JP7185649B2 - タイヤ - Google Patents

Description

本発明は、センサを備えたタイヤに関する。

溝の少ないタイヤが使用されている場合や、タイヤと路面との間の摩擦が少ない場合等に、スリップ現象が発生するが、車体が一度でもスリップ現象を起こしてしまうと大事故や大惨事になり大変危険である。そこで、タイヤの滑りを検出し、検出結果に基づいて車体に何らかの制御を行うことが好ましい。

タイヤの滑りを検出する装置としては、例えば、ひずみセンサをトレッド部に埋め込むことで、タイヤの路面に対する接触状態を取得する装置が挙げられる（例えば、特許文献１参照）。

特許第４３４９１５１号

しかしながら、従来のひずみセンサでは、タイヤの部分的なひずみしか検出できず、タイヤの滑りを高精度で検出することは困難であった。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、滑りを高精度で検出できるセンサを搭載したタイヤを提供することを目的とする。

本タイヤは、移動体用のタイヤであって、前記タイヤの内側にセンサが設けられ、前記センサは、一方の側が力の入力側となり、他方の側に長手方向を第１方向に向けて並置された複数の第１抵抗部を備えた第１絶縁層と、一方の側に長手方向を前記第１方向に向けて並置された複数の第２抵抗部を備えた第２絶縁層と、前記第１絶縁層の他方の側と前記第２絶縁層の一方の側との間に配置され、前記力に応じて弾性変形する部材と、を有し、各々の前記第１抵抗部と各々の前記第２抵抗部とは、前記部材を介して対向して配置され、各々の前記第１抵抗部及び各々の前記第２抵抗部の両端部には１対の電極が設けられ、前記第１抵抗部の前記１対の電極間の抵抗値と前記第１抵抗部と対向する前記第２抵抗部の前記１対の電極間の抵抗値との差が、前記部材の弾性変形に応じて連続的に変化する。

開示の技術によれば、滑りを高精度で検出できるセンサを搭載したタイヤを提供できる。

第１実施形態に係るタイヤを例示する断面図（その１）である。 第１実施形態に係るタイヤを例示する断面図（その２）である。 第１実施形態に係るセンサを例示する平面図である。 第１実施形態に係るセンサを例示する断面図（その１）である。 第１実施形態に係るセンサを例示する断面図（その２）である。 第１実施形態に係るセンサモジュールを例示するブロック図である。 第１実施形態に係るセンサモジュールの制御装置を例示するブロック図である。 センサに力が加わった様子を模式的に示す断面図である。 第１実施形態の変形例１に係るセンサを例示する平面図（その１）である。 第１実施形態の変形例１に係るセンサを例示する断面図（その１）である。 第１実施形態の変形例１に係るセンサを例示する平面図（その２）である。 第１実施形態の変形例１に係るセンサを例示する断面図（その２）である。 第１実施形態の変形例２に係るセンサを例示する平面図である。 第１実施形態の変形例２に係るセンサを例示する断面図である。 第１実施形態の変形例３に係るセンサを例示する平面図（その１）である。 第１実施形態の変形例３に係るセンサを例示する断面図である。 第１実施形態の変形例３に係るセンサを例示する平面図（その２）である。

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

〈第１実施形態〉
図１は、第１実施形態に係るタイヤを例示する断面図（その１）であり、タイヤを幅方向に切断した断面を示している。図２は、第１実施形態に係るタイヤを例示する断面図（その２）であり、タイヤを幅方向の中央で幅方向に垂直な方向に切断した断面を示している。なお、図２は、図１とは縮尺が異なり、又、図１に示した構成要素の一部が省略されている。

図１及び図２に示すように、タイヤ１００は、トレッド部１１０と、左右のサイドウォール部１２０と、左右のビード部１３０とを有している。トレッド部１１０は、タイヤ１００の路面に接する部分である。サイドウォール部１２０は、タイヤ１００の側面となる部分である。ビード部１３０は、タイヤ１００をホイールのリムに固定する部分である。

タイヤ１００の内側には、インナーライナー１４０が設けられている。インナーライナー１４０は、例えば、ゴムで形成された層である。インナーライナー１４０の外側には、トレッド部１１０と左右のサイドウォール部１２０とを通って左右のビード部１３０間に伸びるカーカス１５０が設けられている。カーカス１５０は、例えば、繊維やスチールをゴムで被覆した層である。カーカス１５０の両端部は、ビードコア１６０及びビードフィラー１７０を挟み込むようにして折り返されている。トレッド部１１０のカーカス１５０の外周側には、複数のベルト１８０が設けられている。

インナーライナー１４０の外周側（タイヤ１００の中心から遠い側）には、センサ１が貼り付けられている。センサ１は、インナーライナー１４０の外周側の幅方向の全体及び周方向の全体に貼り付けられ、タイヤ１００の最外周（路面に接する面）とインナーライナー１４０外側の間に埋め込んで使用する。

センサ１は、タイヤ１００が自動車等の移動体に装着されて走行しているときに、タイヤ１００に横方向に作用する力に起因するタイヤ１００のひずみを検出するために設けられている。すなわち、移動体の走行中にセンサ１の出力をモニタすることで、タイヤ１００の横滑りを検出できる。なお、移動体とは、例えば、自動車、自動二輪車、ロボット等のタイヤ１００を装着して移動可能な物体を指す。

図３は、第１実施形態に係るセンサを例示する平面図である。図４は、第１実施形態に係るセンサを例示する断面図であり、図３のＡ－Ａ線に沿う断面を示している。

図３及び図４は、センサ１がタイヤ１００に配置される前の状態を示している。又、Ｘ方向はタイヤ１００の幅方向に相当し、Ｙ方向はタイヤ１００の周方向に相当し、Ｚ方向はタイヤ１００の半径方向に相当する。

図３及び図４を参照すると、センサ１は、基材１１及び１２と、抵抗部３１及び３２と、端子部４１及び４２と、部材５１とを有している。センサ１は、並置された複数の抵抗部３１及び３２の長手方向（Ｙ方向）をタイヤ１００の周方向に向けてタイヤ１００に配置される。ここでは、センサ１の基材１１側がインナーライナー１４０側を向くように配置されるものとする。

なお、本実施形態では、便宜上、センサ１において、基材１１の抵抗部３１が設けられていない側を上側又は一方の側、基材１２の抵抗部３２が設けられていない側を下側又は他方の側とする。又、各部位の基材１１の抵抗部３１が設けられていない側の面を一方の面又は上面、基材１２の抵抗部３２が設けられていない側の面を他方の面又は下面とする。但し、センサ１は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置できる。又、平面視とは対象物を基材１１の上面１１ａの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を基材１１の上面１１ａの法線方向から視た形状を指すものとする。

