JP7205325B2

JP7205325B2 - Substrate to be processed, substrate for imprint mold and imprint mold

Info

Publication number: JP7205325B2
Application number: JP2019050749A
Authority: JP
Inventors: 尚子中田
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2019-03-19
Filing date: 2019-03-19
Publication date: 2023-01-17
Anticipated expiration: 2039-03-19
Also published as: JP2020155507A

Description

本開示は、被加工基板、インプリントモールド用基板及びインプリントモールドに関する。 The present disclosure relates to a substrate to be processed, an imprint mold substrate, and an imprint mold.

微細加工技術として知られているナノインプリント技術は、基材の表面に凹凸パターンが形成されてなるインプリントモールドを用い、当該凹凸パターンを被加工物に等倍転写するパターン形成技術である。特に、半導体デバイスにおける配線パターン等のさらなる微細化等に伴い、その製造プロセス等における一手段としてナノインプリント技術が注目されている。 Nanoimprint technology, which is known as a microfabrication technology, is a pattern forming technology that uses an imprint mold in which a concavo-convex pattern is formed on the surface of a base material and transfers the concavo-convex pattern to a workpiece at the same size. In particular, with the further miniaturization of wiring patterns and the like in semiconductor devices, the nanoimprint technology has attracted attention as a means in the manufacturing process thereof.

ナノインプリント技術において用いられるインプリントモールドは、例えば、第１面及びそれに対向する第２面を有する基材と、基材の第１面から突出する凸構造部とを備えるインプリントモールド用基板を準備し、当該インプリントモールド用基板の凸構造部の上面部に凹凸パターンを形成することで作製される（特許文献１参照）。インプリントモールドの製造に用いられるインプリントモールド用基板は、第１面及びそれに対向する第２面を有する、平面視方形状の被加工基板を準備し、当該被加工基板の第１面上に凸構造部に対応するマスクパターンを形成し、当該マスクパターンをマスクとしたウェットエッチング処理を経て作製される。 An imprint mold used in nanoimprint technology is prepared by, for example, preparing an imprint mold substrate comprising a substrate having a first surface and a second surface opposite thereto, and a protruding structure projecting from the first surface of the substrate. Then, a concave-convex pattern is formed on the upper surface of the convex structure of the imprint mold substrate (see Patent Document 1). An imprint mold substrate used for manufacturing an imprint mold is prepared by preparing a square-shaped substrate to be processed having a first surface and a second surface opposite thereto, and placing a A mask pattern corresponding to the convex structure is formed, and wet etching is performed using the mask pattern as a mask.

特開２０１１－２４５７８７号公報JP 2011-245787 A

上記被加工基板のウェットエッチング処理においては、被加工基板の側面における対角に位置する２つの角部近傍に位置する部位に基板保持具を当接させた状態で、エッチング液が収容されているエッチング槽内に当該被加工基板を浸漬させる。このとき、被加工基板における露出する側面（基板保持具が当接していない部分）においては、当該被加工基板の面内方向内側に向かってエッチングが進行する一方、基板保持具が当接している部分においては、面内方向内側に向かったエッチングが進行せず、サイドエッチングが進行する。そのため、製造されるインプリントモールド用基板において、被加工基板の側面における基板保持具との当接部が突出部として残存してしまうことになる。そのインプリントモールド用基板を用いて作製されたインプリントモールドにおいても、当該突出部が残存することになる。 In the wet etching process of the substrate to be processed, the etchant is contained in a state in which the substrate holder is brought into contact with a portion located in the vicinity of the two diagonal corners of the side surface of the substrate to be processed. The substrate to be processed is immersed in an etching tank. At this time, at the exposed side surface of the substrate to be processed (the portion not contacted by the substrate holder), the etching progresses inward in the in-plane direction of the substrate to be processed, while the substrate holder is in contact with the exposed side surface of the substrate. In the portion, etching does not progress inward in the in-plane direction, and side etching progresses. Therefore, in the manufactured imprint mold substrate, the abutting portion with the substrate holder on the side surface of the substrate to be processed remains as a projecting portion. The projecting portion remains in the imprint mold manufactured using the imprint mold substrate.

近年、インプリントモールドの凹凸パターンの微細化が益々進展している。それに伴い、インプリントモールド用基板の凸構造部の上面部に凹凸パターンを形成するためのハードマスクパターンとしてＡＬＤ膜を利用したダブルパターニング手法の利用が検討されている。このＡＬＤ膜を成膜する工程において、インプリントモールド用基板の２つの角部近傍に位置する側面に基板保持具を接触させる当該インプリントモールド用基板が保持される。そのため、インプリントモールド用基板における基板保持具の当接部にはＡＬＤ膜が形成されず、基板保持具が接触していない側面にはＡＬＤ膜が形成されることになる。インプリントモールド用基板の側面に形成されたＡＬＤ膜は、インプリントモールド製造工程においてエッチング等の化学的な手段によって除去されることがあるが、例えばインプリントモールド用基板が石英基板であり、ＡＬＤ膜がＳｉＯ₂により構成されているような、インプリントモールド用基板及びＡＬＤ膜の構成材料のエッチング選択比が互いに略同一である場合には、ＡＬＤ膜の除去工程を通じてインプリントモールドの基材の側面が荒れてしまい、当該側面の平坦度を担保することが困難となってしまう。 2. Description of the Related Art In recent years, there has been more and more progress in the miniaturization of uneven patterns of imprint molds. Along with this, the use of a double patterning method using an ALD film as a hard mask pattern for forming a concave-convex pattern on the upper surface of the protruding structure of the imprint mold substrate is being studied. In the step of forming the ALD film, the imprint mold substrate is held by bringing the substrate holders into contact with the side surfaces located near the two corners of the imprint mold substrate. Therefore, the ALD film is not formed on the contact portion of the imprint mold substrate with the substrate holder, and the ALD film is formed on the side surface that is not in contact with the substrate holder. The ALD film formed on the side surface of the imprint mold substrate may be removed by chemical means such as etching in the imprint mold manufacturing process. When the etching selectivity of the imprint mold substrate and the constituent material of the ALD film is substantially the same, such as when the film is made of SiO ₂ , the substrate of the imprint mold is removed through the step of removing the ALD film. The side surface becomes rough, and it becomes difficult to secure the flatness of the side surface.

インプリントモールドを用いたインプリント処理時において、一般に、インプリントモールドの基材の側面を押圧することにより凹凸パターンの倍率補正が行われる。しかしながら、上記のようにインプリントモールドの基材の側面に突出部が存在したり、インプリントモールドの製造過程におけるＡＬＤ膜の除去工程にて基材の側面が荒れたりすることで、インプリントモールドの基材の側面の平坦性が損なわれる。そのため、インプリントモールドに対して均一な押圧力を印加することができず、凹凸パターンを所望とする倍率で補正することが困難となるおそれがある。また、凹凸パターンの倍率補正用の押圧部材が接触する位置に上記突出部等が存在すると、異物発生の要因ともなり兼ねない。 During imprint processing using an imprint mold, the magnification of the concave-convex pattern is generally corrected by pressing the side surface of the substrate of the imprint mold. However, as described above, the presence of protrusions on the side surface of the substrate of the imprint mold and the roughening of the side surface of the substrate during the step of removing the ALD film in the manufacturing process of the imprint mold can cause the imprint mold to become uneven. The flatness of the side surface of the substrate is impaired. Therefore, a uniform pressing force cannot be applied to the imprint mold, and it may be difficult to correct the concave-convex pattern with a desired magnification. Moreover, if the protrusion or the like is present at a position where the pressing member for correcting the magnification of the uneven pattern contacts, it may cause the generation of foreign matter.

上記課題に鑑みて、本開示は、不要な突出部を有することなく平坦性に優れた側面を有する被加工基板、及びそれから作製されるインプリントモールド用基板並びにインプリントモールドを提供することを一目的とする。 In view of the above problems, the present disclosure aims to provide a substrate to be processed having side surfaces with excellent flatness without unnecessary protrusions, and an imprint mold substrate and an imprint mold manufactured therefrom. aim.

