JP7219097B2 - Abrasive composition for magnetic disk substrate - Google Patents

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本発明は、半導体、ハードディスクといった磁気記録媒体などの電子部品の研磨に使用される研磨剤組成物に関する。特に、ガラス磁気ディスク基板やアルミニウム磁気ディスク基板などの磁気記録媒体用基板の表面研磨に使用される研磨剤組成物に関する。さらには、アルミニウム合金製の基板表面に無電解ニッケル-リンめっき皮膜を形成した磁気記録媒体用アルミニウム磁気ディスク基板の表面研磨に使用される研磨剤組成物に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to an abrasive composition used for polishing electronic parts such as magnetic recording media such as semiconductors and hard disks. In particular, it relates to an abrasive composition used for polishing the surface of magnetic recording medium substrates such as glass magnetic disk substrates and aluminum magnetic disk substrates. Further, the present invention relates to an abrasive composition used for polishing the surface of an aluminum magnetic disk substrate for a magnetic recording medium having an electroless nickel-phosphorus plating film formed on the surface of an aluminum alloy substrate.

従来、アルミニウム磁気ディスク基板の無電解ニッケル-リンめっき皮膜表面を研磨するための研磨剤組成物として、磁気記録密度向上のため、種々の研磨特性向上が求められている。例えば、スクラッチについては、スクラッチ部分が書き込みや読み込みのエラー原因となったり、スクラッチの周りに生じたバリの部分で、ヘッドの衝突等の原因となったりすることもある。 Conventionally, various improvements in polishing properties have been demanded for polishing compositions for polishing the surfaces of electroless nickel-phosphorus plating films on aluminum magnetic disk substrates in order to improve the magnetic recording density. For example, with regard to scratches, the scratched portion may cause writing or reading errors, and burrs formed around the scratch may cause head collision.

そこで、スクラッチ低減の観点から、研磨剤組成物の機械研磨を担う砥粒部分として、コロイダルシリカがアルミニウム磁気ディスク基板の研磨に使用されるようになってきている。その際、工業的な研磨においては、研磨剤組成物の機械研磨を担う砥粒部分と、化学研磨を担う薬剤部分とが、実際の研磨の直前に混合して使用されることが多い。 Therefore, from the viewpoint of reducing scratches, colloidal silica has come to be used for polishing aluminum magnetic disk substrates as the abrasive grain portion responsible for mechanical polishing of the abrasive composition. At that time, in industrial polishing, the abrasive grain portion responsible for mechanical polishing and the drug portion responsible for chemical polishing of the polishing composition are often mixed and used immediately before the actual polishing.

しかし、砥粒部分としてのコロイダルシリカと薬剤成分が混合されると、コロイダルシリカは凝集傾向になる。この対策として、粗大粒子や凝集粒子の除去、研磨剤の腐食性の調整(特許文献1)、粒子の形状の調整(特許文献2)、凝集粒子の含有量の調整(特許文献3)などの提案がなされている。 However, when the colloidal silica as the abrasive grain portion and the drug component are mixed, the colloidal silica tends to agglomerate. As countermeasures, removal of coarse particles and aggregated particles, adjustment of abrasive corrosiveness (Patent Document 1), adjustment of particle shape (Patent Document 2), adjustment of content of aggregated particles (Patent Document 3), etc. A proposal is made.

特開2009-120850号公報JP 2009-120850 A 特開2009-172709号公報JP 2009-172709 A 特開2010-170650号公報JP 2010-170650 A

さらに磁気記録密度向上の観点から、スクラッチ低減だけでなく、新たにハレーション低減とうねり低減も求められている。ここでいうハレーションとは、後述の実施例に記載の基板全表面欠陥検査機((株)日立ハイテクファインシステムズ社製NS2000H)で特定の検査条件において、基板表面に微細な欠陥として検出することができ、ハレーションカウントとして定量評価できる。 Furthermore, from the viewpoint of improving the magnetic recording density, not only the reduction of scratches but also the reduction of halation and undulation are required. The term "halation" as used herein means that fine defects can be detected on the substrate surface under specific inspection conditions with a substrate full surface defect inspection machine (NS2000H manufactured by Hitachi High-Tech Fine Systems Co., Ltd.) described in Examples below. can be quantitatively evaluated as a halation count.

ハレーションとは、基板表面のなんらかの微細な不均一性が基板の広い範囲に存在することに起因する現象と考えられており、その原因としては、研磨パッド、キャリア、基板、研磨剤組成物それぞれの持つ特性の不調和が考えられている。最近、ハレーションの存在が磁気記録密度向上の阻害要因として新たに問題となってきており、ハレーション低減が求められている。 Halation is considered to be a phenomenon resulting from the existence of some kind of fine non-uniformity on the substrate surface over a wide area of the substrate. A disharmony of the characteristics possessed is considered. Recently, the presence of halation has become a new problem as an obstacle to improving the magnetic recording density, and there is a demand for reducing halation.

一方、従来、基板表面のうねり低減が磁気記録密度向上の観点から求められている。うねりの中でも長波長うねり(波長:500μm~5mm)と中波長うねり(波長:100~500μm)を低減することは、従来、磁気記録密度向上の観点から解決すべき課題として検討されてきた。最近の技術進歩に伴い、短波長うねり(波長:20~100μm)の低減も磁気記録密度向上の観点から解決すべき課題となってきている。 On the other hand, conventionally, reduction of waviness on the substrate surface has been demanded from the viewpoint of improving the magnetic recording density. Among the undulations, reduction of long-wavelength undulation (wavelength: 500 μm to 5 mm) and medium-wavelength undulation (wavelength: 100 to 500 μm) has conventionally been studied as a problem to be solved from the viewpoint of improving magnetic recording density. Along with recent technological progress, reduction of short-wavelength waviness (wavelength: 20 to 100 μm) has also become a problem to be solved from the viewpoint of improving magnetic recording density.

本発明の課題は、生産性を低下させることなく、研磨後の基板の短波長うねり低減のみならず、ハレーション低減も達成するための磁気ディスク基板用研磨剤組成物を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an abrasive composition for magnetic disk substrates that achieves not only reduction in short-wavelength waviness of polished substrates but also reduction in halation without lowering productivity.

上記課題を解決するため、鋭意検討した結果、以下の磁気ディスク基板用研磨剤組成物を用いることにより、生産性を低下させることなく、短波長うねり低減とハレーション低減を実現し、本発明に到達した。 In order to solve the above problems, as a result of intensive studies, the present invention was achieved by using the following abrasive composition for magnetic disk substrates to reduce short-wavelength waviness and halation without lowering productivity. bottom.

[1] コロイダルシリカと、水溶性高分子化合物と、水を含有する研磨剤組成物であり、前記水溶性高分子化合物が、少なくともカルボン酸基を有する単量体およびスルホン酸基を有する単量体を必須単量体とする共重合体であり、前記水溶性高分子化合物のカルボン酸基を有する単量体に由来する構成単位とスルホン酸基を有する単量体に由来する構成単位の量比が、mol比で91010:9の範囲であり、前記水溶性高分子化合物の重量平均分子量が1,000~1,000,000である無電解ニッケル-リンめっきされたアルミニウム磁気ディスク基板の仕上げ研磨に用いられる磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 [1] A polishing composition containing colloidal silica, a water-soluble polymer compound, and water, wherein the water-soluble polymer compound comprises at least a monomer having a carboxylic acid group and a monomer having a sulfonic acid group. is a copolymer containing a sulfonic acid group as an essential monomer, and the amount of structural units derived from a monomer having a carboxylic acid group and a monomer having a sulfonic acid group in the water-soluble polymer compound electroless nickel-phosphorus plating , wherein the molar ratio is in the range of 90:10 to 10:90 , and the water - soluble polymer compound has a weight average molecular weight of 1,000 to 1,000,000 An abrasive composition for magnetic disk substrates , which is used for final polishing of aluminum magnetic disk substrates .

[2] 前記コロイダルシリカの平均粒子径(D50)が1~100nmであり、組成物中の濃度が1~50質量%である前記[1]に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 [2] The abrasive composition for magnetic disk substrates according to [1] above, wherein the colloidal silica has an average particle size (D50) of 1 to 100 nm and a concentration in the composition of 1 to 50% by mass.

[3] 前記水溶性高分子化合物の重量平均分子量が5,000~600,000である前記[1]または[2]に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 [3] The abrasive composition for magnetic disk substrates according to [1] or [2], wherein the water-soluble polymer compound has a weight average molecular weight of 5,000 to 600,000.

