JP7245378B1

JP7245378B1 - Substrate processing equipment

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Publication number: JP7245378B1
Application number: JP2022097031A
Authority: JP
Inventors: 和也太田
Original assignee: SPP Technologies Co Ltd
Current assignee: SPP Technologies Co Ltd
Priority date: 2022-03-23
Filing date: 2022-06-16
Publication date: 2023-03-23
Anticipated expiration: 2042-03-23
Also published as: JP2023143582A

Abstract

【課題】高温部やロック機構への保護構造を確保した上で、装置の外径寸法を抑制可能で、かつ、ロック機構の操作性を改善させることが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】この基板処理装置１００は、下部チャンバ１と、上部チャンバ２と、昇降機構３とを備える。上部チャンバ２は、第１アセンブリ２ａと、第２アセンブリ２ｂと、第１アセンブリ２ａと第２アセンブリ２ｂとを連結解除可能に連結するロック機構８とを含む。第１アセンブリ２ａは、トッププレート２１と第１カバー２２とプラズマ生成室３１の天井面を構成する天板部３１ｂとを含み、第１カバー２２の外側から昇降機構３と連結されている。第２アセンブリ２ｂは、プラズマ生成室３１の内周面を構成する側壁部３１ａと、プラズマ生成室３１の外周を覆う第２カバー３２とを含む。ロック機構８は、第１アセンブリ２ａの第１カバー２２よりも内周側の位置に設けられている。【選択図】図３A substrate processing apparatus capable of reducing the outer diameter of the apparatus and improving the operability of the lock mechanism while securing a protective structure for a high temperature section and a lock mechanism is provided. A substrate processing apparatus (100) includes a lower chamber (1), an upper chamber (2), and an elevating mechanism (3). The upper chamber 2 includes a first assembly 2a, a second assembly 2b, and a locking mechanism 8 that releasably connects the first and second assemblies 2a and 2b. The first assembly 2 a includes a top plate 21 , a first cover 22 , and a top plate portion 31 b that constitutes the ceiling surface of the plasma generation chamber 31 , and is connected to the lifting mechanism 3 from the outside of the first cover 22 . The second assembly 2 b includes a side wall portion 31 a forming the inner peripheral surface of the plasma generation chamber 31 and a second cover 32 covering the outer periphery of the plasma generation chamber 31 . The lock mechanism 8 is provided at a position on the inner peripheral side of the first cover 22 of the first assembly 2a. [Selection drawing] Fig. 3

Description

この発明は、基板処理装置に関し、特に、上部ユニットである上部チャンバを分割可能に構成された基板処理装置に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly to a substrate processing apparatus having a separable upper chamber as an upper unit.

従来、上部ユニットを分割可能に構成された基板処理装置が知られている（たとえば、特許文献１および２参照）。 Conventionally, there has been known a substrate processing apparatus having a separable upper unit (see Patent Documents 1 and 2, for example).

上記特許文献１には、処理室の天井部を構成する上部電極ユニットと上部電極ユニットを昇降させる昇降機構とを備え、上部電極ユニットが、上部電極ユニットの外周面に設けられたロック機構によって分離合体可能に構成された上部アセンブリと下部アセンブリとから構成された基板処理装置が開示されている。上記特許文献１では、基板処理装置のメンテナンスの際に、ロック機構をロックさせた状態では、上部アセンブリと下部アセンブリとを一体的に上昇させることが可能であり、ロック機構をアンロックさせた状態では、上部アセンブリのみを昇降機構により上昇させることができる。 The above Patent Document 1 has an upper electrode unit that constitutes the ceiling of the processing chamber and an elevating mechanism that raises and lowers the upper electrode unit. A substrate processing apparatus is disclosed that is comprised of an upper assembly and a lower assembly configured to be dockable. In the above Patent Document 1, during maintenance of the substrate processing apparatus, the upper assembly and the lower assembly can be integrally raised when the lock mechanism is locked, and when the lock mechanism is unlocked. , only the upper assembly can be lifted by the lifting mechanism.

上記特許文献２では、上部チャンバおよび下部チャンバで構成された処理チャンバと、上部チャンバの一部が取り付けられる昇降板と、昇降板を昇降させる昇降手段と、上部チャンバを固定するための複数の固定ボルトとを備え、上部チャンバが、環状板と、環状板上に載置される筒状の側壁部材と、側壁部材の外方に配置され昇降板の下面に固設されたプラズマ生成手段と、側壁部材上に載置される天板とを含み、これらの昇降板、昇降手段、複数の固定ボルトおよび上部チャンバが、扉を備えた上カバー内に収容された構成のプラズマ処理装置が開示されている。上記特許文献２では、昇降機構によって、上部チャンバのうち、固定ボルトを介して昇降板に固定された部材を、他の部材から分離させて上昇させることが可能である。つまり、メンテナンスの際に、複数の固定ボルトの着脱状態に応じて、上部チャンバの環状板および側壁部材を残して、天板およびプラズマ生成手段を上昇させたり、天板、側壁部材、プラズマ生成手段および環状板を一体的に上昇させたりすることができる。 In Patent Document 2, a processing chamber composed of an upper chamber and a lower chamber, an elevating plate to which a part of the upper chamber is attached, elevating means for elevating the elevating plate, and a plurality of fixtures for fixing the upper chamber are disclosed. a bolt, wherein the upper chamber includes an annular plate, a cylindrical side wall member placed on the annular plate, plasma generating means arranged outside the side wall member and fixed to the lower surface of the elevating plate; and a top plate placed on the side wall member, and the lifting plate, lifting means, a plurality of fixing bolts, and the upper chamber are housed in an upper cover having a door. ing. In Patent Document 2, it is possible to lift a member of the upper chamber, which is fixed to the lifting plate via the fixing bolt, by separating it from the other members by the lifting mechanism. In other words, during maintenance, the top plate and the plasma generating means can be lifted while leaving the annular plate and side wall members of the upper chamber, or the top plate, side wall members, and plasma generating means and the annular plate can be integrally raised.

特許第４８９６３３７号公報Japanese Patent No. 4896337 特許第５１８８８４９号公報Japanese Patent No. 5188849

上記特許文献１および２には開示されていないが、基板の処理中に基板処理装置のチャンバの側壁などが高温になるため、ユーザが高温部と接触しないようにすることが、安全規格等で要求される。また、上記特許文献１のロック機構や上記特許文献２の固定ボルトなど、ユーザが操作可能な部分であって、基板処理装置が正常に機能するために重要な部分についても、たとえば昇降中にロック解除して重量物が落下するリスクがある場合などでは、ユーザが意図せず接触しないようにすることが、安全規格等で要求される。 Although not disclosed in the above Patent Documents 1 and 2, the side walls of the chamber of the substrate processing apparatus become hot during processing of the substrate. requested. In addition, portions that can be operated by the user, such as the lock mechanism of Patent Document 1 and the fixing bolt of Patent Document 2, are important for the substrate processing apparatus to function normally. Safety standards and the like require that the user should not touch unintentionally when there is a risk that a heavy object may fall after releasing.

上記特許文献１では、そのような高温部に対する保護やロック機構に対する保護は、特に考慮されていないため、実際に安全規格に準拠した装置を構成する場合には、上部アセンブリおよび下部アセンブリのうち高温になる部位の周囲や、ロック機構の周囲に、接触防止のための保護カバーなどの部材を別途設ける必要が生じる。そのため、装置構成が複雑化するとともに、保護カバー等を設ける分だけ装置の外径寸法が大きくなる。 In Patent Document 1, protection against such high-temperature parts and protection against locking mechanisms are not particularly considered. It becomes necessary to separately provide a member such as a protective cover to prevent contact around the portion where the contact occurs and around the lock mechanism. As a result, the configuration of the device becomes complicated, and the outer diameter of the device increases by the amount of the provision of the protective cover or the like.

一方、上記特許文献２では、固定ボルトで固定された上部チャンバの各部や昇降手段が、扉を備えた上カバー内に収容されているため、この上カバーによって、高温部に対する保護やロック機構に対する保護が確保されていると考えられる。しかし、この場合、上部チャンバおよび昇降手段の全体を覆う大きなカバーが設けられているため、装置の外径寸法が大きくなる。また、メンテナンス時には、作業者は、上部カバーの扉を介して上部カバー内に手を伸ばして固定ボルト等の脱着を行うことになるが、上部カバー内には昇降機構などが設けられているため昇降機構同士の隙間から固定ボルトの脱着を行う必要があり、ロック機構の操作性に改善の余地がある。 On the other hand, in Patent Document 2, since each part of the upper chamber fixed by the fixing bolts and the lifting means are accommodated in the upper cover provided with the door, the upper cover protects the high-temperature part and prevents the locking mechanism. It is considered that protection is ensured. However, in this case, since a large cover is provided to cover the upper chamber and the lifting means, the outer diameter of the device is increased. In addition, during maintenance, the operator reaches into the upper cover through the door of the upper cover to attach and detach fixing bolts, etc., but the upper cover is equipped with a lifting mechanism. There is room for improvement in the operability of the lock mechanism, since the fixing bolt must be attached and detached through the gap between the elevating mechanisms.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、高温部やロック機構への保護構造を確保した上で、装置の外径寸法を抑制可能で、かつ、ロック機構の操作性を改善させることが可能な基板処理装置を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and one object of the present invention is to suppress the outer diameter of the device while ensuring a protective structure for the high-temperature part and the lock mechanism. To provide a substrate processing apparatus capable of improving the operability of a lock mechanism.

上記目的を達成するために、本発明による基板処理装置は、基板を処理する反応室を含む下部チャンバと、下部チャンバの上部を覆う上部チャンバと、上部チャンバを下部チャンバから着脱する昇降機構とを備え、上部チャンバは、上側の第１アセンブリと、第１アセンブリの下面に配置された第２アセンブリと、第１アセンブリと第２アセンブリとを連結解除可能に連結するロック機構とを含み、第１アセンブリは、トッププレートと、トッププレートの上面を開放可能に覆う第１カバーと、反応室と連結して閉鎖空間を構成するプラズマ生成室の天井面を構成する天板部とを含み、第１カバーの外側から昇降機構と連結されており、第２アセンブリは、プラズマ生成室の内周面を構成する筒状の側壁部と、プラズマ生成室の外周を覆う第２カバーとを含み、ロック機構は、第１アセンブリの第１カバーよりも内周側の位置に設けられている。 To achieve the above object, a substrate processing apparatus according to the present invention includes a lower chamber including a reaction chamber for processing substrates, an upper chamber covering the upper portion of the lower chamber, and an elevating mechanism for attaching and detaching the upper chamber from the lower chamber. the upper chamber includes an upper first assembly, a second assembly disposed on the lower surface of the first assembly, a locking mechanism decoupleably connecting the first assembly and the second assembly; The assembly includes a top plate, a first cover that openably covers the upper surface of the top plate, and a top plate portion that forms a ceiling surface of a plasma generation chamber that is connected to the reaction chamber to form a closed space. The cover is connected to the elevating mechanism from the outside, and the second assembly includes a cylindrical side wall portion forming the inner peripheral surface of the plasma generating chamber, a second cover covering the outer periphery of the plasma generating chamber, and a locking mechanism. is provided at a position on the inner peripheral side of the first cover of the first assembly.

