JP7135401B2 - Electronic device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
本発明は、第1部品と第2部品とをはんだを介して電気的、機械的に接続した電子装置およびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to an electronic device in which a first component and a second component are electrically and mechanically connected via solder, and a method of manufacturing the same.
従来より、例えば、電子部品を搭載部材上にはんだを介して搭載した電子装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。このような電子装置は、搭載部材上にはんだを介して電子部品を搭載した後、加熱してはんだを溶融すると共に溶融した溶融はんだを自然冷却して固化することで製造される。 2. Description of the Related Art Conventionally, there has been proposed an electronic device in which an electronic component is mounted on a mounting member via solder (for example, see Patent Document 1). Such an electronic device is manufactured by mounting an electronic component on a mounting member via solder, heating to melt the solder, and naturally cooling and solidifying the melted solder.
しかしながら、上記電子装置の製造方法では、はんだを溶融した後、溶融はんだを自然冷却している。この際、溶融はんだは、様々な方向から冷却されるために温度ムラが発生し易い。また、溶融はんだは、完全な球状とはならないため、厚みムラが発生し、各部分での冷却速度のばらつきが発生し易い。さらに、溶融はんだが露出した状態となるため、不純物の混入等も発生し易い。したがって、溶融はんだを自然冷却して固化したはんだは、複数の結晶粒を有する多結晶状態となり易く、各結晶粒の面方位がばらつき易い。このため、上記電子装置では、はんだの接続強度がばらつき易くなる。 However, in the electronic device manufacturing method described above, the molten solder is naturally cooled after the solder is melted. At this time, since the molten solder is cooled from various directions, temperature unevenness is likely to occur. Moreover, since the molten solder does not form a perfect sphere, the thickness of the molten solder tends to be uneven, and the cooling rate tends to vary in each part. Furthermore, since the molten solder is exposed, contamination of impurities is likely to occur. Therefore, the solder that is solidified by natural cooling of the molten solder tends to be in a polycrystalline state having a plurality of crystal grains, and the plane orientation of each crystal grain tends to vary. Therefore, in the electronic device, the connection strength of the solder tends to vary.
本発明は上記点に鑑み、はんだの接続強度がばらつくことを抑制できる電子装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide an electronic device and a method of manufacturing the same that can suppress variation in solder connection strength.
上記目的を達成するための請求項1では、第1部材(10)と第2部材(20)とがはんだ(30)を介して電気的、機械的に接続された電子装置の製造方法であって、一面(10a)側に第1絶縁膜(41)が形成され、第1絶縁膜に第1開口部(41a)が形成されていると共に、第1開口部に第1はんだ(31)が配置された第1部材を用意することと、一面(20a)側に第2絶縁膜(42)が形成され、第2絶縁膜に第2開口部(42a)が形成されていると共に、第2開口部に第2はんだ(32)が配置された第2部材を用意することと、第1部材の一面と第2部材の一面とが対向すると共に第1開口部と第2開口部とが繋がるように第1部材および第2を積層し、第1開口部と第2開口部とが繋がることで構成される開口部(40a)が形成されるように第1絶縁膜と第2絶縁膜とを接合することと、第1絶縁膜と第2絶縁膜とを接合することの後、加熱して第1はんだおよび第2はんだを溶融して溶融はんだ(30a)を構成することと、第1部材と第2部材との積層方向における一方向側から冷却することにより、溶融はんだを一方向側から固化して単結晶とされたはんだを形成することと、を行う。 Claim 1 for achieving the above object provides a method of manufacturing an electronic device in which a first member (10) and a second member (20) are electrically and mechanically connected via solder (30). A first insulating film (41) is formed on the one surface (10a) side, a first opening (41a) is formed in the first insulating film, and a first solder (31) is formed in the first opening. A second insulating film (42) is formed on one surface (20a) side, a second opening (42a) is formed in the second insulating film, and a second opening (42a) is formed in the second insulating film. preparing a second member in which the second solder (32) is arranged in the opening; one surface of the first member and one surface of the second member face each other; The first insulating film and the second insulating film are laminated so as to form an opening (40a) configured by connecting the first opening and the second opening. joining the first insulating film and the second insulating film, then heating to melt the first solder and the second solder to form molten solder (30a); cooling the member and the second member from one side in the stacking direction to solidify the molten solder from one side to form single crystal solder.
これによれば、溶融はんだを絶縁膜の開口部内に配置した状態で一方向側から冷却して固化するため、はんだが多結晶状態となることを抑制できる。つまり、はんだが単結晶になり易くなる。したがって、はんだの接続強度がばらつくことを抑制できる。 According to this, the molten solder is cooled and solidified from one side while being arranged in the opening of the insulating film, so that the solder can be prevented from becoming polycrystalline. In other words, the solder becomes more likely to become a single crystal. Therefore, variations in solder connection strength can be suppressed.
また、請求項12は、第1部材(10)と第2部材(20)とがはんだ(30)を介して電気的、機械的に接続された電子装置であって、第1部材と、第2部材と、第1部材と第2部材との間に配置され、第1部材と第2部材とを電気的、機械的に接続するはんだと、を備え、開口部は、対向する側面のうちの最も長くなる部分の長さが100μm以下とされ、はんだは、開口部に配置され、単結晶で構成されている。
Further,
これによれば、はんだが単結晶で構成されているため、はんだの接続強度がばらつくことを抑制できる。
なお、上記および特許請求の範囲における括弧内の符号は、特許請求の範囲に記載された用語と後述の実施形態に記載される当該用語を例示する具体物等との対応関係を示すものである。
According to this, since the solder is composed of a single crystal, variations in the connection strength of the solder can be suppressed.
