JP7185984B2 - 帯域幅が重なっていないカスケーディング・マルチパス干渉ジョセフソン方向性増幅器を使用した周波数多重化マイクロ波信号の増幅 - Google Patents
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Claims (20)
- カスケーディング・マイクロ波方向性増幅器(カスケード)であって、
ジョセフソン・デバイスのセットであり、前記セットの中のそれぞれのジョセフソン・デバイスが、対応するマイクロ波周波数動作帯域幅を有し、異なる動作帯域幅が、対応する異なる中心周波数を有し、前記ジョセフソン・デバイスが、マルチパス干渉ジョセフソン方向性増幅器(MPIJDA)であり、前記MPIJDAが、第1の非縮退マイクロ波パラメトリック増幅器デバイス(第1のパラメトリック増幅器)と、第2の非縮退マイクロ波パラメトリック増幅器デバイス(第2のパラメトリック増幅器)と、前記MPIJDAの第1の入力/出力(I/O)ポートに結合された第1のポート、前記MPIJDAの第2のI/Oポートに結合された第2のポート、前記第1のパラメトリック増幅器に結合された第3のポートおよび前記第2のパラメトリック増幅器に結合された第4のポートを有する90°ハイブリッドとを備える、前記ジョセフソン・デバイスのセットと、
前記セットの中の第1のジョセフソン・デバイスと前記セットの中のn番目のジョセフソン・デバイスとの間の直列結合であり、前記直列結合により、
前記第1のジョセフソン・デバイスが、前記直列結合内の第1の信号流れ方向において、周波数多重化マイクロ波信号(多重化信号)の中の第1の周波数の信号を増幅し、前記多重化信号の中のn番目の周波数の信号を増幅なしで伝搬させ、
前記n番目のジョセフソン・デバイスが、前記直列結合内の前記第1の信号流れ方向において、前記n番目の周波数の前記信号を増幅し、前記多重化信号の中の前記第1の周波数の前記信号を増幅なしで伝搬させる、
前記直列結合と
を備え、
前記第1のジョセフソン・デバイスは、前記第1の信号流れ方向に前記多重化信号を入力して出力するときは、前記第1の周波数の前記信号を増幅して前記第1の周波数の前記信号以外の信号を増幅せずに前記多重化信号を伝搬させ、
前記n番目のジョセフソン・デバイスは、前記第1の信号流れ方向に前記多重化信号を入力して出力するときは、前記n番目の周波数の前記信号を増幅して前記n番目の周波数の前記信号以外の信号を増幅せずに前記多重化信号を伝搬させる、
カスケーディング・マイクロ波方向性増幅器(カスケード)。 - 前記直列結合内の前記セットの中の(n-1)番目のジョセフソン・デバイスをさらに備え、nが2よりも大きく、前記(n-1)番目のジョセフソン・デバイスが、前記第1のジョセフソン・デバイスと前記n番目のジョセフソン・デバイスとの間の前記直列結合に含まれており、前記(n-1)番目のジョセフソン・デバイスが、前記第1の信号流れ方向において、前記多重化信号の中の(n-1)番目の周波数の信号を増幅する、
請求項1に記載のカスケード。 - 前記直列結合により、前記第1のジョセフソン・デバイスが、前記直列結合内の前記第1の信号流れ方向において、前記多重化信号の中の前記n番目の周波数の前記信号を増幅なしで伝搬させ、前記n番目のジョセフソン・デバイスが、前記直列結合内の前記第1の信号流れ方向において、前記第1の周波数の前記信号を増幅なしで伝搬させる、
請求項1に記載のカスケード。 - 前記直列結合により、前記第1のジョセフソン・デバイスおよび前記n番目のジョセフソン・デバイスが、前記直列結合内の第2の信号流れ方向において、前記多重化信号の中の全ての周波数の信号を増幅なしで伝搬させ、前記第2の信号流れ方向が、前記第1の信号流れ方向とは反対であり、前記第1の信号流れ方向が、前記第1のジョセフソン・デバイスおよび前記n番目のジョセフソン・デバイスの増幅方向である、
請求項1に記載のカスケード。 - 前記第1のジョセフソン・デバイスに対応する第1のマイクロ波周波数動作帯域幅が、少なくとも一部の周波数について、前記n番目のジョセフソン・デバイスに対応するn番目のマイクロ波周波数動作帯域幅と重なっていない、
請求項1に記載のカスケード。 - 前記カスケードの全体の増幅帯域幅が、前記第1の動作帯域幅および前記n番目の動作帯域幅を含む、
請求項5に記載のカスケード。 - 前記第1のI/Oポートと前記第2のI/Oポートの間で伝達される第1の周波数の前記信号が、前記第1のパラメトリック増幅器および前記第2のパラメトリック増幅器内における前記第1のI/Oポートから前記第2のI/Oポートへの第1の方向に伝搬する間は、前記第1の周波数の前記信号は増幅されて前記第1の周波数の前記信号以外の信号は増幅されずに伝送され、前記第1のパラメトリック増幅器および前記第2のパラメトリック増幅器内における前記第2のI/Oポートから前記第1のI/Oポートへの第2の方向に伝搬する間は、前記第1の周波数の前記信号および前記第1の周波数の前記信号以外の信号は増幅されずに伝送され、前記第1の周波数が前記第1のジョセフソン・デバイスの第1の動作帯域幅内にある、
