JP7212437B2 - Semiconductor device, its manufacturing method and semiconductor manufacturing system - Google Patents
Semiconductor device, its manufacturing method and semiconductor manufacturing system Download PDFInfo
- Publication number
- JP7212437B2 JP7212437B2 JP2020518622A JP2020518622A JP7212437B2 JP 7212437 B2 JP7212437 B2 JP 7212437B2 JP 2020518622 A JP2020518622 A JP 2020518622A JP 2020518622 A JP2020518622 A JP 2020518622A JP 7212437 B2 JP7212437 B2 JP 7212437B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type layer
- junction
- group
- forming
- narrow bandgap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 47
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 15
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical group [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
- H01L29/66136—PN junction diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0328—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032
- H01L31/0336—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032 in different semiconductor regions, e.g. Cu2X/CdX hetero- junctions, X being an element of Group VI of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02398—Antimonides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02488—Insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02549—Antimonides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02554—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
本発明は、一般に、室温で整流特性を有して動作するナロー・バンドギャップ半導体を有するダイオードを製造するための方法、装置に関する。より詳細には、本発明は、ヘテロ接合ナロー・バンドギャップ・ダイオードおよびその製造の方法に関する。 The present invention relates generally to methods and apparatus for fabricating diodes having narrow bandgap semiconductors that operate with rectifying properties at room temperature. More particularly, the present invention relates to heterojunction narrow bandgap diodes and methods of fabrication thereof.
接合ダイオードは、順方向分極(すなわち、p型半導体に印加した正電圧およびn型半導体に印加した負電圧)におけるしきい値電圧、典型的にはシリコンp-nダイオードに関して0.6V、よりも上の分極に対して低いインピーダンスを、そして逆方向分極でははるかに高いインピーダンスを示す基本の半導体デバイスである。本質的に、理想的なダイオードは、電流の流れの1つの方向には導電体であり、反対方向には絶縁体である。 Junction diodes have a threshold voltage at forward polarization (i.e., positive voltage applied to the p-type semiconductor and negative voltage applied to the n-type semiconductor), typically 0.6 V for silicon pn diodes, than It is a basic semiconductor device that exhibits low impedance for up polarization and much higher impedance for reverse polarization. Essentially, an ideal diode is a conductor in one direction of current flow and an insulator in the opposite direction.
光検出器ダイオードは、光吸収に対して伝導が敏感であるダイオードである。光検出器ダイオードは、限定しないが、可視、紫外、および赤外を含め波長の特定の範囲の光に反応するために作成される。例えば、x線検出器およびガンマ線検出器ダイオードは、他の高エネルギー・フォトンを検出すると導通する。 A photodetector diode is a diode whose conduction is sensitive to light absorption. Photodetector diodes are made to respond to a particular range of wavelengths of light, including but not limited to visible, ultraviolet, and infrared. For example, x-ray detector and gamma-ray detector diodes conduct when they detect other high-energy photons.
固体物理では、エネルギー・ギャップまたはバンドギャップとも呼ばれる、バンド・ギャップは、電子状態が存在できない固体中のエネルギー範囲である。固体の電子的バンド構造のグラフでは、バンド・ギャップは、一般に、絶縁体および半導体内の価電子帯の最上部と伝導帯の底部との間の(電子ボルト「eV」での)エネルギー差を呼ぶ。バンドギャップは、固体内の原子に結び付いた価電子を引き上げて、結晶格子内を自由に動き、そして電流を伝導する電荷キャリアとして働く伝導電子にするために必要な最小エネルギーである。 In solid-state physics, the bandgap, also called energy gap or bandgap, is the range of energies in a solid in which electronic states cannot exist. In a graph of the electronic band structure of a solid, the band gap generally measures the energy difference (in electron volts "eV") between the top of the valence band and the bottom of the conduction band in insulators and semiconductors. call. The bandgap is the minimum energy required to lift a valence electron bound to an atom in a solid into a conduction electron that is free to move in the crystal lattice and act as a charge carrier to conduct current.
本発明は、ヘテロ接合ナロー・バンドギャップを有する半導体デバイス、その製造方法および半導体製造システムを提供する。 The present invention provides a semiconductor device having a heterojunction narrow bandgap, a method of manufacturing the same, and a semiconductor manufacturing system.
本発明の実施形態は、方法、デバイス、および光検出器システムを提供する。本発明のある実施形態は、半導体デバイスの形態を取り、前記半導体デバイスは、n型にドープした酸化亜鉛層と、周期律表の第3A列および第5A列からの元素のナロー・バンドギャップ材料から形成されたp型層と、前記n型層と前記p型層との間の接合とを含み、前記接合がある温度範囲で整流特性を有するヘテロ接合ダイオードとして動作可能であり、前記温度範囲が室温のところに上限を有し、これにより室温で動作可能であるヘテロ接合ダイオードを提供する。 Embodiments of the present invention provide methods, devices and photodetector systems. Some embodiments of the present invention take the form of a semiconductor device comprising an n-type doped zinc oxide layer and a narrow bandgap material of elements from columns 3A and 5A of the periodic table. and a junction between said n-type layer and said p-type layer, said junction being operable as a heterojunction diode having rectifying properties over a temperature range, said temperature range has an upper limit at room temperature, thereby providing a heterojunction diode that can operate at room temperature.
前記3A族の元素はインジウムであってもよく、前記5A族の元素はアンチモンであってもよい。したがって、実施形態は、室温で動作可能である前記ヘテロ接合ダイオード用の特定のタイプの材料を提供する。 The Group 3A element may be indium and the Group 5A element may be antimony. Embodiments therefore provide a particular type of material for the heterojunction diode that is operable at room temperature.
前記ナロー・バンドギャップ材料は、アンチモン化インジウム(InSb)を含むことができる。 The narrow bandgap material can include indium antimonide (InSb).