It should be noted that the symbols in parentheses in the above description and the scope of claims indicate the correspondence relationship between the terms described in the scope of claims and the specifics etc. that exemplify the terms described in the embodiments described later. .
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, in each of the following embodiments, portions that are the same or equivalent to each other will be described with the same reference numerals.
(第1実施形態)
第1実施形態について、図面を参照しつつ説明する。本実施形態の電子装置は、第1部材10と第2部材20とがはんだ30を介して電気的、機械的に接続されて構成されている。
(First embodiment)
A first embodiment will be described with reference to the drawings. The electronic device of this embodiment is configured by electrically and mechanically connecting a
第1部材10は、本実施形態では、シリコン基板等の半導体基板で構成される第1基板11に増幅回路や信号処理回路等が形成された回路基板で構成されている。そして、第1部材10は、一面10aおよび一面10aと反対側の他面10bを有し、一面10a側に複数の第1パッド部12が形成されている。なお、第1パッド部12は、銅(Cu)、または銅を主成分とする合金で構成されている。
In the present embodiment, the
第2部材20は、本実施形態では、シリコン基板等の半導体基板で構成される第2基板21にトランジスタ等の半導体素子が形成された半導体チップで構成されている。そして、第2部材20は、一面20aおよび一面20aと反対側の他面20bを有し、一面20aのうちの第1パッド部12と対向する部分にそれぞれ第2パッド部22が形成されている。なお、第2パッド部22は、銅、または銅を主成分とする合金で構成されている。
In this embodiment, the
はんだ30は、対向する第1パッド部12と第2パッド部22との間にそれぞれ配置されており、第1パッド部12と第2パッド部22とを電気的、機械的に接続する。はんだ30は、例えば、錫(Sn)系のものが用いられる。具体的には、はんだ30は、Sn-Ag(銀)系、Sn-Cu系、Sn-Ag-Cu系合金等であって、Pb(鉛)フリーで構成されるものが用いられる。そして、本実施形態のはんだ30は、単結晶で構成されている。
The
また、第1部材10と第2部材20との間には、絶縁膜40が配置されている。絶縁膜40は、第1部材10と第2部材20との間であって、各はんだ30の周囲に配置されている。つまり、絶縁膜40には複数の開口部40aが形成されており、各はんだ30は、それぞれ絶縁膜40に形成された開口部40aに配置されているともいえる。なお、絶縁膜40は、本実施形態では、酸化膜で構成されている。また、開口部40aは、対向する側面のうちの最も長くなる部分の長さが100μm以下とされている。本実施形態では、開口部40aは、円筒状とされ、直径が100μm以下とされている。
An
以上が本実施形態における電子装置の構成である。次に、上記電子装置の製造方法について説明する。 The above is the configuration of the electronic device according to the present embodiment. Next, a method for manufacturing the electronic device will be described.
まず、図2Aに示されるように、一面10a側に第1パッド部12および第1絶縁膜41が形成され、第1絶縁膜41に形成された第1パッド部12を露出させる第1開口部41a内に第1はんだ31が配置された第1部材10を用意する。
First, as shown in FIG. 2A, the
なお、第1絶縁膜41は、上記絶縁膜40を構成するものであり、第1はんだ31は、上記はんだ30を構成するものである。また、第1はんだ31は、メッキ法等によって形成される。そして、第1開口部41aは、直径が100μm以下とされた円筒状とされている。
The first insulating
ここで、本発明者らは、メッキ法によってはんだを形成した場合のはんだの状態について確認し、図3に示す結果を得た。なお、図3は、パッドJ100上にはんだJ110をメッキ法によって形成した際のSEM(Scanning Electron Microscopeの略)写真に基づく模式図である。 Here, the present inventors confirmed the state of solder when solder was formed by plating, and obtained the results shown in FIG. FIG. 3 is a schematic diagram based on a SEM (Scanning Electron Microscope) photograph when the solder J110 is formed on the pad J100 by plating.
