JP7135941B2 - radiography equipment - Google Patents

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Description

本発明は、放射線撮影装置に関する。 The present invention relates to a radiation imaging apparatus.

放射線撮影装置(FPD:Flat Panel Detector)には、静止画撮影のみならず、一回の曝射スイッチの操作で放射線の照射と画像データの生成を複数回繰り返すシリアル撮影への対応が求められている。シリアル撮影には、動画撮影に比べて被ばく線量を抑えつつ、肺や循環器系の動きを可視化することができる利点があるためである。
また、放射線撮影装置には、更なる被ばく線量の低減や高画質化、動作の高速化等が求められている。しかし、放射線撮影装置の高機能化に伴い、回路から生じるノイズの影響が大きくなってきた。ノイズは放射線画像にアーティファクトを生じさせる原因となるため、その低減が課題となっている。
Radiation imaging equipment (FPD: Flat Panel Detector) is required not only to capture still images, but also to support serial imaging in which radiation irradiation and image data generation are repeated multiple times with a single operation of the exposure switch. there is This is because serial imaging has the advantage of being able to visualize the movements of the lungs and circulatory system while suppressing the exposure dose compared to video imaging.
In addition, radiation imaging apparatuses are required to further reduce exposure dose, improve image quality, and speed up operation. However, as radiation imaging apparatuses have become more sophisticated, the influence of noise generated from circuits has increased. Since noise causes artifacts in radiographic images, its reduction is a problem.

そこで、近年、ノイズを低減させるための各種技術が提案されている。
例えば、特許文献1には、CCDに蓄積された電荷を転送する水平シフトレジスタと、水平シフトレジスタを駆動させる駆動回路と、駆動回路が駆動していないときに駆動回路へ供給されるのと同程度の電力を消費するダミー負荷回路と、を有し、撮像素子の水平シフトレジスタが駆動するときに生じる電源電圧の急激な変動を抑制してノイズの発生を防止することが可能な撮像装置について記載されている。
また、こうした技術の他にも、例えば放射線画像を読み出す読み出し回路を高透磁率シート等で覆うといった方法も考えられる。
Therefore, in recent years, various techniques for reducing noise have been proposed.
For example, in Patent Document 1, a horizontal shift register for transferring charges accumulated in a CCD, a driving circuit for driving the horizontal shift register, and a drive circuit which is supplied to the driving circuit when the driving circuit is not driven are disclosed. Imaging device having a dummy load circuit that consumes about an amount of power, and capable of suppressing sudden fluctuations in power supply voltage that occur when a horizontal shift register of an imaging device is driven to prevent noise from occurring Have been described.
In addition to these techniques, for example, a method of covering a readout circuit for reading radiographic images with a high magnetic permeability sheet or the like is conceivable.

特開2005-177523号公報JP-A-2005-177523

ところで、放射線画像のアーティファクトは、回路のオフセットが原因となって生じる場合もある。そこで、近年の放射線撮影装置は、こうしたオフセットを除去するために、露光前に読み出される暗画像と露光後に読み出される本画像とを差分するオフセット補正を施すようになっているのが一般的である。
ところが、シリアル撮影や動画撮影等では、撮影から画像表示までの時間を短くすることが要求されており、そのような要求に対応した放射線撮影装置は、実行する読み出し動作が暗画像と本画像とで異なる場合がある。具体的には、本画像読み出しと並行してオフセット補正やゲイン補正等の多くの補正を施す必要があるため、補正を行う信号処理回路が、例えば図7に示すように、メモリアクセス動作を、暗画像を読み出すときに比べて頻繁に行うといったことがある。
メモリアクセス動作が実行されると、装置内に電源変動が生じ、読み出し回路が変動に応じたノイズが生じさせるが、暗画像の読み出し時と本画像の読み出し時とでメモリアクセス動作が異なると、暗画像と本画像とで生じるノイズ量に差が出るため、オフセット補正でノイズを除去し切れず、それがアーティファクトとなってしまう場合がある。
By the way, radiographic image artifacts may also be caused by circuit offsets. Therefore, in order to remove such an offset, recent radiation imaging apparatuses generally perform offset correction by subtracting the dark image read before exposure from the main image read after exposure. .
However, in serial imaging, moving image imaging, and the like, there is a demand for shortening the time from imaging to image display. may differ. Specifically, since it is necessary to perform many corrections such as offset correction and gain correction in parallel with the reading of the main image, the signal processing circuit that performs the correction, for example, as shown in FIG. This may be done more frequently than when reading a dark image.
When the memory access operation is executed, the power supply fluctuates in the apparatus, and the reading circuit generates noise corresponding to the fluctuation. Since there is a difference in the amount of noise generated between the dark image and the main image, the noise may not be completely removed by the offset correction, resulting in artifacts.

しかしながら、特許文献1に記載された技術では、上述したように撮像装置内の駆動回路が発生させる電源ノイズを低減させることはできるが、メモリアクセス動作の違いに起因するノイズには対応することができない。
また、高透磁率シートのような物理的にノイズを遮断する手段は、放射線撮影装置の製造コストや重量を増大させてしまうという問題がある。
However, although the technique described in Patent Document 1 can reduce the power supply noise generated by the drive circuit in the imaging device as described above, it cannot deal with noise caused by differences in memory access operations. Can not.
Further, means for physically blocking noise, such as a high magnetic permeability sheet, has the problem of increasing the manufacturing cost and weight of the radiation imaging apparatus.

本発明の課題は、放射線撮影装置の製造コストや重量を増加させることなく、信号処理回路のメモリアクセス動作が暗画像の読み出し時と本画像の読み出し時とで異なることに起因して生じる放射線画像のアーティファクトを低減することである。 An object of the present invention is to provide a radiographic image generated due to the fact that the memory access operation of a signal processing circuit is different between when reading a dark image and when reading a main image, without increasing the manufacturing cost and weight of the radiation imaging apparatus. is to reduce the artifacts of

上記課題を解決するために、本発明に係る放射線撮影装置は、
二次元状に配列された複数の検出素子と、各検出素子にそれぞれ接続された複数のスイッチ素子と、を有するセンサー部と、
前記センサー部の各スイッチ素子の導通状態/非導通状態を切り替えて各検出素子から電荷を出力させるセンサー駆動部と、
前記センサー部の各検出素子が出力した電荷の量に基づいて放射線画像の画像データを生成する画像生成部と、
画像データを保存可能なメモリーと、
前記画像生成部が露光前に生成した暗画像の画像データである暗画像データを前記画像生成部から取得する動作と、前記メモリーからのデータの読み込みと前記メモリーへのデータの書き込みのうちの少なくとも一方を行うメモリアクセス動作と、を含む第一動作と、
前記画像生成部が露光後に生成した本画像の画像データである本画像データを前記画像生成部から取得する動作と、前記メモリーからのデータの読み込みと前記メモリーへのデータの書き込みのうちの少なくとも一方を行うメモリアクセス動作と、を含む第二動作と、を実行する信号処理回路と、を備え、
前記信号処理回路は、前記第一動作におけるメモリアクセス動作と前記第二動作におけるメモリアクセス動作とが一致していない場合に、前記第一動作におけるメモリアクセス動作と前記第二動作におけるメモリアクセス動作のうちの少なくとも一方に、他方のメモリアクセス動作には含まれ且つ前記一方のメモリアクセス動作には含まれないメモリアクセス動作のうちの少なくとも一つを模したダミーメモリアクセス動作を含めることを特徴とする。
In order to solve the above problems, a radiographic imaging apparatus according to the present invention includes:
a sensor unit having a plurality of detecting elements arranged two-dimensionally and a plurality of switching elements respectively connected to the respective detecting elements;
a sensor driving unit for switching between a conducting state and a non-conducting state of each switch element of the sensor unit to output electric charge from each detection element;
an image generation unit that generates image data of a radiographic image based on the amount of charge output by each detection element of the sensor unit;
a memory that can store image data;
At least an operation of acquiring dark image data, which is image data of a dark image generated by the image generating unit before exposure, from the image generating unit, reading data from the memory, and writing data to the memory. a first operation comprising: a memory access operation to perform one;
At least one of an operation of acquiring from the image generating unit main image data, which is image data of a main image generated by the image generating unit after exposure, and reading data from the memory and writing data to the memory. a memory access operation for performing a second operation comprising:
When the memory access operation in the first operation and the memory access operation in the second operation do not match, the signal processing circuit performs memory access operation in the first operation and memory access operation in the second operation. At least one of them includes a dummy memory access operation imitating at least one of memory access operations included in the other memory access operation but not included in the one memory access operation. .

本発明によれば、放射線撮影装置の製造コストや重量を増加させることなく、信号処理回路のメモリアクセス動作が暗画像の読み出し時と本画像の読み出し時とで異なることに起因して生じる放射線画像のアーティファクトを低減することができる。 According to the present invention, a radiographic image generated due to the fact that the memory access operation of the signal processing circuit is different between when reading a dark image and when reading a main image can be achieved without increasing the manufacturing cost and weight of the radiation imaging apparatus. artifacts can be reduced.

