JP7148182B2 - diaphragm member - Google Patents

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本発明は、半導体製造装置において高純度薬液や超純水の液体を流動させるダイヤフラム弁に採用するに適したダイヤフラム部材に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a diaphragm member suitable for use in a diaphragm valve that allows liquids such as high-purity chemicals and ultrapure water to flow in semiconductor manufacturing equipment.

従来、この種のダイヤフラム部材が適用されるダイヤフラム弁は、ハウジングと、当該ハウジング内にて軸方向に湾曲状に変位可能に支持されるダイヤフラムと、当該ハウジングに組み付けられてダイヤフラムを軸方向に湾曲状に変位させるように駆動する駆動機構とにより構成されている。 Conventionally, a diaphragm valve to which this type of diaphragm member is applied includes a housing, a diaphragm supported in the housing so as to be displaceable in an axially curved shape, and a diaphragm assembled in the housing to be axially curved. and a driving mechanism that drives the actuator so as to displace it in a shape.

このような構成からなるダイヤフラム弁が半導体製造装置に用いられる場合、当該半導体製造装置における洗浄工程や剥離工程では、強酸・強アルカリ等の腐食性の高い薬液が高純度薬液として使用されることから、ダイヤフラム弁内のダイヤフラムの形成材料としては、耐酸性や耐アルカリ性等の耐薬品性に優れるフッ素樹脂を採用することが望ましい。 When a diaphragm valve having such a configuration is used in semiconductor manufacturing equipment, highly corrosive chemicals such as strong acids and strong alkalis are used as high-purity chemicals in the cleaning and peeling processes of the semiconductor manufacturing equipment. As the material for forming the diaphragm in the diaphragm valve, it is desirable to employ fluororesin, which is excellent in chemical resistance such as acid resistance and alkali resistance.

また、半導体製造装置においては、ダイヤフラム弁からの金属成分や有機物成分の溶出は許されないことから、ダイヤフラムの形成材料としては、低溶出性を有するフッ素樹脂を採用することが望ましい。 In addition, in semiconductor manufacturing equipment, elution of metal components and organic components from diaphragm valves is not permitted, so it is desirable to employ a fluororesin having low elution properties as the material for forming the diaphragm.

また、上述のようなダイヤフラム弁としての構成上、屈曲性に優れ長寿命を維持し得るフッ素樹脂を採用することが望ましい。 Moreover, it is desirable to employ a fluororesin that has excellent flexibility and can maintain a long life in view of the construction of the diaphragm valve as described above.

以上のようなことから、ダイヤフラムの形成材料としては、耐薬品性、低溶出性を有し、かつ屈曲性に優れ長寿命を維持し得るフッ素樹脂を採用することが要請される。 For the reasons described above, it is required to employ a fluororesin, which has chemical resistance, low elution, excellent flexibility, and can maintain a long life, as a material for forming the diaphragm.

特許第5286330号公報Japanese Patent No. 5286330

ところで、上述のような構成を有するダイヤフラム弁では、さらに、半導体製造装置においてダイヤフラム弁からのパーティクルによる液体の汚染は許されないことから、ダイヤフラム弁内の流路系統に流れる液体を、ダイヤフラムでもって、駆動機構から隔離することが必要で、そのためには、当該ダイヤフラムを、外周部、湾曲変位部及び中央部でもって一体的に構成することが要請される。 By the way, in the diaphragm valve having the above-described configuration, since contamination of the liquid by particles from the diaphragm valve is not allowed in the semiconductor manufacturing equipment, the liquid flowing through the flow path system in the diaphragm valve is It is necessary to isolate it from the driving mechanism, and for that purpose, it is required that the diaphragm is integrally constructed with an outer peripheral portion, a curved displacement portion and a central portion.

ここで、ダイヤフラムの形成材料として、PTFEを採用する場合、PTFEは、メルトフローレートが低いため、射出成形や押出成形では、良好な品質のダイヤフラムを形成することはできない。従って、ダイヤフラムは、PTFEの圧縮成形丸棒を切削加工することで形成される。 Here, when PTFE is adopted as the material for forming the diaphragm, since PTFE has a low melt flow rate, it is impossible to form a diaphragm of good quality by injection molding or extrusion molding. Therefore, the diaphragm is formed by cutting a compression-molded round bar of PTFE.

このように切削加工により形成されるPTFE製ダイヤフラムの寿命は長いものの、このようなダイヤフラムを用いたダイヤフラム弁においては、その動作に伴い、切削加工してなる湾曲変位部がその表面にて伸延或いは圧縮することから、当該湾曲変位部から微少ではあるが発塵する。但し、このような発塵は、例えば、半導体製造装置で製造されるシリコンウエハの配線ピッチが10(nm)より大きい場合は、許容範囲以内にある。 Although the PTFE diaphragm formed by cutting has a long service life, in a diaphragm valve using such a diaphragm, the curved displacement portion formed by cutting extends or extends on the surface as the diaphragm valve is operated. Due to the compression, a small amount of dust is generated from the curved displacement portion. However, such dust generation is within an allowable range, for example, when the wiring pitch of a silicon wafer manufactured by a semiconductor manufacturing apparatus is larger than 10 (nm).

また、ダイヤフラムの形成材料として、PTFEに代えて、PFAを採用する場合、ダイヤフラムは、射出成形丸棒、圧縮成形丸棒或いは押し出し成形丸棒を切削加工することで形成される。 When PFA is used instead of PTFE as the material for forming the diaphragm, the diaphragm is formed by cutting an injection-molded round bar, a compression-molded round bar, or an extrusion-molded round bar.

このように切削加工により形成されるPFA製ダイヤフラムの寿命は短い。また、このように切削加工により形成してなるPFA製ダイヤフラムを用いたダイヤフラム弁は、その動作に伴い、切削加工してなる湾曲変位部の表面にて、切削加工により形成されるPTFE製ダイヤフラムの湾曲変位部と同様に、伸延或いは圧縮することから、湾曲変位部から微少ではあるが発塵する。 The life of the PFA diaphragm formed by cutting in this way is short. In addition, in the diaphragm valve using the PFA diaphragm formed by cutting in this way, the PTFE diaphragm formed by cutting is displaced on the surface of the curved displacement portion formed by cutting along with the operation. As with the curved displacement portion, since the curved displacement portion is stretched or compressed, a small amount of dust is generated from the curved displacement portion.

ここで、ダイヤフラムの形成材料として、PFAを採用し、当該PFAを用いて射出成形により湾曲変位部の厚いものを成形するとともに切削加工することでダイヤフラムを形成する場合、射出成形や圧縮成形で厚肉形状に成形すると、湾曲変位部における結晶化が均一には起こらず、その界面が破壊の起点となるとともに寿命が短くなるため、このような湾曲変位部を有するダイヤフラムは、殆ど採用されていない。 Here, when PFA is adopted as the material for forming the diaphragm, and the PFA is used to form a thick curved portion by injection molding and by cutting, the thickness of the diaphragm is formed by injection molding or compression molding. When molded into a meat shape, crystallization does not occur uniformly at the curved displacement portion, and the interface becomes a starting point of fracture and life is shortened. .

一方、近年、半導体製造装置による半導体素子、例えば、シリコンウエハの製造にあたり、さらなる微細化が要請されている。例えば、シリコンウエハにおける配線ピッチを10(nm)以下にしたいという要請がある。従って、ダイヤフラム弁からの発塵は、数nmサイズのパーティクルの発塵さえも許されない状況となっている。 On the other hand, in recent years, there has been a demand for further miniaturization in the production of semiconductor elements, such as silicon wafers, by semiconductor production apparatuses. For example, there is a demand to reduce the wiring pitch on a silicon wafer to 10 (nm) or less. Therefore, even particles with a size of several nanometers are not allowed to be generated from the diaphragm valve.

しかるに、上述したごとく、切削加工により形成したダイヤフラムを用いたダイヤフラム弁は、その動作に伴い、切削加工してなる湾曲変位部の表面にて伸延や圧縮を生じ、これに伴い、湾曲変位部から微少ではあるが、発塵する。 However, as described above, in a diaphragm valve using a diaphragm formed by cutting, the surface of the curved displacement portion formed by cutting is stretched or compressed during its operation. Dust is produced, albeit minutely.

このようなことでは、上述したダイヤフラム弁からの数nmサイズのパーティクルの発塵さえも許されない状況には対応し得ず、切削加工してなる湾曲変位部を有するダイヤフラムに対して、さらなる改良が要請される。 In such a case, it is not possible to cope with the situation where even particles with a size of several nanometers are not permitted to be generated from the diaphragm valve. requested.

これに対しては、PFA製のフィルムは、薄肉であるため、結晶化を均一にし得ることから、当該PFA製のフィルムを、押出成形や圧縮成形により形成して、少なくともダイヤフラムの湾曲変位部として採用すれば、上述したダイヤフラムの改良につながるものと認識した。 On the other hand, since the PFA film is thin, the crystallization can be made uniform. If adopted, it was recognized that it would lead to the improvement of the above-mentioned diaphragm.

ところで、上記ダイヤフラム弁においては、その構成上、駆動機構によりダイヤフラムを湾曲状に変位させるにあたり、ダイヤフラムは、その中央部にて、駆動機構の駆動軸に連結される。 By the way, in the above-described diaphragm valve, due to its configuration, the diaphragm is connected at its central portion to the drive shaft of the drive mechanism when the diaphragm is curvedly displaced by the drive mechanism.

しかしながら、ダイヤフラムが上述のようにフィルム状であって非常に薄いことから、当該ダイヤフラムの中央部において、駆動機構の駆動軸と連結するに要する連結部を形成することはできない。従って、当該連結部なくして、ダイヤフラムの中央部を駆動機構の駆動軸と連結することは極めて困難である。 However, since the diaphragm is in the form of a film and is very thin as described above, it is impossible to form the connecting portion necessary for connecting with the drive shaft of the drive mechanism in the central portion of the diaphragm. Therefore, it is extremely difficult to connect the central portion of the diaphragm to the drive shaft of the drive mechanism without the connecting portion.

これに対しては、上記特許文献1に記載の樹脂ダイヤフラムのシール方法によるレーザー溶接を適用してなるダイヤフラム弁の構成を利用することが考えられる。 In order to solve this problem, it is conceivable to use a configuration of a diaphragm valve that applies laser welding according to the resin diaphragm sealing method described in Patent Document 1 above.

当該特許文献1にいうダイヤフラム弁においては、シール目的ではあるが、ダイヤフラムが、そのフランジ部にて、弁体室を密封するように、下ハウジングのフランジ部とレーザー溶接されている。このようなことに着目して、レーザー溶接を、PFA製ダイヤフラムの中央部と他の部材との連結に利用することは可能であろうという着想に至った。 In the diaphragm valve disclosed in Patent Document 1, the flange portion of the diaphragm is laser-welded to the flange portion of the lower housing so as to seal the valve body chamber for the purpose of sealing. Focusing on such a fact, the inventors came up with the idea that it would be possible to use laser welding to connect the central portion of the PFA diaphragm to other members.

そこで、本発明は、以上のようなことに対処するため、屈曲性や長寿命性を確保し得るようなフィルム状のPFAを、数nm程度の発塵をも最少に抑制し得るダイヤフラムの形成材料として選択するとともに、他の部材との組み付け易さを考慮して適宜なフッ素樹脂製補助軸を活用し、ダイヤフラムがフィルムのように薄くても、当該補助軸とダイヤフラムの中央部との連結にレーザー溶接を適用したダイヤフラム構造として構成してなるダイヤフラム部材を提供することを目的とする。 Therefore, in order to cope with the above problems, the present invention forms a film-like PFA that can ensure flexibility and long life, and a diaphragm that can suppress dust generation of about several nanometers to a minimum. In addition to selecting the material, an appropriate fluororesin auxiliary shaft is used in consideration of ease of assembly with other members, and even if the diaphragm is thin like a film, the auxiliary shaft and the central part of the diaphragm are connected. It is an object of the present invention to provide a diaphragm member configured as a diaphragm structure to which laser welding is applied to.

上記課題の解決にあたり、本発明に係るダイヤフラム部材は、請求項1の記載によれば、
高純度薬液や超純水の液体を流動させるダイヤフラム弁に適用されるPFA製のフィルム状ダイヤフラム(200a)と、
当該フィルム状ダイヤフラムの中央部に同軸的にレーザー溶接されたフッ素樹脂製の補助軸(200c)と、
ダイヤフラムの外周部に対し当該ダイヤフラムの両面のうちの一側面に沿うようにレーザー溶接されてダイヤフラムを補強して取扱い易くするに適した環状形状を有するように形成してなるフッ素樹脂製の補強用環状体(200b)とを備えており、
補強用環状体は、その上記環状形状にて、ダイヤフラムを補強して取扱い易くするに適した径方向幅及び厚さを有するように形成されている。
In order to solve the above problems, the diaphragm member according to the present invention, according to the description of claim 1,
A film-like diaphragm (200a) made of PFA that is applied to a diaphragm valve that allows high-purity chemical liquids and ultrapure water to flow,
a fluororesin auxiliary shaft (200c) coaxially laser-welded to the central portion of the film-like diaphragm;
Fluororesin which is laser-welded to the outer periphery of the diaphragm along one side of both surfaces of the diaphragm and formed to have an annular shape suitable for reinforcing the diaphragm and making it easy to handle. and a reinforcing annular body (200b) made of
The reinforcing ring, in its annular shape, is formed with a radial width and thickness suitable for reinforcing the diaphragm and making it easier to handle.

このような構成によれば、補助軸は、ダイヤフラムの中央部に対し、レーザー溶接により連結されているので、補助軸は、ダイヤフラムの中央部に良好に連結され得る。また、補強用環状体は、ダイヤフラムの外周部に対し当該ダイヤフラムの両面のうちの一側面に沿うようにレーザー溶接により連結されているので、補強用環状体とダイヤフラムの一側面に沿う当該ダイヤフラムの外周部との連結は良好に確保され得る。その結果、ダイヤフラムと補助軸及び補強用環状体とは、レーザー溶接でもって、良好な一体的構成からなるダイヤフラム部材を形成し得る。なお、補強用環状体は、ダイヤフラムの外径と等しい外径を有するように形成されていてもよい。 According to such a configuration , the auxiliary shaft is connected to the central portion of the diaphragm by laser welding, so the auxiliary shaft can be well connected to the central portion of the diaphragm. In addition , since the reinforcing annular body is connected to the outer peripheral portion of the diaphragm along one side of both surfaces of the diaphragm by laser welding, the reinforcing annular body and the diaphragm are connected at one side. The connection with the outer peripheral portion of the diaphragm along the side surface can be well secured . As a result, the diaphragm, auxiliary shaft and reinforcing ring can be laser welded to form a diaphragm member of good integral construction. The reinforcing annular body may be formed to have an outer diameter equal to the outer diameter of the diaphragm.

ここで、ダイヤフラムは、PFAでもってフィルム状のダイヤフラムとして形成されている。このようにダイヤフラムをPFAでもって形成することにより、当該ダイヤフラムは、フィルム状であっても、耐薬品性、低溶出性、屈曲性や長寿命性に優れたダイヤフラムであって発塵性を最少(最小限)に抑制し得るダイヤフラムとして形成され得る。 Here, the diaphragm is formed as a film-like diaphragm with PFA . By forming the diaphragm with PFA in this way, the diaphragm is excellent in chemical resistance, low elution, flexibility and long life even in the form of a film, and is dust-generating. It can be formed as a minimal (minimum) controllable diaphragm.

また、ダイヤフラムがその中央部及び外周部にて補助軸及び補強用環状体と上述のようにレーザー溶接される前においては、当該ダイヤフラムは、補助軸及び補強用環状体とは別体の独立部品として位置付けられる。従って、ダイヤフラムの補助軸及び補強用環状体とのレーザー溶接前においては、ダイヤフラムは、独立した自由な部品として、用途の限定を受けることのない利便性のあるダイヤフラムとして利用することができるIn addition, before the diaphragm is laser-welded to the auxiliary shaft and the reinforcing annular body at its central portion and outer peripheral portion as described above, the diaphragm is an independent body separate from the auxiliary shaft and the reinforcing annular body. Positioned as a part. Therefore, before laser welding the auxiliary shaft of the diaphragm and the reinforcing annular body, the diaphragm can be used as an independent and free part as a convenient diaphragm without limitation of use .

また、フッ素樹脂製の補強用環状体は、上述のごとく、ダイヤフラムの外周部に対し当該ダイヤフラムの両面のうちの一側面に沿うようにレーザー溶接されている。従って、ダイヤフラムがフィルムのように薄いために取扱いにくくても、上述のような補強用環状体とダイヤフラムの一側面に沿う当該ダイヤフラムの外周部との間のレーザー溶接による連結構成でもって、補強用環状体が、ダイヤフラムに対し補強機能を良好に発揮し得る。
ここで、補強用環状体は、上述のように、ダイヤフラムを補強して取扱い易くするに適した径方向幅及び厚さを有するような環状形状にて形成されていることから、補強用環状体のダイヤフラムに対する補強機能がより一層良好に確保され得る。
従って、当該ダイヤフラムは、薄くても、曲がったりすることなく、より一層容易に取り扱われ得る。
As described above, the fluororesin reinforcing annular body is laser-welded to the outer peripheral portion of the diaphragm along one of both surfaces of the diaphragm. Therefore, even if the diaphragm is thin like a film and is difficult to handle, the connecting structure by laser welding between the reinforcing annular body and the outer peripheral portion of the diaphragm along one side surface of the diaphragm as described above can be used. As a result, the reinforcing ring-shaped body can effectively exert a reinforcing function on the diaphragm.
Here, as described above, the reinforcing annular body is formed in an annular shape having a radial width and thickness suitable for reinforcing the diaphragm and making it easy to handle. The reinforcing function of the diaphragm can be secured even better.
Therefore , the diaphragm , although thin , can be handled more easily without bending .

以上要するに、請求項1に記載の発明によれば、予め、それぞれ、独立の部品として別々に準備したダイヤフラム、補助軸及び補強用環状体のもとに、ダイヤフラムが、その補助軸及び補強用環状体とのレーザー溶接前において、独立した自由な部品として、用途の限定を受けることのない利便性を有するようにしたという作用効果と、ダイヤフラムを補強して取扱い易くするに適した径方向幅及び厚さを有するような環状形状にて形成してなる補強用環状体が、ダイヤフラムの外周部との当該ダイヤフラムの一側面に沿うレーザー溶接後において、フィルムのように薄いために取扱いにくいダイヤフラムを良好に補強して取り扱い易くするようにしたという作用効果との双方の作用効果が達成され得る。 In short, according to the first aspect of the present invention, the diaphragm, the auxiliary shaft and the reinforcing annular member, which are separately prepared in advance as independent parts, are provided with the diaphragm , the auxiliary shaft and the reinforcing ring. Before being laser-welded with the ring-shaped body, it is an independent and free part, and it has the advantage of having convenience without being limited to its use, and the diaphragm is reinforced to make it easy to handle. A reinforcing ring formed in an annular shape having a suitable radial width and thickness is film -like after laser welding along one side of the diaphragm with the outer periphery of the diaphragm. It is possible to achieve both the function and effect that the diaphragm, which is extremely thin and difficult to handle, is well reinforced and made easy to handle.