本発明による基板処理装置では、上記のように、上部チャンバを構成する第１アセンブリと第２アセンブリとに、それぞれ第１カバーと第２カバーとを設け、ロック機構を、第１アセンブリの第１カバーよりも内周側の位置に設けたので、第１カバーおよび第２カバーによって高温部を保護しつつ、ロック機構の保護を、第１カバーによって実現することができる。このように、ロック機構が第１カバーの外表面に露出せず、ロック機構の保護カバー等を別途設ける必要がないので、装置構成が複雑化することがなく、また装置の外径寸法が大きくなることを抑制できる。また、第１カバーおよび第２カバーが別々に設けられ、かつ、第１アセンブリが、第１カバーの外側から昇降機構と連結される構成により、上部チャンバを昇降機構ごとカバー内に収容する構成と比べて、カバー内に確保すべきスペースを小さくできるので、第１カバーおよび第２カバーの寸法（容積）を抑制することができる。また、カバー内に昇降機構が配置されないので、昇降機構同士の隙間からロック機構を操作せずに済むため、カバー内におけるロック機構の操作性を改善することができる。これらの結果、本発明によれば、高温部やロック機構への保護構造を確保した上で、装置の外径寸法を抑制可能で、かつ、ロック機構の操作性を改善させることができる。 In the substrate processing apparatus according to the present invention, as described above, the first assembly and the second assembly constituting the upper chamber are provided with the first cover and the second cover, respectively, and the lock mechanism is provided on the first cover of the first assembly. Since it is provided at a position on the inner peripheral side of the cover, the lock mechanism can be protected by the first cover while the high temperature section is protected by the first cover and the second cover. In this way, the lock mechanism is not exposed on the outer surface of the first cover, and there is no need to separately provide a protective cover for the lock mechanism. can be prevented from becoming Also, the first cover and the second cover are provided separately, and the first assembly is connected to the lifting mechanism from the outside of the first cover, so that the upper chamber is housed in the cover together with the lifting mechanism. In comparison, the space to be secured inside the cover can be reduced, so the dimensions (capacities) of the first cover and the second cover can be suppressed. In addition, since the lifting mechanism is not arranged inside the cover, it is not necessary to operate the locking mechanism through the gap between the lifting mechanisms, so the operability of the locking mechanism inside the cover can be improved. As a result, according to the present invention, it is possible to reduce the outer diameter of the device and to improve the operability of the lock mechanism, while ensuring a protective structure for the high temperature section and the lock mechanism.

上記発明による基板処理装置において、好ましくは、第１アセンブリは、トッププレートにそれぞれ設けられた、バルブ機構、冷却機構および加熱機構を含み、第２アセンブリは、第２カバーの内周側に、プラズマ生成室の周囲に設けられプラズマ生成室内の処理ガスをプラズマ化するための磁界を発生するコイルを含む。 In the substrate processing apparatus according to the invention described above, preferably, the first assembly includes a valve mechanism, a cooling mechanism, and a heating mechanism provided on the top plate, and the second assembly includes plasma on the inner peripheral side of the second cover. A coil is provided around the generation chamber and generates a magnetic field for plasmatizing the processing gas in the plasma generation chamber.

上記発明による基板処理装置において、好ましくは、昇降機構は、上部チャンバを側方から支持し、上下軸によって、上部チャンバを少なくとも上下方向に移動可能に構成されている。 In the substrate processing apparatus according to the above invention, preferably, the elevating mechanism supports the upper chamber from the side and is configured to be able to move the upper chamber at least vertically by a vertical axis.

上記発明による基板処理装置において、好ましくは、ロック機構は、第２アセンブリの第２カバーよりも内周側の位置に設けられ、第２カバーは、第２カバーの内周面から内向きに突出するフランジ部を有し、ロック機構は、トッププレートを上下に貫通する軸部と、軸部の下端に設けられた係合部と、第２カバーのフランジ部を上下に貫通する差込口とを含み、ロック機構は、差込口を通過した係合部の軸部周りの向きに応じて、第１アセンブリおよび第２アセンブリを連結した連結状態と、第１アセンブリと第２アセンブリとの連結を解除した解除状態と、に切り替わるように構成されている。このように構成すれば、軸部を差込口に挿通させて係合部と差込口の縁部との係合状態を変化させるだけのシンプルな構成で、ロック機構を実現できる。また、ロック機構を全体として上下方向に延びる細長の軸状構造にできるので、第１カバーおよび第２カバーの内周側にロック機構を設けても、第１カバーおよび第２カバーの外径寸法が大きくなる事を効果的に抑制できる。 In the substrate processing apparatus according to the above invention, preferably, the lock mechanism is provided at a position on the inner peripheral side of the second cover of the second assembly, and the second cover protrudes inward from the inner peripheral surface of the second cover. The lock mechanism includes a shaft vertically penetrating the top plate, an engaging portion provided at the lower end of the shaft, and a receptacle vertically penetrating the flange of the second cover. and the lock mechanism is configured to connect the first assembly and the second assembly and to connect the first assembly and the second assembly according to the orientation of the engaging portion around the shaft portion that has passed through the receptacle. It is configured to switch to a released state in which the With this configuration, the locking mechanism can be realized with a simple configuration in which the shaft portion is inserted into the receptacle to change the engagement state between the engaging portion and the edge of the receptacle. In addition, since the lock mechanism can be formed as an elongated shaft-like structure extending in the vertical direction as a whole, even if the lock mechanism is provided on the inner peripheral side of the first cover and the second cover, the outer diameter dimension of the first cover and the second cover can be reduced. can be effectively suppressed from increasing.

本発明によれば、上記のように、高温部やロック機構への保護構造を確保した上で、装置の外径寸法を抑制可能で、かつ、ロック機構の操作性を改善させることができる。 According to the present invention, as described above, it is possible to reduce the outer diameter of the apparatus and improve the operability of the lock mechanism, while securing a protective structure for the high temperature section and the lock mechanism.

基板処理装置の概略構成を示した模式的な断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus; FIG. 上部チャンバを上昇位置へ移動させた状態を示した模式的な斜視図である。FIG. 4 is a schematic perspective view showing a state in which the upper chamber has been moved to a raised position; 上部チャンバの構造を説明するための模式的な断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the structure of the upper chamber; 第１アセンブリの第１カバー内を示した模式的な平面図である。FIG. 4 is a schematic plan view showing the inside of the first cover of the first assembly; ロック機構の構造を説明するための模式的な断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the structure of the lock mechanism; 差込口の配置を説明するための第２カバーの模式的な平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view of the second cover for explaining the arrangement of the receptacles; ロック機構の状態を切り替える際の切り替えレバーの操作（Ａ）、解除状態の係合部（Ｂ）、および連結状態の係合部（Ｃ）を説明するための模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the operation (A) of the switching lever when switching the state of the lock mechanism, the engaging portion (B) in the released state, and the engaging portion (C) in the connected state; 連結状態で上部チャンバを上昇させた状態を示した模式的な断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the upper chamber is lifted in a connected state; 解除状態で第１アセンブリを上昇させた状態を示した模式的な断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the first assembly is lifted in a released state; ロック機構が装置外表面に設けられている比較例１の模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram of Comparative Example 1 in which a locking mechanism is provided on the outer surface of the device; 上部チャンバが昇降機構ごとカバー内に収容された比較例２の模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram of Comparative Example 2 in which the upper chamber is accommodated in the cover together with the lifting mechanism.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

（基板処理装置）
まず、図１を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。基板処理装置１００は、閉鎖空間４０内にプラズマを形成して基板Ｗのドライエッチングを行うプラズマ処理装置であり、より具体的には、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）のエッチング装置である。基板Ｗは、たとえばシリコンにより形成されたシリコンウェハである。基板処理装置１００は、下部チャンバ１と、上部チャンバ２と、昇降機構３（図２参照）と、を備える。また、基板処理装置１００は、ガス供給装置４と、高周波電源５と、排気装置６と、高周波電源７とを備える。 (substrate processing equipment)
First, a substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be described with reference to FIG. The substrate processing apparatus 100 is a plasma processing apparatus that forms plasma in the closed space 40 to dry-etch the substrate W, and more specifically, is an inductively coupled plasma (ICP) etching apparatus. The substrate W is, for example, a silicon wafer made of silicon. The substrate processing apparatus 100 includes a lower chamber 1, an upper chamber 2, and an elevating mechanism 3 (see FIG. 2). The substrate processing apparatus 100 also includes a gas supply device 4 , a high frequency power source 5 , an exhaust device 6 and a high frequency power source 7 .

下部チャンバ１は、基板Ｗを処理する反応室１１を含む。下部チャンバ１の上部が、上部チャンバ２により覆われている。上部チャンバ２の後述するプラズマ生成室３１と反応室１１とが連結（連通）して、閉鎖空間である閉鎖空間４０が構成されている。 The lower chamber 1 includes a reaction chamber 11 in which substrates W are processed. The top of lower chamber 1 is covered by upper chamber 2 . A plasma generation chamber 31 of the upper chamber 2 and the reaction chamber 11 are connected (communicated) to form a closed space 40, which is a closed space.

反応室１１内に、基板載置部１２が設置されている。基板載置部１２上に、被処理対象の基板Ｗが載置される。下部チャンバ１には基板Ｗの出入口１３が設けられ、基板Ｗは、搬送装置２００（図２参照）により搬送される。基板載置部１２は、昇降シリンダ１２ａにより閉鎖空間４０内で昇降自在に設けられている。基板載置部１２には、冷媒を循環させるチラー装置（図示せず）によって冷媒を流通させる内部配管（図示せず）が設けられており、プラズマ処理の実行中、冷媒により基板載置部１２が冷却される。 A substrate mounting part 12 is installed in the reaction chamber 11 . A substrate W to be processed is placed on the substrate platform 12 . The lower chamber 1 is provided with an entrance/exit 13 for the substrate W, and the substrate W is transferred by a transfer device 200 (see FIG. 2). The substrate mounting part 12 is provided so as to be vertically movable within the closed space 40 by means of a lifting cylinder 12a. The substrate mounting part 12 is provided with an internal pipe (not shown) through which a coolant is circulated by a chiller device (not shown) for circulating the coolant. is cooled.

高周波電源７は、基板載置部１２に高周波電力を供給する。高周波電源７は、高周波電力を供給することで、基板載置部１２とプラズマとの間にバイアス電位を与える。 The high frequency power supply 7 supplies high frequency power to the substrate mounting portion 12 . The high frequency power supply 7 applies a bias potential between the substrate mounting part 12 and the plasma by supplying high frequency power.

反応室１１は、閉鎖空間４０内の圧力を減圧する排気装置６と接続されている。排気装置６は、排気管６ｂを介して、真空ポンプ６ａが閉鎖空間４０内のガスを排気することにより、閉鎖空間４０内を真空状態とする。なお、基板処理装置１００において閉鎖空間４０以外の領域は大気領域である。 The reaction chamber 11 is connected to an exhaust device 6 that reduces the pressure in the closed space 40 . The exhaust device 6 evacuates the closed space 40 by exhausting the gas in the closed space 40 with the vacuum pump 6a through the exhaust pipe 6b. In the substrate processing apparatus 100, the area other than the closed space 40 is an atmospheric area.

上部チャンバ２は、上側の第１アセンブリ２ａと、第１アセンブリ２ａの下面に配置された第２アセンブリ２ｂと、第１アセンブリ２ａと第２アセンブリ２ｂとを連結解除可能に連結するロック機構８とを含む。第１アセンブリ２ａと第２アセンブリ２ｂとは、ロック機構８により、分離合体可能に連結されている。上部チャンバ２は、第２アセンブリ２ｂの下面に設けられた第３アセンブリ２ｃをさらに含む。 The upper chamber 2 includes a first assembly 2a on the upper side, a second assembly 2b arranged on the lower surface of the first assembly 2a, and a lock mechanism 8 for detachably connecting the first assembly 2a and the second assembly 2b. including. The first assembly 2a and the second assembly 2b are connected by a lock mechanism 8 so that they can be separated and combined. The upper chamber 2 further includes a third assembly 2c provided on the underside of the second assembly 2b.

