JP7044412B1 - Manufacturing method of LED light source device and LED light source device - Google Patents

Manufacturing method of LED light source device and LED light source device Download PDF

Info

Publication number
JP7044412B1
JP7044412B1 JP2020170666A JP2020170666A JP7044412B1 JP 7044412 B1 JP7044412 B1 JP 7044412B1 JP 2020170666 A JP2020170666 A JP 2020170666A JP 2020170666 A JP2020170666 A JP 2020170666A JP 7044412 B1 JP7044412 B1 JP 7044412B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led
wiring
source device
light source
led chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020170666A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2022062564A (en
Inventor
實 榎本
一裕 上村
Original Assignee
丸茂電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 丸茂電機株式会社 filed Critical 丸茂電機株式会社
Priority to JP2020170666A priority Critical patent/JP7044412B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7044412B1 publication Critical patent/JP7044412B1/en
Publication of JP2022062564A publication Critical patent/JP2022062564A/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】LEDチップ間の間隔を小さくし、LEDチップの密集性を高めることができるLED光源装置を提供する。【解決手段】実装基板10と、実装基板10の上に配設された複数の配線31~34と、複数の配線31~34にそれぞれ接続された複数種類のLEDチップ41~44と、を有するLED光源装置であって、複数の配線31~34は、少なくとも第1の配線31、第2の配線31および第3の配線33,34を有し、第1の配線31と第2の配線31とが、第3の配線33,34の上を跨いで、ボンディングワイヤー201により接続されている、LED光源装置。【選択図】 図5PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an LED light source device capable of reducing the distance between LED chips and increasing the density of LED chips. SOLUTION: The mounting board 10 has a plurality of wirings 31 to 34 arranged on the mounting board 10, and a plurality of types of LED chips 41 to 44 connected to the plurality of wirings 31 to 34, respectively. In the LED light source device, the plurality of wirings 31 to 34 have at least the first wiring 31, the second wiring 31, and the third wirings 33, 34, and the first wiring 31 and the second wiring 31. Is an LED light source device that straddles the third wiring 33 and 34 and is connected by a bonding wire 201. [Selection diagram] Fig. 5

Description

本発明は、LED光源装置およびLED光源装置の製造方法に関する。 The present invention relates to an LED light source device and a method for manufacturing an LED light source device.

従来、異なる色の光を発色する4種類のLEDチップ(青色LEDチップ、赤色LEDチップ、緑色LEDチップ、白色LEDチップ)を基板の同一平面上に実装した、LED光源装置が知られている(たとえば特許文献1参照)。 Conventionally, there is known an LED light source device in which four types of LED chips (blue LED chip, red LED chip, green LED chip, white LED chip) that emit different colors of light are mounted on the same plane of a substrate (blue LED chip, red LED chip, green LED chip, white LED chip). For example, see Patent Document 1).

特開2019-102396号公報JP-A-2019-102396

近年、舞台照明などにおいて、LEDチップ同士の間隔を狭くして密集させることで、比較的小型でありながらも、4色以上の色を発光することができるLED光源装置のニーズがある。ここで、それぞれ異なる色を発光する複数種類のLEDチップを有するLED光源装置では、各色のLEDチップの電流値を独立に制御して、色のバリエーションを何万通りにも変更できるようにするため、通常、LEDチップの種類ごとに電極や配線系統を分けて配設している。しかしながら、特許文献1のように、複数の種類のLEDチップを用いる場合、LEDチップの種類が増えた分だけ配線パターンが複雑となり、異なる種類のLEDチップ用の配線を交差させる必要が生じる場合がある。従来、このような場合には、多層基板を用いることで、異なる種類のLEDチップ用の配線を別の層に分けて交差させる手法が取られるが、この場合、ビアホールを形成するために一定の大きさのビアランドを配線上に設ける必要がある。そのため、従来のLED光源装置では、ビアランドの分だけ配線間の距離を広くする必要があり、LEDチップの密集性を高めることができないという問題があった。また、LEDチップ配置部においても、多層になり、層間がビアホールで接続されることとなるため、LEDチップで発生する熱の放熱性が悪くなるという問題も発生する。 In recent years, in stage lighting and the like, there is a need for an LED light source device capable of emitting four or more colors while being relatively small by narrowing the distance between LED chips and making them densely packed. Here, in an LED light source device having a plurality of types of LED chips that emit different colors, the current value of the LED chips of each color is independently controlled so that tens of thousands of color variations can be changed. Usually, electrodes and wiring systems are separately arranged for each type of LED chip. However, when a plurality of types of LED chips are used as in Patent Document 1, the wiring pattern becomes complicated as the types of LED chips increase, and it may be necessary to cross the wirings for different types of LED chips. be. Conventionally, in such a case, a method is adopted in which wirings for different types of LED chips are divided into different layers and crossed by using a multilayer board, but in this case, a constant method is used to form a via hole. It is necessary to provide a beer land of a size on the wiring. Therefore, in the conventional LED light source device, it is necessary to widen the distance between the wirings by the amount of the via land, and there is a problem that the density of the LED chips cannot be improved. Further, also in the LED chip arranging portion, there is a problem that the heat radiating property of the heat generated by the LED chip is deteriorated because the layers are multi-layered and the layers are connected by via holes.

本発明の課題は、LEDチップ間の間隔を小さくし、LEDチップの密集性を高めることができるLED光源装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide an LED light source device capable of reducing the distance between LED chips and increasing the density of LED chips.

本発明に係るLED光源装置は、単層基板である実装基板と、
前記実装基板の上に配設された複数の配線と、
複数組の第1ないし第4色のLEDチップと、を有するLED光源装置であって、前記複数の配線は、第1色のLEDチップと接続される第1の配線、第2色のLEDチップと接続される第2の配線、第3色のLEDチップと接続される第3の配線、並びに、第4色のLEDチップと接続される第4の配線を有し、前記複数組の第1ないし第4色のLEDチップは、同一色のLEDチップと隣接することなく第1の方向に配置されている第1列の発光部と、同一色のLEDチップと隣接することなく第1の方向に配置されている第2列の発光部と、を含み、前記第1列の発光部および第2列の発光部は、前記第1の方向と直交する第2の方向においても、同一色のLEDチップと隣接することがないように前記第1ないし第4色のLEDチップが配置されており、前記第1ないし第4の配線は、前記第1の方向に延伸するように配線されており、前記第1列の発光部および第2列の発光部のLEDチップは、他の発光部の同一色のLEDチップと直列接続されており、前記第1列の発光部のLEDチップと第2列の発光部のLEDチップとは、当該LEDチップとは異なる色のLEDチップの配線を跨ぐようにボンディングワイヤーにより接続されている。
上記LED光源装置において、前記第1ないし第4色のLEDチップは、緑色LEDチップ、赤色LEDチップ、青色LEDチップおよび黄色LEDチップからなる構成とすることができる。
上記LED光源装置において、前記複数の配線が形成される配線層の上にソルダーレジスト層が形成されており、前記ソルダーレジスト層は、前記第1ないし第4の配線前記ボンディングワイヤーと接続する部分において除去された除去部分を有する構成とすることができる
記LED光源装置において、隣接する前記複数の配線間の間隔が0.2mm未満である構成とすることができる
The LED light source device according to the present invention includes a mounting board which is a single-layer board and a mounting board.
With a plurality of wirings arranged on the mounting board,
An LED light source device including a plurality of sets of first to fourth color LED chips, wherein the plurality of wirings are a first wiring connected to a first color LED chip and a second color LED chip. It has a second wiring connected to, a third wiring connected to the LED chip of the third color, and a fourth wiring connected to the LED chip of the fourth color, and the first of the plurality of sets. Or, the LED chip of the fourth color has the light emitting part of the first row arranged in the first direction without being adjacent to the LED chip of the same color, and the LED chip of the same color in the first direction without being adjacent to the LED chip of the same color. The light emitting part of the first row and the light emitting part of the second row include the light emitting part of the second row arranged in the same color even in the second direction orthogonal to the first direction. The LED chips of the first to fourth colors are arranged so as not to be adjacent to the LED chips, and the first to fourth wirings are wired so as to extend in the first direction. The LED chips of the light emitting unit in the first row and the light emitting unit in the second row are connected in series with the LED chips of the same color in the other light emitting units, and are connected to the LED chip of the light emitting unit in the first row and the second row. The LED chip of the light emitting portion of the row is connected by a bonding wire so as to straddle the wiring of the LED chip having a color different from that of the LED chip .
In the LED light source device, the first to fourth color LED chips may be configured to include a green LED chip, a red LED chip, a blue LED chip, and a yellow LED chip .
In the LED light source device, a solder resist layer is formed on a wiring layer on which the plurality of wirings are formed, and the solder resist layer is a portion where the first to fourth wirings are connected to the bonding wire. It can be configured to have the removed portion removed in .
In the LED light source device, the distance between the plurality of adjacent wirings may be less than 0.2 mm .

