JP7185228B2 - 新規誘電材料 - Google Patents
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Description
しかしながら、NTCサーミスタは、温度の上昇に対して電気抵抗の減少がゆるやかであることから利用分野が限定されている。一方、現在用いられているCTRサーミスタは、初期電気抵抗値が十分に高くないものが一般的であり、種類も少ないため回路の抵抗値によっては動作せず、使用方法が限定的である。また、温度上昇に伴う電気抵抗率の変化は103倍程度であり、サーモスタット等の制御回路としての性能が低い等の問題がある。さらに、これらのサーミスタを温度計として使用する場合、NTCサーミスタは電気抵抗の減少が緩やかであることから精密な温度検出が十分にできず、CTRサーミスタはせまい温度領域で急激な抵抗変化をするため、ある特定の温度領域以外では温度計としての感度が著しく低下するという問題がある。
従って、本発明の課題は、新たな誘電材料及び電歪材料を提供することにある。
〔1〕金属元素と配位子からなる錯体カチオンが集積してカチオンクラスターを形成し、当該カチオンクラスターが最密充填構造に配列し、その空孔にアニオンが集積してアニオンクラスターが形成されている電荷分離型の非クーロン力支配型イオン性固体を含有する誘電材料。
〔2〕前記電荷分離型の非クーロン力支配型イオン性固体が、2種類の金属元素と2種類の配位子からなる多核の錯体カチオンが集積してカチオンクラスターを形成し、当該カチオンクラスターが面心立方体に配列し、その四面体孔に対アニオンである無機アニオンが集積してアニオンクラスターが形成されている電荷分離型の非クーロン力支配型イオン性固体である〔1〕記載の誘電材料。
〔3〕前記カチオンクラスターが、10族及び11族から選ばれる元素(M1)と、6族、9族及び13族から選ばれる元素(M2)とが2種の配位子(X1及びX2)を介して結合したM1M2六~十核錯体カチオンクラスターである〔1〕又は〔2〕記載の誘電材料。
〔4〕前記電荷分離型の非クーロン力支配型イオン性固体が、一般式(1)
(M1)l(M2)m(X1)n(X2)o(X3)p・qH2O ・・・(1)
(式中、M1は、10族及び11族から選ばれる元素を示し;
M2は、6族、9族及び13族から選ばれる元素を示し;
X1は、少なくとも2個のホスフィノ基を有する配位子を示し;
X2は、少なくとも1個のチオール基とカルボキシル基を有する配位子を示し;
X3は、アニオンを示し;
l及びmは、それぞれ2~6の数であって、合計が6~10になる数を示し;
nは1~2の数を示し;oは2~6の数を示し;p及びqは、それぞれ1~16の数を示す。)
で表される電荷分離型の非クーロン力支配型イオン性固体である〔1〕~〔3〕のいずれかに記載の誘電材料。
〔5〕X1が、少なくとも2個のジアリールホスフィノ基を有する配位子である〔1〕~〔4〕のいずれかに記載の誘電材料。
〔6〕X2が、チオール基とカルボキシル基以外に水素結合性官能基を有する配位子である〔1〕~〔5〕のいずれかに記載の誘電材料。
〔7〕前記電荷分離型の非クーロン力支配型イオン性固体が、100Kから450Kの温度変化で電気抵抗値が1/100000以下に低下するものである〔1〕~〔6〕のいずれかに記載の誘電材料。
〔8〕〔1〕~〔7〕のいずれかに記載の誘電材料を用いた温度計。
〔9〕〔1〕~〔7〕のいずれかに記載の誘電材料を用いたサーミスタ。
〔10〕〔1〕~〔7〕のいずれかに記載の誘電材料を用いたサーモスタットを含む、温度上昇で作動する装置保護回路。
〔11〕金属元素と配位子からなる錯体カチオンが集積してカチオンクラスターを形成し、当該カチオンクラスターが最密充填構造に配列し、その空孔にアニオンが集積してアニオンクラスターが形成されている電荷分離型の非クーロン力支配型イオン性固体を含有する電歪材料。
