JP7216539B2 - switching control circuit - Google Patents

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Description

本発明は、スイッチング素子のオン/オフを制御するスイッチング制御回路に関する。 The present invention relates to a switching control circuit for controlling on/off of switching elements.

近年、車載関連機器では電子化が進み、通信IC(Integrated Circuit)の需要が高まっている。しかしながら、通信ICはノイズ源となるため、車載関連機器の信頼性を向上させるためには、ノイズ対策の強化が必要となる。 2. Description of the Related Art In recent years, vehicle-related devices have become more computerized, and demand for communication ICs (Integrated Circuits) has increased. However, since the communication IC is a source of noise, it is necessary to strengthen measures against noise in order to improve the reliability of on-vehicle equipment.

また、パーソナルコンピュータ、ポータブル機器等の電気機器においても、回路の集積化及び小型化が進んでいることから、ノイズ対策の強化が要求されるようになっている。 Also, in electrical equipment such as personal computers and portable equipment, since the integration and miniaturization of circuits are progressing, there is a demand for enhanced noise countermeasures.

特開2006-129593号公報(図3)Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-129593 (Fig. 3)

特許文献1で提案されているスイッチング・レギュレータは、ノイズの影響を受け易い装置がON状態であるときにスイッチング素子を駆動する制御信号のスルーレートを遅くして当該スイッチング・レギュレータから発生するノイズを小さくしている。 The switching regulator proposed in Patent Document 1 suppresses noise generated from the switching regulator by slowing the slew rate of a control signal that drives a switching element when a device susceptible to noise is in the ON state. making it smaller.

しかしながら、特許文献1で提案されているスイッチング・レギュレータでは、ノイズの影響を受け易い装置がON状態であるときにスイッチング素子を駆動する制御信号のスルーレートは固定されているため、スルーレートが原因となるEMIノイズの周波数が特定周波数に集中してしまう。これにより、特定周波数におけるEMIノイズのピーク値が大きくなる。 However, in the switching regulator proposed in Patent Document 1, the slew rate of the control signal that drives the switching element is fixed when the device susceptible to noise is in the ON state. The resulting EMI noise frequency is concentrated on a specific frequency. This increases the peak value of EMI noise at a specific frequency.

本発明は、上記の状況に鑑み、スイッチング素子の駆動時に発生するEMIノイズのピーク値を低下させることができるスイッチング制御回路を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a switching control circuit capable of reducing the peak value of EMI noise generated when switching elements are driven.

上記目的を達成するために、本発明に係るスイッチング制御回路は、第1電流源と、第2電流源と、前記第1電流源とスイッチング素子のゲートとの間に設けられる第1スイッチと、前記第2電流源と前記スイッチング素子のゲートとの間に設けられる第2スイッチと、を備え、前記第1スイッチ及び前記第2スイッチはパルス信号に応じて相補的にオン/オフし、前記スイッチング素子のオン/オフに応じて生成される信号の各パルスの両エッジの一方で前記第1電流源によって前記スイッチング素子のゲートに供給される電流の値が可変する、及び/又は、前記両エッジの他方で前記第2電流源によって前記スイッチング素子のゲートから引き抜かれる電流の値が可変する構成(第1の構成)とする。 To achieve the above object, a switching control circuit according to the present invention includes: a first current source; a second current source; a first switch provided between the first current source and a gate of a switching element; a second switch provided between the second current source and the gate of the switching element, wherein the first switch and the second switch are complementarily turned on/off in response to a pulse signal to perform the switching; The value of the current supplied to the gate of the switching element by the first current source at one of both edges of each pulse of the signal generated according to the on/off of the element varies and/or both edges On the other hand, the value of the current extracted from the gate of the switching element by the second current source is variable (first configuration).

また、上記第1の構成であるスイッチング制御回路において、前記両エッジの一方で前記スイッチング素子のゲートに供給される電流の積算値と、前記両エッジの他方で前記スイッチング素子のゲートから引き抜かれる電流の積算値との和が略一定である構成(第2の構成)であってもよい。 Further, in the switching control circuit having the first configuration, an integrated value of the current supplied to the gate of the switching element on one of the two edges and the current extracted from the gate of the switching element on the other of the edges may be substantially constant (second configuration).

また、上記第1又は第2の構成であるスイッチング制御回路において、前記両エッジの一方で前記第1電流源によって前記スイッチング素子のゲートに供給される電流の値が可変し、且つ、前記第1電流源が複数の第1サブ電流源を備え、前記複数の第1サブ電流源各々のオンタイミングが異なる、及び/又は、前記両エッジの他方で前記第2電流源によって前記スイッチング素子のゲートから引き抜かれる電流の値が可変し、且つ、前記第2電流源が複数の第2サブ電流源を備え、前記複数の第2サブ電流源各々のオンタイミングが異なる構成(第3の構成)であってもよい。 In the switching control circuit having the first or second configuration, the value of the current supplied to the gate of the switching element by the first current source is variable at one of the edges, and The current source comprises a plurality of first sub-current sources, each of the plurality of first sub-current sources has a different on-timing, and/or the second current source at the other of the two edges from the gate of the switching element. A configuration (a third configuration) in which the value of the drawn current is variable, the second current source includes a plurality of second sub-current sources, and the plurality of second sub-current sources have different on-timings. may

また、上記第3の構成であるスイッチング制御回路において、複数の遅延回路を備え、前記オンタイミングの異なり具合は、前記複数の遅延回路の出力によって定まる構成(第4の構成)であってもよい。 Further, in the switching control circuit having the third configuration, a plurality of delay circuits may be provided, and the degree of difference in the ON timing may be determined by the outputs of the plurality of delay circuits (fourth configuration). .

また、上記第4の構成であるスイッチング制御回路において、前記複数の遅延回路各々は、前記パルス信号又は前記パルス信号の反転信号を入力信号として受け取る構成(第5の構成)であってもよい。 In the switching control circuit having the fourth configuration, each of the plurality of delay circuits may be configured to receive the pulse signal or an inverted signal of the pulse signal as an input signal (fifth configuration).

また、上記第4の構成であるスイッチング制御回路において、前記複数の遅延回路の少なくとも2つは、直列接続される構成(第6の構成)であってもよい。 In the switching control circuit having the fourth configuration, at least two of the plurality of delay circuits may be connected in series (sixth configuration).

また、上記第1~第6いずれかの構成であるスイッチング制御回路において、前記スイッチング素子のオン/オフに応じて生成される信号の各パルスの両エッジにおいて、一方のエッジでの前記スイッチング素子のゲートに供給される信号の立ち上がりスルーレート時間と、他方のエッジでの前記スイッチング素子のゲートに供給される信号の立ち下がりスルーレート時間との和が略一定である構成(第7の構成)であってもよい。 Further, in the switching control circuit having any one of the first to sixth configurations, at both edges of each pulse of the signal generated according to the ON/OFF of the switching element, the switching element at one edge A configuration (seventh configuration) in which the sum of the rising slew rate time of the signal supplied to the gate and the falling slew rate time of the signal supplied to the gate of the switching element at the other edge is substantially constant; There may be.

