JP7081278B2 - 光トランシーバ - Google Patents

Description

本発明は、光トランシーバに関するものである。

特許文献１には、平板状のプリント基板と、ＲＯＳＡと、ＴＯＳＡと、プリント基板、ＲＯＳＡ及びＴＯＳＡを収容する筐体とを備えた光トランシーバが記載されている。この光トランシーバは、互いに並列に配置された４個のＴＯＳＡと、１個のＲＯＳＡを備える。４個のＴＯＳＡ及び１個のＲＯＳＡの後側にプリント基板が設けられる。ＴＯＳＡ及びＲＯＳＡのそれぞれと、プリント基板との接続は、ＦＰＣをはんだ付けすることによって行われる。

特開２０１６－５７５６７号公報

光トランシーバにおいては、特に近年、内部の集積度の向上によって高機能化が進んでいる。これに伴い、光トランシーバでは、内部に配置される部品の数が増えており、当該部品の配置、及び当該部品間を接続する配線が複雑化している。その結果、同一の機能を有する複数の部品が最適に配置されないということが生じうる。具体的には、複数のＴＯＳＡ及び複数のＲＯＳＡを含む光トランシーバの場合、光トランシーバの横方向（長手方向と垂直な方向）に複数のＴＯＳＡ及び複数のＲＯＳＡが互いに並列に配置されるということが起こりうる。

ところで、ＴＯＳＡ及びＲＯＳＡを含む複数の光サブアセンブリと、各光サブアセンブリに内部ファイバを介して光学的に接続される光合分波器と、を含む光トランシーバが知られている。この光トランシーバにおいて、前述したように複数の光サブアセンブリが横方向に互いに並列に配置された場合、一方の光サブアセンブリから光合分波器まで延びる内部ファイバの長さが、他方の光サブアセンブリから光合分波器まで延びる内部ファイバの長さと異なることがある。よって、複数種類の長さを有する内部ファイバを個別に用意しなければならない。

これに対し、複数の光サブアセンブリが光トランシーバの横方向に並列に配置された場合において、一方の光サブアセンブリから光合分波器まで延びる内部ファイバの長さを、他方の光サブアセンブリから光合分波器まで延びる内部ファイバの長さと同一とした場合、いずれかの内部ファイバを他の内部ファイバよりも大きく引き回さなければならないということが起こりうる。この場合、内部ファイバを大きく引き回すための領域を光トランシーバの内部に確保しなければならないため、光トランシーバの小型化の妨げとなりうる。

本発明は、小型化を実現させることができる光トランシーバを提供することを目的とする。

前述した問題を解決するため、本発明の一側面に係る光トランシーバは、それぞれ光信号及び電気信号の間の光電変換を行う、複数の光サブアセンブリと、複数の光サブアセンブリのそれぞれに電気的に接続される回路を搭載する回路基板と、複数の内部ファイバを有し、複数の光サブアセンブリのそれぞれに複数の内部ファイバのそれぞれを介して光学的に接続されると共に、光信号を合波又は分波する光合分波器と、光合分波器に光学的に接続され、外部の光コネクタを受容するレセプタクルと、複数の光サブアセンブリを保持し、回路基板と係合する保持部材と、を備え、保持部材は、複数の内部ファイバの少なくともいずれか一つをガイドする第１ガイドと、複数の内部ファイバの少なくともいずれか一つとは別の複数の内部ファイバの少なくともいずれか一つを第１ガイドに対して迂回させる第２ガイドを有する。

本発明によれば、小型化を実現させることができる。

図１は、本発明の一実施形態に係る光トランシーバを示す斜視図である。 図２は、図１の光トランシーバの内部構造を示す断面斜視図である。 図３は、図１の光トランシーバの分解斜視図である。 図４は、ＯＳＡ、ＦＰＣ及び回路基板を示す側面図である。 図５は、図１の光トランシーバの第１保持部材を示す斜視図である。 図６は、図５の第１保持部材を図５の反対側から見た斜視図である。 図７は、図１の光トランシーバの第２保持部材を示す斜視図である。 図８は、図７の第２保持部材を図７の反対側から見た斜視図である。 図９は、図１の光トランシーバの各部品を示す平面図である。 図１０は、ＯＳＡ、回路基板及び第１保持部材を示す斜視図である。 図１１（ａ）は、光合波器（光分波器）を示す斜視図である。図１１（ｂ）は、光分波器（光合波器）の内部構造を模式的に示す図である。 図１２は、光合波器（光分波器）、内部ファイバ及び簡易コネクタを示す斜視図である。 図１３は、ハウジングの内部におけるＯＳＡ、回路基板、及び回路基板に搭載された回路を示す断面図である。 図１４は、ＯＳＡ、ＦＰＣ及び回路基板を示す斜視図である。 図１５は、図１４の回路基板に第１保持部材を装着する状態を示す斜視図である。 図１６は、図１４の回路基板に第１保持部材を装着する状態を図１５の反対側から示す斜視図である。 図１７は、図１６の第１保持部材に第２保持部材を装着する状態を示す斜視図である。 図１８は、第１保持部材に合波器（分波器）を仮固定して組み立てた中間アセンブリを示す斜視図である。 図１９は、第１保持部材に合波器（分波器）を仮固定して組み立てた中間アセンブリを図１８の反対側から示す斜視図である。 図２０は、図１９の中間アセンブリにおける内部ファイバの配置の一部を示す斜視図である。

［本願発明の実施形態の説明］
最初に、本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。本願発明の一実施形態に係る光トランシーバは、それぞれ光信号及び電気信号の間の光電変換を行う、複数の光サブアセンブリと、複数の光サブアセンブリのそれぞれに電気的に接続される回路を搭載する回路基板と、複数の内部ファイバを有し、複数の光サブアセンブリのそれぞれに複数の内部ファイバのそれぞれを介して光学的に接続されると共に、光信号を合波又は分波する光合分波器と、光合分波器に光学的に接続され、外部の光コネクタを受容するレセプタクルと、複数の光サブアセンブリを保持し、回路基板と係合する保持部材と、を備え、保持部材は、複数の内部ファイバの少なくともいずれか一つをガイドする第１ガイドと、複数の内部ファイバの少なくともいずれか一つとは別の複数の内部ファイバの少なくともいずれか一つを第１ガイドに対して迂回させる第２ガイドを有する。

この光トランシーバでは、レセプタクルに外部の光コネクタが受容されると、外部の光コネクタの光は、光合分波器と、複数の光サブアセンブリのそれぞれとに光結合する。光合分波器は、複数の光サブアセンブリのそれぞれに複数の内部ファイバのそれぞれを介して光学的に接続される。また、この光トランシーバは、複数の光サブアセンブリを回路基板に保持する保持部材を備え、保持部材は複数の内部ファイバの少なくともいずれかを迂回させる第２ガイドを有する。よって、複数の光サブアセンブリを保持する保持部材を、内部ファイバの迂回路である第２ガイドを規定する部材として有効利用することができる。また、第２ガイドで複数の内部ファイバのいずれかを迂回させることにより、複数の内部ファイバが通る経路の長さを互いに同一にすることができる。従って、第２ガイドを設けることによって複数の内部ファイバの長さを互いに同一にすることができると共に、内部ファイバの迂回経路を定めることができるため、一部の内部ファイバを大きく引き回す必要性を無くすことができる。よって、内部ファイバを引き回すための領域を光トランシーバの内部に確保する必要がないため、光トランシーバの小型化を実現させることができる。

