JP7159365B2 - Light-emitting device having a plurality of organic EL elements - Google Patents

Light-emitting device having a plurality of organic EL elements Download PDF

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Description

本発明は、複数の有機EL素子を有する発光装置、表示装置、撮像装置、移動体に関する。 The present invention relates to a light-emitting device, a display device, an imaging device, and a moving object having a plurality of organic EL elements.

有機EL素子は、一対の電極とその間に配置されている有機化合物層とを有する素子である。一対の電極は金属反射層を有する反射電極、透明電極である構成が知られている。近年、低電圧で駆動する有機EL素子が注目を集めている。この有機EL素子は、面発光特性、軽量、視認性といった優れた特徴を活かし薄型ディスプレイや照明器具、ヘッドマウントディスプレイ、また電子写真方式プリンタのプリントヘッド用光源など発光装置としての実用化が進みつつある。 An organic EL element is an element having a pair of electrodes and an organic compound layer interposed therebetween. A configuration is known in which the pair of electrodes is a reflective electrode having a metal reflective layer and a transparent electrode. In recent years, attention has been focused on organic EL elements driven at a low voltage. These organic EL elements are being put to practical use as light-emitting devices such as thin displays, lighting fixtures, head-mounted displays, and light sources for the printheads of electrophotographic printers, taking advantage of their superior features such as surface-emitting properties, lightness, and visibility. be.

特に有機EL表示装置の高精細化の要求は高まりつつあり、白色有機EL素子とカラーフィルタを使った方式(以後、白+CF方式)が知られている。白+CF方式は、有機化合物層を基板全面に蒸着して製造するので、高精細メタルマスクを用いる方式に比べて、歩留まりが高い。また、画素サイズおよび画素間のピッチが有機化合物層の蒸着精度の制限を受けないため、高精細化が比較的容易である。 In particular, there is an increasing demand for higher definition of organic EL display devices, and a system using white organic EL elements and color filters (hereinafter referred to as white + CF system) is known. Since the white+CF method is manufactured by vapor-depositing an organic compound layer over the entire surface of the substrate, it has a higher yield than the method using a high-definition metal mask. In addition, since the pixel size and the pitch between pixels are not restricted by the vapor deposition accuracy of the organic compound layer, it is relatively easy to achieve high definition.

一方、有機化合物層がすべての有機EL素子に共通に設けられる場合、隣り合う有機EL素子の間での有機化合物層を介した駆動電流のリークが発生しやすい。これにより、非発光画素が、発光画素からの影響で僅かに発光してしまい、色域の低下や効率の低下の一因となっている。 On the other hand, when the organic compound layer is provided in common to all the organic EL elements, leakage of drive current is likely to occur between the adjacent organic EL elements via the organic compound layer. As a result, the non-light-emitting pixels slightly emit light due to the influence of the light-emitting pixels, which contributes to the deterioration of the color gamut and efficiency.

特許文献1には、画素間の絶縁層に溝を設けることで、その箇所における有機化合物層を薄くすることが記載されている。薄くなった有機化合物層は抵抗が高いので、リーク電流を抑制することができる。 Japanese Patent Laid-Open No. 2004-100002 describes that by providing a groove in an insulating layer between pixels, the thickness of the organic compound layer is reduced in that portion. Since the thinned organic compound layer has high resistance, leakage current can be suppressed.

特許文献2には、画素間の絶縁性隔壁端を逆テーパー形状にすることで、有機化合物層の一部を途切れさせる構成が記載されている。有機化合物層を途切れさせることで、リーク電流を抑制することができる。 Patent Document 2 describes a configuration in which an end of an insulating partition between pixels is tapered inversely to cut off a portion of an organic compound layer. Leakage current can be suppressed by interrupting the organic compound layer.

特開2012-216338号公報JP 2012-216338 A 特開2014-232631号公報JP 2014-232631 A

特許文献1及び特許文献2に記載された構造は、急峻な構造に起因して、封止層の悪化する可能性、上部電極が途切れてしまう可能性がある。 The structures described in Patent Documents 1 and 2 have a possibility of deterioration of the sealing layer and a possibility of discontinuity of the upper electrode due to the steep structure.

一方、有機化合物層を薄くすることで、抵抗が高くなることは知られているものの、反射電極と発光層との距離が小さい場合、光学干渉を活用できないので、消費電力が高い素子となっていた。 On the other hand, although it is known that thinning the organic compound layer increases the resistance, if the distance between the reflective electrode and the light-emitting layer is small, optical interference cannot be utilized, resulting in a device with high power consumption. rice field.

本開示の目的は、隣り合う有機EL素子間のリーク電流が抑制され、かつ光学干渉を活用することで消費電力が低減された有機EL素子を提供することである。 An object of the present disclosure is to provide an organic EL element in which leakage current between adjacent organic EL elements is suppressed and power consumption is reduced by utilizing optical interference.

本発明は、反射電極、正孔輸送領域、電子トラップ型の第一発光層、光取出し電極をこの順で有する有機EL素子であって、前記正孔輸送領域の厚さと、前記第一発光層の厚さとの合計が、前記第一発光層が発する光を強める光学距離であり、前記正孔輸送領域の厚さが、前記第一発光層の厚さよりも小さいことを特徴とする有機EL素子を提供する。 The present invention provides an organic EL device having a reflective electrode, a hole transport region, an electron trapping first light emitting layer, and a light extraction electrode in this order, wherein the thickness of the hole transport region and the first light emitting layer are is an optical distance that intensifies the light emitted from the first light-emitting layer, and the thickness of the hole transport region is smaller than the thickness of the first light-emitting layer. I will provide a.

本発明によれば、隣り合う有機EL素子間のリーク電流が抑制され、かつ光学干渉を活用することで消費電力が低減された有機EL素子を提供できる。 According to the present invention, it is possible to provide an organic EL element in which leakage current between adjacent organic EL elements is suppressed and power consumption is reduced by utilizing optical interference.

本発明に係る発光装置の一例を示す断面模式図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a cross-sectional schematic diagram which shows an example of the light-emitting device which concerns on this invention. 正孔輸送領域のシート抵抗と、隣接する有機EL素子へのリーク電流Ileakと意図した有機EL素子に流れた電流Ioledとの比(Ileak/Ioled)と、の関係を示したグラフである。A graph showing the relationship between the sheet resistance of the hole transport region and the ratio (I leak /I oled ) of the leakage current I leak to the adjacent organic EL element and the current I oled flowing through the intended organic EL element. is. 本実施形態に係る表示装置の一例を示す模式図である。1 is a schematic diagram showing an example of a display device according to an embodiment; FIG. 正孔移動度と、隣接する有機EL素子へのリーク電流Ileakと意図した有機EL素子に流れた電流Ioledとの比(Ileak/Ioled)と、の関係を示したグラフである。4 is a graph showing the relationship between hole mobility and the ratio (I leak /I oled ) of the leakage current I leak to an adjacent organic EL element and the current I oled flowing through the intended organic EL element. 第一発光層の層厚と、隣接する有機EL素子へのリーク電流Ileakと意図した有機EL素子に流れた電流Ioledとの比(Ileak/Ioled)と、の関係を表すグラフである。Graph showing the relationship between the layer thickness of the first light-emitting layer and the ratio (I leak /I oled ) of the leakage current I leak to the adjacent organic EL element and the current I oled flowing through the intended organic EL element. be. 本実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。1 is a schematic diagram showing an example of a display device according to an embodiment; FIG. 本実施形態に係る撮像装置の一例を表す模式図である。It is a mimetic diagram showing an example of an imaging device concerning this embodiment. 本実施形態に係る携帯機器の一例を表す模式図である。1 is a schematic diagram showing an example of a mobile device according to an embodiment; FIG. (a)本実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。(b)折り曲げ可能な表示装置の一例を表す模式図である。(a) It is a schematic diagram showing an example of the display apparatus which concerns on this embodiment. (b) It is a schematic diagram showing an example of a foldable display device. 本実施形態に係る照明装置の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the illuminating device which concerns on this embodiment. 本実施形他に係る車両用灯具を有する自動車の一例を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of a vehicle having a vehicle lamp according to the present embodiment;

本発明に係る有機EL素子は、隣り合う有機EL素子の間のリーク電流を抑制し、かつ消費電力が低減された素子であり、反射電極、正孔輸送領域、電子トラップ型の第一発光層、光取出し電極をこの順で有する有機EL素子である。前記正孔輸送領域の厚さと、前記第一発光層の厚さとの合計が、前記第一発光層が発する光を強める光学距離である。 An organic EL device according to the present invention is a device in which leakage current between adjacent organic EL devices is suppressed and power consumption is reduced . , and light extraction electrodes in this order. The sum of the thickness of the hole-transporting region and the thickness of the first light-emitting layer is the optical length that enhances the light emitted by the first light-emitting layer.

第一発光層の厚さを光学距離に含めることで、正孔輸送領域の厚さを小さくできる。その結果、有機EL素子の間のリーク電流を低減することができる。 By including the thickness of the first emitting layer in the optical length, the thickness of the hole-transporting region can be reduced. As a result, leakage current between the organic EL elements can be reduced.

正孔輸送領域の1画素あたりの面内方向のシート抵抗が、4.0×10Ω/□以上である場合、有機EL素子の間のリーク電流を抑制することができるので好ましい。また、電子トラップ型発光層を有するため、反射電極と発光点との間の光学距離を強め合わせの距離とすることができる。透過電極は光取出し電極とも呼ばれる。 A sheet resistance in the in-plane direction per pixel of the hole transport region of 4.0×10 7 Ω/□ or more is preferable because leakage current between the organic EL elements can be suppressed. In addition, since the electron trap type light-emitting layer is provided, the optical distance between the reflective electrode and the light-emitting point can be set to a reinforcing distance. The transmissive electrode is also called a light extraction electrode.

図1は、本発明の発光装置の一実施形態の構成を表す断面模式図である。図1の発光装置は、基板1の上に反射電極2、有機化合物層4、光取出し電極5、封止層6、カラーフィルタ7を有する有機EL素子10が記載され、有機EL素子はRGBの3種類が記載されている。有機化合物層4及び光取り出し電極5は基板1の面内方向に連続に形成されている。また、隣り合う3つの有機EL素子10R、10G、10Bの間の素子間領域には、絶縁層3が設けられている。より具体的には反射電極2の端部において、絶縁層3が設けられている。絶縁層は光反射性電極2B、2G及び2Rと光取出し電極5の絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものである。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of one embodiment of the light emitting device of the present invention. In the light emitting device of FIG. 1, an organic EL element 10 having a reflective electrode 2, an organic compound layer 4, a light extraction electrode 5, a sealing layer 6, and a color filter 7 is described on a substrate 1. The organic EL element is an RGB light emitting device. Three types are described. The organic compound layer 4 and the light extraction electrode 5 are formed continuously in the in-plane direction of the substrate 1 . An insulating layer 3 is provided in the inter-element region between the three adjacent organic EL elements 10R, 10G, and 10B. More specifically, an insulating layer 3 is provided at the end of the reflective electrode 2 . The insulating layer is for ensuring insulation between the light reflecting electrodes 2B, 2G and 2R and the light extraction electrode 5, and for forming the light emitting region into a desired shape accurately.

有機化合物層4は、複数の有機EL素子の共通層として形成されてよい。共通層とは、複数の有機EL素子にまたがって配置されていることであり、スピンコート等の塗布法、蒸着法、を基板の全面に対して行うことで形成することができる。有機化合物層が共通層であることは、ひとつの有機化合物層に、複数の反射電極が設けられているということもできる。 The organic compound layer 4 may be formed as a common layer for a plurality of organic EL elements. The common layer is arranged across a plurality of organic EL elements, and can be formed by applying a coating method such as spin coating or a vapor deposition method to the entire surface of the substrate. The fact that the organic compound layer is a common layer can also be said to mean that one organic compound layer is provided with a plurality of reflective electrodes.

