JP7151051B2 - バッテリ管理システム - Google Patents

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本出願は、２０１９年５月１４日付の韓国特許出願第１０－２０１９－００５６４５２号に基づく優先権の利益を主張し、上記韓国特許出願の文献に開示されたすべての内容は本明細書の一部として含まれる。

本開示は、バッテリ管理システムに関する。具体的には、セルバランシング制御のためのバッテリ管理システムに関する。

バッテリの状態をモニタリングし、バッテリの充放電を制御するバッテリ管理システム（Ｂａｔｔｅｒｙ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ｓｙｓｔｅｍ、以下、「ＢＭＳ」という）は、バッテリを構成する複数のセルの電圧を同様に維持するためにセルバランシング動作を制御する。複数のセル間の電圧差はセル劣化の原因になって寿命に影響を与え、複数のセルのうち他のセルのセル電圧と大きく異なるセルの劣化が加重し、このようなセルは過充電の原因になりかねない。

セルバランシング方法のうち、パッシブセルバランシング（ｐａｓｓｉｖｅ ｃｅｌｌ ｂａｌａｎｃｉｎｇ）方法は、他のセルとのセル電圧差が大きいセルに抵抗を連結し、上記セルから抵抗に電流（以下、「セルバランシング電流」という）を流す方法である。この時、セルバランシング電流が大きいほど、セルバランシング動作時間が減少しうる。

従来のＢＭＳの制御によりセルモニタリングＩＣを用いてセルバランシングを行う場合、セルモニタリングＩＣの機能によりセルバランシング電流が制限されて、セルバランシングに必要な時間を減少させるのに限界があった。

セルバランシング電流を調節できるバッテリ管理システムおよびこれを含むバッテリ装置を提供しようとする。

発明の一特徴による、複数のセルを含むバッテリセル組立体のバッテリ管理システムは、複数のセルのうち対応する第１セルの正極と負極との間に連結されている第１セルバランシング抵抗および第１セルバランシングスイッチと、第１セルの正極と負極との間に連結されている第２セルバランシング抵抗および第２セルバランシングスイッチとを含む。第１セルバランシングスイッチのオン期間に流れる第１セルバランシング電流が、第２セルバランシングスイッチのオン期間に流れる第２セルバランシング電流より大きい。

第１セルバランシング抵抗は、第１セルの正極と第１セルバランシングスイッチの一端との間に連結されている第１抵抗と、第１セルの負極と第１セルバランシングスイッチの他端との間に連結されている第２抵抗とを含むことができる。

第２セルバランシング抵抗は、第１セルの正極と第２セルバランシングスイッチの一端との間に連結されている第３抵抗と、第１セルの負極と第２セルバランシングスイッチの他端との間に連結されている第４抵抗とを含むことができる。

バッテリ管理システムは、第１セルと、第１セルに隣接する少なくとも１つのセルとの間の電圧差であるセル間の電圧差が第１基準電圧以上の時、第１セルバランシングスイッチおよび第２セルバランシングスイッチをすべてターンオンさせることができる。

バッテリ管理システムは、セル間の電圧差が第２基準電圧以上でかつ第１基準電圧未満の時、第１セルバランシングスイッチのみターンオンさせることができる。

バッテリ管理システムは、セル間の電圧差がセルバランシング閾値電圧以上でかつ第２基準電圧未満の時、第２セルバランシングスイッチのみターンオンさせることができる。

バッテリ管理システムは、第１セルバランシング抵抗の温度が基準温度以上でかつ、第２セルバランシング抵抗の温度が基準温度未満の時、第２セルバランシング抵抗を用いて第１セルのセルバランシングを制御することができる。

バッテリ管理システムは、第２セルバランシング抵抗の温度が基準温度以上でかつ、第１セルバランシング抵抗の温度が基準温度未満の時、第１セルバランシング抵抗を用いて第２セルのセルバランシングを制御することができる。

発明の他の特徴による複数のセルを含むバッテリセル組立体のバッテリ管理システムは、複数のセルに対応する複数の第１セルバランシングスイッチを含むセルモニタリングＩＣ－複数の第１セルバランシングスイッチは、複数の第１セルバランシング抵抗を介して複数のセルに連結されている－と、複数のセルに対応する複数の第２セルバランシングスイッチを含むセルバランシングＩＣ－複数の第２セルバランシングスイッチは、複数の第２セルバランシング抵抗を介して複数のセルに連結されている－と、複数のセルの複数のセル電圧に基づいて複数のセルそれぞれのセル間の電圧差を算出し、セル間の電圧差と第１基準電圧、第２基準電圧、およびセルバランシング閾値電圧を比較した結果に応じてセルバランシング対象セルを決定し、比較した結果に応じてセルモニタリングＩＣおよびセルバランシングＩＣの少なくとも１つを用いてセルバランシング動作を制御するメイン制御回路とを含む。複数のセルそれぞれのセル間の電圧差は、複数のセルそれぞれのセル電圧と複数のセルそれぞれに隣接した少なくとも１つのセル間の電圧差である。

複数の第１セルバランシングスイッチのうちターンオンされた第１セルバランシングスイッチを介して流れる第１セルバランシング電流が、複数の第２セルバランシングスイッチのうちターンオンされた第２セルバランシングスイッチを介して流れる第２セルバランシング電流より大きい。

メイン制御回路は、複数のセルの複数のセル間の電圧差のうち第１基準電圧以上であるセル間の電圧差を有するセルに連結されている第１セルバランシングスイッチおよび第２セルバランシングスイッチをすべてターンオンさせるようにセルモニタリングＩＣおよびセルバランシングＩＣを制御することができる。

メイン制御回路は、複数のセルの複数のセル間の電圧差のうち第２基準電圧以上でかつ第１基準電圧未満であるセル間の電圧差を有するセルに連結されている第１セルバランシングスイッチのみターンオンさせるようにセルモニタリングＩＣおよびセルバランシングＩＣを制御することができる。

メイン制御回路は、複数のセルの複数のセル間の電圧差のうちセルバランシング閾値電圧以上でかつ第２基準電圧未満であるセル間の電圧差を有するセルに連結されている第２セルバランシングスイッチのみターンオンさせるようにセルモニタリングＩＣおよびセルバランシングＩＣを制御することができる。

メイン制御回路は、複数の第１セルバランシング抵抗のうち基準温度以上である第１セルバランシング抵抗に連結されている第１セルに対して、第１セルに連結されている第２セルバランシング抵抗を用いて第１セルのセルバランシングを行うようにセルモニタリングＩＣおよびセルバランシングＩＣを制御することができる。

メイン制御回路は、複数の第２セルバランシング抵抗のうち基準温度以上である第２セルバランシング抵抗に連結されている第１セルに対して、第１セルに連結されている第１セルバランシング抵抗を用いて第１セルのセルバランシングを行うようにセルモニタリングＩＣおよびセルバランシングＩＣを制御することができる。

