JP7189464B2

JP7189464B2 - light emitting device

Info

Publication number: JP7189464B2
Application number: JP2021122341A
Authority: JP
Inventors: 元量山田; 剛田村; 廣司藤森
Original assignee: Nichia Corp
Current assignee: Nichia Corp
Priority date: 2020-09-30
Filing date: 2021-07-27
Publication date: 2022-12-14
Anticipated expiration: 2036-09-16
Also published as: JP2021176152A

Description

本開示は発光装置に関する。 The present disclosure relates to light emitting devices.

近年、液晶表示装置などの表示装置に用いられるバックライトとして、半導体発光素子を用いた直下型の発光装置が提案されている。例えば、特許文献１および２は、複数の発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を配列し、反射板と部分的に反射率を制御したハーフミラーとを組み合わせた発光装置を開示している。 2. Description of the Related Art In recent years, direct type light emitting devices using semiconductor light emitting elements have been proposed as backlights used in display devices such as liquid crystal display devices. For example, Patent Literatures 1 and 2 disclose a light emitting device in which a plurality of light emitting diodes (LEDs) are arranged and a reflector and a half mirror whose reflectance is partially controlled are combined.

特開２０１２－１７４３７１号公報JP 2012-174371 A 特開２０１２－２１２５０９号公報JP 2012-212509 A

直下型の発光装置では、光源から出射する光の輝度むらを低減させることが求められている。本願のある例示的な一実施形態は、輝度むらが抑制された発光装置を提供する。 Direct type light emitting devices are required to reduce luminance unevenness of light emitted from a light source. An exemplary embodiment of the present application provides a light-emitting device with reduced luminance unevenness.

本開示の発光装置は、基板と、前記基板上に位置する複数の光源と、光拡散板と、前記光拡散板と、前記基板の前記複数の光源との間に位置するハーフミラーと、前記基板と前記光拡散板との間であって、前記複数の光源の出射面の少なくとも一部の上方に位置する散乱反射部とを備える。 A light emitting device of the present disclosure includes a substrate, a plurality of light sources positioned on the substrate, a light diffusion plate, a half mirror positioned between the light diffusion plate, and the plurality of light sources on the substrate, and a scattering reflector located between the substrate and the light diffusion plate and above at least a portion of the emission surfaces of the plurality of light sources.

本発明に係る実施形態によれば、輝度むらを抑制した発光装置を提供することができる。 According to the embodiments of the present invention, it is possible to provide a light-emitting device that suppresses luminance unevenness.

発光装置の実施形態の一例を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing an example of an embodiment of a light emitting device; FIG. 光源ユニットの上面図である。It is a top view of a light source unit. 光源から出射する光の配光特性を示す図である。It is a figure which shows the light distribution characteristic of the light radiate|emitted from a light source. 実施形態のハーフミラーの反射率および透過率の角度依存特性の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the angle dependence characteristic of the reflectance of the half mirror of embodiment, and the transmittance|permeability. 実施形態のハーフミラーの反射波長帯域および発光素子の発光波長の関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the reflection wavelength band of a half mirror of embodiment, and the light emission wavelength of a light emitting element. 実施形態の散乱反射部の配置を示す上面図である。FIG. 4 is a top view showing the arrangement of the scattering reflectors of the embodiment; 実施形態の散乱反射部の他の配置を示す上面図である。FIG. 10 is a top view showing another arrangement of the scattering reflectors of the embodiment; 実施形態の散乱反射部の構造を示す上面図である。FIG. 4 is a top view showing the structure of the scattering reflector of the embodiment; 実施形態の散乱反射部の他の構造を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing another structure of the scattering reflector of the embodiment; 発光装置の実施形態の他の一例を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing another example of an embodiment of a light emitting device; 発光装置の実施形態の他の一例を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing another example of an embodiment of a light emitting device; 発光装置の実施形態の他の一例を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing another example of an embodiment of a light emitting device; 発光装置の実施形態の他の一例を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing another example of an embodiment of a light emitting device; 実施例および参考例の輝度分布を示す図である。It is a figure which shows the luminance distribution of an Example and a reference example.

本願発明者の検討によれば、特許文献１および２に開示された発光装置に用いるハーフミラーでは、表示パネルの大きさおよび仕様などに応じて部分的に反射率を制御する必要がある。このため、使用するハーフミラーは、特殊な専用部材として用意しなければならず、その結果、特に、大画面液晶テレビ用の発光装置に用いるハーフミラーは非常に高価な部品となってしまうと考えられる。 According to studies by the inventors of the present application, it is necessary to partially control the reflectance of the half mirrors used in the light emitting devices disclosed in Patent Documents 1 and 2 according to the size and specifications of the display panel. For this reason, the half mirror to be used must be prepared as a special dedicated member, and as a result, it is considered that the half mirror used in the light emitting device for the large-screen liquid crystal television will become a very expensive component. be done.

また特許文献２に開示された発光装置では、反射材としてアルミニウムを用いてハーフミラーを構成している。しかし、アルミニウムは可視光の一部を吸収するため、ハーフミラーと反射板との間で、光源から出射する光が反射を繰り返すことによって、ハーフミラーに吸収され、外部への取り出し効率が低下してしまう。また、ハーフミラーにおける反射率が部分的に異なることにより、反射率が異なる境界で輝度むらが発生し得る。このような課題に鑑み、本願発明者は新規な構造を有する発光装置を想到した。 Further, in the light emitting device disclosed in Patent Document 2, aluminum is used as a reflecting material to form a half mirror. However, since aluminum absorbs a portion of visible light, the light emitted from the light source is repeatedly reflected between the half mirror and the reflector, causing the light to be absorbed by the half mirror and reducing the extraction efficiency to the outside. end up In addition, since the reflectances of the half mirrors are partially different, luminance unevenness may occur at the boundary where the reflectances are different. In view of such problems, the inventor of the present application has conceived of a light-emitting device having a novel structure.

以下、図面を参照しながら、本開示の発光装置の実施形態を詳細に説明する。以下の実施形態は、例示であり、本開示の発光装置は、以下の実施形態に限られない。以下の説明では、特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」およびそれらの用語を含む別の用語）を用いる場合がある。それらの用語は、参照した図面における相対的な方向や位置を、分かり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向や位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。また、図面が示す構成要素の大きさや位置関係等は、分かり易さのため、誇張されている場合があり、実際の面発光装置における大きさあるいは、実際の面発光装置における構成要素間の大小関係を反映していない場合がある。また、本開示において「平行」および「垂直」または「直交」とは、特に他の言及がない限り、２つの直線、辺あるいは面等がそれぞれ０°から±５°程度および９０°から±５°程度の範囲にある場合を含む。 Hereinafter, embodiments of the light emitting device of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiments are examples, and the light-emitting device of the present disclosure is not limited to the following embodiments. The following description may use terms (eg, "upper", "lower", "right", "left", and other inclusive terms) to indicate specific directions or positions. The terms use the relative orientations and positions in the referenced figures only for the sake of clarity. If the relative directions and positional relationships of terms such as “upper” and “lower” in the referenced drawings are the same, then in drawings other than the present disclosure, actual products, etc., the arrangement is not the same as the referenced drawings. may In addition, the sizes and positional relationships of components shown in the drawings may be exaggerated for the sake of clarity. May not reflect relationships. In addition, in the present disclosure, “parallel” and “perpendicular” or “perpendicular” mean that two straight lines, sides or planes are 0° to ±5° and 90° to ±5°, respectively, unless otherwise specified. Including cases in the range of degrees.

（発光装置１０１の構造）
図１は、第１実施形態の発光装置１０１の一例を示す断面図である。発光装置１０１は、基板１１および基板１１に配置された複数の光源２０を含む光源ユニット１０と、ハーフミラー３１、光拡散板３３および散乱反射部３２を含み、光源ユニット１０の光源２０から出射する光が透過する透光積層体３０とを備える。以下、各構成要素を詳細に説明する。 (Structure of Light Emitting Device 101)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the light emitting device 101 of the first embodiment. The light emitting device 101 includes a light source unit 10 including a substrate 11 and a plurality of light sources 20 arranged on the substrate 11, a half mirror 31, a light diffusion plate 33 and a scattering reflector 32, and emits light from the light source 20 of the light source unit 10. and a translucent laminate 30 through which light is transmitted. Each component will be described in detail below.

［基板１１］
基板１１は上面１１ａおよび下面１１ｂを有し、上面１１ａ側に複数の光源２０が配置され、支持される。基板１１の上面１１ａおよび下面１１ｂには、以下において詳述する導体配線層１３および金属層１２が設けられる。また、上面１１ａには複数の光源２０をそれぞれ取り囲む区分部材１５が設けられる。 [Substrate 11]
The substrate 11 has an upper surface 11a and a lower surface 11b, and a plurality of light sources 20 are arranged and supported on the upper surface 11a side. The upper surface 11a and the lower surface 11b of the substrate 11 are provided with a conductor wiring layer 13 and a metal layer 12, which will be described in detail below. In addition, a partition member 15 surrounding each of the plurality of light sources 20 is provided on the upper surface 11a.

基板１１の材料としては、例えば、セラミックス、および、樹脂を用いることができる。低コストおよび成形容易性の点から、樹脂を基板１１の材料として選択してもよい。樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴレジン、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等を挙げることができる。基板の厚さは適宜選択することができ、基板１１は、ロール・ツー・ロール方式で製造可能なフレキシブル基板、あるいは、リジット基板のいずれであってもよい。リジット基板は湾曲可能な薄型リジット基板であってもよい。 As the material of the substrate 11, for example, ceramics and resin can be used. Resin may be selected as the material for the substrate 11 in terms of low cost and ease of molding. Examples of resins include phenol resin, epoxy resin, polyimide resin, BT resin, polyphthalamide (PPA), polyethylene terephthalate (PET), and the like. The thickness of the substrate can be selected as appropriate, and the substrate 11 may be either a flexible substrate that can be manufactured by a roll-to-roll method or a rigid substrate. The rigid substrate may be a bendable thin rigid substrate.

また、耐熱性及び耐光性に優れるという観点で、セラミックスを基板１１の材料として選択してもよい。セラミックスとしては、例えば、アルミナ、むらイト、フォルステライ
ト、ガラスセラミックス、窒化物系（例えば、ＡｌＮ）、炭化物系（例えば、ＳｉＣ）、ＬＴＣＣ等が挙げられる。 Ceramics may also be selected as the material for the substrate 11 from the viewpoint of being excellent in heat resistance and light resistance. Ceramics include, for example, alumina, mullite, forsterite, glass ceramics, nitrides (eg, AlN), carbides (eg, SiC), LTCC, and the like.

基板１１は複合材料によって形成されていてもよい。具体的には、上述した樹脂に、ガラス繊維、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃等の無機フィラーを混合してもよい。例えば、ガラス繊維強化樹脂（ガラスエポキシ樹脂）などが挙げられる。これにより、基板１１の機械的強度の向上、熱膨張率の低減、光反射率の向上等を図ることができる。 Substrate 11 may be made of a composite material. Specifically, inorganic fillers such as glass fiber, SiO ₂ , TiO ₂ and Al ₂ O ₃ may be mixed with the resin described above. Examples thereof include glass fiber reinforced resins (glass epoxy resins). This makes it possible to improve the mechanical strength of the substrate 11, reduce the coefficient of thermal expansion, improve the light reflectance, and the like.

