JP7091881B2 - Resin composition, method of manufacturing cured product, cured product, interlayer insulating film, cover coat layer, surface protective film and electronic components - Google Patents

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Description

本発明は、樹脂組成物、硬化物の製造方法、硬化物、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品に関する。 The present invention relates to a resin composition, a method for producing a cured product, a cured product, an interlayer insulating film, a cover coat layer, a surface protective film, and an electronic component.

従来、半導体素子の表面保護膜及び層間絶縁膜には、優れた耐熱性と電気特性、機械特性等を併せ持つポリイミドやポリベンゾオキサゾールを含む樹脂組成物が用いられている。近年、これらの樹脂自身に感光特性を付与した感光性樹脂組成物が用いられており、これを用いるとパターン硬化物の製造工程が簡略化でき、煩雑な製造工程を短縮できる(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, a resin composition containing polyimide or polybenzoxazole, which has excellent heat resistance, electrical properties, mechanical properties, etc., has been used as a surface protective film and an interlayer insulating film of a semiconductor device. In recent years, photosensitive resin compositions in which photosensitive properties are imparted to these resins themselves have been used, and by using this, the manufacturing process of a cured pattern can be simplified and complicated manufacturing processes can be shortened (for example, Patent Documents). 1).

また、半導体パッケージの小型化及び軽量化を達成するため、半導体素子表面の端子をポリイミド銅積層体を用いて再配線したウエハレベルチップサイズパッケージと呼ばれる半導体パッケージング技術が開発されている。 Further, in order to achieve miniaturization and weight reduction of the semiconductor package, a semiconductor packaging technique called a wafer level chip size package in which terminals on the surface of the semiconductor element are rewired using a polyimide copper laminate has been developed.

ウエハレベルチップサイズパッケージの作製においては、高性能なダイ及び耐熱性の低い封止材を保護し、歩留まりを向上させる観点から、低温硬化性が強く求められている(例えば、特許文献2参照) In the production of wafer level chip size packages, low temperature curability is strongly required from the viewpoint of protecting high-performance dies and encapsulants with low heat resistance and improving yield (see, for example, Patent Document 2).

さらに、パッケージの耐熱信頼性において、大気中で高温条件にさらされた際に、ポリイミド銅積層体中のポリイミドと銅配線とが剥離しないことが求められている。 Further, in terms of heat resistance and reliability of the package, it is required that the polyimide and the copper wiring in the polyimide copper laminate do not peel off when exposed to high temperature conditions in the atmosphere.

また、高温条件にさらされた際の銅との接着性を向上させるため、複素環を有する化合物であるトリアゾール又はテトラゾールを含有するポジ型感光性樹脂組成物(例えば、特許文献3参照)、及びアルコール性水酸基を2つ以上含む化合物を含有するネガ型感光性樹脂組成物(例えば、特許文献4参照)が提案されている。 Further, in order to improve the adhesiveness with copper when exposed to high temperature conditions, a positive photosensitive resin composition containing triazole or tetrazole, which is a compound having a heterocycle (see, for example, Patent Document 3), and A negative photosensitive resin composition containing a compound containing two or more alcoholic hydroxyl groups (see, for example, Patent Document 4) has been proposed.

特開2009-265520号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-265520 国際公開第2008/111470号International Publication No. 2008/11470 特開2010-96927号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-96927 特開2016-167036号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-167036

本発明の目的は、200℃以下の低温硬化であっても、硬化物形成後、高温保存後及びリフロー処理後に、銅との接着性に優れる硬化物を形成できる樹脂組成物、硬化物の製造方法、硬化物、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品を提供することである。 An object of the present invention is to produce a resin composition and a cured product capable of forming a cured product having excellent adhesion to copper even after low-temperature curing at 200 ° C. or lower, after forming the cured product, storing at high temperature, and reflowing. The present invention is to provide a method, a cured product, an interlayer insulating film, a cover coat layer, a surface protective film, and an electronic component.

本発明者らは、パッケージの耐熱信頼性を評価する手法として、高温保存試験(HTS(High Temperature Storage) Test)及びリフロー工程を再現した試験を行った結果、従来の樹脂組成物では、カルボキシ基による銅の腐食の問題があることを見つけ出した。また、本発明者らは、従来の樹脂組成物では、硬化物形成後、高温保存後又はリフロー処理後に、銅との接着性が低下することを見つけ出した。 As a method for evaluating the heat resistance and reliability of the package, the present inventors conducted a high temperature storage test (HTS (High Temperature Corrosion) Test) and a test reproducing the reflow process. As a result, in the conventional resin composition, the carboxy group was used. Found that there is a problem of copper corrosion due to. Further, the present inventors have found that the conventional resin composition has a reduced adhesiveness to copper after formation of a cured product, storage at a high temperature, or reflow treatment.

本発明者らは、上記問題を鑑み、鋭意検討を重ねた結果、樹脂組成物に、ポリイミド前駆体及び特定の成分を組み合わせることで、200℃以下の低温硬化であっても、硬化物形成後、高温保存後及びリフロー処理後に、銅との接着性に優れる硬化物を形成できることを見出し、本発明を完成させた。 As a result of diligent studies in view of the above problems, the present inventors have combined a polyimide precursor and a specific component with the resin composition to form a cured product even at a low temperature of 200 ° C. or lower. The present invention was completed by finding that a cured product having excellent adhesiveness to copper can be formed after high temperature storage and reflow treatment.

本発明によれば、以下の樹脂組成物等が提供される。
1.(A)ポリイミド前駆体、
(B)pkaが8.30~8.80である、窒素原子を含む複素環構造を含む、化合物、及び
(C)5-アミノ-1H-テトラゾール
を含む樹脂組成物。
2.さらに、(D)重合性モノマー及び(E)光重合開始剤を含む1に記載の樹脂組成物。
3.前記(A)成分が、下記式(1)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体である1又は2に記載の樹脂組成物。

Figure 0007091881000001
(式(1)中、Xは1以上の芳香族基を有する4価の基であって、-COOR基と-CONH-基とは互いにオルト位置にあり、-COOR基と-CO-基とは互いにオルト位置にある。Yは2価の芳香族基である。R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、下記式(2)で表される基、又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基であり、R及びRの少なくとも一方が前記式(2)で表される基である。)
Figure 0007091881000002
(式(2)中、R~Rは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~3の脂肪族炭化水素基であり、mは1~10の整数である。)
4.前記窒素原子を含む複素環構造が1,2,3-トリアゾール環構造である1~3のいずれかに記載の樹脂組成物。
5.前記(B)成分が1,2,3-ベンゾトリアゾール又は1,2,3-トリアゾールを含む1~4のいずれかに記載の樹脂組成物。
6.さらに、(F)酸化防止剤を含む1~5のいずれかに記載の樹脂組成物。
7.1~6のいずれに記載の樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜を加熱処理する工程と、を含む硬化物の製造方法。
8.2~6のいずれかに記載の樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜をパターン露光して、パターン露光後の樹脂膜を得る工程と、
前記パターン露光後の樹脂膜を、有機溶剤を用いて、現像し、パターン樹脂膜を得る工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、を含むパターン硬化物の製造方法。
9.1~6のいずれに記載の樹脂組成物を硬化した硬化物。
10.2~6のいずれに記載の樹脂組成物を硬化したパターン硬化物。
11.9に記載の硬化物又は10に記載のパターン硬化物を用いて作製された層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
12.11に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を含む電子部品。 According to the present invention, the following resin compositions and the like are provided.
1. 1. (A) Polyimide precursor,
(B) A compound containing a heterocyclic structure containing a nitrogen atom having a pka of 8.30 to 8.80, and (C) a resin composition containing 5-amino-1H-tetrazole.
2. 2. The resin composition according to 1, further comprising (D) a polymerizable monomer and (E) a photopolymerization initiator.
3. 3. The resin composition according to 1 or 2, wherein the component (A) is a polyimide precursor having a structural unit represented by the following formula (1).
Figure 0007091881000001
(In formula (1), X 1 is a tetravalent group having one or more aromatic groups, and one -COOR group and -CONH- group are in ortho positions with each other, and two -COOR groups and -CO are located. -The groups are in ortho positions with each other. Y 1 is a divalent aromatic group. R 1 and R 2 are independently hydrogen atoms, groups represented by the following formula (2), or carbon atoms. It is an aliphatic hydrocarbon group of 1 to 4, and at least one of R 1 and R 2 is a group represented by the above formula (2).)
Figure 0007091881000002
(In the formula (2), R 3 to R 5 are independently hydrogen atoms or aliphatic hydrocarbon groups having 1 to 3 carbon atoms, and m is an integer of 1 to 10.)
4. The resin composition according to any one of 1 to 3, wherein the heterocyclic structure containing a nitrogen atom is a 1,2,3-triazole ring structure.
5. The resin composition according to any one of 1 to 4, wherein the component (B) contains 1,2,3-benzotriazole or 1,2,3-triazole.
6. The resin composition according to any one of 1 to 5, further comprising (F) an antioxidant.
A step of applying the resin composition according to any one of 7.1 to 6 onto a substrate and drying the resin composition to form a resin film.
A method for producing a cured product, which comprises a step of heat-treating the resin film.
A step of applying the resin composition according to any one of 8.2 to 6 onto a substrate and drying it to form a resin film.
A step of pattern-exposing the resin film to obtain a resin film after pattern exposure, and
A step of developing the resin film after the pattern exposure using an organic solvent to obtain a pattern resin film, and
A method for producing a cured pattern product, which comprises a step of heat-treating the pattern resin film.
A cured product obtained by curing the resin composition according to any one of 9.1 to 6.
A pattern cured product obtained by curing the resin composition according to any one of 10.2 to 6.
An interlayer insulating film, a cover coat layer or a surface protective film produced by using the cured product according to 11.9 or the pattern cured product according to 10.
An electronic component comprising the interlayer insulating film, cover coat layer or surface protective film according to 12.11.

本発明によれば、200℃以下の低温硬化であっても、硬化物形成後、高温保存後及びリフロー処理後に、銅との接着性に優れる硬化物を形成できる樹脂組成物、硬化物の製造方法、硬化物、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品が提供できる。 According to the present invention, a resin composition and a cured product capable of forming a cured product having excellent adhesiveness to copper can be produced even after low-temperature curing at 200 ° C. or lower, after formation of the cured product, storage at high temperature, and reflow treatment. Methods, cured products, interlayer insulating films, covercoat layers, surface protective films and electronic components can be provided.

本発明の一実施形態に係る電子部品の製造工程図である。It is a manufacturing process diagram of the electronic component which concerns on one Embodiment of this invention.

以下に、本発明の樹脂組成物、それを用いた硬化物の製造方法、硬化物、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品の実施の形態を詳細に説明する。尚、以下の実施の形態により本発明が限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the resin composition of the present invention, a method for producing a cured product using the same, a cured product, an interlayer insulating film, a cover coat layer, a surface protective film, and an electronic component will be described in detail. The present invention is not limited to the following embodiments.