上記課題を解決するために、本開示の一実施形態として、第１面、前記第１面に対向する第２面、並びに前記第１面の外周縁部及び前記第２面の外周縁部の間に連続する外周側面を有する基部と、前記基部の前記第１面から突出する凸構造部とを備え、前記外周側面は、互いに対向する第１側面及び第３側面と、前記第１側面及び前記第３側面に略直交し、互いに対向する第２側面及び第４側面と、前記第１側面及び前記第２側面の間を連続する第１保持面と、前記第２側面及び前記第３側面の間を連続する第２保持面と、前記第３側面及び前記第４側面の間を連続する第３保持面と、前記第１側面及び前記第４側面の間を連続する第４保持面とを含み、前記第１面側からの平面視における前記基部の形状は略八角形状であり、前記基部の前記第１～第４保持面のうちの少なくとも２つの保持面は、突出部を有するインプリントモールド用基板が提供される。 In order to solve the above problems, as an embodiment of the present disclosure, a first surface, a second surface facing the first surface, and an outer peripheral edge of the first surface and an outer peripheral edge of the second surface A base portion having an outer peripheral side surface continuous therebetween; A second side surface and a fourth side surface that are substantially orthogonal to the third side surface and face each other; a first holding surface that continues between the first side surface and the second side surface; and the second side surface and the third side surface. a second holding surface continuing between, a third holding surface continuing between the third side surface and the fourth side surface, and a fourth holding surface continuing between the first side surface and the fourth side surface; wherein the base has a substantially octagonal shape in plan view from the first surface side, and at least two of the first to fourth holding surfaces of the base have protrusions. An imprint mold substrate is provided.

前記被加工基板において、前記第１面の外周縁部と前記外周側面との連続部は、前記第１面及び前記外周側面のそれぞれに対して所定の角度で傾斜する外周面取り部により構成されていればよく、前記第１～第４保持面の側面視において、前記第１～第４保持面のそれぞれの幅は、前記外周面取り部の幅よりも大きく構成される。 In the substrate to be processed, a continuous portion between the outer peripheral edge portion of the first surface and the outer peripheral side surface is configured by an outer peripheral chamfered portion inclined at a predetermined angle with respect to each of the first surface and the outer peripheral side surface. In a side view of the first to fourth holding surfaces, the width of each of the first to fourth holding surfaces is configured to be larger than the width of the outer peripheral chamfered portion.

かかるインプリントモールド用基板において、前記基部の前記第１～第４保持面のうちの少なくとも２つの保持面は、突出部を有していてもよく、前記突出部は、前記保持面から前記基部の前記第２面に至る所定の領域に連続して存在していてもよく、前記基部の前記第２面に窪み部が形成されていればよい。 In such an imprint mold substrate, at least two holding surfaces of the first to fourth holding surfaces of the base may have protrusions, and the protrusions may extend from the holding surfaces to the holding surfaces. It may be present continuously in a predetermined region reaching the second surface of the base, and it is sufficient that a recess is formed in the second surface of the base.

本開示の一実施形態として、前記インプリントモールド用基板の前記凸構造部の上面部に形成されている凹凸パターンを有するインプリントモールドが提供される。 An embodiment of the present disclosure provides an imprint mold having a concavo-convex pattern formed on an upper surface portion of the convex structure portion of the imprint mold substrate.

本開示によれば、不要な突出部を有することなく平坦性に優れた側面を有する被加工基板、及びそれから作製されるインプリントモールド用基板並びにインプリントモールドを提供することができる。 Advantageous Effects of Invention According to the present disclosure, it is possible to provide a substrate to be processed having side surfaces with excellent flatness without unnecessary protrusions, and an imprint mold substrate and an imprint mold manufactured therefrom.

図１は、本開示の一実施形態に係る被加工基板の概略構成を示す上面図である。FIG. 1 is a top view showing a schematic configuration of a substrate to be processed according to one embodiment of the present disclosure. 図２は、本開示の一実施形態に係る被加工基板の概略構成を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a schematic configuration of a substrate to be processed according to one embodiment of the present disclosure. 図３は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の概略構成を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of an imprint mold substrate according to an embodiment of the present disclosure. 図４は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の概略構成を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a schematic configuration of an imprint mold substrate according to an embodiment of the present disclosure. 図５は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図である。FIG. 5 is a cut end view showing a schematic configuration of an imprint mold substrate according to an embodiment of the present disclosure. 図６は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の第１～第４保持面の近傍の概略構成（その１）を示す部分拡大切断端面図である。FIG. 6 is a partially enlarged cut end view showing a schematic configuration (No. 1) in the vicinity of the first to fourth holding surfaces of the imprint mold substrate according to the embodiment of the present disclosure. 図７は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の第１～第４保持面の近傍の概略構成（その２）を示す部分拡大切断端面図である。FIG. 7 is a partially enlarged cut end view showing a schematic configuration (No. 2) in the vicinity of the first to fourth holding surfaces of the imprint mold substrate according to the embodiment of the present disclosure. 図８は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の第１～第４保持面の近傍の概略構成（その３）を示す部分拡大切断端面図である。FIG. 8 is a partially enlarged cut end view showing a schematic configuration (No. 3) in the vicinity of the first to fourth holding surfaces of the imprint mold substrate according to the embodiment of the present disclosure. 図９は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図である。FIG. 9 is a cut end view showing a schematic configuration of an imprint mold in one embodiment of the present disclosure. 図１０は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の製造方法における基板準備工程を概略的に示す切断端面図である。FIG. 10 is a cut end view schematically showing a substrate preparation step in a method of manufacturing an imprint mold substrate according to an embodiment of the present disclosure. 図１１は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の製造方法におけるレジストパターン形成工程を概略的に示す切断端面図である。FIG. 11 is a cut end view schematically showing a resist pattern forming step in a method for manufacturing an imprint mold substrate according to an embodiment of the present disclosure. 図１２は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の製造方法におけるマスクパターン形成工程を概略的に示す切断端面図である。FIG. 12 is a cut end view schematically showing a mask pattern forming step in a method for manufacturing an imprint mold substrate according to an embodiment of the present disclosure. 図１３は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の製造方法におけるウェットエッチング工程を概略的に示す切断端面図である。FIG. 13 is a cut end view schematically showing a wet etching step in the method for manufacturing an imprint mold substrate according to an embodiment of the present disclosure. 図１４は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の製造方法における窪み部形成工程を概略的に示す切断端面図である。FIG. 14 is a cut end view schematically showing a depression forming step in the method of manufacturing an imprint mold substrate according to an embodiment of the present disclosure. 図１５は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法におけるレジストパターン形成工程を概略的に示す切断端面図である。FIG. 15 is a cut end view schematically showing a resist pattern forming step in the imprint mold manufacturing method according to an embodiment of the present disclosure. 図１６は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法におけるマスクパターン形成工程を概略的に示す切断端面図である。FIG. 16 is a cut end view schematically showing a mask pattern forming step in the imprint mold manufacturing method according to an embodiment of the present disclosure. 図１７は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法におけるエッチング工程を概略的に示す切断端面図である。FIG. 17 is a cut end view schematically showing an etching step in a method for manufacturing an imprint mold according to an embodiment of the present disclosure; 図１８は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の他の態様における各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 18 is a process flow diagram showing each process in another aspect of the method for manufacturing an imprint mold according to an embodiment of the present disclosure with cut end surfaces.

本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
当該図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりして示している場合がある。本明細書等において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づいて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ得るような部材をも含む概念である。 Embodiments of the present disclosure will be described with reference to the drawings.
In the drawings, in order to facilitate understanding, the shape, scale, ratio of vertical and horizontal dimensions, etc. of each part may be changed from the real thing or exaggerated. In this specification and the like, a numerical range represented by "to" means a range including the numerical values described before and after "to" as lower and upper limits, respectively. In this specification and the like, terms such as "film", "sheet", and "plate" are not distinguished from each other based on the difference in designation. For example, "plate" is a concept that includes members that can be generally called "sheets" and "films."

〔被加工基板〕
図１は、本実施形態に係る被加工基板の概略構成を示す上面図であり、図２は、本実施形態に係る被加工基板の概略構成を示す斜視図である。 [Substrate to be processed]
FIG. 1 is a top view showing a schematic configuration of the substrate to be processed according to this embodiment, and FIG. 2 is a perspective view showing a schematic configuration of the substrate to be processed according to this embodiment.