本実施形態においては、反射電極2は陽極であり、光取出し電極5は陰極である。 In this embodiment, the reflective electrode 2 is an anode, and the light extraction electrode 5 is a cathode.

本実施形態においては、有機化合物層4は、複数の層から構成されている。有機化合物層は、正孔輸送層41、電子ブロック層42、第一発光層43、第二発光層44、電子輸送層45を有する。これ以外の有機化合物層を有してもよい。反射電極と、第一発光層との間に配置されている有機化合物層をまとめて、正孔輸送領域と呼ぶことができる。正孔輸送領域は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等を有してよい。 In this embodiment, the organic compound layer 4 is composed of a plurality of layers. The organic compound layer has a hole transport layer 41 , an electron block layer 42 , a first light emitting layer 43 , a second light emitting layer 44 and an electron transport layer 45 . It may have an organic compound layer other than this. The organic compound layer disposed between the reflective electrode and the first light-emitting layer can be collectively referred to as a hole transport region. The hole-transporting region may have a hole-injecting layer, a hole-transporting layer, an electron-blocking layer, and the like.

有機EL素子は、正孔輸送領域を介して、隣り合う有機EL素子と電気的につながっている。本実施形態に係る有機EL素子は、隣り合う有機EL素子の間のリーク電流を抑制するために、電流が0.1nA/pixelにおいて、正孔輸送領域のシート抵抗が、4.0×10Ω/□以上としている。さらに好ましくは。6.0×10Ω/□以上であることがより好ましい。 The organic EL element is electrically connected to adjacent organic EL elements through the hole transport region. In the organic EL element according to this embodiment, the sheet resistance of the hole transport region is 4.0×10 7 at a current of 0.1 nA/pixel in order to suppress leakage current between adjacent organic EL elements. Ω/□ or more. More preferably. It is more preferably 6.0×10 7 Ω/□ or more.

図2は、正孔輸送領域のシート抵抗と、隣接する有機EL素子へのリーク電流Ileakと意図した有機EL素子に流れた電流Ioledとの比(Ileak/Ioled)と、の関係を示したグラフである。IoledとIleakの測定方法について、赤有機EL素子で例示して説明する。隣接する緑有機EL素子(G画素とも呼ぶ)及び青有機EL素子(B画素とも呼ぶ)を短絡(電位=0V、つまりショート)させた状態で、R画素を通電させる。この時に、R画素の反射電極からR画素の光取り出し電極へ流れた電流をIoled)、R画素の反射電極からG画素またはB画素の反射電極へ流れた電流和をIleakとした。なお、1画素あたりの面内方向のシート抵抗は、式(1)の方法で算出し、Ioledが0.1nA/pixelとなる電位の値で算出した。
Rs= dIleak/dV*W/L (式1)
ここで、Wが隣接する画素の幅の和、Lが隣接画素までの距離、Vは画素に印可する電圧である。dIleak/dVは微分抵抗である。
FIG. 2 shows the relationship between the sheet resistance of the hole transport region and the ratio (I leak /I oled ) of the leakage current I leak to the adjacent organic EL element and the current I oled flowing through the intended organic EL element. is a graph showing A method for measuring I oled and I leak will be described by taking a red organic EL device as an example. The R pixel is energized while the adjacent green organic EL element (also called G pixel) and blue organic EL element (also called B pixel) are short-circuited (potential=0V, that is, short-circuited). At this time, the current flowing from the reflective electrode of the R pixel to the light extraction electrode of the R pixel is I oled ), and the sum of the currents flowing from the reflective electrode of the R pixel to the reflective electrode of the G or B pixel is I leak . Note that the sheet resistance in the in-plane direction per pixel was calculated by the method of formula (1), and was calculated using the potential value at which Ioled was 0.1 nA/pixel.
Rs = dI leak /dV*W/L (Formula 1)
Here, W is the sum of the widths of adjacent pixels, L is the distance to the adjacent pixels, and V is the voltage applied to the pixels. dI leak /dV is the differential resistance.

正孔輸送領域は、複数の有機化合物層から構成されてよい。正孔輸送領域は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等から構成されてよい。それぞれ単独で用いられても、複数を組み合わせて用いてよい。また各層は単一の化合物で構成されていても、複数種類の化合物で構成されていてもよい。すなわち、有機化合物層は、化合物を一種類有してよいし、複数種類有してもよい。 The hole-transporting region may be composed of multiple organic compound layers. The hole-transporting region may be composed of a hole-injecting layer, a hole-transporting layer, an electron-blocking layer, and the like. Each of them may be used alone or may be used in combination. Further, each layer may be composed of a single compound, or may be composed of a plurality of types of compounds. That is, the organic compound layer may have one type of compound, or may have a plurality of types of compounds.

正孔輸送領域が、正孔輸送層を有する場合、正孔輸送層の層厚は、10nm未満が好ましい。移動度の大きい正孔輸送層の層厚が薄ければ薄いほど、絶縁層の側壁で正孔輸送層の層厚が薄くなりやすく、有機EL素子間の抵抗値を大きくしやすいためである。特に、正孔輸送層の層厚が7nm以下であることが好ましく、5nm以下であるとさらに好ましい。 When the hole-transporting region has a hole-transporting layer, the layer thickness of the hole-transporting layer is preferably less than 10 nm. This is because the thinner the layer thickness of the hole transport layer with high mobility, the thinner the layer thickness of the hole transport layer on the side wall of the insulating layer, and the greater the resistance value between the organic EL elements. In particular, the layer thickness of the hole transport layer is preferably 7 nm or less, more preferably 5 nm or less.

また、面内方向抵抗の観点から、正孔輸送層の基板の面内方向の正孔移動度は、2.5×10-3cm/V*sec以下であることが望ましく、1.0×10-3cm/V*sec以下であることがさらに好ましい。 Further, from the viewpoint of in-plane resistance, the hole mobility in the in-plane direction of the substrate of the hole transport layer is preferably 2.5×10 −3 cm 2 /V*sec or less, and 1.0 More preferably, it is x10 -3 cm 2 /V*sec or less.

図4は、正孔移動度と、隣接する有機EL素子へのリーク電流Ileakと意図した有機EL素子に流れた電流Ioledとの比(Ileak/Ioled)と、の関係を示すグラフである。 FIG. 4 is a graph showing the relationship between the hole mobility and the ratio (I leak /I oled ) of the leakage current I leak to the adjacent organic EL element and the current I oled flowing through the intended organic EL element. is.

正孔輸送領域が、さらに電子ブロック層を有する場合、正孔輸送層と電子ブロック層との界面及び電子ブロック層と第一発光層との界面における正孔蓄積を抑制するため、各界面でのイオン化ポテンシャルの差は小さいことが好ましい。 When the hole-transporting region further has an electron-blocking layer, in order to suppress hole accumulation at the interface between the hole-transporting layer and the electron-blocking layer and the interface between the electron-blocking layer and the first light-emitting layer, It is preferable that the ionization potential difference is small.

反射電極の仕事関数から第一発光層において、この順にイオン化ポテンシャルが順次大きくなるような階段状のエネルギ構造となるようにすることが好ましい。すなわち、反射電極の仕事関数と第一発光層のイオン化ポテンシャルとの間に、正孔輸送層のイオン化ポテンシャルが配置されることが好ましい。また、正孔輸送層のイオン化ポテンシャルと第一発光層のイオン化ポテンシャルとの間に電子ブロック層のイオン化ポテンシャルが配置されることが好ましい。 It is preferable to form a stepwise energy structure in which the ionization potential increases in this order from the work function of the reflective electrode to the first light-emitting layer. That is, it is preferable that the ionization potential of the hole-transporting layer is positioned between the work function of the reflective electrode and the ionization potential of the first light-emitting layer. Moreover, it is preferable that the ionization potential of the electron blocking layer is positioned between the ionization potential of the hole transport layer and the ionization potential of the first light-emitting layer.

複数種類の化合物で構成される有機化合物層のイオン化ポテンシャルは、光電子収量分光法及び光電子分光法などにより見積もることができる。 The ionization potential of an organic compound layer composed of multiple types of compounds can be estimated by photoelectron yield spectroscopy, photoelectron spectroscopy, and the like.

正孔輸送層は、2種類以上の正孔輸送材料の混合層とすることで、正孔移動度及びイオン化ポテンシャルなどの特性を制御できる。さらにホッピングサイトの実効的な距離が大きくなるため、絶縁層の側壁でより高抵抗化しやすい。正孔輸送層が電子ブロック層の化合物を有することで、イオン化ポテンシャルが電子ブロック層に近づくので、正孔輸送層と電子ブロック層との界面における正孔蓄積を抑制できる。また、電子ブロック層に用いられる化合物が高抵抗の化合物であれば、正孔輸送層の抵抗値が高くなるのでさらに好ましい。 By forming the hole transport layer as a mixed layer of two or more kinds of hole transport materials, properties such as hole mobility and ionization potential can be controlled. Furthermore, since the effective distance of the hopping site is increased, the side wall of the insulating layer tends to have a higher resistance. When the hole-transporting layer contains the electron-blocking layer compound, the ionization potential approaches that of the electron-blocking layer, and hole accumulation at the interface between the hole-transporting layer and the electron-blocking layer can be suppressed. Further, it is more preferable if the compound used for the electron blocking layer has a high resistance, since the resistance value of the hole transporting layer increases.

正孔輸送層は、第一化合物と第二化合物とを有してよい。第一化合物の正孔移動度は、1.0×10-3cm/V*sec以下であることが好ましく、5.0×10-4cm/V*sec以下であることがさらに好ましい。 The hole transport layer may have a first compound and a second compound. The hole mobility of the first compound is preferably 1.0×10 −3 cm 2 /V*sec or less, more preferably 5.0×10 −4 cm 2 /V*sec or less. .

第一化合物のHOMOは、第二化合物のHOMOよりも低くてよい。第一化合物のHOMOは、第二化合物のHOMOよりも0.1eV以上低くてよい。 The HOMO of the first compound may be lower than the HOMO of the second compound. The HOMO of the first compound may be at least 0.1 eV lower than the HOMO of the second compound.

第一化合物の重量と第二化合物の重量との合計を100wt%とした場合、第一化合物の重量比は、50wt%以上95wt%以下であることが好ましく、75wt%以上95wt%以下であることがさらに好ましい。 When the sum of the weight of the first compound and the weight of the second compound is 100 wt%, the weight ratio of the first compound is preferably 50 wt% or more and 95 wt% or less, and 75 wt% or more and 95 wt% or less. is more preferred.

正孔輸送領域が、正孔注入層を有する場合、正孔注入層は、反射電極と正孔輸送層との間に配置される有機化合物層である。正孔注入層は、電子親和力が5.0eV以上の化合物を有してよい。正孔注入層の層厚は、隣り合う有機EL素子の間のリーク電流を抑制するために10nm以下であることが好ましい。 When the hole-transporting region has a hole-injecting layer, the hole-injecting layer is an organic compound layer disposed between the reflective electrode and the hole-transporting layer. The hole injection layer may comprise a compound with an electron affinity of 5.0 eV or greater. The layer thickness of the hole injection layer is preferably 10 nm or less in order to suppress leakage current between adjacent organic EL elements.

