない既存のパージラインから分岐して形成しても良い。また、第１パージライン２６又は第２パージライン３０と図示しない三方弁を介して接続し、当該三方弁の切り換えによって第１パージライン２６又は第２パージライン３０から分流し、第３パージライン３４にパージガスを供給しても良い。 The third purge line 34 may be provided independently as shown in FIG. 2, or may be formed by branching from an existing purge line (not shown). In addition, it is connected to the first purge line 26 or the second purge line 30 via a three-way valve (not shown), and by switching the three-way valve, the first purge line 26 or the second purge line 30 is divided into a third purge line 34. may be supplied with purge gas.

本実施形態の場合、各流体ライン４の少なくとも何れか１つをパージ処理するときは、第１実施形態の場合と同様に第１及び第２パージライン２６、３０によるパージ処理を行う。併せて、処理ガスを流した流体ライン４の低圧ライン４ｂに設けられた第２三方弁３６を介して第３パージライン３４から該当する低圧ライン４ｂを経て合流ライン２２にＡｒガス（パージガス）を供給し、この低圧ライン４ｂをパージ処理する。 In the case of this embodiment, when purging at least one of the fluid lines 4, the purging is performed by the first and second purge lines 26, 30 as in the first embodiment. At the same time, Ar gas (purge gas) is supplied from the third purge line 34 through the low-pressure line 4b of the fluid line 4 through which the processing gas flows to the combined line 22 via the low-pressure line 4b. to purge the low pressure line 4b.

第３パージライン３４によるパージ処理は、前述した制御ユニットからの指令に基づいて、該当する第２三方弁３６の弁体の切り換えによって自動で行われる。なお、第３パージライン３４によるパージ処理は、第１及び第２パージライン２６、３０によるパージ処理と同時に行っても良いし、第１及び第２パージライン２６、３０によるパージ処理後に行っても良い。 Purge processing by the third purge line 34 is automatically performed by switching the valve body of the corresponding second three-way valve 36 based on the command from the control unit described above. The purge process by the third purge line 34 may be performed simultaneously with the purge process by the first and second purge lines 26, 30, or may be performed after the purge process by the first and second purge lines 26, 30. good.

また、第１パージライン２６によるパージ処理後に、第２及び第３パージライン３０、３４によるパージ処理を同時に行っても良いし、第１パージライン２６によるパージ処理、第３パージライン３４によるパージ処理を順に行った後に第２パージライン３０によるパージ処理を行うようにしても良い。 Further, after the purge processing by the first purge line 26, the purge processing by the second and third purge lines 30 and 34 may be performed simultaneously, or the purge processing by the first purge line 26 and the purge processing by the third purge line 34 may be performed. may be performed in order, and then the purge process by the second purge line 30 may be performed.

以上のように、本実施形態の流体供給システム１は、低圧ライン４ｂに接続された第３パージライン３４を備えることにより、低圧ライン４ｂ及び合流ライン２２における処理ガスの残留、混合、反応、及び反応物の発生をより一層確実に低減することができる。具体的には、１本の流体ライン４に処理ガスを流した後、この流体ライン４を第１パージライン２６によりパージ処理し、第２パージライン３０により合流ライン２２をパージ処理し、さらに、第３パージライン３４により低圧ライン４ｂをパージ処理することができる。 As described above, the fluid supply system 1 of the present embodiment includes the third purge line 34 connected to the low-pressure line 4b, so that the processing gas remains, mixes, reacts, and Generation of reactants can be reduced more reliably. Specifically, after the processing gas is flowed through one fluid line 4, the fluid line 4 is purged by the first purge line 26, the merge line 22 is purged by the second purge line 30, and further, The third purge line 34 allows the low pressure line 4b to be purged.

低圧ライン４ｂでは、流量制御装置１８において弁体などにより流路が絞られることによって低圧となるため、流体ライン４の他の部位に比べて処理ガスが残留し易い。しかし、第３パージライン３４によるパージ処理を行うことにより、低圧ライン４ｂ、及びその下流に位置する合流ライン２２を確実にパージ処理することができる。従って、低圧ライン４ｂ、及び合流ライン２２における処理ガスの残留、混合、反応、及び反応物の発生をより一層確実に低減することができ、流体供給システム１の信頼性をさらに高めることができる。 In the low-pressure line 4b, the flow path is narrowed by a valve element or the like in the flow control device 18, and the pressure becomes low. However, by performing the purge processing by the third purge line 34, the low-pressure line 4b and the merge line 22 located downstream thereof can be reliably purged. Therefore, it is possible to more reliably reduce the remaining, mixing, and reacting of the processing gas in the low-pressure line 4b and the confluence line 22, and the generation of reactants, thereby further enhancing the reliability of the fluid supply system 1.