すなわち、本発明者らの検討によれば、図3に示されるように、メッキ法によってはんだJ110を形成した場合には、複数の結晶粒を有する多結晶状態となり、各結晶粒の面方位がばらついたはんだJ110が形成されることが確認された、つまり、この工程が終了した後の第1はんだ31は、複数の結晶粒を有する多結晶状態になっている。
That is, according to the study of the present inventors, as shown in FIG. 3, when the solder J110 is formed by plating, it becomes a polycrystalline state having a plurality of crystal grains, and the plane orientation of each crystal grain is It was confirmed that the uneven solder J110 was formed, that is, the
また、この工程では、図2Aに示されるように、他面10bと第1はんだ31における一面10aと反対側の部分との間隔L1aが、他面10bと第1絶縁膜41における一面10aと反対側の部分との間隔L1b以下とされた第1部材10を用意する。なお、以下では、他面10bと第1はんだ31における一面10aと反対側の部分との間隔L1aを第1はんだ間隔L1aともいう。また、他面10bと第1絶縁膜41における一面10aと反対側の部分との間隔L1bを第1絶縁膜間隔L1bともいう。そして、図2Aでは、第1はんだ間隔L1aと第1絶縁膜間隔L1bとが等しくされている状態を示している。
Further, in this step, as shown in FIG. 2A, the distance L1a between the
次に、図2Bに示されるように、一面20a側に第2パッド部22および第2絶縁膜42が形成され、第2絶縁膜42に形成された第2パッド部22を露出させる第2開口部42a内に第2はんだ32が配置された第2部材20を用意する。
Next, as shown in FIG. 2B, the
なお、第2絶縁膜42は、上記絶縁膜40を構成するものであり、第2はんだ32は、上記はんだ30を構成するものである。また、第2開口部42aは、直径が100μm以下とされた円筒状とされ、より詳しくは、第1開口部41aと同じ直径とされている。そして、第2はんだ32は、第1はんだ31と同様に、メッキ法等によって形成され、複数の結晶粒を有する多結晶状態なっており、各結晶粒の面方位がばらついた状態となっている。
The second insulating
また、図2Bの工程では、他面20bと第2はんだ32における一面20aと反対側の部分との間隔L2aが、他面20bと第2絶縁膜42における一面20aと反対側の部分との間隔L2b以下とされた第2部材20を用意する。なお、以下では、他面20bと第2はんだ32における一面20aと反対側の部分との間隔L2aを第2はんだ間隔L2aともいう。また、他面20bと第2絶縁膜42における一面20aと反対側の部分との間隔L2bを第2絶縁膜間隔L2bともいう。そして、図2Bでは、第2はんだ間隔L2aと第2絶縁膜間隔L2bとが等しくされている状態を示している。
2B, the distance L2a between the
続いて、図2Cに示されるように、第1部材10の一面10aと第2部材20の一面20aとが対向しつつ、第1開口部41aと第2開口部42aとが繋がるように、第1部材10と第2部材20とを積層する。そして、第1絶縁膜41と第2絶縁膜42とを接合することにより、第1開口部41aと第2開口部42aとが連通した開口部40aを形成しつつ、第1絶縁膜41および第2絶縁膜42にて構成される絶縁膜40を形成する。
Subsequently, as shown in FIG. 2C, while the one
なお、この工程では、第1はんだ31および第2はんだ32を溶融しない。つまり、絶縁膜40に形成された開口部40a内には、第1はんだ31および第2はんだ32が配置された状態となっている。また、開口部40aは、上記第1開口部41aと上記第2開口部42aとが連通されて構成されるため、直径が100μm以下の円筒状となる。
Note that the
第1絶縁膜41と第2絶縁膜42との接合は、例えば、表面活性化接合によって行われる。すなわち、まず、第1部材10の一面10a側からアルゴン(Ar)イオンビームを照射して第1絶縁膜41の表面を活性化させると共に、第2部材20の一面20a側からアルゴンイオンビームを照射して第2絶縁膜42の表面を活性化させる。そして、第1部材10および第2部材20に適宜形成されたアライメントマーク等を用いて赤外顕微鏡等によるアライメントを行い、室温で第1絶縁膜41と第2絶縁膜42とを直接接合により接合して絶縁膜40を構成する。なお、第1絶縁膜41および第2絶縁膜42の活性化は、プラズマ処理等で行ってもよい。
Bonding between the first insulating
この際、本実施形態では、第1はんだ間隔L1aは、第1絶縁膜間隔L1b以下とされている。また、第2はんだ間隔L2aは、第2絶縁膜間隔L2b以下とされている。このため、第1部材10と第2部材20とを積層した際、第1はんだ31と第2はんだ32とが当接することにより、第1はんだ31および第2はんだ32の周囲で第1絶縁膜41と第2絶縁膜42とが当接しないことを抑制できる。つまり、第1はんだ31および第2はんだ32の周囲で第1絶縁膜41と第2絶縁膜42とが接合されないことを抑制できる。
At this time, in the present embodiment, the first solder gap L1a is set to be equal to or less than the first insulating film gap L1b. Also, the second solder gap L2a is set to be equal to or less than the second insulating film gap L2b. Therefore, when the
次に、図2Dに示されるように、第1はんだ31および第2はんだ32の融点以上の温度まで加熱し、第1はんだ31および第2はんだ32を溶融して溶融はんだ30aを構成する。本実施形態では、図2Cの工程まで行ったものを一対の第1、第2治具51、52の間に配置し、第1部材10と第2部材20との積層方向(以下では、単に積層方向という)に沿って加圧しながら加熱して溶融はんだ30aを構成する。これにより、第1絶縁膜41および第2絶縁膜42の界面が剥離することを抑制しつつ、溶融はんだ30aを構成できる。このため、第1絶縁膜41と第2絶縁膜42との界面に沿って溶融はんだ30aが流れ出ることを抑制できる。
Next, as shown in FIG. 2D, the
なお、この工程では、加熱温度を300℃以上にすると、現状の一般的なはんだ加熱装置では対応できずに新たな装置が必要となる。このため、加熱温度は、300℃未満とされることが好ましい。また、本実施形態では、第1治具51は、内部に流路53が設けられており、当該流路53に、後述するように、一般的な不凍液等の冷却液で構成される冷却用熱媒体54を流すことができるようになっている。