また、本発明に係る通信装置は、上記第1~第7いずれかの構成であるスイッチング制御回路と、前記スイッチング素子と、を備える構成(第8の構成)とする。 Further, a communication apparatus according to the present invention has a configuration (eighth configuration) including a switching control circuit having any one of the first to seventh configurations and the switching element.

また、本発明に係るスイッチング電源装置は、上記第1~第7いずれかの構成であるスイッチング制御回路と、前記スイッチング素子と、を備える構成(第9の構成)とする。 Further, a switching power supply device according to the present invention has a configuration (ninth configuration) including the switching control circuit having any one of the first to seventh configurations and the switching element.

また、本発明に係る車両は、上記第8の構成である通信装置及び上記第9の構成であるスイッチング電源装置の少なくとも一方を備える構成(第10の構成)とする。 Further, a vehicle according to the present invention has a configuration (tenth configuration) including at least one of the communication device of the eighth configuration and the switching power supply device of the ninth configuration.

また、本発明に係る電子機器は、上記第8の構成である通信装置及び上記第9の構成であるスイッチング電源装置の少なくとも一方を備える構成(第11の構成)とする。 Further, an electronic apparatus according to the present invention has a configuration (eleventh configuration) including at least one of the communication device having the eighth configuration and the switching power supply device having the ninth configuration.

本発明によれば、スイッチング素子の駆動時に発生するEMIノイズのピーク値を低下させることができる。これにより、スイッチング素子の駆動時に発生するEMIノイズによる周囲の機器への悪影響を低減することができる。 According to the present invention, it is possible to reduce the peak value of EMI noise generated when the switching element is driven. As a result, it is possible to reduce the adverse effects of EMI noise generated when the switching element is driven on surrounding devices.

第1実施形態に係るスイッチング制御回路を概略的に示した図FIG. 2 is a diagram schematically showing a switching control circuit according to the first embodiment; 第1実施形態に係るスイッチング制御回路の各部電圧波形を示すタイムチャートTime chart showing voltage waveforms of each part of the switching control circuit according to the first embodiment 第1実施形態に係るスイッチング制御回路において、スイッチング素子に供給されるゲート信号の立ち上がりスルーレートが原因となるEMIノイズを概略的に示した図FIG. 4 is a diagram schematically showing EMI noise caused by the rising slew rate of the gate signal supplied to the switching element in the switching control circuit according to the first embodiment; 特許文献1で提案されているスイッチング・レギュレータにおいて、スイッチング素子を駆動する制御信号の立ち上がりスルーレートが原因となるEMIノイズを概略的に示した図A diagram schematically showing EMI noise caused by the rising slew rate of the control signal that drives the switching element in the switching regulator proposed in Patent Document 1. 第2実施形態に係るスイッチング制御回路を概略的に示した図The figure which showed schematically the switching control circuit which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係るスイッチング制御回路を概略的に示した図The figure which showed roughly the switching control circuit which concerns on 3rd Embodiment. 第4実施形態に係るスイッチング制御回路を概略的に示した図The figure which showed roughly the switching control circuit which concerns on 4th Embodiment. 第4実施形態に係る他のスイッチング制御回路を概略的に示した図The figure which showed roughly the other switching control circuit which concerns on 4th Embodiment. 第4実施形態に係る更に他のスイッチング制御回路を概略的に示した図The figure which showed roughly the other switching control circuit which concerns on 4th Embodiment. 通信ICと他のデバイスとの接続状態を概略的に示した図FIG. 4 is a diagram schematically showing a connection state between a communication IC and another device; スイッチング電源装置を概略的に示した図Schematic diagram of a switching power supply 車両の外観を示す図Diagram showing the appearance of the vehicle 携帯機器の外観を示す図Diagram showing appearance of mobile device スイッチング制御回路の変形例を概略的に示した図FIG. 4 schematically shows a modification of the switching control circuit;

<第1実施形態>
図1は、第1実施形態に係るスイッチング制御回路を概略的に示した図である。本実施形態に係るスイッチング制御回路は、インバータN1及びN2と、遅延回路DEL11、DEL12、DEL21、及びDEL22と、電流源1及び2と、スイッチQ1及びQ2と、を備えている。電流源1は定電流源CS10~CS12の並列回路であり、電流源2は定電流源CS20~CS22の並列回路である。本実施形態に係るスイッチング制御回路は、スイッチング素子Q3を駆動して、スイッチング素子Q3のオン/オフを制御する。本実施形態では、スイッチQ1としてPチャネル型MOS[metal oxide semiconductor]電界効果トランジスタが用いられており、スイッチQ2としてNチャネル型MOS電界効果トランジスタが用いられており、スイッチング素子Q3としてNチャネル型MOS電界効果トランジスタが用いられている。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a schematic diagram of a switching control circuit according to the first embodiment. The switching control circuit according to this embodiment includes inverters N1 and N2, delay circuits DEL11, DEL12, DEL21, and DEL22, current sources 1 and 2, and switches Q1 and Q2. Current source 1 is a parallel circuit of constant current sources CS10-CS12, and current source 2 is a parallel circuit of constant current sources CS20-CS22. The switching control circuit according to the present embodiment drives the switching element Q3 to control ON/OFF of the switching element Q3. In this embodiment, a P-channel MOS [metal oxide semiconductor] field effect transistor is used as the switch Q1, an N-channel MOS field effect transistor is used as the switch Q2, and an N-channel MOS field effect transistor is used as the switching element Q3. A field effect transistor is used.

端子T1はインバータN1の入力端に接続される。インバータN1の出力端は遅延回路DEL11、遅延回路DEL21、及びインバータN2の各入力端に接続される。インバータN2の出力端はスイッチQ1及びQ2の各ゲート並びに遅延回路DEL21及びDEL22の各入力端に接続される。 Terminal T1 is connected to the input end of inverter N1. The output terminal of the inverter N1 is connected to each input terminal of the delay circuit DEL11, the delay circuit DEL21, and the inverter N2. The output of inverter N2 is connected to the gates of switches Q1 and Q2 and to the inputs of delay circuits DEL21 and DEL22.

スイッチQ1のソースは電流源1の低電位端に接続される。電流源1の高電位端には定電圧Vccが印加される。スイッチQ1及びQ2の各ドレインは、スイッチング素子Q3のゲートに接続される。スイッチQ2のソースは電流源2の高電位端に接続される。電流源2の低電位端はグランド電位の印加端に接続される。 The source of switch Q1 is connected to the low potential end of current source 1; A constant voltage Vcc is applied to the high potential end of the current source 1 . The drains of switches Q1 and Q2 are connected to the gate of switching element Q3. The source of switch Q2 is connected to the high potential end of current source 2; The low potential end of the current source 2 is connected to the ground potential application end.