また、第１ガイド及び第２ガイドは、複数の内部ファイバを収容可能な溝であってもよい。この場合、第２ガイドである溝に内部ファイバを挿入することによって内部ファイバを容易に迂回させることができる。従って、光トランシーバの組み立てを容易に行うことができる。

また、第１ガイド及び第２ガイドは、それぞれの溝に収容された複数の内部ファイバを覆う爪部をそれぞれ有してもよい。この場合、溝に収容された内部ファイバが爪部に覆われることにより、内部ファイバが保持部材から飛び出す可能性を低減させることができる。従って、内部ファイバをより確実に保持部材に保持させることができるので、光トランシーバの組み立てを一層容易に行うことができる。

また、第２ガイドは、光トランシーバの幅方向の中心線に向かって湾曲する形状とされていてもよい。この場合、内部ファイバを光トランシーバの幅方向の中心線に向かって曲線状に迂回させることができる。従って、内部ファイバを光トランシーバの幅方向の中心線に向かって迂回させることにより、光トランシーバの外形が大きくなることを抑制することができる。従って、光トランシーバの小型化を一層確実に実現させることができる。

また、複数の光サブアセンブリは、第１光サブアセンブリと、第１光サブアセンブリが配置された位置よりも光トランシーバの横方向に関して内側に配置された第２光サブアセンブリを含み、複数の内部ファイバは、第１内部ファイバ及び第２内部ファイバを含み、光合分波器は、第１光サブアセンブリに第１内部ファイバを介して光学的に接続されると共に、第２光サブアセンブリに第２内部ファイバを介して光学的に接続されており、第１ガイドは、第１内部ファイバをガイドし、第２ガイドは、第２内部ファイバをガイドしてもよい。この場合、第１内部ファイバ及び第２内部ファイバの２本のうち１本の第２内部ファイバの第２ガイドのみを用意すればよいので、第２ガイドを有する保持部材の構成を簡易にすることができる。

［本願発明の実施形態の詳細］
本願発明の実施形態に係る光トランシーバの具体例を、以下で図面を参照しながら説明する。なお、本発明は、以降の例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の範囲内における全ての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において、同一又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。また、図面は、理解を容易にするため、一部を簡略化又は誇張している場合があり、寸法比率等は図面に記載のものに限定されない。

図１は、実施形態に係る光トランシーバ１を示す斜視図である。光トランシーバ１は、所謂、ＣＦＰ８モジュールである。ＣＦＰ８モジュールは、当該業界においてその標準的な仕様が決められている。光トランシーバ１において、信号速度が２５ＧｂｐｓのＮＲＺ信号が４値のＰＡＭ（Pulse Amplitude Modulation）信号、すなわちＰＡＭ４信号に多重化される（多重度２）。

例えば、後述するＴＯＳＡの内部にて、一つの半導体レーザをＰＡＭ４信号で駆動することによって、１波長当たり５０Ｇｂｐｓにまで伝送速度が高速化される。一つのＴＯＳＡは、４つの半導体レーザを搭載し、互いに波長が異なる４つの光信号を出力する。以下、光トランシーバ１に入出力される複数の電気信号と、及びそれら複数の電気信号に対応する一つの波長の光信号との間の信号の経路をレーンという。

すなわち、１つのＴＯＳＡは、４つのレーンを扱うことができ、２００Ｇｂｐｓ（５０Ｇｂｐｓ×４波長）の信号伝送を行うことができる。また、１つのＲＯＳＡは、光信号を電気信号に変換する４つのレーンを備え、ＴＯＳＡと同様に２００Ｇｂｐｓの伝送を行うことができる。従って、ＣＦＰ８モジュールは、伝送速度が２００ＧｂｐｓのＯＳＡ（ＴＯＳＡ及びＲＯＳＡの総称）を２つずつ搭載することにより、送信側と受信側のそれぞれにおいて、合計で８レーンを扱い、４００Ｇｂｐｓの伝送容量を達成する。

光トランシーバ１はハウジング２を備える。ハウジング２は、上ハウジング７及び下ハウジング８を含む。ハウジング２の外寸は、業界規格であるＭＳＡ（Multi-source Agreement）に準拠している。例えば、ハウジング２の長さは１０６ｍｍ、ハウジング２の幅は４０ｍｍ、ハウジング２の高さは９．５ｍｍである。ハウジング２には、外部の光コネクタを受容するレセプタクル４が設けられる。外部の光コネクタは、例えばＬＣコネクタである。

以下では、図面において「前後」、「上下」及び「左右」の方向を用いるが、これらの語は図示する状態に基づく便宜的なものである。以下の説明において、上は下ハウジング８に対して上ハウジング７が設けられる方向である。前はハウジング２に対してレセプタクル４が設けられる方向である。左右は、上下及び前後のそれぞれと垂直なハウジング２の幅方向である。

レセプタクル４は、ハウジング２の左右方向（幅）の中央に形成されている。ハウジング２の左右両側からはプルタブ５（アーム部）が前方に延び出している。前方に延び出した左右のプルタブ５（アーム部）は、レセプタクル４の前方で連結して一体となっている。光トランシーバ１は、ハウジング２の左右両側に、スライダ６を備える。スライダ６は、プルタブ５の前後方向の動きに連動してスライドする。スライダ６は、後端に、突起６ａを有する。突起６ａは、ホストシステムのケージに形成されたタブを押し広げる。

スライダ６が前側へスライドすると、突起６ａが当該タブを押し広げることにより、当該タブとホストシステムのケージとの係合が解除される。従って、プルタブ５を前に引くことで光トランシーバ１をケージから外すことができる。また、前述したように、ハウジング２の高さは、１０ｍｍ程度であり、スライダ６の幅（図１では上下方向の長さ）を僅かに上回る程度とされている。これにより、ホストシステムへの光トランシーバ１の装着密度を高めることが可能である。

図２は、上ハウジング７の一部を切り欠いた光トランシーバ１の内部構造を示す断面斜視図である。図３は、光トランシーバ１の分解斜視図である。上ハウジング７及び下ハウジング８は、前述のレセプタクル４、レセプタクル４の左右両側に位置する光合波器（Optical-Multiple xer:O-Mux）９及び光分波器（Optical-De-Multiplexer:O-DeMux）１０、ＴＯＳＡ１１、ＲＯＳＡ１２、回路基板（プリント基板）１３、並びにＦＰＣ１４を収容する。本明細書では、光合波器９及び光分波器１０をまとめて光合分波器と称することがある。

上述したように、光トランシーバ１は、送信部にて８レーンの互いに異なる波長の光信号を扱う。また、光トランシーバ１は、受信部にて８レーンの互いに異なる波長の光信号を扱う。光分波器１０は、８レーン分の光信号が多重化された波長多重光信号を、長波長側の４レーン分が多重化されたサブ多重光信号と、短波長側の４レーン分が多重化されたサブ多重光信号に分離する。受信部にて、２つのサブ多重光信号は、ＲＯＳＡ１２と光学的に接続される。光合波器９は、２つのサブ多重信号（各４レーン分）を１つの波長多重光信号（８レーン分）に多重化する。送信部にて、２つのサブ多重光信号は、ＴＯＳＡ１１と光学的に接続される。以下の説明では、ＴＯＳＡ１１及びＲＯＳＡ１２を総称してＯＳＡ（光サブアセンブリ）５０と称することがある。

