JP7020378B2 - Resin composition - Google Patents

Resin composition Download PDF

Info

Publication number
JP7020378B2
JP7020378B2 JP2018217421A JP2018217421A JP7020378B2 JP 7020378 B2 JP7020378 B2 JP 7020378B2 JP 2018217421 A JP2018217421 A JP 2018217421A JP 2018217421 A JP2018217421 A JP 2018217421A JP 7020378 B2 JP7020378 B2 JP 7020378B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
mass
resin
manufactured
inorganic particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018217421A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2020083966A (en
Inventor
真俊 渡邊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ajinomoto Co Inc
Original Assignee
Ajinomoto Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ajinomoto Co Inc filed Critical Ajinomoto Co Inc
Priority to JP2018217421A priority Critical patent/JP7020378B2/en
Priority to KR1020190146976A priority patent/KR20200059158A/en
Priority to TW108141486A priority patent/TWI825222B/en
Priority to CN201911133397.0A priority patent/CN111196890B/en
Publication of JP2020083966A publication Critical patent/JP2020083966A/en
Priority to JP2022007094A priority patent/JP7342980B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7020378B2 publication Critical patent/JP7020378B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/22Expanded, porous or hollow particles
    • C08K7/24Expanded, porous or hollow particles inorganic
    • C08K7/26Silicon- containing compounds
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/38Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18Manufacture of films or sheets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/24Acids; Salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/002Inhomogeneous material in general
    • H01B3/006Other inhomogeneous material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/40Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes epoxy resins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145Organic substrates, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/032Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0326Organic insulating material consisting of one material containing O
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/0353Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0373Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2363/00Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/002Physical properties
    • C08K2201/005Additives being defined by their particle size in general
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/02Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
    • C08L2205/025Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group containing two or more polymers of the same hierarchy C08L, and differing only in parameters such as density, comonomer content, molecular weight, structure

Description

本発明は、樹脂組成物に関する。さらには、本発明は、当該樹脂組成物を含む樹脂シート;並びに、樹脂組成物の硬化物で形成された絶縁層を含有する、プリント配線板、及び半導体装置に関する。 The present invention relates to a resin composition. Furthermore, the present invention relates to a resin sheet containing the resin composition; a printed wiring board containing an insulating layer formed of a cured product of the resin composition, and a semiconductor device.

近年、電子機器の小型化、信号の高速化、及び、配線の高密度化が求められている。また、最近では、電気信号ロスの低減の要求が高まっており、この要求に伴って、低誘電率化、及び、低熱膨張率化が求められている。これらの要求を満たすために、特許文献1では、中空シリカ及び溶融シリカ含む樹脂組成物を用いた絶縁層が検討されている。
また、特許文献2には、中空アルミノシリケート粒子が開示されている。
In recent years, there has been a demand for miniaturization of electronic devices, high speed of signals, and high density of wiring. Further, recently, there is an increasing demand for reduction of electric signal loss, and in accordance with this demand, a low dielectric constant and a low thermal expansion rate are required. In order to satisfy these requirements, Patent Document 1 studies an insulating layer using a resin composition containing hollow silica and molten silica.
Further, Patent Document 2 discloses hollow aluminosilicate particles.

特開2013-173841号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-173841 特開2016-121026号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-120126

プリント配線板の絶縁層上には、導体層が形成されることがある。ところが、このように絶縁層上に形成された導体層を備えるプリント配線板では、リフロー時にブリスターが生じることがあった。ここで、ブリスターとは、リフロー時に導体層が盛り上がって膨れる現象をいう。 A conductor layer may be formed on the insulating layer of the printed wiring board. However, in the printed wiring board provided with the conductor layer formed on the insulating layer in this way, blister may occur at the time of reflow. Here, the blister is a phenomenon in which the conductor layer rises and swells during reflow.

また、中空シリカ等の中空粒子を含む樹脂組成物は、プロセス耐性が低く、絶縁層が得られるまでの過程で中空粒子が割れることがあった。ここで、プロセス耐性とは、樹脂組成物の作製工程を経て当該樹脂組成物を硬化させて絶縁層を得るまでの過程において、中空粒子の割れを抑制できる性質をいう。 Further, the resin composition containing hollow particles such as hollow silica has low process resistance, and the hollow particles may be cracked in the process until the insulating layer is obtained. Here, the process resistance refers to a property that can suppress cracking of hollow particles in the process from the process of producing the resin composition to the process of curing the resin composition to obtain an insulating layer.

本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、リフロー時のブリスターを抑制できる絶縁層を得ることができ、且つ、プロセス耐性に優れる樹脂組成物;前記の樹脂組成物を含む樹脂組成物層を備えた樹脂シート;並びに、前記の樹脂組成物の硬化物を含むプリント配線板及び半導体装置;を提供することを目的とする。 The present invention has been devised in view of the above problems, and is a resin composition capable of obtaining an insulating layer capable of suppressing blister during reflow and having excellent process resistance; a resin composition containing the above resin composition. It is an object of the present invention to provide a resin sheet provided with a material layer; and a printed wiring board and a semiconductor device containing a cured product of the resin composition.

本発明者は、前記の課題を解決するべく鋭意検討した。その結果、本発明者は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、及び(C)中空無機粒子を組み合わせて含む樹脂組成物において、(C)中空無機粒子が所定の要件を満たす場合に、前記の課題を解決できることを見い出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、下記のものを含む。
The present inventor has diligently studied to solve the above-mentioned problems. As a result, the present inventor has determined that (C) hollow inorganic particles satisfy predetermined requirements in a resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) hollow inorganic particles in combination. , And found that the above-mentioned problems can be solved, and completed the present invention.
That is, the present invention includes the following.

〔1〕 (A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、及び(C)中空無機粒子を含み、
(C)中空無機粒子が、下記の要件(c1)及び要件(c2)の少なくとも一方を満たす、樹脂組成物。
(c1):(C)中空無機粒子が、無機複合酸化物で形成されている。
(c2):(C)中空無機粒子の空孔率が25体積%以上であり、且つ、(C)中空無機粒子の平均粒径が5.0μm以下である。
〔2〕 (C)中空無機粒子の量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、50質量%以下である、〔1〕に記載の樹脂組成物。
〔3〕 (C)中空無機粒子が、アルミノシリケートで形成されている、〔1〕又は〔2〕に記載の樹脂組成物。
〔4〕 要件(c2)において、(C)中空無機粒子の平均粒径が2.5μm以下である、〔1〕~〔3〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
〔5〕 20℃で液状の成分を、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、3質量%以上含む、〔1〕~〔4〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
〔6〕 導体層を形成するための絶縁層形成用である、〔1〕~〔5〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
〔7〕 支持体と、
支持体上に設けられた、〔1〕~〔6〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層とを含む、樹脂シート。
〔8〕 〔1〕~〔6〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物で形成された絶縁層を含む、プリント配線板。
〔9〕 〔8〕記載のプリント配線板を含む、半導体装置。
[1] Containing (A) epoxy resin, (B) curing agent, and (C) hollow inorganic particles.
(C) A resin composition in which hollow inorganic particles satisfy at least one of the following requirements (c1) and (c2).
(C1): (C) Hollow inorganic particles are formed of an inorganic composite oxide.
(C2): The porosity of the hollow inorganic particles (C) is 25% by volume or more, and the average particle size of the hollow inorganic particles (C) is 5.0 μm or less.
[2] The resin composition according to [1], wherein the amount of the hollow inorganic particles (C) is 50% by mass or less with respect to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition.
[3] The resin composition according to [1] or [2], wherein the hollow inorganic particles are formed of aluminosilicate.
[4] The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the average particle size of the hollow inorganic particles (C) is 2.5 μm or less in the requirement (c2).
[5] The resin composition according to any one of [1] to [4], which contains 3% by mass or more of a liquid component at 20 ° C. with respect to 100% by mass of a non-volatile component in the resin composition.
[6] The resin composition according to any one of [1] to [5], which is used for forming an insulating layer for forming a conductor layer.
[7] Support and
A resin sheet provided on a support and comprising a resin composition layer containing the resin composition according to any one of [1] to [6].
[8] A printed wiring board including an insulating layer formed of a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [6].
[9] A semiconductor device including the printed wiring board according to [8].

本発明によれば、リフロー時のブリスターを抑制できる絶縁層を得ることができ、且つ、プロセス耐性に優れる樹脂組成物;前記の樹脂組成物を含む樹脂組成物層を備えた樹脂シート;並びに、前記の樹脂組成物の硬化物を含むプリント配線板及び半導体装置;を提供できる。 According to the present invention, a resin composition capable of obtaining an insulating layer capable of suppressing blisters during reflow and having excellent process resistance; a resin sheet provided with a resin composition layer containing the above resin composition; A printed wiring board and a semiconductor device containing a cured product of the above resin composition can be provided.

以下、実施形態及び例示物を示して、本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に挙げる実施形態及び例示物に限定されるものでは無く、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments and examples. However, the present invention is not limited to the embodiments and examples listed below, and may be arbitrarily modified and implemented without departing from the scope of claims of the present invention and the equivalent scope thereof.

[1.樹脂組成物の概要]
本発明の一実施形態に係る樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、及び(C)中空無機粒子を含む。(C)中空無機粒子とは、無機材料で形成された中空粒子を表す。また、中空粒子とは、内部に空孔を有する粒子を表す。
さらに、この樹脂組成物の(C)中空無機粒子は、下記の要件(c1)及び要件(c2)の少なくとも一方を満たす。
(c1):(C)中空無機粒子が、無機複合酸化物で形成されている。
(c2):(C)中空無機粒子の空孔率が25体積%以上であり、且つ、(C)中空無機粒子の平均粒径が5.0μm以下である。
[1. Outline of resin composition]
The resin composition according to one embodiment of the present invention contains (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) hollow inorganic particles. (C) Hollow inorganic particles represent hollow particles formed of an inorganic material. Further, the hollow particles represent particles having pores inside.
Further, the hollow inorganic particles (C) of this resin composition satisfy at least one of the following requirements (c1) and (c2).
(C1): (C) Hollow inorganic particles are formed of an inorganic composite oxide.
(C2): The porosity of the hollow inorganic particles (C) is 25% by volume or more, and the average particle size of the hollow inorganic particles (C) is 5.0 μm or less.

この樹脂組成物を用いることにより、リフロー時のブリスターを抑制できる絶縁層を得ることができる。以下、このようにリフロー時のブリスターを抑制できる絶縁層の性質を「ブリスター耐性」ということがある。さらに、この樹脂組成物は、プロセス耐性に優れる。 By using this resin composition, it is possible to obtain an insulating layer capable of suppressing blisters during reflow. Hereinafter, the property of the insulating layer capable of suppressing blister during reflow in this way may be referred to as “blister resistance”. Further, this resin composition has excellent process resistance.

[2.(A)成分:エポキシ樹脂]
(A)成分としてのエポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。(A)エポキシ樹脂は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
[2. (A) Ingredient: Epoxy resin]
Examples of the epoxy resin as the component (A) include a bixilenol type epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a bisphenol S type epoxy resin, a bisphenol AF type epoxy resin, and a dicyclopentadiene type epoxy resin. Trisphenol type epoxy resin, naphthol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, glycidyl ester Type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, epoxy resin having a butadiene structure, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin, cyclohexane type epoxy Examples thereof include a resin, a cyclohexanedimethanol type epoxy resin, a naphthylene ether type epoxy resin, a trimethylol type epoxy resin, and a tetraphenylethane type epoxy resin. (A) One type of epoxy resin may be used alone, or two or more types may be used in combination.

樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂として、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、(A)エポキシ樹脂の不揮発成分100質量%に対して、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは50質量%以上、より好ましくは60質量%以上、特に好ましくは70質量%以上である。 The resin composition preferably contains, as the (A) epoxy resin, an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. From the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention, the ratio of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferably 50% by mass with respect to 100% by mass of the non-volatile component of the epoxy resin (A). % Or more, more preferably 60% by mass or more, and particularly preferably 70% by mass or more.

エポキシ樹脂には、温度20℃で液状のエポキシ樹脂(以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。)と、温度20℃で固体状のエポキシ樹脂(以下「固体状エポキシ樹脂」ということがある。)とがある。樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、固体状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよいが、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて含むことが好ましい。(A)エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いることで、樹脂組成物の可撓性を向上させたり、樹脂組成物の硬化物の破断強度を向上させたりできる。 The epoxy resin may be a liquid epoxy resin at a temperature of 20 ° C. (hereinafter sometimes referred to as “liquid epoxy resin”) or a solid epoxy resin at a temperature of 20 ° C. (hereinafter referred to as “solid epoxy resin”). ). The resin composition may contain only the liquid epoxy resin or only the solid epoxy resin as the (A) epoxy resin, but may contain a combination of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin. Is preferable. By using the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin in combination as the epoxy resin (A), the flexibility of the resin composition can be improved and the breaking strength of the cured product of the resin composition can be improved.

液状エポキシ樹脂としては、1分子中に2個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましく、1分子中に2個以上のエポキシ基を有する芳香族系の液状エポキシ樹脂がより好ましい。ここで、「芳香族系」のエポキシ樹脂とは、その分子内に芳香環を有するエポキシ樹脂を意味する。 As the liquid epoxy resin, a liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferable, and an aromatic liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is more preferable. Here, the "aromatic" epoxy resin means an epoxy resin having an aromatic ring in its molecule.

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂及びシクロヘキサン型エポキシ樹脂がより好ましく、ビスフェノールA型エポキシ樹脂及びシクロヘキサン型エポキシ樹脂が特に好ましい。 Examples of the liquid epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, and ester skeleton. Alicyclic epoxy resin, cyclohexane type epoxy resin, cyclohexanedimethanol type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, and epoxy resin having a butadiene structure are preferable, and bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and cyclohexane type epoxy are preferable. The resin is more preferable, and the bisphenol A type epoxy resin and the cyclohexane type epoxy resin are particularly preferable.