以上で本発明の各実施形態についての説明を終えるが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更ができるものである。
例えば、流体ライン４、第１～第３パージライン２６、３０、３４に設けられる機器は、前述したものに限定されない。また、第１～第３パージライン２６、３０、３４に使用されるパージガスは、前述したものに限定されない。 Although the description of each embodiment of the present invention is finished above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
For example, the equipment provided in fluid line 4 and first through third purge lines 26, 30, 34 are not limited to those described above. Also, the purge gases used in the first to third purge lines 26, 30, 34 are not limited to those described above.

また、流体供給システム１は、半導体製造装置のガス供給システムに限らず、液体の流体供給システムにも適用可能であり、また、半導体製造プロセス以外の種々のプロセスにも用いることができる。 Moreover, the fluid supply system 1 is applicable not only to the gas supply system of the semiconductor manufacturing apparatus, but also to a liquid fluid supply system, and can also be used for various processes other than the semiconductor manufacturing process.

１ 流体供給システム
４ 流体ライン
４ａ 流体ラインの下流端
４ｂ 低圧ライン
１４ 開閉弁
１６ 第１三方弁
１８ 流量制御装置
２２ 合流ライン
２２ａ 合流ラインの上流端（末端）
２６ 第１パージライン
２６ａ 第１パージラインの下流端（末端）
３０ 第２パージライン
３０ａ 第２パージラインの下流端
３０ｂ 第２パージラインの上流端
３４ 第３パージライン
３６ 第２三方弁 REFERENCE SIGNS LIST 1 fluid supply system 4 fluid line 4a downstream end of fluid line 4b low pressure line 14 on-off valve 16 first three-way valve 18 flow control device 22 merge line 22a upstream end (end) of merge line
26 First purge line 26a Downstream end (terminal) of the first purge line
30 second purge line 30a downstream end 30b of second purge line upstream end of second purge line 34 third purge line 36 second three-way valve

Claims (4)

複数の流体ラインと、
前記複数の流体ラインの下流端に接続される合流ラインと、
前記複数の流体ラインにそれぞれ設けられる第１三方弁と、
前記複数の流体ラインに前記第１三方弁を介して接続される第１パージラインと、
前記合流ラインに開閉弁を介して接続される第２パージラインと
を備え、
前記第２パージラインの下流端は、前記合流ラインの上流端に接続され、
前記複数の流体ラインは、
流体の流量を制御する流量制御装置と、
前記流量制御装置から前記合流ラインに至る低圧ラインと、
前記低圧ラインに設けられる第２三方弁と
をそれぞれ備え、
前記低圧ラインに前記第２三方弁を介して接続される第３パージラインをさらに備える、流体供給システム。 a plurality of fluid lines;
a confluence line connected to downstream ends of the plurality of fluid lines;
a first three-way valve provided in each of the plurality of fluid lines;
a first purge line connected to the plurality of fluid lines via the first three-way valve;
a second purge line connected to the combined line via an on-off valve ;
the downstream end of the second purge line is connected to the upstream end of the confluence line;
The plurality of fluid lines are
a flow control device that controls the flow rate of the fluid;
a low-pressure line from the flow control device to the confluence line;
a second three-way valve provided in the low-pressure line;
each comprising
A fluid supply system further comprising a third purge line connected to said low pressure line via said second three-way valve . 前記第２パージラインの上流端は、前記第１パージラインの下流端に接続される、請求項１に記載の流体供給システム。 2. The fluid supply system of claim 1 , wherein the upstream end of said second purge line is connected to the downstream end of said first purge line. 前記複数の流体ラインの少なくとも何れか１つをパージ処理するとき、当該流体ラインに前記第１三方弁を介して前記第１パージラインからパージガスを供給するととともに、前記開閉弁を介して前記第２パージラインから前記合流ラインにパージガスを供給する、請求項１又は２に記載の流体供給システム。 When purging at least one of the plurality of fluid lines, purge gas is supplied from the first purge line to the fluid line through the first three-way valve, and the second purge gas is supplied through the on-off valve. 3. The fluid supply system according to claim 1 , wherein a purge gas is supplied from a purge line to the combined line. 前記複数の流体ラインの少なくとも何れか１つをパージ処理するとき、前記第１パージライン及び前記第２パージラインからパージガスを供給するとともに、前記第２三方弁を介して前記第３パージラインから前記低圧ラインを経て前記合流ラインにパージガスを供給する、請求項１から３の何れか一項に記載の流体供給システム。 When purging at least one of the plurality of fluid lines, the purge gas is supplied from the first purge line and the second purge line, and the purge gas is supplied from the third purge line via the second three-way valve. 4. The fluid supply system according to any one of claims 1 to 3 , wherein the purge gas is supplied to the combined line through a low pressure line.
JP2018225562A 2018-11-30 2018-11-30 Fluid supply system Active JP7257025B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018225562A JP7257025B2 (en) 2018-11-30 2018-11-30 Fluid supply system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018225562A JP7257025B2 (en) 2018-11-30 2018-11-30 Fluid supply system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020084308A JP2020084308A (en) 2020-06-04
JP7257025B2 true JP7257025B2 (en) 2023-04-13