図１及び図２に示すように、本実施形態に係る被加工基板１は、第１面２１及びそれに対向する第２面２２、並びに第１面２１の外周縁部と第２面２２の外周縁部との間に連続する外周側面２３を有する基部２を備える。本実施形態に係る被加工基板１は、ウェットエッチングにより加工されるものであって、特に凸構造部１１を有するインプリントモールド用基板１０（図３～８参照）を作製するために好適に用いられるものである。 As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate to be processed 1 according to the present embodiment includes a first surface 21 and a second surface 22 opposite thereto, and an outer peripheral edge portion of the first surface 21 and an outer portion of the second surface 22. It comprises a base portion 2 having an outer peripheral side surface 23 continuous with the peripheral edge portion. The substrate 1 to be processed according to the present embodiment is processed by wet etching, and is particularly suitable for manufacturing an imprint mold substrate 10 (see FIGS. 3 to 8) having a convex structure 11. It is something that can be done.

基部２は、インプリントモールド用基板として一般的なもの、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、バリウムホウケイ酸ガラス、アミノホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板、少なくとも一部分に金属がドープされた上記基板、これらのうちから任意に選択された２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板等により構成され得る。なお、本実施形態において「透明」とは、インプリント樹脂を硬化させ得る波長の光を透過可能であることを意味し、波長１５０ｎｍ～４００ｎｍの光線の透過率が６０％以上であることを意味し、好ましくは９０％以上、特に好ましくは９５％以上である。 The base 2 is made of a material commonly used as an imprint mold substrate, such as quartz glass substrate, soda glass substrate, fluorite substrate, calcium fluoride substrate, magnesium fluoride substrate, barium borosilicate glass, aminoborosilicate glass, aluminosilicate. Glass substrates such as non-alkali glass substrates such as acid glass substrates, resin substrates such as polycarbonate substrates, polypropylene substrates, polyethylene substrates, polymethyl methacrylate substrates, polyethylene terephthalate substrates, the above substrates at least partially doped with metal, among these It may be composed of a transparent substrate such as a laminated substrate formed by laminating two or more arbitrarily selected substrates. In this embodiment, the term “transparent” means that light having a wavelength capable of curing the imprint resin can be transmitted, and means that the transmittance of light having a wavelength of 150 nm to 400 nm is 60% or more. However, it is preferably 90% or more, particularly preferably 95% or more.

基部２の大きさ（平面視における大きさ）は特に限定されるものではないが、基部２が上記石英ガラス基板からなる場合、例えば、基部２の大きさは１５２ｍｍ×１５２ｍｍ程度である。また、基部２の厚さは、強度、取り扱い適性等を考慮し、例えば、３００μｍ～１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。 The size of the base portion 2 (the size in plan view) is not particularly limited, but when the base portion 2 is made of the quartz glass substrate, the size of the base portion 2 is, for example, about 152 mm×152 mm. In addition, the thickness of the base 2 can be appropriately set in the range of, for example, about 300 μm to 10 mm, taking strength, handling suitability, and the like into consideration.

外周側面２３は、互いに対向する第１側面２３１Ａ及び第３側面２３３Ａと、第１側面２３１Ａ及び第３側面２３３Ａに略直交し、互いに対向する第２側面２３２Ａ及び第４側面２３４Ａと、第１側面２３１Ａ及び第２側面２３２Ａの間を連続する第１保持面２３１Ｂと、第２側面２３２Ａ及び第３側面２３３Ａの間を連続する第２保持面２３２Ｂと、第３側面２３３Ａ及び第４側面２３４Ａの間を連続する第３保持面２３３Ｂと、第１側面２３１Ａ及び第４側面２３４Ａの間を連続する第４保持面２３４Ｂとを含む。すなわち、第１面２１側からの平面視において、基部２の形状は略八角形状である。 The outer peripheral side surface 23 is substantially perpendicular to the first side surface 231A and the third side surface 233A facing each other, the first side surface 231A and the third side surface 233A, the second side surface 232A and the fourth side surface 234A facing each other, and the first side surface. A first holding surface 231B continuing between 231A and the second side surface 232A, a second holding surface 232B continuing between the second side surface 232A and the third side surface 233A, and between the third side surface 233A and the fourth side surface 234A and a fourth holding surface 234B continuing between the first side surface 231A and the fourth side surface 234A. That is, in plan view from the first surface 21 side, the shape of the base 2 is substantially octagonal.

第１面２１の外周縁部と外周側面２３（第１～第４側面２３１Ａ～２３４Ａ及び第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂ）との連続部は、第１面２１及び外周側面２３のそれぞれに対して所定の角度で傾斜する外周面取り部２４により構成される。 Contiguous portions between the outer peripheral edge portion of the first surface 21 and the outer peripheral side surface 23 (the first to fourth side surfaces 231A to 234A and the first to fourth holding surfaces 231B to 234B) are the first surface 21 and the outer peripheral side surface 23, respectively. It is composed of an outer peripheral chamfered portion 24 inclined at a predetermined angle with respect to .

第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂの側面視における当該第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂのそれぞれの幅Ｗ_231B～Ｗ_234Bは、特に限定されるものではなく、また互いに同一であってもよいし異なっていてもよいが、外周面取り部の幅Ｗ₂₄よりも大きいのが好ましい。 Widths W _231B to W _234B of the first to fourth holding surfaces 231B to 234B in a side view of the first to fourth holding surfaces 231B to 234B are not particularly limited and may be the same. It may or may not be the same, but is preferably greater than the width _W24 of the outer chamfer.

第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂの側面視における当該第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂのそれぞれの幅Ｗ_231B～Ｗ_234Bは、本実施形態に係る被加工基板１がウェットエッチングにより加工される際のエッチング予定量の２倍よりも大きければよい。第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂは、被加工基板１がウェットエッチング処理に付される際に、エッチング槽内で保持具を接触させる面である。そのため、その幅Ｗ_231B～Ｗ_234Bが当該エッチング予定量の２倍よりも小さいと、被加工基板１がウェットエッチング処理中に基板保持具により保持されなくなり、エッチング槽内に被加工基板１が落下してしまうおそれがある。なお、エッチング予定量とは、被加工基板１から製造される製品の製造プロセスにおいてエッチングされる予定量であって、当該製造プロセスにおいて複数回のウェットエッチング処理が行われる場合には、各回のエッチング予定量の合計である。 Widths W _231B to W _234B of the first to fourth holding surfaces 231B to 234B in side view of the first to fourth holding surfaces 231B to 234B, respectively, are determined by wet etching of the substrate 1 to be processed according to the present embodiment. It is sufficient that the etching amount is larger than twice the planned etching amount when the etching is performed. The first to fourth holding surfaces 231B to 234B are surfaces with which holders come into contact in the etching tank when the substrate 1 to be processed is subjected to wet etching treatment. Therefore, if the width W _231B to W _234B is smaller than twice the planned etching amount, the substrate to be processed 1 will not be held by the substrate holder during the wet etching process, and the substrate to be processed 1 will drop into the etching bath. There is a risk of doing so. The planned etching amount is the planned etching amount in the manufacturing process of the product manufactured from the substrate 1 to be processed. It is the total planned amount.