In this process, if the heating temperature is set to 300° C. or higher, a new device is required because the current general solder heating device cannot cope with it. For this reason, the heating temperature is preferably less than 300°C. Further, in the present embodiment, the
次に、図2Eに示されるように、溶融はんだ30aを冷却して固化することによってはんだ30を構成する。本実施形態では、第1部材10および第2部材20を積層方向に加圧しつつ、第1治具51に設けられた流路53に冷却用熱媒体54を流すことにより、溶融はんだ30aを第1部材10の他面10b側から冷却して固化する。つまり、第1部材10および第2部材20を積層方向に加圧しつつ、溶融はんだ30aを積層方向における一方向側から冷却して固化する。
この際、本実施形態では、溶融はんだ30aの冷却速度が自然冷却よりも遅くなるように、冷却用熱媒体54の温度を順に低下させる。具体的には、溶融はんだ30aを室温で自然冷却させた場合には、冷却速度が6℃/secとなる。このため、本実施形態では、溶融はんだ30aの冷却速度が自然冷却より遅くなるように、冷却用熱媒体54の温度を調整する。つまり、溶融はんだ30の冷却速度が6℃/sec未満となるように、冷却用熱媒体54の温度を調整する。例えば、溶融はんだ30の冷却速度は、約0.5℃/secまたは1℃/secとされる。
At this time, in the present embodiment, the temperature of the
これにより、溶融はんだ30aは、第1部材10の他面10b側から順に固化される。この際、はんだ30は、溶融はんだ30aが他面10b側から一定の冷却速度で冷却されて構成されるため、温度ムラが発生し難くなることで多結晶状態と成り難くなる。また、はんだ30は、溶融はんだ30aが絶縁膜40の開口部40a内に配置されているため、溶融はんだ30aの厚みムラが発生し難くなって冷却速度がばらつき難くなるため、多結晶状態となり難くなる。そして、はんだ30は、溶融はんだ30aを自然冷却より遅い冷却速度で冷却するためにさらに多結晶状態となり難くなる。さらに、はんだ30は、溶融はんだ30aが絶縁膜40の開口部40a内に配置されているため、不純物が侵入し難くい状態で構成されることで多結晶状態となり難くなる。したがって、本実施形態のはんだ30は、多結晶状態となり難く、単結晶として構成され易い。このため、はんだ30接続強度がばらつくことが抑制される。
As a result, the
ここで、溶融はんだ30aを自然冷却した場合と、本実施形態のように一方向側から冷却した場合との本発明者らが実際に検討した結果について、図4、および図5A~図5Cを参照しつつ説明する。なお、図4は、パッドJ100上にはんだJ110を配置した後、溶融して自然冷却した際のはんだJ110のSEM写真に基づく模式図である。図5A~図5Cは、絶縁膜40に開口部40aを形成して当該開口部40a内にはんだ30を配置し、当該はんだ30を溶融した後に図中の下側から1℃/secとなる条件で冷却した際のSEM写真に基づく模式図である。また、図5Aは、開口部40aを直径5μmとした場合の模式図である。図5Bは、開口部40aの直径を30μmとした場合の模式図である。図5Cは、開口部40aの直径を100μmとした場合の模式図である。
4 and 5A to 5C for the results of actual studies conducted by the present inventors when the
図4に示されるように、自然冷却した場合には、複数の結晶粒を有する多結晶状態のはんだJ110となっていることが確認される。また、本発明者らの詳細な検討によれば、自然冷却したはんだJ110は、結晶粒が100μmより大きいことが確認された。 As shown in FIG. 4, it is confirmed that the solder J110 in a polycrystalline state having a plurality of crystal grains is obtained after natural cooling. Further, according to a detailed study by the present inventors, it was confirmed that the crystal grain size of the naturally cooled solder J110 is larger than 100 μm.
一方、図5A~図5Cに示されるように、一方向側から冷却したはんだ30は、ほぼ単結晶となっていることが確認される。また、図5A~図5Cに示されるように、開口部40aの直径が100μm以下では、はんだ30がほぼ単結晶となっていることが確認される。つまり、本実施形態では、上記のように開口部40aの直径を100μm以下としている。言い換えると、開口部40aは、多結晶状態のはんだにおける結晶粒の大きさ未満とされている。このため、溶融はんだ30aからはんだ30を構成した際、はんだ30が多結晶状態となることをさらに抑制できる。
On the other hand, as shown in FIGS. 5A to 5C, it is confirmed that the
以上説明したように、本実施形態では、第1はんだ31および第2はんだ32を溶融した後、積層方向における一方向側から冷却することによってはんだ30を構成している。このため、溶融はんだ30aを冷却する際に温度ムラが発生し難くなる。また、絶縁膜40に形成された開口部40a内で溶融はんだ30aを冷却するため、厚みムラが発生し難くなると共に外部からの不純物も混入し難くなる。したがって、本実施形態では、はんだ30が多結晶状態と成り難く、はんだ30が単結晶で構成され易くなる。以上より、本実施形態では、はんだ30の接続強度がばらつくことを抑制できる。
As described above, in the present embodiment, after the
また、本実施形態では、一方向側から冷却する際の冷却速度を自然冷却より遅くしている。このため、温度ムラが発生することをさらに抑制できるため、はんだ30が多結晶状態となることをさらに抑制できる。
Further, in this embodiment, the cooling rate when cooling from one side is made slower than natural cooling. Therefore, the occurrence of temperature unevenness can be further suppressed, so that the