[4] 前記研磨剤組成物が、さらに界面活性剤を含有し、前記界面活性剤がスルホン酸基および/またはスルホン酸塩基を有し、さらに繰り返し単位の主鎖中に芳香族基を有する陰イオン界面活性剤である前記[1]~[3]のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 [4] The abrasive composition further contains a surfactant, the surfactant has a sulfonic acid group and/or a sulfonic acid group, and a shadow having an aromatic group in the main chain of the repeating unit. The abrasive composition for magnetic disk substrates according to any one of [1] to [3], which is an ionic surfactant.

[5] 前記スルホン酸基および/またはスルホン酸塩基を有し、さらに繰り返し単位の主鎖中に芳香族基を有する前記陰イオン界面活性剤は、ナフタレンスルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物およびそれらの塩から選ばれる少なくとも一種である前記[4]に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 [5] The anionic surfactant having a sulfonic acid group and/or a sulfonic acid group and further having an aromatic group in the main chain of the repeating unit is a naphthalenesulfonic acid-based compound, a ligninsulfonic acid-based compound, The abrasive composition for magnetic disk substrates according to [4] above, which is at least one selected from aromatic aminosulfonic acid compounds and salts thereof.

[6] 前記ナフタレンスルホン酸系化合物である前記陰イオン界面活性剤は、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物およびメチルナフタレンスルホン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種である前記[5]に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 [6] The magnetic disk substrate according to [5], wherein the anionic surfactant, which is the naphthalenesulfonic acid compound, is at least one selected from the group consisting of naphthalenesulfonic acid-formaldehyde condensates and methylnaphthalenesulfonic acid. Abrasive composition for

[7] 前記カルボン酸基を有する単量体が、アクリル酸またはその塩、メタクリル酸またはその塩から選ばれる単量体である前記[1]~[6]のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 [7] The magnetic disk substrate according to any one of [1] to [6], wherein the monomer having a carboxylic acid group is a monomer selected from acrylic acid or its salts and methacrylic acid or its salts. Abrasive composition for

[8] 前記スルホン酸基を有する単量体が、イソプレンスルホン酸、2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、2-メタクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、イソアミレンスルホン酸、およびこれらの塩から選ばれる単量体である前記[1]~[7]のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 [8] The monomer having a sulfonic acid group is isoprenesulfonic acid, 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, 2-methacrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, styrenesulfonic acid, vinylsulfonic acid, allyl The abrasive composition for magnetic disk substrates according to any one of [1] to [7], wherein the monomer is selected from sulfonic acid, isoamylenesulfonic acid and salts thereof.

[9] 前記水溶性高分子化合物である少なくともカルボン酸基を有する単量体およびスルホン酸基を有する単量体を必須単量体とする前記共重合体が、カルボン酸基を有する単量体とスルホン酸基を有する単量体およびアミド基を有する単量体を必須単量体とする共重合体である前記[1]~[8]のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 [9] The copolymer containing at least a monomer having a carboxylic acid group and a monomer having a sulfonic acid group as essential monomers, which is the water-soluble polymer compound, is a monomer having a carboxylic acid group. and a monomer having a sulfonic acid group and a monomer having an amide group as essential monomers. thing.

[10] 前記アミド基を有する単量体がアクリルアミド、メタクリルアミド、N-アルキルアクリルアミド、N-アルキルメタクリルアミドから選ばれる単量体である前記[9]に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 [10] The abrasive composition for magnetic disk substrates according to [9] above, wherein the monomer having an amide group is a monomer selected from acrylamide, methacrylamide, N-alkylacrylamide and N-alkylmethacrylamide. .

[11] 前記研磨剤組成物が酸および/またはその塩をさらに含有し、pH値(25℃)が0.1~4.0の範囲にある前記[1]~[10]のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 [11] Any one of the above [1] to [10], wherein the abrasive composition further contains an acid and/or a salt thereof and has a pH value (25° C.) in the range of 0.1 to 4.0 The abrasive composition for magnetic disk substrates described above.

[12] 前記研磨剤組成物が酸化剤をさらに含有している前記[1]~[11]のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 [12] The abrasive composition for magnetic disk substrates according to any one of [1] to [11], which further contains an oxidizing agent.

本発明の磁気ディスク基板用研磨剤組成物は、研磨速度を維持しながら、研磨後の短波長うねり低減とハレーション低減を可能にする。 The abrasive composition for magnetic disk substrates of the present invention can reduce short-wavelength waviness and halation after polishing while maintaining the polishing rate.

以下、本発明の実施の形態について説明する。本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲を逸脱しない範囲において、変更、修正、改良を加え得るものである。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below. The present invention is not limited to the following embodiments, and can be changed, modified, and improved without departing from the scope of the invention.

1.研磨剤組成物
本発明の磁気ディスク基板用研磨剤組成物は、コロイダルシリカと、水溶性高分子化合物と、水を含有する研磨剤組成物であり、任意成分として界面活性剤、酸および/またはその塩、酸化剤を含有するものである。
1. Abrasive Composition The abrasive composition for a magnetic disk substrate of the present invention is a polishing composition containing colloidal silica, a water-soluble polymer compound, and water, optionally comprising a surfactant, an acid and/or It contains its salt and oxidizing agent.

1-1.コロイダルシリカ
本発明で使用されるコロイダルシリカは、平均粒子径(D50)が1~100nmであることが好ましい。より好ましくは、2~80nmである。コロイダルシリカは、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム等のケイ酸アルカリ金属塩を原料とし、当該原料を水溶液中で縮合反応させて粒子を成長させる水ガラス法で得られる。またはテトラエトキシシラン等のアルコキシシランを原料とし、当該原料をアルコール等の水溶性有機溶媒を含有する水中で、酸またはアルカリでの加水分解による縮合反応によって粒子を成長させるアルコキシシラン法でも得られる。
1-1. Colloidal Silica The colloidal silica used in the present invention preferably has an average particle size (D50) of 1 to 100 nm. More preferably, it is 2 to 80 nm. Colloidal silica is obtained by a water glass method in which alkali metal silicates such as sodium silicate and potassium silicate are used as raw materials, and the raw materials are subjected to a condensation reaction in an aqueous solution to grow particles. Alternatively, alkoxysilane such as tetraethoxysilane is used as a raw material, and the raw material is hydrolyzed with acid or alkali in water containing a water-soluble organic solvent such as alcohol to cause particles to grow through a condensation reaction.

コロイダルシリカは球状、鎖状、金平糖型、異形型などの形状が知られており、水中に一次粒子が単分散してコロイド状をなしている。本発明で使用されるコロイダルシリカとしては、球状または球状に近いコロイダルシリカが好ましい。研磨剤組成物中のコロイダルシリカの濃度は、1~50質量%であることが好ましい。より好ましくは、2~40質量%である。 Colloidal silica is known to have shapes such as spheres, chains, confetti, and irregular shapes, and primary particles are monodispersed in water to form a colloid. The colloidal silica used in the present invention is preferably spherical or nearly spherical colloidal silica. The concentration of colloidal silica in the polishing composition is preferably 1 to 50% by mass. More preferably, it is 2 to 40% by mass.

1-2.水溶性高分子化合物
本発明で使用される水溶性高分子化合物は、少なくともカルボン酸基を有する単量体およびスルホン酸基を有する単量体を必須単量体とする共重合体である。カルボン酸基を有する単量体に由来する構成単位とスルホン酸基を有する単量体に由来する構成単位の量比が、mol比で95:5~5:95の範囲である。また、水溶性高分子化合物は、重量平均分子量が1,000~1,000,000である。以下、詳しく説明する。
1-2. Water-Soluble Polymer Compound The water-soluble polymer compound used in the present invention is a copolymer containing at least a monomer having a carboxylic acid group and a monomer having a sulfonic acid group as essential monomers. The molar ratio of the structural unit derived from the monomer having a carboxylic acid group to the structural unit derived from the monomer having a sulfonic acid group is in the range of 95:5 to 5:95. Further, the water-soluble polymer compound has a weight average molecular weight of 1,000 to 1,000,000. A detailed description will be given below.

1-2-1.カルボン酸基を有する単量体
カルボン酸基を有する単量体としては、不飽和脂肪族カルボン酸およびその塩が好ましく用いられる。具体的には、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、イタコン酸およびこれらの塩が挙げられる。塩としては、ナトリウム塩、カリウム塩、マグネシウム塩、アンモニウム塩、アミン塩、アルキルアンモニウム塩などが挙げられる。
1-2-1. Carboxylic acid group-containing monomer As the carboxylic acid group-containing monomer, unsaturated aliphatic carboxylic acids and salts thereof are preferably used. Specific examples include acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, itaconic acid and salts thereof. Salts include sodium salts, potassium salts, magnesium salts, ammonium salts, amine salts, alkylammonium salts and the like.