図２に示すように、昇降機構３は、上部チャンバ２を下部チャンバ１から着脱可能である。昇降機構３は、一対の上下軸３ｂによって、上部チャンバ２を側方から両持ち支持するように設けられている。昇降機構３は、上部チャンバ２を、少なくとも上下方向に移動可能に支持している。昇降機構３は、上下軸３ｂに沿って、上部チャンバ２を、下部チャンバ１の上面上の下降位置（図１参照）と、下部チャンバ１から上方に離れた上昇位置（図２参照）と、に移動させることができる。なお、上部チャンバ２および下部チャンバ１に対して、搬送装置２００側を前方向、後述する収容部９側を後方向、水平面内で前後方向と直交する方向を左右方向としたとき、一対の上下軸３ｂは、上部チャンバ２および下部チャンバ１に対して後方向に離れた位置に設けられている。このため、作業者が上部チャンバ２および下部チャンバ１に対して左右方向からメンテナンス作業を行う場合に、昇降機構３の上下軸３ｂが邪魔になることがない。 As shown in FIG. 2, the elevating mechanism 3 can detach the upper chamber 2 from the lower chamber 1 . The lifting mechanism 3 is provided so as to support the upper chamber 2 from both sides by a pair of vertical shafts 3b. The lifting mechanism 3 supports the upper chamber 2 so as to be movable at least in the vertical direction. The elevating mechanism 3 moves the upper chamber 2 along a vertical axis 3b into a lowered position on the upper surface of the lower chamber 1 (see FIG. 1), and an elevated position separated upward from the lower chamber 1 (see FIG. 2). can be moved to With respect to the upper chamber 2 and the lower chamber 1, when the conveying device 200 side is the front direction, the accommodation unit 9 side (to be described later) is the rear direction, and the direction perpendicular to the front-back direction in the horizontal plane is the left-right direction, the pair of upper and lower The shaft 3b is provided at a position spaced rearward from the upper chamber 2 and the lower chamber 1. As shown in FIG. Therefore, when an operator performs maintenance work on the upper chamber 2 and the lower chamber 1 from the left and right directions, the vertical shaft 3b of the lifting mechanism 3 does not interfere.

図１に戻り、ロック機構８は、連結状態と、解除状態と、に切り替わるように構成されている。連結状態（図１、図２、図８参照）は、第１アセンブリ２ａおよび第２アセンブリ２ｂの両方が昇降機構３により下部チャンバ１から分離可能なように、第１アセンブリ２ａおよび第２アセンブリ２ｂを連結した状態である。解除状態（図９参照）は、第１アセンブリ２ａが昇降機構３により第２アセンブリ２ｂおよび下部チャンバ１から分離可能なように、第１アセンブリ２ａと第２アセンブリ２ｂとの連結を解除した状態である。 Returning to FIG. 1, the lock mechanism 8 is configured to switch between a connected state and a released state. The coupled state (see FIGS. 1, 2 and 8) is such that the first assembly 2a and the second assembly 2b are both separable from the lower chamber 1 by the lifting mechanism 3. are connected. The released state (see FIG. 9) is a state in which the coupling between the first assembly 2a and the second assembly 2b is released so that the first assembly 2a can be separated from the second assembly 2b and the lower chamber 1 by the lifting mechanism 3. be.

（第１アセンブリ）
図３に示すように、第１アセンブリ２ａは、トッププレート２１と、トッププレート２１の上面を開放可能に覆う第１カバー２２とを含む。 (first assembly)
As shown in FIG. 3, the first assembly 2a includes a top plate 21 and a first cover 22 that openably covers the upper surface of the top plate 21. As shown in FIG.

トッププレート２１は、第１アセンブリ２ａの基部となる平板状部材である。第１アセンブリ２ａを構成する各部品は、直接または間接的にトッププレート２１に組付けられている。第１カバー２２は、トッププレート２１上に設けられている。第１カバー２２は、トッププレート２１の外周に沿って上下に延びる側面部と、側面部の上端から水平に延びる上面部とを有し、トッププレート２１の上面を取り囲んで覆っている。第１カバー２２は、少なくとも一部がトッププレート２１から着脱可能（または開閉可能）である。本実施形態では、第１カバー２２の側面部の一部がトッププレート２１に固定されている。第１カバー２２の上面部の大部分を含む分離部２２ａ（図２参照）が、トッププレート２１に固定された部分に対して着脱可能に取り付けられている。 The top plate 21 is a plate-like member that serves as the base of the first assembly 2a. Each component constituting the first assembly 2a is assembled to the top plate 21 directly or indirectly. The first cover 22 is provided on the top plate 21 . The first cover 22 has a side portion extending vertically along the outer periphery of the top plate 21 and an upper surface portion extending horizontally from the upper end of the side portion, and surrounds and covers the upper surface of the top plate 21 . At least a portion of the first cover 22 is detachable (or openable and closable) from the top plate 21 . In this embodiment, part of the side surface of the first cover 22 is fixed to the top plate 21 . A separating portion 22a (see FIG. 2) including most of the upper surface portion of the first cover 22 is detachably attached to the portion fixed to the top plate 21. As shown in FIG.

第１アセンブリ２ａは、トッププレート２１にそれぞれ設けられた、バルブ機構２３、冷却機構２４および加熱機構２５を含む。 The first assembly 2 a includes a valve mechanism 23 , a cooling mechanism 24 and a heating mechanism 25 provided on the top plate 21 respectively.

バルブ機構２３は、プラズマ生成室３１内に供給する処理ガスの供給制御を行うためのバルブを含む。バルブ機構２３（図１参照）は、第１アセンブリ２ａの外部に設置されたガス供給装置４と供給管４ａにより接続されている。また、バルブ機構２３は、管部材（点線で示す）を介して、第２アセンブリ２ｂの後述する分配部材３５に着脱するアタッチメント２３ａと接続されている。バルブ機構２３は、アタッチメント２３ａおよび分配部材３５を介して、ガス供給装置４とプラズマ生成室３１の内部とを接続する。これにより、ガス供給装置４は、バルブ機構２３を介して、閉鎖空間４０内に処理ガス（エッチングガス）を供給できる。 The valve mechanism 23 includes a valve for controlling supply of the processing gas supplied into the plasma generation chamber 31 . The valve mechanism 23 (see FIG. 1) is connected to the gas supply device 4 installed outside the first assembly 2a by a supply pipe 4a. Also, the valve mechanism 23 is connected via a pipe member (indicated by a dotted line) to an attachment 23a that is attached to and detached from a later-described distribution member 35 of the second assembly 2b. The valve mechanism 23 connects the gas supply device 4 and the inside of the plasma generation chamber 31 via the attachment 23 a and the distribution member 35 . Thereby, the gas supply device 4 can supply the processing gas (etching gas) into the closed space 40 via the valve mechanism 23 .

冷却機構２４は、基板処理に伴い発生した熱を放熱する機能を有する。冷却機構２４は、冷却ファンを内蔵し、上部チャンバ２の大気領域において加温された空気を、第１カバー２２の上面に形成された通気孔２２ｂから外部へ排出する。加熱機構２５は、トッププレート２１の下面側に設けられ、第２アセンブリ２ｂのプラズマ生成室３１を構成する部品（天板部３１ｂ、側壁部３１ａ）を加熱するように構成されたヒーターである。トッププレート２１の下面には、加熱機構２５が取り付けられた突出部２１ａが設けられている。突出部２１ａは、天板部３１ｂの上面と当接する。加熱機構２５は、突出部２１ａの下面側に設けられ、天板部３１ｂの上面に設けられた分配部材３５と当接し、天板部３１ｂに熱を伝達する。 The cooling mechanism 24 has a function of dissipating heat generated during substrate processing. The cooling mechanism 24 has a built-in cooling fan, and discharges the air heated in the atmospheric region of the upper chamber 2 to the outside through the ventilation holes 22b formed in the upper surface of the first cover 22 . The heating mechanism 25 is a heater provided on the lower surface side of the top plate 21 and configured to heat the components (the top plate portion 31b and the side wall portion 31a) that constitute the plasma generation chamber 31 of the second assembly 2b. A protrusion 21 a to which a heating mechanism 25 is attached is provided on the lower surface of the top plate 21 . The projecting portion 21a abuts on the upper surface of the top plate portion 31b. The heating mechanism 25 is provided on the lower surface side of the protruding portion 21a, contacts the distribution member 35 provided on the upper surface of the top plate portion 31b, and transfers heat to the top plate portion 31b.

図２に示したように、第１アセンブリ２ａは、第１カバー２２の外側から昇降機構３と連結されている。具体的には、昇降機構３は、上部チャンバ２の外部からトッププレート２１と連結されている。すなわち、図４に示すように、トッププレート２１の両側部（図４の上下両側）には、昇降機構３の取付ブラケット３ａと接続するための取付部２１ｃが１つずつ設けられている。取付部２１ｃにおいて、昇降機構３の取付ブラケット３ａ（図２参照）がボルトによって固定されている。なお、第１カバー２２には、取付ブラケット３ａを取付部２１ｃへ差し込むための切欠部２２ｃ（図２参照）が設けられている。 As shown in FIG. 2, the first assembly 2a is connected to the lifting mechanism 3 from the outside of the first cover 22. As shown in FIG. Specifically, the lifting mechanism 3 is connected to the top plate 21 from the outside of the upper chamber 2 . That is, as shown in FIG. 4, one mounting portion 21c for connecting with the mounting bracket 3a of the lifting mechanism 3 is provided on both sides of the top plate 21 (both upper and lower sides in FIG. 4). A mounting bracket 3a (see FIG. 2) of the lifting mechanism 3 is fixed to the mounting portion 21c with a bolt. The first cover 22 is provided with a notch 22c (see FIG. 2) for inserting the mounting bracket 3a into the mounting portion 21c.

また、トッププレート２１には、ロック機構８が設けられている。図４に示すように、ロック機構８は、トッププレート２１において、第１アセンブリ２ａの周方向に沿って略等角度で３箇所に設けられている。基板処理装置１００は、同一構成の３つのロック機構８を備えている。 A lock mechanism 8 is provided on the top plate 21 . As shown in FIG. 4, the lock mechanisms 8 are provided at three locations on the top plate 21 at substantially equal angles along the circumferential direction of the first assembly 2a. The substrate processing apparatus 100 includes three lock mechanisms 8 having the same configuration.

（第２アセンブリ）
図３に戻り、第２アセンブリ２ｂは、反応室１１と連結して閉鎖空間４０を構成するプラズマ生成室３１と、プラズマ生成室３１の外周を覆う筒状の第２カバー３２とを含む。また、第２アセンブリ２ｂには、第２カバー３２の外部（後方側）に、電気回路を収容する収容部９（図１参照）が設けられている、収容部９には、たとえば高周波電源５に接続された整合器が設けられている。整合器は、高周波電源５とコイル３３とのインピーダンス整合を行う。 (second assembly)
Returning to FIG. 3 , the second assembly 2 b includes a plasma generation chamber 31 connecting with the reaction chamber 11 to form a closed space 40 and a cylindrical second cover 32 covering the outer circumference of the plasma generation chamber 31 . Further, the second assembly 2b is provided with a housing portion 9 (see FIG. 1) for housing an electric circuit outside (rear side) of the second cover 32. The housing portion 9 includes, for example, a high frequency power source 5 A matcher is provided connected to the . The matching device performs impedance matching between the high frequency power supply 5 and the coil 33 .