本明細書において「A又はB」とは、AとBのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。また、本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。
「~」を用いて示された数値範囲は、「~」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。また、本明細書において組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。さらに、例示材料は特に断らない限り単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本明細書における「(メタ)アクリル基」とは、「アクリル基」及び「メタクリル基」を意味する。
As used herein, the term "A or B" may include either A or B, and may include both. Further, in the present specification, the term "process" is used not only as an independent process but also as long as the intended action of the process is achieved even if it cannot be clearly distinguished from other processes. included.
The numerical range indicated by using "-" indicates a range including the numerical values before and after "-" as the minimum value and the maximum value, respectively. Further, in the present specification, the content of each component in the composition is the total of the plurality of substances present in the composition unless otherwise specified, when a plurality of substances corresponding to each component are present in the composition. Means quantity. Further, the exemplary materials may be used alone or in combination of two or more unless otherwise specified.
As used herein, the term "(meth) acrylic group" means "acrylic group" and "methacrylic group".

本発明の樹脂組成物は、(A)ポリイミド前駆体(以下、「(A)成分」ともいう。)、(B)pkaが8.30~8.80である、窒素原子を含む複素環構造を含む、化合物(以下、「(B)成分」ともいう。)、及び(C)5-アミノ-1H-テトラゾール(以下、「(C)成分」ともいう。)を含む。 The resin composition of the present invention has a (A) polyimide precursor (hereinafter, also referred to as “(A) component”) and (B) a heterocyclic structure containing a nitrogen atom having pka of 8.30 to 8.80. Contains a compound (hereinafter, also referred to as “component (B)”) and (C) 5-amino-1H-tetrazole (hereinafter, also referred to as “component (C)”).

これにより、200℃以下の低温硬化であっても、硬化物形成後、HTS後及びリフロー処理後に、銅との接着性(密着性)に優れる硬化物を形成できる。
任意の効果として、良好な銅基板との接着性から、今後予想される半導体パッケージングのさらなる低温処理化においても利用可能となる。
また、任意の効果として、防錆性に優れた硬化物を得ることができる。
また、任意の効果として、200℃以下の低温硬化であっても、任意の基板(例えば、後述の基板)の1以上との接着性に優れる硬化物を形成できる。
This makes it possible to form a cured product having excellent adhesion (adhesion) to copper even after low-temperature curing at 200 ° C. or lower, after forming the cured product, after HTS, and after reflow treatment.
As an optional effect, due to its good adhesion to a copper substrate, it can be used in further low temperature treatment of semiconductor packaging expected in the future.
Further, as an arbitrary effect, a cured product having excellent rust resistance can be obtained.
Further, as an arbitrary effect, it is possible to form a cured product having excellent adhesiveness to one or more of any substrate (for example, a substrate described later) even if it is cured at a low temperature of 200 ° C. or lower.

また、本発明の樹脂組成物は、さらに、(D)重合性モノマー(以下、「(D)成分」ともいう。)及び(E)光重合開始剤(以下、「(E)成分」ともいう。)を含むことが好ましい。これにより、優れた感光特性を付与することができる。
(D)成分及び(E)成分を含む場合、本発明の樹脂組成物は、感光性樹脂組成物となる。ネガ型感光性樹脂組成物が好ましい。
Further, the resin composition of the present invention is further referred to as (D) polymerizable monomer (hereinafter, also referred to as “(D) component”) and (E) photopolymerization initiator (hereinafter, also referred to as “(E) component”). ) Is preferably included. Thereby, excellent photosensitive characteristics can be imparted.
When the component (D) and the component (E) are contained, the resin composition of the present invention is a photosensitive resin composition. Negative photosensitive resin compositions are preferred.

(A)成分としては、特に制限はされないが、パターニング時の光源にi線を用いた場合の透過率が高く、200℃以下の低温硬化時にも高い硬化物特性を示すポリイミド前駆体が好ましい。 The component (A) is not particularly limited, but a polyimide precursor having high transmittance when i-ray is used as a light source during patterning and exhibiting high cured product characteristics even when cured at a low temperature of 200 ° C. or lower is preferable.

(A)成分は、重合性の不飽和結合を有することが好ましい。これにより、(D)成分及び(E)成分を含む場合、感光特性及び耐薬品性を向上することができる。
重合性の不飽和結合としては、炭素-炭素の二重結合等が挙げられる。
The component (A) preferably has a polymerizable unsaturated bond. Thereby, when the component (D) and the component (E) are contained, the photosensitive characteristics and the chemical resistance can be improved.
Examples of the polymerizable unsaturated bond include a carbon-carbon double bond.

(A)成分は、下記式(1)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体であることが好ましい。これにより、i線の透過率が高く、200℃以下の低温硬化時にも良好な硬化物を形成できる。
式(1)で表される構造単位の含有量は、(A)成分の全構成単位に対して、50モル%以上であることが好ましく、80モル%以上がより好ましく、90モル%以上がさらに好ましい。上限は特に限定されず、100モル%でもよい。
The component (A) is preferably a polyimide precursor having a structural unit represented by the following formula (1). As a result, the i-ray transmittance is high, and a good cured product can be formed even when cured at a low temperature of 200 ° C. or lower.
The content of the structural unit represented by the formula (1) is preferably 50 mol% or more, more preferably 80 mol% or more, and 90 mol% or more with respect to all the constituent units of the component (A). More preferred. The upper limit is not particularly limited and may be 100 mol%.

Figure 0007091881000003
(式(1)中、Xは1以上の芳香族基を有する4価の基であって、-COOR基と-CONH-基とは互いにオルト位置にあり、-COOR基と-CO-基とは互いにオルト位置にある。Yは2価の芳香族基である。R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、下記式(2)で表される基、又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基であり、R及びRの少なくとも一方が前記式(2)で表される基である。)
Figure 0007091881000003
(In formula (1), X 1 is a tetravalent group having one or more aromatic groups, and one -COOR group and -CONH- group are in ortho positions with each other, and two -COOR groups and -CO are located. -The groups are in ortho positions with each other. Y 1 is a divalent aromatic group. R 1 and R 2 are independently hydrogen atoms, groups represented by the following formula (2), or carbon atoms. 1 to 4 aliphatic hydrocarbon groups, and at least one of R 1 and R 2 is a group represented by the above formula (2).)

Figure 0007091881000004
(式(2)中、R~Rは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~3の脂肪族炭化水素基であり、mは1~10の整数(好ましくは2~5の整数、より好ましくは2又は3)である。)
Figure 0007091881000004
(In the formula (2), R 3 to R 5 are independently hydrogen atoms or aliphatic hydrocarbon groups having 1 to 3 carbon atoms, and m is an integer of 1 to 10 (preferably an integer of 2 to 5). , More preferably 2 or 3))

式(1)のXの1以上(好ましくは1~3、より好ましくは1又は2)の芳香族基を有する4価の基において、芳香族基は、芳香族炭化水素基でもよく、芳香族複素環式基でもよい。芳香族炭化水素基が好ましい。 In a tetravalent group having 1 or more (preferably 1 to 3, more preferably 1 or 2) of X 1 of the formula (1), the aromatic group may be an aromatic hydrocarbon group and may be aromatic. It may be a group heterocyclic group. Aromatic hydrocarbon groups are preferred.

式(1)のXの芳香族炭化水素基としては、ベンゼン環から形成される2~4価(2価、3価又は4価)の基、ナフタレンから形成される2~4価の基、ペリレンから形成される2~4価の基等が挙げられる。 As the aromatic hydrocarbon group of X1 of the formula ( 1 ), a divalent to tetravalent (divalent, trivalent or tetravalent) group formed from a benzene ring and a divalent to tetravalent group formed from naphthalene. , A divalent to tetravalent group formed from perylene and the like.

式(1)のXの1以上の芳香族基を有する4価の基としては、例えば以下の式(3)の4価の基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

Figure 0007091881000005
(式(3)中、Zはエーテル基(-O-)又はスルフィド基(-S-)である。) Examples of the tetravalent group having one or more aromatic groups of X 1 of the formula (1) include, but are not limited to, the tetravalent group of the following formula (3).
Figure 0007091881000005
(In formula (3), Z is an ether group (-O-) or a sulfide group (-S-).)

式(3)において、Zは-O-が好ましい。 In the formula (3), Z is preferably —O—.

式(1)のYの2価の芳香族基は、2価の芳香族炭化水素基でもよく、2価の芳香族複素環式基でもよい。2価の芳香族炭化水素基が好ましい。 The divalent aromatic group of Y 1 in the formula (1) may be a divalent aromatic hydrocarbon group or a divalent aromatic heterocyclic group. A divalent aromatic hydrocarbon group is preferred.

式(1)のYの2価の芳香族炭化水素基としては、例えば以下の式(4)の基が挙げられるが、これに限定されるものではない。

Figure 0007091881000006
(式(4)中、R~R13は、それぞれ独立に水素原子、1価の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子を有する1価の有機基である。) Examples of the divalent aromatic hydrocarbon group of Y 1 in the formula (1) include, but are not limited to, the group of the following formula (4).
Figure 0007091881000006
(In the formula (4), R 6 to R 13 are monovalent organic groups each independently having a hydrogen atom, a monovalent aliphatic hydrocarbon group or a halogen atom.)

式(4)のR~R13の1価の脂肪族炭化水素基(好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数1~6)としては、メチル基が好ましい。 As the monovalent aliphatic hydrocarbon group of R 6 to R 13 of the formula (4) (preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms), a methyl group is preferable.

式(4)のR~R13のハロゲン原子(好ましくはフッ素原子)を有する1価の有機基は、ハロゲン原子を有する1価の脂肪族炭化水素基(好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数1~6)が好ましく、トリフルオロメチル基がより好ましい。 The monovalent organic group having a halogen atom (preferably a fluorine atom) of R 6 to R 13 of the formula (4) is a monovalent aliphatic hydrocarbon group having a halogen atom (preferably having 1 to 10 carbon atoms). The number of carbon atoms is preferably 1 to 6), and a trifluoromethyl group is more preferable.

式(1)のR及びRの炭素数1~4(好ましくは1又は2)の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、2-プロピル基、n-ブチル基等が挙げられる。 Examples of the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms (preferably 1 or 2) of R 1 and R 2 of the formula (1) include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, a 2-propyl group and an n-. Examples include butyl groups.

式(1)のR及びRの少なくとも一方が、式(2)で表される基であり、ともに式(2)で表される基であることが好ましい。 It is preferable that at least one of R 1 and R 2 of the formula (1) is a group represented by the formula (2), and both are groups represented by the formula (2).

式(2)のR~Rの炭素数1~3(好ましくは1又は2)の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、2-プロピル基等が挙げられる。メチル基が好ましい。 Examples of the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms (preferably 1 or 2) of R 3 to R 5 of the formula (2) include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, a 2-propyl group and the like. Be done. Methyl groups are preferred.

式(1)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体は、例えば下記式(5)で表されるテトラカルボン酸二無水物と、下記式(6)で表されるジアミノ化合物とを、N-メチル-2-ピロリドン等の有機溶剤中にて反応させポリアミド酸を得て、下記式(7)で表される化合物を加え、有機溶剤中で反応させ部分的にエステル基を導入することで得ることができる。
式(5)で表されるテトラカルボン酸二無水物及び式(6)で表されるジアミノ化合物は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせてもよい。
The polyimide precursor having the structural unit represented by the formula (1) is, for example, a tetracarboxylic acid dianhydride represented by the following formula (5) and a diamino compound represented by the following formula (6). -By reacting in an organic solvent such as methyl-2-pyrrolidone to obtain a polyamic acid, adding a compound represented by the following formula (7), and reacting in an organic solvent to partially introduce an ester group. Obtainable.
The tetracarboxylic acid dianhydride represented by the formula (5) and the diamino compound represented by the formula (6) may be used alone or in combination of two or more.