電子親和力が5.0eV以上の化合物として、ヘキサアザトリフェニレン誘導体、テトラシアノキノジメタン誘導体が挙げられ、ヘキサアザトリフェニレンニレンヘキサシアノ化合物が好ましい。正孔注入層が有する有機化合物は、LUMOが-5.0eV以下であってよい。 Examples of compounds having an electron affinity of 5.0 eV or more include hexaazatriphenylene derivatives and tetracyanoquinodimethane derivatives, with hexaazatriphenylene hexacyano compounds being preferred. The organic compound contained in the hole injection layer may have a LUMO of −5.0 eV or less.

有機化合物層の材料を分析し、その材料が変化した場合、別の有機化合物層ということができる。材料が変化するとは、材料の種類の増減を示し、重量比のみが変化することを示していない。 When the material of the organic compound layer is analyzed and the material changes, it can be said that it is another organic compound layer. A change in material indicates an increase or decrease in the type of material, and does not indicate that only the weight ratio is changed.

本実施形態に係る有機EL素子は、発光層を有する。発光層は単数であっても複数であってもよい。複数である場合は、第一発光層、第二発光層を有し、第一発光層と第二発光層との間に他の有機化合物層を有してもよい。 The organic EL device according to this embodiment has a light-emitting layer. The number of light-emitting layers may be singular or plural. When there is more than one, it may have a first light-emitting layer and a second light-emitting layer, and may have another organic compound layer between the first light-emitting layer and the second light-emitting layer.

第一発光層及び第二発光層は、いずれの発光波長を発してもよい。例えば、第一発光層が青色、第二発光層が緑色および赤色を発することで白色を発してよい。また、第一発光層が緑色及び赤色を発することで白色を発してよい。また、第一発光層と、第二発光層とで青色と黄色などの補色同士の関係とすることで白色を発してよい。中でも、第一発光層が青色を発しない構成、すなわち第一発光層が青色以外を発する構成、が好ましい。青色を発する発光層が金属電極に近づく場合、表面プラズモン損失が大きく、消費電力が増大する。なお、発光層が青色を発するとは、青色を発光する発光材料を有することを示す。 The first light-emitting layer and the second light-emitting layer may emit any emission wavelength. For example, the first emitting layer may emit blue and the second emitting layer may emit green and red to emit white. Alternatively, the first light-emitting layer may emit green and red to emit white. Further, white light may be emitted by setting complementary colors such as blue and yellow between the first light-emitting layer and the second light-emitting layer. Among them, a structure in which the first light-emitting layer does not emit blue light, that is, a structure in which the first light-emitting layer emits light other than blue is preferable. When the light-emitting layer emitting blue light is close to the metal electrode, the surface plasmon loss is large and the power consumption is increased. Note that the fact that the light-emitting layer emits blue light means that it has a light-emitting material that emits blue light.

発光装置の消費電力を低減させるためには、光学干渉により、発光装置の発光効率を高めることが好ましい。 In order to reduce the power consumption of a light-emitting device, it is preferable to increase the luminous efficiency of the light-emitting device by optical interference.

本実施形態において、発光層を電子トラップ型発光層とすることで、正孔輸送領域を薄くした場合であっても、発光を強め合わせる光学距離を保つことができる。それは、電子トラップ型発光層は、陰極側の界面が主に発光するので、発光点から反射電極までの距離は、正孔輸送領域の厚さと、発光層の厚さとの合計である。すなわち、正孔輸送領域の厚さを小さくした場合であっても、発光層の厚さがそれを補う構成とすることで、光学干渉の距離を保つことができる。 In this embodiment, by using an electron-trapping-type light-emitting layer as the light-emitting layer, it is possible to maintain an optical distance for intensifying light emission even when the hole-transporting region is made thin. Since the electron-trapping light-emitting layer mainly emits light from the cathode-side interface, the distance from the light-emitting point to the reflective electrode is the sum of the thickness of the hole-transporting region and the thickness of the light-emitting layer. That is, even when the thickness of the hole transport region is reduced, the distance of optical interference can be maintained by adopting a structure in which the thickness of the light-emitting layer compensates for it.

第一発光層は、電子トラップ型発光層である。電子トラップ型とは、発光層が第一化合物、第二化合物とを有し、両者の内の重量比が大きい化合物の電子親和力が、他方の化合物の電子親和力よりも小さいことを表す。電子親和力は、分子の最低非占有分子軌道(LUMO)で見積もることもできる。LUMOで見積もる場合、電子トラップ型発光層は、両者の内の重量比が大きい化合物のLUMOが、他方の化合物のLUMOよりも高いことを表す。LUMOが高いことは、真空準位により近いことを表し、LUMOが浅い、LUMOの絶対値が小さい、と言い換えることができる。電子親和力は絶対値で表し、LUMOは実数で表すことが一般的である。具体的には、電子親和力は正の数で表され、LUMOは負の数で表される。 The first light emitting layer is an electron trap type light emitting layer. The term "electron trapping type" means that the light-emitting layer has a first compound and a second compound, and the electron affinity of the compound having a higher weight ratio among the two is smaller than the electron affinity of the other compound. Electron affinity can also be estimated by the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of a molecule. When estimating by LUMO, the electron-trapping emissive layer shows that the LUMO of the compound having a larger weight ratio between the two is higher than the LUMO of the other compound. A higher LUMO indicates closer to the vacuum level, which can be rephrased as a shallow LUMO and a small absolute value of the LUMO. Electron affinity is generally represented by an absolute value, and LUMO is generally represented by a real number. Specifically, electron affinity is represented by a positive number and LUMO is represented by a negative number.

電子トラップ型発光層を構成するために、第一化合物として、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、フルオレン誘導体、ナフタレン誘導体等を有してよい。第一化合物が、発光層中で最も重量比が大きい化合物である場合、第一化合物はホスト材料またはホストと呼ばれる。 A pyrene derivative, an anthracene derivative, a fluorene derivative, a naphthalene derivative, or the like may be used as the first compound to constitute the electron-trapping light-emitting layer. When the first compound is the compound with the highest weight ratio in the light-emitting layer, the first compound is called a host material or host.

第二化合物は、ピレン誘導体、フルオランテン誘導体、フルオレン誘導体、クリセン誘導体、アントラセン誘導体等が挙げられる。第一化合物、第二化合物において、誘導体とは、基本の骨格に対して、置換基や縮環を有する状態を指す。例えば、フルオランテン誘導体は、ベンゾフルオランテン、ジベンゾフルオランテン、インデノベンゾ[k]フルオランテン等を含む。第一化合物をホストと呼ぶ場合、第二化合物はドーパントやゲストと呼ばれる。 Examples of the second compound include pyrene derivatives, fluoranthene derivatives, fluorene derivatives, chrysene derivatives, anthracene derivatives and the like. In the first compound and the second compound, a derivative refers to a state in which the basic skeleton has a substituent or a condensed ring. For example, fluoranthene derivatives include benzofluoranthene, dibenzofluoranthene, indenobenzo[k]fluoranthene, and the like. When the first compound is called host, the second compound is called dopant or guest.

誘導体が含む置換基としては、アルキル基、炭素原子数6乃至60のアリール基、炭素原子数6乃至60のヘテロアリール基等を含んでよい。 The substituent contained in the derivative may include an alkyl group, an aryl group having 6 to 60 carbon atoms, a heteroaryl group having 6 to 60 carbon atoms, and the like.

第一発光層と、反射電極との距離は、第一発光層が発する光を強めるために、下記式を満たすことが好ましい。第一発光層の層厚は小さい方が好ましいが、発光層は、層厚の大きさがリーク電流に与える影響が小さいので、層厚が大きい場合でもリーク電流が抑制された発光装置とすることができる。
(0.12-(φr/4π))<L/λ1<(0.18-(φr/4π)) (2)
ここで、λ1は前記第一発光層が発光する発光スペクトルのピークのうち最小の波長であり、φrは前記反射電極での位相シフトである。式(2)を満たすことで、表面プラズモン損失を抑制し、消費電力を低減することができる。
The distance between the first light-emitting layer and the reflective electrode preferably satisfies the following formula in order to enhance the light emitted from the first light-emitting layer. Although the layer thickness of the first light-emitting layer is preferably small, the layer thickness of the light-emitting layer has little effect on leakage current. can be done.
(0.12-(φr/4π))<L/λ1<(0.18-(φr/4π)) (2)
Here, λ1 is the minimum wavelength of the peaks of the emission spectrum emitted by the first light-emitting layer, and φr is the phase shift at the reflective electrode. By satisfying Expression (2), surface plasmon loss can be suppressed and power consumption can be reduced.

また、第一発光層は、正孔輸送領域が正孔輸送層、電子ブロック層を有する場合、下記式(3)を満たすことがさらに好ましい。
d(1st-EML)>d(HTL)+d(EBL) (3)
ここで、d(1st-EML)は第一発光層の層厚である。また、d(HTL)及びd(EBL)はそれぞれ正孔輸送層及び電子ブロック層の層厚である。
Moreover, when the hole-transporting region has a hole-transporting layer and an electron-blocking layer, the first light-emitting layer more preferably satisfies the following formula (3).
d(1st−EML)>d(HTL)+d(EBL) (3)
Here, d(1st-EML) is the layer thickness of the first light-emitting layer. Also, d(HTL) and d(EBL) are the layer thicknesses of the hole-transporting layer and the electron-blocking layer, respectively.

第一発光層は、35nm以下であってよい。35nm以下である場合は、隣り合う有機EL素子との間におけるリーク電流がさらに抑制されるので好ましい。この検証については後述する。 The first emissive layer may be 35 nm or less. A thickness of 35 nm or less is preferable because leakage current between adjacent organic EL elements is further suppressed. This verification will be described later.

本実施形態に係る有機EL素子は、発光層と透過電極との間に電子輸送層を有してよい。電子輸送層は、正孔輸送層の正孔移動度とのバランスを考慮して選択される。電子輸送層は、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、アントラセン誘導体等の芳香族炭化水素化合物、フェナントロリン誘導体、ジアザフルオランテン誘導体、アザアントラセン誘導体等の複素環化合物、Alq3、ベリリウム錯体、マグネシウム錯体等の有機金属錯体から選ぶことができる。 The organic EL device according to this embodiment may have an electron transport layer between the light emitting layer and the transmissive electrode. The electron transport layer is selected in consideration of the balance with the hole mobility of the hole transport layer. The electron transport layer is composed of aromatic hydrocarbon compounds such as chrysene derivatives, fluoranthene derivatives and anthracene derivatives; heterocyclic compounds such as phenanthroline derivatives, diazafluoranthene derivatives and azaanthracene derivatives; It can be selected from metal complexes.

本実施形態において、RGBの副画素は、ストライブ配列、スクエア配列、デルタ配列、ベイヤー配列のいずれの方式で配置されてもよい。 In this embodiment, the RGB sub-pixels may be arranged in any of the stripe arrangement, square arrangement, delta arrangement, and Bayer arrangement.

本実施形態に係る有機EL素子の反射電極は、反射率が80%以上の金属材料が好ましい。具体的には、AlやAgなどの金属、それらにSi、Cu、Ni、Nd、Tiなどを添加した合金を使用できる。反射率は、発光層から発する発光波長における反射率を指す。また、反射電極は、光取出し側の表面にバリア層を有してもよい。バリア層の材料としては、Ti、W、Mo、Auの金属やその合金が好ましい。 The reflective electrode of the organic EL element according to this embodiment is preferably made of a metal material having a reflectance of 80% or more. Specifically, metals such as Al and Ag, and alloys obtained by adding Si, Cu, Ni, Nd, Ti, and the like thereto can be used. Reflectance refers to the reflectance at the emission wavelength emitted from the light-emitting layer. Moreover, the reflective electrode may have a barrier layer on the surface on the light extraction side. Metals such as Ti, W, Mo and Au and their alloys are preferable as materials for the barrier layer.