〔12〕前記電荷分離型の非クーロン力支配型イオン性固体が、2種類の金属元素と2種類の配位子からなる多核の錯体カチオンが集積してカチオンクラスターを形成し、当該カチオンクラスターが面心立方体に配列し、その四面体孔に対アニオンである無機アニオンが集積してアニオンクラスターが形成されている電荷分離型の非クーロン力支配型イオン性固体である〔11〕記載の電歪材料。
〔13〕前記カチオンクラスターが、10族及び11族から選ばれる元素(M1)と、6族、9族及び13族から選ばれる元素(M2)とが2種の配位子(X1及びX2)を介して結合したM1M2六~十核錯体カチオンクラスターである〔11〕~〔12〕記載の電歪材料。
〔14〕前記電荷分離型の非クーロン力支配型イオン性固体が、一般式(1)
(M1)l(M2)m(X1)n(X2)o(X3)p・qH2O ・・・(1)
(式中、M1は、10族及び11族から選ばれる元素を示し;
M2は、6族、9族及び13族から選ばれる元素を示し;
X1は、少なくとも2個のホスフィノ基を有する配位子を示し;
X2は、少なくとも1個のチオール基とカルボキシル基を有する配位子を示し;
X3は、アニオンを示し;
l及びmは、それぞれ2~6の数であって、合計が6~10になる数を示し;
nは1~2の数を示し;oは2~6の数を示し;p及びqは、それぞれ1~16の数を示す。)
で表される電荷分離型の非クーロン力支配型電荷分離型イオン性固体である〔11〕~〔13〕のいずれかに記載の電歪材料。
〔15〕X1が、少なくとも2個のジアリールホスフィノ基を有する配位子である〔11〕~〔14〕のいずれかに記載の電歪材料。
〔16〕X2が、チオール基とカルボキシル基以外に水素結合性官能基を有する配位子である〔11〕~〔15〕のいずれかに記載の電歪材料。
〔17〕前記電荷分離型の非クーロン力支配型イオン性固体が、電圧印加により等方的に収縮するものである〔11〕~〔16〕のいずれかに記載の電歪材料。
〔18〕〔11〕~〔17〕のいずれかに記載の電歪材料を有するアクチュエータ。
〔19〕一般式(1a)
(M1)l(M2)m(X1)n(X2a)o・(X3)p・qH2O ・・・(1a)
(式中、M1は、10族及び11族から選ばれる元素を示し;
M2は、6族、9族及び13族から選ばれる元素を示し;
X1は、少なくとも2個のホスフィノ基を有する配位子を示し;
X2aは、少なくとも1個のチオール基とカルボキシル基を有する配位子(ペニシラミンを除く)を示し:
X3は、アニオンを示し;
l及びmは、それぞれ2~6の数であって、合計が6~10になる数を示し;
nは1~2の数を示し;oは3~6の数を示し;p及びqは、それぞれ1~16の数を示す。)
で表される多核金属錯体。
〔20〕X1が、少なくとも2個のジアリールホスフィノ基を有する配位子である〔19〕記載の多核金属錯体。
〔21〕X2aが、チオール基とカルボキシル基以外に、水素結合性官能基を有する配位子である〔19〕又は〔20〕記載の多核金属錯体。
また、前記の電荷分離型イオン性固体は、従来のチタン酸ジルコン酸鉛等とは全く異なり、電圧印加により結晶全体が等方的に収縮するという特性を有し、新たな電歪材料として有用であり、アクチュエータ等に応用できる。
また、一般式(1a)で表される電荷分離型イオン性固体は、新規化合物である。
より好ましいカチオンクラスターは、2個の10族及び11族元素から選ばれる元素(M1)と、2個の6族、9族及び13族から選ばれる元素(M2)とが、2種の配位子(X1及びX2)を介して結合したM1M2六~十核錯体カチオンクラスターである。ここで、X1は少なくとも2個のホスフィノ基を有する配位子が好ましい。X2は、少なくとも1個のチオール基とカルボキシル基を有する配位子が好ましい。
(M1)l(M2)m(X1)n(X2)o・・・(A)