本実施形態に係る被加工基板１が、ウェットエッチングにより加工されることで、凸構造部１１を有するインプリントモールド用基板１０を作製するために用いられるものである場合、第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂの側面視における当該第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂのそれぞれの幅Ｗ_231B～Ｗ_234Bは、凸構造部１１の高さの２倍よりも大きければよい。当該幅Ｗ_231B～Ｗ_234Bが凸構造部１１の高さの２倍よりも大きいことで、凸構造部１１を形成するためのウェットエッチング処理中に被加工基板１が基板保持具により保持され続け、エッチング槽内に被加工基板１が落下してしまうのを防止することができる。通常、インプリントモールド用基板１０における凸構造部１１の高さは１０μｍ～１００μｍ程度である一方、ウェットエッチング処理中に被加工基板１を保持するための基板保持具の幅は２ｍｍ～５ｍｍ程度である。そのため、第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂに基板保持具を当接させることで安定的に被加工基板１を保持することを考慮すると、第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂの幅Ｗ_231B～Ｗ_234Bは、基板保持具の幅と同じであるか、それよりも小さい（例えば、基板保持具の幅の５０％以上程度）のが好ましい。 When the substrate to be processed 1 according to the present embodiment is processed by wet etching to be used for manufacturing the imprint mold substrate 10 having the convex structure 11, the first to fourth holding Widths W _231B to W _234B of the first to fourth holding surfaces 231B to 234B in side view of the surfaces 231B to 234B should be larger than twice the height of the convex structure 11 . Since the widths W _231B to W _234B are larger than twice the height of the convex structure 11, the substrate to be processed 1 can be continuously held by the substrate holder during the wet etching process for forming the convex structure 11. , the substrate to be processed 1 can be prevented from falling into the etching tank. Normally, the height of the protruding structure 11 in the imprint mold substrate 10 is about 10 μm to 100 μm, while the width of the substrate holder for holding the substrate 1 to be processed during the wet etching process is about 2 mm to 5 mm. be. Therefore, considering that the substrate to be processed 1 is stably held by bringing the substrate holder into contact with the first to fourth holding surfaces 231B to 234B, the width W of the first to fourth holding surfaces 231B to 234B is _231B to W _234B are preferably equal to or smaller than the width of the substrate holder (for example, about 50% or more of the width of the substrate holder).

本実施形態に係る被加工基板１の基部２の第１面２１には、当該第１面２１にウェットエッチング処理を施す際にマスクとして使用され得るハードマスク層（図示省略）が設けられていてもよい。 The first surface 21 of the base 2 of the substrate 1 to be processed according to the present embodiment is provided with a hard mask layer (not shown) that can be used as a mask when wet etching the first surface 21. good too.

ハードマスク層を構成する材料としては、例えば、クロム、チタン、タンタル、珪素、アルミニウム等の金属；窒化クロム、酸化クロム、酸窒化クロム等のクロム系化合物、酸化タンタル、酸窒化タンタル、酸化硼化タンタル、酸窒化硼化タンタル等のタンタル化合物、窒化チタン、窒化珪素、酸窒化珪素等が挙げられ、これらを単独で、又は任意に選択した２種以上を組み合わせて用いることができる。 Materials constituting the hard mask layer include, for example, metals such as chromium, titanium, tantalum, silicon, and aluminum; chromium-based compounds such as chromium nitride, chromium oxide, and chromium oxynitride; Examples include tantalum, tantalum compounds such as tantalum boride oxynitride, titanium nitride, silicon nitride, silicon oxynitride, and the like, and these can be used alone or in combination of two or more arbitrarily selected.

ハードマスク層は、被加工基板１の第１面２１にウェットエッチング処理を施す際のマスクパターンとして用いられるものである。そのため、基部２の構成材料に応じ、エッチング選択比等を考慮して、ハードマスク層の構成材料を選択すればよい。例えば、基部２が石英ガラスにより構成される場合、ハードマスク層を構成する材料として酸化クロム等が好適に選択され得る。 The hard mask layer is used as a mask pattern when wet etching the first surface 21 of the substrate 1 to be processed. Therefore, the constituent material of the hard mask layer may be selected according to the constituent material of the base portion 2, taking into account the etching selectivity and the like. For example, when the base portion 2 is made of quartz glass, chromium oxide or the like can be suitably selected as the material forming the hard mask layer.

ハードマスク層の厚さは、基部２の構成材料に応じたエッチング選択比等を考慮して適宜設定される。例えば、基部２が石英ガラスにより構成され、ハードマスク層が酸化クロムにより構成される場合、ハードマスク層の厚さは、０．５ｎｍ～２００ｎｍ程度の範囲内で適宜設定され得る。 The thickness of the hard mask layer is appropriately set in consideration of the etching selectivity and the like according to the constituent material of the base 2 . For example, when the base 2 is made of quartz glass and the hard mask layer is made of chromium oxide, the thickness of the hard mask layer can be appropriately set within a range of approximately 0.5 nm to 200 nm.

上述した構成を有する被加工基板１によれば、外周側面２３のうちの第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂを被加工基板１のウェットエッチング処理中における基板保持具の当接部として利用することができるため、被加工基板１のウェットエッチング処理により第１～第４側面２３１Ａ～２３４Ａに不要な突出部が形成されることがない。よって、第１～第４側面２３１Ａ～２３４Ａの平坦性を優れたものとすることができる。 According to the substrate to be processed 1 configured as described above, the first to fourth holding surfaces 231B to 234B of the outer peripheral side surface 23 are used as the abutting portions of the substrate holder during the wet etching process of the substrate to be processed 1. Therefore, unnecessary protrusions are not formed on the first to fourth side surfaces 231A to 234A due to wet etching of the substrate 1 to be processed. Therefore, the flatness of the first to fourth side surfaces 231A to 234A can be excellent.

〔インプリントモールド用基板〕
図３は、本実施形態におけるインプリントモールド用基板の概略構成を示す平面図であり、図４は、本実施形態におけるインプリントモールド用基板の概略構成を示す斜視図であり、図５は、本実施形態におけるインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図であり、図６～図８は、本実施形態におけるインプリントモールド用基板の第１～第４保持面の近傍の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。 [Substrate for imprint mold]
3 is a plan view showing a schematic configuration of the imprint mold substrate in this embodiment, FIG. 4 is a perspective view showing a schematic configuration of the imprint mold substrate in this embodiment, and FIG. FIG. 6 to FIG. 8 are cross-sectional views showing the schematic configuration of the imprint mold substrate according to the present embodiment, and FIGS. 1 is a partially enlarged cut end view shown; FIG.

図３～５に示すように、本実施形態におけるインプリントモールド用基板１０は、第１面２１及び当該第１面２１に対向する第２面２２、並びに第１面２１の外周縁部と第２面２２の外周縁部との間に連続する外周側面２３を有する基部２と、基部２の第１面２１から突出する凸構造部１１と、基部２の第２面２２側に形成されている窪み部１２とを備える。本実施形態におけるインプリントモールド用基板１０は、本実施形態に係る被加工基板１（図１及び図２参照）を用いて作製されてなるものである。したがって、上記被加工基板１と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略するものとする。 As shown in FIGS. 3 to 5, the imprint mold substrate 10 according to the present embodiment includes a first surface 21, a second surface 22 facing the first surface 21, and an outer peripheral edge portion of the first surface 21 and the first surface. A base portion 2 having an outer peripheral side surface 23 continuous between the outer peripheral edge portions of the two surfaces 22, a convex structure portion 11 projecting from the first surface 21 of the base portion 2, and formed on the second surface 22 side of the base portion 2. and a recessed portion 12 in which the An imprint mold substrate 10 according to the present embodiment is produced using the substrate to be processed 1 (see FIGS. 1 and 2) according to the present embodiment. Therefore, the same reference numerals are assigned to the same components as those of the substrate 1 to be processed, and detailed description thereof will be omitted.

基部２の第１面２１から突出する凸構造部１１は、平面視において基部２の略中央に設けられている。凸構造部１１の平面視における形状は、略矩形状である。凸構造部１１の大きさは、インプリントモールド用基板１０から作製されるインプリントモールド１００（図９参照）を用いたインプリント処理を経て製造される製品等に応じて適宜設定されるものであり、例えば、３０ｍｍ×２５ｍｍ程度に設定される。 The convex structure portion 11 protruding from the first surface 21 of the base portion 2 is provided substantially in the center of the base portion 2 in plan view. The shape of the convex structure 11 in plan view is substantially rectangular. The size of the protruding structure 11 is appropriately set according to the product or the like manufactured through imprint processing using the imprint mold 100 (see FIG. 9) manufactured from the imprint mold substrate 10 . Yes, for example, it is set to about 30 mm×25 mm.