第２アセンブリ２ｂは、第２カバー３２の内周側に、プラズマ生成室３１の内周面を構成する筒状の側壁部３１ａと、プラズマ生成室３１の天井面を構成する天板部３１ｂと、プラズマ生成室３１の周囲に設けられプラズマ生成室３１内の処理ガスをプラズマ化するための磁界を発生するコイル３３と、を含む。第２アセンブリ２ｂは、これらの部材を支持する円環状（中央に開口が形成された平板状）の支持板３４を含む。 The second assembly 2b includes, on the inner peripheral side of the second cover 32, a cylindrical side wall portion 31a forming the inner peripheral surface of the plasma generating chamber 31, and a top plate portion 31b forming the ceiling surface of the plasma generating chamber 31. , a coil 33 that is provided around the plasma generation chamber 31 and generates a magnetic field for turning the processing gas in the plasma generation chamber 31 into plasma. The second assembly 2b includes an annular (plate-like with an opening in the center) support plate 34 that supports these members.

側壁部３１ａは、誘電体（酸化アルミニウム）からなる円筒部材である。側壁部３１ａは、下端部が支持板３４によって支持されている。天板部３１ｂは、側壁部３１ａの上端に載置された円板部材である。天板部３１ｂと側壁部３１ａの上端面との境界は、シール部材３１ｃを介して密閉されている。天板部３１ｂの下面（プラズマ生成室３１の内面）には、ガス導出用の開口３１ｄが周方向に複数設けられ、天板部３１ｂの上面には、分配部材３５が設けられている。バルブ機構２３を介して供給される処理ガスは、分配部材３５と天板部３１ｂとに形成されたガス流路（図示せず）を通って、開口３１ｄからプラズマ生成室３１内へ導入される。 The side wall portion 31a is a cylindrical member made of a dielectric (aluminum oxide). The side wall portion 31a is supported by a support plate 34 at its lower end portion. The top plate portion 31b is a disk member placed on the upper end of the side wall portion 31a. A boundary between the top plate portion 31b and the upper end surface of the side wall portion 31a is sealed via a sealing member 31c. A plurality of gas lead-out openings 31d are provided in the circumferential direction on the bottom surface of the top plate portion 31b (the inner surface of the plasma generation chamber 31), and a distribution member 35 is provided on the top surface of the top plate portion 31b. The processing gas supplied through the valve mechanism 23 is introduced into the plasma generation chamber 31 through the opening 31d through a gas flow path (not shown) formed in the distribution member 35 and the top plate portion 31b. .

コイル３３は、側壁部３１ａの外周面に沿って螺旋状に巻き付けられている。支持板３４の上面には、複数本の絶縁性の柱状の保持部材(図示せず)が側壁部３１ａの全周に設けられており、この保持部材にコイル３３が固定されている。コイル３３は、図１に示したように、収容部９内の整合器（回路）を介して高周波電源５に接続されている。高周波電源５によってコイル３３に高周波電力を供給することにより、プラズマ生成室３１内に供給された処理ガスがプラズマ化される。 The coil 33 is spirally wound along the outer peripheral surface of the side wall portion 31a. A plurality of insulating columnar holding members (not shown) are provided on the upper surface of the support plate 34 along the entire circumference of the side wall portion 31a, and the coil 33 is fixed to these holding members. The coil 33 is connected to the high-frequency power supply 5 via a matching device (circuit) inside the housing portion 9, as shown in FIG. By supplying high-frequency power to the coil 33 from the high-frequency power supply 5, the processing gas supplied into the plasma generation chamber 31 is turned into plasma.

図３に示すように、第２カバー３２は、天板部３１ｂおよび側壁部３１ａの外周を取り囲む。第２カバー３２は、プラズマ生成室３１およびコイル３３からは離れて非接触となっている。第２カバー３２は、下端部にねじ穴（図示せず）が形成され、支持板３４の貫通孔（図示せず）に下面側から挿通されたボルト（図示せず）がねじ穴に螺合することによって、支持板３４の外周部に締結されている。 As shown in FIG. 3, the second cover 32 surrounds the top plate portion 31b and the side wall portion 31a. The second cover 32 is separated from the plasma generation chamber 31 and the coil 33 and is not in contact with them. The second cover 32 has a screw hole (not shown) formed in the lower end thereof, and a bolt (not shown) inserted from the lower surface through a through hole (not shown) of the support plate 34 is screwed into the screw hole. By doing so, it is fastened to the outer peripheral portion of the support plate 34 .

なお、上記したトッププレート２１の突出部２１ａは、第２カバー３２の内側で天板部３１ｂと当接する。第２カバー３２の上端面には、トッププレート２１の外周部の下面が設置されている。また、第２カバー３２は、第２カバー３２の内周面３２ａから内向きに突出するフランジ部３２ｂを有する。フランジ部３２ｂは、第２カバー３２の上端に形成され、トッププレート２１の下面に沿っている。 The projecting portion 21 a of the top plate 21 described above contacts the top plate portion 31 b inside the second cover 32 . The lower surface of the outer peripheral portion of the top plate 21 is installed on the upper end surface of the second cover 32 . The second cover 32 also has a flange portion 32b protruding inward from an inner peripheral surface 32a of the second cover 32 . The flange portion 32 b is formed at the upper end of the second cover 32 and extends along the lower surface of the top plate 21 .

このような構成の上部チャンバ２において、基板Ｗ（図１参照）の処理中に高温になる高温部は、主として、プラズマ生成室３１（側壁部３１ａおよび天板部３１ｂ）、コイル３３および加熱機構２５である。これらの高温部は、第２カバー３２によって周囲が囲まれており、作業者が意図せず接触することが防止されている。 In the upper chamber 2 having such a configuration, the high-temperature portions that become hot during the processing of the substrate W (see FIG. 1) are mainly the plasma generation chamber 31 (side wall portion 31a and top plate portion 31b), the coil 33, and the heating mechanism. 25. These high temperature areas are surrounded by a second cover 32 to prevent unintentional contact by the operator.

また、ロック機構８は、ユーザが操作可能な部分であって、基板処理装置１００が正常に機能するために重要な部分である、ロック機構８は、第１カバー２２および第２カバー３２の内側にあるため、作業者が意図せず接触することが防止されている。 The lock mechanism 8 is a part that can be operated by a user and is an important part for the substrate processing apparatus 100 to function normally. Therefore, unintentional contact by the operator is prevented.

（第３アセンブリ）
第３アセンブリ２ｃは、環状部材であり、内周部が径方向内側に突出することで、プラズマ生成室３１と反応室１１との接続箇所の開口径を絞っている。第３アセンブリ２ｃは、図示しないボルトによって、支持板３４に着脱可能に取り付けられている。また、第３アセンブリ２ｃの下面は、下部チャンバ１の上面（図１参照）に設置されている。本実施形態の構成では、この第３アセンブリ２ｃの下面が、上部チャンバ２の最下面となる。 (third assembly)
The third assembly 2 c is an annular member, and the inner peripheral portion protrudes radially inward, thereby narrowing the opening diameter of the connecting portion between the plasma generation chamber 31 and the reaction chamber 11 . The third assembly 2c is detachably attached to the support plate 34 with bolts (not shown). The bottom surface of the third assembly 2c is installed on the top surface of the lower chamber 1 (see FIG. 1). In the configuration of this embodiment, the bottom surface of the third assembly 2c is the bottom surface of the upper chamber 2. As shown in FIG.

（ロック機構）
３つ（図４参照）のロック機構８は、第１アセンブリ２ａの第１カバー２２よりも内周側（半径方向内側）の位置に設けられている。また、ロック機構８は、第２アセンブリ２ｂの第２カバー３２よりも内周側（半径方向内側）の位置に設けられている。図５に示すように、ロック機構８は、第１カバー２２の外周面および内周面よりも内側に配置され、第２カバー３２の外周面および内周面３２ａ（フランジ部３２ｂを除く）よりも内側に配置されている。なお、３つのロック機構８は同一構成を有する。 (lock mechanism)
The three lock mechanisms 8 (see FIG. 4) are provided at positions on the inner peripheral side (radial inner side) of the first cover 22 of the first assembly 2a. In addition, the lock mechanism 8 is provided at a position on the inner peripheral side (inward in the radial direction) of the second cover 32 of the second assembly 2b. As shown in FIG. 5, the locking mechanism 8 is arranged inside the outer and inner peripheral surfaces of the first cover 22, and is positioned closer to the outer and inner peripheral surfaces 32a (excluding the flange portion 32b) of the second cover 32. are also located inside. Note that the three lock mechanisms 8 have the same configuration.

各ロック機構８は、第１カバー２２内でトッププレート２１上に配置された切り替えレバー８ａ（図４参照）を含み、切り替えレバー８ａの位置に応じて、連結状態と解除状態とに切り替わるように構成されている。各ロック機構８は、トッププレート２１を上下に貫通する軸部８ｂと、軸部８ｂの下端に設けられた係合部８ｃと、第２カバー３２のフランジ部３２ｂを上下に貫通する差込口８ｄとを含む。 Each lock mechanism 8 includes a switching lever 8a (see FIG. 4) arranged on the top plate 21 within the first cover 22, and is switched between a connected state and a released state according to the position of the switching lever 8a. It is configured. Each lock mechanism 8 includes a shaft portion 8b vertically penetrating the top plate 21, an engaging portion 8c provided at the lower end of the shaft portion 8b, and an insertion opening vertically penetrating the flange portion 32b of the second cover 32. 8d.

軸部８ｂは、トッププレート２１の挿通孔２１ｂおよび差込口８ｄを通過している。軸部８ｂは、円筒状のスリーブ８ｅ内に挿入されており、中心軸Ａ１周りに回転可能に設けられている。軸部８ｂの上端は、トッププレート２１よりも上側に露出し、切り替えレバー８ａが回動可能に取り付けられている。切り替えレバー８ａは、軸部８ｂの中心軸Ａ１と直交する水平軸Ａ２周りに回動可能であり、トッププレート２１に沿う向きに倒した状態と、トッププレート２１から上方に立ち上がるように起こした状態と、に切り替えることができる。そして、切り替えレバー８ａを起こした状態で捻ることで、中心軸Ａ１周りに軸部８ｂを回転させることができる。切り替えレバー８ａを倒した状態では、切り替えレバー８ａおよび軸部８ｂは中心軸Ａ１周りに回転不能となり、中心軸Ａ１周りの回転位置を固定できる。 The shaft portion 8b passes through the insertion hole 21b of the top plate 21 and the insertion port 8d. The shaft portion 8b is inserted into a cylindrical sleeve 8e and is rotatable around the central axis A1. The upper end of the shaft portion 8b is exposed above the top plate 21, and the switching lever 8a is rotatably attached thereto. The switching lever 8a is rotatable about a horizontal axis A2 orthogonal to the central axis A1 of the shaft portion 8b, and is in a state of being laid down along the top plate 21 and a state of being raised upward from the top plate 21. and can be switched to By twisting the switching lever 8a in a raised state, the shaft portion 8b can be rotated around the central axis A1. When the switching lever 8a is tilted, the switching lever 8a and the shaft portion 8b cannot rotate about the central axis A1, and the rotational position about the central axis A1 can be fixed.