前記p型層は、前記ナロー・バンドギャップ材料の単結晶を含むことができる。 The p-type layer may comprise a single crystal of the narrow bandgap material.
前記n型層は、アルミニウムをドープした酸化亜鉛を含むことができる。 The n-type layer may comprise zinc oxide doped with aluminum.
本発明のある実施形態は、窓構造をさらに含み、前記窓構造は、光が前記n型層に達することを可能にし、これにより光検出のために使用可能になるように前記ヘテロ接合ダイオードのためのさらなる構造を提供する。 An embodiment of the present invention further comprises a window structure, said window structure allowing light to reach said n-type layer, thereby making said heterojunction diode usable for light detection. provides further structure for
本発明のある実施形態は、前記半導体デバイスを製造するための製造方法を含む。 An embodiment of the invention includes a manufacturing method for manufacturing the semiconductor device.
本発明の特質と考えられる新規な特徴が、別記の特許請求の範囲に記載されている。しかしながら、発明それ自体、ならびに使用の好ましいモード、そのさらなる目的および利点は、添付した図面とともに読んだときに本発明の例示の実施形態の下記の詳細な説明を参照することによって最も良く理解されるだろう。 The novel features believed characteristic of the invention are set forth in the appended claims. The invention itself, however, as well as the preferred mode of use, further objects and advantages thereof, are best understood by reference to the following detailed description of illustrative embodiments of the invention when read in conjunction with the accompanying drawings. right.
図1は、バンドギャップを図説している単純化したチャートを描いている。Evは、物質の価電子帯の最大エネルギー・レベルであり、Ecは、同じ物質の伝導帯の最小エネルギー・レベルであり、そしてEgは、物質を電導性にさせるために電子が価電子帯から伝導帯へとジャンプするためのエネルギー・ギャップ-すなわち、バンドギャップ・エネルギー-である。 FIG. 1 depicts a simplified chart illustrating the bandgap. Ev is the maximum energy level of the valence band of a material, Ec is the minimum energy level of the conduction band of the same material, and Eg is the maximum energy level in which electrons can escape from the valence band to make the material conductive. It is the energy gap for jumping to the conduction band—ie, the bandgap energy.
図2は、バンドギャップの光励起遷移のチャートを描いている。エネルギーがバンドギャップEgを超えるフォトンに物質が曝されたときに、電子は、価電子帯から伝導帯へとジャンプすることができる。 FIG. 2 depicts a chart of the photoexcited transition of the bandgap. Electrons can jump from the valence band to the conduction band when the material is exposed to photons whose energies exceed the bandgap Eg.
ナロー・バンドギャップを有するダイオードは、例えば、1ミクロンより長い、長波長光に対して望ましい。ここで、ナロー・バンドギャップを、1eV未満と定義する。 A diode with a narrow bandgap is desirable for long wavelength light, eg, longer than 1 micron. Here, a narrow bandgap is defined as less than 1 eV.
狭くない(例えば、上記の例のうちのいくつかでは1eVよりも大きい)バンドギャップは、大きいまたは高いバンドギャップである。バンドギャップが狭くなるほど、物質が伝導性になるために必要なエネルギーは少ない。光検出用ダイオードのケースでは、バンドギャップが狭くなるほど、ダイオードを伝導性へとトリガするために、より小さなエネルギーのフォトンしか必要としない。 A bandgap that is not narrow (eg, greater than 1 eV in some of the examples above) is a large or high bandgap. The narrower the bandgap, the less energy a material needs to become conductive. In the case of photodetector diodes, the narrower the bandgap, the less energy photons are required to trigger the diode to become conductive.
いくつかのナロー・バンドギャップ光検出用ダイオードが、現在入手可能である。現在入手可能なナロー・バンドギャップを有する光検出器ダイオードは、熱キャリア発生を減少させるため、したがって信号対雑音比を大きくするためにこれらのダイオードを液体窒素温度77ケルビンまたは摂氏-196度(℃)まで冷却する必要があるという理由で使用することが難しい。 Several narrow bandgap photodetecting diodes are currently available. Currently available photodetector diodes with narrow bandgaps have been tested at liquid nitrogen temperatures of 77 Kelvin or -196 degrees Celsius (°C) to reduce thermal carrier generation and thus increase the signal-to-noise ratio. ) is difficult to use.
ダイオードは、n型材料(nドープの材料とも呼ばれる)とp型材料(pドープの材料としても呼ばれる)との間の電気的接合を含む。接合は、p-n接合としても呼ばれる。 A diode includes an electrical junction between an n-type material (also called n-doped material) and a p-type material (also called p-doped material). Junctions are also called pn junctions.
本発明の実施形態は、ナロー・バンドギャップを有するp-nダイオードを提供し、半導体は、室温で整流特性を示すことができ、これが室温でまたは超低温に冷却することを必要とせずに、長波長のフォトンの検出を可能にする。 Embodiments of the present invention provide a pn diode with a narrow bandgap, the semiconductor can exhibit rectifying properties at room temperature, which can be used for long periods of time without the need for cooling at room temperature or to cryogenic temperatures. Allows detection of photons of wavelengths.
本発明の実施形態は、これゆえ一般に、ヘテロ接合ナロー・バンドギャップ・ダイオードを低温で動作させるために上に説明した必要性に対処し、解決する。本発明の実施形態はまた、室温で整流特性を示すナロー・バンドギャップ半導体を利用するヘテロ接合ダイオードの製造方法を提供する。 Embodiments of the present invention thus generally address and solve the above-described need for low temperature operation of heterojunction narrow bandgap diodes. Embodiments of the present invention also provide methods of fabricating heterojunction diodes that utilize narrow bandgap semiconductors that exhibit rectifying properties at room temperature.