セルバランシング電流を調節してセルバランシングの精度を改善し、セルバランシング動作時間を短縮させることができるバッテリ管理システムおよびバッテリ装置を提供する。

一実施例によるバッテリ装置を示す図である。 一実施例によるセルモニタリングＩＣとバッテリセル組立体との間の第１連結回路を示す図である。 一実施例によるセルバランシングＩＣとバッテリセル組立体との間の第２連結回路を示す図である。 一実施例によるセルバランシングＩＣの一部の構成を示す図である。 一実施例によるセルモニタリングＩＣの一部の構成を示す図である。 一実施例によるセルモニタリングＩＣおよびバッテリセル組立体の連結関係を示す一部の構成を示す図である。 一実施例によるセルバランシングＩＣおよびバッテリセル組立体の連結関係を示す一部の構成を示す図である。 一実施例によるメイン制御回路のセル間の電圧差に応じたセルバランシング制御方法を示すフローチャートである。 一実施例によるメイン制御回路のセルバランシング抵抗の温度に応じたセルバランシング制御方法を示すフローチャートである。

本発明の一実施例によるバッテリ管理システムは、セルモニタリングＩＣと共にセルバランシングＩＣをさらに含み、セルバランシングＩＣは、セルモニタリングＩＣのセルバランシング電流（以下、「第１セルバランシング電流」という）と、他のセルバランシング電流（以下、「第２セルバランシング電流」という）とを提供する。複数のセルのうち１つのセルと上記１つのセルに隣接したセルとの間の電圧差（以下、「セル間の電圧差」という）が所定のセルバランシング閾値電圧以上の時、少なくとも２つの第１基準電圧および第２基準電圧と比較した結果に応じて、第１セルバランシング電流および第２セルバランシング電流の少なくとも１つを用いて上記セル（以下、セルバランシング対象セル）に対するセルバランシング動作を行うことができる。第１セルバランシング電流が、第２セルバランシング電流より大きい電流であり得る。

この時、セル電圧差だけでなく、セルモニタリングＩＣのセルバランシングのための抵抗（以下、第１セルバランシング抵抗という）およびセルバランシングＩＣのセルバランシングのための抵抗（以下、第２セルバランシング抵抗という）それぞれの温度に応じて、第１セルバランシング電流および第２セルバランシング電流のうちの１つのみを用いてセルバランシング動作を行うこともできる。

以下、添付した図面を参照して、本明細書に開示された実施例を詳細に説明し、同一または類似の構成要素には同一、類似の図面符号を付し、これに関する重複する説明は省略する。以下の説明で使用される構成要素に対する接尾辞「モジュール」および／または「部」は、明細書作成の容易さだけが考慮されて付与または混用されるものであって、それ自体で互いに区別される意味または役割を有するものではない。また、本明細書に開示された実施例を説明するにあたり、かかる公知の技術に関する具体的な説明が本明細書に開示された実施例の要旨をあいまいにしうると判断された場合、その詳細な説明を省略する。さらに、添付した図面は、本明細書に開示された実施例を容易に理解できるようにするためのものに過ぎず、添付した図面によって本明細書に開示された技術的な思想が制限されず、本発明の思想および技術範囲に含まれるあらゆる変更、均等物または代替物を含むことが理解されなければならない。

第１、第２などのような序数を含む用語は多様な構成要素を説明するのに用いられるが、構成要素は用語によって限定されない。用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的でのみ使用される。

ある構成要素が他の構成要素に「連結されて」いるか、または「接続されて」いると言及された場合には、その他の構成要素に直接的に連結されているか、または接続されていてもよいが、中間に他の構成要素が存在してもよいと理解されなければならない。これに対し、ある構成要素が他の構成要素に「直接連結されて」いるか、または「直接接続されて」いると言及された場合には、中間に他の構成要素が存在しないことが理解されなければならない。

本出願において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであって、１つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加の可能性を予め排除しないことが理解されなければならない。

図１は、一実施例によるバッテリ装置を示す図である。

図１に示されているように、バッテリ装置１は、バッテリセル組立体２と、ＢＭＳ３と、リレー１１と、シャント抵抗１２と、温度センサ１３とを含む。

バッテリセル組立体２は、複数のバッテリセルが直列／並列連結されて必要な電源を供給することができる。図１では、バッテリセル組立体２が直列連結されている複数のバッテリセルＣｅｌｌ１－Ｃｅｌｌｎを含み、バッテリ装置１の２つの出力端ＯＵＴ１、ＯＵＴ２の間に連結されており、バッテリ装置１の正極と出力端ＯＵＴ１との間にリレー１１が連結されており、バッテリ装置１の負極と出力端ＯＵＴ２との間にシャント抵抗１２が連結されている。図１に示された構成および構成間の連結関係は一例で、発明がこれに限定されるものではない。

リレー１１は、バッテリ装置１と負荷との間の電気的連結を制御する。リレー１１がオンされると、バッテリ装置１と負荷とが電気的に連結されて充電または放電が行われ、リレー１１がオフされると、バッテリ装置１と負荷とが電気的に分離される。

シャント抵抗１２は、バッテリセル組立体２と負荷（図示せず）との間の電流経路に直列連結されている。ＢＭＳ３は、シャント抵抗１２の両端の電圧を測定して、バッテリセル組立体２に流れる電流つまり、充電電流および放電電流を計算することができる。

温度センサ１３は、バッテリ装置１内の所定の位置、例えば、バッテリセル組立体２に隣接した領域に位置するか、バッテリセル組立体２に物理的に結合して位置することができる。温度センサ１３は、位置したところの温度を検知し、検知された温度を指示する情報をＢＭＳ３に伝送することができる。図１に示されていないが、温度センサ１３は、少なくとも２つ備えられ、第１セルバランシング抵抗および第２セルバランシング抵抗それぞれの温度を測定するか、第１セルバランシング抵抗および第２セルバランシング抵抗それぞれの温度を推定するための温度情報を提供することができる。第１セルバランシング抵抗は、セルモニタリングＩＣ１０と複数のセルＣｅｌｌ１－Ｃｅｌｌ８それぞれとの間に連結されていて、セルバランシングを行う時、第１セルバランシング電流が第１セルバランシング抵抗を介して流れる。第２セルバランシング抵抗は、セルバランシングＩＣ２０と複数のセルＣｅｌｌ１－Ｃｅｌｌ８それぞれとの間に連結されていて、セルバランシングを行う時、第２セルバランシング電流が第２セルバランシング抵抗を介して流れる。