センサ１は、下面１１ｂに抵抗部３１が形成された基材１１と、上面１２ａに抵抗部３２が形成された基材１２が、下面１１ｂと上面１２ａとの間に弾性変形可能な部材５１を挟んで積層された構造である。各々の抵抗部３１と各々の抵抗部３２とは、部材５１を介して対向して配置されている。各々の抵抗部３１の両端部には１対の電極である端子部４１が設けられ、各々の抵抗部３２の両端部には１対の電極である端子部４２が設けられている。

センサ１において、基材１１の上面１１ａが力（せん断力や圧縮力）の入力側となり、タイヤ１００に作用する力が基材１１に加わると、基材１１に加わる力に応じて部材５１が弾性変形する。ここで、せん断力とは基材１１の上面１１ａと平行な方向の力であり、圧縮力とは基材１１の上面１１ａと垂直な方向の力である。

抵抗部３１の１対の端子部４１間の抵抗値と抵抗部３１と対向する抵抗部３２の１対の端子部４２間の抵抗値との差が、せん断力による部材５１の弾性変形に応じて連続的に変化する。この抵抗値の差の変化に基づいて、タイヤ１００の横滑り（Ｘ方向の滑り）を検出できる。

又、抵抗部３１の１対の端子部４１間の抵抗値と抵抗部３１と対向する抵抗部３２の１対の端子部４２間の抵抗値との和が、圧縮力による部材５１の弾性変形に応じて連続的に変化する。この抵抗値の和の変化に基づいて、基材１１がインナーライナー１４０から受けた押圧力の大きさを検出できる。以下、各構成要素について詳説する。

基材１１は、抵抗部３１等を形成するためのベース層となる絶縁性の部材であり、可撓性を有する。基材１１の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、５μｍ～５００μｍ程度とすることができる。特に、基材１１の厚さが５μｍ～２００μｍであると、抵抗部３１のひずみ感度誤差を少なくできる点で好ましい。

複数の抵抗部３１は、絶縁層である基材１１の下面１１ｂに、長手方向をＹ方向に向けて所定間隔でＸ方向に並置された薄膜であり、部材５１の弾性変形に応じて連続的に抵抗値が変化する受感部である。抵抗部３１は、基材１１の下面１１ｂに直接形成されてもよいし、基材１１の下面１１ｂに他の層を介して形成されてもよい。なお、図３では、便宜上、抵抗部３１を梨地模様で示している。

基材１２は、抵抗部３２等を形成するためのベース層となる絶縁性の部材であり、可撓性を有する。基材１２の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、５μｍ～５００μｍ程度とすることができる。特に、基材１２の厚さが５μｍ～２００μｍであると、抵抗部３２のひずみ感度誤差を少なくできる点で好ましい。

複数の抵抗部３２は、絶縁層である基材１２の上面１２ａに、長手方向をＹ方向に向けて所定間隔でＸ方向に並置された薄膜であり、部材５１を介して各々の抵抗部３１と対向して配置されている。各々の抵抗部３２は、部材５１の弾性変形に応じて連続的に抵抗値が変化する受感部であるが、部材５１がせん断力により弾性変形しても抵抗部３２は殆ど歪まず抵抗部３２の抵抗値は殆ど変化しない。抵抗部３２は、基材１２の上面１２ａに直接形成されてもよいし、基材１２の上面１２ａに他の層を介して形成されてもよい。

基材１１及び１２は、例えば、ＰＩ（ポリイミド）樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂、ポリオレフィン樹脂等の絶縁樹脂フィルムから形成できる。なお、フィルムとは、厚さが５００μｍ以下程度であり、可撓性を有する部材を指す。

ここで、『絶縁樹脂フィルムから形成する』とは、基材１１及び１２が絶縁樹脂フィルム中にフィラーや不純物等を含有することを妨げるものではない。基材１１及び１２は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有する絶縁樹脂フィルムから形成しても構わない。

基材１１及び１２の樹脂以外の材料としては、例えば、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２（ＹＳＺも含む）、Ｓｉ、Ｓｉ_２Ｎ_３、Ａｌ_２Ｏ_３（サファイヤも含む）、ＺｎＯ、ペロブスカイト系セラミックス（ＣａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３）等の結晶性材料が挙げられ、更に、それ以外に非晶質のガラス等が挙げられる。又、基材１１及び１２の材料として、アルミニウム、アルミニウム合金（ジュラルミン）、チタン等の金属を用いてもよい。この場合、金属製の基材１１及び１２上に、例えば、絶縁膜が形成される。

抵抗部３１及び３２は、例えば、Ｃｒ（クロム）を含む材料、Ｎｉ（ニッケル）を含む材料、又はＣｒとＮｉの両方を含む材料から形成できる。すなわち、抵抗部３１及び３２は、ＣｒとＮｉの少なくとも一方を含む材料から形成できる。Ｃｒを含む材料としては、例えば、Ｃｒ混相膜が挙げられる。Ｎｉを含む材料としては、例えば、Ｃｕ－Ｎｉ（銅ニッケル）が挙げられる。ＣｒとＮｉの両方を含む材料としては、例えば、Ｎｉ－Ｃｒ（ニッケルクロム）が挙げられる。

ここで、Ｃｒ混相膜とは、Ｃｒ、ＣｒＮ、Ｃｒ_２Ｎ等が混相した膜である。Ｃｒ混相膜は、酸化クロム等の不可避不純物を含んでもよい。

抵抗部３１及び３２の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、０．０５μｍ～２μｍ程度とすることができる。特に、抵抗部３１及び３２の厚さが０．１μｍ以上であると、抵抗部３１及び３２を構成する結晶の結晶性（例えば、α－Ｃｒの結晶性）が向上する点で好ましい。又、抵抗部３１及び３２の厚さが１μｍ以下であると、抵抗部３１及び３２を構成する膜の内部応力に起因する膜のクラックや基材１１や基材１２からの反りを低減できる点で更に好ましい。

抵抗部３１及び３２の幅は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、０．１μｍ～１０００μｍ（１ｍｍ）程度とすることができる。隣接する抵抗部３１及び３２のピッチは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、１ｍｍ～１００ｍｍ程度とすることができる。なお、抵抗部３１及び３２は、実際には数１００～数１０００本程度設けられる。

例えば、抵抗部３１及び３２がＣｒ混相膜である場合、安定な結晶相であるα－Ｃｒ（アルファクロム）を主成分とすることで、抵抗部３１及び３２の温度係数の安定化や、印加される力に対する抵抗部３１及び３２の感度の向上を実現できる。ここで、主成分とは、対象物質が抵抗部を構成する全物質の５０質量％以上を占めることを意味する。抵抗部３１及び３２の温度係数の安定化や、滑り力に対する抵抗部３１及び３２の感度の向上を実現する観点から、抵抗部３１及び３２はα－Ｃｒを８０重量％以上含むことが好ましく、９０重量％以上含むことが更に好ましい。なお、α－Ｃｒは、ｂｃｃ構造（体心立方格子構造）のＣｒである。