水溶性高分子化合物中で、カルボン酸基を有する単量体が、酸の状態で存在する割合が多いか、塩の状態で存在する割合が多いかについては、水溶性高分子化合物のpH値で評価できる。酸として存在する割合が多ければpH値は低くなるし、塩として存在する割合が多ければpH値は高くなる。本発明においては、例えば、濃度10質量%の水溶性高分子化合物水溶液におけるpH値(25℃)が1~13の範囲の水溶性高分子化合物を用いることができる。 The pH value of the water-soluble polymer compound determines whether the proportion of the monomer having a carboxylic acid group in the water-soluble polymer compound is high in the acid state or in the salt state. can be evaluated with The greater the proportion present as an acid, the lower the pH value, and the greater the proportion present as a salt, the higher the pH value. In the present invention, for example, a water-soluble polymer compound having a pH value (25° C.) in the range of 1 to 13 in a water-soluble polymer compound aqueous solution having a concentration of 10% by mass can be used.

1-2-2.スルホン酸基を有する単量体
スルホン酸基を有する単量体の具体例としては、イソプレンスルホン酸、2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、2-メタクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、イソアミレンスルホン酸およびこれらの塩などが挙げられる。好ましくは、2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、2-メタクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸およびこれらの塩などが挙げられる。
1-2-2. Monomers Having a Sulfonic Acid Group Specific examples of monomers having a sulfonic acid group include isoprenesulfonic acid, 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, 2-methacrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, and styrene. sulfonic acid, vinylsulfonic acid, allylsulfonic acid, isoamylenesulfonic acid and salts thereof; Preferred are 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, 2-methacrylamido-2-methylpropanesulfonic acid and salts thereof.

1-2-3.その他の単量体
本発明で使用される水溶性高分子化合物は、カルボン酸基を有する単量体およびスルホン酸基を有する単量体が必須単量体であるが、これら以外の単量体も使用することができる。例えば、アミド基を有する単量体も使用することができる。すなわち、本発明で使用される水溶性高分子化合物は、カルボン酸基を有する単量体とスルホン酸基を有する単量体およびアミド基を有する単量体を必須単量体とする共重合体であることも好ましい。アミド基を有する単量体としては、具体的には、アクリルアミド、メタクリルアミド、N-アルキルアクリルアミド、N-アルキルメタクリルアミドなどを使用することができる。
1-2-3. Other monomers In the water-soluble polymer compound used in the present invention, a monomer having a carboxylic acid group and a monomer having a sulfonic acid group are essential monomers, but monomers other than these can also be used. For example, monomers with amide groups can also be used. That is, the water-soluble polymer compound used in the present invention is a copolymer comprising, as essential monomers, a monomer having a carboxylic acid group, a monomer having a sulfonic acid group, and a monomer having an amide group. It is also preferable that As a monomer having an amide group, specifically, acrylamide, methacrylamide, N-alkylacrylamide, N-alkylmethacrylamide and the like can be used.

N-アルキルアクリルアミド、N-アルキルメタクリルアミドの具体例としては、N-メチルアクリルアミド、N-エチルアクリルアミド、N-n-プロピルアクリルアミド、N-iso-プロピルアクリルアミド、N-n-ブチルアクリルアミド、N-iso-ブチルアクリルアミド、N-sec-ブチルアクリルアミド、N-tert-ブチルアクリルアミド、N-メチルメタクリルアミド、N-エチルメタクリルアミド、N-n-プロピルメタクリルアミド、N-iso-プロピルメタクリルアミド、N-n-ブチルメタクリルアミド、N-iso-ブチルメタクリルアミド、N-sec-ブチルメタクリルアミド、N-tert-ブチルメタクリルアミドなどが挙げられる。 Specific examples of N-alkylacrylamide and N-alkylmethacrylamide include N-methylacrylamide, N-ethylacrylamide, Nn-propylacrylamide, N-iso-propylacrylamide, Nn-butylacrylamide, N-iso -butylacrylamide, N-sec-butylacrylamide, N-tert-butylacrylamide, N-methylmethacrylamide, N-ethylmethacrylamide, Nn-propylmethacrylamide, N-iso-propylmethacrylamide, Nn- Butyl methacrylamide, N-iso-butyl methacrylamide, N-sec-butyl methacrylamide, N-tert-butyl methacrylamide and the like.

1-2-4.共重合体
本発明で使用される水溶性高分子化合物は、カルボン酸基を有する単量体およびスルホン酸基を有する単量体を必須単量体とする共重合体であり、水溶性高分子化合物のカルボン酸基を有する単量体に由来する構成単位とスルホン酸基を有する単量体に由来する構成単位の量比が、mol比で95:5~5:95の範囲である。すなわち、共重合体中の、カルボン酸基を有する単量体に由来する構成単位の割合は、5~95mol%であり、好ましくは8~92mol%であり、さらに好ましくは10~90mol%である。スルホン酸基を有する単量体に由来する構成単位の割合は、5~95mol%であり、好ましくは8~92mol%であり、さらに好ましくは10~90mol%である。
1-2-4. Copolymer The water-soluble polymer compound used in the present invention is a copolymer having, as essential monomers, a monomer having a carboxylic acid group and a monomer having a sulfonic acid group. The molar ratio of the structural units derived from the monomer having a carboxylic acid group and the structural units derived from the monomer having a sulfonic acid group in the compound is in the range of 95:5 to 5:95. That is, the proportion of structural units derived from a monomer having a carboxylic acid group in the copolymer is 5 to 95 mol%, preferably 8 to 92 mol%, more preferably 10 to 90 mol%. . The ratio of structural units derived from monomers having sulfonic acid groups is 5 to 95 mol%, preferably 8 to 92 mol%, more preferably 10 to 90 mol%.

1-2-5.水溶性高分子化合物の製造方法
水溶性高分子化合物の製造方法は特に制限されないが、水溶液重合法が好ましい。水溶液重合法によれば、均一な溶液として水溶性高分子化合物を得ることができる。上記水溶液重合の重合溶媒としては、水性溶媒であることが好ましく、特に好ましくは水である。
また、上記単量体成分の溶媒への溶解性を向上させるために、各単量体の重合に悪影響を及ぼさない範囲で有機溶媒を適宜加えても良い。上記有機溶媒としては、イソプロピルアルコール等のアルコール類、アセトン等のケトン類が挙げられる。これらは、1種単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
1-2-5. Method for Producing Water-Soluble Polymer Compound The method for producing the water-soluble polymer compound is not particularly limited, but an aqueous solution polymerization method is preferred. According to the aqueous solution polymerization method, a water-soluble polymer compound can be obtained as a uniform solution. The polymerization solvent for the aqueous solution polymerization is preferably an aqueous solvent, particularly preferably water.
Moreover, in order to improve the solubility of the monomer components in the solvent, an organic solvent may be appropriately added within a range that does not adversely affect the polymerization of each monomer. Examples of the organic solvent include alcohols such as isopropyl alcohol and ketones such as acetone. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

以下に上記水性溶媒を用いた水溶性高分子化合物の製造方法を説明する。重合反応では、公知の重合開始剤を使用できるが、特にラジカル重合開始剤が好ましく用いられる。ラジカル重合開始剤として、例えば、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウムおよび過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩、t-ブチルハイドロパーオキサイド等のハイドロパーオキサイド類、過酸化水素等の水溶性過酸化物、メチルエチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド等のケトンパーオキサイド類、ジ-t-ブチルパーオキサイド、t-ブチルクミルパーオキサイド等のジアルキルパーオキサイド類等の油溶性過酸化物、アゾビスイソブチロニトリル、2,2-アゾビス(2-メチルプロピオンアミジン)ジハイドロクロライド等のアゾ化合物が挙げられる。これらの過酸化物系のラジカル重合開始剤は、1種類のみ使用しても、または2種類以上併用してもよい。上述した過酸化物系のラジカル重合開始剤の中でも、生成する水溶性高分子化合物の分子量の制御が容易に行えることから、過硫酸塩やアゾ化合物が好ましく、アゾビスイソブチロニトリルが特に好ましい。 A method for producing a water-soluble polymer compound using the aqueous solvent is described below. In the polymerization reaction, a known polymerization initiator can be used, and a radical polymerization initiator is particularly preferably used. Examples of radical polymerization initiators include persulfates such as sodium persulfate, potassium persulfate and ammonium persulfate; hydroperoxides such as t-butyl hydroperoxide; water-soluble peroxides such as hydrogen peroxide; oxide, ketone peroxides such as cyclohexanone peroxide, oil-soluble peroxides such as dialkyl peroxides such as di-t-butyl peroxide and t-butylcumyl peroxide, azobisisobutyronitrile, 2,2 -Azo compounds such as azobis(2-methylpropionamidine) dihydrochloride. These peroxide-based radical polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more. Among the peroxide-based radical polymerization initiators described above, persulfates and azo compounds are preferable, and azobisisobutyronitrile is particularly preferable, since the molecular weight of the water-soluble polymer compound to be generated can be easily controlled. .