液状エポキシ樹脂の具体例としては、DIC社製の「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(ナフタレン型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「828US」、「jER828EL」、「825」、「エピコート828EL」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「jER807」、「1750」(ビスフェノールF型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「jER152」(フェノールノボラック型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「630」、「630LSD」(グリシジルアミン型エポキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「ZX1059」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂の混合品);ナガセケムテックス社製の「EX-721」(グリシジルエステル型エポキシ樹脂);ダイセル社製の「セロキサイド2021P」(エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂);ダイセル社製の「PB-3600」(ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「ZX1658」、「ZX1658GS」(液状1,4-グリシジルシクロヘキサン型エポキシ樹脂)等が挙げられる。これらは、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of the liquid epoxy resin include "HP4032", "HP4032D" and "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC; "828US", "jER828EL", "825" and "Epicoat" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. 828EL "(bisphenol A type epoxy resin);" jER807 "," 1750 "(bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd .;" jER152 "(phenol novolak type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.; "630", "630LSD" (glycidylamine type epoxy resin); "ZX1059" manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation (mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin); "EX" manufactured by Nagase ChemteX. -721 "(glycidyl ester type epoxy resin);" seroxide 2021P "manufactured by Daicel Co., Ltd. (alicyclic epoxy resin having an ester skeleton);" PB-3600 "manufactured by Daicel Co., Ltd. (epoxy resin having a butadiene structure); Examples thereof include "ZX1658" and "ZX1658GS" (liquid 1,4-glycidylcyclohexane type epoxy resin) manufactured by Sumikin Chemical Co., Ltd. These may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types.

固体状エポキシ樹脂としては、1分子中に3個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましく、1分子中に3個以上のエポキシ基を有する芳香族系の固体状エポキシ樹脂がより好ましい。 As the solid epoxy resin, a solid epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule is preferable, and an aromatic solid epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule is more preferable.

固体状エポキシ樹脂としては、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂及びビスフェノールA型エポキシ樹脂がより好ましい。 Examples of the solid epoxy resin include bixilenol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, and biphenyl. Type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin are preferable, bixirenol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, biphenyl type. Epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resins and bisphenol A type epoxy resins are more preferred.

固体状エポキシ樹脂の具体例としては、DIC社製の「HP4032H」(ナフタレン型エポキシ樹脂);DIC社製の「HP-4700」、「HP-4710」(ナフタレン型4官能エポキシ樹脂);DIC社製の「N-690」(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂);DIC社製の「N-695」(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂);DIC社製の「HP-7200」(ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂);DIC社製の「HP-7200HH」、「HP-7200H」、「EXA-7311」、「EXA-7311-G3」、「EXA-7311-G4」、「EXA-7311-G4S」、「HP6000」(ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂);日本化薬社製の「EPPN-502H」(トリスフェノール型エポキシ樹脂);日本化薬社製の「NC7000L」(ナフトールノボラック型エポキシ樹脂);日本化薬社製の「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(ビフェニル型エポキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「ESN475V」(ナフタレン型エポキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「ESN485」(ナフトールノボラック型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「YX4000」、「YL6121」(ビフェニル型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「YX4000H」、「YX4000HK」(ビキシレノール型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「YX8800」(アントラセン型エポキシ樹脂);大阪ガスケミカル社製の「PG-100」、「CG-500」;三菱ケミカル社製の「YL7760」及び「YX7760」(ビスフェノールAF型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「YL7800」(フルオレン型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「jER1010」(固体状ビスフェノールA型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「jER1031S」(テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂)等が挙げられる。これらは、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of the solid epoxy resin include "HP4032H" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC; "HP-4700" and "HP-4710" (naphthalen type tetrafunctional epoxy resin) manufactured by DIC; DIC. "N-690" (cresol novolac type epoxy resin); DIC "N-695" (cresol novolac type epoxy resin); DIC "HP-7200" (dicyclopentadiene type epoxy resin); "HP-7200HH", "HP-7200H", "EXA-7311", "EXA-7311-G3", "EXA-7311-G4", "EXA-7311-G4S", "HP6000" manufactured by DIC Naphthylene ether type epoxy resin); "EPPN-502H" (trisphenol type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd .; "NC7000L" (naphthol novolac type epoxy resin) manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd .; "NC3000H", "NC3000", "NC3000L", "NC3100" (biphenyl type epoxy resin); "ESN475V" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd .; "ESN485" (naphthol novolac) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Type epoxy resin); "YX4000", "YL6121" (biphenyl type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd .; "YX4000H", "YX4000HK" (bixilenol type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "YX8800" (anthracen type epoxy resin); "PG-100" and "CG-500" manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd .; "YL7760" and "YX7760" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. (bisphenol AF type epoxy resin); Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "YL7800" (fluorene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd .; "jER1010" (solid bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd .; "jER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. and the like can be mentioned. .. These may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types.

(A)エポキシ樹脂として液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いる場合、それらの量比(液状エポキシ樹脂:固体状エポキシ樹脂)は、質量比で、好ましくは1:1~1:20、より好ましくは1:1.5~1:15、特に好ましくは1:2~1:13である。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比が斯かる範囲にある場合、プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高めることができる。また、通常は、樹脂シートの形態で使用する場合に、適度な粘着性及び十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する。さらに、通常は、十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる。 (A) When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as the epoxy resin, the amount ratio (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) thereof is a mass ratio, preferably 1: 1 to 1:20. , More preferably 1: 1.5 to 1:15, and particularly preferably 1: 2 to 1:13. When the quantitative ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin is in such a range, the process resistance and the blister resistance can be effectively enhanced. In addition, when used in the form of a resin sheet, appropriate adhesiveness and sufficient flexibility are usually obtained, and handleability is improved. Further, usually, a cured product having sufficient breaking strength can be obtained.

(A)エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは50g/eq.~5000g/eq.、より好ましくは50g/eq.~3000g/eq.、さらに好ましくは80g/eq.~2000g/eq.、さらにより好ましくは110g/eq.~1000g/eq.である。エポキシ当量がこの範囲にある場合、樹脂組成物の硬化物の架橋密度が十分となり、表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。エポキシ当量は、1当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。このエポキシ当量は、JIS K7236に従って測定することができる。 The epoxy equivalent of the epoxy resin (A) is preferably 50 g / eq. ~ 5000g / eq. , More preferably 50 g / eq. ~ 3000 g / eq. , More preferably 80 g / eq. ~ 2000g / eq. , Even more preferably 110 g / eq. ~ 1000 g / eq. Is. When the epoxy equivalent is in this range, the crosslink density of the cured product of the resin composition is sufficient, and an insulating layer having a small surface roughness can be obtained. Epoxy equivalent is the mass of a resin containing 1 equivalent of an epoxy group. This epoxy equivalent can be measured according to JIS K7236.

(A)エポキシ樹脂の重量平均分子量(Mw)は、プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高める観点から、好ましくは100~5000、より好ましくは250~3000、さらに好ましくは400~1500である。 The weight average molecular weight (Mw) of the epoxy resin (A) is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, still more preferably 400 to 1500, from the viewpoint of effectively enhancing process resistance and blister resistance.

樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により、ポリスチレン換算の値として測定できる。具体的には、重量平均分子量は、測定装置として島津製作所社製LC-9A/RID-6Aを、カラムとして昭和電工社製Shodex K-800P/K-804L/K-804Lを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を40℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。 The weight average molecular weight of the resin can be measured as a polystyrene-equivalent value by a gel permeation chromatography (GPC) method. Specifically, the weight average molecular weight is LC-9A / RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device, Shodex K-800P / K-804L / K-804L manufactured by Showa Denko Corporation as a column, and chloroform as a mobile phase. The column temperature can be measured at 40 ° C. and calculated using a calibration curve of standard polystyrene.

樹脂組成物中の(A)エポキシ樹脂の量は、良好な機械強度及び絶縁信頼性を示す絶縁層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは1質量%以上、より好ましくは5質量%以上、さらに好ましくは10質量%以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高める観点から、好ましくは60質量%以下、より好ましくは50質量%以下、特に好ましくは40質量%以下である。 The amount of the (A) epoxy resin in the resin composition is preferably 1% by mass with respect to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition from the viewpoint of obtaining an insulating layer exhibiting good mechanical strength and insulation reliability. As mentioned above, it is more preferably 5% by mass or more, still more preferably 10% by mass or more. The upper limit of the content of the epoxy resin is preferably 60% by mass or less, more preferably 50% by mass or less, and particularly preferably 40% by mass or less, from the viewpoint of effectively enhancing the process resistance and the blister resistance.

[3.(B)成分:硬化剤]
樹脂組成物は、(B)硬化剤を含む。(B)硬化剤は、通常、(A)エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させる機能を有する。
[3. (B) Ingredient: Hardener]
The resin composition contains (B) a curing agent. The curing agent (B) usually has a function of reacting with the epoxy resin (A) to cure the resin composition.

(B)成分としての硬化剤としては、例えば、活性エステル系硬化剤、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤などが挙げられる。また、(B)硬化剤は1種類単独で用いてもよく、又は2種類以上を併用してもよい。 Examples of the curing agent as the component (B) include an active ester-based curing agent, a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent, a benzoxazine-based curing agent, a cyanate ester-based curing agent, a carbodiimide-based curing agent, and an amine-based curing agent. , Acid anhydride type curing agent and the like. Further, (B) the curing agent may be used alone or in combination of two or more.

活性エステル系硬化剤としては、1分子中に1個以上の活性エステル基を有する化合物を用いることができる。中でも、活性エステル系硬化剤としては、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、N-ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を1分子中に2個以上有する化合物が好ましい。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び/又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び/又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に、耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び/又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。 As the active ester-based curing agent, a compound having one or more active ester groups in one molecule can be used. Among them, as the active ester-based curing agent, two or more ester groups having high reaction activity such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds are contained in one molecule. The compound to have is preferable. The active ester-based curing agent is preferably obtained by a condensation reaction between a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound and a hydroxy compound and / or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester-based curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester-based curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a phenol compound and / or a naphthol compound is more preferable. ..

カルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。 Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, pyromellitic acid and the like.

フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールA、メチル化ビスフェノールF、メチル化ビスフェノールS、フェノール、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール、カテコール、α-ナフトール、β-ナフトール、1,5-ジヒドロキシナフタレン、1,6-ジヒドロキシナフタレン、2,6-ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン1分子にフェノール2分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。 Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthalin, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m-. Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenol, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucin, Examples thereof include benzenetriol, dicyclopentadiene-type diphenol compound, and phenol novolac. Here, the "dicyclopentadiene-type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensing two phenol molecules with one dicyclopentadiene molecule.

活性エステル系硬化剤の好ましい具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤、ナフタレン構造を含む活性エステル系硬化剤、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系硬化剤、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系硬化剤が挙げられる。中でも、ナフタレン構造を含む活性エステル系硬化剤、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン-ジシクロペンチレン-フェニレンからなる2価の構造単位を表す。 Preferred specific examples of the active ester-based curing agent include an active ester-based curing agent containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure, an active ester-based curing agent containing a naphthalene structure, and an active ester-based curing agent containing an acetylated product of phenol novolac. Examples thereof include active ester-based curing agents containing a benzoylated product of phenol novolac. Of these, an active ester-based curing agent containing a naphthalene structure and an active ester-based curing agent containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure are more preferable. The "dicyclopentadiene-type diphenol structure" represents a divalent structural unit consisting of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤として、「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000」、「HPC-8000H」、「HPC-8000-65T」、「HPC-8000H-65TM」、「EXB-8000L」、「EXB-8000L-65TM」、「EXB-8150-65T」(DIC社製);ナフタレン構造を含む活性エステル系硬化剤として「EXB9416-70BK」、「EXB-8150-65T」(DIC社製);フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系硬化剤として「DC808」(三菱ケミカル社製);フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系硬化剤として「YLH1026」(三菱ケミカル社製);フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「DC808」(三菱ケミカル社製);フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「YLH1026」(三菱ケミカル社製)、「YLH1030」(三菱ケミカル社製)、「YLH1048」(三菱ケミカル社製);等が挙げられる。 Commercially available products of the active ester-based curing agent include "EXB9451", "EXB9460", "EXB9460S", "HPC-8000", and "HPC-8000H" as active ester-based curing agents containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure. , "HPC-8000-65T", "HPC-8000H-65TM", "EXB-8000L", "EXB-8000L-65TM", "EXB-8150-65T" (manufactured by DIC); active ester containing naphthalene structure. "EXB9416-70BK", "EXB-8150-65T" (manufactured by DIC) as a system curing agent; "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) as an active ester-based curing agent containing an acetylated product of phenol novolac; benzoyl of phenol novolac. "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) as an active ester-based curing agent containing a compound; "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) as an active ester-based curing agent which is an acetylated product of phenol novolac; Examples of the ester-based curing agent include "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), "YLH1030" (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), "YLH1048" (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.); and the like.

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するものが好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。 As the phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent, those having a novolak structure are preferable from the viewpoint of heat resistance and water resistance. Further, from the viewpoint of adhesion to the conductor layer, a nitrogen-containing phenol-based curing agent is preferable, and a triazine skeleton-containing phenol-based curing agent is more preferable.

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成社製の「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」;日本化薬社製の「NHN」、「CBN」、「GPH」;新日鉄住金化学社製の「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495」、「SN-495V」「SN375」、「SN-395」;DIC社製の「TD-2090」、「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-1356」、「LA-3018-50P」、「EXB-9500」;等が挙げられる。 Specific examples of the phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent include, for example, "MEH-7700", "MEH-7810", and "MEH-7851" manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd .; "NHN" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. "CBN", "GPH"; "SN170", "SN180", "SN190", "SN475", "SN485", "SN495", "SN-495V", "SN375", "SN-" manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation. 395 ";" TD-2090 "," LA-7052 "," LA-7054 "," LA-1356 "," LA-3018-50P "," EXB-9500 "; etc. manufactured by DIC Corporation.

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、JFEケミカル社製の「JBZ-OP100D」、「ODA-BOZ」;昭和高分子社製の「HFB2006M」;四国化成工業社製の「P-d」、「F-a」が挙げられる。 Specific examples of the benzoxazine-based curing agent include "JBZ-OP100D" and "ODA-BOZ" manufactured by JFE Chemical Co., Ltd .; "HFB2006M" manufactured by Showa High Polymer Co., Ltd .; "Pd" manufactured by Shikoku Chemicals Corporation. "FA" can be mentioned.