レセプタクル４は、内部ファイバＦ及び簡易コネクタＣを介してＯＳＡ５０に光学的に接続される。図３では、ＯＳＡ５０から簡易コネクタＣが分離された状態を示している。光合波器９には、レセプタクル４から伸びる１本の内部ファイバＦ、及びＴＯＳＡ１１に向かう２本の内部ファイバＦが光学的に接続される。光分波器１０には、ＲＯＳＡ１２から延びる２本の内部ファイバＦ、及びレセプタクル４に向かう１本の内部ファイバＦが光学的に接続される。ここで、光学的に接続されるとは、前述の波長多重光信号及びサブ多重化光信号が適切に伝送されるように、光導波路又は光学結合系等が構成されることを意味する。

光合波器９及び光分波器１０の後側には、２個のＴＯＳＡ１１、及び２個のＲＯＳＡ１２が配置される。これらのＯＳＡ５０は、光信号及び電気信号間の光電変換を行う。各ＯＳＡ５０には、光合波器９又は光分波器１０から延びる２本の内部ファイバＦが簡易コネクタＣを介して光学的に接続される。各内部ファイバＦは、各ＯＳＡ５０の光接続ユニットに光学的に接続される。光接続ユニット内には、光学結合系を構成するレンズ及びアイソレータ等の光学部品が内蔵されている。

光合波器９及び光分波器１０は、例えば、互いに同一の形状及び同一の外形寸法を有する。光合波器９及び光分波器１０は、それぞれの底部９ｂ，１０ｂに、後方に突出する突出部９ａ，１０ａを有していてもよい。但し、これらの突出部９ａ，１０ａを省略することも可能である。光合波器９及び光分波器１０のそれぞれからは、３本の内部ファイバＦがピグテール方式で引き出されている。すなわち、内部ファイバＦは、光合波器９又は光分波器１０とレセプタクル４のそれぞれとの内部の光学系に直接光学的に接続されている。ピグテール方式で引き出されている内部ファイバＦは，光合波器９又は光分波器１０に一体化して接続されており、容易に外すことはできない。

内部ファイバＦは第１内部ファイバＦ１と第２内部ファイバＦ２を含んでいる。光合波器９及び光分波器１０のそれぞれは、第１内部ファイバＦ１を介してレセプタクル４に光学的に接続される。また、光合波器９及び光分波器１０のそれぞれは、第２内部ファイバＦ２を介して簡易コネクタＣ（ＯＳＡ５０）に接続される。なお、以下の説明では、第１内部ファイバＦ１と第２内部ファイバＦ２とを区別して説明する場合には、第１内部ファイバＦ１、第２内部ファイバＦ２と称し、第１内部ファイバＦ１及び第２内部ファイバＦ２を区別して説明する必要がない場合にはこれらをまとめて内部ファイバＦと称する。

各ＯＳＡ５０は、後述する第１保持部材３０及び第２保持部材４０を介して回路基板（プリント基板）１３に装着される。これにより、各ＯＳＡ５０に接続されたＦＰＣ１４と回路基板１３との電気的接続を応力から保護（補強）することができる。従って、接続の信頼性を高めることができる。回路基板１３は、ＯＳＡ５０にＦＰＣ１４を介して電気的に接続される回路を搭載する。回路基板１３は、ＯＳＡ５０の後側に配置される。

回路基板１３は、上側に位置する第１回路基板１５、及び下側に位置する第２回路基板１６を含む。第１回路基板１５上には、２個のＴＯＳＡ１１に対面する２個のＬＤドライバ１７、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）１８及びプリアンプＩＣ等を搭載する。なお、プリアンプＩＣは、ＲＯＳＡ１２に内蔵されていてもよい。ＤＳＰ１８は、第１回路基板１５の中央に搭載されている。ＤＳＰ１８は、信号処理ＩＣであり、送信側の８つの電気信号、及び受信側の８つの電気信号に対して信号処理を実行する。ＤＳＰ１８は、例えば２５ＧｂｐｓのＮＲＺ信号をＰＡＭ４信号に変換する。

第２回路基板１６は、その上側に位置する第１回路基板１５とスタックコネクタによって電気的に接続される。スタックコネクタを用いることにより、ＦＰＣと比較して、省スペースで電気的接続を実現できる。更に比較的高速の電気信号の伝送にも対応可能である。第１回路基板１５は、例えばその両面に回路部品を搭載する（両面実装）。第２回路基板１６は、例えばその上面のみに回路部品を搭載する（片面実装）。

また、光トランシーバ１は、回路基板１３の後方に回路基板１３とは別のプラグ基板２３を有する。プラグ基板２３は、ホストシステムのケージ内に設けられる電気コネクタと係合する。当該電気コネクタとプラグ基板２３には１００本以上の電極が密に配置されている。係合によって電気コネクタの電極とプラグ基板２３の電極とが互いに電気的に接続される。対応する電極同士を正しく接続するために、電気コネクタとプラグ基板２３の間の相対位置は正確に決められる。

よって、当該電気コネクタとプラグ基板２３の相対位置の精度を確保するためには当該電気コネクタとプラグ基板２３の係合力を高める必要があり、当該電気コネクタに対する光トランシーバ１の挿抜力は大きい。光トランシーバ１の挿抜時にプラグ基板２３に及ぼされる応力を回路基板１３に波及させないため、及び、プラグ基板２３を当該電気コネクタに強固に係合させるために、プラグ基板２３は回路基板１３とは別々の基板となるよう分離されている。

図４に示されるように、各ＯＳＡ５０は、直方体状のパッケージ１１ａ，１２ａと、その後側のみから引き出された端子１１ｂ，１２ｂを有する。パッケージ１１ａ，１２ａは、光トランシーバ１の長手方向であって且つレセプタクル４の反対側に端子１１ｂ，１２ｂを備える。パッケージ１１ａ，１２ａの各底面１１ｃ，１２ｃは、上ハウジング７の内面に当接する。すなわち、各ＯＳＡ５０は、上下が逆にされた状態で上ハウジング７の内部に搭載される。

図５及び図６は第１保持部材３０を示す斜視図である。第１保持部材３０は、矩形の平板状の外観を有する。第１保持部材３０は、突出部３１、溝（ガイド）３２，３３、孔部３４，３５、係合部３６及び突起３７を備える。突出部３１は、第１保持部材３０の左右両端側に設けられる。突出部３１は、光合波器９及び光分波器１０のそれぞれを仮固定する部位である。ここで、仮固定とは、例えば仮固定された状態では、第１保持部材を斜めに傾けるなどしても光合分波器はずれることはないが、器具を用いなくても人手で外せる程度の強度で固定されていることを意味する。突出部３１は、前方に突出する突出片３１ａと、突出片３１ａの長手方向の先端部で折り曲げられる折り曲げ部３１ｂと、突出片３１ａの長手方向の基端部で突出片３１ａの幅方向に一対に立設する壁部３１ｃとを有する。２つの壁部３１ｃのうちの１つの上端には突出片３１ａの幅方向内側に突出する凸部３１ｄが設けられる。

