JP7068904B2 - 電磁波検出装置および情報取得システム - Google Patents

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Description

本発明は、電磁波検出装置および情報取得システムに関するものである。
近年、電磁波を検出する複数の検出器による検出結果から周囲に関する情報を得る装置が開発されている。例えば、赤外線カメラで撮像した画像中の物体の位置を、レーザレーダを用いて測定する装置が知られている。(特許文献1参照)。
特開2011-220732号公報
このような装置において、電磁波の検出精度の向上は有益である。
従って、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされた本開示の目的は、電磁波の検出精度を向上させることにある。
上述した諸課題を解決すべく、第1の観点による電磁波検出装置は、
第1の方向に進行する電磁波を分離して、第2の方向および第3の方向に進行させる分離部と、
前記第2の方向に進行した前記電磁波を検出する第1の検出部と、
基準面に沿って複数の画素が配置され、前記第3の方向へ進行して前記基準面に入射した電磁波の進行方向を前記画素毎に第4の方向および第5の方向へ切替える進行部と、
前記第4の方向に進行した電磁波を検出する第2の検出部と、
前記第5の方向へ進行した電磁波の少なくとも一部を遮断する遮断部と、を備え
前記第1の検出部は、前記進行部に対して前記第5の方向に配置されており、
前記遮断部は、前記進行部に対して前記第5の方向であって、前記進行部と前記第1の検出部との間に配置されており、
前記第1の検出部はイメージセンサであり、
前記第2の検出部は測距センサを構成する。
上述したように本開示の解決手段を装置、及びシステムとして説明してきたが、本開示は、これらを含む態様としても実現し得るものであり、また、これらに実質的に相当する方法、プログラム、プログラムを記録した記憶媒体としても実現し得るものであり、本開示の範囲にはこれらも包含されるものと理解されたい。
上記のように構成された本開示によれば、電磁波の検出精度を向上し得る。
第1の実施形態に係る電磁波検出装置含む情報取得システムの概略構成を示す構成図である。 図1の電磁波検出装置の概略構成を示す構成図である。 図2の進行部における画素の第1の状態と第2の状態における電磁波の進行方向を説明するための、電磁波検出装置の状態図である。 図1の放射部、第2の検出部、および制御部14が構成する測距センサによる測距の原理を説明するための電磁波の放射の時期と検出の時期を示すタイミングチャートである。 第2の実施形態に係る電磁波検出装置の概略構成を示す構成図である。 第1の実施形態に係る電磁波検出装置の変形例の概略構成を示す構成図である。
以下、本発明を適用した電磁波検出装置の実施形態について、図面を参照して説明する。電磁波を検出する複数の検出器により電磁波を検出する構成において、装置に入射する電磁波の中から、各検出器に検出対象として割当てられた波長帯域の電磁波が、それぞれの検出器に入射するように光学系が形成されている。その際、各検出部のうち少なくともいずれかの検出部に、割当てられた波長帯域以外の電磁波が入射することがあり、電磁波の検出精度を低下させることがある。そこで、本発明を適用した電磁波検出装置は、各検出部のうち少なくともいずれかの検出部に対して、割当てられた波長帯域以外の電磁波の入射量を低減するように構成されることにより、当該検出部に割当てられた波長帯域の電磁波の検出精度を向上し得る。
図1に示すように、本開示の第1の実施形態に係る電磁波検出装置10を含む情報取得システム11は、電磁波検出装置10、放射部12、走査部13、および制御部14を含んで構成されている。
以後の図において、各機能ブロックを結ぶ破線は、制御信号または通信される情報の流れを示す。破線が示す通信は有線通信であってもよいし、無線通信であってもよい。また、各機能ブロックから突出する実線は、ビーム状の電磁波を示す。
図2に示すように、電磁波検出装置10は、前段光学系15、分離部16、第1の検出部17、進行部18、後段光学系19、第2の検出部20、および遮断部21を有している。
前段光学系15は、例えば、レンズおよびミラーの少なくとも一方を含み、被写体となる対象obの像を結像させる。