本実施形態に係る有機EL素子の絶縁層は、化学気相堆積法(CVD法)を用いて形成されたシリコン窒化物(SiN)層、シリコン酸窒化物(SiON)層、またはシリコン酸化物(SiO)層で形成される。 The insulating layer of the organic EL element according to the present embodiment is a silicon nitride (SiN) layer, a silicon oxynitride (SiON) layer, or a silicon oxide (SiN) layer formed using a chemical vapor deposition method (CVD method). SiO) layer.

有機EL素子間における有機化合物層の抵抗を上げるために、有機化合物層の層厚が有機EL素子の領域に比べ、絶縁層の側壁において薄く成膜されることが好ましい。具体的には、絶縁層の側壁との基板とが成す角や絶縁層の層厚を大きくすることで、側壁の層厚を薄く形成することができる。絶縁層の側壁との基板とが成す角は、絶縁層のテーパー角ということもできる。有機EL素子の領域とは、反射電極が設けられている領域である。 In order to increase the resistance of the organic compound layer between the organic EL elements, the layer thickness of the organic compound layer is preferably formed thinner on the sidewalls of the insulating layer than on the region of the organic EL element. Specifically, by increasing the angle between the side wall of the insulating layer and the substrate and the thickness of the insulating layer, the thickness of the side wall can be reduced. The angle between the side wall of the insulating layer and the substrate can also be called the taper angle of the insulating layer. The region of the organic EL element is the region where the reflective electrode is provided.

絶縁層と基板とが成す角は、60度以上90度以下であることが好ましい。また、絶縁層の層厚は40nm以上150nm以下であることが好ましい。絶縁層は、反射電極と反射電極との間の領域に溝を有してよい。溝を設けることで有機化合物層の層厚を低減し、高抵抗化することができる。溝は反射電極間における、平坦化層のへこみと表すこともできる。 The angle formed by the insulating layer and the substrate is preferably 60 degrees or more and 90 degrees or less. Also, the thickness of the insulating layer is preferably 40 nm or more and 150 nm or less. The insulating layer may have grooves in the regions between the reflective electrodes. By providing the groove, the layer thickness of the organic compound layer can be reduced and the resistance can be increased. A groove can also be described as a depression in the planarization layer between the reflective electrodes.

本実施形態に係る有機EL素子の光取出し電極は、その表面に到達した光の一部を透過するとともに他の一部を反射する性質(すなわち半透過反射性)を持った半透過反射層であってよい。光取出し電極は例えばマグネシウムや銀などの単体金属、またはマグネシウムや銀を主成分とする合金、もしくは、アルカリ金属、アルカリ土類金属を含んだ合金材料から形成される。光取出し電極は好ましい透過率を有するならば、積層構成でもよい。 The light extraction electrode of the organic EL device according to the present embodiment is a semi-transmissive reflective layer having a property of transmitting part of the light reaching its surface and reflecting the other part (that is, semi-transmissive reflectivity). It's okay. The light extraction electrode is made of, for example, a single metal such as magnesium or silver, an alloy containing magnesium or silver as a main component, or an alloy material containing alkali metal or alkaline earth metal. The light extraction electrode may have a laminated structure as long as it has a preferable transmittance.

本実施形態に係る有機EL素子の封止層は、化学気相堆積法(CVD法)、原子層堆積法(ALD法)を用いて形成することができる。封止層は、シリコン窒化物(SiN)層やシリコン酸窒化物(SiON)層、酸化アルミニウム層、シリコン酸化物及びチタン酸化物などの外部からの酸素や水分の透過性が極めて低い材料から構成されてよい。また、十分な水分遮断性能があれば単層及び積層の形態をとってもよい。積層の形態をとる場合、SiN、酸化アルミニウムを組み合わせて用いることが好ましい。積層する場合は、3層以上の積層であってよい。 The sealing layer of the organic EL element according to this embodiment can be formed using a chemical vapor deposition method (CVD method) or an atomic layer deposition method (ALD method). The encapsulation layer is made of a material with extremely low permeability to oxygen and moisture from the outside, such as a silicon nitride (SiN) layer, a silicon oxynitride (SiON) layer, an aluminum oxide layer, a silicon oxide layer, and a titanium oxide layer. may be In addition, it may be in the form of a single layer or a laminate as long as it has sufficient moisture blocking performance. When taking the form of lamination, it is preferable to use a combination of SiN and aluminum oxide. When laminating, it may be a lamination of three or more layers.

本実施形態に係る有機EL素子の正孔輸送領域は、下記HT-1乃至HT-38に示される化合物で構成されてよい。 The hole-transporting region of the organic EL device according to this embodiment may be composed of compounds shown in HT-1 to HT-38 below.

Figure 0007159365000001
Figure 0007159365000001

Figure 0007159365000002
Figure 0007159365000002

正孔輸送領域に用いられる化合物は、以下の一般式[1]または一般式[2]で表される化合物であってよい。 The compound used for the hole-transporting region may be a compound represented by the following general formula [1] or general formula [2].

Figure 0007159365000003
Figure 0007159365000003

一般式[1]において、Ar乃至Arは、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の複素環基から、それぞれ独立に選ばれる。当該アリール基は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、スピロフルオレニル基が挙げられる。複素環基は、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基が挙げられる。 In general formula [1], Ar 1 to Ar 3 are each independently selected from a substituted or unsubstituted aryl group and a substituted or unsubstituted heterocyclic group. The aryl group includes a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group and a spirofluorenyl group. Heterocyclic groups include dibenzofuranyl, dibenzothiophenyl, thiophenyl, furanyl, and carbazolyl groups.

Figure 0007159365000004
Figure 0007159365000004

一般式[2]において、Arは、置換あるいは無置換のアリール基である。当該アリール基は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ナフチル基のいずれかである。 In general formula [2], Ar 4 is a substituted or unsubstituted aryl group. The aryl group is any one of a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a fluorenyl group, a dibenzofuranyl group, a dibenzothiophenyl group and a naphthyl group.

Ar乃至Arは、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の複素環基から、それぞれ独立に選ばれる。アリール基は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、フェナンスレニル基、ピレニル基からそれぞれ独立に選ばれる。複素環基は、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基が挙げられる。 Ar 5 to Ar 8 are each independently selected from substituted or unsubstituted aryl groups and substituted or unsubstituted heterocyclic groups. Aryl groups are each independently selected from phenyl, biphenyl, terphenyl, fluorenyl, phenanthrenyl and pyrenyl groups. Heterocyclic groups include dibenzofuranyl, dibenzothiophenyl, thiophenyl, furanyl, and carbazolyl groups.

本発明に係る発光装置は、トランジスタなどの能動素子を有する表示装置であってよい。表示装置は、水平駆動回路、垂直駆動回路、表示部を有し、表示部には、本発明に係る発光装置を有する。 A light-emitting device according to the present invention may be a display device having active elements such as transistors. The display device has a horizontal driving circuit, a vertical driving circuit, and a display portion, and the display portion has the light emitting device according to the present invention.

図3は、本実施形態に係る表示装置の一例を示す模式図である。表示装置15は、表示領域11、水平駆動回路12、垂直駆動回路13、接続部14を有する。表示領域には本発明に係る発光装置を有してよい。 FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of the display device according to this embodiment. The display device 15 has a display area 11 , a horizontal drive circuit 12 , a vertical drive circuit 13 and a connection section 14 . The display area may have a light emitting device according to the present invention.

本実施形態に係る表示装置は、マルチファンクションプリンタ、インクジェットプリンタ等の画像形成装置の表示部に用いられてよい。その際には、表示機能と操作機能との双方を有してもよい。 The display device according to this embodiment may be used in the display section of an image forming apparatus such as a multifunction printer or an inkjet printer. In that case, it may have both a display function and an operation function.

本実施形態に係る表示装置は、カメラ等、複数のレンズを有する光学系と、当該光学系を通過した光を受光する撮像素子とを有する撮像装置の表示部に用いられてよい。撮像装置は、撮像素子が取得した情報を表示する表示部を有してよい。また、表示部は、撮像装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。 The display device according to the present embodiment may be used in the display section of an imaging device, such as a camera, having an optical system having a plurality of lenses and an imaging device that receives light that has passed through the optical system. The imaging device may have a display unit that displays information acquired by the imaging element. Further, the display section may be a display section exposed to the outside of the imaging device, or may be a display section arranged within the viewfinder.

本実施形態に係る表示装置は、赤色、緑色、青色を有するカラーフィルタを有してよい。カラーフィルタは、当該赤色、緑色、青色がデルタ配列で配置されてよい。 The display device according to this embodiment may have color filters having red, green, and blue colors. The color filters may be arranged in a delta arrangement of said red, green and blue.

本実施形態に係る表示装置は、携帯端末の表示部に用いられてもよい。その際には、表示機能と操作機能との双方を有してもよい。 The display device according to this embodiment may be used in the display section of a mobile terminal. In that case, it may have both a display function and an operation function.

次に、本実施形態の有機EL素子について説明する。 Next, the organic EL element of this embodiment will be described.

本実施形態の有機EL素子は、一対の電極である陽極と陰極と、これら電極間に配置されている有機化合物層と、を少なくとも有する。本実施形態の有機EL素子において、有機化合物層は発光層を有していれば単層であってもよいし複数層からなる積層体であってもよい。 The organic EL element of this embodiment has at least an anode and a cathode, which are a pair of electrodes, and an organic compound layer disposed between these electrodes. In the organic EL device of the present embodiment, the organic compound layer may be a single layer or a multilayer structure as long as it has a light-emitting layer.

ここで有機化合物層が複数層からなる積層体である場合、有機化合物層は、発光層の他に、ホール注入層、ホール輸送層、電子ブロッキング層、電荷発生層、ホール・エキシトンブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等を有してもよい。また発光層は、単層であってもよいし、複数の層からなる積層体であってもよい。 Here, in the case where the organic compound layer is a laminate composed of a plurality of layers, the organic compound layer includes, in addition to the light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a charge generation layer, a hole/exciton blocking layer, an electron It may have a transport layer, an electron injection layer, and the like. Also, the light-emitting layer may be a single layer, or may be a laminate composed of a plurality of layers.

本実施形態の有機EL素子において、発光層は、発光材料のみからなってもよいし、他の化合物との混合層であってよい。ここで、発光層が発光材料と他の化合物とからなる層である場合、他の化合物はホストであってよい、さらにアシストを有してよい。 In the organic EL device of the present embodiment, the light-emitting layer may consist of a light-emitting material alone, or may be a mixed layer with other compounds. Here, when the light-emitting layer is a layer composed of a light-emitting material and another compound, the other compound may be a host and may have an assist.

ここでホストとは、発光層を構成する化合物の中で重量比が最も大きい化合物である。またゲスト、ドーパントまたは発光材料とは、発光層を構成する化合物の中で重量比がホストよりも小さい化合物であって、主たる発光を担う化合物である。またアシストとは、発光層を構成する化合物の中で重量比がホストよりも小さく、ゲストの発光を補助する化合物である。尚、アシストは、第2ホストと呼んでもよい。有機EL素子の発光層の組成を一様とみなす場合、発光層の一部を分析することで、発光層全体の組成とみなすことができる。 Here, the host is a compound having the largest weight ratio among the compounds constituting the light-emitting layer. A guest, a dopant, or a light-emitting material is a compound whose weight ratio is smaller than that of the host among the compounds constituting the light-emitting layer, and is responsible for the main light emission. The assist is a compound that has a weight ratio smaller than that of the host among the compounds constituting the light-emitting layer and assists the light emission of the guest. Note that the assistant may be called a second host. When the composition of the light-emitting layer of the organic EL element is assumed to be uniform, the composition of the entire light-emitting layer can be determined by analyzing a portion of the light-emitting layer.