本発明の第一実施形態に係る放射線撮影装置の斜視図である。1 is a perspective view of a radiographic apparatus according to a first embodiment of the present invention; FIG. 図1の放射線撮影装置の等価回路を表すブロック図である。2 is a block diagram showing an equivalent circuit of the radiation imaging apparatus of FIG. 1; FIG. 図1の放射線撮影装置が備える読出し回路の1画素分についての等価回路を表すブロック図である。2 is a block diagram showing an equivalent circuit for one pixel of a readout circuit provided in the radiation imaging apparatus of FIG. 1; FIG. 第一実施形態に係る信号処理回路の機能的構成を表すブロック図である。It is a block diagram showing the functional composition of the signal processing circuit concerning a first embodiment. 放射線撮影装置の各部の動作と積分回路の出力電圧Voutの経時変化を表す図である。4 is a diagram showing the operation of each part of the radiation imaging apparatus and the change over time of the output voltage V out of the integrating circuit; FIG. 第二実施形態に係る信号処理回路の機能的構成を表すブロック図である。It is a block diagram showing the functional composition of the signal processing circuit concerning a second embodiment. 従来の放射線撮影装置における問題点を説明する図である。It is a figure explaining the problem in the conventional radiography apparatus.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。ただし、本発明の範囲は、以下の実施形態や図面に記載されたものに限定されるものではない。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the scope of the present invention is not limited to what is described in the following embodiments and drawings.

<第一実施形態>
初めに、本発明の第一実施形態について、図1~5を参照しながら説明する。
<First embodiment>
First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1-5.

〔概略構成〕
本実施形態に係る放射線撮影装置(以下撮影装置100)の概略構成について説明する。図1は撮影装置100の斜視図、図2は撮影装置100の電気的構成を表すブロック図である。
[Outline configuration]
A schematic configuration of a radiation imaging apparatus (hereinafter referred to as an imaging apparatus 100) according to this embodiment will be described. FIG. 1 is a perspective view of the imaging device 100, and FIG. 2 is a block diagram showing the electrical configuration of the imaging device 100. As shown in FIG.

本実施形態に係る撮影装置100は、図1,2に示すように、筐体1の他、この筐体1に収納される、シンチレーター2と、センサー部3と、センサー駆動部4と、画像生成部5と、制御部6と、メモリー7と、通信部8と、内蔵電源9と、を備えている。
なお、ここでは、持ち運びすることが可能な可搬型の撮影装置100について説明するが、本発明は、例えば室内や撮影台等に据え付けられた専用機型の放射線画像撮影装置に対しても適用可能である。
As shown in FIGS. 1 and 2, the imaging apparatus 100 according to the present embodiment includes a housing 1, a scintillator 2, a sensor section 3, a sensor driving section 4, and an image pickup device 1, which are housed in the housing 1. A generation unit 5 , a control unit 6 , a memory 7 , a communication unit 8 , and a built-in power supply 9 are provided.
Here, a portable imaging apparatus 100 that can be carried around will be described, but the present invention can also be applied to a dedicated radiographic imaging apparatus installed indoors or on an imaging table, for example. is.

筐体1は、図1に示したように、パネル状に形成されている。
また、筐体1の寸法は、従来ある医用放射線フィルムカセッテと略等しくなっている。
筐体1の一側面には、図1に示したように、電源スイッチ11や操作スイッチ12、インジケーター13、通信部8のコネクター82等が設けられている。
The housing 1 is formed in a panel shape as shown in FIG.
Further, the dimensions of the housing 1 are substantially equal to those of conventional medical radiation film cassettes.
A power switch 11, an operation switch 12, an indicator 13, a connector 82 of the communication section 8, and the like are provided on one side surface of the housing 1, as shown in FIG.

シンチレーター2は、放射線を受けると可視光等の放射線よりも波長の長い電磁波(例えば可視光)を、受けた放射線の線量に応じた分だけ発する材料(例えばヨウ化セシウム(CsI)の柱状結晶等)で板状に形成されている。
なお、センサー部3により多くの電磁波が伝わるように、シンチレーター2におけるセンサー部3と対応する面に反射層を備えていてもよい。
The scintillator 2 is a material (e.g., a columnar crystal of cesium iodide (CsI) that emits an electromagnetic wave (e.g., visible light) having a longer wavelength than radiation such as visible light when receiving radiation in an amount corresponding to the dose of the received radiation. ) and formed into a plate shape.
A reflective layer may be provided on the surface of the scintillator 2 corresponding to the sensor section 3 so that more electromagnetic waves are transmitted to the sensor section 3 .

センサー部3は、図2に示したように、基板31と、複数の走査線32と、複数の信号線33と、複数の検出素子34と、複数のスイッチ素子35と、複数のバイアス線36と、結線37と、を有している。 As shown in FIG. 2, the sensor section 3 includes a substrate 31, a plurality of scanning lines 32, a plurality of signal lines 33, a plurality of detecting elements 34, a plurality of switching elements 35, and a plurality of bias lines 36. , and connection 37 .

基板31は、板状に形成され、シンチレーター2と並行に対向するよう配置されている。
本実施形態における複数の走査線32は、基板31の表面に、所定間隔を空けて互いに平行に延びるよう設けられている。
本実施形態における複数の信号線33は、所定間隔を空けて互いに平行に延び、走査線32と直交し、かつ各走査線と交差部において導通しないように設けられている。
すなわち、本実施形態における複数の走査線32及び複数の信号線33は格子状に設けられている。
The substrate 31 is formed in a plate shape and is arranged to face the scintillator 2 in parallel.
The plurality of scanning lines 32 in this embodiment are provided on the surface of the substrate 31 so as to extend parallel to each other at predetermined intervals.
The plurality of signal lines 33 in the present embodiment extend parallel to each other at predetermined intervals, are orthogonal to the scanning lines 32, and are provided so as not to be electrically connected at the intersections with the scanning lines.
That is, the plurality of scanning lines 32 and the plurality of signal lines 33 in this embodiment are provided in a grid pattern.

複数の検出素子34は、基板31の表面に二次元状に配列され、それぞれシンチレーターと対向している。
本実施形態においては、複数の走査線32及び信号線33によって格子状に区画された複数の領域内にそれぞれ設けられることで、行列状(マトリクス状)に配列されている。
また、各検出素子34は、例えばフォトダイオードやフォトトランジスター等で、シンチレーター2が発生させた電磁波の量(受けた放射線の線量)に応じた量の電荷をそれぞれ発生させるようになっている。
各検出素子34の一方の端子34aには、スイッチ素子35のドレイン端子が接続され、他方の端子34bにはバイアス線36が接続されている。
A plurality of detection elements 34 are arranged two-dimensionally on the surface of the substrate 31 and face the scintillators, respectively.
In the present embodiment, they are arranged in a matrix by being provided in a plurality of regions partitioned in a grid pattern by a plurality of scanning lines 32 and signal lines 33 .
Each detection element 34 is, for example, a photodiode or a phototransistor, and generates an amount of electric charge corresponding to the amount of electromagnetic waves generated by the scintillator 2 (the dose of radiation received).
A drain terminal of a switch element 35 is connected to one terminal 34a of each detection element 34, and a bias line 36 is connected to the other terminal 34b.

なお、ここでは、検出素子34として、シンチレーター2が発生させた電磁波(光)の量に応じた電荷を発生させるものとしたが、放射線を直接電荷に変換するものであってもよい。
放射線を直接電荷に変換する検出素子34を用いる場合には、シンチレーター2は不要となる。
Here, the detection element 34 is configured to generate electric charge according to the amount of electromagnetic waves (light) generated by the scintillator 2, but it may be one that directly converts radiation into electric charge.
The scintillator 2 becomes unnecessary when the detection element 34 that converts the radiation directly into electric charge is used.

本実施形態における複数のスイッチ素子35は、検出素子34と同様、複数の走査線32及び信号線33によって区画された複数の領域内にそれぞれ設けられている。
本実施形態におけるスイッチ素子35は、TFT(Thin Film Transistor)で構成されており、ゲート電極が近接する走査線32に接続され、ソース電極が近接する信号線33に接続され、ドレイン電極が同じ領域内の検出素子34の一方の端子34aに接続されている。
そして、各スイッチ素子35は、ゲート電極に印加される電圧(オン電圧/オフ電圧)に応じて、検出素子34と信号線33(積分回路511)とが導通した導通状態、又は検出素子34と信号線33とが導通していない非導通状態に切り替えることが可能となっている。
A plurality of switch elements 35 in this embodiment are provided in a plurality of regions partitioned by a plurality of scanning lines 32 and signal lines 33, similarly to the detection elements 34. As shown in FIG.
The switch element 35 in this embodiment is composed of a TFT (Thin Film Transistor), the gate electrode is connected to the adjacent scanning line 32, the source electrode is connected to the adjacent signal line 33, and the drain electrode is connected to the same region. It is connected to one terminal 34a of the detection element 34 inside.
Each switch element 35 is in a conductive state in which the detection element 34 and the signal line 33 (integration circuit 511) are electrically connected, or in a conductive state in which the detection element 34 and the signal line 33 (integration circuit 511) are electrically connected, depending on the voltage (on voltage/off voltage) applied to the gate electrode. It is possible to switch to a non-conducting state in which the signal line 33 is not conducting.