ダイオードD1及びD2と、抵抗R1と、スイッチング素子Q3とによって構成される回路は、出力電圧Voutを生成する。ダイオードD1のアノードには定電圧Vccが印加される。ダイオードD1のカソードは抵抗R1を介してダイオードD2のアノードに接続される。ダイオードD1のカソードはスイッチング素子Q3のドレインに接続される。スイッチング素子Q3のソースはグランド電位の印加端に接続される。抵抗R1とダイオードD2との接続ノードには端子T2が接続される。 A circuit formed by diodes D1 and D2, resistor R1 and switching element Q3 produces an output voltage Vout. A constant voltage Vcc is applied to the anode of the diode D1. The cathode of diode D1 is connected to the anode of diode D2 through resistor R1. The cathode of diode D1 is connected to the drain of switching element Q3. The source of the switching element Q3 is connected to the ground potential application end. A terminal T2 is connected to a connection node between the resistor R1 and the diode D2.

上記構成である本実施形態に係るスイッチング制御回路の端子T1にはパルス信号Dが供給される。インバータN1は、パルス信号Dの反転信号XDを、遅延回路DEL11、遅延回路DEL21、及びインバータN2の各入力端に供給する。インバータN2は、パルス信号Dを遅延回路DEL21及びDEL22の各入力端に供給する。 A pulse signal D is supplied to the terminal T1 of the switching control circuit according to the present embodiment having the above configuration. The inverter N1 supplies the inverted signal XD of the pulse signal D to each input terminal of the delay circuit DEL11, the delay circuit DEL21, and the inverter N2. The inverter N2 supplies the pulse signal D to each input terminal of the delay circuits DEL21 and DEL22.

遅延回路DEL11は、パルス信号Dの反転信号XDを所定時間Δ1遅延させた遅延信号を生成する。遅延回路DEL11から出力される遅延信号は定電流源CS11に供給される。遅延回路DEL12は、パルス信号Dの反転信号XDを所定時間Δ2遅延させた遅延信号を生成する。遅延回路DEL12から出力される遅延信号は定電流源CS12に供給される。なお、所定時間Δ2は所定時間Δ1より大きい。 The delay circuit DEL11 generates a delayed signal by delaying the inverted signal XD of the pulse signal D by a predetermined time Δ1. A delay signal output from the delay circuit DEL11 is supplied to the constant current source CS11. The delay circuit DEL12 generates a delayed signal by delaying the inverted signal XD of the pulse signal D by a predetermined time Δ2. A delay signal output from the delay circuit DEL12 is supplied to the constant current source CS12. Note that the predetermined time Δ2 is longer than the predetermined time Δ1.

遅延回路DEL21は、パルス信号Dを所定時間Δ3遅延させた遅延信号を生成する。遅延回路DEL21から出力される遅延信号は定電流源CS21に供給される。遅延回路DEL22は、パルス信号Dを所定時間Δ4遅延させた遅延信号を生成する。遅延回路DEL22から出力される遅延信号は定電流源CS22に供給される。なお、所定時間Δ4は所定時間Δ3より大きい。 The delay circuit DEL21 generates a delayed signal by delaying the pulse signal D by a predetermined time Δ3. A delay signal output from the delay circuit DEL21 is supplied to the constant current source CS21. The delay circuit DEL22 generates a delayed signal by delaying the pulse signal D by a predetermined time Δ4. A delay signal output from the delay circuit DEL22 is supplied to the constant current source CS22. Note that the predetermined time Δ4 is longer than the predetermined time Δ3.

インバータN2はパルス信号DをスイッチQ1及びQ2の各ゲートにも供給する。これにより、スイッチQ1及びQ2はパルス信号Dに応じて相補的にオン/オフする。なお、本実施形態ではスイッチQ1及びQ2のオン/オフが完全に逆転しているが、同時オフ期間(デッドタイム)を設けてもよい。すなわち、本明細書中で用いられる「相補的」という文言の意味には、スイッチQ1及びQ2のオン/オフが完全に逆転している場合のほか、同時オフ期間(デッドタイム)が設けられている場合も含む。 Inverter N2 also provides pulse signal D to the gates of switches Q1 and Q2. Thereby, the switches Q1 and Q2 are complementarily turned on/off according to the pulse signal D. FIG. Although the ON/OFF states of the switches Q1 and Q2 are completely reversed in this embodiment, a simultaneous OFF period (dead time) may be provided. That is, the term "complementary" used in this specification means that the ON/OFF states of the switches Q1 and Q2 are completely reversed, and that a simultaneous OFF period (dead time) is provided. Including cases where

スイッチQ1がオンであるときには、電流源1によってスイッチング素子Q3のゲートに電流が供給される。電流源1内の定電流源CS11は、遅延回路DEL11から出力される遅延信号がハイレベルであるときにイネーブル状態となり、遅延回路DEL11から出力される遅延信号がローレベルであるときにディセーブル状態となる。また、電流源1内の定電流源CS12は、遅延回路DEL12から出力される遅延信号がハイレベルであるときにイネーブル状態となり、遅延回路DEL12から出力される遅延信号がローレベルであるときにディセーブル状態となる。したがって、定電流源CS10、CS11、及びC12それぞれのオンタイミングが異なり、その異なり具合は遅延回路DEL11及びDEL12から出力される各遅延信号によって定まる。これにより、スイッチQ1がオンであるときに電流源1によってスイッチング素子Q3のゲートに供給される電流の値は出力電圧Voutの各立ち上がりエッジで可変する。 When switch Q1 is on, current source 1 supplies current to the gate of switching element Q3. Constant current source CS11 in current source 1 is enabled when the delay signal output from delay circuit DEL11 is at high level, and is disabled when the delay signal output from delay circuit DEL11 is at low level. becomes. The constant current source CS12 in the current source 1 is enabled when the delay signal output from the delay circuit DEL12 is at high level, and disabled when the delay signal output from the delay circuit DEL12 is at low level. Sable state. Therefore, the ON timings of the constant current sources CS10, CS11, and C12 are different, and the degree of difference is determined by each delay signal output from the delay circuits DEL11 and DEL12. As a result, the value of the current supplied by the current source 1 to the gate of the switching element Q3 when the switch Q1 is on varies at each rising edge of the output voltage Vout.

より具体的には、図2に示す通り、スイッチQ1がオンであるときに電流源1によってスイッチング素子Q3のゲートに供給される電流の値は、出力電圧Voutの各立ち下がりエッジにおいて、パルス信号Dの立ち下がりエッジから所定時間Δ1が経過する迄の第1期間T1、第1期間終了時から所定時間(Δ2-Δ1)が経過する迄の第2期間T2、第2期間終了以降である第3期間T3でそれぞれ異なる。第2期間T2においてスイッチング素子Q3のゲートに供給される電流の値は第1期間T1においてスイッチング素子Q3のゲートに供給される電流の値よりも大きく、第3期間T3においてスイッチング素子Q3のゲートに供給される電流の値は第2期間T2においてスイッチング素子Q3のゲートに供給される電流の値よりも大きい。 More specifically, as shown in FIG. 2, the value of current supplied by current source 1 to the gate of switching element Q3 when switch Q1 is on is pulsed at each falling edge of output voltage Vout. A first period T1 from the falling edge of D until a predetermined time Δ1 elapses; a second period T2 from the end of the first period until a predetermined time (Δ2−Δ1) elapses; Each of the three periods T3 is different. The value of the current supplied to the gate of the switching element Q3 during the second period T2 is greater than the value of the current supplied to the gate of the switching element Q3 during the first period T1, and the current supplied to the gate of the switching element Q3 during the third period T3. The value of the current supplied is greater than the value of the current supplied to the gate of the switching element Q3 during the second period T2.