Figure 0007091881000007
(式(5)中、Xは式(1)のXに対応する基である。)
Figure 0007091881000007
(In equation (5), X 1 is a group corresponding to X 1 in equation (1).)

Figure 0007091881000008
(式(6)中、Yは式(1)で定義した通りである。)
Figure 0007091881000008
(In equation (6), Y 1 is as defined in equation (1).)

Figure 0007091881000009
(式(7)中、Rは上述の式(2)で表される基である。)
Figure 0007091881000009
(In the formula (7), R is a group represented by the above formula (2).)

(A)成分は、式(1)で表される構造単位以外の構造単位を有してもよい。
式(1)で表される構造単位以外の構造単位としては、下記式(10)で表される構造単位等が挙げられる。

Figure 0007091881000010
(式(10)中、Xは1以上の芳香族基を有する4価の基であって、-COOR51基と-CONH-基とは互いにオルト位置にあり、-COOR52基と-CO-基とは互いにオルト位置にある。Yは2価の芳香族基である。R51及びR52は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基である。) The component (A) may have a structural unit other than the structural unit represented by the formula (1).
Examples of the structural unit other than the structural unit represented by the formula (1) include the structural unit represented by the following formula (10).
Figure 0007091881000010
(In formula (10), X 2 is a tetravalent group having one or more aromatic groups, and the -COOR 51 group and the -CONH- group are in ortho positions with each other, and the -COOR 52 group and the -CO group are located. -The groups are in ortho positions with each other. Y 2 is a divalent aromatic group. R 51 and R 52 are independently hydrogen atoms or aliphatic hydrocarbon groups having 1 to 4 carbon atoms. )

式(10)のXの1以上の芳香族基を有する4価の基は、式(1)のXの1以上の芳香族基を有する4価の基と同様のものが挙げられる。
式(10)のYの2価の芳香族基は、式(1)のYの2価の芳香族基と同様のものが挙げられる。
式(10)のR51及びR52の炭素数1~4の脂肪族炭化水素基は、R及びRの炭素数1~4の脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
Examples of the tetravalent group having one or more aromatic groups of X 2 of the formula (10) include the same tetravalent groups having one or more aromatic groups of X 1 of the formula (1).
Examples of the Y 2 divalent aromatic group of the formula (10) include those similar to the Y 1 divalent aromatic group of the formula (1).
Examples of the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms of R 51 and R 52 of the formula (10) are the same as those of the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms of R 1 and R 2 .

式(1)で表される構造単位以外の構造単位は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせてもよい。 As the structural unit other than the structural unit represented by the formula (1), one type may be used alone, or two or more types may be combined.

式(1)で表される構造単位以外の構造単位の含有量は、(A)成分の全構成単位に対して、50モル%未満であることが好ましい。 The content of the structural unit other than the structural unit represented by the formula (1) is preferably less than 50 mol% with respect to all the structural units of the component (A).

(A)成分において、全カルボキシ基及び全カルボキシエステルに対して、式(2)で表される基でエステル化されたカルボキシ基の割合が、50モル%以上であることが好ましく、60~100モル%がより好ましく、70~100モル%がさらに好ましい。 In the component (A), the ratio of the carboxy group esterified with the group represented by the formula (2) to the total carboxy group and the total carboxy ester is preferably 50 mol% or more, preferably 60 to 100. More preferably mol%, more preferably 70-100 mol%.

(A)成分の分子量に特に制限はないが、数平均分子量で10,000~200,000であることが好ましい。
数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法によって測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算することによって求める。
The molecular weight of the component (A) is not particularly limited, but the number average molecular weight is preferably 10,000 to 200,000.
The number average molecular weight is measured by gel permeation chromatography and converted using a standard polystyrene calibration curve.

本発明の樹脂組成物は、(B)成分を含む。これにより、銅表面の酸化を防止することができ、形成される硬化物と銅との接着性を向上することができる。 The resin composition of the present invention contains the component (B). As a result, oxidation of the copper surface can be prevented, and the adhesiveness between the formed cured product and copper can be improved.

(B)成分のpkaの値は欧州バイオインフォマティクス研究所により管理運営されているChEMBL:https://www.ebi.ac.uk/chembl/の値(2018年5月10日)を使用する。 (B) The pka value of the component is ChEMBL: https: // www. Which is managed and operated by the European Bioinformatics Institute. ebi. ac. The value of uk / chembl / (May 10, 2018) is used.

(B)成分の窒素原子を含む複素環構造としては、1,2,3-トリアゾール環構造、1,2,3-ベンゾトリアゾール環構造等が挙げられる。
接着強度の観点から、1,2,3-ベンゾトリアゾール環構造が好ましい。
また、pkaの観点から1,2,3-トリアゾール環構造が好ましい。
Examples of the heterocyclic structure containing the nitrogen atom of the component (B) include a 1,2,3-triazole ring structure and a 1,2,3-benzotriazole ring structure.
From the viewpoint of adhesive strength, a 1,2,3-benzotriazole ring structure is preferable.
Further, from the viewpoint of pka, a 1,2,3-triazole ring structure is preferable.

(B)成分のpKaは8.30~8.80であるが、Cu接着性の向上の観点から、8.32~8.78が好ましく、8.35~8.75がより好ましい。 The pKa of the component (B) is 8.30 to 8.80, but from the viewpoint of improving the Cu adhesiveness, it is preferably 8.32 to 8.78, and more preferably 8.35 to 8.75.

(B)成分として、具体的には、1,2,3-トリアゾール(pKa:8.73)、1,2,3-ベンゾトリアゾール(pKa:8.38)、5-メチル-1,2,3-ベンゾトリアゾール(pKa:8.55)、4-メチル-1,2,3-ベンゾトリアゾール(pKa:8.74)、4-フェニル-1,2,3-トリアゾール(pKa:8.40)、2,4-ジヒドロインデノ-1,2,3-トリアゾール(pKa:8.72)、及び4,9-ジヒドロトリアゾール-4,5-キノリン(pKa:8.42)等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
(B)成分は、溶解性の観点から、1,2,3-ベンゾトリアゾール又は1,2,3-トリアゾールを含むことが好ましい。
Specific examples of the component (B) include 1,2,3-triazole (pKa: 8.73), 1,2,3-benzotriazole (pKa: 8.38), 5-methyl-1,2, 3-benzotriazole (pKa: 8.55), 4-methyl-1,2,3-benzotriazole (pKa: 8.74), 4-phenyl-1,2,3-triazole (pKa: 8.40) , 2,4-Dihydrotriazole-1,2,3-triazole (pKa: 8.72), 4,9-dihydrotriazole-4,5-quinoline (pKa: 8.42) and the like. It is not limited to these.
The component (B) preferably contains 1,2,3-benzotriazole or 1,2,3-triazole from the viewpoint of solubility.

(B)成分は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせてもよい。 The component (B) may be used alone or in combination of two or more.

(B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、0.5~5質量部が好ましく、0.5~3.5質量部がより好ましく、さらに好ましくは1~2.5質量部である。
上記範囲内である場合、銅配線への実用的な接着性が得られやすい。
The content of the component (B) is preferably 0.5 to 5 parts by mass, more preferably 0.5 to 3.5 parts by mass, and even more preferably 1 to 2 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). 5 parts by mass.
When it is within the above range, practical adhesiveness to copper wiring can be easily obtained.

本発明の樹脂組成物が(D)成分及び(E)成分を含む場合、(B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、現像液への溶解性の観点から、好ましくは0.5~3.5質量部、より好ましくは1~2.5質量部である。
上記範囲内である場合、銅配線への実用的な接着性が得られやすく、露光部の現像後の剥がれを抑制しやすい。
When the resin composition of the present invention contains the component (D) and the component (E), the content of the component (B) is 100 parts by mass of the component (A) from the viewpoint of solubility in a developing solution. It is preferably 0.5 to 3.5 parts by mass, and more preferably 1 to 2.5 parts by mass.
When it is within the above range, practical adhesiveness to copper wiring can be easily obtained, and peeling of the exposed portion after development can be easily suppressed.

(C)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、0.5~5質量部が好ましく、より好ましくは0.5~3質量部であり、さらに好ましくは0.5~2質量部である。
上記範囲内の場合、樹脂組成物の安定性が良好となりやすい。
The content of the component (C) is preferably 0.5 to 5 parts by mass, more preferably 0.5 to 3 parts by mass, and further preferably 0.5 to 0.5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). 2 parts by mass.
Within the above range, the stability of the resin composition tends to be good.

(B)成分と(C)成分との割合((B)成分:(C)成分(質量比))は、45~80:20~55が好ましく、50~70:30~50がより好ましい。
(B)成分及び(C)成分の合計の含有量は、(A)成分100質量部に対して、1~6質量部が好ましく、2~4質量部がより好ましい。
The ratio of the component (B) to the component (C) (component (B): component (C) (mass ratio)) is preferably 45 to 80:20 to 55, more preferably 50 to 70:30 to 50.
The total content of the component (B) and the component (C) is preferably 1 to 6 parts by mass, more preferably 2 to 4 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A).

本発明の樹脂組成物は、感光性を付与する際に感光特性を向上する観点から、(D)成分を含んでもよい。 The resin composition of the present invention may contain the component (D) from the viewpoint of improving the photosensitive characteristics when imparting photosensitivity.

(D)成分は、重合性の不飽和二重結合を含む基(好ましくは、(E)成分等により重合可能であることから、(メタ)アクリル基)を有することが好ましい。架橋密度の向上、光感度の向上、及び現像後のパターンの膨潤の抑制のため、2~4の、重合性の不飽和二重結合を含む基を有することがより好ましい。 The component (D) preferably has a group containing a polymerizable unsaturated double bond (preferably a (meth) acrylic group because it can be polymerized by the component (E) or the like). It is more preferable to have 2 to 4 groups containing polymerizable unsaturated double bonds in order to improve the crosslink density, improve the photosensitivity, and suppress the swelling of the pattern after development.

(D)成分として、具体的には、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、1,4-ブタンジオールジアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジアクリレート、1,4-ブタンジオールジメタクリレート、1,6-ヘキサンジオールジメタクリレート等が挙げられる。 Specific examples of the component (D) include diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, and 1,4-butanediol dimethacrylate. Examples thereof include acrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,4-butanediol dimethacrylate, and 1,6-hexanediol dimethacrylate.

また、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、テトラメチロールメタンテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリアクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリメタクリレート、アクリロイルオキシエチルイソシアヌレート、メタクリロイルオキシエチルイソシアヌレート等が挙げられる。 In addition, trimethylolpropane diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, tetramethylolmethanetetra. Acrylate, Tetramethylolmethane Tetramethacrylate, Dipentaerythritol Hexaacrylate, Dipentaerythritol Hexamethacrylate, Pentaerythritol tetraacrylate ethoxylated, Isocyanuric acid triacrylate ethoxylated, Isocyanuric acid trimethacrylate ethoxylated, Acryloyloxyethyl isocyanurate, Methacryloyloxyethyl Isocyanurate and the like can be mentioned.

(D)成分は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせてもよい。 The component (D) may be used alone or in combination of two or more.