また、基板１１は、少なくとも上面１１ａが電気的絶縁性を有していればよく、積層構造を有していてもよい。例えば、基板１１は、表面に絶縁層が設けられた金属板を用いてもよい。 Moreover, the substrate 11 may have a laminated structure as long as at least the upper surface 11a has electrical insulation. For example, the substrate 11 may be a metal plate having an insulating layer on its surface.

［導体配線層１３］
導体配線層１３は、基板１１の上面１１ａに設けられている。導体配線層１３は、外部から複数の光源２０に電力を供給するため配線パターンを有している。導体配線層１３の材料は、基板１１として用いられる材料や製造方法等によって適宜選択することができる。例えば、基板１１の材料としてセラミックスを用いる場合は、導体配線層１３の材料は、例えば、基板１１のセラミックスと同時焼成が可能な高融点金属によって形成されている。例えば、導体配線層１３は、タングステン、モリブデン等の高融点金属によって形成されている。導体配線層１３は多層構造を有していてもよい。例えば導体配線層１３は、上述した方法で形成される高融点金属のパターンと、このパターン上にメッキ、スパッタリング、蒸着などにより形成されたニッケル、金、銀などの他の金属を含む金属層とを備えていてもよい。 [Conductor wiring layer 13]
The conductor wiring layer 13 is provided on the upper surface 11 a of the substrate 11 . The conductor wiring layer 13 has a wiring pattern for supplying electric power to the plurality of light sources 20 from the outside. The material of the conductor wiring layer 13 can be appropriately selected according to the material used for the substrate 11, the manufacturing method, and the like. For example, when ceramics is used as the material of the substrate 11, the material of the conductor wiring layer 13 is, for example, a high melting point metal that can be co-fired with the ceramics of the substrate 11. FIG. For example, the conductor wiring layer 13 is made of refractory metal such as tungsten or molybdenum. The conductor wiring layer 13 may have a multilayer structure. For example, the conductor wiring layer 13 includes a pattern of a high-melting-point metal formed by the method described above and a metal layer containing other metals such as nickel, gold, and silver formed on the pattern by plating, sputtering, vapor deposition, or the like. may be provided.

基板１１の材料としてガラスエポキシ樹脂を用いる場合は、導体配線層１３の材料には、加工し易い材料を選択することが好ましい。例えば、メッキ、スパッタリング、蒸着、プレスによる貼り付けによって形成された銅、ニッケル等の金属層を用いることができる。金属層は、印刷、フォトリソグラフィー等によってマスキングし、エッチングすることによって、所定の配線パターンに加工することができる。 When glass epoxy resin is used as the material of the substrate 11, it is preferable to select a material that is easy to process as the material of the conductor wiring layer 13. FIG. For example, a metal layer of copper, nickel, or the like formed by plating, sputtering, vapor deposition, or pressing can be used. The metal layer can be processed into a predetermined wiring pattern by masking with printing, photolithography, etc., and etching.

［金属層１２］
光源ユニット１０は、基板１１の下面１１ｂに金属層１２をさらに備えていてもよい。金属層１２は、放熱のため下面１１ｂの全体に設けられていてもよいし、配線パターンを有していてもよい。例えば、金属層１２は、光源２０を駆動するための駆動回路の回路パターンを有していてもよい。さらに、金属層１２の回路パターン上に駆動回路を構成する部品が実装されていてもよい。 [Metal layer 12]
The light source unit 10 may further include a metal layer 12 on the bottom surface 11 b of the substrate 11 . The metal layer 12 may be provided on the entire lower surface 11b for heat radiation, or may have a wiring pattern. For example, the metal layer 12 may have circuit patterns of driving circuits for driving the light source 20 . Further, components constituting a drive circuit may be mounted on the circuit pattern of the metal layer 12 .

［光源２０］
複数の光源２０は、基板１１の上面１１ａ側に配置される。図２は、光源ユニット１０の上面図である。複数の光源２０は基板１１の上面１１ａにおいて、１次元または２次元に配列されている。本実施形態では、複数の光源２０は直交する２方向、つまり、ｘ方向およびｙ方向に沿って２次元に配列されており、ｘ方向の配列ピッチｐｘとｙ方向の配列ピッチｐｙは等しい。しかし、配列方向はこれに限られない。ｘ方向とｙ方向のピッチは異なっていてもよいし、配列の２方向は直交していなくてもよい。また、配列ピッチも等間隔に限られず、不等間隔であってもよい。例えば、基板１１の中央から周辺に向かって間隔が広くなるように光源２０が配列されていてもよい。 [Light source 20]
A plurality of light sources 20 are arranged on the upper surface 11 a side of the substrate 11 . FIG. 2 is a top view of the light source unit 10. FIG. The plurality of light sources 20 are arranged one-dimensionally or two-dimensionally on the upper surface 11 a of the substrate 11 . In this embodiment, the plurality of light sources 20 are two-dimensionally arranged along two orthogonal directions, that is, the x-direction and the y-direction, and the arrangement pitch px in the x-direction is equal to the arrangement pitch py in the y-direction. However, the arrangement direction is not limited to this. The pitches in the x-direction and y-direction may be different, and the two directions of arrangement may not be orthogonal. Also, the arrangement pitch is not limited to equal intervals, and may be irregular intervals. For example, the light sources 20 may be arranged so that the distance between them increases from the center to the periphery of the substrate 11 .

各光源２０は、出射面２１ａを有する発光素子２１を少なくとも含む。光源２０は、出射面２１ａを覆う被覆部材２２を含んでいてもよい。光源２０が被覆部材２２を含む場合には、被覆部材２２の表面２２ａが、光源２０の出射面である。光源２０が被覆部材２２
を含まない場合には、発光素子２１の出射面２１ａが、光源２０の出射面でもある。各光源２０は、１つまたは１種類の発光素子２１を含んでいてもよい。この場合、発光素子２１が白色光を出射してもよいし、発光素子２１が出射する光が被覆部材２２を透過することにより、光源２０全体として白色光を出射してもよい。また、光源２０は、例えば、赤、青、緑の光を出射する３つの発光部分を含む発光素子、あるいは、赤、青、緑の光をそれぞれ出射する３つ発光素子を含んでおり、赤、青、緑の光が混合することにより白色光を出射してもよい。あるいは、光源２０から出射する光の演色性を高めるため、光源２０は、白色光を出射する発光素子と、他の色を出射する発光素子とを含んでいてもよい。 Each light source 20 includes at least a light emitting element 21 having an exit surface 21a. The light source 20 may include a covering member 22 that covers the emission surface 21a. When the light source 20 includes the covering member 22 , the surface 22 a of the covering member 22 is the emission surface of the light source 20 . The light source 20 is a covering member 22
is not included, the emission surface 21 a of the light emitting element 21 is also the emission surface of the light source 20 . Each light source 20 may include one or one type of light emitting element 21 . In this case, the light emitting element 21 may emit white light, or the light emitted from the light emitting element 21 may be transmitted through the covering member 22 so that the light source 20 as a whole may emit white light. Further, the light source 20 includes, for example, a light-emitting element including three light-emitting portions that emit red, blue, and green light, or three light-emitting elements that emit red, blue, and green light, respectively. , blue, and green light may be mixed to emit white light. Alternatively, in order to improve the color rendering of the light emitted from the light source 20, the light source 20 may include light emitting elements that emit white light and light emitting elements that emit other colors.

発光素子２１は、半導体発光素子であり、半導体レーザ、発光ダイオード等、公知の発光素子を利用することができる。本実施形態においては、発光素子２１として発光ダイオードを例示する。発光素子２１は、任意の波長の光を出射する素子を選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、ＺｎＳｅや窒化物系半導体（Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）、ＧａＰを用いた素子を用いることができる
。また、赤色の発光素子としては、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰなどの半導体を含む素子を用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。被覆部材２２が、波長変換部材を備える場合、発光素子２１は、波長変換部材を効率良く励起できる短波長の光を出射することが可能な窒化物半導体（Ｉｎ_x
Ａｌ_yＧａ_1-x-yＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を含むことが好ましい。 The light-emitting element 21 is a semiconductor light-emitting element, and known light-emitting elements such as semiconductor lasers and light-emitting diodes can be used. In this embodiment, a light emitting diode is exemplified as the light emitting element 21 . As the light emitting element 21, an element that emits light of any wavelength can be selected. For example, as blue and green light emitting elements, elements using ZnSe, nitride semiconductors ( _InxAlyGa1 _-xyN _, 0≤X, 0≤Y, X+Y≤1), and GaP can be used. can. An element containing a semiconductor such as GaAlAs or AlInGaP can be used as the red light emitting element. Furthermore, semiconductor light-emitting elements made of other materials can also be used. The composition, emission color, size, number, and the like of the light-emitting element to be used can be appropriately selected according to the purpose. When the covering member 22 includes a wavelength conversion member, the light emitting element 21 is a nitride semiconductor ( _Inx
_AlyGa1 _-xyN , 0≤X, 0≤Y, X+Y≤1).

半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。同一面側に正負の電極を有するものであってもよいし、異なる面に正負の電極を有するものであってもよい。 Various emission wavelengths can be selected depending on the material of the semiconductor layer and its crystallinity. It may have positive and negative electrodes on the same side, or may have positive and negative electrodes on different sides.

発光素子２１は、例えば、透光性の基板と、基板の上に積層された半導体積層構造を有する。半導体積層構造は、活性層と活性層を挟むｎ型半導体層およびｐ型半導体層とを含み、ｎ型半導体層およびｐ型半導体層にｎ側電極およびｐ側電極がそれぞれ電気的に接続されている。本実施形態では、ｎ側電極およびｐ側電極は出射面と反対側の面に位置している。 The light emitting element 21 has, for example, a translucent substrate and a semiconductor lamination structure laminated on the substrate. The semiconductor laminated structure includes an active layer and an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer sandwiching the active layer. An n-side electrode and a p-side electrode are electrically connected to the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer, respectively. there is In this embodiment, the n-side electrode and the p-side electrode are located on the surface opposite to the emission surface.

発光素子２１のｎ側電極およびｐ側電極は後述する接合部材２３によって、基板１１の上面１１ａに設けられた導体配線層１３に電気的に接続され、かつ、固定されている。つまり、発光素子２１は、フリップチップボンディングにより基板１１に実装されている。 The n-side electrode and the p-side electrode of the light emitting element 21 are electrically connected and fixed to the conductor wiring layer 13 provided on the upper surface 11a of the substrate 11 by a joining member 23 which will be described later. That is, the light emitting element 21 is mounted on the substrate 11 by flip chip bonding.

発光素子２１は、ベアチップであってもよいし、側面側にリフレクタを備えたパッケージを備えていてもよい。また、出射面２１ａから出射する光の出射角度を広くするためのレンズ等を備えていてもよい。 The light emitting element 21 may be a bare chip, or may have a package with a reflector on the side surface. Moreover, a lens or the like may be provided for widening the emission angle of the light emitted from the emission surface 21a.

被覆部材２２は、少なくとも発光素子２１の出射面２１ａを覆い、基板１１の上面１１ａに支持されている。被覆部材２２は、出射面２１ａが外部環境に露出し、損傷するのを抑制する。被覆部材２２の材料としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、これらを混合した樹脂、ガラスなどの透光性材料を用いることができる。被覆部材２２の耐光性および成形容易性の観点からは、被覆部材２２としてシリコーン樹脂を選択することが好ましい。 The covering member 22 covers at least the emission surface 21 a of the light emitting element 21 and is supported by the upper surface 11 a of the substrate 11 . The covering member 22 prevents the emission surface 21a from being exposed to the external environment and being damaged. As a material for the covering member 22, translucent materials such as epoxy resins, silicone resins, mixed resins thereof, and glass can be used. From the viewpoint of light resistance and moldability of the covering member 22, it is preferable to select a silicone resin as the covering member 22. FIG.