本発明によれば、LEDチップ間の間隔が小さく、LEDチップの密集性を高めたLED光源装置を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide an LED light source device in which the distance between LED chips is small and the density of LED chips is improved.

本実施形態に係るLED光源装置の平面図である。It is a top view of the LED light source device which concerns on this embodiment. 図1のII部分の拡大図である。It is an enlarged view of the II part of FIG. 図2において、ソルダーレジスト層に被覆されている配線部分も図示した図である。FIG. 2 is also a diagram illustrating a wiring portion covered with a solder resist layer. 図3において一部の符号の記載を省略した図である。FIG. 3 is a diagram in which the description of a part of the reference numerals is omitted. 図4のV-V線に沿う側面断面図である。It is a side sectional view along the VV line of FIG. 従来のLED光源装置の配線接続方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the wiring connection method of the conventional LED light source apparatus. (A)は従来のLED光源装置の配線間隔を説明するための図であり、(B)は本実施形態に係るLED光源装置の配線間隔を説明するための図である。(A) is a diagram for explaining the wiring interval of the conventional LED light source device, and (B) is a diagram for explaining the wiring interval of the LED light source device according to the present embodiment.

以下、図面に基づいて、本発明の実施形態を説明する。図1は、本実施形態に係るLED光源装置1の平面図である。また、図2は、図1のII部分の拡大図であり、図3は、図2において、ソルダーレジスト層に被覆されている配線部分も図示した図である。さらに、図5は、図4のV-V線に沿う側面断面図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of the LED light source device 1 according to the present embodiment. 2 is an enlarged view of the II portion of FIG. 1, and FIG. 3 is a diagram showing the wiring portion covered with the solder resist layer in FIG. 2. Further, FIG. 5 is a side sectional view taken along the line VV of FIG.

本実施形態に係るLED光源装置1は、図1~5に示すように、実装基板10と、絶縁層20と、配線層30と、異なる波長域の光を照射する4種類のLEDチップ41~44(緑色LEDチップ41、赤色LEDチップ42、青色LEDチップ43および黄色LEDチップ44)と、各LEDチップ41~44にそれぞれ接続する外部電極51~54,61~64と、ダム材70と、ソルダーレジスト層80と、封止樹脂層90とを有する。 As shown in FIGS. 1 to 5, the LED light source device 1 according to the present embodiment includes a mounting substrate 10, an insulating layer 20, a wiring layer 30, and four types of LED chips 41 to irradiate light in different wavelength ranges. 44 (green LED chip 41, red LED chip 42, blue LED chip 43 and yellow LED chip 44), external electrodes 51 to 54, 61 to 64 connected to each of the LED chips 41 to 44, a dam material 70, and the dam material 70. It has a solder resist layer 80 and a sealing resin layer 90.

本実施形態において、実装基板10は、熱伝導性および電気特性に優れる金属からなる板材であり、たとえば表面が銅やアルミニウムからなる水冷構造のヒートスプレッダ(上板、中板、下板の3種類の銅板からなる積層構造体)や銅やアルミニウムから構成される金属板(例えば、0.5~2.00mm厚)により構成される。なお、ガラスエポキシ樹脂のような熱伝導性が低い材料は、放熱性の悪くなり、発光中心部の光量が低下するドーナツ化現象が生じることとなるので好ましくない。また、実装基板10として、高熱伝導性の絶縁基板(たとえば、AlN,GaN,SiCなど)を用いることもできる。この場合、後述する絶縁層20を不要とすることもできる。 In the present embodiment, the mounting substrate 10 is a plate material made of a metal having excellent thermal conductivity and electrical characteristics. For example, there are three types of heat spreaders (upper plate, middle plate, and lower plate) having a water-cooled structure whose surface is made of copper or aluminum. It is composed of a laminated structure made of a copper plate) and a metal plate made of copper or aluminum (for example, a thickness of 0.5 to 2.00 mm). It should be noted that a material having low thermal conductivity, such as a glass epoxy resin, is not preferable because it has poor heat dissipation and causes a donut phenomenon in which the amount of light in the center of light emission is reduced. Further, as the mounting substrate 10, a highly thermally conductive insulating substrate (for example, AlN, GaN, SiC, etc.) can also be used. In this case, the insulating layer 20 described later can be eliminated.

図5に示すように、実装基板10の上には、絶縁層20が形成される。絶縁層20は、実装基板10と配線層30とを電気絶縁するための層であり、ガラスエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を主要な成分として構成することができる。なお、ガラスエポキシ樹脂は熱伝導性が低い(たとえば1W/mK程度)ため、フィラーを加えることで、熱伝導性を高める(たとえば10~20W/mK程度)ことができる。また、絶縁層20を、シリコーン樹脂などの有機樹脂を主成分として構成することもできる。 As shown in FIG. 5, the insulating layer 20 is formed on the mounting substrate 10. The insulating layer 20 is a layer for electrically insulating the mounting substrate 10 and the wiring layer 30, and can be composed of a glass epoxy resin or a polyimide resin as a main component. Since the glass epoxy resin has low thermal conductivity (for example, about 1 W / mK), the thermal conductivity can be increased (for example, about 10 to 20 W / mK) by adding a filler. Further, the insulating layer 20 may be composed of an organic resin such as a silicone resin as a main component.

