JP7134226B2 - 検査ツール、リソグラフィ装置、電子ビーム源、及び検査方法 - Google Patents
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Description
[001] 本出願は、2017年10月25日に出願された欧州特許出願公開第17198202.8号の優先権を主張するものであり、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
-半導体基板のサンプルに対して第一偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
-第一偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの第一応答信号を検出することと、
-半導体基板のサンプルに対して第二偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
-第二偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの第二応答信号を検出することと、
-第一応答信号及び第二応答信号に基づいて、サンプルの幾何学的又は材料特徴を決定することと、
を含む検査方法が提供される。
-第一偏極状態を有するeビーム、及び第二偏極状態を有するeビームを生成するように構成されたeビーム源と、
-第一偏極状態を有する電子ビーム、及び第二偏極状態を有するeビームをサンプル上に誘導するように構成されたビームマニピュレータと、
-第一偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの第一応答信号、及び第二偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの第二応答信号を検出するように構成された検出器と、
-第一応答信号及び第二応答信号に基づいて、サンプルの幾何学的又は材料特徴を決定するように構成された処理ユニットと、
を含む検査ツールが提供される。
-電子ビームを発するように構成された先端形状ショットキーエミッタであって、そのために、先端形状ショットキーエミッタが金属コーティングを含む、先端形状ショットキーエミッタと、
-金属コーティングを磁化し、それによって、使用中に電子ビームをスピン偏極させるように構成された磁場ジェネレータと、
を含む電子ビーム源が提供される。
-放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
-パターニングデバイスを支持するように構築されたサポートであって、パターニングデバイスが、パターン形成された放射ビームを形成するために、放射ビームの断面にパターンを与えることが可能である、サポートと、
-基板を保持するように構築された基板テーブルと、
-パターン形成された放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
を含む、リソグラフィ装置であって、
-装置が、本発明による検査ツールを更に含む、リソグラフィ装置が提供される。
1.ステップモードでは、マスクテーブルMT又は「マスクサポート」及び基板テーブルWT又は「基板サポート」は基本的に静止状態に維持され、その一方で、放射ビームに付与されたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち、単一静的露光)。次いで、基板テーブルWT又は「基板サポート」は、異なるターゲット部分Cを露光させることができるようにX方向及び/又はY方向にずらされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードでは、マスクテーブルMT又は「マスクサポート」及び基板テーブルWT又は「基板サポート」は同期してスキャンされ、その一方で、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち、単一動的露光)。マスクテーブルMT又は「マスクサポート」に対する基板テーブルWT又は「基板サポート」の速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)特性及び像反転特性により決定されてもよい。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズにより単一動的露光でのターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、それに対して、スキャン動作の長さによりターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決定される。
3.別のモードでは、マスクテーブルMT又は「マスクサポート」は、プログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、かつ放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影される間に基板テーブルWT又は「基板サポート」が移動又はスキャンされる。このモードでは、通例はパルス放射源が用いられ、かつプログラマブルパターニングデバイスが基板テーブルWT又は「基板サポート」の毎回の移動後に又はスキャン中の連続する放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上で言及したタイプのプログラマブルミラーアレイなどの、プログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
本発明の一実施形態では、電子ビーム源は、複数の電子ビームを関心のあるエリアのそれぞれの複数のサブエリア上に投影するように構成される。このようにすることで、単位時間当たりに調べることができる、又は検査することができる関心のあるエリアを拡大することができる。更に、本発明の一実施形態では、電子ビーム源は、異なるエネルギーレベルを有する電子ビームを生成するように構成され得る。以下により詳細に説明するように、1つ又は複数のeビームに関して付与されるエネルギーレベルに応じて、異なる部分又は構造(例えば、埋込構造)を調べることができる。