一方、スイッチQ2がオンであるときには、電流源2によってスイッチング素子Q3のゲートから電流が引き抜かれる。電流源2内の定電流源CS21は、遅延回路DEL21から出力される遅延信号がハイレベルであるときにイネーブル状態となり、遅延回路DEL21から出力される遅延信号がローレベルであるときにディセーブル状態となる。また、電流源1内の定電流源CS22は、遅延回路DEL22から出力される遅延信号がハイレベルであるときにイネーブル状態となり、遅延回路DEL22から出力される遅延信号がローレベルであるときにディセーブル状態となる。したがって、定電流源CS20、CS21、及びC22それぞれのオンタイミングが異なり、その異なり具合は遅延回路DEL21及びDEL22から出力される各遅延信号によって定まる。これにより、スイッチQ2がオンであるときに電流源2によってスイッチング素子Q3のゲートから引き抜かれる電流の値は出力電圧Voutの各立ち上がりエッジで可変する。 On the other hand, when the switch Q2 is on, the current source 2 draws current from the gate of the switching element Q3. The constant current source CS21 in the current source 2 is enabled when the delay signal output from the delay circuit DEL21 is at high level, and is disabled when the delay signal output from the delay circuit DEL21 is at low level. becomes. The constant current source CS22 in the current source 1 is enabled when the delay signal output from the delay circuit DEL22 is at high level, and disabled when the delay signal output from the delay circuit DEL22 is at low level. Sable state. Therefore, the ON timings of the constant current sources CS20, CS21, and C22 are different, and the degree of difference is determined by each delay signal output from the delay circuits DEL21 and DEL22. As a result, the value of the current drawn from the gate of the switching element Q3 by the current source 2 when the switch Q2 is on varies at each rising edge of the output voltage Vout.

より具体的には、図2に示す通り、スイッチQ2がオンであるときに電流源1によってスイッチング素子Q3のゲートから引き抜かれる電流の値は、出力電圧Voutの各立ち上がりエッジにおいて、パルス信号Dの立ち上がりエッジから所定時間Δ3が経過する迄の第4期間T4、第4期間終了時から所定時間(Δ4-Δ3)が経過する迄の第5期間T5、第5期間T5終了以降である第6期間T6でそれぞれ異なる。第5期間T5においてスイッチング素子Q3のゲートから引き抜かれる電流の値は第4期間T4においてスイッチング素子Q3のゲートから引き抜かれる電流の値よりも大きく、第6期間T6においてスイッチング素子Q3のゲートから引き抜かれる電流の値は第5期間T5においてスイッチング素子Q3のゲートから引き抜かれる電流の値よりも大きい。 More specifically, as shown in FIG. 2, the value of the current drawn from the gate of switching element Q3 by current source 1 when switch Q2 is on is equal to that of pulse signal D at each rising edge of output voltage Vout. A fourth period T4 from the rising edge until a predetermined time Δ3 elapses, a fifth period T5 from the end of the fourth period until a predetermined time (Δ4−Δ3) elapses, and a sixth period after the end of the fifth period T5. Each T6 is different. The value of the current drawn from the gate of the switching element Q3 during the fifth period T5 is greater than the value of the current drawn from the gate of the switching element Q3 during the fourth period T4, and the current drawn from the gate of the switching element Q3 during the sixth period T6. The value of the current is greater than the value of the current drawn from the gate of the switching element Q3 during the fifth period T5.

スイッチング素子Q3のオン/オフに応じて生成されて端子T2から出力される出力電圧Voは、スイッチング素子Q3がオンであるときにローレベル(グランド電位と略同一レベル)となり、スイッチング素子Q3がオフであるときにハイレベル(定電圧Vccと略同一レベル)となる。 The output voltage Vo, which is generated according to the on/off state of the switching element Q3 and is output from the terminal T2, becomes low level (substantially the same level as the ground potential) when the switching element Q3 is on, and the switching element Q3 is off. , it becomes high level (substantially the same level as the constant voltage Vcc).

スイッチング素子Q3に供給されるゲート信号の立ち上がりスルーレートは電流源1のドライブ能力に依存する。このため、出力電圧Voutの各立ち下がりエッジにおいて、スイッチング素子Q3に供給されるゲート信号の立ち上がりスルーレートは3種類となる。これにより、出力電圧Voutの各立ち下がりエッジにおいて、スイッチング素子Q3に供給されるゲート信号の立ち上がりスルーレートが原因となるEMIノイズの周波数を図3に示すように3つに分散させることができる。この周波数分散によってEMIノイズのピーク値PK1を小さくすることができる。なお、図3では参考のために後述するピーク値PK0も図示している。 The rising slew rate of the gate signal supplied to the switching element Q3 depends on the drive capability of the current source 1. FIG. Therefore, at each falling edge of the output voltage Vout, there are three rising slew rates of the gate signal supplied to the switching element Q3. As a result, at each falling edge of the output voltage Vout, the frequencies of the EMI noise caused by the rising slew rate of the gate signal supplied to the switching element Q3 can be dispersed into three as shown in FIG. This frequency dispersion can reduce the peak value PK1 of EMI noise. Note that FIG. 3 also shows a peak value PK0, which will be described later, for reference.

一方、特許文献1で提案されているスイッチング・レギュレータのように、スイッチング素子を駆動する制御信号の立ち上がりスルーレートが固定されていると、スイッチング素子を駆動する制御信号の立ち上がりスルーレートが原因となるEMIノイズの周波数は図4に示すように1つに固定されてしまう。このため、スイッチング素子を駆動する制御信号の固定された立ち上がりスルーレートが原因となるEMIノイズのピーク値PK0が大きくなってしまう。 On the other hand, if the rising slew rate of the control signal that drives the switching element is fixed as in the switching regulator proposed in Patent Document 1, the rise slew rate of the control signal that drives the switching element becomes the cause. The frequency of EMI noise is fixed to one as shown in FIG. As a result, the peak value PK0 of EMI noise caused by the fixed rising slew rate of the control signal for driving the switching element increases.

スイッチング素子Q3に供給されるゲート信号の立ち下がりスルーレートが原因となるEMIノイズに関しても、上述したスイッチング素子Q3に供給されるゲート信号の立ち上がりスルーレートが原因となるEMIノイズと同様に周波数分散によってEMIノイズのピーク値を小さくすることができる。 The EMI noise caused by the falling slew rate of the gate signal supplied to the switching element Q3 is also affected by frequency dispersion in the same manner as the EMI noise caused by the rising slew rate of the gate signal supplied to the switching element Q3. The peak value of EMI noise can be reduced.

