JP7116549B2 - dummy wafer - Google Patents

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Description

本発明は、半導体集積回路や半導体メモリの製造プロセス等で使用されるダミーウェーハに関するものである。 The present invention relates to dummy wafers used in the manufacturing processes of semiconductor integrated circuits and semiconductor memories.

従来、半導体製造装置の調整、基板収納容器や処理条件の評価、汚染物質の付着防止等を図る場合には、ダミーウェーハ１が使用されている（特許文献１、２参照）。このダミーウェーハ１は、例えば実際の半導体製造プロセスで使用されるシリコンウェーハと同一の再生ウェーハ等からなり、半導体製造装置の初期の安定性を向上させたり、図３に示す基板収納容器（ＦＯＵＰやＦＯＳＢ）１０の容器本体１１に収納されてその収納時の水平度の評価に使用されたり、加工形状の評価に用いられる。 Conventionally, dummy wafers 1 have been used for adjustment of semiconductor manufacturing equipment, evaluation of substrate storage containers and processing conditions, prevention of adherence of contaminants, and the like (see Patent Documents 1 and 2). This dummy wafer 1 is made of, for example, a reclaimed wafer or the like identical to a silicon wafer used in an actual semiconductor manufacturing process, and is used to improve the initial stability of the semiconductor manufacturing apparatus and to serve as a substrate storage container (FOUP, etc.) shown in FIG. It is stored in the container main body 11 of the FOSB) 10 and used to evaluate the horizontality of the storage, or used to evaluate the processed shape.

使用されたダミーウェーハ１は、デバイスメーカから再生メーカに送られ、再生ウェーハに付着した膜や材料がケミカル処理等で除去されるとともに、表面が研磨され、その後、デバイスメーカに戻され、以下、このサイクルが、再生ウェーハが再生不能になるまで繰り返される。 The used dummy wafer 1 is sent from the device maker to the reclaim maker, and the films and materials adhering to the reclaim wafer are removed by chemical treatment or the like, and the surface is polished, and then returned to the device maker. This cycle is repeated until the reclaimed wafer cannot be reclaimed.

ところで、ダミーウェーハ１は、一般的にはシリコンウェーハと同一の再生ウェーハからなり、使用量が実際の半導体デバイス製造用のシリコンウェーハと略同数である。これでは、約半数のシリコンウェーハが無駄になり、製造コストの削減を図ることは非常に困難である。 By the way, the dummy wafer 1 is generally made of the same reclaimed wafer as the silicon wafer, and the amount used is approximately the same as that of the actual silicon wafer for manufacturing semiconductor devices. As a result, about half of the silicon wafers are wasted, making it extremely difficult to reduce manufacturing costs.

係る点に鑑み、従来においては、（１）所定の金属板を用意し、この金属板の両面のうち、少なくとも一方の面に耐熱性の樹脂フィルムを熱硬化性あるいは２液硬化型の接着剤等を介して接着することにより、ダミーウェーハ１の寿命を延長する方法、（２）ダミーウェーハ１として、ポリイミド樹脂等の薄い樹脂シートを使用し、ダミーウェーハ１の長期使用を可能にする方法が提案されている。 In view of this point, conventionally, (1) a predetermined metal plate is prepared, and at least one of the two surfaces of the metal plate is coated with a heat-resistant resin film using a thermosetting or two-liquid curing adhesive. (2) A method of using a thin resin sheet such as polyimide resin as the dummy wafer 1 to enable long-term use of the dummy wafer 1. Proposed.