本発明を具現化している装置は、大きなバンドギャップ半導体および室温以下で動作することができるナロー・バンドギャップ半導体により形成されたヘテロ接合ダイオードである。本発明のもう1つの実施形態は、装置の製造方法である。本発明の実施形態を、既存の半導体製造システム、スタンドアロン・アプリケーションまたは、これらのいくつかの組み合わせとともに動作する別のアプリケーションとして、フォトリソグラフィ・システムなどの既存の半導体製造システムの修正形態として構成することができる。例えば、アプリケーションは、本明細書において説明したように、室温で動作できるヘテロ接合ナロー・バンドギャップ・ダイオードを製造するために、半導体製造システムに本明細書において説明した方法のステップを実行するようにさせる。 A device embodying the invention is a heterojunction diode formed from a large bandgap semiconductor and a narrow bandgap semiconductor that can operate at room temperature or below. Another embodiment of the invention is a method of manufacturing a device. Configure embodiments of the present invention as modifications of existing semiconductor manufacturing systems, such as photolithography systems, as separate applications that operate with existing semiconductor manufacturing systems, stand-alone applications, or some combination thereof. can be done. For example, an application may be directed to a semiconductor manufacturing system to perform the method steps described herein to fabricate a heterojunction narrow bandgap diode capable of operating at room temperature, as described herein. Let
単に説明の明確さのために、そして説明に対する何らかの限定をほのめかさずに、本発明の実施形態を、本明細書において説明する新規なp-n接合を使用するダイオード型の半導体デバイスを使用して説明する。実施形態を、低エネルギー光放射を用いたナロー・バンドギャップ遷移が室温で望まれる異なるタイプの半導体デバイスを用いて実装することができ、このような他の半導体デバイスは、本発明の範囲内であると考えられる。 Merely for clarity of description, and without implying any limitation to the description, embodiments of the present invention will be described as diode-type semiconductor devices using the novel pn junctions described herein. Use and explain. Embodiments can be implemented with different types of semiconductor devices in which a narrow bandgap transition with low-energy optical radiation is desired at room temperature; such other semiconductor devices are within the scope of the present invention. It is believed that there is.
さらにその上、p-n接合の単純化した図を、図では使用している。実際の製造では、本明細書には示さないもしくは説明しない追加の構造、または本明細書に示しそして説明したものとは異なる構造を、本発明の範囲から乖離せずに提示することができる。同様に、本発明の範囲内で、例の半導体デバイスにおいて示したまたは説明した構造を、同じ材料からであるが異なる方法を使用して製造することができて、本明細書において説明したような同様の動作または結果をもたらす。 Furthermore, simplified diagrams of pn junctions are used in the figures. Additional structures not shown or described herein, or structures different from those shown and described herein, may be present in the actual manufacture without departing from the scope of the invention. Similarly, within the scope of the present invention, the structures shown or described in the example semiconductor devices can be fabricated from the same materials but using different methods, such as those described herein. produce a similar action or result.
例の構造、層、および形態の二次元図で別なふうに影を付けた部分は、本明細書において説明するように、例の製造における異なる構造、層、および形態を表すものとする。等価な材料が、本明細書において説明するように、材料、得られるデバイス、または両方の同じまたは類似の特性を示す限り、異なる構造、層、および形態を、説明した材料または説明した材料の他の適切な等価物を使用して製造することができる。 Differentially shaded portions in two-dimensional views of example structures, layers, and features are intended to represent different structures, layers, and features in example fabrication, as described herein. Different structures, layers, and morphologies may be used in conjunction with the materials described or other materials described, so long as the equivalent materials exhibit the same or similar properties of the materials, the resulting device, or both, as described herein. can be prepared using suitable equivalents of
本明細書に描いた形状の具体的な形、場所、位置または寸法は、このような特質が本発明の実施形態の特徴として明確に記述されない限り、本発明の実施形態に限定するものではない。形、場所、位置、寸法、またはこれらのいくつかの組み合わせは、単に図面および説明の明確さのために選択され、本発明の実施形態にしたがった目的物を実現するために実際のフォトリソグラフィにおいて使用されるはずの実際の形、場所、位置、または寸法から誇張されている、最小化されているまたはそうでなければ変更されていることがあってもよい。 The specific shapes, locations, locations or dimensions of features depicted herein are not intended to limit embodiments of the invention unless such features are explicitly stated to be characteristic of an embodiment of the invention. . Shapes, locations, positions, dimensions, or some combination thereof, have been chosen merely for clarity of illustration and description, and may be used in actual photolithography to achieve the objectives according to embodiments of the present invention. It may be exaggerated, minimized or otherwise altered from the actual shape, location, position or dimensions to be used.
さらにその上、本発明の実施形態を、単に例として特定の実際のまたは仮の半導体デバイスに関して説明する。本明細書において説明するステップを、同様の方式で様々なプレーナ半導体デバイスおよび非プレーナ半導体デバイスを製造するために適合させることができ、このような適合は、本発明の範囲内であると考えられる。具体的なコンタクト配置もまた、本発明の実施形態の様々な動作を説明するための例として使用されるにすぎない。当業者なら、別の方式で別の目的のためにp-n接合への電気的なアクセスを同様に提供するために本発明の実施形態を使用することができるだろう、そしてこのような適合もまた、本発明の範囲内であると考えられる。 Furthermore, embodiments of the present invention are described with respect to particular real or hypothetical semiconductor devices by way of example only. The steps described herein can be adapted in a similar manner to fabricate a variety of planar and non-planar semiconductor devices, and such adaptations are considered within the scope of the present invention. . Specific contact arrangements are also used only as examples to illustrate various operations of embodiments of the present invention. Those skilled in the art will be able to use embodiments of the present invention to similarly provide electrical access to pn junctions for other purposes in other manners and such adaptations. are also considered to be within the scope of the present invention.