また、絶縁層20の上には配線層30が形成される。本実施形態において、配線層30には、図3に示すように、緑色LEDチップ41と電気的に接続する配線31と、赤色LEDチップ42と電気的に接続する配線32と、青色LEDチップ43と電気的に接続する配線33と、黄色LEDチップ44と電気的に接続する配線34とが含まれる。また、配線層30には、緑色LEDチップ41を配置するためのLED配置部35と、赤色LEDチップ42を配置するためのLED配置部36と、青色LEDチップ43を配置するためのLED配置部37と、黄色LEDチップ44を配置するためのLED配置部38とも含まれる。 Further, a wiring layer 30 is formed on the insulating layer 20. In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the wiring layer 30 has a wiring 31 electrically connected to the green LED chip 41, a wiring 32 electrically connected to the red LED chip 42, and a blue LED chip 43. A wiring 33 electrically connected to the yellow LED chip 44 and a wiring 34 electrically connected to the yellow LED chip 44 are included. Further, in the wiring layer 30, an LED arranging portion 35 for arranging the green LED chip 41, an LED arranging portion 36 for arranging the red LED chip 42, and an LED arranging portion for arranging the blue LED chip 43 are provided. 37 and an LED arranging portion 38 for arranging the yellow LED chip 44 are also included.

本実施形態では、図3および図4に示すように、配線層30において、4種類のLEDチップ41~44にそれぞれ対応する配線31~34およびLED配置部35~38が配設されており、複雑な配線パターンを形成している。配線層30の配線パターンは、銅箔を、フォトエッチングすることにより不要な部分を取り除くことで、形成することができる。なお、図1においては、配線層30の図示は省略している。配線層30に用いる素材は、銅箔膜に限定されず、たとえば、銀ペースト、銅ペーストなどの金属を用いることもできる。なお、配線層30における配線31~34間の接続方法については、後述する。 In the present embodiment, as shown in FIGS. 3 and 4, wirings 31 to 34 and LED arrangement portions 35 to 38 corresponding to the four types of LED chips 41 to 44 are arranged in the wiring layer 30. It forms a complicated wiring pattern. The wiring pattern of the wiring layer 30 can be formed by removing unnecessary portions by photo-etching the copper foil. In FIG. 1, the wiring layer 30 is not shown. The material used for the wiring layer 30 is not limited to the copper foil film, and for example, a metal such as silver paste or copper paste can be used. The connection method between the wirings 31 to 34 in the wiring layer 30 will be described later.

本実施形態に係るLED光源装置1では、配線層30のLED配置部35~38の上に、4種類のLEDチップ41~44がそれぞれ配置される。4種類のLEDチップ41~44は、それぞれ異なる色(波長域)の光を放射するバーチカル(上下面電極)タイプのベアLEDチップであり、LED配置部35~38上に配置されることで実装される。また、本実施形態において、LEDチップ41は緑色の光を放射する緑色LEDチップ、LEDチップ42は赤色の光を放射する赤色LEDチップ、LEDチップ43は青色の光を放射する青色LEDチップ、LEDチップ44は黄色の光を放射する黄色LEDチップとしている。ただし、LEDチップ41~44は、上記LEDチップに限定されず、上述したLEDチップと異なる色の光を放射するLEDチップとしてもよい。また、LEDチップ41~44としては、市販のLEDチップを使用してもよい。本実施形態では、LEDチップ41~44が、各LEDチップ41~44にそれぞれ対応するLED配置部35~38上に配置されることで、各LEDチップ41~44にそれぞれ対応する配線31~34を介して、各LEDチップ41~44にそれぞれ対応する外部電極51~54,61~64と電気的に接続している。すなわち、本実施形態では、LEDチップ41~44の種類ごとに異なる値の電流が流せるように、図1に示すように、LEDチップ41~44の種類ごとに、外部電極51~54,61~64や配線系統31~38が分かれて配設されている。また、外部電極51~54及び61~64は、どちらかが分離されどちらかが共通電極にされていてもよい。 In the LED light source device 1 according to the present embodiment, four types of LED chips 41 to 44 are arranged on the LED arrangement portions 35 to 38 of the wiring layer 30, respectively. The four types of LED chips 41 to 44 are vertical (upper and lower surface electrodes) type bare LED chips that emit light of different colors (wavelength ranges), and are mounted by being arranged on the LED arrangement portions 35 to 38. Will be done. Further, in the present embodiment, the LED chip 41 is a green LED chip that emits green light, the LED chip 42 is a red LED chip that emits red light, and the LED chip 43 is a blue LED chip that emits blue light. The chip 44 is a yellow LED chip that emits yellow light. However, the LED chips 41 to 44 are not limited to the LED chips described above, and may be LED chips that emit light of a color different from that of the LED chips described above. Further, as the LED chips 41 to 44, commercially available LED chips may be used. In the present embodiment, the LED chips 41 to 44 are arranged on the LED arrangement portions 35 to 38 corresponding to the LED chips 41 to 44, so that the wirings 31 to 34 corresponding to the LED chips 41 to 44 are arranged. Is electrically connected to the external electrodes 51 to 54 and 61 to 64 corresponding to the LED chips 41 to 44, respectively. That is, in the present embodiment, as shown in FIG. 1, the external electrodes 51 to 54, 61 to each of the types of the LED chips 41 to 44 can be flowed so that different values of current can flow for each type of the LED chips 41 to 44. 64 and wiring systems 31 to 38 are separately arranged. Further, either of the external electrodes 51 to 54 and 61 to 64 may be separated and one of them may be a common electrode.

また、図5に示すように、配線層30の上には、ソルダーレジスト層80が形成される。ソルダーレジスト層80は、シリコーン樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ポリアミド樹脂を主要な成分とし、配線層30を保護する機能を有する。また、本実施形態において、ソルダーレジスト層80は、酸化チタン(TiO)、酸化亜鉛、アルミナなどの白色無機顔料を含み、反射材としての機能も有する。なお、図2においては、白色のソルダーレジスト層80に被覆されている部分の配線層30を図示していないが、図3においては、説明の便宜のため、ソルダーレジスト層80に被覆されている部分の配線層30を破線で図示している。 Further, as shown in FIG. 5, a solder resist layer 80 is formed on the wiring layer 30. The solder resist layer 80 contains a silicone resin, a glass epoxy resin, and a polyamide resin as main components, and has a function of protecting the wiring layer 30. Further, in the present embodiment, the solder resist layer 80 contains a white inorganic pigment such as titanium oxide (TiO 2 ), zinc oxide, and alumina, and also has a function as a reflective material. In FIG. 2, the wiring layer 30 of the portion covered with the white solder resist layer 80 is not shown, but in FIG. 3, the solder resist layer 80 is covered for convenience of explanation. The wiring layer 30 of the portion is shown by a broken line.

本実施形態では、図2~5に示すように、ソルダーレジスト層80において、配線31~34同士をボンディングワイヤー201~204で接続するための部分が、フォトエッジングにより除去され、除去部分81~84として形成されている。たとえば、図2~5に示す例において、配線31と配線31とをボンディングワイヤー201で接続するために、除去部分81および81が形成されている。また、本実施形態では、ソルダーレジスト層80のうち、LEDチップ41~44が設置されるLED配置部35~38に対応する部分も、フォトエッジングにより除去され、除去部分81~84として形成されている。たとえば、図2および図3に示す例において、緑色LEDチップ41をLED配置部35に配置するために、除去部分81が形成されている。さらに、外部電極51~54,61~64に対応する部分も、フォトエッジングにより除去され、除去部分として形成される。なお、ソルダーレジスト層80に開口されたワイヤボンディング部81~84、LEDチップ配置部35~38及び外部電極51~54,61~64は、接続性を確保するため、NiCrAuやNiPaAuなどのメッキで表面処理することが好ましい。 In the present embodiment, as shown in FIGS. 2 to 5, in the solder resist layer 80, the portions for connecting the wirings 31 to 34 with the bonding wires 201 to 204 are removed by photoedging, and the removed portions 81 to 84 are removed. Is formed as. For example, in the example shown in FIGS. 2 to 5 , the removed portions 815 and 816 are formed in order to connect the wiring 313 and the wiring 314 with the bonding wire 2013. Further, in the present embodiment, the portion of the solder resist layer 80 corresponding to the LED arranging portions 35 to 38 in which the LED chips 41 to 44 are installed is also removed by photo edging and formed as the removed portions 81 to 84. There is. For example, in the examples shown in FIGS. 2 and 3 , the removal portion 813 is formed in order to arrange the green LED chip 41 1 in the LED arrangement portion 351 . Further, the portions corresponding to the external electrodes 51 to 54 and 61 to 64 are also removed by photo edging and formed as the removed portions. The wire bonding portions 81 to 84, the LED chip arranging portions 35 to 38, and the external electrodes 51 to 54, 61 to 64 opened in the solder resist layer 80 are plated with NiCrAu, NiPaAu, or the like in order to ensure connectivity. Surface treatment is preferred.