また、本発明は、請求項2の記載によれば、請求項1に記載のダイヤフラム部材において、ダイヤフラムは、PFAを押し出し成形或いは圧縮成形することにより、フィルム状に形成されていることを特徴とする。 According to the description of claim 2 , the present invention is characterized in that, in the diaphragm member according to claim 1 , the diaphragm is formed into a film by extrusion molding or compression molding of PFA. do.

このような構成によれば、ダイヤフラムは、PFAを押し出し成形或いは圧縮成形することにより、フィルム状に形成されている。これにより、当該ダイヤフラムは、切削加工により形成したダイヤフラムに比べて発塵は少なく、特に数nmサイズのパーティクル等の発塵さえも最少(最小限)に抑制し得るような平滑度の高い面を有するダイヤフラムであって耐薬品性、低溶出性、屈曲性や長寿命性に優れたダイヤフラムとして確保され得る According to such a configuration, the diaphragm is formed into a film shape by extrusion molding or compression molding PFA. As a result, the diaphragm generates less dust than a diaphragm formed by cutting , and in particular, has a high smoothness that can suppress even dust generation such as particles of several nm size to the minimum (minimum). It is a diaphragm having a surface and can be secured as a diaphragm excellent in chemical resistance, low elution, flexibility and long life.

また、上述のように、ダイヤフラムが、PFAの押し出し成形或いは圧縮成形でもって、フィルム状に形成されている。従って、当該ダイヤフラムにおいては、その湾曲変位部を中心とした結晶化が均一に確保され得るので、当該ダイヤフラムの寿命がより一層長く維持され得る。以上によれば、請求項1に記載の発明の作用効果がより一層向上され得る。 Also, as described above, the diaphragm is formed into a film by extrusion molding or compression molding of PFA . Therefore, in the diaphragm , crystallization around the curved displacement portion can be uniformly ensured, so that the life of the diaphragm can be maintained even longer . According to the above, the effects of the invention described in claim 1 can be further improved.

また、本発明は、請求項3の記載によれば、請求項2に記載のダイヤフラム部材において、
補助軸は、1(mm)以上で4(mm)以下の範囲以内の外径を有しており、
ダイヤフラムは、0.1(mm)以上で0.5(mm)以下の範囲以内の厚さを有することを特徴とする。
Further, according to the description of claim 3 , the present invention provides the diaphragm member according to claim 2 ,
The auxiliary shaft has an outer diameter within the range of 1 (mm) or more and 4 (mm) or less,
The diaphragm is characterized by having a thickness within the range of 0.1 (mm) or more and 0.5 (mm) or less.

このように、補助軸の外径を、1(mm)以上で4(mm)以下の範囲以内の値とし、かつ、ダイヤフラムの厚さを、0.1(mm)以上で0.5(mm)以下の値とすることにより、請求項2に記載の作用効果と同様の作用効果がより一層確実に達成され得る。ここで、4(mm)以下の外径を有する補助軸は、ダイヤフラムの中央部と熱による接合を行うと補助軸やダイヤフラムの中央部にて熱変形を生ずるおそれがあるものの、補助軸とダイヤフラムの中央部との接合をレーザー溶接により行うようにしたので、補助軸の外径を4(mm)以下としても、補助軸とダイヤフラムの中央部との接合を、変形を伴うことなく行うことができる。なお、補助軸の外径を1(mm)としたのは、1(mm)未満の外径を有する補助軸は形成困難なためである。 Thus, the outer diameter of the auxiliary shaft is set to a value within the range of 1 (mm) or more and 4 (mm) or less, and the thickness of the diaphragm is set to a value of 0.1 (mm) or more to 0.5 (mm). ) By setting the following values, the same effects as those described in claim 2 can be achieved more reliably. Here, if the auxiliary shaft having an outer diameter of 4 (mm) or less is thermally bonded to the central portion of the diaphragm, there is a risk of thermal deformation occurring at the auxiliary shaft or the central portion of the diaphragm. Since the joint with the central portion of the diaphragm is performed by laser welding, even if the outer diameter of the auxiliary shaft is 4 (mm) or less, the joint between the auxiliary shaft and the central portion of the diaphragm can be performed without deformation. can. The reason why the outer diameter of the auxiliary shaft is set to 1 (mm) is that it is difficult to form an auxiliary shaft having an outer diameter of less than 1 (mm).

また、上述のように、ダイヤフラムの厚さを0.1(mm)以上としたのは、0.1(mm)未満では、ダイヤフラムが薄過ぎて破れ易いためである。また、上述のように、0.5(mm)以下としたのは、ダイヤフラムは、0.5(mm)よりも厚いと、厚過ぎて曲がりにくいためである。 Further, as described above, the reason why the thickness of the diaphragm is set to 0.1 (mm) or more is that if the thickness is less than 0.1 (mm), the diaphragm is too thin and easily broken. Also , as mentioned above, 0 . The reason why the thickness is 5 (mm) or less is that if the diaphragm is thicker than 0.5 (mm), it is too thick to bend.

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す。 It should be noted that the symbols in parentheses of the above means indicate correspondence with specific means described in the embodiments described later.

本発明が適用されるダイヤフラム弁の第1実施形態を示す縦断面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a longitudinal cross-sectional view which shows 1st Embodiment of the diaphragm valve to which this invention is applied. 上記第1実施形態におけるダイヤフラム部材のダイヤフラムの中央部を補助軸とレーザー溶接する工程を示す工程図である。FIG. 4 is a process diagram showing a process of laser welding the central portion of the diaphragm of the diaphragm member in the first embodiment with the auxiliary shaft. 上記第1実施形態におけるダイヤフラムの中央部の補助軸に対するレーザー溶接を説明するための断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining laser welding to an auxiliary shaft at the central portion of the diaphragm in the first embodiment; 上記第1実施形態におけるダイヤフラム部材のダイヤフラムの外周部を補強用環状体とレーザー溶接する工程を示す工程図である。It is process drawing which shows the process of laser-welding the outer peripheral part of the diaphragm of the diaphragm member in the said 1st Embodiment, and the annular body for a reinforcement. 上記第1実施形態におけるダイヤフラムの外周部に対する補強用環状体のレーザー溶接を説明するための断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining laser welding of the reinforcing annular body to the outer peripheral portion of the diaphragm in the first embodiment; 本発明が適用されるダイヤフラム弁の第2実施形態の要部を示す部分縦断面図である。FIG. 4 is a partial vertical cross-sectional view showing the essential parts of a second embodiment of a diaphragm valve to which the present invention is applied; 上記第2実施形態におけるダイヤフラムの外周部に対する補強用環状体のレーザー溶接を説明するための断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view for explaining laser welding of the reinforcing annular body to the outer peripheral portion of the diaphragm in the second embodiment; 本発明が適用されるダイヤフラム弁の第3実施形態を示す縦断面図である。FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a third embodiment of a diaphragm valve to which the present invention is applied; 本発明が適用されるダイヤフラム弁の第4実施形態を示す縦断面図である。FIG. 10 is a vertical cross-sectional view showing a fourth embodiment of a diaphragm valve to which the present invention is applied;

以下、本発明の各実施形態について図面を参照して説明する。
(第1実施形態)
図1は、本発明を適用してなるダイヤフラム弁の第1実施形態を示す。当該ダイヤフラム弁としては、半導体素子を製造する半導体製造装置に適用される空気作動形ダイヤフラム弁が採用されている。
Hereinafter, each embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
(First embodiment)
FIG. 1 shows a first embodiment of a diaphragm valve to which the present invention is applied. As the diaphragm valve, an air-operated diaphragm valve applied to semiconductor manufacturing equipment for manufacturing semiconductor elements is employed.

当該ダイヤフラム弁は、上記半導体製造装置の配管系統内に介装されて、当該配管系統を流れる液体をその上流側から下流側へ流動させるように構成されている。本第1実施形態において、上記液体は、高純度薬液や超純水の液体をいい、上記半導体製造装置の液体供給源から上記配管系統に供給されるようになっている。また、当該液体には、上記半導体製造装置としての性格上、清浄であることが要請される。 The diaphragm valve is installed in the piping system of the semiconductor manufacturing apparatus, and configured to cause the liquid flowing through the piping system to flow from the upstream side to the downstream side. In the first embodiment, the liquid refers to a liquid such as a high-purity chemical liquid or ultrapure water, and is supplied to the piping system from the liquid supply source of the semiconductor manufacturing apparatus. In addition, the liquid is required to be clean in view of the characteristics of the semiconductor manufacturing apparatus.

当該ダイヤフラム弁は、図1にて示すごとく、筒状ハウジング100と、当該筒状ハウジング100内に組み付けられるダイヤフラム部材200及び空気作動形駆動機構300とを備えて、常閉型ダイヤフラム弁として構成されている。なお、本第1実施形態において、空気作動形駆動機構300は、以下、駆動機構300ともいう。 As shown in FIG. 1, the diaphragm valve comprises a cylindrical housing 100, a diaphragm member 200 assembled in the cylindrical housing 100, and an air-operated drive mechanism 300, and is constructed as a normally closed diaphragm valve. ing. In addition, in the first embodiment, the air-operated drive mechanism 300 is also referred to as the drive mechanism 300 hereinafter.

筒状ハウジング100は、下側ハウジング部材100a及び上側ハウジング部材100bにより構成されている。 The tubular housing 100 is composed of a lower housing member 100a and an upper housing member 100b.

下側ハウジング部材100aは、図1にて示すごとく、底壁110と、隔壁120とを備えており、底壁110は、底壁本体110a、流入筒110b及び流出筒110cでもって構成されている。 As shown in FIG. 1, the lower housing member 100a includes a bottom wall 110 and a partition wall 120. The bottom wall 110 is composed of a bottom wall main body 110a, an inflow pipe 110b and an outflow pipe 110c. .

底壁本体110aは、横断面矩形状に形成されており、当該底壁本体110aは、図1にて示すごとく、上壁部111を有する。 The bottom wall body 110a has a rectangular cross section, and has an upper wall portion 111 as shown in FIG.

ここで、当該上壁部111は、内側環状壁部111a及び外側環状壁部111bでもって構成されており、内側環状壁部111aは、上壁部111の中央側に形成されている。外側環状壁部111bは、内側環状壁部111aの外周側にて当該内側環状壁部111aよりも上方へ環状に突出するように形成されている。 Here, the upper wall portion 111 is composed of an inner annular wall portion 111a and an outer annular wall portion 111b. The outer annular wall portion 111b is formed to annularly protrude upward from the inner annular wall portion 111a on the outer peripheral side of the inner annular wall portion 111a.

また、当該底壁本体110aは、環状弁座部111cを有しており、当該環状弁座部111cは、内側環状壁部111aの中央部から隔壁120側へ同軸的にかつ環状に突出するように形成されている。ここで、当該環状弁座部111cは、流入路部112(後述する)の内端開孔部内に連通するように形成されている。 The bottom wall main body 110a has an annular valve seat portion 111c, and the annular valve seat portion 111c protrudes coaxially and annularly from the central portion of the inner annular wall portion 111a to the partition wall 120 side. is formed in Here, the annular valve seat portion 111c is formed so as to communicate with the inner end opening portion of the inflow passage portion 112 (to be described later).

底壁本体110aは、流入路部112及び流出路部113を有しており、流入路部112は、底壁本体110a内にて、環状弁座部111cから流入筒110bに向けて延出するように形成されている。当該流入路部112は、その内端開孔部にて環状弁座部111c内に連通するようになっている。 The bottom wall main body 110a has an inflow passage portion 112 and an outflow passage portion 113, and the inflow passage portion 112 extends from the annular valve seat portion 111c toward the inflow pipe 110b within the bottom wall main body 110a. is formed as The inflow passage portion 112 communicates with the annular valve seat portion 111c at its inner end opening.

一方、流出路部113は、内側環状壁部111aの一部から流出筒110cに向けて延出するように、底壁本体110a内にて形成されている。ここで、当該流出路部113は、その内端開孔部にて内側環状壁部111aの一部から液体室Ra(後述する)内に開口するように底壁本体110a内に形成されている。 On the other hand, the outflow passage portion 113 is formed inside the bottom wall main body 110a so as to extend from a portion of the inner annular wall portion 111a toward the outflow tube 110c. Here, the outflow passage portion 113 is formed in the bottom wall main body 110a so as to open from a part of the inner annular wall portion 111a into the liquid chamber Ra (to be described later) at the inner end opening portion thereof. .

流入筒110bは、底壁本体110aに、その流入路部112の外端開孔部から外方へ延出するように形成されており、当該流入筒110bは、上記配管系統の上流側に流入路部112を連通させる役割を果たす。一方、流出筒110cは、流出路部113を上記配管系統の下流側に連通させる役割を果たす。 The inflow pipe 110b is formed in the bottom wall main body 110a so as to extend outward from the outer end opening of the inflow passage portion 112, and the inflow pipe 110b flows into the upstream side of the piping system. It plays a role of communicating the path portion 112 . On the other hand, the outflow tube 110c plays a role of communicating the outflow passage portion 113 with the downstream side of the piping system.

隔壁120は、図1にて示すごとく、隔壁本体120a及び環状フランジ120bを有しており、隔壁本体120aは、その下壁部にて、底壁本体110aの上壁部111の外側環状壁部111b内に嵌装されて、ダイヤフラム部材200のダイヤフラム200a及び補強用環状体200b(後述する)を介し内側環状壁部111a上に着座している。 The partition 120, as shown in FIG. 1, has a partition body 120a and an annular flange 120b. 111b and sits on the inner annular wall portion 111a via a diaphragm 200a of the diaphragm member 200 and a reinforcing annular body 200b (described later).

また、環状フランジ120bは、底壁本体110aの軸方向中間部位から径方向に沿い外方へ環状に突出するように形成されており、当該環状フランジ120bは、底壁本体110aの上壁部111の外側環状壁部111b上に同軸的に着座している。このようにして、隔壁120は、ダイヤフラム200a及び補強用環状体200bを介して、底壁本体110aにその上方から同軸的に組み付けられている。 Further, the annular flange 120b is formed so as to annularly protrude outward along the radial direction from the axially intermediate portion of the bottom wall main body 110a. is seated coaxially on the outer annular wall portion 111b of the . In this manner, the partition wall 120 is coaxially attached to the bottom wall main body 110a from above via the diaphragm 200a and the reinforcing annular body 200b.

また、当該隔壁120は、連通路121を有しており、当該連通路121は、隔壁本体120a内にて図1にて示すごとくL字状に形成されている。ここで、当該連通路121は、その外端開孔部にて、隔壁120の外部に開放されており、当該連通路121の内端開孔部は、ダイヤフラム200aと隔壁本体120aとの間に形成される空気室Rb(後述する)内に開口している。 Further, the partition 120 has a communication passage 121, and the communication passage 121 is formed in an L shape as shown in FIG. 1 in the partition main body 120a. Here, the communicating path 121 is open to the outside of the partition 120 at its outer end opening, and the inner end opening of the communicating path 121 is located between the diaphragm 200a and the partition main body 120a. It opens into an air chamber Rb (to be described later) that is formed.

上側ハウジング部材100bは、横断面矩形状に形成されており、当該上側ハウジング部材100bは、周壁130と、上壁140とでもって、構成されている。周壁130は、上壁140から下方に向け筒状に延出してなるもので、当該周壁130の中空部131は、その内周面にて、横断面円形状に形成されている。また、当該周壁130は、その延出端開口部にて、隔壁120の隔壁本体120aにその上方からOリング123を介し同軸的にかつ気密的に嵌装されて環状フランジ120b上に着座している。 The upper housing member 100b has a rectangular cross section, and is composed of a peripheral wall 130 and an upper wall 140. As shown in FIG. The peripheral wall 130 extends downward from the upper wall 140 in a tubular shape, and a hollow portion 131 of the peripheral wall 130 is formed to have a circular cross section on the inner peripheral surface thereof. In addition, the peripheral wall 130 is coaxially and airtightly fitted to the bulkhead main body 120a of the bulkhead 120 from above through an O-ring 123 at the extended end opening, and is seated on the annular flange 120b. there is

ダイヤフラム部材200は、図1にて示すごとく、ダイヤフラム200a、補強用環状体200b及び補助軸200cでもって構成されている。ダイヤフラム200aは、その外周部210にて、補強用環状体200bを介し底壁110の底壁本体110aと隔壁120の隔壁本体120aとの間に挟持されている。これにより、当該ダイヤフラム200aは、底壁本体110aの上壁部111のうち外側環状壁部111bの内周側にて内側環状壁部111aと隔壁本体120aとの間を、液体室Raと空気室Rbとに区画する。 The diaphragm member 200, as shown in FIG. 1, comprises a diaphragm 200a, a reinforcing annular body 200b and an auxiliary shaft 200c. The diaphragm 200a is sandwiched at its outer peripheral portion 210 between the bottom wall body 110a of the bottom wall 110 and the partition wall body 120a of the partition wall 120 via the reinforcing annular body 200b. As a result, the diaphragm 200a forms a liquid chamber Ra and an air chamber between the inner annular wall portion 111a and the partition wall main body 120a on the inner peripheral side of the outer annular wall portion 111b of the upper wall portion 111 of the bottom wall main body 110a. and Rb.

ここで、液体室Raには、上記半導体製造装置の配管系統の上流側から流入筒110b及び底壁110の流入路部112を通り流動する液体が環状弁座部111cを通り流入する。これにより、当該液体が液体室Ra内にてダイヤフラム200aの下面220に作用する液圧を発生する。一方、空気室Rbには、外気が隔壁120の連通路121を通り流入する。これにより、当該外気が空気室Rb内にてダイヤフラム200aの上面230に作用する空圧(大気圧)を発生する。 Here, into the liquid chamber Ra, the liquid flowing through the inflow tube 110b and the inflow passage portion 112 of the bottom wall 110 from the upstream side of the piping system of the semiconductor manufacturing apparatus flows through the annular valve seat portion 111c. As a result, the liquid generates a liquid pressure acting on the lower surface 220 of the diaphragm 200a within the liquid chamber Ra. On the other hand, outside air flows into the air chamber Rb through the communication passage 121 of the partition wall 120 . As a result, the outside air generates air pressure (atmospheric pressure) acting on the upper surface 230 of the diaphragm 200a within the air chamber Rb.

ダイヤフラム200aは、所定のフッ素樹脂でもって、円板状かつフィルム状のダイヤフラムとして形成されている。 The diaphragm 200a is formed as a disc-shaped and film-shaped diaphragm with a predetermined fluororesin.