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールAジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ(3-メチレン-1,5-フェニレンシアネート)、4,4’-メチレンビス(2,6-ジメチルフェニルシアネート)、4,4’-エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールAジシアネート、2,2-ビス(4-シアネート)フェニルプロパン、1,1-ビス(4-シアネートフェニルメタン)、ビス(4-シアネート-3,5-ジメチルフェニル)メタン、1,3-ビス(4-シアネートフェニル-1-(メチルエチリデン))ベンゼン、ビス(4-シアネートフェニル)チオエーテル、及びビス(4-シアネートフェニル)エーテル、等の2官能シアネート樹脂;フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂;これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマー;などが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「PT30」及び「PT60」(フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂)、「ULL-950S」(多官能シアネートエステル樹脂)、「BADCy」(ビスフェノールAジシアネート)、「BA230」、「BA230S75」(ビスフェノールAジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー)等が挙げられる。 Examples of the cyanate ester-based curing agent include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo (3-methylene-1,5-phenylencyanate), 4,4'-methylenebis (2,6-dimethylphenylcyanate), and 4,4. '-Etilidendiphenyl disyanate, hexafluorobisphenol A disyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1-bis (4-cyanate phenylmethane), bis (4-cyanate-3,5-dimethyl) Bifunctional cyanate resins such as phenyl) methane, 1,3-bis (4-cyanatephenyl-1- (methylethylidene)) benzene, bis (4-cyanatephenyl) thioether, and bis (4-cyanatephenyl) ether; Examples thereof include polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolak, cresol novolak, and the like; prepolymers in which these cyanate resins are partially triazined. Specific examples of the cyanate ester-based curing agent include "PT30" and "PT60" (phenol novolac type polyfunctional cyanate ester resin), "ULL-950S" (polyfunctional cyanate ester resin), and "BADBy" manufactured by Ronza Japan. (Bisphenol A dicyanate), "BA230", "BA230S75" (prepolymer in which a part or all of bisphenol A dicyanate is triazined to form a trimer) and the like can be mentioned.

カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル社製の「V-03」、「V-07」等が挙げられる。 Specific examples of the carbodiimide-based curing agent include "V-03" and "V-07" manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd.

アミン系硬化剤としては、1分子内中に1個以上のアミノ基を有する硬化剤が挙げられ、例えば、脂肪族アミン類、ポリエーテルアミン類、脂環式アミン類、芳香族アミン類等が挙げられる。中でも、芳香族アミン類が好ましい。アミン系硬化剤は、第1級アミン又は第2級アミンが好ましく、第1級アミンがより好ましい。アミン系硬化剤の具体例としては、4,4’-メチレンビス(2,6-ジメチルアニリン)、ジフェニルジアミノスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、m-フェニレンジアミン、m-キシリレンジアミン、ジエチルトルエンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジヒドロキシベンジジン、2,2-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)プロパン、3,3-ジメチル-5,5-ジエチル-4,4-ジフェニルメタンジアミン、2,2-ビス(4-アミノフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-(4-アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’-ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス(4-(4-アミノフェノキシ)フェニル)スルホン、ビス(4-(3-アミノフェノキシ)フェニル)スルホン、等が挙げられる。アミン系硬化剤は市販品を用いてもよく、例えば、日本化薬社製の「KAYABOND C-200S」、「KAYABOND C-100」、「カヤハードA-A」、「カヤハードA-B」、「カヤハードA-S」、三菱ケミカル社製の「エピキュアW」等が挙げられる。 Examples of the amine-based curing agent include curing agents having one or more amino groups in one molecule, and examples thereof include aliphatic amines, polyether amines, alicyclic amines, and aromatic amines. Can be mentioned. Of these, aromatic amines are preferable. The amine-based curing agent is preferably a primary amine or a secondary amine, more preferably a primary amine. Specific examples of the amine-based curing agent include 4,4'-methylenebis (2,6-dimethylaniline), diphenyldiaminosulfone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'. -Diaminodiphenyl sulfone, m-phenylenediamine, m-xylylene diamine, diethyltoludiamine, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl- 4,4'-Diaminobiphenyl, 3,3'-dihydroxybenzidine, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane, 3,3-dimethyl-5,5-diethyl-4,4-diphenylmethane Diamine, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3- Bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) sulfone, Examples thereof include bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl) sulfone. Commercially available products may be used as the amine-based curing agent, for example, "KAYABOND C-200S", "KAYABOND C-100", "Kayahard A-A", "Kayahard AB", "Kayahard AB" manufactured by Nippon Kayaku Corporation. Examples include "Kayahard AS" and "Epicure W" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

酸無水物系硬化剤としては、1分子内中に1個以上の酸無水物基を有する硬化剤が挙げられる。酸無水物系硬化剤の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、5-(2,5-ジオキソテトラヒドロ-3-フラニル)-3-メチル-3-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、3,3’-4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、1,3,3a,4,5,9b-ヘキサヒドロ-5-(テトラヒドロ-2,5-ジオキソ-3-フラニル)-ナフト[1,2-C]フラン-1,3-ジオン、エチレングリコールビス(アンヒドロトリメリテート)、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。酸無水物系硬化剤の市販品としては、新日本理化社製の「HNA-100」、「MH-700」等が挙げられる。 Examples of the acid anhydride-based curing agent include a curing agent having one or more acid anhydride groups in one molecule. Specific examples of the acid anhydride-based curing agent include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrohydride phthalic acid, methylhexahydrohydride phthalic acid, methylnadic acid anhydride, and hydride methylnadic acid. Anhydride, Trialkyltetrahydrophthalic anhydride, Dodecenyl succinic anhydride, 5- (2,5-dioxotetrahydro-3-franyl) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid anhydride, Trianhydride Merit acid, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride, biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, oxydiphthalic acid dianhydride, 3,3'-4,4'- Diphenylsulfone tetracarboxylic acid dianhydride, 1,3,3a, 4,5,9b-hexahydro-5- (tetrahydro-2,5-dioxo-3-franyl) -naphtho [1,2-C] furan-1 , 3-Dione, ethylene glycol bis (anhydrotrimeritate), polymer-type acid anhydrides such as styrene / maleic acid resin in which styrene and maleic acid are copolymerized, and the like. Examples of commercially available acid anhydride-based curing agents include "HNA-100" and "MH-700" manufactured by Shin Nihon Rika Co., Ltd.

上述した中でも、(B)硬化剤としては、プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高める観点から、活性エステル系硬化剤、フェノール系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤及びカルボジイミド系硬化剤が好ましく、活性エステル系硬化剤、フェノール系硬化剤及びカルボジイミド系硬化剤が更に好ましく、活性エステル系硬化剤が特に好ましい。活性エステル系硬化剤を用いる場合、(B)硬化剤100質量%に対する活性エステル系硬化剤の含有率は、好ましくは40質量%以上、より好ましくは50質量%以上、さらに好ましくは60質量%以上であり、通常100質量%以下、好ましくは98質量%以下、より好ましくは96質量%以下、さらに好ましくは94質量%以下である。 Among the above, the curing agent (B) includes an active ester-based curing agent, a phenol-based curing agent, a benzoxazine-based curing agent, a cyanate ester-based curing agent, and a carbodiimide-based curing agent from the viewpoint of effectively enhancing process resistance and blister resistance. A curing agent is preferable, an active ester-based curing agent, a phenol-based curing agent and a carbodiimide-based curing agent are more preferable, and an active ester-based curing agent is particularly preferable. When the active ester-based curing agent is used, (B) the content of the active ester-based curing agent with respect to 100% by mass of the curing agent is preferably 40% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, still more preferably 60% by mass or more. It is usually 100% by mass or less, preferably 98% by mass or less, more preferably 96% by mass or less, and further preferably 94% by mass or less.

樹脂組成物における(B)硬化剤の量は、プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高める観点から、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは1質量%以上、より好ましくは5質量%以上、さらに好ましくは10質量%以上であり、好ましくは70質量%以下、より好ましくは60質量%以下、さらに好ましくは50質量%以下である。 The amount of the (B) curing agent in the resin composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, based on 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition from the viewpoint of effectively enhancing the process resistance and the blister resistance. It is 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, preferably 70% by mass or less, more preferably 60% by mass or less, still more preferably 50% by mass or less.

(A)エポキシ樹脂のエポキシ基数を1とした場合、(B)硬化剤の活性基数は、好ましくは0.1以上、より好ましくは0.2以上、更に好ましくは0.3以上であり、好ましくは3以下、より好ましくは2.0以下、更に好ましくは1.6以下である。ここで、「(A)エポキシ樹脂のエポキシ基数」とは、樹脂組成物中に存在する(A)エポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値を全て合計した値である。また、「(B)硬化剤の活性基数」とは、樹脂組成物中に存在する(B)硬化剤の不揮発成分の質量を活性基当量で除した値を全て合計した値である。(A)エポキシ樹脂のエポキシ基数を1とした場合の(B)硬化剤の活性基数が前記範囲にあることにより、プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高めることができ、更に通常は、樹脂組成物の硬化物の耐熱性がより向上する。 When the number of epoxy groups of the (A) epoxy resin is 1, the number of active groups of the (B) curing agent is preferably 0.1 or more, more preferably 0.2 or more, still more preferably 0.3 or more, and is preferable. Is 3 or less, more preferably 2.0 or less, still more preferably 1.6 or less. Here, the "(A) number of epoxy groups in the epoxy resin" is a total value obtained by dividing the mass of the non-volatile component of the (A) epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent. The "(B) number of active groups of the curing agent" is a total value obtained by dividing the mass of the non-volatile component of the (B) curing agent present in the resin composition by the active group equivalent. When the number of active groups of the (B) curing agent is in the above range when the number of epoxy groups of the (A) epoxy resin is 1, the process resistance and blister resistance can be effectively enhanced, and more usually, the resin composition. The heat resistance of the cured product is further improved.

[4.(C)成分:中空無機粒子]
樹脂組成物は、(C)成分として、要件(c1)及び要件(c2)の少なくとも一方を満たす中空無機粒子を含む。この(C)中空無機粒子を用いることにより、優れたプロセス耐性及びブリスター耐性を達成できる。また、通常は、樹脂組成物の硬化物の誘電率及び線熱膨張係数を小さくできる。
以下、要件(c1)及び要件(c2)それぞれについて詳細に説明する。
[4. (C) component: hollow inorganic particles]
The resin composition contains hollow inorganic particles as the component (C) that satisfy at least one of the requirements (c1) and (c2). By using the hollow inorganic particles (C), excellent process resistance and blister resistance can be achieved. Further, usually, the dielectric constant and the coefficient of linear thermal expansion of the cured product of the resin composition can be reduced.
Hereinafter, each of the requirement (c1) and the requirement (c2) will be described in detail.

まず、要件(c1)について説明する。要件(c1)を満たす(C)中空無機粒子は、無機複合酸化物で形成される。無機複合酸化物とは、金属原子及び半金属原子からなる群より選ばれる2種類以上の原子を含む酸化物を表す。このような無機複合酸化物としては、ケイ素と、ケイ素以外の金属原子及び半金属原子からなる群より選ばれる1種類以上の原子との組み合わせを含む酸化物が好ましい。ケイ素と組み合わせる金属原子としては、アルミニウム、鉛、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛、ジルコニウム、鉄、リチウム、マグネシウム、バリウム、カリウム、カルシウム、チタン、ホウ素、ナトリウム等が挙げられ、中でも、アルミニウムが特に好ましい。よって、無機複合酸化物としては、ケイ素及びアルミニウムを含む酸化物が好ましく、アルミノシリケートが特に好ましい。 First, the requirement (c1) will be described. The hollow inorganic particles (C) satisfying the requirement (c1) are formed of an inorganic composite oxide. The inorganic composite oxide represents an oxide containing two or more kinds of atoms selected from the group consisting of metal atoms and metalloid atoms. As such an inorganic composite oxide, an oxide containing a combination of silicon and one or more kinds of atoms selected from the group consisting of metal atoms other than silicon and metalloid atoms is preferable. Examples of the metal atom to be combined with silicon include aluminum, lead, nickel, cobalt, copper, zinc, zirconium, iron, lithium, magnesium, barium, potassium, calcium, titanium, boron, sodium and the like, and aluminum is particularly preferable. .. Therefore, as the inorganic composite oxide, an oxide containing silicon and aluminum is preferable, and aluminosilicate is particularly preferable.

アルミノシリケートの構造組成において、SiOの含有量は、好ましくは70質量%~90質量%、より好ましくは75質量%~85質量%であり、約80質量%が特に好ましい。また、Alの含有量は、好ましくは10質量%~30質量%、より好ましくは15質量%~25質量%であり、特に好ましくは約20質量%である。このような組成を有するアルミノシリケートを用いた場合、プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高めることができる。 In the structural composition of the aluminosilicate, the content of SiO 2 is preferably 70% by mass to 90% by mass, more preferably 75% by mass to 85% by mass, and particularly preferably about 80% by mass. The content of Al 2 O 3 is preferably 10% by mass to 30% by mass, more preferably 15% by mass to 25% by mass, and particularly preferably about 20% by mass. When an aluminosilicate having such a composition is used, process resistance and blister resistance can be effectively enhanced.

前記のアルミノシリケートは、その構造組成において、Feを含んでいてもよい。ただし、Feの含有量は、好ましくは1質量%以下、より好ましくは0.8質量%以下、更に好ましくは0.6質量%以下であり、Feを含まないことが特に好ましい。Feがこのように少ないアルミノシリケートを用いた場合、プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高めることができる。 The aluminosilicate may contain Fe 2 O 3 in its structural composition. However, the content of Fe 2 O 3 is preferably 1% by mass or less, more preferably 0.8% by mass or less, still more preferably 0.6% by mass or less, and it is particularly preferable that Fe 2 O 3 is not contained. preferable. When an aluminosilicate having such a small amount of Fe 2 O 3 is used, process resistance and blister resistance can be effectively enhanced.

