JP7124462B2 - liquid crystal display element - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 221
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 242
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 148
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 131
- -1 1,4-phenylene, 2-fluoro-1,4-phenylene Chemical group 0.000 claims description 86
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 34
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 32
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 30
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 27
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000000460 chlorine Chemical group 0.000 claims description 25
- 229910052801 chlorine Chemical group 0.000 claims description 25
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 24
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical group [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 125000004955 1,4-cyclohexylene group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[*:2] 0.000 claims description 16
- 125000005708 carbonyloxy group Chemical group [*:2]OC([*:1])=O 0.000 claims description 9
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 7
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 claims description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 6
- 125000005453 2,5-difluoro-1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([*:1])C(F)=C([H])C([*:2])=C1F 0.000 claims description 5
- 125000003302 alkenyloxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 5
- 125000005701 difluoromethyleneoxy group Chemical group FC(F)([*:1])O[*:2] 0.000 claims description 4
- 125000005714 2,5- (1,3-dioxanylene) group Chemical group [H]C1([H])OC([H])([*:1])OC([H])([H])C1([H])[*:2] 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 88
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 60
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 57
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 52
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 18
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- QUJIDNSQCMTYNG-UHFFFAOYSA-N 5-[4-(4-butylphenyl)-2-fluorophenyl]-2-[difluoro-(3,4,5-trifluorophenoxy)methyl]-1,3-difluorobenzene Chemical compound C1=CC(CCCC)=CC=C1C1=CC=C(C=2C=C(F)C(=C(F)C=2)C(F)(F)OC=2C=C(F)C(F)=C(F)C=2)C(F)=C1 QUJIDNSQCMTYNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 7
- AQAGCHUHSHTBLP-AFBJXSTISA-N (4z,8z,13z)-11-hexyl-1-oxacyclopentadeca-4,8,13-trien-2-one Chemical compound CCCCCCC1C\C=C/CC\C=C/CC(=O)OC\C=C/C1 AQAGCHUHSHTBLP-AFBJXSTISA-N 0.000 description 6
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 4
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 125000006017 1-propenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N hydroquinone methyl ether Natural products COC1=CC=C(O)C=C1 NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- 125000004973 1-butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 2
- HNEGJTWNOOWEMH-UHFFFAOYSA-N 1-fluoropropane Chemical group [CH2]CCF HNEGJTWNOOWEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006039 1-hexenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000006023 1-pentenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004974 2-butenyl group Chemical group C(C=CC)* 0.000 description 2
- 125000004777 2-fluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(F)C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000006040 2-hexenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000006024 2-pentenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004975 3-butenyl group Chemical group C(CC=C)* 0.000 description 2
- 125000006041 3-hexenyl group Chemical group 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 125000005336 allyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000004815 dispersion polymer Substances 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 2
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- CNHDIAIOKMXOLK-UHFFFAOYSA-N toluquinol Chemical compound CC1=CC(O)=CC=C1O CNHDIAIOKMXOLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 125000000876 trifluoromethoxy group Chemical group FC(F)(F)O* 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006710 (C2-C12) alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005208 1,4-dihydroxybenzenes Chemical class 0.000 description 1
- ZKJNETINGMOHJG-UHFFFAOYSA-N 1-prop-1-enoxyprop-1-ene Chemical class CC=COC=CC ZKJNETINGMOHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005450 2,3-difluoro-1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([*:2])C(F)=C(F)C([*:1])=C1[H] 0.000 description 1
- JECYNCQXXKQDJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methylhexan-2-yloxymethyl)oxirane Chemical compound CCCCC(C)(C)OCC1CO1 JECYNCQXXKQDJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOFASFPAZGQDKP-UHFFFAOYSA-N 2-[difluoro-(3,4,5-trifluorophenoxy)methyl]-1,3-difluoro-5-[2-fluoro-4-(4-pentylphenyl)phenyl]benzene Chemical compound C1=CC(CCCCC)=CC=C1C1=CC=C(C=2C=C(F)C(=C(F)C=2)C(F)(F)OC=2C=C(F)C(F)=C(F)C=2)C(F)=C1 KOFASFPAZGQDKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005734 2-chloro-3-fluoro-1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:1])=C(Cl)C(F)=C1[*:2] 0.000 description 1
- QPAZOFORCJMYGG-WLGLDCGKSA-N 2-dhbb Chemical compound C12=CC(O)=C(O)C=C2[C@@H]2C[C@@H](N)[C@H]1C2 QPAZOFORCJMYGG-WLGLDCGKSA-N 0.000 description 1
- 125000005449 2-fluoro-1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([*:2])C([H])=C(F)C([*:1])=C1[H] 0.000 description 1
- RIWRBSMFKVOJMN-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-phenylpropan-2-ol Chemical compound CC(C)(O)CC1=CC=CC=C1 RIWRBSMFKVOJMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006042 4-hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- XESZUVZBAMCAEJ-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylcatechol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(O)C(O)=C1 XESZUVZBAMCAEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006043 5-hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 241000284466 Antarctothoa delta Species 0.000 description 1
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Chemical class 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100208473 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) lcm-2 gene Proteins 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100020289 Xenopus laevis koza gene Proteins 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 1
- 150000001558 benzoic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000011903 deuterated solvents Substances 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000004216 fluoromethyl group Chemical group [H]C([H])(F)* 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005446 heptyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000005699 methyleneoxy group Chemical group [H]C([H])([*:1])O[*:2] 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006053 organic reaction Methods 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- UCUUFSAXZMGPGH-UHFFFAOYSA-N penta-1,4-dien-3-one Chemical class C=CC(=O)C=C UCUUFSAXZMGPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920003216 poly(methylphenylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- FZMJEGJVKFTGMU-UHFFFAOYSA-N triethoxy(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC FZMJEGJVKFTGMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
本発明は液晶表示素子に関する。 The present invention relates to a liquid crystal display device.
液晶表示素子において、液晶分子の動作モードに基づいた分類は、PC(phase change)、TN(twisted nematic)、STN(super twisted nematic)、ECB(electrically controlled birefringence)、OCB(optically compensated bend)、IPS(in-plane switching)、VA(vertical alignment)、FFS(fringe field switching)、FPA(field-induced photo-reactive alignment)などのモードである。素子の駆動方式に基づいた分類は、PM(passive matrix)とAM(active matrix)である。PMは、スタティック(static)、マルチプレックス(multiplex)などに分類され、AMは、TFT(thin film transistor)、MIM(metal insulator metal)などに分類される。TFTの分類は非晶質シリコン(amorphous silicon)及び多結晶シリコン(polycrystal silicon)である。後者は製造工程によって高温型と低温型とに分類される。光源に基づいた分類は、自然光を利用する反射型、バックライトを利用する透過型、そして自然光とバックライトの両方を利用する半透過型である。 In liquid crystal display elements, classification based on the operation mode of liquid crystal molecules is PC (phase change), TN (twisted nematic), STN (super twisted nematic), ECB (electrically controlled birefringence), OCB (optically compensated bend), IPS. (in-plane switching), VA (vertical alignment), FFS (fringe field switching), FPA (field-induced photo-reactive alignment), and the like. Classification based on the drive system of the element is PM (passive matrix) and AM (active matrix). PM is classified into static, multiplex, etc., and AM is classified into TFT (thin film transistor), MIM (metal insulator metal), and the like. TFT classifications are amorphous silicon and polycrystalline silicon. The latter is classified into a high temperature type and a low temperature type depending on the manufacturing process. Classifications based on light source are reflective, which uses natural light, transmissive, which uses backlight, and transflective, which uses both natural light and backlight.
液晶表示素子はネマチック相を有する液晶組成物を含有する。この液晶組成物は適切な特性を有する。この液晶組成物の特性を向上させることによって、良好な特性を有するAM素子を得ることができる。これらの特性における関連を下記の表1にまとめる。液晶組成物の特性を市販されているAM素子に基づいて更に説明する。ネマチック相の温度範囲は、素子の使用できる温度範囲に関連する。ネマチック相の好ましい上限温度は約70℃以上であり、そしてネマチック相の好ましい下限温度は約-10℃以下である。液晶組成物の粘度は素子の応答時間に関連する。素子で動画を表示するためには短い応答時間が好ましい。1ミリ秒でもより短い応答時間が望ましい。したがって、組成物における小さな粘度が好ましい。低い温度における小さな粘度はより好ましい。 A liquid crystal display element contains a liquid crystal composition having a nematic phase. This liquid crystal composition has suitable properties. By improving the properties of this liquid crystal composition, an AM device with good properties can be obtained. The relationships between these properties are summarized in Table 1 below. The properties of the liquid crystal composition will be further explained based on commercially available AM devices. The temperature range of the nematic phase is related to the usable temperature range of the device. The preferred upper limit temperature of the nematic phase is about 70°C or higher, and the preferred lower limit temperature of the nematic phase is about -10°C or lower. The viscosity of the liquid crystal composition is related to the response time of the device. A short response time is desirable for displaying moving images on the device. A shorter response time, even 1 millisecond, is desirable. Therefore, low viscosity in the composition is preferred. A low viscosity at low temperature is more preferred.
液晶組成物の光学異方性は、素子のコントラスト比に関連する。素子のモードに応じて、大きな光学異方性又は小さな光学異方性、すなわち適切な光学異方性が必要である。液晶組成物の光学異方性(Δn)と素子のセルギャップ(d)との積(Δn×d)は、コントラスト比を最大にするように設計される。積の適切な値は動作モードの種類に依存する。この値は、VAモードの素子では約0.30μmから約0.40μmの範囲であり、IPSモード又はFFSモードの素子では約0.20μmから約0.30μmの範囲である。これらの場合、小さなセルギャップの素子には大きな光学異方性を有する液晶組成物が好ましい。液晶組成物における大きな誘電率異方性は、素子における低いしきい値電圧、小さな消費電力と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、大きな誘電率異方性が好ましい。液晶組成物における大きな比抵抗は、素子における大きな電圧保持率と大きなコントラスト比とに寄与する。したがって、初期段階において大きな比抵抗を有する液晶組成物が好ましい。長時間使用したあと、大きな比抵抗を有する液晶組成物が好ましい。紫外線や熱に対する液晶組成物の安定性は、素子の寿命に関連する。この安定性が高いとき、素子の寿命は長い。このような特性は、液晶モニター、液晶テレビなどに用いるAM素子に好ましい。 The optical anisotropy of the liquid crystal composition is related to the contrast ratio of the device. Depending on the mode of the device, a large optical anisotropy or a small optical anisotropy, ie a suitable optical anisotropy is required. The product (Δn×d) of the optical anisotropy (Δn) of the liquid crystal composition and the cell gap (d) of the device is designed to maximize the contrast ratio. Appropriate values for the product depend on the type of operating mode. This value ranges from about 0.30 μm to about 0.40 μm for VA mode devices and from about 0.20 μm to about 0.30 μm for IPS or FFS mode devices. In these cases, a liquid crystal composition having a large optical anisotropy is preferable for an element with a small cell gap. A large dielectric anisotropy in the liquid crystal composition contributes to a low threshold voltage, a small power consumption and a large contrast ratio in the device. Therefore, a large dielectric anisotropy is preferred. A large specific resistance in the liquid crystal composition contributes to a large voltage holding ratio and a large contrast ratio in the device. Therefore, a liquid crystal composition having a high resistivity in the initial stage is preferred. A liquid crystal composition that has a high resistivity after prolonged use is preferred. The stability of the liquid crystal composition against ultraviolet rays and heat is related to the lifetime of the device. When this stability is high, the lifetime of the device is long. Such characteristics are preferable for AM elements used in liquid crystal monitors, liquid crystal televisions, and the like.
TNモードを有するAM素子においては正の誘電率異方性を有する組成物が用いられる。VAモードを有するAM素子においては負の誘電率異方性を有する組成物が用いられる。IPSモード又はFFSモードを有するAM素子においては正又は負の誘電率異方性を有する組成物が用いられる。また、高分子支持配向(PSA;polymer sustained alignment)型のAM素子においては正又は負の誘電率異方性を有する組成物が用いられる。 A composition having a positive dielectric anisotropy is used in an AM device having a TN mode. A composition having a negative dielectric anisotropy is used in an AM device having a VA mode. A composition having positive or negative dielectric anisotropy is used in an AM device having an IPS mode or FFS mode. A composition having a positive or negative dielectric anisotropy is used in a polymer supported alignment (PSA) type AM device.
液晶表示素子において、横電界型としては、IPS(In-Plane-Switching)モード(IPS方式ともいう)やFFS(Fringe Field Switching)モード(FFS方式ともいう)等があり、横電界型は、縦電界型に比べ、視野角の広さや開口率(1画素領域のうち表示に有効な領域の面積率)等の点で有利である。 In the liquid crystal display element, the lateral electric field type includes an IPS (In-Plane-Switching) mode (also referred to as an IPS method) and an FFS (Fringe Field Switching) mode (also referred to as an FFS method). Compared with the electric field type, it is advantageous in terms of a wide viewing angle, an aperture ratio (an area ratio of a region effective for display in one pixel region), and the like.
IPS方式及びFFS方式は、どちらも横電界型に分類されるが、IPS方式では、一般に共通電極と画素電極が同じ層に形成されて横電界が形成されるのに対し、FFS方式では、共通電極と画素電極が絶縁膜を挟んで別の層に設けられ、上層側になる電極がスリット状とされ、正確には横電界と縦電界の両成分を含む斜め電界(フリンジ電界)になっている。 Both the IPS method and the FFS method are classified as a horizontal electric field type. In the IPS method, the common electrode and the pixel electrode are generally formed in the same layer to form a horizontal electric field. An electrode and a pixel electrode are provided on different layers with an insulating film sandwiched between them, and the electrode on the upper layer side is formed in a slit shape, and to be precise, it becomes an oblique electric field (fringe electric field) containing both horizontal and vertical electric field components. there is
そして、FFS方式の液晶表示素子では、電極構造が複雑であるという問題があったため、特許文献1では、構成を複雑にすることなく開口率の高い明るい表示を実現するFFS方式の液晶表示素子が提案されている。
Since the FFS liquid crystal display element has a problem that the electrode structure is complicated,
ところで、液晶表示素子の性能改善は、電極構造だけでなく、上述のように液晶層に用いる液晶組成物を含め、改善の余地があり、依然として、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、長い寿命のような特性を有する液晶表示素子が求められている。 By the way, there is room for improvement in the performance of the liquid crystal display element, not only in the electrode structure, but also in the liquid crystal composition used in the liquid crystal layer as described above. There is a demand for liquid crystal display devices with properties such as high voltage, high contrast ratio, and long life.
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、長い寿命のような特性を有する液晶表示素子を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device having characteristics such as a short response time, a large voltage holding ratio, a low threshold voltage, a large contrast ratio and a long life. aim.
本発明の液晶表示素子は、
対向する第1基板と第2基板の間に液晶層を備え、
第1基板上に第1電極部を備え、
第1電極部は、少なくとも1つの基本電極部を備え、
基本電極部は、第1基本電極部と第2基本電極部を備え、
第1基本電極部は、
基板面に沿った第1方向に延在し、第1方向に直交する第2方向に離間した一対の第1導電部を備え、
第2基本電極部は、第1基本電極部の開口部の近傍から第1方向に延在する第3導電部を備え、
液晶層に含まれる液晶組成物は、第一成分として式(1)で表される化合物から選択された少なくとも1つの化合物を含有する。
式(1)において、R1及びR2は、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、又は少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数2から12のアルケニルであり;環A及び環Bは、1,4-シクロヘキシレン、1,4-フェニレン、2-フルオロ-1,4-フェニレン、又は2,5-ジフルオロ-1,4-フェニレンであり;Z1は、単結合、エチレン、ビニレン、メチレンオキシ、又はカルボニルオキシであり;aは、1、2、又は3である。
The liquid crystal display element of the present invention is
A liquid crystal layer is provided between the first substrate and the second substrate facing each other,
A first electrode portion is provided on the first substrate,
the first electrode portion comprises at least one basic electrode portion;
The basic electrode portion includes a first basic electrode portion and a second basic electrode portion,
The first basic electrode part is
A pair of first conductive parts extending in a first direction along the substrate surface and spaced apart in a second direction orthogonal to the first direction,
the second basic electrode portion includes a third conductive portion extending in the first direction from the vicinity of the opening of the first basic electrode portion;
The liquid crystal composition contained in the liquid crystal layer contains at least one compound selected from compounds represented by Formula (1) as a first component.
In formula (1), R 1 and R 2 are alkyl having 1 to 12 carbon atoms, alkoxy having 1 to 12 carbon atoms, alkenyl having 2 to 12 carbon atoms, or at least one hydrogen is replaced with fluorine or chlorine. alkenyl having 2 to 12 carbon atoms; ring A and ring B are 1,4-cyclohexylene, 1,4-phenylene, 2-fluoro-1,4-phenylene, or 2,5-difluoro-1,4 -phenylene; Z 1 is a single bond, ethylene, vinylene, methyleneoxy, or carbonyloxy; a is 1, 2, or 3;
また、本発明の別の液晶表示素子は、
対向する第1基板と第2基板の間に液晶層と、
第1基板上に設けられ、少なくとも1つの第1基本電極部を有する第1電極部と、
第1基板上に設けられ、少なくとも1つの第2基本電極部を有する第2電極部と、を備え、
第1基本電極部は、
基板面に沿った第1方向に延在し、第1方向に直交する第2方向に離間した一対の第1導電部を備え、
第2基本電極部は、第1基本電極部の開口部の近傍から第1方向に延在する第3導電部を備え、
液晶層に含まれる液晶組成物は、第一成分として式(1)で表される化合物から選択された少なくとも1つの化合物を含有する。
式(1)において、R1及びR2は、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、又は少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数2から12のアルケニルであり;環A及び環Bは、1,4-シクロヘキシレン、1,4-フェニレン、2-フルオロ-1,4-フェニレン、又は2,5-ジフルオロ-1,4-フェニレンであり;Z1は、単結合、エチレン、ビニレン、メチレンオキシ、又はカルボニルオキシであり;aは、1、2、又は3である。
Further, another liquid crystal display element of the present invention is
a liquid crystal layer between the facing first and second substrates;
a first electrode portion provided on the first substrate and having at least one first basic electrode portion;
a second electrode portion provided on the first substrate and having at least one second basic electrode portion;
The first basic electrode part is
A pair of first conductive parts extending in a first direction along the substrate surface and spaced apart in a second direction orthogonal to the first direction,
the second basic electrode portion includes a third conductive portion extending in the first direction from the vicinity of the opening of the first basic electrode portion;
The liquid crystal composition contained in the liquid crystal layer contains at least one compound selected from compounds represented by Formula (1) as a first component.
In formula (1), R 1 and R 2 are alkyl having 1 to 12 carbon atoms, alkoxy having 1 to 12 carbon atoms, alkenyl having 2 to 12 carbon atoms, or at least one hydrogen is replaced with fluorine or chlorine. alkenyl having 2 to 12 carbon atoms; ring A and ring B are 1,4-cyclohexylene, 1,4-phenylene, 2-fluoro-1,4-phenylene, or 2,5-difluoro-1,4 -phenylene; Z 1 is a single bond, ethylene, vinylene, methyleneoxy, or carbonyloxy; a is 1, 2, or 3;
本発明によれば、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、長い寿命のような特性を有する液晶表示素子を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a liquid crystal display device having characteristics such as short response time, large voltage holding ratio, low threshold voltage, large contrast ratio, and long life.
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。
なお、実施形態の説明の全体を通して同じ要素には同じ番号又は符号を付している。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
The same numbers or symbols are given to the same elements throughout the description of the embodiment.
(液晶組成物)
本発明の液晶表示素子の液晶層に含まれる液晶組成物について説明する。
なお、この明細書における用語の使い方は次のとおりである。「液晶組成物」及び「液晶表示素子」の用語をそれぞれ「組成物」及び「素子」と略すことがある。「液晶表示素子」は液晶表示パネル及び液晶表示モジュールの総称である。「液晶性化合物」は、ネマチック相、スメクチック相のような液晶相を有する化合物及び液晶相を有しないが、ネマチック相の温度範囲、粘度、誘電率異方性のような特性を調節する目的で組成物に混合される化合物の総称である。この化合物は、例えば1,4-シクロヘキシレンや1,4-フェニレンのような六員環を有し、その分子(液晶分子)は棒状(rod like)である。「重合性化合物」は、組成物中に重合体を生成させる目的で添加する化合物である。アルケニルを有する液晶性化合物は、その意味では重合性化合物に分類されない。
(Liquid crystal composition)
The liquid crystal composition contained in the liquid crystal layer of the liquid crystal display element of the present invention will be described.
The terms used in this specification are as follows. The terms "liquid crystal composition" and "liquid crystal display element" may be abbreviated as "composition" and "element", respectively. "Liquid crystal display element" is a general term for liquid crystal display panels and liquid crystal display modules. A 'liquid crystal compound' means a compound having a liquid crystal phase such as a nematic phase or a smectic phase, or a compound having no liquid crystal phase. It is a general term for compounds mixed in the composition. This compound has a six-membered ring such as 1,4-cyclohexylene or 1,4-phenylene, and its molecules (liquid crystal molecules) are rod-like. A "polymerizable compound" is a compound added for the purpose of forming a polymer in the composition. A liquid crystalline compound having alkenyl is not classified as a polymerizable compound in that sense.
液晶組成物は、複数の液晶性化合物を混合することによって調製される。この液晶組成物に、光学活性化合物や重合性化合物のような添加物が必要に応じて添加される。液晶性化合物の割合は、添加物を添加した場合であっても、添加物を含まない液晶組成物の質量に基づいた質量百分率(質量%)で表される。添加物の割合は、添加物を含まない液晶組成物の質量に基づいた質量百分率(質量%)で表される。すなわち、液晶性化合物や添加物の割合は、液晶性化合物の全質量に基づいて算出される。 A liquid crystal composition is prepared by mixing a plurality of liquid crystalline compounds. Additives such as optically active compounds and polymerizable compounds are added to the liquid crystal composition as required. The ratio of the liquid crystalline compound, even when the additive is added, is represented by mass percentage (% by mass) based on the mass of the liquid crystal composition containing no additive. The proportion of the additive is represented by mass percentage (% by mass) based on the mass of the liquid crystal composition containing no additive. That is, the ratio of the liquid crystalline compound and the additive is calculated based on the total mass of the liquid crystalline compound.
「ネマチック相の上限温度」を「上限温度」と略すことがある。「ネマチック相の下限温度」を「下限温度」と略すことがある。「誘電率異方性を上げる」の表現は、誘電率異方性が正である組成物のときは、その値が正に増加することを意味し、誘電率異方性が負である組成物のときは、その値が負に増加することを意味する。「電圧保持率が大きい」は、素子が初期段階において室温だけでなく上限温度に近い温度でも大きな電圧保持率を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく上限温度に近い温度でも大きな電圧保持率を有することを意味する。組成物や素子の特性が経時変化試験によって検討されることがある。 "The upper limit temperature of the nematic phase" may be abbreviated as "the upper limit temperature". "Lower limit temperature of nematic phase" may be abbreviated as "lower limit temperature". The expression "increase the dielectric anisotropy" means that the value increases positively in the case of a composition with a positive dielectric anisotropy, and in a composition with a negative dielectric anisotropy. When it is a thing, it means that its value increases negatively. "Large voltage holding ratio" means that the element has a large voltage holding ratio at the initial stage not only at room temperature but also at temperatures close to the upper limit temperature, and after long-term use, the voltage is large not only at room temperature but also at temperatures close to the upper limit temperature. It means having a retention rate. Properties of compositions and devices may be examined by aging tests.
上記の化合物(1z)を例にして説明する。式(1z)において、六角形で囲んだαおよびβの記号はそれぞれ環αおよび環βに対応し、六員環、縮合環のような環を表す。添え字‘x’が2のとき、2つの環αが存在する。2つの環αが表す2つの基は、同一であってもよく、または異なってもよい。このルールは、添え字‘x’が2より大きいとき、任意の2つの環αに適用される。このルールは、結合基Zのような、他の記号にも適用される。環βの一辺を横切る斜線は、環β上の任意の水素が置換基(-Sp-P)で置き換えられてもよいことを表す。添え字‘y’は置き換えられた置換基の数を示す。添え字‘y’が0のとき、そのような置き換えはない。添え字‘y’が2以上のとき、環β上には複数の置換基(-Sp-P)が存在する。この場合にも、「同一であってもよく、または異なってもよい」のルールが適用される。なお、このルールは、Raの記号を複数の化合物に用いた場合にも適用される。 The above compound (1z) will be described as an example. In formula (1z), the symbols α and β surrounded by hexagons correspond to ring α and ring β, respectively, and represent rings such as six-membered rings and condensed rings. When the index 'x' is 2, there are two rings α. Two groups represented by two rings α may be the same or different. This rule applies to any two rings α when the index 'x' is greater than two. This rule also applies to other symbols, such as the bonding group Z. A slash across one side of ring β indicates that any hydrogen on ring β may be replaced with a substituent (-Sp-P). The subscript 'y' indicates the number of substituents replaced. When the index 'y' is 0, there is no such replacement. When the subscript 'y' is 2 or more, there are multiple substituents (-Sp-P) on the ring β. In this case as well, the "can be the same or can be different" rule applies. This rule also applies when the symbol Ra is used for a plurality of compounds.
式(1z)において、例えば、「RaおよびRbは、アルキル、アルコキシ、またはアルケニルである」のような表現は、RaおよびRbが独立して、アルキル、アルコキシ、およびアルケニルの群から選択されることを意味する。ここで、Raによって表される基とRbによって表される基が同一であってもよく、または異なってもよい。このルールは、Raの記号を複数の化合物に用いた場合にも適用される。このルールは、複数のRaを1つの化合物に用いた場合にも適用される。 In formula (1z), for example, expressions such as "Ra and Rb are alkyl, alkoxy, or alkenyl" mean that Ra and Rb are independently selected from the group of alkyl, alkoxy, and alkenyl. means Here, the group represented by Ra and the group represented by Rb may be the same or different. This rule also applies when the Ra symbol is used for multiple compounds. This rule also applies when multiple Ra's are used in one compound.
式(1z)で表される化合物から選択された少なくとも1つの化合物を「化合物(1z)」と略すことがある。「化合物(1z)」は、式(1z)で表される1つの化合物、2つの化合物の混合物、または3つ以上の化合物の混合物を意味する。他の式で表される化合物についても同様である。「式(1z)および式(2z)で表される化合物から選択された少なくとも1つの化合物」の表現は、化合物(1z)および化合物(2z)の群から選択された少なくとも1つの化合物を意味する。 At least one compound selected from compounds represented by formula (1z) may be abbreviated as "compound (1z)". "Compound (1z)" means one compound, a mixture of two compounds, or a mixture of three or more compounds represented by formula (1z). The same applies to compounds represented by other formulas. The expression "at least one compound selected from compounds represented by formula (1z) and formula (2z)" means at least one compound selected from the group of compound (1z) and compound (2z) .
「少なくとも1つの‘A’」の表現は、‘A’の数は任意であることを意味する。「少なくとも1つの‘A’は、‘B’で置き換えられてもよい」の表現は、‘A’の数が1つのとき、‘A’の位置は任意であり、‘A’の数が2つ以上のときも、それらの位置は制限なく選択できる。「少なくとも1つの-CH2-は-O-で置き換えられてもよい」の表現が使われることがある。この場合、-CH2-CH2-CH2-は、隣接しない-CH2-が-O-で置き換えられることによって-O-CH2-O-に変換されてもよい。しかしながら、隣接した-CH2-が-O-で置き換えられることはない。この置き換えでは-O-O-CH2-(ペルオキシド)が生成するからである。 The expression "at least one 'A'" means that the number of 'A' is arbitrary. The expression "at least one 'A' may be replaced with 'B'" means that when the number of 'A' is 1, the position of 'A' is arbitrary, and the number of 'A' is 2 When there are more than one, their positions can be chosen without restriction. The expression "at least one -CH 2 - may be replaced with -O-" is sometimes used. In this case, -CH 2 -CH 2 -CH 2 - may be converted to -O-CH 2 -O- by replacing non-adjacent -CH 2 - with -O-. However, adjacent -CH 2 - is not replaced by -O-. This is because —O—O—CH 2 — (peroxide) is produced by this replacement.
液晶性化合物のアルキルは、直鎖状または分岐状であり、環状アルキルを含まない。直鎖状アルキルは、分岐状アルキルよりも好ましい。これらのことは、アルコキシ、アルケニルのような末端基についても同様である。1,4-シクロヘキシレンに関する立体配置は、上限温度を上げるためにシスよりもトランスが好ましい。2-フルオロ-1,4-フェニレンは左右非対称であるから、左向き(L)および右向き(R)が存在する。
テトラヒドロピラン-2,5-ジイルのような二価基においても同様である。なお、好ましいテトラヒドロピラン-2,5-ジイルは、上限温度を上げるために右向き(R)である。カルボニルオキシのような結合基(-COO-または-OCO-)も同様である。
Alkyl in the liquid crystalline compound is linear or branched and does not include cyclic alkyl. Linear alkyls are preferred over branched alkyls. The same applies to terminal groups such as alkoxy and alkenyl. The configuration of 1,4-cyclohexylene is preferably trans rather than cis in order to increase the maximum temperature. Since 2-fluoro-1,4-phenylene is left-right asymmetric, there is a leftward (L) and a rightward (R).
The same is true for divalent groups such as tetrahydropyran-2,5-diyl. A preferred tetrahydropyran-2,5-diyl is rightward (R) in order to increase the maximum temperature. The same is true for linking groups such as carbonyloxy (-COO- or -OCO-).
本発明における液晶組成物を次の順で説明する。第一に、組成物における成分化合物の構成を説明する。第二に、成分化合物の主要な特性、及びこの化合物が組成物及び素子に及ぼす主要な効果を説明する。第三に、組成物における成分の組合せ、成分の好ましい割合及びその根拠を説明する。第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。第五に、好ましい成分化合物を示す。第六に、組成物に添加してもよい添加物を説明する。第七に、成分化合物の合成法を説明する。最後に、組成物の用途を説明する。 The liquid crystal composition in the present invention will be explained in the following order. First, the composition of the component compounds in the composition will be described. Second, the main properties of the component compounds and their main effects on compositions and devices are described. Thirdly, the combination of ingredients in the composition, the preferred proportions of the ingredients and the rationale thereof are described. Fourth, preferred forms of component compounds are described. Fifth, preferred component compounds are shown. Sixth, additives that may be added to the composition are described. Seventh, the method for synthesizing the component compounds will be explained. Finally, the use of the composition will be explained.
第一に、組成物の構成を説明する。この組成物は、複数の液晶性化合物を含有する。この組成物は、添加物を含有してもよい。添加物は、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、消光剤、色素、消泡剤、重合性化合物、重合開始剤、重合禁止剤、極性化合物などである。この組成物は、液晶性化合物の観点から組成物Aと組成物Bに分類される。組成物Aは、化合物(1)、化合物(2)及び化合物(3)から選択された液晶性化合物の他に、その他の液晶性化合物、添加物などを更に含有してもよい。「その他の液晶性化合物」は、化合物(1)、化合物(2)及び化合物(3)とは異なる液晶性化合物である。このような化合物は、特性を更に調整する目的で組成物に混合される。 First, the constitution of the composition will be explained. This composition contains a plurality of liquid crystalline compounds. This composition may contain additives. Additives include optically active compounds, antioxidants, ultraviolet absorbers, quenchers, dyes, antifoaming agents, polymerizable compounds, polymerization initiators, polymerization inhibitors, polar compounds, and the like. This composition is classified into composition A and composition B from the viewpoint of the liquid crystalline compound. Composition A may further contain other liquid crystalline compounds, additives, etc., in addition to the liquid crystalline compound selected from compound (1), compound (2) and compound (3). "Other liquid crystalline compounds" are liquid crystalline compounds different from compound (1), compound (2) and compound (3). Such compounds are incorporated into the composition for the purpose of further adjusting its properties.
組成物Bは、実質的に化合物(1)、化合物(2)及び化合物(3)から選択された液晶性化合物のみからなる。「実質的に」は、組成物Bが添加物を含有してもよいが、その他の液晶性化合物を含有しないことを意味する。組成物Bは組成物Aに比較して成分の数が少ない。コストを下げるという観点から、組成物Bは組成物Aよりも好ましい。その他の液晶性化合物を混合することによって特性を更に調整できるという観点から、組成物Aは組成物Bよりも好ましい。 Composition B consists essentially of a liquid crystalline compound selected from compound (1), compound (2) and compound (3). "Substantially" means that composition B may contain additives, but does not contain other liquid crystalline compounds. Composition B has fewer components than Composition A. Composition B is preferable to composition A from the viewpoint of cost reduction. Composition A is preferable to composition B from the viewpoint that the properties can be further adjusted by mixing other liquid crystalline compounds.
-第一成分-
まず、組成物の第一成分について説明する。
本発明の液晶表示素子の液晶層に含まれる液晶組成物は、第一成分として式(1)で表される化合物から選択された少なくとも1つの化合物を含有するものである。
式(1)において、R1及びR2は、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、又は少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数2から12のアルケニルであり;環A及び環Bは、1,4-シクロヘキシレン、1,4-フェニレン、2-フルオロ-1,4-フェニレン、又は2,5-ジフルオロ-1,4-フェニレンであり;Z1は、単結合、エチレン、ビニレン、メチレンオキシ、又はカルボニルオキシであり;aは、1、2、又は3である。
-First component-
First, the first component of the composition will be explained.
The liquid crystal composition contained in the liquid crystal layer of the liquid crystal display element of the present invention contains at least one compound selected from compounds represented by formula (1) as a first component.
In formula (1), R 1 and R 2 are alkyl having 1 to 12 carbon atoms, alkoxy having 1 to 12 carbon atoms, alkenyl having 2 to 12 carbon atoms, or at least one hydrogen is replaced with fluorine or chlorine. alkenyl having 2 to 12 carbon atoms; ring A and ring B are 1,4-cyclohexylene, 1,4-phenylene, 2-fluoro-1,4-phenylene, or 2,5-difluoro-1,4 -phenylene; Z 1 is a single bond, ethylene, vinylene, methyleneoxy, or carbonyloxy; a is 1, 2, or 3;
第一成分として、式(1-1)から式(1-13)で表される化合物から選択された少なくとも1つの化合物を含有することが好ましい。
式(1-1)から式(1-13)において、R1及びR2は、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、又は少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数2から12のアルケニルである。
The first component preferably contains at least one compound selected from compounds represented by formulas (1-1) to (1-13).
In formulas (1-1) to (1-13), R 1 and R 2 are alkyl having 1 to 12 carbon atoms, alkoxy having 1 to 12 carbon atoms, alkenyl having 2 to 12 carbon atoms, or at least one It is alkenyl having 2 to 12 carbon atoms in which hydrogen is replaced with fluorine or chlorine.
液晶組成物中の第一成分の割合は、10質量%から90質量%の範囲であることが好ましい。 The ratio of the first component in the liquid crystal composition is preferably in the range of 10% by mass to 90% by mass.
-第二成分-
次に、第二成分について説明する。
本発明における液晶組成物は、第二成分として式(2)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物を含有してもよい。
式(2)において、R3は炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、又は炭素数2から12のアルケニルであり;環Cは、1,4-シクロヘキシレン、1,4-フェニレン、2-フルオロ-1,4-フェニレン、2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレン、2,6-ジフルオロ-1,4-フェニレン、ピリミジン-2,5-ジイル、1,3-ジオキサン-2,5-ジイル、又はテトラヒドロピラン-2,5-ジイルであり;Z2は、単結合、エチレン、メチレンオキシ、カルボニルオキシ、又はジフルオロメチレンオキシであり;X1及びX2は独立して、水素又はフッ素であり;Y1は、フッ素、塩素、少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキル、少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルコキシ、又は少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数2から12のアルケニルオキシであり;bは、1、2、3、又は4である。
-Second component-
Next, the second component will be explained.
The liquid crystal composition in the present invention may contain at least one compound selected from the group of compounds represented by formula (2) as a second component.
In formula (2), R 3 is alkyl having 1 to 12 carbon atoms, alkoxy having 1 to 12 carbon atoms, or alkenyl having 2 to 12 carbon atoms; ring C is 1,4-cyclohexylene, 1,4 -phenylene, 2-fluoro-1,4-phenylene, 2,3-difluoro-1,4-phenylene, 2,6-difluoro-1,4-phenylene, pyrimidine-2,5-diyl, 1,3-dioxane -2,5-diyl, or tetrahydropyran-2,5-diyl; Z 2 is a single bond, ethylene, methyleneoxy, carbonyloxy, or difluoromethyleneoxy; X 1 and X 2 are independently , hydrogen or fluorine; Y 1 is fluorine, chlorine, alkyl having 1 to 12 carbon atoms in which at least one hydrogen is replaced by fluorine or chlorine, or
第二成分として式(2-1)から式(2-35)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物を含有することが好ましい。
It is preferable to contain at least one compound selected from the group of compounds represented by formulas (2-1) to (2-35) as the second component.
式(2-1)から式(2-35)において、R3は、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、又は炭素数2から12のアルケニルである。 In formulas (2-1) to (2-35), R 3 is alkyl having 1 to 12 carbon atoms, alkoxy having 1 to 12 carbon atoms, or alkenyl having 2 to 12 carbon atoms.
液晶組成物中の第二成分の割合は、10重量%から85重量%の範囲であることが好ましい。 The ratio of the second component in the liquid crystal composition is preferably in the range of 10% by weight to 85% by weight.
-第三成分-
次に、第三成分について説明する。
本発明における液晶組成物は、第三成分として式(3)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物を含有してもよい。
式(3)において、R4及びR5は、水素、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、又は炭素数2から12のアルケニルオキシであり;環D及び環Fは、1,4-シクロヘキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、テトラヒドロピラン-2,5-ジイル、1,4-フェニレン、少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた1,4-フェニレン、ナフタレン-2,6-ジイル、少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられたナフタレン-2,6-ジイル、クロマン-2,6-ジイル、又は少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられたクロマン-2,6-ジイルであり;環Eは、2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレン、2-クロロ-3-フルオロ-1,4-フェニレン、2,3-ジフルオロ-5-メチル-1,4-フェニレン、3,4,5-トリフルオロナフタレン-2,6-ジイル、7,8-ジフルオロクロマン-2,6-ジイル、3,4,5,6-テトラフルオロフルオレン-2,7-ジイル、4,6-ジフルオロジベンゾフラン-3,7-ジイル、4,6-ジフルオロジベンゾチオフェン-3,7-ジイル、又は1,1,6,7-テトラフルオロインダン-2,5-ジイルであり;Z3及びZ4は、単結合、エチレン、メチレンオキシ、又はカルボニルオキシであり;cは、0、1、2、又は3であり、dは、0又は1であり、そしてc及びdの和は、3以下である。
-Third component-
Next, the third component will be explained.
The liquid crystal composition in the present invention may contain at least one compound selected from the group of compounds represented by formula (3) as a third component.
In formula (3), R 4 and R 5 are hydrogen, alkyl having 1 to 12 carbon atoms, alkoxy having 1 to 12 carbon atoms, alkenyl having 2 to 12 carbon atoms, or alkenyloxy having 2 to 12 carbon atoms. ring D and ring F are 1,4-cyclohexylene, 1,4-cyclohexenylene, tetrahydropyran-2,5-diyl, 1,4-phenylene, at least one hydrogen replaced by fluorine or chlorine; 1,4-phenylene, naphthalene-2,6-diyl, naphthalene-2,6-diyl in which at least one hydrogen is replaced by fluorine or chlorine, chroman-2,6-diyl, or at least one hydrogen is fluorine or chroman-2,6-diyl substituted with chlorine; ring E is 2,3-difluoro-1,4-phenylene, 2-chloro-3-fluoro-1,4-phenylene, 2,3-difluoro -5-methyl-1,4-phenylene, 3,4,5-trifluoronaphthalene-2,6-diyl, 7,8-difluorochroman-2,6-diyl, 3,4,5,6-tetrafluoro fluorene-2,7-diyl, 4,6-difluorodibenzofuran-3,7-diyl, 4,6-difluorodibenzothiophene-3,7-diyl, or 1,1,6,7-tetrafluoroindane-2, 5-diyl; Z 3 and Z 4 are a single bond, ethylene, methyleneoxy, or carbonyloxy; c is 0, 1, 2, or 3; d is 0 or 1; and the sum of c and d is 3 or less.
第三成分として式(3-1)から式(3-35)で表される化合物から選択された少なくとも1つの化合物を含有することが好ましい。
式(3-1)から式(3-35)において、R4及びR5は、水素、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、又は炭素数2から12のアルケニルオキシである。
It is preferable to contain at least one compound selected from compounds represented by formulas (3-1) to (3-35) as the third component.
In formulas (3-1) to (3-35), R 4 and R 5 are hydrogen, alkyl having 1 to 12 carbon atoms, alkoxy having 1 to 12 carbon atoms, alkenyl having 2 to 12 carbon atoms, or carbon alkenyloxy of numbers 2 to 12;
第三成分の割合は10質量%から90質量%の範囲であることが好ましい。 The proportion of the third component is preferably in the range of 10% by mass to 90% by mass.
第二に、成分化合物の主要な特性、及びこの化合物が組成物や素子に及ぼす主要な効果を説明する。成分化合物の主要な特性を本発明の効果に基づいて表2にまとめる。表2の記号において、Lは大きい又は高い、Mは中程度の、Sは小さい又は低い、を意味する。記号L、M、Sは、成分化合物の間の定性的な比較に基づいた分類であり、0(ゼロ)は、Sよりも小さいことを意味する。 Second, the main properties of the component compound and the main effect of this compound on the composition or device are described. The main properties of the component compounds are summarized in Table 2 based on the effects of the present invention. In the symbols in Table 2, L means large or high, M medium, and S small or low. The symbols L, M, S are classifications based on qualitative comparisons between component compounds, with 0 (zero) meaning less than S.
成分化合物の主要な効果は次のとおりである。化合物(1)は、粘度を下げる、又は上限温度を上げる。化合物(2)は誘電率異方性を上げる。化合物(3)は誘電率異方性を上げ、そして下限温度を下げる。 The main effects of the component compounds are as follows. Compound (1) lowers the viscosity or raises the maximum temperature. Compound (2) increases dielectric anisotropy. Compound (3) raises the dielectric anisotropy and lowers the minimum temperature.
第三に、組成物における成分の組合せ、成分化合物の好ましい割合及びその根拠を説明する。組成物における成分の好ましい組合せは、化合物(1)+化合物(2)、化合物(1)+化合物(3)、又は化合物(1)+化合物(2)+化合物(3)である。更に好ましい組合せは、化合物(1)+化合物(2)又は化合物(1)+化合物(3)である。 Thirdly, the combination of components in the composition, the preferred proportions of the component compounds and the grounds thereof will be explained. Preferred combinations of ingredients in the composition are compound (1) + compound (2), compound (1) + compound (3), or compound (1) + compound (2) + compound (3). A more preferred combination is compound (1)+compound (2) or compound (1)+compound (3).
化合物(1)の好ましい割合は、上限温度を上げるために、又は粘度を下げるために約10質量%以上であり、誘電率異方性を上げるために約90質量%以下である。更に好ましい割合は約20質量%から約80質量%の範囲である。特に好ましい割合は約30質量%から約70質量%の範囲である。 A preferable ratio of compound (1) is about 10% by mass or more for increasing the maximum temperature or decreasing the viscosity, and about 90% by mass or less for increasing the dielectric anisotropy. A more preferred proportion ranges from about 20% to about 80% by weight. A particularly preferred percentage is in the range of about 30% to about 70% by weight.
化合物(2)の好ましい割合は、誘電率異方性を上げるために約10質量%以上であり、下限温度を下げるために、又は粘度を下げるために約85質量%以下である。更に好ましい割合は約20質量%から約80質量%の範囲である。特に好ましい割合は約30質量%から約70質量%の範囲である。 A preferable proportion of compound (2) is about 10% by mass or more for increasing the dielectric anisotropy, and about 85% by mass or less for lowering the minimum temperature or viscosity. A more preferred proportion ranges from about 20% to about 80% by weight. A particularly preferred percentage is in the range of about 30% to about 70% by weight.
化合物(3)の好ましい割合は、誘電率異方性を上げるために約10質量%以上であり、下限温度を下げるために約90質量%以下である。更に好ましい割合は約20質量%から約80質量%の範囲である。特に好ましい割合は約30質量%から約70質量%の範囲である。 A preferable ratio of compound (3) is about 10% by mass or more for increasing the dielectric anisotropy, and about 90% by mass or less for lowering the minimum temperature. A more preferred proportion ranges from about 20% to about 80% by weight. A particularly preferred percentage is in the range of about 30% to about 70% by weight.
第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。 Fourth, preferred forms of component compounds are described.
式(1)、式(2)、及び式(3)において、R1及びR2は、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、又は少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数2から12のアルケニルである。好ましいR1又はR2は、粘度を下げるために、炭素数2から12のアルケニルであり、安定性を上げるために炭素数1から12のアルキルである。R3は、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、又は炭素数2から12のアルケニルである。好ましいR3は、安定性を上げるために炭素数1から12のアルキルである。R4及びR5は、水素、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、又は炭素数2から12のアルケニルオキシである。好ましいR4又はR5は、安定性を上げるために炭素数1から12のアルキルであり、誘電率異方性を上げるために炭素数1から12のアルコキシである。 In Formula (1), Formula (2), and Formula (3), R 1 and R 2 are alkyl having 1 to 12 carbon atoms, alkoxy having 1 to 12 carbon atoms, alkenyl having 2 to 12 carbon atoms, or at least C2-C12 alkenyl in which one hydrogen is replaced by fluorine or chlorine. Preferred R 1 or R 2 is alkenyl having 2 to 12 carbon atoms for reducing viscosity and alkyl having 1 to 12 carbon atoms for increasing stability. R 3 is alkyl having 1 to 12 carbons, alkoxy having 1 to 12 carbons, or alkenyl having 2 to 12 carbons. Preferred R 3 is alkyl having 1 to 12 carbon atoms to increase stability. R 4 and R 5 are hydrogen, alkyl having 1 to 12 carbon atoms, alkoxy having 1 to 12 carbon atoms, alkenyl having 2 to 12 carbon atoms, or alkenyloxy having 2 to 12 carbon atoms. Preferred R 4 or R 5 is alkyl having 1 to 12 carbon atoms for increasing stability, and alkoxy having 1 to 12 carbon atoms for increasing dielectric anisotropy.
好ましいアルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、又はオクチルである。更に好ましいアルキルは、粘度を下げるためにメチル、エチル、プロピル、ブチル、又はペンチルである。 Preferred alkyls are methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl or octyl. More preferred alkyls are methyl, ethyl, propyl, butyl, or pentyl to reduce viscosity.
好ましいアルコキシは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、又はヘプチルオキシである。粘度を下げるために、更に好ましいアルコキシは、メトキシ又はエトキシである。 Preferred alkoxy are methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy, pentyloxy, hexyloxy or heptyloxy. More preferred alkoxy is methoxy or ethoxy for reducing viscosity.
好ましいアルケニルは、ビニル、1-プロペニル、2-プロペニル、1-ブテニル、2-ブテニル、3-ブテニル、1-ペンテニル、2-ペンテニル、3-ペンテニル、4-ペンテニル、1-ヘキセニル、2-ヘキセニル、3-ヘキセニル、4-ヘキセニル、又は5-ヘキセニルである。更に好ましいアルケニルは、粘度を下げるためにビニル、1-プロペニル、3-ブテニル、又は3-ペンテニルである。これらのアルケニルにおける-CH=CH-の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。粘度を下げるためなどから1-プロペニル、1-ブテニル、1-ペンテニル、1-ヘキセニル、3-ペンテニル、3-ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはトランスが好ましい。2-ブテニル、2-ペンテニル、2-ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはシスが好ましい。 Preferred alkenyls are vinyl, 1-propenyl, 2-propenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 4-pentenyl, 1-hexenyl, 2-hexenyl, 3-hexenyl, 4-hexenyl, or 5-hexenyl. More preferred alkenyls are vinyl, 1-propenyl, 3-butenyl, or 3-pentenyl to reduce viscosity. The preferred configuration of -CH=CH- in these alkenyls depends on the position of the double bond. Trans is preferred in alkenyls such as 1-propenyl, 1-butenyl, 1-pentenyl, 1-hexenyl, 3-pentenyl, and 3-hexenyl in order to lower the viscosity. Cis is preferred in alkenyls such as 2-butenyl, 2-pentenyl, 2-hexenyl.
好ましいアルケニルオキシは、ビニルオキシ、アリルオキシ、3-ブテニルオキシ、3-ペンテニルオキシ、又は4-ペンテニルオキシである。粘度を下げるために、更に好ましいアルケニルオキシは、アリルオキシ又は3-ブテニルオキシである。 Preferred alkenyloxy are vinyloxy, allyloxy, 3-butenyloxy, 3-pentenyloxy or 4-pentenyloxy. A more preferred alkenyloxy for reducing viscosity is allyloxy or 3-butenyloxy.
少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられたアルキルの好ましい例は、フルオロメチル、2-フルオロエチル、3-フルオロプロピル、4-フルオロブチル、5-フルオロペンチル、6-フルオロヘキシル、7-フルオロヘプチル、又は8-フルオロオクチルである。更に好ましい例は、誘電率異方性を上げるために2-フルオロエチル、3-フルオロプロピル、4-フルオロブチル、又は5-フルオロペンチルである。 Preferred examples of alkyl in which at least one hydrogen is replaced by fluorine or chlorine are fluoromethyl, 2-fluoroethyl, 3-fluoropropyl, 4-fluorobutyl, 5-fluoropentyl, 6-fluorohexyl, 7-fluoroheptyl , or 8-fluorooctyl. More preferred examples are 2-fluoroethyl, 3-fluoropropyl, 4-fluorobutyl, or 5-fluoropentyl for increasing dielectric anisotropy.
少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられたアルケニルの好ましい例は、2,2-ジフルオロビニル、3,3-ジフルオロ-2-プロペニル、4,4-ジフルオロ-3-ブテニル、5,5-ジフルオロ-4-ペンテニル、又は6,6-ジフルオロ-5-ヘキセニルである。更に好ましい例は、粘度を下げるために2,2-ジフルオロビニル又は4,4-ジフルオロ-3-ブテニルである。 Preferred examples of alkenyl in which at least one hydrogen is replaced by fluorine or chlorine are 2,2-difluorovinyl, 3,3-difluoro-2-propenyl, 4,4-difluoro-3-butenyl, 5,5-difluoro -4-pentenyl, or 6,6-difluoro-5-hexenyl. Further preferred examples are 2,2-difluorovinyl or 4,4-difluoro-3-butenyl to reduce viscosity.
環A及び環Bは、1,4-シクロヘキシレン、1,4-フェニレン、2-フルオロ-1,4-フェニレン、又は2,5-ジフルオロ-1,4-フェニレンである。好ましい環A又は環Bは、粘度を下げるために、又は上限温度を上げるために、1,4-シクロヘキシレンであり、下限温度を下げるために1,4-フェニレンである。 Ring A and ring B are 1,4-cyclohexylene, 1,4-phenylene, 2-fluoro-1,4-phenylene, or 2,5-difluoro-1,4-phenylene. Preferred ring A or ring B is 1,4-cyclohexylene for lowering the viscosity or raising the maximum temperature, and 1,4-phenylene for lowering the minimum temperature.
環Cは、1,4-シクロヘキシレン、1,4-フェニレン、2-フルオロ-1,4-フェニレン、2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレン、2,6-ジフルオロ-1,4-フェニレン、ピリミジン-2,5-ジイル、1,3-ジオキサン-2,5-ジイル、又はテトラヒドロピラン-2,5-ジイルである。好ましい環Cは、上限温度を上げるために1,4-シクロヘキシレンであり、光学異方性を上げるために1,4-フェニレンであり、誘電率異方性を上げるために2,6-ジフルオロ-1,4-フェニレンである。テトラヒドロピラン-2,5-ジイルは、
又は
であり、好ましくは
である。
Ring C is 1,4-cyclohexylene, 1,4-phenylene, 2-fluoro-1,4-phenylene, 2,3-difluoro-1,4-phenylene, 2,6-difluoro-1,4-phenylene , pyrimidine-2,5-diyl, 1,3-dioxane-2,5-diyl, or tetrahydropyran-2,5-diyl. Preferred ring C is 1,4-cyclohexylene for increasing the maximum temperature, 1,4-phenylene for increasing optical anisotropy, and 2,6-difluoro for increasing dielectric anisotropy. -1,4-phenylene. Tetrahydropyran-2,5-diyl is
or
and preferably
is.
環D及び環Fは、1,4-シクロヘキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、テトラヒドロピラン-2,5-ジイル、1,4-フェニレン、少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた1,4-フェニレン、ナフタレン-2,6-ジイル、少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられたナフタレン-2,6-ジイル、クロマン-2,6-ジイル、又は少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられたクロマン-2,6-ジイルである。テトラヒドロピラン-2,5-ジイルは、
又は
であり、好ましくは
である。
Ring D and ring F are 1,4-cyclohexylene, 1,4-cyclohexenylene, tetrahydropyran-2,5-diyl, 1,4-phenylene, and 1 in which at least one hydrogen is replaced by fluorine or chlorine. ,4-phenylene, naphthalene-2,6-diyl, naphthalene-2,6-diyl in which at least one hydrogen is replaced by fluorine or chlorine, chroman-2,6-diyl, or at least one hydrogen is fluorine or chlorine is chroman-2,6-diyl replaced with Tetrahydropyran-2,5-diyl is
or
and preferably
is.
環Eは、2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレン、2-クロロ-3-フルオロ-1,4-フェニレン、2,3-ジフルオロ-5-メチル-1,4-フェニレン、3,4,5-トリフルオロナフタレン-2,6-ジイル、7,8-ジフルオロクロマン-2,6-ジイル、3,4,5,6-テトラフルオロフルオレン-2,7-ジイル(FLF4)、4,6-ジフルオロジベンゾフラン-3,7-ジイル(DBFF2)、4,6-ジフルオロジベンゾチオフェン-3,7-ジイル(DBTF2)、又は1,1,6,7-テトラフルオロインダン-2,5-ジイル(InF4)である。
好ましい環Eは、粘度を下げるために2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレンであり、光学異方性を下げるために2-クロロ-3-フルオロ-1,4-フェニレンであり、誘電率異方性を上げるために7,8-ジフルオロクロマン-2,6-ジイルである。
Ring E is 2,3-difluoro-1,4-phenylene, 2-chloro-3-fluoro-1,4-phenylene, 2,3-difluoro-5-methyl-1,4-phenylene, 3,4, 5-trifluoronaphthalene-2,6-diyl, 7,8-difluorochroman-2,6-diyl, 3,4,5,6-tetrafluorofluorene-2,7-diyl (FLF4), 4,6- Difluorodibenzofuran-3,7-diyl (DBFF2), 4,6-difluorodibenzothiophene-3,7-diyl (DBTF2), or 1,1,6,7-tetrafluoroindane-2,5-diyl (InF4) is.
Preferred ring E is 2,3-difluoro-1,4-phenylene for lowering viscosity, 2-chloro-3-fluoro-1,4-phenylene for lowering optical anisotropy, dielectric constant It is 7,8-difluorochroman-2,6-diyl to increase anisotropy.
Z1は、単結合、エチレン、ビニレン、メチレンオキシ、又はカルボニルオキシである。好ましいZ1は、粘度を下げるために単結合である。Z2は、単結合、エチレン、ビニレン、メチレンオキシ、カルボニルオキシ、又はジフルオロメチレンオキシである。好ましいZ2は、粘度を下げるために単結合であり、誘電率異方性を上げるために、ジフルオロメチレンオキシである。Z3及びZ4は、単結合、エチレン、ビニレン、メチレンオキシ、又はカルボニルオキシである。好ましいZ3又はZ4は、粘度を下げるために単結合であり、下限温度を下げるためにエチレンであり、誘電率異方性を上げるためにメチレンオキシである。 Z 1 is a single bond, ethylene, vinylene, methyleneoxy, or carbonyloxy. Preferred Z 1 is a single bond to reduce viscosity. Z2 is a single bond, ethylene, vinylene, methyleneoxy, carbonyloxy, or difluoromethyleneoxy. Preferred Z2 is a single bond for lowering viscosity and difluoromethyleneoxy for increasing dielectric anisotropy. Z3 and Z4 are a single bond, ethylene, vinylene, methyleneoxy, or carbonyloxy. Preferred Z3 or Z4 is a single bond for lowering the viscosity, ethylene for lowering the minimum temperature, and methyleneoxy for increasing the dielectric anisotropy.
aは、1、2、又は3である。好ましいaは粘度を下げるために1であり、上限温度を上げるために2又は3である。bは、1、2、3、又は4である。好ましいbは、誘電率異方性を上げるために2又は3である。cは、0、1、2、又は3であり、dは、0又は1であり、そしてc及びdの和は、3以下である。好ましいcは粘度を下げるために1であり、上限温度を上げるために2又は3である。好ましいdは粘度を下げるために0であり、下限温度を下げるために1である。 a is 1, 2, or 3; Preferably, a is 1 for lowering the viscosity, and 2 or 3 for raising the maximum temperature. b is 1, 2, 3, or 4; Desirable b is 2 or 3 in order to increase the dielectric anisotropy. c is 0, 1, 2, or 3, d is 0 or 1, and the sum of c and d is 3 or less. Preferably, c is 1 for lowering the viscosity, and 2 or 3 for raising the maximum temperature. Desirable d is 0 for lowering the viscosity and 1 for lowering the minimum temperature.
第五に、好ましい成分化合物を説明する。
好ましい化合物(1)は、上記化合物(1-1)から化合物(1-13)である。これらの化合物において、第一成分の少なくとも1つが、化合物(1-1)、化合物(1-3)、化合物(1-5)、化合物(1-6)、又は化合物(1-8)であることが好ましい。第一成分の少なくとも2つが、化合物(1-1)及び化合物(1-3)、化合物(1-1)及び化合物(1-5)、又は化合物(1-1)及び化合物(1-6)の組合せであることが好ましい。
Fifth, preferred component compounds are described.
Preferred compounds (1) are the above compounds (1-1) to (1-13). In these compounds, at least one of the first components is compound (1-1), compound (1-3), compound (1-5), compound (1-6), or compound (1-8) is preferred. at least two of the first components are compound (1-1) and compound (1-3), compound (1-1) and compound (1-5), or compound (1-1) and compound (1-6) is preferably a combination of
好ましい化合物(2)は、上記化合物(2-1)から化合物(2-35)である。これらの化合物において、第二成分の少なくとも1つが、化合物(2-4)、化合物(2-12)、化合物(2-14)、化合物(2-15)、化合物(2-17)、化合物(2-18)、化合物(2-23)、化合物(2-24)、化合物(2-27)、化合物(2-29)、又は化合物(2-30)であることが好ましい。第二成分の少なくとも2つが、化合物(2-12)及び化合物(2-15)、化合物(2-14)及び化合物(2-27)、化合物(2-18)及び化合物(2-24)、化合物(2-18)及び化合物(2-29)、化合物(2-24)及び化合物(2-29)、又は化合物(2-29)及び化合物(2-30)の組合せであることが好ましい。 Preferred compounds (2) are the above compounds (2-1) to (2-35). In these compounds, at least one of the second components is compound (2-4), compound (2-12), compound (2-14), compound (2-15), compound (2-17), compound ( 2-18), compound (2-23), compound (2-24), compound (2-27), compound (2-29), or compound (2-30). at least two of the second components are compound (2-12) and compound (2-15), compound (2-14) and compound (2-27), compound (2-18) and compound (2-24), A combination of compound (2-18) and compound (2-29), compound (2-24) and compound (2-29), or compound (2-29) and compound (2-30) is preferred.
好ましい化合物(3)は、上記化合物(3-1)から化合物(3-35)である。これらの化合物において、第三成分の少なくとも1つが、化合物(3-1)、化合物(3-3)、化合物(3-6)、化合物(3-8)、化合物(3-10)、化合物(3-14)、又は化合物(3-16)であることが好ましい。第三成分の少なくとも2つが、化合物(3-1)及び化合物(3-8)、化合物(3-1)及び化合物(3-14)、化合物(3-3)及び化合物(3-8)、化合物(3-3)及び化合物(3-14)、化合物(3-3)及び化合物(3-16)、化合物(3-6)及び化合物(3-8)、化合物(3-6)及び化合物(3-10)、化合物(3-6)及び化合物(3-16)、化合物(3-10)及び化合物(3-16)の組合せであることが好ましい。 Preferred compounds (3) are the above compounds (3-1) to (3-35). In these compounds, at least one of the third components is compound (3-1), compound (3-3), compound (3-6), compound (3-8), compound (3-10), compound ( 3-14), or compound (3-16). at least two of the third components are compound (3-1) and compound (3-8), compound (3-1) and compound (3-14), compound (3-3) and compound (3-8), compound (3-3) and compound (3-14), compound (3-3) and compound (3-16), compound (3-6) and compound (3-8), compound (3-6) and compound A combination of (3-10), compound (3-6) and compound (3-16), and compound (3-10) and compound (3-16) is preferred.
第六に、組成物に添加してもよい添加物を説明する。このような添加物は、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、消光剤、色素、消泡剤、重合性化合物、重合開始剤、重合禁止剤、極性化合物などである。液晶分子のらせん構造を誘起してねじれ角を与える目的で光学活性化合物が組成物に添加される。このような化合物の例は、化合物(4-1)から化合物(4-5)である。光学活性化合物の好ましい割合は約5質量%以下である。更に好ましい割合は約0.01質量%から約2質量%の範囲である。 Sixth, additives that may be added to the composition are described. Such additives include optically active compounds, antioxidants, ultraviolet absorbers, quenchers, dyes, antifoaming agents, polymerizable compounds, polymerization initiators, polymerization inhibitors, polar compounds, and the like. An optically active compound is added to the composition for the purpose of inducing a helical structure of liquid crystal molecules to give a twist angle. Examples of such compounds are compounds (4-1) to (4-5). A preferred proportion of the optically active compound is about 5 mass % or less. A more preferred proportion ranges from about 0.01% to about 2% by weight.
大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するために、又は素子を長時間使用したあと、室温だけではなく上限温度に近い温度でも大きな電圧保持率を維持するために、化合物(5-1)から化合物(5-3)のような酸化防止剤を組成物に更に添加してもよい。
In order to prevent a decrease in specific resistance due to heating in the atmosphere, or to maintain a large voltage holding ratio not only at room temperature but also at temperatures close to the upper limit temperature after using the device for a long time, the compound (5-1 ) to compound (5-3) may further be added to the composition.
化合物(5-2)は、揮発性が小さいので、素子を長時間使用したあと、室温だけではなく上限温度に近い温度でも大きな電圧保持率を維持するのに有効である。酸化防止剤の好ましい割合は、その効果を得るために約50ppm以上であり、上限温度を下げないように、又は下限温度を上げないように約600ppm以下である。更に好ましい割合は、約100ppmから約300ppmの範囲である。 Since compound (5-2) has low volatility, it is effective in maintaining a large voltage holding ratio not only at room temperature but also at temperatures close to the upper limit temperature after the device has been used for a long time. A preferable proportion of the antioxidant is about 50 ppm or more to obtain its effect, and about 600 ppm or less so as not to lower the upper limit temperature or raise the lower limit temperature. A more preferred percentage is in the range of about 100 ppm to about 300 ppm.
紫外線吸収剤の好ましい例は、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾエート誘導体、トリアゾール誘導体などである。立体障害のあるアミンのような光安定剤もまた好ましい。光安定剤の好ましい例は、化合物(6-1)から化合物(6-16)などである。これらの吸収剤や安定剤における好ましい割合は、その効果を得るために約50ppm以上であり、上限温度を下げないように、又は下限温度を上げないために約10000ppm以下である。更に好ましい割合は約100ppmから約10000ppmの範囲である。
Preferred examples of UV absorbers are benzophenone derivatives, benzoate derivatives, triazole derivatives and the like. Light stabilizers such as sterically hindered amines are also preferred. Preferred examples of light stabilizers include compounds (6-1) to (6-16). A preferable ratio of these absorbents and stabilizers is about 50 ppm or more to obtain the effect, and about 10000 ppm or less so as not to lower the upper limit temperature or raise the lower limit temperature. More preferred proportions range from about 100 ppm to about 10,000 ppm.
消光剤は、液晶化合物が吸収した光エネルギーを受容し、熱エネルギーに変換することにより、液晶化合物の分解を防止する化合物である。消光剤の好ましい例は、化合物(7-1)から化合物(7-7)などである。これらの消光剤における好ましい割合は、その効果を得るために約50ppm以上であり、下限温度を上げないために約20000ppm以下である。更に好ましい割合は約100ppmから約10000ppmの範囲である。
A quenching agent is a compound that receives light energy absorbed by a liquid crystal compound and converts it into heat energy, thereby preventing decomposition of the liquid crystal compound. Preferred examples of the quenching agent include compounds (7-1) to (7-7). A preferable ratio of these quenchers is about 50 ppm or more to obtain the effect, and about 20000 ppm or less so as not to raise the lower limit temperature. More preferred proportions range from about 100 ppm to about 10,000 ppm.
GH(guest host)モードの素子に適合させるために、アゾ系色素、アントラキノン系色素などのような二色性色素(dichroic dye)が組成物に添加される。色素の好ましい割合は、約0.01質量%から約10質量%の範囲である。泡立ちを防ぐために、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどの消泡剤が組成物に添加される。消泡剤の好ましい割合は、その効果を得るために約1ppm以上であり、表示不良を防ぐために約1000ppm以下である。更に好ましい割合は、約1ppmから約500ppmの範囲である。 Dichroic dyes such as azo dyes, anthraquinone dyes, etc. are added to the composition in order to match the GH (guest host) mode device. Preferred percentages of pigment range from about 0.01% to about 10% by weight. Antifoaming agents such as dimethylsilicone oil, methylphenylsilicone oil, etc. are added to the composition to prevent foaming. A preferable proportion of the antifoaming agent is about 1 ppm or more to obtain its effect, and about 1000 ppm or less to prevent display defects. More preferred percentages range from about 1 ppm to about 500 ppm.
高分子支持配向(PSA)型の素子に適合させるために重合性化合物が用いられるこのような重合性化合物の好ましい例は、アクリレート、メタクリレート、ビニル化合物、ビニルオキシ化合物、プロペニルエーテル、エポキシ化合物(オキシラン、オキセタン)、ビニルケトンなどの化合物である。更に好ましい例は、アクリレート又はメタクリレートの誘導体である。化合物(4)の好ましい割合は、重合性化合物の全質量に基づいて10質量%以上である。更に好ましい割合は、50質量%以上である。特に好ましい割合は、80質量%以上である。最も好ましい割合は、100質量%である。 Preferred examples of such polymerizable compounds that are used to accommodate polymer-supported alignment (PSA) type devices include acrylates, methacrylates, vinyl compounds, vinyloxy compounds, propenyl ethers, epoxy compounds (oxirane, oxetane) and vinyl ketones. Further preferred examples are derivatives of acrylates or methacrylates. A preferred proportion of compound (4) is 10% by mass or more based on the total mass of the polymerizable compound. A more preferable ratio is 50% by mass or more. A particularly preferable ratio is 80% by mass or more. The most preferred proportion is 100% by mass.
重合性化合物は紫外線照射により重合する。光重合開始剤などの適切な開始剤存在下で重合させてもよい。重合のための適切な条件、開始剤の適切なタイプ、及び適切な量は、当業者には既知であり、文献に記載されている。例えば光開始剤であるIrgacure651(登録商標、BASF製)、Irgacure184(登録商標、BASF製)、又はDarocur1173(登録商標、BASF製)がラジカル重合に対して適切である。光重合開始剤の好ましい割合は、重合性化合物の全質量に基づいて約0.1質量%から約5質量%の範囲である。更に好ましい割合は約1質量%から約3質量%の範囲である。 The polymerizable compound is polymerized by UV irradiation. Polymerization may be carried out in the presence of a suitable initiator such as a photoinitiator. Suitable conditions for polymerization, suitable types of initiators, and suitable amounts are known to those skilled in the art and described in the literature. For example, the photoinitiators Irgacure 651 (registered trademark from BASF), Irgacure 184 (registered trademark from BASF) or Darocur 1173 (registered trademark from BASF) are suitable for radical polymerization. A preferred proportion of photoinitiator ranges from about 0.1% to about 5% by weight based on the total weight of the polymerizable compound. A more preferred proportion ranges from about 1% to about 3% by weight.
重合性化合物を保管するとき、重合を防止するために重合禁止剤を添加してもよい。重合性化合物は、通常は重合禁止剤を除去しないまま組成物に添加される。重合禁止剤の例は、ヒドロキノン、メチルヒドロキノンのようなヒドロキノン誘導体、4-t-ブチルカテコール、4-メトキシフェノール、フェノチアジンなどである。 A polymerization inhibitor may be added to prevent polymerization during storage of the polymerizable compound. The polymerizable compound is usually added to the composition without removing the polymerization inhibitor. Examples of polymerization inhibitors are hydroquinone, hydroquinone derivatives such as methylhydroquinone, 4-t-butylcatechol, 4-methoxyphenol, phenothiazine and the like.
極性化合物は、極性をもつ有機化合物である。ここでは、イオン結合を有する化合物は含まれない。酸素、硫黄、及び窒素のような原子は、より電気的に陰性であり、部分的な負電荷をもつ傾向にある。炭素及び水素は中性であるか、又は部分的な正電荷をもつ傾向がある。極性は、化合物中の別種の原子間で部分電荷が均等に分布しないことから生じる。例えば、極性化合物は、-OH、-COOH、-SH、-NH2、>NH、>N-のような部分構造の少なくとも1つを有する。 A polar compound is an organic compound that has polarity. Compounds with ionic bonds are not included here. Atoms such as oxygen, sulfur, and nitrogen are more electronegative and tend to have a partial negative charge. Carbon and hydrogen tend to be neutral or have a partial positive charge. Polarity results from the uneven distribution of partial charges between different atoms in a compound. For example, a polar compound has at least one substructure such as —OH, —COOH, —SH, —NH 2 , >NH, >N—.
第七に、成分化合物の合成法を説明する。これらの化合物は既知の方法によって合成できる。合成法を例示する。化合物(1-1)は、特開昭59-176221号公報に記載された方法で合成する。化合物(2-4)は、特開平10-204016に記載された方法で合成する。化合物(3-1)は、特開2000-053602号公報に記載された方法で合成する。酸化防止剤は市販されている。化合物(5-1)は、アルドリッチ(Sigma-Aldrich Corporation)から入手できる。化合物(5-2)などは、米国特許3660505号明細書に記載された方法によって合成する。 Seventh, the method for synthesizing the component compounds will be explained. These compounds can be synthesized by known methods. Exemplify synthetic methods. Compound (1-1) is synthesized by the method described in JP-A-59-176221. Compound (2-4) is synthesized by the method described in JP-A-10-204016. Compound (3-1) is synthesized by the method described in JP-A-2000-053602. Antioxidants are commercially available. Compound (5-1) is available from Aldrich (Sigma-Aldrich Corporation). Compound (5-2) and the like are synthesized by the method described in US Pat. No. 3,660,505.
合成法を記載しなかった化合物は、オーガニック・シンセシス(Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc.)、オーガニック・リアクションズ(Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc)、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス(Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press)、新実験化学講座(丸善)などの成書に記載された方法によって合成できる。組成物は、このようにして得た化合物から公知の方法によって調製される。例えば、成分化合物を混合し、そして加熱によって互いに溶解させる。 Compounds for which the synthesis method is not described are Organic Syntheses (John Wiley & Sons, Inc.), Organic Reactions (John Wiley & Sons, Inc.), Comprehensive Organic Synthesis (John Wiley & Sons, Inc.). Organic Synthesis, Pergamon Press) and Shin Jikken Kagaku Koza (Maruzen). Compositions are prepared by known methods from the compounds thus obtained. For example, the component compounds are mixed and dissolved together by heating.
最後に、組成物の用途を説明する。この組成物は主として、約-10℃以下の下限温度、約70℃以上の上限温度、そして約0.07から約0.20の範囲の光学異方性を有する。成分化合物の割合を制御することによって、またはその他の液晶性化合物を混合することによって、約0.08から約0.25の範囲の光学異方性を有する組成物を調製してもよい。試行錯誤によって、約0.10から約0.30の範囲の光学異方性を有する組成物を調製してもよい。この組成物を含有する素子は大きな電圧保持率を有する。この組成物はAM素子に適する。この組成物は透過型のAM素子に特に適する。この組成物は、ネマチック相を有する組成物としての使用、光学活性化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用が可能である。 Finally, the use of the composition will be explained. This composition mainly has a lower temperature limit of about -10°C or less, an upper temperature limit of about 70°C or more, and an optical anisotropy in the range of about 0.07 to about 0.20. A composition having an optical anisotropy in the range of about 0.08 to about 0.25 may be prepared by controlling the proportions of the component compounds or by mixing other liquid crystalline compounds. Compositions having optical anisotropy in the range of about 0.10 to about 0.30 may be prepared by trial and error. A device containing this composition has a large voltage holding ratio. This composition is suitable for AM devices. This composition is particularly suitable for transmissive AM devices. This composition can be used as a composition having a nematic phase, and can be used as an optically active composition by adding an optically active compound.
この組成物はAM素子への使用が可能である。さらにPM素子への使用も可能である。この組成物は、PC、TN、STN、ECB、OCB、IPS、FFS、VA、FPAなどのモードを有するAM素子およびPM素子への使用が可能である。TN、OCB、IPSモードまたはFFSモードを有するAM素子への使用は特に好ましい。IPSモードまたはFFSモードを有するAM素子において、電圧が無印加のとき、液晶分子の配列がガラス基板に対して並行であってもよく、または垂直であってもよい。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。透過型の素子への使用は好ましい。非結晶シリコン-TFT素子または多結晶シリコン-TFT素子への使用も可能である。この組成物をマイクロカプセル化して作製したNCAP(nematic curvilinear aligned phase)型の素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたPD(polymer dispersed)型の素子にも使用できる。 This composition can be used for AM devices. Furthermore, it can also be used for PM elements. This composition can be used for AM and PM devices with modes such as PC, TN, STN, ECB, OCB, IPS, FFS, VA, FPA. The use in AM devices with TN, OCB, IPS mode or FFS mode is particularly preferred. In an AM device having an IPS mode or FFS mode, the alignment of liquid crystal molecules may be parallel or perpendicular to the glass substrate when no voltage is applied. These elements may be reflective, transmissive or transflective. Use in transmissive devices is preferred. Use with amorphous silicon-TFT devices or polycrystalline silicon-TFT devices is also possible. NCAP (nematic curvilinear aligned phase) type devices produced by microencapsulating this composition, and PD (polymer dispersion) type devices in which a three-dimensional network polymer is formed in the composition can also be used.
(調製例)
次に、本発明の液晶組成物の調製例について説明する。なお、液晶組成物は、以下の調製例に限定されるものではない。合成した化合物は、NMR分析などの方法により同定した。化合物、組成物、及び素子の特性は、下記に記載した方法により測定した。
(Preparation example)
Next, preparation examples of the liquid crystal composition of the present invention will be described. In addition, the liquid crystal composition is not limited to the following preparation examples. The synthesized compounds were identified by methods such as NMR analysis. Properties of compounds, compositions, and devices were measured by the methods described below.
NMR分析:測定には、ブルカーバイオスピン社製のDRX-500を用いた。1H-NMRの測定では、試料をCDCl3などの重水素化溶媒に溶解させ、測定は、室温で、500MHz、積算回数16回の条件で行った。テトラメチルシランを内部標準として用いた。19F-NMRの測定では、CFCl3を内部標準として用い、積算回数24回で行った。核磁気共鳴スペクトルの説明において、sはシングレット、dはダブレット、tはトリプレット、qはカルテット、quinはクインテット、sexはセクステット、mはマルチプレット、brはブロードであることを意味する。 NMR analysis: DRX-500 manufactured by Bruker Biospin was used for the measurement. In the 1 H-NMR measurement, the sample was dissolved in a deuterated solvent such as CDCl 3 and the measurement was performed at room temperature at 500 MHz with 16 integration times. Tetramethylsilane was used as an internal standard. In the 19 F-NMR measurement, CFCl 3 was used as an internal standard, and 24 integration times were performed. In the description of nuclear magnetic resonance spectra, s means singlet, d doublet, t triplet, q quartet, quin quintet, sex sextet, m multiplet, and br broad.
ガスクロマト分析:測定には島津製作所製のGC-14B型ガスクロマトグラフを用いた。キャリアーガスはヘリウム(2mL/分)である。試料気化室を280℃に、検出器(FID)を300℃に設定した。成分化合物の分離には、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムDB-1(長さ30m、内径0.32mm、膜厚0.25μm;固定液相はジメチルポリシロキサン;無極性)を用いた。このカラムは、200℃で2分間保持したあと、5℃/分の割合で280℃まで昇温した。試料はアセトン溶液(0.1質量%)に調製したあと、その1μLを試料気化室に注入した。記録計は島津製作所製のC-R5A型Chromatopac、又はその同等品である。得られたガスクロマトグラムは、成分化合物に対応するピークの保持時間及びピークの面積を示した。 Gas chromatographic analysis: A GC-14B type gas chromatograph manufactured by Shimadzu Corporation was used for the measurement. Carrier gas is helium (2 mL/min). The sample vaporization chamber was set at 280°C and the detector (FID) at 300°C. A capillary column DB-1 manufactured by Agilent Technologies Inc. (length 30 m, inner diameter 0.32 mm, film thickness 0.25 μm; stationary liquid phase is dimethylpolysiloxane; nonpolar) was used for separation of component compounds. The column was held at 200°C for 2 minutes and then heated to 280°C at a rate of 5°C/min. After the sample was prepared in an acetone solution (0.1% by mass), 1 μL of the solution was injected into the sample vaporization chamber. The recorder is C-R5A type Chromatopac manufactured by Shimadzu Corporation or its equivalent. The resulting gas chromatogram showed the peak retention times and peak areas corresponding to the component compounds.
試料を希釈するための溶媒は、クロロホルム、ヘキサンなどを用いてもよい。成分化合物を分離するために、次のキャピラリカラムを用いてもよい。Agilent Technologies Inc.製のHP-1(長さ30m、内径0.32mm、膜厚0.25μm)、Restek Corporation製のRtx-1(長さ30m、内径0.32mm、膜厚0.25μm)、SGE International Pty. Ltd.製のBP-1(長さ30m、内径0.32mm、膜厚0.25μm)。化合物ピークの重なりを防ぐ目的で島津製作所製のキャピラリカラムCBP1-M50-025(長さ50m、内径0.25mm、膜厚0.25μm)を用いてもよい。 Chloroform, hexane, or the like may be used as a solvent for diluting the sample. The following capillary columns may be used to separate the component compounds. HP-1 manufactured by Agilent Technologies Inc. (length 30 m, inner diameter 0.32 mm, film thickness 0.25 μm), Rtx-1 manufactured by Restek Corporation (length 30 m, inner diameter 0.32 mm, film thickness 0.25 μm), BP-1 manufactured by SGE International Pty. Ltd. (length 30 m, inner diameter 0.32 mm, film thickness 0.25 μm). For the purpose of preventing overlapping of compound peaks, a capillary column CBP1-M50-025 (length 50 m, inner diameter 0.25 mm, film thickness 0.25 μm) manufactured by Shimadzu Corporation may be used.
組成物に含有される液晶性化合物の割合は、次のような方法で算出してよい。液晶性化合物の混合物をガスクロマトグラフィー(FID)で分析する。ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は液晶性化合物の割合に相当する。上に記載したキャピラリカラムを用いたときは、各々の液晶性化合物の補正係数を1とみなしてよい。したがって、液晶性化合物の割合(質量%)は、ピークの面積比から算出することができる。 The ratio of the liquid crystalline compound contained in the composition may be calculated by the following method. A mixture of liquid crystalline compounds is analyzed by gas chromatography (FID). The peak area ratio in the gas chromatogram corresponds to the ratio of the liquid crystalline compound. When using the capillary column described above, the correction factor for each liquid crystalline compound may be considered to be 1. Therefore, the proportion (% by mass) of the liquid crystalline compound can be calculated from the peak area ratio.
測定試料:組成物又は素子の特性を測定するときは、組成物をそのまま試料として用いた。化合物の特性を測定するときは、この化合物(15質量%)を母液晶(85質量%)に混合することによって測定用の試料を調製した。測定によって得られた値から外挿法によって化合物の特性値を算出した。(外挿値)={(試料の測定値)-0.85×(母液晶の測定値)}/0.15。この割合でスメクチック相(又は結晶)が25℃で析出するときは、化合物と母液晶の割合を10質量%:90質量%、5質量%:95質量%、1質量%:99質量%の順に変更した。この外挿法によって化合物に関する上限温度、光学異方性、粘度、及び誘電率異方性の値を求めた。 Measurement sample: When measuring the properties of the composition or device, the composition was used as a sample as it was. When measuring the properties of the compound, a sample for measurement was prepared by mixing this compound (15% by mass) with mother liquid crystals (85% by mass). The characteristic value of the compound was calculated by extrapolation from the value obtained by the measurement. (Extrapolated value)={(measured value of sample)−0.85×(measured value of mother liquid crystal)}/0.15. When the smectic phase (or crystal) precipitates at 25°C in this ratio, the ratio of the compound to the mother liquid crystal is 10% by mass: 90% by mass, 5% by mass: 95% by mass, and 1% by mass: 99% by mass in this order. changed. By this extrapolation method, the maximum temperature, optical anisotropy, viscosity, and dielectric anisotropy values for the compound were obtained.
下記の母液晶を用いた。成分化合物の割合は重量%で示した。
The following mother liquid crystals were used. The proportions of component compounds are shown in weight %.
測定方法:特性の測定は下記の方法で行った。これらの多くは、一般社団法人電子情報技術産業協会(Japan Electronics and Information Technology Industries Association;JEITAという)で審議制定されるJEITA規格(JEITA・ED-2521B)に記載された方法、又はこれを修飾した方法であった。測定に用いたTN素子には、薄膜トランジスター(TFT)を取り付けなかった。 Measurement method: Properties were measured by the following methods. Many of these are methods described in the JEITA standard (JEITA ED-2521B) deliberated and established by the Japan Electronics and Information Technology Industries Association (JEITA), or modified methods was the method. A thin film transistor (TFT) was not attached to the TN device used for the measurement.
正の誘電率異方性を有する液晶組成物においては、以下に記載する(1)から(15)の測定方法を用いた。 For the liquid crystal composition having positive dielectric anisotropy, the measurement methods (1) to (15) described below were used.
(1)ネマチック相の上限温度(NI;℃):偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、1℃/分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。 (1) Upper limit temperature of nematic phase (NI; °C): A sample was placed on a hot plate of a melting point measuring apparatus equipped with a polarizing microscope and heated at a rate of 1 °C/min. The temperature was measured when part of the sample changed from the nematic phase to the isotropic liquid. The upper limit temperature of the nematic phase is sometimes abbreviated as "upper limit temperature".
(2)ネマチック相の下限温度(TC;℃):ネマチック相を有する試料をガラス瓶に入れ、0℃、-10℃、-20℃、-30℃、及び-40℃のフリーザー中に10日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が-20℃ではネマチック相のままであり、-30℃では結晶又はスメクチック相に変化したとき、TCを<-20℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。 (2) Minimum temperature of nematic phase (T C ; °C): A sample having a nematic phase was placed in a glass bottle and placed in a freezer at 0°C, -10°C, -20°C, -30°C, and -40°C for 10 days. After storage, the liquid crystal phase was observed. For example, when a sample remained in a nematic phase at -20°C and changed to a crystalline or smectic phase at -30°C, the T C was described as < -20°C. The lower limit temperature of the nematic phase is sometimes abbreviated as "lower limit temperature".
(3)粘度(バルク粘度;η;20℃で測定;mPa・s):測定には東京計器株式会社製のE型回転粘度計を用いた。 (3) Viscosity (bulk viscosity; η; measured at 20° C.; mPa·s): An E-type rotational viscometer manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd. was used for measurement.
(4)粘度(回転粘度;γ1;25℃で測定;mPa・s):測定は、M. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995)に記載された方法に従った。ツイスト角が0度であり、そして2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)が5μmであるTN素子に試料を入れた。この素子に16Vから19.5Vの範囲で0.5V毎に段階的に印加した。0.2秒の無印加のあと、ただ1つの矩形波(矩形パルス;0.2秒)と無印加(2秒)の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流(transient current)のピーク電流(peak current)とピーク時間(peak time)を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文中の40頁に記載の計算式(10)とから回転粘度の値を得た。この計算で必要な誘電率異方性の値は、この回転粘度を測定した素子を用い、下に記載した方法で求めた。
(4) Viscosity (rotational viscosity; γ1; measured at 25°C; mPa s): Measurement is performed according to the method described in M. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995). obeyed. A sample was placed in a TN device in which the twist angle was 0 degree and the interval (cell gap) between the two glass substrates was 5 μm. A voltage of 16 V to 19.5 V was applied to the device in steps of 0.5 V. After 0.2 seconds of no application, application was repeated under the conditions of only one rectangular wave (rectangular pulse; 0.2 seconds) and no application (2 seconds). The peak current and peak time of the transient current generated by this application were measured. Rotational viscosity values were obtained from these measurements and equation (10) given on
(5)光学異方性(屈折率異方性;Δn;25℃で測定):測定は、波長589nmの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行った。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率n∥は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率n⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δn=n∥-n⊥、の式から計算した。 (5) Optical anisotropy (refractive index anisotropy; Δn; measured at 25° C.): Measurement was performed with an Abbe refractometer equipped with a polarizing plate attached to an eyepiece using light with a wavelength of 589 nm. After rubbing the surface of the main prism in one direction, the sample was dropped onto the main prism. The refractive index n∥ was measured when the direction of polarization was parallel to the rubbing direction. The refractive index n⊥ was measured when the polarization direction was perpendicular to the rubbing direction. The value of optical anisotropy was calculated from the formula Δn=n∥−n⊥.
(6)誘電率異方性(Δε;25℃で測定):2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)が9μmであり、そしてツイスト角が80度であるTN素子に試料を入れた。この素子にサイン波(10V、1kHz)を印加し、2秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率(ε∥)を測定した。この素子にサイン波(0.5V、1kHz)を印加し、2秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率(ε⊥)を測定した。誘電率異方性の値は、Δε=ε∥-ε⊥、の式から計算した。 (6) Dielectric anisotropy (Δε; measured at 25° C.): A sample was placed in a TN device in which the distance (cell gap) between two glass substrates was 9 μm and the twist angle was 80 degrees. A sine wave (10 V, 1 kHz) was applied to this device, and after 2 seconds the permittivity (ε∥) in the longitudinal direction of the liquid crystal molecules was measured. A sine wave (0.5 V, 1 kHz) was applied to this device, and after 2 seconds the permittivity (ε⊥) in the minor axis direction of the liquid crystal molecules was measured. The value of dielectric anisotropy was calculated from the formula Δε=ε∥−ε⊥.
(7)しきい値電圧(Vth;25℃で測定;V):測定には大塚電子株式会社製のLCD5100型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)が0.45/Δn(μm)であり、ツイスト角が80度であるノーマリーホワイトモード(normally white mode)のTN素子に試料を入れた。この素子に印加する電圧(32Hz、矩形波)は0Vから10Vまで0.02Vずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率100%であり、この光量が最小であったときが透過率0%である電圧-透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が90%になったときの電圧で表した。 (7) Threshold voltage (Vth; measured at 25° C.; V): A luminance meter LCD5100 manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd. was used for the measurement. The light source was a halogen lamp. A sample was placed in a normally white mode TN device in which the distance (cell gap) between the two glass substrates was 0.45/Δn (μm) and the twist angle was 80 degrees. The voltage (32 Hz, square wave) applied to this device was increased stepwise from 0 V to 10 V by 0.02 V. At this time, the device was irradiated with light from a vertical direction, and the amount of light transmitted through the device was measured. A voltage-transmittance curve was prepared in which the transmittance was 100% when the amount of light was maximum and the transmittance was 0% when the amount of light was minimum. The threshold voltage was expressed as the voltage when the transmittance reached 90%.
(8)電圧保持率(VHR-1;25℃で測定;%):測定に用いたTN素子はポリイミド配向膜を有し、そして2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)は5μmであった。この素子は試料を入れたあと紫外線で硬化する接着剤で密閉した。このTN素子にパルス電圧(1Vで60マイクロ秒)を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で166.7ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Aを求めた。面積Bは減衰しなかったときの面積であった。電圧保持率は面積Bに対する面積Aの百分率で表した。 (8) Voltage holding ratio (VHR-1; measured at 25° C.; %): The TN device used for measurement had a polyimide alignment film, and the distance between the two glass substrates (cell gap) was 5 μm. . The device was sealed with a UV curable adhesive after the sample was placed. This TN device was charged by applying a pulse voltage (1 V for 60 microseconds). The decaying voltage was measured with a high-speed voltmeter for 166.7 milliseconds, and the area A between the voltage curve and the horizontal axis in a unit period was obtained. Area B was the area when there was no attenuation. The voltage holding ratio was expressed as a percentage of area A with respect to area B.
(9)電圧保持率(VHR-2;60℃で測定;%):25℃の代わりに、60℃で測定した以外は、上記(8)と同じ手順で電圧保持率を測定した。得られた値をVHR-2で表した。 (9) Voltage holding rate (VHR-2; measured at 60°C; %): The voltage holding rate was measured in the same procedure as in (8) above, except that the measurement was made at 60°C instead of 25°C. The obtained value was expressed as VHR-2.
(10)電圧保持率(VHR-3;60℃で測定;%):紫外線を照射したあと、電圧保持率を測定し、紫外線に対する安定性を評価した。測定に用いたTN素子はポリイミド配向膜を有し、そしてセルギャップは5μmであった。この素子に試料を注入し、5mW/cm2の紫外線を167分間照射した。光源はアイグラフィックス株式会社製ブラックライト、F40T10/BL(ピーク波長369nm)であり、素子と光源の間隔は5mmであった。VHR-3の測定では、166.7ミリ秒のあいだ、減衰する電圧を測定した。大きなVHR-3を有する組成物は紫外線に対して大きな安定性を有する。 (10) Voltage holding ratio (VHR-3; measured at 60° C.; %): After irradiation with ultraviolet rays, the voltage holding ratio was measured to evaluate the stability against ultraviolet rays. The TN device used for measurement had a polyimide alignment film and a cell gap of 5 μm. A sample was injected into this device and irradiated with ultraviolet rays of 5 mW/cm 2 for 167 minutes. The light source was a black light F40T10/BL (peak wavelength 369 nm) manufactured by Eye Graphics Co., Ltd., and the distance between the element and the light source was 5 mm. The VHR-3 measurement measured the decaying voltage over a period of 166.7 milliseconds. A composition with a large VHR-3 has a large UV stability.
(11)電圧保持率(VHR-4;60℃で測定;%):試料を注入したTN素子を120℃の恒温槽内で20時間加熱したあと、電圧保持率を測定し、熱に対する安定性を評価した。VHR-4の測定では、166.7ミリ秒のあいだ減衰する電圧を測定した。大きなVHR-4を有する組成物は熱に対して大きな安定性を有する。 (11) Voltage holding rate (VHR-4; measured at 60°C; %): After heating the TN element into which the sample was injected in a constant temperature chamber at 120°C for 20 hours, the voltage holding rate was measured and the stability against heat was measured. evaluated. The VHR-4 measurement measured the voltage decaying over 166.7 milliseconds. Compositions with large VHR-4 have greater thermal stability.
(12)応答時間(τ;25℃で測定;ms):測定には大塚電子株式会社製のLCD5100型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。ローパス・フィルター(Low-pass filter)は5kHzに設定した。本発明の素子に試料を入れた。電圧(32Hz、矩形波)を0Vから10Vまで0.02Vずつ段階的に増加させながら、この素子に印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときの透過率を100%としたとき、透過率が90%になったときの電圧をV90とした。この素子に矩形波(60Hz、V90V、0.5秒)を印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率100%であり、この光量が最小であったときが透過率0%であるとみなした。立ち上がり時間(τr:rise time;ミリ秒)は、透過率が10%から90%に変化するのに要した時間である。立ち下がり時間(τf:fall time;ミリ秒)は、透過率が90%から10%に変化するのに要した時間である。応答時間は、このようにして求めた立ち上がり時間と立ち下がり時間との和で表した。 (12) Response time (τ; measured at 25° C.; ms): A luminance meter LCD5100 manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd. was used for the measurement. The light source was a halogen lamp. A Low-pass filter was set at 5 kHz. A sample was placed in the element of the present invention. A voltage (32 Hz, rectangular wave) was applied to the device while increasing stepwise from 0 V to 10 V by 0.02 V. At this time, the device was irradiated with light from a vertical direction, and the amount of light transmitted through the device was measured. Assuming that the transmittance at the maximum amount of light was 100%, the voltage at which the transmittance reached 90 % was defined as V90. A square wave (60 Hz, V 90 V, 0.5 seconds) was applied to this device. At this time, the device was irradiated with light from a vertical direction, and the amount of light transmitted through the device was measured. It was considered that the transmittance was 100% when the amount of light was maximum, and the transmittance was 0% when the amount of light was minimum. Rise time (τr: rise time; milliseconds) is the time required for the transmittance to change from 10% to 90%. The fall time (τf: millisecond) is the time required for the transmittance to change from 90% to 10%. The response time was expressed as the sum of the rise time and fall time obtained in this manner.
(13)弾性定数(K;25℃で測定;pN):測定には横河・ヒューレットパッカード株式会社製のHP4284A型LCRメータを用いた。2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)が20μmである水平配向素子に試料を入れた。この素子に0ボルトから20ボルト電荷を印加し、静電容量及び印加電圧を測定した。測定した静電容量(C)と印加電圧(V)の値を「液晶デバイスハンドブック」(日刊工業新聞社)、75頁にある式(2.98)、式(2.101)を用いてフィッティングし、式(2.99)からK11及びK33の値を得た。次に同171頁にある式(3.18)に、先ほど求めたK11及びK33の値を用いてK22を算出した。弾性定数は、このようにして求めたK11、K22、及びK33の平均値で表した。
(13) Elastic constant (K; measured at 25° C.; pN): HP4284A LCR meter manufactured by Yokogawa-Hewlett-Packard Co., Ltd. was used for measurement. A sample was placed in a horizontally aligned element in which the interval (cell gap) between two glass substrates was 20 μm. A charge of 0 to 20 volts was applied to this device, and the capacitance and applied voltage were measured. The values of the measured capacitance (C) and applied voltage (V) are fitted using equations (2.98) and (2.101) on
(14)比抵抗(ρ;25℃で測定;Ωcm):電極を備えた容器に試料1.0mLを注入した。この容器に直流電圧(10V)を印加し、10秒後の直流電流を測定した。比抵抗は次の式から算出した。(比抵抗)={(電圧)×(容器の電気容量)}/{(直流電流)×(真空の誘電率)}。 (14) Specific resistance (.rho.; measured at 25.degree. C.; .OMEGA.cm): 1.0 mL of a sample was poured into a container equipped with electrodes. A DC voltage (10 V) was applied to this container, and the DC current was measured after 10 seconds. The specific resistance was calculated from the following formula. (Specific resistance)={(Voltage)×(Electric capacity of container)}/{(DC current)×(Vacuum permittivity)}.
(15)短軸方向における誘電率(ε⊥;25℃で測定):2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)が9μmであり、そしてツイスト角が80度であるTN素子に試料を入れた。この素子にサイン波(0.5V、1kHz)を印加し、2秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率(ε⊥)を測定した。 (15) Dielectric constant in the minor axis direction (ε⊥; measured at 25°C): A sample was placed in a TN device in which the distance (cell gap) between two glass substrates was 9 µm and the twist angle was 80 degrees. . A sine wave (0.5 V, 1 kHz) was applied to this device, and after 2 seconds the permittivity (ε⊥) in the minor axis direction of the liquid crystal molecules was measured.
負の誘電率異方性を有する液晶組成物においては、以下に記載する(16)から(28)の測定方法を用いた。 For the liquid crystal composition having negative dielectric anisotropy, the measurement methods (16) to (28) described below were used.
(16)ネマチック相の上限温度(NI;℃):偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、1℃/分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。 (16) Upper limit temperature of nematic phase (NI; °C): A sample was placed on a hot plate of a melting point measuring apparatus equipped with a polarizing microscope and heated at a rate of 1 °C/min. The temperature was measured when part of the sample changed from the nematic phase to the isotropic liquid. The upper limit temperature of the nematic phase is sometimes abbreviated as "upper limit temperature".
(17)ネマチック相の下限温度(TC;℃):ネマチック相を有する試料をガラス瓶に入れ、0℃、-10℃、-20℃、-30℃、及び-40℃のフリーザー中に10日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が-20℃ではネマチック相のままであり、-30℃では結晶又はスメクチック相に変化したとき、TCを<-20℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。 (17) Minimum temperature of nematic phase ( TC ; °C): A sample having a nematic phase was placed in a glass bottle and placed in a freezer at 0°C, -10°C, -20°C, -30°C, and -40°C for 10 days. After storage, the liquid crystal phase was observed. For example, when a sample remained in a nematic phase at -20°C and changed to a crystalline or smectic phase at -30°C, the T C was described as < -20°C. The lower limit temperature of the nematic phase is sometimes abbreviated as "lower limit temperature".
(18)粘度(バルク粘度;η;20℃で測定;mPa・s):測定には東京計器株式会社製のE型回転粘度計を用いた。 (18) Viscosity (bulk viscosity; η; measured at 20° C.; mPa·s): E-type rotational viscometer manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd. was used for measurement.
(19)粘度(回転粘度;γ1;25℃で測定;mPa・s):測定には、株式会社東陽テクニカの回転粘性率測定システムLCM-2型を用いた。2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)が10μmのVA素子に試料を注入した。この素子に矩形波(55V、1ms)を印加した。この印加によって発生した過渡電流(transient current)のピーク電流(peak current)とピーク時間(peak time)を測定した。これらの測定値及び誘電率異方性を用いて、回転粘度の値を得た。誘電率異方性は、測定(6)に記載された方法で測定した。 (19) Viscosity (rotational viscosity; γ1; measured at 25° C.; mPa·s): For measurement, a rotational viscosity measurement system LCM-2 manufactured by Toyo Technica Co., Ltd. was used. A sample was injected into a VA device in which the interval (cell gap) between two glass substrates was 10 μm. A rectangular wave (55 V, 1 ms) was applied to this device. The peak current and peak time of the transient current generated by this application were measured. Using these measurements and the dielectric anisotropy, rotational viscosity values were obtained. Dielectric anisotropy was measured by the method described in measurement (6).
(20)光学異方性(屈折率異方性;Δn;25℃で測定):測定は、波長589nmの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行った。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率n∥は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率n⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δn=n∥-n⊥、の式から計算した。 (20) Optical anisotropy (refractive index anisotropy; Δn; measured at 25° C.): Measurement was performed using light of a wavelength of 589 nm with an Abbe refractometer having a polarizing plate attached to an eyepiece. After rubbing the surface of the main prism in one direction, the sample was dropped onto the main prism. The refractive index n∥ was measured when the direction of polarization was parallel to the rubbing direction. The refractive index n⊥ was measured when the polarization direction was perpendicular to the rubbing direction. The value of optical anisotropy was calculated from the formula Δn=n∥−n⊥.
(21)誘電率異方性(Δε;25℃で測定):誘電率異方性の値は、Δε=ε∥-ε⊥、の式から計算した。誘電率(ε∥及びε⊥)は次のように測定した。
1)誘電率(ε∥)の測定:よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン(0.16mL)のエタノール(20mL)溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、150℃で1時間加熱した。2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)が4μmであるVA素子に試料を入れ、この素子を紫外線で硬化する接着剤で密閉した。この素子にサイン波(0.5V、1kHz)を印加し、2秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率(ε∥)を測定した。
2)誘電率(ε⊥)の測定:よく洗浄したガラス基板にポリイミド溶液を塗布した。このガラス基板を焼成した後、得られた配向膜にラビング処理をした。2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)が9μmであり、ツイスト角が80度であるTN素子に試料を入れた。この素子にサイン波(0.5V、1kHz)を印加し、2秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率(ε⊥)を測定した。
(21) Dielectric anisotropy (Δε; measured at 25° C.): The value of dielectric anisotropy was calculated from the formula Δε=ε∥−ε⊥. Dielectric constants (ε∥ and ε⊥) were measured as follows.
1) Measurement of dielectric constant (ε∥): A solution of octadecyltriethoxysilane (0.16 mL) in ethanol (20 mL) was applied to a well-cleaned glass substrate. After rotating the glass substrate with a spinner, it was heated at 150° C. for 1 hour. A sample was placed in a VA device in which the interval (cell gap) between two glass substrates was 4 μm, and this device was sealed with an ultraviolet curable adhesive. A sine wave (0.5 V, 1 kHz) was applied to this device, and after 2 seconds the permittivity (ε∥) in the longitudinal direction of the liquid crystal molecules was measured.
2) Measurement of dielectric constant (ε⊥): A well-cleaned glass substrate was coated with a polyimide solution. After baking this glass substrate, the resulting alignment film was subjected to a rubbing treatment. A sample was placed in a TN device in which the distance (cell gap) between the two glass substrates was 9 μm and the twist angle was 80 degrees. A sine wave (0.5 V, 1 kHz) was applied to this device, and after 2 seconds the permittivity (ε⊥) in the minor axis direction of the liquid crystal molecules was measured.
(22)しきい値電圧(Vth;25℃で測定;V):測定には大塚電子株式会社製のLCD5100型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)が4μmであり、ラビング方向がアンチパラレルであるノーマリーブラックモード(normally black mode)のVA素子に試料を入れ、この素子を紫外線で硬化する接着剤を用いて密閉した。この素子に印加する電圧(60Hz、矩形波)は0Vから20Vまで0.02Vずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率100%であり、この光量が最小であったときが透過率0%である電圧-透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が10%になったときの電圧で表した。 (22) Threshold voltage (Vth; measured at 25° C.; V): A luminance meter LCD5100 manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd. was used for the measurement. The light source was a halogen lamp. A sample is placed in a normally black mode VA element in which the distance (cell gap) between two glass substrates is 4 μm and the rubbing direction is anti-parallel, and an adhesive that cures this element with ultraviolet light is applied. It was sealed using The voltage (60 Hz, rectangular wave) applied to this device was increased stepwise from 0 V to 20 V by 0.02 V. At this time, the device was irradiated with light from a vertical direction, and the amount of light transmitted through the device was measured. A voltage-transmittance curve was prepared in which the transmittance was 100% when the amount of light was maximum and the transmittance was 0% when the amount of light was minimum. The threshold voltage was expressed as the voltage when the transmittance reached 10%.
(23)電圧保持率(VHR-9;25℃で測定;%):測定に用いたTN素子はポリイミド配向膜を有し、そして2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)は5μmであった。この素子は試料を入れたあと紫外線で硬化する接着剤で密閉した。このTN素子にパルス電圧(1Vで60マイクロ秒)を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で166.7ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Aを求めた。面積Bは減衰しなかったときの面積であった。電圧保持率は面積Bに対する面積Aの百分率で表した。 (23) Voltage holding ratio (VHR-9; measured at 25°C; %): The TN device used for measurement had a polyimide alignment film, and the distance (cell gap) between the two glass substrates was 5 µm. . The device was sealed with a UV curable adhesive after the sample was placed. This TN device was charged by applying a pulse voltage (1 V for 60 microseconds). The decaying voltage was measured with a high-speed voltmeter for 166.7 milliseconds, and the area A between the voltage curve and the horizontal axis in a unit period was obtained. Area B was the area when there was no attenuation. The voltage holding ratio was expressed as a percentage of area A with respect to area B.
(24)電圧保持率(VHR-10;60℃で測定;%):25℃の代わりに、60℃で測定した以外は、上記(23)と同じ手順で電圧保持率を測定した。得られた値をVHR-10で表した。 (24) Voltage holding rate (VHR-10; measured at 60°C; %): The voltage holding rate was measured in the same procedure as in (23) above, except that the measurement was made at 60°C instead of 25°C. The obtained value was expressed as VHR-10.
(25)電圧保持率(VHR-11;60℃で測定;%):紫外線を照射したあと、電圧保持率を測定し、紫外線に対する安定性を評価した。測定に用いたTN素子はポリイミド配向膜を有し、そしてセルギャップは5μmであった。この素子に試料を注入し、5mW/cm2の紫外線を167分間照射した。光源はアイグラフィックス株式会社製ブラックライト、F40T10/BL(ピーク波長369nm)であり、素子と光源の間隔は5mmであった。VHR-11の測定では、166.7ミリ秒のあいだ、減衰する電圧を測定した。大きなVHR-11を有する組成物は紫外線に対して大きな安定性を有する。 (25) Voltage holding ratio (VHR-11; measured at 60° C.; %): After irradiation with ultraviolet rays, the voltage holding ratio was measured to evaluate the stability against ultraviolet rays. The TN device used for measurement had a polyimide alignment film and a cell gap of 5 μm. A sample was injected into this device and irradiated with ultraviolet rays of 5 mW/cm 2 for 167 minutes. The light source was a black light F40T10/BL (peak wavelength 369 nm) manufactured by Eye Graphics Co., Ltd., and the distance between the element and the light source was 5 mm. The VHR-11 measurement measured the decaying voltage over a period of 166.7 milliseconds. A composition with a large VHR-11 has a large UV stability.
(26)電圧保持率(VHR-12;60℃で測定;%):試料を注入したTN素子を120℃の恒温槽内で20時間加熱したあと、電圧保持率を測定し、熱に対する安定性を評価した。VHR-12の測定では、166.7ミリ秒のあいだ減衰する電圧を測定した。大きなVHR-12を有する組成物は熱に対して大きな安定性を有する。 (26) Voltage holding rate (VHR-12; measured at 60°C; %): After heating the TN element into which the sample was injected in a constant temperature chamber at 120°C for 20 hours, the voltage holding rate was measured and the stability against heat was measured. evaluated. The VHR-12 measurement measured a voltage decaying over 166.7 milliseconds. A composition with a large VHR-12 has a large thermal stability.
(27)応答時間(τ;25℃で測定;ms):測定には大塚電子株式会社製のLCD5100型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。ローパス・フィルター(Low-pass filter)は5kHzに設定した。本発明の素子に試料を入れた。電圧(32Hz、矩形波)を0Vから10Vまで0.02Vずつ段階的に増加させながら、この素子に印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときの透過率を100%としたとき、透過率が90%になったときの電圧をV90とした。この素子に矩形波(60Hz、V90V、0.5秒)を印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率100%であり、この光量が最小であったときが透過率0%であるとみなした。立ち上がり時間(τr:rise time;ミリ秒)は、透過率が10%から90%に変化するのに要した時間である。立ち下がり時間(τf:fall time;ミリ秒)は、透過率が90%から10%に変化するのに要した時間である。応答時間は、このようにして求めた立ち上がり時間と立ち下がり時間との和で表した。 (27) Response time (τ; measured at 25°C; ms): A luminance meter LCD5100 manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd. was used for the measurement. The light source was a halogen lamp. A Low-pass filter was set at 5 kHz. A sample was placed in the element of the present invention. A voltage (32 Hz, rectangular wave) was applied to the device while increasing stepwise from 0 V to 10 V by 0.02 V. At this time, the device was irradiated with light from a vertical direction, and the amount of light transmitted through the device was measured. Assuming that the transmittance at the maximum amount of light was 100%, the voltage at which the transmittance reached 90 % was defined as V90. A rectangular wave (60 Hz, V 90 V, 0.5 seconds) was applied to this device. At this time, the device was irradiated with light from a vertical direction, and the amount of light transmitted through the device was measured. It was considered that the transmittance was 100% when the amount of light was maximum, and the transmittance was 0% when the amount of light was minimum. Rise time (τr: rise time; milliseconds) is the time required for the transmittance to change from 10% to 90%. The fall time (τf: millisecond) is the time required for the transmittance to change from 90% to 10%. The response time was expressed as the sum of the rise time and fall time obtained in this way.
(28)比抵抗(ρ;25℃で測定;Ωcm):電極を備えた容器に試料1.0mLを注入した。この容器に直流電圧(10V)を印加し、10秒後の直流電流を測定した。比抵抗は次の式から算出した。(比抵抗)={(電圧)×(容器の電気容量)}/{(直流電流)×(真空の誘電率)}。 (28) Specific resistance (.rho.; measured at 25.degree. C.; .OMEGA.cm): 1.0 mL of a sample was poured into a container equipped with electrodes. A DC voltage (10 V) was applied to this container, and the DC current was measured after 10 seconds. The specific resistance was calculated from the following formula. (Specific resistance)={(Voltage)×(Electric capacity of container)}/{(DC current)×(Vacuum permittivity)}.
組成物における液晶性化合物は、下記の表3の定義に基づいて記号により表した。表3において、1,4-シクロヘキシレンに関する立体配置はトランスである。記号のあとにあるかっこ内の番号は化合物の番号に対応する。(-)の記号はその他の液晶性化合物を意味する。液晶性化合物の割合(百分率)は、液晶組成物の質量に基づいた質量百分率(質量%)である。最後に、組成物の特性値をまとめた。 The liquid crystalline compounds in the composition are represented by symbols based on the definitions in Table 3 below. In Table 3, the configuration for 1,4-cyclohexylene is trans. The number in parenthesis after the symbol corresponds to the compound number. The symbol (-) means other liquid crystalline compounds. The ratio (percentage) of the liquid crystal compound is the mass percentage (mass %) based on the mass of the liquid crystal composition. Finally, the characteristic values of the composition are summarized.
以下に、組成物の調製例を示す。
[組成物M1]
3-HH-V (1-1) 22%
3-HH-V1 (1-1) 10%
5-HB-O2 (1-2) 5%
3-HHEH-3 (1-4) 3%
3-HBB-2 (1-6) 7%
5-B(F)BB-3 (1-7) 3%
5-HXB(F,F)-F (2-1) 3%
3-HHXB(F,F)-F (2-4) 6%
3-HGB(F,F)-F (2-6) 3%
3-HB(F)B(F,F)-F (2-9) 5%
3-BB(F,F)XB(F,F)-F (2-18) 6%
3-HHBB(F,F)-F (2-19) 6%
5-BB(F)B(F,F)XB(F)B(F,F)-F (2-31) 2%
3-BB(2F,3F)XB(F,F)-F (2-32) 4%
3-HHB(F,F)XB(F,F)-F (2) 4%
3-HBB(2F,3F)XB(F,F)-F (2) 5%
3-HB-CL (2) 3%
3-HHB-OCF3 (2) 3%
NI=77.2℃;Tc<-20℃;Δn=0.101;Δε=5.8;Vth=1.88V;η=13.7mPa・s;γ1=61.3mPa・s.
Preparation examples of the composition are shown below.
[Composition M1]
3-HH-V (1-1) 22%
3-HH-V1 (1-1) 10%
5-HB-O2 (1-2) 5%
3-HHEH-3 (1-4) 3%
3-HBB-2 (1-6) 7%
5-B(F)BB-3 (1-7) 3%
5-HXB(F,F)-F(2-1) 3%
3-HHXB(F,F)-F(2-4) 6%
3-HGB(F,F)-F(2-6) 3%
3-HB(F)B(F,F)-F(2-9) 5%
3-BB(F,F)XB(F,F)-F(2-18) 6%
3-HHBB(F,F)-F(2-19) 6%
5-BB(F)B(F,F)XB(F)B(F,F)-F (2-31) 2%
3-BB (2F, 3F) XB (F, F)-F (2-32) 4%
3-HHB(F,F)XB(F,F)-F (2) 4%
3-HBB (2F, 3F) XB (F, F)-F (2) 5%
3-HB-CL (2) 3%
3-HHB-OCF3 (2) 3%
NI=77.2° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.101; Δε=5.8; Vth=1.88 V; η=13.7 mPa·s;
[組成物M2]
2-HH-5 (1-1) 8%
3-HH-V (1-1) 10%
3-HH-V1 (1-1) 7%
4-HH-V (1-1) 10%
4-HH-V1 (1-1) 8%
5-HB-O2 (1-2) 7%
4-HHEH-3 (1-4) 3%
V2-BB(F)B-1 (1-8) 3%
5-HXB(F,F)-F (2-1) 6%
3-HHXB(F,F)-F (2-4) 6%
V-HB(F)B(F,F)-F (2-9) 5%
3-HHB(F)B(F,F)-F (2-20) 7%
2-BB(F)B(F,F)XB(F)-F (2-28) 3%
3-BB(F)B(F,F)XB(F)-F (2-28) 3%
4-BB(F)B(F,F)XB(F)-F (2-28) 4%
5-HB-CL (2) 5%
1O1-HBBH-3 (-) 5%
NI=78.5℃;Tc<-20℃;Δn=0.095;Δε=3.4;Vth=1.50V;η=8.4mPa・s;γ1=54.2mPa・s.
[Composition M2]
2-HH-5 (1-1) 8%
3-HH-V (1-1) 10%
3-HH-V1 (1-1) 7%
4-HH-V (1-1) 10%
4-HH-V1 (1-1) 8%
5-HB-O2 (1-2) 7%
4-HHEH-3 (1-4) 3%
V2-BB(F)B-1 (1-8) 3%
5-HXB(F,F)-F(2-1) 6%
3-HHXB(F,F)-F(2-4) 6%
V-HB(F)B(F,F)-F(2-9) 5%
3-HHB(F)B(F,F)-F(2-20) 7%
2-BB(F)B(F,F)XB(F)-F (2-28) 3%
3-BB(F)B(F,F)XB(F)-F (2-28) 3%
4-BB(F)B(F,F)XB(F)-F (2-28) 4%
5-HB-CL (2) 5%
1O1-HBBH-3 (-) 5%
NI=78.5° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.095; Δε=3.4; Vth=1.50 V; η=8.4 mPa·s;
[組成物M3]
2-HH-3 (1-1) 8%
3-HH-V (1-1) 20%
3-HH-V1 (1-1) 7%
4-HH-V (1-1) 6%
5-HB-O2 (1-2) 5%
V2-B2BB-1 (1-9) 3%
3-HHEBH-3 (1-11) 5%
3-HHEBH-5 (1-11) 5%
3-HHEB(F,F)-F (2-3) 5%
3-HHXB(F,F)-F (2-4) 7%
5-HBEB(F,F)-F (2-10) 5%
3-BB(F,F)XB(F,F)-F (2-18) 10%
2-HHB(F)B(F,F)-F (2-20) 3%
5-HHB(F,F)XB(F,F)-F (2) 6%
3-HBB(2F,3F)XB(F,F)-F (2) 5%
NI=90.3℃;Tc<-20℃;Δn=0.088;Δε=5.4;Vth=1.69V;η=13.7mPa・s;γ1=60.6mPa・s.
[Composition M3]
2-HH-3 (1-1) 8%
3-HH-V (1-1) 20%
3-HH-V1 (1-1) 7%
4-HH-V (1-1) 6%
5-HB-O2 (1-2) 5%
V2-B2BB-1 (1-9) 3%
3-HHEBH-3 (1-11) 5%
3-HHEBH-5 (1-11) 5%
3-HHEB(F,F)-F(2-3) 5%
3-HHXB(F,F)-F(2-4) 7%
5-HBEB(F,F)-F(2-10) 5%
3-BB(F,F)XB(F,F)-F(2-18) 10%
2-HHB(F)B(F,F)-F(2-20) 3%
5-HHB(F,F)XB(F,F)-F (2) 6%
3-HBB (2F, 3F) XB (F, F)-F (2) 5%
NI=90.3° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.088; Δε=5.4; Vth=1.69 V; η=13.7 mPa·s;
[組成物M4]
2-HH-3 (1-1) 14%
2-HH-5 (1-1) 4%
3-HH-V (1-1) 26%
1V2-HH-3 (1-1) 5%
1V2-BB-1 (1-3) 3%
3-HB(F)HH-2 (1-10) 4%
5-HBB(F)B-2 (1-13) 6%
3-BB(2F,5F)B-3 (1) 3%
3-HGB(F,F)-F (2-6) 3%
5-GHB(F,F)-F (2-7) 4%
3-GB(F,F)XB(F,F)-F (2-14) 5%
3-BB(F)B(F,F)-CF3 (2-16) 2%
3-HHBB(F,F)-F (2-19) 4%
3-GBB(F)B(F,F)-F (2-22) 2%
2-dhBB(F,F)XB(F,F)-F (2-25) 4%
3-HGB(F,F)XB(F,F)-F (2) 5%
3-dhB(F,F)B(F,F)XB(F)B(F,F)-F (2) 3%
7-HB(F,F)-F (2) 3%
NI=78.3℃;Tc<-20℃;Δn=0.094;Δε=5.9;Vth=1.25V;η=12.8mPa・s;γ1=61.9mPa・s.
[Composition M4]
2-HH-3 (1-1) 14%
2-HH-5 (1-1) 4%
3-HH-V (1-1) 26%
1V2-HH-3 (1-1) 5%
1V2-BB-1 (1-3) 3%
3-HB(F)HH-2 (1-10) 4%
5-HBB(F)B-2 (1-13) 6%
3-BB (2F, 5F) B-3 (1) 3%
3-HGB(F,F)-F(2-6) 3%
5-GHB(F,F)-F(2-7) 4%
3-GB(F,F)XB(F,F)-F(2-14) 5%
3-BB(F)B(F,F)-CF3 (2-16) 2%
3-HHBB(F,F)-F(2-19) 4%
3-GBB(F)B(F,F)-F(2-22) 2%
2-dhBB(F,F)XB(F,F)-F(2-25) 4%
3-HGB(F,F)XB(F,F)-F (2) 5%
3-dhB (F, F) B (F, F) XB (F) B (F, F) - F (2) 3%
7-HB(F,F)-F (2) 3%
NI=78.3° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.094; Δε=5.9; Vth=1.25 V; η=12.8 mPa·s;
[組成物M5]
3-HH-V (1-1) 30%
3-HH-V1 (1-1) 10%
1V2-HH-3 (1-1) 8%
3-HH-VFF (1-1) 8%
V2-BB-1 (1-3) 2%
5-HB(F)BH-3 (1-12) 5%
5-HBBH-3 (1) 5%
3-HHB(F,F)-F (2-2) 8%
3-GB(F)B(F,F)-F (2-12) 3%
3-BB(F,F)XB(F,F)-F (2-18) 10%
3-GB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (2-27) 6%
5-GB(F,F)XB(F)B(F,F)-F (2) 5%
NI=76.6℃;Tc<-20℃;Δn=0.088;Δε=5.5;Vth=1.81V;η=12.1mPa・s;γ1=60.2mPa・s.
[Composition M5]
3-HH-V (1-1) 30%
3-HH-V1 (1-1) 10%
1V2-HH-3 (1-1) 8%
3-HH-VFF (1-1) 8%
V2-BB-1 (1-3) 2%
5-HB(F)BH-3 (1-12) 5%
5-HBBH-3 (1) 5%
3-HHB(F,F)-F(2-2) 8%
3-GB(F)B(F,F)-F(2-12) 3%
3-BB(F,F)XB(F,F)-F(2-18) 10%
3-GB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (2-27) 6%
5-GB(F,F)XB(F)B(F,F)-F (2) 5%
NI=76.6° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.088; Δε=5.5; Vth=1.81 V; η=12.1 mPa·s;
[組成物M6]
2-HH-5 (1-1) 5%
3-HH-V (1-1) 30%
3-HH-V1 (1-1) 3%
3-HH-VFF (1-1) 10%
3-HHB-1 (1-5) 4%
3-HHB-3 (1-5) 5%
3-HHB-O1 (1-5) 3%
3-HHEBH-3 (1-11) 3%
3-HHEBH-4 (1-11) 4%
3-HHEBH-5 (1-11) 3%
3-BB(2F,5F)B-3 (1) 3%
3-BB(F,F)XB(F,F)-F (2-18) 14%
3-dhB(F,F)B(F,F)XB(F)B(F,F)-F (2) 7%
7-HB(F,F)-F (2) 6%
NI=82.7℃;Tc<-20℃;Δn=0.085;Δε=5.1;Vth=1.70V;η=8.0mPa・s;γ1=53.9mPa・s.
[Composition M6]
2-HH-5 (1-1) 5%
3-HH-V (1-1) 30%
3-HH-V1 (1-1) 3%
3-HH-VFF (1-1) 10%
3-HHB-1 (1-5) 4%
3-HHB-3 (1-5) 5%
3-HHB-O1 (1-5) 3%
3-HHEBH-3 (1-11) 3%
3-HHEBH-4 (1-11) 4%
3-HHEBH-5 (1-11) 3%
3-BB (2F, 5F) B-3 (1) 3%
3-BB(F,F)XB(F,F)-F(2-18) 14%
3-dhB (F, F) B (F, F) XB (F) B (F, F) - F (2) 7%
7-HB(F,F)-F (2) 6%
NI=82.7° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.085; Δε=5.1; Vth=1.70 V; η=8.0 mPa·s;
[組成物M7]
2-HH-5 (1-1) 8%
3-HH-V (1-1) 28%
4-HH-V1 (1-1) 7%
5-HB-O2 (1-2) 2%
7-HB-1 (1-2) 5%
VFF-HHB-O1 (1-5) 8%
VFF-HHB-1 (1-5) 3%
3-HBB(F,F)-F (2-8) 5%
5-HBB(F,F)-F (2-8) 4%
3-BB(F)B(F,F)-F (2-15) 3%
3-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (2-29) 3%
4-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (2-29) 5%
3-BB(F,F)XB(F)B(F,F)-F (2-30) 3%
5-BB(F)B(F,F)XB(F)B(F,F)-F (2-31) 4%
3-HH2BB(F,F)-F (2) 3%
4-HH2BB(F,F)-F (2) 3%
3-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 2%
2-BB(2F,3F)B-3 (3-19) 4%
NI=81.9℃;Tc<-20℃;Δn=0.109;Δε=4.8;Vth=1.75V;η=13.3mPa・s;γ1=57.4mPa・s.
[Composition M7]
2-HH-5 (1-1) 8%
3-HH-V (1-1) 28%
4-HH-V1 (1-1) 7%
5-HB-O2 (1-2) 2%
7-HB-1 (1-2) 5%
VFF-HHB-O1 (1-5) 8%
VFF-HHB-1 (1-5) 3%
3-HBB(F,F)-F(2-8) 5%
5-HBB(F,F)-F(2-8) 4%
3-BB(F)B(F,F)-F(2-15) 3%
3-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (2-29) 3%
4-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (2-29) 5%
3-BB(F,F)XB(F)B(F,F)-F (2-30) 3%
5-BB(F)B(F,F)XB(F)B(F,F)-F (2-31) 4%
3-HH2BB(F,F)-F (2) 3%
4-HH2BB(F,F)-F (2) 3%
3-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 2%
2-BB (2F, 3F) B-3 (3-19) 4%
NI=81.9° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.109; Δε=4.8; Vth=1.75 V; η=13.3 mPa·s;
[組成物M8]
3-HH-5 (1-1) 4%
3-HH-V (1-1) 21%
3-HH-V1 (1-1) 3%
4-HH-V (1-1) 4%
1V2-HH-3 (1-1) 6%
5-B(F)BB-2 (1-7) 3%
5-B(F)BB-3 (1-7) 2%
3-HHEB(F,F)-F (2-3) 4%
3-HBEB(F,F)-F (2-10) 3%
5-HBEB(F,F)-F (2-10) 3%
3-BB(F)B(F,F)-F (2-15) 3%
3-HBBXB(F,F)-F (2-23) 6%
3-GB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (2-27) 5%
4-GB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (2-27) 5%
5-HHB(F,F)XB(F,F)-F (2) 3%
3-HGB(F,F)XB(F,F)-F (2) 4%
5-HEB(F,F)-F (2) 3%
5-HB-CL (2) 2%
3-HHB-OCF3 (2) 4%
3-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 3%
3-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 2%
3-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 4%
F3-HH-V (-) 3%
NI=78.1℃;Tc<-20℃;Δn=0.100;Δε=6.6;Vth=1.50V;η=16.2mPa・s;γ1=61.8mPa・s.
[Composition M8]
3-HH-5 (1-1) 4%
3-HH-V (1-1) 21%
3-HH-V1 (1-1) 3%
4-HH-V (1-1) 4%
1V2-HH-3 (1-1) 6%
5-B(F)BB-2 (1-7) 3%
5-B(F)BB-3 (1-7) 2%
3-HHEB(F,F)-F(2-3) 4%
3-HBEB(F,F)-F(2-10) 3%
5-HBEB(F,F)-F(2-10) 3%
3-BB(F)B(F,F)-F(2-15) 3%
3-HBBXB(F,F)-F(2-23) 6%
3-GB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (2-27) 5%
4-GB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (2-27) 5%
5-HHB(F,F)XB(F,F)-F (2) 3%
3-HGB(F,F)XB(F,F)-F (2) 4%
5-HEB(F,F)-F (2) 3%
5-HB-CL (2) 2%
3-HHB-OCF3 (2) 4%
3-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 3%
3-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 2%
3-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 4%
F3-HH-V (-) 3%
NI=78.1° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.100; Δε=6.6; Vth=1.50 V; η=16.2 mPa·s;
[組成物M9]
V-HH-V (1-1) 10%
V-HH-2V (1-1) 20%
1V-HH-V (1-1) 10%
3-HH-V (1-1) 15%
V2-BB-1 (1-3) 4%
1-BB(F)B-2V (1-8) 7%
2-BB(F)B-2V (1-8) 8%
3-HHEB(F,F)-F (2-3) 3%
3-HBEB(F,F)-F (2-10) 3%
3-BB(F,F)XB(F,F)-F (2-18) 4%
3-HHB(F)B(F,F)-F (2-20) 3%
3-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (2-29) 5%
4-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (2-29) 5%
1O1-HBBH-5 (-) 3%
NI=74.3℃;Tc≦-20℃;Δn=0.111;Δε=3.0;Vth=2.39V;η=11.0mPa・s;γ1=44.5mPa・s.
[Composition M9]
V-HH-V (1-1) 10%
V-HH-2V (1-1) 20%
1V-HH-V (1-1) 10%
3-HH-V (1-1) 15%
V2-BB-1 (1-3) 4%
1-BB(F)B-2V (1-8) 7%
2-BB(F)B-2V (1-8) 8%
3-HHEB(F,F)-F(2-3) 3%
3-HBEB(F,F)-F(2-10) 3%
3-BB(F,F)XB(F,F)-F(2-18) 4%
3-HHB(F)B(F,F)-F(2-20) 3%
3-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (2-29) 5%
4-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (2-29) 5%
1O1-HBBH-5 (-) 3%
NI=74.3° C.; Tc≦−20° C.; Δn=0.111; Δε=3.0; Vth=2.39 V; η=11.0 mPa·s;
[組成物M10]
3-HH-V (1-1) 11%
1-BB-3 (1-3) 6%
3-HHB-1 (1-5) 4%
3-HHB-O1 (1-5) 4%
3-HBB-2 (1-6) 4%
3-B(F)BB-2 (1-7) 4%
3-HB(2F,3F)-O4 (3-1) 6%
3-H2B(2F,3F)-O2 (3-2) 8%
3-H1OB(2F,3F)-O2 (3-3) 5%
3-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 10%
2-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 7%
3-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 7%
5-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 7%
2-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 4%
3-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 7%
5-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 6%
NI=87.6℃;Tc<-20℃;Δn=0.126;Δε=-4.5;η=25.3mPa・s.
[Composition M10]
3-HH-V (1-1) 11%
1-BB-3 (1-3) 6%
3-HHB-1 (1-5) 4%
3-HHB-O1 (1-5) 4%
3-HBB-2 (1-6) 4%
3-B(F)BB-2 (1-7) 4%
3-HB(2F,3F)-O4 (3-1) 6%
3-H2B (2F, 3F)-O2 (3-2) 8%
3-H1OB (2F, 3F)-O2 (3-3) 5%
3-BB(2F, 3F)-O2 (3-6) 10%
2-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 7%
3-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 7%
5-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 7%
2-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 4%
3-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 7%
5-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 6%
NI=87.6° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.126; Δε=−4.5; η=25.3 mPa·s.
[組成物M11]
3-HH-V (1-1) 27%
3-HH-V1 (1-1) 6%
V-HHB-1 (1-5) 5%
3-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 5%
5-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 7%
3-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 8%
3-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 5%
5-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 4%
3-HH1OB(2F,3F)-O2 (3-10) 5%
2-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 3%
3-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 9%
4-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 4%
5-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 8%
2-BB(2F,3F)B-3 (3-19) 4%
NI=81.2℃;Tc<-20℃;Δn=0.107;Δε=-3.2;η=15.5mPa・s.
[Composition M11]
3-HH-V (1-1) 27%
3-HH-V1 (1-1) 6%
V-HHB-1 (1-5) 5%
3-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 5%
5-HB(2F,3F)-O2(3-1) 7%
3-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 8%
3-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 5%
5-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 4%
3-HH1OB (2F, 3F)-O2 (3-10) 5%
2-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 3%
3-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 9%
4-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 4%
5-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 8%
2-BB (2F, 3F) B-3 (3-19) 4%
NI=81.2° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.107; Δε=−3.2; η=15.5 mPa·s.
[組成物M12]
4-HH-V (1-1) 15%
3-HH-V1 (1-1) 6%
1-HH-2V1 (1-1) 6%
3-HH-2V1 (1-1) 4%
V2-BB-1 (1-3) 5%
1V2-BB-1 (1-3) 5%
3-HHB-1 (1-5) 3%
3-HB(F)BH-3 (1-12) 4%
3-H2B(2F,3F)-O2 (3-2) 7%
3-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 8%
3-HH1OB(2F,3F)-O2 (3-10) 8%
2-HchB(2F,3F)-O2 (3-12) 8%
3-HDhB(2F,3F)-O2 (3-13) 3%
5-HDhB(2F,3F)-O2 (3-13) 4%
2-BB(2F,3F)B-3 (3-19) 7%
2-BB(2F,3F)B-4 (3-19) 7%
NI=88.2℃;Tc<-20℃;Δn=0.115;Δε=-2.1;η=18.3mPa・s.
[Composition M12]
4-HH-V (1-1) 15%
3-HH-V1 (1-1) 6%
1-HH-2V1 (1-1) 6%
3-HH-2V1 (1-1) 4%
V2-BB-1 (1-3) 5%
1V2-BB-1 (1-3) 5%
3-HHB-1 (1-5) 3%
3-HB(F)BH-3(1-12) 4%
3-H2B (2F, 3F)-O2 (3-2) 7%
3-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 8%
3-HH1OB (2F, 3F)-O2 (3-10) 8%
2-HchB(2F,3F)-O2(3-12) 8%
3-HDhB(2F,3F)-O2(3-13) 3%
5-HDhB(2F,3F)-O2(3-13) 4%
2-BB (2F, 3F) B-3 (3-19) 7%
2-BB (2F, 3F) B-4 (3-19) 7%
NI=88.2° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.115; Δε=−2.1; η=18.3 mPa·s.
[組成物M13]
2-HH-3 (1-1) 12%
1-BB-5 (1-3) 12%
3-HHB-1 (1-5) 4%
3-HHB-O1 (1-5) 3%
3-HBB-2 (1-6) 3%
V2-H2B(2F,3F)-O2 (3-2) 8%
V2-H1OB(2F,3F)-O4 (3-3) 4%
3-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 7%
2-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 7%
3-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 7%
3-HH2B(2F,3F)-O2 (3-9) 7%
5-HH2B(2F,3F)-O2 (3-9) 4%
V-HH2B(2F,3F)-O2 (3-9) 6%
V2-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 5%
V-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 5%
V-HBB(2F,3F)-O4 (3-14) 6%
NI=89.9℃;Tc<-20℃;Δn=0.122;Δε=-4.2;η=23.4mPa・s.
[Composition M13]
2-HH-3 (1-1) 12%
1-BB-5 (1-3) 12%
3-HHB-1 (1-5) 4%
3-HHB-O1 (1-5) 3%
3-HBB-2 (1-6) 3%
V2-H2B (2F, 3F)-O2 (3-2) 8%
V2-H1OB (2F, 3F)-O4 (3-3) 4%
3-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 7%
2-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 7%
3-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 7%
3-HH2B (2F, 3F)-O2 (3-9) 7%
5-HH2B (2F, 3F)-O2 (3-9) 4%
V-HH2B (2F, 3F)-O2 (3-9) 6%
V2-HBB(2F, 3F)-O2(3-14) 5%
V-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 5%
V-HBB (2F, 3F)-O4 (3-14) 6%
NI=89.9° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.122; Δε=−4.2; η=23.4 mPa·s.
[組成物M14]
3-HH-V (1-1) 27%
3-HH-V1 (1-1) 6%
V-HHB-1 (1-5) 3%
3-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 3%
V-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 3%
V2-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 5%
5-H2B(2F,3F)-O2 (3-2) 5%
V2-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 3%
1V2-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 3%
3-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 6%
V-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 6%
V-HHB(2F,3F)-O4 (3-8) 5%
V2-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 4%
V-HHB(2F,3Cl)-O2 (3-11) 3%
V2-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 5%
V-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 4%
V-HBB(2F,3F)-O4 (3-14) 5%
V2-BB(2F,3F)B-1 (3-19) 4%
NI=77.1℃;Tc<-20℃;Δn=0.101;Δε=-3.0;η=13.9mPa・s.
[Composition M14]
3-HH-V (1-1) 27%
3-HH-V1 (1-1) 6%
V-HHB-1 (1-5) 3%
3-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 3%
V-HB (2F, 3F)-O2 (3-1) 3%
V2-HB (2F, 3F)-O2 (3-1) 5%
5-H2B (2F, 3F)-O2 (3-2) 5%
V2-BB(2F, 3F)-O2 (3-6) 3%
1V2-BB(2F, 3F)-O2 (3-6) 3%
3-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 6%
V-HHB (2F, 3F)-O2 (3-8) 6%
V-HHB (2F, 3F)-O4 (3-8) 5%
V2-HHB (2F, 3F)-O2 (3-8) 4%
V-HHB(2F,3Cl)-O2 (3-11) 3%
V2-HBB(2F, 3F)-O2(3-14) 5%
V-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 4%
V-HBB (2F, 3F)-O4 (3-14) 5%
V2-BB (2F, 3F) B-1 (3-19) 4%
NI=77.1° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.101; Δε=−3.0; η=13.9 mPa·s.
[組成物M15]
2-HH-3 (1-1) 12%
1-BB-3 (1-3) 6%
3-HHB-1 (1-5) 3%
3-HHB-O1 (1-5) 4%
3-HBB-2 (1-6) 6%
3-B(F)BB-2 (1-7) 3%
3-HB(2F,3F)-O4 (3-1) 6%
3-H2B(2F,3F)-O2 (3-2) 8%
3-H1OB(2F,3F)-O2 (3-3) 4%
3-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 7%
2-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 6%
3-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 10%
5-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 8%
2-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 5%
3-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 7%
5-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 5%
NI=93.0℃;Tc<-20℃;Δn=0.124;Δε=-4.5;η=25.0mPa・s.
[Composition M15]
2-HH-3 (1-1) 12%
1-BB-3 (1-3) 6%
3-HHB-1 (1-5) 3%
3-HHB-O1 (1-5) 4%
3-HBB-2 (1-6) 6%
3-B(F)BB-2 (1-7) 3%
3-HB(2F,3F)-O4 (3-1) 6%
3-H2B (2F, 3F)-O2 (3-2) 8%
3-H1OB (2F, 3F)-O2 (3-3) 4%
3-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 7%
2-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 6%
3-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 10%
5-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 8%
2-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 5%
3-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 7%
5-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 5%
NI=93.0° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.124; Δε=−4.5; η=25.0 mPa·s.
[組成物M16]
3-HH-V (1-1) 15%
3-HH-V1 (1-1) 6%
2-HH-3 (1-1) 9%
3-HH-5 (1-1) 3%
1V2-HH-3 (1-1) 3%
V-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 7%
V2-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 10%
V-HHB(2F,3F)-O1 (3-8) 7%
V-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 9%
V2-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 8%
3-HH2B(2F,3F)-O2 (3-9) 9%
V-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 8%
V-HBB(2F,3F)-O4 (3-14) 6%
NI=87.5℃;Tc<-20℃;Δn=0.100;Δε=-3.4;η=18.9mPa・s.
[Composition M16]
3-HH-V (1-1) 15%
3-HH-V1 (1-1) 6%
2-HH-3 (1-1) 9%
3-HH-5 (1-1) 3%
1V2-HH-3 (1-1) 3%
V-HB (2F, 3F)-O2 (3-1) 7%
V2-BB(2F, 3F)-O2 (3-6) 10%
V-HHB (2F, 3F)-O1 (3-8) 7%
V-HHB (2F, 3F)-O2 (3-8) 9%
V2-HHB(2F, 3F)-O2(3-8) 8%
3-HH2B (2F, 3F)-O2 (3-9) 9%
V-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 8%
V-HBB (2F, 3F)-O4 (3-14) 6%
NI=87.5° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.100; Δε=−3.4; η=18.9 mPa·s.
[組成物M17]
3-HH-V (1-1) 33%
V-HHB-1 (1-5) 3%
3-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 7%
5-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 7%
3-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 8%
3-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 4%
5-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 5%
3-HH1OB(2F,3F)-O2 (3-10) 5%
2-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 3%
3-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 8%
4-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 5%
5-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 8%
2-BB(2F,3F)B-3 (3-19) 4%
NI=76.4℃;Tc<-20℃;Δn=0.104;Δε=-3.2;η=15.6mPa・s.
[Composition M17]
3-HH-V (1-1) 33%
V-HHB-1 (1-5) 3%
3-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 7%
5-HB(2F,3F)-O2(3-1) 7%
3-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 8%
3-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 4%
5-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 5%
3-HH1OB (2F, 3F)-O2 (3-10) 5%
2-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 3%
3-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 8%
4-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 5%
5-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 8%
2-BB (2F, 3F) B-3 (3-19) 4%
NI=76.4° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.104; Δε=−3.2; η=15.6 mPa·s.
[組成物M18]
2-HH-3 (1-1) 5%
3-HH-VFF (1-1) 30%
1-BB-3 (1-3) 5%
3-HHB-1 (1-5) 3%
3-HBB-2 (1-6) 3%
2-H1OB(2F,3F)-O2 (3-3) 6%
3-H1OB(2F,3F)-O2 (3-3) 4%
3-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 3%
2-HH1OB(2F,3F)-O2 (3-10) 14%
2-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 7%
3-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 11%
5-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 9%
NI=78.3℃;Tc<-20℃;Δn=0.103;Δε=-3.2;η=17.7mPa・s.
[Composition M18]
2-HH-3 (1-1) 5%
3-HH-VFF (1-1) 30%
1-BB-3 (1-3) 5%
3-HHB-1 (1-5) 3%
3-HBB-2 (1-6) 3%
2-H1OB (2F, 3F)-O2 (3-3) 6%
3-H1OB (2F, 3F)-O2 (3-3) 4%
3-BB(2F, 3F)-O2 (3-6) 3%
2-HH1OB (2F, 3F)-O2 (3-10) 14%
2-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 7%
3-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 11%
5-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 9%
NI=78.3° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.103; Δε=−3.2; η=17.7 mPa·s.
[組成物M19]
3-HH-4 (1-1) 14%
V-HHB-1 (1-5) 10%
3-HBB-2 (1-6) 7%
V-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 10%
V2-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 10%
2-H1OB(2F,3F)-O2 (3-3) 3%
3-H1OB(2F,3F)-O2 (3-3) 3%
2O-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 3%
V2-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 8%
V2-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 5%
V-HHB(2F,3Cl)-O2 (3-11) 7%
2-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 3%
3-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 3%
V-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 6%
V-HBB(2F,3F)-O4 (3-14) 8%
NI=75.9℃;Tc<-20℃;Δn=0.114;Δε=-3.9;η=24.7mPa・s.
[Composition M19]
3-HH-4 (1-1) 14%
V-HHB-1 (1-5) 10%
3-HBB-2 (1-6) 7%
V-HB (2F, 3F)-O2 (3-1) 10%
V2-HB (2F, 3F)-O2 (3-1) 10%
2-H1OB (2F, 3F)-O2 (3-3) 3%
3-H1OB (2F, 3F)-O2 (3-3) 3%
2O-BB(2F, 3F)-O2 (3-6) 3%
V2-BB(2F, 3F)-O2(3-6) 8%
V2-HHB(2F, 3F)-O2(3-8) 5%
V-HHB(2F,3Cl)-O2 (3-11) 7%
2-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 3%
3-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 3%
V-HBB (2F, 3F)-O2 (3-14) 6%
V-HBB (2F, 3F)-O4 (3-14) 8%
NI=75.9° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.114; Δε=−3.9; η=24.7 mPa·s.
[組成物M20]
3-HH-V (1-1) 33%
3-HH-V1 (1-1) 5%
3-HB-O2 (1-2) 3%
1-BB-3 (1-3) 3%
3-HHB-1 (1-5) 6%
2-BB(F)B-3 (1-8) 2%
3-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 3%
2O-B(2F)B(2F,3F)-O2 (3-7) 5%
2O-B(2F)B(2F,3F)-O4 (3-7) 12%
2-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 4%
3-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 8%
5-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 4%
3-dhBB(2F,3F)-O2 (3-16) 8%
3-HB(2F,3F)B-2 (3-17) 4%
NI=72.6℃;Tc<-20℃;Δn=0.105;Δε=-2.5;η=15.7mPa・s.
[Composition M20]
3-HH-V (1-1) 33%
3-HH-V1 (1-1) 5%
3-HB-O2 (1-2) 3%
1-BB-3 (1-3) 3%
3-HHB-1 (1-5) 6%
2-BB(F)B-3 (1-8) 2%
3-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 3%
2O-B(2F)B(2F, 3F)-O2 (3-7) 5%
2O-B(2F)B(2F, 3F)-O4 (3-7) 12%
2-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 4%
3-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 8%
5-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 4%
3-dhBB(2F,3F)-O2(3-16) 8%
3-HB (2F, 3F) B-2 (3-17) 4%
NI=72.6° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.105; Δε=−2.5; η=15.7 mPa·s.
[組成物M21]
2-HH-3 (1-1) 12%
1-BB-5 (1-3) 12%
3-HHB-1 (1-5) 4%
3-HHB-O1 (1-5) 3%
3-HBB-2 (1-6) 3%
3-HB(2F,3F)-O4 (3-1) 6%
3-H2B(2F,3F)-O2 (3-2) 8%
3-H1OB(2F,3F)-O2 (3-3) 4%
3-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 7%
2-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 7%
3-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 7%
3-HH2B(2F,3F)-O2 (3-9) 7%
5-HH2B(2F,3F)-O2 (3-9) 4%
2-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 5%
3-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 5%
4-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 6%
NI=82.8℃;Tc<-20℃;Δn=0.118;Δε=-4.4;η=22.5mPa・s.
[Composition M21]
2-HH-3 (1-1) 12%
1-BB-5 (1-3) 12%
3-HHB-1 (1-5) 4%
3-HHB-O1 (1-5) 3%
3-HBB-2 (1-6) 3%
3-HB(2F,3F)-O4 (3-1) 6%
3-H2B (2F, 3F)-O2 (3-2) 8%
3-H1OB (2F, 3F)-O2 (3-3) 4%
3-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 7%
2-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 7%
3-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 7%
3-HH2B (2F, 3F)-O2 (3-9) 7%
5-HH2B (2F, 3F)-O2 (3-9) 4%
2-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 5%
3-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 5%
4-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 6%
NI=82.8° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.118; Δε=−4.4; η=22.5 mPa·s.
[組成物M22]
3-HH-V (1-1) 27%
3-HH-V1 (1-1) 6%
V-HHB-1 (1-5) 3%
3-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 7%
5-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 7%
3-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 8%
3-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 5%
5-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 4%
3-HH1OB(2F,3F)-O2 (3-10) 4%
2-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 3%
3-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 8%
4-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 5%
5-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 8%
2-BB(2F,3F)B-3 (3-19) 5%
NI=78.1℃;Tc<-20℃;Δn=0.107;Δε=-3.2;η=15.9mPa・s.
[Composition M22]
3-HH-V (1-1) 27%
3-HH-V1 (1-1) 6%
V-HHB-1 (1-5) 3%
3-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 7%
5-HB(2F,3F)-O2(3-1) 7%
3-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 8%
3-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 5%
5-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 4%
3-HH1OB (2F, 3F)-O2 (3-10) 4%
2-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 3%
3-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 8%
4-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 5%
5-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 8%
2-BB (2F, 3F) B-3 (3-19) 5%
NI=78.1° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.107; Δε=−3.2; η=15.9 mPa·s.
[組成物M23]
3-HH-4 (1-1) 14%
V-HHB-1 (1-5) 10%
3-HBB-2 (1-6) 7%
3-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 10%
5-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 10%
3-H2B(2F,3F)-O2 (3-2) 8%
5-H2B(2F,3F)-O2 (3-2) 8%
3-HDhB(2F,3F)-O2 (3-13) 5%
2-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 6%
3-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 8%
4-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 7%
5-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 7%
NI=88.5℃;Tc<-20℃;Δn=0.108;Δε=-3.8;η=24.6mPa・s.
[Composition M23]
3-HH-4 (1-1) 14%
V-HHB-1 (1-5) 10%
3-HBB-2 (1-6) 7%
3-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 10%
5-HB(2F,3F)-O2(3-1) 10%
3-H2B (2F, 3F)-O2 (3-2) 8%
5-H2B (2F, 3F)-O2 (3-2) 8%
3-HDhB(2F,3F)-O2(3-13) 5%
2-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 6%
3-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 8%
4-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 7%
5-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 7%
NI=88.5° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.108; Δε=−3.8; η=24.6 mPa·s.
[組成物M24]
3-HH-V (1-1) 42%
3-HH-V1 (1-1) 5%
1-BB-3 (1-3) 3%
V-HHB-1 (1-5) 2%
2O-B(2F)B(2F,3F)-O2 (3-7) 6%
2O-B(2F)B(2F,3F)-O4 (3-7) 13%
2-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 4%
3-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 4%
3-HHB(2F,3F)-1 (3-8) 4%
3-dhBB(2F,3F)-O2 (3-16) 5%
3-HB(2F)B(2F,3F)-O2 (3-18) 7%
V-H2BBB(2F,3F)-O2 (3-25) 5%
NI=71.8℃;Tc<-20℃;Δn=0.103;Δε=-2.5;η=14.2mPa・s.
[Composition M24]
3-HH-V (1-1) 42%
3-HH-V1 (1-1) 5%
1-BB-3 (1-3) 3%
V-HHB-1 (1-5) 2%
2O-B(2F)B(2F, 3F)-O2 (3-7) 6%
2O-B(2F)B(2F, 3F)-O4 (3-7) 13%
2-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 4%
3-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 4%
3-HHB (2F, 3F)-1 (3-8) 4%
3-dhBB(2F,3F)-O2 (3-16) 5%
3-HB(2F)B(2F,3F)-O2 (3-18) 7%
V-H2BBB (2F, 3F)-O2 (3-25) 5%
NI=71.8° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.103; Δε=−2.5; η=14.2 mPa·s.
[組成物M25]
5-HH-V (1-1) 18%
7-HB-1 (1-2) 5%
V-HHB-1 (1-5) 7%
V2-HHB-1 (1-5) 7%
3-HBB(F)B-3 (1-13) 8%
3-HB(2F,3F)-O4 (3-1) 15%
3-chB(2F,3F)-O2 (3-5) 7%
2-HchB(2F,3F)-O2 (3-12) 8%
3-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 8%
4-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 5%
5-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 7%
3-dhBB(2F,3F)-O2 (3-16) 5%
NI=98.8℃;Tc<-20℃;Δn=0.111;Δε=-3.2;η=23.9mPa・s.
[Composition M25]
5-HH-V (1-1) 18%
7-HB-1 (1-2) 5%
V-HHB-1 (1-5) 7%
V2-HHB-1 (1-5) 7%
3-HBB(F)B-3 (1-13) 8%
3-HB(2F,3F)-O4 (3-1) 15%
3-chB(2F,3F)-O2(3-5) 7%
2-HchB(2F,3F)-O2(3-12) 8%
3-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 8%
4-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 5%
5-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 7%
3-dhBB(2F,3F)-O2 (3-16) 5%
NI=98.8° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.111; Δε=−3.2; η=23.9 mPa·s.
[組成物M26]
3-HH-V (1-1) 11%
3-HH-VFF (1-1) 7%
F3-HH-V (1-1) 10%
3-HHEH-3 (1-4) 4%
3-HB(F)HH-2 (1-10) 4%
3-HHEBH-3 (1-11) 4%
3-H2B(2F,3F)-O2 (3-2) 18%
5-H2B(2F,3F)-O2 (3-2) 17%
3-HHB(2F,3Cl)-O2 (3-11) 5%
3-HDhB(2F,3F)-O2 (3-13) 5%
3-HBB(2F,3Cl)-O2 (3-15) 8%
5-HBB(2F,3Cl)-O2 (3-15) 7%
NI=77.5℃;Tc<-20℃;Δn=0.084;Δε=-2.6;η=22.8mPa・s.
[Composition M26]
3-HH-V (1-1) 11%
3-HH-VFF (1-1) 7%
F3-HH-V (1-1) 10%
3-HHEH-3 (1-4) 4%
3-HB(F)HH-2 (1-10) 4%
3-HHEBH-3 (1-11) 4%
3-H2B (2F, 3F)-O2 (3-2) 18%
5-H2B (2F, 3F)-O2 (3-2) 17%
3-HHB(2F,3Cl)-O2 (3-11) 5%
3-HDhB(2F,3F)-O2(3-13) 5%
3-HBB(2F,3Cl)-O2 (3-15) 8%
5-HBB(2F,3Cl)-O2 (3-15) 7%
NI=77.5° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.084; Δε=−2.6; η=22.8 mPa·s.
[組成物M27]
3-HH-V (1-1) 11%
1-BB-5 (1-3) 5%
3-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 8%
3-H2B(2F,3F)-O2 (3-2) 10%
3-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 10%
2O-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 3%
2-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 4%
3-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 7%
2-HHB(2F,3F)-1 (3-8) 5%
3-HDhB(2F,3F)-O2 (3-13) 6%
2-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 4%
3-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 7%
3-dhBB(2F,3F)-O2 (3-16) 4%
2-BB(2F,3F)B-3 (3-19) 6%
2-BB(2F,3F)B-4 (3-19) 6%
3-HH1OCro(7F,8F)-5 (3-27) 4%
NI=70.6℃;Tc<-20℃;Δn=0.129;Δε=-4.3;η=27.0mPa・s.
[Composition M27]
3-HH-V (1-1) 11%
1-BB-5 (1-3) 5%
3-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 8%
3-H2B (2F, 3F)-O2 (3-2) 10%
3-BB(2F, 3F)-O2 (3-6) 10%
2O-BB(2F, 3F)-O2 (3-6) 3%
2-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 4%
3-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 7%
2-HHB (2F, 3F)-1 (3-8) 5%
3-HDhB(2F,3F)-O2(3-13) 6%
2-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 4%
3-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 7%
3-dhBB(2F,3F)-O2(3-16) 4%
2-BB (2F, 3F) B-3 (3-19) 6%
2-BB (2F, 3F) B-4 (3-19) 6%
3-HH1OCro(7F,8F)-5(3-27) 4%
NI=70.6° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.129; Δε=−4.3; η=27.0 mPa·s.
[組成物M28]
V-HH-V (1-1) 24%
V-HH-V1 (1-1) 20%
3-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 5%
V2-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 8%
3-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 6%
V-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 7%
V-HHB(2F,3F)-O4 (3-8) 4%
2-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 2%
3-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 6%
V-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 7%
V-HBB(2F,3F)-O4 (3-14) 6%
2-BB(2F,3F)B-3 (3-19) 5%
NI=73.5℃;Tc<-20℃;Δn=0.106;Δε=-2.7;η=17.0mPa・s.
[Composition M28]
V-HH-V (1-1) 24%
V-HH-V1 (1-1) 20%
3-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 5%
V2-BB(2F, 3F)-O2(3-6) 8%
3-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 6%
V-HHB (2F, 3F)-O2 (3-8) 7%
V-HHB (2F, 3F)-O4 (3-8) 4%
2-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 2%
3-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 6%
V-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 7%
V-HBB (2F, 3F)-O4 (3-14) 6%
2-BB (2F, 3F) B-3 (3-19) 5%
NI=73.5° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.106; Δε=−2.7; η=17.0 mPa·s.
[組成物M29]
2-HH-3 (1-1) 19%
3-HHB-1 (1-5) 3%
V-HHB-1 (1-5) 10%
V2-HHB-1 (1-5) 10%
3-DhB(2F,3F)-O2 (3-4) 5%
2-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 9%
3-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 9%
3-HH2B(2F,3F)-O2 (3-9) 6%
3-HDhB(2F,3F)-O2 (3-13) 14%
2-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 2%
3-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 6%
V-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 7%
NI=86.0℃;Tc<-20℃;Δn=0.110;Δε=-3.8;η=22.9mPa・s.
[Composition M29]
2-HH-3 (1-1) 19%
3-HHB-1 (1-5) 3%
V-HHB-1 (1-5) 10%
V2-HHB-1 (1-5) 10%
3-DhB(2F,3F)-O2(3-4) 5%
2-BB(2F,3F)-O2(3-6) 9%
3-BB(2F,3F)-O2 (3-6) 9%
3-HH2B (2F, 3F)-O2 (3-9) 6%
3-HDhB(2F,3F)-O2(3-13) 14%
2-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 2%
3-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 6%
V-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 7%
NI=86.0° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.110; Δε=−3.8; η=22.9 mPa·s.
[組成物M30]
3-HH-V (1-1) 40%
3-HH-V1 (1-1) 7%
V-HHB-1 (1-5) 4%
V2-HHB-1 (1-5) 9%3-HHXB(F,F)-F (2-4) 3%
3-HBBXB(F,F)-F (2-23) 11%
4-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (2-29) 7%
5-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (2-29) 6%
3-BB(F,F)XB(F,F)-F (2-32) 13%
NI=80.2℃;Tc<-20℃;Δn=0.100;Δε=6.8;η=10.8mPa・s.
[Composition M30]
3-HH-V (1-1) 40%
3-HH-V1 (1-1) 7%
V-HHB-1 (1-5) 4%
V2-HHB-1 (1-5) 9% 3-HHXB (F, F)-F (2-4) 3%
3-HBBXB(F,F)-F(2-23) 11%
4-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (2-29) 7%
5-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (2-29) 6%
3-BB(F,F)XB(F,F)-F(2-32) 13%
NI=80.2° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.100; Δε=6.8; η=10.8 mPa·s.
[組成物M31]
3-HH-VFF (1-1) 13%
3-HHEBH-3 (1-11) 4%
V-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 8%
V-HB(2F,3F)-O4 (3-1) 12%
3-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 10%
5-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 7%
3-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 6%
5-HHB(2F,3F)-O2 (3-8) 7%
3-HDhB(2F,3F)-O2 (3-13) 10%
3-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 5%
5-HBB(2F,3F)-O2 (3-14) 6%
NI=74.4℃;Tc<-20℃;Δn=0.101;Δε=5.3;η=25.3mPa・s.
[Composition M31]
3-HH-VFF (1-1) 13%
3-HHEBH-3 (1-11) 4%
V-HB (2F, 3F)-O2 (3-1) 8%
V-HB (2F, 3F)-O4 (3-1) 12%
3-HB(2F,3F)-O2 (3-1) 10%
5-HB(2F,3F)-O2(3-1) 7%
3-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 6%
5-HHB(2F,3F)-O2(3-8) 7%
3-HDhB(2F,3F)-O2(3-13) 10%
3-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 5%
5-HBB(2F,3F)-O2(3-14) 6%
NI=74.4° C.; Tc<−20° C.; Δn=0.101; Δε=5.3; η=25.3 mPa·s.
上記で説明した液晶組成物を液晶表示素子の液晶層に用いることで、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、長い寿命のような特性を有する液晶表示素子とすることができる。 By using the liquid crystal composition described above in the liquid crystal layer of a liquid crystal display element, a liquid crystal display element having characteristics such as a short response time, a large voltage holding ratio, a low threshold voltage, a large contrast ratio, and a long life can be obtained. can do.
ところで、液晶表示素子の電極構造でも透過光量や応答時間の向上が行えるため、好適な電極構造等を含め液晶表示素子の構成について、以下、第1実施形態から第3実施形態として詳細に説明する。 By the way, since the electrode structure of the liquid crystal display element can also improve the amount of transmitted light and the response time, the structure of the liquid crystal display element, including a suitable electrode structure, etc., will be described in detail below as first to third embodiments. .
ただし、以下で示す実施形態は、好適な液晶表示素子の一例について説明するものであり、上記で説明した液晶組成物を液晶層に用いた液晶表示素子が以下で説明する第1実施形態から第3実施形態の液晶表示素子に限定されるものではない。 However, the embodiments described below are examples of preferred liquid crystal display elements, and the liquid crystal display elements using the liquid crystal composition described above for the liquid crystal layer are the first to second embodiments described below. It is not limited to the liquid crystal display elements of the three embodiments.
(第1実施形態)
図1は本発明に係る第1実施形態の液晶表示素子1の一部断面図であり、図2は本発明に係る第1実施形態の液晶表示素子1の電極構造を説明するための平面図である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a partial cross-sectional view of a liquid
なお、図1及び図2は液晶表示素子1の画素のRGBの1つの部分に対応するサブ画素に対応する図になっており、図1は図2のA-A線に対応する位置の液晶表示素子1の断面図になっている。
また、図2では、枠線で第2電極部12の範囲を示すに留め、構成がわかるように、第2電極部12の下側に位置する部分も図示するようにしている。
1 and 2 are diagrams corresponding to sub-pixels corresponding to one portion of RGB pixels of the liquid
In addition, in FIG. 2, only the range of the
そして、液晶表示素子1は、面内に図1及び図2を参照して後ほど説明する電極構造が縦方向及び横方向に多数設けられたものになっており、縦方向又は横方向に並んで形成される3つの電極構造が1つの画素に対応するものになっている。
In the liquid
図1に示すように、液晶表示素子1は、液晶表示装置で用いられるときに、バックライト側に位置することになる第1基板10と、第1基板10と対向して配置される第2基板20と、第1基板10と第2基板20の間に設けられる液晶層30と、を備えている。
As shown in FIG. 1, the liquid
第1基板10及び第2基板20は、バックライトからの光を透過することができる材料で形成されており、例えば、第1基板10及び第2基板20にはガラス基板を用いることができる。
The
また、液晶表示素子1は、液晶層30から離れた側の第1基板10上に設けられた偏光子となる第1偏光板11と、液晶層30から離れた側の第2基板20上に設けられた検光子となる第2偏光板21と、を備えている。
In the liquid
そして、第1編光板11は、透過軸(以下、第1透過軸ともいう。)が第1基板10及び第2基板20の平面に沿った図1及び図2に示すX軸(以下、第1方向Xともいう。)に沿って配置されている。
また、第2編光板21は、透過軸(以下、第2透過軸ともいう。)がX軸に直交する第1基板10及び第2基板20の平面に沿ったY軸(以下、第2方向Yともいう。)に沿って配置されている。
つまり、第1編光板11と第2編光板21はクロスニコルに配置されている。
1 and 2 along the plane of the
In addition, the transmission axis (hereinafter, also referred to as the second transmission axis) of the second
That is, the first
ただし、第1編光板11と第2編光板21がクロスニコルに配置になっていればよく、第1編光板11の第1透過軸が第2方向Yに沿って設けられるように第1偏光板11が設けられ、第2編光板21の第2透過軸が第1方向Xに沿って設けられるように第2編光板21が設けられていてもよい。
However, the first
更に、液晶表示素子1は、液晶層30側の第1基板10上に設けられた液晶層の液晶分子の配向方向を制御するための電極構造等(第1電極部40、第2電極部12、データ線13、薄膜トランジスタ14(図2参照)、ゲート線15(図2参照)及び共通電極線16(図2参照)等)を備えている。
Furthermore, the liquid
具体的には、図1に示すように、液晶表示素子1は、第1基板10上に形成されたデータ線13、薄膜トランジスタ14(図2参照)、ゲート線15(図2参照)及び共通電極線16(図2参照)等の層と、その上に形成された保護層及び平坦化層として機能する絶縁層17と、絶縁層17上に形成されたベタ電極の第2電極部12と、第2電極部12を覆うように形成された絶縁層18と、絶縁層18上に形成された第1電極部40と、を備えている。
Specifically, as shown in FIG. 1, the liquid
本実施形態では、第1電極部40が画素電極であり、絶縁層18を介して第1電極部40と絶縁するように、第1電極部40よりも第1基板10側に設けられた第2電極部12が共通電極である場合になっている。
ただし、後ほど第2実施形態として説明するように第1電極部40を共通電極として第2電極部12を画素電極とすることも可能である。
In the present embodiment, the
However, as will be described later as a second embodiment, it is also possible to use the
なお、本実施形態では、サブ画素に対応する領域にそれぞれベタ電極の第2電極部12を設けた場合について示しているが、第2電極部12は共通電極であるため、1画素領域ごとの単位、複数の画素領域の単位及び全画素領域の単位(この場合、第2電極部12は1つのベタ電極となる。)といったより広い範囲に形成されたベタ電極であってもよい。
In the present embodiment, the case where the
このため、図2に示すように、画素電極となる第1電極部40はビアホールVHを通じて薄膜トランジスタ14のドレイン電極に電気的に接続されるとともに、ゲート線15が薄膜トランジスタ14のゲート電極に電気的に接続され、データ線13が薄膜トランジスタ14のソース電極に電気的に接続されている。
一方、共通電極となる第2電極部12は共通電極線16に電気的に接続されている。
なお、液晶表示素子1が液晶表示装置に用いられるときに、ゲート線15は液晶表示装置のゲートドライバに接続され、データ線13はデータドライバに接続される。
Therefore, as shown in FIG. 2, the
On the other hand, the
When the liquid
第1電極部40及び第2電極部12は、導電性で、かつ、光を透過する材料で形成されている。
例えば、第1電極部40及び第2電極部12を形成する材料には、ITO(酸化インジウムスズ)やIZO(酸化インジウム酸化亜鉛)等を好適に用いることができる。
The
For example, ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), or the like can be preferably used as a material for forming the
また、図1に示すように、液晶表示素子1は、絶縁層18上に第1電極部40を覆うように設けられた第1配向膜19を備えており、この第1配向膜19の液晶層30側の表面には、液晶層30の液晶の配向方向が所定の方向に向くようにラビング処理が施されている。
Further, as shown in FIG. 1, the liquid
なお、液晶層30の液晶としては、正の誘電率異方性を有する液晶組成物(以下、単にポジ型液晶ともいう。)を用いてもよく、負の誘電率異方性を有する液晶組成物(以下、単にネガ型液晶ともいう。)を用いてもよく、先に説明した液晶組成物が用いられる。しかしながら、電圧保持率の観点から、シアノ基を有する液晶性化合物を含有する液晶組成物は好ましくない。
As the liquid crystal of the
例えば、液晶層30の液晶がポジ型液晶である場合、第1電極部40と第2電極部12の間に電位差が発生していない状態(フリンジ電界が発生していない状態)のときに、後述する第1電極部40のパターンに合わせて第1方向Xに沿って液晶分子が配向するように、ラビング処理が施される。
For example, when the liquid crystal of the
なお、本実施形態では、ポジ型液晶を液晶層30に用いており、図1はフリンジ電界を発生させていない状態を示しているため、液晶分子を正面から見た円形状の分子形状に図示しているが、フリンジ電界を発生させると、液晶分子がX軸とY軸で規定される平面内で回転し、Y軸に沿った棒状の形状に見えるようになる。
In this embodiment, a positive liquid crystal is used for the
逆に、液晶層30の液晶がネガ型液晶である場合、フリンジ電界が発生していない状態のときに、後述する第1電極部40のパターンに合わせて第2方向Yに沿って液晶分子が配向するように、ラビング処理が施される。
Conversely, when the liquid crystal of the
一方、液晶表示素子1は、液晶層30側の第2基板20上に直接設けられた色層22(カラー層)及びブラックマトリックス23と、色層22及びブラックマトリックス23を覆うように設けられた平坦化膜24と、平坦化膜24上に設けられた第2配向膜25と、を備えている。
On the other hand, the liquid
色層22は、RGBに対応したカラー層であり、例えば、図1及び図2に示すサブ画素に対応する部分がRGBのRに対応する場合には色層22は赤とされ、Gに対応する場合には色層22は緑とされ、Bに対応する場合には青とされる。
The
なお、上述したように、液晶表示素子1には、多数のサブ画素に対応する構成が設けられているので、色層22は、それぞれのサブ画素に対応するように第2基板20上にマトリックス状に設けられている。
As described above, since the liquid
ブラックマトリックス23は、サブ画素間のクロストークを低減するために、各サブ画素の外周に対応して設けられる格子状の枠であり、遮光性の材料で形成されている。
The
そして、第2配向膜25は、第1配向膜19と同様に、液晶層30側の表面に液晶層30の液晶の配向方向が所定の方向に向くようにラビング処理が施されている。
Similarly to the
この第2配向膜25のラビング処理も第1配向膜19のラビング処理と同様であり、液晶層30の液晶がポジ型液晶である場合、フリンジ電界が発生していない状態のときに、後述する第1電極部40のパターンに合わせて第1方向Xに沿って液晶分子が配向するように、ラビング処理が施される。
The rubbing treatment of the
逆に、液晶層30の液晶がネガ型液晶である場合には、フリンジ電界が発生していない状態のときに、後述する第1電極部40のパターンに合わせて第2方向Yに沿って液晶分子が配向するように、ラビング処理が施される。
Conversely, when the liquid crystal of the
次に、第1電極部40の平面図である図3を参照しながら、第1電極部40についてより詳細に説明する。
なお、図3に示すX軸(第1方向X)、Y軸(第2方向Y)及びZ軸は、図1及び図2に示されるものと同じである。
Next, the
The X-axis (first direction X), Y-axis (second direction Y) and Z-axis shown in FIG. 3 are the same as those shown in FIGS.
第1電極部40は、第1基本電極部42と第2基本電極部43を備えた基本となる電極パターンである基本電極部41を備えている。
The
第1基本電極部42は、第1基板10(図1参照)の基板面に沿った第1方向Xに延在し、第1方向Xに直交する第2方向Yに離間した一対の第1導電部42Aを備えている。
The first
また、第1基本電極部42は、一対の第1導電部42Aのそれぞれの一端42AAに対して接続された一対の他端42BBを有し、第1導電部42Aの延在方向とは反対方向にくの字形状の一端となる屈曲部42BAを有するくの字形状の第2導電部42Bを備えている。
In addition, the first
一方、第2基本電極部43は、第1基本電極部42の開き側となる開口部OPの近傍から第1方向Xに延在する第3導電部43Aを備えている。
なお、図3では、第3導電部43Aは、第3導電部43Aの一端43AAが開口部OPよりも第1方向Xに、若干、離間するように設けられているが、第3導電部43Aは、第3導電部43Aの一端43AAが開口部OPよりも、若干、開口部OP内(第1基本電極部42寄り)に位置するように設けられていてもよい。
On the other hand, the second
Note that in FIG. 3, the third
本実施形態では、第1電極部40が、第1方向Xに複数の基本電極部41を備えるとともに、第2方向Yにも複数の基本電極部41を備えるものになっている。
具体的には、第1方向X及び第2方向Yに、それぞれ2つの基本電極部41が並ぶように設けられている。
In this embodiment, the
Specifically, two
そして、第1方向Xの任意の隣り合う基本電極部41同士について見れば、基本電極部41は、第2導電部42Bの屈曲部42BAと第3導電部43Aの他端43ABで接続されている(点線の丸囲み部分S参照)。
When looking at any adjacent
また、第2方向Yの任意の隣り合う基本電極部41同士について見れば、基本電極部41は、一対の第1導電部42Aのうち基本電極部41の間に位置することになる第1導電部42Aを共有している(斜めハッチング部分参照)。
Further, when considering any adjacent
更に、本実施形態では、末端に配置された第1基本電極部42(図左側の基本電極部41参照)が、第2導電部42Bの屈曲部42BAから第1方向Xとは反対方向に延在する第4導電部44を更に備えている。
Furthermore, in the present embodiment, the first basic electrode portion 42 (see the
加えて、本実施形態では、末端に配置された第2基本電極部43(図右側の基本電極部41参照)の第1方向Xに設けられ、第2導電部42Bの屈曲部42BAが末端に配置された第2基本電極部43(図右側の基本電極部41参照)の第3導電部43Aの他端43ABに接続された第1基本電極部42(二点鎖線の囲み部分参照)を更に備えている。
In addition, in the present embodiment, the second basic electrode portion 43 (see the
そして、第1電極部40は、外周を形成する矩形状の接続導電部45を備え、その接続導電部45が第1導電部42A、第2導電部42B、第3導電部43A及び第4導電部44で形成される導電パターンを電気的に接続している。
The
また、接続導電部45は、第1方向Xとは反対側に位置する一端側となる第1辺45Aから第1方向Xとは反対側に延在する接続部45Bを備えている。
そして、この接続部45Bが、先に図2を参照して説明した通り、ビアホールVHを通じて薄膜トランジスタ14のドレイン電極に電気的に接続される。
The connecting
This connecting
なお、第1電極部40は、少なくとも1つの基本電極部41を有していればよく、基本電極部41を第1方向X及び第2方向Yにいくつ設けるのかは、サブ画素に求められる面積に応じて決めればよい。
Note that the
また、図3では、接続導電部45が矩形状の枠を形成している場合について示しているが、接続導電部45は、第1導電部42A、第2導電部42B、第3導電部43A及び第4導電部44で形成される導電パターンを電気的に接続できればよいため、図4(a)及び図4(b)に示す変形例のように、枠の形状になっていなくてもよい。
Further, FIG. 3 shows a case where the connecting
更に、接続導電部45の接続部45Bは、薄膜トランジスタ14のドレイン電極の位置との関係で設けられるものであるから、必ずしも、一端側となる第1辺45Aから第1方向Xとは反対側に延在するように設けられるものではなく、薄膜トランジスタ14のドレイン電極の位置に対応して設けられていればよい(図4(b)参照)。
Furthermore, since the
次に、上記のような第1電極部40に関してシミュレーションの結果を示す図7から図12等を説明しながら第1電極部40の各部の寸法等についてより詳細に説明する。
まず、最初に、図7から図12に記載のL1、L2、L3、θ、応答時間及び透過率について、簡単な説明を行ってから、第1電極部40の各部の寸法等についての説明を行う。
図5は図3に対応する第1電極部40の平面図であり、シミュレーションの結果を示す図7から図12のグラフに用いられているパラメータ等を説明するための図である。
Next, the dimensions and the like of each part of the
First, a brief description of L1, L2, L3, θ, response time and transmittance shown in FIGS. conduct.
FIG. 5 is a plan view of the
図7から図12のグラフに記載のL1は、図5に示す第3導電部43A及び第4導電部44の第1方向Xに沿った長さを意味し、図7から図12のグラフに記載のL2は、第1導電部42Aの第1方向Xに沿った長さを意味する。
L1 described in the graphs of FIGS. 7 to 12 means the length along the first direction X of the third
また、図7から図12のグラフに記載のL3は、図5に示す第2導電部42Bの一端側となる屈曲部42BAから第1方向X側に位置する他端42BBまでの長さ、つまり、くの字形状の第2導電部42Bの対をなす一方の辺及び他方の辺の長さを意味する。
なお、第1導電部42A、第2導電部42Bの対をなす一方の辺及び他方の辺、第3導電部43A及び第4導電部44の幅は、いずれも2.50μmとしている。
ただし、第1導電部42A、第2導電部42Bの対をなす一方の辺及び他方の辺、第3導電部43A及び第4導電部44の幅が太くなると、第1電極部40の導電パターンが設けられていない部分の割合が少なくなり、透過率が低下するおそれがあることから、幅は1.00μmから4.00μm程度が好ましい。
Also, L3 described in the graphs of FIGS. 7 to 12 is the length from the bent portion 42BA that is one end side of the second
The widths of one side and the other side forming a pair of the first
However, when the widths of one side and the other side forming a pair of the first
更に、図7から図12のグラフに記載のθは、第2導電部42Bのくの字形状の開き角度の半分の角度を意味している。
つまり、θ=30度である場合、くの字形状の開き角度が60度になっていることを意味している。
Furthermore, θ described in the graphs of FIGS. 7 to 12 means an angle that is half the opening angle of the doglegged shape of the second
That is, when θ=30 degrees, it means that the opening angle of the doglegged shape is 60 degrees.
図6は、図7から図9の応答時間の定義を説明するための図であり、縦軸は液晶表示素子1を透過する光量(正規化光量)を表し、横軸は経過時間を表している。
なお、正規化光量とは、液晶表示素子1を透過する光の光量が安定した状態(定常時光量QLのライン参照)を100%とするように正規化した光量のことである。
FIG. 6 is a diagram for explaining the definition of the response time in FIGS. 7 to 9. The vertical axis represents the amount of light transmitted through the liquid crystal display element 1 (normalized amount of light), and the horizontal axis represents the elapsed time. there is
The normalized amount of light is the amount of light that is normalized so that the amount of light transmitted through the liquid
図6に示す液晶表示素子1を透過する光量の変化は、フリンジ電界の印加を開始して、液晶表示素子1を透過する光量が安定した状態(定常時光量QLのライン参照)に到達した後、フリンジ電界の印加を停止し、透過する光量がなくなるまでの状態を示したものになっている。
The change in the amount of light transmitted through the liquid
そして、一般的に応答時間は、液晶表示素子1を透過する光量が安定した状態(定常時光量QL)を基準に定常時光量QLの10%から90%の間の変化に要する時間として評価されることが多いため、図7から図9の応答時間もそれに従ったものとしている。 In general, the response time is evaluated as the time required for a change between 10% and 90% of the steady-state light quantity QL based on the stable state of the light quantity transmitted through the liquid crystal display element 1 (steady-state light quantity QL). Therefore, the response times shown in FIGS. 7 to 9 are also based on this.
具体的には、図6に示すように、電界印加時の応答時間T1は、フリンジ電界の印加を開始して、液晶表示素子1を透過する光量が定常時光量QLの10%(定常時光量QLの10%ライン参照)に到達したときを動作開始点とし、定常時光量QLの90%(定常時光量QLの90%ライン参照)に到達したときを動作終了点として、動作開始点から動作終了点までの経過時間としている。
Specifically, as shown in FIG. 6, the response time T1 during application of the electric field is such that the amount of light transmitted through the liquid
また、電界停止時の応答時間T2は、フリンジ電界の印加を停止して、液晶表示素子1を透過する光量が定常時光量QLの90%(定常時光量QLの90%ライン参照)に到達したときを動作開始点とし、定常時光量QLの10%(定常時光量QLの10%ライン参照)に到達したときを動作終了点として、動作開始点から動作終了点までの経過時間としている。
In addition, the response time T2 when the electric field is stopped is when the application of the fringe electric field is stopped and the amount of light transmitted through the liquid
そして、図6に示すように、電界印加時の応答時間T1と電界停止時の応答時間T2は異なることから、図7から図9に記載の応答時間は、この応答時間T1と応答時間T2を合わせた応答時間(=応答時間T1+応答時間T2)としている。 As shown in FIG. 6, since the response time T1 when the electric field is applied and the response time T2 when the electric field is stopped are different, the response times shown in FIGS. The combined response time (=response time T1+response time T2).
一方、図10から図12の透過率は、液晶表示素子1から出射する光の出射光強度が液晶表示素子1に入射する光の入射光強度に対して何%であるのかを表している。
On the other hand, the transmittances in FIGS. 10 to 12 indicate what percentage of the intensity of light emitted from the liquid
次に、シミュレーションの結果を示す図7から図9を参照しながら、応答時間と第1電極部40の各部の寸法等との関係について説明する。
図7は応答時間に関するシミュレーションの結果を示す第1グラフであり、L1及びL3を8.00μmに固定し、縦軸をL2/L1比とし、横軸をθとして応答時間を示したものになっている。
なお、L1=8.00μであることから縦軸はL2が変化することによるL2/L1比を示したものになっており、縦軸の一番下は0.75であり、一番上は1.25である。
Next, the relationship between the response time and the dimensions of each part of the
FIG. 7 is a first graph showing the results of a simulation relating to response time, where L1 and L3 are fixed at 8.00 μm, the vertical axis represents the L2/L1 ratio, and the horizontal axis represents the response time. ing.
Since L1=8.00μ, the vertical axis shows the L2/L1 ratio due to changes in L2. The bottom of the vertical axis is 0.75 and the top is 1.25.
図7に示すように、L2/L1比の変化にかかわらず、どのL2/L1比の位置でも、θが小さくなると応答時間が短くなる傾向があることがわかる。
例えば、図13に比較用の従来のFFS方式の画素電極の一例を示しているが、この画素電極において、くの字形状の各導電部100の幅W1を2.50μmとするとともに、導電部100間の離間距離D1を4.00μmとした場合、応答時間は26.00ms以上である。
As shown in FIG. 7, regardless of changes in the L2/L1 ratio, there is a tendency for the response time to shorten as θ decreases at any position of the L2/L1 ratio.
For example, FIG. 13 shows an example of a conventional FFS pixel electrode for comparison. When the separation distance D1 between 100 is 4.00 μm, the response time is 26.00 ms or longer.
そして、図7に示すように、L2/L1比が0.75から1.25の範囲で、θが60度以下のときには、応答時間がほぼ20.50ms以内に収まっていることから、比較用の従来のFFS方式の画素電極の場合に比べ、20%以上応答時間が改善していることがわかる。 As shown in FIG. 7, when the L2/L1 ratio is in the range of 0.75 to 1.25 and θ is 60 degrees or less, the response time is within approximately 20.50 ms. It can be seen that the response time is improved by 20% or more compared to the conventional FFS type pixel electrode.
図8は応答時間に関するシミュレーションの結果を示す第2グラフであり、L2/L1比を1.00に固定し、縦軸をL1及びL3の長さとし、横軸をθとして応答時間を示したものになっている。
なお、L2/L1比が1.00であるので、縦軸はL1、L2及びL3の長さを示しているものになっている。
FIG. 8 is a second graph showing the results of the simulation on the response time, showing the response time with the L2/L1 ratio fixed at 1.00, the lengths of L1 and L3 on the vertical axis, and θ on the horizontal axis. It has become.
Since the L2/L1 ratio is 1.00, the vertical axis indicates the lengths of L1, L2 and L3.
図8に示すように、L1、L2及びL3の長さの変化にかかわらず、どのL1、L2及びL3の長さの位置でも、θが小さくなると応答時間が短くなる傾向があることがわかる。
また、θにかかわらず、どのθの位置でも、L1、L2及びL3の長さが小さくなると、応答時間が短くなる傾向があることが伺える。
As shown in FIG. 8, regardless of changes in the lengths of L1, L2, and L3, there is a tendency for the response time to decrease as θ decreases at any length position of L1, L2, and L3.
Also, regardless of θ, it can be seen that there is a tendency for the response time to shorten as the lengths of L1, L2, and L3 become smaller at any θ position.
そして、L1、L2及びL3の長さが10.00μm以下の範囲で、θが60度以下のときには、応答時間がほぼ20.00ms以内に収まっていることから、比較用の従来のFFS方式の画素電極の場合に比べ、20%以上応答時間が改善していることがわかる。 When the lengths of L1, L2, and L3 are in the range of 10.00 μm or less and θ is 60 degrees or less, the response time is within approximately 20.00 ms. It can be seen that the response time is improved by 20% or more compared to the pixel electrode.
図9は応答時間に関するシミュレーションの結果を示す第3グラフであり、θを45度に固定し、縦軸をL2/L1比とし、横軸をL1及びL3の長さとして応答時間を示したものになっている。
なお、縦軸の一番下は0.75であり、一番上は1.25である。
FIG. 9 is a third graph showing the results of the simulation on the response time, showing the response time with θ fixed at 45 degrees, the vertical axis representing the L2/L1 ratio, and the horizontal axis representing the lengths of L1 and L3. It has become.
The bottom of the vertical axis is 0.75 and the top is 1.25.
図9に示すように、θが45度である場合、L2/L1比が0.75から1.25の範囲で、L1及びL3の長さが6.00μmから10.00μmの範囲のときには、応答時間がほぼ19.75ms以内に収まっていることから、比較用の従来のFFS方式の画素電極の場合に比べ、24%以上応答時間が改善していることがわかる。 As shown in FIG. 9, when θ is 45 degrees, when the L2/L1 ratio is in the range of 0.75 to 1.25 and the lengths of L1 and L3 are in the range of 6.00 μm to 10.00 μm, Since the response time is within approximately 19.75 ms, it can be seen that the response time is improved by 24% or more compared to the conventional FFS pixel electrode for comparison.
そして、θが小さくなると応答時間が短くなる傾向があり、また、L1、L2及びL3の長さが小さくなると、応答時間が短くなる傾向があることが伺えることは、先に見たとおりである。 As seen above, the smaller the θ, the shorter the response time, and the smaller the lengths of L1, L2, and L3, the shorter the response time. .
したがって、L2/L1比が1.25以下、L1及びL3の長さが10.00μm以下及びθが45度以下であれば、比較用の従来のFFS方式の画素電極の場合に比べ、24%以上の応答時間の改善が得られることがわかる。 Therefore, if the L2/L1 ratio is 1.25 or less, the lengths of L1 and L3 are 10.00 μm or less, and θ is 45 degrees or less, then the conventional FFS pixel electrode for comparison can be reduced by 24%. It can be seen that the above improvement in response time is obtained.
これらのことから、応答時間の面で見ると、L1、L2及びL3はそれぞれ10.00μm以下が好ましく、9.50μm以下がより好ましく、更に9.00μm以下が好ましい。
また、応答時間の面で見ると、L2/L1比は、1.25以下が好ましく、1.20以下がより好ましく、更に1.10以下が好ましい。
更に、応答時間の面で見ると、θは、60度以下が好ましく、45度以下がより好ましく、更に35度以下が好ましい。
From these facts, in view of the response time, each of L1, L2 and L3 is preferably 10.00 μm or less, more preferably 9.50 μm or less, further preferably 9.00 μm or less.
In terms of response time, the L2/L1 ratio is preferably 1.25 or less, more preferably 1.20 or less, and even more preferably 1.10 or less.
Furthermore, in terms of response time, θ is preferably 60 degrees or less, more preferably 45 degrees or less, and further preferably 35 degrees or less.
次に、シミュレーションの結果を示す図10から図12を参照しながら、透過率と第1電極部40の各部の寸法等との関係について説明する。
図10は透過率に関するシミュレーションの結果を示す第1グラフであり、L1及びL3を8.00μmに固定し、縦軸をL2/L1比とし、横軸をθとして透過率を示したものになっている。
なお、L1=8.00μmであることから縦軸はL2が変化することによるL2/L1比を示したものになっており、縦軸の一番下は0.75であり、一番上は1.25である。
Next, the relationship between the transmittance and the dimensions of each part of the
FIG. 10 is a first graph showing the results of a simulation relating to transmittance, in which transmittance is shown with L1 and L3 fixed at 8.00 μm, the vertical axis representing the L2/L1 ratio, and the horizontal axis representing θ. ing.
Since L1=8.00 μm, the vertical axis shows the L2/L1 ratio due to changes in L2. 1.25.
図10に示すように、L2/L1比の変化にかかわらず、どのL2/L1比の位置でも、θが小さくなると透過率が高くなる傾向があることがわかる。 As shown in FIG. 10, regardless of changes in the L2/L1 ratio, it can be seen that the transmittance tends to increase as θ decreases at any position of the L2/L1 ratio.
一方、本実施形態の変形例である画素電極の例を図14に示す。
図14を見るとわかるように、この変形例の画素電極においても、先に説明した第1実施形態の第1基本電極部42が備える、第1基板10(図1参照)の基板面に沿った第1方向Xに延在し、第1方向Xに直交する第2方向Yに離間した一対の第1導電部42Aに対応する部分と、第1実施形態の第2基本電極部43が備える、第1基本電極部42の開き側となる開口部OPの近傍から第1方向Xに延在する第3導電部43Aに対応する部分と、を備えている点が同じになっている。
On the other hand, FIG. 14 shows an example of a pixel electrode that is a modification of this embodiment.
As can be seen from FIG. 14, also in the pixel electrode of this modified example, along the substrate surface of the first substrate 10 (see FIG. 1) provided in the first
例えば、具体的なディメンジョンの一例として、各導電部110の幅W2(図14参照)を2.50μmとするとともに、導電部110間の離間距離D2(図14参照)を4.00μmとすると、この図14に示す変形例の画素電極においても、応答時間の面では、図13に示した比較用の従来のFFS方式の画素電極よりも短い応答時間が得られる。
For example, as an example of specific dimensions, if the width W2 (see FIG. 14) of each
ただし、図14に示すように、第1実施形態の第2導電部42Bに対応する部分が直線状になっている場合は、透過率が20%以下となるが、第1実施形態のように、くの字形状の第2導電部42Bを備えている場合には、より高い透過率が得られるため、透過率の観点からすれば、第1実施形態のように、くの字形状の第2導電部42Bを備えている方がより好ましい。
However, as shown in FIG. 14, when the portion corresponding to the second
以下、具体的に第1実施形態のくの字形状の第2導電部42Bを備えている場合に、どの程度の透過率が得られるか等について説明する。
図10に示すように、L2/L1比が0.75から1.25の範囲で、θが60度以下のときには、透過率がほぼ40%以上になっており、高い透過率が得られることがわかる。
Hereinafter, how much transmittance can be obtained when the V-shaped second
As shown in FIG. 10, when the L2/L1 ratio is in the range of 0.75 to 1.25 and θ is 60 degrees or less, the transmittance is approximately 40% or more, and a high transmittance can be obtained. I understand.
また、図11は透過率に関するシミュレーションの結果を示す第2グラフであり、L2/L1比を1.00に固定し、縦軸をL1及びL3の長さとし、横軸をθとして透過率を示したものになっている。
なお、L2/L1比が1.00であるので、縦軸はL1、L2及びL3の長さを示しているものになっている。
Further, FIG. 11 is a second graph showing the results of a simulation regarding transmittance, in which the L2/L1 ratio is fixed at 1.00, the vertical axis is the length of L1 and L3, and the horizontal axis is θ. It has become a thing.
Since the L2/L1 ratio is 1.00, the vertical axis indicates the lengths of L1, L2 and L3.
図11に示すように、L1、L2及びL3の長さが長く、θが小さいほうが、透過率は高くなる傾向であることがわかる。
また、図11に示されるL1、L2及びL3の長さが6.00μmから10.00μmで、θが30度から60度の範囲では、やはり、透過率がほぼ40%以上になっており、高い透過率が得られることがわかる。
As shown in FIG. 11, it can be seen that the longer the lengths of L1, L2 and L3 and the smaller the value of .theta., the higher the transmittance.
Also, when the lengths of L1, L2 and L3 shown in FIG. It can be seen that a high transmittance is obtained.
さらに、図12は透過率に関するシミュレーションの結果を示す第3グラフであり、θを45度に固定し、縦軸をL2/L1比とし、横軸をL1及びL3の長さとして透過率を示したものになっている。
なお、縦軸の一番下は0.75であり、一番上は1.25である。
Furthermore, FIG. 12 is a third graph showing the results of a simulation on transmittance, in which θ is fixed at 45 degrees, the vertical axis is the L2/L1 ratio, and the horizontal axis is the length of L1 and L3. It has become a thing.
The bottom of the vertical axis is 0.75 and the top is 1.25.
図12を見ると、θが45度の場合、L1及びL3の長さが8.00μmから9.50μmの範囲で、L2/L1比が1.00から1.20の範囲に透過率の高くなる範囲があることがわかる。 Looking at FIG. 12, when θ is 45 degrees, the length of L1 and L3 is in the range of 8.00 μm to 9.50 μm, and the L2/L1 ratio is high in the range of 1.00 to 1.20. It turns out that there is a range
ただし、図11に示される透過率の傾向と合わせて考えると、θが小さくなると、この透過率の高くなる範囲がL1、L2及びL3の長さが長くなる方向にシフトするものと考えられる。 However, considering the trend of transmittance shown in FIG. 11, it is considered that when θ becomes small, the range in which the transmittance increases shifts in the direction in which the lengths of L1, L2, and L3 become longer.
また、図12を見れば、L1及びL3が6.00μmと短く、かつ、L2/L1比が0.75と小さく、L2が4.50μm(=6.00μm×0.75)まで短くなっても、依然として、透過率が40%を超えていることが理解でき、高い透過率が得られることがわかる。 12, L1 and L3 are as short as 6.00 μm, the L2/L1 ratio is as small as 0.75, and L2 is as short as 4.50 μm (=6.00 μm×0.75). However, it can be understood that the transmittance still exceeds 40%, and it can be seen that a high transmittance can be obtained.
これらのことから、透過率の面で見ると、L1、L2及びL3はそれぞれ6.00μm以上が好ましく、7.00μm以上がより好ましく、更に8.00μm以上が好ましい。
ただし、図12の傾向からすると、L1及びL3が15.00μm程度になると、L1及びL3が6.00μmである場合と同様の状態になることが予想されることから、L1及びL3は15.00μm以下にするのがよいと考えられる。
For these reasons, in terms of transmittance, L1, L2 and L3 are each preferably 6.00 μm or more, more preferably 7.00 μm or more, and even more preferably 8.00 μm or more.
However, from the tendency of FIG. 12, when L1 and L3 are about 15.00 μm, the same state as when L1 and L3 are 6.00 μm is expected, so L1 and L3 are 15.00 μm. It is considered that the thickness should be 00 μm or less.
また、図12の傾向からすると、L2/L1比が1.40を超えると、L2/L1比が0.75以下である場合と同様の状態になることが予想されることから、L2/L1比は1.40以下にするのがよいと考えられる。 Also, from the tendency of FIG. 12, when the L2/L1 ratio exceeds 1.40, the same state as when the L2/L1 ratio is 0.75 or less is expected. It is believed that the ratio should be 1.40 or less.
なお、図12のL2/L1比は、L1の長さを基準にL2の長さを変化させた場合の比であり、先に図12の傾向から説明したように、L2/L1比の範囲が0.75から1.40であれば良好な結果が得られると考えられる。
そして、L2/L1比が0.75である場合、L2はL1及びL3の長さより短く、L2/L1比が1.40の場合、L2はL1及びL3の長さより長くなるが、この場合でも良好な結果が得られることを考えれば、L2は、少なくともL1及びL3で良好である長さと同じ範囲にしておけば、問題ないといえる。
したがって、L2も15.00μm以下にしておけば、十分と考えられる。
The L2/L1 ratio in FIG. 12 is the ratio when the length of L2 is changed based on the length of L1, and as described above from the tendency of FIG. It is believed that good results are obtained with a .DELTA.
And when the L2/L1 ratio is 0.75, L2 is shorter than the lengths of L1 and L3, and when the L2/L1 ratio is 1.40, L2 is longer than the lengths of L1 and L3. Considering that good results can be obtained, it can be said that there is no problem if L2 is at least in the same range as the lengths that are good for L1 and L3.
Therefore, it is considered sufficient to set L2 to 15.00 μm or less.
一方、θに関しては、応答時間のときと同様の傾向となっていることから、透過率の面で見ても、θは、60度以下が好ましく、45度以下がより好ましく、更に35度以下が好ましい。 On the other hand, θ has the same tendency as that of the response time. Therefore, in terms of transmittance, θ is preferably 60 degrees or less, more preferably 45 degrees or less, and furthermore 35 degrees or less. is preferred.
以上のような第1電極部40の各部の寸法等と応答時間及び透過率との関係を考慮すると、L1、L2及びL3のそれぞれ長さの上限は、応答時間の観点で、10.00μm以下が好ましく、9.50μm以下がより好ましく、更に9.00μm以下が好ましいと考えられる。
Considering the relationship between the dimensions of each part of the
一方、L1、L2及びL3のそれぞれ長さの下限は、透過率の観点で、6.00μm以上が好ましく、7.00μm以上がより好ましく、更に8.00μm以上が好ましいと考えられる。 On the other hand, the lower limits of the lengths of L1, L2, and L3 are considered to be preferably 6.00 μm or more, more preferably 7.00 μm or more, and even more preferably 8.00 μm or more, from the viewpoint of transmittance.
また、θに関しては、応答時間及び透過率の観点の双方で同じ傾向となっており、60度以下が好ましく、45度以下がより好ましく、更に35度以下が好ましいと考えられる。
ただし、θが小さくなりすぎると、一対の第1導電部42A間の離間距離がなくなることを考えれば、下限としては、20度以上としておくのが好ましいと考えられる。
Regarding θ, the same trend is observed in terms of response time and transmittance, and it is considered that 60 degrees or less is preferable, 45 degrees or less is more preferable, and 35 degrees or less is even more preferable.
However, considering that if θ becomes too small, the distance between the pair of first
次に、フリンジ電界を印加したときに、液晶層30の液晶分子がどのように回転するのか等を踏まえて応答時間と透過率に関する説明を行う。
図15は、第1電極部40と第2電極部12の間に電位差を発生させ、フリンジ電界を発生させたときの液晶分子の状態を説明するための図である。
Next, the response time and the transmittance will be described based on how the liquid crystal molecules of the
FIG. 15 is a diagram for explaining the state of liquid crystal molecules when a potential difference is generated between the
図15では、フリンジ電界を発生させたときの電界の状態を細い矢印f1及びf2で示しており、フリンジ電界を発生させたときに液晶層30の液晶分子がX軸及びY軸で規定される平面に沿って回転する方向を太い矢印Rで示している。
なお、矢印f1、f2及び矢印Rは一部だけに図示しているが他の部分も同様となる。
In FIG. 15, the states of the electric field when the fringe electric field is generated are indicated by thin arrows f1 and f2, and the liquid crystal molecules of the
Although the arrows f1, f2 and arrow R are shown only in part, the same applies to other parts.
図15に示すように、第2方向Yの一対の第1導電部42Aとそれら一対の第1導電部42Aに繋がるくの字形状の第2導電部42Bで囲まれる領域では、第2導電部42Bの屈曲部42BAを通る第1方向Xに沿った直線(点線L1参照)を基準に、第2方向Y側の領域と第2方向Yと反対側の領域の液晶分子は、太い矢印Rで示すように、どちらも第2導電部42Bの屈曲部42BAを通る第1方向Xに沿った直線(点線L1参照)側に回転するように動く。
このため、相対流動方向が同じ方向となるため、液晶分子間での摩擦抵抗が小さくなっている。
As shown in FIG. 15, in a region surrounded by a pair of first
Therefore, since the relative flow directions are the same, the frictional resistance between the liquid crystal molecules is reduced.
また、第2方向Yの一対の第3導電部43A側について見ると、第2方向Yの一対の第3導電部43Aと、第3導電部43Aの第1方向X側に位置し、第2方向Yに隣接する第2導電部42Bの一方の辺42B1と第2導電部42Bの他方の辺42B2によって、囲まれる領域では、第2方向Y側(下側)の領域と、第2方向Yと反対側(上側)の領域で液晶分子は、やはり、太い矢印Rで示すように、相対流動方向が同じ方向となるため、液晶分子間での摩擦抵抗が小さくなっている。
Further, when looking at the pair of third
このように、本実施形態では、主に液晶分子が回転する部分ごとに見ると、液晶分子間での摩擦抵抗が小さくなっているため、スムーズに液晶分子が回転でき、応答時間が短くなる。 As described above, in the present embodiment, the frictional resistance between the liquid crystal molecules is small when viewed mainly for each portion where the liquid crystal molecules rotate, so that the liquid crystal molecules can rotate smoothly and the response time is shortened.
一方、矢印f2で示す電界は、第2方向Yの一対の第1導電部42Aで発生する電界とそれら一対の第1導電部42Aに繋がるくの字形状の第2導電部42Bで発生する電界との合成によって方向が決まっており、図15に示すように、より大きく液晶分子を回転させる方向に向いている。
このため、液晶分子を大きく回転させることができるため、透過率を高くすることが可能となる。
なお、このようなくの字形状の第2導電部42Bの作用によって、液晶分子の指向性の一致度もよくすることができ、より一層透過率を高くすることが可能である。
On the other hand, the electric field indicated by the arrow f2 is the electric field generated by the pair of first
Therefore, since the liquid crystal molecules can be largely rotated, the transmittance can be increased.
It should be noted that the degree of coincidence of the directivity of the liquid crystal molecules can be improved by the action of the doglegged second
また、第2方向Yの一対の第3導電部43A側の矢印f2で示す電界も、第2方向Yの一対の第3導電部43Aで発生する電界と、それらに繋がっている第3導電部43Aの第1方向X側に位置し、第2方向Yに隣接する第2導電部42Bの一方の辺42B1と第2導電部42Bの他方の辺42B2で発生する電界との合成によって方向が決まっており、図15に示すように、より大きく液晶分子を回転させる方向に向いている。
Also, the electric field indicated by the arrow f2 on the side of the pair of third
このため、液晶分子を大きく回転させることができるため、透過率を高くすることが可能となる。
また、第2方向Yに隣接する第2導電部42Bの一方の辺42B1と第2導電部42Bの他方の辺42B2は、第2方向Yの一対の第3導電部43Aを繋ぐ第2導電部42Bと向きが逆方向の逆くの字形状の導電部を構成するものになっており、このような逆くの字形状の導電部の作用によって、液晶分子の指向性の一致度もよくすることができ、より一層透過率を高くすることが可能である。
Therefore, since the liquid crystal molecules can be largely rotated, the transmittance can be increased.
One side 42B1 of the second
例えば、第2方向Yの一対の第1導電部42Aのそれぞれの一端42AAをくの字形状の第2導電部42Bではなく、第2方向Yに沿った直線で繋げた場合、矢印f2で示す電界の方向は、第1導電部42Aに対する角度δが45度程度となる。
For example, if one end 42AA of each of the pair of first
しかし、本実施形態のように、第2方向Yの一対の第1導電部42Aのそれぞれの一端42AAをくの字形状の第2導電部42Bで繋ぐようにすると、矢印f2で示す電界の方向が45度よりも大きな角度δを有するようにできるため、大きく液晶分子を回転させることができ、高い透過率を得ることができるようになる。
なお、このことは、第2方向Yの一対の第3導電部43Aでの矢印f2で示す電界においても同じである。
However, if one end 42AA of each of the pair of first
The same applies to the electric field indicated by the arrow f2 in the pair of third
そして、この角度δは、くの字形状の第2導電部42Bの開き角度が小さいほど大きくできるため、先に見たシミュレーションのようにθが小さいほど透過率を高くできるようになる。
This angle δ can be made larger as the opening angle of the doglegged second
このように、本実施形態の第1電極部40であれば、従来のFFS方式の画素電極よりも短い応答時間が得られるとともに、高い透過率を得ることができる。
As described above, with the
[実施例]
次に、先に説明した組成物M30と組成物M31を実際に液晶層30に適用して応答時間を実測した結果を、以下、第1実施例及び第2実施例として記載する。
なお、図6を参照して説明したように、電界印加時の応答時間を応答時間T1とし、電界停止時の応答時間を応答時間T2とし、それらを合わせたものを、単に、応答時間(=応答時間T1+応答時間T2)としている。
[Example]
Next, the results of actually measuring the response times of the composition M30 and the composition M31 described above when actually applied to the
As described with reference to FIG. 6, the response time when the electric field is applied is the response time T1, and the response time when the electric field is stopped is the response time T2. (response time T1+response time T2).
[第1実施例]
液晶層30に組成物M30を用い、第1電極部40(図1から図3参照)を画素電極とした本実施形態の液晶表示素子1の場合、電界印加時の応答時間T1が4.25msであり、電界停止時の応答時間T2が3.46msであり、それらを合わせた応答時間(=応答時間T1+応答時間T2)が7.71msであった。
[First embodiment]
In the case of the liquid
一方、比較のために、画素電極を図13に示した従来のFFS方式の画素電極に変更した以外は同様の液晶表示素子の場合、電界印加時の応答時間T1が10.84msであり、電界停止時の応答時間T2が9.53msであり、それらを合わせた応答時間(=応答時間T1+応答時間T2)が20.37msであった。 On the other hand, for comparison, in the case of the same liquid crystal display element except that the pixel electrode was changed to the conventional FFS pixel electrode shown in FIG. The response time T2 at the stop was 9.53 ms, and the combined response time (=response time T1+response time T2) was 20.37 ms.
[第2実施例]
液晶層30に組成物M31を用い、第1電極部40(図1から図3参照)を画素電極とした本実施形態の液晶表示素子1の場合、電界印加時の応答時間T1が2.69msであり、電界停止時の応答時間T2が3.47msであり、それらを合わせた応答時間(=応答時間T1+応答時間T2)が6.16msであった。
[Second embodiment]
In the case of the liquid
一方、比較のために、画素電極を図13に示した従来のFFS方式の画素電極に変更した以外は同様の液晶表示素子の場合、電界印加時の応答時間T1が31.78msであり、電界停止時の応答時間T2が24.81msであり、それらを合わせた応答時間(=応答時間T1+応答時間T2)が56.59msであった。 On the other hand, for comparison, in the case of the same liquid crystal display element except that the pixel electrode was changed to the conventional FFS type pixel electrode shown in FIG. The response time T2 at the stop was 24.81 ms, and the total response time (=response time T1+response time T2) was 56.59 ms.
そして、第1実施例及び第2実施例の結果からもわかるように、実際の実測値においても、本実施形態の液晶表示素子1の電極構造であれば、従来のFFS方式の電極構造の場合に比べ応答時間(電界印加時の応答時間T1、電界停止時の応答時間T2及びそれらを合わせた応答時間)が大幅に短くなり、性能が向上していることがわかる。
As can be seen from the results of the first and second examples, the electrode structure of the liquid
(第2実施形態)
第1実施形態では、第1電極部40が画素電極であり、第2電極部12が共通電極である場合について説明したが、第2実施形態では、第1電極部40が共通電極であり、第2電極部12が画素電極である場合について説明する。
(Second embodiment)
In the first embodiment, the
第2実施形態においても基本的な構成は第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と同様である部分については説明を省略し、主に異なる部分について説明を行う。 Since the basic configuration of the second embodiment is the same as that of the first embodiment, the description of the same parts as those of the first embodiment is omitted, and mainly the different parts are described.
図16は本発明に係る第2実施形態の液晶表示素子1の一部断面図であり、図1に対応する図である。
図17は本発明に係る第2実施形態の液晶表示素子1の電極構造を説明するための平面図であり、図2に対応する図である。
FIG. 16 is a partial cross-sectional view of the liquid
FIG. 17 is a plan view for explaining the electrode structure of the liquid
なお、図1及び図2と同様に、図16及び図17は液晶表示素子1の画素のRGBの1つの部分に対応するサブ画素に対応する図になっており、図16は図17のA-A線に対応する位置の液晶表示素子1の断面図になっている。
1 and 2, FIGS. 16 and 17 are diagrams corresponding to sub-pixels corresponding to one portion of RGB of pixels of the liquid
第2実施形態では、図16に示すように、第1基板10に近い側に位置する第2電極部12が画素電極とされているため、図17に示すように、第2電極部12が薄膜トランジスタ14のドレイン電極に電気的に接続されている。
In the second embodiment, as shown in FIG. 16, the
そして、この場合、ビアホールVH(図2参照)を設けなくても、第2電極部12が薄膜トランジスタ14のドレイン電極に電気的に接続することが可能であるため、ビアホールVHが省略されている。
In this case, since the
一方、第2実施形態では、図17に示すように、第1電極部40が共通電極とされ、共通電極線16に電気的に接続されるが、この場合もビアホールVHを設けることなく、電気的な接続が行える位置に共通電極線16を設ければよいため、ビアホールVHが不要である。
On the other hand, in the second embodiment, as shown in FIG. 17, the
そして、第2実施形態のように、第1電極部40を共通電極とし、第2電極部12を画素電極とした場合でも、発生するフリンジ電界の状態は第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。
Even when the
ところで、第1実施形態でも述べたように、共通電極はサブ画素ごとに設ける必要はない。
したがって、第1電極部40を1画素領域ごとの単位や、図18に示すように、複数の画素領域ごとの単位又は全画素領域の単位(この場合、第1電極部40は1つとなる。)で設けるようにしてもよい。
By the way, as described in the first embodiment, it is not necessary to provide a common electrode for each sub-pixel.
Accordingly, the
以上のように、第1電極部40と第2電極部12が第1基板10から液晶層30側に向かうZ軸方向、つまり、液晶表示素子1の厚み方向(以下、厚み方向Zともいう。)で離間して積層されている構成においては、第1電極部40及び第2電極部の一方が画素電極であり、もう一方が共通電極であればよい。
As described above, the
(第3実施形態)
上記第1実施形態及び第2実施形態では、厚み方向Zに第1電極部40と第2電極部12が離間している場合について説明した。
しかし、第1電極部40と第2電極部12は厚み方向Zに離間させることに限定される必要はなく、第1方向Xに離間させるようにしてもよい。
(Third Embodiment)
In the first embodiment and the second embodiment described above, the case where the
However, the
したがって、第3実施形態では、第1電極部40と第2電極部12を第1方向Xに離間させるようにした場合について説明を行う。
なお、第3実施形態でも、全体的な構成は、第1実施形態及び第2実施形態と同様であるため、第1実施形態及び第2実施形態と同様の点に関しては説明を省略し、主に異なる点についてのみ説明を行う。
Therefore, in the third embodiment, the case where the
In addition, since the overall configuration of the third embodiment is the same as that of the first and second embodiments, the description of the same points as those of the first and second embodiments will be omitted. Only points that differ from
第1実施形態及び第2実施形態では、図1及び図16に示したように、絶縁層17上に第2電極部12が設けられ、その第2電極部12を覆うように絶縁層18が設けられ、その絶縁層18上に第1電極部40が設けられ、更に、第1電極部40を覆うように第1配向膜19が設けられていた。
In the first and second embodiments, as shown in FIGS. 1 and 16, the
しかし、第3実施形態では、上述のように、第1電極部40及び第2電極部12を第1方向Xに離間させて配置するため、厚み方向Zに離間させて第1電極部40と第2電極部12を配置する必要はない。
However, in the third embodiment, as described above, since the
したがって、第3実施形態では、図1及び図16に示した絶縁層17上に第1電極部40及び第2電極部12が設けられるとともに、それら第1電極部40及び第2電極部12を覆うように第1配向膜19が設けられ、絶縁層18が省略された構成になる点が、厚み方向Zで見たときの違いとなる。
Therefore, in the third embodiment, the
そして、第1電極部40及び第2電極部12を第1方向Xに並べるように配置すると、FFS方式の横電界(フリンジ電界)ではなく、IPS方式の横電界となる。
When the
しかし、第2電極部12をベタ電極とするのではなく、第1電極部40と第2電極部12とで、少なくとも第1実施形態及び第2実施形態の基本電極部41と類似の導電パターンを形成するようにすれば、液晶層30の液晶分子にかかる電界の状態を第1実施形態及び第2実施形態と類似するものとできるため、第1実施形態及び第2実施形態と同様の効果を奏することができる。
以下、具体的に第1電極部40及び第2電極部12について説明する。
However, instead of using the
Hereinafter, the
図19は、本発明に係る第3実施形態の液晶表示素子1の電極構造を説明するための平面図である。
図19に示すように、第1電極部40は、少なくとも1つの第1基本電極部42を有しており、第2電極部12は、少なくとも1つの第2基本電極部43を有している。
FIG. 19 is a plan view for explaining the electrode structure of the liquid
As shown in FIG. 19, the
そして、第1基本電極部42は、第1実施形態及び第2実施形態と同様に、第1基板10(図1及び図16参照)の基板面に沿った第1方向Xに延在し、第1方向Xに直交する第2方向Yに離間した一対の第1導電部42Aを備えている。
また、第1基本電極部42は、第1実施形態及び第2実施形態と同様に、一対の第1導電部42Aのそれぞれの一端42AAに対して接続された一対の他端42BBを有し、第1導電部42Aの延在方向とは反対方向にくの字形状の一端となる屈曲部42BAを有するくの字形状の第2導電部42Bを備えている。
なお、第1実施形態で述べたのと同様に第2導電部42Bは、くの字形状の方が好ましいがこれに限定されるものではない。
Then, the first
Further, the first
It should be noted that the second
一方、第2基本電極部43は、第1実施形態及び第2実施形態と同様に、第1基本電極部42の開き側となる開口部OPの近傍から第1方向Xに延在する第3導電部43Aを備えている。
On the other hand, the second
なお、図19では、第3導電部43Aは、第3導電部43Aの一端43AAが開口部OPよりも、若干、開口部OP内(第1基本電極部42寄り)に位置するように設けられているが、この点に関しては、第1実施形態で述べたように、第3導電部43Aは、第3導電部43Aの一端43AAが開口部OPよりも第1方向Xに、若干、離間するように設けられていてもよい。
In FIG. 19, the third
また、本実施形態では、第1電極部40は、第2方向Yに複数の第1基本電極部42(具体的には3つの第1基本電極部42)を備えており、第2方向Yの任意の隣り合う第1基本電極部42は、一対の第1導電部42Aのうち第1基本電極部42の間に位置することになる第1導電部42Aを共有しており(斜めハッチング部分参照)、この点も第1実施形態及び第2実施形態と同様である。
In addition, in the present embodiment, the
一方、第2電極部12について見ても、本実施形態では、第2電極部12は、第2方向Yに第1基本電極部42に対応する複数の第2基本電極部43(具体的には3つの第2基本電極部43の第3導電部43A)を備えており、第1実施形態及び第2実施形態の第2基本電極部43の第3導電部43Aと同様の構成になっている。
On the other hand, regarding the
更に、第2基本電極部43は、第1基本電極部42と同様の構成の付加電極部43ADを備えている。
Further, the second
具体的には、付加電極部43ADは、第3導電部43Aの第1方向X側に設けられた第1基本電極部42の第1導電部42Aと同様の第2方向Yに離間した一対の第4導電部43Bと、一対の第4導電部43Bのそれぞれの一端43BAに対して接続された一対の他端43CBを有し、第1方向Xとは反対方向に第3導電部43Aの他端43ABが接続されるくの字形状の一端となる屈曲部43CAを有する第1基本電極部42の第2導電部42Bと同様のくの字形状の第5導電部43Cと、を備えている。
なお、第5導電部43Cも、くの字形状の方が好ましいがこれに限定されるものではない。
Specifically, the additional electrode portion 43AD is a pair of electrodes spaced apart in the second direction Y similar to the first
The fifth
そして、付加電極部43ADが、第2方向Yに複数ある場合(図19は3つある場合である。)、第1基本電極部42と同様に、第2方向Yの任意の隣り合う付加電極部43ADは、一対の第4導電部43Bのうち付加電極部43ADの間に位置することになる第4導電部43Bを共有している(クロスハッチング部参照)。
When there are a plurality of additional electrode portions 43AD in the second direction Y (FIG. 19 shows a case in which there are three), any adjacent additional electrode portion 43AD in the second direction Y is arranged in the same manner as the first
一方、第1電極部40について見ると、本実施形態では、第1基本電極部42が第2導電部42Bの屈曲部42BAから第1方向Xとは反対方向に延在する第1実施形態及び第2実施形態の第4導電部44と同様の第6導電部42Cを備えている。
On the other hand, when looking at the
そして、本実施形態では、第2基本電極部43が間に位置するように第1基本電極部42が第1方向Xに繰り返されるように設けられている。
なお、図19では、第1基本電極部42が1回繰り返されている場合を示しているが、この繰り返し数は、サブ画素に求められる面積に応じて決めればよい。
In this embodiment, the first
Although FIG. 19 shows the case where the first
また、第1電極部40は、一対の第1導電部42Aと1つの第2導電部42Bを有する少なくとも1つの第1基本電極部42を有していればよく、第2電極部12は第1基本電極部42に対応した第2基本電極部43の第3導電部43Aを有していればよく、第2方向Yにいくつ設けるのかは、サブ画素に求められる面積に応じて決めればよい。
ただし、第2基本電極部43の第3導電部43Aが第2方向Yに複数ある場合には、それらの第3導電部43Aを電気的に接続するために、第5導電部43Cを設けるようにすればよい。
Moreover, the
However, if there are a plurality of third
そして、第1電極部40は、L字形状の接続導電部45を備え、その接続導電部45が第1導電部42A、第2導電部42B及び第6導電部42Cで形成される導電パターンを電気的に接続している。
また、接続導電部45は一端側となる第1辺45Aから第1方向Xとは反対側に延在する接続部45Bを備え、この接続部45Bが薄膜トランジスタ14のドレイン電極に電気的に接続されることで、第1電極部40が画素電極であるものとされている。
The
In addition, the connection
一方、第2電極部12が共通電極線16に電気的に接続されることで、第2電極部12が共通電極であるものとされている。
On the other hand, by electrically connecting the
上記のような構成の場合、第1電極部40と第2電極部12との間の電位差によって発生する横電界は、図15を参照して説明した第1実施形態の電界と類似した状態になり、第1実施形態及び第2実施形態と同様の効果を奏することができる。
In the above configuration, the lateral electric field generated by the potential difference between the
なお、本実施形態では、第1電極部40が画素電極で第2電極部12が共通電極である場合について示してきたが、第1電極部40を共通電極とし、第2電極部12を画素電極としても、発生する横電界の状態は本実施形態と同様であるため、第1電極部40が画素電極で第2電極部12が共通電極である場合と同様の効果を奏することができる。
In this embodiment, the
したがって、第1電極部40又は第2電極部12の一方が画素電極であり、第1電極部40又は第2電極部12の残る他方が共通電極であるものとされていればよい。
Therefore, one of the
以上、具体的な実施形態に基づいて、本発明の液晶表示素子1について説明してきたが、本発明は、具体的な実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形や改良を施したものも本発明の技術的範囲に含まれるものであり、そのことは、当業者にとって特許請求の範囲の記載から明らかである。
Although the liquid
1…液晶表示素子、10…第1基板、11…第1偏光板、12…第2電極部、13…データ線、14…薄膜トランジスタ、15…ゲート線、16…共通電極線、17…絶縁層、18…絶縁層、19…第1配向膜、20…第2基板、21…第2偏光板、22…色層、23…ブラックマトリックス、24…平坦化膜、25…第2配向膜、30…液晶層、40…第1電極部、41…基本電極部、42…第1基本電極部、42A…第1導電部、42AA…一端、42B…第2導電部、42B1,42B2…辺、42BA…屈曲部、42BB…他端、42C…第6導電部、43…第2基本電極部、43A…第3導電部、43AA…一端、43AB…他端、43AD…付加電極部、43B…第4導電部、43C…第5導電部、43BA…一端、43CA…屈曲部、43CB…他端、44…第4導電部、45…接続導電部、45A…第1辺、45B…接続部、100…導電部、110…導電部、OP…開口部、D1,D2…距離、L1,L2,L3…長さ、T1,T2…応答時間、VH…ビアホール、θ,δ…角度
DESCRIPTION OF
Claims (14)
前記第1基板上に第1電極部を備え、
前記第1電極部は、少なくとも1つの基本電極部を備え、
前記基本電極部は、第1基本電極部と第2基本電極部を備え、
前記第1基本電極部は、
基板面に沿った第1方向に延在し、第1方向に直交する第2方向に離間した一対の第1導電部を備え、
前記一対の第1導電部のそれぞれの一端に対して接続された一対の他端を有する、直線状、又は、前記第1導電部の延在方向とは反対方向に屈曲部を有するくの字形状の第2導電部を備え、
前記第2基本電極部は、前記第1基本電極部の開口部の近傍から第1方向に延在する第3導電部を備え、
絶縁層を介して前記第1電極部よりも第1基板側に設けられたベタ電極の第2電極部を備え、
前記第1電極部及び前記第2電極部の一方が画素電極であり、もう一方が共通電極であり、
前記液晶層に含まれる液晶組成物は、第一成分として式(1)で表される化合物から選択された少なくとも1つの化合物を含有する液晶表示素子。
式(1)において、R1及びR2は、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、又は少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数2から12のアルケニルであり;環A及び環Bは、1,4-シクロヘキシレン、1,4-フェニレン、2-フルオロ-1,4-フェニレン、又は2,5-ジフルオロ-1,4-フェニレンであり;Z1は、単結合、エチレン、ビニレン、メチレンオキシ、又はカルボニルオキシであり;aは、1、2、又は3である。 A liquid crystal layer is provided between the first substrate and the second substrate facing each other,
A first electrode portion is provided on the first substrate,
the first electrode portion comprises at least one basic electrode portion;
The basic electrode portion includes a first basic electrode portion and a second basic electrode portion,
The first basic electrode portion is
A pair of first conductive parts extending in a first direction along the substrate surface and spaced apart in a second direction orthogonal to the first direction,
Having a pair of other ends connected to one end of each of the pair of first conductive parts, a linear shape or a dogleg shape having a bent part in a direction opposite to the extending direction of the first conductive part a second conductive portion having a shape;
The second basic electrode portion includes a third conductive portion extending in the first direction from the vicinity of the opening of the first basic electrode portion,
A second electrode portion of a solid electrode provided closer to the first substrate than the first electrode portion with an insulating layer interposed therebetween;
one of the first electrode portion and the second electrode portion is a pixel electrode and the other is a common electrode;
A liquid crystal display device, wherein the liquid crystal composition contained in the liquid crystal layer contains at least one compound selected from compounds represented by formula (1) as a first component.
In formula (1), R 1 and R 2 are alkyl having 1 to 12 carbon atoms, alkoxy having 1 to 12 carbon atoms, alkenyl having 2 to 12 carbon atoms, or at least one hydrogen is replaced with fluorine or chlorine. alkenyl having 2 to 12 carbon atoms; ring A and ring B are 1,4-cyclohexylene, 1,4-phenylene, 2-fluoro-1,4-phenylene, or 2,5-difluoro-1,4 -phenylene; Z 1 is a single bond, ethylene, vinylene, methyleneoxy, or carbonyloxy; a is 1, 2, or 3;
第1方向の任意の隣り合う前記基本電極部は、前記第2導電部の前記屈曲部と前記第3導電部の他端で接続されている請求項2に記載の液晶表示素子。 the first electrode portion includes a plurality of basic electrode portions in a first direction;
3. The liquid crystal display element according to claim 2, wherein any adjacent basic electrode portions in the first direction are connected to the bent portion of the second conductive portion and the other end of the third conductive portion.
第2方向の任意の隣り合う前記基本電極部は、前記一対の第1導電部のうち前記基本電極部の間に位置することになる前記第1導電部を共有している請求項2又は請求項3に記載の液晶表示素子。 the first electrode portion includes a plurality of the basic electrode portions in a second direction;
Any adjacent basic electrode portions in the second direction share the first conductive portion of the pair of first conductive portions that will be positioned between the basic electrode portions. Item 4. The liquid crystal display device according to item 3.
式(1-1)から式(1-13)において、R1及びR2は、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、又は少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数2から12のアルケニルである。 7. The liquid crystal display according to any one of claims 1 to 6 , which contains at least one compound selected from compounds represented by formulas (1-1) to (1-13) as the first component. element.
In formulas (1-1) to (1-13), R 1 and R 2 are alkyl having 1 to 12 carbon atoms, alkoxy having 1 to 12 carbon atoms, alkenyl having 2 to 12 carbon atoms, or at least one It is alkenyl having 2 to 12 carbon atoms in which hydrogen is replaced with fluorine or chlorine.
式(2)において、R3は炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、又は炭素数2から12のアルケニルであり;環Cは、1,4-シクロヘキシレン、1,4-フェニレン、2-フルオロ-1,4-フェニレン、2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレン、2,6-ジフルオロ-1,4-フェニレン、ピリミジン-2,5-ジイル、1,3-ジオキサン-2,5-ジイル、又はテトラヒドロピラン-2,5-ジイルであり;Z2は、単結合、エチレン、ビニレン、メチレンオキシ、カルボニルオキシ、又はジフルオロメチレンオキシであり;X1及びX2は独立して、水素又はフッ素であり;Y1は、フッ素、塩素、少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルキル、少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数1から12のアルコキシ、又は少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数2から12のアルケニルオキシであり;bは、1、2、3、又は4である。 9. The liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 8 , comprising at least one compound selected from the group of compounds represented by formula (2) as the second component.
In formula (2), R 3 is alkyl having 1 to 12 carbon atoms, alkoxy having 1 to 12 carbon atoms, or alkenyl having 2 to 12 carbon atoms; ring C is 1,4-cyclohexylene, 1,4 -phenylene, 2-fluoro-1,4-phenylene, 2,3-difluoro-1,4-phenylene, 2,6-difluoro-1,4-phenylene, pyrimidine-2,5-diyl, 1,3-dioxane -2,5-diyl, or tetrahydropyran-2,5-diyl; Z 2 is a single bond, ethylene, vinylene, methyleneoxy, carbonyloxy, or difluoromethyleneoxy; X 1 and X 2 are independent is hydrogen or fluorine; Y 1 is fluorine, chlorine, alkyl having 1 to 12 carbon atoms in which at least one hydrogen is replaced by fluorine or chlorine, carbon in which at least one hydrogen is replaced by fluorine or chlorine 1 to 12 alkoxy, or C2 to C12 alkenyloxy in which at least one hydrogen is replaced with fluorine or chlorine; b is 1, 2, 3, or 4;
式(2-1)から式(2-35)において、R3は、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、又は炭素数2から12のアルケニルである。 10. The second component according to any one of claims 1 to 9 , containing at least one compound selected from the group of compounds represented by formulas (2-1) to (2-35). Liquid crystal display element.
In formulas (2-1) to (2-35), R 3 is alkyl having 1 to 12 carbon atoms, alkoxy having 1 to 12 carbon atoms, or alkenyl having 2 to 12 carbon atoms.
式(3)において、R4及びR5は、水素、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、又は炭素数2から12のアルケニルオキシであり;環D及び環Fは、1,4-シクロヘキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、テトラヒドロピラン-2,5-ジイル、1,4-フェニレン、少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた1,4-フェニレン、ナフタレン-2,6-ジイル、少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられたナフタレン-2,6-ジイル、クロマン-2,6-ジイル、又は少なくとも1つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられたクロマン-2,6-ジイルであり;環Eは、2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレン、2-クロロ-3-フルオロ-1,4-フェニレン、2,3-ジフルオロ-5-メチル-1,4-フェニレン、3,4,5-トリフルオロナフタレン-2,6-ジイル、7,8-ジフルオロクロマン-2,6-ジイル、3,4,5,6-テトラフルオロフルオレン-2,7-ジイル、4,6-ジフルオロジベンゾフラン-3,7-ジイル、4,6-ジフルオロジベンゾチオフェン-3,7-ジイル、又は1,1,6,7-テトラフルオロインダン-2,5-ジイルであり;Z3及びZ4は、単結合、エチレン、ビニレン、メチレンオキシ、又はカルボニルオキシであり;cは、0、1、2、又は3であり、dは、0又は1であり、そしてc及びdの和は、3以下である。 12. The liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 11 , containing at least one compound selected from the group of compounds represented by formula (3) as the third component.
In formula (3), R 4 and R 5 are hydrogen, alkyl having 1 to 12 carbon atoms, alkoxy having 1 to 12 carbon atoms, alkenyl having 2 to 12 carbon atoms, or alkenyloxy having 2 to 12 carbon atoms. ring D and ring F are 1,4-cyclohexylene, 1,4-cyclohexenylene, tetrahydropyran-2,5-diyl, 1,4-phenylene, at least one hydrogen replaced by fluorine or chlorine; 1,4-phenylene, naphthalene-2,6-diyl, naphthalene-2,6-diyl in which at least one hydrogen is replaced by fluorine or chlorine, chroman-2,6-diyl, or at least one hydrogen is fluorine or chroman-2,6-diyl substituted with chlorine; ring E is 2,3-difluoro-1,4-phenylene, 2-chloro-3-fluoro-1,4-phenylene, 2,3-difluoro -5-methyl-1,4-phenylene, 3,4,5-trifluoronaphthalene-2,6-diyl, 7,8-difluorochroman-2,6-diyl, 3,4,5,6-tetrafluoro fluorene-2,7-diyl, 4,6-difluorodibenzofuran-3,7-diyl, 4,6-difluorodibenzothiophene-3,7-diyl, or 1,1,6,7-tetrafluoroindane-2, 5-diyl; Z 3 and Z 4 are a single bond, ethylene, vinylene, methyleneoxy, or carbonyloxy; c is 0, 1, 2, or 3; and the sum of c and d is 3 or less.
式(3-1)から式(3-35)において、R4及びR5は、水素、炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルケニル、又は炭素数2から12のアルケニルオキシである。 13. The liquid crystal display according to any one of claims 1 to 12 , which contains at least one compound selected from compounds represented by formulas (3-1) to (3-35) as a third component. element.
In formulas (3-1) to (3-35), R 4 and R 5 are hydrogen, alkyl having 1 to 12 carbon atoms, alkoxy having 1 to 12 carbon atoms, alkenyl having 2 to 12 carbon atoms, or carbon alkenyloxy of numbers 2 to 12;
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018105512A JP7124462B2 (en) | 2018-05-31 | 2018-05-31 | liquid crystal display element |
KR1020190041934A KR20190136919A (en) | 2018-05-31 | 2019-04-10 | Liquid crystal display device |
CN201910316858.1A CN110554540B (en) | 2018-05-31 | 2019-04-19 | Liquid crystal display element |
TW108114744A TWI802688B (en) | 2018-05-31 | 2019-04-26 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018105512A JP7124462B2 (en) | 2018-05-31 | 2018-05-31 | liquid crystal display element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019211542A JP2019211542A (en) | 2019-12-12 |
JP7124462B2 true JP7124462B2 (en) | 2022-08-24 |
Family
ID=68736335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018105512A Active JP7124462B2 (en) | 2018-05-31 | 2018-05-31 | liquid crystal display element |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7124462B2 (en) |
KR (1) | KR20190136919A (en) |
CN (1) | CN110554540B (en) |
TW (1) | TWI802688B (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008052161A (en) | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Epson Imaging Devices Corp | Liquid crystal device and electronic apparatus |
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2018
- 2018-05-31 JP JP2018105512A patent/JP7124462B2/en active Active
-
2019
- 2019-04-10 KR KR1020190041934A patent/KR20190136919A/en unknown
- 2019-04-19 CN CN201910316858.1A patent/CN110554540B/en active Active
- 2019-04-26 TW TW108114744A patent/TWI802688B/en active
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JP2008262006A (en) | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Nec Lcd Technologies Ltd | Active matrix substrate and liquid crystal panel |
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US20180057741A1 (en) | 2016-08-25 | 2018-03-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal composition and a liquid crystal display including the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202003805A (en) | 2020-01-16 |
KR20190136919A (en) | 2019-12-10 |
CN110554540B (en) | 2023-11-14 |
TWI802688B (en) | 2023-05-21 |
CN110554540A (en) | 2019-12-10 |
JP2019211542A (en) | 2019-12-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220125 |
|
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|
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