複数のバイアス線36は、各検出素子34の他方の端子34bに接続されている。
なお、本実施形態のバイアス線36は、結線37で接続する構成としているが、各バイアス線36をバイアス電源回路43に直接接続してもよいし、複数本の結線37にバイアス線36を分けて接続してもよい。結線37で接続するとバイアス線36を流れる電流が集中し、配線抵抗による電圧降下が大きくなってしまうが、分割することで、電圧降下を低減する効果が得られる。
また、バイアス線36は、配線抵抗の影響を低減するため、面状に広がったものとしてもよいし、縦横に配置した配線が交差部で接続した井桁状のものとしてもよい。
バイアス線36を面状、井桁状とする場合には、結線37は不要となる。
A plurality of bias lines 36 are connected to the other terminal 34 b of each sensing element 34 .
In this embodiment, the bias lines 36 are connected by the connection 37, but each bias line 36 may be directly connected to the bias power supply circuit 43, or the bias line 36 may be divided into a plurality of connections 37. may be connected. If the connection 37 is used, the current flowing through the bias line 36 concentrates and the voltage drop due to the wiring resistance becomes large.
In order to reduce the influence of wiring resistance, the bias line 36 may be spread out in a planar shape, or may be a parallel cross formed by connecting wirings arranged vertically and horizontally.
If the bias wire 36 is planar or grid-shaped, the wire connection 37 is not required.

センサー駆動部4は、ゲート電源回路41と、ゲートドライバ42と、バイアス電源回路43と、を備えている。 The sensor driving section 4 includes a gate power supply circuit 41 , a gate driver 42 and a bias power supply circuit 43 .

ゲート電源回路41は、それぞれ電圧の異なるオン電圧とオフ電圧を生成し、ゲートドライバ42に供給するようになっている。 The gate power supply circuit 41 generates an ON voltage and an OFF voltage, which are different voltages, and supplies them to the gate driver 42 .

ゲートドライバ42は、オン電圧を印加する走査線32を選択的に切り替えることが可能に構成されている。
オン電圧が印加されない走査線32には、オフ電圧を印加するようになっている。
The gate driver 42 is configured to selectively switch the scanning line 32 to which the ON voltage is applied.
An off voltage is applied to the scanning lines 32 to which the on voltage is not applied.

バイアス電源回路43は、逆バイアス電圧を生成し、結線37やバイアス線36を介して各検出素子34に逆バイアス電圧を印加するようになっている。 The bias power supply circuit 43 generates a reverse bias voltage and applies the reverse bias voltage to each detection element 34 via the connection 37 and the bias line 36 .

このように構成されたセンサー駆動部4は、センサー部3の各スイッチ素子35の導通状態/非導通状態を切り替えて各検出素子34から電荷を出力させるようになっている。 The sensor driving section 4 configured in this manner switches between the conducting state and the non-conducting state of each switch element 35 of the sensor section 3 to output charges from each detection element 34 .

画像生成部5は、複数の読み出し回路51と、アナログマルチプレクサー52と、A/D変換器53と、を備えている。
なお、図2にはアナログマルチプレクサー52とA/D変換器53が一つずつ図示されているが、画像生成部5に、複数の読出しICを備え、各読出しICが、複数の読み出し回路51、アナログマルチプレクサー52、及びA/D変換器53をそれぞれ備えるようにしてもよい。
The image generator 5 includes a plurality of readout circuits 51 , an analog multiplexer 52 and an A/D converter 53 .
Although one analog multiplexer 52 and one A/D converter 53 are shown in FIG. , an analog multiplexer 52, and an A/D converter 53, respectively.

複数の読み出し回路51は、検出素子34の各列に対応してそれぞれ設けられた各信号線33にそれぞれ接続されている。
また、各読み出し回路51は、積分回路511と、相関二重サンプリング(Correlated Double Sampling、)回路(以下、CDS回路512)と、をそれぞれ備えている。
そして、各読み出し回路51は、各信号線33から入力された電荷の量に基づいてアナログ信号値を生成し、アナログマルチプレクサー52へ出力するようになっている。
なお、読み出し回路51の詳細については後述する。
A plurality of readout circuits 51 are connected to respective signal lines 33 respectively provided corresponding to respective columns of the detection elements 34 .
Each readout circuit 51 includes an integration circuit 511 and a correlated double sampling circuit (hereinafter referred to as a CDS circuit 512).
Each readout circuit 51 generates an analog signal value based on the amount of charge input from each signal line 33 and outputs it to the analog multiplexer 52 .
Details of the readout circuit 51 will be described later.

アナログマルチプレクサー52には、複数の読み出し回路51の各出力端子がそれぞれ接続されている。
また、アナログマルチプレクサー52は、複数の読み出し回路51の中からA/D変換器53に接続する読み出し回路51を選択的に切り替えることで、各読み出し回路51から入力されたアナログ信号値を一つずつA/D変換器53へ出力するようになっている。
なお、ここでは、アナログマルチプレクサー52を、アナログ信号値を一つずつ出力するものとしたが、複数の画素から一つの画素(例えば、4画素を平均化した1画素)を生成するため、アナログマルチプレクサー52を、アナログ信号値を二つ以上ずつA/D変換器53へ出力できるように構成してもよい。
Each output terminal of a plurality of readout circuits 51 is connected to the analog multiplexer 52 .
Further, the analog multiplexer 52 selectively switches the readout circuit 51 connected to the A/D converter 53 from among the plurality of readout circuits 51, thereby converting the analog signal value input from each readout circuit 51 into one. They are output to the A/D converter 53 one by one.
Here, the analog multiplexer 52 is assumed to output analog signal values one by one. Multiplexer 52 may be configured to output two or more analog signal values to A/D converter 53 .

A/D変換器53は、入力されたアナログ信号値をデジタル信号値に順次変換するようになっている。
なお、ここでは、複数のCDS回路512に対して一つのA/D変換器を備えることとしたが、A/D変換器53は、各CDS回路512にそれぞれ接続されていてもよい。
その場合、アナログマルチプレクサー52は不要となる。
The A/D converter 53 sequentially converts input analog signal values into digital signal values.
Although one A/D converter is provided for the plurality of CDS circuits 512 here, the A/D converter 53 may be connected to each CDS circuit 512 .
In that case, the analog multiplexer 52 becomes unnecessary.

このように構成された画像生成部5は、センサー部3の各検出素子34が出力した電荷の量に基づいて放射線画像の画像データを生成するようになっている。 The image generating section 5 configured in this manner generates image data of a radiographic image based on the amount of charge output by each detecting element 34 of the sensor section 3 .

本実施形態に係る制御部6は、FPGA(Field Programmable Gate Array)等で信号処理回路61を有するように構成されている。
また、本実施形態に係る制御部6は、センサー駆動部4や画像生成部5を制御する図示しない各種制御回路も備えている。
なお、制御部6を、CPLD(Complex Programmable Logic Device)で構成するようにしてもよいし、CPU(Central Processing Unit)やRAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)を備えたマイコンで構成するようにしてもよい。
The control unit 6 according to this embodiment is configured to have a signal processing circuit 61 such as an FPGA (Field Programmable Gate Array).
The control unit 6 according to this embodiment also includes various control circuits (not shown) that control the sensor drive unit 4 and the image generation unit 5 .
The control unit 6 may be composed of a CPLD (Complex Programmable Logic Device), or may be composed of a microcomputer equipped with a CPU (Central Processing Unit), RAM (Random Access Memory), and ROM (Read Only Memory). You may make it

本実施形態に係るメモリー7は、揮発性メモリー(例えばDRAM(Dynamic Random Access Memory))で画像データを保存することが可能に構成されている。
なお、メモリー7を不揮発性メモリー(例えばフラッシュメモリー等)で構成するようにしてもよい。
The memory 7 according to the present embodiment is a volatile memory (for example, a DRAM (Dynamic Random Access Memory)) that can store image data.
Note that the memory 7 may be composed of a non-volatile memory (for example, a flash memory or the like).

通信部8は、例えば通信モジュールで構成され、アンテナ81やコネクター82を介して他の装置(コンソールや放射線発生装置)と無線又は有線で通信することが可能となっている。 The communication unit 8 is composed of, for example, a communication module, and is capable of wireless or wired communication with other devices (console or radiation generator) via an antenna 81 and a connector 82 .