光トランシーバ１を組み立てるとき、突出部３１の上に光合波器９及び光分波器１０のそれぞれを固定することは、効率的な組み立てを可能とする。具体的には、突出部３１の突出片３１ａに光合波器９又は光分波器１０が載せられると共に光合波器９又は光分波器１０が折り曲げ部３１ｂ及び一対の壁部３１ｃの間に挟み込まれて凸部３１ｄに押さえられることにより、光合波器９及び光分波器１０は突出部３１に仮固定される。光合波器９及び光分波器１０の構成については後に詳述する。また、第１保持部材３０には光合波器９、光分波器１０及びＯＳＡ５０が一体に仮保持されて、後述する中間アセンブリＭ（図１８等参照）が組み立てられる。この中間アセンブリＭが組み立てられることにより、光トランシーバ１の組み立ての効率が向上する。

溝３２，３３は第１保持部材３０の内面３８に設けられる。溝３２，３３は、内部ファイバＦを配置するガイドである。溝３２，３３は、内部ファイバＦが所定の経路を通るようにガイドする。溝３２は第１保持部材３０の左右内側、溝３３は第１保持部材３０の左右外側、にそれぞれ設けられる。溝３２，３３には、光合波器９及び光分波器１０のそれぞれから引き出されて後部で展開し（曲げながら折り返され）、その後簡易コネクタＣにまで延びる内部ファイバＦが挿入される。

孔部３４は第１保持部材３０を第２保持部材４０に係合させるための孔である。孔部３５は、各ＯＳＡ５０の底面１１ｃ，１２ｃを第１保持部材３０から露出させる。係合部３６は、第１保持部材３０の左右両側壁の後部それぞれに設けられる。突起３７は、第１保持部材３０を回路基板１３に係合させる部位であり、第１保持部材３０の左右両端且つ後端近傍に設けられる。

ＯＳＡ５０の内部に搭載されると共に放熱を必要とする部品としては、例えばＴＥＣ（Thermo Electric Cooler）がある。ＴＥＣの底面は、発熱する半導体素子をペルチェ効果で冷却するときに、吸収した熱量を放出するための放熱を必要とする。よって、ＴＥＣの底面が位置するＯＳＡ５０の底面１１ｃ，１２ｃを、孔部３５を貫通して上ハウジング７の内面に面接触させることにより、ＯＳＡ５０の放熱性を高めることができる。

なお、ＯＳＡ５０の底面１１ｃの面積は各孔部３５の面積より大きくてもよい。この場合、ＯＳＡ５０が孔部３５から抜け落ちることが抑制される。しかしながら、この状態では、底面１１ｃ，１２ｃと上ハウジング７の内面との間に隙間が形成され、放熱性が低下しうる。よって、当該隙間をゲル状の放熱部材で埋めて当該放熱部材の厚さを第１保持部材３０の孔部３５の厚さ（深さ）よりも厚くすることにより、ＯＳＡ５０は、当該放熱部材を介して上ハウジング７の内面に面接触する。従って、ＯＳＡ５０から上ハウジング７への熱伝導性の良い放熱経路が構成される。

図７及び図８は、第２保持部材４０を示す斜視図である。第２保持部材４０は概ね矩形の平板状の外観を呈する。第２保持部材４０は、内部ファイバＦが挿入される溝（ガイド）４２，４３、突出部４５、爪部４６及び突起４９を備える。突出部４５は、第１保持部材３０の係合部３６に係合する。突起４９は第１保持部材３０の孔部３４に係合する。よって、第２保持部材４０は、突起４９及び一対の突出部４５の３箇所で第１保持部材３０と係合する。

突出部４５は孔部４５ａを有し、係合部３６には突起３６ａが形成されている。孔部４５ａに突起３６ａが嵌合することによって、第１保持部材３０及び第２保持部材４０は後側の２箇所で強固に係合する。突起４９は、第２保持部材４０の面外方向（第２保持部材４０の外観を平板状とみたときの平板と垂直な方向）に突出する第１突出部４９ａと、第１突出部４９ａの端部において前方に突出する第２突出部４９ｂとを有する。第２突出部４９ｂは、突起４９が孔部３４から抜けるのを防ぐ。従って、突起４９と孔部３４との係合によって、第１保持部材３０及び第２保持部材４０は前側１箇所で強固に係合する。

第２保持部材４０は、第２保持部材４０と第１保持部材３０の間にＯＳＡ５０が挟み込まれた状態で第１保持部材３０に組み立てられる。第２保持部材４０が第１保持部材３０に組み立てられたときに、第１保持部材３０及び第２保持部材４０の全高は、ＯＳＡ５０の全高よりも僅かに低くなる。これにより、ＯＳＡ５０の底面１１ｃ，１２ｃが第１保持部材３０の孔部３５から確実に上ハウジング７側に突き出ることになる。従って、第１保持部材３０及び第２保持部材４０の全高がＯＳＡ５０の全高よりも僅かに低いと、上ハウジング７の内面にＯＳＡ５０は確実に当接する。

溝４２，４３は、内部ファイバＦをガイドするガイドである。溝（ガイド）４２，４３は、第２保持部材４０の底面４７に形成されている。溝４２（第１ガイド）は第２保持部材４０の左右外側において一対に設けられており、溝４３は第２保持部材４０の左右内側において一対に設けられている。溝４３は、レセプタクル４に対向し、レセプタクル４から延びる第１内部ファイバＦ１を収容する。

溝４２は、光合波器９及び光分波器１０のそれぞれに対向する。溝４２は、光合波器９及び光分波器１０のそれぞれに向かう１本の第１内部ファイバＦ１と２本の第２内部ファイバＦ２とをガイドする。各溝４２は、第２保持部材４０の前側から後方に向けて直進すると共に、途中で分岐する迂回路４２Ａ（第２ガイド）を有する。迂回路４２Ａは、直線状に延びる溝４２から左右内側（光トランシーバ１の幅方向の内側）に光トランシーバ１の横方向の中心線に向かって分岐すると共に、湾曲しながら後方に延びて溝４２の直線部分に合流する。

迂回路４２Ａには複数の内部ファイバＦのうちの一部が通され、複数の内部ファイバＦの残部は迂回路４２Ａに通されず溝４２の直線部分に沿って配置される。従って、内部ファイバＦの経路は、溝４２の直線部分（第１ガイド）を通るか、あるいは、迂回路４２Ａ（第２ガイド）を通るか、のいずれか一方を選択することができる。迂回路４２Ａの曲率半径は、内部ファイバＦの最小曲げ径以上の値とされている。迂回路４２Ａは、例えば、第２保持部材４０の左右内側に回転中心を有する円弧状の第１湾曲部４２ａと、第２保持部材４０の左右外側に回転中心を有する円弧状の第２湾曲部４２ｂとを含んでいる。

このように、第１湾曲部４２ａ及び第２湾曲部４２ｂを有することにより、迂回路４２Ａに内部ファイバＦを緩やかに曲げた状態で配置することが可能となる。本実施形態では、光合波器９及び光分波器１０のいずれか一方に係る２本の第２内部ファイバＦ２のうちの１本が迂回路４２Ａに通される。一方、他の１本の第２内部ファイバＦ２及び第１内部ファイバＦ１は、迂回路４２Ａに通されず溝４２の直線部分において直進する。