被覆部材２２は、拡散部材、波長変換部材、着色剤などを含んでいてもよい。例えば、光源２０は、青色光を出射する発光素子２１と青色光を黄色光に変換する波長変換部材とを含み、青色光と黄色光との組み合わせによって白色光を出射してもよい。あるいは、青色光を出射する発光素子２１と、青色光を緑色光に変換する波長変換部材と、青色光を赤
色光に変換する波長変換部材とを含み、青色光と緑色光と赤色光との組み合わせによって白色光を出射してもよい。例えば、青色光を緑色光に変換する波長変換部材としてβサイアロン蛍光体が挙げられ、青色光を赤色光に変換する波長変換部材としてはＫＳＦ系蛍光体等のフッ化物系蛍光体が挙げられる。波長変換部材としてβサイアロン蛍光体とＫＳＦ系蛍光体等のフッ化物系蛍光体とを含むことで発光装置の色再現範囲を広げることができる。また、青色光を出射する半導体発光素子と、緑色光を出射する半導体発光素子と、青色光または緑色光を赤色光に変換する波長変換部材とを含む光源を用いてもよい。 The covering member 22 may contain a diffusing member, a wavelength converting member, a coloring agent, and the like. For example, the light source 20 may include a light emitting element 21 that emits blue light and a wavelength conversion member that converts the blue light into yellow light, and may emit white light by combining the blue light and the yellow light. Alternatively, it includes a light emitting element 21 that emits blue light, a wavelength conversion member that converts blue light into green light, and a wavelength conversion member that converts blue light into red light, so that blue light, green light, and red light are combined. A combination may emit white light. For example, a wavelength conversion member that converts blue light into green light includes a β-sialon phosphor, and a wavelength conversion member that converts blue light into red light includes a fluoride-based phosphor such as a KSF-based phosphor. By including a β-sialon phosphor and a fluoride-based phosphor such as a KSF-based phosphor as the wavelength conversion member, the color reproduction range of the light-emitting device can be widened. Alternatively, a light source including a semiconductor light emitting element that emits blue light, a semiconductor light emitting element that emits green light, and a wavelength conversion member that converts blue light or green light into red light may be used.

被覆部材２２は、発光素子２１の出射面２１ａを被覆するように圧縮成形や射出成形によって形成することができる。その他、被覆部材２２の材料の粘度を最適化して、発光素子２１の上に滴下もしくは描画して、材料自体の表面張力によって、形状を制御することも可能である。後者の形成方法による場合には、金型を必要とすることなく、より簡便な方法で被覆部材を形成することができる。また、このような形成方法による被覆部材２２の材料の粘度を調整する手段として、その材料本来の粘度の他、上述したような光拡散材、波長変換部材、着色剤を利用して所望の粘度に調整することもできる。 The covering member 22 can be formed by compression molding or injection molding so as to cover the emission surface 21 a of the light emitting element 21 . In addition, it is also possible to optimize the viscosity of the material of the covering member 22, drop or draw it on the light emitting element 21, and control the shape by the surface tension of the material itself. In the case of the latter forming method, the covering member can be formed by a simpler method without requiring a mold. In addition, as a means for adjusting the viscosity of the material of the covering member 22 by such a forming method, in addition to the original viscosity of the material, the desired viscosity can be obtained by using the light diffusion material, the wavelength conversion member, and the coloring agent as described above. can also be adjusted to

図３は、光源２０から出射する光の配光特性の一例を示す図である。光源２０は、バットウイング型の配光特性を有していることが好ましい。これにより光源２０の真上方向に出射される光量を抑制して、各々の光源の配光を広げることで、より輝度むらを改善することができる。バットウイング型の配光特性とは、広義には、光源２０の光軸Ｌを０°として、０°よりも配光角の絶対値が大きい角度において発光強度が強い発光強度分布で定義される。特に、狭義では、４５°～９０°付近において、発光強度が最も強くなる発光強度分布で定義される。つまり、バットウイング型の配光特性では、中心部が外周部よりも暗い。 FIG. 3 is a diagram showing an example of light distribution characteristics of light emitted from the light source 20. As shown in FIG. The light source 20 preferably has a batwing type light distribution characteristic. As a result, the amount of light emitted directly above the light source 20 is suppressed, and the light distribution of each light source is widened, thereby further improving the luminance unevenness. In a broad sense, the batwing type light distribution characteristic is defined as a light emission intensity distribution in which the light emission intensity is strong at an angle where the absolute value of the light distribution angle is larger than 0°, with the optical axis L of the light source 20 being 0°. . In particular, in a narrow sense, it is defined by the luminous intensity distribution in which the luminous intensity is highest in the vicinity of 45° to 90°. In other words, in the batwing type light distribution characteristics, the central portion is darker than the outer peripheral portion.

バットウイング型の配光特性を実現するために光源２０は、発光素子２１の出射面２１ａに、光反射層２４を有していてもよい。光反射層２４は、金属膜であってもよく、誘電体多層膜であってもよい。これにより、発光素子２１の上方向への光は光反射層で反射され、発光素子２１の直上の光量が抑制され、バットウイング型の配光特性を実現することができる。あるいは、被覆部材２２の外形を調整することによって、バットウイング型の配光特性を有する光源としてもよい。 The light source 20 may have a light reflection layer 24 on the emission surface 21a of the light emitting element 21 in order to achieve a batwing type light distribution characteristic. The light reflecting layer 24 may be a metal film or a dielectric multilayer film. As a result, light directed upward from the light emitting element 21 is reflected by the light reflecting layer, the amount of light directly above the light emitting element 21 is suppressed, and a batwing type light distribution characteristic can be realized. Alternatively, by adjusting the outer shape of the covering member 22, the light source may have a batwing type light distribution characteristic.

［接合部材２３］
接合部材２３は、発光素子２１を導体配線層１３に電気的に接続し、かつ、固定する。例えば、接合部材２３は、Ａｕ含有合金、Ａｇ含有合金、Ｐｄ含有合金、Ｉｎ含有合金、Ｐｂ－Ｐｄ含有合金、Ａｕ－Ｇａ含有合金、Ａｕ－Ｓｎ含有合金、Ｓｎ含有合金、Ｓｎ－Ｃｕ含有合金、Ｓｎ－Ｃｕ－Ａｇ含有合金、Ａｕ－Ｇｅ含有合金、Ａｕ－Ｓｉ含有合金、Ａｌ含有合金、Ｃｕ－Ｉｎ含有合金、金属とフラックスの混合物等である。 [Joining member 23]
The joining member 23 electrically connects and fixes the light emitting element 21 to the conductor wiring layer 13 . For example, the joining member 23 is an Au-containing alloy, Ag-containing alloy, Pd-containing alloy, In-containing alloy, Pb--Pd-containing alloy, Au--Ga-containing alloy, Au--Sn-containing alloy, Sn-containing alloy, Sn--Cu-containing alloy. , Sn—Cu—Ag containing alloys, Au—Ge containing alloys, Au—Si containing alloys, Al containing alloys, Cu—In containing alloys, mixtures of metals and fluxes, and the like.

接合部材２３としては、液状、ペースト状、固体状（シート状、ブロック状、粉末状、ワイヤ状）のものを用いることができ、組成や基板の形状等に応じて、適宜選択することができる。また、これらの接合部材２３は、単一部材で形成してもよく、あるいは、数種のものを組み合わせて用いてもよい。 As the bonding member 23, liquid, paste, or solid (sheet, block, powder, wire) can be used, and the bonding member 23 can be appropriately selected depending on the composition, the shape of the substrate, and the like. . Moreover, these joint members 23 may be formed of a single member, or may be used in combination of several types.

接合部材２３は、発光素子２１と導体配線層１３とを電気的に接続しなくてもよい。この場合には、接合部材２３は、発光素子２１の、ｐ側電極およびｎ側電極以外の領域と基板１１の上面１１ａとを接続し、ｐ側電極およびｎ側電極と導体配線層１３とはワイヤ等によって電気的に接続される。 The joining member 23 does not have to electrically connect the light emitting element 21 and the conductor wiring layer 13 . In this case, the bonding member 23 connects the region other than the p-side electrode and the n-side electrode of the light-emitting element 21 to the upper surface 11a of the substrate 11, and the p-side electrode and the n-side electrode and the conductor wiring layer 13 are connected to each other. They are electrically connected by wires or the like.

［絶縁部材１４］
光源ユニット１０は、導体配線層１３の発光素子２１および他の素子等と電気的に接続される領域以外を覆う絶縁部材１４をさらに備えていてもよい。図１に示すように、基板１１の上面１１ａ側において、導体配線層１３の一部上に絶縁部材１４が設けられている。絶縁部材１４は、導体配線層１３の発光素子２１および他の素子等と電気的に接続される領域以外領域に絶縁性を付与するレジストとして機能する。絶縁部材１４は、発光素子２１からの光を反射可能とするため、例えば、樹脂、および、樹脂に分散した、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等の酸化物粒子からなる反射材を含んでいてもよい。光反射性を有する絶縁部材１４は、発光素子２１から出射した光を基板１１の上面１１ａ側において反射し、基板１１側での光の漏れや吸収を防いで、発光装置の光取り出し効率を向上させる。 [Insulating member 14]
The light source unit 10 may further include an insulating member 14 that covers areas other than the areas electrically connected to the light emitting elements 21 and other elements of the conductor wiring layer 13 . As shown in FIG. 1, an insulating member 14 is provided on a portion of the conductor wiring layer 13 on the upper surface 11a side of the substrate 11 . The insulating member 14 functions as a resist that imparts insulation to regions of the conductor wiring layer 13 other than regions electrically connected to the light emitting elements 21 and other elements. The insulating member 14 includes, for example, a resin and a reflecting material made of oxide particles such as titanium oxide, aluminum oxide, and silicon oxide dispersed in the resin in order to reflect the light from the light emitting element 21 . good too. The insulating member 14 having light reflectivity reflects the light emitted from the light emitting element 21 on the upper surface 11a side of the substrate 11, prevents leakage and absorption of light on the substrate 11 side, and improves the light extraction efficiency of the light emitting device. Let

［区分部材１５］
区分部材１５は、壁部１５ａｘ、１５ａｙおよび底部１５ｂを含む。図２に示すように、ｘ方向に隣接する２つの光源２０の間にｙ方向に延びる壁部１５ａｙが配置され、ｙ方向に隣接する２つの光源２０の間にｘ方向に延びる壁部１５ａｘが配置されている。このため、各光源２０は、ｘ方向に延びる２つの壁部１５ａｘと、ｙ方向に延びる２つの壁部１５ａｙとによって囲まれている。２つの壁部１５ａｘおよび２つの壁部１５ａｙによって囲まれた領域１５ｒに底部１５ｂが位置している。本実施形態では、光源２０のｘ方向およびｙ方向の配列ピッチが等しいため、底部１５ｂの外形は正方形である。
底部１５ｂの中央には貫通孔１５ｅが設けられ、貫通孔１５ｅ内に、光源２０が位置するように、底部１５ｂが絶縁部材１４上に位置している。貫通孔１５ｅの形状及び大きさに特に制限はなく、光源２０が内部に位置し得る形状および大きさであればよい。光源２０からの光を底部１５ｂでも反射可能なように、貫通孔１５ｅの外縁が、光源２０の近傍に位置していること、つまり、上面視において、貫通孔１５ｅと光源２０との間に生じる間隙は狭いほうが好ましい。 [Partition member 15]
The partition member 15 includes wall portions 15ax, 15ay and a bottom portion 15b. As shown in FIG. 2, a wall portion 15ay extending in the y direction is arranged between two light sources 20 adjacent in the x direction, and a wall portion 15ax extending in the x direction is disposed between the two light sources 20 adjacent in the y direction. are placed. Therefore, each light source 20 is surrounded by two walls 15ax extending in the x direction and two walls 15ay extending in the y direction. Bottom portion 15b is located in region 15r surrounded by two wall portions 15ax and two wall portions 15ay. In this embodiment, since the light sources 20 are arranged at the same pitch in the x and y directions, the outer shape of the bottom portion 15b is square.
A through hole 15e is provided in the center of the bottom portion 15b, and the bottom portion 15b is positioned on the insulating member 14 so that the light source 20 is positioned in the through hole 15e. The shape and size of the through hole 15e are not particularly limited as long as the shape and size allow the light source 20 to be positioned therein. The outer edge of the through-hole 15e is positioned near the light source 20 so that the light from the light source 20 can be reflected by the bottom portion 15b, that is, the light source 20 is formed between the through-hole 15e and the light source 20 when viewed from above. A narrower gap is preferred.