内蔵電源9は、リチウムイオン電池やリチウムイオンキャパシタ等で構成され、撮影装置100の各部に電力を供給するようになっている。 The built-in power supply 9 is composed of a lithium ion battery, a lithium ion capacitor, or the like, and supplies electric power to each part of the photographing apparatus 100 .

〔画像生成部〕
次に、上記撮影装置100の画像生成部5が備える読み出し回路51の詳細について説明する。図3は、読み出し回路51の具体的構成を表す回路図である。
[Image generator]
Next, the details of the readout circuit 51 included in the image generation section 5 of the photographing apparatus 100 will be described. FIG. 3 is a circuit diagram showing a specific configuration of the readout circuit 51. As shown in FIG.

複数の読み出し回路51は、例えば図3に示すように、積分回路511と、CDS回路512と、をそれぞれ備えている。 The readout circuits 51 each include an integration circuit 511 and a CDS circuit 512, as shown in FIG. 3, for example.

積分回路511は、オペアンプ511aと、コンデンサー511bと、リセットスイッチ511cと、を備えている。
オペアンプ511aは、反転入力端子に信号線33が接続され、非反転入力端子に基準電圧Vが印加されている。このため、信号線33に印加される電圧も基準電圧Vとなっている。
そして、信号線33から電荷が流入すると、その電荷の量に応じた出力電圧Voutを出力するようになっている。
なお、基準電圧VとしてGND電位を印加してもよい。
The integration circuit 511 includes an operational amplifier 511a, a capacitor 511b, and a reset switch 511c.
The operational amplifier 511a has an inverting input terminal connected to the signal line 33 and a non-inverting input terminal to which the reference voltage V0 is applied. Therefore, the voltage applied to the signal line 33 is also the reference voltage V0 .
When charges flow in from the signal line 33, an output voltage Vout corresponding to the amount of charges is output.
Note that the GND potential may be applied as the reference voltage V0 .

コンデンサー511bと及びリセットスイッチ511cは、オペアンプ511aの反転入力端子と出力端子との間に並列に接続されている。
積分回路511は、このように構成されることで、流入した電荷の量を時間積分して電圧をCDS回路512へ出力することが可能となっている。
また、リセットスイッチ511cが導通状態にされると、コンデンサー511bに蓄積していた電荷を放出して電圧をリセットするようになっている。
The capacitor 511b and the reset switch 511c are connected in parallel between the inverting input terminal and the output terminal of the operational amplifier 511a.
By being configured in this way, the integrating circuit 511 can time-integrate the amount of charge that has flowed in and output a voltage to the CDS circuit 512 .
Also, when the reset switch 511c is turned on, the electric charge accumulated in the capacitor 511b is released to reset the voltage.

CDS回路512は、抵抗512aと、第一サンプルホールド(CDS1)回路512bと、第二サンプルホールド(CDS2)回路512cと、差分回路512dと、を備えている。 The CDS circuit 512 includes a resistor 512a, a first sample and hold (CDS1) circuit 512b, a second sample and hold (CDS2) circuit 512c, and a difference circuit 512d.

抵抗512aは、積分回路511のオペアンプ511aの出力端子に直列に接続されている。 The resistor 512a is connected in series with the output terminal of the operational amplifier 511a of the integrating circuit 511. FIG.

第一サンプルホールド回路512bは、第一コンデンサーCrと、第一スイッチSrと、を備えている。
第一コンデンサーCrは一方の電極が抵抗512aと差分回路512dの反転入力端子との間に接続され、他方の電極がGNDに接続されている。
第一スイッチSrは、抵抗512aと第一コンデンサーCrとの間に設けられている。
そして、第一スイッチSrが導通状態にされると、積分回路511と第一コンデンサーCrとが接続され、第一コンデンサーCrが充電される。
その後、第一スイッチSrが非導通状態にされると、積分回路511と第一コンデンサーCrとの接続が解除され、その時点の第一コンデンサーCrの両電極間の電圧(以下、第一電圧VSHR)を保持するようになっている。
The first sample and hold circuit 512b includes a first capacitor Cr and a first switch Sr.
One electrode of the first capacitor Cr is connected between the resistor 512a and the inverting input terminal of the differential circuit 512d, and the other electrode is connected to GND.
A first switch Sr is provided between the resistor 512a and the first capacitor Cr.
Then, when the first switch Sr is turned on, the integration circuit 511 and the first capacitor Cr are connected, and the first capacitor Cr is charged.
After that, when the first switch Sr is turned off, the connection between the integration circuit 511 and the first capacitor Cr is released, and the voltage between the electrodes of the first capacitor Cr at that time (hereinafter referred to as the first voltage V SHR ).

第二サンプルホールド回路512cは、第二コンデンサーCsと、第二スイッチSsと、を備えている。
第二コンデンサーCsは一方の電極が抵抗512aと差分回路512dの非反転入力端子との間に接続され、他方の電極がGNDに接続されている。
第二スイッチSsは、抵抗512aと第二コンデンサーCsとの間に設けられている。
そして、第二スイッチSsが導通状態にされると、積分回路511と第二コンデンサーCsとが接続され、第二コンデンサーCsが充電されるようになっている。
その後、第二スイッチSsが非導通状態にされると、積分回路511と第二コンデンサーCsとの接続が解除され、その時点の第二コンデンサーCsの両電極間の電圧(以下、第二電圧VSHS)を保持するようになっている。
The second sample and hold circuit 512c has a second capacitor Cs and a second switch Ss.
The second capacitor Cs has one electrode connected between the resistor 512a and the non-inverting input terminal of the differential circuit 512d, and the other electrode connected to GND.
A second switch Ss is provided between the resistor 512a and the second capacitor Cs.
When the second switch Ss is turned on, the integration circuit 511 and the second capacitor Cs are connected, and the second capacitor Cs is charged.
After that, when the second switch Ss is turned off, the connection between the integration circuit 511 and the second capacitor Cs is released, and the voltage between the electrodes of the second capacitor Cs at that time (hereinafter referred to as the second voltage V SHS ).

差分回路512dは、反転入力端子に第一サンプルホールド回路512bが接続され、非反転入力端子に第二サンプルホールド回路512cが接続されている。
そして、差分回路512dは、第二サンプルホールド回路512cが保持している信号値としての第二電圧VSHSから第一サンプルホールド回路512bが保持している第一電圧VSHRを差し引いた差分を出力するようになっている。
この差分は、前述したアナログ信号値ΔVとして、アナログマルチプレクサー52へ出力される。
The differential circuit 512d has an inverting input terminal connected to the first sample-and-hold circuit 512b, and a non-inverting input terminal connected to the second sample-and-hold circuit 512c.
Then, the difference circuit 512d outputs the difference obtained by subtracting the first voltage V SHR held by the first sample and hold circuit 512b from the second voltage V SHS as the signal value held by the second sample and hold circuit 512c. It is designed to
This difference is output to the analog multiplexer 52 as the analog signal value ΔV described above.

〔信号処理回路〕
次に、上記撮影装置100の制御部6が備える信号処理回路61の詳細について説明する。図4は信号処理回路61の機能的構成を表すブロック図である。
[Signal processing circuit]
Next, the details of the signal processing circuit 61 included in the control unit 6 of the photographing apparatus 100 will be described. FIG. 4 is a block diagram showing the functional configuration of the signal processing circuit 61. As shown in FIG.

信号処理回路61は、第一動作と、第二動作と、を実行するようになっている。
この「第一動作」は、図4(a)に示すような動作であり、画像生成部5が露光前に生成した暗画像の画像データである暗画像データを画像生成部5から取得する取得動作A1を含んでいる。
また、「第一動作」は、メモリー7からのデータの読み込みとメモリー7へのデータの書き込みのうちの少なくとも一方を行うメモリアクセス動作を含んでいる。
本実施形態における第一動作には、暗画像データをメモリー7に書き込むメモリアクセス動作A2が含まれる。
The signal processing circuit 61 is adapted to perform a first operation and a second operation.
This "first operation" is an operation as shown in FIG. It contains action A1.
Also, the “first operation” includes a memory access operation of at least one of reading data from the memory 7 and writing data to the memory 7 .
The first operation in this embodiment includes a memory access operation A2 for writing dark image data into the memory 7. FIG.