溝４３は、レセプタクル４から後方に直線状に延び出す第１部分４３ａと、第１部分４３ａの後端から第２保持部材４０の後方且つ左右両端側に斜めに延びる第２部分４３ｂとを含んでいる。２本の溝４３の第２部分４３ｂのそれぞれは、第２保持部材４０の中央において交差する交差部４３ｃを形成し、交差部４３ｃから左右両端側に斜めに延び出している。交差部４３ｃから後方に斜めに延び出す第２部分４３ｂは途中で溝４２に合流する。

溝４２及び溝４３のそれぞれには爪部４６が設けられている。爪部４６は、溝４２，４３に収容された内部ファイバＦが溝４２，４３の外に飛び出ることを抑制する。各爪部４６は、各溝４２，４３において溝４２，４３を塞ぐように溝４２，４３の内壁から溝４２，４３の内側に突出している。爪部４６は、例えば、迂回路４２Ａの前側、曲線状に延びる迂回路４２Ａの頂部、溝４２の直線部分、及び溝４３の第２部分４３ｂの後側、のそれぞれに設けられる。なお、爪部４６の溝４２，４３の内側に突出する長さは、爪部４６の先端と、爪部４６の突出する内壁に対向する内壁（あるいは爪部４６の先端に対向する溝４２、４３の内壁）との距離が、内部ファイバＦの外径よりも大きくなるように設定される。これにより、爪部４６に妨げられずに内部ファイバＦを溝４２、４３に収容することができ、収容された内部ファイバが溝４２、４３の外に飛び出ることを効果的に抑制することができる。

図９は、内部ファイバＦの引き回し（経路）を説明するための図である。図９では、第１保持部材３０及び第２保持部材４０の図示を省略している。レセプタクル４から引き出された第１内部ファイバＦ１は、後方に直進し、ＯＳＡ５０の上（第２保持部材４０の外面）で左右反対側に湾曲し、曲率を維持しつつ回路基板１３上で回路基板１３の外縁内側に沿って大きく逆サイドに湾曲し、左右外側のＯＳＡ５０の上を通過して光合波器９及び光分波器１０のそれぞれに光学的に接続する。

光合波器９及び光分波器１０のそれぞれから引き出された２本の第２内部ファイバＦ２は溝４２にガイドされて後方に直進する。１本の第２内部ファイバＦ２は迂回路４２Ａを通って光トランシーバ１の幅方向の内側に中心線に向かって湾曲し、他の１本の第２内部ファイバＦ２は迂回路４２Ａを通らずに後方に直進する。そして、２本の第２内部ファイバＦ２は、回路基板１３の上において回路基板１３の外縁内側に沿って大きく左右逆方向に湾曲し、第１保持部材３０後端の係合部３６の壁部に沿って前側に引き出され、第１保持部材３０の溝３３の最も外側に設けられた壁部の外側で屈曲して後側に向かい、それぞれ溝３２，３３にガイドされて簡易コネクタＣに接続する。溝３３の最も外側の壁部に沿って第２内部ファイバＦ２が屈曲することにより、第２内部ファイバＦ２の屈曲の曲率を抑えることが可能である。第２内部ファイバＦ２の曲率は、例えば２０ｍｍよりも小さい。

次に、ＯＳＡ５０と回路基板１３とのＦＰＣ１４による接続について説明する。図１０は、ＯＳＡ５０及び回路基板１３を組み立てた後に第１保持部材３０を回路基板（プリント基板）１３に組み付ける状態を示している。図４及び図１０に示すように、ＦＰＣ１４は、端子１１ｂ，１２ｂの表面（図４にて上向きの面）と回路基板１３の表面を接続する第１ＦＰＣ１４ａと、端子１１ｂ，１２ｂの裏面（図４にて下向きの面）と回路基板１３の裏面を接続する第２ＦＰＣ１４ｂを含む。ＴＯＳＡ１１から端子１１ｂが引き出される上下方向の位置は、ＲＯＳＡ１２から端子１２ｂが引き出される上下方向の位置と異なっている。よって、ＴＯＳＡ１１に接続されるＦＰＣ１４、及びＲＯＳＡ１２に接続されるＦＰＣ１４のいずれか一方は、回路基板１３との上下方向の高低差により他方よりも大きな応力を付与されてフォーミングされる。

図１０では、端子１２ｂの表面と回路基板１３の表面との高低差がより大きいので、ＲＯＳＡ１２に接続されるＦＰＣ１４に大きな応力が付与される。なお、このようになるのは、端子１１ｂと端子１２ｂの前後方向の位置がほぼ同じためである。すなわち、ＦＰＣ１４に必要な曲げ具合は、端子１１ｂ，１２ｂの前後方向の位置（あるいは回路基板１３との距離）と端子１１ｂ，１２ｂの回路基板１３との上下方向の高低差に依存する。この状態で光トランシーバ１の種々の組み立て作業を施すと、特にＲＯＳＡ１２に接続されたＦＰＣ１４に大きな力のモーメントが付与されることが想定される。そのため、光トランシーバ１では、組み立て時に、ＯＳＡ５０を第１保持部材３０上に仮搭載することによって、ＦＰＣ１４に及ぼされる応力（ＴＯＳＡ１１、ＲＯＳＡ１２の重さによるモーメント）を緩和する。

図１１（ａ）は、光合波器９の外観を示す斜視図である。図１１（ｂ）は、光分波器１０の機能を説明するための図である。光分波器１０の外観は光合波器９の外観と同様であるため、光分波器１０の外観に関する説明を適宜省略する。光合波器９は、その底部９ｂを上にして光トランシーバ１の内部に搭載される。光合波器９の底部９ｂを第１保持部材３０の突出部３１に仮固定して、回路基板１３、ＯＳＡ５０、第１保持部材３０及び第２保持部材４０が組み立てられる。

図１１（ｂ）に示されるように、光分波器１０は波長選択フィルタ１０ｃを有する。光トランシーバ１では、１２７４ｎｍ～１３１０ｎｍの範囲において４～５ｎｍの間隔で設定される８種類の波長の光信号が扱われる。波長選択フィルタ１０ｃは、この８種類の波長の信号光が多重化された波長多重光信号を、長波長側の４レーン分（１３１０ｎｍ、１３０５ｎｍ、１３００ｎｍ、１２９５ｎｍ）の光信号（サブ多重光信号）と、短波長側の４レーン分（１２７４ｎｍ、１２７８ｎｍ、１２８２ｎｍ、１２８６ｎｍ）の光信号（サブ多重光信号）とに分離する。

波長選択フィルタ１０ｃは、例えば１２８６ｎｍと１２９５ｎｍの間（一例として１２９０ｎｍ）にカットオフ波長を有する。波長選択フィルタ１０ｃは、カットオフ波長に対して誘電体多層膜を実質透明な母材上に形成することによって得られる。波長選択フィルタ１０ｃの波長選択機能は、光の入射角、すなわち、波長選択フィルタ１０ｃの法線と入射光（信号光）の光軸とが成す角度に依存する。光の入射角が０°のときに最良の波長選択機能が得られ、光の入射角が大きくなるほど波長選択機能が低下する。波長選択機能が低下するとは、例えばカットオフ波長付近での透過波長の限界値と反射波長の限界値との差が大きくなり、フィルタ特性が鈍ることを意味する。