そして、本実施形態に係るLED光源装置1では、形成した除去部分81~84において、配線31~34同士をボンディングワイヤー201~204で電気的に接続している。たとえば、図2~5に示す例において、除去部分81において露出された配線31は、除去部分81において露出された配線31と、ボンディングワイヤー201で接続される。 In the LED light source device 1 according to the present embodiment, the wirings 31 to 34 are electrically connected to each other by the bonding wires 201 to 204 in the formed removed portions 81 to 84. For example, in the example shown in FIGS. 2 to 5 , the wiring 313 exposed in the removal portion 815 is connected to the wiring 314 exposed in the removal portion 816 by a bonding wire 2013.

また、本実施形態に係るLED光源装置1では、形成した除去部分81~84において、同じ配線系統にある配線31~34同士をボンディングワイヤー201~204でそれぞれ接続することで、同じ色の光を発光するLEDチップ41~44を外部電極51~54,61~64まで直列に接続する。たとえば、図4に示す例において、除去部分81で露出された配線31と除去部分81で露出された配線31とがボンディングワイヤー201で接続され、除去部分81において、LED配置部35に配置された緑色LEDチップ41の下面電極と接続する。また、除去部分81で露出された緑色LEDチップ41の上面電極と除去部分81で露出された配線31とがボンディングワイヤー201で接続され、除去部分81で露出された配線31と除去部分81で露出された配線31とがボンディングワイヤー201で接続される。また、配線31は、除去部分81において、LED配置部35に配置された緑色LEDチップ41の下面電極と接続する。さらに、除去部分81で露出された緑色LEDチップ41の上面電極と除去部分81で露出された配線31とがボンディングワイヤー201で接続され、除去部分81で露出された配線31と除去部分8110で露出された配線31とがボンディングワイヤー201で接続される。また、配線31は、除去部分8111において、LED配置部35に配置された緑色LEDチップ41の下面電極と接続する。さらに、除去部分8111で露出された緑色LEDチップ41の上面電極と除去部分8112で露出された配線31とがボンディングワイヤー201で接続される。このように、本実施形態では、緑色LEDチップ41~41を接続する配線31~31を、ボンディングワイヤー201~201を介して接続することで、同じ色の光を発光する緑色LEDチップ41~41を、同一の配線系統で外部電極51,61まで直列に接続することができる。同様に、他の配線32~34においても、同じ色の光を発光するLEDチップ42~44を、同一の配線系統で外部電極52~54,62~64まで直列に接続することができる。 Further, in the LED light source device 1 according to the present embodiment, in the formed removed portions 81 to 84, the wirings 31 to 34 in the same wiring system are connected to each other by the bonding wires 201 to 204, so that light of the same color is emitted. The LED chips 41 to 44 that emit light are connected in series to the external electrodes 51 to 54 and 61 to 64. For example, in the example shown in FIG. 4, the wiring 31 1 exposed by the removal portion 811 and the wiring 31 2 exposed by the removal portion 812 are connected by a bonding wire 2011, and the LED arrangement is performed in the removal portion 813. It is connected to the bottom electrode of the green LED chip 411 arranged in the portion 351 . Further, the upper surface electrode of the green LED chip 411 exposed in the removed portion 813 and the wiring 31 3 exposed in the removed portion 814 are connected by a bonding wire 2012 , and the wiring 31 exposed in the removed portion 815 . 3 and the wiring 3 14 exposed by the removed portion 816 are connected by a bonding wire 2013. Further, the wiring 314 is connected to the lower surface electrode of the green LED chip 421 arranged in the LED arranging portion 352 in the removal portion 817. Further, the upper surface electrode of the green LED chip 421 exposed in the removed portion 817 and the wiring 315 exposed in the removed portion 818 are connected by a bonding wire 2014, and the wiring 31 exposed in the removed portion 891 5 and the wiring 316 exposed by the removed portion 81 10 are connected by a bonding wire 2015 . Further , the wiring 316 is connected to the bottom electrode of the green LED chip 413 arranged in the LED arranging portion 353 in the removal portion 81 11 . Further , the upper surface electrode of the green LED chip 413 exposed by the removed portion 81 11 and the wiring 317 exposed by the removed portion 81 12 are connected by the bonding wire 2016 . As described above, in the present embodiment, the wirings 31 1 to 317 connecting the green LED chips 41 1 to 414 are connected via the bonding wires 201 1 to 2016 to emit light of the same color. The green LED chips 41 1 to 414 can be connected in series to the external electrodes 51 and 61 by the same wiring system. Similarly, in the other wirings 32 to 34, the LED chips 42 to 44 that emit light of the same color can be connected in series to the external electrodes 52 to 54, 62 to 64 in the same wiring system.

さらに、本実施形態に係るLED光源装置1では、配線31~34に接続しているボンディングワイヤー201~204が他の配線31~34の上を跨ぐように、配線31~34同士をボンディングワイヤー201~204で接続するし、配線31~34とボンディングワイヤー201~204とを実装基板10の同一平面上において交差させている。たとえば、図5に示す例では、配線33および配線34の上を跨ぐように、配線31と配線31とをボンディングワイヤー201で接続することで、配線33および配線34とボンディングワイヤー201とを交差している。このように、本実施形態に係るLED光源装置1では、配線33および配線34を跨いで、離れた位置にある配線31と配線31とを電気的に接続することができるため、従来、多層基板を用いる必要があった複雑な配線パターンにおいても、本実施形態では、単層基板を用いて配線系統を容易に構築することが可能となる。 Further, in the LED light source device 1 according to the present embodiment, the bonding wires 201 to 204 are bonded to each other so that the bonding wires 201 to 204 connected to the wirings 31 to 34 straddle the other wirings 31 to 34. It is connected by ~ 204, and the wirings 31 to 34 and the bonding wires 201 to 204 are crossed on the same plane of the mounting board 10. For example, in the example shown in FIG. 5, the wiring 3 1 3 and the wiring 3 14 are connected by the bonding wire 2013 so as to straddle the wiring 33 3 and the wiring 3 34, so that the wiring 3 3 3 and the wiring 3 34 3 are connected to each other. It intersects with the bonding wire 2013 . As described above, in the LED light source device 1 according to the present embodiment , the wirings 313 and the wirings 314 at distant positions can be electrically connected across the wirings 333 and 343 . In the present embodiment, it is possible to easily construct a wiring system by using a single-layer board even in a complicated wiring pattern that conventionally requires the use of a multi-layer board.