(式中、M1は、10族及び11族から選ばれる元素を示し;
M2は、6族、9族及び13族から選ばれる元素を示し;
X1は、少なくとも2個のホスフィノ基を有する配位子を示し;
X2は、少なくとも1個のチオール基とカルボキシル基を有する配位子を示し;
l及びmは、それぞれ2~6の数であって、合計が6~10になる数を示し;
nは1~2の数を示し;oは2~6の数を示す。)
で表される錯体が挙げられる。
(M1)l(M2)m(X1)n(X2)o(X3)p・qH2O ・・・(1)
(式中、M1は、10族及び11族から選ばれる元素を示し;
M2は、6族、9族及び13族から選ばれる元素を示し;
X1は、少なくとも2個のホスフィノ基を有する配位子を示し;
X2は、少なくとも1個のチオール基とカルボキシル基を有する配位子を示し;
X3は、アニオンを示し;
l及びmは、それぞれ2~6の数であって、合計が6~10になる数を示し;
nは1~2の数を示し;oは2~6の数を示し;p及びqは、それぞれ1~16の数を示す。)
で表される電荷分離型の非クーロン力支配型イオン性固体が挙げられる。
X2で示される配位子としては、炭素数2~18のチオール基含有カルボン酸、炭素数2~18のチオール基含有アミノ酸、炭素数2~18のチオール基含有ヒドロキシ酸が挙げられる。具体例としては、システイン、ペニシラミン(D-pen)、N-メチルシステイン、N-メチルペニシラミン、N,N’-エチレンビスシステイン、N,N’-エチレンビスペニシラミン(D-epen)等が挙げられる。
X1配位子とM1ハロゲン化物との反応は、例えばアルコール類あるいはハロゲン系溶媒中の撹拌操作により行うことができる。次に得られた化合物とX2配位子との反応は、塩基存在下でのアルコール/水混合溶媒中の撹拌操作により行うことができる。さらに、得られた化合物とM2ハロゲン化物等との反応は、塩基存在下でのアルコール/水混合溶媒中の撹拌操作により行うことができる。
(式中、M1は、10族及び11族から選ばれる元素を示し;
M2は、6族、9族及び13族から選ばれる元素を示し;
X1は、少なくとも2個のホスフィノ基を有する配位子を示し;
X2は、少なくとも1個のチオール基とカルボキシル基を有する配位子(ペニシラミンを除く)を示し;
X3は、アニオンを示し;
l及びmは、それぞれ2~6の数であって、合計が6~10になる数を示し;
nは1~2の数を示し;oは3~6の数を示し;p及びqは、それぞれ1~16の数を示す。)
また、前記の電気抵抗率の温度変化は、そのまま室温付近を含めた広い温度範囲に適用出来る超高感度温度計として利用することができ、また、高い再現性を有していることから、電子機器の管理等における超高抵抗・高感度温度計としても利用できる。
本発明に用いられる電荷分離型イオン性固体は、等方的な立方晶格子をもつ結晶である。この結晶中では、陽イオンが面心立方配列を取り、その空孔に水分子(2~16個)を含む陰イオンクラスターが存在する。このクラスター中の陰イオンと水分子が電場に応答して変位、配向変化をすることにより、等方的な体積収縮を起こすと考えられる。
(1)(合成)
1 gの[(AuCl)2(dppe)]を120 mLのエタノールに懸濁させ、これに0.36 gのD-ペニシラミン(D-pen)を24 mLの0.1 M KOH水溶液に溶解させたものを添加し、2時間室温で撹拌すると、無色溶液が得られた。この溶液を濃縮乾固し、残渣をエタノール/水(1:1)混合溶媒に溶かして数日自然濃縮することにより、無色結晶として[Au2(dppe)(D-pen)2]・8H2Oを得た。単離収率は80%であった。
次に、50 mgの[Au2(dppe)(D-pen)2]・8H2Oを6 mLのエタノール/水(1:1)混合溶媒に溶かし、10 mgの酢酸コバルト(II)と100 mgの酸化鉛(IV)を添加した後、2時間水中で撹拌した。得られた反応混合物から未反応の酸化鉛(IV)をろ別し、ろ液に対して1.2 mLの0.1 M過塩素酸ナトリウム水溶液を添加して室温で数日自然濃縮すると、紫色結晶として、目的物質を得た(図1)。単離収率は92%であった。