上記ラジカル重合開始剤の使用量は、特に制限されないが、水溶性高分子化合物の全単量体合計質量に基づいて、0.1~15質量%、特に0.5~10質量%の割合で使用することが好ましい。この割合を0.1質量%以上にすることにより、共重合率を向上させることができ、15質量%以下とすることにより、水溶性高分子化合物の安定性を向上させることができる。 The amount of the radical polymerization initiator used is not particularly limited, but is 0.1 to 15% by mass, particularly 0.5 to 10% by mass, based on the total mass of all monomers of the water-soluble polymer compound. It is preferred to use By making this ratio 0.1% by mass or more, the copolymerization rate can be improved, and by making this ratio 15% by mass or less, the stability of the water-soluble polymer compound can be improved.

また、場合によっては、水溶性高分子化合物は、水溶性レドックス系重合開始剤を使用して製造してもよい。レドックス系重合開始剤としては、酸化剤(例えば上記の過酸化物)と、重亜硫酸ナトリウム、重亜硫酸アンモニウム、亜硫酸アンモニウム、ハイドロサルファイトナトリウム等の還元剤や、鉄明礬、カリ明礬等の組み合わせを挙げることができる。 In some cases, the water-soluble polymer compound may be produced using a water-soluble redox polymerization initiator. As a redox polymerization initiator, a combination of an oxidizing agent (for example, the above peroxide), a reducing agent such as sodium bisulfite, ammonium bisulfite, ammonium sulfite, sodium hydrosulfite, iron alum, potash alum, etc. can be mentioned.

水溶性高分子化合物の製造において、分子量を調整するために、連鎖移動剤を重合系に適宜添加してもよい。連鎖移動剤としては、例えば、亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸カリウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム、メルカプト酢酸、メルカプトプロピオン酸、チオグリコール酸、2-プロパンチオール、2-メルカプトエタノール、およびチオフェノール等が挙げられる。 A chain transfer agent may be appropriately added to the polymerization system in order to adjust the molecular weight in the production of the water-soluble polymer compound. Examples of chain transfer agents include sodium phosphite, sodium hypophosphite, potassium hypophosphite, sodium sulfite, sodium hydrogen sulfite, mercaptoacetic acid, mercaptopropionic acid, thioglycolic acid, 2-propanethiol, 2- mercaptoethanol, thiophenol, and the like.

水溶性高分子化合物を製造する際の重合温度は、特に制限されないが、重合温度は60~100℃で行うのが好ましい。重合温度を60℃以上にすることで、重合反応が円滑に進行し、かつ生産性に優れるものとなり、100℃以下とすることで、着色を抑制することができる。 The polymerization temperature for producing the water-soluble polymer compound is not particularly limited, but the polymerization temperature is preferably 60 to 100°C. By setting the polymerization temperature to 60°C or higher, the polymerization reaction proceeds smoothly and the productivity becomes excellent, and by setting the polymerization temperature to 100°C or lower, coloration can be suppressed.

また、重合反応は、加圧または減圧で行うことも可能であるが、加圧あるいは減圧反応用の設備にするためのコストが必要になるので、常圧で行うことが好ましい。重合時間は2~20時間、特に3~10時間程度で行うことが好ましい。 Moreover, the polymerization reaction can be carried out under pressure or under reduced pressure, but it is preferable to carry out under normal pressure because the equipment for the reaction under pressure or under reduced pressure requires cost. The polymerization time is preferably 2 to 20 hours, more preferably 3 to 10 hours.

重合反応後、必要に応じて塩基性化合物で中和を行う。中和に使用する塩基性化合物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム等のアルカリ土類金属の水酸化物、アンモニア水、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等の有機アミン類等が挙げられる。中和後のpH値(25℃)は、水溶性高分子化合物濃度が10質量%の水溶液の場合、2~9が好ましく、さらに好ましくは3~8である。 After the polymerization reaction, neutralization is performed with a basic compound, if necessary. Basic compounds used for neutralization include alkali metal hydroxides such as sodium hydroxide and potassium hydroxide, alkaline earth metal hydroxides such as calcium hydroxide and magnesium hydroxide, aqueous ammonia, and monoethanolamine. , diethanolamine, and triethanolamine. The pH value (25° C.) after neutralization is preferably 2 to 9, more preferably 3 to 8 in the case of an aqueous solution having a water-soluble polymer compound concentration of 10% by mass.

1-2-6.重量平均分子量
本発明で使用される水溶性高分子化合物は、カルボン酸基を有する単量体とスルホン酸基を有する単量体を必須単量体とする共重合体であり、重量平均分子量は1,000~1,000,000であり、好ましくは3,000~800,000であり、さらに好ましくは5,000~600,000である。なお、水溶性高分子化合物の重量平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によりポリアクリル酸換算で測定したものである。水溶性高分子化合物の重量平均分子量が、1,000未満の場合は、研磨後のうねりが悪化する。また、1,000,000を超える場合には、水溶液の粘度が高くなり取扱いが困難になる。
1-2-6. Weight average molecular weight The water-soluble polymer compound used in the present invention is a copolymer having a monomer having a carboxylic acid group and a monomer having a sulfonic acid group as essential monomers, and the weight average molecular weight is It is 1,000 to 1,000,000, preferably 3,000 to 800,000, more preferably 5,000 to 600,000. The weight average molecular weight of the water-soluble polymer compound is measured by gel permeation chromatography (GPC) in terms of polyacrylic acid. If the weight-average molecular weight of the water-soluble polymer compound is less than 1,000, waviness after polishing becomes worse. On the other hand, when it exceeds 1,000,000, the viscosity of the aqueous solution becomes high and handling becomes difficult.

1-2-7.濃度
水溶性高分子化合物の研磨剤組成物中の濃度は、好ましくは固形分換算で0.0001~3.0質量%であり、より好ましくは0.001~2.0質量%であり、さらに好ましくは0.005~1.0質量%である。水溶性高分子化合物の濃度が0.0001質量%より少ない場合には水溶性高分子化合物の添加効果が十分に得られず、3.0質量%より多い場合には、水溶性高分子化合物の添加効果は頭打ちとなり、必要以上の水溶性高分子化合物を添加することになるので経済的でない。
1-2-7. Concentration The concentration of the water-soluble polymer compound in the polishing composition is preferably 0.0001 to 3.0% by mass, more preferably 0.001 to 2.0% by mass in terms of solid content, and further It is preferably 0.005 to 1.0% by mass. If the concentration of the water-soluble polymer compound is less than 0.0001% by mass, the effect of addition of the water-soluble polymer compound cannot be sufficiently obtained, and if it is more than 3.0% by mass, the concentration of the water-soluble polymer compound is reduced. The effect of addition hits a ceiling, and more water-soluble polymer compound than necessary is added, which is not economical.

1-3.界面活性剤
本発明で、さらにうねり低減とハレーション低減を図る目的で、任意成分として使用される界面活性剤は、スルホン酸基および/またはスルホン酸塩基を有し、さらに繰り返し単位の主鎖中に芳香族基を有する陰イオン界面活性剤である。
1-3. Surfactant In the present invention, the surfactant used as an optional component for the purpose of further reducing waviness and halation has a sulfonic acid group and/or a sulfonic acid group, and further has a It is an anionic surfactant with an aromatic group.

具体例としては、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド等のポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のメラミンホルマリン樹脂スルホン系化合物、リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸等のリグニンスルホン酸系化合物、アミノアリールスルホン酸-フェノール-ホルムアルデヒド縮合物などの芳香族アミノスルホン酸系化合物が挙げられる。中でも、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物のうちのナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のナフタレンスルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、およびそれらの塩が好ましい。ナフタレンスルホン酸系化合物の中でも、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物およびそれらの塩が特に好ましい。 Specific examples include polyalkylarylsulfonic acid compounds such as naphthalenesulfonic acid formaldehyde condensates, methylnaphthalenesulfonic acid formaldehyde condensates, and anthracene sulfonic acid formaldehyde, melamine formalin resin sulfone compounds such as melamine sulfonic acid formaldehyde condensates, and lignin. Examples include ligninsulfonic acid compounds such as sulfonic acid and modified ligninsulfonic acid, and aromatic aminosulfonic acid compounds such as aminoarylsulfonic acid-phenol-formaldehyde condensates. Among polyalkylarylsulfonic acid compounds, naphthalenesulfonic acid-based compounds such as naphthalenesulfonic acid-formaldehyde condensates and methylnaphthalenesulfonic acid-formaldehyde condensates, ligninsulfonic acid-based compounds, aromatic aminosulfonic acid-based compounds, and these is preferred. Among the naphthalenesulfonic acid compounds, naphthalenesulfonic acid-formaldehyde condensates, methylnaphthalenesulfonic acid-formaldehyde condensates, and salts thereof are particularly preferred.