すなわち、従来のLED光源装置において、図5に示すように、配線33および配線34を挟んで、離れた位置にある配線31と配線31とを接続する場合、図6に示すように、多層構造の多層基板を用いて、配線を異なる層で交差させる構成が採用されていた。たとえば、図6に示す例において、配線Aと配線Bとを、同一面上(1層目)に配設された配線Dと交差させて接続する場合、配線Aおよび配線BにビアホールAおよびビアホールBをそれぞれ形成し、1層目よりも上層の2層目において、ビアホールAとビアホールBとを接続する配線Cを形成することで、異なるLEDチップにそれぞれ接続する配線を交差させる必要があった。これに対して、本実施形態では、このような多層構造を用いる必要がないため、単層基板においても、複雑な配線パターンを有する配線系統を容易に構築することができる。なお、図6においては、1層目に形成された配線を黒色、2層目に形成された配線を白色、1層目の配線と2層目の配線とが重なる部分をグレーで示している(図7も同様。)。 That is, in the conventional LED light source device, as shown in FIG. 5, when the wiring 3 1 3 and the wiring 3 14 at distant positions are connected by sandwiching the wiring 333 and the wiring 3 34 , as shown in FIG. In addition, a configuration was adopted in which wiring was crossed in different layers by using a multilayer board having a multilayer structure. For example, in the example shown in FIG. 6, when wiring A and wiring B are connected so as to intersect with wiring D arranged on the same surface (first layer), via holes A and via holes are connected to wiring A and wiring B. By forming each B and forming the wiring C connecting the via hole A and the via hole B in the second layer above the first layer, it was necessary to intersect the wirings connected to different LED chips. .. On the other hand, in the present embodiment, since it is not necessary to use such a multi-layer structure, it is possible to easily construct a wiring system having a complicated wiring pattern even in a single-layer substrate. In FIG. 6, the wiring formed in the first layer is shown in black, the wiring formed in the second layer is shown in white, and the portion where the wiring in the first layer and the wiring in the second layer overlap is shown in gray. (The same applies to FIG. 7).

また、図6に示すように、従来のLED光源装置において多層基板を用いた場合、LEDチップ配置部は2層目に形成され、その上にLEDチップが配置されるため、LEDチップで発熱した熱を実装基板から放熱するためにはビアホールを介して熱を実装基板まで伝達する必要があり、本実施形態に係るLED光源装置1のような単層基板を用いた場合と比べて放熱効率が低下してしまい、LEDチップを密集して配置できないという問題があった。これに対して、本実施形態に係るLED光源装置1では、単層基板を用いることができるため、LEDチップ41~44で発生した熱を効率的に実装基板に伝達し放熱することができるため、LED光源装置1の温度管理(発熱管理)の観点からも、LEDチップ41~44の密集度を高めることが可能となる。なお、図6は、従来のLED光源装置の配線接続方法を説明するための図である。 Further, as shown in FIG. 6, when a multilayer board is used in a conventional LED light source device, the LED chip arrangement portion is formed in the second layer, and the LED chip is arranged on the second layer, so that the LED chip generates heat. In order to dissipate heat from the mounting board, it is necessary to transfer the heat to the mounting board through the via hole, and the heat dissipation efficiency is higher than when a single-layer board such as the LED light source device 1 according to the present embodiment is used. There was a problem that the LED chips were lowered and the LED chips could not be arranged densely. On the other hand, in the LED light source device 1 according to the present embodiment, since the single-layer substrate can be used, the heat generated by the LED chips 41 to 44 can be efficiently transferred to the mounting substrate and dissipated. From the viewpoint of temperature control (heat generation control) of the LED light source device 1, it is possible to increase the density of the LED chips 41 to 44. Note that FIG. 6 is a diagram for explaining a wiring connection method of the conventional LED light source device.

さらに、従来のLED光源装置と比べて、本実施形態に係るLED光源装置1では、以下のような効果を奏することができる。すなわち、従来のLED光源装置において、ビアホールを形成する場合、ビアホールの周辺にはビアランドが形成されるところ、図7(A)に示すように、ビアランドと配線との距離は、短絡防止のため、一定間隔(たとえば、本実施形態では0.1mm以上)を空ける必要がある。たとえば、ビアランドの外径は、小さくても0.4mm程度あり、LEDチップの密集性を高めるため0.2mmの配線を用いた場合、ビアランドの外径が配線の幅よりも大きくなるため、ビアの分だけ、配線間の幅を広くする必要があった。たとえば、図7(A)に示す例において、配線の幅を0.2mm、ビアランドの外径を0.4mm、ビアランドと配線との間隔を0.1mmとした場合、LEDチップ間における幅W1は、a(0.1mm)×10+b(0.2mm)×4=1.8mmとなる。 Further, as compared with the conventional LED light source device, the LED light source device 1 according to the present embodiment can exert the following effects. That is, in the conventional LED light source device, when a via hole is formed, a via land is formed around the via hole. However, as shown in FIG. 7A, the distance between the via land and the wiring is set to prevent a short circuit. It is necessary to leave a certain interval (for example, 0.1 mm or more in this embodiment). For example, the outer diameter of the via land is about 0.4 mm at the smallest, and when 0.2 mm wiring is used to improve the density of the LED chips, the outer diameter of the via land becomes larger than the width of the wiring. It was necessary to widen the width between the wires by the amount of. For example, in the example shown in FIG. 7A, when the width of the wiring is 0.2 mm, the outer diameter of the via land is 0.4 mm, and the distance between the via land and the wiring is 0.1 mm, the width W1 between the LED chips is , A (0.1 mm) × 10 + b (0.2 mm) × 4 = 1.8 mm.

これに対して、本実施形態に係るLED光源装置1では、図6に示すようにビアホールを形成する必要がなく、2つの配線31~34間を、ボンディングワイヤー201~204を用いて接続する。そのため、本実施形態に係るLED光源装置1では、図7(B)に示すように、配線と配線との間の距離を狭めることができ、配線の幅を0.2mm、配線の間隔を0.1mmとした場合、LEDチップ間における幅W2は、a(0.1mm)×5+b(0.2mm)×4=1.3mmと、従来のLED光源装置の1.8mmよりも狭くすることができる。このように、本実施形態に係るLED光源装置1では、配線31~34間の距離を短くし、LEDチップ41~44間の距離を短くすることができるため、複数種類のLEDチップ41~44を短い間隔で高密度に実装することができる。なお、図7(A)は従来のLED光源装置の配線間隔を説明するための図であり、(B)は本実施形態に係るLED光源装置の配線間隔を説明するための図である。 On the other hand, in the LED light source device 1 according to the present embodiment, it is not necessary to form a via hole as shown in FIG. 6, and the two wirings 31 to 34 are connected by using bonding wires 201 to 204. Therefore, in the LED light source device 1 according to the present embodiment, as shown in FIG. 7B, the distance between the wirings can be narrowed, the width of the wiring is 0.2 mm, and the interval between the wirings is 0. When it is .1 mm, the width W2 between the LED chips is a (0.1 mm) × 5 + b (0.2 mm) × 4 = 1.3 mm, which is narrower than 1.8 mm of the conventional LED light source device. can. As described above, in the LED light source device 1 according to the present embodiment, the distance between the wirings 31 to 34 can be shortened and the distance between the LED chips 41 to 44 can be shortened. Therefore, a plurality of types of LED chips 41 to 44 can be shortened. Can be mounted at high density at short intervals. Note that FIG. 7A is a diagram for explaining the wiring interval of the conventional LED light source device, and FIG. 7B is a diagram for explaining the wiring interval of the LED light source device according to the present embodiment.