ＢＭＳ３は、第１連結回路２１と、第２連結回路２２と、セルモニタリングＩＣ１０と、セルバランシングＩＣ２０と、メイン制御回路３０と、リレー駆動部４０とを含む。

セルモニタリングＩＣ１０とバッテリセル組立体２は、第１連結回路２１を介して電気的に連結されており、セルバランシングＩＣ２０とバッテリセル組立体２は、第２連結回路２２を介して電気的に連結されていてもよい。

セルモニタリングＩＣ１０は、第１連結回路２１を介して複数のセルそれぞれに電気的に連結されてセル電圧を測定し、シャント抵抗１２の両端の電圧に基づいてバッテリに流れる電流（以下、「バッテリ電流」という）を測定することができる。セルモニタリングＩＣ１０によって測定されたセル電圧およびバッテリ電流に関する情報は、インターフェース２３を介してメイン制御回路３０に伝送される。セルモニタリングＩＣ１０は、インターフェース２３を介してメイン制御回路３０から伝送されるセルバランシング制御信号（以下、「第１セルバランシング制御信号」という）により、複数のセルＣｅｌｌ１－Ｃｅｌｌｎのうちセルバランシングセルを、第１セルバランシング抵抗を用いて放電させることができる。

セルバランシングＩＣ２０は、第２連結回路２２を介して複数のセルそれぞれに電気的に連結されてセル電圧を測定し、シャント抵抗１２の両端の電圧に基づいてバッテリ電流を測定することができる。セルバランシングＩＣ２０によって測定されたセル電圧およびバッテリ電流に関する情報は、インターフェース２４を介してメイン制御回路３０に伝送される。セルバランシングＩＣ２０は、インターフェース２４を介してメイン制御回路３０から伝送されるセルバランシング制御信号（以下、「第２セルバランシング制御信号」という）により、複数のセルＣｅｌｌ１－Ｃｅｌｌｎのうちセルバランシングセルを、第２セルバランシング抵抗を用いて放電させることができる。

この他、セルモニタリングＩＣ１０およびセルバランシングＩＣ２０は、対応するインターフェース２３またはインターフェース２４を介してメイン制御回路３０から伝送される保護動作制御信号により、保護動作に必要な複数のセル制御動作を制御することができる。例えば、保護動作は、セルの過電圧による保護動作、セルの低電圧による保護動作、短絡回路による保護動作、過電流による保護動作などを含む。

メイン制御回路３０は、外部から、例えば、自動車のＥＣＵ５からウェイクアップ（Ｗａｋｅ－ｕｐ）信号を受信し、スリープ（ｓｌｅｅｐ）状態のセルバランシングＩＣ２０とセルモニタリングＩＣ１０を起動させることができる。また、セル側で一定水準以上の異常電圧がセルバランシングＩＣ２０およびセルモニタリングＩＣ１０の少なくともいずれか１つによって検知された時、ウェイクアップ信号がメイン制御回路３０に送信される。

メイン制御回路３０は、セルモニタリングＩＣ１０およびセルバランシングＩＣ２０からインターフェース２３およびインターフェース２４を介して受信される状態情報に基づいてリレー１１の動作を制御し、セルモニタリングＩＣ１０およびセルバランシングＩＣ２０の少なくとも１つを制御してセルバランシングを制御することができる。

具体的には、メイン制御回路３０は、受信した複数のセルＣｅｌｌ１－Ｃｅｌｌｎの複数のセル電圧に基づいて複数のセルそれぞれのセル間の電圧差を算出し、セル間の電圧差と第１基準電圧、第２基準電圧、およびセルバランシング閾値電圧を比較した結果に応じてセルバランシング対象セルを決定し、比較した結果に応じてセルモニタリングＩＣ１０およびセルバランシングＩＣ２０の少なくとも１つを用いてセルバランシング動作を制御する。

実施例によるセル間の電圧差は、複数のセルＣｅｌｌ１－Ｃｅｌｌｎのうち各セルのセル電圧と各セルに隣接した少なくとも１つのセル間の電圧差であり得る。例えば、各セルの上に隣接したセルおよび下に隣接したセルの少なくとも１つが隣接したセルであり得る。セルバランシングにおいて、隣接した２つのセル間の電圧差は、低い電圧セルを基準として特定可能である。

メイン制御回路３０は、セル間の電圧差が第１基準電圧以上の時、第１基準電圧以上であるセル間の電圧差を有するセルに連結されている第１セルバランシングスイッチおよび第２セルバランシングスイッチをすべてターンオンさせるようにセルモニタリングＩＣ１０およびセルバランシングＩＣ２０を制御することができる。メイン制御回路３０は、第２基準電圧以上でかつ第１基準電圧未満であるセル間の電圧差を有するセルに連結されている第１セルバランシングスイッチのみターンオンさせるようにセルモニタリングＩＣ１０およびセルバランシングＩＣ２０を制御することができる。メイン制御回路３０は、セルバランシング閾値電圧以上でかつ第２基準電圧未満であるセル間の電圧差を有するセルに連結されている第２セルバランシングスイッチのみターンオンさせるようにセルモニタリングＩＣ１０およびセルバランシングＩＣ２０を制御することができる。

また、メイン制御回路３０は、複数の第１セルバランシング抵抗のうち基準温度以上である第１セルバランシング抵抗に連結されている第１セルに対して、第１セルに連結されている第２セルバランシング抵抗を用いて第１セルのセルバランシングを行うようにセルモニタリングＩＣ１０およびセルバランシングＩＣ２０を制御することができる。さらに、メイン制御回路３０は、複数の第２セルバランシング抵抗のうち基準温度以上である第２セルバランシング抵抗に連結されている第１セルに対して、第１セルに連結されている第１セルバランシング抵抗を用いて第１セルのセルバランシングを行うようにセルモニタリングＩＣ１０およびセルバランシングＩＣ２０を制御することができる。

セルバランシングに関連し、メイン制御回路３０は、セルモニタリングＩＣ１０およびセルバランシングＩＣ２０を制御するために第１セルバランシング制御信号および第２セルバランシング制御信号を伝送することができる。

また、メイン制御回路３０は、状態情報に基づいてセルの過電圧、セルの低電圧、短絡回路、過電流などの異常状態が発生したと判断すれば、発生した異常状態に対応する保護動作を駆動させるための保護動作制御信号を生成してセルモニタリングＩＣ１０およびセルバランシングＩＣ２０に伝送することができる。そして、メイン制御回路３０は、ＥＣＵ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ）５とＣＡＮ通信によりバッテリ装置１に関する情報を伝送し、ＥＣＵからバッテリ装置１の運用に関連する指示を受信し、これによってリレー１１、セルモニタリングＩＣ１０、およびセルバランシングＩＣ２０を制御することができる。