凸構造部１１の突出高さＴ₁₁（基部２の第１面２１と凸構造部１１の上面部１１Ａとの間における基部２の厚み方向に沿った長さ）は、本実施形態におけるインプリントモールド用基板１０が凸構造部１１を備える目的を果たし得る限り、特に制限されるものではなく、例えば、１０μｍ～１００μｍ程度に設定され得る。凸構造部１１の上面部１１Ａには、凹凸パターン１１０（図９参照）が形成される予定のパターン領域が設定されている。 The protrusion height T _{11 of the convex structure 11} (the length along the thickness direction of the base 2 between the first surface 21 of the base 2 and the upper surface 11A of the convex structure 11) is the imprint height in this embodiment. As long as the mold substrate 10 can achieve the purpose of providing the convex structure 11, it is not particularly limited, and can be set to, for example, about 10 μm to 100 μm. A pattern area is set on the upper surface portion 11A of the convex structure portion 11 in which the uneven pattern 110 (see FIG. 9) is to be formed.

凸構造部１１は、上記パターン領域が設定されている上面部１１Ａと、上面部１１Ａの外周縁及び基部２の第１面２１の間に連続するラウンド形状の側面部１１Ｂとを有する。凸構造部１１は、本実施形態に係る被加工基板１に対するウェットエッチング処理により形成されるものであるため、その側面部１１Ｂは凹状に湾曲したラウンド形状を有する。 The convex structure portion 11 has an upper surface portion 11A in which the pattern area is set, and a round side surface portion 11B that is continuous between the outer peripheral edge of the upper surface portion 11A and the first surface 21 of the base portion 2 . Since the convex structure portion 11 is formed by wet etching the substrate 1 to be processed according to the present embodiment, the side surface portion 11B has a concavely curved round shape.

本実施形態において、外周側面２３の第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂには、基部２の第１面２１側からの平面視で外方向に突出する突出部１３（図６～８参照）が設けられている。突出部１３は、被加工基板１に対するウェットエッチング処理を通じて凸構造部１１と同時に形成されるため、突出部１３の突出高さＴ₁₃は、凸構造部１１の突出高さＴ₁₁と実質的に同一又は凸構造部１１の突出高さＴ₁₁以下である。なお、突出部１３は、第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂのすべてに設けられていなくてもよく、少なくとも２つの保持面（例えば、第１保持面２３１Ｂ及び第２保持面２３２Ｂ等の隣り合う２つの保持面等）に設けられていればよい。また、第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂのすべてに突出部１３が設けられている場合において、すべての突出部１３の突出高さＴ₁₃が同一でなくてもよい。 In the present embodiment, the first to fourth holding surfaces 231B to 234B of the outer peripheral side surface 23 are provided with protrusions 13 that protrude outward in plan view from the first surface 21 side of the base 2 (see FIGS. 6 to 8). is provided. Since the protrusions 13 are formed simultaneously with the protrusions 11 through the wet etching process on the substrate 1 to be processed, the protrusion height T ₁₃ of the protrusions 13 is substantially equal to the protrusion height T ₁₁ of the protrusions 11 . It is equal to or less than the projection height T ₁₁ of the convex structure portion 11 . Note that the projecting portion 13 may not be provided on all of the first to fourth holding surfaces 231B to 234B, and may be provided on at least two holding surfaces (for example, the first holding surface 231B and the second holding surface 232B, etc.). two mating holding surfaces, etc.). Further, when the projecting portions 13 are provided on all of the first to fourth holding surfaces 231B to 234B, the projecting heights T ₁₃ of all the projecting portions 13 may not be the same.

突出部１３は、第１～第４保持面２３４Ｂに当接される基板保持具の形状に応じて、第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂの略全体が突出するものであってもよいし（図６参照）、第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂの一部が突出するものであってもよいし（図７参照）、第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂの略全体とそれに連続する基部２の第２面２２の一部とが突出するものであってもよい（図８参照）。 The projecting portion 13 may project substantially the entirety of the first to fourth holding surfaces 231B to 234B depending on the shape of the substrate holder that contacts the first to fourth holding surfaces 231B to 234B. (See FIG. 6), a part of the first to fourth holding surfaces 231B to 234B may protrude (see FIG. 7), or substantially all of the first to fourth holding surfaces 231B to 234B and A part of the second surface 22 of the continuous base 2 may protrude (see FIG. 8).

基部２の第２面２２には、所定の大きさの窪み部１２が形成されている。窪み部１２が形成されていることで、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１０から作製されるインプリントモールド１００（図９参照）を用いたインプリント処理時、特にインプリント樹脂との接触時やインプリントモールド１００の剥離時に、基部２の第２面２２が吸着チャック等で保持された状態で窪み部１２に圧力を印加することにより、窪み部１２により形成された基部２における厚みの薄い部分（薄板部）のみを湾曲させることができる。その結果、凸構造部１１の上面部１１Ａとインプリント樹脂とを接触させるときに、凸構造部１１の上面部１１Ａに形成されている凹凸パターン１１０とインプリント樹脂との間に気体が挟みこまれてしまうのを抑制することができ、また、インプリント樹脂に凹凸パターン１１０が転写されてなる転写パターンからインプリントモールド１００を容易に剥離することができる。 A recess 12 having a predetermined size is formed on the second surface 22 of the base 2 . The formation of the recessed portion 12 prevents contact with the imprint resin particularly during imprint processing using the imprint mold 100 (see FIG. 9) manufactured from the imprint mold substrate 10 according to the present embodiment. When the imprint mold 100 is peeled off, pressure is applied to the depression 12 while the second surface 22 of the base 2 is held by a suction chuck or the like, thereby increasing the thickness of the base 2 formed by the depression 12. Only the thin portion (thin plate portion) can be curved. As a result, when the upper surface portion 11A of the convex structure portion 11 and the imprint resin are brought into contact with each other, gas is sandwiched between the uneven pattern 110 formed on the upper surface portion 11A of the convex structure portion 11 and the imprint resin. In addition, the imprint mold 100 can be easily separated from the transfer pattern obtained by transferring the concave-convex pattern 110 to the imprint resin.

窪み部１２の平面視形状は、略円形状であるのが好ましい。略円形状であることで、インプリント処理時、特に凸構造部１１の上面部１１Ａとインプリント樹脂とを接触させるときやインプリント樹脂からインプリントモールド１００を剥離するときに、インプリントモールド１００の薄板部や、凸構造部１１の上面部１１Ａを、その面内において実質的に均一に湾曲させることができる。 It is preferable that the planar view shape of the recessed portion 12 is substantially circular. Due to the substantially circular shape, the imprint mold 100 can be easily displaced during imprint processing, particularly when the imprint resin is brought into contact with the upper surface portion 11A of the convex structure portion 11 or when the imprint mold 100 is peeled off from the imprint resin. and the upper surface portion 11A of the convex structure portion 11 can be curved substantially uniformly within the plane thereof.

窪み部１２の平面視における大きさは、窪み部１２を基部２の第１面２１側に投影した投影領域内に、凸構造部１１が包摂される程度の大きさである限り、特に制限されるものではない。当該投影領域が凸構造部１１を包摂不可能な大きさであると、インプリントモールド１００の凸構造部１１の上面部１１Ａの全面を効果的に湾曲させることができないおそれがある。 The size of the recessed portion 12 in plan view is not particularly limited as long as it is large enough to include the protruding structure portion 11 within the projection area obtained by projecting the recessed portion 12 onto the first surface 21 side of the base portion 2 . not something. If the projected area is too large to include the convex structure 11, the entire upper surface portion 11A of the convex structure 11 of the imprint mold 100 may not be curved effectively.

本実施形態におけるインプリントモールド用基板１０によれば、外周側面２３のうちの第１～第４側面２３１Ａ～２３４Ａに不要な突出部を有しておらず、優れた平坦性が確保されているため、これから作製されるインプリントモールド１００を用いたインプリント処理における凹凸パターン１１０の倍率補正時に第１～第４側面２３１Ａ～２３４Ａに均一な押圧力を印加することができ、所望とする倍率で凹凸パターンを補正することができる。また、インプリント処理における凹凸パターン１１０の倍率補正時に不要な突出部を有しない優れた平坦性が確保された外周側面２３を押圧することができるため、当該外周側面２３を押圧する押圧部材との接触による発塵（異物）の発生を防止することができる。 According to the imprint mold substrate 10 of the present embodiment, the first to fourth side surfaces 231A to 234A of the outer peripheral side surface 23 do not have unnecessary protrusions, and excellent flatness is ensured. Therefore, a uniform pressing force can be applied to the first to fourth side surfaces 231A to 234A when correcting the magnification of the concave-convex pattern 110 in the imprinting process using the imprint mold 100 to be manufactured, and the desired magnification can be obtained. Concavo-convex patterns can be corrected. In addition, since it is possible to press the outer peripheral side surface 23 that does not have unnecessary protrusions and has excellent flatness when correcting the magnification of the uneven pattern 110 in imprint processing, the pressing member that presses the outer peripheral side surface 23 can be used. It is possible to prevent generation of dust (foreign matter) due to contact.