本第1実施形態において、ダイヤフラム200aは、ダイヤフラム弁としての構成上、強酸・強アルカリ等の腐食性の高い薬液等の高純度薬液と接触するから、当該ダイヤフラム200aは、耐酸性や耐アルカリ性等の耐薬品性に優れることが望ましい。 In the first embodiment, the diaphragm 200a is in contact with high-purity chemicals such as highly corrosive chemicals such as strong acids and strong alkalis due to its structure as a diaphragm valve. It is desirable to have excellent chemical resistance.

また、ダイヤフラム弁のダイヤフラム200aやその他の構成部材からの金属成分や有機物成分の溶出は許されないことから、少なくともダイヤフラムの形成材料としては、低溶出性を有するフッ素樹脂を採用することが望ましい。 In addition, since the elution of metal components and organic components from the diaphragm 200a of the diaphragm valve and other constituent members is not permitted, it is desirable to adopt a fluororesin having low elution at least as the material for forming the diaphragm.

また、ダイヤフラム200aは、ダイヤフラム弁の開閉毎に湾曲変位を繰り返すことから、少なくとも屈曲性や長寿命性に優れることが望ましい。 Moreover, since the diaphragm 200a repeats bending displacement each time the diaphragm valve is opened and closed, it is desirable that at least flexibility and longevity are excellent.

そこで、本第1実施形態では、上記所定のフッ素樹脂として、耐薬品性、低溶出性、耐熱性や耐食性に優れ、かつ、屈曲性や長寿命性を確保し得るテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)が採用されている。なお、本第1実施形態においては、筒状ハウジング100及び隔壁120の各形成材料としても、PFAが採用されている。 Therefore, in the first embodiment, tetrafluoroethylene perfluoroalkyl, which is excellent in chemical resistance, low elution property, heat resistance and corrosion resistance and can ensure flexibility and long life, is used as the above-mentioned predetermined fluororesin. A vinyl ether copolymer (PFA) is employed. In addition, in the first embodiment, PFA is used as a material for forming the cylindrical housing 100 and the partition wall 120 as well.

また、当該ダイヤフラム200aは、フィルム状のダイヤフラムとして、所定の厚さ範囲以内の厚さ、例えば、0.5(mm)を有するようにPFAでもって形成されている。本第1実施形態において、上記所定の厚さ範囲は、0.1(mm)以上で0.5(mm)以下の厚さ範囲をいう。 Further, the diaphragm 200a is made of PFA so as to have a thickness within a predetermined thickness range, for example, 0.5 (mm), as a film-like diaphragm. In the first embodiment, the predetermined thickness range refers to a thickness range of 0.1 (mm) or more and 0.5 (mm) or less.

ここで、0.1(mm)以上としたのは、0.1(mm)未満では、ダイヤフラム200aが薄過ぎて破れ易いためである。また、0.5(mm)以下としたのは、ダイヤフラム200aは、0.5(mm)よりも厚いと、厚過ぎて曲がりにくいためである。 Here, the reason why the thickness is set to 0.1 (mm) or more is that if the thickness is less than 0.1 (mm), the diaphragm 200a is too thin and easily broken. The reason why the thickness is 0.5 (mm) or less is that if the diaphragm 200a is thicker than 0.5 (mm), it is too thick to bend.

以上のように構成してなるダイヤフラム200aは、その中央部240にて、環状弁座部111cに対向する弁体部(以下、弁体部240ともいう)としての役割を果たす。このことは、弁体部240が、環状弁座部111cと共に、ダイヤフラム弁の弁部を構成することを意味する。 The diaphragm 200a configured as described above functions as a valve body portion (hereinafter also referred to as valve body portion 240) at its central portion 240 facing the annular valve seat portion 111c. This means that the valve body portion 240 constitutes the valve portion of the diaphragm valve together with the annular valve seat portion 111c.

補強用環状体200bは、フィルム状のダイヤフラム200aを補強するためのもので、当該補強用環状体200bは、ダイヤフラム200aの外周部210に沿い当該ダイヤフラム200aの下面220側からレーザー溶接されている。これにより、補強用環状体200bは、ダイヤフラム200aの外周部210と一体的に形成されている。 The reinforcing annular body 200b is for reinforcing the film-shaped diaphragm 200a, and the reinforcing annular body 200b is laser-welded from the lower surface 220 side of the diaphragm 200a along the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a. Thereby, the reinforcing annular body 200b is formed integrally with the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a.

本第1実施形態では、当該補強用環状体200bは、後述のようにPFAを用いて円柱状に射出成形した後環状に切削することで、形成されている。ここで、 補強用環状体200bは、ダイヤフラム200aの外径に等しい外径を有しており、当該補強用環状体200bの径方向幅及び厚さは、フィルム状のダイヤフラム200aを補強して取り扱い易くするに適した各値に設定されている。このことは、当該補強用環状体200bは、ダイヤフラム200aの外径に等しい外径を有し、フィルム状のダイヤフラム200aを補強して取り扱い易くするに適した径方向幅及び厚さを有することで、フィルム状のダイヤフラム200aを補強して取り扱い易くするに適した環状形状に形成されていることを意味する。 In the first embodiment, the reinforcing annular body 200b is formed by injection-molding PFA into a columnar shape and then cutting it into an annular shape, as will be described later. Here, the reinforcing annular body 200b has an outer diameter equal to the outer diameter of the diaphragm 200a, and the radial width and thickness of the reinforcing annular body 200b are adjusted to reinforce the film-like diaphragm 200a. It is set to each value suitable for ease of use. This means that the reinforcing annular body 200b has an outer diameter equal to the outer diameter of the diaphragm 200a, and has a radial width and thickness suitable for reinforcing the film-like diaphragm 200a and making it easy to handle. , means that it is formed in an annular shape suitable for reinforcing the film-like diaphragm 200a and making it easy to handle.

補助軸200cは、円柱状のもので、当該補助軸200cは、その下部にて、ダイヤフラム200aの中央部240にレーザー溶接されている。これにより、補助軸200cは、ダイヤフラム200aの中央部240と一体的に形成されている。また、補助軸200cは、雌ねじ孔部260を有しており、当該雌ねじ孔部260は、補助軸200cにその上部側から同軸的に形成されている。 The auxiliary shaft 200c is cylindrical, and the lower portion of the auxiliary shaft 200c is laser-welded to the central portion 240 of the diaphragm 200a. Thereby, the auxiliary shaft 200c is formed integrally with the central portion 240 of the diaphragm 200a. Further, the auxiliary shaft 200c has a female threaded hole 260, and the female threaded hole 260 is formed coaxially with the auxiliary shaft 200c from its upper side.

本第1実施形態において、補助軸200cは、後述のようにPFAを用いて円柱状に射出成形することで形成されている。また、補助軸200cの外径は、1(mm)以上で4(mm)以下の範囲以内の値に設定されている。 In the first embodiment, the auxiliary shaft 200c is formed by injection-molding PFA into a cylindrical shape, as will be described later. Further, the outer diameter of the auxiliary shaft 200c is set to a value within the range of 1 (mm) or more and 4 (mm) or less.

ここで、補助軸の外径を4(mm)以下としたのは、4(mm)以下の外径を有する補助軸をダイヤフラムの中央部と熱による接合を行うと補助軸やダイヤフラムの中央部にて熱変形を生ずるおそれがあるものの、補助軸とダイヤフラムの中央部との接合をレーザー溶接により行えば、補助軸とダイヤフラムの中央部との接合部位に変形を伴わないためである。また、補助軸の外径を1(mm)以上としたのは、1(mm)未満の外径を有する補助軸は形成困難なためである。 Here, the reason why the outer diameter of the auxiliary shaft is set to 4 (mm) or less is that if the auxiliary shaft having an outer diameter of 4 (mm) or less is bonded to the central portion of the diaphragm by heat, the central portion of the auxiliary shaft and the diaphragm This is because, although there is a risk of thermal deformation occurring at , if the auxiliary shaft and the central portion of the diaphragm are joined by laser welding, the joining portion between the auxiliary shaft and the central portion of the diaphragm is not deformed. The reason why the outer diameter of the auxiliary shaft is set to 1 (mm) or more is that it is difficult to form an auxiliary shaft having an outer diameter of less than 1 (mm).

なお、補助軸200cの下部は、その中央側下面部aにて、当該補助軸200cの軸に直交するように形成されており、当該補助軸200cの下部の外周側下面部bは、外方に向けて凸な横断面円弧状に形成されている(図3参照)。 In addition, the lower part of the auxiliary shaft 200c is formed so as to be orthogonal to the axis of the auxiliary shaft 200c at the center side lower surface part a, and the outer peripheral side lower surface part b of the lower part of the auxiliary shaft 200c is formed outwardly. It is formed in an arcuate cross-section that is convex toward (see FIG. 3).

このように構成された補助軸200cは、その上部から、隔壁本体120aに同軸的に形成してなる貫通孔部122(図1参照)に摺動可能に嵌装されて、後述のように駆動機構300のピストン軸320と当該貫通孔部122内にて連結されている。本実施形態において、補助軸200cの軸長は、隔壁本体120aの軸方向厚さよりも短い。 The auxiliary shaft 200c configured in this manner is slidably fitted from its upper portion into a through hole portion 122 (see FIG. 1) coaxially formed in the bulkhead main body 120a, and driven as described later. It is connected to the piston shaft 320 of the mechanism 300 within the through hole portion 122 . In this embodiment, the axial length of the auxiliary shaft 200c is shorter than the axial thickness of the bulkhead body 120a.

以上のように構成してなるダイヤフラム部材200は、ダイヤフラム200a、補強用環状体200b及び補助軸200cでもって、一体的に形成されている。しかして、補助軸200cが、後述のようにコイルスプリング330の付勢力のもとにピストン軸320により液体室Ra側へ押動されたとき、ダイヤフラム200は、その湾曲変位部にて、補助軸200cにより液体室Raへ押動されて湾曲状に変位して、弁体部240にて、環状弁座部111cに着座することで、弁部を閉じる。このことは、ダイヤフラム弁が閉弁することを意味する。なお、ダイヤフラム200aの湾曲変位部は、当該ダイヤフラム200aの外周部と中央部との間のフィルム状部位をいう。 The diaphragm member 200 configured as described above is formed integrally with the diaphragm 200a, the reinforcing annular body 200b, and the auxiliary shaft 200c. Thus, when the auxiliary shaft 200c is pushed toward the liquid chamber Ra by the piston shaft 320 under the urging force of the coil spring 330 as will be described later, the diaphragm 200 is deformed at its curved displacement portion. The valve body 240 is pushed to the liquid chamber Ra by the valve body 200c and is bent to be seated on the annular valve seat 111c, thereby closing the valve. This means that the diaphragm valve is closed. The curved displacement portion of the diaphragm 200a refers to a film-like portion between the outer peripheral portion and the central portion of the diaphragm 200a.

一方、補助軸200cが、後述のように下側室131a内の空気圧に応じてコイルスプリング330の付勢力に抗して摺動するピストン軸320に連動してダイヤフラム200aを湾曲状に変位させながら下側室131b側へ摺動すると、ダイヤフラム200aが、弁体部240にて、環状弁座部111cから離れることで、弁部を開く。このことは、ダイヤフラム弁が開弁することを意味する。 On the other hand, the auxiliary shaft 200c is interlocked with the piston shaft 320, which slides against the biasing force of the coil spring 330 according to the air pressure in the lower chamber 131a, as will be described later. When the diaphragm 200a slides toward the side chamber 131b, the valve body 240 moves away from the annular valve seat 111c, thereby opening the valve. This means that the diaphragm valve opens.

駆動機構300は、図1にて示すごとく、ハウジング100の内部に組み付けられている。当該駆動機構300は、ピストン310と、ピストン軸320と、コイルスプリング330とにより構成されている。 The drive mechanism 300 is assembled inside the housing 100 as shown in FIG. The drive mechanism 300 is composed of a piston 310 , a piston shaft 320 and a coil spring 330 .

ピストン310は、ハウジング部材100bの周壁130の中空部131内にOリング311を介し、気密的に摺動可能に嵌装されており、当該ピストン310は、その軸方向両側にて、周壁130の中空部131を上側室131a及び下側室131bに区画形成している。本第1実施形態では、ピストン310は、ピストン軸320とともに、PFAでもって形成されている。 The piston 310 is hermetically slidably fitted in the hollow portion 131 of the peripheral wall 130 of the housing member 100b via an O-ring 311. The hollow portion 131 is divided into an upper chamber 131a and a lower chamber 131b. In the first embodiment, the piston 310 and the piston shaft 320 are made of PFA.

ここで、上側室131aは、ハウジング部材100bの上壁140に形成してなる環状溝部141、連通路部142及び開孔部143を通りハウジング部材100bの外部に開放されている。 Here, the upper chamber 131a is open to the outside of the housing member 100b through an annular groove portion 141, a communicating passage portion 142 and an opening portion 143 formed in the upper wall 140 of the housing member 100b.

なお、環状溝部141は、上壁140に上側室131aの内部から同軸的に環状に形成されている。開孔部143は、上壁140の外周部内に形成されており、連通路部142は、環状溝部141を開孔部143に連通させるように、上壁140の内部に形成されている。 The annular groove 141 is formed in the upper wall 140 coaxially from the inside of the upper chamber 131a in an annular shape. The opening portion 143 is formed inside the outer peripheral portion of the top wall 140 , and the communicating passage portion 142 is formed inside the top wall 140 so as to communicate the annular groove portion 141 with the opening portion 143 .

一方、下側室131bは、周壁130に形成してなる連通路部133及び開孔部134を介し圧縮空気流供給源(図示しない)に接続されている。これにより、下側室131bの内部には、上記圧縮空気流供給源からの圧縮空気流が開孔部134及び連通路部133を通り供給されるようになっている。 On the other hand, the lower chamber 131b is connected to a compressed air flow supply source (not shown) through a communicating passage portion 133 and an opening portion 134 formed in the peripheral wall 130. As shown in FIG. As a result, the compressed air flow from the compressed air flow supply source is supplied through the opening portion 134 and the communication passage portion 133 to the inside of the lower chamber 131b.

なお、開孔部134は、開孔部143の下方にて、連通路部133を通り下側室131b内に連通するように周壁130の一部に形成されている。連通路部133は、開孔部134を下側室131bの内部に連通させるように周壁130の一部に形成されている。 The opening portion 134 is formed in a part of the peripheral wall 130 below the opening portion 143 so as to communicate with the lower chamber 131b through the communication passage portion 133. As shown in FIG. The communicating passage portion 133 is formed in a part of the peripheral wall 130 so as to communicate the opening portion 134 with the inside of the lower chamber 131b.

ピストン軸320は、ピストン310から同軸的にかつ一体的に延出するように形成されている。当該ピストン軸320は、図1にて示すごとく、軸本体部320aと、軸状雄ねじ部320bとを備えており、軸本体部320aは、ピストン310から同軸的に下側室131bを通り延出して隔壁本体120aの貫通孔部122内にOリング321を介し摺動可能に嵌装されている。 Piston shaft 320 is formed to extend coaxially and integrally from piston 310 . As shown in FIG. 1, the piston shaft 320 includes a shaft main body portion 320a and a shaft-like male screw portion 320b. It is slidably fitted in the through hole portion 122 of the bulkhead main body 120a with an O-ring 321 interposed therebetween.

軸状雄ねじ部320bは、軸本体部320aの延出端部から同軸的にかつ一体的に延出されており、当該軸状雄ねじ部320bは、補助軸200cの雌ねじ孔部260内に締着されている。これにより、ピストン軸320aは、隔壁本体120aの貫通孔部122内にて、摺動可能に補助軸200cと同軸的に連結されている。 The shaft-like male threaded portion 320b extends coaxially and integrally from the extending end of the shaft body portion 320a, and is fastened in the female threaded hole portion 260 of the auxiliary shaft 200c. It is Thereby, the piston shaft 320a is coaxially connected to the auxiliary shaft 200c so as to be slidable within the through hole portion 122 of the bulkhead main body 120a.

コイルスプリング330は、図1にて示すごとく、上壁140の環状溝部141内に嵌装されており、当該コイルスプリング330は、環状溝部141の底部とピストン310との間に挟持されて、ピストン310を下側室131bに向けて付勢している。 The coil spring 330 is fitted in the annular groove 141 of the upper wall 140 as shown in FIG. 310 is biased toward the lower chamber 131b.

このように構成した駆動機構300においては、上記圧縮空気供給源からの圧縮空気流による空気圧が下側室131b内に発生していない場合には、ピストン310が、コイルスプリング330の付勢力により下側室131b側へ摺動されて、ピストン軸320が、補助軸200cを環状弁座部111c側へ押動することで、ダイヤフラム200aを、その中央部240(弁体部240)にて環状弁座部111cに着座するように変位させる。 In the drive mechanism 300 configured as described above, when the air pressure due to the compressed air flow from the compressed air supply source is not generated in the lower chamber 131b, the piston 310 is moved by the urging force of the coil spring 330 to move the piston 310 to the lower chamber 131b. 131b side, the piston shaft 320 pushes the auxiliary shaft 200c toward the annular valve seat portion 111c side, thereby moving the diaphragm 200a to the annular valve seat portion at its central portion 240 (valve body portion 240). 111c to be seated.

一方、上記圧縮空気供給源からの圧縮空気流が開孔部134及び連通路部133を通り下側室131b内に供給されると、ピストン310が、下側室131b内の圧縮空気による空気圧に応じてコイルスプリング330の付勢力に抗して上側室131a内の空気を環状溝部141、連通路部142及び開孔部143から外部へ排出しながら当該上側室131a側へ摺動し、ピストン軸320が、ピストン310の摺動方向と同一方向に連動して、補助軸200cを介し、ダイヤフラム200aを、その中央部240である弁体部にて、環状弁座部111cから離れる方向に湾曲状に変位させる。 On the other hand, when the compressed air flow from the compressed air supply source is supplied into the lower chamber 131b through the opening portion 134 and the communication passage portion 133, the piston 310 moves according to the air pressure generated by the compressed air in the lower chamber 131b. The piston shaft 320 slides toward the upper chamber 131a while discharging air from the upper chamber 131a through the annular groove 141, the communication passage 142 and the opening 143 against the biasing force of the coil spring 330. , in conjunction with the sliding direction of the piston 310, the diaphragm 200a is curvedly displaced in the direction away from the annular valve seat portion 111c at the valve body portion, which is the central portion 240, via the auxiliary shaft 200c. Let

次に、以上のように構成したダイヤフラム弁の製造にあたり、ダイヤフラム部材200におけるダイヤフラム200aと補強用環状体200b及び補助軸200cとのレーザー溶接の方法について説明する。 Next, a method of laser welding the diaphragm 200a of the diaphragm member 200, the reinforcing annular body 200b, and the auxiliary shaft 200c in manufacturing the diaphragm valve configured as described above will be described.