請求項1に記載のカスケード。 - 第1のマイクロ波ドライブを、ポンプ周波数および第1のポンプ位相で前記第1のパラメトリック増幅器に注入する第1のマイクロ波ポンプであり、前記第1のパラメトリック増幅器を低パワー利得動作点で動作させるように構成された前記第1のマイクロ波ポンプと、
第2のマイクロ波ドライブを、前記ポンプ周波数および第2のポンプ位相で前記第2のパラメトリック増幅器に注入する第2のマイクロ波ポンプであり、前記第2のパラメトリック増幅器を前記低パワー利得動作点で動作させるように構成された前記第2のマイクロ波ポンプと
をさらに備える、請求項7に記載のカスケード。 - 前記第1のパラメトリック増幅器および前記第2のパラメトリック増幅器がそれぞれ非縮退3波混合パラメトリック増幅器である、請求項7に記載のカスケード。
- 前記第1のパラメトリック増幅器および前記第2のパラメトリック増幅器がそれぞれジョセフソン・パラメトリック変換器(JPC)であり、前記第1のパラメトリック増幅器と前記第2のパラメトリック増幅器が公称で全く同じものである、請求項7に記載のカスケード。
- カスケーディング・マイクロ波方向性増幅器(カスケード)を形成する方法であって、前記方法が、
ジョセフソン・デバイスのセットを製造することであって、前記セットの中のそれぞれのジョセフソン・デバイスが、対応するマイクロ波周波数動作帯域幅を有し、異なる動作帯域幅が、対応する異なる中心周波数を有し、前記ジョセフソン・デバイスが、マルチパス干渉ジョセフソン方向性増幅器(MPIJDA)であり、前記MPIJDAが、第1の非縮退マイクロ波パラメトリック増幅器デバイス(第1のパラメトリック増幅器)と、第2の非縮退マイクロ波パラメトリック増幅器デバイス(第2のパラメトリック増幅器)と、前記MPIJDAの第1の入力/出力(I/O)ポートに結合された第1のポート、前記MPIJDAの第2のI/Oポートに結合された第2のポート、前記第1のパラメトリック増幅器に結合された第3のポートおよび前記第2のパラメトリック増幅器に結合された第4のポートを有する90°ハイブリッドとを備える、前記製造することと、
前記セットの中の第1のジョセフソン・デバイスと前記セットの中のn番目のジョセフソン・デバイスとの間の直列結合を形成することであって、前記直列結合により、
前記第1のジョセフソン・デバイスが、前記直列結合内の第1の信号流れ方向において、周波数多重化マイクロ波信号(多重化信号)の中の第1の周波数の信号を増幅し、前記多重化信号の中のn番目の周波数の信号を増幅なしで伝搬させ、
前記n番目のジョセフソン・デバイスが、前記直列結合内の前記第1の信号流れ方向において、前記n番目の周波数の前記信号を増幅し、前記多重化信号の中の前記第1の周波数の前記信号を増幅なしで伝搬させる、
前記形成することと
を含み、
前記第1のジョセフソン・デバイスは、前記第1の信号流れ方向に前記多重化信号を入力して出力するときは、前記第1の周波数の前記信号を増幅して前記第1の周波数の前記信号以外の信号を増幅せずに前記多重化信号を伝搬させ、
前記n番目のジョセフソン・デバイスは、前記第1の信号流れ方向に前記多重化信号を入力して出力するときは、前記n番目の周波数の前記信号を増幅して前記n番目の周波数の前記信号以外の信号を増幅せずに前記多重化信号を伝搬させる、
方法。 - 超電導体製造システムであって、カスケーディング・マイクロ波方向性増幅器(カスケード)を製造するために動作させたときに、
ジョセフソン・デバイスのセットを製造することであって、前記セットの中のそれぞれのジョセフソン・デバイスが、対応するマイクロ波周波数動作帯域幅を有し、異なる動作帯域幅が、対応する異なる中心周波数を有し、前記ジョセフソン・デバイスが、マルチパス干渉ジョセフソン方向性増幅器(MPIJDA)であり、前記MPIJDAが、第1の非縮退マイクロ波パラメトリック増幅器デバイス(第1のパラメトリック増幅器)と、第2の非縮退マイクロ波パラメトリック増幅器デバイス(第2のパラメトリック増幅器)と、前記MPIJDAの第1の入力/出力(I/O)ポートに結合された第1のポート、前記MPIJDAの第2のI/Oポートに結合された第2のポート、前記第1のパラメトリック増幅器に結合された第3のポートおよび前記第2のパラメトリック増幅器に結合された第4のポートを有する90°ハイブリッドとを備える、前記製造することと、