図１を参照して、一実施例によるバッテリ装置１の構成について説明し、各構成については図２～図７を参照して後述する。

図２は、一実施例によるセルモニタリングＩＣとバッテリセル組立体との間の第１連結回路を示す図である。

図２には、バッテリセル組立体２は、８つのセルＣｅｌｌ１－Ｃｅｌｌ８が直列連結されたものとして示されているが、発明がこれに限定されるものではない。図２にて、第１セルバランシング抵抗は、２つのセルバランシング抵抗ＲＢ１、ＲＢ２を含む。温度センサ１３は、抵抗ＲＢ１、ＲＢ２に隣接して位置した温度センサを含むことができる。

第１連結回路２１は、複数の抵抗ＲＣ１、ＲＣ２と、複数のセルバランシング抵抗ＲＢ１、ＲＢ２と、複数のキャパシタＣ１１－Ｃ１９と、Ｃ２１－Ｃ２８と、を含む。セルモニタリングＩＣ１０は、セル電圧センシングのための複数の端子ＶＣ０－ＶＣ８と、セルバランシングのための複数の端子ＣＢ１Ｈ－ＣＢ８Ｈと、ＣＢ１Ｌ－ＣＢ８Ｌと、を含む。

図２にて、セルＣｅｌｌｉの正極と端子ＶＣｉとの間に２つの抵抗ＲＣ１、ＲＣ２が直列連結されている。あるいは、セルＣｅｌｌｉの負極と端子ＶＣｉ－１との間に２つの抵抗ＲＣ１、ＲＣ２が直列連結されている。（ｉは１から８までの自然数の１つ）

具体的には、端子ＶＣ８は、セルＣｅｌｌ８の正極に２つの抵抗ＲＣ１、ＲＣ２を介して連結されている。端子ＶＣ７は、セルＣｅｌｌ８の負極とセルＣｅｌｌ７の正極とが連結されたノードに２つの抵抗ＲＣ１、ＲＣ２を介して連結されている。端子ＶＣ６は、セルＣｅｌｌ７の負極とセルＣｅｌｌ６の正極とが連結されたノードに２つの抵抗ＲＣ１、ＲＣ２を介して連結されている。端子ＶＣ５は、セルＣｅｌｌ６の負極とセルＣｅｌｌ５の正極とが連結されたノードに２つの抵抗ＲＣ１、ＲＣ２を介して連結されている。端子ＶＣ４は、セルＣｅｌｌ５の負極とセルＣｅｌｌ４の正極とが連結されたノードに２つの抵抗ＲＣ１、ＲＣ２を介して連結されている。端子ＶＣ３は、セルＣｅｌｌ４の負極とセルＣｅｌｌ３の正極とが連結されたノードに２つの抵抗ＲＣ１、ＲＣ２を介して連結されている。端子ＶＣ２は、セルＣｅｌｌ３の負極とセルＣｅｌｌ２の正極とが連結されたノードに２つの抵抗ＲＣ１、ＲＣ２を介して連結されている。端子ＶＣ１は、セルＣｅｌｌ２の負極とセルＣｅｌｌ１の正極とが連結されたノードに２つの抵抗ＲＣ１、ＲＣ２を介して連結されている。端子ＶＣ０は、セルＣｅｌｌ１の負極に２つの抵抗ＲＣ１、ＲＣ２を介して連結されている。

図２にて、セルＣｅｌｌｉの正極と端子ＣＢｉＨとの間にセルバランシング抵抗ＲＢ１が連結されており、セルＣｅｌｌｉの負極と端子ＣＢｉＬとの間にセルバランシング抵抗ＲＢ２が直列連結されている。（ｉは１から８までの自然数の１つ）

具体的には、端子ＣＢ８Ｈは、セルＣｅｌｌ８の正極にセルバランシング抵抗ＲＢ１を介して連結されており、端子ＣＢ８Ｌは、セルＣｅｌｌ８の負極にセルバランシング抵抗ＲＢ２を介して連結されている。端子ＣＢ７Ｈは、セルＣｅｌｌ７の正極とセルバランシング抵抗ＲＢ１を介して連結されており、端子ＣＢ７Ｌは、セルＣｅｌｌ７の負極にセルバランシング抵抗ＲＢ２を介して連結されている。端子ＣＢ６Ｈは、セルＣｅｌｌ６の正極とセルバランシング抵抗ＲＢ１を介して連結されており、端子ＣＢ６Ｌは、セルＣｅｌｌ６の負極にセルバランシング抵抗ＲＢ２を介して連結されている。端子ＣＢ５Ｈは、セルＣｅｌｌ５の正極とセルバランシング抵抗ＲＢ１を介して連結されており、端子ＣＢ５Ｌは、セルＣｅｌｌ５の負極にセルバランシング抵抗ＲＢ２を介して連結されている。端子ＣＢ４Ｈは、セルＣｅｌｌ４の正極とセルバランシング抵抗ＲＢ１を介して連結されており、端子ＣＢ４Ｌは、セルＣｅｌｌ４の負極にセルバランシング抵抗ＲＢ２を介して連結されている。端子ＣＢ３Ｈは、セルＣｅｌｌ３の正極とセルバランシング抵抗ＲＢ１を介して連結されており、端子ＣＢ３Ｌは、セルＣｅｌｌ３の負極にセルバランシング抵抗ＲＢ２を介して連結されている。端子ＣＢ２Ｈは、セルＣｅｌｌ２の正極とセルバランシング抵抗ＲＢ１を介して連結されており、端子ＣＢ２Ｌは、セルＣｅｌｌ８の負極にセルバランシング抵抗ＲＢ２を介して連結されている。端子ＣＢ１Ｈは、セルＣｅｌｌ１の正極とセルバランシング抵抗ＲＢ１を介して連結されており、端子ＣＢ１Ｈは、セルＣｅｌｌ１の負極とセルバランシング抵抗ＲＢ２を介して連結されている。

複数のキャパシタＣ１１－Ｃ１９それぞれは、対応する２つの抵抗ＲＣ１、ＲＣ２の間の連結ノードとグラウンドとの間に形成され、複数のキャパシタＣ２１－Ｃ２８は、複数の端子ＶＣ０－ＶＣ８のうち対応する２つの端子の間に形成されている。

図３は、一実施例によるセルバランシングＩＣとバッテリセル組立体との間の第２連結回路を示す図である。

図３には、バッテリセル組立体２は、セルＣｅｌｌ１－Ｃｅｌｌ８が直列連結されたものとして示されているが、発明がこれに限定されるものではない。図３にて、第２セルバランシング抵抗は、２つのセルバランシング抵抗ＲＢ３、ＲＢ４を含む。温度センサ１３は、抵抗ＲＢ３、ＲＢ４に隣接して位置した温度センサを含むことができる。