(1)の良質単結晶に対して、リガク社製のR-AXIS-RAPIDにより単結晶X線回折を実施した。結晶中、D-pen配位子の硫黄原子が金イオンに連結した[Au(D-pen)]-ユニット2つがジホスフィン配位子dppeに架橋された構造をもつ金二核錯体ユニット([Au2(dppe)(D-pen)2]2-)が形成されており、さらにこの金二核錯体ユニット2つが、D-pen部位を用いて2つの八面体型コバルト(III)イオンに架橋し、Au4Co2六核錯体カチオン([Au4Co2(dppe)2(D-pen)4]2+)を形成していた。この六核錯体カチオンは、分子間のNH---O水素結合とCH---π相互作用により六量体を形成していた(図2)。このカチオンの六量体は、中心部に1つの過塩素酸イオンを包摂していた。さらに、このカチオンの六量体は面心立方格子構造に配列しており、四面体孔に10個の過塩素酸イオンが集積したアニオンクラスターを、八面体孔に1個の過塩素酸イオンをそれぞれ含んでいることが確認された。アニオンクラスター内部あるいは結晶中にあるその他の空間は水分子で満たされていた。
Au4Co2(dppe)2(D-pen)4の各種アニオン付加体の合成
実施例1において、過塩素酸ナトリウム水溶液に代えて、各種アニオンのナトリウム塩水溶液を用いて次の電荷分離型イオン性固体を合成した。
Au4Co2(dppe)2(D-pen)4Cl2・qH2O
Au4Co2(dppe)2(D-pen)4Br2・qH2O
Au4Co2(dppe)2(D-pen)4(N3)2・qH2O
Au4Co2(dppe)2(D-pen)4(NO3)2・qH2O
Au4Co2(dppe)2(D-pen)4(ClO4)2・qH2O
Au4Co2(dppe)2(D-pen)4(BF4)2・qH2O
Au4Co2(dppe)2(D-pen)4(SiF6)・qH2O
Au4Co2(dppe)2(D-pen)4(SO4)・qH2O
Au4Co2(dppe)2(D-pen)4(Br)(PF6)・qH2O
Au4Co2(dppe)2(D-pen)4(Br)(NO3)・qH2O
Au4Co2(dppe)2(D-pen)4(Br)(BF4)・qH2O
Au4Co2(dppe)2(D-pen)4(I)(IO3)・qH2O
実施例1において、CoをCr又はGaに代えて、次の電荷分離型イオン性固体を合成した。
Au4Cr2(dppe)2(D-pen)4(NO3)2・qH2O
Au4Ga2(dppe)2(D-pen)4(NO3)2・qH2O
実施例1において、1,2-ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン(dppe)に代えて、次の化合物を用いて、電荷分離型イオン性固体を合成した。
実施例1において、D-ペニシラミン(D-pen)をN,N’-エチレンビスペニシラミン(D-epen)に代えて電荷分離型イオン性固体を合成した。
実施例5と同様に、次の化合物を用いて電荷分離型イオン性固体を合成した。
なお、カチオンクラスターおよびアニオンクラスターのサイズは、おのおののクラスターにおいて最も遠いもの同士の距離を測定した。また、カチオンの集積数は錯体カチオンの金属の集積数を表し、アニオンの集積数はアニオンそのものの集積数を表す。
(1)誘電率・交流インピーダンスの変化
(方法)