光分波器１０では、光分波器１０のポート１０ｄから、前述した各波長を有する８多重の波長多重光が入射し、ミラー１０ｅで全反射してから波長選択フィルタ１０ｃに入射する。８多重の波長多重光（波長多重光信号）のうち、長波長側４レーン分（又は短波長側４レーン分）の光（サブ多重光信号）は波長選択フィルタ１０ｃを透過してポート１０ｆから出力し、短波長側４レーン分（又は長波長側の４レーン分）の光（サブ多重光信号）は波長選択フィルタ１０ｃで反射する。波長選択フィルタ１０ｃで反射した４本の光信号（サブ多重光信号）は、ミラー１０ｇで全反射してポート１０ｈから出力する。また、ポート１０ｄ，１０ｆ，１０ｈのそれぞれにはコリメートレンズ（不図示）が設けられており、光分波器１０の内部ではコリメート光学系を採用している。すなわち、光信号は、コリメート光の状態で前述したように反射又は透過する。

以上、光分波器１０について説明したが、光合波器９については、光分波器１０の入出力が逆とされている。すなわち、ポート９ｈから、長波長側４レーン分（又は短波長側４レーン分）の光信号（サブ多重光信号）が入射し、ミラー９ｇで全反射してから波長選択フィルタ９ｃで再度反射する。一方、短波長側４レーン分（又は長波長側４レーン分）の光信号（サブ多重光信号）は、ポート９ｆから入射し、波長選択フィルタ９ｃを透過する。波長選択フィルタ９ｃで反射した４レーン分の信号光と波長選択フィルタ９ｃを透過した４レーン分の信号光は、ミラー９ｅで全反射した後にポート９ｄから波長多重光信号として出力する。以上より、光合波器９の内部に搭載される光学部品は、光分波器１０の内部に搭載される光学部品と同様とすることができる。

図１２は、光合波器９（光分波器１０）、レセプタクル４、簡易コネクタＣ及び内部ファイバＦを示す斜視図である。光合波器９と内部ファイバＦの接続、及びレセプタクル４と内部ファイバＦの接続は、所謂ピグテール接続（一体化された接続）である。すなわち、内部ファイバＦは、光合波器９及びレセプタクル４のそれぞれの内部の光学系に直接光学的に接続されている。また、簡易コネクタＣはＯＳＡ５０に付属されており、ＯＳＡ５０と内部ファイバＦとの接続は簡易コネクタＣを介して行われる。簡易コネクタＣは、その両側にフックＣ１を有し、フックＣ１を介してＯＳＡ５０に接続される。

光合波器９（光分波器１０）及びレセプタクル４は、所謂光学的受動部品であるため、部品個々の性能のばらつきは比較的小さい。これに対し、ＯＳＡ５０は、内部にＬＤ又はＰＤ等の半導体光素子（能動部品）を搭載しているので、部品個々の性能のばらつきは比較的大きい。よって、ＯＳＡ５０は、受動部品と比較して交換できることが好ましい。従って、ＯＳＡ５０を着脱が容易な簡易コネクタＣを用いて接続することによって、特性不良が生じた場合に各ＯＳＡ５０を独立して交換することができる。

前述したＯＳＡ５０、ＬＤドライバ１７及びＤＳＰ１８等、回路基板１３に搭載される回路部品（能動部品）は電力の供給を受けて動作する時に消費電力に応じてジュール熱を発生する。よって、図１３に示されるように、ＯＳＡ５０、ＬＤドライバ１７及びＤＳＰ１８等の放熱面は、ヒートシンクＨが接触する上ハウジング７側に配置されている。これにより、上ハウジング７に対するＯＳＡ５０、ＬＤドライバ１７及びＤＳＰ１８等の熱伝導性の良い放熱経路を構成している。

また、回路基板（プリント基板）１３は、水平面（前後左右に延びる平面）に対し若干の傾きを有する。しかしながら、上ハウジング７とＬＤドライバ１７及びＤＳＰ１８との間等に、ヒートシンクＨとして弾性且つ伝熱性を有するシート又はゲルを塗布することによって、上記傾きによる回路基板１３の公差を吸収する。これにより、上ハウジング７の内面との面接触を確保でき、熱伝導性の良い放熱経路を構成できる。

次に、光トランシーバ１の組み立てについて説明する。図１４は、第１回路基板（第１プリント基板）１５の裏面、並びに、ＯＳＡ５０の天井面を示している。まず、図１４に示されるように、第１回路基板１５とＯＳＡ５０を互いに電気的に接続する（第１工程）。詳細には、両面に回路部品を搭載済みの第１回路基板１５と、ＯＳＡ５０のそれぞれをＦＰＣ１４によって電気的に接続する。このとき、各ＦＰＣ１４にフォーミングを行う。具体的には、ＲＯＳＡ１２に接続するＦＰＣ１４の可撓部を、ＴＯＳＡ１１に接続するＦＰＣ１４の可撓部よりも大きく曲げる。その後、ＯＳＡ５０の端子１１ｂ，１２ｂと第１回路基板１５のパッドのそれぞれにＦＰＣ１４をソルダリングして電気的に接続する。

次に、図１５及び図１６に示されるように、第１保持部材３０の後端の突起３７を第１回路基板１５に形成された開孔１５ａに挿入（嵌合）する。突起３７は、その先端の径が開孔１５ａの径よりも大きく設定され、これにより突起３７が開孔１５ａから抜けることが抑制される。そして、各ＯＳＡ５０を第１保持部材３０の孔部３５に挿入し、各ＯＳＡ５０の底面を孔部３５から露出させる。

図１７に示されるように、第２保持部材４０を第１保持部材３０に組み付ける。このとき、第２保持部材４０の各孔部４５ａに第１保持部材３０の各突起３６ａを嵌合させると共に、第２保持部材４０の突起４９が第１保持部材３０の孔部３４に嵌合することにより、第１保持部材３０に第２保持部材４０が強固に係合される。

そして、図９に示されるように、各ＯＳＡ５０のスリーブに、内部ファイバＦが接続された簡易コネクタＣを接続する。そして、各簡易コネクタＣから前方に引き出した内部ファイバＦを第１保持部材３０の溝３２，３３に収容して内部ファイバＦを後方に湾曲させて回路基板１３の部分にまで内部ファイバＦを後方に引き伸ばし、更に回路基板１３において回路基板１３の外縁内側に沿って左右逆方向且つ前方に大きく曲げる。

また、図１８及び図１９に示されるように、光合波器９及び光分波器１０のそれぞれを突出部３１に仮固定し、第１保持部材３０によって光合波器９及び光分波器１０を保持する。このとき、光合波器９及び光分波器１０のそれぞれを、突出部３１の突出片３１ａに載せると共に折り曲げ部３１ｂ及び壁部３１ｃの間に挟み込むことによって、光合波器９及び光分波器１０を突出部３１上に仮固定する。そして、レセプタクル４に光学的に接続する内部ファイバＦを溝４３に収容し、光合波器９及び光分波器１０のそれぞれに光学的に接続する内部ファイバＦを溝４２に収容する。