第２連結回路２２は、複数の抵抗ＲＣ３、ＲＣ４と、複数のセルバランシング抵抗ＲＢ３、ＲＢ４と、複数のキャパシタＣ３１－Ｃ３９と、Ｃ４１－Ｃ４８と、を含む。セルバランシングＩＣ２０は、セル電圧センシングのための複数の端子ｖｃ０－ｖｃ８と、セルバランシングのための複数の端子ｃｂ１ｈ－ｃｂ８ｈと、ｃｂ１ｌ－ｃｂ８ｌと、を含む。図３にて、セルＣｅｌｌｉの正極と端子ｖｃｉとの間に２つの抵抗ＲＣ３、ＲＣ４が直列連結されている。あるいは、セルＣｅｌｌｉの負極と端子ｖｃｉ－１との間に２つの抵抗ＲＣ３、ＲＣ４が直列連結されている。（ｉは１から８までの自然数の１つ）

具体的には、端子ｖｃ８は、セルＣｅｌｌ８の正極に２つの抵抗ＲＣ３、ＲＣ４を介して連結されている。端子ｖｃ７は、セルＣｅｌｌ８の負極とセルＣｅｌｌ７の正極とが連結されたノードに２つの抵抗ＲＣ３、ＲＣ４を介して連結されている。端子ｖｃ６は、セルＣｅｌｌ７の負極とセルＣｅｌｌ６の正極とが連結されたノードに２つの抵抗ＲＣ３、ＲＣ４を介して連結されている。端子ｖｃ５は、セルＣｅｌｌ６の負極とセルＣｅｌｌ５の正極とが連結されたノードに２つの抵抗ＲＣ３、ＲＣ４を介して連結されている。端子ｖｃ４は、セルＣｅｌｌ５の負極とセルＣｅｌｌ４の正極とが連結されたノードに２つの抵抗ＲＣ３、ＲＣ４を介して連結されている。端子ｖｃ３は、セルＣｅｌｌ４の負極とセルＣｅｌｌ３の正極とが連結されたノードに２つの抵抗ＲＣ３、ＲＣ４を介して連結されている。端子ｖｃ２は、セルＣｅｌｌ３の負極とセルＣｅｌｌ２の正極とが連結されたノードに２つの抵抗ＲＣ３、ＲＣ４を介して連結されている。端子ｖｃ１は、セルＣｅｌｌ２の負極とセルＣｅｌｌ１の正極とが連結されたノードに２つの抵抗ＲＣ３、ＲＣ４を介して連結されている。端子ｖｃ０は、セルＣｅｌｌ１の負極に２つの抵抗ＲＣ３、ＲＣ４を介して連結されている。

図３にて、セルＣｅｌｌｉの正極と端子ｃｂｉｈとの間にセルバランシング抵抗ＲＢ３が連結されており、セルＣｅｌｌｉの負極と端子ｃｂｉｌとの間にセルバランシング抵抗ＲＢ２が直列連結されている。（ｉは１から８までの自然数の１つ）

具体的には、端子ｃｂ８ｈは、セルＣｅｌｌ８の正極にセルバランシング抵抗ＲＢ３を介して連結されており、端子ｃｂ８ｌは、セルＣｅｌｌ８の負極にセルバランシング抵抗ＲＢ４を介して連結されている。端子ｃｂ７ｈは、セルＣｅｌｌ７の正極とセルバランシング抵抗ＲＢ３を介して連結されており、端子ｃｂ７ｌは、セルＣｅｌｌ７の負極にセルバランシング抵抗ＲＢ４を介して連結されている。端子ｃｂ６ｈは、セルＣｅｌｌ６の正極とセルバランシング抵抗ＲＢ３を介して連結されており、端子ｃｂ６ｌは、セルＣｅｌｌ６の負極にセルバランシング抵抗ＲＢ４を介して連結されている。端子ｃｂ５ｈは、セルＣｅｌｌ５の正極とセルバランシング抵抗ＲＢ３を介して連結されており、端子ｃｂ５ｌは、セルＣｅｌｌ５の負極にセルバランシング抵抗ＲＢ４を介して連結されている。端子ｃｂ４ｈは、セルＣｅｌｌ４の正極とセルバランシング抵抗ＲＢ３を介して連結されており、端子ｃｂ４ｌは、セルＣｅｌｌ４の負極にセルバランシング抵抗ＲＢ４を介して連結されている。端子ｃｂ３ｈは、セルＣｅｌｌ３の正極とセルバランシング抵抗ＲＢ３を介して連結されており、端子ｃｂ３ｌは、セルＣｅｌｌ３の負極にセルバランシング抵抗ＲＢ４を介して連結されている。端子ｃｂ２ｈは、セルＣｅｌｌ２の正極とセルバランシング抵抗ＲＢ３を介して連結されており、端子ｃｂ２ｌは、セルＣｅｌｌ８の負極にセルバランシング抵抗ＲＢ４を介して連結されている。端子ｃｂ１ｈは、セルＣｅｌｌ１の正極とセルバランシング抵抗ＲＢ３を介して連結されており、端子ｃｂ１ｈは、セルＣｅｌｌ１の負極とセルバランシング抵抗ＲＢ４を介して連結されている。

複数のキャパシタＣ３１－Ｃ３９それぞれは、対応する２つの抵抗ＲＣ３、ＲＣ４の間の連結ノードとグラウンドとの間に形成され、複数のキャパシタＣ４１－Ｃ４８は、複数の端子ｖｃ０－ｖｃ８のうち対応する２つの端子の間に形成されている。

図４は、一実施例によるセルバランシングＩＣの一部の構成を示す図である。

セルバランシングＩＣ２０は、複数のセルバランシングスイッチ１０１－１０８と、セルバランシング制御部１００とを含むことができる。複数のセルバランシングスイッチ１０１－１０８それぞれは、対応する２つの端子の間に連結されており、対応するゲート信号によりスイッチング動作することができる。

セルバランシング制御部１００は、メイン制御回路３０から受信したセルバランシング制御信号によりセルバランシングセルに連結されたセルバランシングスイッチをターンオンさせる。セルバランシングスイッチのオン期間もセルバランシング制御信号によることができる。

複数のセルバランシングスイッチ１０１－１０８それぞれ１０ｉは、端子ｃｂｉｈに連結された一端および端子ｃｂｉｌに連結された他端を含み、対応するゲート信号ＶＧｉによりスイッチング動作する。セルバランシングスイッチ１０ｉがターンオンされると、セルＣｅｌｌｉとセルバランシング抵抗ＲＢ３、ＲＢ４とが放電経路を形成してセルＣｅｌｌｉが放電される。（ｉは１から８までの自然数）