さらに、本実施形態に係るLED光源装置1では、実装基板10が単層構造を有することができるため、LEDチップ41~44で発生した熱は、絶縁層20を介して、金属製の実装基板10へと拡散され放熱される。これに対して、従来のLED光源装置では、多層構造を有し、最も上層にLEDチップが配置されるため、本実施形態に係るLED光源装置1と比べて、LEDチップと実装基板との間に1層以上の絶縁層が多く介在したり、ビアを通して下層と接続することとなり、その分、放熱性能が低くなってしまう。そのため、従来のLED光源装置では、複数のLEDチップを密集させてしまうと高温となってしまい、温度管理の面から小型化が困難であるという問題もあった。これに対して、本実施形態に係るLED光源装置1では、放熱性能が高く、このような点からも、小型化に適している。 Further, in the LED light source device 1 according to the present embodiment, since the mounting substrate 10 can have a single-layer structure, the heat generated by the LED chips 41 to 44 is transferred to the metal mounting substrate via the insulating layer 20. It is diffused to 10 and dissipated. On the other hand, the conventional LED light source device has a multi-layer structure and the LED chip is arranged on the uppermost layer. Therefore, as compared with the LED light source device 1 according to the present embodiment, between the LED chip and the mounting substrate. A large number of insulating layers of one or more layers are interspersed with the LED, or the LED is connected to the lower layer through a via, and the heat dissipation performance is lowered by that amount. Therefore, in the conventional LED light source device, if a plurality of LED chips are densely packed, the temperature becomes high, and there is a problem that it is difficult to reduce the size from the viewpoint of temperature control. On the other hand, the LED light source device 1 according to the present embodiment has high heat dissipation performance, and is also suitable for miniaturization from such a point.

さらに、本実施形態に係るLED光源装置1では、ソルダーレジスト層80のうち、配線31~34をボンディングワイヤー201~204と接続する部分だけを除去し、それ以外の部分はソルダーレジスト層80で被覆することで、ボンディングワイヤー201~204が他の配線31~34と接触することを防止している。たとえば、図5に示す例においては、配線33および配線34をソルダーレジスト層80で被覆することで、配線31と配線31とをボンディングワイヤー201で接続する際に、配線33および配線34がボンディングワイヤー201と接触することを防止することができる。 Further, in the LED light source device 1 according to the present embodiment, only the portion of the solder resist layer 80 that connects the wirings 31 to 34 with the bonding wires 201 to 204 is removed, and the other portion is covered with the solder resist layer 80. This prevents the bonding wires 201 to 204 from coming into contact with the other wirings 31 to 34. For example, in the example shown in FIG. 5, the wiring 333 and the wiring 343 are covered with the solder resist layer 80, so that the wiring 331 3 and the wiring 314 are connected by the bonding wire 2013 . And the wiring 343 can be prevented from coming into contact with the bonding wire 2013 .

また、本実施形態に係るLED光源装置1では、図5に示すように、ソルダーレジスト層80の上に、封止樹脂層90が形成されている。封止樹脂層90は、シリコーン樹脂またはガラスエポキシ樹脂を主要な成分とした、透光性の高い樹脂を用いることが好ましい。封止樹脂層90は、図5に示すように、ボンディングワイヤー201~204を層内に埋没させることで、ボンディングワイヤー201~204を外部の衝撃から保護し、ボンディングワイヤー201~204が切断されてしまうことを防止する。また、除去部分81~84においては、ソルダーレジスト層80が形成されていないため、封止樹脂層90が、配線31~34およびLED配線層35~38に搭載されたLEDチップ41~44を直接被覆し、配線31~34およびLEDチップ41~44を保護する機能も有する。 Further, in the LED light source device 1 according to the present embodiment, as shown in FIG. 5, a sealing resin layer 90 is formed on the solder resist layer 80. For the sealing resin layer 90, it is preferable to use a highly translucent resin containing a silicone resin or a glass epoxy resin as a main component. As shown in FIG. 5, the sealing resin layer 90 protects the bonding wires 201 to 204 from external impact by burying the bonding wires 201 to 204 in the layer, and the bonding wires 201 to 204 are cut. Prevent it from being stolen. Further, since the solder resist layer 80 is not formed in the removed portions 81 to 84, the sealing resin layer 90 directly connects the LED chips 41 to 44 mounted on the wirings 31 to 34 and the LED wiring layers 35 to 38. It also has a function of covering and protecting the wirings 31 to 34 and the LED chips 41 to 44.

次に、本実施形態に係るLED光源装置1の製造方法について説明する。本実施形態に係るLED光源装置1では、まず、実装基板10の上に絶縁層20が形成される。次いで、絶縁層20の上に、銅箔を貼り付け、フォトエッチングで不要な部分を除去することで、所望する配線パターンの配線層30が形成される。続いて、配線層30の上に、酸化チタンなどの白色無機顔料を含むシリコーン樹脂などの樹脂を液状で塗布、あるいは、シールで貼付することで、実装基板10の全面にソルダーレジスト層80が形成される。さらに、ソルダーレジスト層80のうち、LED配置部35~38に対応する部分と、配線31~34とボンディングワイヤー201~204とを接続する部分と、外部電極51~54,61~64に対応する部分とを、フォトエッチングで除去することで、除去部分81~84が形成される。また、除去部分81~84で露出した配線31~34、LED配置部35~38、外部電極51~54,61~64には、NiCrAuやNiPaAuなどのメッキ処理が施される。 Next, a method of manufacturing the LED light source device 1 according to the present embodiment will be described. In the LED light source device 1 according to the present embodiment, first, the insulating layer 20 is formed on the mounting substrate 10. Next, a copper foil is attached onto the insulating layer 20 and an unnecessary portion is removed by photoetching to form a wiring layer 30 having a desired wiring pattern. Subsequently, the solder resist layer 80 is formed on the entire surface of the mounting substrate 10 by applying a liquid resin such as a silicone resin containing a white inorganic pigment such as titanium oxide or affixing it with a seal on the wiring layer 30. Will be done. Further, in the solder resist layer 80, the portion corresponding to the LED arrangement portions 35 to 38, the portion connecting the wiring 31 to 34 and the bonding wire 201 to 204, and the external electrodes 51 to 54, 61 to 64 are supported. By removing the portion by photo etching, the removed portions 81 to 84 are formed. Further, the wirings 31 to 34 exposed in the removed portions 81 to 84, the LED arrangement portions 35 to 38, and the external electrodes 51 to 54, 61 to 64 are plated with NiCrAu, NiPaAu, or the like.