以上のように、本実施形態に係るスイッチング制御回路によると、スイッチング素子Q3の駆動時に発生するEMIノイズのピーク値を低下させることができる。これにより、スイッチング素子Q3の駆動時に発生するEMIノイズによる周囲の機器への悪影響を低減することができる。 As described above, the switching control circuit according to the present embodiment can reduce the peak value of EMI noise generated when the switching element Q3 is driven. As a result, it is possible to reduce the adverse effects of EMI noise generated when the switching element Q3 is driven on surrounding devices.

また、本実施形態に係るスイッチング制御回路によると、電流源1、スイッチQ1、スイッチQ2、及び電流源2が直列接続されている構成であるため、スイッチQ1及びQ2が同時オンになることを防止さえすれば貫通電流が流れることを防止することができる。すなわち、貫通電流が流れることを防止するための制御が簡単である。また、万が一、貫通電流が流れたとしても、電流源1もしくは電流源2によって、貫通電流が制限されるため、IC(本実施形態に係るスイッチング制御回路を含むIC)が破壊されることは無い。 Further, according to the switching control circuit according to the present embodiment, since the current source 1, the switch Q1, the switch Q2, and the current source 2 are connected in series, it is possible to prevent the switches Q1 and Q2 from being turned on at the same time. By doing so, it is possible to prevent a through current from flowing. That is, the control for preventing the through current from flowing is simple. Even if a through current flows, the current source 1 or 2 limits the through current, so the IC (the IC including the switching control circuit according to the present embodiment) is not destroyed. .

これに対して、特許文献1で提案されているスイッチング・レギュレータでは、2つの上側スイッチが並列接続され、2つの下側スイッチが並列接続されている構成であるため、2つの上側スイッチの少なくとも一つと2つの下側スイッチの少なくとも一つとが同時オンになることを防止しなければ貫通電流が流れることを防止することができない。すなわち、貫通電流が流れることを防止するための制御が複雑である。 In contrast, the switching regulator proposed in Patent Document 1 has a configuration in which two upper switches are connected in parallel and two lower switches are connected in parallel. The flow of through current cannot be prevented unless at least one of the lower switches and the two lower switches are prevented from being turned on at the same time. That is, the control for preventing the through current from flowing is complicated.

また、本実施形態に係るスイッチング制御回路によると、スイッチQ1がオンであるときに電流源1によってスイッチング素子Q3のゲートに供給される電流の値、及び、スイッチQ2がオンであるときに電流源2によってスイッチング素子Q3のゲートから引き抜かれる電流の値それぞれが、出力電圧Voutの1つのエッジ中に変化する。これにより、時間的に見ても、スイッチング素子Q3に供給されるゲート信号の立ち上がりスルーレートが原因となるEMIノイズの周波数、及び、スイッチング素子Q3に供給されるゲート信号の立ち下がりスルーレートが原因となるEMIノイズの周波数が細かく(出力電圧Voutの1つのエッジ中で)分散する。したがって、時間的に見た場合でもEMIノイズが特定周波数に集中することを防止することができる。 Further, according to the switching control circuit according to the present embodiment, the value of the current supplied by the current source 1 to the gate of the switching element Q3 when the switch Q1 is on, and the current source when the switch Q2 is on. 2 changes during one edge of the output voltage Vout. As a result, even in terms of time, the frequency of EMI noise caused by the rising slew rate of the gate signal supplied to the switching element Q3 and the falling slew rate of the gate signal supplied to the switching element Q3 cause The frequency of the EMI noise is finely distributed (within one edge of the output voltage Vout). Therefore, it is possible to prevent EMI noise from concentrating on a specific frequency even in terms of time.

なお、出力電圧Voutの立ち下がりエッジでスイッチング素子Q3のゲートに供給される電流の積算値(図2に示す第1~第3期間T1~T3での電流積算値)と、出力電圧Voutの立ち上がりエッジでスイッチング素子Q3のゲートに供給される電流の積算値(図2に示す第4~第6期間T4~T6での電流積算値)との和が略一定であることが望ましい。このような構成によれば、出力電圧Voutのオンデューティがスイッチング素子Q3のゲートに供給されるゲート信号のスルーレートによる影響で変動することを抑制することができる。換言すると、出力電圧Voutの各パルスの両エッジにおいて、一方のエッジでのスイッチング素子Q3のゲートに供給される信号の立ち上がりスルーレート時間と、他方のエッジでのスイッチング素子Q3のゲートに供給される信号の立ち下がりスルーレート時間との和が略一定となるので、出力電圧Voutのオンデューティがスイッチング素子Q3のゲートに供給されるゲート信号のスルーレートによる影響で変動することを抑制することができる。 Note that the integrated value of the current supplied to the gate of the switching element Q3 at the falling edge of the output voltage Vout (current integrated value in the first to third periods T1 to T3 shown in FIG. 2) and the rising edge of the output voltage Vout It is desirable that the sum of the integrated value of the current supplied to the gate of the switching element Q3 at the edge (current integrated value in the fourth to sixth periods T4 to T6 shown in FIG. 2) is substantially constant. According to such a configuration, it is possible to prevent the on-duty of the output voltage Vout from fluctuating due to the influence of the slew rate of the gate signal supplied to the gate of the switching element Q3. In other words, at both edges of each pulse of the output voltage Vout, the rising slew rate time of the signal supplied to the gate of the switching element Q3 at one edge and the rising slew rate time of the signal supplied to the gate of the switching element Q3 at the other edge Since the sum of the falling slew rate time of the signal is substantially constant, it is possible to suppress the on-duty of the output voltage Vout from fluctuating due to the slew rate of the gate signal supplied to the gate of the switching element Q3. .

<第2実施形態>
図5は、第2実施形態に係るスイッチング制御回路を概略的に示した図である。本実施形態に係るスイッチング制御回路が第1実施形態に係るスイッチング制御回路と異なる点は、遅延回路DEL12がパルス信号Dの反転信号XDではなく遅延回路DEL11から出力される遅延信号を入力し、遅延回路DEL22がパルス信号Dではなく遅延回路DEL21から出力される遅延信号を入力する点である。すなわち、本実施形態では、遅延回路DEL11と遅延回路DEL12とが直列接続され、遅延回路DEL21と遅延回路DEL22とが直列接続される。
<Second embodiment>
FIG. 5 is a schematic diagram of a switching control circuit according to the second embodiment. The switching control circuit according to the present embodiment differs from the switching control circuit according to the first embodiment in that the delay circuit DEL12 receives the delay signal output from the delay circuit DEL11 instead of the inverted signal XD of the pulse signal D, and delays The difference is that the circuit DEL22 receives not the pulse signal D but the delay signal output from the delay circuit DEL21. That is, in this embodiment, the delay circuit DEL11 and the delay circuit DEL12 are connected in series, and the delay circuit DEL21 and the delay circuit DEL22 are connected in series.