断面積0.7mm×0.7mm厚み0.5mm程度の電荷分離型イオン性固体の単結晶上にグラファイトペーストによって電極を形成し金線を同じくグラファイトペーストによって接着させた後にH2Oの脱離を低減することを目的とした樹脂による厚み約0.2mmのコーティングを施し、一般式(1)に含まれ、[Au4Co2(dppe)2(D-pen)4]とアニオンで形成される電荷分離型イオン性固体の単結晶の誘電率およびインピーダンス特性をSolartoron社製Solartoron1260および1296を用いた交流インピーダンス測定によって調べた。測定に使用したプローブは、IWATANI社製の無冷媒型冷凍機に組み込み、100Kから450Kの温度範囲において、100Hzから0.1Hzまでの周波数の周期電圧を用いて、誘電率およびインピーダンス特性の温度依存性および周波数特性を調べた。
結果を図3~5に示す。図3は、本発明の電荷分離型イオン性固体の誘電率特性を代表する化合物としての[Au4Co2(dppe)2(D-pen)4](Cl)2・qH2Oの誘電率の温度依存性である。100Kにおける誘電率は、ガラスと同程度の1.7程度であり周波数依存性もほとんどみられないが、320K以上の温度領域において主として100Hz以下の誘電率ε’が急激に上昇し、450K、0.1Hzにおいては70100にまで上昇することを確認した。
また、図4は、本発明の電荷分離型イオン性固体の誘電率特性を代表する化合物としての[Au4Co2(dppe)2(D-pen)4](Cl)2・qH2Oの誘電損失の温度依存性である。直流電気抵抗値に反比例する誘電損失は、100Kにおいては小さい値であるが、320K以上の温度領域において急上昇することを確認した。
温度と抵抗値の対応から温度測定を行う抵抗型温度計の感度は、検出系の精度の高さと抵抗値の温度依存性の大きさによって決定される。また、温度上昇により抵抗値が急激に減少するCTRサーミスタの特性は、温度上昇に伴う抵抗値の減少度合いが高い方が好ましい。本発明の電荷分離型イオン性固体の温度計やCTRサーミスタとしての動作について説明するため、図5に誘電率特性を代表する化合物としての[Au4Co2(dppe)2(D-pen)4](Cl)2・qH2Oの各周波数における交流インピーダンスの温度依存性を示した。0.1Hz(1V/mm)の交流インピーダンスは、1012Ω程度以上であるが、450Kでは107Ω程度まで連続的かつ急激に減少することを確認した。また、10~100Hzにおいても、100Kから450Kへの温度変化で1/103~1/104に連続的に交流インピーダンスが低下することを確認した。本発明の物質の温度変化による抵抗値の変化の連続性と大きさは高感度な抵抗型温度計として使用する場合に十分な性能である。また、抵抗変化率は温度差の範囲を典型的なバナジウム系のCTRサーミスタの作動温度範囲である50Kに限ってもCTRサーミスタとして使用出来る大きさである。
(方法)断面積0.7mm×0.7mm厚み0.5mmの電荷分離型イオン性固体の単結晶上に実施例6に記載の方法で配線を施した一般式(1)に含まれ、[Au4Co2(dppe)2(D-pen)4]とアニオンで形成される電荷分離型イオン性固体の単結晶のI-V特性を東陽テクニカ社製FCE測定装置を用いて0.1Hzから100Hzの周期で電圧をスイープしながら測定した。
図6に420Kにおいて±100Vの電圧を0.1Hzの周期でスイープしながら測定したI-V特性を示す。図6に代表されるように0.1Hzから100Hzの範囲で±100V以下の電圧スイープでは、常にオームの法則に従ったI-V特性が得られた。図7には380Kにおいて、±300Vの電圧を1Hzの周期でスイープしながら測定したI-V特性を示す。高温・低周波・高電圧領域では、I-V特性に従わない挙動が見られることもあったが、1Hz以上かつ±300V以下の電圧スイープにおいては、オームの法則に従った挙動が見られた。図5に示した本発明のインピーダンス特性の温度依存性および周波数特性と併せて、家庭用電源の交流100V、60Hz、50Hzの条件においても抵抗型温度計としての使用が可能である。また、大きな電気抵抗率の変化が幅広い温度領域において生じ、温度計としての感度が最大となる直流駆働による使用も問題とならない。