さらに、前記のアルミノシリケートは、その構造組成において、アルカリ金属酸化物及びアルカリ土類金属酸化物を含んでいてもよい。ただし、アルカリ金属酸化物及びアルカリ土類金属酸化物の含有量は、2質量%以下が好ましく、1質量%以下がさらに好ましく、アルカリ金属酸化物及びアルカリ土類金属酸化物を含まないことが特に好ましい。アルカリ金属酸化物及びアルカリ土類金属酸化物がこのように少ないアルミノシリケートを用いた場合、プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高めることができる。 Further, the aluminosilicate may contain an alkali metal oxide and an alkaline earth metal oxide in its structural composition. However, the content of the alkali metal oxide and the alkaline earth metal oxide is preferably 2% by mass or less, more preferably 1% by mass or less, and particularly preferably does not contain the alkali metal oxide and the alkaline earth metal oxide. preferable. When aluminosilicates containing such a small amount of alkali metal oxides and alkaline earth metal oxides are used, process resistance and blister resistance can be effectively enhanced.

要件(c1)を満たす(C)中空無機粒子の空孔率は、任意であり、例えば、5体積%以上、10体積%以上、15体積%以上、20体積%以上などでありうる。中でも、プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高める観点では、要件(c1)を満たす(C)中空無機粒子の空孔率は、要件(c2)において説明する範囲にあることが好ましい。 The porosity of the hollow inorganic particles (C) satisfying the requirement (c1) is arbitrary, and may be, for example, 5% by volume or more, 10% by volume or more, 15% by volume or more, 20% by volume or more, and the like. Above all, from the viewpoint of effectively enhancing the process resistance and the blister resistance, the porosity of the hollow inorganic particles (C) satisfying the requirement (c1) is preferably within the range described in the requirement (c2).

前記の空孔率とは、(C)中空無機粒子における中空部の体積割合を表す。この空孔率は、中空無機粒子の密度から計算により求めることができる。具体的な測定方法は、下記の通りでありうる。中空無機粒子の密度を、真密度測定装置を用いて測定する。この測定は、窒素を測定ガスとして用いる。真密度測定装置としては、例えば、QUANTACHROME社製のULTRAPYCNOMETER1000を用いうる。その後、測定された密度と、中空無機粒子を形成する無機材料の物質密度とを用いて、下記の式(X)に従い、空孔率を計算できる。
空孔率(体積%)={1-(測定した密度[g/cm]/無機材料の物質密度[g/cm])}×100 (X)
The porosity represents the volume ratio of the hollow portion in (C) hollow inorganic particles. This porosity can be calculated from the density of hollow inorganic particles. The specific measurement method may be as follows. The density of the hollow inorganic particles is measured using a true density measuring device. This measurement uses nitrogen as the measuring gas. As the true density measuring device, for example, ULTRAPY CNOMETER 1000 manufactured by QUANTACHROME can be used. Then, using the measured density and the material density of the inorganic material forming the hollow inorganic particles, the porosity can be calculated according to the following formula (X).
Pore ratio (% by volume) = {1- (measured density [g / cm 3 ] / material density of inorganic material [g / cm 3 ])} x 100 (X)

要件(c1)を満たす(C)中空無機粒子の平均粒径は、任意であり、例えば、10μm以下、5μm以下、などでありうる。中でも、プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高める観点では、要件(c1)を満たす(C)中空無機粒子の平均粒径は、要件(c2)において説明する範囲にあることが好ましい。 The average particle size of the hollow inorganic particles (C) satisfying the requirement (c1) is arbitrary, and may be, for example, 10 μm or less, 5 μm or less, and the like. Above all, from the viewpoint of effectively enhancing the process resistance and the blister resistance, the average particle size of the hollow inorganic particles (C) satisfying the requirement (c1) is preferably within the range described in the requirement (c2).

(C)中空無機粒子の平均粒径は、ミー(Mie)散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定できる。具体的には、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、(C)中空無機粒子の粒径分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定できる。測定サンプルは、(C)中空無機粒子を超音波によりメチルエチルケトン中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、堀場製作所社製「LA-960」を使用できる。このレーザー回折散乱式粒径分布測定装置を使用する場合、使用光源波長を青色および赤色とし、フローセル方式で測定することが可能である。 (C) The average particle size of the hollow inorganic particles can be measured by a laser diffraction / scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, it can be measured by creating the particle size distribution of (C) hollow inorganic particles on a volume basis by a laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device and using the median diameter as the average particle size. As the measurement sample, (C) hollow inorganic particles dispersed in methyl ethyl ketone by ultrasonic waves can be preferably used. As the laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device, "LA-960" manufactured by HORIBA, Ltd. can be used. When this laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device is used, the wavelengths of the light sources used are blue and red, and it is possible to measure by the flow cell method.

前記のような要件(c1)を満たす(C)中空無機粒子の製造方法は、任意である。例えば、要件(c1)を満たす(C)中空無機粒子は、特開2016-121026号公報に記載の方法によって製造できる。 The method for producing (C) hollow inorganic particles satisfying the above-mentioned requirement (c1) is arbitrary. For example, the hollow inorganic particles (C) satisfying the requirement (c1) can be produced by the method described in JP-A-2016-120126.

次に、要件(c2)について説明する。要件(c2)を満たす(C)中空無機粒子は、25体積%以上の空孔率を有し、且つ、5.0μm以下の平均粒径を有する。 Next, the requirement (c2) will be described. The hollow inorganic particles (C) satisfying the requirement (c2) have a porosity of 25% by volume or more and an average particle size of 5.0 μm or less.

詳しくは、要件(c2)を満たす(C)中空無機粒子の空孔率は、通常25体積%以上、好ましくは30体積%以上、より好ましくは40体積%以上、更に好ましくは50体積%以上であり、好ましくは90体積%以下、より好ましくは85体積%以下、特に好ましくは80体積%以下である。(C)中空無機粒子がこのような範囲の空孔率を有する場合、プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高めることができる。さらに、通常は、樹脂組成物の硬化物の誘電率及び線熱膨張係数を小さくできる。 Specifically, the porosity of the hollow inorganic particles (C) satisfying the requirement (c2) is usually 25% by volume or more, preferably 30% by volume or more, more preferably 40% by volume or more, still more preferably 50% by volume or more. It is preferably 90% by volume or less, more preferably 85% by volume or less, and particularly preferably 80% by volume or less. (C) When the hollow inorganic particles have a porosity in such a range, process resistance and blister resistance can be effectively enhanced. Further, usually, the dielectric constant and the coefficient of linear thermal expansion of the cured product of the resin composition can be reduced.

また、要件(c2)を満たす(C)中空無機粒子の平均粒径は、通常5.0μm以下、好ましくは3.0μm以下、より好ましくは2.5μm以下、更に好ましくは2.0μm以下、特に好ましくは1.6μm以下である。(C)中空無機粒子がこのような範囲の平均粒径を有する場合、プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高めることができる。さらに、通常は、樹脂組成物の硬化物の誘電率及び線熱膨張係数を小さくできる。平均粒径の下限は、任意であり、例えば、0.1μm以上、0.2μm以上、0.3μm以上などでありうる。 The average particle size of the hollow inorganic particles (C) satisfying the requirement (c2) is usually 5.0 μm or less, preferably 3.0 μm or less, more preferably 2.5 μm or less, still more preferably 2.0 μm or less, particularly. It is preferably 1.6 μm or less. (C) When the hollow inorganic particles have an average particle size in such a range, process resistance and blister resistance can be effectively enhanced. Further, usually, the dielectric constant and the coefficient of linear thermal expansion of the cured product of the resin composition can be reduced. The lower limit of the average particle size is arbitrary, and may be, for example, 0.1 μm or more, 0.2 μm or more, 0.3 μm or more, and the like.

要件(c2)を満たす(C)中空無機粒子の材料としては、任意の無機材料を用いうる。この無機材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、リン酸タングステン酸ジルコニウム、アルミノシリケート等が挙げられる。また、特にシリカとしては、例えば、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等が挙げられる。中でも要件(c2)を満たす(C)中空無機粒子の材料としては、要件(c1)で説明した無機複合酸化物が好ましい。 Any inorganic material can be used as the material of the hollow inorganic particles (C) satisfying the requirement (c2). Examples of this inorganic material include silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, aluminum hydroxide, and hydroxide. Magnesium, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide, titanium Examples thereof include barium acid, barium titanate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, zirconium tungstate phosphate, and aluminosilicate. Further, examples of silica include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, hollow silica and the like. Among them, the inorganic composite oxide described in the requirement (c1) is preferable as the material of the hollow inorganic particles (C) satisfying the requirement (c2).

前記のような要件(c2)を満たす(C)中空無機粒子の製造方法は、任意である。例えば、要件(c2)を満たす(C)中空無機粒子は、特開2016-121026号公報、特開2015-155373号公報に記載の方法によって製造できる。 The method for producing (C) hollow inorganic particles satisfying the above-mentioned requirement (c2) is arbitrary. For example, the hollow inorganic particles (C) satisfying the requirement (c2) can be produced by the methods described in JP-A-2016-120126 and JP-A-2015-155373.

(C)中空無機粒子は、上述した要件(c1)及び要件(c2)の一方のみを満たしていてもよいが、その両方を満たすことが好ましい。要件(c1)及び要件(c2)の両方を満たす(C)中空無機粒子を用いることにより、プロセス耐性及びブリスター耐性を特に効果的に高めることができる。 (C) The hollow inorganic particles may satisfy only one of the above-mentioned requirements (c1) and (c2), but it is preferable that both of them are satisfied. By using (C) hollow inorganic particles that satisfy both the requirement (c1) and the requirement (c2), process resistance and blister resistance can be enhanced particularly effectively.

(C)中空無機粒子は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 (C) As the hollow inorganic particles, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

(C)中空無機粒子は、一般に、当該粒子内に形成された中空部と、この中空部を囲む無機材料で形成された外殻部とを有する。通常、中空部は、外殻部によって粒子外部から区画されている。この際、中空部は、粒子外部とは連通していないことが望ましい。よって、外殻部は、中空部と粒子外部とを連通する孔を有さない無気孔の殻であることが望ましい。このような(C)中空無機粒子を用いることにより、プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高めることができる。外殻部が無気孔であることは、透過型電子顕微鏡(TEM)で観察することにより確認できる。このような(C)中空無機粒子は、特開2016-121026号公報に記載の方法によって製造でき、また、太平洋セメント社製の中空アルミノシリケート粒子「MG-005」として入手できる。 (C) The hollow inorganic particle generally has a hollow portion formed in the particle and an outer shell portion formed of an inorganic material surrounding the hollow portion. Normally, the hollow portion is partitioned from the outside of the particle by the outer shell portion. At this time, it is desirable that the hollow portion does not communicate with the outside of the particles. Therefore, it is desirable that the outer shell portion is an airless shell having no pores communicating the hollow portion and the outside of the particles. By using such (C) hollow inorganic particles, process resistance and blister resistance can be effectively enhanced. It can be confirmed by observing with a transmission electron microscope (TEM) that the outer shell portion has no pores. Such hollow inorganic particles (C) can be produced by the method described in JP-A-2016-120126, and can be obtained as hollow aluminosilicate particles "MG-005" manufactured by Taiheiyo Cement.

(C)中空無機粒子の比表面積は、好ましくは60m/g以下、より好ましくは40m/g以下、特に好ましくは15m/g以下である。(C)中空無機粒子が前記範囲の比表面積を有する場合、プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高めることができる。さらに、通常は、樹脂組成物の硬化物の誘電率及び線熱膨張係数を小さくできる。(C)中空無機粒子の比表面積の下限は、特段の制限は無く、例えば1m/gでありうる。比表面積は、BET法に従って、比表面積測定装置(マウンテック社製「Macsorb HM-1210」)を使用して試料表面に窒素ガスを吸着させ、BET多点法を用いて算出することで得られる。 (C) The specific surface area of the hollow inorganic particles is preferably 60 m 2 / g or less, more preferably 40 m 2 / g or less, and particularly preferably 15 m 2 / g or less. (C) When the hollow inorganic particles have a specific surface area in the above range, process resistance and blister resistance can be effectively enhanced. Further, usually, the dielectric constant and the coefficient of linear thermal expansion of the cured product of the resin composition can be reduced. (C) The lower limit of the specific surface area of the hollow inorganic particles is not particularly limited and may be, for example, 1 m 2 / g. The specific surface area is calculated by adsorbing nitrogen gas on the sample surface using a specific surface area measuring device (“Macsorb HM-1210” manufactured by Mountech) according to the BET method and using the BET multipoint method.

(C)中空無機粒子は、耐湿性及び分散性を高める観点から、表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤としては、例えば、フッ素含有シランカップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等が挙げられる。また、表面処理剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を任意に組み合わせて用いてもよい。 (C) The hollow inorganic particles are preferably treated with a surface treatment agent from the viewpoint of enhancing moisture resistance and dispersibility. Examples of the surface treatment agent include fluorine-containing silane coupling agents, aminosilane-based coupling agents, epoxysilane-based coupling agents, mercaptosilane-based coupling agents, silane-based coupling agents, alkoxysilanes, organosilazane compounds, and titanate-based agents. Coupling agents and the like can be mentioned. In addition, one type of surface treatment agent may be used alone, or two or more types may be used in any combination.

表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「KBM403」(3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM803」(3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBE903」(3-アミノプロピルトリエトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM573」(N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「SZ-31」(ヘキサメチルジシラザン)、信越化学工業社製「KBM103」(フェニルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM-4803」(長鎖エポキシ型シランカップリング剤)、信越化学工業社製「KBM-7103」(3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン)等が挙げられる。 Examples of commercially available surface treatment agents include "KBM403" (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM803" (3-mercaptopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "SZ-31" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ( Hexamethyldisilazane), "KBM103" (phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM-4803" (long-chain epoxy type silane coupling agent) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM-" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 7103 ”(3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane) and the like.