また、それぞれ塩とした場合の対イオンとしては、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属塩、カルシウムなどのアルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、モノエタノールアミンなどの一級アミン塩、ジエタノールアミンなどの二級アミン塩、トリエタノールアミンなどの三級アミン塩、テトラメチルアンモニウムなどの四級アンモニウム塩等が挙げられる。 In addition, counter ions in the respective salts include alkali metal salts such as sodium and potassium, alkaline earth metal salts such as calcium, ammonium salts, primary amine salts such as monoethanolamine, and secondary amine salts such as diethanolamine. , tertiary amine salts such as triethanolamine, quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium, and the like.

研磨剤組成物中の界面活性剤の含有量は、0.0001~2.0質量%であることが好ましく、0.001~1.0質量%であることがさらに好ましい。0.0001質量%未満の場合、うねり低減効果が十分に得られない。2.0質量%を超えると研磨速度の低下が起こる。 The surfactant content in the polishing composition is preferably 0.0001 to 2.0% by mass, more preferably 0.001 to 1.0% by mass. If it is less than 0.0001% by mass, a sufficient waviness reduction effect cannot be obtained. If it exceeds 2.0% by mass, the polishing rate will decrease.

1-4.酸および/またはその塩
本発明では、pH調整のために、または任意成分として酸および/またはその塩を使用することができる。使用される酸および/またはその塩としては、無機酸および/またはその塩と有機酸および/またはその塩が挙げられる。
1-4. Acid and/or its salt In the present invention, an acid and/or its salt can be used for pH adjustment or as an optional component. Acids and/or salts thereof used include inorganic acids and/or salts thereof and organic acids and/or salts thereof.

無機酸および/またはその塩としては、硝酸、硫酸、塩酸、リン酸、ホスホン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸等の無機酸および/またはその塩が挙げられる。 Inorganic acids and/or salts thereof include inorganic acids and/or salts thereof such as nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, phosphonic acid, pyrophosphoric acid, and tripolyphosphoric acid.

有機酸および/またはその塩としては、グルタミン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸および/またはその塩、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、リンゴ酸、コハク酸等のカルボン酸および/またはその塩、有機ホスホン酸および/またはその塩などが挙げられる。これらの酸および/またはその塩は、1種あるいは2種以上を用いることができる。 Organic acids and/or salts thereof include aminocarboxylic acids such as glutamic acid and aspartic acid and/or salts thereof, carboxylic acids such as citric acid, tartaric acid, oxalic acid, nitroacetic acid, maleic acid, malic acid and succinic acid and/or or salts thereof, organic phosphonic acids and/or salts thereof, and the like. One or more of these acids and/or salts thereof can be used.

有機ホスホン酸および/またはその塩としては、2-アミノエチルホスホン酸、1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、エタン-1,1-ジホスホン酸、エタン-1,1,2-トリホスホン酸、エタン-1-ヒドロキシ-1,1,2-トリホスホン酸、エタン-1,2-ジカルボキシ-1,2-ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、2-ホスホノブタン-1,2-ジカルボン酸、1-ホスホノブタン-2,3,4-トリカルボン酸、α-メチルホスホノコハク酸、およびこれらの塩から選ばれる少なくとも1種以上の化合物が挙げられる。 Organic phosphonic acids and/or salts thereof include 2-aminoethylphosphonic acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, aminotri(methylenephosphonic acid), ethylenediaminetetra(methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta(methylenephosphonic acid), acid), ethane-1,1-diphosphonic acid, ethane-1,1,2-triphosphonic acid, ethane-1-hydroxy-1,1,2-triphosphonic acid, ethane-1,2-dicarboxy-1,2 - at least one selected from diphosphonic acid, methanehydroxyphosphonic acid, 2-phosphonobutane-1,2-dicarboxylic acid, 1-phosphonobutane-2,3,4-tricarboxylic acid, α-methylphosphonosuccinic acid, and salts thereof More than one species of compound is included.

上記の化合物は、2種以上を組み合わせて使用することも好ましい実施態様であり、具体的には、硫酸とリン酸の組み合わせ、リン酸と有機ホスホン酸の組み合わせ、またはリン酸と有機ホスホン酸塩との組み合わせなどが挙げられる。 It is also a preferred embodiment to use two or more of the above compounds in combination. Specifically, a combination of sulfuric acid and phosphoric acid, a combination of phosphoric acid and an organic phosphonic acid, or a combination of phosphoric acid and an organic phosphonate and a combination of.

1-5.酸化剤
本発明では、研磨促進剤として酸化剤を使用することができる。使用される酸化剤としては、過酸化物、過マンガン酸またはその塩、クロム酸またはその塩、ペルオキソ酸またはその塩、ハロゲンオキソ酸またはその塩、酸素酸またはその塩、これらの酸化剤を2種以上混合したもの、等を用いることができる。
1-5. Oxidizing Agent In the present invention, an oxidizing agent can be used as a polishing accelerator. The oxidizing agents used include peroxides, permanganic acid or its salts, chromic acid or its salts, peroxo acids or their salts, halogen oxoacids or their salts, oxyacids or their salts, and two of these oxidizing agents. A mixture of more than one species, etc. can be used.

具体的には、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム、過酸化カリウム、過マンガン酸カリウム、クロム酸の金属塩、ジクロム酸の金属塩、過硫酸、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、ペルオキソリン酸、ペルオキソホウ酸ナトリウム、過ギ酸、過酢酸、次亜塩素酸、次亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カルシウム、等が挙げられる。中でも、過酸化水素、過硫酸およびその塩、次亜塩素酸およびその塩などが好ましく、さらに好ましくは過酸化水素である。 Specifically, hydrogen peroxide, sodium peroxide, barium peroxide, potassium peroxide, potassium permanganate, metal salts of chromic acid, metal salts of dichromic acid, persulfuric acid, sodium persulfate, potassium persulfate, persulfate ammonium sulfate, peroxolinic acid, sodium peroxoborate, performic acid, peracetic acid, hypochlorous acid, sodium hypochlorite, calcium hypochlorite, and the like. Among them, hydrogen peroxide, persulfuric acid and its salts, hypochlorous acid and its salts are preferred, and hydrogen peroxide is more preferred.

研磨剤組成物中の酸化剤含有量は、0.01~10.0質量%であることが好ましい。より好ましくは、0.1~5.0質量%である。 The content of the oxidizing agent in the polishing composition is preferably 0.01 to 10.0% by mass. More preferably, it is 0.1 to 5.0% by mass.

2.研磨剤組成物の物性(pH)
本発明の研磨剤組成物のpH値(25℃)の範囲は、好ましくは0.1~4.0である。さらに好ましくは0.5~3.0である。研磨剤組成物のpH値(25℃)が0.1以上であることにより、研磨後の基板の表面荒れを抑制することができる。研磨剤組成物のpH値(25℃)が4.0以下であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。
2. Physical properties (pH) of abrasive composition
The pH value (25° C.) of the polishing composition of the present invention preferably ranges from 0.1 to 4.0. It is more preferably 0.5 to 3.0. When the pH value (25° C.) of the polishing composition is 0.1 or more, surface roughness of the substrate after polishing can be suppressed. When the pH value (25° C.) of the polishing composition is 4.0 or less, it is possible to suppress a decrease in polishing rate.

本発明の研磨剤組成物は、ハードディスクといった磁気記録媒体などの種々の電子部品の研磨に使用することができる。特に、アルミニウム磁気ディスク基板の研磨に好適に用いられる。さらに好適には、無電解ニッケル-リンめっきされたアルミニウム磁気ディスク基板の研磨に用いることができる。無電解ニッケル-リンめっきは、通常、pH値(25℃)が4.0~6.0の条件下でめっきされる。pH値(25℃)が4.0以下の条件下で、ニッケルが溶解傾向に向かうためめっきしにくくなる。一方、研磨においては、例えば、pH値(25℃)が4.0以下の条件下でニッケルが溶解傾向となるため、本発明の研磨剤組成物を用いることにより、研磨速度を高めることができる。 The abrasive composition of the present invention can be used for polishing various electronic parts such as magnetic recording media such as hard disks. In particular, it is suitably used for polishing aluminum magnetic disk substrates. More preferably, it can be used for polishing an aluminum magnetic disk substrate plated with electroless nickel-phosphorus. Electroless nickel-phosphorus plating is usually performed under the condition of pH value (25° C.) of 4.0-6.0. When the pH value (25°C) is 4.0 or less, nickel tends to dissolve, making plating difficult. On the other hand, in polishing, for example, nickel tends to dissolve under the condition that the pH value (25° C.) is 4.0 or less. Therefore, the polishing rate can be increased by using the polishing composition of the present invention. .