(1)電歪特性(I-V特性から)
(方法)
断面積1mm×1mm厚み0.8mm程度の電荷分離型イオン性固体の単結晶上にグラファイトペーストによって電極を形成し、金線を同じくグラファイトペーストによって接着させた後にH2Oの脱離を低減することを目的とした樹脂による厚み約0.2mmのコーティングを施し、一般式(1)に含まれ、[Au4Co2(dppe)2(D-pen)4]とアニオンで形成される電荷分離型イオン性固体の単結晶のI-V特性を東陽テクニカ社製FCE測定装置を用いて測定した。測定プローブに取り付けたヒーターと温度計により温度コントロールを行い300K,380K,420Kにおいて、等電圧スイープ速度で電圧を25秒間の間に0Vから400Vへ上昇させ、次の50秒間の間に400Vから-400Vへ変化させ、25秒間の間に-400Vから0Vへと電圧を変化させ、その間電流値Iを測定することによりI-V特性カーブを測定した。以下において、このような電圧変化を10mHzでの電圧スイープと記述する。
結果を図8~図10に示す。
図8は、本発明の電荷分離型イオン性固体の誘電特性を代表する化合物としての[Au4Co2(dppe)2(D-pen)4](NO3)2・qH2Oの300K,380Kおよび420Kにおける10mHzでの電圧スイープによるI-V特性である。300KのI-V特性は、380K,420Kに比べてIが低い、すなわち高抵抗であり、また、拡大してもオームの法則に従う挙動しか観測されなかった。一方、380Kでは、Iの値が高い、すなわち低抵抗でありダブルヒステリシス挙動が観測され、420Kでは、ダブルヒステリシス挙動がより明確となった。I-V特性においては、オームの法則に従う電流値I特性は、実電荷の移動に該当する実電流と理解され、この実電流の仮定に対して、電圧スイープに対して正負に振動する電流値I特性は分極によって生じる分極電流と理解される。図中の線で示した仮想実電流値との差を求めることにより得られた分極電流の電圧依存性(図8右側図)は、電流値Iが0である点を中心としたダブルヒステリシス構造を示したことより、I-V特性におけるヒステリシス構造は誘電特性に由来するものであり、本物質が電圧印加によって大きく歪む電歪現象を示す可能性を示唆している。
(方法)
本発明の電荷分離型イオン性固体の誘電特性を代表する化合物としての[Au4Co2(dppe)2(D-pen)4](Cl)2・qH2Oの電圧印加による歪みを測定するため、グラファイトペーストによって断面積1mm×1mm厚み1mm程度の本物質の単結晶上に電極を形成し金線を同じくグラファイトペーストによって接着させた後にH2Oの脱離を低減することを目的とした厚み0.2mm程度の樹脂によるコーティングを施し、電圧印加および加熱を行えるように加工した試料に原子間力顕微鏡(AFM)の探針をあて変位を測定しながら最大320Vの電圧スイープを10mHzの周波数で行った。また、断面積1mm×1mm厚み1mm程度の本物質の単結晶の形状において対面した最も大きな単結晶試料の面のうち、片側をITO皮膜を施したガラス板にグラファイトペーストを用いて接着し、反対側をグラファイトペーストによって本物質の単結晶上に電極を形成し金線を同じくグラファイトペーストによって接着させた後にH2Oの脱離を低減することを目的とした樹脂によるコーティングを施し電圧印加および加熱を行えるように加工した試料を共焦点型顕微鏡により観察しながら、電圧を印加した。
結果を図11及び図12に示す。
図11は、本発明の電荷分離型イオン性固体の電歪特性を代表する化合物としての[Au4Co2(dppe)2(D-pen)4](Cl)2・qH2Oに対して420Kにおいて最大320Vを10mHzでの電圧スイープを行った際のAFM探針の変位量である。AFM探針の変位は負の値を示し、最大値と最小値の差は0.7μmとなった。結晶における電極間の厚みは1mmであったことから収縮率に換算すると0.07%となり、代表的な誘電材料であり広く使用されているチタン酸ジルコン酸鉛(PbZr(TiO4))の収縮率0.02~0.04%に比べて極めて大きな変化であり、また変化方向も逆である。