ここで、発光層のゲストの濃度は、発光層全体に対して0.01重量%以上20重量%以下であることが好ましく、0.1重量%以上5.0重量%以下であることがより好ましい。 Here, the concentration of the guest in the light-emitting layer is preferably 0.01% by weight or more and 20% by weight or less, more preferably 0.1% by weight or more and 5.0% by weight or less, relative to the entire light-emitting layer. preferable.

またゲストとともに用いるホストは、LUMOが高い(LUMOが真空準位により近い材料)ホストを用いることが好ましい。電子トラップ型の発光材料を用いる場合、発光材料のLUMOが低いため、LUMOが高い材料をホストにすることで、発光層のゲストが、発光層のホストに供給される電子をより受領することができるからである。 As the host used together with the guest, it is preferable to use a host with a high LUMO (a material whose LUMO is closer to the vacuum level). When an electron-trapping light-emitting material is used, the LUMO of the light-emitting material is low. Therefore, by using a material with a high LUMO as a host, the guest in the light-emitting layer can receive more electrons supplied to the host in the light-emitting layer. Because you can.

本実施形態に係る発光層は単層でも複層でも良いし、他の発光色を有する発光材料を含むことで本実施形態の発光色である赤の発光と混色させることも可能である。複層とは発光層と別の発光層とが積層している状態を意味する。この場合、有機EL素子の発光色は限られない。より具体的には白色でもよいし、中間色でもよい。白色の場合、一の発光層が赤色を発光する場合、別の発光層が赤以外の色、すなわち青色や緑色を発光する。 The light-emitting layer according to this embodiment may be a single layer or multiple layers, and it is possible to mix red light emission, which is the light emission color of this embodiment, by including a light-emitting material having another emission color. A multi-layer means a state in which a light-emitting layer and another light-emitting layer are laminated. In this case, the emission color of the organic EL element is not limited. More specifically, it may be white or a neutral color. In the case of white, when one light-emitting layer emits red light, another light-emitting layer emits a color other than red, ie, blue or green.

本実施形態に係る有機EL素子は、蒸着もしくは塗布製膜で製膜を行うことができる。蒸着は高真空中で行うことが好ましい。塗布製膜は、公知の塗布法を用いることができ、任意の有機溶媒とともに塗布されてよい。 The organic EL device according to this embodiment can be formed by vapor deposition or coating film formation. Vapor deposition is preferably carried out in a high vacuum. A known coating method can be used for the coating film formation, and the coating may be applied together with an arbitrary organic solvent.

本実施形態に係る有機化合物は、本実施形態の有機EL素子を構成する発光層以外の有機化合物層の構成材料として使用することができる。具体的には、電子輸送層、電子注入層、ホール輸送層、ホール注入層、ホールブロッキング層等の構成材料として用いてもよい。この場合、有機EL素子の発光色は特に限られない。より具体的には白色でもよいし、中間色でもよい。 The organic compound according to this embodiment can be used as a constituent material of an organic compound layer other than the light-emitting layer that constitutes the organic EL element of this embodiment. Specifically, it may be used as a constituent material for an electron transport layer, an electron injection layer, a hole transport layer, a hole injection layer, a hole blocking layer, and the like. In this case, the emission color of the organic EL element is not particularly limited. More specifically, it may be white or a neutral color.

ここで、本実施形態に係る有機化合物以外にも、必要に応じて従来公知の低分子系及び高分子系のホール注入性化合物あるいはホール輸送性化合物、ホストとなる化合物、発光性化合物、電子注入性化合物あるいは電子輸送性化合物等を一緒に使用することができる。 Here, in addition to the organic compound according to the present embodiment, conventionally known low-molecular-weight and high-molecular-weight hole-injecting compounds or hole-transporting compounds, host compounds, light-emitting compounds, and electron-injecting compounds can be used as necessary. A polarizing compound or an electron-transporting compound or the like can be used together.

以下にこれらの化合物例を挙げる。ホール注入輸送性材料としては、陽極からのホールの注入を容易にして、かつ注入されたホールを発光層へ輸送できるようにホール移動度が高い材料が好ましい。また有機EL素子中において結晶化等の膜質の劣化を抑制するために、ガラス転移点温度が高い材料が好ましい。ホール注入輸送性能を有する低分子及び高分子系材料としては、トリアリールアミン誘導体、アリールカルバゾール誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリ(ビニルカルバゾール)、ポリ(チオフェン)、その他導電性高分子が挙げられる。さらに上記のホール注入輸送性材料は、電子ブロッキング層にも好適に使用される。 Examples of these compounds are given below. As the hole-injecting and transporting material, a material having high hole mobility is preferable so that holes can be easily injected from the anode and the injected holes can be transported to the light-emitting layer. In order to suppress deterioration of film quality such as crystallization in the organic EL device, a material having a high glass transition temperature is preferred. Low-molecular-weight and high-molecular-weight materials with hole injection and transport properties include triarylamine derivatives, arylcarbazole derivatives, phenylenediamine derivatives, stilbene derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, poly(vinylcarbazole), poly(thiophene), and others. A conductive polymer can be mentioned. Furthermore, the above hole injection transport materials are also suitably used for the electron blocking layer.

電子輸送性材料としては、陰極から注入された電子を発光層へ輸送することができるものから任意に選ぶことができ、ホール輸送性材料のホール移動度とのバランス等を考慮して選択される。電子輸送性能を有する材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機アルミニウム錯体、縮環化合物(例えばフルオレン誘導体、ナフタレン誘導体、クリセン誘導体、アントラセン誘導体等)が挙げられる。さらに上記の電子輸送性材料は、ホールブロッキング層にも好適に使用される。 The electron-transporting material can be arbitrarily selected from those capable of transporting electrons injected from the cathode to the light-emitting layer, and is selected in consideration of the balance with the hole mobility of the hole-transporting material. . Materials having electron transport properties include oxadiazole derivatives, oxazole derivatives, pyrazine derivatives, triazole derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, quinoxaline derivatives, phenanthroline derivatives, organoaluminum complexes, condensed ring compounds (e.g., fluorene derivatives, naphthalene derivatives, chrysene derivatives, anthracene derivatives, etc.). Furthermore, the above electron-transporting materials are also suitably used for the hole blocking layer.

[有機EL素子の用途]
図6は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。表示装置1000は、上部カバー1001と、下部カバー1009と、の間に、タッチパネル1003、表示パネル1005、フレーム1006、回路基板1007、バッテリー1008、を有してよい。タッチパネル1003および表示パネル1005は、フレキシブルプリント回路FPC1002、1004が接続されている。回路基板1007には、トランジスタを含む回路が配置されている。バッテリー1008は、表示装置が携帯機器でなければ、設けなくてよいし、携帯機器であっても、この位置に設ける必要はない。
[Use of organic EL element]
FIG. 6 is a schematic diagram showing an example of the display device according to this embodiment. Display device 1000 may have touch panel 1003 , display panel 1005 , frame 1006 , circuit board 1007 , and battery 1008 between upper cover 1001 and lower cover 1009 . The touch panel 1003 and display panel 1005 are connected to flexible printed circuits FPC 1002 and 1004 . Circuits including transistors are arranged on the circuit board 1007 . The battery 1008 may not be provided unless the display device is a portable device, and even if the display device is a portable device, it is not necessary to be provided at this position.

本実施形態に係る表示装置は、複数のレンズを有する光学部と、当該光学部を通過した光を受光する撮像素子とを有する撮像装置の表示部に用いられてよい。撮像装置は、撮像素子が取得した情報を表示する表示部を有してよい。また、表示部は、撮像装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。撮像装置は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラであってよい。 The display device according to the present embodiment may be used in the display section of an imaging device having an optical section having a plurality of lenses and an imaging device that receives light that has passed through the optical section. The imaging device may have a display unit that displays information acquired by the imaging element. Further, the display section may be a display section exposed to the outside of the imaging device, or may be a display section arranged within the viewfinder. The imaging device may be a digital camera or a digital video camera.

図7は、本実施形態に係る撮像装置の一例を表す模式図である。撮像装置1100は、ビューファインダ1101、背面ディスプレイ1102、操作部1103、筐体1104を有してよい。ビューファインダ1101は、本実施形態に係る表示装置を有してよい。その場合、表示装置は、撮像する画像のみならず、環境情報、撮像指示等を表示してよい。環境情報には、外光の強度、外光の向き、被写体の動く速度、被写体が遮蔽物に遮蔽される可能性等であってよい。 FIG. 7 is a schematic diagram showing an example of an imaging device according to this embodiment. The imaging device 1100 may have a viewfinder 1101 , a rear display 1102 , an operation unit 1103 and a housing 1104 . The viewfinder 1101 may have a display device according to this embodiment. In that case, the display device may display not only the image to be captured, but also environmental information, imaging instructions, and the like. The environmental information may include the intensity of outside light, the direction of outside light, the moving speed of the subject, the possibility of the subject being blocked by an obstacle, and the like.

撮像に好適なタイミングはわずかな時間なので、少しでも早く情報を表示した方がよい。したがって、本発明の有機EL素子を用いた表示装置を用いるのが好ましい。有機EL素子は応答速度が速いからである。有機EL素子を用いた表示装置は、表示速度が求められる、これらの装置、液晶表示装置よりも好適に用いることができる。 Since the timing suitable for imaging is short, it is better to display the information as soon as possible. Therefore, it is preferable to use a display device using the organic EL element of the present invention. This is because the organic EL element has a high response speed. A display device using an organic EL element can be used more preferably than these devices and a liquid crystal display device, which require a high display speed.

撮像装置1100は、不図示の光学部を有する。光学部は複数のレンズを有し、筐体1104内に収容されている撮像素子に結像する。複数のレンズは、その相対位置を調整することで、焦点を調整することができる。この操作を自動で行うこともできる。 The imaging device 1100 has an optical unit (not shown). The optical unit has a plurality of lenses and forms an image on the imaging device housed in the housing 1104 . The multiple lenses can be focused by adjusting their relative positions. This operation can also be performed automatically.

本実施形態に係る表示装置は、赤色、緑色、青色を有するカラーフィルタを有してよい。カラーフィルタは、当該赤色、緑色、青色がデルタ配列で配置されてよい。 The display device according to this embodiment may have color filters having red, green, and blue colors. The color filters may be arranged in a delta arrangement of said red, green and blue.

本実施形態に係る表示装置は、携帯端末の表示部に用いられてもよい。その際には、表示機能と操作機能との双方を有してもよい。携帯端末としては、スマートフォン等の携帯電話、タブレット、ヘッドマウントディスプレイ等が挙げられる。 The display device according to this embodiment may be used in the display section of a mobile terminal. In that case, it may have both a display function and an operation function. Mobile terminals include mobile phones such as smart phones, tablets, head-mounted displays, and the like.

図8は、本実施形態に係る携帯機器の一例を表す模式図である。電子機器1200は、表示部1201と、操作部1202と、筐体1203を有する。筐体1203には、回路、当該回路を有するプリント基板、バッテリー、通信部、を有してよい。操作部1202は、ボタンであってもよいし、タッチパネル方式の反応部であってもよい。操作部は、指紋を認識してロックの解除等を行う、生体認識部であってもよい。通信部を有する携帯機器は通信機器ということもできる。 FIG. 8 is a schematic diagram showing an example of a mobile device according to this embodiment. Electronic device 1200 includes display portion 1201 , operation portion 1202 , and housing 1203 . The housing 1203 may include a circuit, a printed board including the circuit, a battery, and a communication portion. The operation unit 1202 may be a button or a touch panel type reaction unit. The operation unit may be a biometric recognition unit that recognizes a fingerprint and performs unlocking or the like. A mobile device having a communication unit can also be called a communication device.