図４に示されたセルバランシングスイッチ１０１－１０８およびセルバランシング制御部１００は、セルモニタリングＩＣ１０にも適用可能である。この場合、セルバランシングスイッチ１０１－１０８およびセルバランシング制御部１００は、図４に示された複数の端子ｃｂ１ｈ－ｃｂ８ｈ、ｃｂ１ｌ－ｃｂ８ｌの代わりに、複数の端子ＣＢ１Ｈ－ＣＢ８Ｈ、ＣＢ１Ｌ－ＣＢ８Ｌに適用可能である。

図５は、一実施例によるセルモニタリングＩＣの一部の構成を示す図である。

セルモニタリングＩＣ１０は、セル電圧測定回路２００を含むことができる。セル電圧測定回路２００は、複数の端子ＶＣ８－ＶＣ０のうち隣接する２つの端子の間の電圧を測定し、測定されたセル電圧を指示する情報を、インターフェース２３を介してメイン制御回路３０に伝送することができる。端子ＶＣｉと端子ＶＣｉ－１との間の電圧は、セルＣｅｌｌｉのセル電圧である。（ｉは１から８までの自然数）

図５に示されたセル電圧測定回路２００は、セルバランシングＩＣ２０にも適用可能である。この場合、セル電圧測定回路２００は、図５に示された複数の端子ＣＢ１Ｈ－ＣＢ８Ｈ、ＣＢ１Ｌ－ＣＢ８Ｌの代わりに、複数の端子ｃｂ１ｈ－ｃｂ８ｈ、ｃｂ１ｌ－ｃｂ８ｌに適用可能である。

具体的には、図６および図７を参照して、セル、セルバランシング抵抗、およびセルバランシングスイッチの間の連結関係を説明する。

図６は、一実施例によるセルモニタリングＩＣおよびバッテリセル組立体の連結関係を示す一部の構成を示す図である。

図６には、セルＣｅｌｌ５に連結された複数の抵抗ＲＣ１、ＲＣ２、セルバランシング抵抗ＲＢ１、ＲＢ２、セルバランシングスイッチ３０５、セルバランシング制御部３００、およびセル電圧測定回路２００が示されている。

セルＣｅｌｌ５の正極と端子ＶＣ５との間に抵抗ＲＣ１、ＲＣ２が直列連結されており、端子ＶＣ５を介してセルＣｅｌｌ５の正極電圧（またはＣｅｌｌ６の負極電圧）がセル電圧測定回路２００に伝達される。セルＣｅｌｌ５の正極と端子ＣＢ５Ｈとの間に抵抗ＲＢ１が連結されており、セルバランシングスイッチ３０５の一端は端子ＣＢ５Ｈに連結されており、セルＣｅｌｌ５の負極と端子ＣＢ５Ｌとの間に抵抗ＲＢ２が連結されており、セルバランシングスイッチ３０５の他端は端子ＣＢ５Ｌに連結されている。セルバランシングスイッチ３０５は、セルバランシング制御部３００から供給されるゲート信号ＶＧ５によりスイッチング動作する。

セルＣｅｌｌ５の負極と端子ＶＣ４との間に抵抗ＲＣ１、ＲＣ２が直列連結されており、端子ＶＣ４を介してセルＣｅｌｌ５の負極電圧（またはＣｅｌｌ４の正極電圧）がセル電圧測定回路２００に伝達される。

セルバランシングスイッチ３０５がターンオンされると、セルＣｅｌｌ５、セルバランシング抵抗ＲＢ１、セルバランシングスイッチ３０５、およびセルバランシング抵抗ＲＢ２から構成された放電経路ＢＰ１に沿ってセルＣｅｌｌ５が放電される。

図７は、一実施例によるセルバランシングＩＣおよびバッテリセル組立体の連結関係を示す一部の構成を示す図である。

図７には、セルＣｅｌｌ５に連結された複数の抵抗ＲＣ３、ＲＣ４、セルバランシング抵抗ＲＢ３、ＲＢ４、セルバランシングスイッチ１０５、セルバランシング制御部１００、およびセル電圧測定回路４００が示されている。

セルＣｅｌｌ５の正極と端子ｖｃ５との間に抵抗ＲＣ３、ＲＣ４が直列連結されており、端子ｖｃ５を介してセルＣｅｌｌ５の正極電圧（またはＣｅｌｌ６の負極電圧）がセル電圧測定回路４００に伝達される。セルＣｅｌｌ５の正極と端子ｃｂ５ｈとの間に抵抗ＲＢ３が連結されており、セルバランシングスイッチ１０５の一端は端子ｃｂ５ｈに連結されており、セルＣｅｌｌ５の負極と端子ｃｂ５ｌとの間に抵抗ＲＢ４が連結されており、セルバランシングスイッチ１０５の他端は端子ｃｂ５ｌに連結されている。セルバランシングスイッチ１０５は、セルバランシング制御部１００から供給されるゲート信号ＶＧ５によりスイッチング動作する。

セルＣｅｌｌ５の負極と端子ｖｃ４との間に抵抗ＲＣ３、ＲＣ４が直列連結されており、端子ｖｃ４を介してセルＣｅｌｌ５の負極電圧（またはＣｅｌｌ４の正極電圧）がセル電圧測定回路４００に伝達される。

セルバランシングスイッチ１０５がターンオンされると、セルＣｅｌｌ５、セルバランシング抵抗ＲＢ３、セルバランシングスイッチ１０５、およびセルバランシング抵抗ＲＢ４から構成された放電経路ＢＰ２に沿ってセルＣｅｌｌ５が放電される。

図８は、一実施例によるメイン制御回路のセル間の電圧差に応じたセルバランシング制御方法を示すフローチャートである。

まず、メイン制御回路３０は、複数のセルそれぞれに対するセル間の電圧差を計算する。セル間の電圧差は、複数のセルそれぞれに隣接した２つのセルの少なくとも１つのセル電圧との電圧差を意味することができる（Ｓ１）。

メイン制御回路３０は、セル間の電圧差と第１基準電圧（例えば、１Ｖ）とを比較し（Ｓ２）、比較の結果、セル間の電圧差が第１基準電圧以上であるセルをセルバランシング対象セルに選定し、セルモニタリングＩＣ１０およびセルバランシングＩＣ２０ともがセルバランシング動作を行うように制御する（Ｓ３）。つまり、セルモニタリングＩＣ１０およびセルバランシングＩＣ２０において上記セルに連結された第１セルバランシング抵抗ＲＢ１、ＲＢ２および第２セルバランシング抵抗ＲＢ３、ＲＢ４を介して第１セルバランシング電流（例えば、１００ｍＡ）および第２セルバランシング電流（例えば、６０ｍＡ）が流れる。