〔インプリントモールド〕
図９は、本実施形態におけるインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図である。本実施形態におけるインプリントモールド１００は、本実施形態に係る被加工基板１（図１及び図２参照）から作製されるインプリントモールド用基板（図３～８参照）を用いて作製されてなるものである。したがって、上記被加工基板１及びインプリントモールド用基板１０と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略するものとする。 [Imprint mold]
FIG. 9 is a cut end view showing a schematic configuration of the imprint mold in this embodiment. The imprint mold 100 in the present embodiment is produced using an imprint mold substrate (see FIGS. 3 to 8) produced from the substrate to be processed 1 (see FIGS. 1 and 2) according to the present embodiment. It is. Therefore, the same components as those of the substrate 1 to be processed and the imprint mold substrate 10 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

本実施形態におけるインプリントモールド１００は、本実施形態におけるインプリントモールド用基板１０（図３～８参照）の凸構造部１１の上面部１１Ａに形成されてなる凹凸パターン１１０を有する。 The imprint mold 100 according to the present embodiment has an uneven pattern 110 formed on the upper surface portion 11A of the projecting structure portion 11 of the imprint mold substrate 10 (see FIGS. 3 to 8) according to the present embodiment.

凹凸パターン１１０の形状、寸法等は、本実施形態におけるインプリントモールド１００を用いて製造される製品等にて要求される形状、寸法等に応じて適宜設定され得る。例えば、凹凸パターン１１０の形状としては、ラインアンドスペース状、ピラー状、ホール状、格子状等が挙げられる。また、凹凸パターン１１０の寸法は、例えば、１０ｎｍ～２００ｎｍ程度に設定され得る。 The shape, dimensions, etc. of the concave-convex pattern 110 can be appropriately set according to the shape, dimensions, etc. required for products manufactured using the imprint mold 100 of the present embodiment. For example, the shape of the concavo-convex pattern 110 includes a line-and-space shape, a pillar shape, a hole shape, a lattice shape, and the like. Also, the dimension of the uneven pattern 110 can be set to, for example, about 10 nm to 200 nm.

本実施形態におけるインプリントモールド１００によれば、外周側面２３のうちの第１～第４側面２３１Ａ～２３４Ａに不要な突出部を有しておらず、優れた平坦性が確保されているため、これを用いたインプリント処理における凹凸パターン１１０の倍率補正時に第１～第４側面２３１Ａ～２３４Ａに均一な押圧力を印加することができ、所望とする倍率で凹凸パターンを補正することができる。また、インプリント処理における凹凸パターン１１０の倍率補正時に不要な突出部を有しない優れた平坦性が確保された外周側面２３を押圧することができるため、当該外周側面２３を押圧する押圧部材との接触による発塵（異物）の発生を防止することができる。 According to the imprint mold 100 of the present embodiment, the first to fourth side surfaces 231A to 234A of the outer peripheral side surface 23 do not have unnecessary protrusions, and excellent flatness is ensured. A uniform pressing force can be applied to the first to fourth side surfaces 231A to 234A when correcting the magnification of the concave-convex pattern 110 in imprint processing using this, and the concave-convex pattern can be corrected at a desired magnification. In addition, since it is possible to press the outer peripheral side surface 23 that does not have unnecessary protrusions and has excellent flatness when correcting the magnification of the uneven pattern 110 in imprint processing, the pressing member that presses the outer peripheral side surface 23 can be used. It is possible to prevent generation of dust (foreign matter) due to contact.

〔インプリントモールド用基板の製造方法〕
上述した構成を有するインプリントモールド用基板１０の製造方法の一例について説明する。図１０～１４は、本実施形態におけるインプリントモールド用基板の製造方法の各工程を示す切断端面図である。 [Manufacturing method of substrate for imprint mold]
An example of a method for manufacturing the imprint mold substrate 10 having the above configuration will be described. 10 to 14 are cut end views showing each step of the method for manufacturing an imprint mold substrate according to this embodiment.

［基板準備工程］
まず、本実施形態に係る被加工基板１を準備し、当該被加工基板１の基部２の第１面２１にハードマスク層３０及びレジスト層４０をこの順に積層する（図１０参照）。 [Substrate preparation process]
First, the substrate 1 to be processed according to this embodiment is prepared, and the hard mask layer 30 and the resist layer 40 are laminated in this order on the first surface 21 of the base 2 of the substrate 1 to be processed (see FIG. 10).

ハードマスク層３０を構成する材料としては、例えば、クロム、チタン、タンタル、珪素、アルミニウム等の金属；窒化クロム、酸化クロム、酸窒化クロム等のクロム系化合物、酸化タンタル、酸窒化タンタル、酸化硼化タンタル、酸窒化硼化タンタル等のタンタル化合物、窒化チタン、窒化珪素、酸窒化珪素等を挙げることができ、これらを単独で、又は任意に選択した２種以上を組み合わせて用いることができる。 Materials constituting the hard mask layer 30 include, for example, metals such as chromium, titanium, tantalum, silicon, and aluminum; chromium-based compounds such as chromium nitride, chromium oxide, and chromium oxynitride; Examples include tantalum compounds such as tantalum oxide and tantalum boride oxynitride, titanium nitride, silicon nitride, silicon oxynitride, and the like, and these can be used alone or in combination of two or more arbitrarily selected.

ハードマスク層３０は、後述する工程（図１２参照）にてパターニングされ、インプリントモールド用基板１０の凸構造部１１（図１３参照）をエッチングにより形成する際のマスクパターンとして用いられるものである。そのため、基部２の構成材料に応じ、エッチング選択比等を考慮して、ハードマスク層３０の構成材料を選択するのが好ましい。例えば、基部２が石英ガラスにより構成される場合、ハードマスク層３０を構成する材料として酸化クロム等が好適に選択され得る。 The hard mask layer 30 is patterned in a step (see FIG. 12) to be described later, and is used as a mask pattern when forming the protruding structure 11 (see FIG. 13) of the imprint mold substrate 10 by etching. . Therefore, it is preferable to select the constituent material of the hard mask layer 30 according to the constituent material of the base 2, taking into account the etching selectivity and the like. For example, when the base portion 2 is made of quartz glass, chromium oxide or the like can be suitably selected as the material forming the hard mask layer 30 .

ハードマスク層３０の厚さは、基部２の構成材料に応じたエッチング選択比等を考慮して適宜設定される。例えば、基部２の構成材料が石英ガラスであって、ハードマスク層３０の構成材料が酸化クロムである場合、ハードマスク層３０の厚さは、０．５ｎｍ～２００ｎｍ程度の範囲内で適宜設定され得る。 The thickness of the hard mask layer 30 is appropriately set in consideration of the etching selectivity and the like according to the constituent material of the base 2 . For example, when the constituent material of the base 2 is quartz glass and the constituent material of the hard mask layer 30 is chromium oxide, the thickness of the hard mask layer 30 is appropriately set within a range of about 0.5 nm to 200 nm. obtain.

基部２の第１面２１にハードマスク層３０を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、スパッタリング、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の公知の成膜方法が挙げられる。 The method for forming the hard mask layer 30 on the first surface 21 of the base 2 is not particularly limited. method.

基部２の第１面２１上のハードマスク層３０を覆うようにしてスピンコート法等により形成されるレジスト層４０を構成する材料は、特に限定されるものではなく、例えば、ネガ型又はポジ型の感光性材料等を用いることができるが、ネガ型の感光性材料を用いるのが好ましい。レジスト層４０の膜厚は、特に限定されるものではなく、ハードマスク層３０の構成材料に応じた選択比等に応じて適宜設定され得る。 The material constituting the resist layer 40 formed by spin coating or the like so as to cover the hard mask layer 30 on the first surface 21 of the base 2 is not particularly limited, and may be, for example, a negative type or a positive type. However, it is preferable to use a negative photosensitive material. The film thickness of the resist layer 40 is not particularly limited, and can be appropriately set according to the selection ratio or the like according to the constituent material of the hard mask layer 30 .