分離部16は、前段光学系15と、前段光学系15から所定の位置をおいて離れた対象obの像の、前段光学系15による結像位置である一次結像位置との間に設けられている。
分離部16は、第1の方向d1に進行する電磁波を分離して、第2の方向d2および第3の方向d3に進行するように分離する。第1の方向d1は、例えば、前段光学系15の光軸に平行であってよい。分離部16は、第1の方向d1に進行する電磁波の一部を第2の方向d2に進行させ、電磁波の別の一部を第3の方向d3に進行させてよい。第2の方向d2に進行させる一部の電磁波は、第1の方向d1に進行する電磁波のうち特定の波長の電磁波であってよく、第3の方向d3に進行させる電磁波は他の波長の電磁波であってよい。
例えば、分離部16は、具体的には、可視光帯域の電磁波を第2の方向d2に進行させ、赤外帯域の電磁波を第3の方向d3に進行させてよい。逆に、分離部16は、赤外帯域の電磁波を第2の方向d2に進行させ、可視光帯域の電磁波を第3の方向d3に進行させてよい。また、分離部16は、長波長の電磁波を第2の方向d2に進行させ、短波長の電磁波を第3の方向d3に進行させてよい。逆に、分離部16は、長波長の電磁波を第2の方向d2に進行させ、短波長の電磁波を第3の方向d3に進行させてよい。
第1の実施形態においては、分離部16は、第1の方向d1に進行する電磁波の一部を第2の方向d2に反射し、電磁波の別の一部を第3の方向d3に透過する。分離部16は、第1の方向d1に進行する電磁波の一部を第2の方向d2に透過し、電磁波の別の一部を第3の方向d3に透過してもよい。また、分離部16は、第1の方向d1に進行する電磁波の一部を第2の方向d2に屈折させ、電磁波の別の一部を第3の方向d3に屈折させてもよい。分離部16は、例えば、プリズム22に蒸着された可視光反射コーティング、ハーフミラー、ビームスプリッタ、ダイクロイックミラー、コールドミラー、ホットミラー、メタサーフェス、および偏向素子のいずれかを含む。
第1の検出部17は、分離部16から第2の方向d2に進行する電磁波の経路上に、設けられている。さらに、第1の検出部17は、前段光学系15から所定の位置をおいて離れた対象obの像の、分離部16から第2の方向d2における前段光学系15による結像位置または当該結像位置近傍に、設けられている。第1の検出部17は、分離部16から第2の方向d2に進行した電磁波を検出する。
第1の実施形態において、第1の検出部17は、パッシブセンサである。第1の実施形態において、第1の検出部17は、さらに具体的には、素子アレイを含む。例えば、第1の検出部17は、イメージセンサまたはイメージングアレイなどの撮像素子を含み、検出面において結像した電磁波による像を撮像して、撮像した対象obに相当する画像情報を生成する。
なお、第1の実施形態において、第1の検出部17は、さらに具体的には可視光の像を撮像する。第1の検出部17は、生成した画像情報を信号として制御部14に送信する。
なお、第1の検出部17は、赤外線、紫外線、および電波の像など、可視光以外の像を撮像してもよい。また、第1の検出部17は測距センサを含んでいてもよい。この構成において、電磁波検出装置10は、第1の検出部17により画像状の距離情報を取得し得る。また、第1の検出部17はサーモセンサなどを含んでいてもよい。この構成において、電磁波検出装置10は、第1の検出部17により画像状の温度情報を取得し得る。
進行部18は、分離部16から第3の方向d3に進行する電磁波の経路上に設けられている。さらに、進行部18は、前段光学系15から所定の位置をおいて離れた対象obの像の、分離部16から第3の方向d3における前段光学系15による一次結像位置または当該一次結像位置近傍に、設けられている。
第1の実施形態においては、進行部18は、当該結像位置に設けられている。進行部18は、前段光学系15および分離部16を通過した電磁波が入射する基準面ssを有している。基準面ssは、2次元状に沿って配置される複数の画素pxによって構成されている。基準面ssは、後述する第1の状態および第2の状態の少なくともいずれかにおいて、電磁波に、例えば、反射および透過などの作用を生じさせる面である。
進行部18は、第3の方向d3に進行して基準面ssに入射する電磁波を、第4の方向d4に進行させる第1の状態と、第5の方向d5に進行させる第2の状態とに、画素px毎に切替可能である。第1の実施形態において、第1の状態は、基準面ssに入射する電磁波を、第4の方向d4に反射する第1の反射状態である。また、第2の状態は、基準面ssに入射する電磁波を、第5の方向d5に反射する第2の反射状態である。