(D)成分を含む場合、(D)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、1~50質量部が好ましい。硬化物の熱特性の観点から、より好ましくは5~50質量部、さらに好ましくは5~40質量部である。
上記範囲内である場合、実用的なレリ-フパターンが得られやすく、未露光部の現像後残滓を抑制しやすい。
When the component (D) is contained, the content of the component (D) is preferably 1 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). From the viewpoint of the thermal characteristics of the cured product, it is more preferably 5 to 50 parts by mass, still more preferably 5 to 40 parts by mass.
When it is within the above range, it is easy to obtain a practical relief pattern, and it is easy to suppress the post-development residue of the unexposed portion.

本発明の樹脂組成物は、感光性を付与する際に感度を向上する観点から、(E)成分を含んでもよい。 The resin composition of the present invention may contain the component (E) from the viewpoint of improving the sensitivity when imparting photosensitivity.

(E)成分としては、例えば、
ベンゾフェノン、o-ベンゾイル安息香酸メチル、4-ベンゾイル-4’-メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン等のベンゾフェノン誘導体、
2,2’-ジエトキシアセトフェノン、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオフェノン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のアセトフェノン誘導体、
チオキサントン、2-メチルチオキサントン、2-イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン誘導体、
ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル-β-メトキシエチルアセタール等のベンジル誘導体、
ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル等のベンゾイン誘導体、及び
1-フェニル-1,2-ブタンジオン-2-(o-メトキシカルボニル)オキシム、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-(o-メトキシカルボニル)オキシム、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-(o-エトキシカルボニル)オキシム、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-(o-ベンゾイル)オキシム、1,3-ジフェニルプロパントリオン-2-(o-エトキシカルボニル)オキシム、1-フェニル-3-エトキシプロパントリオン-2-(o-ベンゾイル)オキシム、エタノン,1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-,1-(0-アセチルオキシム)、下記式で表される化合物等のオキシムエステル類などが好ましく挙げられるが、これらに限定されるものではない。

Figure 0007091881000011
The component (E) includes, for example,
Benzophenone derivatives such as benzophenone, methyl o-benzoyl benzoate, 4-benzoyl-4'-methyldiphenylketone, dibenzylketone, fluorenone, etc.
Acetophenone derivatives such as 2,2'-diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, 1-hydroxycyclohexylphenylketone, etc.
Thioxanthone derivatives such as thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, diethylthioxanthone, etc.
Benzyl derivatives such as benzyl, benzyldimethylketal, benzyl-β-methoxyethyl acetal, etc.
Benzoin derivatives such as benzoin and benzoin methyl ether, and 1-phenyl-1,2-butandion-2- (o-methoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-methoxycarbonyl) Oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-benzoyl) oxime, 1,3-diphenylpropanthrion -2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-3-ethoxypropanetrion-2- (o-benzoyl) oxime, etanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H- Carbazole-3-yl]-, 1- (0-acetyloxime), oxime esters such as compounds represented by the following formulas are preferable, but the present invention is not limited thereto.
Figure 0007091881000011

特に光感度の点で、オキシムエステル類が好ましい。 Oxime esters are particularly preferable in terms of light sensitivity.

(E)成分は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせてもよい。 The component (E) may be used alone or in combination of two or more.

(E)成分を含む場合、(E)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、0.1~20質量部が好ましく、より好ましくは0.1~10質量部であり、さらに好ましくは0.1~8質量部である。
上記範囲内の場合、光架橋が膜厚方向で均一となりやすく、実用的なレリ-フパターンを得やすくなる。
When the component (E) is contained, the content of the component (E) is preferably 0.1 to 20 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). , More preferably 0.1 to 8 parts by mass.
Within the above range, the photocrosslinking tends to be uniform in the film thickness direction, and a practical relief pattern can be easily obtained.

本発明の樹脂組成物は、さらに、(F)酸化防止剤(以下、「(F)成分」ともいう。)を含んでもよい。(F)成分を含有することで、高温保存又はリフロー処理で発生する酸素ラジカル及び過酸化物ラジカルを補足し、接着性(密着性)の低下をより抑制できる。 The resin composition of the present invention may further contain (F) an antioxidant (hereinafter, also referred to as “(F) component”). By containing the component (F), oxygen radicals and peroxide radicals generated by high temperature storage or reflow treatment can be captured, and deterioration of adhesiveness (adhesion) can be further suppressed.

(F)成分としては、2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェノール、2,5-ジ-t-ブチル-ハイドロキノン、オクタデシル-3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネ-ト、4、4’-メチレンビス(2、6-ジ-t-ブチルフェノール)、4,4’-チオ-ビス(3-メチル-6-t-ブチルフェノール)、4,4’-ブチリデン-ビス(3-メチル-6-t-ブチルフェノール)、トリエチレングリコール-ビス[3-(3-t-ブチル-5-メチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、2,2-チオ-ジエチレンビス[3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、N,N’-ヘキサメチレンビス(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシ-ヒドロシンナマミド)、イソオクチル-3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート、1,3,5-トリス[4-トリエチルメチル-3-ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンジル]-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、2,2’-メチレン-ビス(4-メチル-6-t-ブチルフェノール)、2,2’-メチレン-ビス(4-エチル-6-t-ブチルフェノール)、
トリス-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンジル)-イソシアヌレイト、1,3,5-トリメチル-2,4,6-トリス(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンジル)ベンゼン、1,3,5-トリス(3-ヒドロキシ-2,6-ジメチル-4-イソプロピルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-3-ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(4-s-ブチル-3-ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス[4-(1-エチルプロピル)-3-ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンジル]-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-3-ヒドロキシ-2-メチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-3-ヒドロキシ-2,5-ジメチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、
ペンタエリスリチル-テトラキス[3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,6-ヘキサンジオール-ビス[3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-3-ヒドロキシ-2,5,6-トリメチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-5-エチル-3-ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-6-エチル-3-ヒドロキシ-2,5-ジメチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-5,6-ジエチル-3-ヒドロキシ-2-メチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-6-エチル-3-ヒドロキシ-2-メチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、
1,3,5-トリス(4-t-ブチル-5‐エチル-3-ヒドロキシ-2-メチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(3-ヒドロキシ-2,6-ジメチル-4-フェニルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、及び
1,3,5-トリス(4-t-ブチル-3-ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンジル)イソシアヌル酸等が挙げられる。
The components (F) include 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 2,5-di-t-butyl-hydroquinone, and octadecyl-3- (3,5-di-t-butyl-4). -Hydroxyphenyl) propionate, 4,4'-methylenebis (2,6-di-t-butylphenol), 4,4'-thio-bis (3-methyl-6-t-butylphenol), 4,4' -Butylidene-bis (3-methyl-6-t-butylphenol), triethylene glycol-bis [3- (3-t-butyl-5-methyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 2,2-thio-diethylene Bis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], N, N'-hexamethylenebis (3,5-di-t-butyl-4-hydroxy-hydrocinnamamide) ), Isooctyl-3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, 1,3,5-tris [4-triethylmethyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl] -1 , 3,5-Triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione, 2,2'-methylene-bis (4-methyl-6-t-butylphenol), 2,2'-methylene- Bis (4-ethyl-6-t-butylphenol),
Tris- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-t-butyl-4) -Hydroxybenzyl) benzene, 1,3,5-tris (3-hydroxy-2,6-dimethyl-4-isopropylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) ) -Trione, 1,3,5-Tris (4-t-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) ) -Trione, 1,3,5-Tris (4-s-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) ) -Trione, 1,3,5-Tris [4- (1-ethylpropyl) -3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl] -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trion, 1,3,5-tris (4-t-butyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione, 1,3,5-tris (4-t-butyl-3-hydroxy-2,5-dimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -Trion,
Pentaerythrityl-tetrakis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,6-hexanediol-bis [3- (3,5-di-t-butyl-4) -Hydroxyphenyl) propionate], 1,3,5-tris (4-t-butyl-3-hydroxy-2,5,6-trimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6-( 1H, 3H, 5H) -trione, 1,3,5-tris (4-t-butyl-5-ethyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4 , 6- (1H, 3H, 5H) -trione, 1,3,5-tris (4-t-butyl-6-ethyl-3-hydroxy-2,5-dimethylbenzyl) -1,3,5-triazine -2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione, 1,3,5-tris (4-t-butyl-5,6-diethyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl) -1,3 , 5-Triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -Trione, 1,3,5-Tris (4-t-butyl-6-ethyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl) -1 , 3,5-Triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -Torion,
1,3,5-Tris (4-t-butyl-5-ethyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H)- Trion, 1,3,5-tris (3-hydroxy-2,6-dimethyl-4-phenylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trion, And 1,3,5-tris (4-t-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl) isocyanuric acid and the like.

(F)成分は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせてもよい。 The component (F) may be used alone or in combination of two or more.

(F)成分を含む場合、(F)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、0.1~20質量部が好ましく、より好ましくは0.1~10質量部であり、さらに好ましくは0.1~5質量部である。 When the component (F) is contained, the content of the component (F) is preferably 0.1 to 20 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). , More preferably 0.1 to 5 parts by mass.

本発明の樹脂組成物は、通常、(G)溶剤(以下、「(G)成分」ともいう。)を含むことが好ましい。
溶剤としては、N-メチル-2-ピロリドン、γ‐ブチロラクトン、N,N‐ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、3-メトキシ-N,N-ジメチルプロパンアミド(例えば、商品名「KJCMPA-100」、KJケミカルズ株式会社製)、N-ジメチルモルホリン、プロピレングリコール1-モノメチルエーテル-2-アセタート等の有機溶剤などが挙げられる。
溶剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせてもよい。
溶剤の含有量は、特に限定されないが、一般的に、(A)成分100質量部に対して、50~1000質量部である。
The resin composition of the present invention usually preferably contains a (G) solvent (hereinafter, also referred to as “(G) component”).
Examples of the solvent include N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, 3-methoxy-N, N-dimethylpropanamide (for example, trade name "KJCMPA-100", KJ Chemicals). (Manufactured by Co., Ltd.), organic solvents such as N-dimethylmorpholine and propylene glycol 1-monomethyl ether-2-acetate can be mentioned.
The solvent may be used alone or in combination of two or more.
The content of the solvent is not particularly limited, but is generally 50 to 1000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A).

本発明の樹脂組成物は、さらに、カップリング剤、界面活性剤又はレベリング剤、及び重合禁止剤等を含有してもよい。 The resin composition of the present invention may further contain a coupling agent, a surfactant or a leveling agent, a polymerization inhibitor and the like.

通常、カップリング剤は、現像後の加熱処理において、(A)成分と反応して架橋する、又は加熱処理する工程においてカップリング剤自身が重合する。これにより、得られる硬化物と基板との接着性をより向上させることができる。 Usually, in the heat treatment after development, the coupling agent reacts with the component (A) to crosslink, or the coupling agent itself polymerizes in the step of heat treatment. Thereby, the adhesiveness between the obtained cured product and the substrate can be further improved.

好ましいシランカップリング剤としては、ウレア結合(-NH-CO-NH-)を有する化合物が挙げられる。これにより、200℃以下の低温下で硬化を行った場合も基板との接着性をさらに高めることができる。
低温での硬化を行った際の接着性の発現に優れるため、下記式(8)で表される化合物がより好ましい。

Figure 0007091881000012
(式(8)中、R14及びR15は、それぞれ独立に炭素数1~5のアルキル基である。aは1~10の整数であり、bは1~3の整数である。) Preferred silane coupling agents include compounds having a urea bond (-NH-CO-NH-). As a result, the adhesiveness to the substrate can be further improved even when the curing is performed at a low temperature of 200 ° C. or lower.
The compound represented by the following formula (8) is more preferable because it is excellent in the development of adhesiveness when cured at a low temperature.
Figure 0007091881000012
(In the formula (8), R 14 and R 15 are independently alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms. A is an integer of 1 to 10 and b is an integer of 1 to 3.)