又、抵抗部３１及び３２がＣｒ混相膜である場合、Ｃｒ混相膜に含まれるＣｒＮ及びＣｒ_２Ｎは２０重量％以下であることが好ましい。Ｃｒ混相膜に含まれるＣｒＮ及びＣｒ_２Ｎが２０重量％以下であることで、ゲージ率の低下を抑制できる。

又、ＣｒＮ及びＣｒ_２Ｎ中のＣｒ_２Ｎの割合は８０重量％以上９０重量％未満であることが好ましく、９０重量％以上９５重量％未満であることが更に好ましい。ＣｒＮ及びＣｒ_２Ｎ中のＣｒ_２Ｎの割合が９０重量％以上９５重量％未満であることで、半導体的な性質を有するＣｒ_２Ｎにより、ＴＣＲの低下（負のＴＣＲ）が一層顕著となる。更に、セラミックス化を低減することで、脆性破壊の低減が成される。

一方で、膜中に微量のＮ_２もしくは原子状のＮが混入、存在した場合、外的環境（例えば高温環境下）によりそれらが膜外へ抜け出ることで、膜応力の変化を生ずる。化学的に安定なＣｒＮの創出により上記不安定なＮを発生させることがなく、安定なひずみゲージを得ることができる。

端子部４１は、基材１１の下面１１ｂにおいて、各々の抵抗部３１の両端部から延在しており、平面視において、抵抗部３１よりも拡幅して略矩形状に形成されている。端子部４１は、部材５１の弾性変形により生じる抵抗部３１の抵抗値の変化を外部に出力するための１対の電極であり、例えば、外部接続用のフレキシブル基板やリード線等が接合される。端子部４１の上面を、端子部４１よりもはんだ付け性が良好な金属で被覆してもよい。なお、抵抗部３１と端子部４１とは便宜上別符号としているが、両者は同一工程において同一材料により一体に形成できる。

端子部４２は、基材１２の上面１２ａにおいて、各々の抵抗部３２の両端部から延在しており、平面視において、抵抗部３２よりも拡幅して略矩形状に形成されている。端子部４２は、抵抗部３２の抵抗値の変化を外部に出力するための１対の電極であり、例えば、外部接続用のフレキシブル基板やリード線等が接合される。端子部４２の上面を、端子部４２よりもはんだ付け性が良好な金属で被覆してもよい。なお、抵抗部３２と端子部４２とは便宜上別符号としているが、両者は同一工程において同一材料により一体に形成できる。

なお、基材１１や基材１２を貫通する貫通配線（スルーホール）を設け、端子部４１及び４２を基材１１の上面１１ａ側や基材１２の下面１２ｂ側に移動してもよい。

抵抗部３１を被覆し端子部４１を露出するように基材１１の下面１１ｂにカバー層（絶縁樹脂層）を設けても構わない。又、抵抗部３２を被覆し端子部４２を露出するように基材１２の上面１２ａにカバー層（絶縁樹脂層）を設けても構わない。カバー層を設けることで、抵抗部３１及び３２に機械的な損傷等が生じることを防止できる。又、カバー層を設けることで、抵抗部３１及び３２を湿気等から保護できる。なお、カバー層は、端子部４１及び４２を除く部分の全体を覆うように設けてもよい。

カバー層は、例えば、ＰＩ樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＥＫ樹脂、ＰＥＮ樹脂、ＰＥＴ樹脂、ＰＰＳ樹脂、複合樹脂（例えば、シリコーン樹脂、ポリオレフィン樹脂）等の絶縁樹脂から形成できる。カバー層は、フィラーや顔料を含有しても構わない。カバー層の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、２μｍ～３０μｍ程度とすることができる。

部材５１は、基材１１の下面１１ｂ側と基材１２の上面１２ａ側との間に配置され、基材１１に力が加わると、基材１１に加わった力に応じて弾性変形する部材である。部材５１の材料としては、例えば、シリコーンゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム等が挙げられる。部材５１の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、５μｍ～５００μｍ程度とすることができる。

センサ１を製造するためには、まず、基材１１を準備し、基材１１の下面１１ｂに図３に示す平面形状の抵抗部３１及び端子部４１を形成する。抵抗部３１及び端子部４１の材料や厚さは、前述の通りである。抵抗部３１と端子部４１とは、同一材料により一体に形成できる。

抵抗部３１及び端子部４１は、例えば、抵抗部３１及び端子部４１を形成可能な原料をターゲットとしたマグネトロンスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィによってパターニングすることで形成できる。抵抗部３１及び端子部４１は、マグネトロンスパッタ法に代えて、反応性スパッタ法や蒸着法、アークイオンプレーティング法、パルスレーザー堆積法等を用いて成膜してもよい。

抵抗部３１の温度係数の安定化や、印加される力に対する抵抗部３１の感度の向上を実現する観点から、抵抗部３１及び端子部４１を成膜する前に、下地層として所定の膜厚の機能層を真空成膜することが好ましい。機能層は、例えば、コンベンショナルスパッタ法により成膜できる。なお、機能層は、機能層の上面全体に抵抗部３１及び端子部４１を形成後、例えば、フォトリソグラフィによって抵抗部３１及び端子部４１と共に図３に示す平面形状にパターニングされる。

本願において、機能層とは、少なくとも上層である抵抗部の結晶成長を促進する機能を有する層を指す。機能層は、更に、基材１１に含まれる酸素や水分による抵抗部の酸化を防止する機能や、基材１１と抵抗部との密着性を向上する機能を備えていることが好ましい。機能層は、更に、他の機能を備えていてもよい。

基材１１を構成する絶縁樹脂フィルムは酸素や水分を含むため、特に抵抗部がＣｒを含む場合、Ｃｒは自己酸化膜を形成するため、機能層が抵抗部の酸化を防止する機能を備えることは有効である。

機能層の材料は、少なくとも上層である抵抗部の結晶成長を促進する機能を有する材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｙ（イットリウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｓｉ（シリコン）、Ｃ（炭素）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｃｕ（銅）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｆｅ（鉄）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｒｅ（レニウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｏ（コバルト）、Ｍｎ（マンガン）、Ａｌ（アルミニウム）からなる群から選択される１種又は複数種の金属、この群の何れかの金属の合金、又は、この群の何れかの金属の化合物が挙げられる。

上記の合金としては、例えば、ＦｅＣｒ、ＴｉＡｌ、ＦｅＮｉ、ＮｉＣｒ、ＣｒＣｕ等が挙げられる。又、上記の化合物としては、例えば、ＴｉＮ、ＴａＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＯ_２等が挙げられる。