前記セットの中の第1のジョセフソン・デバイスと前記セットの中のn番目のジョセフソン・デバイスとの間の直列結合を形成することであって、前記直列結合により、
前記第1のジョセフソン・デバイスが、前記直列結合内の第1の信号流れ方向において、周波数多重化マイクロ波信号(多重化信号)の中の第1の周波数の信号を増幅し、前記多重化信号の中のn番目の周波数の信号を増幅なしで伝搬させ、
前記n番目のジョセフソン・デバイスが、前記直列結合内の前記第1の信号流れ方向において、前記n番目の周波数の前記信号を増幅し、前記多重化信号の中の前記第1の周波数の前記信号を増幅なしで伝搬させる、
前記形成することと
を含む動作を実行し、
前記第1のジョセフソン・デバイスは、前記第1の信号流れ方向に前記多重化信号を入力して出力するときは、前記第1の周波数の前記信号を増幅して前記第1の周波数の前記信号以外の信号を増幅せずに前記多重化信号を伝搬させ、
前記n番目のジョセフソン・デバイスは、前記第1の信号流れ方向に前記多重化信号を入力して出力するときは、前記n番目の周波数の前記信号を増幅して前記n番目の周波数の前記信号以外の信号を増幅せずに前記多重化信号を伝搬させる、
超電導体製造システム。 - 前記直列結合内の前記セットの中の(n-1)番目のジョセフソン・デバイスをさらに備え、nが2よりも大きく、前記(n-1)番目のジョセフソン・デバイスが、前記第1のジョセフソン・デバイスと前記n番目のジョセフソン・デバイスとの間の前記直列結合に含まれており、前記(n-1)番目のジョセフソン・デバイスが、前記第1の信号流れ方向において、前記多重化信号の中の(n-1)番目の周波数の信号を増幅する、
請求項12に記載の超電導体製造システム。 - 前記直列結合により、前記第1のジョセフソン・デバイスが、前記直列結合内の前記第1の信号流れ方向において、前記多重化信号の中の前記n番目の周波数の前記信号を増幅なしで伝搬させ、前記n番目のジョセフソン・デバイスが、前記直列結合内の前記第1の信号流れ方向において、前記第1の周波数の前記信号を増幅なしで伝搬させる、
請求項12に記載の超電導体製造システム。 - 前記直列結合により、前記第1のジョセフソン・デバイスおよび前記n番目のジョセフソン・デバイスが、前記直列結合内の第2の信号流れ方向において、前記多重化信号の中の全ての周波数の信号を増幅なしで伝搬させ、前記第2の信号流れ方向が、前記第1の信号流れ方向とは反対であり、前記第1の信号流れ方向が、前記第1のジョセフソン・デバイスおよび前記n番目のジョセフソン・デバイスの増幅方向である、
請求項12に記載の超電導体製造システム。 - 前記第1のジョセフソン・デバイスに対応する第1のマイクロ波周波数動作帯域幅が、少なくとも一部の周波数について、前記n番目のジョセフソン・デバイスに対応するn番目のマイクロ波周波数動作帯域幅と重なっていない、
請求項12に記載の超電導体製造システム。 - 前記カスケードの全体の増幅帯域幅が、前記第1の動作帯域幅および前記n番目の動作帯域幅を含む、
請求項16に記載の超電導体製造システム。 - 前記第1のI/Oポートと前記第2のI/Oポートの間で伝達される第1の周波数の前記信号が、前記第1のパラメトリック増幅器および前記第2のパラメトリック増幅器内における前記第1のI/Oポートから前記第2のI/Oポートへの第1の方向に伝搬する間は、前記第1の周波数の前記信号は増幅されて前記第1の周波数の前記信号以外の信号は増幅されずに伝送され、前記第1のパラメトリック増幅器および前記第2のパラメトリック増幅器内における前記第2のI/Oポートから前記第1のI/Oポートへの第2の方向に伝搬する間は、前記第1の周波数の前記信号および前記第1の周波数の前記信号以外の信号は増幅されずに伝送され、前記第1の周波数が前記第1のジョセフソン・デバイスの第1の動作帯域幅内にある、
請求項12に記載の超電導体製造システム。 - 第1のマイクロ波ドライブを、ポンプ周波数および第1のポンプ位相で前記第1のパラメトリック増幅器に注入する第1のマイクロ波ポンプであり、前記第1のパラメトリック増幅器を低パワー利得動作点で動作させるように構成された前記第1のマイクロ波ポンプと、
第2のマイクロ波ドライブを、前記ポンプ周波数および第2のポンプ位相で前記第2のパラメトリック増幅器に注入する第2のマイクロ波ポンプであり、前記第2のパラメトリック増幅器を前記低パワー利得動作点で動作させるように構成された前記第2のマイクロ波ポンプと
をさらに備える、請求項18に記載の超電導体製造システム。 - 前記第1のパラメトリック増幅器および前記第2のパラメトリック増幅器がそれぞれ非縮退3波混合パラメトリック増幅器である、請求項18に記載の超電導体製造システム。
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