図２０は溝４２に挿入される内部ファイバＦを示す斜視図であり、図２０では光合波器９（光分波器１０）、内部ファイバＦ、ＯＳＡ５０に接続される簡易コネクタＣ及びレセプタクル４の一部のみを図示すると共に、ＯＳＡ５０の図示を簡略化している。図１９及び図２０に示されるように、光トランシーバ１の幅方向の外側に位置する第１ＯＳＡ５０ａ（簡易コネクタＣ）から延び出す内部ファイバＦを内部ファイバＦａ、光トランシーバ１の幅方向の内側に位置する第２ＯＳＡ５０ｂから延び出す内部ファイバＦを内部ファイバＦｂとすると、内部ファイバＦａは、内部ファイバＦｂに合流し、その後内部ファイバＦｂと共に引き回される。

仮に、内部ファイバＦｂと合流した後の内部ファイバＦａを引き回す経路と、内部ファイバＦｂを引き回す経路とを同一にすると、内部ファイバＦａの方が光トランシーバ１の幅方向外側から延び出しているので、内部ファイバＦａの長さを内部ファイバＦｂの長さよりも長くしなければならない。この場合、互いに長さが異なる内部ファイバＦａ、内部ファイバＦｂを用意しなければならないので、組み立てに手間がかかると共にコストの増大にもつながる。なお、このような内部ファイバＦａの長さと内部ファイバＦｂの長さの違いは、第１ＯＳＡ５０ａ及び第２ＯＳＡ５０ｂがハウジング２の長手方向に対して横方向（長手方向と垂直方向）に並列に配置されていることに起因している。

これに対し、光トランシーバ１では、内部ファイバＦａを引き回す経路と、内部ファイバＦｂを引き回す経路を同一としておらず、溝４２の迂回路４２Ａによって内部ファイバＦｂの経路が光トランシーバ１の幅方向の内側に迂回している。このように、光トランシーバ１の幅方向の内側に位置する第２ＯＳＡ５０ｂから延び出す内部ファイバＦｂの経路を、第１ＯＳＡ５０ａから延び出す内部ファイバＦａの溝４２を含む経路に対して溝４２に代えて迂回路４２Ａを迂回させることにより、内部ファイバＦａの長さと内部ファイバＦｂの長さとを同一にすることが可能となる。従って、内部ファイバＦａ及び内部ファイバＦｂを共用できるので、組み立てを容易に行うと共にコストの低減にも寄与する。

以上、内部ファイバＦを第２保持部材４０の溝４２に挿入して行われる組み立ては、ハウジング２の外部において行う。これにより、回路基板１３、ＯＳＡ５０、簡易コネクタＣ、第１保持部材３０、第２保持部材４０、光合波器９及び光分波器１０を含む中間アセンブリＭをハウジング２の外部において効率よく組み立てることができる。中間アセンブリＭを組み立てた後には、中間アセンブリＭを上ハウジング７に設置すると共に、レセプタクル４を上ハウジング７の前端且つ左右中央に設置し、下ハウジング８を上ハウジング７に組み付けてレセプタクル４の位置を規定する。以上のようにハウジング２の組み立てを行った後に光トランシーバ１の組み立てが完了する。

次に、光トランシーバ１から得られる作用効果について詳細に説明する。光トランシーバ１では、レセプタクル４に外部の光コネクタが受容されると、外部の光コネクタの光は、光合分波器（光合波器９及び光分波器１０）と、複数のＯＳＡ５０のそれぞれとに光結合する。光合分波器は、複数のＯＳＡ５０のそれぞれに複数の内部ファイバＦのそれぞれを介して光学的に接続される。また、複数のＯＳＡ５０を回路基板１３に保持する第２保持部材４０を備え、第２保持部材４０は複数の内部ファイバＦのいずれかを迂回させる迂回路４２Ａを有する。よって、複数のＯＳＡ５０を保持する第２保持部材４０を内部ファイバＦの迂回路４２Ａを規定する部材として有効利用することができる。

また、迂回路４２Ａで複数の内部ファイバＦのいずれか（例えば内部ファイバＦｂ）を迂回させることにより、複数の内部ファイバＦ（例えば内部ファイバＦａ及び内部ファイバＦｂ）の経路の長さを互いに同一にすることができる。従って、迂回路４２Ａを設けることによって複数の内部ファイバＦの長さを互いに同一にすることができる。また、内部ファイバＦの迂回経路を定めることができるため、一部の内部ファイバＦ（例えば内部ファイバＦａと長さが同一とされた内部ファイバＦｂ）を大きく引き回す必要性を無くすことができる。よって、内部ファイバＦをコンパクトに光トランシーバ１の内部に収容することができるので、光トランシーバ１の小型化を実現させることができる。

また、迂回路４２Ａは、内部ファイバＦが収容される溝４２である。よって、溝４２に内部ファイバＦを収容させることによって内部ファイバＦを容易に迂回させることができる。従って、光トランシーバ１の組み立てを容易に行うことができる。

また、迂回路４２Ａは、溝４２に挿入された内部ファイバＦを覆う爪部４６を有する。溝４２に挿入された内部ファイバＦが爪部４６に覆われることによって内部ファイバＦが第２保持部材４０から飛び出す可能性を低減させることができる。従って、内部ファイバＦをより確実に第２保持部材４０に保持させることができるので、光トランシーバ１の組み立てを一層容易に行うことができる。

また、迂回路４２Ａは、光トランシーバ１の幅方向の内側に湾曲する形状とされている。よって、内部ファイバＦを光トランシーバ１の幅方向の内側に曲線状に迂回させることができる。従って、内部ファイバＦを光トランシーバ１の幅方向の内側に迂回させることにより、光トランシーバ１の外形が大きくなることを抑制することができる。その結果、光トランシーバ１の小型化を一層確実に実現させることができる。

また、複数のＯＳＡ５０は、第１ＯＳＡ５０ａ及び第２ＯＳＡ５０ｂを含み、複数の内部ファイバＦは、内部ファイバＦａ及び内部ファイバＦｂを含み、光合分波器（光合波器９及び光分波器１０）は、第１ＯＳＡ５０ａに内部ファイバＦａを介して光学的に接続されると共に、第２ＯＳＡ５０ｂに内部ファイバＦｂを介して光学的に接続されており、迂回路４２Ａは内部ファイバＦｂを迂回させ、内部ファイバＦａは迂回されない。従って、内部ファイバＦａ及び内部ファイバＦｂのうち１本の内部ファイバＦｂの迂回路４２Ａのみを用意すればよいので、迂回路４２Ａの構成を簡易にすることができる。

更に、本実施形態では、光合波器９及び光分波器１０を第１保持部材３０（突出部３１）に仮固定するので、光合波器９及び光分波器１０のそれぞれに接続された内部ファイバＦの根元にかかる光合波器９及び光分波器１０の自重による応力を緩和することができる。また、内部ファイバＦを第２保持部材４０の溝４２に収容して行われる組み立ては、ハウジング２の外部において行う。この組み立て方法によれば、内部ファイバＦをハウジング２の外部において高い自由度で扱うことができ、内部ファイバＦの引き回し（各溝への内部ファイバＦの挿入、及び回路基板上における内部ファイバＦの湾曲等）がハウジング２に制約されることを回避できる。