式(8)で表される化合物の具体例としては、ウレイドメチルトリメトキシシラン、ウレイドメチルトリエトキシシラン、2-ウレイドエチルトリメトキシシラン、2-ウレイドエチルトリエトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリメトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、4-ウレイドブチルトリメトキシシラン、4-ウレイドブチルトリエトキシシラン等が挙げられ、好ましくは3-ウレイドプロピルトリエトキシシランである。 Specific examples of the compound represented by the formula (8) include ureidomethyltrimethoxysilane, ureidomethyltriethoxysilane, 2-ureidoethyltrimethoxysilane, 2-ureidoethyltriethoxysilane, and 3-ureidopropyltrimethoxysilane. , 3-Ureidopropyltriethoxysilane, 4-ureidobutyltrimethoxysilane, 4-ureidobutyltriethoxysilane and the like, preferably 3-ureidopropyltriethoxysilane.

シランカップリング剤として、ヒドロキシ基又はグリシジル基を有するシランカップリング剤を用いてもよい。ヒドロキシ基又はグリシジル基を有するシランカップリング剤、及び分子内にウレア結合を有するシランカップリング剤を併用すると、さらに低温硬化時の硬化物の基板への接着性を向上することができる。 As the silane coupling agent, a silane coupling agent having a hydroxy group or a glycidyl group may be used. When a silane coupling agent having a hydroxy group or a glycidyl group and a silane coupling agent having a urea bond in the molecule are used in combination, the adhesiveness of the cured product at low temperature curing to the substrate can be further improved.

ヒドロキシ基又はグリシジル基を有するシランカップリング剤としては、メチルフェニルシランジオール、エチルフェニルシランジオール、n-プロピルフェニルシランジオール、イソプロピルフェニルシランジオール、n-ブチルフェニルシランジオール、イソブチルフェニルシランジオール、tert-ブチルフェニルシランジオール、ジフェニルシランジオール、エチルメチルフェニルシラノール、n-プロピルメチルフェニルシラノール、イソプロピルメチルフェニルシラノール、n-ブチルメチルフェニルシラノール、イソブチルメチルフェニルシラノール、tert-ブチルメチルフェニルシラノール、エチルn-プロピルフェニルシラノール、エチルイソプロピルフェニルシラノール、n-ブチルエチルフェニルシラノール、イソブチルエチルフェニルシラノール、tert-ブチルエチルフェニルシラノール、メチルジフェニルシラノール、エチルジフェニルシラノール、n-プロピルジフェニルシラノール、イソプロピルジフェニルシラノール、n-ブチルジフェニルシラノール、イソブチルジフェニルシラノール、tert-ブチルジフェニルシラノール、フェニルシラントリオール、1,4-ビス(トリヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4-ビス(メチルジヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4-ビス(エチルジヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4-ビス(プロピルジヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4-ビス(ブチルジヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4-ビス(ジメチルヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4-ビス(ジエチルヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4-ビス(ジプロピルヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4-ビス(ジブチルヒドロキシシリル)ベンゼン、及び下記式(9)で表わされる化合物等が挙げられる。中でも、特に、基板との接着性をより向上させるため、式(9)で表される化合物が好ましい。 Examples of the silane coupling agent having a hydroxy group or a glycidyl group include methylphenylsilanediol, ethylphenylsilanediol, n-propylphenylsilanediol, isopropylphenylsilanediol, n-butylphenylsilanediol, isobutylphenylsilanediol, and tert-. Benzene phenyl silane diol, diphenyl silane diol, ethyl methyl phenyl silanol, n-propyl methyl phenyl silanol, isopropyl methyl phenyl silanol, n-butyl methyl phenyl silanol, isobutyl methyl phenyl silanol, tert-butyl methyl phenyl silanol, ethyl n-propyl phenyl Cyranol, ethylisopropylphenylsilanol, n-butylethylphenylsilanol, isobutylethylphenylsilanol, tert-butylethylphenylsilanol, methyldiphenylsilanol, ethyldiphenylsilanol, n-propyldiphenylsilanol, isopropyldiphenylsilanol, n-butyldiphenylsilanol, Isobutyldiphenylsilanol, tert-butyldiphenylsilanol, phenylsilanetriol, 1,4-bis (trihydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (methyldihydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (ethyldihydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (propyldihydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (butyldihydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (dimethylhydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (diethylhydroxysilyl) benzene, 1, Examples thereof include 4-bis (dipropylhydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (dibutylhydroxysilyl) benzene, and a compound represented by the following formula (9). Of these, the compound represented by the formula (9) is particularly preferable in order to further improve the adhesiveness to the substrate.

Figure 0007091881000013
(式(9)中、R16はヒドロキシ基又はグリシジル基を有する1価の有機基であり、R17及びR18はそれぞれ独立に炭素数1~5のアルキル基である。cは1~10の整数であり、dは1~3の整数である。)
Figure 0007091881000013
(In the formula (9), R 16 is a monovalent organic group having a hydroxy group or a glycidyl group, and R 17 and R 18 are independently alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms, and c is 1 to 10 each. And d is an integer of 1 to 3.)

式(9)で表される化合物としては、ヒドロキシメチルトリメトキシシラン、ヒドロキシメチルトリエトキシシラン、2-ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、2-ヒドロキシエチルトリエトキシシラン、3-ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、3-ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、4-ヒドロキシブチルトリメトキシシラン、4-ヒドロキシブチルトリエトキシシラン、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、2-グリシドキシエチルトリメトキシシラン、2-グリシドキシエチルトリエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、4-グリシドキシブチルトリメトキシシラン、4-グリシドキシブチルトリエトキシシラン等が挙げられる。 Examples of the compound represented by the formula (9) include hydroxymethyltrimethoxysilane, hydroxymethyltriethoxysilane, 2-hydroxyethyltrimethoxysilane, 2-hydroxyethyltriethoxysilane, 3-hydroxypropyltrimethoxysilane, and 3-. Hydropylpropyltriethoxysilane, 4-hydroxybutyltrimethoxysilane, 4-hydroxybutyltriethoxysilane, glycidoxymethyltrimethoxysilane, glycidoxymethyltriethoxysilane, 2-glycidoxyethyltrimethoxysilane, 2- Glycydoxyethyl triethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 4-glycidoxybutyltrimethoxysilane, 4-glycidoxybutyltriethoxysilane, etc. Be done.

ヒドロキシ基又はグリシジル基を有するシランカップリング剤は、さらに、窒素原子を有する基を含むことが好ましく、さらにアミノ基又はアミド結合を有するシランカップリング剤がより好ましい。
さらにアミノ基を有するシランカップリング剤としては、ビス(2-ヒドロキシメチル)-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス(2-ヒドロキシメチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、ビス(2-グリシドキシメチル)-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス(2-ヒドロキシメチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
The silane coupling agent having a hydroxy group or a glycidyl group preferably further contains a group having a nitrogen atom, and more preferably a silane coupling agent having an amino group or an amide bond.
Further, examples of the silane coupling agent having an amino group include bis (2-hydroxymethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, bis (2-hydroxymethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, and bis (2-glycid). Examples thereof include xymethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane and bis (2-hydroxymethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane.

さらにアミド結合を有するシランカップリング剤としては、R19-(CH-CO-NH-(CH-Si(OR20(R19はヒドロキシ基又はグリシジル基であり、e及びfは、それぞれ独立に、1~3の整数であり、R20はメチル基、エチル基又はプロピル基である)で表される化合物等が挙げられる。 Further, as a silane coupling agent having an amide bond, R 19- (CH 2 ) e -CO-NH- (CH 2 ) f -Si (OR 20 ) 3 (R 19 is a hydroxy group or a glycidyl group, and e And f are independently integers of 1 to 3, and R20 is a compound represented by a methyl group, an ethyl group or a propyl group).

シランカップリング剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせてもよい。 The silane coupling agent may be used alone or in combination of two or more.

シランカップリング剤を用いる場合、シランカップリング剤の含有量は、(A)成分100質量部に対して、0.1~20質量部が好ましく、0.3~10質量部がより好ましく、1~10質量部がさらに好ましい。 When a silane coupling agent is used, the content of the silane coupling agent is preferably 0.1 to 20 parts by mass, more preferably 0.3 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). Up to 10 parts by mass is more preferable.

界面活性剤又はレベリング剤を含むことで、塗布性(例えばストリエーション(膜厚のムラ)の抑制)及び現像性を向上させることができる。 By containing a surfactant or a leveling agent, coatability (for example, suppression of striation (unevenness of film thickness)) and developability can be improved.

界面活性剤又はレベリング剤としては、例えば、ポリオキシエチレンウラリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル等が挙げられ、市販品としては、商品名「メガファックスF171」、「F173」、「R-08」(以上、DIC株式会社製)、商品名「フロラードFC430」、「FC431」(以上、住友スリーエム株式会社製)、商品名「オルガノシロキサンポリマーKP341」(以上、信越化学工業株式会社製)等が挙げられる。 Examples of the surfactant or leveling agent include polyoxyethylene uralyl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octylphenol ether and the like, and commercial products include the trade name "Megafax". F171 "," F173 "," R-08 "(above, manufactured by DIC Co., Ltd.), product name" Florard FC430 "," FC431 "(above, manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), product name" Organosiloxane Polymer KP341 "(above, manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.) As mentioned above, (manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.) and the like.

界面活性剤及びレベリング剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせてもよい。 The surfactant and the leveling agent may be used alone or in combination of two or more.

界面活性剤又はレベリング剤を含む場合、界面活性剤又はレベリング剤の含有量は、(A)成分100質量部に対して0.01~10質量部が好ましく、0.05~5質量部がより好ましく、0.05~3質量部がさらに好ましい。 When a surfactant or a leveling agent is contained, the content of the surfactant or the leveling agent is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.05 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). It is preferable, and more preferably 0.05 to 3 parts by mass.

重合禁止剤を含有することで、良好な保存安定性を確保することができる。
重合禁止剤としては、ラジカル重合禁止剤、ラジカル重合抑制剤等が挙げられる。
By containing a polymerization inhibitor, good storage stability can be ensured.
Examples of the polymerization inhibitor include a radical polymerization inhibitor, a radical polymerization inhibitor and the like.

重合禁止剤としては、例えば、p-メトキシフェノール、ジフェニル-p-ベンゾキノン、ベンゾキノン、ハイドロキノン、ピロガロール、フェノチアジン、レゾルシノール、オルトジニトロベンゼン、パラジニトロベンゼン、メタジニトロベンゼン、フェナントラキノン、N-フェニル-2-ナフチルアミン、クペロン、2,5-トルキノン、タンニン酸、パラベンジルアミノフェノール、ニトロソアミン類等が挙げられる。 Examples of the polymerization inhibitor include p-methoxyphenol, diphenyl-p-benzoquinone, benzoquinone, hydroquinone, pyrogallol, phenothiazine, resorcinol, orthodinitrobenzene, paradinitrobenzene, metadinitrobenzene, phenanthraquinone, and N-phenyl-2-. Examples thereof include naphthylamine, cuperon, 2,5-toluquinone, tannic acid, parabenzylaminophenol, nitrosoamines and the like.