機能層が金属又は合金のような導電材料から形成される場合には、機能層の膜厚は抵抗部の膜厚の１／２０以下であることが好ましい。このような範囲であると、α－Ｃｒの結晶成長を促進できると共に、抵抗部に流れる電流の一部が機能層に流れて、ひずみの検出感度が低下することを防止できる。

機能層が金属又は合金のような導電材料から形成される場合には、機能層の膜厚は抵抗部の膜厚の１／５０以下であることがより好ましい。このような範囲であると、α－Ｃｒの結晶成長を促進できると共に、抵抗部に流れる電流の一部が機能層に流れて、ひずみの検出感度が低下することを更に防止できる。

機能層が金属又は合金のような導電材料から形成される場合には、機能層の膜厚は抵抗部の膜厚の１／１００以下であることが更に好ましい。このような範囲であると、抵抗部に流れる電流の一部が機能層に流れて、抵抗部に流れる電流の一部が機能層に流れて、ひずみの検出感度が低下することを一層防止できる。

機能層が酸化物や窒化物のような絶縁材料から形成される場合には、機能層の膜厚は、１ｎｍ～１μｍとすることが好ましい。このような範囲であると、α－Ｃｒの結晶成長を促進できると共に、機能層にクラックが入ることなく容易に成膜できる。

機能層が酸化物や窒化物のような絶縁材料から形成される場合には、機能層の膜厚は、１ｎｍ～０．８μｍとすることよりが好ましい。このような範囲であると、α－Ｃｒの結晶成長を促進できると共に、機能層にクラックが入ることなく更に容易に成膜できる。

機能層が酸化物や窒化物のような絶縁材料から形成される場合には、機能層の膜厚は、１ｎｍ～０．５μｍとすることが更に好ましい。このような範囲であると、α－Ｃｒの結晶成長を促進できると共に、機能層クラックが入ることなく一層容易に成膜できる。

なお、機能層の平面形状は、例えば、図３に示す抵抗部の平面形状と略同一にパターニングされている。しかし、機能層の平面形状は、抵抗部の平面形状と略同一である場合には限定されない。機能層が絶縁材料から形成される場合には、抵抗部の平面形状と同一形状にパターニングしなくてもよい。この場合、機能層は少なくとも抵抗部が形成されている領域にベタ状に形成されてもよい。或いは、機能層は、基材１０の上面全体にベタ状に形成されてもよい。

又、機能層が絶縁材料から形成される場合に、機能層の厚さを５０ｎｍ以上１μｍ以下となるように比較的厚く形成し、かつベタ状に形成することで、機能層の厚さと表面積が増加するため、抵抗部が発熱した際の熱を基材１０側へ放熱できる。その結果、センサ１において、抵抗部の自己発熱による測定精度の低下を抑制できる。

機能層は、例えば、機能層を形成可能な原料をターゲットとし、チャンバ内にＡｒ（アルゴン）ガスを導入したコンベンショナルスパッタ法により真空成膜できる。コンベンショナルスパッタ法を用いることにより、基材１１の下面１１ｂをＡｒでエッチングしながら機能層が成膜されるため、機能層の成膜量を最小限にして密着性改善効果を得ることができる。

但し、これは、機能層の成膜方法の一例であり、他の方法により機能層を成膜してもよい。例えば、機能層の成膜の前にＡｒ等を用いたプラズマ処理等により基材１１の下面１１ｂを活性化することで密着性改善効果を獲得し、その後マグネトロンスパッタ法により機能層を真空成膜する方法を用いてもよい。

機能層の材料と抵抗部３１及び端子部４１の材料との組み合わせは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。例えば、機能層としてＴｉを用い、抵抗部３１及び端子部４１としてα－Ｃｒ（アルファクロム）を主成分とするＣｒ混相膜を成膜可能である。

この場合、例えば、Ｃｒ混相膜を形成可能な原料をターゲットとし、チャンバ内にＡｒガスを導入したマグネトロンスパッタ法により、抵抗部３１及び端子部４１を成膜できる。或いは、純Ｃｒをターゲットとし、チャンバ内にＡｒガスと共に適量の窒素ガスを導入し、反応性スパッタ法により、抵抗部３１及び端子部４１を成膜してもよい。この際、窒素ガスの導入量や圧力（窒素分圧）を変えることや加熱工程を設けて加熱温度を調整することで、Ｃｒ混相膜に含まれるＣｒＮ及びＣｒ_２Ｎの割合、並びにＣｒＮ及びＣｒ_２Ｎ中のＣｒ_２Ｎの割合を調整できる。

これらの方法では、Ｔｉからなる機能層がきっかけでＣｒ混相膜の成長面が規定され、安定な結晶構造であるα－Ｃｒを主成分とするＣｒ混相膜を成膜できる。又、機能層を構成するＴｉがＣｒ混相膜中に拡散することにより、抵抗部３１の温度係数の安定化や、印加される力に対する抵抗部３１の感度の向上を実現できる。なお、機能層がＴｉから形成されている場合、Ｃｒ混相膜にＴｉやＴｉＮ（窒化チタン）が含まれる場合がある。

なお、抵抗部３１がＣｒ混相膜である場合、Ｔｉからなる機能層は、抵抗部３１の結晶成長を促進する機能、基材１１に含まれる酸素や水分による抵抗部３１の酸化を防止する機能、及び基材１１と抵抗部３１との密着性を向上する機能の全てを備えている。機能層として、Ｔｉに代えてＴａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｆｅを用いた場合も同様である。

このように、抵抗部３１の下層に機能層を設けることにより、抵抗部３１の結晶成長を促進可能となり、安定な結晶相からなる抵抗部３１を作製できる。その結果、センサ１において、抵抗部３１の温度係数の安定化や、印加される力に対する抵抗部３１の感度の向上を実現できる。又、機能層を構成する材料が抵抗部３１に拡散することにより、センサ１において、抵抗部３１の温度係数の安定化や、印加される力に対する抵抗部３１の感度の向上を実現できる。

次に、基材１２を準備し、基材１２の上面１２ａに抵抗部３２及び端子部４２を形成する。抵抗部３２及び端子部４２は、抵抗部３１及び端子部４１と同様の方法で形成できる。抵抗部３２及び端子部４２を成膜する前に、下地層として、基材１２の上面１２ａに機能層を成膜することが好ましい点も同様である。

抵抗部３１及び端子部４１並びに抵抗部３２及び端子部４２を形成後、必要に応じ、基材１１の下面１１ｂに抵抗部３１を被覆し端子部４１を露出するカバー層を設けてもよい。又、基材１２の上面１２ａに抵抗部３２を被覆し端子部４２を露出するカバー層を設けてもよい。

