JP7254090B2 - ひげゼンマイの製造方法 - Google Patents
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Description
Claims (23)
- 少なくとも1つのひげゼンマイ(5)を製造するための方法であって、
(a)決定された平面(P)内に延び且つ前記決定された平面(P)に平行な第1の層(2)を支持する基板(1)を提供するステップと、
(b)前記第1の層(2)において少なくとも1つの貫通孔(3)を形成するステップと、
(c)前記第1の層(2)上に第2の層(4)を堆積するステップであって、前記第2の層(4)が、前記少なくとも1つの貫通孔(3)を充填して材料の少なくとも1つのブリッジ(7)を形成する、ステップと、
(d)前記第2の層(4)又は前記基板(1)からなるエッチング層(6a)において少なくとも1つのひげゼンマイ(5)をエッチングするステップであって、前記第2の層(4)及び前記基板(1)のうち、前記少なくとも1つのひげゼンマイ(5)がエッチングされない一方が、支持体(6b)を形成し、前記材料の少なくとも1つのブリッジ(7)が、前記少なくとも1つのひげゼンマイ(5)を前記決定された平面(P)に垂直に前記支持体(6b)に連結する、ステップと、
(e)前記第1の層(2)を除去し、前記少なくとも1つのひげゼンマイ(5)が前記材料の少なくとも1つのブリッジ(7)によって前記支持体(6b)に取り付けられたままにする、ステップと、
(f)前記少なくとも1つのひげゼンマイ(5)に少なくとも1つの熱処理を施すステップと、
(g)前記少なくとも1つのひげゼンマイ(5)を前記支持体(6b)から取り外すステップと、
を含む方法。 - 前記熱処理又は前記熱処理のうちの少なくとも1つが炉内で実行される、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記熱処理又は前記熱処理のうちの少なくとも1つが、800°C以上の温度で実行される、ことを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記熱処理又は前記熱処理のうちの少なくとも1つが、900°C以上の温度で実行される、ことを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記熱処理又は前記熱処理のうちの少なくとも1つが、1000°C以上の温度で実行される、ことを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記熱処理又は前記熱処理のうちの少なくとも1つが、1100°C以上の温度で実行される、ことを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記熱処理又は前記熱処理のうちの少なくとも1つが、1200°C以上の温度で実行される、ことを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記熱処理又は前記熱処理のうちの少なくとも1つが、熱酸化を含む、ことを特徴とする請求項1~7のうちの何れかに記載の方法。
- 前記ステップ(f)と(g)との間に脱酸ステップを含み、前記熱酸化と前記脱酸により、前記少なくとも1つのひげゼンマイ(5)の寸法を減少させて所定の剛性を得ることを可能にする、ことを特徴とする、請求項8に記載の方法。
- 前記熱酸化が、前記少なくとも1つのひげゼンマイ(5)上に熱補償層(8)を形成することを目的とする、ことを特徴とする、請求項8に記載の方法。
- 前記エッチング層(6a)が、室温で脆弱な材料で作られている、ことを特徴とする、請求項1~10の何れかに記載の方法。
- 前記エッチング層(6a)が、シリコン又はシリコンベースの材料で作られている、ことを特徴とする、請求項1~11の何れかに記載の方法。
- 前記エッチング層(6a)が、ガラス又はガラスベースの材料で作られている、ことを特徴とする、請求項1~11の何れかに記載の方法。
- 前記エッチング層(6a)がセラミック又はセラミックベースの材料で作られている、ことを特徴とする、請求項1~11の何れかに記載の方法。
- 前記支持体(6b)が、シリコン又はシリコンベースの材料で作られている、ことを特徴とする、請求項1~14の何れかに記載の方法。
- 前記第1の層(2)が、シリコン酸化物又はシリコン酸化物ベースの材料で作られている、ことを特徴とする、請求項1~15の何れかに記載の方法。
- 前記ステップ(b)が、フォトリソグラフィーによって実行される、ことを特徴とする、請求項1~16の何れかに記載の方法。
- 前記ステップ(c)が、エピタキシーによって実行される、ことを特徴とする、請求項1~17の何れかに記載の方法。
- 前記ステップ(d)が、深層反応性イオンエッチングによって実行される、ことを特徴とする、請求項1~18の何れかに記載の方法。
- 前記支持体(6b)が、前記ステップ(d)の間に冷却される、ことを特徴とする、請求項1~19の何れかに記載の方法。
- 前記材料の少なくとも1つのブリッジ(7)が、前記ひげゼンマイ(5)又は各前記ひげゼンマイ(5)の実質的に全長にわたって分布している、ことを特徴とする、請求項1~20の何れかに記載の方法。
- 前記決定された平面(P)内の投影において、前記材料又は各前記材料のブリッジ(7)が、少なくとも1つのひげゼンマイ(5)のブレードの2つの側面(5a、5b)の間に全体的に位置付けられて、前記ブレードの幅(L)の一部のみを占有する、ことを特徴とする、請求項1~21の何れかに記載の方法。
- 前記決定された平面(P)内の投影において、前記材料又は各前記材料のブリッジ(7)が、前記少なくとも1つのひげゼンマイ(5)のブレードの2つの側面(5a、5b)に対して実質的に中心に配置される、ことを特徴とする、請求項1~22の何れかに記載の方法。
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