重合禁止剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせてもよい。 The polymerization inhibitor may be used alone or in combination of two or more.

重合禁止剤を含有する場合、重合禁止剤の含有量としては、樹脂組成物の保存安定性及び得られる硬化物の耐熱性の観点から、(A)成分100質量部に対して、0.01~30質量部が好ましく、0.01~10質量部がより好ましく、0.05~5質量部がさらに好ましい。 When a polymerization inhibitor is contained, the content of the polymerization inhibitor is 0.01 with respect to 100 parts by mass of the component (A) from the viewpoint of storage stability of the resin composition and heat resistance of the obtained cured product. It is preferably from 30 parts by mass, more preferably 0.01 to 10 parts by mass, still more preferably 0.05 to 5 parts by mass.

本発明の樹脂組成物は、溶剤を除いて、本質的に、(A)~(C)成分、並びに任意に(D)~(F)成分、カップリング剤、界面活性剤、レベリング剤、及び重合禁止剤からなっており、本発明の効果を損なわない範囲で他に不可避不純物を含んでもよい。
本発明の樹脂組成物の、例えば、80質量%以上、90質量%以上、95質量%以上、98質量%以上又は100質量%が、溶剤を除いて、
(A)~(C)成分、
(A)~(C)成分、並びに任意に(D)~(F)成分、カップリング剤、界面活性剤、レベリング剤、及び重合禁止剤、
(A)~(E)成分、
(A)~(E)成分、並びに任意に(F)成分、カップリング剤、界面活性剤、レベリング剤、及び重合禁止剤、
(A)~(F)成分、又は
(A)~(F)成分、並びに任意にカップリング剤、界面活性剤、レベリング剤、及び重合禁止剤からなっていてもよい。
The resin composition of the present invention essentially contains components (A) to (C), and optionally components (D) to (F), a coupling agent, a surfactant, a leveling agent, and a leveling agent, except for a solvent. It is composed of a polymerization inhibitor and may contain other unavoidable impurities as long as the effect of the present invention is not impaired.
For example, 80% by mass or more, 90% by mass or more, 95% by mass or more, 98% by mass or more or 100% by mass of the resin composition of the present invention excludes the solvent.
Ingredients (A) to (C),
Components (A) to (C), and optionally components (D) to (F), coupling agents, surfactants, leveling agents, and polymerization inhibitors,
Ingredients (A) to (E),
Components (A) to (E), and optionally (F) components, coupling agents, surfactants, leveling agents, and polymerization inhibitors,
It may consist of the components (A) to (F), or the components (A) to (F), and optionally a coupling agent, a surfactant, a leveling agent, and a polymerization inhibitor.

本発明の硬化物は、上述の樹脂組成物の硬化することで得ることができる。
本発明の硬化物は、パターン硬化物として用いてもよく、パターンがない硬化物として用いてもよい。
本発明の硬化物の膜厚は、5~30μmが好ましい。
The cured product of the present invention can be obtained by curing the above-mentioned resin composition.
The cured product of the present invention may be used as a patterned cured product or as a cured product without a pattern.
The film thickness of the cured product of the present invention is preferably 5 to 30 μm.

本発明の硬化物の製造方法では、上述の樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜を加熱処理する工程と、を含む。さらに、露光(例えば、パターンなしで)する工程を備えてもよい。
これにより、本発明の硬化物を得ることができる。
The method for producing a cured product of the present invention includes a step of applying the above-mentioned resin composition on a substrate and drying it to form a resin film, and a step of heat-treating the resin film. Further, it may be provided with a step of exposing (for example, without a pattern).
Thereby, the cured product of the present invention can be obtained.

本発明のパターン硬化物の製造方法では、上述の樹脂組成物(さらに(D)成分及び(E)成分を含むことが好ましい。)を基板上に塗布、乾燥して樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜をパターン露光して、パターン露光後の樹脂膜を得る工程と、パターン露光後の樹脂膜を、有機溶剤を用いて、現像し、パターン樹脂膜を得る工程と、パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、を含む。
これにより、パターン硬化物を得ることができる。
In the method for producing a cured pattern of the present invention, the above-mentioned resin composition (preferably further containing the component (D) and the component (E)) is applied onto a substrate and dried to form a resin film. , The step of pattern-exposing the resin film to obtain the resin film after pattern exposure, the step of developing the resin film after pattern exposure with an organic solvent to obtain the pattern resin film, and the step of heating the pattern resin film. Including the process of processing.
Thereby, a pattern cured product can be obtained.

基板としては、
ガラス基板、
炭化ケイ素基板、タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板、Si基板(シリコンウエハ)等の半導体基板、
TiO基板、SiO基板等の金属酸化物絶縁体基板、
Cuめっきウエハ、窒化ケイ素基板、アルミニウム基板、銅基板、銅合金基板などが挙げられる。
As a board,
Glass substrate,
Semiconductor substrates such as silicon carbide substrates, lithium tantalate substrates, lithium niobate substrates, and Si substrates (silicon wafers),
Metal oxide insulator substrate such as TiO 2 substrate, SiO 2 substrate, etc.
Examples thereof include Cu-plated wafers, silicon nitride substrates, aluminum substrates, copper substrates, and copper alloy substrates.

塗布方法に特に制限はないが、スピナー等を用いて行うことができる。 The coating method is not particularly limited, but it can be applied using a spinner or the like.

乾燥は、ホットプレート、オーブン等を用いて行うことができる。
乾燥温度は90~150℃が好ましく、溶解コントラスト確保の観点から、90~120℃がより好ましい。乾燥時間は、30秒間~5分間が好ましい。
乾燥は、2回以上行ってもよい。これにより、上述の樹脂組成物を膜状に形成した樹脂膜を得ることができる。
Drying can be performed using a hot plate, an oven, or the like.
The drying temperature is preferably 90 to 150 ° C., and more preferably 90 to 120 ° C. from the viewpoint of ensuring the dissolution contrast. The drying time is preferably 30 seconds to 5 minutes.
Drying may be performed twice or more. Thereby, a resin film obtained by forming the above-mentioned resin composition into a film can be obtained.

樹脂膜の膜厚は、5~100μmが好ましく、8~50μmがより好ましく、10~30μmがさらに好ましい。 The film thickness of the resin film is preferably 5 to 100 μm, more preferably 8 to 50 μm, still more preferably 10 to 30 μm.

パターン露光は、例えばフォトマスクを介して所定のパターンに露光する。
パターンなしで行う露光は、例えばフォトマスクを介さず、露光する。
照射する活性光線は、ブロードバンド光(波長350~450nm)、i線等の紫外線、可視光線、放射線などが挙げられるが、i線であることが好ましい。
露光装置としては、平行露光機、投影露光機、ステッパ、スキャナ露光機、プロキシミティ露光機等を用いることができる。
The pattern exposure exposes a predetermined pattern through, for example, a photomask.
The exposure performed without a pattern is performed without using, for example, a photomask.
Examples of the active light beam to be irradiated include broadband light (wavelength 350 to 450 nm), ultraviolet rays such as i-rays, visible rays, and radiation, but i-rays are preferable.
As the exposure apparatus, a parallel exposure machine, a projection exposure machine, a stepper, a scanner exposure machine, a proximity exposure machine and the like can be used.

現像することで、パターン形成された樹脂膜(パターン樹脂膜)を得ることができる。一般的に、ネガ型感光性樹脂組成物を用いた場合には、未露光部を現像液で除去する。
現像液として用いる有機溶剤は、現像液としては、樹脂膜の良溶媒を単独で、又は良溶媒と貧溶媒を適宜混合して用いることができる。
良溶媒としては、N-メチル-2-ピロリドン、N-アセチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ガンマブチロラクトン、α-アセチル-ガンマブチロラクトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等が挙げられる。
貧溶媒としては、トルエン、キシレン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル及び水等が挙げられる。
By developing, a patterned resin film (patterned resin film) can be obtained. Generally, when a negative photosensitive resin composition is used, the unexposed portion is removed with a developing solution.
As the developing solution, the organic solvent used as the developing solution may be a good solvent of the resin film alone or a mixture of a good solvent and a poor solvent as appropriate.
Good solvents include N-methyl-2-pyrrolidone, N-acetyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, gamma-butyrolactone, α-acetyl-gamma-butyrolactone, cyclopentanone. Non, cyclohexanone and the like can be mentioned.
Examples of the poor solvent include toluene, xylene, methanol, ethanol, isopropanol, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, water and the like.

現像液に界面活性剤を添加してもよい。添加量としては、現像液100質量部に対して、0.01~10質量部が好ましく、0.1~5質量部がより好ましい。 A surfactant may be added to the developer. The amount to be added is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the developing solution.

現像時間は、例えば樹脂膜を浸漬して完全に溶解するまでの時間の2倍とすることができる。
現像時間は、用いる(A)成分によっても異なるが、10秒間~15分間が好ましく、10秒間~5分間より好ましく、生産性の観点からは、20秒間~5分間がさらに好ましい。
The development time can be, for example, twice the time required for the resin film to be immersed and completely dissolved.
The developing time varies depending on the component (A) used, but is preferably 10 seconds to 15 minutes, more preferably 10 seconds to 5 minutes, and even more preferably 20 seconds to 5 minutes from the viewpoint of productivity.

現像後、リンス液により洗浄を行ってもよい。
リンス液としては、蒸留水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、トルエン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル等を単独又は適宜混合して用いてもよく、また段階的に組み合わせて用いてもよい。
After development, it may be washed with a rinsing solution.
As the rinsing solution, distilled water, methanol, ethanol, isopropanol, toluene, xylene, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether and the like may be used alone or in an appropriate mixture, or may be used in a stepwise combination. good.

パターン樹脂膜を加熱処理することにより、パターン硬化物を得ることができる。
また、樹脂膜を加熱処理することにより、硬化物を得ることができる。
(A)成分のポリイミド前駆体が、加熱処理工程によって、脱水閉環反応を起こし、対応するポリイミドとなってもよい。
A cured pattern can be obtained by heat-treating the pattern resin film.
Further, a cured product can be obtained by heat-treating the resin film.
The polyimide precursor of the component (A) may undergo a dehydration ring closure reaction by a heat treatment step to become a corresponding polyimide.

加熱処理の温度は、250℃以下が好ましく、120~250℃がより好ましく、200℃以下又は150~200℃がさらに好ましい。
上記範囲内であることにより、基板又はデバイスへのダメージを小さく抑えることができ、デバイスを歩留り良く生産することが可能となり、プロセスの省エネルギー化を実現することができる。
The temperature of the heat treatment is preferably 250 ° C. or lower, more preferably 120 to 250 ° C., and even more preferably 200 ° C. or lower or 150 to 200 ° C.
Within the above range, damage to the substrate or the device can be suppressed to a small extent, the device can be produced at a high yield, and energy saving of the process can be realized.

加熱処理の時間は、5時間以下が好ましく、30分間~3時間がより好ましい。
上記範囲内であることにより、架橋反応又は脱水閉環反応を充分に進行することができる。
加熱処理の雰囲気は大気中であっても、窒素等の不活性雰囲気中であってもよいが、樹脂膜又はパターン樹脂膜の酸化を防ぐことができる観点から、窒素雰囲気下が好ましい。
The heat treatment time is preferably 5 hours or less, more preferably 30 minutes to 3 hours.
Within the above range, the cross-linking reaction or the dehydration ring closure reaction can be sufficiently proceeded.
The atmosphere of the heat treatment may be in the atmosphere or in an inert atmosphere such as nitrogen, but a nitrogen atmosphere is preferable from the viewpoint of preventing oxidation of the resin film or the pattern resin film.