カバー層は、例えば、基材１１の下面１１ｂに抵抗部３１を被覆し端子部４１を露出するように半硬化状態の熱硬化性の絶縁樹脂フィルムをラミネートし、加熱して硬化させて作製できる。又、カバー層は、例えば、基材１２の上面１２ａに抵抗部３２を被覆し端子部４２を露出するように半硬化状態の熱硬化性の絶縁樹脂フィルムをラミネートし、加熱して硬化させて作製できる。カバー層は、絶縁樹脂フィルムのラミネートに代えて、液状又はペースト状の熱硬化性の絶縁樹脂を塗布し、加熱して硬化させて作製してもよい。

次に、弾性変形可能な部材５１を準備する。そして、抵抗部３２を設けた基材１２を抵抗部３２を上側に向けて部材５１の下側に配置し、抵抗部３１を設けた基材１１を抵抗部３１を下側に向けて部材５１の上側に配置する。そして、基材１１及び１２と部材５１とを接着する。これにより、センサ１が完成する。

基材１１及び１２と部材５１は、例えば、接着層を介して接着できる。接着層は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、変性ウレタン樹脂等を用いることができる。

なお、抵抗部３１及び端子部４１の下地層として基材１１の下面１１ｂに機能層を設け、抵抗部３２及び端子部４２の下地層として基材１２の上面１２ａに機能層を設けた場合には、センサ１は図５に示す断面形状となる。符号２０ａ及び２０ｂで示す層が機能層である。機能層２０ａ及び２０ｂを設けた場合のセンサ１の平面形状は、図３と同様である。

図６に示すように、センサ１及び制御装置７によりセンサモジュール８を実現できる。センサモジュール８において、センサ１の各々の端子部４１及び４２は、例えば、フレキシブル基板やリード線等を用いて、制御装置７に接続されている。

制御装置７は、センサ１の端子部４１及び４２を介して得られた情報に基づいて、タイヤ１００に生じたひずみの位置の座標やタイヤ１００に生じた横滑りを検出できる。例えば、センサ１の抵抗部３１及び３２はＸ座標の検出に用いることができる。

図７に示すように、制御装置７は、例えば、アナログフロントエンド部７１と、信号処理部７２とを含む構成にできる。

アナログフロントエンド部７１は、例えば、入力信号選択スイッチ、ブリッジ回路、増幅器、アナログ／デジタル変換回路（Ａ／Ｄ変換回路）等を備えている。アナログフロントエンド部７１は、温度補償回路を備えていてもよい。

アナログフロントエンド部７１では、例えば、センサ１の全ての端子部４１及び４２が入力信号選択スイッチに接続され、入力信号選択スイッチにより１対の電極が選択される。入力信号選択スイッチで選択された１対の電極は、ブリッジ回路に接続される。

すなわち、ブリッジ回路の１辺が入力信号選択スイッチで選択された１対の電極間の抵抗部で構成され、他の３辺が固定抵抗で構成される。これにより、ブリッジ回路の出力として、入力信号選択スイッチで選択された１対の電極間の抵抗部の抵抗値に対応した電圧（アナログ信号）を得ることができる。なお、入力信号選択スイッチは、信号処理部７２から制御可能である。

ブリッジ回路から出力された電圧は、増幅器で増幅された後、Ａ／Ｄ変換回路によりデジタル信号に変換され、信号処理部７２に送られる。アナログフロントエンド部７１が温度補償回路を備えている場合には、温度補償されたデジタル信号が信号処理部７２に送られる。入力信号選択スイッチを高速で切り替えることで、センサ１の全ての端子部４１及び４２の抵抗値に対応するデジタル信号を極短時間で信号処理部７２に送ることができる。

信号処理部７２は、アナログフロントエンド部７１から送られた情報に基づいて、タイヤ１００に生じたひずみの位置の座標やタイヤ１００に生じた横滑りを検出できる。具体的には、信号処理部７２は、互いに対向する抵抗部３１と抵抗部３２の抵抗値の差を計算することにより、タイヤ１００に生じた横滑りを検出できる。又、信号処理部７２は、互いに対向する抵抗部３１と抵抗部３２の抵抗値の和を計算することにより、タイヤ１００にＺ方向の力が加わった場合のＺ方向の力の大きさを求めることができる。

信号処理部７２は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、メインメモリ等を含む構成にできる。

この場合、信号処理部７２の各種機能は、ＲＯＭ等に記録されたプログラムがメインメモリに読み出されてＣＰＵにより実行されることによって実現できる。但し、信号処理部７２の一部又は全部は、ハードウェアのみにより実現されてもよい。又、信号処理部７２は、物理的に複数の装置等により構成されてもよい。

制御装置７に、信号処理部７２による検出結果を無線により送信する集積回路等を設けてもよい。信号処理部７２による検出結果を、無線により、例えば自動車に搭載されたＥＣＵ（Electronic Control Unit）に送信してもよい。制御装置７から無線によりタイヤ１００の横滑りの情報を得たＥＣＵは、例えば横滑り防止装置等の各種安全装置を制御し、自動車を安全に走行させて、事故を未然に防ぐことができる。

図８は、センサに力が加わった様子を模式的に示す断面図である。図８に示すように、センサ１に矢印方向に力Ｆ（せん断力）が加わると、力Ｆが加わった箇所の近傍の部材５１の基材１１側が力Ｆの方向に変形するが、部材５１の基材１２側は殆ど変形しない。

すなわち、領域Ａに位置する抵抗部３１の抵抗値が変化するが、領域Ｂに位置する抵抗部３２の抵抗値は殆ど変化しない。なお、領域Ａに位置する抵抗部３１と領域Ｂに位置する抵抗部３２は、力Ｆが加わっていない状態において、部材５１を介して互いに対向して配置されていたものである。

互いに対向していた抵抗部３１と抵抗部３２の抵抗値の差を算出することで、タイヤ１００の滑りを算出できる。例えば、領域Ａの左側の抵抗部３１と領域Ｂの左側の抵抗部３２の抵抗値の差、領域Ａの中央の抵抗部３１と領域Ｂの中央の抵抗部３２の抵抗値の差、及び領域Ａの右側の抵抗部３１と領域Ｂの右側の抵抗部３２の抵抗値の差を算出する。これにより、滑りの大きさ及び分布を知ることができる。

ここで、抵抗部３１と抵抗部３２の抵抗値の差を取るのは、センサ１が厚さ方向（Ｚ方向）に押圧されたことで生じる成分を除去するためである。すなわち、センサ１が厚さ方向に押圧されると、抵抗部３１と抵抗部３２が同じように押圧されて歪み、抵抗部３１の抵抗値と抵抗部３２の抵抗値が同方向に同程度に変化するため、抵抗部３１と抵抗部３２の抵抗値の差を取ることにより押圧成分を除去できる。その結果、滑り成分を精度よく検出できる。