3.磁気ディスク基板の研磨方法
本発明の研磨剤組成物は、アルミニウム磁気ディスク基板やガラス磁気ディスク基板等の磁気ディスク基板の研磨での使用に適している。特に、無電解ニッケル-リンめっきされたアルミニウム磁気ディスク基板(以下、アルミディスク)の研磨での使用に適している。
3. Method for Polishing Magnetic Disk Substrate The abrasive composition of the present invention is suitable for use in polishing magnetic disk substrates such as aluminum magnetic disk substrates and glass magnetic disk substrates. In particular, it is suitable for use in polishing electroless nickel-phosphorus plated aluminum magnetic disk substrates (hereinafter referred to as aluminum disks).

本発明の研磨剤組成物を適用することが可能な方法としては、例えば、研磨の定盤に研磨パッドを貼り付け、研磨対象物(例えばアルミディスク)の研磨する表面または研磨パッドに研磨剤組成物を供給し、研磨する表面を研磨パッドで擦り付ける方法がある。例えば、アルミディスクのおもて面と裏面を同時に研磨する場合には、上定盤および下定盤それぞれに研磨パッドを貼り付けた両面研磨機を用いる方法がある。この方法では、上定盤および下定盤に貼り付けた研磨パッドでアルミディスクを挟み込み、研磨面と研磨パッドの間に研磨剤組成物を供給し、2つの研磨パッドを同時に回転させることによって、アルミディスクのおもて面と裏面を研磨する。なお、通常の磁気ディスク基板の研磨においては、ダミー研磨を実施した後、本研磨を行うことが一般的である。ここでダミー研磨とは、研磨機の定盤に研磨パッドを貼り付けた後、必要に応じてパッドドレッシングを実施し、その後本研磨を実施する前に、被研磨物となる基板と同種のものを別途用意し、これをダミー基板として研磨することをいう。本発明の研磨剤組成物は、ダミー研磨のみに使用することも、本研磨のみに使用することも、ダミー研磨と本研磨の両方に使用することも可能である。 As a method for applying the abrasive composition of the present invention, for example, a polishing pad is attached to the surface plate of a polishing machine , and an abrasive is applied to the surface to be polished of an object to be polished (for example, an aluminum disc) or to the polishing pad. There is a method of supplying a composition and rubbing the surface to be polished with a polishing pad. For example, when simultaneously polishing the front surface and the back surface of an aluminum disk, there is a method of using a double-side polishing machine in which polishing pads are respectively attached to the upper surface plate and the lower surface plate. In this method, an aluminum disk is sandwiched between polishing pads attached to an upper surface plate and a lower surface plate, an abrasive composition is supplied between the polishing surface and the polishing pad, and the two polishing pads are rotated simultaneously to obtain an aluminum disc. Polish the front and back of the disc. Incidentally, in the normal polishing of magnetic disk substrates, it is common to carry out the main polishing after implementing the dummy polishing. Dummy polishing here means that after attaching a polishing pad to the surface plate of the polishing machine, pad dressing is performed as necessary, and then before the main polishing is performed, the same kind of substrate as the object to be polished is applied. is separately prepared and polished as a dummy substrate. The abrasive composition of the present invention can be used only for dummy polishing, only for main polishing, or both for dummy polishing and main polishing.

研磨パッドとしては、どのようなタイプのものでも使用できる。不織布タイプ、スウェードタイプなどの研磨パッドがあるが、スウェードタイプがよく用いられる。研磨剤と接触する表面発泡層の材質としては、ポリウレタンエラストマー、ポリスチレン、ポリエステル、ポリ塩化ビニルなどが挙げられるが、ポリウレタンエラストマーがよく用いられる。 Any type of polishing pad can be used. There are polishing pads of non-woven fabric type and suede type, but the suede type is often used. Examples of the material of the surface foam layer that comes into contact with the abrasive include polyurethane elastomer, polystyrene, polyester, polyvinyl chloride and the like, and polyurethane elastomer is often used.

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、本発明の技術範囲に属する限り、種々の態様で実施できることはいうまでもない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described based on examples, but the present invention is not limited to these examples, and it goes without saying that the present invention can be implemented in various aspects as long as it belongs to the technical scope of the present invention. Nor.

[研磨剤組成物の調製方法]
実施例1~22、比較例1~4で使用した研磨剤組成物は、表1に記載の材料を、表1に記載の含有量で含んだ研磨剤組成物である。なお、表1でアクリル酸の略号をAA、2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸の略号をATBS、N-tert-ブチルアクリルアミドの略号をTBAAとした。また、ナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物としては、第一工業製薬製のラベリンFM-45を使用した。
[Method for preparing abrasive composition]
The abrasive compositions used in Examples 1 to 22 and Comparative Examples 1 to 4 contained the materials shown in Table 1 in the amounts shown in Table 1. In Table 1, the abbreviation for acrylic acid is AA, the abbreviation for 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid is ATBS, and the abbreviation for N-tert-butylacrylamide is TBAA. As the sodium naphthalenesulfonate formaldehyde condensate, Labelin FM-45 manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. was used.

Figure 0007219097000001
Figure 0007219097000001

[重量平均分子量]
水溶性高分子化合物は、表1に記載した通り、合成番号1~10の重合体を使用した。なお、水溶性高分子化合物の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によりポリアクリル酸換算で測定したものであり、以下にGPC測定条件を示す。
[Weight average molecular weight]
As the water-soluble polymer compound, as shown in Table 1, polymers of Synthesis Nos. 1 to 10 were used. The weight average molecular weight of the water-soluble polymer compound is measured by gel permeation chromatography (GPC) in terms of polyacrylic acid, and the GPC measurement conditions are shown below.

[GPC条件]
カラム:G4000PWXL(東ソー(株)製)+G2500PWXL(東ソー(株)製)
溶離液:0.2Mリン酸バッファー/アセトニトリル=9/1(容量比)
流速:1.0ml/min
温度:40℃
検出:210nm(UV)
サンプル:濃度5mg/ml(注入量100μl)
検量線用ポリマー:ポリアクリル酸 分子量(ピークトップ分子量:Mp)11.5万、2.8万、4100、1250(創和学(株)、American Polymer Standards Corp.)
[GPC conditions]
Column: G4000PWXL (manufactured by Tosoh Corporation) + G2500PWXL (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: 0.2 M phosphate buffer/acetonitrile = 9/1 (volume ratio)
Flow rate: 1.0ml/min
Temperature: 40°C
Detection: 210 nm (UV)
Sample: concentration 5 mg/ml (injection volume 100 μl)
Polymer for calibration curve: Polyacrylic acid Molecular weight (peak top molecular weight: Mp) 115,000, 28,000, 4100, 1250 (Sowa Kagaku Co., Ltd., American Polymer Standards Corp.)

[コロイダルシリカの粒子径]
コロイダルシリカの粒子径(Heywood径)は、透過型電子顕微鏡(TEM)(日本電子(株)製、透過型電子顕微鏡 JEM2000FX(200kV)を用いて倍率10万倍の視野を撮影し、この写真を解析ソフト(マウンテック(株)製、Mac-View Ver.4.0)を用いて解析することにより、Heywood径(投射面積円相当径)として測定した。コロイダルシリカの平均粒子径は前述の方法で2000個程度のコロイダルシリカの粒子径を解析し、小粒径側からの積算粒径分布(累積体積基準)が50%となる粒子径を上記解析ソフト(マウンテック(株)製、Mac-View Ver.4.0)を用いて算出した平均粒子径(D50)である。
[Particle size of colloidal silica]
The particle size (Heywood diameter) of colloidal silica was obtained by photographing a field of view at a magnification of 100,000 times using a transmission electron microscope (TEM) (manufactured by JEOL Ltd., JEM2000FX (200 kV)). The Heywood diameter (equivalent diameter of projected area circle) was measured by analysis using analysis software (Mac-View Ver.4.0, manufactured by Mountec Co., Ltd.) The average particle diameter of colloidal silica was determined by the method described above. Analyze the particle diameter of about 2000 colloidal silica, and the particle diameter at which the cumulative particle size distribution (cumulative volume basis) from the small particle size side is 50% is calculated using the above analysis software (manufactured by Mountech Co., Ltd., Mac-View Ver. .4.0) is the average particle diameter (D50) calculated using

[研磨条件]
無電解ニッケル-リンめっきされた外径95mmのアルミニウム磁気ディスク基板を粗研磨したものを研磨対象として研磨をおこなった。
[Polishing conditions]
An electroless nickel-phosphorus-plated aluminum magnetic disk substrate having an outer diameter of 95 mm was roughly polished, and the object to be polished was polished.