ダイヤフラム200aと補強用環状体200b及び補助軸200cとのレーザー溶接にあたり、ダイヤフラム200a、補強用環状体200b及び補助軸200cを、それぞれ、単独の別部品として形成したものを準備する。このようにダイヤフラム200aは、単独の別部品として形成されるので、用途の限定を受けない利便性のあるダイヤフラムとして形成され得る。 In laser welding the diaphragm 200a, the reinforcing annular body 200b, and the auxiliary shaft 200c, the diaphragm 200a, the reinforcing annular body 200b, and the auxiliary shaft 200c are each formed as separate separate parts. Since the diaphragm 200a is formed as a single separate part in this manner, it can be formed as a convenient diaphragm that is not subject to limitations in application.

本第1実施形態では、ダイヤフラム200aは、PFAでもって押し出し成形方法による成形でもって形成されたものを準備する。当該押し出し成形方法による押し出し成形は、例えば、次のようにしてなされる。 In the first embodiment, the diaphragm 200a is prepared by extrusion molding of PFA. Extrusion molding by the extrusion molding method is performed, for example, as follows.

予め準備したペレット状のPFAを、押し出し成形機により、加熱溶融する。然る後、加熱溶融したPFAを、型内のフィルム形状のキャビテイ内に圧入して徐々に冷却しながらフィルム状に成形する。このように成形した成形品からダイヤフラム200aに相当する円板形状に打ち抜く。これにより、ダイヤフラム200aが、フィルム状のダイヤフラムとして形成される。 Pellets of PFA prepared in advance are heated and melted by an extruder. Thereafter, the heat-melted PFA is press-fitted into a film-shaped cavity in a mold and gradually cooled to form a film. A disk shape corresponding to the diaphragm 200a is punched out from the molding thus molded. Thereby, the diaphragm 200a is formed as a film-like diaphragm.

上述のようにダイヤフラム200aの形成にあたり、PFAを用いた押し出し成形方法を採用したのは、以下の根拠に基づく。 The reason why the extrusion molding method using PFA is adopted in forming the diaphragm 200a as described above is based on the following grounds.

例えば、PFAからなる材料を切削加工することでダイヤフラムを形成すると、当該ダイヤフラムの面には切削痕が形成される。従って、このような切削加工によるダイヤフラムがダイヤフラム弁の液体室Raにおいて流動する液体と接触する場合、ダイヤフラムの切削痕に起因して、パーティクル、例えば、数nmサイズの微小なパーティクル等が微少ではあるがダイヤフラムから剥がれて発塵し液体内に混入すると、当該液体は清浄には維持され得ない。 For example, when a diaphragm is formed by cutting a material made of PFA, cutting marks are formed on the surface of the diaphragm. Therefore, when the diaphragm made by such cutting comes into contact with the liquid flowing in the liquid chamber Ra of the diaphragm valve, particles, for example, minute particles of several nanometers in size, are generated due to the cutting traces of the diaphragm. If the dust comes off the diaphragm and gets into the liquid, the liquid cannot be kept clean.

これでは、半導体製造装置による製造品、例えば、配線ピッチが10(nm)以下であるようなシリコンウエハの品質不良を招く。このため、ダイヤフラム弁内の液体に対するパーティクルの混入、例えば、数nmサイズのパーティクルの液体に対する混入さえも確実に防止しなければならない。 This leads to poor quality of products manufactured by the semiconductor manufacturing apparatus, for example, silicon wafers having a wiring pitch of 10 (nm) or less. For this reason, it is necessary to reliably prevent particles from entering the liquid in the diaphragm valve, for example, even particles with a size of several nanometers from entering the liquid.

また、ダイヤフラムをPFAの射出成形でフィルム状に形成することは困難であるのは勿論のこと、フィルム状に形成できたとしても、屈曲性に優れた長寿命のダイヤフラムを形成することは困難である。 In addition, it is difficult to form a diaphragm into a film form by injection molding of PFA, and even if it is possible to form a film form, it is difficult to form a diaphragm with excellent flexibility and a long life. be.

そこで、本第1実施形態においては、ダイヤフラム200aを押し出し成形方法による成形でもってフィルム状に形成することとした。これにより、押し出し成形機により押し出し成形されたフィルム状のダイヤフラムは、その各面にて、非常に良好な平滑面、所謂、つるつるの滑らかな面を有するように形成された数nmサイズのパーティクルの発塵をも最少に抑制し得るダイヤフラムであって、耐薬品性、低溶出性や屈曲性に優れた長寿命を有するダイヤフラムとして形成され得る。 Therefore, in the first embodiment, the diaphragm 200a is formed into a film by extrusion molding. As a result, the film-like diaphragm extruded by the extruder has a very good smooth surface on each surface, that is, a particle of several nanometers in size formed so as to have a smooth surface. It is a diaphragm that can minimize dust generation, and can be formed as a diaphragm that has excellent chemical resistance, low elution, flexibility, and a long life.

また、補助軸200cとダイヤフラム200aの中央部240とのレーザー溶接は、次のようにして行う。まず、図2にて示す補助軸の保持工程S1において、補助軸200cを、図3にて示すごとく、雌ねじ孔部260を下側に向けて開口させて位置するように保持する。このとき、当該保持は、雌ねじ孔部260がその軸にて鉛直状に位置するように行う。 The laser welding between the auxiliary shaft 200c and the central portion 240 of the diaphragm 200a is performed as follows. First, in the auxiliary shaft holding step S1 shown in FIG. 2, the auxiliary shaft 200c is held so that the female screw hole 260 opens downward as shown in FIG. At this time, the holding is performed so that the female screw hole portion 260 is positioned vertically with respect to its axis.

然る後、ダイヤフラムの載置工程S2において、ダイヤフラム200aが、その中央部240にて、補助軸200cの下部の下面上に位置するように、補助軸200cに載置される(図3参照)。 After that, in the diaphragm mounting step S2, the diaphragm 200a is mounted on the auxiliary shaft 200c so that the central portion 240 of the diaphragm 200a is positioned on the lower surface of the lower portion of the auxiliary shaft 200c (see FIG. 3). .

ついで、押さえ板の載置工程S3において、押さえ板Qが、ダイヤフラム200aの中央部240を介し補助軸200cに同軸的に対向するように中央部240上に載置される。 Next, in the pressing plate placing step S3, the pressing plate Q is placed on the central portion 240 of the diaphragm 200a so as to coaxially face the auxiliary shaft 200c through the central portion 240 of the diaphragm 200a.

ここで、押さえ板Qは、レーザー光を透過し易いガラスでもって、所定の厚さ及び所定の外径を有するように円板状に形成されている。当該レーザー光を透過し易いガラスは、高熱伝導性を有する。なお、押さえ板Qは、一般的には、光透過性及び熱伝導性を有する押え部材であればよく、また、当該押さえ部材は、板状であるか否かは問わず、どのような形状であってもよい。 Here, the pressing plate Q is made of glass that easily transmits laser light, and is formed in a disc shape having a predetermined thickness and a predetermined outer diameter. Glass that easily transmits the laser light has high thermal conductivity. In general, the presser plate Q may be any presser member having optical transparency and thermal conductivity. may be

このように、押さえ板Qは上述のようにレーザー光を透過し易いガラスであることから、当該押さえ板Qは、レーザー光を吸収し難い。また、当該押さえ板Qを形成する上述のガラスは、高熱伝導性を有することから、ダイヤフラム200aの中央部240に対する載置状態において当該ダイヤフラム200aの中央部240の熱を吸収し易い。なお、本第1実施形態において、押さえ板Qの所定の外径は、補助軸200cの外径よりも大きく設定してある。 As described above, since the pressing plate Q is made of glass that easily transmits the laser beam, the pressing plate Q hardly absorbs the laser beam. Further, since the above-described glass forming the pressing plate Q has high thermal conductivity, it easily absorbs the heat of the central portion 240 of the diaphragm 200a when placed on the central portion 240 of the diaphragm 200a. In addition, in the first embodiment, the predetermined outer diameter of the pressing plate Q is set larger than the outer diameter of the auxiliary shaft 200c.

また、押さえ板Qの所定の厚さは、次のように選定されている。押さえ板Qを、上述のごとく、ダイヤフラム200aの中央部240上に載置した状態において、レーザー光を、後述のように、押さえ板Qを通しダイヤフラム200aの中央部240と補助軸200cとの境界面の近傍に収束させたとき、当該レーザー光が押さえ板Qを良好に透過するとともに、押さえ板Qが、レーザー光に起因してダイヤフラム200aの中央部240に生ずる熱を吸収することで、当該ダイヤフラム220の中央部240の温度上昇を良好に抑制するように選定されている。 Further, the predetermined thickness of the pressing plate Q is selected as follows. With the holding plate Q placed on the central portion 240 of the diaphragm 200a as described above, a laser beam passes through the holding plate Q to the boundary between the central portion 240 of the diaphragm 200a and the auxiliary shaft 200c as described later. When the laser beam is converged near the plane, the laser beam passes through the pressing plate Q, and the pressing plate Q absorbs the heat generated in the central portion 240 of the diaphragm 200a due to the laser beam. It is selected so as to satisfactorily suppress the temperature rise of the central portion 240 of the diaphragm 220 .

上述のように押さえ板Qがダイヤフラム200aの中央部240上に載置された後、次の押さえ板に対する押え付け工程S4において、押さえ板Qが、その上方から、適宜なプレス機(図示しない)により、図3にて矢印Pにより示すごとく、ダイヤフラム200aの中央部240に向けて押し付けられる。このとき、押さえ板Qは、その下面にて、ダイヤフラム200aの中央部240の上面の全面に亘り、一様な押圧力でもって、押え付けられる。 After the presser plate Q is placed on the central portion 240 of the diaphragm 200a as described above, in the next presser plate pressing step S4, the presser plate Q is pressed from above by a suitable press (not shown). 3, is pressed toward the central portion 240 of the diaphragm 200a. At this time, the lower surface of the pressing plate Q is pressed with a uniform pressing force over the entire upper surface of the central portion 240 of the diaphragm 200a.

このような押え付け状態のまま、次のレーザー光照射工程S5において、レーザー光が、レーザー装置L(図3参照)により、次のようにして、押さえ板Qに向けて照射される。 In the next laser beam irradiation step S5, the pressing plate Q is irradiated with a laser beam from the laser device L (see FIG. 3) in the following manner while the pressing plate Q is kept in this pressing state.

当該照射にあたり、レーザー装置Lの構成について説明すると、当該レーザー装置Lは、その出射部にて、レーザー光を出射するように構成されている。ここで、当該レーザー装置は、その出射部からのレーザー光を、レンズ系(図示しない)により、当該レンズ系から所定の焦点距離だけ離れた焦点上に収束するように構成されている。また、当該レーザー装置Lは、その出射部からのレーザー光の出射強度を調整可能に構成されている。 Regarding the irradiation, the configuration of the laser device L will be described. The laser device L is configured to emit a laser beam from its emitting portion. Here, the laser device is configured to converge the laser light from its emitting portion onto a focal point separated from the lens system by a predetermined focal length by a lens system (not shown). Further, the laser device L is configured to be able to adjust the emission intensity of the laser light from the emission portion.

しかして、レーザー装置Lにより押さえ板Qに向けてレーザー光を照射するにあたっては、当該レーザー装置Lが、その出射部にて、ダイヤフラム200aの中央部240の外周部に対向するように、ダイヤフラム200aの中央部240の外周部の直上に維持される。本第1実施形態において、当該レーザー装置Lのレーザー光の収束点、即ち、上記レンズ系の焦点は、ダイヤフラム200aの中央部240の外周部とこれに対する補助軸200cの対応部との境界部(以下、中央部―補助軸間境界部ともいう)上の部位F(以下、照射部位Fともいう)の近傍に対応する(図3参照)。 Therefore, when irradiating the pressing plate Q with laser light from the laser device L, the laser device L is arranged to face the outer peripheral portion of the central portion 240 of the diaphragm 200a. is maintained just above the perimeter of the central portion 240 of the . In the first embodiment, the convergence point of the laser beam of the laser device L, that is, the focal point of the lens system is the boundary portion ( It corresponds to the vicinity of the site F (hereinafter also referred to as the irradiation site F) on the boundary between the central part and the auxiliary axis (see FIG. 3).

ここで、レーザー装置Lは、上記中央部―補助軸間境界部の照射部位Fの近傍を含む円周に沿い当該円周上にレーザー光を収束させながら、押さえ板Qの軸周りに回転するようになっている。 Here, the laser device L rotates around the axis of the presser plate Q while converging the laser beam along the circumference including the vicinity of the irradiation site F at the boundary between the central portion and the auxiliary shaft. It's like

このとき、レーザー装置Lのレンズ系の焦点が、上記中央部―補助軸間境界部の照射部位Fの近傍に一致するように、レーザー装置Lのダイヤフラム200aの中央部240の外周部に対する高さが位置調整される。 At this time, the height of the central portion 240 of the diaphragm 200a of the laser device L with respect to the outer peripheral portion is such that the focal point of the lens system of the laser device L coincides with the vicinity of the irradiated portion F of the boundary between the central portion and the auxiliary axis. is aligned.

さらに、ダイヤフラム200aの中央部240及び補助軸200cの下部のうちの中央側下面部aを含む部位が、上記中央部―補助軸間境界部の照射部位Fの近傍を中心とする円周領域(溶融領域)にて溶融可能なように、当該レーザー装置Lからのレーザー光の出射強度が調整される。 Furthermore, the portion including the central side lower surface portion a of the central portion 240 of the diaphragm 200a and the lower portion of the auxiliary shaft 200c is a circumferential area ( The intensity of the laser beam emitted from the laser device L is adjusted so that the laser beam can be melted in the melting region).

ここで、PFAの融点が約320(℃)であるため、当該レーザー装置Lは、その出射強度にて、上記中央部―補助軸間境界部の照射部位Fの近傍に対する加熱温度をPFAの融点よりも幾分高くするように、設定されている。 Here, since the melting point of PFA is about 320 (° C.), the laser device L, with its emission intensity, sets the heating temperature for the vicinity of the irradiated portion F of the boundary between the central portion and the auxiliary shaft to the melting point of PFA. It is set to be slightly higher than

但し、押さえ板Qが、その高熱伝導性のもとにダイヤフラム200aの中央部の外周縁部の熱を吸熱することを考慮して、上記中央部―補助軸間境界部の照射部位Fの近傍に対する加熱温度がPFAの融点を超えて上昇しても、上記中央部―補助軸間境界部の照射部位Fの近傍を中心とする溶融領域が所定領域内に収まるように、照射部位Fの近傍に対するレーザー光の出射強度が所定の出射強度として設定されている。 However, considering that the presser plate Q absorbs heat from the outer peripheral edge of the central portion of the diaphragm 200a due to its high thermal conductivity, Even if the heating temperature exceeds the melting point of PFA, the vicinity of the irradiation site F is kept within a predetermined area so that the molten region centered on the vicinity of the irradiation site F at the boundary between the central part and the auxiliary shaft is within a predetermined area. is set as a predetermined emission intensity.

換言すれば、レーザー装置Lにおいて、上記中央部―補助軸間境界部の照射部位Fの近傍を含む溶融領域上に沿い照射されるレーザー光の照射強度が一様に上記所定の照射強度となるように設定されている。なお、上述の所定領域は、例えば、ダイヤフラム200aの中央部240の補助軸200cに対する載置状態において、少なくともダイヤフラム200aの中央部240のうちの上面部を含まず補助軸200cのうちの下部のうち中央下面部aを含む部位以外の部位を含まない領域をいう。 In other words, in the laser device L, the irradiation intensity of the laser beam irradiated along the melted region including the vicinity of the irradiated portion F of the boundary between the central portion and the auxiliary shaft uniformly becomes the predetermined irradiation intensity. is set to For example, when the central portion 240 of the diaphragm 200a is placed on the auxiliary shaft 200c, the above-described predetermined region does not include at least the upper surface portion of the central portion 240 of the diaphragm 200a and the lower portion of the auxiliary shaft 200c. A region that does not include a portion other than the portion including the central lower surface portion a.

しかして、当該レーザー装置Lが、その作動に伴い、図3にて示すごとく、レーザー光を出射すると、当該レーザー光は、図3にて示すごとく、押さえ板Qの外周縁部及びダイヤフラム200aの中央部240の外周縁部を各厚さ方向に透過して、順次円周方向に変位する上記中央部―補助軸間境界部の照射部位Fの近傍に収束する。 When the laser device L emits a laser beam as shown in FIG. 3, the laser beam is emitted from the outer peripheral edge of the presser plate Q and the diaphragm 200a as shown in FIG. The light is transmitted through the outer peripheral edge of the central portion 240 in each thickness direction and converges in the vicinity of the irradiated portion F at the boundary portion between the central portion and the auxiliary shaft, which is sequentially displaced in the circumferential direction.

従って、このようなレーザー光による照射を維持しながら、上述のようなレーザー装置Lのレーザー光の出射強度の設定のもと、ダイヤフラム200aの中央部240及び補助軸200cの下部のうち中央側下面部aを含む部位が、上記中央部―補助軸間境界部の周方向に沿い、照射部位Fの近傍を中心として局所的にレーザー装置Lの移動位置に応じてレーザー光により順次加熱されていく。これに伴い、ダイヤフラム200aの中央部240の外周縁部及びこれに対する補助軸200cの対応部位が、その円周方向に沿い、上記中央部―補助軸間境界部の照射部位Fの近傍を中心として局所的に、順次、溶融されていく。 Therefore, while maintaining such laser light irradiation, under the setting of the laser light emission intensity of the laser device L as described above, the central lower surface of the central portion 240 of the diaphragm 200a and the lower surface of the auxiliary shaft 200c The portion including the portion a is sequentially heated by the laser light locally around the vicinity of the irradiation portion F along the circumferential direction of the boundary portion between the central portion and the auxiliary shaft according to the moving position of the laser device L. . Along with this, the outer peripheral edge of the central portion 240 of the diaphragm 200a and the corresponding portion of the auxiliary shaft 200c are shifted along the circumferential direction, centering on the vicinity of the irradiated portion F at the boundary between the central portion and the auxiliary shaft. They are melted locally and sequentially.

本第1実施形態において、上述のような局所的な加熱では、ダイヤフラム200aの中央部240に対する加熱温度は、押さえ板Qによる吸熱作用のもと、ダイヤフラム200aの中央部240においてその下面(補助軸200c側の面)からその反対側の面に向けて順次低下するとともに、補助軸200cにおいては、ダイヤフラム200aの中央部240側から当該中央部240の上面とは反対方向に向けて順次低下する。従って、補助軸200c及びダイヤフラム200aの中央部240が、上述した所定領域内において共に溶融することとなる。 In the first embodiment, in the local heating as described above, the heating temperature of the central portion 240 of the diaphragm 200a is increased by the lower surface (auxiliary shaft 200c side surface) toward the opposite side surface, and in the auxiliary shaft 200c, the diaphragm 200a sequentially descends from the central portion 240 side toward the opposite direction to the upper surface of the central portion 240. Therefore, the auxiliary shaft 200c and the central portion 240 of the diaphragm 200a are melted together within the predetermined region described above.

