JP7145289B2 - 動的読み取り閾値較正 - Google Patents
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Description
本出願は、参照により本明細書に組み込まれる、2020年10月16日に出願された米国仮特許出願第63/092,731号の利益を主張する。
本開示の実施形態は、概して、不揮発性メモリセルに記憶されたデータの誤り訂正能力、特に、ワード線(WL)読み取り閾値の較正に関する。
電子デバイスのメモリ需要が増加するにつれ、メモリセルはますますコンパクトになり、標的セルを読み取る際の隣接セル内の電気信号による干渉を克服することが一層困難になる。その結果、ビット誤り率(BER)が増加し易い。
Claims (17)
- データストレージデバイスであって、
不揮発性メモリ(NVM)と、
前記NVMに結合され、メモリセル読み取り較正のための方法を実行するように構成されたコントローラと、
を備え、前記方法が、
前記NVMの標的ワード線(WL)の複数のセルのうちの第1のセルを識別することと、
前記第1のセルに物理的に隣接する、隣接WLの第1の隣接セルの電圧を読み取ることと、
前記電圧に基づいて前記第1のセルの第1の読み取り閾値を較正することと、
前記第1のセルから標的電圧を読み取ることと、
前記電圧に基づいて、前記標的電圧を補正することと、を含む、データストレージデバイス。 - 前記方法が、
前記複数のセルのうちの第2のセルを識別することと、
前記第2のセルに物理的に隣接する、前記隣接WLの第2の隣接セルの第2の電圧を読み取ることと、
前記第2の電圧に基づいて、前記第2のセルの第2の読み取り閾値を較正することと、を更に含む、請求項1に記載のデータストレージデバイス。 - 前記第2の読み取り閾値が、前記第1の読み取り閾値とは異なる、請求項2に記載のデータストレージデバイス。
- 前記方法が、前記第1の読み取り閾値に基づいて、前記第1のセルの読み取り動作を、及び前記第2の読み取り閾値に基づいて、前記第2のセルの読み取り動作を実行することを更に含む、請求項3に記載のデータストレージデバイス。
- 前記方法が、
誤り訂正コード(ECC)を使用して、前記標的電圧における読み取り誤りを識別することを更に含む、請求項1に記載のデータストレージデバイス。 - 前記第1のセルにREAD電圧を印加することを更に含む、請求項5に記載のデータストレージデバイス。
- データストレージデバイス用のコントローラであって、
1つ以上の不揮発性メモリ(NVM)へのI/Oと、
前記1つ以上のNVMの1つ以上のメモリセルの動的読み取り閾値較正のための方法を実行するように構成されたプロセッサと、
を備え、前記方法が、
前記1つ以上のNVMの第1のワード線(WL)から第1のセル群の第1の電圧を読み取ることと、
前記第1の電圧に基づいて、前記1つ以上のNVMの第2のWLの第2のセル群を分類することと、
前記第1の電圧に基づいて較正された第1の較正された読み取り閾値を用いて、前記第2のセル群を較正することと、
前記第1のWLの第3のセル群から第2の電圧を読み取ることと、
前記第2のWLの第4のセル群を分類することと、
第2の較正された読み取り閾値を用いて、前記第2の電圧に基づいて、前記第4のセル群を較正することと、
前記第1の較正された読み取り閾値及び第2の較正された読み取り閾値をほぼ同時に適用することと、前記第2のセル群及び第4のセル群から並列に読み取ることと、を含む、コントローラ。 - データストレージデバイス用のコントローラであって、
1つ以上の不揮発性メモリ(NVM)へのI/Oと、
前記1つ以上のNVMの1つ以上のメモリセルの動的読み取り閾値較正のための方法を実行するように構成されたプロセッサと、
を備え、前記方法が、
前記1つ以上のNVMの第1のワード線(WL)から第1のセル群の第1の電圧を読み取ることと、
前記第1の電圧に基づいて、前記1つ以上のNVMの第2のWLの第2のセル群を分類することと、
前記第1の電圧に基づいて較正された第1の較正された読み取り閾値を用いて、前記第2のセル群を較正することと、
前記第1のWLの第3のセル群から第2の電圧を読み取ることと、
前記第2のWLの第4のセル群を分類することと、
第2の較正された読み取り閾値を用いて、前記第2の電圧に基づいて、前記第4のセル群を較正することと、
通常の復号不良を検出することと、
前記第1のセル群及び前記第2のセル群でルックアヘッド読み取りを実行することと、を含んでおり、
前記ルックアヘッドが、
前記第1のセル群及び第3のセル群から前記第1の電圧及び第2の電圧を読み取ることと、
前記第1の電圧及び第2の電圧に基づいて、前記第2のセル群から第3の電圧を読み取ることと、を含む、コントローラ。 - 前記第2のセル群及び前記第4のセル群を較正することが、
前記第2のWLのデータに対する読み取りコマンドを受信することと、
前記第1の較正された読み取り閾値及び第2の較正された読み取り閾値をそれぞれ、前記第2のセル群及び前記第4のセル群に適用することと、を更に含む、請求項7または8のコントローラ。 - 前記方法が、
通常の復号不良を検出することと、
前記第1のセル群及び前記第2のセル群でルックアヘッド読み取りを実行することと、を更に含む、請求項7に記載のコントローラ。 - 前記方法が、前記第3の電圧における誤差を識別することを更に含む、請求項8に記載のコントローラ。
- データを記憶するためのシステムであって、
不揮発性メモリ手段と、
プロセッサと、動的読み取り較正のための方法を実行するためのコンピュータ可読命令を含むメモリと、を備える、コントローラ手段であって、前記不揮発性メモリ手段に結合されている、前記コントローラ手段と、を備え、前記方法が、
第1のワード線(WL)の第1のセル群から第1の電圧を測定することと、
前記第1のWLに隣接する第2のWLの第2のセル群から第2の電圧を測定し、前記第1の電圧に基づいて、前記第2の電圧を等化することと、
前記第2の電圧における誤差を検出することと、
前記第1の電圧に基づいて、前記第2の電圧の読み取り閾値を較正することと、を含む、システム。 - 前記方法が、
前記第1のWLの第3のセル群から第3の電圧を測定することと、
前記第2のWLの第4のセル群から第4の電圧を測定することと、を更に含む、請求項12に記載のシステム。 - 前記方法が、
前記第3の電圧に基づいて、前記第4の電圧の第2の読み取り閾値を較正することを更に含む、請求項13に記載のシステム。 - 前記方法が、
前記第2のセル群及び第4のセル群に対して、ホストから読み取り要求を受信することと、
前記較正された読み取り閾値及び第2の較正された読み取り閾値を使用して、前記第2及び第4のセル群から複数の電圧を読み取ることと、を更に含む、請求項14に記載のシステム。 - 前記方法が、
第3のWLの第5のセル群の第5の電圧を測定することを更に含み、前記第3のWLが、前記第2のWLに隣接する、請求項15に記載のシステム。 - 前記方法が、
前記第5の電圧に基づいて前記第2の電圧の第3の読み取り閾値を較正することを更に含む、請求項16に記載のシステム。
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