図１に示すように、ｙｚ断面では、壁部１５ａｘは、ｘ方向に延びる一対の傾斜面１５ｓを含む。一対の傾斜面１５ｓのそれぞれは、ｘ方向に延びる２つの辺の一方で互いに接続しており、頂部１５ｃを構成している。他方は、隣接する２つの領域１５ｒに位置する底部１５ｂとそれぞれ接続されている。同様に、ｙ方向に延びる壁部１５ａｙはｙ方向に延びる一対の傾斜面１５ｔを含む。一対の傾斜面１５ｔのそれぞれは、ｙ方向に延びる２つの辺の一方で互いに接続しており、頂部１５ｃを構成している。他方は、隣接する２つの領域１５ｒに位置する底部１５ｂとそれぞれ接続されている。 As shown in FIG. 1, in the yz cross section, the wall portion 15ax includes a pair of inclined surfaces 15s extending in the x direction. Each of the pair of inclined surfaces 15s is connected to one of two sides extending in the x-direction to form a top portion 15c. The other is connected to bottom portions 15b located in two adjacent regions 15r, respectively. Similarly, the wall portion 15ay extending in the y direction includes a pair of inclined surfaces 15t extending in the y direction. Each of the pair of inclined surfaces 15t is connected to one of two sides extending in the y-direction to form a top portion 15c. The other is connected to bottom portions 15b located in two adjacent regions 15r, respectively.

底部１５ｂ、２つの壁部１５ａｘおよび２つの壁部１５ａｙによって開口１７ａを有する発光空間１７が形成される。図２では、３行３列に配列された発光空間１７が示されている。一対の傾斜面１５ｓおよび一対の傾斜面１５ｔは、発光空間１７の開口１７ａに面している。 A light emitting space 17 having an opening 17a is formed by the bottom portion 15b, the two wall portions 15ax and the two wall portions 15ay. FIG. 2 shows the luminous spaces 17 arranged in 3 rows and 3 columns. A pair of inclined surfaces 15 s and a pair of inclined surfaces 15 t face the opening 17 a of the light emitting space 17 .

区分部材１５は光反射性を有しており、光源２０から出射する光を壁部１５ａｘ、１５ａｙの傾斜面１５ｓ、１５ｔによって、発光空間１７の開口１７ａに向けて反射させる。また、底部１５ｂに入射する光も発光空間１７の開口１７ａ側へ反射させる。これにより、光源２０から出射される光を効率よく透光積層体３０へ入射させることができる。 The dividing member 15 has light reflectivity, and reflects the light emitted from the light source 20 toward the opening 17a of the light emitting space 17 by the inclined surfaces 15s and 15t of the wall portions 15ax and 15ay. In addition, the light incident on the bottom portion 15b is also reflected toward the opening 17a of the light emitting space 17. As shown in FIG. This allows the light emitted from the light source 20 to enter the light-transmitting laminate 30 efficiently.

区分部材１５によって区画される発光空間１７は、複数の光源２０をそれぞれ独立して駆動させた場合における、発光空間の最小単位となる。また、面発光源として発光装置１０１を透光積層体３０の上面３０ａを見た場合における、ローカルディミングの最小単位領域となる。複数の光源２０を独立して駆動する場合、最も小さな発光空間単位でローカルディミングで駆動が可能な発光装置が実現する。隣接する複数の光源２０を同時に駆動し、ＯＮ／ＯＦＦのタイミングを同期させるように駆動すれば、より大きな単位でローカ
ルディミングによる駆動が可能となる。 The luminous space 17 partitioned by the partitioning member 15 is the minimum unit of the luminous space when the plurality of light sources 20 are independently driven. In addition, when the light emitting device 101 as a surface emitting light source is viewed from the upper surface 30a of the translucent laminate 30, it becomes the minimum unit area for local dimming. When driving a plurality of light sources 20 independently, a light emitting device that can be driven by local dimming in the smallest light emitting space unit is realized. By simultaneously driving a plurality of adjacent light sources 20 and driving them so as to synchronize their ON/OFF timings, it becomes possible to drive by local dimming in larger units.

区分部材１５は、例えば、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等の金属酸化物粒子からなる反射材を含有する樹脂を用いて成形してもよいし、反射材を含有しない樹脂を用いて成形した後、表面に反射材を設けてもよい。区分部材１５の光源２０からの出射光に対する反射率は、例えば、７０％以上であることが好ましい。 The dividing member 15 may be molded using a resin containing a reflective material made of metal oxide particles such as titanium oxide, aluminum oxide, or silicon oxide, or may be molded using a resin containing no reflective material. After that, a reflective material may be provided on the surface. It is preferable that the reflectance of the dividing member 15 with respect to the light emitted from the light source 20 is, for example, 70% or more.

区分部材１５は、金型を用いた成形や光造形によって形成することができる。金型を用いた成形方法としては、射出成形、押出成形、圧縮成形、真空成形、圧空成形、プレス成形等の成形方法を用いることができる。例えば、ＰＥＴ等で形成された反射シートを用いて真空成形することで、底部１５ｂと壁部１５ａｘ、１５ａｙが一体的に形成された区分部材１５を得ることができる。反射シートの厚さは、例えば１００～５００μｍである。 The dividing member 15 can be formed by molding using a mold or stereolithography. As a molding method using a mold, molding methods such as injection molding, extrusion molding, compression molding, vacuum molding, air pressure molding, and press molding can be used. For example, by vacuum forming using a reflective sheet made of PET or the like, it is possible to obtain the dividing member 15 in which the bottom portion 15b and the wall portions 15ax and 15ay are integrally formed. The thickness of the reflective sheet is, for example, 100-500 μm.

区分部材１５の底部１５ｂの下面と絶縁部材１４の上面とは、接着部材等で固定される。貫通孔１５ｅから露出される絶縁部材１４は、光反射性を有していることが好ましい。光源２０からの出射光が、絶縁部材１４と区分部材１５との間に入射しないように、貫通孔１５ｅの周囲に接着部材を配置することが好ましい。例えば、貫通孔１５ｅの外縁に沿ってリング状に接着部材を配置することが好ましい。接着部材は両面テープであってもよいし、ホットメルト型の接着シートであってもよいし、熱硬化樹脂や熱可塑樹脂の接着液であってもよい。これらの接着部材は、高い難燃性を有することが好ましい。また、接着部材ではなく、ネジ、ピン等他の結合部材で固定されていてもよい。 The lower surface of the bottom portion 15b of the dividing member 15 and the upper surface of the insulating member 14 are fixed by an adhesive member or the like. The insulating member 14 exposed from the through hole 15e preferably has light reflectivity. It is preferable to arrange an adhesive member around the through hole 15 e so that the light emitted from the light source 20 does not enter between the insulating member 14 and the partition member 15 . For example, it is preferable to arrange the adhesive member in a ring shape along the outer edge of the through hole 15e. The adhesive member may be a double-sided tape, a hot-melt type adhesive sheet, or an adhesive liquid of thermosetting resin or thermoplastic resin. These adhesive members preferably have high flame retardancy. Alternatively, they may be fixed by other connecting members such as screws and pins instead of adhesive members.

［ハーフミラー３１］
透光積層体３０のハーフミラー３１は、光源ユニット１０に位置する発光空間１７の開口１７ａを覆うように、光源２０の上方に配置される。 [Half mirror 31]
The half mirror 31 of the translucent laminated body 30 is arranged above the light source 20 so as to cover the opening 17 a of the light emitting space 17 located in the light source unit 10 .

ハーフミラー３１は、入射する光の一部を反射し、残りの光を透過させる透過特性および反射特性を有する。ハーフミラー３１は、垂直入射時において、光源の発光波長帯域に対して３０％程度以上７５％程度以下の反射率を有する。ハーフミラー３１の反射率は、ハーフミラー３１の全領域において実質的に等しい。ここで、実質的に等しいとは、例えば、主面（上面３１ａおよび下面３１ｂ）に垂直に入射する光の反射率が、任意の測定箇所において、平均値±５％以内の値であることをいう。 The half mirror 31 has a transmission characteristic and a reflection characteristic of reflecting part of the incident light and transmitting the rest of the light. The half mirror 31 has a reflectance of about 30% or more and about 75% or less with respect to the emission wavelength band of the light source at the time of vertical incidence. The reflectance of the half mirror 31 is substantially equal over the entire area of the half mirror 31 . Here, "substantially equal" means, for example, that the reflectance of light incident perpendicularly on the main surfaces (upper surface 31a and lower surface 31b) is within an average value of ±5% at any measurement point. Say.

ハーフミラー３１は、透光性の基材に屈折率の異なる２以上の誘電体膜が積層された誘電体多層膜構造を備えていることが好ましい。誘電体膜の具体的な材料としては、金属酸化膜、金属窒化膜、金属フッ化膜、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの樹脂など、光源２０および後述する波長変換層３４から放射される光に対して吸収が少ない材料であることが好ましい。誘電体多層膜は、積層した誘電体膜の屈折率差によって、界面で入射光の一部を反射させる。誘電体膜の厚さによって、入射光と反射光との位相を変化させ、２つの光の干渉の程度を調整することにより、反射率を調整することができる。誘電体膜の厚さによる位相の調整は、透過する光の波長に依存するので、誘電体膜を複数積層し、誘電体膜ごとに反射させる光の波長を異ならせれば、反射率の波長依存性も調整することができる。したがって、誘電体多層膜を用いることで、光の吸収が少なく、反射率特性を任意に調整することが可能なハーフミラー３１を実現することができる。 The half mirror 31 preferably has a dielectric multilayer structure in which two or more dielectric films having different refractive indices are laminated on a translucent base material. Specific materials for the dielectric film include metal oxide films, metal nitride films, metal fluoride films, resins such as polyethylene terephthalate (PET), and the like. It is preferably a material that absorbs less. A dielectric multilayer film reflects a part of incident light at an interface due to a difference in refractive index between laminated dielectric films. The reflectance can be adjusted by changing the phase of the incident light and the reflected light by adjusting the thickness of the dielectric film and adjusting the degree of interference between the two lights. Since the adjustment of the phase by the thickness of the dielectric film depends on the wavelength of the light that passes through it, by stacking multiple dielectric films and varying the wavelength of light reflected by each dielectric film, the wavelength dependence of the reflectance can be improved. Gender can also be adjusted. Therefore, by using a dielectric multilayer film, it is possible to realize the half mirror 31 that absorbs little light and whose reflectance characteristics can be arbitrarily adjusted.