本実施形態に係るスイッチング制御回路によると、第1実施形態に係るスイッチング制御回路と同様に、スイッチング素子Q3の駆動時に発生するEMIノイズのピーク値を低下させることができる。これにより、スイッチング素子Q3の駆動時に発生するEMIノイズによる周囲の機器への悪影響を低減することができる。 According to the switching control circuit according to the present embodiment, similarly to the switching control circuit according to the first embodiment, it is possible to reduce the peak value of EMI noise generated when the switching element Q3 is driven. As a result, it is possible to reduce the adverse effects of EMI noise generated when the switching element Q3 is driven on surrounding devices.

また、本実施形態では、第1実施形態と異なり、遅延回路DEL11の遅延時間と遅延回路DEL12の遅延時間を同一にすることができ、遅延回路DEL21の遅延時間と遅延回路DEL22の遅延時間を同一にすることができる。なお、本実施形態においても、第1実施形態と同様に、遅延回路DEL11の遅延時間と遅延回路DEL12の遅延時間を互いに異なる時間とし、遅延回路DEL21の遅延時間と遅延回路DEL22の遅延時間を互いに異なる時間としてもよい。 Further, in the present embodiment, unlike the first embodiment, the delay time of the delay circuit DEL11 and the delay time of the delay circuit DEL12 can be made the same, and the delay time of the delay circuit DEL21 and the delay time of the delay circuit DEL22 can be made the same. can be In the present embodiment, similarly to the first embodiment, the delay time of the delay circuit DEL11 and the delay time of the delay circuit DEL12 are set to be different times, and the delay time of the delay circuit DEL21 and the delay time of the delay circuit DEL22 are different from each other. Different times may be used.

<第3実施形態>
図6は、第3実施形態に係るスイッチング制御回路を概略的に示した図である。本実施形態に係るスイッチング制御回路が第1実施形態に係るスイッチング制御回路と異なる点は、遅延回路DEL11及びDEL12がパルス信号Dの反転信号XDではなくパルス信号Dを入力し、定電流源CS11にスイッチQ11(Pチャネル型MOS電界効果トランジスタQ11)を直列に接続し、定電流源CS12にスイッチQ12(Pチャネル型MOS電界効果トランジスタQ12)を直列に接続し、遅延回路DEL11から出力される遅延信号を定電流源CS11ではなくスイッチQ11のゲートに供給し、遅延回路DEL12から出力される遅延信号を定電流源CS12ではなくスイッチQ12のゲートに供給する点である。
<Third Embodiment>
FIG. 6 is a schematic diagram of a switching control circuit according to the third embodiment. The switching control circuit according to the present embodiment differs from the switching control circuit according to the first embodiment in that the delay circuits DEL11 and DEL12 input the pulse signal D instead of the inverted signal XD of the pulse signal D, and the constant current source CS11 A switch Q11 (P-channel MOS field effect transistor Q11) is connected in series, a switch Q12 (P-channel MOS field effect transistor Q12) is connected in series to a constant current source CS12, and a delay signal output from a delay circuit DEL11 is supplied to the gate of the switch Q11 instead of the constant current source CS11, and the delay signal output from the delay circuit DEL12 is supplied to the gate of the switch Q12 instead of the constant current source CS12.

本実施形態に係るスイッチング制御回路によると、第1実施形態に係るスイッチング制御回路と同様に、スイッチング素子Q3の駆動時に発生するEMIノイズのピーク値を低下させることができる。これにより、スイッチング素子Q3の駆動時に発生するEMIノイズによる周囲の機器への悪影響を低減することができる。 According to the switching control circuit according to the present embodiment, similarly to the switching control circuit according to the first embodiment, it is possible to reduce the peak value of EMI noise generated when the switching element Q3 is driven. As a result, it is possible to reduce the adverse effects of EMI noise generated when the switching element Q3 is driven on surrounding devices.

<第4実施形態>
図7A~図7Cはそれぞれ、第4実施形態に係るスイッチング制御回路を概略的に示した図である。本実施形態に係るスイッチング制御回路が第1実施形態に係るスイッチング制御回路と異なる点は、定電流源を用いていないことである。
<Fourth Embodiment>
7A to 7C are diagrams schematically showing switching control circuits according to a fourth embodiment. The switching control circuit according to this embodiment differs from the switching control circuit according to the first embodiment in that it does not use a constant current source.

図7Aに示す構成では、遅延回路DEL11及びDEL12がパルス信号Dの反転信号XDではなくパルス信号Dを入力し、定電流源CS10の代わりに抵抗R10を用い、定電流源CS11の代わりに、抵抗R11と遅延回路DEL11から出力される遅延信号がローレベルであるときにオンになり遅延回路DEL11から出力される遅延信号がハイレベルであるときにオフになるスイッチQ11(Pチャネル型MOS電界効果トランジスタQ11)との直列回路を用い、定電流源CS12の代わりに、抵抗R12と遅延回路DEL12から出力される遅延信号がローレベルであるときにオンになり遅延回路DEL12から出力される遅延信号がハイレベルであるときにオフになるスイッチQ12(Pチャネル型MOS電界効果トランジスタQ12)との直列回路を用いている。さらに、図7Aに示す構成では、定電流源CS20の代わりに抵抗R20を用い、定電流源CS21の代わりに、抵抗R21と遅延回路DEL21から出力される遅延信号がハイレベルであるときにオンになり遅延回路DEL21から出力される遅延信号がローレベルであるときにオフになるスイッチQ21(Nチャネル型MOS電界効果トランジスタQ21)との直列回路を用い、定電流源CS22の代わりに、抵抗R22と遅延回路DEL22から出力される遅延信号がハイレベルであるときにオンになり遅延回路DEL22から出力される遅延信号がローレベルであるときにオフになるスイッチQ22(Nチャネル型MOS電界効果トランジスタQ22)との直列回路を用いている。 In the configuration shown in FIG. 7A, the delay circuits DEL11 and DEL12 receive the pulse signal D instead of the inverted signal XD of the pulse signal D, the resistor R10 is used instead of the constant current source CS10, and the resistor R10 is used instead of the constant current source CS11. A switch Q11 (P-channel MOS field effect transistor) is turned on when the delay signal output from R11 and the delay circuit DEL11 is at a low level and turned off when the delay signal output from the delay circuit DEL11 is at a high level. Q11), instead of the constant current source CS12, it turns on when the delay signal output from the resistor R12 and the delay circuit DEL12 is at a low level, and the delay signal output from the delay circuit DEL12 is at a high level. A series circuit with a switch Q12 (P-channel MOS field effect transistor Q12) that is turned off when it is at level is used. Furthermore, in the configuration shown in FIG. 7A, a resistor R20 is used instead of the constant current source CS20, and instead of the constant current source CS21, the resistor R21 and the delay circuit DEL21 are turned on when the delay signal output from the delay circuit DEL21 is at a high level. A series circuit with a switch Q21 (N-channel MOS field effect transistor Q21) that is turned off when the delay signal output from the delay circuit DEL21 is at a low level is used, instead of the constant current source CS22, a resistor R22 and A switch Q22 (N-channel MOS field effect transistor Q22) which is turned on when the delay signal output from the delay circuit DEL22 is at high level and turned off when the delay signal output from the delay circuit DEL22 is at low level. A series circuit with

図7Bに示す構成では、遅延回路DEL11及びDEL12がパルス信号Dの反転信号XDではなくパルス信号Dを入力し、定電流源CS10~CS12それぞれの代わりにPチャネル型MOS電界効果トランジスタQ10~Q12を用い、定電流源CS20~CS22それぞれの代わりにNチャネル型MOS電界効果トランジスタQ20~Q22を用いている。 In the configuration shown in FIG. 7B, the delay circuits DEL11 and DEL12 receive the pulse signal D instead of the inverted signal XD of the pulse signal D, and the constant current sources CS10 to CS12 are replaced by P-channel MOS field effect transistors Q10 to Q12. N-channel MOS field effect transistors Q20 to Q22 are used instead of the constant current sources CS20 to CS22, respectively.