表面処理剤による表面処理の程度は、(C)中空無機粒子の分散性向上の観点から、所定の範囲に収まることが好ましい。具体的には、(C)中空無機粒子100質量部は、0.2質量部~5質量部の表面処理剤で表面処理されていることが好ましく、0.2質量部~3質量部で表面処理されていることが好ましく、0.3質量部~2質量部で表面処理されていることが好ましい。 The degree of surface treatment with the surface treatment agent is preferably within a predetermined range from the viewpoint of (C) improving the dispersibility of the hollow inorganic particles. Specifically, 100 parts by mass of the hollow inorganic particles (C) are preferably surface-treated with 0.2 parts by mass to 5 parts by mass of a surface treatment agent, and 0.2 parts by mass to 3 parts by mass are surface-treated. It is preferably treated, and it is preferable that the surface is treated with 0.3 parts by mass to 2 parts by mass.

表面処理剤による表面処理の程度は、(C)中空無機粒子の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。(C)中空無機粒子の単位表面積当たりのカーボン量は、(C)中空無機粒子の分散性向上の観点から、0.02mg/m以上が好ましく、0.1mg/m以上がより好ましく、0.2mg/m以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度及びシート形態での溶融粘度の上昇を抑制する観点から、1mg/m以下が好ましく、0.8mg/m以下がより好ましく、0.5mg/m以下が更に好ましい。 The degree of surface treatment with the surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of (C) hollow inorganic particles. The amount of carbon per unit surface area of (C) hollow inorganic particles is preferably 0.02 mg / m 2 or more, more preferably 0.1 mg / m 2 or more, from the viewpoint of improving the dispersibility of (C) hollow inorganic particles. 0.2 mg / m 2 or more is more preferable. On the other hand, from the viewpoint of suppressing an increase in the melt viscosity of the resin varnish and the melt viscosity in the sheet form, 1 mg / m 2 or less is preferable, 0.8 mg / m 2 or less is more preferable, and 0.5 mg / m 2 or less is further preferable. preferable.

中空無機粒子の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の中空無機粒子を溶剤(例えば、メチルエチルケトン(MEK))により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のMEKを表面処理剤で表面処理された中空無機粒子に加えて、25℃で5分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて中空無機粒子の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「EMIA-320V」等を使用することができる。 The amount of carbon per unit surface area of the hollow inorganic particles can be measured after the hollow inorganic particles after the surface treatment are washed with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to the hollow inorganic particles surface-treated with a surface treatment agent, and ultrasonically cleaned at 25 ° C. for 5 minutes. After removing the supernatant and drying the solid content, the amount of carbon per unit surface area of the hollow inorganic particles can be measured using a carbon analyzer. As the carbon analyzer, "EMIA-320V" manufactured by HORIBA, Ltd. or the like can be used.

樹脂組成物における(C)中空無機粒子の量は、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは1質量%以上、より好ましくは5質量%以上、更に好ましくは10質量%以上、特に好ましくは25質量%以上であり、好ましくは70質量%以下、より好ましくは60質量%以下、特に好ましくは50質量%以下である。(C)中空無機粒子の量が前記の範囲にある場合、プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高めることができる。さらに、通常は、樹脂組成物の硬化物の誘電率及び線熱膨張係数を小さくしたり、硬化物の機械強度を高めたりできる。 The amount of the hollow inorganic particles (C) in the resin composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, still more preferably 10% by mass or more, based on 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. It is particularly preferably 25% by mass or more, preferably 70% by mass or less, more preferably 60% by mass or less, and particularly preferably 50% by mass or less. (C) When the amount of hollow inorganic particles is in the above range, process resistance and blister resistance can be effectively enhanced. Further, usually, the dielectric constant and the coefficient of linear thermal expansion of the cured product of the resin composition can be reduced, or the mechanical strength of the cured product can be increased.

樹脂組成物中の不揮発成分の質量Mt、(C)中空無機粒子の質量Mc、及び、(C)中空無機粒子の空孔率Rp[%]を用いて、下記式(c3)で表される軽減比率R(c3)[%]を定義する。この軽減比率R(c3)において、「{Rp/(100-Rp)}×Mc」は、ある(C)中空無機粒子の中空部の体積とその(C)中空無機粒子を形成する無機材料の物質密度との積に相当し、よってその(C)中空無機粒子の中空部の体積分の無機材料の質量を表す。また、「Σ(Rp/(100-Rp)×Mc)」は、樹脂組成物に含まれる全ての(C)中空無機粒子の中空部の体積分の無機材料の質量の合計を表す。したがって、式(c3)の右辺の大かっこ内の第二項の分母は、中空部に(C)中空無機粒子の無機材料が充填されていたと仮定した場合の樹脂組成物の不揮発成分の質量を表す。よって、軽減比率R(c3)は、中空部の無い無機粒子を含む樹脂組成物(即ち、中空部に無機材料が充填されていること以外は本実施形態に係る樹脂組成物と同じ組成を有する樹脂組成物)に比較して、(C)中空無機粒子を含む本実施形態に係る樹脂組成物が、中空部によってどれだけ質量を軽減できているかを表す。プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高める観点から、本実施形態に係る樹脂組成物の軽減比率R(c3)は、好ましくは7%以上、より好ましくは10%以上、特に好ましくは15%以上であり、好ましくは70%以下、より好ましくは60%以下、特に好ましくは50%以下である。 It is represented by the following formula (c3) using the mass Mt of the non-volatile component in the resin composition, the mass Mc of the hollow inorganic particles (C), and the porosity Rp [%] of the hollow inorganic particles (C). A reduction ratio R (c3) [%] is defined. In this reduction ratio R (c3), "{Rp / (100-Rp)} x Mc" is the volume of the hollow portion of a certain (C) hollow inorganic particle and the inorganic material forming the (C) hollow inorganic particle. It corresponds to the product with the material density, and thus represents the mass of the inorganic material by the volume of the hollow portion of the (C) hollow inorganic particles. Further, "Σ (Rp / (100-Rp) × Mc)" represents the total mass of the inorganic material by the volume of the hollow portion of all (C) hollow inorganic particles contained in the resin composition. Therefore, the denominator of the second term in the brackets on the right side of the formula (c3) is the mass of the non-volatile component of the resin composition assuming that the hollow portion is filled with the inorganic material of the hollow inorganic particles (C). show. Therefore, the reduction ratio R (c3) has the same composition as the resin composition according to the present embodiment except that the resin composition containing the inorganic particles having no hollow portion (that is, the hollow portion is filled with the inorganic material). It shows how much the mass of the resin composition according to the present embodiment containing (C) hollow inorganic particles can be reduced by the hollow portion as compared with the resin composition). From the viewpoint of effectively enhancing process resistance and blister resistance, the reduction ratio R (c3) of the resin composition according to the present embodiment is preferably 7% or more, more preferably 10% or more, and particularly preferably 15% or more. Yes, preferably 70% or less, more preferably 60% or less, and particularly preferably 50% or less.

Figure 0007020378000001
Figure 0007020378000001

[5.(D)成分:熱可塑性樹脂]
樹脂組成物は、上述した成分の他に、更に任意の成分を含んでいてもよい。例えば、樹脂組成物は、任意の成分として(D)熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。
[5. (D) Component: Thermoplastic resin]
The resin composition may further contain any component in addition to the above-mentioned components. For example, the resin composition may contain (D) a thermoplastic resin as an arbitrary component.

(D)成分としての熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられる。中でも、プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高める観点、並びに、表面粗さが小さく導体層との密着性に特に優れる絶縁層を得る観点から、フェノキシ樹脂が好ましい。また、熱可塑性樹脂は、1種類単独で用いてもよく、又は2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the thermoplastic resin as the component (D) include phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polybutadiene resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, and polyphenylene ether resin. , Polycarbonate resin, polyether ether ketone resin, polyester resin and the like. Among them, the phenoxy resin is preferable from the viewpoint of effectively enhancing the process resistance and the blister resistance, and from the viewpoint of obtaining an insulating layer having a small surface roughness and particularly excellent adhesion to the conductor layer. Further, the thermoplastic resin may be used alone or in combination of two or more.

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA骨格、ビスフェノールF骨格、ビスフェノールS骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される1種類以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱ケミカル社製の「1256」及び「4250」(いずれもビスフェノールA骨格含有フェノキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「YX8100」(ビスフェノールS骨格含有フェノキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「YX6954」(ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「FX280」及び「FX293」;三菱ケミカル社製の「YL7500BH30」、「YX6954BH30」、「YX7553」、「YX7553BH30」、「YL7769BH30」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」及び「YL7482」;等が挙げられる。 Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenol acetophenone skeleton, novolak skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton, anthracene skeleton, adamantan skeleton, and terpene. Examples thereof include phenoxy resins having one or more skeletons selected from the group consisting of skeletons and trimethylcyclohexane skeletons. The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group. Specific examples of the phenoxy resin include "1256" and "4250" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (both are bisphenol A skeleton-containing phenoxy resins); "YX8100" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin); Mitsubishi Chemical Corporation. "YX6954" (bisphenol acetophenone skeleton-containing phenoxy resin); "FX280" and "FX293" manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation; "YL7500BH30", "YX6954BH30", "YX7553", "YX7553BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, Examples thereof include "YL7769BH30", "YL6794", "YL7213", "YL7290" and "YL7482";

ポリビニルアセタール樹脂としては、例えば、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂が挙げられ、ポリビニルブチラール樹脂が好ましい。ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業社製の「電化ブチラール4000-2」、「電化ブチラール5000-A」、「電化ブチラール6000-C」、「電化ブチラール6000-EP」;積水化学工業社製のエスレックBHシリーズ、BXシリーズ(例えばBX-5Z)、KSシリーズ(例えばKS-1)、BLシリーズ、BMシリーズ;等が挙げられる。 Examples of the polyvinyl acetal resin include polyvinyl formal resin and polyvinyl butyral resin, and polyvinyl butyral resin is preferable. Specific examples of the polyvinyl acetal resin include "Electrified Butyral 4000-2", "Electrified Butyral 5000-A", "Electrified Butyral 6000-C", and "Electrified Butyral 6000-EP" manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd .; Sekisui Chemical Co., Ltd. Examples thereof include Eslek BH series, BX series (for example, BX-5Z), KS series (for example, KS-1), BL series, and BM series manufactured by the same company.

ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化社製の「リカコートSN20」及び「リカコートPN20」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、2官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド(特開2006-37083号公報記載のポリイミド)、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド(特開2002-12667号公報及び特開2000-319386号公報等に記載のポリイミド)等の変性ポリイミドが挙げられる。 Specific examples of the polyimide resin include "Ricacoat SN20" and "Ricacoat PN20" manufactured by NEW JAPAN CHEMICAL CO., LTD. Specific examples of the polyimide resin include a linear polyimide obtained by reacting a bifunctional hydroxyl group-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound and a tetrabasic acid anhydride (polyimide described in JP-A-2006-37083), and a polysiloxane skeleton. Examples thereof include modified polyimides such as contained polyimides (polyimides described in JP-A-2002-12667 and JP-A-2000-31386).

ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡社製の「バイロマックスHR11NN」及び「バイロマックスHR16NN」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成社製の「KS9100」、「KS9300」(ポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド)等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。 Specific examples of the polyamide-imide resin include "Vilomax HR11NN" and "Vilomax HR16NN" manufactured by Toyobo Co., Ltd. Specific examples of the polyamide-imide resin include modified polyamide-imides such as "KS9100" and "KS9300" (polysiloxane skeleton-containing polyamide-imide) manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.

ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学社製の「PES5003P」等が挙げられる。 Specific examples of the polyether sulfone resin include "PES5003P" manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.

ポリフェニレンエーテル樹脂の具体例としては、三菱ガス化学社製のオリゴフェニレンエーテル・スチレン樹脂「OPE-2St 1200」等が挙げられる。 Specific examples of the polyphenylene ether resin include oligophenylene ether / styrene resin "OPE-2St 1200" manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company.

ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリスルホン「P1700」、「P3500」等が挙げられる。 Specific examples of the polysulfone resin include polysulfones "P1700" and "P3500" manufactured by Solvay Advanced Polymers.

(D)熱可塑性樹脂の重量平均分子量(Mw)は、好ましくは8,000以上、より好ましくは10,000以上、特に好ましくは20,000以上であり、好ましくは70,000以下、より好ましくは60,000以下、特に好ましくは50,000以下である。(D)熱可塑性樹脂の重量平均分子量(Mw)が前記範囲にある場合、プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高めることができる。さらに、通常は、樹脂組成物の硬化物の誘電率及び線熱膨張係数を小さくしたり、硬化物の機械強度を高めたりできる。 (D) The weight average molecular weight (Mw) of the thermoplastic resin is preferably 8,000 or more, more preferably 10,000 or more, particularly preferably 20,000 or more, preferably 70,000 or less, more preferably 70,000 or less. It is 60,000 or less, particularly preferably 50,000 or less. (D) When the weight average molecular weight (Mw) of the thermoplastic resin is within the above range, process resistance and blister resistance can be effectively enhanced. Further, usually, the dielectric constant and the coefficient of linear thermal expansion of the cured product of the resin composition can be reduced, or the mechanical strength of the cured product can be increased.

(D)熱可塑性樹脂を使用する場合、樹脂組成物における(D)熱可塑性樹脂の量は、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.1質量%以上、より好ましくは0.5質量%以上、さらに好ましくは1質量%以上であり、好ましくは15質量%以下、より好ましくは12質量%以下、さらに好ましくは10質量%以下である。(D)熱可塑性樹脂の量が前記範囲にある場合、プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高めることができる。さらに、通常は、樹脂組成物の硬化物の誘電率及び線熱膨張係数を小さくしたり、硬化物の機械強度を高めたりできる。 When the (D) thermoplastic resin is used, the amount of the (D) thermoplastic resin in the resin composition is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.1% by mass, based on 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. Is 0.5% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, preferably 15% by mass or less, more preferably 12% by mass or less, still more preferably 10% by mass or less. (D) When the amount of the thermoplastic resin is in the above range, the process resistance and the blister resistance can be effectively enhanced. Further, usually, the dielectric constant and the coefficient of linear thermal expansion of the cured product of the resin composition can be reduced, or the mechanical strength of the cured product can be increased.