さらに、本実施形態では、開口部40aの直径を100μm以下としている。つまり、開口部40aを自然冷却にて発生し易い多結晶状態の結晶粒の大きさよりも小さくなるようにしている。このため、溶融はんだ30aを冷却した際にはんだ30が多結晶状態となり難くなり、さらにはんだ30を単結晶で形成し易くなる。
Furthermore, in this embodiment, the diameter of the
(第2実施形態)
第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対し、第1はんだ31および第2はんだ32の充填率を規定したものである。その他に関しては、第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Second embodiment)
A second embodiment will be described. In the present embodiment, the filling rates of the
本実施形態では、第1部材10を用意することでは、図6Aに示されるように、第1開口部41aの容積に対する第1はんだ31が占める割合(以下では、単に充填率という)が97%以上とされた第1部材10を用意する。また、図6Bに示されるように、第2部材20を用意することでは、図6Bに示されるように、第2開口部42aの容積に対する第2はんだ32の占める割合(以下では、単に充填率という)が97%以上とされた第2部材20を用意する。
In the present embodiment, by preparing the
なお、第1開口部41aの容積とは、第1開口部41aにおける第1はんだ31が配置され得る領域であり、図6A中の点線Aで囲まれる領域のことである。同様に、第2開口部42aの容積とは、第2開口部42aにおける第2はんだ32が配置され得る領域の体積であり、図6B中の点線Bで囲まれる領域のことである。
The volume of the
その後は、上記図2C以降の工程を順に行うことにより、上記電子装置が製造される。 After that, the electronic device is manufactured by sequentially performing the steps after FIG. 2C.
以上説明したように、本実施形態では、第1部材10を用意することでは、第1はんだ31の充填率が97%以上となる第1部材10を用意している。また、第2部材20を用意することでは、第2はんだ32の充填率が97%以上となる第2部材20を用意している。そして、本発明者らが検討したところ、はんだは、溶融した際に3%程度膨張することが確認された。このため、第1はんだ31および第2はんだ32を溶融した際に、溶融した第1はんだ31と第2はんだ32とが接触しないことを抑制できる。つまり、はんだ30を形成した際、はんだ30内に空洞が形成されることを抑制できる。
As described above, in the present embodiment, by preparing the
(第3実施形態)
本実施形態は、第1実施形態に対し、第1はんだ31と第1パッド部12との関係および第2はんだ32と第2パッド部22との関係を規定したものである。その他に関しては、第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Third Embodiment)
The present embodiment defines the relationship between the
本実施形態では、第1部材10の第1パッド部12は、銅、または銅を主成分とする合金で構成されている。また、第1はんだ31は、錫系のものが用いられる。
In this embodiment, the
ここで、銅と錫の状態図は、図7に示されるようになる。そして、図7に示されるように、溶融はんだ30aを形成する際の想定される最大加熱温度の300℃では、銅が溶け切らないようにするためには、錫の原子数に対する銅の原子数が銅/錫[atomic%]≧0.05を満たせばよいことが確認される。このため、図2Aの工程では、第1はんだ31を構成する錫の原子数に対する第1パッド部12を構成する銅の原子数が銅/錫[atomic%]≧0.05となる第1部材10を用意する。
The phase diagram for copper and tin is now as shown in FIG. Then, as shown in FIG. 7, in order to prevent copper from completely melting at the assumed maximum heating temperature of 300° C. when forming the
同様に、第2部材20の第2パッド部22は、銅、または銅を主成分とする合金で構成されている。また、第2はんだ32は、錫系のものが用いられる。このため、図2Bの工程では、第2はんだ32を構成する錫の原子数に対する第2パッド部22を構成する銅の原子数が銅/錫[atomic%]≧0.05となる第2部材20を用意する。
る。
Similarly, the
be.
その後は、上記図2C以降の工程を順に行うことにより、上記電子装置が製造される。 After that, the electronic device is manufactured by sequentially performing the steps after FIG. 2C.
以上説明したように、本実施形態では、第1部材10を用意することでは、第1はんだ31を構成する錫の原子数に対する第1パッド部12を構成する銅の原子数が銅/錫[atomic%]≧0.05となる第1部材10を用意している。また、第2部材20を用意することでは、第2はんだ32を構成する錫の原子数に対する第2パッド部22を構成する銅の原子数が銅/錫[atomic%]≧0.05となる第2部材20を用意している。このため、図2Dの工程にて第1はんだ31および第2はんだ32を溶融する際、第1パッド部12および第2パッド部22を構成する銅が完全に溶出してしまうことを抑制できる。つまり、図2Dの工程にて第1はんだ31および第2はんだ32を溶融する際、第1パッド部12および第2パッド部22が残存するようにできる。したがって、はんだ30と第1パッド部12および第2パッド部22との接続強度が低下することを抑制できる。
As described above, in the present embodiment, by preparing the
(第4実施形態)
本実施形態は、第1実施形態に対し、第1、第2ゲッタリング層を追加したものである。その他に関しては、第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Fourth embodiment)
This embodiment is obtained by adding first and second gettering layers to the first embodiment. Others are the same as those of the first embodiment, so description thereof is omitted here.