また、「第二動作」は、図4(b)に示すような動作であり、画像生成部5が露光後に生成した本画像の画像データである本画像データを画像生成部5から取得する取得動作B1を含んでいる。
また、「第二動作」は、メモリー7からのデータの読み込みとメモリー7へのデータの書き込みのうちの少なくとも一方を行うメモリアクセス動作と、を含んでいる。
本実施形態における第二動作には、メモリー7から暗画像データを読み出すメモリアクセス動作B2と、暗画像データと本画像データとの差分であるオフセット画像データを生成するオフセット補正動作B3と、生成したオフセット画像データを圧縮する圧縮動作B4と、圧縮されたオフセット画像データをメモリー7へ書き込むメモリアクセス動作B5と、が含まれる。
なお、オフセット画像データのデータ量が小さい場合には、圧縮動作B4は不要である。
Further, the "second operation" is an operation as shown in FIG. It includes action B1.
Also, the “second operation” includes a memory access operation of at least one of reading data from the memory 7 and writing data to the memory 7 .
The second operation in this embodiment includes a memory access operation B2 for reading dark image data from the memory 7, an offset correction operation B3 for generating offset image data that is the difference between the dark image data and the main image data, and a A compression operation B4 for compressing the offset image data and a memory access operation B5 for writing the compressed offset image data to memory 7 are included.
Note that if the amount of offset image data is small, the compression operation B4 is unnecessary.

また、本実施形態では、本画像の撮影前に第一動作を実施して、その後に第二動作を含む本画像の撮影を実施する場合を例にして説明をしているが、リアルタイム転送性能を厳しく求められない用途の撮影においては、第二動作を含む本画像の撮影を実施してから、第一動作を実施するようにしてもよい。
この場合、本画像データへ施される各種補正(詳細後述)の多くは、第一動作と並行して実施されることになる。
In this embodiment, the first operation is performed before the main image is captured, and then the main image including the second operation is captured. is not strictly required, the first operation may be performed after the main image including the second operation is captured.
In this case, many of the various corrections (described later in detail) applied to the main image data are performed in parallel with the first operation.

また、本実施形態に係る信号処理回路61は、第一動作における(一方の)メモリアクセス動作に、第二動作における(他方の)メモリアクセス動作には含まれ且つ第一動作における(一方の)メモリアクセス動作には含まれないメモリアクセス動作を模したダミーメモリアクセス動作を含めるとともに、第二動作における(他方の)メモリアクセス動作に、第一動作における(一方の)メモリアクセス動作には含まれ且つ第二動作における(他方の)メモリアクセス動作には含まれないメモリアクセス動作を模したダミーメモリアクセス動作を含めるようになっている。 Further, the signal processing circuit 61 according to the present embodiment is included in (one) memory access operation in the first operation, in (the other) memory access operation in the second operation, and (one) in the first operation. A dummy memory access operation imitating a memory access operation not included in the memory access operation is included, and the (other) memory access operation in the second operation is included in the (one) memory access operation in the first operation. In addition, a dummy memory access operation imitating a memory access operation not included in the (other) memory access operation in the second operation is included.

この「ダミーメモリアクセス動作」には、暗画像又は本画像を模したダミー画像の画像データであるダミー画像データをメモリー7に書き込むダミーメモリアクセス動作と、メモリー7からダミー画像データを読み出すダミーメモリアクセス動作と、が含まれている。 This "dummy memory access operation" includes a dummy memory access operation of writing dummy image data, which is image data of a dummy image simulating a dark image or a main image, into the memory 7, and a dummy memory access operation of reading dummy image data from the memory 7. Behavior and includes.

本実施形態においては、第一動作に、ダミー画像データを読み出すダミーメモリアクセス動作DA3と、暗画像データとダミー画像データとの差分であるダミーオフセット画像データを生成するダミーオフセット補正動作DA4と、生成したダミーオフセット画像データを圧縮するダミー圧縮動作DA5と、圧縮されたダミーオフセット画像データをメモリー7へ書き込むダミーメモリアクセス動作DA6と、が含まれる。
すなわち、第一動作におけるダミーメモリアクセス動作は、第二動作におけるオフセット補正動作に伴うメモリアクセス動作を模したものである。
In this embodiment, the first operation includes a dummy memory access operation DA3 for reading dummy image data, a dummy offset correction operation DA4 for generating dummy offset image data that is the difference between dark image data and dummy image data, and generating A dummy compression operation DA5 for compressing the compressed dummy offset image data and a dummy memory access operation DA6 for writing the compressed dummy offset image data to the memory 7 are included.
That is, the dummy memory access operation in the first operation imitates the memory access operation accompanying the offset correction operation in the second operation.

また、本実施形態においては、第二動作に、ダミー画像データをメモリー7に書き込むダミーメモリアクセス動作DB6が含まれる。
なお、第二動作に、メモリー7から、本画像データの補正(例えばゲイン補正、残像補正、欠陥補正、ビニング等)に用いられる複数の補正データをそれぞれ読み出す複数のメモリアクセス動作と、読みだした複数の補正データをそれぞれ用いて本画像データに複数の補正を施して補正本画像データを生成する本画像補正動作と、を含めるようにしてもよい。
これらの補正処理は、比較的単純な演算で行うことができ、信号処理回路61の処理能力で足りるため、このようにすれば、撮影から他の装置(コンソール等)で放射線画像を表示するまでの時間を短縮することができる。
Further, in this embodiment, the second operation includes a dummy memory access operation DB6 for writing dummy image data into the memory 7. FIG.
Note that the second operation includes a plurality of memory access operations for respectively reading a plurality of correction data used for correcting the main image data (for example, gain correction, afterimage correction, defect correction, binning, etc.) from the memory 7, and A main image correction operation of performing a plurality of corrections on main image data using a plurality of correction data to generate corrected main image data may also be included.
These correction processes can be performed by relatively simple calculations, and the processing capacity of the signal processing circuit 61 is sufficient. time can be shortened.

以上のようにすることで、本実施形態における第一動作におけるメモリアクセス動作と第二動作におけるメモリアクセス動作とが一致することとなる。 By doing so, the memory access operation in the first operation and the memory access operation in the second operation in this embodiment will match.

なお、第一動作におけるメモリアクセス動作と第二動作におけるメモリアクセス動作とを完全に一致させる必要はなく、すくなくとも一方のメモリアクセス動作を他方に近づけるだけでもよい。
すなわち、第一ダミーアクセス動作を含める動作を第一動作と第二動作のいずれか一方としてもよい。
また、ダミーアクセス動作は、ダミー画像データをメモリー7に書き込む動作と読み出す動作のいずれか一方としてもよい。
It should be noted that the memory access operation in the first operation and the memory access operation in the second operation need not be completely matched, and at least one memory access operation may be brought closer to the other.
That is, the operation including the first dummy access operation may be either the first operation or the second operation.
Also, the dummy access operation may be either one of the operation of writing dummy image data in the memory 7 and the operation of reading it out.

また、信号処理回路61は、画像生成部5による第一サンプルホールド動作及び第二サンプルホールド動作と重なるタイミングで実行する、第一動作におけるメモリアクセス動作の態様と、第二動作におけるメモリアクセス動作の態様と、が等しくなるようにダミーメモリアクセス動作を実行するようになっている。
この「態様」とは、小刻みに繰り返されるメモリアクセス動作の頻度(密度)やメモリアクセス動作が繰り返される期間の長さ等を指す。
In addition, the signal processing circuit 61 performs the mode of the memory access operation in the first operation and the mode of the memory access operation in the second operation, which are executed at timings overlapping the first sample-and-hold operation and the second sample-and-hold operation by the image generation unit 5. The dummy memory access operation is executed so that the mode and the are equal.
This "pattern" refers to the frequency (density) of memory access operations that are repeated in small steps, the length of the period in which the memory access operations are repeated, and the like.

〔動作〕
次に、上記撮影装置100の動作について説明する。図5は撮影装置100の各部の動作と積分回路511の出力電圧Voutの経時変化を表す図である。
なお、図5における出力電圧Voutのグラフのうち、実線部分は検出素子34に電荷の蓄積がなかった場合、破線部分は電荷の蓄積があった場合を示している。
〔motion〕
Next, the operation of the photographing device 100 will be described. FIG. 5 is a diagram showing the operation of each part of the photographing apparatus 100 and the temporal change of the output voltage V out of the integration circuit 511 .
In the graph of the output voltage V out in FIG. 5, the solid line indicates the case where no charge is accumulated in the detection element 34, and the dashed line indicates the case where charge is accumulated.

撮影装置100の制御部6は、撮影装置100の各部を以下のように動作させるようになっている。
電源スイッチ11が操作(ONに)されると、制御部6は、まず、各読み出し回路51に、各信号線33へ基準電圧Vを印加させるとともに、バイアス電源回路43に、結線37及びバイアス線36を介して各検出素子34へ逆バイアス電圧を印加させる。
The control section 6 of the imaging device 100 operates each section of the imaging device 100 as follows.
When the power switch 11 is operated (turned ON), the control unit 6 first causes each readout circuit 51 to apply the reference voltage V0 to each signal line 33, and causes the bias power supply circuit 43 to apply the connection 37 and the bias voltage. A reverse bias voltage is applied to each sensing element 34 via line 36 .