加熱処理に用いられる装置としては、石英チューブ炉、ホットプレート、ラピッドサーマルアニール、縦型拡散炉、赤外線硬化炉、電子線硬化炉、マイクロ波硬化炉等が挙げられる。 Examples of the apparatus used for the heat treatment include a quartz tube furnace, a hot plate, a rapid thermal annealing, a vertical diffusion furnace, an infrared curing furnace, an electron beam curing furnace, a microwave curing furnace and the like.

本発明の硬化物は、パッシベーション膜、バッファーコート膜、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜等として用いることができる。
上記パッシベーション膜、バッファーコート膜、層間絶縁膜、カバーコート層及び表面保護膜等からなる群から選択される1以上を用いて、信頼性の高い、半導体装置、多層配線板、各種電子デバイス等の電子部品などを製造することができる。
The cured product of the present invention can be used as a passivation film, a buffer coat film, an interlayer insulating film, a cover coat layer, a surface protective film, or the like.
A highly reliable semiconductor device, multilayer wiring board, various electronic devices, etc. can be used by using one or more selected from the group consisting of the passion film, the buffer coat film, the interlayer insulating film, the cover coat layer, the surface protective film, and the like. It is possible to manufacture electronic parts and the like.

本発明の電子部品である半導体装置の製造工程の一例を、図面を参照して説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る電子部品である多層配線構造の半導体装置の製造工程図である。
図1において、回路素子を有するSi基板等の半導体基板1は、回路素子の所定部分を除いてシリコン酸化膜等の保護膜2などで被覆され、露出した回路素子上に第1導体層3が形成される。その後、前記半導体基板1上に層間絶縁膜4が形成される。
An example of a manufacturing process of a semiconductor device which is an electronic component of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a manufacturing process diagram of a semiconductor device having a multilayer wiring structure, which is an electronic component according to an embodiment of the present invention.
In FIG. 1, a semiconductor substrate 1 such as a Si substrate having a circuit element is covered with a protective film 2 such as a silicon oxide film except for a predetermined portion of the circuit element, and a first conductor layer 3 is formed on the exposed circuit element. It is formed. After that, the interlayer insulating film 4 is formed on the semiconductor substrate 1.

次に、塩化ゴム系、フェノールノボラック系等の感光性樹脂層5が、層間絶縁膜4上に形成され、公知の写真食刻技術によって所定部分の層間絶縁膜4が露出するように窓6Aが設けられる。 Next, a photosensitive resin layer 5 such as a rubber chloride type or a phenol novolac type is formed on the interlayer insulating film 4, and the window 6A is provided so that the interlayer insulating film 4 in a predetermined portion is exposed by a known photographic etching technique. It will be provided.

窓6Aが露出した層間絶縁膜4は、選択的にエッチングされ、窓6Bが設けられる。
次いで、窓6Bから露出した第1導体層3を腐食することなく、感光性樹脂層5のみを腐食するようなエッチング溶液を用いて感光性樹脂層5が完全に除去される。
The interlayer insulating film 4 in which the window 6A is exposed is selectively etched to provide the window 6B.
Next, the photosensitive resin layer 5 is completely removed by using an etching solution that corrodes only the photosensitive resin layer 5 without corroding the first conductor layer 3 exposed from the window 6B.

さらに公知の写真食刻技術を用いて、第2導体層7を形成し、第1導体層3との電気的接続を行う。
3層以上の多層配線構造を形成する場合には、上述の工程を繰り返して行い、各層を形成することができる。
Further, using a known photographic etching technique, the second conductor layer 7 is formed and electrically connected to the first conductor layer 3.
When forming a multi-layer wiring structure having three or more layers, the above steps can be repeated to form each layer.

次に、上述の樹脂組成物を用いて、パターン露光により窓6Cを開口し、表面保護膜8を形成する。表面保護膜8は、第2導体層7を外部からの応力、α線等から保護するものであり、得られる半導体装置は信頼性に優れる。
尚、前記例において、層間絶縁膜を本発明の樹脂組成物を用いて形成することも可能である。
Next, using the above-mentioned resin composition, the window 6C is opened by pattern exposure to form the surface protective film 8. The surface protective film 8 protects the second conductor layer 7 from external stress, α rays, and the like, and the obtained semiconductor device is excellent in reliability.
In the above example, the interlayer insulating film can also be formed by using the resin composition of the present invention.

以下、実施例及び比較例に基づき、本発明についてさらに具体的に説明する。尚、本発明は下記実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited to the following examples.

合成例1(A1の合成)
3,3’,4,4’‐ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物(ODPA)7.07gと2,2’-ジメチルビフェニル-4,4’-ジアミン(DMAP)4.12gとをN-メチル-2-ピロリドン(NMP)30gに溶解し、30℃で4時間、その後室温下で一晩撹拌し、ポリアミド酸を得た。そこに水冷下で無水トリフルオロ酢酸を9.45g加え、45℃で3時間撹拌し、メタクリル酸2-ヒドロキシエチル(HEMA)7.08gを加えた。この反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物をろ別して集め、減圧乾燥することによってポリイミド前駆体A1を得た。
ゲルパーミエーションクロマトグラフ(GPC)法を用いて、標準ポリスチレン換算により、以下の条件で、数平均分子量を求めた。A1の数平均分子量は40,000であった。
Synthesis Example 1 (Synthesis of A1)
7.07 g of 3,3', 4,4'-diphenyl ether tetracarboxylic acid dianhydride (ODPA) and 4.12 g of 2,2'-dimethylbiphenyl-4,4'-diamine (DMAP) N-methyl- It was dissolved in 30 g of 2-pyrrolidone (NMP) and stirred at 30 ° C. for 4 hours and then at room temperature overnight to obtain polyamic acid. To this, 9.45 g of trifluoroacetic anhydride was added under water cooling, the mixture was stirred at 45 ° C. for 3 hours, and 7.08 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) was added. This reaction solution was added dropwise to distilled water, the precipitate was collected by filtration, and dried under reduced pressure to obtain a polyimide precursor A1.
Using the gel permeation chromatograph (GPC) method, the number average molecular weight was determined under the following conditions by standard polystyrene conversion. The number average molecular weight of A1 was 40,000.

0.5mgのA1に対して溶剤[テトラヒドロフラン(THF)/ジメチルホルムアミド(DMF)=1/1(容積比)]1mLの溶液を用いて測定した。 The measurement was carried out using a solution of 1 mL of a solvent [tetrahydrofuran (THF) / dimethylformamide (DMF) = 1/1 (volume ratio)] with respect to 0.5 mg of A1.

測定装置:検出器 株式会社日立製作所製L4000UV
ポンプ:株式会社日立製作所製L6000
株式会社島津製作所製C-R4A Chromatopac
測定条件:カラムGelpack GL-S300MDT-5×2本
溶離液:THF/DMF=1/1(容積比)
LiBr(0.03mol/L)、HPO(0.06mol/L)
流速:1.0mL/min、検出器:UV270nm
Measuring device: Detector L4000UV manufactured by Hitachi, Ltd.
Pump: L6000 manufactured by Hitachi, Ltd.
C-R4A Chromatopac manufactured by Shimadzu Corporation
Measurement conditions: Column Gelpack GL-S300MDT-5 x 2 Eluent: THF / DMF = 1/1 (volume ratio)
LiBr (0.03 mol / L), H 3 PO 4 (0.06 mol / L)
Flow rate: 1.0 mL / min, detector: UV270 nm

また、A1のエステル化率(ODPAのカルボキシ基のHEMAとの反応率)を、以下の条件でNMR測定を行い、算出した。エステル化率は、ポリアミド酸の全カルボキシ基に対し80モル%であった(残り20モル%はカルボキシ基)。 Further, the esterification rate of A1 (reaction rate of the carboxy group of ODPA with HEMA) was calculated by performing NMR measurement under the following conditions. The esterification rate was 80 mol% with respect to the total carboxy group of the polyamic acid (the remaining 20 mol% was a carboxy group).

測定機器:ブルカー・バイオスピン社製 AV400M
磁場強度:400MHz
基準物質:テトラメチルシラン(TMS)
溶媒:ジメチルスルホキシド(DMSO)
Measuring equipment: AV400M manufactured by Bruker Biospin
Magnetic field strength: 400MHz
Reference substance: Tetramethylsilane (TMS)
Solvent: Dimethyl sulfoxide (DMSO)

実施例1~7及び比較例1~5
(樹脂組成物の調製)
表1に示した成分及び配合量にて、実施例1~7及び比較例1~5の樹脂組成物を調製した。表1の配合量は、100質量部のA1に対する、各成分の質量部である。表1中、B1~B5の後ろに記載した括弧の数値は、それぞれのpKaを表す。
Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 5
(Preparation of resin composition)
The resin compositions of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 5 were prepared with the components and blending amounts shown in Table 1. The blending amount in Table 1 is the mass part of each component with respect to 100 parts by mass of A1. In Table 1, the numerical values in parentheses after B1 to B5 represent each pKa.

用いた各成分は以下の通りである。(A)成分として、合成例1で得られたA1を用いた。 Each component used is as follows. As the component (A), A1 obtained in Synthesis Example 1 was used.

(B)成分
B1:1,2,3-ベンゾトリアゾール(東京化成工業株式会社製)
B2:1,2,3-トリアゾール(東京化成工業株式会社製)
(B) Ingredient B1: 1,2,3-benzotriazole (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
B2: 1,2,3-triazole (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)

(B’)成分
B3:3-アミノトリアゾール(東京化成工業株式会社製)
B4:テトラゾール(東京化成工業株式会社製)
B5:5-フェニルテトラゾール(東京化成工業株式会社製)
(B') Ingredient B3: 3-Aminotriazole (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
B4: Tetrazole (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
B5: 5-Phenyltetrazole (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)

(C)成分
C1:5-アミノ-1H-テトラゾール(東京化成工業株式会社製)
(C) Ingredient C1: 5-amino-1H-tetrazole (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)

(D)成分:重合性モノマー
D1:TEGDMA(新中村化学工業株式会社製、テトラエチレングリコールジメタクリレート)
(D) Component: Polymerizable monomer D1: TEGDMA (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd., tetraethylene glycol dimethacrylate)

(E)成分:光重合開始剤
E1:G-1820(PDO)(ランブソン社製、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-(o-エトキシカルボニル)オキシム)
(E) Ingredient: Photopolymerization Initiator E1: G-1820 (PDO) (1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime manufactured by Rambuson)

(F)成分
F1:サイアノックスCY-1790(サンケミカル株式会社製、下記式で表される化合物)

Figure 0007091881000014
(F) Component F1: Sianox CY-1790 (manufactured by Sun Chemical Co., Ltd., compound represented by the following formula)
Figure 0007091881000014

(G)成分
G1:γ‐ブチロラクトン(和光純薬株式会社製)
G2:KJCMPA-100(KJケミカルズ株式会社製、3-メトキシ-N,N-ジメチルプロパンアミド)
(G) Ingredient G1: γ-Butyrolactone (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
G2: KJCMPA-100 (manufactured by KJ Chemicals Co., Ltd., 3-methoxy-N, N-dimethylpropanamide)

(pKaの値)
B1~B5のpkaの値は、欧州バイオインフォマティクス研究所により管理運営されているChEMBL:https://www.ebi.ac.uk/chembl/の値(2018年5月10日)を使用した。
(Value of pKa)
The pka values of B1 to B5 are managed and operated by the European Bioinformatics Institute. ChEMBL: https: // www. ebi. ac. The value of uk / chembl / (May 10, 2018) was used.