そして、除去部分81~84のうち、LED配置部35~38が露出した部分に、対応するLEDチップ41~44が設置される。また、除去部分81~84において露出した配線31~34の部分において、配線31~34とボンディングワイヤー201~204とが接続される。たとえば、図5に示すように、除去部分81~84で露出した配線31と配線31とをボンディングワイヤー201にそれぞれ溶接することで、配線33および配線34を跨いで、配線31と配線31とボンディングワイヤー201で接続する。さらに、ソルダーレジスト層80の上に、シリコーン樹脂などでダム材70が形成される。また、ダム材70内に封止樹脂を充填することで、LEDチップ41~44やボンディングワイヤー201~204を保護する封止樹脂層90が形成される。このように、本実施形態に係るLED光源装置1が製造される。 Then, among the removed portions 81 to 84, the corresponding LED chips 41 to 44 are installed in the portions where the LED arranging portions 35 to 38 are exposed. Further, in the portions of the wires 31 to 34 exposed in the removed portions 81 to 84, the wirings 31 to 34 and the bonding wires 201 to 204 are connected. For example, as shown in FIG. 5, the wiring 31 3 exposed in the removed portions 81 to 84 and the wiring 3 14 are welded to the bonding wire 2013, respectively, so that the wiring 31 straddles the wiring 33 3 and the wiring 343 . 3 and wiring 3 14 are connected by a bonding wire 2013. Further, a dam material 70 is formed on the solder resist layer 80 with a silicone resin or the like. Further, by filling the dam material 70 with the sealing resin, the sealing resin layer 90 that protects the LED chips 41 to 44 and the bonding wires 201 to 204 is formed. In this way, the LED light source device 1 according to the present embodiment is manufactured.

以上のように、本実施形態に係るLED光源装置1は、配線31~34同士を、他の配線31~34の上を跨ぐように、ボンディングワイヤー201~204で接続することで、他の配線31~34を間に挟んで、離れた位置にある配線31~34同士を接続することができ、従来、多層基板を用いる必要があった複雑な配線パターンでも、単層基板を用いて配線系統を容易に構築することが可能となる。特に、LEDチップの種類が4種類以上のLED光源装置では、配線パターンが複雑となり、配線を交差させずに配線系統を構築することが困難であるところ、本実施形態に係るLED光源装置1では、4種類以上のLEDチップ41~44を用いる場合においても、配線系統81~88,201~204を容易に構築することができる。 As described above, the LED light source device 1 according to the present embodiment connects the wirings 31 to 34 with the bonding wires 201 to 204 so as to straddle the other wirings 31 to 34, thereby connecting the wirings 31 to 34 with other wirings. Wiring 31 to 34 located at distant positions can be connected to each other with 31 to 34 in between, and even for complicated wiring patterns that conventionally required the use of a multilayer board, a wiring system using a single layer board. Can be easily constructed. In particular, in an LED light source device having four or more types of LED chips, the wiring pattern becomes complicated and it is difficult to construct a wiring system without crossing the wiring. Even when four or more types of LED chips 41 to 44 are used, the wiring systems 81 to 88 and 201 to 204 can be easily constructed.

さらに、本実施形態に係るLED光源装置1では、多層基板を採用する必要がないため、基板上にビアホールを形成する必要もなく、図7(A)に示すように、ビアホールおよびビアランドの分だけ配線間隔を広げる必要がない。そのため、本実施形態に係るLED光源装置1では、配線31~34の間隔を短くすることができ、LEDチップ41~44の間隔も短くすることができるため、LEDチップ41~44を高密度に集積することができ、LED光源装置1を小型化することができる。 Further, in the LED light source device 1 according to the present embodiment, since it is not necessary to adopt a multilayer board, it is not necessary to form a via hole on the board, and as shown in FIG. 7A, only the via holes and the via lands are required. There is no need to widen the wiring interval. Therefore, in the LED light source device 1 according to the present embodiment, the distance between the wirings 31 to 34 can be shortened, and the distance between the LED chips 41 to 44 can also be shortened, so that the LED chips 41 to 44 can be made dense. It can be integrated and the LED light source device 1 can be miniaturized.

以上、本発明の好ましい実施形態例について説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態の記載に限定されるものではない。上記実施形態例には様々な変更・改良を加えることが可能であり、そのような変更または改良を加えた形態のものも本発明の技術的範囲に含まれる。 Although the preferred embodiment of the present invention has been described above, the technical scope of the present invention is not limited to the description of the above embodiment. Various changes and improvements can be added to the above-described embodiments, and those in which such changes or improvements have been made are also included in the technical scope of the present invention.

上述した実施形態では、バーチカル(上下面電極)タイプのLEDチップ41~44をボンディングワイヤーで配線層30と接続する構成を例示したが、この構成に限定されず、ホリゾンタル(表面2電極)タイプのLEDチップ41~44をボンディングワイヤーで配線層30と接続する構成や、フェーズダウンタイプのLEDチップ41~44をフリップチップ実装する構成としてもよい。 In the above-described embodiment, a configuration in which the vertical (upper and lower surface electrodes) type LED chips 41 to 44 are connected to the wiring layer 30 with a bonding wire is exemplified, but the configuration is not limited to this configuration, and the horizontal (surface two electrodes) type is used. The LED chips 41 to 44 may be connected to the wiring layer 30 with a bonding wire, or the phase-down type LED chips 41 to 44 may be mounted on a flip chip.

また、上述した実施形態では、緑色LEDチップ41、赤色LEDチップ42、青色LEDチップ43および黄色LEDチップ44の異なる色(波長域)の光を放射する4種類のLEDチップを用いる構成を例示したが、この構成に限定されず、たとえば2~3種類または5種類以上のLEDチップを用いる構成とすることができる。また、蛍光体励起可能なLEDチップ(たとえば同じ仕様の青色LEDチップのみ)を用いる構成とすることもできる。この場合、たとえば、各青色LEDチップをそれぞれ個別にダム材で囲み、ダム内に、赤色や緑色などに発光する蛍光体を含む透明樹脂を充填することで、複数の色を発光させることができる。そして、発色が異なるLEDチップごとに配線系統を分け、それぞれの配線系統の配線同士を接続する場合に、上記実施形態で説明したように、ボンディングワイヤーを他の配線の上を跨いで接続させることができる。 Further, in the above-described embodiment, a configuration using four types of LED chips that emit light of different colors (wavelength range) of the green LED chip 41, the red LED chip 42, the blue LED chip 43, and the yellow LED chip 44 has been exemplified. However, the configuration is not limited to this, and for example, a configuration using two or three types or five or more types of LED chips can be used. Further, it is also possible to use a configuration in which an LED chip capable of exciting a phosphor (for example, only a blue LED chip having the same specifications) is used. In this case, for example, each blue LED chip is individually surrounded by a dam material, and the dam is filled with a transparent resin containing a phosphor that emits light such as red or green, so that a plurality of colors can be emitted. .. Then, when the wiring system is divided for each LED chip having a different color development and the wirings of the respective wiring systems are connected to each other, the bonding wire is connected so as to straddle the other wirings as described in the above embodiment. Can be done.