特開２０１６‐１６３００７号公報Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2016-163007 特許第３９０７４００号公報Japanese Patent No. 3907400

しかしながら、（１）の方法の場合には、ダミーウェーハ１の寿命を延長することができるものの、半導体製造装置の調整時等にダミーウェーハ１の金属板の露出部から金属イオンが発生し、半導体製造装置に汚染等の深刻な悪影響を及ぼすという大きな問題が新たに生じる。この問題は、基板収納容器１０の容器本体１１にダミーウェーハ１を収納し、基板収納容器１０の性能を評価するときにも同様に生じる。また、ダミーウェーハ１の樹脂シートからアウトガスが発生し、処理条件の評価に問題の生じることもある。 However, in the case of the method (1), although the life of the dummy wafer 1 can be extended, metal ions are generated from the exposed portion of the metal plate of the dummy wafer 1 during adjustment of the semiconductor manufacturing apparatus, etc. A major new problem arises in that the production equipment is seriously adversely affected by contamination and the like. This problem also occurs when the dummy wafers 1 are stored in the container body 11 of the substrate storage container 10 and the performance of the substrate storage container 10 is evaluated. In addition, outgassing occurs from the resin sheet of the dummy wafer 1, which may cause problems in evaluating the processing conditions.

（２）の方法の場合には、ダミーウェーハ１の長期に亘る使用が期待できるが、樹脂シートの強度が乏しく、撓んで反りや変形が生じやすいので、基板収納容器１０の容器本体にダミーウェーハ１を収納し、このダミーウェーハ１の平坦度等を評価する際等に重大な支障を来すおそれがある。 In the case of the method (2), the dummy wafers 1 can be expected to be used for a long period of time. 1 and evaluation of the flatness of the dummy wafer 1 may cause a serious problem.

本発明は上記に鑑みなされたもので、金属イオンやガスの発生を抑制し、反りや変形を防いで評価等に支障を来すおそれを排除することのできるダミーウェーハを提供することを目的としている。 The present invention has been devised in view of the above, and an object of the present invention is to provide a dummy wafer that suppresses the generation of metal ions and gases, prevents warping and deformation, and eliminates the possibility of interfering with evaluation and the like. there is

本発明においては上記課題を解決するため、対向する一対のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムと、この一対のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの間に介在して積層密着される繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムとを含み、これら一対のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムと繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの周縁部同士を熱圧着したものであって、
各ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムと、繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムとがそれぞれ２μｍ以上２６０μｍ以下の厚さに成形されており、各ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムと、繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの結晶化度がそれぞれ５％以上５０％以下であり、
繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの繊維がガラス繊維であることを特徴としている。 In the present invention, in order to solve the above problems, a pair of polyether ether ketone resin films facing each other and a fiber-filled polyether ether ketone resin film interposed between the pair of polyether ether ketone resin films and laminated and adhered together and the peripheral edges of the pair of polyether ether ketone resin films and fiber-containing polyether ether ketone resin films are thermocompression bonded together,
Each polyether ether ketone resin film and the fiber-containing polyether ether ketone resin film are molded to a thickness of 2 μm or more and 260 μm or less, and each polyether ether ketone resin film and the fiber-containing polyether ether ketone resin film are formed. The crystallinity of each is 5% or more and 50% or less,
The fiber-containing polyetheretherketone resin film is characterized in that the fiber is glass fiber .

ここで、特許請求の範囲における一対のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムと繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムとは、圧着法により一体化することができる。また、ダミーウェーハは、実質的な意味に理解されねばならず、テストウェーハやモニターウェーハ等と別称されても良い。 Here, the pair of polyetheretherketone resin film and the fiber-filled polyetheretherketone resin film in the scope of claims can be integrated by pressure bonding . Also, the dummy wafer should be understood in a practical sense, and may also be called a test wafer, a monitor wafer, or the like.

本発明によれば、金属をダミーウェーハの材料に用いないので、半導体製造装置の調整時等にダミーウェーハから金属イオンが発生して拡散することが少ない。また、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムからのガスの発生が少なく、真空環境下での利用性にも優れるので、例え処理条件の評価時等にダミーウェーハを用いる場合にも、ダミーウェーハからガスが発生し、処理条件の評価に悪影響を及ぼすことが少ない。また、強度や剛性に優れる繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムにポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムをそれぞれ積層して積層構造とするので、ダミーウェーハに反りや変形が生じるのを抑制することができる。 According to the present invention, since metal is not used as a material for the dummy wafer, metal ions are less likely to be generated and diffused from the dummy wafer during adjustment of the semiconductor manufacturing apparatus. In addition, the polyether ether ketone resin film generates little gas and is highly usable in a vacuum environment. Therefore, even when dummy wafers are used to evaluate processing conditions, gas is generated from dummy wafers. and has little adverse effect on the evaluation of processing conditions. In addition, since the fiber-containing polyetheretherketone resin film having excellent strength and rigidity is laminated with the polyetheretherketone resin film to form a laminated structure, warping and deformation of the dummy wafer can be suppressed.