軸部８ｂの下端は、差込口８ｄを通ってフランジ部３２ｂの下方に突出する。そして、軸部８ｂのうち、フランジ部３２ｂの下方側に突出する位置に、係合部８ｃが固定されている。切り替えレバー８ａは、水平軸Ａ２周りの角度に連動して軸部８ｂを上下移動させるように構成されている。切り替えレバー８ａを倒した状態では、軸部８ｂおよび係合部８ｃが上方移動し、係合部８ｃがフランジ部３２ｂの下面に対して上方に押圧されることにより、切り替えレバー８ａの台座と係合部８ｃとの間でトッププレート２１とフランジ部３２ｂとが挟まれる結果、第１アセンブリ２ａと第２アセンブリ２ｂとが連結される。切り替えレバー８ａを起こした状態では、軸部８ｂおよび係合部８ｃが下方移動し、係合部８ｃがフランジ部３２ｂの下面から下方に離れることにより、軸部８ｂおよび係合部８ｃを中心軸Ａ１周りに自由に回転させることができる。 The lower end of the shaft portion 8b protrudes below the flange portion 32b through the insertion port 8d. The engaging portion 8c is fixed to a portion of the shaft portion 8b that protrudes downward from the flange portion 32b. The switching lever 8a is configured to vertically move the shaft portion 8b in conjunction with the angle around the horizontal axis A2. When the switching lever 8a is tilted, the shaft portion 8b and the engaging portion 8c move upward, and the engaging portion 8c is pressed upward against the lower surface of the flange portion 32b, thereby engaging with the pedestal of the switching lever 8a. As a result of sandwiching the top plate 21 and the flange portion 32b between the joining portion 8c, the first assembly 2a and the second assembly 2b are connected. When the switching lever 8a is raised, the shaft portion 8b and the engaging portion 8c are moved downward, and the engaging portion 8c is separated downward from the lower surface of the flange portion 32b. It can rotate freely around A1.

図６に示すように、第２カバー３２のフランジ部３２ｂには、３つのロック機構８のそれぞれの差込口８ｄが、周方向に沿って略等角度で３箇所設けられている。 As shown in FIG. 6, the flange portion 32b of the second cover 32 has three insertion openings 8d for each of the three lock mechanisms 8 along the circumferential direction at approximately equal angles.

図７（Ｂ）に示すように、フランジ部３２ｂの差込口８ｄは、縦横の長さが異なる長方形状を有する。そして、係合部８ｃも、差込口８ｄより一回り小さい長方形の外形形状を有する。係合部８ｃの長辺の長さは、差込口８ｄの短辺の長さよりも大きい。このため、切り替えレバー８ａをトッププレート２１の径方向内側を向く第１角度Ｐ１まで捻ると（図７（Ａ）の二点鎖線参照）、図７（Ｂ）に示すように、係合部８ｃの長辺方向が差込口８ｄの長辺方向に向くように軸部８ｂが回動し、係合部８ｃが差込口８ｄ内を通過可能となって、軸部８ｂを差込口８ｄに挿入したり、差込口８ｄから軸部８ｂを抜き取ったりできる。軸部８ｂを差込口８ｄに挿入した状態で、図７（Ｃ）に示すように、切り替えレバー８ａをトッププレート２１の周方向を向く第２角度Ｐ２まで捻ると（図７（Ａ）の実線参照）、係合部８ｃの長辺方向が差込口８ｄの短辺方向に向くように軸部８ｂが回動し、係合部８ｃが差込口８ｄの縁部に引っかかって通過不能となる。 As shown in FIG. 7B, the insertion opening 8d of the flange portion 32b has a rectangular shape with different lengths and widths. The engaging portion 8c also has a rectangular outer shape that is one size smaller than the insertion port 8d. The length of the long side of the engaging portion 8c is longer than the length of the short side of the insertion opening 8d. Therefore, when the switching lever 8a is twisted to the first angle P1 facing radially inward of the top plate 21 (see the two-dot chain line in FIG. 7A), as shown in FIG. The shaft portion 8b rotates so that the long side direction faces the long side direction of the insertion port 8d, the engaging portion 8c can pass through the insertion port 8d, and the shaft portion 8b moves toward the insertion port 8d. , and the shaft portion 8b can be pulled out from the insertion port 8d. With the shaft portion 8b inserted into the insertion port 8d, as shown in FIG. 7(C), when the switching lever 8a is twisted to the second angle P2 facing the circumferential direction of the top plate 21 (see FIG. 7(A) See the solid line), the shaft portion 8b rotates so that the long side direction of the engaging portion 8c faces the short side direction of the insertion port 8d, and the engaging portion 8c is caught by the edge of the insertion port 8d and cannot pass through. becomes.

ロック機構８を連結状態から解除状態に切り替える場合、まず、切り替えレバー８ａを倒した状態から起こした状態に切り替える。これにより、係合部８ｃがフランジ部３２ｂの下面から離れて回動可能となる。次に、起こした状態の切り替えレバー８ａを第２角度Ｐ２から第１角度Ｐ１まで捻る。これにより、係合部８ｃが差込口８ｄ内を通過可能となる。この切り替えレバー８ａを第１角度Ｐ１に向けた状態が、ロック機構８の解除状態である。解除状態では、切り替えレバー８ａを起こした状態でも、倒した状態でも、係合部８ｃがフランジ部３２ｂと係合しないので、どちらでもよい。 When switching the lock mechanism 8 from the connected state to the released state, first, the switching lever 8a is switched from the collapsed state to the raised state. As a result, the engaging portion 8c can be rotated away from the lower surface of the flange portion 32b. Next, the switching lever 8a in the raised state is twisted from the second angle P2 to the first angle P1. This allows the engaging portion 8c to pass through the insertion opening 8d. The state in which the switching lever 8a is oriented at the first angle P1 is the state in which the lock mechanism 8 is released. In the released state, the engaging portion 8c does not engage with the flange portion 32b whether the switching lever 8a is raised or lowered.

ロック機構８を解除状態から連結状態に切り替える場合、切り替えレバー８ａを起こした状態で、第１角度Ｐ１から第２角度Ｐ２まで捻る。これにより、係合部８ｃが差込口８ｄ内を通過不可能な向きとなる。次に、第２角度Ｐ２に向けた切り替えレバー８ａを、起こした状態から倒した状態に切り替える。これにより、係合部８ｃが上方移動して差込口８ｄの縁部に引っ掛かり、切り替えレバー８ａの台座と係合部８ｃとの間でトッププレート２１とフランジ部３２ｂとが挟まれる結果、連結状態となる。切り替えレバー８ａを第２角度Ｐ２に向けて、かつ、切り替えレバー８ａを倒した状態が、ロック機構８の連結状態である。 When switching the lock mechanism 8 from the released state to the connected state, the switch lever 8a is raised and twisted from the first angle P1 to the second angle P2. As a result, the engaging portion 8c is oriented such that it cannot pass through the insertion opening 8d. Next, the switching lever 8a toward the second angle P2 is switched from the raised state to the laid down state. As a result, the engaging portion 8c moves upward and is caught by the edge of the insertion port 8d, and as a result, the top plate 21 and the flange portion 32b are sandwiched between the pedestal of the switching lever 8a and the engaging portion 8c. state. The lock mechanism 8 is in a connected state when the switching lever 8a is directed toward the second angle P2 and the switching lever 8a is pushed down.

切り替え操作は、切り替えレバー８ａを倒した状態と起こした状態との切り替えと、図７（Ａ）に示した第１角度Ｐ１と第２角度Ｐ２との間で切り替えレバー８ａを概ね９０度（差込口８ｄの短辺方向から長辺方向まで）回動させる動作との組み合わせだけで、容易かつ速やかに行える。連結状態では、係合部８ｃがフランジ部３２ｂの下面に押圧されているので、切り替えレバー８ａ（軸部８ｂ）を起こさない限り回転不能となり連結状態が維持される。 The switching operation includes switching between the tilted state and the raised state of the switching lever 8a, and moving the switching lever 8a approximately 90 degrees (difference) between the first angle P1 and the second angle P2 shown in FIG. This can be easily and quickly performed only in combination with the operation of rotating the entrance 8d from the short side direction to the long side direction. In the connected state, since the engaging portion 8c is pressed against the lower surface of the flange portion 32b, rotation is disabled unless the switching lever 8a (shaft portion 8b) is raised, and the connected state is maintained.

このような構成により、切り替えレバー８ａがロック位置にあるとき、係合部８ｃが差込口８ｄの縁部に係合する位置に配置されることによりロック機構８が連結状態となる。切り替えレバー８ａが解除位置にあるとき、係合部８ｃが差込口８ｄの縁部とは係合しない位置に配置されることによりロック機構８が解除状態となる。ロック位置とは、切り替えレバー８ａを第２角度Ｐ２に向け、かつ、切り替えレバー８ａを倒した状態にしたときの、切り替えレバー８ａの位置である。解除位置とは、切り替えレバー８ａを第１角度Ｐ１に向けたときの、切り替えレバー８ａの位置である。 With such a configuration, when the switching lever 8a is in the lock position, the lock mechanism 8 is in the connected state by disposing the engaging portion 8c at a position where it engages with the edge of the insertion port 8d. When the switching lever 8a is at the release position, the locking mechanism 8 is released by disposing the engaging portion 8c at a position where it does not engage with the edge of the insertion port 8d. The lock position is the position of the switching lever 8a when the switching lever 8a is directed to the second angle P2 and the switching lever 8a is laid down. The release position is the position of the switching lever 8a when the switching lever 8a is directed to the first angle P1.

なお、図７（Ａ）に示したように、ロック機構８に対してトッププレート２１の周方向の片側に誤動作防止部品８ｆが設けられている。誤動作防止部品８ｆは、切り替えレバー８ａをＰ２方向に倒した後（ロック機構８を連結状態にした後）、切り替えレバー８ａの上面に係合することができるフック状の部品である。切り替えレバー８ａは、誤動作防止部品８ｆを切り替えレバー８ａの上面から退避させた位置へ移動させることで、ロック位置（倒した状態）から起こした状態に切り替えることができる。このため、誤動作防止部品８ｆは、切り替えレバー８ａを倒した状態から起こした状態へ意図せず切り替えることを防止する。 As shown in FIG. 7A, a malfunction prevention component 8f is provided on one side of the top plate 21 with respect to the lock mechanism 8 in the circumferential direction. The malfunction prevention component 8f is a hook-shaped component that can be engaged with the upper surface of the switching lever 8a after the switching lever 8a is pushed down in the direction P2 (after the lock mechanism 8 is brought into the connected state). The switching lever 8a can be switched from the locked position (the collapsed state) to the raised state by moving the malfunction prevention component 8f from the upper surface of the switching lever 8a to the retracted position. Therefore, the malfunction prevention component 8f prevents unintentional switching from the tilted state of the switching lever 8a to the raised state.

（基板処理装置の処理動作）
次に、本実施形態の基板処理装置１００による基板処理時の動作の概要について説明する。基板処理装置１００の動作は、図示しない制御装置によって制御される。基板処理装置１００の動作時は、ロック機構８は連結状態に維持される。 (Processing operation of substrate processing apparatus)
Next, an overview of the operation during substrate processing by the substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be described. Operations of the substrate processing apparatus 100 are controlled by a control device (not shown). During operation of the substrate processing apparatus 100, the lock mechanism 8 is maintained in the connected state.