このようなレーザー光による照射を維持しながら、レーザー装置Lが、レーザー光を、上記中央部―補助軸間境界部の照射部位Fの近傍を含む円周上に沿い順次収束させるように、回転していく。 While maintaining such laser light irradiation, the laser device L rotates so as to sequentially converge the laser light along the circumference including the vicinity of the irradiation site F at the boundary between the central portion and the auxiliary shaft. continue.

これにより、補助軸200cの下部のうち中央側下面部aを含む部位及びダイヤフラム200aの中央部240が、上記中央部―補助軸間境界部の照射部位Fの近傍を含む溶融領域を中心とする上記所定の領域に亘り、レーザー光により加熱されて一様に溶融して共に溶着していく。その後、レーザー装置Lからのレーザー光の出射を停止することで、補助軸200cの下部のうち中央側下面部aを含む部位及びダイヤフラム200aの中央部240は、自然冷却を経て硬化していく。 As a result, the portion of the lower portion of the auxiliary shaft 200c that includes the central lower surface portion a and the central portion 240 of the diaphragm 200a are centered on the melted region including the vicinity of the irradiated portion F at the boundary between the central portion and the auxiliary shaft. The predetermined area is heated by the laser beam and uniformly melted and welded together. After that, by stopping the emission of the laser beam from the laser device L, the part including the central lower surface part a of the lower part of the auxiliary shaft 200c and the central part 240 of the diaphragm 200a are hardened through natural cooling.

ここで、上述のごとく、上記所定領域は、ダイヤフラム200aの中央部240の補助軸200cの下部のうち中央側下面部aを含む部位に対する載置状態において、少なくともダイヤフラム200aの中央部240の上面部及び補助軸200cの下部のうち中央側下面部aを含む部位以外の部位を含まない領域であることから、ダイヤフラム200aの中央部240を補助軸200cの下部のうち中央側下面部aを含む部位に載置した状態において、ダイヤフラム200aの中央部240がその押さえ板Qとの接合面まで溶融することはなく、また、補助軸200cの下部のうち中央側下面部aを含む部位は、当該部位以外の部位まで補助軸200cにおいて溶融することはない。従って、補助軸200c及びダイヤフラム200aは、その原形状を維持したまま、相互に溶着され得る。 Here, as described above, the predetermined region is at least the upper surface portion of the central portion 240 of the diaphragm 200a when placed on a portion including the central lower surface portion a of the lower portion of the auxiliary shaft 200c of the central portion 240 of the diaphragm 200a. and the lower portion of the auxiliary shaft 200c that does not include a portion other than the portion including the center-side lower surface portion a. In the state where the diaphragm 200a is placed on the plate Q, the central portion 240 of the diaphragm 200a does not melt up to the joint surface with the pressing plate Q, and the portion including the central side lower surface portion a of the lower portion of the auxiliary shaft 200c does not melt. The auxiliary shaft 200c is not melted to parts other than the above. Therefore, the auxiliary shaft 200c and the diaphragm 200a can be welded together while maintaining their original shape.

然る後、図2の押さえ板除去工程S6において、押さえ板Qが、ダイヤフラム200aの中央部240から除去される。これにより、補助軸200c及びダイヤフラム200aの中央部240が、相互に溶着硬化した状態にて、補助軸200cとダイヤフラム200aの中央部とのレーザー溶接による一体的な接合による連結構成が形成される。 Thereafter, in the pressing plate removing step S6 of FIG. 2, the pressing plate Q is removed from the central portion 240 of the diaphragm 200a. As a result, the auxiliary shaft 200c and the central portion 240 of the diaphragm 200a are mutually welded and hardened, and the auxiliary shaft 200c and the central portion of the diaphragm 200a are integrally joined by laser welding to form a connection structure.

以上によれば、ダイヤフラム200aの単独の部品としてのレーザー溶接前における利便性を確保しつつ、補助軸200cとダイヤフラム200aの中央部とを良好に連結し得る。これに伴い、ダイヤフラム200aにおける外周部210、中央部240及び当該外周部210と中央部240との間の部位である湾曲変位部の一体構成のもと、液体室Raの内部のシールが良好に確保され得る。 According to the above, the auxiliary shaft 200c and the central portion of the diaphragm 200a can be satisfactorily connected while ensuring the convenience before the laser welding of the diaphragm 200a as an independent component. Accordingly, the inside of the liquid chamber Ra is well sealed under the integral structure of the outer peripheral portion 210, the central portion 240, and the curved displacement portion between the outer peripheral portion 210 and the central portion 240 of the diaphragm 200a. can be secured.

また、ダイヤフラム200aの外周部210と補強用環状体200bとのレーザー溶接は、次のようにして行う。 Laser welding of the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a and the reinforcing annular body 200b is performed as follows.

上述のように補助軸200cとダイヤフラム200aの中央部とのレーザー溶接による一体的連結構成が形成された後、図4にて示す補強用環状体の保持工程S1aにおいて、補強用環状体200cを、その上面にて水平状になるように保持する(図5参照)。 After the integral connection structure is formed by laser welding the auxiliary shaft 200c and the central portion of the diaphragm 200a as described above, in the reinforcing annular body holding step S1a shown in FIG. It is held horizontally on its upper surface (see FIG. 5).

然る後、ダイヤフラムの載置工程S2aにおいて、ダイヤフラム200aが、その外周部210にて、補強用環状体200b上に位置するように、補強用環状体200bに載置される(図5参照)。 Thereafter, in the diaphragm mounting step S2a, the diaphragm 200a is mounted on the reinforcing annular body 200b so that the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a is positioned on the reinforcing annular body 200b (see FIG. 5). .

ついで、環状押さえ板の載置工程S3aにおいて、環状押さえ板Q1が、ダイヤフラム200aの外周部210を介し補強用環状体200bに同軸的に対向するように、ダイヤフラム200aの外周部210上に載置される(図5参照)。 Next, in the step S3a of placing the annular pressing plate, the annular pressing plate Q1 is placed on the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a so as to coaxially face the reinforcing annular body 200b through the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a. (See FIG. 5).

ここで、環状押さえ板Q1は、押さえ板Qの形成材料と同一の材料でもって所定の厚さ及び所定の外内径を有するように環状に形成されている。従って、環状押さえ板Q1は、押さえ板Qと同様の特性、即ち、光透過性及び高熱伝導性を有する。 Here, the annular presser plate Q1 is made of the same material as that of the presser plate Q and is formed in an annular shape having a predetermined thickness and a predetermined outer and inner diameter. Therefore, the annular presser plate Q1 has the same properties as the presser plate Q, that is, it has light transmittance and high thermal conductivity.

従って、当該環状押さえ板Q1は、その光透過性に起因して、レーザー光を吸収し難い。また、当該環状押さえ板Q1は、その高熱伝導性に起因して、ダイヤフラム200aの外周部210に対する載置状態において当該ダイヤフラム200aの外周部210の熱を吸収し易い。 Therefore, the annular presser plate Q1 hardly absorbs the laser beam due to its light transmissivity. Also, due to its high thermal conductivity, the annular pressing plate Q1 easily absorbs heat from the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a when placed on the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a.

なお、環状押さえ板Q1の所定の厚さは、環状押さえ板Q1を、上述のごとく、ダイヤフラム200aの外周部210上に載置した状態において、レーザー光を、後述のように、環状押さえ板Q1を通しダイヤフラム200aの外周部210と補強用環状体200bとの境界面の近傍に収束したとき、当該レーザー光が環状押さえ板Q1を良好に透過するとともに、環状押さえ板Q1が、レーザー光に起因してダイヤフラム200aの外周部210に生ずる熱を吸収して、当該ダイヤフラム220の外周部210の温度上昇を良好に抑制するように選定されている。また、環状押さえ板Q1の所定の外径は、補強用環状体200bの外径よりも大きく、環状押さえ板Q1の所定の内径は、補強用環状体200bの内径よりも小さく選定されている。 The predetermined thickness of the annular presser plate Q1 is obtained by applying a laser beam to the annular presser plate Q1 in a state where the annular presser plate Q1 is placed on the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a as described above. When the laser beam converges near the boundary surface between the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a and the reinforcing annular body 200b through the laser beam, the laser beam passes through the annular pressing plate Q1 satisfactorily, and the annular pressing plate Q1 is caused by the laser beam. The heat generated in the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a is thereby absorbed, and the temperature rise of the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 220 is suppressed satisfactorily. Further, the predetermined outer diameter of the annular pressing plate Q1 is selected to be larger than the outer diameter of the reinforcing annular body 200b, and the predetermined inner diameter of the annular pressing plate Q1 is selected to be smaller than the inner diameter of the reinforcing annular body 200b.

上述のように環状押さえ板Q1がダイヤフラム200aの外周部210上に載置された後、次の環状押さえ板に対する押え付け工程S4aにおいて、環状押さえ板Q1が、その上方から、適宜なプレス機(図示しない)により、図5にて矢印P1により示すごとく、ダイヤフラム200aの外周部210に向けて押し付けられる。このとき、環状押さえ板Q1は、その下面にて、ダイヤフラム200aの外周部210の上面の全面に亘り、一様な押圧力でもって、押え付けられる。 After the annular presser plate Q1 is placed on the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a as described above, in the next pressing step S4a for the annular presser plate, the annular presser plate Q1 is pressed from above by an appropriate press ( (not shown) is pressed toward the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a as indicated by the arrow P1 in FIG. At this time, the lower surface of the annular pressing plate Q1 presses the entire upper surface of the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a with a uniform pressing force.

このような押え付け状態のまま、次のレーザー光照射工程S5aにおいて、レーザー光が、上述のレーザー装置L(図6参照)により、次のようにして、環状押さえ板Q1に向けて照射される。 In the following laser light irradiation step S5a, while the pressing state is maintained, laser light is emitted from the laser device L (see FIG. 6) to the annular pressing plate Q1 in the following manner. .

レーザー装置Lにより環状押さえ板Q1に向けてレーザー光を照射するにあたっては、当該レーザー装置Lが、その出射部にて、ダイヤフラム200aの外周部210に対向するように、ダイヤフラム200aの外周部20の直上に維持される。本第1実施形態において、当該レーザー装置Lのレーザー光の収束点、即ち、上記レンズ系の焦点は、ダイヤフラム200aの外周部210とこれに対する補強用環状体200bとの境界部(以下、外周部―補強用環状体間境界部ともいう)上の部位F1(以下、照射部位F1ともいう)の近傍に対応する(図5参照)。 When the laser device L irradiates the annular holding plate Q1 with a laser beam, the laser device L is positioned at the outer peripheral portion 20 of the diaphragm 200a so that the emission portion thereof faces the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a. maintained upright. In the first embodiment, the convergence point of the laser beam of the laser device L, that is, the focal point of the lens system is the boundary portion between the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a and the reinforcing annular body 200b (hereinafter referred to as the outer peripheral portion). - corresponds to the vicinity of the site F1 (hereinafter also referred to as the irradiation site F1) on the boundary between the reinforcing annular bodies (see FIG. 5).

ここで、レーザー装置Lは、上記外周部―補強用環状体間境界部の照射部位F1の近傍を含む円周に沿い当該円周上にレーザー光を収束させながら、環状押さえ板Q1の軸周りに回転するようになっている。 Here, the laser device L converges the laser light along the circumference including the vicinity of the irradiation site F1 at the boundary between the outer peripheral portion and the reinforcing annular body, and rotates around the axis of the annular pressing plate Q1. It is designed to rotate to

このとき、レーザー装置Lのレンズ系の焦点が、上記外周部―補強用環状体間境界部の照射部位F1の近傍に一致するように、レーザー装置Lのダイヤフラム200aの外周部210に対する高さが位置調整される。 At this time, the height of the diaphragm 200a of the laser device L with respect to the outer peripheral portion 210 is adjusted so that the focal point of the lens system of the laser device L coincides with the vicinity of the irradiated portion F1 of the boundary portion between the outer peripheral portion and the reinforcing annular body. Aligned.

さらに、ダイヤフラム200aの外周部210及び補強用環状体200bの上面側部位が、上記外周部―補強用環状体間境界部の照射部位F1の近傍を中心として溶融可能なように、当該レーザー装置Lからのレーザー光の出射強度が調整される。 Furthermore, the laser device L is arranged so that the upper surface side portion of the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a and the reinforcing annular body 200b can be melted around the vicinity of the irradiation portion F1 at the boundary between the outer peripheral portion and the reinforcing annular body. The output intensity of laser light from is adjusted.

具体的には、当該レーザー装置Lは、その出射強度にて、上記外周部―補強用環状体間境界部の照射部位F1の近傍に対する加熱温度をPFAの融点よりも幾分高くするように、設定されている。 Specifically, the laser device L uses its emission intensity so that the heating temperature of the vicinity of the irradiated portion F1 of the boundary between the outer peripheral portion and the reinforcing annular body is slightly higher than the melting point of PFA. is set.

但し、環状押さえ板Q1が、その高熱伝導性のもとにダイヤフラム200aの外周部210の熱を吸熱することを考慮して、上記外周部―補強用環状体間境界部の照射部位F1の近傍に対する加熱温度がPFAの融点を超えて上昇しても、上記外周部―補強用環状体間境界部の照射部位F1の近傍を中心とする溶融領域が、押さえ板Qの場合と同様に、所定領域内に収まるように、照射部位F1の近傍に対するレーザー光の出射強度が所定の出射強度として設定されている。 However, considering that the annular holding plate Q1 absorbs the heat of the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a due to its high thermal conductivity, the vicinity of the irradiation site F1 at the boundary between the outer peripheral portion and the reinforcing annular body Even if the heating temperature rises above the melting point of PFA, the molten region centered around the irradiation site F1 at the boundary between the outer peripheral portion and the reinforcing annular body is the same as the pressing plate Q. The emission intensity of the laser light to the vicinity of the irradiation site F1 is set as a predetermined emission intensity so as to fall within the region.

しかして、当該レーザー装置Lが、その回転作動に伴い、レーザー光を出射すると、当該レーザー光は、図5にて示すごとく、環状押さえ板Q1及びダイヤフラム200aの外周部210を各厚さ方向に透過して、順次変位する上記外周部―補強用環状体間境界部の照射部位F1の近傍に収束する。 When the laser device L emits laser light as it rotates, the laser light travels through the annular pressing plate Q1 and the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a in the respective thickness directions, as shown in FIG. It is transmitted and converges in the vicinity of the irradiation site F1 at the boundary between the outer peripheral portion and the reinforcing annular body, which is sequentially displaced.

従って、このようなレーザー光による照射を維持しながら、上述のようなレーザー装置Lのレーザー光の出射強度の設定のもと、ダイヤフラム200aの外周部210及び補強用環状体200bの上面側部位が、上記外周部―補強用環状体間境界部の周方向に沿い、照射部位F1の近傍を中心として局所的にレーザー装置Lの移動位置に応じてレーザー光により順次加熱されていく。これに伴い、ダイヤフラム200aの外周部210及び補強用環状体200bの上面側部位が、その円周方向に沿い、上記外周部―補強用環状体間境界部の照射部位F1の近傍を中心として局所的に、順次、溶融されていく。 Therefore, while maintaining such laser light irradiation, under the setting of the laser light emission intensity of the laser device L as described above, the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a and the upper surface side portion of the reinforcing annular body 200b are , along the circumferential direction of the boundary between the outer peripheral portion and the reinforcing ring-like body, the laser light sequentially heats the vicinity of the irradiated portion F1 locally according to the moving position of the laser device L. As shown in FIG. Along with this, the outer peripheral part 210 of the diaphragm 200a and the upper surface side part of the reinforcing annular body 200b are localized along the circumferential direction around the vicinity of the irradiation site F1 at the boundary between the outer peripheral part and the reinforcing annular body. sequentially melted.

本第1実施形態において、上述のような局所的な加熱では、ダイヤフラム200aの外周部210に対する加熱温度は、環状押さえ板Q1による吸熱作用のもと、ダイヤフラム200aの外周部210においてその下面(補強用環状体200b側の面)からその反対側の面に向けて順次低下するとともに、補強用環状体200bにおいては、ダイヤフラム200aの外周部210側から当該外周部210の上面とは反対方向に向けて順次低下する。従って、補強用環状体200b及びダイヤフラム200aの外周部210が、上述した所定領域内において共に溶融することとなる。 In the first embodiment, in the local heating as described above, the heating temperature of the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a is increased at the lower surface (reinforcement) of the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a under the heat absorption effect of the annular pressing plate Q1. In the reinforcing annular body 200b, from the side of the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a to the opposite direction to the upper surface of the outer peripheral portion 210. gradually decrease. Therefore, the reinforcing annular body 200b and the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a are melted together within the predetermined region described above.

このようなレーザー光による照射を維持しながら、レーザー装置Lが、レーザー光を、上記外周部―補強用環状体間境界部の照射部位F1の近傍を含む円周領域(溶融領域)上に沿い順次収束させるように、回転していく。 While maintaining such laser light irradiation, the laser device L directs the laser light along the circumferential region (melting region) including the vicinity of the irradiation site F1 at the boundary between the outer peripheral portion and the reinforcing annular body. It rotates so that it converges sequentially.

これにより、補強用環状体200bの上面側部位及びダイヤフラム200aの外周部210が、上記外周部―補強用環状体間境界部の照射部位F1の近傍を含む円周領域を中心とする上記所定の領域に亘り、レーザー光により加熱されて一様に溶融して共に溶着していく。その後、レーザー装置Lからのレーザー光の出射を停止することで、補強用環状体200bの上面側部位及びダイヤフラム200aの外周部210は、自然冷却を経て硬化していく。従って、補強用環状体200b及びダイヤフラム200aは、その原形状を維持したまま、相互に溶着され得る。 As a result, the upper surface side portion of the reinforcing ring-shaped body 200b and the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a are formed in the above-described predetermined circumferential region centered on the vicinity of the irradiation site F1 at the boundary between the outer peripheral portion and the reinforcing ring-shaped body. The area is heated by the laser light and uniformly melted and welded together. After that, by stopping the emission of the laser light from the laser device L, the upper surface side portion of the reinforcing annular body 200b and the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a are naturally cooled and hardened. Therefore, the reinforcing annular body 200b and the diaphragm 200a can be welded together while maintaining their original shape.

然る後、図4の環状押さえ板除去工程S6aにおいて、環状押さえ板Q1が、ダイヤフラム200aの外周部210から除去される。これにより、補強用環状体200b及びダイヤフラム200aの外周部210が、相互に溶着硬化した状態にて、補強用環状体200bとダイヤフラム200aの外周部とのレーザー溶接による一体的な接合構成が形成される。これに伴い、補強用環状体200bとダイヤフラム200aの外周部210との間のシールが良好に確保され得る。 Thereafter, in the annular presser plate removing step S6a of FIG. 4, the annular presser plate Q1 is removed from the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a. As a result, the reinforcing annular body 200b and the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a are welded and hardened to each other, and an integral joint structure is formed by laser welding the reinforcing annular body 200b and the outer peripheral portion of the diaphragm 200a. be. Along with this, a good seal can be ensured between the reinforcing annular body 200b and the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a.