第1の実施形態において、進行部18は、さらに具体的には、画素px毎に電磁波を反射する反射面を含んでいる。進行部18は、画素px毎の反射面の向きを変更することにより、第1の反射状態および第2の反射状態を画素px毎に切替える。
第1の実施形態において、進行部18は、例えばDMD(Digital Micro mirror Device:デジタルマイクロミラーデバイス)を含む。DMDは、基準面ssを構成する微小な反射面を駆動することにより、画素px毎に当該反射面を基準面ssに対して+12°および-12°のいずれかの傾斜状態に切替可能である。なお、基準面ssは、DMDにおける微小な反射面を載置する基板の板面に平行である。
進行部18は、後述する制御部14の制御に基づいて、第1の状態および第2の状態を、画素px毎に切替える。例えば、図3に示すように、進行部18は、同時に、一部の画素px1を第1の状態に切替えることにより当該画素px1に入射する電磁波を第4の方向d4に進行させ得、別の一部の画素px2を第2の状態に切替えることにより当該画素px2に入射する電磁波を第5の方向d5に進行させ得る。
図2に示すように、後段光学系19は、進行部18から第4の方向d4に設けられている。後段光学系19は、例えば、レンズおよびミラーの少なくとも一方を含む。後段光学系19は、進行部18において進行方向を切替えられた電磁波としての対象obの像を結像させる。
第2の検出部20は、進行部18による第4の方向d4に進行した後に後段光学系19を経由して進行する電磁波の経路上に設けられている。第2の検出部20は、後段光学系19を経由した電磁波、すなわち第4の方向d4に進行した電磁波を検出する。
第1の実施形態において、第2の検出部20は、放射部12から対象obに向けて放射された電磁波の当該対象obからの反射波を検出するアクティブセンサである。なお、第1の実施形態において、第2の検出部20は、放射部12から放射され且つ走査部13により反射されることにより対象obに向けて放射された電磁波の当該対象obからの反射波を検出する。後述するように、放射部12から放射される電磁波は赤外線、可視光線、紫外線、および電波の少なくともいずれかであり、第2の検出部20は、第1の検出部17とは異種または同種の電磁波を検出する。
第1の実施形態において、第2の検出部20は、第1の検出部17と異種または同種のセンサであってよい。第1の実施形態において、第2の検出部20は、さらに具体的には、測距センサを構成する素子を含む。例えば、第2の検出部20は、APD(Avalanche PhotoDiode)、PD(PhotoDiode)および測距イメージセンサなどの単一の素子を含む。また、第2の検出部20は、APDアレイ、PDアレイ、測距イメージングアレイ、および測距イメージセンサなどの素子アレイを含むものであってもよい。
第1の実施形態において、第2の検出部20は、被写体からの反射波を検出したことを示す検出情報を信号として制御部14に送信する。第2の検出部20は、さらに具体的には、赤外線の帯域の電磁波を検出する。
なお、第2の検出部20は、上述した測距センサを構成する単一の素子である構成において、電磁波を検出できればよく、検出面において結像される必要はない。それゆえ、第2の検出部20は、後段光学系19による結像位置である二次結像位置に設けられなくてもよい。すなわち、この構成において、第2の検出部20は、すべての画角からの電磁波が検出面上に入射可能な位置であれば、進行部18により第4の方向d4に進行した後に後段光学系19を経由して進行する電磁波の経路上のどこに配置されてもよい。
遮断部21は、例えば、進行部18から第5の方向d5に進行した電磁波の経路上に設けられていてよく、第5の方向d5に進行した電磁波の少なくとも一部を遮断する。遮断部21は、第5の方向d5に進行した電磁波の進行部18から第1の検出部17までの経路上に配置されてよい。遮断部21は、分離部16から第2の方向d2に進行する電磁波の経路外に配置されてよい。
遮断部21は、進行部18から第5の方向d5に進行した電磁波の少なくとも一部の第1の検出部17への進行を、吸収、反射、または散乱により、遮断する。遮断部21は、分離部16が特定の波長の電磁波を第2の方向d2に進行させ、他の波長の電磁波を第3の方向d3に進行させる構成において、第2の方向d2に進行した電磁波とは異なる波長の電磁波を遮断してよい。また、当該構成において、遮断部21は、第2の方向d2に進行した電磁波とは異なる波長の電磁波のみを遮断してよい。また、当該構成において、遮断部21は、第2の方向d2へ進行した電磁波と同じ波長の電磁波を透過または屈折させてよい。また、当該構成において、遮断部21は、第2の方向d2へ進行した電磁波と同じ波長の電磁波のみを透過または屈折させてよい。