また、誘電体多層膜構造を用いれば、均一な厚さを有する誘電体膜であっても、垂直に入射する光と、斜めに入射する光とで、光路長は異なる。このため、ハーフミラー３１に入射する光の入射角度によって反射率を制御することも可能となる。特に、垂直入射よりも斜め入射の方が、反射率が低くなるように設定することで、後述するように、光源２０の光軸Ｌ方向、つまり、ハーフミラー３１の主面に垂直な方向の反射率を上げ、光軸Ｌに
対して大きな角度φで入射する光に対する反射率を下げることができる。すなわち光軸に対して角度が大きくなるところで透過率を上げることで外部から発光装置を観測したときに、面上の輝度むらをより小さくすることが可能となる。 Moreover, if a dielectric multilayer film structure is used, even if the dielectric film has a uniform thickness, the optical path length differs between vertically incident light and obliquely incident light. Therefore, it is also possible to control the reflectance by changing the incident angle of the light incident on the half mirror 31 . In particular, by setting the reflectance to be lower at oblique incidence than at perpendicular incidence, as will be described later, the optical axis L direction of the light source 20, that is, the direction perpendicular to the main surface of the half mirror 31 The reflectance can be increased, and the reflectance for light incident at a large angle φ with respect to the optical axis L can be decreased. That is, by increasing the transmittance at a point where the angle with respect to the optical axis is large, it is possible to further reduce the luminance unevenness on the surface when the light-emitting device is observed from the outside.

図４は、ハーフミラー３１の反射率および透過率の角度依存特性の一例を示す。光軸Ｌを０°として、配光角（図１のφ）の絶対値が約４０°以下の範囲において、反射率が６０％であり、絶対値が４０°以上の配光角において、反射率が低下し、透過率が高くなっている。このような反射率特性を有することによって上述した輝度むらをより効果的に抑制することができる。 FIG. 4 shows an example of angle dependence characteristics of the reflectance and transmittance of the half mirror 31 . When the optical axis L is 0°, the reflectance is 60% in the range where the absolute value of the light distribution angle (φ in FIG. 1) is about 40° or less, and the light reflection is reflected at the light distribution angle whose absolute value is 40° or more. The transmittance is increased and the transmittance is decreased. By having such reflectance characteristics, it is possible to more effectively suppress the uneven brightness described above.

図５は、光源２０から出射する光の発光スペクトルと、ハーフミラー３１の反射率特性との一例を示す図である。横軸は波長を示し、縦軸は、反射率または相対発光強度を示す。反射率は、ハーフミラー３１の主面に垂直な方向における値を示す。ハーフミラー３１の垂直方向における反射率特性において、光源２０の発光ピーク波長より長波長側の帯域は、短波長側の帯域よりも広くなっていることが好ましい。図５に示す例では、光源２０の発光ピーク波長は約４５０ｎｍである。ハーフミラー３１の、例えば、４０％以上の反射率を有する帯域は、４５０ｎｍよりも短波長側では、４００～４５０ｎｍの５０ｎｍの帯域であるのに対し、４５０ｎｍよりも長波長側では、４５０～５７０ｎｍの１２０ｎｍの帯域である。 FIG. 5 is a diagram showing an example of the emission spectrum of light emitted from the light source 20 and reflectance characteristics of the half mirror 31. As shown in FIG. The horizontal axis indicates wavelength, and the vertical axis indicates reflectance or relative emission intensity. A reflectance indicates a value in a direction perpendicular to the main surface of the half mirror 31 . In the reflectance characteristics of the half mirror 31 in the vertical direction, it is preferable that the band on the longer wavelength side than the emission peak wavelength of the light source 20 is wider than the band on the shorter wavelength side. In the example shown in FIG. 5, the emission peak wavelength of light source 20 is approximately 450 nm. The half mirror 31 has a reflectance of, for example, 40% or more. is the 120 nm band of .

一般に、ハーフミラーの反射波長帯域は、光が垂直に入射する場合に比べ、斜め入射する場合に光路長が長くなることにより、短波長側へシフトする。例えば、ある波長λの光が垂直方向からハーフミラーに入射した場合に、所定の反射率で光を反射させる特性を有していても、ハーフミラーに対して斜めから入射させると、反射波長帯域が短波長側へδだけシフトする。このため、反射波長帯域のシフト量δに対応した分だけ波長λよりも短い波長の光は同じ反射率で反射するが、波長λの光に対する反射率は低下する。 In general, the reflection wavelength band of a half mirror shifts to the short wavelength side due to the lengthening of the optical path length when light is obliquely incident compared to when light is vertically incident. For example, when light with a certain wavelength λ is incident on the half mirror from the vertical direction, even if the light has the characteristic of reflecting the light with a predetermined reflectance, if the light is incident on the half mirror obliquely, the reflected wavelength band is shifted by δ to the short wavelength side. For this reason, light with a wavelength shorter than the wavelength λ is reflected with the same reflectance by the amount corresponding to the shift amount δ of the reflection wavelength band, but the reflectance with respect to the light with the wavelength λ is lowered.

このような場合に、上述したように、ハーフミラー３１の垂直方向の反射率特性において、光源２０の発光ピーク波長より長波長側の帯域が、短波長側の帯域よりも広くなるように、反射率特性を設計することにより、斜めに入射する光にして反射波長帯域が短波長側へδだけシフトしたとしても、長波長側の帯域が広いことによって、同じ反射率を維持し得る。例えば、上述した配光角（図１のφ）の絶対値が約４０°以下の範囲において、ハーフミラー３１に斜めに光が入射しても、反射率が低下し、光源２０の光軸Ｌに対して少し斜めに入射する光が多く透過することにより、輝度むらが強調されるのを抑制することができる。 In such a case, as described above, in the reflectance characteristics of the half mirror 31 in the vertical direction, the reflection is performed so that the band on the longer wavelength side than the emission peak wavelength of the light source 20 is wider than the band on the shorter wavelength side. By designing the index characteristics, even if the reflected wavelength band is shifted by δ to the short wavelength side for obliquely incident light, the same reflectance can be maintained due to the wide band on the long wavelength side. For example, in the range in which the absolute value of the light distribution angle (φ in FIG. 1) is about 40° or less, even if light is obliquely incident on the half mirror 31, the reflectance decreases, and the optical axis L of the light source 20 By transmitting a large amount of light that is slightly obliquely incident on the , it is possible to suppress the enhancement of luminance unevenness.

［光拡散板３３］
光拡散板３３は、ハーフミラー３１の上面３１ａ側に位置している。光拡散板３３は、入射する光を拡散させて透過する。光拡散板３３は、たとえば、ポリカーボネイト樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂等、可視光に対して光吸収の少ない材料によって構成されている。光を拡散させる構造は、光拡散板３３の表面に凹凸を設けたり、光拡散板３３中に屈折率の異なる材料を分散させたりすることによって、光拡散板３３に設けられている。光拡散板は、光拡散シート、ディフューザーフィルム等の名称で市販されているものを利用してもよい。 [Light diffusion plate 33]
The light diffusion plate 33 is positioned on the upper surface 31 a side of the half mirror 31 . The light diffusion plate 33 diffuses and transmits incident light. The light diffusion plate 33 is made of a material that absorbs less visible light, such as polycarbonate resin, polystyrene resin, acrylic resin, or polyethylene resin. The structure for diffusing light is provided on the light diffusion plate 33 by providing irregularities on the surface of the light diffusion plate 33 or by dispersing materials having different refractive indices in the light diffusion plate 33 . As the light diffusing plate, those commercially available under the names of light diffusing sheet, diffuser film and the like may be used.

［散乱反射部３２］
散乱反射部３２はハーフミラー３１と光拡散板３３との間またはハーフミラー３１の下面３１ｂに位置している。本実施形態では、散乱反射部３２は、光拡散板３３の下面３３ｂに設けられている。後述する、光拡散板３３がポリスチレン樹脂によって構成されている場合には、散乱反射部３２はハーフミラー３１に設けられていることが好ましい。ハー
フミラー３１を構成する材料はポリスチレン樹脂よりも小さい線膨張係数を有するため、熱膨張によって光源２０と散乱反射部３２との位置ずれを生じるのを抑制することができる。 [Scattering reflection part 32]
The scattering reflection part 32 is positioned between the half mirror 31 and the light diffusion plate 33 or on the lower surface 31 b of the half mirror 31 . In this embodiment, the scattering reflector 32 is provided on the lower surface 33 b of the light diffusion plate 33 . When the light diffusion plate 33 , which will be described later, is made of polystyrene resin, the scattering reflection portion 32 is preferably provided on the half mirror 31 . Since the material forming the half mirror 31 has a coefficient of linear expansion smaller than that of polystyrene resin, it is possible to suppress positional deviation between the light source 20 and the scattering reflector 32 due to thermal expansion.

図６は、発光装置１０１の上面視における、散乱反射部３２と光源２０の出射面（被覆部材２２の表面２２ａまたは出射面２１ａ）との位置関係を示している。図１および図６に示すように、散乱反射部３２は、少なくとも各光源２０の出射面の上方、つまり、光源２０の光軸上に位置している。散乱反射部３２は入射する光を散乱反射させる。光源２０から出射する光は光軸Ｌ上において発光強度が強いため、散乱反射部３２を設けることにより、各光源２０からの光における輝度むらを抑制する。各光源２０の光軸Ｌを０°として、０°よりも配光角の絶対値が大きい角度では、相対的に発光強度が弱くなる。このため、発光空間１７の境界である区分部材１５の頂部１５ｃの上方においては、光を散乱させる必要はないため、散乱反射部３２は設けられていなくてもよい。 FIG. 6 shows the positional relationship between the scattering reflector 32 and the emission surface of the light source 20 (the surface 22a of the covering member 22 or the emission surface 21a) when the light emitting device 101 is viewed from above. As shown in FIGS. 1 and 6 , the scattering reflector 32 is positioned at least above the emission surface of each light source 20 , that is, on the optical axis of the light source 20 . The scattering reflection part 32 scatters and reflects incident light. Since the light emitted from the light source 20 has a high emission intensity on the optical axis L, by providing the scattering reflection section 32, uneven brightness in the light from each light source 20 is suppressed. Assuming that the optical axis L of each light source 20 is 0°, the light emission intensity is relatively weak at angles where the absolute value of the light distribution angle is larger than 0°. Therefore, since it is not necessary to scatter light above the top portion 15c of the partitioning member 15, which is the boundary of the light emitting space 17, the scattering reflection portion 32 may not be provided.