1…LED光源装置
10…実装基板
20…絶縁層
30…配線層
31~34…配線
35~38…LED配置部
41~44…LEDチップ
51~54,61~64…外部電極
70…ダム材
80…ソルダーレジスト層
81~84…除去部分
90…封止樹脂層
1 ... LED light source device 10 ... Mounting board 20 ... Insulation layer 30 ... Wiring layer 31-34 ... Wiring 35-38 ... LED arrangement part 41-44 ... LED chip 51-54, 61-64 ... External electrode 70 ... Dam material 80 ... Solder resist layer 81-84 ... Removal part 90 ... Sealing resin layer

Claims (4)

単層基板である実装基板と、
前記実装基板の上に配設された複数の配線と、
複数組の第1ないし第4色のLEDチップと、を有するLED光源装置であって、
前記複数の配線は、第1色のLEDチップと接続される第1の配線、第2色のLEDチップと接続される第2の配線、第3色のLEDチップと接続される第3の配線、並びに、第4色のLEDチップと接続される第4の配線を有し、
前記複数組の第1ないし第4色のLEDチップは、同一色のLEDチップと隣接することなく第1の方向に配置されている第1列の発光部と、同一色のLEDチップと隣接することなく第1の方向に配置されている第2列の発光部と、を含み、
前記第1列の発光部および第2列の発光部は、前記第1の方向と直交する第2の方向においても、同一色のLEDチップと隣接することがないように前記第1ないし第4色のLEDチップが配置されており、
前記第1ないし第4の配線は、前記第1の方向に延伸するように配線されており、
前記第1列の発光部および第2列の発光部のLEDチップは、他の発光部の同一色のLEDチップと直列接続されており、
前記第1列の発光部のLEDチップと第2列の発光部のLEDチップとは、当該LEDチップとは異なる色のLEDチップの配線を跨ぐようにボンディングワイヤーにより接続されている、LED光源装置。
A mounting board that is a single-layer board and
With a plurality of wirings arranged on the mounting board,
An LED light source device having a plurality of sets of first to fourth color LED chips.
The plurality of wirings are the first wiring connected to the LED chip of the first color , the second wiring connected to the LED chip of the second color, and the third wiring connected to the LED chip of the third color. , And a fourth wire connected to the fourth color LED chip ,
The plurality of sets of the first to fourth color LED chips are adjacent to the light emitting part of the first row arranged in the first direction without being adjacent to the LED chips of the same color and to be adjacent to the LED chips of the same color. Including the second row of light emitting parts, which are arranged in the first direction without any problem.
The first to fourth light emitting units in the first row and the light emitting units in the second row are not adjacent to the LED chips of the same color even in the second direction orthogonal to the first direction. Colored LED chips are placed,
The first to fourth wirings are wired so as to extend in the first direction.
The LED chips of the light emitting unit in the first row and the light emitting unit in the second row are connected in series with the LED chips of the same color in the other light emitting units.
The LED chip of the light emitting unit in the first row and the LED chip of the light emitting unit in the second row are connected by a bonding wire so as to straddle the wiring of the LED chip having a color different from that of the LED chip. ..
前記第1ないし第4色のLEDチップは、緑色LEDチップ、赤色LEDチップ、青色LEDチップおよび黄色LEDチップからなる、請求項1に記載のLED光源装置。 The LED light source device according to claim 1, wherein the first to fourth color LED chips include a green LED chip, a red LED chip, a blue LED chip, and a yellow LED chip . 前記複数の配線が形成される配線層の上にソルダーレジスト層が形成されており、
前記ソルダーレジスト層は、前記第1ないし第4の配線前記ボンディングワイヤーと接続する部分において除去された除去部分を有する、請求項1または2に記載のLED光源装置。
A solder resist layer is formed on the wiring layer on which the plurality of wirings are formed.
The LED light source device according to claim 1 or 2 , wherein the solder resist layer has a removed portion from which the first to fourth wires are removed at a portion connected to the bonding wire.
隣接する前記複数の配線間の間隔が0.2mm未満である、請求項1ないしのいずれかに記載のLED光源装置。 The LED light source device according to any one of claims 1 to 3 , wherein the distance between the plurality of adjacent wirings is less than 0.2 mm.
JP2020170666A 2020-10-08 2020-10-08 Manufacturing method of LED light source device and LED light source device Active JP7044412B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020170666A JP7044412B1 (en) 2020-10-08 2020-10-08 Manufacturing method of LED light source device and LED light source device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020170666A JP7044412B1 (en) 2020-10-08 2020-10-08 Manufacturing method of LED light source device and LED light source device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP7044412B1 true JP7044412B1 (en) 2022-03-30
JP2022062564A JP2022062564A (en) 2022-04-20

Family

ID=81211066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020170666A Active JP7044412B1 (en) 2020-10-08 2020-10-08 Manufacturing method of LED light source device and LED light source device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7044412B1 (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324205A (en) 2006-05-30 2007-12-13 Toyoda Gosei Co Ltd Light emitting device
JP2008258296A (en) 2007-04-03 2008-10-23 Sony Corp Light-emitting device and light source device
US20170200874A1 (en) 2014-05-30 2017-07-13 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
JP2018121038A (en) 2017-01-27 2018-08-02 パナソニックIpマネジメント株式会社 Mounting board, light-emitting device, and illuminating device
JP2019102396A (en) 2017-12-08 2019-06-24 株式会社フーマイスターエレクトロニクス Color matching led lighting device
WO2020071498A1 (en) 2018-10-03 2020-04-09 シチズン電子株式会社 Inlay substrate and light emission device in which same is used

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4062640B2 (en) * 1998-02-25 2008-03-19 スタンレー電気株式会社 LED display device
KR20120058950A (en) * 2010-11-30 2012-06-08 서울반도체 주식회사 Light emitting diode package

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324205A (en) 2006-05-30 2007-12-13 Toyoda Gosei Co Ltd Light emitting device
JP2008258296A (en) 2007-04-03 2008-10-23 Sony Corp Light-emitting device and light source device
US20170200874A1 (en) 2014-05-30 2017-07-13 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
JP2018121038A (en) 2017-01-27 2018-08-02 パナソニックIpマネジメント株式会社 Mounting board, light-emitting device, and illuminating device
JP2019102396A (en) 2017-12-08 2019-06-24 株式会社フーマイスターエレクトロニクス Color matching led lighting device
WO2020071498A1 (en) 2018-10-03 2020-04-09 シチズン電子株式会社 Inlay substrate and light emission device in which same is used

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022062564A (en) 2022-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10950759B2 (en) LED module
KR100419611B1 (en) A Light Emitting Diode, a Lighting Emitting Device Using the Same and a Fabrication Process therefor
JP5634647B1 (en) LED module
US10923024B2 (en) LED display module and method of making thereof
TW202029525A (en) Led device and light emitting apparatus including the same
JP5596410B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP5770006B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP2012532441A (en) Light emitting diode package
JP3668438B2 (en) Chip light emitting diode
JP5693800B1 (en) LED device
JP2005012155A (en) Light emitting device
TWI635470B (en) Light emitting module and display device
CN106997888B (en) Light emitting diode display device
KR20100117451A (en) Pcb with radiation hole and led illumination device using it
WO2024149333A1 (en) Bridge device, substrate, and light-emitting device
KR101719692B1 (en) Printed Circuit Board, Manufacturing method thereof, LED module and LED lamp with using the same
JP5285204B2 (en) Semiconductor device and substrate for manufacturing semiconductor device
JP2012109352A (en) Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing semiconductor light-emitting device
JP4163982B2 (en) Light emitting element storage package and light emitting device
JP2004253711A (en) Package for housing light emitting element and light emitting device
JP2007027638A (en) Light emitting device
JP7044412B1 (en) Manufacturing method of LED light source device and LED light source device
KR100936223B1 (en) Light emitting diode lamp
CN113948506A (en) Light source device, preparation method of light source device and display equipment
US10147709B2 (en) Light emitting module

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20210924

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210927

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20210927

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20210924

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20211027

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220112

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220308

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220310

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7044412

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150