Ｓ２段階で、セル間の電圧差が第１基準電圧未満の場合、メイン制御回路３０は、セル間の電圧差と第２基準電圧（例えば、０．５Ｖ）とを比較し（Ｓ４）、比較の結果、セル間の電圧差が第１基準電圧未満でかつ第２基準電圧以上であるセルをセルバランシング対象セルに選定し、セルモニタリングＩＣ１０のみセルバランシング動作を行うように制御する（Ｓ５）。つまり、セルモニタリングＩＣ１０において上記セルに連結された第１セルバランシング抵抗ＲＢ１、ＲＢ２を介して第１セルバランシング電流が流れる。

Ｓ４段階で、セル間の電圧差が第２基準電圧未満の場合、メイン制御回路３０は、セル間の電圧差とセルバランシング閾値電圧とを比較し（Ｓ６）、比較の結果、セル間の電圧差がセルバランシング閾値電圧以上であるセルをセルバランシング対象セルに選定し、セルバランシングＩＣ２０のみセルバランシング動作を行うように制御する（Ｓ７）。つまり、セルバランシングＩＣ２０において上記セルに連結された第２セルバランシング抵抗ＲＢ３、ＲＢ４を介して第２セルバランシング電流が流れる。

Ｓ６段階の比較の結果、セル間の電圧差がセルバランシング閾値電圧より小さい場合は、セルバランシングが行われない（Ｓ８）。

同時に、メイン制御回路３０は、複数のセルそれぞれに対応する第１セルバランシング抵抗および第２セルバランシング抵抗それぞれの温度に応じてセルバランシング方法を異なって制御することができる。

図９は、一実施例によるメイン制御回路のセルバランシング抵抗の温度に応じたセルバランシング制御方法を示すフローチャートである。

メイン制御回路３０は、温度センサ１３から受信した測定値に応じて第１セルバランシング抵抗および第２セルバランシング抵抗それぞれの温度を算出する（Ｓ９）。

温度センサ１３が複数のセルそれぞれに連結されている第１セルバランシング抵抗および第２セルバランシング抵抗に隣接して位置する複数の温度センサを含む場合、メイン制御回路３０は、複数の温度センサそれぞれから測定値を受信して複数の第１セルバランシング抵抗および複数の第２セルバランシング抵抗それぞれの温度を算出することができる。

しかし、発明がこれに限定されるものではなく、温度センサ１３は、複数のセルのうち特定位置のセルまたは所定の間隔離隔している少なくとも２つのセルなどに連結されている第１セルバランシング抵抗および第２セルバランシング抵抗それぞれに隣接して位置する複数の温度センサを含むことができる。

メイン制御回路３０は、複数の第１セルバランシング抵抗および複数の第２セルバランシング抵抗それぞれの温度と基準温度（例えば、１００度）とを比較する（Ｓ１０）。以下、第１セルバランシング抵抗の温度を第１抵抗温度とし、第２セルバランシング抵抗の温度を第２抵抗温度とする。

段階Ｓ１０の比較の結果、第２抵抗温度が基準温度（例えば、１００度）以上でかつ、第１抵抗の温度が基準温度未満であれば、第１セルバランシング抵抗を介して第１セルバランシング電流を用いてセルバランシング対象セルを放電させる（Ｓ１１）。

段階Ｓ１０の比較の結果、第１抵抗温度が基準温度以上でかつ、第２抵抗温度が基準温度未満であれば、第２セルバランシング抵抗を介して第２セルバランシング電流を用いてセルバランシング対象セルを放電させる（Ｓ１２）。

セルバランシング対象セルを選定する方法は、図８に示されたフローチャートによることができる。

例えば、メイン制御回路３０は、セル間の電圧差が第１基準電圧以上の時、第１セルバランシング抵抗ＲＢ１、ＲＢ２および第２セルバランシング抵抗ＲＢ３、ＲＢ４を介して第１セルバランシング電流および第２セルバランシング電流を用いて上記セルを放電するようにセルモニタリングＩＣ１０およびセルバランシングＩＣ２０を制御する。ただし、この時、第１セルバランシング抵抗ＲＢ１、ＲＢ２の温度が基準温度以上であれば、第２セルバランシング抵抗ＲＢ３、ＲＢ４のみを用い、第２セルバランシング抵抗ＲＢ３、ＲＢ４の温度が基準温度以上であれば、第１セルバランシング抵抗ＲＢ１、ＲＢ２のみを用いるようにセルモニタリングＩＣ１０およびセルバランシングＩＣ２０を制御することができる。もし、第１セルバランシング抵抗ＲＢ１、ＲＢ２の温度が基準温度以上になってから低くなって基準温度未満になれば、第１セルバランシング抵抗ＲＢ１、ＲＢ２もセルバランシングに用いられる。同様に、第２セルバランシング抵抗ＲＢ３、ＲＢ４の温度が基準温度以上になってから低くなって基準温度未満になれば、第２セルバランシング抵抗ＲＢ３、ＲＢ４もセルバランシングに用いられる。

また、メイン制御回路３０は、セル間の電圧差が第２基準電圧以上でかつ第１基準電圧未満の時、第１セルバランシング抵抗ＲＢ１、ＲＢ２を介して第１セルバランシング電流を用いて上記セルを放電するようにセルモニタリングＩＣ１０およびセルバランシングＩＣ２０を制御する。ただし、この時、第１セルバランシング抵抗ＲＢ１、ＲＢ２の温度が基準温度以上であれば、第１セルバランシング抵抗ＲＢ１、ＲＢ２の代わりに、第２セルバランシング抵抗ＲＢ３、ＲＢ４を用いるようにセルモニタリングＩＣ１０およびセルバランシングＩＣ２０を制御することができる。もし、第１セルバランシング抵抗ＲＢ１、ＲＢ２の温度が基準温度以上後になってから低くなって基準温度未満になれば、第２セルバランシング抵抗ＲＢ３、ＲＢ４の代わりに、第１セルバランシング抵抗ＲＢ１、ＲＢ２がセルバランシングに用いられる。

同時に、メイン制御回路３０は、セル間の電圧差がセルバランシング閾値電圧以上でかつ第２基準電圧未満の時、第２セルバランシング抵抗ＲＢ３、ＲＢ４を介して第２セルバランシング電流を用いて上記セルを放電するようにセルモニタリングＩＣ１０およびセルバランシングＩＣ２０を制御する。ただし、この時、第２セルバランシング抵抗ＲＢ３、ＲＢ４の温度が基準温度以上であれば、第２セルバランシング抵抗ＲＢ３、ＲＢ４の代わりに、第１セルバランシング抵抗ＲＢ１、ＲＢ２を用いるようにセルモニタリングＩＣ１０およびセルバランシングＩＣ２０を制御することができる。もし、第２セルバランシング抵抗ＲＢ３、ＲＢ４の温度が基準温度以上になってから低くなって基準温度未満になれば、第１セルバランシング抵抗ＲＢ１、ＲＢ２の代わりに、第２セルバランシング抵抗ＲＢ３、ＲＢ４がセルバランシングに用いられる。