図１に示すように、搬送装置２００により、基板載置部１２に基板Ｗが配置される。基板載置部１２が備える静電チャック（図示せず）により基板Ｗが載置面に吸着される。 As shown in FIG. 1 , the substrate W is placed on the substrate platform 12 by the transport device 200 . The substrate W is attracted to the mounting surface by an electrostatic chuck (not shown) included in the substrate mounting part 12 .

次に、閉鎖空間４０内に処理ガスを導入して、高周波電力を印加してプラズマを形成する。まず、ガス供給装置４から、バルブ機構２３を介して、プラズマ生成室３１内に処理ガスが供給されるとともに、高周波電源５からコイル３３に高周波電力が供給される。これにより、処理ガスが高周波電力により励起されてプラズマとなる。 Next, a processing gas is introduced into the closed space 40 and high-frequency power is applied to form plasma. First, a processing gas is supplied from the gas supply device 4 into the plasma generation chamber 31 through the valve mechanism 23 , and high-frequency power is supplied from the high-frequency power supply 5 to the coil 33 . As a result, the processing gas is excited by the high-frequency power and turned into plasma.

また、高周波電源７により基板載置部１２に高周波電力が印加される。これにより、基板載置部１２と閉鎖空間４０中のプラズマとの間で電位差（バイアス電位）が生じる。この結果、プラズマ中のイオンがバイアス電位によって基板Ｗに向けて衝突したり、プラズマ中のラジカルが基板Ｗの被エッチング種と化学反応したりすることで、基板Ｗがエッチングされる。 Further, high-frequency power is applied to the substrate mounting portion 12 by the high-frequency power supply 7 . Thereby, a potential difference (bias potential) is generated between the substrate platform 12 and the plasma in the closed space 40 . As a result, ions in the plasma collide with the substrate W due to the bias potential, and radicals in the plasma chemically react with species of the substrate W to be etched, thereby etching the substrate W.

次に、基板処理装置１００のメンテナンスの概要について説明する。 Next, an outline of maintenance of the substrate processing apparatus 100 will be described.

〈下部チャンバのメンテナンス〉
下部チャンバ１の内部のメンテナンスを行う場合には、図８に示すように、作業者が、３つのロック機構８を連結状態にしたままで、昇降機構３（図２参照）によって上部チャンバ２の全体を上昇させる。これにより、上部チャンバ２の全体が、下部チャンバ１から上方へ離れ、下部チャンバ１の上面が開放される。作業者は、反応室１１の内部に対するメンテナンスを容易に行える。作業後、昇降機構３によって上部チャンバ２を上昇位置から下降位置へ戻して、上部チャンバ２と下部チャンバ１とを結合する。 <Maintenance of lower chamber>
When performing maintenance on the inside of the lower chamber 1, as shown in FIG. 8, the operator moves the upper chamber 2 by the lifting mechanism 3 (see FIG. 2) while keeping the three lock mechanisms 8 connected. raise the whole. As a result, the entire upper chamber 2 is separated upward from the lower chamber 1, and the upper surface of the lower chamber 1 is opened. A worker can easily perform maintenance on the inside of the reaction chamber 11 . After the work, the upper chamber 2 is returned from the raised position to the lowered position by the lifting mechanism 3, and the upper chamber 2 and the lower chamber 1 are joined.

なお、上部チャンバ２に第３アセンブリ２ｃが設けられているため、第２アセンブリ２ｂの支持板３４と第３アセンブリ２ｃとを接続するボルトを装着した状態で、図８のように上部チャンバ２の全体を下部チャンバ１から分離できるだけでなく、支持板３４と第３アセンブリ２ｃとを接続するボルトを外すことで、第１アセンブリ２ａおよび第２アセンブリ２ｂを、第３アセンブリ２ｃおよび下部チャンバ１から分離することもできる。 Since the upper chamber 2 is provided with the third assembly 2c, the upper chamber 2 can be assembled as shown in FIG. Not only can the whole be separated from the lower chamber 1, but the first assembly 2a and the second assembly 2b can be separated from the third assembly 2c and the lower chamber 1 by removing the bolts connecting the support plate 34 and the third assembly 2c. You can also

〈第２アセンブリのメンテナンス〉
第２アセンブリ２ｂの内部のメンテナンスを行う場合には、作業者が、３つのロック機構８を連結状態から解除状態に切り替えてから、昇降機構３によって上部チャンバ２を上昇させる。 <Maintenance of the second assembly>
When performing maintenance inside the second assembly 2b, the operator switches the three lock mechanisms 8 from the connected state to the released state, and then lifts the upper chamber 2 by the lifting mechanism 3. FIG.

図９に示すように、作業者は、第１カバー２２の分離部２２ａ（図２参照）を外してトッププレート２１上の各ロック機構８（切り替えレバー８ａ）を露出させる。作業者は、各ロック機構８の誤動作防止部品８ｆを切り替えレバー８ａの上面から退避させた位置へ移動させた後、各ロック機構８の切り替えレバー８ａを把持して、切り替えレバー８ａをロック位置から解除位置へそれぞれ切り替える。この結果、各ロック機構８が解除状態に切り替わり、第１アセンブリ２ａと第２アセンブリ２ｂとが分離可能となる。 As shown in FIG. 9, the operator removes the separating portion 22a (see FIG. 2) of the first cover 22 to expose the lock mechanisms 8 (switching levers 8a) on the top plate 21. As shown in FIG. After moving the malfunction prevention part 8f of each lock mechanism 8 to a position retracted from the upper surface of the switching lever 8a, the operator grips the switching lever 8a of each locking mechanism 8 and moves the switching lever 8a from the lock position. Switch respectively to the release position. As a result, each lock mechanism 8 is switched to the unlocked state, and the first assembly 2a and the second assembly 2b can be separated.

作業者は、昇降機構３（図２参照）によって、第１アセンブリ２ａを上昇させる。この場合、第１アセンブリ２ａと第２アセンブリ２ｂとの連結が解除されているため、第１アセンブリ２ａだけが、第２アセンブリ２ｂから上方へ離れる。これにより、第２カバー３２の上面が開放されて、プラズマ生成室３１の天板部３１ｂが露出する。 The operator raises the first assembly 2a by the lifting mechanism 3 (see FIG. 2). In this case, since the connection between the first assembly 2a and the second assembly 2b is released, only the first assembly 2a moves upward from the second assembly 2b. As a result, the upper surface of the second cover 32 is opened, and the top plate portion 31b of the plasma generation chamber 31 is exposed.

作業者は、天板部３１ｂを側壁部３１ａから取り外して分離させる。これにより、プラズマ生成室３１（側壁部３１ａ）の内部が開放されるので、プラズマ生成室３１の内部に対するメンテナンスを容易に行える。作業後、作業者が、天板部３１ｂを側壁部３１ａの上端に取り付ける。作業者は、昇降機構３による昇降移動によらずに天板部３１ｂだけを側壁部３１ａの上端に直接取り付けることができる。 The operator removes and separates the top plate portion 31b from the side wall portion 31a. Since the inside of the plasma generation chamber 31 (side wall portion 31a) is thereby opened, maintenance of the inside of the plasma generation chamber 31 can be easily performed. After the work, the worker attaches the top plate portion 31b to the upper end of the side wall portion 31a. The operator can directly attach only the top plate portion 31b to the upper end of the side wall portion 31a without using the lifting mechanism 3 to move up and down.

その後、昇降機構３（図２参照）によって第１アセンブリ２ａを上昇位置から下降位置へ戻して、第１アセンブリ２ａを第２アセンブリ２ｂの上に設置する。この際、トッププレート２１の突出部２１ａが天板部３１ｂの上面を上から押圧する。これによって、天板部３１ｂと側壁部３１ａとのシール性が向上する。また、押圧により、アタッチメント２３ａと分配部材３５とのシールも確保される。 After that, the first assembly 2a is returned from the raised position to the lowered position by the lifting mechanism 3 (see FIG. 2), and the first assembly 2a is placed on the second assembly 2b. At this time, the projecting portion 21a of the top plate 21 presses the upper surface of the top plate portion 31b from above. This improves the sealing performance between the top plate portion 31b and the side wall portion 31a. Also, the pressure ensures a seal between the attachment 23a and the distribution member 35. As shown in FIG.

また、第１アセンブリ２ａを第２アセンブリ２ｂの上に設置することで、ロック機構８の軸部８ｂおよび係合部８ｃがフランジ部３２ｂの差込口８ｄの内部を通過して、係合部８ｃがフランジ部３２ｂの下面側に配置される。作業者は、各ロック機構８の切り替えレバー８ａを把持して、解除位置からロック位置へ切り替える。この結果、各ロック機構８が連結状態に切り替わり、第１アセンブリ２ａと第２アセンブリ２ｂとが互いに固定される。最後に、作業者は、第１カバー２２を閉じてメンテナンスを終了する。なお、ここでは、第１アセンブリ２ａにロック機構８の軸部８ｂおよび係合部８ｃが装着されている状態で第１アセンブリ２ａを上昇・下降させることを説明しているが、第１アセンブリ２ａを上昇させる前に一度第１アセンブリ２ａから軸部８ｂおよび係合部８ｃを取り外し、第１アセンブリ２ａを下降して、第１アセンブリ２ａを第２アセンブリ２ｂの上に設置した後で軸部８ｂおよび係合部８ｃを第１アセンブリ２ａから挿入してもよい。 Further, by placing the first assembly 2a on the second assembly 2b, the shaft portion 8b and the engaging portion 8c of the locking mechanism 8 pass through the insertion opening 8d of the flange portion 32b, and the engaging portion 8c is arranged on the lower surface side of the flange portion 32b. The operator grips the switching lever 8a of each lock mechanism 8 to switch from the unlocked position to the locked position. As a result, each locking mechanism 8 switches to the connected state, and the first assembly 2a and the second assembly 2b are fixed to each other. Finally, the operator closes the first cover 22 to complete the maintenance. Here, it is described that the first assembly 2a is raised and lowered while the shaft portion 8b and the engaging portion 8c of the lock mechanism 8 are attached to the first assembly 2a. , the first assembly 2a is lowered to place the first assembly 2a on the second assembly 2b, and then the shaft portion 8b and the engaging portion 8c may be inserted from the first assembly 2a.

〈第１アセンブリのメンテナンス〉
第１アセンブリ２ａの上面側は、昇降機構３により昇降させることなく、下降位置のまま第１カバー２２を開放して行える。上記と同様に連結状態で上部チャンバ２を上昇位置へ移動させるか、解除状態で第１アセンブリ２ａだけを上昇位置へ移動させてメンテナンス作業を行うこともできる。作業者は、作業後に第１カバー２２に分離部２２ａを取り付けてメンテナンスを終了する。 <Maintenance of the first assembly>
The upper surface side of the first assembly 2a is not moved up and down by the lifting mechanism 3, but can be carried out by opening the first cover 22 in the lowered position. Maintenance work can also be performed by moving the upper chamber 2 to the raised position in the connected state in the same manner as described above, or by moving only the first assembly 2a to the raised position in the disconnected state. After the work, the operator attaches the separating portion 22a to the first cover 22 and completes the maintenance.

（本実施形態の効果）
本実施形態では、以下のような効果を得ることができる。 (Effect of this embodiment)
The following effects can be obtained in this embodiment.