これにより、内部ファイバＦを引き回しているときに、第１保持部材３０及び第２保持部材４０のそれぞれの溝３２，３３，４２，４３に内部ファイバＦを効率よく収容することができる。更に、以上の組み込みによって得られた上ハウジング７、下ハウジング８、光合波器９、光分波器１０、レセプタクル４、第１保持部材３０、第２保持部材４０、ＯＳＡ５０及び回路基板１３を含む部品群はユニット化されており、表裏（上下）を逆さまにしても互いの部品の位置関係が維持されるため、取扱いが容易である。

以上、本発明に係る光トランシーバの実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されない。すなわち、本発明が特許請求の範囲に記載された要旨の範囲内において種々の変形及び変更が可能であることは、当業者によって容易に認識される。例えば、第１保持部材３０及び第２保持部材４０の形状は適宜変更可能である。また、第１保持部材３０及び第２保持部材４０に代えて、１つの保持部材を備えてもよい。更に、前述の光トランシーバの組み立ての順序は適宜変更可能である。

また、前述の実施形態では、複数の内部ファイバＦのうちの一部を迂回させる迂回路４２Ａが溝４２である例について説明した。しかしながら、迂回路は、例えば、保持部材から立設するガイド状の壁部であってもよく、迂回路の形状、大きさ、数及び配置態様は適宜変更可能である。更に、前述の実施形態では、光トランシーバ１の幅方向の内側に湾曲する迂回路４２Ａについて説明した。しかしながら、例えば、迂回路は、光トランシーバの長手方向の内側に湾曲する迂回路であってもよく、迂回路の位置は適宜変更可能である。更に、第２保持部材に代えて又は第２保持部材と共に、第１保持部材が迂回路を備えていてもよい。また、前述の実施形態では、ＯＳＡ５０が２個のＴＯＳＡ１１及び２個のＲＯＳＡ１２の場合を示していたが、例えば、光トランシーバ１が互いに横方向に並列に配置された４個のＴＯＳＡを含む場合に、それぞれのＴＯＳＡと接続される内部ファイバＦの長さの違いを吸収（相殺）するために、第２保持部材が互いに異なる形状の３つの迂回路を有していてもよい。

また、前述の実施形態では、ハウジング２の左右両側から前方に延び出すプルタブ５を備えた光トランシーバ１について説明した。しかしながら、例えば、プルタブに代えて、ハウジングに対して回転可能に支持されるベールを備えていてもよく、ベールを備えた光トランシーバであっても前述と同様の効果が得られる。このように、光トランシーバの各部品の構成については適宜変更可能である。

１…光トランシーバ、２…ハウジング、４…レセプタクル、５…プルタブ、６…スライダ、６ａ…突起、７…上ハウジング、８…下ハウジング、９…光合波器（光合分波器）、９ａ，１０ａ…突出部、９ｂ，１０ｂ…底部、９ｃ，１０ｃ…波長選択フィルタ、９ｄ，９ｆ，９ｈ，１０ｄ，１０ｆ，１０ｈ…ポート、９ｅ，９ｇ，１０ｅ，１０ｇ…ミラー、１０…光分波器（光合分波器）１１…ＴＯＳＡ（光サブアセンブリ）、１１ａ，１２ａ…パッケージ、１１ｂ，１２ｂ…端子、１１ｃ，１２ｃ…底面、１２…ＲＯＳＡ（光サブアセンブリ）、１３…回路基板、１４…ＦＰＣ、１５…第１回路基板、１５ａ…開孔、１６…第２回路基板、１７…ドライバ、２３…プラグ、３０…第１保持部材、３１…突出部、３１ａ…突出片、３１ｂ…折り曲げ部、３１ｃ…壁部、３１ｄ…凸部、３２，３３…溝、３４，３５…孔部、３６…係合部、３６ａ，３７…突起、３８…内面、４０…第２保持部材（保持部材）、４２…溝（第１ガイド）、４３…溝、４２Ａ…迂回路（第２ガイド）、４２ａ…第１湾曲部、４２ｂ…第２湾曲部、４３ａ…第１部分、４３ｂ…第２部分、４５…突出部、４５ａ…孔部、４６…爪部、４７…底面、４９…突起、４９ａ…第１突出部、４９ｂ…第２突出部、５０…ＯＳＡ（光サブアセンブリ）、５０ａ…第１ＯＳＡ（第１光サブアセンブリ）、５０ｂ…第２ＯＳＡ、Ｃ…簡易コネクタ、Ｃ１…フック、Ｆ，Ｆａ，Ｆｂ…内部ファイバ、Ｆ１…第１内部ファイバ、Ｆ２…第２内部ファイバ、Ｈ…ヒートシンク、Ｍ…中間アセンブリ。

Claims (4)

1. それぞれ光信号及び電気信号の間の光電変換を行う、複数の光サブアセンブリと、
   長手方向において前記複数の光サブアセンブリの後側に配置され、前記複数の光サブアセンブリのそれぞれに電気的に接続される回路を搭載する回路基板と、
   前記長手方向において前記複数の光サブアセンブリの前側に配置され、複数の内部ファイバを有し、前記複数の光サブアセンブリのそれぞれに前記複数の内部ファイバのそれぞれを介して光学的に接続されると共に、前記光信号を合波又は分波する光合分波器と、
   前記光合分波器に光学的に接続され、外部の光コネクタを受容するレセプタクルと、
   前記複数の光サブアセンブリを保持し、前記回路基板と係合する保持部材と、
   前記長手方向に延び、前記複数の光サブアセンブリ、前記回路基板、前記光合分波器、前記レセプタクル、および前記保持部材が配置されるハウジングと、
   を備え、
   前記複数の光サブアセンブリは、前記長手方向と垂直な横方向に沿って配置され、
   前記保持部材は、前記複数の内部ファイバの少なくともいずれか一つをガイドする第１ガイドと、前記複数の内部ファイバの少なくともいずれか一つとは別の前記複数の内部ファイバの少なくともいずれか一つを前記第１ガイドに対して迂回させる第２ガイドを有し、
   前記第１ガイドは、前記光合分波器から前記回路基板に向けて直線状に延び、
   前記第２ガイドは、前記第１ガイドから前記ハウジングの前記横方向の中心線に向かって分岐すると共に、湾曲しながら前記回路基板に向かって延びて前記第１ガイドに合流する、
   光トランシーバ。
2. 前記第１ガイド及び前記第２ガイドは、前記複数の内部ファイバを収容可能な溝である、
   請求項１に記載の光トランシーバ。
3. 前記第１ガイド及び第２ガイドは、それぞれの前記溝に収容された前記複数の内部ファイバを覆う爪部をそれぞれ有する、
   請求項２に記載の光トランシーバ。
4. 前記複数の光サブアセンブリは、第１光サブアセンブリと、前記第１光サブアセンブリが配置された位置よりも前記横方向に関して内側に配置された第２光サブアセンブリを含み、
   前記複数の内部ファイバは、第１内部ファイバ及び第２内部ファイバを含み、
   前記光合分波器は、前記第１光サブアセンブリに前記第１内部ファイバを介して光学的に接続されると共に、前記第２光サブアセンブリに前記第２内部ファイバを介して光学的に接続されており、
   前記第１ガイドは、前記第１内部ファイバをガイドし、
   前記第２ガイドは、前記第２内部ファイバをガイドする、
   請求項１～３のいずれか一項に記載の光トランシーバ。

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