なお、滑り成分に加えて押圧成分も算出する要求がある場合には、互いに対向していた抵抗部３１と抵抗部３２の抵抗値の和を算出することで、タイヤ１００の押圧成分を算出できる。すなわち、センサ１は、触覚センサとしての機能を併せ持つことができる。

このように、センサ１に力が加わると、センサに加わった力に応じて部材５１が弾性変形する。そして、部材５１が弾性変形すると、部材５１を介して対向して配置されていた抵抗部３１の１対の電極である端子部４１間の抵抗値と抵抗部３２の１対の電極である端子部４２間の抵抗値との差が、せん断力による部材５１の弾性変形に応じて連続的に変化する。この抵抗値の差の変化に基づいて、タイヤ１００に生じた横滑りを検出できる。抵抗部３１と抵抗部３２の抵抗値の差を取ることにより、圧縮力により部材５１が弾性変形したことによる抵抗部３１及び３２の抵抗値の変化分を除去可能となるため、タイヤ１００に生じた横滑りを高精度で検出できる。

特に、抵抗部３１及び３２がＣｒ混相膜から形成されている場合は、抵抗部３１及び３２がＣｕ－ＮｉやＮｉ－Ｃｒから形成されている場合と比べ、力に対する抵抗値の感度（同一の力に対する抵抗部３１及び３２の抵抗値の変化量）が大幅に向上する。抵抗部３１及び３２がＣｒ混相膜から形成されている場合、力に対する抵抗値の感度は、抵抗部３１及び３２がＣｕ－ＮｉやＮｉ－Ｃｒから形成されている場合と比べ、おおよそ５～１０倍程度となる。そのため、抵抗部３１及び３２をＣｒ混相膜から形成することで、タイヤ１００に生じた横滑りを特に高感度で検出できる。

又、力に対する抵抗値の感度が高いことで、滑りが小であることを検出した場合には所定の動作を行い、滑りが中であることを検出した場合には他の動作を行い、滑りが大であることを検出した場合には更に他の動作を行うような制御の実現が可能となる。或いは、滑りが小又は中であることを検出した場合には動作を行わず、滑りが大であることを検出した場合にのみ所定の動作を行うような制御の実現が可能となる。

又、力に対する抵抗値の感度が高いと、Ｓ／Ｎの高い信号を得ることができる。そのため、アナログフロントエンド部７１のＡ／Ｄ変換回路において平均化を行う回数を低減しても精度よく信号検出ができる。Ａ／Ｄ変換回路において平均化を行う回数を低減することで、１回のＡ／Ｄ変換に必要な時間を短縮できるため、入力信号選択スイッチを更に高速で切り替えることが可能となる。その結果、センサ１に入力される速い動きも検出できる。

又、特に、抵抗部３１及び３２がＣｒ混相膜から形成されている場合は、抵抗部３１及び３２がＣｕ－ＮｉやＮｉ－Ｃｒから形成されている場合と比べ、平面視において１／１０以下に小型化できる。その結果、小型のセンサ１を実現可能となる。

なお、タイヤ１００の周方向の滑りを検出したい場合には、並置された複数の抵抗部３１及び３２の長手方向がタイヤ１００の幅方向に向くように、センサ１をタイヤ１００に配置すればよい。

〈第１実施形態の変形例１〉
第１実施形態の変形例１では、弾性変形可能な部材を特定方向に変形し易くしたセンサの例を示す。なお、第１実施形態の変形例１において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

図９は、第１実施形態の変形例１に係るセンサを例示する平面図である。図１０は、第１実施形態の変形例１に係るセンサを例示する断面図であり、図９のＢ－Ｂ線に沿う断面を示している。

図９及び図１０を参照すると、センサ１Ａでは、部材５１の各々の抵抗部３１の両側に位置する領域に、部材５１の基材１１側の面から基材１２側の面に向かって窪む凹部５１ｘが設けられている。平面視において、各々の凹部５１ｘは、抵抗部３１の長手方向（Ｙ方向）に沿って設けられている。又、部材５１の各々の抵抗部３２の両側に位置する領域に、部材５１の基材１２側の面から基材１１側の面に向かって窪む凹部５１ｙが設けられている。平面視において、各々の凹部５１ｙは、抵抗部３２の長手方向（Ｙ方向）に沿って設けられている。

このように、センサ１Ａにおいて、部材５１の各々の抵抗部３１及び３２の両側に位置する領域に凹部５１ｘ及び５１ｙを設けることにより、センサ１Ａに力が加わった場合に、部材５１のＸ方向の変形量が大きくなる。その結果、センサ１ＡのＸ方向の滑りの検出感度を向上できる。

なお、図１１の平面図に示すセンサ１Ｂのように、抵抗部３１及び３２の１本の長さ当たりに対して複数の凹部５１ｘ及び５１ｙを断続的に配置してもよい。

又、図１２の断面図に示すセンサ１Ｃのように、凹部５１ｙは設けずに凹部５１ｘのみを設けてもよい。この場合、凹部５１ｘの深さを部材５１の厚さの半分以上としてもよい。又、平面視においては、図９のように抵抗部３１の１本の長さ当たりに対して１つの凹部５１ｘを配置してもよいし、図１１のように抵抗部３１の１本の長さ当たりに対して複数の凹部５１ｘを断続的に配置してもよい。

又、図９～図１２の何れの場合にも、凹部に代えて貫通孔としてもよい。

図１１に示すセンサ１Ｂ及び図１２に示すセンサ１Ｃの場合も、図９及び図１０に示すセンサ１Ａの場合と同様に、Ｘ方向の滑りの検出感度を向上できる。

〈第１実施形態の変形例２〉
第１実施形態の変形例２では、ＸＹ座標の検出が可能なセンサの例を示す。なお、第１実施形態の変形例２において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

図１３は、第１実施形態の変形例２に係るセンサを例示する平面図である。図１４は、第１実施形態の変形例２に係るセンサを例示する断面図であり、図１３のＣ－Ｃ線に沿う断面を示している。

図１３及び図１４を参照すると、センサ１Ｄでは、センサ１の構造に加え、基材１２の下面１２ｂに、長手方向をＸ方向に向けて所定間隔でＹ方向に並置された複数の抵抗部３３が形成されている。又、センサ１Ｄは、長手方向をＸ方向に向けて所定間隔でＹ方向に並置された抵抗部３４が上面１３ａに形成された基材１３と、弾性変形可能な部材５２とを有している。部材５２は、基材１２の下面１１ｂと基材１３の上面１３ａとの間に積層されている。

各々の抵抗部３３と各々の抵抗部３４とは、部材５２を介して対向して配置されている。各々の抵抗部３３の両端部には１対の電極である端子部４３が設けられ、各々の抵抗部３４の両端部には１対の電極である端子部４４が設けられている。