Family

ID=70906683

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018225562A Active JP7257025B2 (en) 2018-11-30 2018-11-30 Fluid supply system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7257025B2 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003286573A (en) 2002-03-27 2003-10-10 Horiba Ltd Thin-film depositing method, apparatus therefor, mixed- gas feeding device used in thin-film depositing method, and infrared gas analyzer used in thin-film depositing method
JP2007214406A (en) 2006-02-10 2007-08-23 Hitachi Metals Ltd Semiconductor manufacturing apparatus mounted with mass-flow-rate controller having flow-rate testing function

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003286573A (en) 2002-03-27 2003-10-10 Horiba Ltd Thin-film depositing method, apparatus therefor, mixed- gas feeding device used in thin-film depositing method, and infrared gas analyzer used in thin-film depositing method
JP2007214406A (en) 2006-02-10 2007-08-23 Hitachi Metals Ltd Semiconductor manufacturing apparatus mounted with mass-flow-rate controller having flow-rate testing function

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020084308A (en) 2020-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6231672B1 (en) Apparatus for depositing thin films on semiconductor wafer by continuous gas injection
KR101669689B1 (en) Apparatus and method for controlling flow rate of liquid, and storage medium
JP4235076B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method
US6810897B2 (en) Process gas supply mechanism for ALCVD systems
JP2006203208A (en) Manufacturing apparatus of semiconductor element having four-way valve, controlling method of valve of the manufacturing apparatus of semiconductor element, and manufacturing method of semiconductor element using the same
KR20170108916A (en) Film forming apparatus, exhausting apparatus, and exhausting method
JP2017228726A (en) Gas treatment equipment, gas processing method, and storage medium
JP2012099730A5 (en)
US20110061683A1 (en) Liquid processing apparatus for substrate, method for generating processing liquid, and computer readable recording medium storing program for generating processing liquid therein
JP7257025B2 (en) Fluid supply system
WO2004070801A1 (en) Fluid control device and heat treatment device
JP3472282B2 (en) Fluid control device, heat treatment device, and fluid control method
KR100943065B1 (en) Chemical supplying apparatus
US20070006941A1 (en) Method for purging a high purity manifold
US20050000426A1 (en) Methods and apparatus for depositing a thin film on a substrate
KR100657169B1 (en) A reactor and system for depositing thin film on a wafer
CN112567069A (en) Symmetric precursor delivery
JP2017190492A (en) Gas supply device
KR100236087B1 (en) Process gas supplying system for low pressure chemical vapor deposition for fabricacting semiconductor device
US20060231026A1 (en) Vapor deposition systems having separate portions configured for purging using different materials
CN110777428B (en) Gas transportation system
KR20050051228A (en) Apparatus for depositing thin film on a wafer
US20220323979A1 (en) Fluid supply system
JP2020105577A (en) Fluid supply device
JP2005251867A (en) Processor

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181206

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211112

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220915

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221019

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20221108

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20221108

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221121

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230308

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230327

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7257025

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150