本実施形態の基板処理装置１００では、上記のように、上部チャンバ２を構成する第１アセンブリ２ａと第２アセンブリ２ｂとに、それぞれ第１カバー２２と第２カバー３２とを設け、ロック機構８を、第１アセンブリ２ａの第１カバー２２よりも内周側の位置に設けたので、第１カバー２２および第２カバー３２によって高温部を保護しつつ、ロック機構８の保護を、第１カバー２２によって実現することができる。このように、ロック機構８が第１カバー２２の外表面に露出せず、ロック機構８の保護カバー等を別途設ける必要がない。すなわち、図１０に示す比較例１のように、ロック機構Ｃ１１がカバーＣ１２の外周面に露出する構成の場合、このロック機構Ｃ１１への意図しない接触を防ぐために、二点鎖線で示すようなカバー部材Ｃ１３を別途設ける必要がある。そのため、カバー部材Ｃ１３の分だけ装置の外径寸法が大型化したり、装置構成が複雑化したりする。本実施形態では、第１カバー２２がロック機構８のカバーとしても機能するので、図１０に示した比較例と比べて、装置構成が複雑化することがなく、装置の外径寸法が大きくなることを抑制できる。 In the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment, as described above, the first assembly 22 and the second assembly 2b that constitute the upper chamber 2 are provided with the first cover 22 and the second cover 32, respectively, and the lock mechanism 8 is provided. is provided at a position on the inner peripheral side of the first cover 22 of the first assembly 2a, so that the first cover 22 and the second cover 32 protect the high-temperature portion while protecting the lock mechanism 8 from the first cover. 22. Thus, the lock mechanism 8 is not exposed on the outer surface of the first cover 22, and there is no need to separately provide a protective cover for the lock mechanism 8 or the like. That is, in the case where the lock mechanism C11 is exposed on the outer peripheral surface of the cover C12 as in Comparative Example 1 shown in FIG. It is necessary to separately provide the member C13. Therefore, the outer diameter of the device is increased by the cover member C13, and the configuration of the device is complicated. In the present embodiment, the first cover 22 also functions as a cover for the lock mechanism 8, so that the outer diameter of the device is increased without complicating the configuration of the device as compared with the comparative example shown in FIG. can be suppressed.

また、本実施形態では、上記の通り、第１カバー２２および第２カバー３２が別々に設けられ、かつ、第１アセンブリ２ａが、第１カバー２２の外側から昇降機構３と連結されるので、図１１に示す比較例２のように、上部チャンバＣ２１を昇降機構Ｃ２２ごと上部カバーＣ２３内に収容する構成と比べて、カバー（第１カバー２２、第２カバー３２）内に確保すべきスペースを小さくでき、第１カバー２２および第２カバー３２の寸法（容積）を抑制することができる。そして、メンテナンス時には、ロック機構８を操作することで、第１アセンブリ２ａと第２アセンブリ２ｂとを連結したり連結解除したりすることができる。この際にも、図１１の比較例２では、上部カバーＣ２３内に収容された昇降機構Ｃ２２などが上部カバーＣ２３内でのロック機構Ｃ２４の解除作業や連結作業の邪魔になり易いのに対して、本実施形態では第１カバー２２内に昇降機構３が配置されないので、昇降機構同士の隙間からロック機構８を操作せずに済むため、昇降機構３がロック機構８の操作の邪魔になることがない。これらにより、特に第１カバー２２内におけるロック機構８の操作性を改善することができる。これらの結果、本実施形態によれば、高温部やロック機構８への保護構造を確保した上で、装置の外径寸法を抑制可能で、かつ、ロック機構８の操作性を改善させることができる。 Further, in the present embodiment, as described above, the first cover 22 and the second cover 32 are provided separately, and the first assembly 2a is connected to the lifting mechanism 3 from the outside of the first cover 22. Compared to the configuration in which the upper chamber C21 is accommodated in the upper cover C23 together with the lifting mechanism C22 as in Comparative Example 2 shown in FIG. It is possible to reduce the size (capacity) of the first cover 22 and the second cover 32 . At the time of maintenance, by operating the lock mechanism 8, the first assembly 2a and the second assembly 2b can be connected or disconnected. In this case as well, in Comparative Example 2 of FIG. 11, the lifting mechanism C22 housed in the upper cover C23 tends to interfere with the unlocking work and connecting work of the lock mechanism C24 in the upper cover C23. Since the lifting mechanism 3 is not arranged inside the first cover 22 in the present embodiment, the locking mechanism 8 does not need to be operated through the gap between the lifting mechanisms. There is no These can improve the operability of the lock mechanism 8 especially inside the first cover 22 . As a result, according to the present embodiment, it is possible to reduce the outer diameter of the device and improve the operability of the lock mechanism 8 while ensuring a protective structure for the high temperature section and the lock mechanism 8. can.

また、本実施形態では、上記のように、第１アセンブリ２ａは、トッププレート２１にそれぞれ設けられた、バルブ機構２３、冷却機構２４および加熱機構２５を含み、第２アセンブリ２ｂは、第２カバー３２の内周側に、プラズマ生成室３１の内周面を構成する筒状の側壁部３１ａと、プラズマ生成室３１の天井面を構成する天板部３１ｂと、プラズマ生成室３１の周囲に設けられプラズマ生成室３１内の処理ガスをプラズマ化するための磁界を発生するコイル３３と、を含む。これにより、第１アセンブリ２ａを上昇させたときに、第１アセンブリ２ａに搭載された各機構（バルブ機構２３、冷却機構２４および加熱機構２５）をまとめて第２アセンブリ２ｂから分離させることができる。また、第１アセンブリ２ａを第２アセンブリ２ｂから分離させたときに、プラズマ生成室３１を構成する天板部３１ｂと側壁部３１ａとが、共に第２アセンブリ２ｂ側に残る。仮に天板部３１ｂが第１アセンブリ２ａに設けられている場合、昇降機構３による第１アセンブリ２ａと第２アセンブリ２ｂとの分離合体の際に、天板部３１ｂと側壁部３１ａとのシール（気密封止）をしなければならないため、昇降機構３による昇降動作に高い位置精度が要求される。これに対して、本実施形態では、天板部３１ｂを側壁部３１ａに取り付けた後で、第１アセンブリ２ａを第２アセンブリ２ｂに合体させることができる。このため、天板部３１ｂと側壁部３１ａとのシール（気密封止）を確保するための位置合わせのために、昇降機構３に過度に高い位置精度が要求されることがない。 Further, in the present embodiment, as described above, the first assembly 2a includes the valve mechanism 23, the cooling mechanism 24, and the heating mechanism 25, which are provided on the top plate 21, respectively, and the second assembly 2b includes the second cover. 32, a cylindrical side wall portion 31a constituting the inner circumferential surface of the plasma generating chamber 31, a top plate portion 31b constituting the ceiling surface of the plasma generating chamber 31, and provided around the plasma generating chamber 31 and a coil 33 for generating a magnetic field for plasmatizing the processing gas in the plasma generation chamber 31 . Thus, when the first assembly 2a is raised, the mechanisms (the valve mechanism 23, the cooling mechanism 24, and the heating mechanism 25) mounted on the first assembly 2a can be separated from the second assembly 2b. . Moreover, when the first assembly 2a is separated from the second assembly 2b, the top plate portion 31b and the side wall portion 31a that constitute the plasma generation chamber 31 remain on the second assembly 2b side. If the top plate portion 31b is provided in the first assembly 2a, when the first assembly 2a and the second assembly 2b are separated and combined by the lifting mechanism 3, the top plate portion 31b and the side wall portion 31a are sealed ( Therefore, high positional accuracy is required for the lifting operation by the lifting mechanism 3 . In contrast, in the present embodiment, the first assembly 2a can be combined with the second assembly 2b after the top plate portion 31b is attached to the side wall portion 31a. Therefore, the elevation mechanism 3 is not required to have an excessively high positional accuracy for alignment for ensuring sealing (airtight sealing) between the top plate portion 31b and the side wall portion 31a.

また、本実施形態では、上記のように、ロック機構８は、第１アセンブリ２ａおよび第２アセンブリ２ｂの両方が昇降機構３により下部チャンバ１から分離可能なように、第１アセンブリ２ａおよび第２アセンブリ２ｂを連結した連結状態と、第１アセンブリ２ａが昇降機構３により第２アセンブリ２ｂおよび下部チャンバ１から分離可能なように、第１アセンブリ２ａと第２アセンブリ２ｂとの連結を解除した解除状態と、に切り替わるように構成されている。これにより、ロック機構８を操作するだけで、連結状態と解除状態と、に切り替えることができる。 Also, in the present embodiment, as described above, the locking mechanism 8 is configured such that both the first assembly 2a and the second assembly 2b can be separated from the lower chamber 1 by the lifting mechanism 3. A connected state in which the assembly 2b is connected, and a released state in which the first assembly 2a and the second assembly 2b are disconnected so that the first assembly 2a can be separated from the second assembly 2b and the lower chamber 1 by the lifting mechanism 3. , and is configured to switch to . Thereby, it is possible to switch between the connected state and the released state simply by operating the lock mechanism 8 .

また、本実施形態では、上記のように、ロック機構８は、第１カバー２２内でトッププレート２１上に配置された切り替えレバー８ａを含み、切り替えレバー８ａの位置に応じて、連結状態と解除状態とに切り替わるように構成されている。これにより、ボルトなどによりロックを行う構成と異なり、切り替えレバー８ａの操作によって、極めて簡単にかつ速やかに、ロック機構８の状態を連結状態または解除状態に切り替えることができる。 Further, in the present embodiment, as described above, the lock mechanism 8 includes the switching lever 8a arranged on the top plate 21 within the first cover 22, and depending on the position of the switching lever 8a, the connection state and the release state are determined. It is configured to switch between states. As a result, the state of the lock mechanism 8 can be switched between the connected state and the released state very easily and quickly by operating the switching lever 8a, unlike a configuration in which locking is performed using a bolt or the like.

また、本実施形態では、上記のように、ロック機構８は、第２アセンブリ２ｂの第２カバー３２よりも内周側の位置に設けられ、第２カバー３２は、第２カバー３２の内周面３２ａから内向きに突出するフランジ部３２ｂを有し、ロック機構８は、トッププレート２１を上下に貫通する軸部８ｂと、軸部８ｂの下端に設けられた係合部８ｃと、第２カバー３２のフランジ部３２ｂを上下に貫通する差込口８ｄとを含み、切り替えレバー８ａがロック位置にあるとき、係合部８ｃが差込口８ｄの縁部に係合する位置に配置されることによりロック機構８が連結状態となり、切り替えレバー８ａが解除位置にあるとき、係合部８ｃが差込口８ｄの縁部とは係合しない位置に配置されることによりロック機構８が解除状態となる。これにより、軸部８ｂを差込口８ｄに挿通させて係合部８ｃと差込口８ｄの縁部との係合状態を変化させるだけのシンプルな構成で、ロック機構８を実現できる。また、ロック機構８を全体として上下方向に延びる細長の軸状構造にできるので、第１カバー２２および第２カバー３２の内周側にロック機構８を設けても、第１カバー２２および第２カバー３２の外径寸法が大きくなる事を効果的に抑制できる。 Further, in the present embodiment, as described above, the lock mechanism 8 is provided at a position on the inner peripheral side of the second cover 32 of the second assembly 2b, and the second cover 32 is positioned on the inner peripheral side of the second cover 32. The lock mechanism 8 has a flange portion 32b protruding inward from the surface 32a, and includes a shaft portion 8b vertically penetrating the top plate 21, an engaging portion 8c provided at the lower end of the shaft portion 8b, a second and an insertion port 8d that vertically penetrates the flange portion 32b of the cover 32. When the switching lever 8a is in the lock position, the engaging portion 8c is arranged at a position to engage with the edge of the insertion port 8d. As a result, the lock mechanism 8 is in the connected state, and when the switching lever 8a is in the unlocked position, the engaging portion 8c is arranged at a position where it does not engage with the edge portion of the insertion port 8d, whereby the lock mechanism 8 is in the unlocked state. becomes. As a result, the lock mechanism 8 can be realized with a simple configuration in which the shaft portion 8b is inserted into the insertion opening 8d to change the engagement state between the engaging portion 8c and the edge of the insertion opening 8d. In addition, since the locking mechanism 8 can have an elongated shaft-like structure extending in the vertical direction as a whole, even if the locking mechanism 8 is provided on the inner peripheral side of the first cover 22 and the second cover 32, the first cover 22 and the second cover 32 can be locked. An increase in the outer diameter of the cover 32 can be effectively suppressed.