かかるeビーム120が表面に衝突すると、表面上の相互作用及び表面下の材料との相互作用が生じ、露光表面が放射及び電子の両方を放出する結果となる。典型的には、電子ビーム120がサンプルと相互作用すると、ビームを構成する電子が、相互作用体積として知られるティアドロップ形体積内で、散乱及び吸収によりエネルギーを失う。電子ビームとサンプルとの間のエネルギー交換は、典型的には、
-非弾性散乱による二次電子の放出と、
-サンプルとの弾性散乱相互作用による相互作用体積の中から反射又は後方散乱される電子の放出と、
-X線の放出と、
-例えば、深紫外線~赤外線の範囲内の電磁放射の放出と、
の組み合わせをもたらす。
電磁放射の後者の放出は、一般に、カソードルミネセンス光又はCL光と呼ばれる。
本発明の一実施形態では、検査ツール100は、二次電子の検出用の検出器150、及びサンプルによって放出されるような後方散乱電子用の検出器151を更に含む。図2では、矢印140は、放出された二次電子又は後方散乱電子を表す。
一実施形態では、制御ユニット170は、関心のあるエリアをスキャンするためにeビーム源110を制御するように構成され得る。
-より高い空間分解能の提供、
-オペレータが望むような幾何学的フィーチャに対する感度の調整及び増強、
-信号対雑音比の向上によるSEMのスループットの増加。
-総相互作用体積は、僅かに狭くなり、従って電子の拡散を減少させ得る。
-以下により詳細に論じるように、エッジ付近で、信号のコントラストが改変され、場合によっては向上され得る。このコントラストの向上は、信号におけるエッジの位置決定を向上し得る。
-基板のサンプルに対して偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
-偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの応答信号を検出することと、
-応答信号に基づいて、サンプルの幾何学的特徴を決定することと、
を含む。
n+=正のスピン偏極電子の数、
n-=負のスピン偏極電子の数、
n=電子の総数=n++n-
-例えば基板のサンプルに対して第一偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
-第一偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの第一応答信号を検出することと、
-半導体基板のサンプルに対して第二偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
-第二偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの第二応答信号を検出することと、
-第一応答信号及び第二応答信号に基づいて、サンプルの幾何学的又は材料特徴を決定することと、
を含み得る。
-スピン偏極eビームを生成するように構成されたeビーム源と、
-電子ビームをサンプル上に誘導するように構成されたビームマニピュレータと、
-偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの応答信号を検出するように構成された検出器と、
-応答信号に基づいて、サンプルの幾何学的又は材料特徴を決定するように構成された処理ユニットと、
を含み得る。
1.基板用の検査方法であって、
-半導体基板のサンプルに対して第一偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
-第一偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの第一応答信号を検出することと、
-半導体基板のサンプルに対して第二偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
-第二偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの第二応答信号を検出することと、
-第一応答信号及び第二応答信号に基づいて、サンプルの幾何学的又は材料特徴を決定することと、
を含む、方法。
2.幾何学的特徴が、サンプルの傾きである、条項1に記載の検査方法。
3.幾何学的特徴が、サンプルのトポグラフィ特徴である、条項1に記載の検査方法。
4.第一偏極状態が、非偏極状態であり、及び第二偏極状態が、偏極状態である、条項1に記載の検査方法。
5.第一偏極状態が、偏極状態であり、及び第二偏極状態が、偏極状態である、条項1に記載の検査方法。
6.第一偏極状態が、負の偏極状態であり、及び第二偏極状態が、正の偏極状態である、条項5に記載の検査方法。
7.偏極状態の偏極の程度が、少なくとも10%である、条項4、5、又は6に記載の検査方法。
8.基板用の検査方法であって、
-基板のサンプルに対して偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
-偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの応答信号を検出することと、
-応答信号に基づいて、サンプルの幾何学的特徴を決定することと、
を含む、検査方法。
9.幾何学的特徴が、サンプルの傾きである、条項8に記載の検査方法。
10.幾何学的特徴が、サンプルのトポグラフィ特徴である、条項8に記載の検査方法。11.偏極状態の偏極の程度が、少なくとも10%である、条項8、9、又は10に記載の検査方法。
12.半導体基板用の検査方法であって、
-半導体基板のサンプルに対して偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
-偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの応答信号を検出することと、
-応答信号に基づいて、サンプルの幾何学的又は材料特徴を決定することと、
を含む、検査方法。
13.偏極状態の偏極の程度が、少なくとも10%である、条項12に記載の検査方法。14.先行する条項の何れか一項に記載の検査方法を行うように構成された検査ツール。
15.検査ツールであって、
-第一偏極状態を有するeビーム、及び第二偏極状態を有するeビームを生成するように構成されたeビーム源と、