以上のようにしてダイヤフラム部材200が、ダイヤフラム200a、補強用環状体200b及び保持軸200cでもって、一体的に形成される。このように構成してなるダイヤフラム部材200aのうち補助軸200cが、駆動機構300のピストン軸320とは別部品として形成されている。従って、ダイヤフラム部材200によれば、ハウジング100内において駆動機構300とダイヤフラム200aとの間における隔壁120等の構成部品の組み付けを容易に行うことができるのは勿論のこと、少なくともレーザー溶接前におけるダイヤフラム部材200は、各種の仕様を有するダイヤフラム弁においても利用し得るという利便性が確保され得る。 As described above, the diaphragm member 200 is integrally formed with the diaphragm 200a, the reinforcing annular body 200b, and the holding shaft 200c. The auxiliary shaft 200c of the diaphragm member 200a configured in this manner is formed as a separate component from the piston shaft 320 of the drive mechanism 300. As shown in FIG. Therefore, according to the diaphragm member 200, it is possible to easily assemble components such as the partition wall 120 between the driving mechanism 300 and the diaphragm 200a in the housing 100. The member 200 can ensure the convenience that it can be used in diaphragm valves having various specifications.

上述のようにダイヤフラム部材200が形成された後は、ダイヤフラム部材200が、補助軸200cを上側に保持するようにして、ダイヤフラム200aにて、予め準備してある底壁110の上壁部111の外側環状壁部111bの内側に嵌装して補強用環状体200bを介し内側環状壁部111a上に着座させる。 After the diaphragm member 200 is formed as described above, the diaphragm member 200 holds the auxiliary shaft 200c upward, and the upper wall portion 111 of the bottom wall 110 prepared in advance is held by the diaphragm 200a. It is fitted inside the outer annular wall portion 111b and is seated on the inner annular wall portion 111a via the reinforcing annular body 200b.

このとき、補強用環状体200bが、ダイヤフラム200aの外周部にレーザー溶接されているので、補強用環状体200bを底壁110の上壁部111の外側環状壁部111bの内側にて内側環状壁部111a上に着座させることで、ダイヤフラム200aを内側環状壁部111a上に補強用環状体200bを介し着座させ得る。 At this time, since the reinforcing annular body 200b is laser-welded to the outer peripheral portion of the diaphragm 200a, the reinforcing annular body 200b is attached to the inner annular wall portion 111b of the upper wall portion 111 of the bottom wall 110 inside the outer annular wall portion 111b. By seating on the portion 111a, the diaphragm 200a can be seated on the inner annular wall portion 111a via the reinforcing annular body 200b.

換言すれば、ダイヤフラム200aが薄いために取扱いにくくても、上述のようなダイヤフラム200aの外周部210と補強用環状体200bとのダイヤフラム200aの下面に沿うレーザー溶着による構成でもって、補強用環状体200bが、ダイヤフラム200aに対し補強機能を発揮して、ダイヤフラム200aを上壁部111の外側環状壁部111bの内側に容易に嵌装して内側環状壁部111a上に補強用環状体200bと共に良好に着座させ得る。
In other words, even if the diaphragm 200a is thin and difficult to handle, the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a and the reinforcing annular body 200b are laser-welded along the lower surface of the diaphragm 200a as described above. The body 200b exerts a reinforcing function on the diaphragm 200a, so that the diaphragm 200a can be easily fitted inside the outer annular wall portion 111b of the upper wall portion 111 and mounted on the inner annular wall portion 111a together with the reinforcing annular body 200b. Good seating.

ついで、隔壁120が、図1にて示すごとく、連通路121の内端開孔部にてダイヤフラム200aに対向するように、隔壁本体120aにて、ダイヤフラム200aを介し内側環状壁部111aに対向するように外側環状壁部111bの内側に嵌装されるとともに、環状フランジ部120bにて、外側環状壁部111b上に着座するように、底壁110に組み付けられる。これにより、ダイヤフラム200の外周部210の補強用環状体200bとのレーザー溶接のもと、ダイヤフラム200aの外周部210が、補強用環状体200bを介し、内側環状壁部111aと隔壁本体120aの外周部との間に挟持されるので、液体室Raの内部のシールが上述のごとく良好に確保され得る。なお、上述のように、隔壁120が上壁110に組み付けられるとき、隔壁120は、その貫通孔部122にて、補助軸200cに同軸的に嵌装される。 Next, as shown in FIG. 1, the partition wall 120 faces the inner annular wall portion 111a via the diaphragm 200a at the partition body 120a so that the inner end opening of the communication passage 121 faces the diaphragm 200a. It is fitted inside the outer annular wall portion 111b as shown in FIG. As a result, when the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200 is laser-welded to the reinforcing ring-shaped member 200b, the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a is welded to the outer circumference of the inner ring-shaped wall portion 111a and the bulkhead main body 120a via the reinforcing ring-shaped member 200b. As described above, the inside of the liquid chamber Ra can be satisfactorily sealed. As described above, when the partition wall 120 is assembled to the upper wall 110, the partition wall 120 is coaxially fitted to the auxiliary shaft 200c at the through hole portion 122 thereof.

ついで、ピストン軸320が、その軸状雄ねじ部320bにて、Oリング321を介し隔壁120の貫通孔部122に嵌装されながら、補助軸200cの雌ねじ孔部260内に同軸的に締着される。このとき、上述のごとく、ダイヤフラム200aの中央部240と補助軸200cの延出端部とがレーザー溶接されている。従って、上述したフィルム状のダイヤフラム200aは非常に薄いものの、ダイヤフラム200aがその中央部240にて補助軸200cとレーザー溶接されているため、当該ダイヤフラム200aがその中央部にてピストン軸320との連結に要する連結部を有さなくても、ピストン軸320の軸状雄ねじ部320bを、補助軸200cの雌ねじ孔部260に螺着することで、ピストン軸320、ダイヤフラム200aと補助軸200cとの連結を容易に行うことができる。 Next, the piston shaft 320 is coaxially fastened in the female threaded hole 260 of the auxiliary shaft 200c while being fitted in the through hole 122 of the partition wall 120 via the O-ring 321 at the male threaded portion 320b of the piston shaft 320. be. At this time, as described above, the center portion 240 of the diaphragm 200a and the extended end portion of the auxiliary shaft 200c are laser welded. Therefore, although the film-like diaphragm 200a described above is very thin, because the diaphragm 200a is laser-welded to the auxiliary shaft 200c at its central portion 240, the diaphragm 200a is connected to the piston shaft 320 at its central portion. By screwing the shaft-shaped male threaded portion 320b of the piston shaft 320 into the female threaded hole portion 260 of the auxiliary shaft 200c, the piston shaft 320, the diaphragm 200a and the auxiliary shaft 200c can be connected without a connecting portion required for can be easily done.

然る後、上側ハウジング部材100bが、予め準備したコイルスプリング330を環状溝部141内に嵌装したまま、周壁130の中空部131内にピストン310を、Oリング131を介し収容しつつ、その先端開口部にて、隔壁本体120aに嵌装されて環状フランジ部120b上に着座する。これにより、ダイヤフラム弁の製造組み付けが完了する。 After that, the upper housing member 100b accommodates the piston 310 in the hollow portion 131 of the peripheral wall 130 via the O-ring 131 with the coil spring 330 prepared in advance fitted in the annular groove portion 141. At the opening, it is fitted into the bulkhead body 120a and sits on the annular flange portion 120b. This completes the manufacture and assembly of the diaphragm valve.

以上のように構成した本第1実施形態において、半導体素子を上記半導体製造装置により製造するにあたり、当該空気作動形ダイヤフラム弁が閉弁状態にあるものとする。 In the first embodiment configured as described above, it is assumed that the air-operated diaphragm valve is closed when the semiconductor device is manufactured by the semiconductor manufacturing apparatus.

このとき、当該空気作動形ダイヤフラム弁においては、ピストン310が、コイルスプリング330による付勢力に基づき、上側ハウジング部材110b内において、下方へ摺動している。 At this time, in the air-operated diaphragm valve, the piston 310 slides downward within the upper housing member 110b due to the biasing force of the coil spring 330. As shown in FIG.

これに伴い、ピストン軸320が、補助軸200cを介しダイヤフラム200aをその中央部240である弁体部240にて環状弁座部111cに着座させている。このようなダイヤフラム弁の閉弁状態において、圧縮空気流が上記圧縮空気流供給源から上側ハウジング部材100bの開孔部134及び連通路部133を通り下側室131b内に供給されると、ピストン310が、ピストン軸320と共に、下側室131b内の圧縮空気流の圧力に基づきコイルスプリング330の付勢力に抗して上側ハウジング部材100bの中空部131を上方へ摺動する。 Accordingly, the piston shaft 320 causes the diaphragm 200a to be seated on the annular valve seat portion 111c at the valve body portion 240, which is the central portion 240 thereof, via the auxiliary shaft 200c. In such a closed state of the diaphragm valve, when a compressed air flow is supplied from the compressed air flow supply source through the opening 134 and the communication passage 133 of the upper housing member 100b into the lower chamber 131b, the piston 310 slides upward in the hollow portion 131 of the upper housing member 100b together with the piston shaft 320 against the biasing force of the coil spring 330 based on the pressure of the compressed air flow in the lower chamber 131b.

これに伴い、補助軸200cが、ピストン軸320と共に連動して、ダイヤフラム200aがその中央部240にて補助軸200cにより引っ張られて、空気室Rb側へ湾曲状に変位する。これに伴い、ダイヤフラム200aが、その中央部240にて、環状弁座部111cから離れる。これにより、ダイヤフラム弁が開弁状態になる。 Along with this, the auxiliary shaft 200c interlocks with the piston shaft 320, and the diaphragm 200a is pulled by the auxiliary shaft 200c at its central portion 240, and is curved toward the air chamber Rb. Accordingly, the diaphragm 200a moves away from the annular valve seat portion 111c at its central portion 240. As shown in FIG. This opens the diaphragm valve.

このような状態において、液体が上記液体供給源から上記配管系統の上流部に供給されると、当該液体が、流入筒110b、連通路部112及び環状弁座部111cを通り液体室Ra内に流入する。このように液体室Ra内に流入する液体は、連通路部113及び流出筒110cを通り上記配管系統の下流部内に流出する。 In this state, when the liquid is supplied from the liquid supply source to the upstream portion of the piping system, the liquid flows into the liquid chamber Ra through the inflow tube 110b, the communication passage portion 112, and the annular valve seat portion 111c. influx. The liquid flowing into the liquid chamber Ra in this manner passes through the communication passage portion 113 and the outflow tube 110c and flows out into the downstream portion of the piping system.

このような液体の流動過程においては、上述のように液体室Ra内に流入する液体が、その液圧の変動に応じて、ダイヤフラム200aを空気室Rb側或いは液体室Raへ湾曲変位させつつ、液体室Raから連通路部113を介し流出筒110c内に流動する。 In such a liquid flow process, the liquid flowing into the liquid chamber Ra as described above bends and displaces the diaphragm 200a toward the air chamber Rb side or the liquid chamber Ra according to the fluctuation of the liquid pressure. The liquid flows from the liquid chamber Ra into the outflow pipe 110c through the communicating passage portion 113. As shown in FIG.

ここで、ダイヤフラム200aは、上述のごとく、PFAでもって押し出し成形により形成されたフィルム状のダイヤフラムである。このため、当該ダイヤフラム200aは、その両面にて、良好な平滑面となっている。 Here, the diaphragm 200a is a film-like diaphragm formed by extrusion molding of PFA, as described above. Therefore, both surfaces of the diaphragm 200a are excellent smooth surfaces.

従って、ダイヤフラム弁が作動状態にあっても、切削痕に起因するようなパーティクルが、ダイヤフラム200aの液体との接触により当該ダイヤフラム200aから剥離されて液体内に混入するという事態を生じないのは勿論のこと、数nmサイズの微小なパーティクルの液体内への混入さえも最少(最小限)に抑制し得る。また、このようなことは、ダイヤフラム弁の作動状態において、ダイヤフラム200aの中央部240が環状弁座部111cに着座したり当該環状弁座111cから離れたりしても、同様に成立する。 Therefore, even if the diaphragm valve is in an operating state, particles such as those caused by cutting marks will not, of course, be separated from the diaphragm 200a and mixed into the liquid due to the contact of the diaphragm 200a with the liquid. In other words, it is possible to minimize (minimize) even the contamination of minute particles of several nanometers in size into the liquid. Also, this holds true even if the central portion 240 of the diaphragm 200a is seated on the annular valve seat portion 111c or separated from the annular valve seat 111c in the operating state of the diaphragm valve.

以上のようなことから、液体室Ra内にて流入する液体は、数nmサイズの微小なパーティクルの混入さえも最少に抑制することで、実質的に清浄に維持されて、連通路部113及び流出筒110cを通り上記配管系統の下流部内に流出する。 As described above, the liquid flowing into the liquid chamber Ra is kept substantially clean by minimizing the contamination of even minute particles of several nanometers in size. It flows out into the downstream portion of the piping system through the outflow tube 110c.

従って、上記配管系統の下流部内に流出した液体が、半導体素子の製造にあたり、例えば、例えば10(nm)以下の配線ピッチを有する半導体ウェハーの表面に沿い流動しても、数nmサイズのパーティクルが当該半導体ウェハーの表面に付着して配線間の短絡その他の異常を招くことはない。その結果、製造された半導体素子の品質が良好に維持され得る。 Therefore, even if the liquid that has flowed out into the downstream portion of the piping system flows along the surface of a semiconductor wafer having a wiring pitch of 10 (nm) or less, for example, particles of several nanometers are generated in the manufacture of semiconductor devices. It does not adhere to the surface of the semiconductor wafer and cause short circuits between wirings or other abnormalities. As a result, the quality of the manufactured semiconductor device can be favorably maintained.

また、フィルム状のダイヤフラム200aは、上述のごとく、PFAを用いた押し出し成形により形成されているから、数nmサイズのパーティクルの発塵をも最少に抑制し得るとともに屈曲性に優れ長寿命を維持し得るダイヤフラムとして形成され得る。従って、このようなダイヤフラム200aを有するダイヤフラム弁が半導体製造装置に適用されても、ダイヤフラム200aが長期に亘り屈曲作動を良好に維持することから、当該ダイヤフラム弁は、半導体製造装置に適用されるダイヤフラム弁として、長期に亘り良好な機能を維持し得る。
(第2実施形態)
図6は、本発明の第2実施形態の要部を示している。当該第2実施形態では、空気作動形ダイヤフラム弁が、補強用環状体200bをダイヤフラム200aの外周部210にその上面側からレーザー溶接してなるダイヤフラム部材を、上記第1実施形態にて述べたダイヤフラム部材200に代えて採用してなるものである。なお、本第2実施形態にいうダイヤフラム部材も、上記第1実施形態と同様に、符号200により示す。
In addition, since the film-shaped diaphragm 200a is formed by extrusion molding using PFA, as described above, it is possible to suppress the generation of particles of several nanometers in size to a minimum, and at the same time, it has excellent flexibility and maintains a long service life. It can be formed as a flexible diaphragm. Therefore, even if a diaphragm valve having such a diaphragm 200a is applied to a semiconductor manufacturing apparatus, the diaphragm 200a maintains a favorable bending operation for a long period of time. As a valve, it can maintain good function over a long period of time.
(Second embodiment)
FIG. 6 shows the main part of the second embodiment of the invention. In the second embodiment, the air-operated diaphragm valve includes a diaphragm member obtained by laser-welding a reinforcing annular body 200b to the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a from the upper surface side, as the diaphragm described in the first embodiment. It is adopted instead of the member 200 . Note that the diaphragm member referred to in the second embodiment is also denoted by reference numeral 200 as in the first embodiment.

当該ダイヤフラム部材200は、上記第1実施形態と同様に、ダイヤフラム200a、補強用環状体200b及び補助軸200cでもって構成されている。本第2実施形態においても、補助軸200cは、上記第1実施形態と同様に、ダイヤフラム200aの中央部240にレーザー溶接されている。また、補強用環状体200bは、上記第1実施形態とは異なり、ダイヤフラム200aの外周部210にて、上面230側からレーザー溶接されている。 The diaphragm member 200 is composed of a diaphragm 200a, a reinforcing annular body 200b and an auxiliary shaft 200c, as in the first embodiment. Also in the second embodiment, the auxiliary shaft 200c is laser-welded to the central portion 240 of the diaphragm 200a as in the first embodiment. Further, unlike the first embodiment, the reinforcing annular body 200b is laser-welded to the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a from the upper surface 230 side.

ここで、上記第1実施形態と同様に補助軸200cとレーザー溶接してなるダイヤフラム200aの外周部210と補強用環状体200bとのレーザー溶接は、次のようにして行う。 Here, as in the first embodiment, laser welding of the auxiliary shaft 200c and the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a formed by laser welding to the reinforcing annular body 200b is performed as follows.

図4の補強用環状体の保持工程S1aにおいて、補強用環状体200bがその上面にて水平状に位置するように保持される(図7参照)。すると、次のダイヤフラムの載置工程S2aにおいて、ダイヤフラム200aが、上記第1実施形態とは異なり、その上面230にて、補強用環状体200b上にその上側から載置される。このとき、当該載置は、ダイヤフラム200aの外周部210が補強用環状体200bに同軸的に対応するようになされる。 In the holding step S1a of the reinforcing annular body in FIG. 4, the reinforcing annular body 200b is held horizontally on its upper surface (see FIG. 7). Then, in the next diaphragm mounting step S2a, the diaphragm 200a is mounted on the upper surface 230 of the diaphragm 200a on the reinforcing annular body 200b from above, unlike the first embodiment. At this time, the placement is such that the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a coaxially corresponds to the reinforcing annular body 200b.

然る後は、環状押さえ板の載置工程S3a、レーザー光照射工程S5a及び環状押さえ板の除去工程S6aの各処理が、上記第1実施形態と同様になされる。これにより、補強用環状体200b及びダイヤフラム200aの外周部210が、相互に溶着硬化した状態にて、補強用環状体200bとダイヤフラム200aの外周部とのレーザー溶接による一体的な接合構成が形成される。 After that, the steps S3a for placing the annular presser plate, the step S5a for irradiating the laser beam, and the step S6a for removing the annular presser plate are performed in the same manner as in the first embodiment. As a result, the reinforcing annular body 200b and the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a are welded and hardened to each other, and an integral joint structure is formed by laser welding the reinforcing annular body 200b and the outer peripheral portion of the diaphragm 200a. be.

その結果、補強用環状体200bとダイヤフラム200aの外周部とのレーザー溶接に関して、ダイヤフラム200aの利便性を確保しつつ、上記第1実施形態にて述べたと同様の作用効果が、本第2実施形態のダイヤフラム部材200においても達成され得る。 As a result, with respect to laser welding between the reinforcing annular body 200b and the outer peripheral portion of the diaphragm 200a, the same effects as described in the first embodiment can be obtained while ensuring the convenience of the diaphragm 200a. can also be achieved in the diaphragm member 200 of

上述のように、本第2実施形態にいうダイヤフラム部材200が形成された後は、当該ダイヤフラム部材200が、次のようにして下側ハウジング部材100aに組み付けられる。 After forming the diaphragm member 200 according to the second embodiment as described above, the diaphragm member 200 is assembled to the lower housing member 100a in the following manner.