アプリケーションにおいて実施されるときに本発明の実施形態は、製造プロセスに本明細書において説明するようなある種のステップを実行させる。製造プロセスのステップが、いくつかの図に描かれている。すべてのステップが、特定の製造プロセスにおいて必要である訳ではなくてもよい。いくつかの製造プロセスを、本発明の範囲から乖離することなく、異なる順番で実施することがあり、ある複数のステップを組み合わせることがあり、あるステップを削除するもしくは置き換えることがあり、またはこれらのステップおよびステップの他の巧みな操作のいくつかの組み合わせを実行することがある。 Embodiments of the invention when implemented in an application cause the manufacturing process to perform certain steps as described herein. The steps of the manufacturing process are depicted in several figures. Not all steps may be required in a particular manufacturing process. Certain manufacturing processes may be performed in a different order, certain steps may be combined, certain steps may be omitted or replaced, or any combination thereof without departing from the scope of the present invention. Some combination of steps and other manipulations of steps may be performed.
本明細書において説明する本発明の実施形態の方法は、デバイスまたはデータ処理システム上で実行するように実装されると、室温以下で動作することができるヘテロ接合ナロー・バンドギャップ光検出器ダイオードを製造する際にデバイスまたはデータ処理システムの機能の実質的な進歩を含む。このように、本発明の実施形態の方法を実行することによるこのようなデバイスまたはデータ処理システムの実質的な進歩は、室温以下で整流特性を有するナロー・バンドギャップ半導体を用いたヘテロ接合の製造の改善にある。 The methods of embodiments of the invention described herein, when implemented to run on a device or data processing system, produce heterojunction narrow bandgap photodetector diodes capable of operating below room temperature. Includes substantial advancement in the functionality of a device or data processing system during manufacture. Thus, a substantial advance in such devices or data processing systems by carrying out the methods of embodiments of the present invention is the fabrication of heterojunctions using narrow bandgap semiconductors with rectifying properties at room temperature and below. in the improvement of
本発明の実施形態は、単に例として、デバイス、電気的特性、構造、形成、層の配向、方向、ステップ、動作、平面、構造、寸法、ニューメロシティ(numerosity)、データ処理システム、環境、構成要素、およびアプリケーションのうちのある種のタイプに関して説明する。これらのおよび他の類似の人工物のいずれかの具体的な表現は、本発明を限定するものではない。これらのおよび他の類似の人工物のいずれかの適切な表現を、本発明の範囲内で選択することができる。 Embodiments of the present invention describe, by way of example only, devices, electrical properties, structures, formations, layer orientations, orientations, steps, operations, planes, structures, dimensions, numerosity, data processing systems, environments, Certain types of components and applications are described. Specific representations of any of these and other similar artifacts are not limiting of the invention. Any suitable representation of these and other similar artifacts may be selected within the scope of the present invention.
さらにその上、本発明の実施形態を、任意のタイプのデータ、データ・ソース、またはデータ・ネットワークを通したデータ・ソースへのアクセスに関して実施することができる。任意のタイプのデータ・ストレージ・デバイスは、発明の範囲内で、データ処理システムにおいてローカルにまたはデータ・ネットワークを通してのいずれかで発明の実施形態にデータを提供できる。本発明の実施形態がモバイル・デバイスを使用して説明される場合には、モバイル・デバイスでの使用に適した任意のタイプのデータ・ストレージ・デバイスは、本発明の範囲内で、モバイル・デバイスにおいてローカルにまたはデータ・ネットワークを通してのいずれかでこのような実施形態にデータを提供できる。 Furthermore, embodiments of the present invention may be implemented with respect to any type of data, data sources, or access to data sources through data networks. Any type of data storage device may provide data to embodiments of the invention, either locally at the data processing system or over a data network, within the scope of the invention. Where embodiments of the present invention are described using mobile devices, any type of data storage device suitable for use with mobile devices is within the scope of the present invention. Data can be provided to such embodiments either locally in the , or through a data network.
本発明の実施形態が、単に例として特定のコード、設計、アーキテクチャ、プロトコル、レイアウト、図式、およびツールを使用して説明され、本発明に限定されない。さらにその上、本発明の実施形態を、説明の明確さのために単に例として特定のソフトウェア、ツール、およびデータ処理環境を使用していくつかの事例において説明する。本発明の実施形態を、他の同等のまたは類似の目的をもった構造、システム、アプリケーション、またはアーキテクチャとともに使用することができる。例えば、そのための他の同等のモバイル・デバイス、構造、システム、アプリケーション、またはアーキテクチャを、発明の範囲内で発明のこのような実施形態とともに使用することができる。本発明のある実施形態を、ハードウェア、ソフトウェア、またはその組み合わせで実装することができる。 Embodiments of the present invention are described using specific code, designs, architectures, protocols, layouts, schematics, and tools as examples only and not as limitations of the present invention. Furthermore, embodiments of the present invention are described in some instances using specific software, tools, and data processing environments as examples only for clarity of explanation. Embodiments of the present invention may be used in conjunction with other equivalent or similar purpose structures, systems, applications or architectures. For example, other equivalent mobile devices, structures, systems, applications or architectures therefor may be used with such embodiments of the invention within the scope of the invention. Certain embodiments of the invention may be implemented in hardware, software, or a combination thereof.
この説明では本発明の例を、説明の明確化のために使用するにすぎず、本発明に限定するものではない。追加のデータ、動作、行為、課題、活動、および巧みな操作は、この説明から創造できるだろう、そして同じことが、本発明の範囲内であると考えられる。 This description uses examples of the present invention only for clarity of explanation and is not intended to limit the present invention. Additional data, actions, actions, tasks, activities, and manipulations could be created from this description and are considered to be within the scope of the invention.