その後、制御部6は、暗画像データを生成する。
具体的には、まず、センサー駆動部4に、全ての走査線32へオフ電圧を印加させ、全てのスイッチ素子35を非導通状態とする。すると、各検出素子が発生させた暗電荷が各画素に蓄積される。
After that, the control unit 6 generates dark image data.
Specifically, first, the sensor driving section 4 is caused to apply an OFF voltage to all the scanning lines 32 to bring all the switch elements 35 into a non-conducting state. Then, the dark charge generated by each detection element is accumulated in each pixel.

その後、制御部6は、図5に示すように、各積分回路511にリセットスイッチ511cを導通状態にさせ、積分回路511をリセットさせる(t1~t2)。
各積分回路511が電圧のリセットを終えると、制御部6は、画像生成部に第一サンプルホールド動作を実行させる。すなわち、スイッチ素子35が非導通状態となった後の各積分回路511の出力電圧Voutを、各第一サンプルホールド回路512bに所定時間サンプリングさせる。具体的には、第一スイッチSrを導通状態にして、第一コンデンサーCrを充電する(t3~t4)。
本実施形態においては、複数の積分回路511が、それぞれ第一サンプルホールド回路512bへ電圧を出力しているため、制御部6は、複数の第一サンプルホールド回路512bに、サンプリング及び第一電圧VSHRの保持を同時に行わせることになる。
そして、所定時間充電した後の第一電圧VSHRを基準信号値として保持(サンプルホールド)する(t4)。
Thereafter, as shown in FIG. 5, the control section 6 causes the reset switch 511c of each integrating circuit 511 to be turned on to reset the integrating circuit 511 (t1 to t2).
After each integration circuit 511 finishes resetting the voltage, the control unit 6 causes the image generation unit to perform the first sample-and-hold operation. That is, each first sample-and-hold circuit 512b samples the output voltage Vout of each integration circuit 511 after the switch element 35 is turned off for a predetermined time. Specifically, the first switch Sr is turned on to charge the first capacitor Cr (t3 to t4).
In this embodiment, the plurality of integration circuits 511 output voltages to the first sample-and-hold circuits 512b, respectively. This will cause the SHR to be held at the same time.
Then, the first voltage VSHR after charging for a predetermined time is held (sampled and held) as a reference signal value (t4).

その後、制御部6は、センサー駆動部4に一本の走査線32へオン電圧を印加させ、その走査線32に接続された各スイッチ素子35を導通状態とする。すると、信号線33に印可されている基準電圧Vとバイアス線36に印可されている逆バイアス電圧との電圧差により、オン電圧が印加されている走査線32に接続された各画素内に蓄積されていた暗電荷が暗電流となって各信号線33へ放出される。こうして、一本のゲートラインの暗電荷がリセットされる。また、走査線32へ印加する電圧を切り替えるタイミングで積分回路の出力電圧Voutは、貫通電流の影響を受けて上昇又は下降をする。走査線32へオン電圧を印加した後に、Voutは下降をする(t5以降)。一方、走査線32へオフ電圧を印加した後に、Voutは上昇をする(t6以降)。これらの下降電圧と上昇電圧は同一であるため、センサーに電荷の蓄積がない場合の積分回路の出力電圧Voutは同じ基準電圧に収束する。 After that, the control section 6 causes the sensor driving section 4 to apply an on-voltage to one scanning line 32 to bring each switch element 35 connected to the scanning line 32 into a conductive state. Then, due to the voltage difference between the reference voltage V0 applied to the signal line 33 and the reverse bias voltage applied to the bias line 36, each pixel connected to the scanning line 32 to which the ON voltage is applied The accumulated dark charge becomes a dark current and is emitted to each signal line 33 . Thus, the dark charge of one gate line is reset. Also, the output voltage V out of the integration circuit rises or falls under the influence of the through current at the timing of switching the voltage applied to the scanning line 32 . After applying the ON voltage to the scanning line 32, Vout drops (after t5). On the other hand, after the off-voltage is applied to the scanning line 32, Vout rises (after t6). Since these falling and rising voltages are the same, the output voltage V out of the integrating circuit when there is no charge stored in the sensor converges to the same reference voltage.

暗電流が各信号線33へ放出されると、各読み出し回路51の積分回路511は信号線33から流入する暗電流を時間積分し、得られた出力電圧VoutをCDS回路512へ出力する。
その後、制御部6は、画像生成部に第二サンプルホールド動作を実行させる。すなわち、スイッチ素子35が導通状態になった後の各積分回路511の出力電圧Voutを、各第二サンプルホールド回路512cに所定時間サンプリングさせる。具体的には、第二スイッチSsを導通状態にして、第二コンデンサーCsを充電する(t7~t8)。
本実施形態においては、複数の積分回路511が、それぞれ第二サンプルホールド回路512cへ電圧を出力しているため、制御部6は、複数の第二サンプルホールド回路512cに、サンプリング及び第二電圧VSHSの保持を同時に行わせることになる。
そして、所定時間充電した後の第二電圧VSHSを基準信号値として保持(サンプルホールド)する(t8)。
When the dark current is emitted to each signal line 33 , the integrating circuit 511 of each readout circuit 51 time-integrates the dark current flowing from the signal line 33 and outputs the obtained output voltage V out to the CDS circuit 512 .
After that, the control section 6 causes the image generation section to perform the second sample hold operation. That is, each second sample-and-hold circuit 512c samples the output voltage V out of each integration circuit 511 after the switch element 35 is turned on for a predetermined time. Specifically, the second switch Ss is turned on to charge the second capacitor Cs (t7 to t8).
In this embodiment, since the plurality of integration circuits 511 output voltages to the second sample-and-hold circuits 512c respectively, the control unit 6 supplies the plurality of second sample-and-hold circuits 512c with sampling and the second voltage V This will cause the SHS to be held at the same time.
Then, the second voltage V SHS after charging for a predetermined time is held (sampled and held) as a reference signal value (t8).

各第二サンプルホールド回路512cに第二電圧VSHSが保持されると、各差分回路512dは、第二電圧VSHSと第一電圧VSHRとの差分であるアナログ信号値ΔVをアナログマルチプレクサー52へ出力する。
アナログマルチプレクサー52は入力された複数のアナログ信号値ΔVをA/D変換器53に順次出力する。
そして、A/D変換器53が、入力されたアナログ信号値ΔVをデジタル信号値に順次変換する。
上記一本の走査線32へのオン電圧の印加からここまでの動作を、対象とする走査線を変えながら繰り返すことにより、一枚の暗画像データが生成される。
When the second voltage V SHS is held in each second sample and hold circuit 512 c , each difference circuit 512 d outputs the analog signal value ΔV, which is the difference between the second voltage V SHS and the first voltage V SHR , to the analog multiplexer 52 . Output to
The analog multiplexer 52 sequentially outputs the input analog signal values ΔV to the A/D converter 53 .
Then, the A/D converter 53 sequentially converts the input analog signal value ΔV into a digital signal value.
By repeating the operation from the application of the ON voltage to one scanning line 32 to this while changing the target scanning line, one sheet of dark image data is generated.

暗画像データの読み出しを行った後、制御部6は、本画像データを生成する。
本画像データを生成する際の制御部6の動作は、暗画像データを生成するときと基本的に同じであるが、積分回路511をリセットさせてからスイッチ素子35が導通状態となるまでの間に放射線の照射を受けるため、スイッチ素子35が導通状態となった後の出力電圧Voutが暗画像データを生成するときよりも高い値で(破線で示したグラフのように)推移する。
なお、動態画像の撮影を行う場合には、この本画像データの生成を繰り返し行う。
After reading out the dark image data, the control unit 6 generates main image data.
The operation of the control unit 6 when generating the main image data is basically the same as when generating the dark image data. Therefore, the output voltage V out after the switching element 35 is turned on changes at a higher value than when dark image data is generated (as shown by the dashed line in the graph).
It should be noted that when capturing a dynamic image, the generation of the main image data is repeated.

また、信号処理回路61は、画像生成部5による暗画像データや本画像データの生成と並行して、各種メモリアクセス動作を実行する。
具体的には、暗画像データをメモリー7に書き込んだり、メモリー7から暗画像データを読み出したり、オフセット画像データをメモリー7に書き込んだりする。
こうして、オフセット補正が施されたオフセット画像データが他の装置(コンソール等)へ転送可能な状態となる。
In addition, the signal processing circuit 61 executes various memory access operations in parallel with the generation of the dark image data and the main image data by the image generation section 5 .
Specifically, the dark image data is written to the memory 7, the dark image data is read from the memory 7, and the offset image data is written to the memory 7.
In this way, the offset image data subjected to offset correction can be transferred to another device (such as a console).