-第一偏極状態を有する電子ビーム、及び第二偏極状態を有するeビームをサンプル上に誘導するように構成されたビームマニピュレータと、
-第一偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの第一応答信号、及び第二偏極状態を有する電子ビームのサンプルとの相互作用によって生じたサンプルの第二応答信号を検出するように構成された検出器と、
-第一応答信号及び第二応答信号に基づいて、サンプルの幾何学的又は材料特徴を決定するように構成された処理ユニットと、
を含む、検査ツール。
16.eビーム源が、
-電子ビームを発するように構成された先端形状ショットキーエミッタであって、そのために、先端形状ショットキーエミッタが金属コーティングを含む、先端形状ショットキーエミッタと、
-金属コーティングを磁化し、それによって、使用中に電子ビームをスピン偏極させるように構成された磁場ジェネレータと、
を含む、条項15に記載の検査ツール。
17.金属コーティングが鉄を含む、条項16に記載の検査ツール。
18.電子ビーム源であって、
-電子ビームを発するように構成された先端形状ショットキーエミッタであって、そのために、先端形状ショットキーエミッタが金属コーティングを含む、先端形状ショットキーエミッタと、
-金属コーティングを磁化し、それによって、使用中に電子ビームをスピン偏極させるように構成された磁場ジェネレータと、
を含む、電子ビーム源。
19.ショットキーエミッタが、ZrO2コーティングを備えたタングステンコアを含む、条項18に記載の電子ビーム源。
20.放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構築されたサポートであって、パターニングデバイスが、パターン形成された放射ビームを形成するために、放射ビームの断面にパターンを与えることが可能である、サポートと、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
パターン形成された放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
を含むリソグラフィ装置であって、
装置が、条項14~17の何れか一項に記載の検査ツールを更に含む、リソグラフィ装置。
Claims (13)
- 基板用の検査方法であって、
前記基板のサンプルに対して第一偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
前記第一偏極状態を有する前記電子ビームの前記サンプルとの相互作用によって生じた前記サンプルの第一応答信号を検出することと、
前記基板の前記サンプルに対して第二偏極状態を有する電子ビームを提供することと、
前記第二偏極状態を有する前記電子ビームの前記サンプルとの相互作用によって生じた前記サンプルの第二応答信号を検出することと、
前記第一応答信号及び前記第二応答信号を比較することによって、前記サンプルの幾何学的特徴を決定することと、
を含む、検査方法。 - 前記幾何学的特徴が、前記サンプルの傾きである、請求項1に記載の検査方法。
- 前記幾何学的特徴が、前記サンプルのトポグラフィ特徴である、請求項1に記載の検査方法。
- 前記第一偏極状態が、非偏極状態であり、かつ前記第二偏極状態が、偏極状態である、請求項1に記載の検査方法。
- 前記第一偏極状態が、偏極状態であり、かつ前記第二偏極状態が、偏極状態である、請求項1に記載の検査方法。
- 前記第一偏極状態が、負の偏極状態であり、かつ前記第二偏極状態が、正の偏極状態である、請求項5に記載の検査方法。
- 前記偏極状態の偏極の程度が、少なくとも10%である、請求項4、5、又は6に記載の検査方法。
- 第一偏極状態を有するeビーム、及び第二偏極状態を有するeビームを生成するように構成されたeビーム源と、
前記第一偏極状態を有する前記eビーム、及び前記第二偏極状態を有する前記eビームをサンプル上に誘導するように構成されたビームマニピュレータと、
前記第一偏極状態を有する前記eビームの前記サンプルとの相互作用によって生じた前記サンプルの第一応答信号、及び前記第二偏極状態を有する前記eビームの前記サンプルとの相互作用によって生じた前記サンプルの第二応答信号を検出するように構成された検出器と、
前記第一応答信号及び前記第二応答信号を比較することによって、前記サンプルの幾何学的特徴を決定するように構成された処理ユニットと、
を含む、検査ツール。 - 前記eビーム源が、
電子ビームを発するように構成された先端形状ショットキーエミッタであって、そのために、前記先端形状ショットキーエミッタが金属コーティングを含む、先端形状ショットキーエミッタと、
前記金属コーティングを磁化し、それによって、使用中に前記電子ビームをスピン偏極させるように構成された磁場ジェネレータと、
を含む、請求項8に記載の検査ツール。 - 前記金属コーティングが鉄を含む、請求項9に記載の検査ツール。
- 電子ビームを発するように構成された先端形状ショットキーエミッタであって、そのために、前記先端形状ショットキーエミッタが金属コーティングを含む、先端形状ショットキーエミッタと、
前記金属コーティングを磁化し、それによって、使用中に前記電子ビームをスピン偏極させるように構成された磁場ジェネレータと、
を含む、請求項8~10に記載の検査ツール用の電子ビーム源。 - 前記先端形状ショットキーエミッタが、ZrO2コーティングを備えたタングステンコアを含む、請求項11に記載の電子ビーム源。
- 放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構築されたサポートであって、前記パターニングデバイスが、パターン形成された放射ビームを形成するために、前記放射ビームの断面にパターンを与えることが可能である、サポートと、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
前記パターン形成された放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
を含む、リソグラフィ装置であって、
前記リソグラフィ装置が、請求項8~10の何れか一項に記載の検査ツールを更に含む、リソグラフィ装置。
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