図7Cに示す構成では、遅延回路DEL11及びDEL12がパルス信号Dの反転信号XDではなくパルス信号Dを入力し、定電流源CS10~CS12それぞれの代わりにPNP型バイポーラトランジスタQ10~Q12を用い、定電流源CS20~CS22それぞれの代わりにNPN型バイポーラトランジスタQ20~Q22を用いている。 In the configuration shown in FIG. 7C, the delay circuits DEL11 and DEL12 receive the pulse signal D instead of the inverted signal XD of the pulse signal D, and PNP bipolar transistors Q10 to Q12 are used instead of the constant current sources CS10 to CS12. NPN bipolar transistors Q20-Q22 are used in place of current sources CS20-CS22, respectively.

本実施形態に係るスイッチング制御回路によると、第1実施形態に係るスイッチング制御回路と同様に、スイッチング素子Q3の駆動時に発生するEMIノイズのピーク値を低下させることができる。これにより、スイッチング素子Q3の駆動時に発生するEMIノイズによる周囲の機器への悪影響を低減することができる。ただし、本実施形態に係るスイッチング制御回路では、電流源1及び2が定電流源によって構成されていないので、電流源1及び2のドライブ能力が温度等によって変動し易い。 According to the switching control circuit according to the present embodiment, similarly to the switching control circuit according to the first embodiment, it is possible to reduce the peak value of EMI noise generated when the switching element Q3 is driven. As a result, it is possible to reduce the adverse effects of EMI noise generated when the switching element Q3 is driven on surrounding devices. However, in the switching control circuit according to the present embodiment, the current sources 1 and 2 are not composed of constant current sources, so the drive capabilities of the current sources 1 and 2 are likely to fluctuate due to temperature and the like.

また、第1実施形態に係るスイッチング制御回路から第4実施形態に係るスイッチング制御回路への変更と同様の変更を、第2実施形態に係るスイッチング制御回路に対しても行うことができる。 Further, the same change as that of the switching control circuit according to the first embodiment to the switching control circuit according to the fourth embodiment can also be made to the switching control circuit according to the second embodiment.

<用途>
上述したスイッチング制御回路の用途について説明する。例えば、図1に示す回路全体を図8に示す通信IC10の出力段として用いるとよい。図8に示す通信IC10は、通信装置として機能し、端子T2からバスライン11を介して他のデバイス12にパルス信号である出力電圧Voutを出力する。通信IC10が車両に搭載される場合は、バスライン11は例えばLIN(Local Interconnect Network)バスラインにすればよい。
<Application>
Applications of the switching control circuit described above will be described. For example, the entire circuit shown in FIG. 1 may be used as the output stage of the communication IC 10 shown in FIG. The communication IC 10 shown in FIG. 8 functions as a communication device and outputs an output voltage Vout, which is a pulse signal, to another device 12 from the terminal T2 via the bus line 11. FIG. When the communication IC 10 is mounted on a vehicle, the bus line 11 may be, for example, a LIN (Local Interconnect Network) bus line.

また、例えば図1に示す回路全体を図9に示すスイッチング電源IC20の出力段として用いるとよい。図9に示すスイッチング電源IC20、インダクタL1、出力コンデンサCO、及び分圧抵抗Rd1及びRd2は、降圧型スイッチング電源装置として機能する。インダクタL1及び出力コンデンサCOは、スイッチング電源IC20の端子T2から出力される出力電圧Voutを平滑化して電圧Voを生成する。分圧抵抗Rd1及びRd2は、電圧Voを分圧し、電圧Voの分圧をスイッチング電源IC20に供給する。スイッチング電源IC20は電圧Voの分圧に基づいてパルス信号Dを生成する。 Also, for example, the entire circuit shown in FIG. 1 may be used as the output stage of the switching power supply IC 20 shown in FIG. The switching power supply IC 20, inductor L1, output capacitor CO, and voltage dividing resistors Rd1 and Rd2 shown in FIG. 9 function as a step-down switching power supply. The inductor L1 and the output capacitor CO smooth the output voltage Vout output from the terminal T2 of the switching power supply IC20 to generate the voltage Vo. The voltage dividing resistors Rd1 and Rd2 divide the voltage Vo and supply the divided voltage of the voltage Vo to the switching power supply IC20. The switching power supply IC 20 generates a pulse signal D based on the voltage division of the voltage Vo.

図10は、上述した通信IC10及びスイッチング電源IC20の少なくとも一つを搭載した車両Xを示す外観図である。 FIG. 10 is an external view showing a vehicle X equipped with at least one of the communication IC 10 and the switching power supply IC 20 described above.

図11は、上述した通信IC10及びスイッチング電源IC20の少なくとも一つを搭載した電子機器の一例(携帯端末(スマートフォン)Z)を示す外観図である。ただし、携帯端末Xは、あくまで通信装置やスイッチング電源装置が好適に搭載される電子機器の例示に過ぎず、上述した通信IC10及びスイッチング電源IC20は、多種多様な電子機器(特にノイズ対策の強化が要求される電子機器)に搭載することができる。 FIG. 11 is an external view showing an example of an electronic device (portable terminal (smartphone) Z) in which at least one of the communication IC 10 and the switching power supply IC 20 described above is installed. However, the mobile terminal X is merely an example of an electronic device in which a communication device or a switching power supply device is suitably mounted, and the communication IC 10 and the switching power supply IC 20 described above can be applied to a wide variety of electronic devices required electronic equipment).

<変形例>
上記実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
<Modification>
The above embodiments should be considered illustrative in all respects and not restrictive, and the technical scope of the present invention is indicated by the scope of claims rather than the description of the above embodiments. It should be understood that all modifications that fall within the meaning and range of equivalents of the claims are included.

例えば、本明細書中に示される複数の実施形態及び変形例は可能な範囲で組み合わせて実施されてよい。 For example, multiple embodiments and modifications shown in this specification may be implemented in combination to the extent possible.