図1において、放射部12は、赤外線、可視光線、紫外線、および電波の少なくともいずれかを放射する。第1の実施形態において、放射部12は、赤外線を放射する。放射部12は、放射する電磁波を、対象obに向けて、直接または走査部13を介して間接的に、放射する。第1の実施形態においては、放射部12は、放射する電磁波を、対象obに向けて、走査部13を介して間接的に放射する。
第1の実施形態においては、放射部12は、幅の細い、例えば0.5°のビーム状の電磁波を放射する。また、第1の実施形態において、放射部12は電磁波をパルス状に放射可能である。例えば、放射部12は、LED(Light Emitting Diode)およびLD(Laser Diode)などを含む。放射部12は、後述する制御部14の制御に基づいて、電磁波の放射および停止を切替える。
走査部13は、例えば、電磁波を反射する反射面を有し、放射部12から放射された電磁波を、反射面の向きを変更しながら反射することにより、対象obに照射される電磁波の放射位置を変更する。すなわち、走査部13は、放射部12から放射される電磁波を用いて、対象obを走査する。したがって、第1の実施形態において、第2の検出部20は、走査部13と協同して、走査型の測距センサを構成する。なお、走査部13は、一次元方向または二次元方向に対象obを走査する。第1の実施形態においては、走査部13は、二次元方向に対象obを走査する。
走査部13は、放射部12から放射されて反射した電磁波の照射領域の少なくとも一部が、電磁波検出装置10における電磁波の検出範囲に含まれるように、構成されている。したがって、走査部13を介して対象obに照射される電磁波の少なくとも一部は、電磁波検出装置10において検出され得る。
なお、第1の実施形態において、走査部13は、放射部12から放射され且つ走査部13に反射した電磁波の放射領域の少なくとも一部が、第2の検出部20における検出範囲に含まれるように、構成されている。したがって、第1の実施形態において、走査部13を介して対象obに放射される電磁波の少なくとも一部は、第2の検出部20により検出され得る。
走査部13は、例えば、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)ミラー、ポリゴンミラー、およびガルバノミラーなどを含む。第1の実施形態においては、走査部13は、MEMSミラーを含む。
走査部13は、後述する制御部14の制御に基づいて、電磁波を反射する向きを変える。また、走査部13は、例えばエンコーダなどの角度センサを有してもよく、角度センサが検出する角度を、電磁波を反射する方向情報として、制御部14に通知してもよい。このような構成において、制御部14は、走査部13から取得する方向情報に基づいて、放射位置を算出し得る。また、制御部14は、走査部13に電磁波を反射する向きを変えさせるために入力する駆動信号に基づいて放射位置を算出し得る。
制御部14は、1以上のプロセッサおよびメモリを含む。プロセッサは、特定のプログラムを読み込ませて特定の機能を実行する汎用のプロセッサ、および特定の処理に特化した専用のプロセッサの少なくともいずれかを含んでよい。専用のプロセッサは、特定用途向けIC(ASIC;Application Specific Integrated Circuit)を含んでよい。プロセッサは、プログラマブルロジックデバイス(PLD;Programmable Logic Device)を含んでよい。PLDは、FPGA(Field-Programmable Gate Array)を含んでよい。制御部14は、1つまたは複数のプロセッサが協働するSoC(System-on-a-Chip)、およびSiP(System In a Package)の少なくともいずれかを含んでもよい。