[6.(E)成分:硬化促進剤]
樹脂組成物は、上述した成分の他に、更に任意の成分として(E)硬化促進剤を含んでいてもよい。
[6. (E) Ingredient: Curing accelerator]
In addition to the above-mentioned components, the resin composition may further contain (E) a curing accelerator as an arbitrary component.

(E)硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられる。中でも、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the (E) curing accelerator include phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, guanidine-based curing accelerators, and metal-based curing accelerators. Of these, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, and metal-based curing accelerators are preferable, and amine-based curing accelerators are more preferable. The curing accelerator may be used alone or in combination of two or more.

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、n-ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、(4-メチルフェニル)トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。 Examples of the phosphorus-based curing accelerator include triphenylphosphine, phosphonium borate compound, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, and (4-methylphenyl) triphenylphosphonium thiocyanate. , Tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate and the like, and triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate are preferable.

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、4-ジメチルアミノピリジン(DMAP)、ベンジルジメチルアミン、2,4,6,-トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、1,8-ジアザビシクロ(5,4,0)-ウンデセン等が挙げられ、4-ジメチルアミノピリジン、1,8-ジアザビシクロ(5,4,0)-ウンデセンが好ましい。 Examples of the amine-based curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine (DMAP), benzyldimethylamine, 2,4,6, -tris (dimethylaminomethyl) phenol, 1, Examples thereof include 8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene, and 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene are preferable.

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、2-メチルイミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-ウンデシルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-エチル-4’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加物、2-フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2,3-ジヒドロ-1H-ピロロ[1,2-a]ベンズイミダゾール、1-ドデシル-2-メチル-3-ベンジルイミダゾリウムクロライド、2-メチルイミダゾリン、2-フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾールが好ましい。 Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, and the like. 2-Ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-Cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl- 2-Phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecyl Imidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2,4- Diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2- Phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline Examples thereof include imidazole compounds such as 2-phenylimidazolin and adducts of the imidazole compound and an epoxy resin, and 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable.

イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱ケミカル社製の「P200-H50」等が挙げられる。 As the imidazole-based curing accelerator, a commercially available product may be used, and examples thereof include "P200-H50" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、1-メチルグアニジン、1-エチルグアニジン、1-シクロヘキシルグアニジン、1-フェニルグアニジン、1-(o-トリル)グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デカ-5-エン、7-メチル-1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デカ-5-エン、1-メチルビグアニド、1-エチルビグアニド、1-n-ブチルビグアニド、1-n-オクタデシルビグアニド、1,1-ジメチルビグアニド、1,1-ジエチルビグアニド、1-シクロヘキシルビグアニド、1-アリルビグアニド、1-フェニルビグアニド、1-(o-トリル)ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デカ-5-エンが好ましい。 Examples of the guanidine-based curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine, and trimethylguanidine. Tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] Deca-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylviguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1,1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1 -Allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1- (o-tolyl) biguanide and the like can be mentioned, with dicyandiamide and 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene being preferred.

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト(II)アセチルアセトナート、コバルト(III)アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅(II)アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛(II)アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄(III)アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル(II)アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン(II)アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。 Examples of the metal-based curing accelerator include organic metal complexes or organic metal salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin. Specific examples of the organometallic complex include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate. Examples thereof include an organic zinc complex such as iron (III) acetylacetonate, an organic nickel complex such as nickel (II) acetylacetonate, and an organic manganese complex such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organic metal salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, zinc stearate and the like.

(E)硬化促進剤を使用する場合、樹脂組成物における(E)硬化促進剤の量は、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.01質量%以上、より好ましくは0.05質量%以上、さらに好ましくは0.1質量%以上であり、好ましくは3質量%以下、より好ましくは2質量%以下、さらに好ましくは1.5質量%以下である。(E)硬化促進剤の量が前記範囲にある場合、プロセス耐性及びブリスター耐性を効果的に高めることができる。さらに、通常は、樹脂組成物の硬化物の誘電率及び線熱膨張係数を小さくしたり、硬化物の機械強度を高めたりできる。 When the (E) curing accelerator is used, the amount of the (E) curing accelerator in the resin composition is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.01% by mass, based on 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. Is 0.05% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, preferably 3% by mass or less, more preferably 2% by mass or less, still more preferably 1.5% by mass or less. (E) When the amount of the curing accelerator is in the above range, process resistance and blister resistance can be effectively enhanced. Further, usually, the dielectric constant and the coefficient of linear thermal expansion of the cured product of the resin composition can be reduced, or the mechanical strength of the cured product can be increased.

[7.(F)成分:マレイミド化合物]
樹脂組成物は、上述した成分の他に、更に任意の成分として(F)マレイミド化合物を含んでいてもよい。(F)マレイミド化合物は、下記式(F1)で表されるマレイミド基を分子中に含有する化合物である。(F)マレイミド化合物を用いることにより、樹脂組成物の硬化物の耐熱性を高めることが出来る。
[7. (F) component: maleimide compound]
The resin composition may further contain the (F) maleimide compound as an arbitrary component in addition to the above-mentioned components. The (F) maleimide compound is a compound containing a maleimide group represented by the following formula (F1) in the molecule. (F) By using the maleimide compound, the heat resistance of the cured product of the resin composition can be enhanced.

Figure 0007020378000002
Figure 0007020378000002

(F)マレイミド化合物としては、例えば、4,4’-ジフェニルメタンビスマレイミド、ポリフェニルメタンマレイミド、フェニレンビスマレイミド、ビスフェノールAジフェニルエーテルビスマレイミド、3,3’-ジメチル-5,5’-ジエチル-4,4’-ジフェニルメタンビスマレイミド、4-メチル-1,3-フェニレンビスマレイミド、1,6’-ビスマレイミド-(2,2,4-トリメチル)ヘキサン、4,4’-ジフェニルエーテルビスマレイミド、4,4’-ジフェニルスルフォンビスマレイミド、1,3-ビス(3-マレイミドフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-マレイミドフェノキシ)ベンゼンなどが挙げられる。 Examples of the maleimide compound (F) include 4,4'-diphenylmethanebismaleimide, polyphenylmethanemaleimide, phenylene bismaleimide, bisphenol A diphenyl ether bismaleimide, 3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4, 4'-diphenylmethane bismaleimide, 4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide, 1,6'-bismaleimide- (2,2,4-trimethyl) hexane, 4,4'-diphenyl ether bismaleimide, 4,4 '-Diphenylsulphonbismaleimide, 1,3-bis (3-maleimidephenoxy) benzene, 1,3-bis (4-maleimidephenoxy) benzene and the like can be mentioned.

(F)マレイミド化合物の具体例としては、大和化成工業社製「BMI-1000」、ケイ・アイ化成社製「BMI」(4,4’-ジフェニルメタンビスマレイミド);大和化成工業社製「BMI-2000」(ポリフェニルメタンマレイミド);大和化成工業社製「BMI-3000」(m-フェニレンビスマレイミド);大和化成工業社製「BMI4000」、ケイ・アイ化成社製「BMI-80」(ビスフェノール A ジフェニルエーテルビスマレイミド);大和化成工業社製「BMI5100」、ケイ・アイ化成社製「BMI-70」(3,3’-ジメチル-5,5’-ジエチル-4,4’-ジフェニルメタンビスマレイミド);大和化成工業社製「BMI-7000」(4-メチル-1,3-フェニレンビスマレイミド);大和化成工業社製「BMI-TMH」(1,6’-ビスマレイミド-(2,2,4-トリメチル)ヘキサン);大和化成工業社製「BMI-6000」(4,4’-ジフェニルエーテルビスマレイミド);大和化成工業社製「BMI-8000」(4,4’-ジフェニルスルフォンビスマレイミド);大和化成工業社製の1,3-ビス(3-マレイミドフェノキシ)ベンゼン;大和化成工業社製の1,3-ビス(4-マレイミドフェノキシ)ベンゼン;三井化学ファイン社製「ANILIX-MI」;等が挙げられる。(F)マレイミド化合物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 (F) Specific examples of the maleimide compound include "BMI-1000" manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd., "BMI" manufactured by KI Kasei Co., Ltd. (4,4'-diphenylmethanebismaleimide); "BMI-" manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd. 2000 ”(polyphenylmethane maleimide); Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd.“ BMI-3000 ”(m-phenylene bismaleimide); Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd.“ BMI 4000 ”, Keiai Kasei Co., Ltd.“ BMI-80 ”(bisphenol A) Diphenyl ether bismaleimide); "BMI5100" manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd., "BMI-70" manufactured by KI Kasei Co., Ltd. (3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethanebismaleimide); Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd. "BMI-7000" (4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide); Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd. "BMI-TMH" (1,6'-bismaleimide- (2,2,4-) Trimethyl) hexane); Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd. "BMI-6000" (4,4'-diphenyl ether bismaleimide); Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd. "BMI-8000" (4,4'-diphenylsulphon bismaleimide); 1,3-Bis (3-maleimidephenoxy) benzene manufactured by Kogyo Co., Ltd .; 1,3-bis (4-maleimidephenoxy) benzene manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd .; "ANILIX-MI" manufactured by Mitsui Kagaku Fine Co., Ltd .; etc. Be done. (F) The maleimide compound may be used alone or in combination of two or more.

樹脂組成物における(F)マレイミド化合物の量は、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは1質量%以上、より好ましくは3質量%以上、特に好ましくは5質量%以上であり、好ましくは20質量%以下、より好ましくは15質量%以下、特に好ましくは10質量%以下である。(F)マレイミド化合物の量が前記の範囲にあることにより、樹脂組成物の硬化物の耐熱性を高めることが出来る。 The amount of the (F) maleimide compound in the resin composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, and particularly preferably 5% by mass or more with respect to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. It is preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, and particularly preferably 10% by mass or less. (F) When the amount of the maleimide compound is within the above range, the heat resistance of the cured product of the resin composition can be enhanced.

[8.(G)成分:フォスファゼン化合物]
樹脂組成物は、上述した成分の他に、更に任意の成分として(G)フォスファゼン化合物を含んでいてもよい。フォスファゼン化合物は、-P=N-で表される構造単位を含む化合物をいう。(G)フォスファゼン化合物としては、例えば、-P=N-で表される構造単位からなる環状構造を有するシクロフォスファゼン化合物、-P=N-で表される構造単位からなる鎖状構造を有するポリフォスファゼン化合物等が挙げられる。中でも、シクロフォスファゼン化合物が好ましく、フェノール性水酸基を有するシクロフォスファゼン化合物が特に好ましい。(G)フォスファゼン化合物を用いることにより、樹脂組成物の硬化物の弾性率を低くして、絶縁層の機械的強度を向上させることができる。また、(G)フォスファゼン化合物を用いることにより、通常は、絶縁層の難燃性を向上させることができる。
[8. (G) Ingredient: Phosphazen compound]
The resin composition may further contain the (G) phosphazene compound as an arbitrary component in addition to the above-mentioned components. The phosphazen compound refers to a compound containing a structural unit represented by -P = N-. Examples of the (G) polyphosphazene compound include a cyclophosphazene compound having a cyclic structure composed of a structural unit represented by −P = N— and a chain structure composed of a structural unit represented by −P = N−. Examples thereof include polyphosphazene compounds having. Among them, a cyclophosphazen compound is preferable, and a cyclophosphazen compound having a phenolic hydroxyl group is particularly preferable. By using the (G) phosphazene compound, the elastic modulus of the cured product of the resin composition can be lowered and the mechanical strength of the insulating layer can be improved. Further, by using the (G) phosphazene compound, the flame retardancy of the insulating layer can usually be improved.

(G)フォスファゼン化合物の具体例としては、例えば、大塚化学社製の「SPH-100」、「SPS-100」、「SPB-100」「SPE-100」;伏見製薬所社製の「FP-100」、「FP-110」、「FP-300」、「FP-390」、「FP-400」等が挙げられる。(G)フォスファゼン化合物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of the (G) phosphazen compound include, for example, "SPH-100", "SPS-100", "SPB-100" and "SPE-100" manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd .; "FP-" manufactured by Fushimi Pharmaceutical Co., Ltd. 100 ”,“ FP-110 ”,“ FP-300 ”,“ FP-390 ”,“ FP-400 ”and the like. As the (G) phosphazene compound, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

樹脂組成物における(G)フォスファゼン化合物の量は、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.1質量%以上、より好ましくは0.5質量%以上、特に好ましくは1質量%以上であり、好ましくは5質量%以下、より好ましくは4質量%以下、特に好ましくは3質量%以下である。(G)フォスファゼン化合物の量が前記の範囲にあることにより、樹脂組成物の硬化物の弾性率を効果的に低くできる。 The amount of the (G) phosphazene compound in the resin composition is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, and particularly preferably 1 with respect to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. It is 5% by mass or more, preferably 5% by mass or less, more preferably 4% by mass or less, and particularly preferably 3% by mass or less. When the amount of the (G) phosphazene compound is in the above range, the elastic modulus of the cured product of the resin composition can be effectively lowered.

[9.(H)成分:ラジカル重合性化合物]
樹脂組成物は、上述した成分の他に、更に任意の成分として(H)ラジカル重合性化合物を含んでいてもよい。(H)ラジカル重合性化合物は、通常、エチレン性二重結合を有する。そして、例えば活性エネルギー線の照射によって重合反応を生じることができる。(H)ラジカル重合性化合物を用いることにより、樹脂組成物の硬化物の弾性率を低くして、絶縁層の機械的強度を向上させることができる。さらに、通常は、樹脂組成物の硬化物の誘電正接を低くできる。
[9. (H) component: radically polymerizable compound]
The resin composition may further contain (H) a radically polymerizable compound as an arbitrary component in addition to the above-mentioned components. (H) The radically polymerizable compound usually has an ethylenic double bond. Then, for example, the polymerization reaction can be caused by irradiation with active energy rays. By using the (H) radically polymerizable compound, the elastic modulus of the cured product of the resin composition can be lowered and the mechanical strength of the insulating layer can be improved. Further, usually, the dielectric loss tangent of the cured product of the resin composition can be lowered.