本実施形態では、図8に示されるように、第1基板11と第1パッド部12との間には、不純物をゲッタリング可能な第1ゲッタリング層13が配置されている。また、第2基板21と第2パッド部22との間には、不純物をゲッタリング可能な第2ゲッタリング層23が配置されている。なお、第1ゲッタリング層13および第2ゲッタリング層23は、例えば、チタン(Ti)で構成される。
In this embodiment, as shown in FIG. 8, a
このような電子装置は、次のように製造される。すなわち、図2Aの工程において、第1開口部41a内に第1ゲッタリング層13を形成した後、第1ゲッタリング層13上に第1パッド部12を形成する。また、図2Bの工程において、第2開口部42a内に第2ゲッタリング層23を形成した後、第2ゲッタリング層23上に第2パッド部22を形成する。その後は、上記図2C以降の工程を順に行うことにより、図8に示す電子装置が製造される。
Such an electronic device is manufactured as follows. 2A, the
以上説明したように、本実施形態では、第1基板11と第1パッド部12との間に第1ゲッタリング層13が配置されている。また、第2基板21と第2パッド部22との間に第2ゲッタリング層23が配置されている。このため、第1、第2基板11、21と絶縁膜40との隙間から開口部40a内に侵入する可能性がある異物を第1、第2ゲッタリング層13、23でゲッタリングすることができる。したがって、上記図2Dの工程を行って溶融はんだ30aを構成した際に溶融はんだ30a内に不純物が侵入することをさらに抑制できる。
As described above, in this embodiment, the
(第5実施形態)
本実施形態は、第4実施形態に対し、第1、第2ゲッタリング層13、23の構成を変更したものである。その他に関しては、第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Fifth embodiment)
In this embodiment, the configurations of the first and second gettering layers 13 and 23 are changed from the fourth embodiment. Others are the same as those of the first embodiment, so description thereof is omitted here.
本実施形態では、図9に示されるように、第1ゲッタリング層13および第2ゲッタリング層23は、絶縁膜40における開口部40aの側面にも形成されている。つまり、第1ゲッタリング層13および第2ゲッタリング層23は、はんだ30と絶縁膜40との間にも配置されている。言い換えると、はんだ30は、第1、第2パッド部12、22および第1、第2ゲッタリング層13、23で囲まれた状態となっている。
In this embodiment, as shown in FIG. 9, the
このような電子装置は、次のように製造される。すなわち、図2Aの工程において、第1開口部41aの側面にも第1ゲッタリング層13が配置されるようにする。そして、第1ゲッタリング層13上に第1パッド部12を構成する銅等を形成した後、第1開口部41aの側面上に形成された部分を除去して第1パッド部12を構成する。また、図2Bの工程において、第2開口部42aの側面にも第2ゲッタリング層23が配置されるようにする。そして、第2ゲッタリング層23上に第2パッド部22を構成する銅等を形成した後、第2開口部42aの側面上に形成された部分を除去して第2パッド部22を構成する。その後は、上記図2C以降の工程を順に行うことにより、図9に示す電子装置が製造される。
Such an electronic device is manufactured as follows. That is, in the process of FIG. 2A, the
以上説明したように、本実施形態では、絶縁膜40における開口部40aの側面にも第1、第2ゲッタリング層13、23が配置されている。このため、上記図2Dの工程を行って溶融はんだ30aを構成した際に溶融はんだ30a内に不純物が侵入することをさらに抑制できる。
As described above, in the present embodiment, the first and second gettering layers 13 and 23 are also arranged on the side surfaces of the opening 40 a in the insulating
(他の実施形態)
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
(Other embodiments)
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately modified within the scope of the claims.
上記各実施形態において、第1部材10は、回路基板に限定されるものではなく、例えば、リードフレーム、ヒートシンク、バスバー等で構成されていてもよく、この場合は、第1パッド部12が形成されていなくてもよい。なお、上記第3実施形態において、例えば、第1部材10をリードフレームで構成する場合には、リードフレームを銅、または銅を主成分とする合金で構成することで第1部材10の全体がこれらの金属で構成されるため、銅/錫[atomic%]≧0.05を満たすことができる。同様に、第2部材20は、半導体チップに限定されるものではなく、例えば、抵抗素子や、コンデンサ等が形成された電子部品で構成されていてもよい。
In each of the above embodiments, the
また、上記各実施形態において、第1はんだ31および第2はんだ32を溶融して溶融はんだ30aを構成する際には、積層方向に加圧しながら行わなくてもよい。同様に、溶融はんだ30aを固化してはんだ30を構成する際には、積層方向に加圧しながら行わなくてもよい。
Further, in each of the above-described embodiments, when the
そして、上記各実施形態において、流路53は第2治具52に設けられていてもよい。つまり、溶融はんだ30aが第2部材20の他面20b側から冷却されるようにしてもよい。さらに、上記各実施形態において、治具51、52を用いて冷却するのではなく、例えば、積層方向における一方向側から冷風を吹き付けることによって冷却するようにしてもよい。
Further, in each of the above-described embodiments, the
また、上記各実施形態において、開口部40aは、円筒状ではなく、例えば、四角筒状とされていてもよい。この場合は、対向する側面のうちの最も長くなる部分、つまり対角線の長さが100μm以下となるようにすることが好ましい。
Further, in each of the above-described embodiments, the
さらに、上記各実施形態において、開口部40aは、直径が100μmより長くされていてもよい。また、上記各実施形態において、溶融はんだ30aは、自然冷却以上の温度で冷却されてもよい。このような構成としても、絶縁膜40の開口部40a内に溶融はんだ30aが配置され、溶融はんだ30aを一方向から冷却することにより、温度ムラや厚さムラが抑制される。また、絶縁膜40の開口部40a内に溶融はんだ30aが配置されるため、不純物の混入等も抑制される。このため、はんだ30が多結晶状態となることを抑制できる。
Furthermore, in each of the above embodiments, the
さらに、上記第3実施形態において、第1パッド部12および第2パッド部22は、銅または銅を主成分とする合金ではなく、例えば、ニッケル(Ni)、またはニッケルを主成分とする合金で構成されていてもよい。この場合、ニッケルと錫の状態図は、図10に示されるようになる。そして、最大加熱温度の300℃でニッケルが溶け切らないようにするためには、錫の原子数に対するニッケルの原子数がニッケル/錫[atomic%]≧0.01を満たせばよいことが確認される。このため、第1部材10を用意することでは、第1はんだ31を構成する錫の原子数に対する第1パッド部12を構成するニッケルの原子数がニッケル/錫[atomic%]≧0.01となるようにすればよい。また、第2部材20を用意することでは、第2はんだ32を構成する錫の原子数に対する第2パッド部22を構成するニッケルの原子数が銅/錫[atomic%]≧0.01となるようにすればよい。これにより、上記第3実施形態と同様の効果を得ることができる。