第一,第二サンプルホールド動作がメモリアクセス動作の実行タイミングと重なると、CDS回路512に保持される基準信号値(第一電圧VSHR)や画素信号値(第二電圧VSHS)は、その影響で変動する。
また、動態画像の撮影のように、各種動作の繰返し周期が短い場合、第一,第二サンプルホールド動作の実行タイミングとメモリアクセス動作の実行タイミングとが重なることが多くなる。
しかし、本実施形態に係る撮影装置100の信号処理回路61は、上述したように、第一動作におけるメモリアクセス動作と第二動作におけるメモリアクセス動作のうちの少なくとも一方に、他方のメモリアクセス動作には含まれ且つ前記一方のメモリアクセス動作には含まれないメモリアクセス動作のうちの少なくとも一つを模したダミーメモリアクセス動作を含めるようになっているため、メモリアクセス動作から受ける影響は、暗画像データを生成するときと本画像データを生成するときとで差を小さくなる、又は差がなくなる。このため、オフセットをより正確に除去することが可能となる。
また、本実施形態に係る撮影装置100は、信号処理回路61の動作(ソフトウェア)によってメモリアクセス動作の違いに起因するノイズを抑制するため、高透磁率シートのような物理的にノイズを遮断する手段が不要となる。
その結果、撮影装置100の製造コストや重量を増加させることなく、信号処理回路のメモリアクセス動作が暗画像の読み出し時と本画像の読み出し時とで異なることに起因して生じる放射線画像のアーティファクトを低減することができる。
When the first and second sample-and-hold operations coincide with the execution timing of the memory access operation, the reference signal value (first voltage V SHR ) and pixel signal value (second voltage V SHS ) held in the CDS circuit 512 are fluctuate under influence.
Also, when the repetition cycle of various operations is short, such as when capturing a dynamic image, the execution timing of the first and second sample hold operations and the execution timing of the memory access operation often overlap.
However, as described above, the signal processing circuit 61 of the imaging device 100 according to the present embodiment performs at least one of the memory access operation in the first operation and the memory access operation in the second operation, and the other memory access operation. is included in the one memory access operation but not included in the one memory access operation. The difference between when data is generated and when main image data is generated is reduced or eliminated. Therefore, the offset can be removed more accurately.
In addition, since the imaging apparatus 100 according to the present embodiment suppresses noise caused by differences in memory access operations by the operation (software) of the signal processing circuit 61, the noise is physically cut off like a high magnetic permeability sheet. No need for tools.
As a result, without increasing the manufacturing cost and weight of the imaging apparatus 100, artifacts in radiographic images caused by different memory access operations of the signal processing circuit when reading a dark image and when reading a main image can be eliminated. can be reduced.

<第二実施形態>
次に、本発明の第二施形態について、図1,2,6を参照しながら説明する。なお、ここでは、上記第一実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。
<Second embodiment>
Next, a second embodiment of the invention will be described with reference to FIGS. In addition, here, the same code|symbol is attached|subjected about the structure similar to said 1st embodiment, and the description is abbreviate|omitted.

本実施形態に係る放射線撮影装置100A(図1,2参照)は、制御部6A(図2参照)が実行する処理が上記第一実施形態と異なる。 A radiation imaging apparatus 100A (see FIGS. 1 and 2) according to the present embodiment differs from that of the first embodiment in the processing executed by the control unit 6A (see FIG. 2).

具体的には、本実施形態に係る制御部6は、画像生成部5に暗画像を繰り返し生成させるようになっている。 Specifically, the control unit 6 according to the present embodiment causes the image generation unit 5 to repeatedly generate dark images.

また、本実施形態に係る信号処理回路61Aが実行する第一動作には、上記A1,A2の動作及び上記DA4~DA6のダミー動作の他に、補正データを用いて暗画像データに補正を施して補正暗画像データを生成する暗画像補正動作A7と、生成された補正暗画像データをメモリー7に書き込むメモリアクセス動作A8と、が含まれる。
また、本実施形態における暗画像補正動作A7は、図6に示すように、複数の暗画像データの平均である平均画像データを生成する平均化処理となっている。このため、本実施形態における補正データは、信号処理回路61Aが保持している過去の暗画像データ又は過去の平均画像データということになる。
なお、補正データをメモリー7から読み出して暗画像補正動作を実行するようにしてもよい。
In the first operation executed by the signal processing circuit 61A according to the present embodiment, dark image data is corrected using correction data in addition to the operations A1 and A2 and the dummy operations DA4 to DA6. and a memory access operation A8 for writing the generated corrected dark image data into the memory 7.
Further, as shown in FIG. 6, the dark image correction operation A7 in this embodiment is an averaging process for generating average image data, which is an average of a plurality of dark image data. Therefore, the correction data in this embodiment is past dark image data or past average image data held by the signal processing circuit 61A.
The correction data may be read out from the memory 7 and the dark image correction operation may be executed.

また、本実施形態においては、平均化処理を行う際に、暗画像データを積算した暗画像積算データを生成するようになっている。このため、本実施形態においては、第一動作に、暗画像積算データをメモリー7に書き込むメモリアクセス動作A9も含まれる。 Further, in the present embodiment, when performing the averaging process, dark image integrated data is generated by integrating dark image data. Therefore, in the present embodiment, the first operation also includes a memory access operation A9 for writing the dark image integrated data into the memory 7. FIG.

また、本実施形態においては、第一動作から、ダミーメモリアクセス動作DA3(メモリー7からダミー画像データを読み出す動作)が省かれている。
これは、メモリー7からデータを読み出す動作は、メモリー7にデータを書き込む動作に比べてCDS回路512の動作に与える影響が小さいためである。
なお、本実施形態における第一動作にダミーメモリアクセス動作DA3を含めるようにしてもよい。
Also, in this embodiment, the dummy memory access operation DA3 (the operation of reading dummy image data from the memory 7) is omitted from the first operation.
This is because the operation of reading data from the memory 7 has less influence on the operation of the CDS circuit 512 than the operation of writing data to the memory 7 .
Note that the dummy memory access operation DA3 may be included in the first operation in this embodiment.

また、本実施形態に係る信号処理回路61Aが実行する第二動作には、上記B1~B5の動作及び上記DB6のダミー動作の他に、ダミー補正暗画像データを生成するダミー暗画像補正動作(平均化処理)DB7と、生成されたダミー補正暗画像データ(過去のダミー暗画像データ又は過去のダミー平均画像データ、及びダミー暗画像積算データ)をメモリー7に書き込むダミーメモリアクセス動作DB8,DB9と、が含まれる。
なお、本実施形態においては、メモリー7へ書き込むメモリアクセス動作を全てそろえることとしたが、そのうちの一部(例えば最も影響の大きい)メモリアクセス動作だけをそろえるようにしてもよい。
Further, the second operation executed by the signal processing circuit 61A according to the present embodiment includes, in addition to the operations B1 to B5 and the dummy operation of DB6, a dummy dark image correction operation ( averaging process) DB7; and dummy memory access operations DB8 and DB9 for writing the generated dummy corrected dark image data (past dummy dark image data or past dummy average image data and dummy dark image integrated data) into the memory 7; , is included.
In the present embodiment, all memory access operations for writing to the memory 7 are aligned, but only a portion of them (for example, the most influential memory access operations) may be aligned.

以上のようにすることで、本実施形態においても、第一動作におけるメモリアクセス動作と第二動作におけるメモリアクセス動作とが一致することとなる。 By doing so, also in this embodiment, the memory access operation in the first operation and the memory access operation in the second operation match.

以上、本実施形態に係る放射線撮影装置100Aによれば、上記第一実施形態に係る撮影装置100と同様、放射線撮影装置の製造コストや重量を増加させることなく、信号処理回路のメモリアクセス動作が暗画像の読み出し時と本画像の読み出し時とで異なることに起因して生じる放射線画像のアーティファクトを低減することができる。
また、本実施形態のように、影響の小さいダミーメモリアクセス動作(メモリー7からの読み出し動作)を行わないようにすることで、電力消費を抑えることができる。
As described above, according to the radiation imaging apparatus 100A according to the present embodiment, as in the imaging apparatus 100 according to the first embodiment, the memory access operation of the signal processing circuit can be performed without increasing the manufacturing cost and weight of the radiation imaging apparatus. It is possible to reduce the artifacts of the radiographic image caused by the difference between the reading of the dark image and the reading of the main image.
Moreover, power consumption can be suppressed by not performing a dummy memory access operation (read operation from the memory 7), which has a small effect, as in the present embodiment.

なお、本発明は上記の実施形態等に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能であることは言うまでもない。 It goes without saying that the present invention is not limited to the above-described embodiments and the like, and can be modified as appropriate without departing from the scope of the present invention.