制御部14は、第1の検出部17および第2の検出部20がそれぞれ検出した電磁波に基づいて、電磁波検出装置10の周囲に関する情報を取得する。周囲に関する情報は、例えば画像情報、距離情報、および温度情報などである。第1の実施形態において、制御部14は、前述のように、第1の検出部17が画像として検出した電磁波を画像情報として取得する。また、第1の実施形態において、制御部14は、第2の検出部20が検出する検出情報に基づいて、以下に説明するように、ToF(Time-of-Flight)方式により、放射部12に照射される照射位置の距離情報を取得する。
図4に示すように、制御部14は、放射部12に電磁波放射信号を入力することにより、放射部12にパルス状の電磁波を放射させる(“電磁波放射信号”欄参照)。放射部12は、入力された当該電磁波放射信号に基づいて電磁波を放射する(“放射部放射量”欄参照)。放射部12が放射し且つ走査部13が反射して任意の放射領域に放射された電磁波は、当該放射領域において反射する。制御部14は、当該放射領域の反射波の前段光学系15による進行部18における結像領域の中の少なくとも一部の画素pxを第1の状態に切替え、他の画素pxを第2の状態に切替える。そして、第2の検出部20は、当該放射領域において反射された電磁波を検出するとき(“電磁波検出量”欄参照)、前述のように、検出情報を制御部14に通知する。
制御部14は、例えば、時間計測LSI(Large Scale Integrated circuit)を有しており、放射部12に電磁波を放射させた時期T1から、検出情報を取得(“検出情報取得”欄参照)した時期T2までの時間ΔTを計測する。制御部14は、当該時間ΔTに、光速を乗算し、且つ2で除算することにより、放射位置までの距離を算出する。なお、制御部14は、上述のように、走査部13から取得する方向情報、または自身が走査部13に出力する駆動信号に基づいて、放射位置を算出する。制御部14は、放射位置を変えながら、各放射位置までの距離を算出することにより、画像状の距離情報を作成する。
なお、第1の実施形態において、情報取得システム11は、上述のように、レーザ光を放射して、返ってくるまでの時間を直接測定するDirect ToFにより距離情報を作成する構成である。しかし、情報取得システム11は、このような構成に限られない。例えば、情報取得システム11は、電磁波を一定の周期で放射し、放射された電磁波と返ってきた電磁波との位相差から、返ってくるまでの時間を間接的に測定するFlash ToFにより距離情報を作成してもよい。また、情報取得システム11は、他のToF方式、例えば、Phased ToFにより距離情報を作成してもよい。
以上のような構成の第1の実施形態の電磁波検出装置10は、分離部16に第3の方向d3に進行させられ、進行部18により第5の方向d5に進行させられた電磁波の少なくとも一部を遮断する遮断部21を有する。このような構成により、電磁波検出装置10は、第1の検出部17に対して検出対象として割当てられた波長帯域以外の電磁波の、第1の検出部17への入射量を低減し得る。したがって、電磁波検出装置10は、第1の検出部17に割当てられた波長帯域の電磁波の検出精度を向上し得る。なお、このような構成および効果は、後述する第2の実施形態の電磁波検出装置についても同じである。
また、第1の実施形態の電磁波検出装置10は、第1の方向d1に進行する電磁波を第2の方向d2および第3の方向d3に進行するように分離し、かつ第3の方向d3に進行させた電磁波の進行方向を第4の方向d4に切替可能である。このような構成により、電磁波検出装置10は、前段光学系15の光軸を、第2の方向d2に進行させた電磁波の中心軸に、かつ第4の方向d4に進行させた電磁波の中心軸に合わせることが可能となる。したがって、電磁波検出装置10は、第1の検出部17および第2の検出部20の光軸のズレを低減し得る。これにより、電磁波検出装置10は、第1の検出部17および第2の検出部20それぞれの検出面の中心を通り当該検出面に垂直な軸のズレを低減し得る。そのため、電磁波検出装置10は、第1の検出部17および第2の検出部20による検出結果における座標系のズレを低減し得る。なお、このような構成および効果は、後述する第2の実施形態の電磁波検出装置についても同じである。
また、第1の実施形態の電磁波検出装置10は、進行部18における一部の画素pxを第1の状態に切替え、且つ別の一部の画素pxを第2の状態に切替え得る。このような構成により、電磁波検出装置10は、各画素pxに入射する電磁波を出射する対象obの部分毎の電磁波に基づく情報を第2の検出部20に検出させ得る。なお、このような構成および効果は、後述する第2の実施形態の電磁波検出装置についても同じである。