ここで、上記第1実施形態にて説明した下側ハウジング部材100aの底壁本体110aにおいて、上壁部111が、内側環状壁部111a及び外側環状壁部111bに加えて、これら両内側環状壁部111a及び外側環状壁部111bの間に中側壁部111dを有するように形成されている。 Here, in the bottom wall main body 110a of the lower housing member 100a described in the first embodiment, the upper wall portion 111 includes both the inner annular wall portion 111a and the outer annular wall portion 111b, as well as the inner annular wall portion 111a and the outer annular wall portion 111b. It is formed to have an intermediate wall portion 111d between the portion 111a and the outer annular wall portion 111b.

そして、中側壁部111dは、内側環状壁部111aの外周部上に形成されており、当該中側壁部111dは、内側環状壁部111aよりも高く突出している。これにより、底壁本体111は、その上壁部111にて、内側環状壁部111a、中側壁部111d及び外側環状壁部111bに亘り順次上方へ階段状に突出するように形成されている。 The middle wall portion 111d is formed on the outer peripheral portion of the inner annular wall portion 111a, and the middle wall portion 111d protrudes higher than the inner annular wall portion 111a. As a result, the bottom wall body 111 is formed so that the upper wall portion 111 of the bottom wall body 111 protrudes upward in a stepwise manner over the inner annular wall portion 111a, the intermediate wall portion 111d, and the outer annular wall portion 111b.

しかして、本第2実施形態において、上述のように構成してなるダイヤフラム部材200では、ダイヤフラム200aが、補強用環状体200bを上側に位置させる状態にて、外側壁部211a内に嵌装されて、外周部210にて、中側壁部111d上に着座する。これに伴い、補強用環状体200bが、ダイヤフラム200aの上側から外側環状壁部111b内に嵌装される。 Thus, in the second embodiment, in the diaphragm member 200 configured as described above, the diaphragm 200a is fitted in the outer wall portion 211a with the reinforcing annular body 200b positioned on the upper side. Then, the outer peripheral portion 210 is seated on the middle wall portion 111d. Along with this, the reinforcing annular body 200b is fitted into the outer annular wall portion 111b from the upper side of the diaphragm 200a.

ついで、隔壁120が、図6にて示すごとく、補強用環状体200bを介し、連通路121の内端開孔部にてダイヤフラム200aに対向するように、隔壁本体120aにて、外側環状壁部111bの内側に嵌装されて補強用環状体200b上に着座するとともに、環状フランジ部120bにて、外側環状壁部111b上に着座するように、底壁110に組み付けられる。このとき、隔壁120の貫通孔部122内には、補助軸200cが同軸的に摺動可能に嵌装される。 Next, as shown in FIG. 6, the partition wall 120 faces the diaphragm 200a at the inner end opening of the communicating passage 121 via the reinforcing annular member 200b, and the outer annular wall portion is formed at the partition main body 120a. 111b and is seated on the reinforcing annular body 200b, and is assembled to the bottom wall 110 so as to be seated on the outer annular wall portion 111b at the annular flange portion 120b. At this time, the auxiliary shaft 200c is coaxially and slidably fitted in the through hole portion 122 of the partition wall 120 .

このように、ダイヤフラム部材200が、上記第1実施形態とは異なり、補強用環状体200bをダイヤフラム200aの外周部210にその上面側からレーザー溶接した構成を有していても、補助軸200cが、駆動機構300のピストン軸320とは別部品として形成されている。従って、本第2実施形態でも、ダイヤフラム部材200によれば、ハウジング100内において駆動機構300とダイヤフラム200aとの間における隔壁120等の構成部品の組み付けを容易に行うことができるのは勿論のこと、当該ダイヤフラム部材200を、各種の仕様を有するダイヤフラム弁においても利用し得るという利便性が確保され得る。 As described above, unlike the first embodiment, the diaphragm member 200 has a structure in which the reinforcing annular body 200b is laser-welded to the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a from the upper surface side. , is formed as a separate part from the piston shaft 320 of the drive mechanism 300 . Therefore, according to the diaphragm member 200 in the second embodiment as well, it is of course possible to easily assemble components such as the partition wall 120 between the driving mechanism 300 and the diaphragm 200a in the housing 100. , the convenience that the diaphragm member 200 can be used in diaphragm valves having various specifications can be ensured.

ついで、ピストン軸320が、その軸状雄ねじ部320bにて、Oリング321を介し隔壁120の貫通孔部122に嵌装されながら、補助軸200cの雌ねじ孔部260内に同軸的に締着される。このように、上記第1実施形態にて述べたと同様に、ダイヤフラム200aがその中央部にてピストン軸320との連結に要する連結部を有さなくても、補助軸200cの雌ねじ孔部260内にピストン軸320の軸状雄ねじ部320bを締着することで、ダイヤフラム200aとピストン軸320との連結を容易に行うことができる。その他の構成及び作用効果は上記第1実施形態と同様である。
(第3実施形態)
図8は、本発明を適用してなるダイヤフラム弁の第3実施形態を示している。当該第3実施形態において、当該ダイヤフラム弁としては、上記第1実施形態にて述べた空気作動形ダイヤフラム弁とは異なり、電磁作動形ダイヤフラム弁が採用されている。
Next, the piston shaft 320 is coaxially fastened in the female threaded hole 260 of the auxiliary shaft 200c while being fitted in the through hole 122 of the partition wall 120 via the O-ring 321 at the male threaded portion 320b of the piston shaft 320. be. In this way, as described in the first embodiment, even if the diaphragm 200a does not have a connecting portion required for connecting with the piston shaft 320 at its central portion, the inner threaded hole portion 260 of the auxiliary shaft 200c can be The diaphragm 200a and the piston shaft 320 can be easily connected by fastening the shaft-like male threaded portion 320b of the piston shaft 320 to the shaft. Other configurations and effects are the same as those of the first embodiment.
(Third Embodiment)
FIG. 8 shows a third embodiment of a diaphragm valve to which the present invention is applied. In the third embodiment, an electromagnetically operated diaphragm valve is employed as the diaphragm valve, unlike the air operated diaphragm valve described in the first embodiment.

当該電磁作動形ダイヤフラム弁は、図8にて示すごとく、筒状ハウジングと、上記第1実施形態にて述べたダイヤフラム部材200と、電磁作動形駆動機構400とを備えて、常閉型の電磁作動形電磁弁として構成されている。なお、本第3実施形態において、上記筒状ハウジングは、上記第1実施形態と同様に、符号100により示す。また、電磁作動形駆動機構400は、以下、駆動機構400ともいう。 As shown in FIG. 8, the electromagnetically actuated diaphragm valve includes a cylindrical housing, the diaphragm member 200 described in the first embodiment, and an electromagnetically actuated drive mechanism 400, and is a normally closed electromagnetic valve. It is configured as an actuated solenoid valve. In addition, in the third embodiment, the cylindrical housing is denoted by reference numeral 100 as in the first embodiment. Further, the electromagnetically actuated drive mechanism 400 is hereinafter also referred to as the drive mechanism 400 .

本第3実施形態にいう筒状ハウジング100は、下側ハウジング部材100c及び上側ハウジング部材100dにより構成されている。下側ハウジング部材100cは、図8にて示すごとく、上記第1実施形態にて述べた底壁110と、隔壁150とにより構成されている。 The tubular housing 100 according to the third embodiment is composed of a lower housing member 100c and an upper housing member 100d. As shown in FIG. 8, the lower housing member 100c is composed of the bottom wall 110 and the partition wall 150 described in the first embodiment.

隔壁150は、図8にて示すごとく、隔壁本体150a及び環状フランジ部150bを有しており、隔壁本体150aは、その下壁部にて、底壁本体110aの上壁部111の外側環状壁部111b内に嵌装されて、ダイヤフラム部材200のダイヤフラム200a及び補強用環状体200bを介し内側環状壁部111a上に着座している。 As shown in FIG. 8, the partition 150 has a partition main body 150a and an annular flange portion 150b. It is fitted within the portion 111b and rests on the inner annular wall portion 111a via the diaphragm 200a of the diaphragm member 200 and the reinforcing annular body 200b.

また、環状フランジ150bは、隔壁本体150aの外周部のうち下側部位を除く部位から径方向に沿い外方へ環状に突出するように形成されており、当該環状フランジ150bは、底壁本体110aの上壁部111の外側環状壁部111b上に同軸的に着座している。このようにして、隔壁150は、ダイヤフラム200a及び補強用環状体200bを介して、底壁本体110aにその上方から同軸的に組み付けられている。 Further, the annular flange 150b is formed so as to annularly protrude outward along the radial direction from a portion of the outer peripheral portion of the partition wall body 150a excluding the lower portion. It sits coaxially on the outer annular wall portion 111b of the upper wall portion 111 of the. In this manner, the partition wall 150 is coaxially attached to the bottom wall main body 110a from above via the diaphragm 200a and the reinforcing annular body 200b.

上側ハウジング部材100dは、上記第1実施形態にて述べた上側ハウジング部材100bと同様に、横断面矩形状に形成されており、当該上側ハウジング部材100dは、周壁170及び上壁180とでもって、磁性材料(例えば、鉄)により一体的に形成されている。 The upper housing member 100d, like the upper housing member 100b described in the first embodiment, has a rectangular cross section. It is integrally formed of a magnetic material (for example, iron).

周壁170は、上壁180から下方に向け筒状に延出されており、当該周壁170は、その延出端開口部にて、案内部材160の環状フランジ部160b(後述する)と共に隔壁150上に同軸的に組み付けられている。 The peripheral wall 170 extends downward from the upper wall 180 in a cylindrical shape. is coaxially mounted on the

案内部材160は、その軸方向にプランジャー400b(後述する)を案内する役割を果たすもので、当該案内部材160は、円筒部160a及び環状フランジ部160bを一体的に有するように形成されている。環状フランジ部160bは、円頭部160aを周壁170内にて同軸的に位置させるように、当該円筒部160aの下端部から上壁180に平行となるように半径方向に延出しており、当該環状フランジ部160bは、その外周部にて、周壁170の延出端開口部内にカシメにより固着されている。なお、円筒部160aは、環状フランジ部160bの内周部から周壁170内に同軸に延出している。 The guide member 160 serves to guide the plunger 400b (described later) in its axial direction, and the guide member 160 is integrally formed with a cylindrical portion 160a and an annular flange portion 160b. . The annular flange portion 160b extends radially from the lower end of the cylindrical portion 160a parallel to the upper wall 180 so as to position the circular head portion 160a coaxially within the peripheral wall 170. The annular flange portion 160b is fixed at its outer peripheral portion in the extension end opening of the peripheral wall 170 by caulking. The cylindrical portion 160a coaxially extends into the peripheral wall 170 from the inner peripheral portion of the annular flange portion 160b.

ダイヤフラム部材200は、上記第1実施形態にて述べたダイヤフラム部材と同様の構成を有しており、当該ダイヤフラム部材200においては、ダイヤフラム200aが補強用環状体200bとともに底壁本体110aの上壁部111のうち外側環状壁部111bの内周側に嵌装されている。 The diaphragm member 200 has a configuration similar to that of the diaphragm member described in the first embodiment. 111 is fitted on the inner peripheral side of the outer annular wall portion 111b.

これに伴い、ダイヤフラム200aは、補強用環状体200bを介し上壁部111の内側環状壁部111a上に着座しており、当該ダイヤフラム200aは、外側環状壁部111bの内周側にて内側環状壁部111aと隔壁本体150aとの間を、上記第1実施形態にて述べた液体室Raと空気室Rbとに区画する。 Along with this, the diaphragm 200a is seated on the inner annular wall portion 111a of the upper wall portion 111 via the reinforcing annular body 200b, and the diaphragm 200a is positioned on the inner peripheral side of the outer annular wall portion 111b. The space between the wall portion 111a and the partition main body 150a is divided into the liquid chamber Ra and the air chamber Rb described in the first embodiment.

補助軸200cは、隔壁本体150aの中央部に同軸的に形成してなる貫通孔部151内に摺動可能に嵌装されている。なお、上述した空気室Rbは、その内部にて、隔壁150を通して外部に開放されていてもよく、また、隔壁本体150aの貫通孔部151と補助軸200cとの間を通して上側ハウジング部材100dの内部に連通するようにしてもよい。 The auxiliary shaft 200c is slidably fitted in a through-hole 151 coaxially formed in the central portion of the bulkhead main body 150a. The interior of the air chamber Rb may be open to the outside through the partition wall 150, and the air chamber Rb may be opened to the outside through the partition wall main body 150a through the through hole 151 and the auxiliary shaft 200c. may be communicated with.

駆動機構400は、コイル部材400a、プランジャー400b、コイルスプリング400c及び円柱状ストッパー部材400dを備えている。コイル部材400aは、上側ハウジング部材100dの周壁170内に同軸的に嵌装されている。当該コイル部材400aは、筒状ボビン410及びソレノイド420を有している。筒状ボビン410は、筒部411と、当該筒部411の軸方向両端部から外方へ半径方向に延出する上下両側環状壁部412、413とにより構成されている。ソレノイド420は、上下両側環状壁部412、413の間において筒部411に巻装されている。 The driving mechanism 400 includes a coil member 400a, a plunger 400b, a coil spring 400c and a cylindrical stopper member 400d. The coil member 400a is coaxially fitted within the peripheral wall 170 of the upper housing member 100d. The coil member 400 a has a tubular bobbin 410 and a solenoid 420 . The tubular bobbin 410 is composed of a tubular portion 411 and upper and lower annular wall portions 412 and 413 radially extending outward from both axial end portions of the tubular portion 411 . The solenoid 420 is wound around the tubular portion 411 between the upper and lower annular wall portions 412 and 413 .

このように構成してなるコイル部材400aは、筒状ボビン410の筒部411にて、案内部材160の円筒部160a及び円柱状ストッパー部材400dに嵌装されるようにして周壁170内に収容されている。なお、ソレノイド420は、その上端端子にて、筒状ボビン410の上側環状壁部412を介し電源(図示しない)の給電線Hに接続されるようになっている。 The coil member 400a configured in this way is accommodated in the peripheral wall 170 so that the cylindrical portion 411 of the cylindrical bobbin 410 is fitted to the cylindrical portion 160a of the guide member 160 and the cylindrical stopper member 400d. ing. The upper terminal of the solenoid 420 is connected to the feeder line H of the power source (not shown) through the upper annular wall portion 412 of the cylindrical bobbin 410 .

しかして、このように構成したコイル部材400aにおいては、ソレノイド420が、上記電源から給電線Hを介し給電を受けて励磁されると、当該ソレノイド420は、磁気的吸引力を発生する。また、ソレノイド420は、上記電源から遮断されたとき、消磁されて、磁気的吸引力の発生を停止する。 Thus, in the coil member 400a configured as described above, when the solenoid 420 receives power from the power supply through the power supply line H and is excited, the solenoid 420 generates a magnetic attraction force. Also, the solenoid 420 is de-energized and stops generating the magnetic attraction force when the power source is cut off.

プランジャー400bは、磁性材料からなるもので、当該プランジャー400bは、円柱状プランジャー本体部430及び雄ねじ軸部440でもって構成されており、プランジャー本体部430は、案内部材160の円筒部160a内に同軸的に摺動可能に嵌装されている。雄ねじ軸部440は、プランジャー本体部430の下端部から下方に向け同軸的に延出されており、当該雄ねじ軸部440は、補助軸200cの雌ねじ孔部260内に締着されている。 The plunger 400b is made of a magnetic material, and is composed of a cylindrical plunger main body 430 and a male screw shaft 440. The plunger main body 430 is a cylindrical portion of the guide member 160. It is coaxially slidably fitted in 160a. The male threaded shaft portion 440 coaxially extends downward from the lower end portion of the plunger main body portion 430, and is fastened in the female threaded hole portion 260 of the auxiliary shaft 200c.

コイルスプリング400cは、プランジャー400bのプランジャー本体部430にその上端部から同軸的に形成してなる挿入孔部431内に挿入されている。また、ストッパ―部材400dは、上側ハウジング部材100d内にてその上壁180の中央部に同軸的に固着されて案内部材160の円筒部160a、プランジャー400bのプランジャー本体部430及びコイルスプリング400cに向けて延出している。 The coil spring 400c is inserted into an insertion hole 431 formed coaxially from the upper end of the plunger body 430 of the plunger 400b. The stopper member 400d is coaxially fixed to the central portion of the upper wall 180 of the upper housing member 100d, and includes the cylindrical portion 160a of the guide member 160, the plunger body portion 430 of the plunger 400b, and the coil spring 400c. extending towards.

これにより、当該コイルスプリング400cは、ストッパー部材400dの延出端中央部とプランジャー本体部430の挿入孔部431の底部との間に挟持されて、プランジャー400bを補助軸200cに向けて付勢する。 As a result, the coil spring 400c is sandwiched between the center of the extension end of the stopper member 400d and the bottom of the insertion hole 431 of the plunger main body 430, and the plunger 400b is attached toward the auxiliary shaft 200c. force.

しかして、駆動機構400においては、ソレノイド420が磁気的吸引力を発生したとき、プランジャ-400bは、コイルスプリング400cの付勢力に抗して、上記磁気的吸引力に基づき、ストッパー部材400d側へ吸引されて案内部材160の円筒部160aに沿いストッパー部材400dの延出端部に向けて摺動して、雄ねじ軸部440により補助軸200cを介しダイヤフラム200aを環状弁座部111cから離れるように湾曲状に変位させる。 Thus, in the drive mechanism 400, when the solenoid 420 generates a magnetic attraction force, the plunger 400b moves toward the stopper member 400d based on the magnetic attraction force against the urging force of the coil spring 400c. It is attracted and slides along the cylindrical portion 160a of the guide member 160 toward the extended end portion of the stopper member 400d, and the externally threaded shaft portion 440 moves the diaphragm 200a away from the annular valve seat portion 111c via the auxiliary shaft 200c. Displace in a curved shape.

一方、ソレノイド420の磁気的吸引力の発生が停止したとき、プランジャー400bは、コイルスプリング400cによりその付勢力のもとに隔壁150側へ摺動して、雄ねじ軸部440により補助軸200cを介しダイヤフラム200aを環状弁座部111cに着座させるように湾曲状に変位させる。その他の構成は、上記第1実施形態と同様である。 On the other hand, when the magnetic attraction force of the solenoid 420 stops being generated, the plunger 400b slides toward the partition wall 150 under the biasing force of the coil spring 400c, and the male screw shaft portion 440 engages the auxiliary shaft 200c. The diaphragm 200a is curvedly displaced so as to be seated on the annular valve seat portion 111c. Other configurations are the same as those of the first embodiment.