また例えば、上述した各実施形態では、電流源1に遅延信号を出力する遅延回路を2個設け、出力電圧Voutの各立ち下がりエッジにおいて、スイッチング素子Q3に供給されるゲート信号の立ち上がりスルーレートは3種類とし、電流源2に遅延信号を出力する遅延回路を2個設け、出力電圧Voutの各立ち上がりエッジにおいて、スイッチング素子Q3に供給されるゲート信号の立ち上がりスルーレートは3種類としている。しかしながら、これらの例に限定されることはなく、m、nを任意の自然数とし、電流源1に遅延信号を出力する遅延回路をm個設け、出力電圧Voutの各立ち下がりエッジにおいて、スイッチング素子Q3に供給されるゲート信号の立ち上がりスルーレートは(m+1)種類とし、電流源2に遅延信号を出力する遅延回路をn個設け、出力電圧Voutの各立ち上がりエッジにおいて、スイッチング素子Q3に供給されるゲート信号の立ち上がりスルーレートは(n+1)種類とすればよい。さらに、mとnのうち一方を自然数ではなく、零にしてもよい。例えば、第1実施形態に対してn=0とする変形を施した場合、図12に示すような構成になる。 Further, for example, in each of the above-described embodiments, two delay circuits for outputting delay signals are provided in the current source 1, and at each falling edge of the output voltage Vout, the rising slew rate of the gate signal supplied to the switching element Q3 is Two delay circuits for outputting delay signals to the current source 2 are provided, and three rising slew rates of the gate signal supplied to the switching element Q3 are provided at each rising edge of the output voltage Vout. However, the present invention is not limited to these examples, m and n are arbitrary natural numbers, and m delay circuits for outputting delay signals to the current source 1 are provided, and at each falling edge of the output voltage Vout, the switching element The rising slew rate of the gate signal supplied to Q3 is (m+1) types, n delay circuits are provided to output the delay signal to the current source 2, and the signal is supplied to the switching element Q3 at each rising edge of the output voltage Vout. The rising slew rate of the gate signal may be (n+1) types. Furthermore, one of m and n may be zero instead of a natural number. For example, if the first embodiment is modified to have n=0, the configuration shown in FIG. 12 is obtained.

1、2 電流源
10 通信IC
20 スイッチング電源IC
D パルス信号
DEL11、DEL12、DEL21、DEL22 遅延回路
Q1、Q2 スイッチ
Q3 スイッチング素子
Y 車両
Z 携帯端末
1, 2 current source 10 communication IC
20 switching power supply IC
D Pulse signal DEL11, DEL12, DEL21, DEL22 Delay circuit Q1, Q2 Switch Q3 Switching element Y Vehicle Z Portable terminal

Claims (8)

第1電流源と、
第2電流源と、
前記第1電流源とスイッチング素子のゲートとの間に設けられる第1スイッチと、
前記第2電流源と前記スイッチング素子のゲートとの間に設けられる第2スイッチと、
複数の遅延回路と、
を備え、
前記第1スイッチ及び前記第2スイッチはパルス信号に応じて相補的にオン/オフし、
前記複数の遅延回路各々は、前記パルス信号又は前記パルス信号の反転信号を入力信号として受け取り、
前記スイッチング素子のオン/オフに応じて生成される信号の各パルスの両エッジの一方で前記第1電流源によって前記スイッチング素子のゲートに供給される電流の値が可変し、且つ、前記第1電流源が複数の第1サブ電流源を備え、前記複数の第1サブ電流源各々のオンタイミングが異なり、及び/又は、
前記両エッジの他方で前記第2電流源によって前記スイッチング素子のゲートから引き抜かれる電流の値が可変し、且つ、前記第2電流源が複数の第2サブ電流源を備え、前記複数の第2サブ電流源各々のオンタイミングが異なり、
前記オンタイミングの異なり具合が前記複数の遅延回路の出力によって定まる、スイッチング制御回路。
a first current source;
a second current source;
a first switch provided between the first current source and a gate of a switching element;
a second switch provided between the second current source and the gate of the switching element;
a plurality of delay circuits;
with
the first switch and the second switch are complementarily turned on/off in response to a pulse signal;
each of the plurality of delay circuits receives the pulse signal or an inverted signal of the pulse signal as an input signal;
The value of the current supplied to the gate of the switching element by the first current source at one of both edges of each pulse of the signal generated according to the on/off of the switching element is variable , and The current source includes a plurality of first sub-current sources, each of the plurality of first sub-current sources has a different on-timing , and/or
The value of the current drawn from the gate of the switching element by the second current source at the other of the two edges is variable , and the second current source includes a plurality of second sub-current sources, and the plurality of second sub-current sources The on-timing of each sub-current source is different,
A switching control circuit, wherein the degree of difference in the on-timings is determined by the outputs of the plurality of delay circuits.
前記両エッジの一方で前記スイッチング素子のゲートに供給される電流の積算値と、前記両エッジの他方で前記スイッチング素子のゲートから引き抜かれる電流の積算値との和が略一定である、請求項1に記載のスイッチング制御回路。 3. The sum of an integrated value of the current supplied to the gate of the switching element on one of the edges and an integrated value of the current drawn from the gate of the switching element on the other of the edges is substantially constant. 2. The switching control circuit according to 1. 前記複数の遅延回路の少なくとも2つは、直列接続される、請求項1又は請求項2に記載のスイッチング制御回路。 3. The switching control circuit according to claim 1 , wherein at least two of said plurality of delay circuits are connected in series. 前記スイッチング素子のオン/オフに応じて生成される信号の各パルスの両エッジにおいて、一方のエッジでの前記スイッチング素子のゲートに供給される信号の立ち上がりスルーレート時間と、他方のエッジでの前記スイッチング素子のゲートに供給される信号の立ち下がりスルーレート時間との和が略一定である、請求項1~のいずれか一項に記載のスイッチング制御回路。 At both edges of each pulse of the signal generated according to the ON/OFF of the switching element, the rising slew rate time of the signal supplied to the gate of the switching element at one edge and the rising slew rate time of the signal supplied to the gate of the switching element at the other edge 4. The switching control circuit according to any one of claims 1 to 3 , wherein the sum of the signal supplied to the gate of the switching element and the fall slew rate time is substantially constant. 請求項1~のいずれか一項に記載のスイッチング制御回路と、前記スイッチング素子と、を備える、通信装置。 A communication device, comprising: the switching control circuit according to any one of claims 1 to 4 ; and the switching element. 請求項1~のいずれか一項に記載のスイッチング制御回路と、前記スイッチング素子と、を備える、スイッチング電源装置。 A switching power supply device comprising: the switching control circuit according to any one of claims 1 to 4 ; and the switching element. 請求項に記載の通信装置及び請求項に記載のスイッチング電源装置の少なくとも一方を備える、車両。 A vehicle comprising at least one of the communication device according to claim 5 and the switching power supply device according to claim 6 . 請求項に記載の通信装置及び請求項に記載のスイッチング電源装置の少なくとも一方を備える、電子機器。 An electronic device comprising at least one of the communication device according to claim 5 and the switching power supply device according to claim 6 .
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