抵抗部３３の１対の端子部４３間の抵抗値と抵抗部３３と対向する抵抗部３４の１対の端子部４４間の抵抗値との差が、せん断力による部材５２の弾性変形に応じて連続的に変化する。この抵抗値の差の変化に基づいて、タイヤ１００に生じた進行方向の滑り（Ｙ方向の滑り）を検出できる。

又、抵抗部３３の１対の端子部４３間の抵抗値と抵抗部３３と対向する抵抗部３４の１対の端子部４４間の抵抗値との和が、圧縮力による部材５２の弾性変形に応じて連続的に変化する。この抵抗値の和の変化に基づいて、基材１１が受けた押圧力の大きさを検出できる。

抵抗部３３及び３４の材料や厚さ、製造方法は、抵抗部３１及び３２と同様にできる。部材５２の材料や厚さは、部材５１と同様にできる。なお、抵抗部３１及び３２と抵抗部３３及び３４とは平面視で直交している必要はなく、交差していればよい。

このように、センサ１Ｄでは、長手方向をＹ方向とする抵抗部３１及び３２に加え、長手方向をＸ方向とする抵抗部３３及び３４を設けている。これにより、センサ１Ｄでは、互いに対向する抵抗部３１と抵抗部３２の抵抗値の差からＸ方向の滑りを算出できると共に、互いに対向する抵抗部３３と抵抗部３４の抵抗値の差からＹ方向の滑りを算出できる。又、滑りが生じた位置のＸＹ座標の検出が可能である。

なお、部材５１の抵抗部３１及び３２に沿って図９～図１２に示した凹部を設けても構わない。同様に、部材５２の抵抗部３３及び３４に沿って図９～図１２に示した凹部を設けても構わない。これにより、センサ１Ｄにおいて、Ｘ方向の滑りの検出感度及びＹ方向の滑りの検出感度を向上できる。

〈第１実施形態の変形例３〉
第１実施形態の変形例３では、ＸＹ座標の検出が可能なセンサの他の例を示す。なお、第１実施形態の変形例３において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

図１５は、第１実施形態の変形例３に係るセンサを例示する平面図である。図１６は、第１実施形態の変形例３に係るセンサを例示する断面図であり、図１５のＤ－Ｄ線に沿う断面を示している。

図１５及び図１６を参照すると、センサ１Ｅでは、センサ１の構造に加え、基材１１と部材５１との間に複数の抵抗部３３を備えた絶縁層である基材１５が追加され、基材１２の下面１２ｂに複数の抵抗部３４が設けられている。基材１５の材料や厚さは、例えば、基材１１と同様にできる。

複数の抵抗部３３は、基材１５の下面１５ｂに、長手方向をＸ方向に向けて所定間隔でＹ方向に並置されている。各々の抵抗部３３の両端部には１対の電極である端子部４３が設けられている。

基材１５の上面１５ａ側は、抵抗部３１を介して基材１１の下面１１ｂ側に配置されている。基材１５の下面１５ｂ側と基材１２の上面１２ａ側との間に部材５１が配置されている。

複数の抵抗部３４は、基材１２の下面１２ｂに、長手方向をＸ方向に向けて所定間隔でＹ方向に並置されている。各々の抵抗部３４の両端部には１対の電極である端子部４４が設けられている。各々の抵抗部３４と各々の抵抗部３３とは、基材１２及び部材５１を介して対向して配置されている。

抵抗部３１の１対の端子部４１間の抵抗値と抵抗部３１と対向する抵抗部３２の１対の端子部４２間の抵抗値との差が、せん断力による部材５１の弾性変形に応じて連続的に変化する。この抵抗値の差の変化に基づいて、タイヤ１００に生じたＸ方向の滑りを検出できる。

又、抵抗部３１の１対の端子部４１間の抵抗値と抵抗部３１と対向する抵抗部３２の１対の端子部４２間の抵抗値との和が、圧縮力による部材５１の弾性変形に応じて連続的に変化する。この抵抗値の和の変化に基づいて、基材１１が受けた押圧力の大きさを検出できる。

又、抵抗部３３の１対の端子部４３間の抵抗値と抵抗部３３と対向する抵抗部３４の１対の端子部４４間の抵抗値との差が、せん断力による部材５１の弾性変形に応じて連続的に変化する。この抵抗値の差の変化に基づいて、タイヤ１００に生じたＹ方向の滑りを検出できる。

又、抵抗部３３の１対の端子部４３間の抵抗値と抵抗部３３と対向する抵抗部３４の１対の端子部４４間の抵抗値との和が、圧縮力による部材５１の弾性変形に応じて連続的に変化する。この抵抗値の和の変化に基づいて、基材１１が受けた押圧力の大きさを検出できる。

抵抗部３３及び３４の材料や厚さ、製造方法は、抵抗部３１及び３２と同様にできる。なお、抵抗部３１及び３２と抵抗部３３及び３４とは平面視で直交している必要はなく、交差していればよい。

このように、センサ１Ｅでは、長手方向をＹ方向とする抵抗部３１及び３２に加え、長手方向をＸ方向とする抵抗部３３及び３４を設けている。これにより、センサ１Ｅでは、互いに対向する抵抗部３１と抵抗部３２の抵抗値の差からＸ方向の滑りを算出できると共に、互いに対向する抵抗部３３と抵抗部３４の抵抗値の差からＹ方向の滑りを算出できる。又、滑りが生じた位置のＸＹ座標の検出が可能である。

又、センサ１Ｅは、センサ１Ｄに比べ、弾性変形する部材を１つ少なくできるため、小型化や低背化の観点でメリットがある。

なお、例えば、図１７に示すように、部材５１の各々の抵抗部３１の両側に位置しかつ部材５１の各々の抵抗部３３の両側に位置する領域に、部材５１の基材１５側の面から基材１２側の面に向かって窪む凹部５１ｘを設けてもよい。又、部材５１の各々の抵抗部３２の両側に位置しかつ部材５１の各々の抵抗部３４の両側に位置する領域に、部材５１の基材１２側の面から基材１５側の面に向かって窪む凹部５１ｙを設けてもよい。或いは、凹部５１ｙは設けずに凹部５１ｘのみを設けてもよい。何れの場合も、センサ１Ｅにおいて、Ｘ方向の滑りの検出感度及びＹ方向の滑りの検出感度を向上できる。

以上、好ましい実施形態等について詳説したが、上述した実施形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ センサ、７ 制御装置、８ センサモジュール、１１、１２、１３、１５ 基材、１１ａ、１２ａ、１３ａ、１５ａ 基材の上面、１１ｂ、１２ｂ、１３ｂ、１５ｂ 基材の下面、２０ａ、２０ｂ 機能層、３１、３２、３３、３４ 抵抗部、４１、４２、４３、４４ 端子部、５１、５２ 部材、５１ｘ、５１ｙ 凹部、７１ アナログフロントエンド部、７２ 信号処理部、１００ タイヤ、１１０ トレッド部、１２０ サイドウォール部、１３０ ビード部、１４０ インナーライナー、１５０ カーカス、１６０ ビードコア、１７０ ビードフィラー、１８０ ベルト