このように構成した本第3実施形態においては、電磁作動形ダイヤフラム弁が、上記第1実施形態にて述べた空気作動形ダイヤフラム弁に代えて、ダイヤフラム弁として採用されている。 In the third embodiment constructed as described above, an electromagnetically operated diaphragm valve is adopted as a diaphragm valve instead of the air operated diaphragm valve described in the first embodiment.

これによれば、本第3実施形態にいう電磁作動形ダイヤフラム弁は、上記第1実施形態にて述べた空気作動形ダイヤフラム弁の上側ハウジング部材100b及び空気作動形駆動機構300とは異なる上側ハウジング部材100d及び電磁作動形駆動機構400を有することで、プランジャー400bの軸状雄ねじ部440にて補助軸200cの雌ねじ孔部260に締着するものの、ダイヤフラム部材200及び下側ハウジング部材100aについては、隔壁に少し異なる構成を有する点を除き、上記第1実施形態と実質的に同様である。 According to this, the electromagnetically actuated diaphragm valve referred to in the third embodiment has an upper housing different from the upper housing member 100b and the air actuated drive mechanism 300 of the air-actuated diaphragm valve described in the first embodiment. By having the member 100d and the electromagnetically actuated drive mechanism 400, the shaft-shaped male threaded portion 440 of the plunger 400b is fastened to the female threaded hole portion 260 of the auxiliary shaft 200c, but the diaphragm member 200 and the lower housing member 100a are , is substantially the same as the first embodiment except that the partition walls have a slightly different configuration.

従って、本第3実施形態においても、ダイヤフラム200aの中央部240が上述のごとく補助軸200cとレーザー溶接済みであるから、プランジャー400bの軸状雄ねじ部440を、補助軸200cの雌ねじ孔部260に締着することで、プランジャー400b、ダイヤフラム200a及び補助軸200cを容易に連結し得る。 Therefore, in the third embodiment as well, since the central portion 240 of the diaphragm 200a is already laser-welded to the auxiliary shaft 200c as described above, the shaft-like male screw portion 440 of the plunger 400b is connected to the female screw hole portion 260 of the auxiliary shaft 200c. The plunger 400b, the diaphragm 200a and the auxiliary shaft 200c can be easily connected by tightening them.

また、本第3実施形態において、電磁作動形ダイヤフラム弁が、上記第1実施形態にて述べた空気作動形ダイヤフラム弁に代えて、上記半導体製造装置の配管系統に介装された場合、ダイヤフラム部材200のダイヤフラム200a及び補助軸200cの作動が、本第3実施形態では、上記第1実施形態における圧縮空気によるピストン310の作動ではなく、磁気的吸引力によるプランジャー400bの作動でもって行われるものの、ダイヤフラム弁としての開閉作動やダイヤフラム部材200の構成は、上記第1実施形態と同様であって、当該第1実施形態と同様の作用効果が達成され得る。
(第4実施形態)
図9は、本発明の第4実施形態を示している。当該第4実施形態では、電磁作動形ダイヤフラム弁が、上記第2実施形態にて述べたダイヤフラム部材200(図6及び図7参照)及び下側ハウジング部材100aを採用するとともに、上記第2実施形態にて述べた上側ハウジング部材100b及び空気作動形駆動機構300に代えて、上記第3実施形態にて述べた上側ハウジング部材100d及び電磁作動形駆動機構400を採用して構成されている。
Further, in the third embodiment, when the electromagnetically actuated diaphragm valve is interposed in the piping system of the semiconductor manufacturing apparatus instead of the air-actuated diaphragm valve described in the first embodiment, the diaphragm member Although the operation of the diaphragm 200a and the auxiliary shaft 200c of 200 is performed by the operation of the plunger 400b by the magnetic attraction force in the third embodiment, not by the operation of the piston 310 by the compressed air in the first embodiment. , the opening and closing operation as a diaphragm valve and the configuration of the diaphragm member 200 are the same as those of the first embodiment, and effects similar to those of the first embodiment can be achieved.
(Fourth embodiment)
FIG. 9 shows a fourth embodiment of the invention. In the fourth embodiment, the electromagnetically actuated diaphragm valve employs the diaphragm member 200 (see FIGS. 6 and 7) and the lower housing member 100a described in the second embodiment, and the second embodiment. In place of the upper housing member 100b and the air-operated drive mechanism 300 described above, the upper housing member 100d and the electromagnetically-operated drive mechanism 400 described in the third embodiment are employed.

ここで、補助軸200cは、補強用環状体200bを通り隔壁150の貫通孔部151内に摺動可能に嵌装されており、当該補助軸200cの雌ねじ孔部260内には、プランジャー400bの雄ねじ軸部440が締着されている。なお、本第4実施形態では、補助軸200c及び軸状雄ねじ部440は、上記第3実施形態にいう補助軸200c及び軸状雄ねじ部440よりも長い軸長を有することで、補強用環状体200b内に延出している。その他の構成は、上記第2実施形態と同様である。 Here, the auxiliary shaft 200c is slidably fitted in the through hole portion 151 of the partition wall 150 through the reinforcing annular body 200b. is tightened. In addition, in the fourth embodiment, the auxiliary shaft 200c and the shaft-like male threaded portion 440 have axial lengths longer than those of the auxiliary shaft 200c and the shaft-like male threaded portion 440 in the third embodiment. 200b. Other configurations are the same as those of the second embodiment.

このように構成した本第4実施形態においては、電磁作動形ダイヤフラム弁が、上記第2実施形態にて述べた空気作動形ダイヤフラム弁に代えて、ダイヤフラム弁として採用されている。 In the fourth embodiment constructed as described above, an electromagnetically operated diaphragm valve is employed as a diaphragm valve instead of the air operated diaphragm valve described in the second embodiment.

これによれば、本第4実施形態にいう電磁作動形ダイヤフラム弁は、上記第2実施形態にて述べた空気作動形ダイヤフラム弁の上側ハウジング部材100b及び空気作動形駆動機構300とは異なる上側ハウジング部材100d及び電磁作動形駆動機構400を有することで、プランジャー400bの軸状雄ねじ部440にて補強用環状体200bを介しダイヤフラム200aの中央部240に締着するものの、ダイヤフラム部材200及び下側ハウジング部材100aについては、隔壁に少し異なる構成を有する点を除き、上記第2実施形態と実質的に同様である。 According to this, the electromagnetically actuated diaphragm valve according to the fourth embodiment has an upper housing different from the upper housing member 100b and the air actuated drive mechanism 300 of the air-actuated diaphragm valve described in the second embodiment. By having the member 100d and the electromagnetically actuated drive mechanism 400, the shaft-like male screw portion 440 of the plunger 400b is fastened to the central portion 240 of the diaphragm 200a via the reinforcing annular member 200b, but the diaphragm member 200 and the lower side The housing member 100a is substantially the same as the second embodiment except that the partition walls have a slightly different configuration.

従って、本第4実施形態においても、ダイヤフラム200aの中央部240が上述のごとく補助軸200cとレーザー溶接済みであるから、プランジャー400bの軸状雄ねじ部440を、補助軸200cの雌ねじ孔部260に締着することで、プランジャー400b、ダイヤフラム200a及び補助軸200cを容易に連結し得る。 Therefore, in the fourth embodiment as well, since the central portion 240 of the diaphragm 200a is already laser-welded to the auxiliary shaft 200c as described above, the shaft-like male screw portion 440 of the plunger 400b is connected to the female screw hole portion 260 of the auxiliary shaft 200c. The plunger 400b, the diaphragm 200a and the auxiliary shaft 200c can be easily connected by tightening them.

また、本第4実施形態において、電磁作動形ダイヤフラム弁が、上記第2実施形態にて述べた空気作動形ダイヤフラム弁に代えて、上記半導体製造装置の配管系統に介装された場合、ダイヤフラム部材200のダイヤフラム200a及び補助軸200cの作動が、本第4実施形態では、上記第2実施形態における圧縮空気によるピストン310の作動ではなく、上記第3実施形態と同様に磁気的吸引力によるプランジャー400bの作動でもって行われるものの、ダイヤフラム弁としての開閉作動やダイヤフラム部材200の構成は、上記第2実施形態と同様であって、当該第2実施形態と同様の作用効果が達成され得る。 Further, in the fourth embodiment, when the electromagnetically actuated diaphragm valve is interposed in the piping system of the semiconductor manufacturing apparatus instead of the air-actuated diaphragm valve described in the second embodiment, the diaphragm member In the fourth embodiment, the operation of the diaphragm 200a and the auxiliary shaft 200c of 200 is not the operation of the piston 310 by compressed air in the second embodiment, but the plunger by the magnetic attraction force as in the third embodiment. Although it is performed by the operation of 400b, the opening/closing operation as a diaphragm valve and the configuration of the diaphragm member 200 are the same as those of the second embodiment, and the same effects as those of the second embodiment can be achieved.

なお、本発明の実施にあたり、上記各実施形態に限ることなく、次のような種々の変形例が挙げられる。
(1)本発明の実施にあたり、上記実施形態にて述べたダイヤフラム200aは、PFAを押し出し成形によりフィルム状に押し出し成形することで形成されるダイヤフラムに限ることなく、PFAを圧縮成形方法によりフィルム状に圧縮成形することで形成されるダイヤフラムであってもよい。
In addition, in carrying out the present invention, the following various modifications can be given without being limited to the above embodiments.
(1) In carrying out the present invention, the diaphragm 200a described in the above embodiment is not limited to a diaphragm formed by extruding PFA into a film shape by extrusion molding, but PFA is formed into a film shape by a compression molding method. It may be a diaphragm formed by compression molding.

当該圧縮成形方法は、PFAを型内に充填してフィルム状に圧縮する方法をいい、ダイヤフラム200aを、押し出し成形方法により成形する場合と同様に、耐薬品性、低溶出性、屈曲性や長寿命性に優れた平滑度の高いフィルム状のダイヤフラムであって数nmサイズのパーティクルの発塵性をも最少に抑制し得るダイヤフラムとして形成され得る。これによっても、上記実施形態と同様の作用効果が達成され得る。
(2)本発明の実施にあたり、上記第1或いは第2の実施形態にて述べた駆動機構300は、図1或いは図6において、コイルスプリング330を、上記実施形態とは異なり、下側室131b内にて、ピストン310を隔壁120とは反対方向に付勢するように構成してもよい。このことは、ダイヤフラム弁が常開型ダイヤフラム弁として機能することを意味する。
The compression molding method is a method of filling PFA into a mold and compressing it into a film. It can be formed as a film-like diaphragm with excellent longevity and high smoothness that can minimize the dust generation of particles with a size of several nanometers. Also by this, the same effect as the above embodiment can be achieved.
(2) In carrying out the present invention, the drive mechanism 300 described in the first or second embodiment described above is different from the above embodiment in that the coil spring 330 is arranged in the lower chamber 131b in FIG. 1 or FIG. , the piston 310 may be biased in the direction opposite to the partition wall 120 . This means that the diaphragm valve functions as a normally open diaphragm valve.

このように、上記第1或いは第2の実施形態にて述べたダイヤフラム弁が、常開型ダイヤフラム弁として作動するようにしても、上記第1或いは第2の実施形態と実質的に同様の作用効果が達成され得る。
(3)本発明の実施にあたり、上記第3或いは第4の実施形態にて述べた駆動機構400は、図8或いは図9において、コイルスプリング400cを、上記第3或いは第4の実施形態とは異なり、プランジャー400bをストッパー部材400dに向けて付勢するように設けるようにしてもよい。このことは、電磁作動形ダイヤフラム弁が常開型ダイヤフラム弁として機能することを意味する。
In this way, even if the diaphragm valve described in the first or second embodiment operates as a normally open diaphragm valve, the effect is substantially the same as that of the first or second embodiment. effect can be achieved.
(3) In carrying out the present invention, the drive mechanism 400 described in the third or fourth embodiment has the coil spring 400c shown in FIG. Alternatively, the plunger 400b may be provided so as to be biased toward the stopper member 400d. This means that the electromagnetically actuated diaphragm valve functions as a normally open diaphragm valve.

このように、上記第3或いは第4の実施形態にて述べた電磁作動形ダイヤフラム弁が、常開型ダイヤフラム弁として作動するようにしても、上記第3或いは第4の実施形態と実質的に同様の作用効果が達成され得る。
(4)また、本発明の実施にあたり、補強用環状体200bは、必要に応じて廃止してもよい。この場合には、ダイヤフラム200aの外周部210は、隔壁120の隔壁本体120aの外周部と底壁本体110aの内側環状壁部111aとの間に良好にシール可能に挟持される。
(5)本発明の実施にあたり、上記第1実施形態にて述べたピストン軸320は、軸状雄ねじ部320bに代えて、軸本体部320aにその延出端部側から雌ねじ孔部を同軸的に形成し、一方、補助軸200cは、その延出端部から軸状雄ねじ部を同軸的に延出するように形成することで、雌ねじ孔部260を廃止してもよい。この場合、補助軸200cは、その軸状雄ねじ部にて、ピストン軸320の軸本体部320aの雌ねじ孔部に同軸的に締着する。
(6)また、本発明の実施にあたり、上記第3或いは第4の実施形態にて述べたプランジャー400bは、軸状雄ねじ部440に代えて、プランジャー本体部430にその延出端部側から雌ねじ孔部を同軸的に形成し、一方、補助軸200cは、その延出端部から軸状雄ねじ部を同軸的に延出するように形成することで、雌ねじ孔部260を廃止してもよい。この場合、補助軸200cは、その軸状雄ねじ部にて、プランジャー400bの雌ねじ孔部に同軸的に締着する。
(7)本発明の実施にあたり、押さえ板Qに代えて、当該押さえ板と同様の役割を果たすリング状の押さえ板を採用してもよく、また、一般的には、押さえ板Qと同様の機能を有する押え部材であってもよい。
Thus, even if the electromagnetically actuated diaphragm valve described in the third or fourth embodiment operates as a normally open diaphragm valve, it is substantially the same as the third or fourth embodiment. A similar effect can be achieved.
(4) Further, in carrying out the present invention, the reinforcing ring-shaped body 200b may be eliminated as necessary. In this case, the outer peripheral portion 210 of the diaphragm 200a is sandwiched between the outer peripheral portion of the partition wall main body 120a of the partition wall 120 and the inner annular wall portion 111a of the bottom wall main body 110a so as to be able to seal well.
(5) In carrying out the present invention, the piston shaft 320 described in the first embodiment has a female threaded hole coaxially formed in the shaft body portion 320a from the extending end side instead of the shaft-like male threaded portion 320b. On the other hand, the female screw hole 260 may be eliminated by forming the auxiliary shaft 200c so that the shaft-like male screw extends coaxially from its extension end. In this case, the auxiliary shaft 200c is coaxially fastened to the female threaded hole of the shaft main body 320a of the piston shaft 320 at its axial male thread.
(6) Further, in carrying out the present invention, the plunger 400b described in the third or fourth embodiment has a plunger main body portion 430 instead of the shaft-like male screw portion 440. A female threaded hole is formed coaxially from the auxiliary shaft 200c, while a shaft-shaped male threaded portion coaxially extends from the extension end of the auxiliary shaft 200c, thereby eliminating the female threaded hole 260. good too. In this case, the auxiliary shaft 200c is coaxially fastened to the female threaded hole of the plunger 400b at its axial male thread.
(7) In carrying out the present invention, instead of the pressing plate Q, a ring-shaped pressing plate that plays the same role as the pressing plate Q may be employed. It may be a pressing member having a function.

100…ハウジング、100a、100c…下側ハウジング部材、
100b、100d…上側ハウジング部材、110…底壁、
112、113…連通路部、110b…流入筒、110c…流出筒、
111c…環状弁座部、120、150…隔壁、130…筒状周壁、
131a…上側室、131b…下側室、140…上壁、
200…ダイヤフラム部材、200a…ダイヤフラム、
200b…補強用環状体、200c…補助軸、300…空気作動形駆動機構、
310…ピストン、320…ピストン軸、330、400c…コイルスプリング、
400…電磁作動形ダイヤフラム弁、400b…プランジャー、Ra…液体室、
Rb…空気室、Q…押さえ板、Q1…環状押さえ板。
100... housing, 100a, 100c... lower housing member,
100b, 100d... upper housing member, 110... bottom wall,
112, 113... communicating passage portion, 110b... inflow tube, 110c... outflow tube,
111c... Annular valve seat portion, 120, 150... Partition wall, 130... Cylindrical peripheral wall,
131a... Upper chamber, 131b... Lower chamber, 140... Upper wall,
200... Diaphragm member, 200a... Diaphragm,
200b... Reinforcement annular body, 200c... Auxiliary shaft, 300... Air-operated drive mechanism,
310...Piston, 320...Piston shaft, 330, 400c...Coil spring,
400... Electromagnetically operated diaphragm valve, 400b... Plunger, Ra... Liquid chamber,
Rb... Air chamber, Q... Holding plate, Q1... Annular holding plate.

Claims (3)

高純度薬液や超純水の液体を流動させるダイヤフラム弁に適用されるPFA製のフィルム状ダイヤフラムと、
当該フィルム状ダイヤフラムの中央部に同軸的にレーザー溶接されたフッ素樹脂製の補助軸と、
前記ダイヤフラムの外周部に対し当該ダイヤフラムの両面のうちの一側面に沿うようにレーザー溶接されて前記ダイヤフラムを補強して取扱い易くするに適した環状形状を有するように形成してなるフッ素樹脂製の補強用環状体とを備えており、
前記補強用環状体は、その前記環状形状にて、前記ダイヤフラムを補強して取扱い易くするに適した径方向幅及び厚さを有するように形成されているダイヤフラム部材。
A film-like diaphragm made of PFA that is applied to a diaphragm valve that allows high-purity chemical liquids and ultrapure water to flow,
a fluororesin auxiliary shaft coaxially laser-welded to the central portion of the film-like diaphragm;
A diaphragm laser-welded along one side of both surfaces of the diaphragm to the outer periphery of the diaphragm to reinforce the diaphragm and form an annular shape suitable for easy handling. and a reinforcing annular body made of fluorine resin ,
A diaphragm member, wherein said reinforcing ring is formed in its annular shape to have a radial width and thickness suitable to reinforce said diaphragm and make it easier to handle .
記ダイヤフラムは、PFAを押し出し成形或いは圧縮成形することにより、フィルム状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のダイヤフラム部材。 2. The diaphragm member according to claim 1 , wherein the diaphragm is formed into a film by extrusion molding or compression molding PFA . 記補助軸は、1(mm)以上で4(mm)以下の範囲以内の外径を有しており、
前記ダイヤフラムは、0.1(mm)以上で0.5(mm)以下の範囲以内の厚さを有することを特徴とする請求項2に記載のダイヤフラム部材。
The auxiliary shaft has an outer diameter within the range of 1 (mm) or more and 4 (mm) or less,
3. The diaphragm member according to claim 2, wherein the diaphragm has a thickness within the range of 0.1 (mm) or more and 0.5 (mm) or less .
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