本明細書に列挙したすべての利点は、例にすぎず、本発明に限定するものではない。さらなる利点または異なる利点を、本発明の具体的な実施形態により実現することができる。さらにその上、本発明の特定の実施形態は、上に列挙した利点のいくつかまたはすべてを持っていても、何も持たなくてもよい。 All advantages listed herein are examples only and are not limiting of the present invention. Additional or different advantages may be realized through specific embodiments of the invention. Furthermore, particular embodiments of the invention may have some, all, or none of the above-listed advantages.
図3を参照して、この図は、本開示の実施形態にしたがって、p-n接合を使用して形成した例のダイオードのブロック概略図を描いている。ダイオード300は、p-n接合302を含む。接合302を、n型半導体材料304としてアルミニウム・ドープの酸化亜鉛(ZnO:AlまたはAZO)およびp型半導体材料306としてアンチモン化インジウム(InSb)を使用して形成する。インジウムは、周期律表では3A族元素であり、アンチモンは、周期律表では5A族元素である。2B族または3A族元素あるいはその両方および5A族または6A族元素あるいはその両方を含む他の合金を、本明細書において説明するInSbの振る舞いと類似の振る舞いを示すように、やはり形成することができる。AZOが、可視光および赤外光に透明であり、そしてヘテロ接合の形成を可能にするより大きなバンド・ギャップを有するという理由で、AZOを選択した。
Reference is made to FIG. 3, which depicts a block schematic diagram of an example diode formed using a pn junction, in accordance with an embodiment of the present disclosure.
材料304と306が接合302を形成するように構成される具体的な方式は、実装形態に特有であり、本発明の範囲から乖離することなく変えることができる。接合302を形成するために指定された材料の304と306を使用する実装形態は、(i)材料304(もしくは306)が埋め込まれる、溶け込ませる、ドープされる、もしくは他の材料と混合される、(ii)追加の構造、層、材料が接合302のところにもしくは近接して形成されるもしくは使用される、(iii)追加の構造、層、材料が接合302に面する材料304(もしくは306)の側以外の他の側に形成されるもしくは使用される、またはこれらのいくつかの組み合わせであってさえも、本発明の範囲内である。
The specific manner in which
図4を参照して、この図は、室温で動作することが可能なヘテロ接合ナロー・バンドギャップ光検出器ダイオードの例の実装形態の概略的ブロック図を描いている。半導体デバイス400は、図3のダイオード300のより詳細にした例である。半導体デバイス400は、アルミニウム(Al)をドープしたZnOを含む層404を備える。AlをZnOにドープする1つの非限定的な例の方法は、原子層堆積(ALD)法を使用することである。材料406は、Be、Zn、またはCdのようなアクセプタ・ドーパントをドープしたInSbを含む。
Referring to FIG. 4, this figure depicts a schematic block diagram of an example implementation of a heterojunction narrow bandgap photodetector diode capable of operating at room temperature.
接合402は、図3における接合302の例である。代替の手法として、材料404の表面を直接に材料406の表面に相互に電気的に結合させることにより、接合402を形成することができる。
任意選択で、適切な材料408、例えば、酸化アルミニウム(Al2O3)の層を、材料406の表面パッシベーションを向上させるため、したがってダイオードの整流特性を向上させるために、材料404と406との間の介在層として、例えば、ALDを使用して、接合402のところにやはり堆積することができる。
Optionally, a layer of a
層410と412を、コンタクト配置を可能にするために任意選択で製造する。電気回路内の他の構成要素と半導体デバイス400を電気的に接続するために、層410と412の上に配置されたコンタクト(図示せず)を使用できる。層410と412を、この目的のために適した任意の1つまたは複数の材料から、そして任意の適した製造方法を使用することにより形成することができる。いくつかの非限定的な例として、層410が、Alを使用して製造されるように示しており、層412を、クロム(Cr)および金(Au)を含む二重層を使用して製造したように示している。
図5を参照して、この図は、室温で動作することが可能であり本発明を具現化しているヘテロ接合ナロー・バンドギャップ光検出器ダイオードのもう1つの実装形態の概略的ブロック図を描いている。半導体デバイス500は、変更をともなった状態の図4のデバイス400の例である。デバイス500では、層410を、窓502を作成するような方式で形成する。基本的に、窓502は、適切な構造であるまたは構造のないものであり、光が層404へ達することを可能にする。描かれた非限定的な例では、窓502は、層410内の単純にギャップであり、これを通り光が通過できそして層406に達することができる。
Referring to FIG. 5, this figure depicts a schematic block diagram of another implementation of a heterojunction narrow bandgap photodetector diode capable of operating at room temperature and embodying the present invention. ing.