また、本実施形態では、上記のように、昇降機構３は、上部チャンバ２の外部からトッププレート２１と連結されている。ここで、たとえば第１カバー２２を昇降機構３と連結する場合、重量を支持可能な剛性を第１カバー２２で確保する必要が生じ、剛性確保のために第１カバー２２が大型化し易い。これに対して、上記構成では、トッププレート２１が第１アセンブリ２ａの剛性を確保する部品として機能するので、第１カバー２２を小型、軽量に形成することができる。 Further, in the present embodiment, as described above, the lifting mechanism 3 is connected to the top plate 21 from the outside of the upper chamber 2 . Here, for example, when the first cover 22 is connected to the lifting mechanism 3, the first cover 22 needs to have sufficient rigidity to support the weight, and the first cover 22 tends to be large in order to ensure the rigidity. In contrast, in the above configuration, the top plate 21 functions as a component that ensures the rigidity of the first assembly 2a, so the first cover 22 can be made small and light.

［変形例］
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更（変形例）が含まれる。 [Modification]
It should be noted that the embodiments disclosed this time should be considered as examples and not restrictive in all respects. The scope of the present invention is indicated by the scope of the claims rather than the description of the above-described embodiments, and includes all modifications (modifications) within the meaning and scope equivalent to the scope of the claims.

たとえば、上記実施形態では、軸部８ｂに設けた係合部８ｃを差込口８ｄの縁部と係合させるタイプのロック機構８の例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、たとえばロック機構が第１アセンブリ２ａと第２アセンブリ２ｂとを連結する構造は、ボルト（締結手段）、ピン、キーまたはバックル（係合手段）、などであってもよい。また、ロック機構８は、切り替えレバー８ａを操作するタイプでなくてもよい。 For example, in the above-described embodiment, the lock mechanism 8 is of a type in which the engaging portion 8c provided on the shaft portion 8b is engaged with the edge portion of the insertion port 8d, but the present invention is not limited to this. In the present invention, for example, the structure for connecting the first assembly 2a and the second assembly 2b by the locking mechanism may be a bolt (fastening means), a pin, a key or a buckle (engaging means). Further, the lock mechanism 8 does not have to be of a type that operates the switching lever 8a.

また、上記実施形態では、昇降機構３がトッププレート２１と連結された例を示したが、本発明では、昇降機構３が第１カバー２２と連結されてもよい。 Also, in the above-described embodiment, an example in which the lifting mechanism 3 is connected to the top plate 21 is shown, but the lifting mechanism 3 may be connected to the first cover 22 in the present invention.

また、上記実施形態では、バルブ機構２３、冷却機構２４および加熱機構２５がトッププレート２１（第１アセンブリ２ａ）に設けられ、プラズマ生成室３１を構成する側壁部３１ａと天板部３１ｂとが第２アセンブリ２ｂに設けられる例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、たとえば天板部３１ｂを第１アセンブリ２ａ（トッププレート２１）側に設けて、第１アセンブリ２ａを第２アセンブリ２ｂから分離することで天板部３１ｂが側壁部３１ａから分離されるように構成してもよい。 Further, in the above embodiment, the valve mechanism 23, the cooling mechanism 24, and the heating mechanism 25 are provided on the top plate 21 (first assembly 2a), and the side wall portion 31a and the top plate portion 31b that constitute the plasma generation chamber 31 2 assembly 2b, but the present invention is not limited to this. In the present invention, for example, the top plate portion 31b is provided on the first assembly 2a (top plate 21) side, and the top plate portion 31b is separated from the side wall portion 31a by separating the first assembly 2a from the second assembly 2b. It may be configured as

また、上記実施形態では、上部チャンバ２に第３アセンブリ２ｃを設けた例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、第３アセンブリ２ｃを設けずに、第１アセンブリ２ａと第２アセンブリ２ｂとで上部チャンバ２を構成してもよい。 Further, in the above-described embodiment, an example in which the upper chamber 2 is provided with the third assembly 2c has been shown, but the present invention is not limited to this. In the present invention, the upper chamber 2 may be composed of the first assembly 2a and the second assembly 2b without providing the third assembly 2c.

また、上記実施形態（図６参照）では、第２カバー３２のフランジ部３２ｂが、第２カバー３２の全周にわたって環状に設けられた例を示した。この他、フランジ部３２ｂは、差込口８ｄの回りの部分のみに設けられていてもよい。この場合、第２カバー３２の内側の大気領域と第１カバー２２の内部との通気性を向上させることができるので、冷却機構２４による放熱を効果的に行える。 Moreover, in the above-described embodiment (see FIG. 6), the example in which the flange portion 32b of the second cover 32 is provided in an annular shape over the entire circumference of the second cover 32 is shown. Alternatively, the flange portion 32b may be provided only around the insertion port 8d. In this case, the air permeability between the atmospheric region inside the second cover 32 and the inside of the first cover 22 can be improved, so heat dissipation by the cooling mechanism 24 can be effectively performed.

また、上記実施形態では、冷却機構２４が空冷式の冷却機構である例を示したが、冷却機構２４は冷却水を用いた水冷式であってもよいし、冷却機構２４として空気による冷却と冷却水による冷却とを併用してもよい。 In the above-described embodiment, the cooling mechanism 24 is an air-cooled cooling mechanism. However, the cooling mechanism 24 may be a water-cooled type using cooling water. Cooling with cooling water may be used in combination.

また、上記実施形態では、ロック機構８が、第２アセンブリ２ｂの第２カバー３２よりも内周側の位置に設けられる例を示したが、これに限られない。たとえば、ロック機構が、第１アセンブリ２ａと第２アセンブリ２ｂとを連結するボルトであって、トッププレート２１に形成された挿通孔からボルトを挿入し、第２カバー３２に設けたねじ穴またはナットに対してボルトのねじ部を噛み合わせて締結してもよい。このとき、ナットは、第２カバー３２の外壁に横溝を形成して外側から第２カバー３２内に埋め込むようにして、ナットが第２カバー３２の内周面よりは外側の位置に、第２カバー３２の外部から露出する態様で設けられていてもよい。ナット方式でもナットは昇降時にむやみに触れることはない(触れたとしてもロックの操作側ではないのでロックが解除されることはない)が、上記実施形態の構成では、誤操作防止がより確実であり、ナット方式のようにロック解除時に溝に挿入していたナットが落下してしまうリスクがないため好ましい。 Further, in the above-described embodiment, an example in which the lock mechanism 8 is provided at a position on the inner peripheral side of the second cover 32 of the second assembly 2b has been described, but the present invention is not limited to this. For example, the locking mechanism is a bolt that connects the first assembly 2a and the second assembly 2b. You may fasten by engaging the screw part of a bolt with respect to. At this time, the nut forms a lateral groove in the outer wall of the second cover 32 and is embedded in the second cover 32 from the outside so that the nut is located outside the inner peripheral surface of the second cover 32 and is positioned outside the second cover 32 . It may be provided so as to be exposed from the outside of the cover 32 . Even with the nut method, the nut is not touched unnecessarily during lifting (even if it is touched, it is not on the operating side of the lock, so the lock will not be released). , unlike the nut method, there is no risk that the nut inserted in the groove will drop when the lock is released.

また、本発明の基板処理装置は、エッチング装置以外の基板処理装置であってもよく、たとえば成膜装置でもよい。 Also, the substrate processing apparatus of the present invention may be a substrate processing apparatus other than an etching apparatus, such as a film forming apparatus.

１：下部チャンバ、２：上部チャンバ、２ａ：第１アセンブリ、２ｂ：第２アセンブリ、３：昇降機構、８：ロック機構、８ａ：切り替えレバー、８ｂ：軸部、８ｃ：係合部、８ｄ：差込口、１１：反応室、２１：トッププレート、２２：第１カバー、２３：バルブ機構、２４：冷却機構、２５：加熱機構、３１：プラズマ生成室、３１ａ：側壁部、３１ｂ：天板部、３２：第２カバー、３２ｂ：フランジ部、３３：コイル、４０：閉鎖空間、１００：基板処理装置、Ｗ：基板 1: lower chamber, 2: upper chamber, 2a: first assembly, 2b: second assembly, 3: lifting mechanism, 8: locking mechanism, 8a: switching lever, 8b: shaft, 8c: engaging portion, 8d: Insert 11: Reaction Chamber 21: Top Plate 22: First Cover 23: Valve Mechanism 24: Cooling Mechanism 25: Heating Mechanism 31: Plasma Generation Chamber 31a: Side Wall Part 31b: Top Plate Part 32: Second cover 32b: Flange part 33: Coil 40: Closed space 100: Substrate processing apparatus W: Substrate

Claims

a lower chamber containing a reaction chamber for processing substrates;
an upper chamber covering the upper portion of the lower chamber;
a lifting mechanism for attaching and detaching the upper chamber from the lower chamber,
the upper chamber includes an upper first assembly, a second assembly disposed on the lower surface of the first assembly, and a locking mechanism that decoupleably connects the first assembly and the second assembly;
The first assembly includes a top plate, a first cover that openably covers the upper surface of the top plate, and a top plate portion that forms a ceiling surface of a plasma generation chamber that is connected to the reaction chamber to form a closed space. and is connected to the lifting mechanism from the outside of the first cover,
The second assembly includes a cylindrical side wall portion forming the inner peripheral surface of the plasma generation chamber, and a second cover covering the outer periphery of the plasma generation chamber,
The substrate processing apparatus, wherein the lock mechanism is provided at a position on the inner peripheral side of the first cover of the first assembly.

the first assembly includes a valve mechanism, a cooling mechanism and a heating mechanism respectively provided on the top plate;
2. The method according to claim 1, wherein said second assembly includes a coil provided around said plasma generation chamber on an inner peripheral side of said second cover and generating a magnetic field for converting a processing gas in said plasma generation chamber into plasma. A substrate processing apparatus as described.

3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said elevating mechanism supports said upper chamber from the side and is configured to be able to move said upper chamber at least vertically by a vertical axis.

The lock mechanism is provided at a position on the inner peripheral side of the second cover of the second assembly,
The second cover has a flange portion protruding inward from an inner peripheral surface of the second cover,
The locking mechanism includes a shaft vertically penetrating the top plate, an engaging portion provided at the lower end of the shaft, and an insertion opening vertically penetrating the flange portion of the second cover. ,
The lock mechanism has a connection state in which the first assembly and the second assembly are connected, and a connection state in which the first assembly and the second assembly are connected, depending on the orientation of the engaging portion around the shaft portion that has passed through the insertion port. 4. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the substrate processing apparatus is configured to be switched between a released state in which connection with the second assembly is released.