図9は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。図9(a)は、テレビモニタやPCモニタ等の表示装置である。表示装置1300は、額縁1301を有し表示部1302を有する。表示部1302には、本実施形態に係る発光装置が用いられてよい。 FIG. 9 is a schematic diagram showing an example of the display device according to this embodiment. FIG. 9(a) shows a display device such as a television monitor or a PC monitor. A display device 1300 has a frame 1301 and a display portion 1302 . The light emitting device according to this embodiment may be used for the display unit 1302 .

額縁1301と、表示部1302を支える土台1303を有している。土台1303は、図9(a)の形態に限られない。額縁1301の下辺が土台を兼ねてもよい。 It has a frame 1301 and a base 1303 that supports the display portion 1302 . The base 1303 is not limited to the form shown in FIG. 9(a). The lower side of the frame 1301 may also serve as the base.

また、額縁1301および表示部1302は、曲がっていてもよい。その曲率半径は、5000mm以上6000mm以下であってよい。 Also, the frame 1301 and the display portion 1302 may be curved. Its radius of curvature may be between 5000 mm and 6000 mm.

図9(b)は本実施形態に係る表示装置の他の例を表す模式図である。図9(b)の表示装置1310は、折り曲げ可能に構成されており、いわゆるフォルダブルな表示装置である。表示装置1310は、第一表示部1311、第二表示部1312、筐体1313、屈曲点1314を有する。第一表示部1311と第二表示部1312とは、本実施形態に係る発光装置を有してよい。第一表示部1311と第二表示部1312とは、つなぎ目のない1枚の表示装置であってよい。第一表示部1311と第二表示部1312とは、屈曲点で分けることができる。第一表示部1311、第二表示部1312は、それぞれ異なる画像を表示してもよいし、第一および第二表示部とで一つの画像を表示してもよい。 FIG. 9B is a schematic diagram showing another example of the display device according to this embodiment. A display device 1310 in FIG. 9B is configured to be foldable, and is a so-called foldable display device. The display device 1310 has a first display portion 1311 , a second display portion 1312 , a housing 1313 and a bending point 1314 . The first display unit 1311 and the second display unit 1312 may have the light emitting device according to this embodiment. The first display portion 1311 and the second display portion 1312 may be a seamless display device. The first display portion 1311 and the second display portion 1312 can be separated at a bending point. The first display unit 1311 and the second display unit 1312 may display different images, or the first and second display units may display one image.

図10は、本実施形態に係る照明装置の一例を表す模式図である。照明装置1400は、筐体1401と、光源1402と、回路基板1403と、光学フィルム1404と、光拡散部1405と、を有してよい。光源は、本実施形態に係る有機EL素子を有してよい。光学フィルタは光源の演色性を向上させるフィルタであってよい。光拡散部は、ライトアップ等、光源の光を効果的に拡散し、広い範囲に光を届けることができる。必要に応じて、最外部にカバーを設けてもよい。 FIG. 10 is a schematic diagram showing an example of a lighting device according to this embodiment. The illumination device 1400 may have a housing 1401 , a light source 1402 , a circuit board 1403 , an optical film 1404 and a light diffusion section 1405 . The light source may have the organic EL element according to this embodiment. The optical filter may be a filter that enhances the color rendering of the light source. The light diffusing portion can effectively diffuse the light from the light source such as lighting up and deliver the light over a wide range. If necessary, a cover may be provided on the outermost part.

照明装置は、その発光位置が領域で分かれていてよい。意図しない領域の発光を抑制するために、本実施形態に係る発光装置が効果を奏する。 The illuminating device may have its light emitting position divided into areas. The light emitting device according to this embodiment is effective in suppressing light emission in an unintended area.

照明装置は例えば室内を照明する装置である。照明装置は白色、昼白色、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってよい。それらを調光する調光回路を有してよい。照明装置は本発明の有機EL素子とそれに接続される電源回路を有してよい。電源回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。また、白とは色温度が4200Kで昼白色とは色温度が5000Kである。照明装置はカラーフィルタを有してもよい。 A lighting device is, for example, a device that illuminates a room. The lighting device may emit white, neutral white, or any other color from blue to red. It may have a dimming circuit to dim them. The lighting device may have the organic EL element of the present invention and a power supply circuit connected thereto. A power supply circuit is a circuit that converts an AC voltage into a DC voltage. Further, white has a color temperature of 4200K, and neutral white has a color temperature of 5000K. The lighting device may have color filters.

また、本実施形態に係る照明装置は、放熱部を有していてもよい。放熱部は装置内の熱を装置外へ放出するものであり、比熱の高い金属、液体シリコン等が挙げられる。 Moreover, the lighting device according to the present embodiment may have a heat dissipation section. The heat radiating part is for radiating the heat inside the device to the outside of the device, and may be made of metal, liquid silicon, or the like, which has a high specific heat.

図11は、本実施形態に係る移動体の一例である自動車の模式図である。当該自動車は灯具の一例であるテールランプを有する。自動車1500は、テールランプ1501を有し、ブレーキ操作等を行った際に、テールランプを点灯する形態であってよい。 FIG. 11 is a schematic diagram of an automobile, which is an example of a mobile object according to the present embodiment. The automobile has a tail lamp, which is an example of a lamp. The automobile 1500 may have a tail lamp 1501, and may be configured to turn on the tail lamp when a brake operation or the like is performed.

テールランプ1501は、本実施形態に係る有機EL素子を有してよい。テールランプは、有機EL素子を保護する保護部材を有してよい。保護部材はある程度高い強度を有し、透明であれば材料は問わないが、ポリカーボネート等で構成されることが好ましい。ポリカーボネートにフランジカルボン酸誘導体、アクリロニトリル誘導体等を混ぜてよい。 The tail lamp 1501 may have the organic EL element according to this embodiment. The tail lamp may have a protective member that protects the organic EL element. The protective member may be made of any material as long as it has a certain degree of strength and is transparent, but is preferably made of polycarbonate or the like. A furandicarboxylic acid derivative, an acrylonitrile derivative, or the like may be mixed with the polycarbonate.

自動車1500は、車体1503、それに取り付けられている窓1502を有してよい。窓は、自動車の前後を確認するための窓でなければ、透明なディスプレイであってもよい。当該透明なディスプレイは、本実施形態に係る有機EL素子を有してよい。この場合、有機EL素子が有する電極等の構成材料は透明な部材で構成される。 Automobile 1500 may have a body 1503 and a window 1502 attached thereto. The window may be a transparent display unless it is a window for checking the front and rear of the automobile. The transparent display may have an organic EL element according to this embodiment. In this case, constituent materials such as electrodes of the organic EL element are made of transparent members.

本実施形態に係る移動体は、船舶、航空機、ドローン等であってよい。移動体は、機体と当該機体に設けられた灯具を有してよい。灯具は、機体の位置を知らせるための発光をしてよい。灯具は本実施形態に係る有機EL素子を有する。 A mobile object according to the present embodiment may be a ship, an aircraft, a drone, or the like. The moving body may have a body and a lamp provided on the body. The lighting device may emit light to indicate the position of the aircraft. The lamp has the organic EL element according to this embodiment.

本実施形態に係る有機EL素子はスイッチング素子の一例であるTFTにより発光輝度が制御され、有機EL素子を複数面内に設けることでそれぞれの発光輝度により画像を表示することができる。尚、本実施形態に係るスイッチング素子は、TFTに限られず、低温ポリシリコンで形成されているトランジスタ、Si基板等の基板上に形成されたアクティブマトリクスドライバーであってもよい。基板上とは、その基板内ということもできる。これは精細度によって選択され、例えば1インチでQVGA程度の精細度の場合はSi基板上に有機EL素子を設けることが好ましい。本実施形態に係る有機EL素子を用いた表示装置を駆動することにより、良好な画質で、長時間表示にも安定な表示が可能になる。 The organic EL element according to the present embodiment is controlled in light emission luminance by a TFT, which is an example of a switching element, and an image can be displayed by each light emission luminance by providing the organic EL elements in a plurality of planes. The switching elements according to the present embodiment are not limited to TFTs, and may be transistors made of low-temperature polysilicon or active matrix drivers formed on a substrate such as a Si substrate. On the substrate can also mean inside the substrate. This is selected depending on the definition. For example, in the case of a definition of about QVGA at 1 inch, it is preferable to provide the organic EL element on the Si substrate. By driving the display device using the organic EL element according to the present embodiment, it is possible to stably display images with good image quality even for a long period of time.

(実施例1)
素子D100を以下のように構成した。作製した発光装置の画素間リーク、消費電力などのパネル特性を評価した。
(Example 1)
Device D100 was constructed as follows. Panel characteristics such as leakage between pixels and power consumption of the manufactured light emitting device were evaluated.

図1に示したように、基板上に反射電極2がパターン形成され、画素間を絶縁層が形成する。ここで、絶縁層はシリコン酸化膜で形成され、絶縁層の層厚は65nmとした。絶縁層の側壁のテーパー角は画素開口側及び画素間側はそれぞれ80°、75°とした。また、画素配列はデルタ配列として、画素開口間距離を1.4μm、反射電極間距離を0.6μmとした。反射電極上に正孔注入層として下記の化合物1を3nm成膜した。 As shown in FIG. 1, a reflective electrode 2 is patterned on the substrate to form an insulating layer between pixels. Here, the insulating layer is formed of a silicon oxide film, and the thickness of the insulating layer is set to 65 nm. The taper angles of the sidewalls of the insulating layer were 80° and 75° on the pixel opening side and the inter-pixel side, respectively. Further, the pixel array was a delta array, the distance between pixel openings was 1.4 μm, and the distance between reflective electrodes was 0.6 μm. A film of the following compound 1 was formed to a thickness of 3 nm as a hole injection layer on the reflective electrode.

正孔輸送層として、例示化合物HT-9を15nm、電子ブロック層として例示化合物HT-27を10nm成膜した。第一発光層は、ホスト材料として下記化合物2重量比97%、発光ドーパントとして下記化合物3を重量比3%となるように、10nm成膜した。この例示化合物HT-9、HT-27、化合物2、の正孔移動度をそれぞれ測定したところ、2×10-3cm/V*sec、5×10-4cm/V*sec及び1×10-3cm/V*secであった。 Exemplified Compound HT-9 was deposited to a thickness of 15 nm as a hole transport layer, and Exemplified Compound HT-27 was deposited to a thickness of 10 nm as an electron blocking layer. The first light-emitting layer was formed with a thickness of 10 nm by using the following compound 2 as a host material at a weight ratio of 97% and the following compound 3 as a light-emitting dopant at a weight ratio of 3%. The hole mobilities of exemplified compounds HT-9, HT-27, and compound 2 were measured to be 2×10 −3 cm 2 /V*sec, 5×10 −4 cm 2 /V*sec, and 1 It was ×10 −3 cm 2 /V*sec.

第2発光層は、ホスト材料として化合物2を重量比99%、発光ドーパントとして下記化合物4を重量比1%となるように成膜した。 The second light-emitting layer was formed by using Compound 2 as a host material at a weight ratio of 99% and Compound 4 below as a light-emitting dopant at a weight ratio of 1%.