図6を参照して、この図は、室温でそして平衡な(層408が存在しない)AlドープのZnOおよびp型InSbにより形成したヘテロ接合の予想されるエネルギー・バンド図を描いている。半導体デバイス400または500のある実装形態を、プロット600を描く際に使用した。見られるように、層406に関して、p型材料InSbから構成されるときには、室温でEg=0.17eVの非常に狭いバンドギャップを有利なことにもたらす。層406を層404(Eg=3.57eVを有するアルミニウムをドープしたZnO)で構成すると、このように形成したp-nヘテロ接合は、室温で0.17eVで光トリガされる。
Referring to FIG. 6, this figure depicts the expected energy band diagram of a heterojunction formed by Al-doped ZnO and p-type InSb at room temperature and in equilibrium (
図7を参照して、この図は、室温での本発明を具現化しているヘテロ接合ダイオードの動作のグラフを描いている。半導体デバイス400または500の実装形態を、暗状態で室温で行った測定で使用した、これをプロット700に示している。プロット700は、半導体デバイス400または500が整流するダイオードの挙動を示すことを示している。漏れ電流(デバイスが逆方向に分極される(すなわち、正電圧がn型材料に印加される)ときにデバイスを通る電流)もまた、ナロー・バンドギャップInSbダイオードに関して小さい。暗状態および可視光での照明下でのプロット702に関して室温で実行した測定は、層406のp型材料としてInSbを使用するデバイス400または500の望ましいナロー・バンドギャップ光検出特性を示している。その光検出は、InSbのナロー・バンドギャップ・エネルギーを考えると、スペクトルの赤外領域のより長波長へ拡大するだろう。図7に描かれた具体的な実装形態および測定は、本発明に限定されるものではない。本発明の実施形態の実装に特有の変形形態を用いて、異なる測定を実現することができるが、層406が本明細書において説明したようにInSbで構成されるときには、実装に特有の変形形態でさえ、産業で受け入れられる許容範囲内で図6および図7に描かれたものと同等の室温ナロー・バンドギャップ光検出性能を示すはずである。
Referring to FIG. 7, this figure depicts a graph of the operation of a heterojunction diode embodying the invention at room temperature. An implementation of
図8を参照して、この図は、室温で光検出性能を示しているヘテロ接合ナロー・バンドギャップ・ダイオードを製造するために本発明を具現化している例のプロセスのフローチャートを描いている。プロセス800を、半導体製造システムとともに動作する製造の方法として実施することができる。
Referring to FIG. 8, this figure depicts a flowchart of an example process embodying the present invention for fabricating a heterojunction narrow bandgap diode exhibiting photodetection performance at room temperature.
p型InSbウェハを、有機汚染を除去するために洗浄する(ブロック802)。任意選択で、Al2O3を、原子層堆積法(ALD)により100℃から350℃までの温度で、T=200℃が好ましい温度である、0.2から1.5nmの厚さに堆積する(ブロック804)。好ましい厚さは、0.5nmである。 A p-type InSb wafer is cleaned to remove organic contamination (block 802). Optionally, Al 2 O 3 is deposited by atomic layer deposition (ALD) at a temperature of 100° C. to 350° C. to a thickness of 0.2 to 1.5 nm, with T=200° C. being the preferred temperature. (block 804). A preferred thickness is 0.5 nm.
Alドープの酸化亜鉛(AZO)を堆積する(ブロック806)。AZOを、ALDによりT=180℃で、100nmの厚さに堆積する。AZOをまた、スパッタリングにより堆積することができる。ALD温度は、100Cから300Cまでの範囲であってもよく、好ましい温度は180Cである。厚さは重要ではなく、層が可視光および赤外光に透明でなければならないという理由で、10nmより大きく数ミクロン未満の任意の厚さであってもよい。 Al-doped zinc oxide (AZO) is deposited (block 806). AZO is deposited by ALD at T=180° C. to a thickness of 100 nm. AZO can also be deposited by sputtering. ALD temperatures may range from 100C to 300C, with a preferred temperature of 180C. The thickness is not critical and can be any thickness greater than 10 nm and less than a few microns, since the layer must be transparent to visible and infrared light.
フォトリソグラフィ・プロセスを、AZO領域を画定するために行い、AZOエッチおよびウェハ洗浄が続く(ブロック808)。フォトリソグラフィ・プロセスを、n型半導体へのコンタクト用の領域を画定するために行う(ブロック810)。アルミニウム薄膜を、AZOへのコンタクト用に熱蒸着により堆積する(ブロック812)。薄膜堆積のための代替方法は、電子線蒸着またはスパッタ堆積を含む。Al厚さは、好ましくは50から500nmの範囲内である。アルミニウムをリフトオフし、そしてウェハ洗浄を実行する(ブロック814)。ウェハの裏面をメタライズする(ブロック816)。プロセス800はその後で終了する。ブロック816のメタライゼーションを、p型InSbへのオーミック・コンタクトのためにCr続いてAuにより実行することができる。クロム厚さは、好ましくは10nmであり、そしてAu厚さは好ましくは50nmである。Auの接着を高めるためにCrを使用する。Au厚さは重要ではなく、はるかに厚くてもよい。
A photolithography process is performed to define the AZO regions, followed by an AZO etch and wafer cleaning (block 808). A photolithographic process is performed to define regions for contacts to the n-type semiconductor (block 810). A thin aluminum film is deposited by thermal evaporation for contacts to the AZO (block 812). Alternative methods for thin film deposition include electron beam evaporation or sputter deposition. The Al thickness is preferably in the
Claims (15)
3A族元素と5A族元素とを含むナロー・バンドギャップ材料から形成され、前記ナロー・バンドギャップ材料の単結晶を含む、p型層と、
前記n型層と前記p型層との間の接合であって、前記接合が冷却を必要としない室温で整流特性を有するヘテロ接合ダイオードとして動作可能である、前記接合と
を備える、半導体デバイス。 an n-type layer of zinc oxide doped with aluminum;
a p-type layer formed from a narrow bandgap material comprising a group 3A element and a group 5A element, comprising a single crystal of said narrow bandgap material ;
and a junction between said n-type layer and said p-type layer, said junction being operable as a heterojunction diode with rectifying properties at room temperature without the need for cooling.
前記半導体製造システムを使用して、3A族元素と5A族元素とを含むナロー・バンドギャップ材料から形成され、前記ナロー・バンドギャップ材料の単結晶を含む、p型層を形成するステップと、
前記半導体製造システムを使用して、前記n型層と前記p型層との間に接合を形成するステップであって、前記接合が冷却を必要としない室温で整流特性を有するヘテロ接合ダイオードとして動作可能である、前記接合を形成するステップと
を含む、方法。 forming an n-type layer of aluminum doped zinc oxide using a semiconductor fabrication system;
using the semiconductor fabrication system to form a p-type layer formed from a narrow bandgap material comprising a group 3A element and a group 5A element and comprising a single crystal of the narrow bandgap material ;
forming a junction between the n-type layer and the p-type layer using the semiconductor fabrication system, the junction operating as a heterojunction diode with rectifying properties at room temperature without cooling. and forming said junction.