次に、本開示の第2の実施形態に係る電磁波検出装置について説明する。第2の実施形態では、遮断部の配置が第1の実施形態と異なっている。以下に、第1の実施形態と異なる点を中心に第2の実施形態について説明する。なお、第1の実施形態と同じ構成を有する部位には同じ符号を付す。
図5に示すように、第2の実施形態に係る電磁波検出装置100は、前段光学系15、分離部16、第1の検出部17、進行部18、後段光学系19、第2の検出部20、および遮断部210を有している。なお、第2の実施形態に係る情報取得システム11における、電磁波検出装置100以外の構成は、第1の実施形態と同じである。第2の実施形態における前段光学系15、分離部16、第1の検出部17、進行部18、後段光学系19、および第2の検出部20の構成および機能は、第1の実施形態と同じである。なお、第2の実施形態において、分離部16は、特定の波長の電磁波を第2の方向d2に進行させ、他の波長の電磁波を第3の方向d3に進行させる。
第2の実施形態において、遮断部210は、分離部16から第2の方向d2に進行する電磁波の経路上、かつ進行部18から第5の方向d5に進行した電磁波の経路上に、例えば第1の検出部17の検出面を覆うように配置されている。遮断部210は、進行部18から第5の方向d5に進行した電磁波の少なくとも一部を遮断する。
遮断部210は、第1の実施形態と類似して、進行部18から第5の方向d5に進行した電磁波の少なくとも一部の第1の検出部17に向かう進行を、吸収、反射、または散乱により、遮断する。遮断部210は、遮断部21は、第2の方向d2に進行した電磁波とは異なる波長の電磁波のみを遮断する。また、遮断部210は、第2の方向d2へ進行した電磁波と同じ波長の電磁波のみを透過または屈折させる。
以上のように、第2の実施形態の電磁波検出装置100は、第1の検出部17の検出面を覆うように、遮断部210が配置されている。このような構成により、電磁波検出装置100は、第1の検出部17に対して検出対象として割当てられた波長帯域以外の電磁波の、第1の検出部17への入射量をさらに低減し得る。したがって、電磁波検出装置10は、第1の検出部17に割当てられた波長帯域の電磁波の検出精度をさらに向上し得る。
本発明を諸図面および実施例に基づき説明してきたが、当業者であれば本開示に基づき種々の変形および修正を行うことが容易であることに注意されたい。従って、これらの変形および修正は本発明の範囲に含まれることに留意されたい。
例えば、第1の実施形態および第2の実施形態において、放射部12、走査部13、および制御部14が、電磁波検出装置10、100とともに情報取得システム11を構成しているが、電磁波検出装置10、100は、これらの少なくとも1つを含んで構成されてよい。
また、第1の実施形態および第2の実施形態において、進行部18は、基準面ssに入射する電磁波の進行方向を2方向に切替え可能であるが、2方向のいずれかへの切替えでなく、3以上の方向に切替可能であってよい。
また、第1の実施形態の進行部18において、第1の状態および第2の状態は、基準面ssに入射する電磁波を、それぞれ、第4の方向d4に反射する第1の反射状態、および第5の方向d5に反射する第2の反射状態であるが、他の態様であってもよい。
例えば、図6に示すように、第1の状態が、基準面ssに入射する電磁波を、透過させて第4の方向d4に進行させる透過状態であってもよい。進行部181は、さらに具体的には、画素px毎に電磁波を第5の方向d5に反射する反射面を有するシャッタを含んでいてもよい。このような構成の進行部181においては、画素px毎のシャッタを開閉することにより、第1の状態としての透過状態および第2の状態としての反射状態を画素px毎に切替え得る。
このような構成の進行部181として、例えば、開閉可能な複数のシャッタがアレイ状に配列されたMEMSシャッタを含む進行部が挙げられる。また、進行部181として、電磁波を反射する反射状態と電磁波を透過する透過状態とを液晶配向に応じて切替え可能な液晶シャッタを含む進行部が挙げられる。このような構成の進行部181においては、画素px毎の液晶配向を切替えることにより、第1の状態としての透過状態および第2の状態としての反射状態を画素px毎に切替え得る。