(H)ラジカル重合性化合物は、通常、エチレン性二重結合を含むラジカル重合性不飽和基を分子中に含む。このラジカル重合性不飽和基としては、例えば、ビニル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、及びメタクリロイル基、マレイミド基、フマロイル基、マレオイル基が挙げられる。(H)ラジカル重合性化合物は、1分子あたり2個以上のラジカル重合性不飽和基を有することが好ましい。また、(H)ラジカル重合性化合物は、脂環式構造及び芳香環構造等の環状構造を分子中に含むことが好ましい。 (H) The radically polymerizable compound usually contains a radically polymerizable unsaturated group containing an ethylenically double bond in the molecule. Examples of the radically polymerizable unsaturated group include a vinyl group, a vinylphenyl group, an acryloyl group, and a methacryloyl group, a maleimide group, a fumaroyl group, and a maleoil group. (H) The radically polymerizable compound preferably has two or more radically polymerizable unsaturated groups per molecule. Further, the (H) radically polymerizable compound preferably contains a cyclic structure such as an alicyclic structure and an aromatic ring structure in the molecule.

(H)ラジカル重合性化合物としては、例えば、下記に示す化合物が挙げられる。 Examples of the radically polymerizable compound (H) include the compounds shown below.

Figure 0007020378000003
Figure 0007020378000003

(n1及びm1は、0~300の整数を表す。但し、n1及びm1の一方が0である場合を除く。n1及びm1としては、1~100の整数を表すことが好ましく、1~50の整数を表すことがより好ましく、1~10の整数を表すことがさらに好ましい。n1及びm1は同じであってもよく、異なっていてもよい。) (N1 and m1 represent an integer of 0 to 300. However, except when one of n1 and m1 is 0. As n1 and m1, it is preferable to represent an integer of 1 to 100. It is more preferable to represent an integer, and even more preferably to represent an integer of 1 to 10. n1 and m1 may be the same or different.)

(H)ラジカル重合性化合物の具体例としては、三菱ガス化学社製の「OPE-2St」、「OPE-2St 1200」、新中村化学工業社製の「A-DOG」、共栄社化学社製の「DCP-A」等が挙げられる。(H)ラジカル重合性化合物は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of the (H) radically polymerizable compound include "OPE-2St" and "OPE-2St 1200" manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, "A-DOG" manufactured by Shin Nakamura Chemical Industry Co., Ltd., and "A-DOG" manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd. Examples thereof include "DCP-A". (H) The radically polymerizable compound may be used alone or in combination of two or more.

(H)ラジカル重合性化合物の数平均分子量は、好ましくは3000以下、より好ましくは2500以下、さらに好ましくは2000以下、1500以下である。下限は、好ましくは100以上、より好ましくは300以上、さらに好ましくは500以上、1000以上である。数平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。 The number average molecular weight of the radically polymerizable compound (H) is preferably 3000 or less, more preferably 2500 or less, still more preferably 2000 or less and 1500 or less. The lower limit is preferably 100 or more, more preferably 300 or more, still more preferably 500 or more, and 1000 or more. The number average molecular weight is a polystyrene-equivalent number average molecular weight measured using gel permeation chromatography (GPC).

樹脂組成物における(H)ラジカル重合性化合物の量は、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは1質量%以上、より好ましくは3質量%以上、特に好ましくは5質量%以上であり、好ましくは20質量%以下、より好ましくは15質量%以下、特に好ましくは10質量%以下である。(H)ラジカル重合性化合物の量が前記の範囲にあることにより、樹脂組成物の硬化物の弾性率を効果的に低くできる。 The amount of the (H) radically polymerizable compound in the resin composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, and particularly preferably 5% by mass with respect to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. The above is preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, and particularly preferably 10% by mass or less. (H) When the amount of the radically polymerizable compound is in the above range, the elastic modulus of the cured product of the resin composition can be effectively lowered.

[10.(I)成分:重合開始剤]
樹脂組成物は、上述した成分の他に、更に任意の成分として(I)重合開始剤を含んでいてもよい。(I)重合開始剤は、(H)ラジカル重合性化合物の重合を促進させる機能を有する。
[10. (I) Ingredient: Polymerization Initiator]
In addition to the above-mentioned components, the resin composition may further contain (I) a polymerization initiator as an arbitrary component. The (I) polymerization initiator has a function of accelerating the polymerization of the (H) radically polymerizable compound.

(I)重合開始剤としては、例えば、t-ブチルクミルパーオキシド、t-ブチルパーオキシアセテート、α,α’-ジ(t-ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、t-ブチルパーオキシラウレート、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエートt-ブチルパーオキシネオデカノエート、t-ブチルパーオキシベンゾエート等の過酸化物が挙げられる。 (I) Examples of the polymerization initiator include t-butylcumyl peroxide, t-butylperoxyacetate, α, α'-di (t-butylperoxy) diisopropylbenzene, t-butylperoxylaurate, and t. Examples thereof include peroxides such as -butylperoxy-2-ethylhexanoate t-butylperoxyneodecanoate and t-butylperoxybenzoate.

(I)重合開始剤の具体例としては、日油社製の「パーブチルC」、「パーブチルA」、「パーブチルP」、「パーブチルL」、「パーブチルO」、「パーブチルND」、「パーブチルZ」、「パークミルP」、「パークミルD」等が挙げられる。(I)重合開始剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 (I) Specific examples of the polymerization initiator include "Perbutyl C", "Perbutyl A", "Perbutyl P", "Perbutyl L", "Perbutyl O", "Perbutyl ND", and "Perbutyl Z" manufactured by NOF CORPORATION. , "Park Mill P", "Park Mill D" and the like. (I) The polymerization initiator may be used alone or in combination of two or more.

樹脂組成物における(I)重合開始剤の量は、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.01質量%以上、より好ましくは0.05質量%以上、さらに好ましくは0.1質量%以上であり、好ましくは1質量%以下、より好ましくは0.5質量%以下、さらに好ましくは0.3質量%以下である。 The amount of the (I) polymerization initiator in the resin composition is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, still more preferably 0.05% by mass, based on 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. It is 0.1% by mass or more, preferably 1% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or less, and further preferably 0.3% by mass or less.

[11.(J)成分:(C)中空無機粒子以外の無機充填材]
樹脂組成物は、上述した成分の他に、更に任意の成分として(J)無機充填材を含んでいてもよい。ただし、この(J)無機充填材には、上述した(C)中空無機粒子を含めない。
[11. (J) Component: (C) Inorganic filler other than hollow inorganic particles]
The resin composition may further contain (J) an inorganic filler as an arbitrary component in addition to the above-mentioned components. However, this (J) inorganic filler does not include the above-mentioned (C) hollow inorganic particles.

(J)無機充填材としては、無機材料で形成した任意の粒子を用いうる。無機材料の例としては、例えば、(C)中空無機粒子の材料として例示した無機材料を任意に用いうる。また、(J)無機充填材は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 (J) As the inorganic filler, any particles formed of the inorganic material can be used. As an example of the inorganic material, for example, the inorganic material exemplified as the material of (C) hollow inorganic particles can be arbitrarily used. Further, as the (J) inorganic filler, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

(J)無機充填材の平均粒径は、特段の制限は無い。具体的な平均粒径は、好ましくは0.01μm以上、より好ましくは0.05μm以上、特に好ましくは0.1μm以上であり、好ましくは10μm以下、より好ましくは5μm以下、特に好ましくは1μm以下である。(J)無機充填材の平均粒径は、(C)中空無機粒子の平均粒径と同様の方法によって測定できる。 (J) The average particle size of the inorganic filler is not particularly limited. The specific average particle size is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, particularly preferably 0.1 μm or more, preferably 10 μm or less, more preferably 5 μm or less, and particularly preferably 1 μm or less. be. The average particle size of (J) the inorganic filler can be measured by the same method as (C) the average particle size of the hollow inorganic particles.

(J)無機充填材の比表面積は、(C)中空無機粒子の比表面積と同じ範囲にありうる。(J)無機充填材の比表面積は、(C)中空無機粒子の比表面積と同様の方法で測定できる。 The specific surface area of the (J) inorganic filler may be in the same range as the specific surface area of the (C) hollow inorganic particles. (J) The specific surface area of the inorganic filler can be measured by the same method as (C) the specific surface area of the hollow inorganic particles.

(J)無機充填材は、(C)中空無機粒子と同じく、表面処理剤で処理されていてもよい。表面処理剤の例、及び、表面処理の程度は、(C)中空無機粒子と同様でありうる。 The (J) inorganic filler may be treated with a surface treatment agent in the same manner as the (C) hollow inorganic particles. The example of the surface treatment agent and the degree of surface treatment may be the same as those of (C) hollow inorganic particles.

樹脂組成物における(J)無機充填材の量は、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは5質量%以上、より好ましくは10質量%以上、特に好ましくは15質量%以上であり、好ましくは50質量%以下、より好ましくは40質量%以下、特に好ましくは35質量%以下である。 The amount of the (J) inorganic filler in the resin composition is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, and particularly preferably 15% by mass or more with respect to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. It is preferably 50% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, and particularly preferably 35% by mass or less.

[12.(K)成分:有機充填材]
樹脂組成物は、上述した成分の他に、更に任意の成分として(K)有機充填材を含んでいてもよい。(K)有機充填材の種類に制限は無い。また、(K)有機充填材は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
[12. (K) component: organic filler]
In addition to the above-mentioned components, the resin composition may further contain (K) an organic filler as an arbitrary component. (K) There is no limitation on the type of organic filler. Further, as the (K) organic filler, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

(K)有機充填材としては、樹脂組成物の反りを抑制する観点では、ゴム粒子が好ましい。ゴム粒子は、樹脂組成物を調製する際の有機溶剤に溶解せず、樹脂組成物中の樹脂成分とも相溶せず、樹脂組成物のワニス中では分散状態で存在するものが好ましい。樹脂組成物の樹脂成分とは、樹脂組成物に含まれる不揮発成分のうち、(C)中空無機粒子及び(J)無機充填材以外の成分をいう。このようなゴム粒子としては、例えば、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリルニトリルブタジエンゴム(NBR)粒子、架橋スチレンブタジエンゴム(SBR)粒子、アクリルゴム粒子などが挙げられる。中でも、硬化物の反りの抑制、及び現像性を向上させる観点から、コアシェル型ゴム粒子が好ましい。 As the (K) organic filler, rubber particles are preferable from the viewpoint of suppressing warpage of the resin composition. It is preferable that the rubber particles do not dissolve in the organic solvent used when preparing the resin composition, do not dissolve in the resin component in the resin composition, and exist in a dispersed state in the varnish of the resin composition. The resin component of the resin composition refers to a component other than (C) hollow inorganic particles and (J) inorganic filler among the non-volatile components contained in the resin composition. Examples of such rubber particles include core-shell type rubber particles, crosslinked acrylic nitrile butadiene rubber (NBR) particles, crosslinked styrene butadiene rubber (SBR) particles, acrylic rubber particles, and the like. Of these, core-shell type rubber particles are preferable from the viewpoint of suppressing warpage of the cured product and improving developability.

コアシェル型ゴム粒子は、当該粒子の表面にあるシェル層と、そのシェル層の内部にあるコア層とを含むゴム粒子であり、シェル層とコア層との間に中間層を含んでいてもよい。コアシェル型ゴム粒子としては、例えば、ガラス状ポリマーで形成されたシェル層と、ゴム状ポリマーで形成されるコア層とを含むコアシェル型ゴム粒子;ガラス状ポリマーで形成されたシェル層と、ゴム状ポリマーで形成された中間層と、ガラス状ポリマーで形成されたコア層とを含むコアシェル型ゴム粒子;等が挙げられる。ガラス状ポリマーとしては、例えば、メタクリル酸メチルの重合物等が挙げられ、ゴム状ポリマーとしては、例えば、ブチルアクリレート重合物(ブチルゴム)等が挙げられる。コアシェル型ゴム粒子の具体例としては、アイカ工業社製のスタフィロイド「AC3832」、「AC3816N」、三菱ケミカル社製の「メタブレンKW-4426」等が挙げられる。 The core-shell type rubber particles are rubber particles including a shell layer on the surface of the particles and a core layer inside the shell layer, and may include an intermediate layer between the shell layer and the core layer. .. Examples of the core-shell type rubber particles include core-shell type rubber particles including a shell layer formed of a glass-like polymer and a core layer formed of a rubber-like polymer; a shell layer formed of a glass-like polymer and a rubber-like material. Core-shell type rubber particles including an intermediate layer formed of a polymer and a core layer formed of a glassy polymer; and the like. Examples of the glassy polymer include a polymer of methyl methacrylate and the like, and examples of the rubbery polymer include a butyl acrylate polymer (butyl rubber) and the like. Specific examples of the core-shell type rubber particles include stafyroids "AC3832" and "AC3816N" manufactured by Aica Kogyo Co., Ltd., "Metabrene KW-4426" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, and the like.

(K)有機充填材の平均粒径は、(J)無機充填材の平均粒径と同様の範囲にありうる。また、(K)有機充填材の平均粒径は、(C)中空無機粒子の平均粒径と同じ方法で測定できる。 The average particle size of the (K) organic filler may be in the same range as the average particle size of the (J) inorganic filler. Further, the average particle size of (K) the organic filler can be measured by the same method as (C) the average particle size of the hollow inorganic particles.

樹脂組成物における(K)有機充填材の量は、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.3質量%以上、より好ましくは0.5質量%以上、さらに好ましくは1質量%以上であり、好ましくは10質量%以下、より好ましくは5質量%以下、さらに好ましくは3質量%以下である。 The amount of the (K) organic filler in the resin composition is preferably 0.3% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, still more preferably 0.5% by mass, based on 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. It is 1% by mass or more, preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, and further preferably 3% by mass or less.