Furthermore, in the above-described third embodiment, the
そして、上記各実施形態を適宜組み合わせてもよい。例えば、上記第2実施形態を上記第3~第5実施形態に組み合わせ、第1はんだ31の充填率および第2はんだ32の充填率が97%以上となるようにしてもよい。また、上記第3実施形態を上記第4、第5実施形態に組み合わせ、第1、第2はんだ31、32を構成する錫と第1、第2パッド部12、22を構成する銅との割合を規定するようにしてもよい。
Further, each of the above embodiments may be combined as appropriate. For example, the second embodiment may be combined with the third to fifth embodiments so that the filling rate of the
10 第1部材
10a 一面
20 第2部材
20a 一面
30 はんだ
30a 溶融はんだ
31 第1はんだ
32 第2はんだ
41 第1絶縁膜
42 第2絶縁膜
10
Claims (12)
一面(10a)側に第1絶縁膜(41)が形成され、前記第1絶縁膜に第1開口部(41a)が形成されていると共に、前記第1開口部に第1はんだ(31)が配置された前記第1部材を用意することと、
一面(20a)側に第2絶縁膜(42)が形成され、前記第2絶縁膜に第2開口部(42a)が形成されていると共に、前記第2開口部に第2はんだ(32)が配置された前記第2部材を用意することと、
前記第1部材の一面と前記第2部材の一面とが対向すると共に前記第1開口部と前記第2開口部とが繋がるように前記第1部材および前記第2を積層し、前記第1開口部と前記第2開口部とが繋がることで構成される開口部(40a)が形成されるように前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜とを接合することと、
前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜とを接合することの後、加熱して前記第1はんだおよび前記第2はんだを溶融して溶融はんだ(30a)を構成することと、
前記第1部材と前記第2部材との積層方向における一方向側から冷却することにより、前記溶融はんだを前記一方向側から固化して単結晶とされた前記はんだを形成することと、を行う電子装置の製造方法。 A method for manufacturing an electronic device in which a first member (10) and a second member (20) are electrically and mechanically connected via solder (30),
A first insulating film (41) is formed on one surface (10a) side, a first opening (41a) is formed in the first insulating film, and a first solder (31) is formed in the first opening. providing the arranged first member;
A second insulating film (42) is formed on one surface (20a), a second opening (42a) is formed in the second insulating film, and a second solder (32) is formed in the second opening. providing the positioned second member;
The first member and the second member are laminated such that one surface of the first member and one surface of the second member face each other and the first opening and the second opening are connected, and the first opening is formed. bonding the first insulating film and the second insulating film so that an opening (40a) formed by connecting the portion and the second opening is formed;
forming molten solder (30a) by heating to melt the first solder and the second solder after joining the first insulating film and the second insulating film;
cooling the first member and the second member from one side in the stacking direction, thereby solidifying the molten solder from the one side to form the single crystal solder. A method of manufacturing an electronic device.
前記第2部材を用意することでは、前記一面と反対側の他面(20b)から前記第2はんだのうちの前記一面と反対側の部分までの第2はんだ間隔(L2a)が、前記他面から前記第2絶縁膜のうちの前記一面と反対側の部分までの第2絶縁膜間隔(L2b)より短くされた前記第2部材を用意する請求項1ないし3のいずれか1つに記載の電子装置の製造方法。 By preparing the first member, the first solder interval (L1a) from the other surface (10b) opposite to the one surface to the portion of the first solder opposite to the one surface is equal to the other surface preparing the first member shorter than the first insulating film interval (L1b) from the first insulating film to a portion of the first insulating film opposite to the one surface;
By preparing the second member, the second solder interval (L2a) from the other surface (20b) opposite to the one surface to the portion of the second solder opposite to the one surface is equal to the other surface 4. The second member according to any one of claims 1 to 3, wherein the second member is prepared shorter than the second insulating film interval (L2b) from the second insulating film to the portion of the second insulating film opposite to the one surface. A method of manufacturing an electronic device.