また、第1の実施形態および第2の実施形態において、情報取得システム11は、放射部12から放射されるビーム状の電磁波を走査部13に走査させることにより、第2の検出部20を走査部13と協同させて走査型のアクティブセンサとして機能させる構成を有する。しかし、情報取得システム11は、このような構成に限られない。例えば、放射状の電磁波を放射可能な複数の放射源を有する放射部12において、放射時期をずらしながら各放射源から電磁波を放射させるフェイズドスキャン方式により、走査部13を備えることなく、走査型のアクティブセンサとして機能させる構成でも、第1の実施形態および第2の実施形態と類似の効果が得られる。また、例えば、情報取得システム11は、走査部13を備えず、放射部12から放射状の電磁波を放射させ、走査なしで情報を取得する構成でも、第1の実施形態と類似の効果が得られる。
また、第1の実施形態および第2の実施形態において、情報取得システム11は、第1の検出部17がパッシブセンサであり、第2の検出部20がアクティブセンサである構成を有する。しかし、情報取得システム11は、このような構成に限られない。例えば、情報取得システム11において、第1の検出部17および第2の検出部20が共にアクティブセンサである構成でも、パッシブセンサである構成でも第1の実施形態と類似の効果が得られる。第1の検出部17および第2の検出部20が共にアクティブセンサである構成において、対象obに電磁波を放射する放射部12は異なっていても、同一であってもよい。さらに、異なる放射部12は、それぞれ異種または同種の電磁波を放射してよい。
10、100 電磁波検出装置
11 情報取得システム
12 放射部
13 走査部
14 制御部
15 前段光学系
16 分離部
17 第1の検出部
18、181 進行部
19 後段光学系
20 第2の検出部
21、210 遮断部
22 プリズム
d1、d2、d3、d4、d5 第1の方向、第2の方向、第3の方向、第4の方向、第5の方向
ob 対象
px 画素
ss 基準面

Claims (6)

  1. 第1の方向に進行する電磁波を分離して、第2の方向および第3の方向に進行させる分離部と、
    前記第2の方向に進行した前記電磁波を検出する第1の検出部と、
    基準面に沿って複数の画素が配置され、前記第3の方向へ進行して前記基準面に入射した電磁波の進行方向を前記画素毎に第4の方向および第5の方向へ切替える進行部と、
    前記第4の方向に進行した電磁波を検出する第2の検出部と、
    前記第5の方向へ進行した電磁波の少なくとも一部を遮断する遮断部と、を備え
    前記第1の検出部は、前記進行部に対して前記第5の方向に配置されており、
    前記遮断部は、前記進行部に対して前記第5の方向であって、前記進行部と前記第1の検出部との間に配置されており、
    前記第1の検出部はイメージセンサであり、
    前記第2の検出部は測距センサを構成す
    電磁波検出装置。
  2. 請求項1に記載の電磁波検出装置において、
    前記第4の方向と前記第5の方向とは、前記第3の方向へ進行した電磁波を挟んで反対側である
    電磁波検出装置。
  3. 請求項1又は2に記載の電磁波検出装置において、
    前記第1の検出部と前記第2の検出部とは、前記第3の方向へ進行した電磁波を挟んで配置されている
    電磁波検出装置。
  4. 請求項1から3のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記進行部は、前記基準面に対して所定の方向に傾斜した第1の状態、及び前記所定の方向の反対方向に傾斜した第2の状態に切替え可能な画素を複数有し、
    前記第1の状態の前記画素へ入射した電磁波は前記第4の方向に進行し、
    前記第2の状態の前記画素へ入射した電磁波は前記第5の方向へ進行する
    電磁波検出装置。
  5. 請求項1からのいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記遮断部は、前記第5の方向へ進行した電磁波の少なくとも一部を吸収する、反射する、または散乱させる
    電磁波検出装置。
  6. 請求項1からのいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、
    前記分離部は、前記第1の方向へ進行する電磁波のうち特定の波長の電磁波を前記第2の方向へ進行させ、他の波長の電磁波を前記第3の方向へ進行させる
    電磁波検出装置。
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