本発明によれば、金属イオンやガスの発生を抑制し、反りや変形を防いで評価等に支障を来すおそれを排除することができるという効果がある。また、一対のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムと繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの周縁部同士を接着ではなく、熱圧着するので、接着剤や溶剤を省略することができ、衛生性や安全性を向上させることができる。また、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム等を容易に製造することでき、しかも、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム等を熱圧着する場合、熱圧着に支障を来すことが少ない。さらに、繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの強度を向上させることができるので、ダミーウェーハに反りや変形が生じるのを抑制することが可能となる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it is effective in suppressing generation|occurrence|production of a metal ion and gas, and being able to eliminate a possibility of interfering with evaluation etc. by preventing a warp and deformation|transformation. In addition, since the peripheries of the pair of polyetheretherketone resin film and the fiber-filled polyetheretherketone resin film are bonded by thermocompression rather than by bonding, adhesives and solvents can be omitted, improving hygiene and safety. can be improved. In addition, the polyetheretherketone resin film or the like can be easily produced, and when the polyetheretherketone resin film or the like is thermocompression bonded, the thermocompression bonding is rarely hindered. Furthermore, since the strength of the fiber-containing polyetheretherketone resin film can be improved, it is possible to suppress warping and deformation of the dummy wafer.

本発明に係るダミーウェーハの実施形態を模式的に示す全体斜視説明図である。1 is an overall perspective explanatory view schematically showing an embodiment of a dummy wafer according to the present invention; FIG. 本発明に係るダミーウェーハの実施形態を模式的に示す部分断面説明図である。1 is a partial cross-sectional explanatory view schematically showing an embodiment of a dummy wafer according to the present invention; FIG. 基板収納容器の容器本体にダミーウェーハを収納して評価する状態を模式的に示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory view schematically showing a state in which dummy wafers are stored in the container body of the substrate storage container and evaluated.

以下、図面を参照して本発明の好ましい実施の形態を説明すると、本実施形態におけるダミーウェーハ１は、図１ないし図３に示すように、相対向する一対のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２と、この一対のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２の間に介在して積層される補強用の繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３とを三層構造に備え、半導体製造プロセスで使用されるシリコンウェーハと略同様の厚さ・質量とされる。 A preferred embodiment of the present invention will now be described with reference to the drawings. As shown in FIGS. , and a reinforcing fiber-filled polyetheretherketone resin film 3 interposed between the pair of polyetheretherketone resin films 2 to form a three-layer structure. They have approximately the same thickness and mass.

ダミーウェーハ１は、一対のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２と繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３とがシリコンウェーハと略同じ大きさの平面円形に形成される。例えばシリコンウェーハがφ１５０ｍｍタイプの場合にはφ１５０ｍｍの大きさに形成され、φ２００ｍｍタイプの場合にはφ２００ｍｍの大きさに形成されるとともに、φ３００ｍｍタイプの場合にはφ３００ｍｍの大きさに形成される。このダミーウェーハ１の厚さは、実際の半導体製造プロセスで使用されるシリコンウェーハと略同じ厚さとされる。具体的には、１５０μｍ以上７７５μｍ以下の範囲の厚さとされる。 In the dummy wafer 1, a pair of polyetheretherketone resin films 2 and a fiber-filled polyetheretherketone resin film 3 are formed in a plane circle having approximately the same size as the silicon wafer. For example, if the silicon wafer is of the φ150 mm type, it is formed to a size of φ150 mm, if it is of a φ200 mm type, it is formed to a size of φ200 mm, and if it is of a φ300 mm type, it is formed to a size of φ300 mm. The thickness of this dummy wafer 1 is made substantially the same as that of a silicon wafer used in an actual semiconductor manufacturing process. Specifically, the thickness is in the range of 150 μm or more and 775 μm or less.

各ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２は、繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３に密着する平面円形の薄膜に成形され、耐熱性、耐薬品性、耐摩耗性、摺動特性、低吸水率に優れ、アウトガスが発生しにくく、水分からの影響が少ないという特徴を有する。 Each polyetheretherketone resin film 2 is formed into a flat circular thin film that adheres closely to the fiber-filled polyetheretherketone resin film 3, and is excellent in heat resistance, chemical resistance, wear resistance, sliding characteristics, and low water absorption. , outgassing is less likely to occur, and it is less affected by moisture.

ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２の厚さは、ダミーウェーハ１をシリコンウェーハと略同様の厚さとしたり、製造の容易化を図る観点から、２μｍ以上２６０μｍ以下、好ましくは５μｍ以上１３０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１０μｍ以下とされる。これは、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２の厚さが２μｍ未満の場合には、ダミーウェーハ１の作製が困難になるからである。また、強度不足により、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２の製造が困難になるからである。これに対し、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２の厚さが２６０μｍを越える場合には、ダミーウェーハ１としての効果に変化がなく、過剰特性となるからである。 The thickness of the polyether ether ketone resin film 2 is 2 μm or more and 260 μm or less, preferably 5 μm or more and 130 μm or less, more preferably 5 μm or more and 130 μm or less, more preferably from the viewpoint of making the dummy wafer 1 approximately the same thickness as the silicon wafer or facilitating production. 5 μm or more and 10 μm or less. This is because if the thickness of the polyetheretherketone resin film 2 is less than 2 μm, it becomes difficult to fabricate the dummy wafer 1 . In addition, the lack of strength makes it difficult to manufacture the polyetheretherketone resin film 2 . On the other hand, when the thickness of the polyetheretherketone resin film 2 exceeds 260 μm, the effect as the dummy wafer 1 does not change, resulting in excessive characteristics.

ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２の強度、密度、硬度、耐摩耗性、摺動性、低吸水率、耐薬品性、熱的性質等を示す結晶化度は、５％以上５０％以下、好ましくは７％以上４０％以下、より好ましくは８％以上３０％以下が良い。これは、結晶化度が５％未満の場合や５０％を越える場合には、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２の製造が非常に困難になるからである。 The degree of crystallinity indicating the strength, density, hardness, wear resistance, slidability, low water absorption, chemical resistance, thermal properties, etc. of the polyetheretherketone resin film 2 is 5% or more and 50% or less, preferably 7% or more and 40% or less, more preferably 8% or more and 30% or less. This is because the production of the polyetheretherketone resin film 2 becomes very difficult when the degree of crystallinity is less than 5% or exceeds 50%.

ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２の結晶化度は、Ｘ線回析法、ＤＳＣ法、ＦＴ‐ＩＲ法等により測定することができる。例えばＤＳＣ法の場合には、ＤＳＣ曲線から熱量値を求め、この熱量値からポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２の結晶化度を算出することができる。 The crystallinity of the polyetheretherketone resin film 2 can be measured by an X-ray diffraction method, a DSC method, an FT-IR method, or the like. For example, in the case of the DSC method, the calorific value is obtained from the DSC curve, and the crystallinity of the polyetheretherketone resin film 2 can be calculated from the calorific value.

ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２の製造方法としては、特に限定されるものではないが、量産化の観点からすると、溶融押出成形法が最適である。具体的には、ポリエーテルエーテルケトン樹脂含有の成形材料を溶融押出成形機で溶融混練し、この溶融混練した成形材料をＴダイスから押し出してポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２を押出成形し、この押出成形したポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２を圧着ロールと冷却ロールとの間に挟んで冷却した後、冷却したポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２を所定の幅にカットして巻取機に巻き取り、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２を製造する。 The method for producing the polyetheretherketone resin film 2 is not particularly limited, but from the viewpoint of mass production, the melt extrusion method is most suitable. Specifically, a molding material containing a polyether ether ketone resin is melt-kneaded in a melt extruder, and the melt-kneaded molding material is extruded through a T-die to extrusion-mold a polyether ether ketone resin film 2. After the molded polyetheretherketone resin film 2 is sandwiched between a compression roll and a cooling roll and cooled, the cooled polyetheretherketone resin film 2 is cut into a predetermined width and wound on a winder to obtain a polyetheretherketone resin film. An ether ether ketone resin film 2 is produced.

繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３は、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２に密着する平面円形の膜に成形され、強度、耐熱性、耐薬品性、耐摩耗性、摺動特性、低吸水率に優れ、アウトガスが発生しにくく、水分からの影響が少ないという特徴を有する。繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３の厚さは、ダミーウェーハ１をシリコンウェーハと略同様の厚さとしたり、製造作業を容易にする観点から、２μｍ以上２６０μｍ以下、好ましくは５μｍ以上２００μｍ以下とされる。 The fiber-filled polyetheretherketone resin film 3 is formed into a flat circular film that adheres closely to the polyetheretherketone resin film 2, and has strength, heat resistance, chemical resistance, wear resistance, sliding properties, and low water absorption. It has the characteristics of excellent, less outgassing, and less affected by moisture. The thickness of the fiber-containing polyetheretherketone resin film 3 is set to be 2 μm or more and 260 μm or less, preferably 5 μm or more and 200 μm or less, from the viewpoint of making the dummy wafer 1 approximately the same thickness as the silicon wafer and facilitating the manufacturing work. be.

繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３の結晶化度は、５％以上５０％以下、好ましくは７％以上４０％以下、より好ましくは８％以上３０％以下が良い。これは、結晶化度が５％未満の場合や５０％を越える場合には、繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３の製造がきわめて困難になるからである。このポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２の結晶化度は、Ｘ線回析法、ＤＳＣ法、ＦＴ‐ＩＲ法等により測定することが可能である。 The crystallinity of the fiber-filled polyetheretherketone resin film 3 is preferably 5% to 50%, preferably 7% to 40%, more preferably 8% to 30%. This is because production of the fiber-filled polyetheretherketone resin film 3 becomes extremely difficult when the degree of crystallinity is less than 5% or exceeds 50%. The crystallinity of this polyetheretherketone resin film 2 can be measured by an X-ray diffraction method, a DSC method, an FT-IR method, or the like.

繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３には、ダミーウェーハ１の反りや変形を防止し、強度を向上させるガラス繊維と炭素繊維の少なくともいずれか一種が含浸される。ガラス繊維としては、例えばグラスファイバー、ガラス繊維をポリエステル樹脂，ビニルエステル樹脂，エポキシ樹脂，フェノール樹脂等で固めた複合強化ガラス繊維等があげられる。また、炭素繊維としては、例えば強度に優れるＰＡＮ系炭素繊維やピッチ系炭素繊維、カーボン繊維をエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等で固めたタイプ、チョップドファイバー等があげられる。 The fiber-filled polyetheretherketone resin film 3 is impregnated with at least one of glass fiber and carbon fiber, which prevents warping and deformation of the dummy wafer 1 and improves strength. Examples of the glass fiber include glass fiber, composite reinforced glass fiber obtained by hardening glass fiber with polyester resin, vinyl ester resin, epoxy resin, phenol resin, and the like. Examples of the carbon fiber include PAN-based carbon fiber and pitch-based carbon fiber, which are excellent in strength, a type in which carbon fiber is hardened with epoxy resin, polyimide resin, or the like, and chopped fiber.

繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３の製造方法としては、連続して量産する観点からすると、上記同様、溶融押出成形法が最適である。具体的には、ポリエーテルエーテルケトン樹脂と所定の繊維とを含有した成形材料を溶融押出成形機で溶融混練し、この溶融混練した成形材料をＴダイスから押し出して繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３を押出成形し、この押出成形した繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３を圧着ロールと冷却ロールとの間に挟んで冷却した後、冷却した繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３を所定の幅にカットして巻取機に巻き取り、繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３を製造する。 As for the method for producing the fiber-containing polyetheretherketone resin film 3, from the viewpoint of continuous mass production, the melt extrusion molding method is the most suitable as in the case described above. Specifically, a molding material containing a polyether ether ketone resin and predetermined fibers is melt-kneaded in a melt extruder, and the melt-kneaded molding material is extruded through a T-die to form a fiber-containing polyether ether ketone resin film. 3 is extruded, the extruded fiber-containing polyetheretherketone resin film 3 is sandwiched between a compression roll and a cooling roll, and cooled, and then the cooled fiber-containing polyetheretherketone resin film 3 is cut into a predetermined width. It is cut into two pieces and wound on a winding machine to produce a fiber-containing polyetheretherketone resin film 3.

この製造の際、ダミーウェーハ１の質量を増大させたり、剛性を向上させたい場合には、成形材料に添加する繊維を適宜増量すれば良い。 During this manufacture, if it is desired to increase the mass of the dummy wafer 1 or to improve its rigidity, the amount of fiber added to the molding material may be appropriately increased.

このようなダミーウェーハ１は、一対のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２と繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３の少なくとも周縁部同士がラミネータ等により熱圧着される。具体的には、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２と繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３の周縁部同士、繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３と他のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２の周縁部同士がそれぞれ熱圧着される。 In such a dummy wafer 1, at least peripheral portions of a pair of polyetheretherketone resin film 2 and fiber-filled polyetheretherketone resin film 3 are thermocompression bonded by a laminator or the like. Specifically, the peripheral edge portions of the polyether ether ketone resin film 2 and the fiber-containing polyether ether ketone resin film 3, and the peripheral edge portions of the fiber-containing polyether ether ketone resin film 3 and the other polyether ether ketone resin film 2 are respectively thermocompressed.

上記によれば、金属板をダミーウェーハ１の材料に何ら用いないので、半導体製造装置の調整時等にダミーウェーハ１から金属イオンが発生して拡散することがない。したがって、半導体製造装置に汚染等の深刻な悪影響を及ぼすのを有効に防止することができる。また、基板収納容器１０の容器本体１１にダミーウェーハ１を収納し、基板収納容器１０の性能を評価する場合にも、金属イオンの流出により基板収納容器１０に汚染等の深刻な問題が生じるのを防止することができる。 According to the above, since no metal plate is used as a material for the dummy wafer 1, metal ions are not generated and diffused from the dummy wafer 1 during adjustment of the semiconductor manufacturing apparatus. Therefore, serious adverse effects such as contamination on the semiconductor manufacturing equipment can be effectively prevented. Also, when the dummy wafers 1 are stored in the container main body 11 of the substrate storage container 10 and the performance of the substrate storage container 10 is evaluated, serious problems such as contamination of the substrate storage container 10 due to outflow of metal ions may occur. can be prevented.

また、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２からアウトガスが発生せず、真空環境下での利用性にも優れるので、例え処理条件の評価時等にダミーウェーハ１を用いる場合にも、ダミーウェーハ１からガスが発生し、処理条件の評価に悪影響を及ぼすことがない。また、一対のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２の間に、強度や剛性に優れる繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３を挟持させるので、ダミーウェーハ１が撓んで反りや変形が生じるのを防止することが可能になる。したがって、例え基板収納容器１０の容器本体１１にダミーウェーハ１を収納し、このダミーウェーハ１の平坦度等を評価する際にも、適切な評価が大いに期待できる。 In addition, since outgassing is not generated from the polyetheretherketone resin film 2, and the usability in a vacuum environment is excellent, even when the dummy wafer 1 is used for evaluation of processing conditions, the outgassing from the dummy wafer 1 is possible. does not occur and does not adversely affect the evaluation of processing conditions. In addition, since the fiber-containing polyetheretherketone resin film 3 having excellent strength and rigidity is sandwiched between the pair of polyetheretherketone resin films 2, it is possible to prevent the dummy wafer 1 from being warped and deformed. becomes possible. Therefore, even when the dummy wafers 1 are stored in the container body 11 of the substrate storage container 10 and the flatness of the dummy wafers 1 is evaluated, an appropriate evaluation can be greatly expected.