〔レジストパターン形成工程〕
上記レジスト層４０に対して所定の開口を有するフォトマスク（図示省略）を介した露光処理及び現像処理を施すことで、凸構造部１１に対応するレジストパターン４１を形成する（図１１参照）。 [Resist pattern forming step]
A resist pattern 41 corresponding to the protruding structure 11 is formed by exposing and developing the resist layer 40 through a photomask (not shown) having a predetermined opening (see FIG. 11).

本実施形態において、レジストパターン４１をマスクとしてハードマスク層３０にドライエッチング処理を施すことで、凸構造部１１に対応するマスクパターン３１が形成される。すなわち、レジストパターン４１の大きさ（サイズ）とマスクパターン３１の大きさ（サイズ）とは実質的に同一となる。そして、後述するように、マスクパターン３１の大きさ（サイズ）は、凸構造部１１の大きさ（サイズ）よりも大きく、凸構造部１１の上面部１１Ａを包摂可能な大きさで構成される。よって、レジストパターン４１の大きさ（サイズ）も、凸構造部１１の大きさ（サイズ)よりも大きく、凸構造部１１の上面部１１Ａを包摂可能な大きさで構成される。 In this embodiment, the hard mask layer 30 is dry-etched using the resist pattern 41 as a mask, thereby forming the mask pattern 31 corresponding to the convex structure portion 11 . That is, the size (size) of the resist pattern 41 and the size (size) of the mask pattern 31 are substantially the same. As will be described later, the size of the mask pattern 31 is larger than the size of the protruding structure 11, and is configured to have a size capable of including the upper surface portion 11A of the protruding structure 11. . Therefore, the size (size) of the resist pattern 41 is also larger than the size (size) of the protruding structure 11, and is configured to have a size capable of including the upper surface portion 11A of the protruding structure 11. FIG.

〔マスクパターン形成工程〕
上記のようにして形成されたレジストパターン４１をエッチングマスクとし、開口部から露出するハードマスク層３０を、例えば、塩素系（Ｃｌ₂＋Ｏ₂）のエッチングガスを用いてドライエッチングすることで、基部２の第１面２１上にマスクパターン３１を形成する（図１２参照）。 [Mask pattern forming process]
Using the resist pattern 41 formed as described above as an etching mask, the hard mask layer 30 exposed from the opening is dry-etched using, for example, a chlorine-based (Cl ₂ +O ₂ ) etching gas to form a base portion. 2, a mask pattern 31 is formed on the first surface 21 (see FIG. 12).

マスクパターン３１は、後述するウェットエッチング工程において、凸構造部１１を形成するためのマスクとして用いられる。そして、凸構造部１１を形成するためのウェットエッチング工程においては、いわゆるサイドエッチングが起こり、基部２の第１面２１が横方向（面内方向）にエッチングされる。そのため、凸構造部１１の上面部１１Ａの大きさ（サイズ）は、マスクパターン３１の大きさ（サイズ）よりも小さくなる。すなわち、マスクパターン３１の大きさ（サイズ）は、凸構造部１１の上面部１１Ａの大きさ（サイズ）よりも大きく構成される。マスクパターン３１の大きさ（サイズ）は、基部２のサイドエッチング量等に応じて設定されればよく、例えば、１μｍ～２００μｍ程度大きければよい。 The mask pattern 31 is used as a mask for forming the convex structure 11 in a wet etching process described later. In the wet etching process for forming the convex structure 11, so-called side etching occurs, and the first surface 21 of the base 2 is etched laterally (in-plane direction). Therefore, the size (size) of the upper surface portion 11A of the convex structure portion 11 is smaller than the size (size) of the mask pattern 31 . That is, the size (size) of the mask pattern 31 is configured to be larger than the size (size) of the upper surface portion 11A of the convex structure portion 11 . The size of the mask pattern 31 may be set according to the amount of side etching of the base 2 and the like.

〔ウェットエッチング工程〕
上記のようにして形成されたマスクパターン３１をマスクとして被加工基板１にウェットエッチング処理を施し、残存するマスクパターン３１を除去する。ウェットエッチング処理におけるエッチング液としては、例えばフッ酸等が好適に用いられる。これにより凸構造部１１が形成される（図１３参照）。 [Wet etching process]
Using the mask pattern 31 formed as described above as a mask, the substrate 1 to be processed is subjected to a wet etching process to remove the remaining mask pattern 31 . For example, hydrofluoric acid or the like is preferably used as an etchant in the wet etching process. Thereby, the convex structure portion 11 is formed (see FIG. 13).

被加工基板１に対するウェットエッチング処理は、被加工基板１の外周側面２３のうちの第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂに基板保持具５０を当接させるようにして当該被加工基板１を保持し、エッチング槽５１内に収容されているエッチング液５２中に浸漬させる。このとき、第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂのうちの基板保持具５０に当接している部分については、エッチング液に接触しないために面内方向へのエッチングが進行せず基板保持具５０の側方からのサイドエッチングが進行する。その一方で、被加工基板１の第１～第４側面２３１Ａ～２３４Ａについては、面内方向内側に向かってエッチングが進行する。そのため、ウェットエッチングにより凸構造部１１が形成されたインプリントモールド用基板１０において、第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂには突出部１３が形成される一方、第１～第４側面２３１Ａ～２３４Ａは優れた平坦度を有するものとなる。 In the wet etching process for the substrate 1 to be processed, the substrate 1 to be processed is held by bringing the substrate holder 50 into contact with the first to fourth holding surfaces 231B to 234B of the outer peripheral side surface 23 of the substrate 1 to be processed. and immersed in the etchant 52 contained in the etching tank 51 . At this time, since the portions of the first to fourth holding surfaces 231B to 234B that are in contact with the substrate holder 50 do not come into contact with the etchant, the etching in the in-plane direction does not proceed, and the substrate holder 50 is removed. side etching progresses from the side of . On the other hand, the first to fourth side surfaces 231A to 234A of the substrate 1 to be processed are etched inward in the in-plane direction. Therefore, in the imprint mold substrate 10 on which the projecting structure 11 is formed by wet etching, the protruding portions 13 are formed on the first to fourth holding surfaces 231B to 234B, while the first to fourth side surfaces 231A to 234A will have excellent flatness.

〔窪み部形成工程〕
続いて、基部２の第２面２２に研削加工を施して窪み部４を形成する（図１４参照）。これにより、本実施形態におけるインプリントモールド用基板１０が製造される。 [Indentation forming step]
Subsequently, the second surface 22 of the base 2 is ground to form the recess 4 (see FIG. 14). Thus, the imprint mold substrate 10 in this embodiment is manufactured.

〔インプリントモールドの製造方法〕
上記のようにして作製されたインプリントモールド用基板１０の凸構造部１１の上面部１１Ａ（パターン領域）にハードマスク層３０及びレジスト層を形成し、レジスト層４０をパターニングしてレジストパターン４１を形成する（図１５参照）。次に、レジストパターン４１をマスクとしてハードマスク層３０をドライエッチングすることで、凹凸パターン１１０に対応するマスクパターン３１を形成する（図１６参照）。そして、マスクパターン３１をマスクとしてインプリントモールド用基板１０にドライエッチング処理を施し、凸構造部１１の上面に凹凸パターン１１０を形成することで、インプリントモールド１００（図１７参照）を製造することができる。インプリントモールド用基板１０のドライエッチングは、当該インプリントモールド用基板１０の構成材料の種類に応じて適宜エッチングガスを選択して行なわれ得る。エッチングガスとしては、例えば、フッ素系ガス等を用いることができる。 [Manufacturing method of imprint mold]
A hard mask layer 30 and a resist layer are formed on the upper surface portion 11A (pattern region) of the convex structure portion 11 of the imprint mold substrate 10 manufactured as described above, and the resist layer 40 is patterned to form a resist pattern 41. form (see FIG. 15). Next, by dry-etching the hard mask layer 30 using the resist pattern 41 as a mask, a mask pattern 31 corresponding to the uneven pattern 110 is formed (see FIG. 16). Then, the imprint mold substrate 10 is dry-etched using the mask pattern 31 as a mask to form the uneven pattern 110 on the upper surface of the convex structure portion 11, thereby manufacturing the imprint mold 100 (see FIG. 17). can be done. The dry etching of the imprint mold substrate 10 can be performed by appropriately selecting an etching gas according to the type of constituent material of the imprint mold substrate 10 . As an etching gas, for example, a fluorine-based gas or the like can be used.