100,100A 放射線撮影装置
1 筐体
11 電源スイッチ
12 操作スイッチ
13 インジケーター
2 シンチレーター
3 センサー部
31 基板
32 走査線
33 信号線
34 検出素子
34a,34b 端子
35 スイッチ素子
36 バイアス線
37 結線
4 センサー駆動部
41 ゲート電源回路
42 ゲートドライバ
43 バイアス電源回路
5 画像生成部
51 読み出し回路
511 積分回路
511a オペアンプ
511b コンデンサー
511c リセットスイッチ
512 相関二重サンプリング回路
512a 抵抗
512b 第一サンプルホールド回路
Cr 第一コンデンサー
Sr 第一スイッチ
512c 第二サンプルホールド回路
Cs 第二コンデンサー
Ss 第二スイッチ
512d 差分回路
52 アナログマルチプレクサー
53 A/D変換器
6,6A 制御部
61,61A 信号処理回路
7 メモリー
8 通信部
81 アンテナ
82 コネクター
9 内蔵電源
A1 取得動作
A2,A8,A9 メモリアクセス動作
A7 暗画像補正動作
B1 取得動作
B2,B5 メモリアクセス動作
B3 オフセット補正動作
B4 圧縮動作
DA3,DA6 ダミーメモリアクセス動作
DA4 ダミーオフセット補正動作
DA5 ダミー圧縮動作
DB6,DB8,DB9 ダミーメモリアクセス動作
DB7 ダミー暗画像補正動作(平均化処理)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100,100A Radiation imaging apparatus 1 housing 11 power switch 12 operation switch 13 indicator 2 scintillator 3 sensor part 31 substrate 32 scanning line 33 signal line 34 detection element 34a, 34b terminal 35 switch element 36 bias line 37 connection 4 sensor driving part 41 Gate power supply circuit 42 Gate driver 43 Bias power supply circuit 5 Image generation unit 51 Readout circuit 511 Integration circuit 511a Operational amplifier 511b Capacitor 511c Reset switch 512 Correlated double sampling circuit 512a Resistor 512b First sample hold circuit
Cr First condenser
Sr first switch 512c second sample and hold circuit
Cs second capacitor
Ss Second switch 512d Difference circuit 52 Analog multiplexer 53 A/D converter 6, 6A Control section 61, 61A Signal processing circuit 7 Memory 8 Communication section 81 Antenna 82 Connector 9 Built-in power supply A1 Acquisition operation A2, A8, A9 Memory access Operation A7 Dark image correction operation B1 Acquisition operation B2, B5 Memory access operation B3 Offset correction operation B4 Compression operation DA3, DA6 Dummy memory access operation DA4 Dummy offset correction operation DA5 Dummy compression operation DB6, DB8, DB9 Dummy memory access operation DB7 Dummy dark Image correction operation (averaging process)

Claims (7)

二次元状に配列された複数の検出素子と、各検出素子にそれぞれ接続された複数のスイッチ素子と、を有するセンサー部と、
前記センサー部の各スイッチ素子の導通状態/非導通状態を切り替えて各検出素子から電荷を出力させるセンサー駆動部と、
前記センサー部の各検出素子が出力した電荷の量に基づいて放射線画像の画像データを生成する画像生成部と、
画像データを保存可能なメモリーと、
前記画像生成部が露光前に生成した暗画像の画像データである暗画像データを前記画像生成部から取得する動作と、前記メモリーからのデータの読み込みと前記メモリーへのデータの書き込みのうちの少なくとも一方を行うメモリアクセス動作と、を含む第一動作と、
前記画像生成部が露光後に生成した本画像の画像データである本画像データを前記画像生成部から取得する動作と、前記メモリーからのデータの読み込みと前記メモリーへのデータの書き込みのうちの少なくとも一方を行うメモリアクセス動作と、を含む第二動作と、を実行する信号処理回路と、を備え、
前記信号処理回路は、前記第一動作におけるメモリアクセス動作と前記第二動作におけるメモリアクセス動作とが一致していない場合に、前記第一動作におけるメモリアクセス動作と前記第二動作におけるメモリアクセス動作のうちの少なくとも一方に、他方のメモリアクセス動作には含まれ且つ前記一方のメモリアクセス動作には含まれないメモリアクセス動作のうちの少なくとも一つを模したダミーメモリアクセス動作を含めることを特徴とする放射線撮影装置。
a sensor unit having a plurality of detecting elements arranged two-dimensionally and a plurality of switching elements respectively connected to the respective detecting elements;
a sensor driving unit for switching between a conducting state and a non-conducting state of each switch element of the sensor unit to output electric charge from each detection element;
an image generation unit that generates image data of a radiographic image based on the amount of charge output by each detection element of the sensor unit;
a memory that can store image data;
At least an operation of acquiring dark image data, which is image data of a dark image generated by the image generating unit before exposure, from the image generating unit, reading data from the memory, and writing data to the memory. a first operation comprising: a memory access operation to perform one;
At least one of an operation of acquiring from the image generating unit main image data, which is image data of a main image generated by the image generating unit after exposure, and reading data from the memory and writing data to the memory. a memory access operation for performing a second operation comprising:
When the memory access operation in the first operation and the memory access operation in the second operation do not match, the signal processing circuit performs memory access operation in the first operation and memory access operation in the second operation. At least one of them includes a dummy memory access operation imitating at least one of memory access operations included in the other memory access operation but not included in the one memory access operation. Radiography equipment.
前記画像生成部に、
前記スイッチ素子が非導通状態となった後の基準信号値を保持する第一サンプルホールド動作と、
前記スイッチ素子が導通状態となった後の画素信号値を保持する第二サンプルホールド動作と、を実行させることが可能であり、
前記信号処理回路は、
前記画像生成部による前記第一サンプルホールド動作及び前記第二サンプルホールド動作と重なるタイミングで実行する、前記第一動作における前記メモリアクセス動作の態様と、前記第二動作における前記メモリアクセス動作の態様と、が等しくなるように前記ダミーメモリアクセス動作を実行することを特徴とする請求項1に記載の放射線撮影装置。
In the image generation unit,
a first sample-and-hold operation of holding a reference signal value after the switch element becomes non-conductive;
a second sample-and-hold operation for holding the pixel signal value after the switch element is turned on,
The signal processing circuit is
A mode of the memory access operation in the first operation and a mode of the memory access operation in the second operation, which are executed at timings overlapping the first sample-and-hold operation and the second sample-and-hold operation by the image generation unit. 2. The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein said dummy memory access operation is executed so that , and are equal to each other.
前記第一動作には、前記暗画像データを前記メモリーに書き込むメモリアクセス動作が含まれ、
前記第二動作には、
前記メモリーから前記暗画像データを読み出すメモリアクセス動作と、
前記暗画像データと前記本画像データとの差分であるオフセット画像データを生成するオフセット補正動作と、
生成したオフセット画像データをメモリーへ書き込むメモリアクセス動作と、が含まれ、
前記第一動作における前記ダミーメモリアクセス動作は、前記第二動作における前記オフセット補正動作に伴う前記メモリアクセス動作を模したものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の放射線撮影装置。
the first operation includes a memory access operation for writing the dark image data to the memory;
The second action includes:
a memory access operation for reading the dark image data from the memory;
an offset correction operation for generating offset image data that is a difference between the dark image data and the main image data;
a memory access operation to write the generated offset image data to memory;
3. The radiography according to claim 1, wherein the dummy memory access operation in the first operation imitates the memory access operation accompanying the offset correction operation in the second operation. Device.
前記ダミーメモリアクセス動作は、前記暗画像又は前記本画像を模したダミー画像の画像データであるダミー画像データを前記メモリーに書き込むダミーメモリアクセス動作、または前記メモリーから前記ダミー画像データを読み出すダミーメモリアクセス動作であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の放射線撮影装置。 The dummy memory access operation is a dummy memory access operation of writing dummy image data, which is image data of a dummy image simulating the dark image or the main image, into the memory , or a dummy memory access operation of reading the dummy image data from the memory. 4. The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein the operation is a memory access operation. 前記第二動作には、
前記メモリーから、前記本画像データの補正に用いられる複数の補正データをそれぞれ読み出す複数のメモリアクセス動作と、
読みだした複数の前記補正データをそれぞれ用いて前記本画像データに複数の補正を施して補正本画像データを生成する本画像補正動作と、が含まれることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の放射線撮影装置。
The second action includes:
a plurality of memory access operations for respectively reading a plurality of correction data used for correcting the main image data from the memory;
and a main image correction operation of applying a plurality of corrections to the main image data using the plurality of read correction data to generate corrected main image data. 5. The radiographic apparatus according to any one of 4.
前記第一動作には、
補正データを用いて前記暗画像データに補正を施して補正暗画像データを生成する暗画像補正動作と、
生成された前記補正暗画像データをメモリーに書き込むメモリアクセス動作と、が含まれることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の放射線撮影装置。
The first operation includes:
a dark image correcting operation for correcting the dark image data using the correction data to generate corrected dark image data;
6. The radiation imaging apparatus according to any one of claims 1 to 5, further comprising: a memory access operation for writing the generated corrected dark image data into a memory.
前記暗画像補正動作は、複数の前記暗画像データの平均である平均画像データを生成する平均化処理であることを特徴とする請求項6に記載の放射線撮影装置。 7. The radiation imaging apparatus according to claim 6, wherein the dark image correction operation is an averaging process for generating average image data that is an average of a plurality of dark image data.
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