研磨機:スピードファム(株)製、9B両面研磨機
研磨パッド:(株)FILWEL社製 P2用パッド
定盤回転数:上定盤 -6.7rpm
下定盤 20.0rpm
研磨剤組成物供給量: 100ml/min
研磨時間: 300秒
加工圧力: 14kPa
各成分を混合して研磨剤組成物を調製した後、研磨試験を実施した。研磨試験結果は、表2および表3に示した。なお、以下の評価項目の値は、表2では比較例1の値を1(基準値)とする相対値で示した。表3では比較例3を1(基準値)とする相対値で示した。
Polishing machine: 9B double-sided polishing machine manufactured by Speedfam Co., Ltd. Polishing pad: P2 pad manufactured by FILWEL Co., Ltd. Surface plate rotation speed: Upper surface plate −6.7 rpm
Lower surface plate 20.0rpm
Abrasive composition supply rate: 100 ml/min
Polishing time: 300 seconds Processing pressure: 14 kPa
After each component was mixed to prepare an abrasive composition, a polishing test was carried out. The polishing test results are shown in Tables 2 and 3. The values of the following evaluation items are shown in Table 2 as relative values, with the value of Comparative Example 1 being 1 (reference value). Table 3 shows relative values with Comparative Example 3 being 1 (reference value).

[研磨したディスクの評価]
[研磨速度]
研磨速度は、研磨後に減少したアルミニウム磁気ディスク基板の質量を測定し、下記式に基づいて計算した。
研磨速度(μm/min)=アルミニウム磁気ディスク基板の質量減少(g)/研磨時間(min)/アルミニウム磁気ディスク基板の片面の面積(cm)/無電解ニッケル-リンめっき皮膜の密度(g/cm)/2×10
(ただし、上記式中、アルミニウム磁気ディスク基板の片面の面積は65.9cm、無電解ニッケル-リンめっき皮膜の密度は8.0g/cm
[Evaluation of polished disk]
[Polishing speed]
The polishing rate was calculated based on the following formula by measuring the mass of the aluminum magnetic disk substrate that had decreased after polishing.
Polishing rate (μm/min)=mass reduction of aluminum magnetic disk substrate (g)/polishing time (min)/area of one side of aluminum magnetic disk substrate (cm 2 )/density of electroless nickel-phosphorus plating film (g/ cm 3 )/2×10 4
(However, in the above formula, the area of one side of the aluminum magnetic disk substrate is 65.9 cm 2 and the density of the electroless nickel-phosphorus plating film is 8.0 g/cm 3 .)

[研磨後の基板表面の短波長うねり評価方法]
基板の短波長うねりは、アメテック株式会社製3次元光学プロファイラーNew View 8300を使用して測定した。
測定条件は以下の通りである。
[Method for evaluating short-wavelength waviness of substrate surface after polishing]
The short-wavelength waviness of the substrate was measured using a three-dimensional optical profiler New View 8300 manufactured by Ametech Co., Ltd.
The measurement conditions are as follows.

レンズ 10倍 Mirau型
ZOOM 1.0倍
Measurement Type Surface
Measure Mode CSI
Scan Length 5μm
Camera Mode 1024×1024
Filter Band Pass
Cut Off Short 20.000μm
Long 100.000μm
測定ポイント
半径 30.00mm
角度 10°毎に36点
Lens 10x Mirau type ZOOM 1.0x Measurement Type Surface
Measure Mode CSI
Scan Length 5 μm
Camera Mode 1024×1024
Filter Band Pass
Cut Off Short 20.000 μm
Long 100.000 μm
Measuring point radius 30.00mm
36 points for every 10° angle

[研磨後の基板表面のハレーション評価方法]
ハレーションは、基板全表面欠陥検査機(株)日立ハイテクファインシステムズ社製NS2000Hを使用して測定した。測定条件は以下の通りである。
[Method for evaluating halation on substrate surface after polishing]
Halation was measured using NS2000H manufactured by Hitachi High-Tech Fine Systems Co., Ltd., which is a substrate full surface defect inspection machine. The measurement conditions are as follows.

PMT/APD Power Control Voltage
Hi-Light 1 OFF
Hi-Light 2 900V
Scan Pitch 3μm
Inner/Outer Radius 18.0000~47.0000mm
Positive Level 76mV
H2 White Spot Level 80.0mV
PMT/APD Power Control Voltage
Hi-Light 1 OFF
Hi-Light 2 900V
Scan Pitch 3 μm
Inner/Outer Radius 18.0000-47.0000mm
Positive Level 76mV
H2 White Spot Level 80.0mV

ハレーションは、上記測定条件において、基板表面上の微細な欠陥として検出され、ハレーションカウントとして定量評価できる。 Halation is detected as fine defects on the substrate surface under the above measurement conditions, and can be quantitatively evaluated as a halation count.

Figure 0007219097000002
Figure 0007219097000002

Figure 0007219097000003
Figure 0007219097000003

[考察]
表2から明らかなように、水溶性高分子化合物として比較例1のアクリル酸単独重合体を使用した場合に比べて、実施例1~8のアクリル酸・2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸共重合体を使用した場合は、研磨速度、短波長うねり、ハレーションカウントの全てが改善されることがわかる。さらに界面活性剤(ナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物)を加えた実施例9~16では、短波長うねりとハレーションカウントがさらに改善されることがわかる。
[Discussion]
As is clear from Table 2, compared to the case of using the acrylic acid homopolymer of Comparative Example 1 as the water-soluble polymer compound, acrylic acid and 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid of Examples 1 to 8 It can be seen that the polishing rate, short wavelength waviness and halation count are all improved when the copolymer is used. In Examples 9 to 16, in which a surfactant (sodium naphthalenesulfonate formaldehyde condensate) was further added, short wavelength waviness and halation count were further improved.

尚、実施例2,3および10,11は実施例1および9において、アクリル酸・2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸共重合体のアクリル酸と2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸の割合が異なる実験例である。 Incidentally, Examples 2, 3 and 10, 11 are different from Examples 1 and 9 in that acrylic acid/2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid copolymer of acrylic acid and 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid Experimental examples with different ratios.

実施例4~7および12~15は実施例1および9において、添加する水溶性高分子化合物の重量平均分子量が異なる実験例である。 Examples 4 to 7 and 12 to 15 are experimental examples in which the weight average molecular weight of the added water-soluble polymer compound is different from Examples 1 and 9.

実施例8および16は実施例1および9において、水溶性高分子にアミド基も含むアクリル酸・2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸・N-tert-ブチルアクリルアミド共重合体を使用した実験例である。 Examples 8 and 16 are experimental examples in which an acrylic acid/2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid/N-tert-butylacrylamide copolymer containing an amide group in the water-soluble polymer was used in Examples 1 and 9. is.

一方、比較例2の2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸単独重合体を使用した場合は、比較例1に対して研磨速度は向上するものの、短波長うねりとハレーションカウントが悪化することがわかる。 On the other hand, when the 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid homopolymer of Comparative Example 2 was used, the polishing rate was improved compared to Comparative Example 1, but the short wavelength waviness and halation count were deteriorated. .

コロイダルシリカ砥粒の平均粒子径が異なる表3においても、水溶性高分子化合物として比較例3のアクリル酸単独重合体を使用した場合に比べて、実施例17のアクリル酸・2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸共重合体を使用した場合は、研磨速度、短波長うねり、ハレーションカウント全てが改善されることがわかる。さらに界面活性剤(ナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物)を加えた実施例18では短波長うねりとハレーションカウントがさらに改善されることがわかる。 Even in Table 3, where the colloidal silica abrasive grains have different average particle sizes, compared to the case of using the acrylic acid homopolymer of Comparative Example 3 as the water-soluble polymer compound, the acrylic acid/2-acrylamide-2 of Example 17 It can be seen that when the -methylpropanesulfonic acid copolymer is used, all of the polishing rate, short wavelength waviness and halation count are improved. Further, in Example 18, in which a surfactant (sodium naphthalenesulfonate formaldehyde condensate) was added, short wavelength waviness and halation count were further improved.