さらに、一対のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２や繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３の周縁部を熱圧着するので、接着剤や溶剤を省略することができ、衛生性や安全性を向上させ、綺麗な高速加工が期待できる。 Furthermore, since the pair of polyetheretherketone resin films 2 and the fiber-filled polyetheretherketone resin film 3 are thermocompressed at their peripheral edges, adhesives and solvents can be omitted, thereby improving sanitation and safety. Clean high-speed processing can be expected.

なお、上記実施形態ではダミーウェーハ１を平面円形としたが、ダミーウェーハ１の周縁部の一部分を直線的に切り欠いてオリフラを形成しても良い。また、一対のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２と繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３の対向面同士を熱圧着したり、接着等しても良い。また、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム２の結晶化度のみを５％以上５０％以下としたり、繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３の結晶化度のみを５％以上５０％以下としても良い。さらに、繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム３にガラス繊維又は炭素繊維を含浸させたが、ガラス繊維と炭素繊維をそれぞれ含浸させても良い。 In the above-described embodiment, the dummy wafer 1 has a circular plane shape, but the orientation flat may be formed by linearly cutting a part of the periphery of the dummy wafer 1 . Alternatively, the facing surfaces of the pair of polyetheretherketone resin film 2 and fiber-filled polyetheretherketone resin film 3 may be thermocompression bonded or bonded. Alternatively, only the polyetheretherketone resin film 2 may have a crystallinity of 5% or more and 50% or less, or only the fiber-filled polyetheretherketone resin film 3 may have a crystallinity of 5% or more and 50% or less. Furthermore, although the fiber-containing polyetheretherketone resin film 3 is impregnated with glass fiber or carbon fiber, it may be impregnated with glass fiber and carbon fiber.

本発明に係るダミーウェーハは、半導体の製造、管理、搬送、輸送等する分野で使用される。 The dummy wafer according to the present invention is used in fields such as manufacturing, managing, transporting, and transporting semiconductors.

１ ダミーウェーハ
２ ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム
３ 繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルム
１０ 基板収納容器
１１ 容器本体 Reference Signs List 1 dummy wafer 2 polyetheretherketone resin film 3 fiber-containing polyetheretherketone resin film 10 substrate storage container 11 container body

Claims (1)

対向する一対のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムと、この一対のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの間に介在して積層密着される繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムとを含み、これら一対のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムと繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの周縁部同士を熱圧着したダミーウェーハであって、
各ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムと、繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムとがそれぞれ２μｍ以上２６０μｍ以下の厚さに成形されており、各ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムと、繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの結晶化度がそれぞれ５％以上５０％以下であり、
繊維入りポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの繊維がガラス繊維であることを特徴とするダミーウェーハ。 A pair of polyether ether ketone resin films facing each other and a fiber-filled polyether ether ketone resin film interposed between the pair of polyether ether ketone resin films and laminated and adhered, the pair of polyether ether ketone films A dummy wafer in which peripheral portions of a resin film and a fiber-containing polyetheretherketone resin film are thermocompression-bonded to each other,
Each polyether ether ketone resin film and the fiber-containing polyether ether ketone resin film are molded to a thickness of 2 μm or more and 260 μm or less, and each polyether ether ketone resin film and the fiber-containing polyether ether ketone resin film are formed. The crystallinity of each is 5% or more and 50% or less,
A dummy wafer, wherein the fibers of the fiber-containing polyetheretherketone resin film are glass fibers .
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