(硬化物の作製)
上述の樹脂組成物を、塗布装置Act8(東京エレクトロン株式会社製)を用いて、Cuめっきウエハ(厚さ10μmのCuめっきを形成したSiウエハ)上にスピンコートし、100℃で2分間乾燥後、110℃で2分間乾燥して樹脂膜を形成した。
得られた樹脂膜にプロキシミティ露光機MA8(ズース・マイクロテック製マスクアライナー、ブロードバンド光:波長350~450nm)を用いて500mJ/cmの露光を行った。
露光後の樹脂膜を、縦型拡散炉μ-TF(光洋サーモシステム株式会社製)を用いて、窒素雰囲気下、175℃で2時間加熱し、硬化物(硬化後膜厚10μm)を得た。
(Preparation of cured product)
The above resin composition is spin-coated on a Cu-plated wafer (Si wafer having a thickness of 10 μm formed by Cu plating) using an coating device Act8 (manufactured by Tokyo Electron Co., Ltd.), dried at 100 ° C. for 2 minutes, and then dried. , It was dried at 110 ° C. for 2 minutes to form a resin film.
The obtained resin film was exposed to 500 mJ / cm 2 using a proximity exposure machine MA8 (mask aligner manufactured by Susu Microtech, broadband light: wavelength 350 to 450 nm).
The exposed resin film was heated at 175 ° C. for 2 hours in a nitrogen atmosphere using a vertical diffusion furnace μ-TF (manufactured by Koyo Thermo System Co., Ltd.) to obtain a cured product (thickness after curing 10 μm). ..

(接着性試験1)
上記硬化物の作製で得られた硬化物に、JIS K 5600-5-6規格のクロスカット法に準じて、Cuめっきウエハに対する硬化物の接着特性を以下の基準に基づき、評価した。具体的には、10×10の格子のうち、Cuめっきウエハに接着している硬化物の格子数を評価した。結果を表1に示す。
「A」:Cuめっきウエハに接着している硬化物の格子数が100
「B」:Cuめっきウエハに接着している硬化物の格子数が80~99
「C」:Cuめっきウエハに接着している硬化物の格子数50~79
「D」:Cuめっきウエハに接着している硬化物の格子数20~49
「E」:Cuめっきウエハに接着している硬化物の格子数20未満
(Adhesion test 1)
The adhesive properties of the cured product to the Cu-plated wafer were evaluated based on the following criteria according to the cross-cut method of JIS K 5600-5-6 standard for the cured product obtained by producing the cured product. Specifically, among the 10 × 10 lattices, the number of lattices of the cured product adhered to the Cu-plated wafer was evaluated. The results are shown in Table 1.
"A": The number of lattices of the cured product adhered to the Cu-plated wafer is 100.
"B": The number of lattices of the cured product adhered to the Cu-plated wafer is 80 to 99.
"C": Number of lattices of the cured product adhered to the Cu-plated wafer is 50 to 79.
"D": Number of lattices of the cured product adhered to the Cu-plated wafer is 20 to 49.
"E": The number of lattices of the cured product adhered to the Cu-plated wafer is less than 20.

(接着性試験2 HTS後)
上記硬化物の作製で得られた硬化物を、クリーンオーブンDT-41(ヤマト科学株式会社製)に配置し、温度175℃の条件で、100時間保存処理した後に取り出し、高温保存試験(HTS(High Temperature Storage) Test)用の硬化物付きCuめっきウエハを得た。
得られたHTS Test用の硬化物付きCuめっきウエハについて、硬化物の接着特性を接着性試験1と同様に評価した。結果を表1に示す。
(After adhesiveness test 2 HTS)
The cured product obtained by producing the above cured product was placed in a clean oven DT-41 (manufactured by Yamato Kagaku Co., Ltd.), stored at a temperature of 175 ° C. for 100 hours, and then taken out for a high temperature storage test (HTS (HTS). A Cu-plated wafer with a cured product for High Temperature Story) Test) was obtained.
With respect to the obtained Cu-plated wafer with a cured product for HTS Test, the adhesive properties of the cured product were evaluated in the same manner as in the adhesiveness test 1. The results are shown in Table 1.

(接着性試験3 リフロー処理後)
上記硬化物の作製で得られた硬化物を、リフロー炉装置 コンパクトN2リフローシステム TNP25-337EM(株式会社タムラ製作所製)を用いて、空気雰囲気下、昇温速度80℃/分で温度260℃まで昇温し、260℃で30秒間加熱処理を行った。その後、50℃以下になったところでウエハを取り出した。この昇温から取出しまでの工程を1サイクルとし、この工程を10サイクル行うことで、リフロー処理を10サイクルした硬化物付きCuめっきウエハを得た。
得られたリフロー処理を10サイクルした硬化物付きCuめっきウエハについて、硬化物の接着特性を接着性試験1と同様に評価した。結果を表1に示す。
(Adhesive test 3 after reflow processing)
Using the reflow furnace device compact N2 reflow system TNP25-337EM (manufactured by Tamura Corporation), the cured product obtained by producing the above cured product can be heated to a temperature of 260 ° C at a heating rate of 80 ° C / min in an air atmosphere. The temperature was raised and heat treatment was performed at 260 ° C. for 30 seconds. Then, the wafer was taken out when the temperature became 50 ° C. or lower. The process from the temperature rise to the removal was set as one cycle, and by performing this step for 10 cycles, a Cu-plated wafer with a cured product was obtained by performing the reflow process for 10 cycles.
The adhesive properties of the cured product of the obtained Cu-plated wafer with a cured product that had undergone 10 cycles of reflow treatment were evaluated in the same manner as in the adhesiveness test 1. The results are shown in Table 1.

Figure 0007091881000015
Figure 0007091881000015

本発明の樹脂組成物は、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜等に用いることができ、本発明の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜は、電子部品等に用いることができる。 The resin composition of the present invention can be used for an interlayer insulating film, a cover coat layer, a surface protective film and the like, and the interlayer insulating film, a cover coat layer or a surface protective film of the present invention can be used for electronic parts and the like. ..

1 半導体基板
2 保護膜
3 第1導体層
4 層間絶縁膜
5 感光性樹脂層
6A、6B、6C 窓
7 第2導体層
8 表面保護膜
1 Semiconductor substrate 2 Protective film 3 1st conductor layer 4 Interlayer insulating film 5 Photosensitive resin layer 6A, 6B, 6C Window 7 2nd conductor layer 8 Surface protective film

Claims (12)

(A)ポリイミド前駆体、
(B)pkaが8.30~8.80である、1,2,3-トリアゾール環構造を含む、化合物、及び
(C)5-アミノ-1H-テトラゾール
を含む樹脂組成物。
(A) Polyimide precursor,
(B) A compound containing a 1,2,3-triazole ring structure having a pka of 8.30 to 8.80, and (C) a resin composition containing 5-amino-1H-tetrazole.
さらに、(D)重合性モノマー及び(E)光重合開始剤を含む請求項1に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 1, further comprising (D) a polymerizable monomer and (E) a photopolymerization initiator. 前記(A)成分が、下記式(1)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体である請求項1又は2に記載の樹脂組成物。
Figure 0007091881000016
(式(1)中、Xは1以上の芳香族基を有する4価の基であって、-COOR基と-CONH-基とは互いにオルト位置にあり、-COOR基と-CO-基とは互いにオルト位置にある。Yは2価の芳香族基である。R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、下記式(2)で表される基、又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基であり、R及びRの少なくとも一方が前記式(2)で表される基である。)
Figure 0007091881000017
(式(2)中、R~Rは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~3の脂肪族炭化水素基であり、mは1~10の整数である。)
The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the component (A) is a polyimide precursor having a structural unit represented by the following formula (1).
Figure 0007091881000016
(In formula (1), X 1 is a tetravalent group having one or more aromatic groups, and one -COOR group and -CONH- group are in ortho positions with each other, and two -COOR groups and -CO are located. -The groups are in ortho positions with each other. Y 1 is a divalent aromatic group. R 1 and R 2 are independently hydrogen atoms, groups represented by the following formula (2), or carbon atoms. It is an aliphatic hydrocarbon group of 1 to 4, and at least one of R 1 and R 2 is a group represented by the above formula (2).)
Figure 0007091881000017
(In the formula (2), R 3 to R 5 are independently hydrogen atoms or aliphatic hydrocarbon groups having 1 to 3 carbon atoms, and m is an integer of 1 to 10.)
前記(B)成分が1,2,3-トリアゾール、1,2,3-ベンゾトリアゾール、5-メチル-1,2,3-ベンゾトリアゾール、4-メチル-1,2,3-ベンゾトリアゾール、4-フェニル-1,2,3-トリアゾール、又は2,4-ジヒドロインデノ-1,2,3-トリアゾールを含む請求項1~3のいずれかに記載の樹脂組成物。 The component (B) is 1,2,3-triazole, 1,2,3-benzotriazole, 5-methyl-1,2,3-benzotriazole, 4-methyl-1,2,3-benzotriazole, 4 The resin composition according to any one of claims 1 to 3, which comprises phenyl-1,2,3-triazole or 2,4-dihydroindeno-1,2,3-triazole . 前記(B)成分が1,2,3-ベンゾトリアゾール又は1,2,3-トリアゾールを含む請求項1~4のいずれかに記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the component (B) contains 1,2,3-benzotriazole or 1,2,3-triazole. さらに、(F)酸化防止剤を含む請求項1~5のいずれかに記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 5, further comprising (F) an antioxidant. 請求項1~6のいずれに記載の樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜を加熱処理する工程と、を含む硬化物の製造方法。
A step of applying the resin composition according to any one of claims 1 to 6 onto a substrate and drying the resin composition to form a resin film.
A method for producing a cured product, which comprises a step of heat-treating the resin film.
請求項2~6のいずれかに記載の樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜をパターン露光して、パターン露光後の樹脂膜を得る工程と、
前記パターン露光後の樹脂膜を、有機溶剤を用いて、現像し、パターン樹脂膜を得る工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、を含むパターン硬化物の製造方法。
A step of applying the resin composition according to any one of claims 2 to 6 onto a substrate and drying the resin composition to form a resin film.
A step of pattern-exposing the resin film to obtain a resin film after pattern exposure, and
A step of developing the resin film after the pattern exposure using an organic solvent to obtain a pattern resin film, and
A method for producing a cured pattern product, which comprises a step of heat-treating the pattern resin film.
請求項1~6のいずれに記載の樹脂組成物を硬化した硬化物。 A cured product obtained by curing the resin composition according to any one of claims 1 to 6. 請求項2~6のいずれに記載の樹脂組成物を硬化したパターン硬化物。 A pattern cured product obtained by curing the resin composition according to any one of claims 2 to 6. 請求項9に記載の硬化物又は請求項10に記載のパターン硬化物を用いて作製された層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。 An interlayer insulating film, a cover coat layer or a surface protective film produced by using the cured product according to claim 9 or the pattern cured product according to claim 10. 請求項11に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を含む電子部品。 An electronic component including the interlayer insulating film, cover coat layer or surface protective film according to claim 11.
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