本実施形態におけるインプリントモールド１００の凹凸パターン１１０は、ＡＬＤ法を利用して形成した側壁パターンをマスクとしたドライエッチングにより形成されるものであってもよい。 The concavo-convex pattern 110 of the imprint mold 100 in this embodiment may be formed by dry etching using a sidewall pattern formed by ALD as a mask.

インプリントモールド用基板１０の凸構造部１１の上面部１１Ａにハードマスク層３０及びレジスト層を形成し、レジスト層４０をパターニングしてレジストパターン４１を形成する（図１８（Ａ）参照）。次に、レジストパターン４１上に、シリコン系材料（シリコン酸化物等）の側壁材料をＡＬＤ法（Atomic layer deposition）により堆積させることで側壁材料膜６０を形成する（図１８（Ｂ）参照）。続いて、側壁材料膜６０に対し、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等の異方性エッチングによりエッチバック処理を施し、残存するレジストパターン４１を除去することで、ハードマスク層３０上に側壁パターン６１を形成する（図１８（Ｃ）参照）。そして、側壁パターン６１をマスクとしてハードマスク層３０をドライエッチングすることで、凹凸パターン１１０に対応するハードマスクパターンを形成し（図１８（Ｄ）参照）、ハードマスクパターンをマスクとしてインプリントモールド用基板１０にドライエッチング処理を施し、凸構造部１１の上面に凹凸パターン１１０を形成する。これにより、本実施形態におけるインプリントモールド１００（図１８（Ｅ）参照）を製造することができる。 A hard mask layer 30 and a resist layer are formed on the upper surface portion 11A of the convex structure portion 11 of the imprint mold substrate 10, and the resist layer 40 is patterned to form a resist pattern 41 (see FIG. 18A). Next, a side wall material film 60 is formed on the resist pattern 41 by depositing a side wall material of a silicon-based material (silicon oxide, etc.) by ALD (Atomic Layer Deposition) (see FIG. 18B). Subsequently, the sidewall material film 60 is etched back by anisotropic etching such as RIE (Reactive Ion Etching) to remove the remaining resist pattern 41 , thereby forming the sidewall pattern 61 on the hard mask layer 30 . formed (see FIG. 18C). Then, by dry-etching the hard mask layer 30 using the sidewall pattern 61 as a mask, a hard mask pattern corresponding to the uneven pattern 110 is formed (see FIG. 18D). A dry etching process is performed on the substrate 10 to form a concave-convex pattern 110 on the upper surface of the convex structure portion 11 . Thus, the imprint mold 100 (see FIG. 18(E)) in this embodiment can be manufactured.

このような方法でインプリントモールド１００を製造する場合、側壁材料膜６０を形成するときにインプリントモールド用基板１０の第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂに基板保持具を当接させてインプリントモールド用基板１０を保持する。そのため、基板保持具が当接する第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂには側壁材料が堆積されず、第１～第４側面２３１Ａ～２３４Ａには略均一な膜厚で側壁材料が堆積される。この第１～第４側面２３１Ａ～２３４Ａに堆積された側壁材料をエッチング等により除去する際に、第１～第４保持面２３１Ｂ～２３４Ｂに基板保持具を当接させることで、側壁材料を除去した後の第１～第４側面２３１Ａ～２３４Ａの平坦性は確保される。したがって、本実施形態におけるインプリントモールド１００においては、第１～第４側面２３１Ａ～２３４Ａは優れた平坦度を有するものとなるため、インプリント処理における凹凸パターン１１０の倍率補正時に第１～第４側面２３１Ａ～２３４Ａに均一な押圧力を印加することができ、所望とする倍率で凹凸パターンを補正することができる。 When the imprint mold 100 is manufactured by such a method, the substrate holder is brought into contact with the first to fourth holding surfaces 231B to 234B of the imprint mold substrate 10 when the side wall material film 60 is formed. A print mold substrate 10 is held. Therefore, the sidewall material is not deposited on the first to fourth holding surfaces 231B to 234B with which the substrate holder abuts, and the sidewall material is deposited on the first to fourth side surfaces 231A to 234A with a substantially uniform film thickness. . When removing the sidewall material deposited on the first to fourth side surfaces 231A to 234A by etching or the like, the sidewall material is removed by bringing the substrate holder into contact with the first to fourth holding surfaces 231B to 234B. The flatness of the first to fourth side surfaces 231A to 234A is ensured. Therefore, in the imprint mold 100 of the present embodiment, since the first to fourth side surfaces 231A to 234A have excellent flatness, the first to fourth side surfaces 231A to 234A are flat when correcting the magnification of the concave-convex pattern 110 in imprint processing. A uniform pressing force can be applied to the side surfaces 231A to 234A, and the uneven pattern can be corrected at a desired magnification.

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。 The embodiments described above are described to facilitate understanding of the present invention, and are not described to limit the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiments is meant to include all design changes and equivalents that fall within the technical scope of the present invention.

１…被加工基板
２…基部
２１…第１面
２２…第２面
２３…外周側面
２３１Ａ…第１側面
２３２Ａ…第２側面
２３３Ａ…第３側面
２３４Ａ…第４側面
２３１Ｂ…第１保持面
２３２Ｂ…第２保持面
２３３Ｂ…第３保持面
２３４Ｂ…第４保持面
１０…インプリントモールド用基板
１１…凸構造部
１１Ａ…上面部
１２…窪み部
１３…突出部
１００…インプリントモールド
１１０…凹凸パターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Substrate to be processed 2... Base 21... First surface 22... Second surface 23... Peripheral side surface 231A... First side surface 232A... Second side surface 233A... Third side surface 234A... Fourth side surface 231B... First holding surface 232B... Second holding surface 233B Third holding surface 234B Fourth holding surface 10 Substrate for imprint mold 11 Convex structure portion 11A Upper surface portion 12 Recess portion 13 Protrusion portion 100 Imprint mold 110 Concavo-convex pattern

Claims

a base having a first surface, a second surface facing the first surface, and an outer peripheral side surface continuous between the outer peripheral edge portion of the first surface and the outer peripheral edge portion of the second surface ;
a convex structure protruding from the first surface of the base;
with
The outer peripheral side surface includes a first side surface and a third side surface facing each other, a second side surface and a fourth side surface substantially orthogonal to the first side surface and the third side surface and facing each other, and the first side surface and the third side surface. A first holding surface continuous between two side surfaces, a second holding surface continuous between the second side surface and the third side surface, and a third holding surface continuous between the third side surface and the fourth side surface a surface and a fourth holding surface continuous between the first side surface and the fourth side surface;
The shape of the base in plan view from the first surface side is substantially octagonal ,
At least two holding surfaces of the first to fourth holding surfaces of the base have protrusions .

2. The method according to claim 1, wherein a continuous portion between the outer peripheral edge portion of the first surface and the outer peripheral side surface is configured by an outer peripheral chamfered portion inclined at a predetermined angle with respect to each of the first surface and the outer peripheral side surface. Substrate for imprint mold .

3. The imprint mold substrate according to claim 2, wherein, in a side view of the first to fourth holding surfaces, each width of the first to fourth holding surfaces is larger than the width of the outer peripheral chamfered portion.

The imprint mold substrate according to any one of claims 1 to 3 , wherein the protruding portion continuously exists in a predetermined region from the holding surface to the second surface of the base.

5. The imprint mold substrate according to any one of claims 1 to 4 , wherein a recess is formed on the second surface of the base.

The imprint mold according to any one of claims 1 to 5 , wherein the substrate for imprint mold has an uneven pattern formed on the upper surface of the convex structure.