図６では、散乱反射部３２は上面視において、各光源２０の光軸を中心とする円形を有しているが、散乱反射部３２の形状は円に限られない。光源２０の配光特性に応じて、より光が均一に散乱し得るように、楕円、矩形等散、乱反射部３２の形状を決定し得る。また、光源２０がバットウイング型の配光特性を有する等の理由により、光源２０の光軸上での発光強度が光軸の周囲よりも弱くなっている場合には、散乱反射部３２は例えば、上面視において、リング形状を有していてもよい。つまり、散乱反射部３２は各光源２０の出射面の少なくとも一部の上方に位置していればよい。 In FIG. 6, the scattering reflection portion 32 has a circular shape centered on the optical axis of each light source 20 in a top view, but the shape of the scattering reflection portion 32 is not limited to a circle. Depending on the light distribution characteristics of the light source 20, the shape of the irregularly reflecting portion 32 can be determined to be elliptical, rectangular, and so that the light can be scattered more uniformly. Further, when the light emission intensity on the optical axis of the light source 20 is weaker than that around the optical axis due to the reason that the light source 20 has a batwing type light distribution characteristic, the scattering reflection part 32 is, for example, , may have a ring shape when viewed from above. In other words, the scattering reflector 32 may be positioned above at least a portion of the emission surface of each light source 20 .

頂部１５ｃと、光拡散板３３又はハーフミラー３１とが接している場合は、光拡散板３３又はハーフミラー３１で反射された光が、壁部１５ａｘ、１５ａｙを照射する光量が増えることで、頂部１５ｃ近傍の領域が明るくなるので、壁部１５ａｘ、１５ａｙの直上方向に散乱反射部３２が設けられていることが好ましい。これにより、頂部１５ｃ近傍の領域が明るくなって輝度むらが生じることを抑制することができる。 When the top portion 15c and the light diffusion plate 33 or the half mirror 31 are in contact with each other, the light reflected by the light diffusion plate 33 or the half mirror 31 increases the amount of light that irradiates the wall portions 15ax and 15ay. Since the area in the vicinity of 15c is bright, it is preferable that the scattering reflection part 32 is provided in the direction directly above the wall parts 15ax and 15ay. As a result, it is possible to prevent the area near the top portion 15c from becoming bright and causing luminance unevenness.

散乱反射部３２は、樹脂と、樹脂に分散した反射材の粒子である、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等の酸化物の粒子とを含む。酸化物の粒子の平均粒子径は、例えば０．０５μｍ以上３０μｍ以下程度である。散乱反射部３２は、顔料、光吸収材、蛍光体等をさらに含んでいてもよい。樹脂に、アクリレートやエポキシ等を主成分とした光硬化性樹脂を用いれば、光拡散板３３の下面３３ｂに、反射材を含む硬化前の樹脂を塗布後、例えば紫外線を照射することによって散乱反射部３２を形成することができる。光源２０からの出射光で樹脂を光硬化させてもよい。反射材が分散した未硬化の樹脂は、例えば版を使った印刷法や、インクジェット法によって配置することができる。 The scattering reflector 32 includes a resin and oxide particles such as titanium oxide, aluminum oxide, and silicon oxide, which are particles of a reflector dispersed in the resin. The average particle size of the oxide particles is, for example, about 0.05 μm or more and 30 μm or less. The scattering reflector 32 may further contain a pigment, a light absorbing material, a phosphor, and the like. If a photo-curing resin containing acrylate, epoxy, or the like as a main component is used as the resin, after applying the pre-cured resin containing a reflective material to the lower surface 33b of the light diffusion plate 33, for example, by irradiating with ultraviolet rays, scattering reflection can be achieved. A portion 32 can be formed. The resin may be photo-cured with light emitted from the light source 20 . The uncured resin in which the reflective material is dispersed can be arranged by, for example, a printing method using a plate or an inkjet method.

散乱反射部３２における光を散乱させる反射材の粒子は、均一に分布していてもよいし、光源２０の配光角の絶対値が小さい領域において、配光角の絶対値が大きい領域よりも高密度で配置されていてもよい。図７Ａに示す散乱反射部３２’は、第１部分３２ａおよび第２部分３２ｂを含む。第１部分３２ａは、出射面２１ａの直上に位置しており、第２部分３２ｂは、第１部分の周囲に位置している。 The particles of the reflective material that scatters the light in the scattering reflection portion 32 may be uniformly distributed, and the light distribution angle of the light source 20 has a smaller absolute value in a region than a region in which the light distribution angle has a large absolute value. They may be arranged in high density. The scattering reflector 32' shown in FIG. 7A includes a first portion 32a and a second portion 32b. The first portion 32a is located directly above the exit surface 21a, and the second portion 32b is located around the first portion.

第２部分３２ｂにおける反射材の粒子の密度は、第１部分３２ａにおける反射材の粒子の密度よりも小さい。ここで粒子の密度とはたとえば、上面視における平面、つまり、ｘｙ平面における単位面積当たりの粒子の個数で示される数密度で表される。 The density of the particles of the reflector in the second portion 32b is less than the density of the particles of the reflector in the first portion 32a. Here, the density of particles is represented by, for example, the number density indicated by the number of particles per unit area in the plane viewed from the top, that is, in the xy plane.

散乱反射部３２’は、例えば、図７Ｂに示すように、印刷法や、インクジェット法によって、反射材の粒子が分散した未硬化の樹脂による微小領域３２ｃを、第１部分３２ａにおいて密に配置し、第２部分３２ｂにおいて、第１部分３２ａよりも低い密度で配置する
ことにより形成することができる。また、図７Ｃに示すように、第１部分３２ａおよび第２部分３２ｂに、反射材の粒子が分散した未硬化の樹脂による第１の層３２ｄを形成し、第１部分３２ａにのみ第１の層３２ｄ上に第２の層３２ｅを形成してもよい。図７Ｂまたは図７Ｃに示す構造を備えた散乱反射部３２’は、ｘｙ平面における、散乱反射部３２’における反射材の粒子の密度が上述した関係を満たしている。 For example, as shown in FIG. 7B, the scattering reflection portion 32′ is formed by densely arranging minute areas 32c of uncured resin in which particles of the reflecting material are dispersed in the first portion 32a by a printing method or an inkjet method. , the second portion 32b can be formed by arranging them with a lower density than the first portion 32a. Further, as shown in FIG. 7C, a first layer 32d made of uncured resin in which reflective material particles are dispersed is formed on the first portion 32a and the second portion 32b, and the first layer 32d is formed only on the first portion 32a. A second layer 32e may be formed over layer 32d. In the scattering reflector 32' having the structure shown in FIG. 7B or 7C, the density of the particles of the reflector in the scattering reflector 32' in the xy plane satisfies the above-described relationship.

散乱反射部３２は図８および図９に示すように、ハーフミラー３１の上面３１ａまたは下面３１ｂに設けてもよい。また、図１０に示すように、散乱反射部３２は、光拡散板３３の上面３３ａに設けられていてもよい。 The scattering reflector 32 may be provided on the upper surface 31a or the lower surface 31b of the half mirror 31, as shown in FIGS. Further, as shown in FIG. 10, the scattering reflection portion 32 may be provided on the upper surface 33a of the light diffusion plate 33. As shown in FIG.

［波長変換層３４］
発光装置１０１は、透光積層体３０において、波長変換層３４をさらに備えていてもよい。波長変換層３４は、光拡散板３３の、ハーフミラー３１が位置する側と反対側、つまり、上面３３ａ側に位置している。波長変換層３４は、光源２０から出射する光の一部を吸収し、光源２０からの出射光の波長とは異なる波長の光を発する。 [Wavelength conversion layer 34]
The light-emitting device 101 may further include a wavelength conversion layer 34 in the translucent laminate 30 . The wavelength conversion layer 34 is located on the side of the light diffusion plate 33 opposite to the side where the half mirror 31 is located, that is, on the upper surface 33a side. The wavelength conversion layer 34 absorbs part of the light emitted from the light source 20 and emits light with a wavelength different from the wavelength of the emitted light from the light source 20 .

波長変換層３４は、光源２０の発光素子２１から離れているため、発光素子２１の近傍では使用するのが困難な、熱や光強度に耐性の劣る光変換物質も使用することが可能である。これにより、発光装置１０１のバックライトとしての性能を向上させることが可能となる。波長変換層３４はシート形状あるいは層形状を有しており、上述した波長変換物質を含む。 Since the wavelength conversion layer 34 is separated from the light emitting element 21 of the light source 20, it is possible to use a light conversion material that is difficult to use in the vicinity of the light emitting element 21 and has poor resistance to heat and light intensity. . This makes it possible to improve the performance of the light emitting device 101 as a backlight. The wavelength conversion layer 34 has a sheet shape or a layer shape and contains the wavelength conversion material described above.

波長変換層３４を用いる場合、図１１に示すように、波長変換層３４とハーフミラー３１との間に位置し、光源２０の発光波長よりも波長変換層３４が発する光の波長における反射率が高いダイクロイック層３８をさらに設けてもよい。 When the wavelength conversion layer 34 is used, as shown in FIG. 11, it is positioned between the wavelength conversion layer 34 and the half mirror 31, and the reflectance at the wavelength of the light emitted from the wavelength conversion layer 34 is higher than the emission wavelength of the light source 20. A tall dichroic layer 38 may also be provided.

［プリズムアレイ層３５、３６、反射型偏光層３７］
発光装置１０１は、透光積層体３０において、プリズムアレイ層３５、３６および反射型偏光層３７をさらに備えていてもよい。プリズムアレイ層３５、３６は所定の方向に延びる複数のプリズムが配列された形状を有する。例えば、プリズムアレイ層３５は、図１において、ｙ方向に延びる複数のプリズムを有し、プリズムアレイ層３６はｘ方向に延びる複数のプリズムを有する。プリズムアレイ層３５、３６は、種々の方向から入射する光を発光装置に対向する表示パネルへ向かう方向（ｚ方向）に屈折させる。これにより、発光装置１０１の発光面である透光積層体３０の上面３０ａから出射する光は主として上面３０ａに垂直（ｚ軸に平行）な成分が多くなり、発光装置１０１を正面（ｚ軸方向）から見た場合の輝度を高めることができる。 [Prism array layers 35 and 36, reflective polarizing layer 37]
The light-emitting device 101 may further include prism array layers 35 and 36 and a reflective polarizing layer 37 in the translucent laminate 30 . The prism array layers 35 and 36 have a shape in which a plurality of prisms extending in a predetermined direction are arranged. For example, the prism array layer 35 has a plurality of prisms extending in the y direction in FIG. 1, and the prism array layer 36 has a plurality of prisms extending in the x direction. The prism array layers 35 and 36 refract light incident from various directions in the direction (z direction) toward the display panel facing the light emitting device. As a result, the light emitted from the upper surface 30a of the light-transmitting laminate 30, which is the light emitting surface of the light emitting device 101, mainly includes components perpendicular to the upper surface 30a (parallel to the z-axis). ) can be enhanced.

反射型偏光層３７は、表示パネル、例えば液晶表示パネルのバックライト側に配置された偏光板の偏光方向に一致する偏光方向の光を選択的に透過し、その偏光方向に垂直な方向の偏光をプリズムアレイ層３５、３６側へ反射させる。反射型偏光層３７から戻ってきた偏光の一部はプリズムアレイ層３５、３６および波長変換層３４、光拡散板３３で再度反射する際に偏光方向が変化し、液晶表示パネルの偏光板の偏光方向を有する偏光に変換され、再び反射型偏光層３７に入射し、表示パネルへ出射する。これにより、発光装置１０１から出射する光の偏光方向を揃え、表示パネルの輝度向上に有効な偏光方向の光を高効率で出射する。 The reflective polarizing layer 37 selectively transmits light with a polarization direction that matches the polarization direction of a polarizing plate arranged on the backlight side of a display panel, for example, a liquid crystal display panel, and transmits polarized light in a direction perpendicular to the polarization direction. is reflected toward the prism array layers 35 and 36 . A part of the polarized light returned from the reflective polarizing layer 37 changes its polarization direction when reflected again by the prism array layers 35 and 36, the wavelength conversion layer 34, and the light diffusion plate 33, and the polarized light of the polarizing plate of the liquid crystal display panel changes. The light is converted into directional polarized light, enters the reflective polarizing layer 37 again, and exits to the display panel. As a result, the polarization directions of the light emitted from the light emitting device 101 are aligned, and the light in the polarization direction effective for improving the brightness of the display panel is emitted with high efficiency.