電子輸送層は、下記化合物5を110nm成膜した。電子注入層はLiFを0.5nm成膜した。光取り出し電極としてMgAg合金を10nm製膜した。MgとAgとの比率は1:1とした。その後、封止層としてCVD法にてSiN膜を1.5μm成膜した。 The electron transport layer was formed by forming a film of the following compound 5 to a thickness of 110 nm. The electron injection layer was formed by depositing LiF to a thickness of 0.5 nm. A film of MgAg alloy with a thickness of 10 nm was formed as a light extraction electrode. The ratio of Mg and Ag was 1:1. Thereafter, a SiN film of 1.5 μm was formed as a sealing layer by the CVD method.

Figure 0007159365000005
Figure 0007159365000005

表1には、本実施例での消費電力算出の前提となる、表示装置仕様を示した。画素の開口率を50%とし、副画素の開口率をR、G、Bとも一律の16.7%とした。本検討では、表1に示した仕様の表示装置が色温度6500Kの白色光(CIE(x、y)=(0.313、0.329))で且つ輝度500cd/cmを放射するのに必要な電力を計算した。具体的には、測定で得られた発光効率から、R画素、G画素、B画素の必要電流を算出した。本解析では駆動電圧を10.0Vと仮定して、必要電流値から消費電力の計算を行った。 Table 1 shows the specifications of the display device, which are the prerequisites for power consumption calculation in this embodiment. The pixel aperture ratio was set to 50%, and the aperture ratio of the sub-pixels was set to 16.7%, which is the same for R, G, and B. In this study, the display device with the specifications shown in Table 1 emits white light with a color temperature of 6500 K (CIE (x, y) = (0.313, 0.329)) and a luminance of 500 cd/ cm2 . Calculated power required. Specifically, the currents required for the R, G, and B pixels were calculated from the measured luminous efficiency. In this analysis, the driving voltage was assumed to be 10.0 V, and the power consumption was calculated from the required current value.

Figure 0007159365000006
Figure 0007159365000006

ここでは画素間リークの指標として、画素に流れる電流Ioledが0.1[nA/pixel]の時のIoledに対する画素間の電流Ileakの比Ileak/Ioledを採用している。 Here, the ratio I leak /I oled of the current I leak between pixels to I oled when the current I oled flowing through the pixel is 0.1 [nA/pixel] is used as an index of inter-pixel leakage.

各有機化合物層の層厚を表2のようにしたこと以外はD100と同じようにD101乃至D108を作製した。表2にD100乃至D108の層厚および評価結果を示す。 D101 to D108 were produced in the same manner as D100 except that the layer thickness of each organic compound layer was set as shown in Table 2. Table 2 shows the layer thicknesses and evaluation results of D100 to D108.

Figure 0007159365000007
Figure 0007159365000007

画素間リーク割合は、0.35以下を〇とし、それより大きいものを×とした。消費電力は、400mW以下を〇とし、それより大きいものを×とした。 As for the inter-pixel leak ratio, 0.35 or less is indicated by ◯, and a larger value is indicated by x. Power consumption of 400 mW or less was evaluated as ◯, and power consumption greater than 400 mW was evaluated as x.

(実施例2)
本実施例のD109乃至D114は、正孔輸送層を例示化合物HT37と例示化合物HT27との混合層としたこと以外、D108と同じである。表3は正孔輸送層の混合濃度と移動度測定結果を示した表である。正孔輸送層を混合層とすることで、移動度を制御できるだけでなく、移動度の低い材料、すなわちHT27、の濃度を高めることで、面内方向の抵抗を飛躍的に高めることが可能となる。
(Example 2)
D109 to D114 of this example are the same as D108 except that the hole transport layer is a mixed layer of Exemplified Compound HT37 and Exemplified Compound HT27. Table 3 is a table showing the mixed concentration of the hole transport layer and the mobility measurement results. By using a mixed layer as the hole transport layer, it is possible not only to control the mobility, but also to dramatically increase the in-plane resistance by increasing the concentration of the material with low mobility, that is, HT27. Become.

Figure 0007159365000008
Figure 0007159365000008

図4は、正孔移動度と画素間リーク割合との関係を示したグラフである。ここで、表3の素子は、層厚が同じであるため、光学干渉条件で決定される消費電力は同等である。図4から正孔輸送層の移動度が大きくなるにつれ、画素間リーク割合が増加する傾向があることがわかる。特に、正孔移動度が2.5×10-3cm/V*secより大きくなると傾きが大きくなることがわかる。 FIG. 4 is a graph showing the relationship between the hole mobility and the inter-pixel leak ratio. Here, since the elements in Table 3 have the same layer thickness, the power consumption determined by the optical interference conditions is the same. From FIG. 4, it can be seen that as the mobility of the hole transport layer increases, the inter-pixel leakage ratio tends to increase. In particular, it can be seen that the slope increases when the hole mobility exceeds 2.5×10 −3 cm 2 /V*sec.

本検討の結果、正孔輸送層の移動度は2.5×10-3cm/V*sec以下が好ましいことがわかった。また、D114のように正孔輸送層の移動度が小さい場合、正孔輸送領域の層厚を大きくすることができる。ただし、移動度が低すぎると駆動電圧が上昇するので、それを考慮する範囲で層厚を大きくしてよい。正孔輸送層の層厚は10nm以下であることが好ましい。 As a result of this study, it was found that the mobility of the hole transport layer is preferably 2.5×10 −3 cm 2 /V*sec or less. Moreover, when the mobility of the hole transport layer is low like D114, the layer thickness of the hole transport region can be increased. However, if the mobility is too low, the driving voltage will increase, so the layer thickness may be increased within a range in which this is taken into account. The layer thickness of the hole transport layer is preferably 10 nm or less.

(実施例3)
本実施例においては、D112と、D115、D116との比較を行った。D115、D116は表4の通り、正孔輸送層の構成を異ならせた以外はD112と同じである。
(Example 3)
In this example, D112 was compared with D115 and D116. As shown in Table 4, D115 and D116 are the same as D112 except that the structure of the hole transport layer is different.

正孔輸送層と電子ブロック層の間に、正孔輸送層と電子ブロック層の混合層を挿入することで、エネルギ障壁が小さくなり、正孔蓄積が小さくなることが知られている。 It is known that inserting a mixed layer of a hole-transporting layer and an electron-blocking layer between the hole-transporting layer and the electron-blocking layer reduces the energy barrier and reduces the accumulation of holes.

この正孔蓄積の低下は、面内方向の抵抗低下要因になりうる。そこで、その混合層の効果を確かめるために、素子D112、D115及びD116の比較を行った。素子D115は正孔輸送材としてHT-37を5nm成膜後、HT-37とHT-27の50:50の混合層を5nm成膜したこと以外、D112と同じである。また、素子D116は正孔輸送材としてHT-37を5nm成膜し、混合正孔輸送層を成膜しなかったこと以外、D112と同じである。 This reduction in hole accumulation can be a factor in lowering the resistance in the in-plane direction. Therefore, in order to confirm the effect of the mixed layer, devices D112, D115 and D116 were compared. Device D115 is the same as D112 except that after forming a film of HT-37 as a hole transport material to a thickness of 5 nm, a mixed layer of HT-37 and HT-27 of 50:50 is formed to a thickness of 5 nm. Device D116 is the same as device D112, except that HT-37 is formed as a hole transport material to a thickness of 5 nm and the mixed hole transport layer is not formed.

Figure 0007159365000009
Figure 0007159365000009

表4をみると、正孔移動度が高いH37を有するD116は1.32と画素間リーク割合は高い。また、正孔輸送層と電子ブロック層の間にそれらの混合層を設けたD115は、リーク割合が1.81となった。 Looking at Table 4, D116 having H37 with high hole mobility has a high inter-pixel leakage ratio of 1.32. D115, in which a mixed layer of these was provided between the hole transport layer and the electron blocking layer, had a leak ratio of 1.81.

このことから、画素間リークの抵抗成分は、混合層によるエネルギ障壁の低下による正孔蓄積の低下によるのではなく、正孔輸送層及び電子ブロック層のバルク成分、つまり層厚が主に寄与していることがわかる。 From this, the resistance component of inter-pixel leakage is not due to the decrease in hole accumulation due to the decrease in the energy barrier due to the mixed layer, but the bulk component of the hole transport layer and the electron block layer, that is, the layer thickness, mainly contributes. It can be seen that

図5は、第一発光層の層厚と、隣接する有機EL素子へのリーク電流Ileakと意図した有機EL素子に流れた電流IOLEDとの比(Ileak/Ioled)と、の関係を表すグラフである。先のリーク電流の評価に基づき、Ileak/Ioledが0.35以下となる閾値を見積もると、第一発光層の層厚は35nm以下が好ましいことがわかる。 FIG. 5 shows the relationship between the layer thickness of the first light-emitting layer and the ratio (I leak /I oled ) of the leakage current I leak to the adjacent organic EL element and the current I OLED flowing through the intended organic EL element. It is a graph showing Based on the evaluation of the leakage current described above, when the threshold at which I leak /I oled is 0.35 or less is estimated, it is found that the thickness of the first light emitting layer is preferably 35 nm or less.

以上の通り、本発明によれば、隣り合う有機EL素子間のリーク電流が抑制され、かつ光学干渉を活用することで消費電力が低減された有機EL素子を提供できる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide an organic EL element in which leakage current between adjacent organic EL elements is suppressed and power consumption is reduced by utilizing optical interference.

1 基板
2 反射電極
3 絶縁層
4 有機化合物層
5 光取出し電極
6 封止層
7 カラーフィルタ
10 発光素子
1000 表示装置
1001 上部カバー
1002 フレキシブルプリント回路
1003 タッチパネル
1004 フレキシブルプリント回路
1005 表示パネル
1006 フレーム
1007 回路基板
1008 バッテリー
1009 下部カバー
1100 撮像装置
1101 ビューファインダ
1102 背面ディスプレイ
1103 操作部
1104 筐体
1200 電子機器
1201 表示部
1202 操作部
1203 筐体
1300 表示装置
1301 額縁
1302 表示部
1303 土台
1310 表示装置
1311 第一表示部
1312 第二表示部
1313 筐体
1314 屈曲点
1500 自動車
1501 テールランプ
1502 窓
1503 車体
REFERENCE SIGNS LIST 1 substrate 2 reflective electrode 3 insulating layer 4 organic compound layer 5 light extraction electrode 6 sealing layer 7 color filter 10 light emitting element 1000 display device 1001 upper cover 1002 flexible printed circuit 1003 touch panel 1004 flexible printed circuit 1005 display panel 1006 frame 1007 circuit board 1008 Battery 1009 Lower Cover 1100 Imaging Device 1101 Viewfinder 1102 Rear Display 1103 Operation Unit 1104 Housing 1200 Electronic Device 1201 Display Unit 1202 Operation Unit 1203 Housing 1300 Display Device 1301 Frame 1302 Display Unit 1303 Base 1310 First Display Device 1311 1312 second display unit 1313 housing 1314 bending point 1500 automobile 1501 tail lamp 1502 window 1503 vehicle body

Claims (27)