Claims (14)
- 一般式(1a)
(M 1 ) l (M 2 ) m (X 1 ) n (X 2a ) o ・(X 3 ) p ・qH 2 O ・・・(1a)
(式中、M 1 は、10族及び11族から選ばれる元素を示し;
M 2 は、6族、9族及び13族から選ばれる元素を示し;
X 1 は、少なくとも2個のホスフィノ基を有する配位子を示し;
X 2a は、少なくとも1個のチオール基とカルボキシル基を有する配位子(ペニシラミンを除く)を示し:
X 3 は、アニオンを示し;
l及びmは、それぞれ2~6の数であって、合計が6~10になる数を示し;
nは1~2の数を示し;oは3~6の数を示し;p及びqは、それぞれ1~16の数を示す。)
で表される多核金属錯体を含有する誘電材料。 - X1が、少なくとも2個のジアリールホスフィノ基を有する配位子である請求項1記載の誘電材料。
- X 2a が、チオール基とカルボキシル基以外に水素結合性官能基を有する配位子である請求項1又は2記載の誘電材料。
- 請求項1~3のいずれか1項記載の誘電材料を用いた温度計。
- 請求項1~3のいずれか1項記載の誘電材料を用いたサーミスタ。
- 請求項1~3のいずれか1項記載の誘電材料を用いたサーモスタットを含む、温度上昇で作動する装置保護回路。
- 一般式(1a)
(M 1 ) l (M 2 ) m (X 1 ) n (X 2a ) o ・(X 3 ) p ・qH 2 O ・・・(1a)
(式中、M 1 は、10族及び11族から選ばれる元素を示し;
M 2 は、6族、9族及び13族から選ばれる元素を示し;
X 1 は、少なくとも2個のホスフィノ基を有する配位子を示し;
X 2a は、少なくとも1個のチオール基とカルボキシル基を有する配位子(ペニシラミンを除く)を示し:
X 3 は、アニオンを示し;
l及びmは、それぞれ2~6の数であって、合計が6~10になる数を示し;
nは1~2の数を示し;oは3~6の数を示し;p及びqは、それぞれ1~16の数を示す。)
を含有する電歪材料。 - X1が、少なくとも2個のジアリールホスフィノ基を有する配位子である請求項7記載の電歪材料。
- X 2a が、チオール基とカルボキシル基以外に水素結合性官能基を有する配位子である請求項7又は8記載の電歪材料。
- 前記多核金属錯体が、電圧印加により等方的に収縮するものである請求項7~9のいずれか1項記載の電歪材料。
- 請求項7~10のいずれか1項記載の電歪材料を有するアクチュエータ。
- 一般式(1a)
(M1)l(M2)m(X1)n(X2a)o・(X3)p・qH2O ・・・(1a)
(式中、M1は、10族及び11族から選ばれる元素を示し;
M2は、6族、9族及び13族から選ばれる元素を示し;
X1は、少なくとも2個のホスフィノ基を有する配位子を示し;
X2aは、少なくとも1個のチオール基とカルボキシル基を有する配位子(ペニシラミンを除く)を示し:
X3は、アニオンを示し;
l及びmは、それぞれ2~6の数であって、合計が6~10になる数を示し;
nは1~2の数を示し;oは3~6の数を示し;p及びqは、それぞれ1~16の数を示す。)
で表される多核金属錯体。 - X1が、少なくとも2個のジアリールホスフィノ基を有する配位子である請求項12記載の多核金属錯体。
- X2aが、チオール基とカルボキシル基以外に、水素結合性官能基を有する配位子である請求項12又は13記載の多核金属錯体。
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