このような実施例によるバッテリ管理システムは、既存のセルモニタリングＩＣのみを用いるのとは異なり、セルバランシングＩＣを追加して少なくとも２つのセルバランシング電流でセルバランシングを行うことができる。すると、従来に比べて大きいセルバランシング電流を用いることでセルバランシングに費やされる時間を減少させ、より精巧なセルバランシングを行う効果を提供することができる。

以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲がこれに限定されるものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者が多様に変形および改良した形態も本発明の権利範囲に属する。

Claims (13)

1. 複数のセルを含むバッテリセル組立体のバッテリ管理システムにおいて、
   前記複数のセルのうち対応する第１セルの正極と負極との間に連結されている第１セルバランシング抵抗および第１セルバランシングスイッチと、
   前記第１セルの正極と負極との間に連結されている第２セルバランシング抵抗および第２セルバランシングスイッチとを含み、
   前記第１セルバランシングスイッチのオン期間に流れる第１セルバランシング電流が、前記第２セルバランシングスイッチのオン期間に流れる第２セルバランシング電流より大きく、
   前記第１セルと前記第１セルに隣接する少なくとも１つのセルとの間の電圧差であるセル間の電圧差が第１基準電圧以上の場合、前記第１セルバランシングスイッチおよび前記第２セルバランシングスイッチをすべてターンオンさせる、バッテリ管理システム。
2. 前記第１セルバランシング抵抗は、
   前記第１セルの正極と前記第１セルバランシングスイッチの一端との間に連結されている第１抵抗と、
   前記第１セルの負極と前記第１セルバランシングスイッチの他端との間に連結されている第２抵抗とを含む、請求項１に記載のバッテリ管理システム。
3. 前記第２セルバランシング抵抗は、
   前記第１セルの正極と前記第２セルバランシングスイッチの一端との間に連結されている第３抵抗と、
   前記第１セルの負極と前記第２セルバランシングスイッチの他端との間に連結されている第４抵抗とを含む、請求項１または２に記載のバッテリ管理システム。
4. 前記セル間の電圧差が第２基準電圧以上でかつ前記第１基準電圧未満の場合、前記第１セルバランシングスイッチをターンオンさせる、請求項１から３のいずれか一項に記載のバッテリ管理システム。
5. 前記セル間の電圧差がセルバランシング閾値電圧以上でかつ前記第２基準電圧未満の場合、前記第２セルバランシングスイッチをターンオンさせる、請求項４に記載のバッテリ管理システム。
6. 前記第１セルバランシング抵抗の温度が基準温度以上でかつ、前記第２セルバランシング抵抗の温度が前記基準温度未満の場合、
   前記第２セルバランシング抵抗を用いて前記第１セルのセルバランシングを制御する、請求項１から５のいずれか一項に記載のバッテリ管理システム。
7. 前記第２セルバランシング抵抗の温度が基準温度以上でかつ、前記第１セルバランシング抵抗の温度が前記基準温度未満の場合、
   前記第１セルバランシング抵抗を用いて前記第１セルのセルバランシングを制御する、請求項１から６のいずれか一項に記載のバッテリ管理システム。
8. 複数のセルを含むバッテリセル組立体のバッテリ管理システムにおいて、
   前記複数のセルに対応する複数の第１セルバランシングスイッチを含むセルモニタリングＩＣと、
   前記複数のセルに対応する複数の第２セルバランシングスイッチを含むセルバランシングＩＣと、
   前記複数のセルの複数のセル電圧に基づいて前記複数のセルそれぞれのセル間の電圧差を算出し、前記セル間の電圧差と第１基準電圧、第２基準電圧、およびセルバランシング閾値電圧に応じてセルバランシング対象セルを決定し、前記セルモニタリングＩＣおよび前記セルバランシングＩＣの少なくとも１つを用いてセルバランシング動作を制御するメイン制御回路と、を含み、
   前記複数の第１セルバランシングスイッチは、複数の第１セルバランシング抵抗を介して前記複数のセルに連結され、
   前記複数の第２セルバランシングスイッチは、複数の第２セルバランシング抵抗を介して前記複数のセルに連結され、
   前記複数のセルそれぞれのセル間の電圧差は、前記複数のセルそれぞれのセル電圧と前記複数のセルそれぞれに隣接した少なくとも１つのセル間の電圧差であり、
   前記メイン制御回路は、
   前記複数のセルの複数のセル間の電圧差のうち第１基準電圧以上であるセル間の電圧差を有するセルに連結されている第１セルバランシングスイッチおよび第２セルバランシングスイッチをすべてターンオンさせるように前記セルモニタリングＩＣおよび前記セルバランシングＩＣを制御する、バッテリ管理システム。
9. 前記複数の第１セルバランシングスイッチのうちターンオンされた第１セルバランシングスイッチを介して流れる第１セルバランシング電流が、前記複数の第２セルバランシングスイッチのうちターンオンされた第２セルバランシングスイッチを介して流れる第２セルバランシング電流より大きい、請求項８に記載のバッテリ管理システム。
10. 前記メイン制御回路は、
    前記複数のセルの複数のセル間の電圧差のうち第２基準電圧以上でかつ前記第１基準電圧未満であるセル間の電圧差を有するセルに連結されている第１セルバランシングスイッチをターンオンさせるように前記セルモニタリングＩＣおよび前記セルバランシングＩＣを制御する、請求項８または９に記載のバッテリ管理システム。
11. 前記メイン制御回路は、
    前記複数のセルの複数のセル間の電圧差のうちセルバランシング閾値電圧以上でかつ前記第２基準電圧未満であるセル間の電圧差を有するセルに連結されている第２セルバランシングスイッチをターンオンさせるように前記セルモニタリングＩＣおよび前記セルバランシングＩＣを制御する、請求項１０に記載のバッテリ管理システム。
12. 前記メイン制御回路は、
    前記複数の第１セルバランシング抵抗のうち基準温度以上である第１セルバランシング抵抗に連結されている第１セルに対して、前記第１セルに連結されている第２セルバランシング抵抗を用いて前記第１セルのセルバランシングを行うように前記セルモニタリングＩＣおよび前記セルバランシングＩＣを制御する、請求項８から１１のいずれか一項に記載のバッテリ管理システム。
13. 前記メイン制御回路は、
    前記複数の第２セルバランシング抵抗のうち基準温度以上である第２セルバランシング抵抗に連結されている第１セルに対して、前記第１セルに連結されている第１セルバランシング抵抗を用いて前記第１セルのセルバランシングを行うように前記セルモニタリングＩＣおよび前記セルバランシングＩＣを制御する、請求項８から１２のいずれか一項に記載のバッテリ管理システム。

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