前記半導体製造システムを使用して、3A族元素と5A族元素とを含むナロー・バンドギャップ材料から形成されたp型層を形成するステップと、
前記半導体製造システムを使用して、前記n型層と前記p型層との間に接合を形成するステップであって、前記接合が冷却を必要としない室温で整流特性を有するヘテロ接合ダイオードとして動作可能である、前記接合を形成するステップと
を含み、
前記接合を形成するステップの一部として、(i)前記p型層の表面、および(ii)前記n型層の表面のうちの少なくとも一方に接触している界面材料の層を堆積するステップをさらに含む、方法。 forming an n-type layer of aluminum doped zinc oxide using a semiconductor fabrication system;
using the semiconductor fabrication system to form a p-type layer formed from a narrow bandgap material comprising a Group 3A element and a Group 5A element;
forming a junction between the n-type layer and the p-type layer using the semiconductor fabrication system, the junction operating as a heterojunction diode with rectifying properties at room temperature without cooling. forming said junction, and
including
as part of forming the junction, depositing a layer of interfacial material in contact with at least one of (i) a surface of the p-type layer and (ii) a surface of the n-type layer; Further comprising a method .
前記半導体製造システムを使用して、3A族元素と5A族元素とを含むナロー・バンドギャップ材料から形成されたp型層を形成するステップと、
前記半導体製造システムを使用して、前記n型層と前記p型層との間に接合を形成するステップであって、前記接合が冷却を必要としない室温で整流特性を有するヘテロ接合ダイオードとして動作可能である、前記接合を形成するステップと
を含み、
前記ドープした酸化亜鉛が、原子層堆積(ALD)を使用して堆積される、方法。 forming an n-type layer of aluminum doped zinc oxide using a semiconductor fabrication system;
using the semiconductor fabrication system to form a p-type layer formed from a narrow bandgap material comprising a Group 3A element and a Group 5A element;
forming a junction between the n-type layer and the p-type layer using the semiconductor fabrication system, the junction operating as a heterojunction diode with rectifying properties at room temperature without cooling. forming said junction, and
including
A method , wherein said doped zinc oxide is deposited using atomic layer deposition (ALD).
をさらに備える、請求項5~7のいずれか1項に記載の方法。 The method of any one of claims 5-7, further comprising a window structure, said window structure allowing light to reach said n-type layer.
をさらに含む、請求項5~7のいずれか1項に記載の方法。 depositing a first metal on a surface of said n-type layer, said surface being different than a second surface of said p-type layer, said second surface being used for said bonding, said metal 8. The step of any one of claims 5-7, further comprising depositing the first metal, which is usable in forming an electrical connection with the first side of the junction. Method.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/784,384 US10158039B1 (en) | 2017-10-16 | 2017-10-16 | Heterojunction diode having a narrow bandgap semiconductor |
US15/784,384 | 2017-10-16 | ||
PCT/IB2018/057288 WO2019077424A1 (en) | 2017-10-16 | 2018-09-21 | Heterojunction diode having a narrow bandgap semiconductor |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020537335A JP2020537335A (en) | 2020-12-17 |
JP2020537335A5 JP2020537335A5 (en) | 2021-02-04 |
JP7212437B2 true JP7212437B2 (en) | 2023-01-25 |
Family
ID=64604839
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020518622A Active JP7212437B2 (en) | 2017-10-16 | 2018-09-21 | Semiconductor device, its manufacturing method and semiconductor manufacturing system |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10158039B1 (en) |
JP (1) | JP7212437B2 (en) |
CN (1) | CN111213246B (en) |
DE (1) | DE112018004549T5 (en) |
GB (1) | GB2580827B (en) |
WO (1) | WO2019077424A1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111952385B (en) * | 2020-08-21 | 2022-08-02 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | Infrared light detector combining two-dimensional material polarization excimer and heterojunction |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012036118A1 (en) | 2010-09-13 | 2012-03-22 | 株式会社 村田製作所 | Photodiode and ultraviolet sensor |
JP2013102093A (en) | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Stanley Electric Co Ltd | Semiconductor element manufacturing method and semiconductor element |
JP2014093327A (en) | 2012-10-31 | 2014-05-19 | Fujifilm Corp | Semiconductor film, semiconductor film manufacturing method, solar cell, light-emitting diode, thin film transistor and electronic device |
JP2014225597A (en) | 2013-05-17 | 2014-12-04 | 日本碍子株式会社 | Photovoltaic cell |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3498140B2 (en) * | 2001-01-25 | 2004-02-16 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | Semiconductor light emitting device |
CN101627479B (en) | 2007-01-30 | 2011-06-15 | 索拉斯特公司 | Photovoltaic cell and method of making thereof |
US20100116329A1 (en) | 2008-06-09 | 2010-05-13 | Fitzgerald Eugene A | Methods of forming high-efficiency solar cell structures |
US8653460B2 (en) | 2009-05-28 | 2014-02-18 | Technion Research & Development Foundation Limited | Method and system for detecting light |
US7928389B1 (en) | 2009-08-20 | 2011-04-19 | Hrl Laboratories, Llc | Wide bandwidth infrared detector and imager |
CN101866999B (en) * | 2010-05-19 | 2012-09-05 | 中国科学院半导体研究所 | Method for preparing zinc oxide-based heterojunction light emitting diode |
FR2982079A1 (en) | 2011-10-28 | 2013-05-03 | Commissariat Energie Atomique | IMOSUR CMOS UTBB |
CN102394263A (en) * | 2011-11-22 | 2012-03-28 | 中国科学院半导体研究所 | Method for enhancing electroluminescent property of n-ZnO/AlN/p-GaN light-emitting diode |
EA201201245A1 (en) | 2012-09-14 | 2013-07-30 | Ооо "Лед Микросенсор Нт" | METHOD OF MANUFACTURING HETEROSTRUCTURES (OPTIONS) FOR MIDDLE IR RANGE, HETEROSTRUCTURE (VARIANTS) AND LED AND PHOTODIODE BASED ON THIS HETEROSTRUCTURE |
US9673252B1 (en) | 2014-08-13 | 2017-06-06 | Lockheed Martin Corporation | Field-assisted infrared detector with unipolar barrier |