プリズムアレイ層３５、３６および反射型偏光層３７は、バックライト用の光学部材として市販されているものを用いることができる。 As the prism array layers 35 and 36 and the reflective polarizing layer 37, commercially available optical members for backlight can be used.

［透光積層体３０］
透光積層体３０は、上述したハーフミラー３１、散乱反射部３２、光拡散板３３、波長変換層３４、プリズムアレイ層３５、３６および反射型偏光層３７を互いに積層することによって構成されている。これらの層の少なくとも１つの界面は、互いに接触しておらず空間が形成されていてもよい。ただし、発光装置１０１の厚さをできるだけ小さくするためには、空間を設けずに互い隣接する２つの層が接するように積層されていることが好ましい。 [Translucent laminate 30]
The light-transmitting laminate 30 is constructed by laminating the above-described half mirror 31, scattering reflector 32, light diffusion plate 33, wavelength conversion layer 34, prism array layers 35 and 36, and reflective polarizing layer 37. . At least one interface of these layers may not be in contact with each other and may be spaced. However, in order to make the thickness of the light emitting device 101 as small as possible, it is preferable that two layers adjacent to each other are laminated without providing a space so that they are in contact with each other.

透光積層体３０は、例えば、支持体によって光源ユニット１０に対して所定の間隔で支持される。透光積層体３０の下面３０ｂは、区分部材１５の頂部１５ｃと接していることが好ましい。例えば、頂部１５ｃとハーフミラー３１の下面３１ｂと接続部材によって接合されていてもよいし、ピン、ねじ等によって、ハーフミラー３１等と接合されていてもよい。頂部１５ｃが透光積層体３０の下面３０ｂと接していることによって、１つの発光空間１７内の光源２０から出射した光が隣接する発光空間１７へ入射するのを抑制することができる。 The translucent laminate 30 is supported at a predetermined distance from the light source unit 10 by, for example, a support. It is preferable that the lower surface 30 b of the light-transmitting laminate 30 is in contact with the top portion 15 c of the partition member 15 . For example, the top portion 15c and the lower surface 31b of the half mirror 31 may be joined by a connection member, or may be joined to the half mirror 31 or the like by pins, screws, or the like. Since the top portion 15 c is in contact with the lower surface 30 b of the light-transmitting laminate 30 , it is possible to suppress the light emitted from the light source 20 in one light emitting space 17 from entering the adjacent light emitting space 17 .

ハーフミラー３１と基板１１との間隔ＯＤは光源２０の配列ピッチＰの０．２倍以下（ＯＤ／Ｐ≦０．２）に設定することが好ましい。より好ましくは、間隔ＯＤは光源２０の配列ピッチＰの０．０５倍以上０．２倍以下（０．０５≦ＯＤ／Ｐ≦０．２）である。従来の構成によればこのように透光積層体３０と、光源２０を実装した基板との間隔を短く設定した場合、発光装置の輝度むらが大きく生じていた。しかし、本開示の発光装置１０１によれば、ハーフミラー３１および散乱反射部３２を用いることによって輝度分布を均一にすることが可能である。 The interval OD between the half mirror 31 and the substrate 11 is preferably set to 0.2 times or less the array pitch P of the light sources 20 (OD/P≤0.2). More preferably, the interval OD is 0.05 times or more and 0.2 times or less the arrangement pitch P of the light sources 20 (0.05≦OD/P≦0.2). According to the conventional configuration, when the distance between the light-transmitting laminate 30 and the substrate on which the light source 20 is mounted is set short, the luminance unevenness of the light-emitting device is large. However, according to the light emitting device 101 of the present disclosure, it is possible to make the luminance distribution uniform by using the half mirror 31 and the scattering reflector 32 .

発光装置１０１は、光源ユニット１０および透光積層体３０をそれぞれ作製し、上述した支持体で光源ユニット１０に対して透光積層体３０を支持することによって組み立てることができる。 The light-emitting device 101 can be assembled by producing the light source unit 10 and the light-transmitting laminate 30 respectively, and supporting the light-transmitting laminate 30 with respect to the light source unit 10 with the support described above.

（発光装置１０１の動作、効果）
発光装置１０１の動作、特に、光源２０から出射する光の輝度むらが抑制される理由を説明する。発光装置１０１をバックライトのように面発光装置として使用する場合、発光装置１０１からの出射面である透光積層体３０の上面３０ａにおける輝度むらはできるだけ小さいほうが好ましい。 (Operation and Effects of Light Emitting Device 101)
The reason why the operation of the light emitting device 101, particularly the uneven brightness of the light emitted from the light source 20 is suppressed will be described. When the light-emitting device 101 is used as a surface-emitting device such as a backlight, it is preferable that the luminance unevenness on the upper surface 30a of the light-transmitting laminate 30, which is the emission surface from the light-emitting device 101, is as small as possible.

しかし、光源２０は点光源であり、光源２０から出射する光が照らす面の照度は距離の２乗に反比例する。このため、透光積層体３０の下面３０ｂに入射する光の照度は、上面視における、光源２０の直上近傍の領域Ｒ１のほうが、Ｒ１の周囲に位置する領域Ｒ２よりも高い。これは、領域Ｒ１における光源２０と上面３０ａとの距離の方が領域Ｒ２における光源２０と上面３０ａとの距離よりも短いからである。 However, the light source 20 is a point light source, and the illuminance of the surface illuminated by the light emitted from the light source 20 is inversely proportional to the square of the distance. Therefore, the illuminance of light incident on the lower surface 30b of the light-transmitting laminate 30 is higher in the area R1 in the vicinity directly above the light source 20 than in the area R2 located around R1 in top view. This is because the distance between the light source 20 and the top surface 30a in the region R1 is shorter than the distance between the light source 20 and the top surface 30a in the region R2.

一方、発光装置１０１をバックライトとして使用する場合、表示装置の意匠、美観あるいは、機能的な観点から、表示装置の厚さが小さいことが求められ、発光装置１０１の厚さ（高さ）も小さいことが求められている。このため、光源ユニット１０と透光積層体３０との間隔ＯＤは小さいほうが好ましい。ＯＤが小さくなると、光源２０から直接透光積層体３０へ入射する光が多くなるため、光源２０間の間隔ＯＤをできるだけ短くしない限り、上述した上面３０ａにおける輝度むらは大きくなる。 On the other hand, when the light-emitting device 101 is used as a backlight, the thickness of the display device is required to be small from the viewpoint of design, beauty, or functionality of the display device. Small things are required. Therefore, it is preferable that the distance OD between the light source unit 10 and the translucent laminate 30 is small. As the OD becomes smaller, more light directly enters the light-transmitting laminate 30 from the light sources 20, so unless the distance OD between the light sources 20 is made as short as possible, the unevenness in luminance on the upper surface 30a increases.

本実施形態の発光装置１０１は、ハーフミラー３１および散乱反射部３２を備える。ハーフミラー３１は、散乱反射部３２よりも光源２０に近接しており、光源２０から出射する光の一部を反射する。ハーフミラー３１で反射した光は、光源２０を支持する基板１１へ入射し、基板１１側で反射することによって、再度ハーフミラー３１へ入射する。再度
入射する光は、ハーフミラー３１および基板１１側での反射によって、光源２０から直接ハーフミラー３１へ入射する光よりも拡散している。このため、光源２０から出射した光の一部をハーフミラー３１と基板１１との間で１回以上反射させ、光源２０の出射面よりも広い面積で、つまり、面として光源２０からの光をハーフミラー３１から出射させることができる。 A light emitting device 101 of this embodiment includes a half mirror 31 and a scattering reflector 32 . The half mirror 31 is closer to the light source 20 than the scattering reflector 32 and reflects part of the light emitted from the light source 20 . The light reflected by the half mirror 31 is incident on the substrate 11 supporting the light source 20 and is reflected on the substrate 11 side to be incident on the half mirror 31 again. The re-entering light is diffused more than the light directly entering the half mirror 31 from the light source 20 due to the reflection on the half mirror 31 and the substrate 11 side. For this reason, part of the light emitted from the light source 20 is reflected between the half mirror 31 and the substrate 11 one or more times, and the light from the light source 20 is reflected over an area larger than the emission surface of the light source 20, that is, as a surface. It can be emitted from the half mirror 31 .

ハーフミラー３１から出射した光は、光源２０の少なくとも出射面２１ａの上方に位置する散乱反射部３２に入射し、散乱される。このため、光源２０の光軸Ｌ近傍の光束密度の高い光が選択的に拡散し、輝度むらを低減することができる。 The light emitted from the half mirror 31 is incident on the scattering reflector 32 positioned at least above the emission surface 21a of the light source 20, and is scattered. Therefore, the light having a high luminous flux density in the vicinity of the optical axis L of the light source 20 is selectively diffused, so that uneven brightness can be reduced.

特に、ハーフミラー３１を誘電体多層膜によって構成する場合、ハーフミラー３１における光の吸収を抑制することができ、光の利用効率を高めることができる。また、ハーフミラー３１は、垂直方向における反射率が実質的に均一である。この特性は、誘電体膜を積層することによって実現することができ、例えば、表示パネルの製造技術を用いれば、比較的容易にかつ安価で大面積のハーフミラー３１を作製することができる。よって、特性の優れたハーフミラー３１を安価で製造することが可能であり、発光装置の製造コストを低減することが可能である。 In particular, when the half mirror 31 is composed of a dielectric multilayer film, the absorption of light in the half mirror 31 can be suppressed, and the light utilization efficiency can be improved. Also, the half mirror 31 has a substantially uniform reflectance in the vertical direction. This characteristic can be realized by stacking dielectric films. For example, if a display panel manufacturing technique is used, a large-area half mirror 31 can be manufactured relatively easily and inexpensively. Therefore, the half mirror 31 with excellent characteristics can be manufactured at low cost, and the manufacturing cost of the light emitting device can be reduced.

また、ハーフミラー３１において、垂直入射よりも斜め入射において、反射率が低くなるように設定することによって、特に光源２０の光軸Ｌ方向においてハーフミラーへ直接入射する光を多く反射し、光源２０から光軸Ｌに対して大きな角度でハーフミラー３１へ直接入射する光の反射を少なくすることができる。このため、光源２０の直接光による輝度むらの低減に特に効果を奏する。 Further, by setting the reflectance of the half mirror 31 to be lower for oblique incidence than for vertical incidence, a large amount of light directly incident on the half mirror is reflected particularly in the direction of the optical axis L of the light source 20, and the light source 20 , the reflection of light directly incident on the half mirror 31 at a large angle with respect to the optical axis L can be reduced. Therefore, it is particularly effective in reducing luminance unevenness due to direct light from the light source 20 .