Claims (18)

1. 移動体用のタイヤであって、
   前記タイヤの内側にセンサが設けられ、
   前記センサは、
   一方の側が力の入力側となり、他方の側に長手方向を第１方向に向けて並置された複数の第１抵抗部を備えた第１絶縁層と、
   一方の側に長手方向を前記第１方向に向けて並置された複数の第２抵抗部を備えた第２絶縁層と、
   前記第１絶縁層の他方の側と前記第２絶縁層の一方の側との間に配置され、前記力に応じて弾性変形する部材と、を有し、
   各々の前記第１抵抗部と各々の前記第２抵抗部とは、前記部材を介して対向して配置され、
   各々の前記第１抵抗部及び各々の前記第２抵抗部の両端部には１対の電極が設けられ、
   前記第１抵抗部の前記１対の電極間の抵抗値と前記第１抵抗部と対向する前記第２抵抗部の前記１対の電極間の抵抗値との差が、前記部材の弾性変形に応じて連続的に変化するタイヤ。
2. 前記第１方向は、前記タイヤの周方向である請求項１に記載のタイヤ。
3. 前記センサは、前記タイヤの内周側の幅方向の全体及び周方向の全体に貼り付けられているか、又は埋め込まれている請求項１又は２に記載のタイヤ。
4. 前記第１抵抗部の前記１対の電極間の抵抗値と前記第１抵抗部と対向する前記第２抵抗部の前記１対の電極間の抵抗値との和が、圧縮力による前記部材の弾性変形に応じて連続的に変化する請求項１乃至３の何れか一項に記載のタイヤ。
5. 前記部材の各々の前記第１抵抗部の両側に位置する領域に、前記部材の前記第１絶縁層側の面から前記第２絶縁層側の面に向かって窪む凹部が設けられた請求項１乃至４の何れか一項に記載のタイヤ。
6. 前記部材の各々の前記第２抵抗部の両側に位置する領域に、前記部材の前記第２絶縁層側の面から前記第１絶縁層側の面に向かって窪む凹部が設けられた請求項５に記載のタイヤ。
7. 前記第２絶縁層の他方の側に長手方向を前記第１方向と交差する第２方向に向けて並置された複数の第３抵抗部が形成され、
   一方の側に長手方向を前記第２方向に向けて並置された複数の第４抵抗部を備えた第３絶縁層と、
   前記第２絶縁層の他方の側と前記第３絶縁層の一方の側との間に配置され、前記力に応じて弾性変形する第２部材と、を有し、
   各々の前記第３抵抗部と各々の前記第４抵抗部とは、前記第２部材を介して対向して配置され、
   各々の前記第３抵抗部及び各々の前記第４抵抗部の両端部には１対の電極が設けられ、
   前記第３抵抗部の前記１対の電極間の抵抗値と前記第３抵抗部と対向する前記第４抵抗部の前記１対の電極間の抵抗値との差が、せん断力による前記第２部材の弾性変形に応じて連続的に変化する請求項１乃至６の何れか一項に記載のタイヤ。
8. 前記第３抵抗部の前記１対の電極間の抵抗値と前記第３抵抗部と対向する前記第４抵抗部の前記１対の電極間の抵抗値との和が、圧縮力による前記第２部材の弾性変形に応じて連続的に変化する請求項７に記載のタイヤ。
9. 前記第２部材の各々の前記第３抵抗部の両側に位置する領域に、前記第２部材の前記第２絶縁層側の面から前記第３絶縁層側の面に向かって窪む凹部が設けられた請求項７又は８に記載のタイヤ。
10. 前記第２部材の各々の前記第４抵抗部の両側に位置する領域に、前記第２部材の前記第３絶縁層側の面から前記第２絶縁層側の面に向かって窪む凹部が設けられた請求項９に記載のタイヤ。
11. 他方の側に長手方向を前記第１方向と交差する第２方向に向けて並置された複数の第３抵抗部を備えた第３絶縁層を有し、
    前記第３絶縁層の一方の側は、前記第１抵抗部を介して前記第１絶縁層の他方の側に配置され、
    前記第３絶縁層の他方の側と前記第２絶縁層の一方の側との間に前記部材が配置され、
    前記第２絶縁層の他方の側に長手方向を前記第２方向に向けて並置された複数の第４抵抗部が形成され、
    各々の前記第３抵抗部と各々の前記第４抵抗部とは、前記部材を介して対向して配置され、
    各々の前記第３抵抗部及び各々の前記第４抵抗部の両端部には１対の電極が設けられ、
    前記第３抵抗部の前記１対の電極間の抵抗値と前記第３抵抗部と対向する前記第４抵抗部の前記１対の電極間の抵抗値との差が、せん断力による前記部材の弾性変形に応じて連続的に変化する請求項１乃至４の何れか一項に記載のタイヤ。
12. 前記第３抵抗部の前記１対の電極間の抵抗値と前記第３抵抗部と対向する前記第４抵抗部の前記１対の電極間の抵抗値との和が、圧縮力による前記部材の弾性変形に応じて連続的に変化する請求項１１に記載のタイヤ。
13. 前記部材の各々の前記第１抵抗部の両側に位置しかつ前記部材の各々の前記第３抵抗部の両側に位置する領域に、前記部材の前記第３絶縁層側の面から前記第２絶縁層側の面に向かって窪む凹部が設けられた請求項１１又は１２に記載のタイヤ。
14. 前記部材の各々の前記第２抵抗部の両側に位置しかつ前記部材の各々の前記第４抵抗部の両側に位置する領域に、前記部材の前記第２絶縁層側の面から前記第３絶縁層側の面に向かって窪む凹部が設けられた請求項１３に記載のタイヤ。
15. 前記第３抵抗部及び前記第４抵抗部は、α－Ｃｒを主成分とするＣｒ、ＣｒＮ、及びＣｒ_２Ｎを含む膜から形成されている請求項７乃至１４何れか一項に記載のタイヤ。
16. 前記第１抵抗部及び前記第２抵抗部は、α－Ｃｒを主成分とするＣｒ、ＣｒＮ、及びＣｒ_２Ｎを含む膜から形成されている請求項１乃至１５の何れか一項に記載のタイヤ。
17. 前記膜の下層に、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された機能層を有し、
    前記機能層は、前記α－Ｃｒの結晶成長を促進させ、前記α－Ｃｒを主成分とする膜を形成する機能を有する請求項１５又は１６に記載のタイヤ。
18. 前記膜は、前記α－Ｃｒを８０重量％以上含む請求項１５乃至１７の何れか一項に記載のタイヤ。

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