尚、実施例19は実施例18において、アクリル酸・2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸共重合体のアクリル酸と2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸の割合が異なる実験例である。 Example 19 is an experimental example in which the ratio of acrylic acid and 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid in the acrylic acid/2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid copolymer is different from that of Example 18.

実施例20、21は実施例18において、添加する水溶性高分子化合物の重量平均分子量が異なる実験例である。 Examples 20 and 21 are experimental examples in which the weight-average molecular weight of the water-soluble polymer compound to be added is different from that of Example 18.

実施例22は実施例18において、水溶性高分子にアミド基も含むアクリル酸・2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸・N-tert-ブチルアクリルアミド共重合体を使用した実験例である。 Example 22 is an experimental example in Example 18 using an acrylic acid/2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid/N-tert-butylacrylamide copolymer containing an amide group as the water-soluble polymer.

一方、比較例4の2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸単独重合体を使用した場合は、比較例3に対して研磨速度は向上するものの、短波長うねりとハレーションカウントが悪化することがわかる。 On the other hand, when the 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid homopolymer of Comparative Example 4 was used, the polishing rate was improved compared to Comparative Example 3, but the short wavelength waviness and the halation count were deteriorated. .

以上のことから、本発明の水溶性高分子化合物を使用することにより、研磨速度、短波長うねり、ハレーションカウントのバランスが向上することがわかる。さらに特定の界面活性剤を組み合わせることにより、短波長うねりとハレーションカウントがさらに改善されることがわかる。 From the above, it can be seen that the use of the water-soluble polymer compound of the present invention improves the balance among polishing rate, short-wavelength waviness, and halation count. Furthermore, by combining specific surfactants, it can be seen that the short wavelength waviness and the halation count are further improved.

本発明の研磨剤組成物は、半導体、ハードディスクといった磁気記録媒体などの電子部品の研磨に使用することができる。特にガラス磁気ディスク基板やアルミニウム磁気ディスク基板などの磁気記録媒体用基板の表面研磨に使用することができる。さらには、アルミニウム合金製の基板表面に無電解ニッケル-リンめっき皮膜を形成した磁気記録媒体用アルミニウム磁気ディスク基板の仕上げ研磨に使用することができる。 The abrasive composition of the present invention can be used for polishing electronic parts such as magnetic recording media such as semiconductors and hard disks. In particular, it can be used for surface polishing of substrates for magnetic recording media such as glass magnetic disk substrates and aluminum magnetic disk substrates. Furthermore, it can be used for final polishing of an aluminum magnetic disk substrate for a magnetic recording medium in which an electroless nickel-phosphorus plating film is formed on the surface of an aluminum alloy substrate.

Claims (12)

コロイダルシリカと、水溶性高分子化合物と、水を含有する研磨剤組成物であり、
前記水溶性高分子化合物が、少なくともカルボン酸基を有する単量体およびスルホン酸基を有する単量体を必須単量体とする共重合体であり、
前記水溶性高分子化合物のカルボン酸基を有する単量体に由来する構成単位とスルホン酸基を有する単量体に由来する構成単位の量比が、mol比で91010:9の範囲であり、
前記水溶性高分子化合物の重量平均分子量が1,000~1,000,000である無電解ニッケル-リンめっきされたアルミニウム磁気ディスク基板の仕上げ研磨に用いられる磁気ディスク基板用研磨剤組成物。
A polishing composition containing colloidal silica, a water-soluble polymer compound, and water,
The water-soluble polymer compound is a copolymer having at least a monomer having a carboxylic acid group and a monomer having a sulfonic acid group as essential monomers,
The molar ratio of the structural unit derived from the monomer having a carboxylic acid group and the structural unit derived from the monomer having a sulfonic acid group in the water-soluble polymer compound is 90:10 to 10 : 9 . is in the range of 0 ,
An abrasive composition for magnetic disk substrates, wherein the water-soluble polymer compound has a weight average molecular weight of 1,000 to 1,000,000, and is used for final polishing of electroless nickel-phosphorus plated aluminum magnetic disk substrates .
前記コロイダルシリカの平均粒子径(D50)が1~100nmであり、組成物中の濃度が1~50質量%である請求項1に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 2. The abrasive composition for magnetic disk substrates according to claim 1, wherein the colloidal silica has an average particle size (D50) of 1 to 100 nm and a concentration in the composition of 1 to 50% by mass. 前記水溶性高分子化合物の重量平均分子量が5,000~600,000である請求項1または2に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 3. The abrasive composition for magnetic disk substrates according to claim 1, wherein the water-soluble polymer compound has a weight average molecular weight of 5,000 to 600,000. 前記研磨剤組成物が、さらに界面活性剤を含有し、
前記界面活性剤がスルホン酸基および/またはスルホン酸塩基を有し、さらに繰り返し単位の主鎖中に芳香族基を有する陰イオン界面活性剤である請求項1~3のいずれか1項に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。
The abrasive composition further contains a surfactant,
4. The anionic surfactant according to any one of claims 1 to 3, wherein the surfactant has a sulfonic acid group and/or a sulfonic acid group and further has an aromatic group in the main chain of the repeating unit. Abrasive composition for magnetic disk substrates.
前記スルホン酸基および/またはスルホン酸塩基を有し、さらに繰り返し単位の主鎖中に芳香族基を有する前記陰イオン界面活性剤は、ナフタレンスルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物およびそれらの塩から選ばれる少なくとも一種である請求項4に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 The anionic surfactant having a sulfonic acid group and/or a sulfonic acid group and further having an aromatic group in the main chain of the repeating unit is a naphthalenesulfonic acid compound, a ligninsulfonic acid compound, an aromatic amino 5. The abrasive composition for magnetic disk substrates according to claim 4, which is at least one selected from sulfonic acid compounds and salts thereof. 前記ナフタレンスルホン酸系化合物である前記陰イオン界面活性剤は、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物およびメチルナフタレンスルホン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種である請求項5に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 6. The abrasive composition for magnetic disk substrates according to claim 5, wherein said anionic surfactant which is said naphthalenesulfonic acid compound is at least one selected from the group consisting of naphthalenesulfonic acid-formaldehyde condensate and methylnaphthalenesulfonic acid. thing. 前記カルボン酸基を有する単量体が、アクリル酸またはその塩、メタクリル酸またはその塩から選ばれる単量体である請求項1~6のいずれか1項に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 7. The abrasive composition for magnetic disk substrates according to claim 1, wherein the monomer having a carboxylic acid group is a monomer selected from acrylic acid or its salts and methacrylic acid or its salts. thing. 前記スルホン酸基を有する単量体が、イソプレンスルホン酸、2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、2-メタクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、イソアミレンスルホン酸、およびこれらの塩から選ばれる単量体である請求項1~7のいずれか1項に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 The monomer having a sulfonic acid group is isoprenesulfonic acid, 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, 2-methacrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, styrenesulfonic acid, vinylsulfonic acid, allylsulfonic acid, 8. The abrasive composition for magnetic disk substrates according to claim 1, which is a monomer selected from isoamylenesulfonic acid and salts thereof. 前記水溶性高分子化合物である少なくともカルボン酸基を有する単量体およびスルホン酸基を有する単量体を必須単量体とする前記共重合体が、カルボン酸基を有する単量体とスルホン酸基を有する単量体およびアミド基を有する単量体を必須単量体とする共重合体である請求項1~8のいずれか1項に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 The water-soluble polymer compound comprising at least a monomer having a carboxylic acid group and a monomer having a sulfonic acid group as essential monomers is a monomer having a carboxylic acid group and a sulfonic acid group. The abrasive composition for magnetic disk substrates according to any one of claims 1 to 8, which is a copolymer comprising a group-containing monomer and an amide group-containing monomer as essential monomers. 前記アミド基を有する単量体がアクリルアミド、メタクリルアミド、N-アルキルアクリルアミド、N-アルキルメタクリルアミドから選ばれる単量体である請求項9に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 10. The abrasive composition for magnetic disk substrates according to claim 9, wherein said monomer having an amide group is a monomer selected from acrylamide, methacrylamide, N-alkylacrylamide and N-alkylmethacrylamide. 前記研磨剤組成物が酸および/またはその塩をさらに含有し、pH値(25℃)が0.1~4.0の範囲にある請求項1~10のいずれか1項に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 The magnetic disk according to any one of claims 1 to 10, wherein the abrasive composition further contains an acid and/or a salt thereof, and has a pH value (25°C) in the range of 0.1 to 4.0. Abrasive composition for substrates. 前記研磨剤組成物が酸化剤をさらに含有している請求項1~11のいずれか1項に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。 12. The abrasive composition for magnetic disk substrates according to claim 1, further comprising an oxidizing agent.
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