また、散乱反射部３２は樹脂および樹脂に分散している粒子を含み、上面視における粒子の密度が、各光源の出射面の直上の第１部分３２ａよりもその周辺に位置する第２部分３２ｂのほうが小さくなるように、散乱反射部３２を配置してもよい。これにより、散乱の程度を散乱反射部３２内で異ならせ、より光束密度の高い領域において散乱を高めることによって輝度むらをさらに低減することができる。 In addition, the scattering reflection portion 32 contains resin and particles dispersed in the resin, and the density of the particles in a top view is higher than that of the first portion 32a directly above the emission surface of each light source. The scattering reflection part 32 may be arranged so that . As a result, the degree of scattering is made different within the scattering reflection portion 32, and by increasing the scattering in the region where the luminous flux density is higher, it is possible to further reduce the luminance unevenness.

散乱反射部３２は、ハーフミラー３１の上面３１ａおよび光拡散板３３の下面３３ｂのいずれに設けてもよい。ハーフミラー３１の線膨張率が光拡散板３３の線膨張率より小さく、基板１１と光拡散板３３との線膨張率差よりも、基板１１とハーフミラー３１との線膨張率差のほうが小さい場合、散乱反射部３２は、ハーフミラー３１に設けてもよい。この場合、熱による膨張収縮による、光源２０に対する散乱反射部３２の位置ずれを小さくすることができる。したがって、動作中の熱による光学特性の変化が小さい発光装置１０１を実現することができる。 The scattering reflection part 32 may be provided on either the upper surface 31 a of the half mirror 31 or the lower surface 33 b of the light diffusion plate 33 . The linear expansion coefficient of the half mirror 31 is smaller than the linear expansion coefficient of the light diffusion plate 33, and the linear expansion coefficient difference between the substrate 11 and the half mirror 31 is smaller than the linear expansion coefficient difference between the substrate 11 and the light diffusion plate 33. In this case, the scattering reflector 32 may be provided on the half mirror 31 . In this case, it is possible to reduce positional deviation of the scattering reflector 32 with respect to the light source 20 due to thermal expansion and contraction. Therefore, it is possible to realize the light-emitting device 101 in which the change in optical characteristics due to heat during operation is small.

また、一般に、ハーフミラーの反射波長帯域は、ハーフミラーに垂直に入射する光に比べ、斜め入射する光に対して短波長側へシフトする。このため、ハーフミラー３１の垂直方向の反射率特性において、光源２０の発光ピーク波長より長波長側の帯域が、短波長側の帯域よりも広くなるように、反射率特性を設計することにより、光軸から少し斜めに入射する光に対して、反射波長帯域が短波長側へシフトしても、反射率が低下し、輝度むらが強調されるのを抑制することができる。 In general, the reflection wavelength band of a half mirror shifts to the short wavelength side for light incident obliquely on the half mirror compared to light incident perpendicularly on the half mirror. Therefore, in the reflectance characteristics of the half mirror 31 in the vertical direction, by designing the reflectance characteristics so that the band on the longer wavelength side than the emission peak wavelength of the light source 20 is wider than the band on the shorter wavelength side, Even if the reflection wavelength band shifts to the short wavelength side for light that is incident slightly obliquely from the optical axis, it is possible to prevent the reflectance from deteriorating and the brightness unevenness from being emphasized.

さらに、光源２０がバットウイング型の配光特性を有することにより、図１の領域Ｒ１における照度を低減することができるため、発光装置１０１からの出射面である透光積層体３０の上面３０ａにおける輝度むらを抑制することができる。特に、光源２０が水平な方向に対して仰角２０°未満の光量が全体の光量の３０％以上である配光特性を有することにより、より一層輝度むらを抑制することができる。このように、本開示の発光装置１
０１によれば、発光装置１０１からの出射面である透光積層体３０の上面３０ａにおける輝度むらを効果的に抑制することができる。 Furthermore, since the light source 20 has a batwing type light distribution characteristic, the illuminance in the region R1 in FIG. 1 can be reduced. Brightness unevenness can be suppressed. In particular, when the light source 20 has a light distribution characteristic in which the amount of light at an elevation angle of less than 20° with respect to the horizontal direction is 30% or more of the total amount of light, uneven brightness can be further suppressed. Thus, the light emitting device 1 of the present disclosure
01, it is possible to effectively suppress luminance unevenness on the upper surface 30 a of the light-transmitting laminate 30 , which is the emission surface of the light-emitting device 101 .

（実施例）
発光装置１０１を作製し、発光装置１０１の輝度分布を調べた結果を説明する。光源２０には、窒化物系青色発光素子２１と、被覆部材２２とを含み、バットウイング型の配光特性を有する光源を用いた。 (Example)
The result of manufacturing the light-emitting device 101 and examining the luminance distribution of the light-emitting device 101 will be described. The light source 20 includes a nitride-based blue light-emitting element 21 and a covering member 22, and has a batwing-type light distribution characteristic.

ハーフミラー３１には、５０％の透過率を有する東レ製ピカサス１００ＧＨ１０を用いた。光拡散板３３には、光拡散シートを用いた。波長変換層３４には、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を含有する蛍光体シートを用いた。プリズムアレイ層３５、３６としてプリズムシートを用い、プリズムの延びる方向を直交させて配置した。反射型偏光層３７として反射型の偏光性フィルムを用いた。散乱反射部３２には、樹脂に酸化チタン粒子が分散した白色インクをインクジェットプリンタで光拡散板３３の下面３３ｂに印刷した。光源２０を１８．８ｍｍのピッチＰで５行５列に配置した。基板１１とハーフミラー３１との間隔ＯＤを１．８ｍｍに設定した。ＯＤ/Ｐ＝０．０９６であった。 For the half mirror 31, Toray Picassus 100GH10 having a transmittance of 50% was used. A light diffusion sheet was used for the light diffusion plate 33 . A phosphor sheet containing a green phosphor and a red phosphor was used for the wavelength conversion layer 34 . Prism sheets were used as the prism array layers 35 and 36, and the prisms were arranged so that their extending directions were perpendicular to each other. A reflective polarizing film was used as the reflective polarizing layer 37 . For the scattering reflection portion 32, white ink in which titanium oxide particles are dispersed in resin is printed on the lower surface 33b of the light diffusion plate 33 by an inkjet printer. The light sources 20 were arranged in 5 rows and 5 columns with a pitch P of 18.8 mm. The distance OD between the substrate 11 and the half mirror 31 was set to 1.8 mm. OD/P=0.096.

比較のために、ハーフミラー３１を用いずに、基板１１とハーフミラー３１との間隔ＯＤを３．８ｍｍに設定した発光装置（以下、参考例の発光装置とよぶ）を作製した。ＯＤ/Ｐ＝０．２０であった。 For comparison, a light-emitting device (hereinafter referred to as a reference example light-emitting device) was fabricated without using the half-mirror 31 and in which the distance OD between the substrate 11 and the half-mirror 31 was set to 3.8 mm. OD/P=0.20.

実施例および参考例の発光装置を点灯させ、発光面を撮影した結果を図１２に示す。図１２から分かるように、ハーフミラー３１および散乱反射部３２を用いることによって、ハーフミラー３１を用いないでＯＤ＝３．８ｍｍに設定した参考例と同等以上に輝度むらが抑制された輝度分布特性が得られることが分かった。つまり、参考例に比べ、基板１１とハーフミラー３１との間隔ＯＤを１／２以下にしても、同等以上に輝度の分布が均一な発光装置が実現できることが分かった。 FIG. 12 shows the results of photographing the light-emitting surfaces of the light-emitting devices of Examples and Reference Examples. As can be seen from FIG. 12, by using the half mirror 31 and the scattering reflection part 32, the luminance distribution characteristic in which the luminance unevenness is suppressed to the same level or more than the reference example in which the OD is set to 3.8 mm without using the half mirror 31. was found to be obtained. In other words, it was found that even if the distance OD between the substrate 11 and the half mirror 31 was set to 1/2 or less, a light emitting device having a uniform luminance distribution equal to or more than that of the reference example could be realized.

相対輝度を測定したところ、実施例の発光装置の輝度は参考例の約８５％であった。これは、ハーフミラー３１を挿入することによって光の取り出し効率が少し低下しているからと考えられる。 When relative luminance was measured, the luminance of the light emitting device of Example was about 85% of that of Reference Example. This is probably because the insertion of the half mirror 31 slightly lowers the light extraction efficiency.

これらの結果から、本開示の発光装置によれば、ハーフミラーと基板との間隔が隣接する２つの光源の間隔の０．２倍以下であっても、輝度分布が均一であり、輝度むらの少ない発光装置を実現できることが分かった。 From these results, according to the light emitting device of the present disclosure, even if the distance between the half mirror and the substrate is 0.2 times or less the distance between the two adjacent light sources, the luminance distribution is uniform and the luminance unevenness is reduced. It was found that a light-emitting device with a small number can be realized.

本開示の発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具などに利用することができる。 The light emitting device of the present disclosure can be used as a backlight source for liquid crystal displays, various lighting fixtures, and the like.

１０光源ユニット
１１基板
１１ａ上面
１１ｂ下面
１２金属層
１３導体配線層
１４絶縁部材
１５区分部材
１５ａｘ、１５ａｙ壁部
１５ｂ底部
１５ｃ頂部
１５ｅ貫通孔
１５ｒ領域
１５ｓ、１５ｔ傾斜面
１７発光空間
１７ａ開口
２０光源
２１発光素子
２１ａ出射面
２２被覆部材
２３接合部材
３０透光積層体
３０ａ、３１ａ、３３ａ上面
３０ｂ、３１ｂ、３３ｂ下面
３１ハーフミラー
３２、３２’ 散乱反射部
３２ａ第１部分
３２ｂ第２部分
３２ｃ微小領域
３２ｄ第１の層
３２ｅ第２の層
３３光拡散板
３４波長変換層
３５、３６プリズムアレイ層
３７反射型偏光層
１０１発光装置 10 light source unit 11 substrate 11a upper surface 11b lower surface 12 metal layer 13 conductor wiring layer 14 insulating member 15 division member 15ax, 15ay wall portion 15b bottom portion 15c top portion 15e through hole 15r regions 15s, 15t inclined surface 17 light emitting space 17a opening 20 light source 21 light emission Element 21a Output surface 22 Coating member 23 Joining member 30 Translucent laminates 30a, 31a, 33a Upper surfaces 30b, 31b, 33b Lower surface 31 Half mirrors 32, 32' First layer 32e Second layer 33 Light diffusion plate 34 Wavelength conversion layers 35, 36 Prism array layer 37 Reflective polarizing layer 101 Light emitting device

Claims

a substrate;
a plurality of light sources located on the substrate;
first and second prism array layers laminated together;
a wavelength conversion layer positioned between the first and second prism array layers and the plurality of light sources;
a scattering reflector located between the substrate and the wavelength conversion layer and above at least a portion of an emission surface of each of a plurality of light sources;
a dichroic layer positioned between the wavelength conversion layer and the scattering reflector and having a higher reflectance at a wavelength of light emitted from the wavelength conversion layer than at an emission wavelength of the light source;
A light emitting device.

2. The light emitting device according to claim 1, wherein the scattering reflector includes resin and particles dispersed in the resin.

3. The light-emitting device according to claim 1, wherein each of the plurality of light sources has a batwing-type light distribution characteristic.

2. The light emitting device of Claim 1 , wherein the wavelength converting layer and the dichroic layer are in contact with each other.

4. The light-emitting device according to claim 3 , wherein said scattering reflection portion is located in a region larger than said emission surface including said emission surface of each light source when viewed from above.