US9324813B2 (en) * | 2014-09-30 | 2016-04-26 | International Business Machines Corporation | Doped zinc oxide as N+ layer for semiconductor devices |
US9581760B2 (en) * | 2015-01-26 | 2017-02-28 | Advalue Photonics, Inc. | Rare-earth doped gain fibers |
US9653570B2 (en) * | 2015-02-12 | 2017-05-16 | International Business Machines Corporation | Junction interlayer dielectric for reducing leakage current in semiconductor devices |
US9748412B2 (en) * | 2015-06-01 | 2017-08-29 | International Business Machines Corporation | Highly responsive III-V photodetectors using ZnO:Al as N-type emitter |
US10439106B2 (en) * | 2015-06-30 | 2019-10-08 | International Business Machines Corporation | Light emitting diode with ZnO emitter |
-
2017
- 2017-10-16 US US15/784,384 patent/US10158039B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-09-21 JP JP2020518622A patent/JP7212437B2/en active Active
- 2018-09-21 WO PCT/IB2018/057288 patent/WO2019077424A1/en active Application Filing
- 2018-09-21 CN CN201880067071.XA patent/CN111213246B/en active Active
- 2018-09-21 DE DE112018004549.8T patent/DE112018004549T5/en active Pending
- 2018-09-21 GB GB2004615.7A patent/GB2580827B/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012036118A1 (en) | 2010-09-13 | 2012-03-22 | 株式会社 村田製作所 | Photodiode and ultraviolet sensor |
JP2013102093A (en) | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Stanley Electric Co Ltd | Semiconductor element manufacturing method and semiconductor element |
JP2014093327A (en) | 2012-10-31 | 2014-05-19 | Fujifilm Corp | Semiconductor film, semiconductor film manufacturing method, solar cell, light-emitting diode, thin film transistor and electronic device |
JP2014225597A (en) | 2013-05-17 | 2014-12-04 | 日本碍子株式会社 | Photovoltaic cell |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2580827A (en) | 2020-07-29 |
JP2020537335A (en) | 2020-12-17 |
US10158039B1 (en) | 2018-12-18 |
WO2019077424A1 (en) | 2019-04-25 |
DE112018004549T5 (en) | 2020-05-28 |
GB202004615D0 (en) | 2020-05-13 |
CN111213246A (en) | 2020-05-29 |
GB2580827B (en) | 2022-02-23 |
CN111213246B (en) | 2023-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4977695B2 (en) | Ultraviolet light receiving element | |
JP5857774B2 (en) | Semiconductor photo detector | |
KR20080086753A (en) | Backside surface passivation and reflection layer for si solar cell by high-k dielectrics | |
Pandey et al. | High-performance self-powered perovskite photodetector with a rapid photoconductive response | |
US11217709B2 (en) | Graphene-semiconductor heterojunction photodetector and method of manufacturing the same | |
JP6038177B2 (en) | Semiconductor structure, device including the structure, and method for manufacturing the semiconductor structure | |
US7838330B1 (en) | Method of field-controlled diffusion and devices formed thereby | |
US7170044B2 (en) | Semiconductor photodetector for detecting light having a wavelength in the ultraviolet blue ranges | |
JP6283324B2 (en) | Infrared light emitting element | |
JP7499857B2 (en) | Electromagnetic wave detector and electromagnetic wave detector assembly | |
JP7212437B2 (en) | Semiconductor device, its manufacturing method and semiconductor manufacturing system | |
JPS60244078A (en) | Back surface illumination photodiode having wide band gap cap layer | |
Gao et al. | Biased photoresponse analysis of Al–ZnO heterojunctions with n-and p-type silicon | |
JP2018125452A (en) | Optical switching element and optical switching device | |
JP7123282B1 (en) | Electromagnetic wave detectors and electromagnetic wave detector arrays | |
KR102646186B1 (en) | TOPCon Si PHOTOVOLTAIC CELL, MANUFACTURING METHOD FOR Si PHOTOVOLTAIC CELL AND FORMING METHOD FOR POLY-Si LAYER OF Si PHOTOVOLTAIC CELL | |
US20110215434A1 (en) | Thin-film photoelectric conversion device and method of manufacturing thin-film photoelectric conversion device | |
JP2020161774A (en) | Avalanche photodiode and method for manufacturing the same | |
KR102320117B1 (en) | Graphene-Semiconductor Heterojunction Photodetector and Method for Manufacturing the Same | |
JP2018107278A (en) | Optical switch and optical switch device | |
JP7101905B1 (en) | Electromagnetic wave detector and electromagnetic wave detector array | |
JP2014123593A (en) | Infrared sensor | |
TWI458109B (en) | Method for fabricating ultraviolet photo-detector | |
WO2021192296A1 (en) | Electromagnetic wave detector, electromagnetic wave detector array, and manufacturing method of electromagnetic wave detector | |
JP2018182261A (en) | Semiconductor light-receiving device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201117 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220125 |
|
RD12 | Notification of acceptance of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432 Effective date: 20220222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20220222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220420 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20220502 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220726 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221109 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20221109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20221110 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20221130 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20221206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221227 |
|
RD14 | Notification of resignation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434 Effective date: 20221227 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230111 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7212437 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |