JP7117395B2 - グラフェン構造体およびデバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
反応チャンバ内の加熱されたサセプタの上に、サファイアの熱抵抗以上の熱抵抗を有する基板を与えるステップを含み、上記チャンバは冷却された複数の入口を有し、当該複数の入口は、使用時に上記基板全体にわたって分散しかつ上記基板からの離隔距離が一定になるように配置されており、
上記入口を通して上記反応チャンバ内に前駆体化合物を含む流れを供給し、それにより、上記前駆体化合物を分解して上記基板上にグラフェンを形成するステップを含み、
上記入口は、100℃未満、好ましくは50~60℃に冷却され、上記サセプタは、上記前駆体の分解温度を上回る、少なくとも50℃の温度まで加熱され、
レーザを用いて上記基板からグラフェンを選択的にアブレートするステップを含み、
上記レーザは、600nmを上回る波長および50Watt未満の出力を有する。
レーザを用いてグラフェンを選択的にアブレートすることにより、基板上にグラフェンのホールセンサ部分を画定するステップを含む。
レーザを用いてグラフェンを選択的にアブレートすることにより、基板上のグラフェンからなるホールセンサ部分と、電子部品に接続するための対応するグラフェンワイヤ回路とを画定することにより、ホールセンサデバイスを完成させるステップを含む。
レーザを用いた選択的アブレーションによりグラフェンの表面全体にわたって分散する複数のポアを形成するステップと、
グラフェンを基板から分離するステップとを含む。
密結合反応チャンバにおいて、グラフェンをその上に形成する基板表面と、前駆体が密結合反応チャンバに入る入口ポイントとの間の離隔距離を、十分に小さくすることにより、密結合反応チャンバ内で気相で反応する前駆体の割合を十分に低くすることでグラフェンを形成できるようにする。離隔距離の上限は、選択される前駆体、基板温度、および密結合反応チャンバ内の圧力に応じて変化する可能性がある。
1)前駆体の入口ポイントと基板表面との間の急峻な熱勾配、
2)前駆体の入口ポイントと基板表面との間の短い流路、および
3)前駆体の入口ポイントとグラフェン形成ポイントとを接近させること、
を可能にする。
次に、本発明を、非限定的な以下の図面を参照しながらさらに説明する。
反応器の壁は、壁1Aの内側表面1Bを含む反応器の壁の内側表面に対して実質的に隣接して(典型的には数ミリメートルの距離で)延在する1つ以上の内部チャネルおよび/またはプレナム(plenum)8を画定する。動作中、水をポンプ9によりチャネル/プレナム8を通してポンピングすることにより、壁1Aの内側表面1Bを200℃以下に保つ。一部には入口3の直径が比較的狭いことから、(典型的には内側表面1Bの温度よりも遥かに低い温度で保存される)前駆体の温度は、壁1Aの入口3を通ってチャンバ1に入るときに、実質的に壁1Aの内側表面1Bの温度以下になる。
次に、本発明を、非限定的な以下の例を参照しながらさらに説明する。
I.サファイアのウェハをMOCVD反応器チャンバに入れる。
II.反応器を閉じることにより、ガスインジェクタが基板表面から上方に10~11mm離れた場所に位置するようにする。
III.反応器チャンバのポンプ-パージサイクルにより、周囲環境の存在をなくす。
IV.ガス流量10slmの水素を反応器に導入し一定に保つ。
V.反応器圧力を50mbarに下げる。
VI.反応器温度(すなわちサセプタ)および関連してウェハを1050℃まで加熱する。
VII.温度を、設定温度に到達後、3分間にわたって安定させる。
VIII.液体ソースからピックアップしたガスストリームを介してヘキサンを反応室チャンバに流量0.1slmで2分間導入する。そうすると、グラフェン「核生成」構造体が基板表面上に形成される。
IX.ヘキサンの流れを止める。
X.水温を1350℃まで高める。
XI.設定温度に到達後、3分間温度を安定にする。
XII.再び液体ソースからピックアップされたガスストリームを介して、今回は流量0.2slmで8分間、ヘキサンを反応器に再導入する。
XIII.反応器チャンバへのヘキサンの流れを止める。
XIX.水素がまだ流れている状態で、反応器を15分で室温まで冷却する。
XV.窒素ガスを用いて反応器チャンバを増して大気圧に戻す。
XVI.この時点でウェハを取り出すことができる。
I.特別に設計されたマスクを、グラフェンウェハの上に、電気コンタクトを露出させる必要がある領域のみを残して載せる。
II.電子ビーム蒸着等の標準的な金属蒸着技術を用い、上記マスクを通して、5nmのクロムおよび70nmの金からなる電気コンタクトをグラフェン表面上に堆積させる。
III.金属蒸着システムからウェハを取り出し、ウェハからマスクを取り除く。
IV.ウェハをレーザエッチングシステムに入れる。出力は約8Wであったが、その中には、基板の絶縁特性に応じて、かなり幅広い窓がある。
V.レーザを、グラフェンウェハの方向に向け、ウェハ表面からグラフェンをアブレートするのに適した出力および波長に設定する。
VI.レーザを、グラフェン材料の一部が取り除かれてパターンが形成されるように制御する。これらのパターンが所望のデバイスの形状を作る。堆積させた電気コンタクトの周りに、重ならないようにパターンが形成されるよう、グラフェンの気化を制御する。上手く制御すると、1つのウェハ上に複数のグラフェンホール効果センサが形成される。
VII.レーザパターニングシステムからウェハを取り出し、サファイア基板上の複数のグラフェン系センサを提供する。
上記詳細な説明は、説明および例示のために提供され、添付の請求項の範囲を限定することを意図している訳ではない。本明細書に例示されている現在好ましい実施形態の多数の変形は、当業者には明らかであろう変形であり、なおも添付の請求項およびその均等物の範囲に含まれる。
Claims (14)
- 1~100のグラフェン層を有するグラフェン層構造体の製造方法であって、前記方法は、
反応チャンバ内の加熱されたサセプタの上に、サファイアの熱抵抗以上の熱抵抗を有する基板を与えるステップを含み、前記チャンバは冷却された複数の入口を有し、前記複数の入口は、使用時に前記基板全体にわたって分散するように、かつ前記基板からの離隔距離が一定になるように配置されており、
前記入口を通して前記反応チャンバ内に前駆体化合物を含む流れを供給し、それにより、前記前駆体化合物を分解して前記基板上にグラフェンを形成するステップを含み、
前記入口は、100℃未満、好ましくは50~60℃に冷却され、前記サセプタは、前記前駆体の分解温度を上回る、少なくとも50℃の温度まで加熱され、
レーザを用いて前記基板からグラフェンを選択的にアブレートするステップを含み、
前記レーザは、少なくとも8μmの波長および5から50Watt未満の出力を有する、方法。 - 前記基板は、サファイアまたは炭化ケイ素を含み、好ましくはサファイアを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記レーザは、9~15μm、好ましくは9.4~10.6μmの波長を有する、請求項1または2に記載の方法。
- 前記前駆体化合物は、炭化水素であり、好ましくは室温で液体の炭化水素であり、最も好ましくはC5~C10アルカンである、請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記前駆体化合物はヘキサンである、請求項4に記載の方法。
- 前記基板の直径は少なくとも6インチである、請求項1から5のいずれか1項に記載の方法。
- レーザを用いて前記基板からグラフェンを選択的にアブレートする前記ステップは、前記基板の少なくとも一部を、好ましくは1~300nmの深さまで、エッチングにより取り除くステップをさらに含む、請求項1から6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記方法は、前記基板から前記グラフェン層構造体を取り除くステップをさらに含む、請求項1から7のいずれか1項に記載の方法。
- ホールセンサの製造のために、前記方法は、
前記レーザを用いてグラフェンを選択的にアブレートすることにより、前記基板上に前記グラフェンからなるホールセンサ部分を画定するステップを含む、請求項1から8のいずれか1項に記載の方法。 - 前記基板上に複数のホールセンサ部分を設けるために使用される、請求項9に記載の方法。
- ホールセンサデバイス前駆体の製造のために、前記方法は、
前記レーザを用いてグラフェンを選択的にアブレートすることにより、前記基板上の前記グラフェンからなるホールセンサ部分と、電子部品に接続するための対応するグラフェンワイヤ回路とを画定することにより、ホールセンサデバイスを完成させるステップを含む、請求項9または10に記載の方法。 - 前記方法は、前記グラフェン層構造体の表面にコンタクトを与えるステップをさらに含む、請求項1から11のいずれか1項に記載の方法。
- フィルタの製造のためのグラフェン層構造体の製造のために、
前記レーザを用いた選択的アブレーションにより前記グラフェンの表面全体にわたって分散する複数のポアを形成するステップと、
前記基板から前記グラフェンを分離するステップとをさらに含む、請求項1~8のいずれか1項に記載の方法。 - 前記レーザを用いた選択的アブレーションにより前記グラフェンの表面全体にわたって分散する複数のポアを形成するステップの後に、前記基板から前記グラフェンを分離する、請求項13に記載の方法。
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