反射電極、正孔輸送領域、電子トラップ型の第一発光層、光取出し電極をこの順で有する有機EL素子であって、
前記正孔輸送領域の厚さと、前記第一発光層の厚さとの合計が、前記第一発光層が発する光を強める光学距離であり、
前記正孔輸送領域の厚さが、前記第一発光層の厚さよりも小さいことを特徴とする有機EL素子。
An organic EL device having a reflective electrode, a hole transport region, an electron trapping first light emitting layer, and a light extraction electrode in this order,
the sum of the thickness of the hole-transporting region and the thickness of the first light-emitting layer is an optical length that enhances the light emitted by the first light-emitting layer;
The organic EL device , wherein the thickness of the hole transport region is smaller than the thickness of the first light emitting layer .
前記正孔輸送領域のシート抵抗が、0.1nA/pixelにおいて、4.0×10The sheet resistance of the hole transport region is 4.0×10 at 0.1 nA/pixel 7 Ω/□であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。2. The organic EL element according to claim 1, which is Ω/□. 前記正孔輸送領域が、正孔輸送層と、電子ブロック層とを有し、
前記正孔輸送層の正孔移動度が2.5×10-3cm/V*sec以下であることを特徴とする請求項に記載の有機EL素子。
the hole-transporting region has a hole-transporting layer and an electron-blocking layer,
2. The organic EL device according to claim 1 , wherein the hole transport layer has a hole mobility of 2.5×10 −3 cm 2 /V*sec or less.
前記正孔輸送領域が、正孔輸送層と、電子ブロック層とを有し、
前記第一発光層の層厚をd(1st-EML)、前記正孔輸送層の層厚をd(HTL)、前記電子ブロック層の層厚をd(EBL)とする場合、下記式(3)を満たすことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機EL素子。
d(1st-EML) > d(HTL)+d(EBL) (3)
式(3)において、d(1st-EML)は前記第一発光層の層厚であり、d(HTL)及びd(EBL)はそれぞれ前記正孔輸送層及び電子ブロック層の層厚である。
the hole-transporting region has a hole-transporting layer and an electron-blocking layer,
When the layer thickness of the first emitting layer is d (1st-EML), the layer thickness of the hole transport layer is d (HTL), and the layer thickness of the electron blocking layer is d (EBL), the following formula (3 ), the organic EL element according to any one of claims 1 to 3 .
d(1st-EML) > d(HTL) + d(EBL) (3)
In formula (3), d(1st-EML) is the layer thickness of the first light-emitting layer, and d(HTL) and d(EBL) are the layer thicknesses of the hole-transporting layer and the electron-blocking layer, respectively.
前記正孔輸送領域が、正孔輸送層と、電子ブロック層とを有し、
前記正孔輸送層は、第一化合物と第二化合物との混合層を有し、
前記第一化合物の正孔移動度は前記第二化合物の正孔移動度よりも小さく、
前記第一化合物の重量と前記第二化合物の重量との合計を100wt%とした場合、前記第一化合物の重量比は前記第二化合物の重量比以上であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の有機EL素子。
the hole-transporting region has a hole-transporting layer and an electron-blocking layer,
The hole transport layer has a mixed layer of a first compound and a second compound,
The hole mobility of the first compound is lower than the hole mobility of the second compound,
1 to 1, wherein the weight ratio of the first compound is equal to or greater than the weight ratio of the second compound when the sum of the weight of the first compound and the weight of the second compound is 100 wt % . 5. The organic EL device according to any one of 4 .
前記第一化合物の重量比は、50wt%以上95wt%以下であることを特徴とする請求項に記載の有機EL素子。 6. The organic EL device according to claim 5 , wherein the weight ratio of said first compound is 50 wt % or more and 95 wt % or less. 前記第一化合物の正孔移動度が、1×10-3cm/V*sec以下であることを特徴とする請求項5または6に記載の有機EL素子。 7. The organic EL device according to claim 5 , wherein said first compound has a hole mobility of 1×10 −3 cm 2 /V*sec or less. 前記電子ブロック層は、前記正孔輸送層と前記第一発光層との間に配され、前記第一化合物を有することを特徴とする請求項5乃至7のいずれか一項に記載の有機EL素子。 8. The organic EL according to any one of claims 5 to 7 , wherein the electron blocking layer is disposed between the hole transport layer and the first light-emitting layer and contains the first compound. element. 前記混合層は、下記一般式[1]または下記一般式[2]で表される化合物から選ばれる2種類が混合されていることを特徴とする請求項5乃至8のいずれか一項に記載の有機EL素子。
Figure 0007159365000010

一般式[1]において、Ar乃至Arは、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の複素環基から、それぞれ独立に選ばれる。前記アリール基は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、スピロフルオレニル基から選ばれ、前記複素環基は、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基から選ばれる。
Figure 0007159365000011

一般式[2]において、Arは、置換あるいは無置換のアリール基である。前記アリール基は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ナフチル基のいずれかである。
Ar乃至Arは、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の複素環基から、それぞれ独立に選ばれる。前記アリール基は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、フェナンスレニル基、ピレニル基から選ばれる。前記複素環基は、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基から選ばれる。
9. The mixed layer according to any one of claims 5 to 8, wherein two types selected from compounds represented by the following general formula [1] or the following general formula [2] are mixed. organic EL element.
Figure 0007159365000010

In general formula [1], Ar 1 to Ar 3 are each independently selected from a substituted or unsubstituted aryl group and a substituted or unsubstituted heterocyclic group. The aryl group is selected from phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, fluorenyl group, naphthyl group and spirofluorenyl group, and the heterocyclic group is dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, thiophenyl group and furanyl group. group, carbazolyl group.
Figure 0007159365000011

In general formula [2], Ar 4 is a substituted or unsubstituted aryl group. The aryl group is any one of a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a fluorenyl group, a dibenzofuranyl group, a dibenzothiophenyl group and a naphthyl group.
Ar 5 to Ar 8 are each independently selected from substituted or unsubstituted aryl groups and substituted or unsubstituted heterocyclic groups. The aryl group is selected from a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a fluorenyl group, a phenanthrenyl group and a pyrenyl group. The heterocyclic group is selected from a dibenzofuranyl group, a dibenzothiophenyl group, a thiophenyl group, a furanyl group and a carbazolyl group.
前記混合層は、前記一般式[2]で表される化合物を2種類有することを特徴とする請求項に記載の有機EL素子。 10. The organic EL element according to claim 9 , wherein the mixed layer has two kinds of compounds represented by the general formula [2]. 前記混合層の層厚が10nm未満であることを特徴とする請求項に記載の有機EL素子。 6. The organic EL device according to claim 5 , wherein the mixed layer has a layer thickness of less than 10 nm. 前記混合層の層厚が5nm以下であることを特徴とする請求項11に記載の有機EL素子。 12. The organic EL device according to claim 11 , wherein the mixed layer has a layer thickness of 5 nm or less. 前記反射電極に接する正孔注入層をさらに有し、前記正孔注入層は、電子親和力が5.0eV以上の化合物を有することを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一項に記載の有機EL素子。 13. The method according to any one of claims 1 to 12 , further comprising a hole injection layer in contact with the reflective electrode, wherein the hole injection layer contains a compound having an electron affinity of 5.0 eV or more. Organic EL device. 前記第一発光層と、前記光取出し電極との間に配置されている第二発光層をさらに有することを特徴とする請求項1乃至13のいずれか一項に記載の有機EL素子。 14. The organic EL element according to any one of claims 1 to 13 , further comprising a second light emitting layer arranged between the first light emitting layer and the light extraction electrode. 前記有機EL素子とは異なる他の有機EL素子を有し、
前記正孔輸送領域が前記有機EL素子から前記他の有機EL素子に連続して配されていることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか一項に記載の有機EL素子。
Having another organic EL element different from the organic EL element,
15. The organic EL element according to any one of claims 1 to 14, wherein the hole transport region is arranged continuously from the organic EL element to the other organic EL element.
反射電極、正孔輸送領域、電子トラップ型の第一発光層、光取出し電極をこの順で有する有機EL素子であって、
前記反射電極と、前記第一発光層の前記光取出し電極側の端部と、の距離が、前記第一発光層が発する光を強め合わせる距離であり、
前記正孔輸送領域の厚さが、前記第一発光層の厚さよりも小さいことを特徴とする有機EL素子。
An organic EL device having a reflective electrode, a hole transport region, an electron trapping first light emitting layer, and a light extraction electrode in this order,
the distance between the reflective electrode and the end portion of the first light-emitting layer on the side of the light extraction electrode is a distance that enhances the light emitted by the first light-emitting layer ;
The organic EL device , wherein the thickness of the hole transport region is smaller than the thickness of the first light emitting layer .
前記正孔輸送領域が、正孔輸送層を有し、
前記正孔輸送層は、第一化合物と、前記第一化合物よりもHOMOが高い第二化合物とを有することを特徴とする請求項16に記載の有機EL素子。
the hole-transporting region has a hole-transporting layer;
17. The organic EL device according to claim 16 , wherein the hole transport layer comprises a first compound and a second compound having a higher HOMO than the first compound.
前記正孔輸送層は、前記第一化合物と前記第二化合物との混合層であることを特徴とする請求項17に記載の有機EL素子。 18. The organic EL device according to claim 17 , wherein the hole transport layer is a mixed layer of the first compound and the second compound. 前記第一化合物の重量と前記第二化合物の重量との合計を100wt%とした場合、前記第一化合物の重量比は前記第二化合物の重量比以上であることを特徴とする請求項18に記載の有機EL素子。 19. When the sum of the weight of the first compound and the weight of the second compound is 100 wt %, the weight ratio of the first compound is equal to or greater than the weight ratio of the second compound. The described organic EL device. 前記第一化合物の重量比は、50wt%以上95wt%以下であることを特徴とする請求項19に記載の有機EL素子。 20. The organic EL device according to claim 19 , wherein the weight ratio of said first compound is 50 wt% or more and 95 wt% or less. 前記混合層の層厚が5nm以下であることを特徴とする請求項18乃至20のいずれか一項に記載の有機EL素子。 21. The organic EL element according to any one of claims 18 to 20 , wherein the mixed layer has a layer thickness of 5 nm or less. 前記有機EL素子とは異なる他の有機EL素子を有し、
前記正孔輸送層が前記有機EL素子から前記他の有機EL素子に連続して配されていることを特徴とする請求項17乃至21のいずれか一項に記載の有機EL素子。
Having another organic EL element different from the organic EL element,
22. The organic EL element according to any one of claims 17 to 21 , wherein the hole transport layer is arranged continuously from the organic EL element to the other organic EL element.
前記第一発光層と、前記光取出し電極との間に配置されている第二発光層をさらに有することを特徴とする請求項16乃至22のいずれか一項に記載の有機EL素子。 23. The organic EL element according to any one of claims 16 to 22 , further comprising a second light emitting layer arranged between said first light emitting layer and said light extraction electrode. 請求項1乃至23のいずれか一項に記載の発光装置と、前記発光装置に接続されている能動素子とを有することを特徴とする表示装置。 24. A display device comprising a light emitting device according to any one of claims 1 to 23 and an active element connected to the light emitting device. 複数のレンズを有する光学系と、前記光学系を通過した光を受光する撮像素子とを有する撮像装置であって、
前記撮像装置は、撮像素子が取得した情報を表示する表示部を有し、前記表示部は請求項1乃至23のいずれか一項に記載の発光装置を有することを特徴とする撮像装置。
An imaging device having an optical system having a plurality of lenses and an imaging device that receives light that has passed through the optical system,
24. An imaging apparatus, comprising: a display section for displaying information acquired by an imaging device, the display section comprising the light emitting device according to claim 1 .
請求項1乃至23のいずれか一項に記載の発光装置を有する灯具と、前記灯具が設けられた機体と、を有することを特徴とする移動体。 A moving object comprising: a lamp having the light emitting device according to any one of claims 1 to 23 ; and a body provided with the lamp. 請求項1乃至23のいずれか一項に記載の発光装置を有する光源と、前記光源の光取出し側に設けられている光学フィルムとを有することを特徴とする照明装置。 24. An illumination device comprising: a light source having the light emitting device according to claim 1 ; and an optical film provided on a light extraction side of the light source.
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