前記第2部材を用意することでは、対向する側面のうちの最も長い部分の間隔が100μm以下である前記第2開口部が形成された前記第2部材を用意する請求項1ないし5のいずれか1つに記載の電子装置の製造方法。 In preparing the first member, the first member is provided with the first opening having a distance of 100 μm or less between the longest portions of the opposing side surfaces,
6. The second member according to any one of claims 1 to 5, wherein in preparing the second member, the second member is provided with the second opening having a distance of 100 μm or less between the longest portions of the opposing side surfaces. 1. A method of manufacturing an electronic device according to claim 1.
前記第2部材を用意することでは、前記第2開口部の容積における前記第2はんだの占める割合が97%以上とされた前記第2部材を用意する請求項1ないし6のいずれか1つに記載の電子装置の製造方法。 Preparing the first member includes preparing the first member in which the first solder accounts for 97% or more of the volume of the first opening,
7. The method according to any one of claims 1 to 6, wherein in preparing the second member, the second member is prepared such that the ratio of the second solder to the volume of the second opening is 97% or more. A method of manufacturing the described electronic device.
前記第2部材を用意することでは、前記一面側に形成され、前記第2開口部から露出すると共に、前記第2はんだが配置され、前記溶融はんだを構成することの際に残存する第2パッド部(22)が配置された前記第2部材を用意する請求項1ないし7のいずれか1つに記載の電子装置の製造方法。 By preparing the first member, a first pad formed on the one surface side, exposed from the first opening, having the first solder disposed thereon and remaining when the molten solder is formed preparing the first member on which the part (12) is arranged;
By preparing the second member, a second pad which is formed on the one surface side, is exposed from the second opening, is disposed with the second solder, and remains when the molten solder is formed. 8. The method of manufacturing an electronic device according to any one of claims 1 to 7, wherein the second member on which the portion (22) is arranged is prepared.
前記第2部材を用意することでは、前記第2パッド部が銅、または銅を主成分とする合金で構成されていると共に前記第2はんだが錫を主成分として構成され、前記第2はんだを構成する錫の原子数に対する前記第2パッド部を構成する銅の原子数が銅/錫[atomic%]≧0.05となる前記第2部材を用意する請求項8に記載の電子装置の製造方法。 By preparing the first member, the first pad portion is made of copper or an alloy containing copper as a main component, the first solder is made of tin as a main component, and the first solder is preparing the first member in which the number of copper atoms forming the first pad portion with respect to the number of atoms of tin forming satisfies copper/tin [atomic%]≧0.05;
By preparing the second member, the second pad portion is made of copper or an alloy containing copper as a main component, the second solder is made of tin as a main component, and the second solder is made of tin. 9. The manufacturing of the electronic device according to claim 8, wherein the second member is prepared such that the number of atoms of copper forming the second pad portion with respect to the number of atoms of forming tin satisfies copper/tin [atomic %]≧0.05. Method.
前記第2部材を用意することでは、前記第2パッド部がニッケル、またはニッケルを主成分とする合金で構成されていると共に前記第2はんだが錫を主成分として構成され、前記第2はんだを構成する錫の原子数に対する前記第2パッド部を構成するニッケルの原子数がニッケル/錫[atomic%]≧0.01なる前記第2部材を用意する請求項8に記載の電子装置の製造方法。 By preparing the first member, the first pad portion is made of nickel or an alloy containing nickel as a main component, the first solder is made of tin as a main component, and the first solder is preparing the first member in which the number of nickel atoms constituting the first pad portion with respect to the number of atoms of tin constituting the first pad satisfies nickel/tin [atomic%]≧0.01;
By preparing the second member, the second pad portion is made of nickel or an alloy containing nickel as a main component, and the second solder is made of tin as a main component, and the second solder is 9. The method of manufacturing an electronic device according to claim 8, wherein the second member is prepared such that the number of nickel atoms forming the second pad portion relative to the number of atoms of tin forming the second member satisfies nickel/tin [atomic %]≧0.01. .
前記第2部材を用意することでは、前記第2開口部内に第2ゲッタリング層(23)が配置された前記第2部材を用意する請求項1ないし10のいずれか1つに記載の電子装置の製造方法。 preparing the first member includes preparing the first member in which the first gettering layer (13) is arranged in the first opening;
The electronic device according to any one of claims 1 to 10, wherein preparing the second member comprises preparing the second member in which a second gettering layer (23) is arranged in the second opening. manufacturing method.
前記第1部材と、
前記第2部材と、
前記第1部材と前記第2部材との間に配置され、前記第1部材と前記第2部材とを電気的、機械的に接続する前記はんだと、を備え、
前記第1部材と前記第2部材との間には、開口部(40a)が形成された絶縁膜(40)が配置され、
前記開口部は、対向する側面のうちの最も長くなる部分の長さが100μm以下とされ、
前記はんだは、前記開口部に配置され、単結晶で構成されている電子装置。 An electronic device in which a first member (10) and a second member (20) are electrically and mechanically connected via solder (30),
the first member;
the second member;
the solder disposed between the first member and the second member and electrically and mechanically connecting the first member and the second member;
An insulating film (40) having an opening (40a) is disposed between the first member and the second member,
The opening has a length of 100 μm or less at the longest portion of the opposing side surfaces,
The electronic device, wherein the solder is arranged in the opening and is composed of a single crystal.
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