[13.(L)成分:難燃剤]
樹脂組成物は、上述した成分の他に、更に任意の成分として(L)難燃剤を含んでいてもよい。ただし、この(L)難燃剤には、上述した(G)フォスファゼン化合物を含めない。(L)難燃剤を用いることにより、樹脂組成物の硬化物の難燃性を高めることができる。
[13. (L) component: flame retardant]
The resin composition may further contain (L) a flame retardant as an arbitrary component in addition to the above-mentioned components. However, this (L) flame retardant does not include the above-mentioned (G) phosphazene compound. (L) By using a flame retardant, the flame retardancy of the cured product of the resin composition can be enhanced.

(L)難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。(L)難燃剤の具体例としては、三光社製の「HCA-HQ」、大八化学工業社製の「PX-200」等が挙げられる。また、難燃剤としては、加水分解しにくいものが好ましく、例えば、10-(2,5-ジヒドロキシフェニル)-10-ヒドロ-9-オキサ-10-フォスファフェナンスレン-10-オキサイド等が好ましい。(L)難燃剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the flame retardant (L) include an organic phosphorus flame retardant, an organic nitrogen-containing phosphorus compound, a nitrogen compound, a silicone flame retardant, and a metal hydroxide. Specific examples of the (L) flame retardant include "HCA-HQ" manufactured by Sanko Co., Ltd., "PX-200" manufactured by Daihachi Chemical Industry Co., Ltd., and the like. Further, as the flame retardant, one that is hard to be hydrolyzed is preferable, and for example, 10- (2,5-dihydroxyphenyl) -10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide and the like are preferable. .. (L) The flame retardant may be used alone or in combination of two or more.

樹脂組成物における(L)難燃剤の量は、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.3質量%以上、より好ましくは0.5質量%以上、さらに好ましくは1.0質量%以上であり、好ましくは5質量%以下、より好ましくは4質量%以下、さらに好ましくは3質量%以下である。 The amount of the flame retardant (L) in the resin composition is preferably 0.3% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, still more preferably 1 with respect to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. It is 0.0% by mass or more, preferably 5% by mass or less, more preferably 4% by mass or less, and further preferably 3% by mass or less.

[14.(M)成分:その他の任意成分]
樹脂組成物は、上述した成分の他に、更に任意の添加剤を含んでいてもよい。このような添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物;増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、着色剤、界面活性剤等の樹脂添加剤;などが挙げられる。これらの添加剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
[14. (M) component: other optional components]
The resin composition may further contain any additive in addition to the above-mentioned components. Examples of such additives include organometallic compounds such as organocopper compounds, organozinc compounds and organocobalt compounds; thickeners, defoamers, leveling agents, adhesion-imparting agents, colorants, surfactants and the like. Resin additives; etc. These additives may be used alone or in combination of two or more.

[15.効果を特に有効活用できる組成の条件]
樹脂組成物に含まれる液状成分の量は、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは3質量%以上、より好ましくは6質量%以上、特に好ましくは10質量%以上である。前記の「液状成分」とは、樹脂組成物中の不揮発成分のうち、常圧下20℃において液状の成分をいう。本発明者の検討によれば、従来の樹脂組成物は、液状成分を多く含むほど、その樹脂組成物から製造される絶縁層はブリスターを生じ易いことが判明している。これに対し、上述した樹脂組成物は、そのようにブリスターが生じ易い組成を有していても、ブリスターの発生を抑制できる。よって、ブリスター耐性を向上させられるとの効果を有効に活用する観点では、本実施形態に係る樹脂組成物は従来ブリスターが生じ易かった組成を有することが好ましく、具体的には、前記の量の液状成分を含むことが好ましい。液状成分の量の上限は、特段の制限は無く、例えば、60質量%以下、50質量%以下、40質量%以下、30質量%以下などでありうる。
[15. Conditions of composition that can make effective use of the effect]
The amount of the liquid component contained in the resin composition is preferably 3% by mass or more, more preferably 6% by mass or more, and particularly preferably 10% by mass or more, based on 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. .. The above-mentioned "liquid component" refers to a non-volatile component in a resin composition that is liquid at 20 ° C. under normal pressure. According to the study of the present inventor, it has been found that the more the liquid component is contained in the conventional resin composition, the more likely the insulating layer produced from the resin composition is to generate blisters. On the other hand, the above-mentioned resin composition can suppress the generation of blisters even if it has such a composition in which blisters are likely to occur. Therefore, from the viewpoint of effectively utilizing the effect of improving the blister resistance, the resin composition according to the present embodiment preferably has a composition in which blister is likely to occur in the past, and specifically, the above-mentioned amount. It preferably contains a liquid component. The upper limit of the amount of the liquid component is not particularly limited and may be, for example, 60% by mass or less, 50% by mass or less, 40% by mass or less, 30% by mass or less.

[16.樹脂組成物の製造方法]
上述した樹脂組成物は、例えば、配合成分を、回転ミキサーなどの撹拌装置を用いて撹拌し、均一に分散させることにより製造できる。撹拌は、樹脂組成物が有機溶剤を含む状態で行ってもよい。上述した樹脂組成物によれば、このような撹拌による(C)中空無機粒子の割れを抑制できる。
[16. Method for manufacturing resin composition]
The above-mentioned resin composition can be produced, for example, by stirring the compounding components using a stirring device such as a rotary mixer and uniformly dispersing them. Stirring may be performed in a state where the resin composition contains an organic solvent. According to the resin composition described above, cracking of the hollow inorganic particles (C) due to such stirring can be suppressed.

[17.樹脂組成物の特性]
上述した樹脂組成物は、プロセス耐性に優れる。よって、この樹脂組成物は、当該樹脂組成物を製造する過程において(C)中空無機粒子の割れを抑制できる。したがって、樹脂組成物は、割れた(C)中空無機粒子の割合を少なくでき、好ましくは割れた(C)中空無機粒子を含まない。
[17. Characteristics of resin composition]
The above-mentioned resin composition has excellent process resistance. Therefore, this resin composition can suppress the cracking of (C) hollow inorganic particles in the process of producing the resin composition. Therefore, the resin composition can reduce the proportion of the cracked (C) hollow inorganic particles, and preferably does not contain the cracked (C) hollow inorganic particles.

さらに、上述した樹脂組成物は、プロセス耐性に優れるので、当該樹脂組成物を用いて絶縁層を製造するまでの過程において、(C)中空無機粒子の割れを抑制できる。したがって、この樹脂組成物の硬化物で形成される絶縁層は、割れた(C)中空無機粒子の割合を少なくでき、好ましくは割れた(C)中空無機粒子を含まない。 Further, since the above-mentioned resin composition has excellent process resistance, cracking of (C) hollow inorganic particles can be suppressed in the process of producing an insulating layer using the resin composition. Therefore, the insulating layer formed of the cured product of this resin composition can reduce the proportion of the cracked (C) hollow inorganic particles, and preferably does not contain the cracked (C) hollow inorganic particles.

一実施形態において、上述した樹脂組成物を、ホモミキサー(プライミクス社製「T.K. Agi-Homo-Mixer」)中で撹拌する。この撹拌は、ホモミキサーを7000rpmで30分間回転させて行う。こうして撹拌した樹脂組成物を、基材上に塗布し、乾燥させ樹脂フィルムとし、その後、200℃で90分間加熱して硬化させて、硬化物を得る。この硬化物において、割れた(C)中空無機粒子を無くすことができる。割れた(C)中空無機粒子の有無は、FIB-SEM複合装置を用いて、断面観察(観察幅30μm、観察倍率9,000倍)を行うことで確認できる。前記のプロセス耐性の評価の具体的な操作は、実施例の[中空粒子のプロセス耐性評価]に記載の方法を採用できる。 In one embodiment, the above-mentioned resin composition is stirred in a homomixer (“TK Agi-Homo-Mixer” manufactured by Primix Corporation). This stirring is performed by rotating the homomixer at 7000 rpm for 30 minutes. The resin composition thus stirred is applied onto a substrate, dried to form a resin film, and then heated at 200 ° C. for 90 minutes to be cured to obtain a cured product. In this cured product, the cracked (C) hollow inorganic particles can be eliminated. The presence or absence of the cracked (C) hollow inorganic particles can be confirmed by observing the cross section (observation width 30 μm, observation magnification 9,000 times) using the FIB-SEM composite device. As the specific operation of the process resistance evaluation described above, the method described in [Process resistance evaluation of hollow particles] of Examples can be adopted.

上述した樹脂組成物は、ブリスター耐性に優れる。よって、この樹脂組成物を用いることにより、リフロー時のブリスターを抑制できる絶縁層を得ることができる。 The above-mentioned resin composition has excellent blister resistance. Therefore, by using this resin composition, it is possible to obtain an insulating layer capable of suppressing blisters during reflow.

一実施形態において、内層基板上に、樹脂組成物を含む樹脂組成物層を形成する。その後、樹脂組成物層を180℃で30分加熱して硬化させて、硬化物で形成された絶縁層を得る。この絶縁層の表面に、膨潤液に60℃で5分間浸漬すること、粗化液に80℃で15分間浸漬すること、及び、中和液に40℃で5分間浸漬することを含む粗化処理を行う。その後、絶縁層の表面に、セミアディティブ工法によってメッキ導体層を形成して、評価用基板を得る。この評価用基板を、ピーク温度260℃の半田リフロー温度を再現するリフロー装置(日本アントム社製「HAS-6116」)に5回通す試験を行う(リフロー温度プロファイルは、IPC/JEDEC J-STD-020Cに準拠)。このような試験を行った場合に、導体層のふくれを抑制できる。例えば、前記の試験を5つの絶縁層のサンプルについて行った場合に、膨れが発生するサンプルの数を、好ましくは2以下、より好ましくはゼロにできる。前記のブリスター耐性の評価の具体的な操作は、実施例の[ブリスター耐性の評価]に記載の方法を採用できる。 In one embodiment, a resin composition layer containing the resin composition is formed on the inner layer substrate. Then, the resin composition layer is heated at 180 ° C. for 30 minutes to be cured to obtain an insulating layer formed of the cured product. The surface of the insulating layer is roughened by immersing it in a swelling solution at 60 ° C. for 5 minutes, immersing it in a roughening solution at 80 ° C. for 15 minutes, and immersing it in a neutralizing solution at 40 ° C. for 5 minutes. Perform processing. Then, a plated conductor layer is formed on the surface of the insulating layer by a semi-additive method to obtain an evaluation substrate. A test is conducted in which this evaluation substrate is passed through a reflow device (“HAS-6116” manufactured by Antomu Japan, Inc.) that reproduces a solder reflow temperature with a peak temperature of 260 ° C. (the reflow temperature profile is IPC / JEDEC J-STD-). Compliant with 020C). When such a test is performed, the swelling of the conductor layer can be suppressed. For example, when the above test is performed on samples of five insulating layers, the number of samples in which swelling occurs can be preferably 2 or less, more preferably zero. As the specific operation of the above-mentioned evaluation of blister resistance, the method described in [Evaluation of blister resistance] of Examples can be adopted.

上述した樹脂組成物が優れたブリスター耐性及びプロセス耐性を達成できる仕組みは、下記の通りであると、本発明者は推察する。ただし、本発明の技術的範囲は、下記の仕組みに制限されない。 The present inventor presumes that the mechanism by which the above-mentioned resin composition can achieve excellent blister resistance and process resistance is as follows. However, the technical scope of the present invention is not limited to the following mechanism.

樹脂組成物が(C)中空無機粒子を含むことにより、樹脂組成物の硬化物で形成された絶縁層内には、中空部が形成される。この中空部は、熱の伝わりを抑制できるので、リフロー時の熱の侵入を抑制できる。よって、絶縁層に侵入する熱による樹脂の分解を抑制できるので、絶縁層からのガスの発生を抑制できる。したがって、このガスによって絶縁層上の導体層が押し上げられることを抑制できるので、ブリスターを抑制できる。 Since the resin composition contains (C) hollow inorganic particles, a hollow portion is formed in the insulating layer formed of the cured product of the resin composition. Since this hollow portion can suppress heat transfer, it is possible to suppress heat intrusion during reflow. Therefore, since the decomposition of the resin due to the heat entering the insulating layer can be suppressed, the generation of gas from the insulating layer can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the conductor layer on the insulating layer from being pushed up by this gas, so that blister can be suppressed.

ところが、一般に、中空部を有する中空粒子は、ミキサー等の分散装置によって分散させられる工程において衝撃を受け、割れ易い。そのため、中空粒子を含む従来の樹脂組成物は、プロセス耐性が低かったので、ブリスター耐性及びプロセス耐性の両方を良好にすることが困難であった。 However, in general, hollow particles having a hollow portion are subject to impact in a process of being dispersed by a dispersion device such as a mixer and are easily broken. Therefore, the conventional resin composition containing hollow particles has low process resistance, and it is difficult to improve both blister resistance and process resistance.

これに対し、要件(c1)を満たす(C)中空無機粒子の材料としての無機複合酸化物は、一般に、高い機械的強度を有する。よって、衝撃を受けても、破損し難い。他方、要件(c2)を満たす(C)中空無機粒子は、その粒子形状が小さいため、衝撃を受けた場合に、その径方向に対して交差する方向(表面方向等)に衝撃力を逃がすことができる。よって、径方向に伝わる衝撃力を小さくできる。一般に、中空粒子の外殻部は、径方向への衝撃力で割れ易く、径方向に対して交差する方向への衝撃力では割れ難い。したがって、(C)中空無機粒子は、衝撃力を受けても破損し難い。そのため、本実施形態に係る樹脂組成物では、(C)中空無機粒子の割れを抑制できるので、ブリスター耐性及びプロセス耐性の両方を良好にすることが可能である。 On the other hand, the inorganic composite oxide as the material of the hollow inorganic particles (C) satisfying the requirement (c1) generally has high mechanical strength. Therefore, even if it receives an impact, it is not easily damaged. On the other hand, since the hollow inorganic particles (C) satisfying the requirement (c2) have a small particle shape, when they receive an impact, the impact force should be released in a direction intersecting the radial direction (surface direction, etc.). Can be done. Therefore, the impact force transmitted in the radial direction can be reduced. In general, the outer shell portion of hollow particles is easily cracked by an impact force in the radial direction, and is difficult to crack by an impact force in a direction intersecting the radial direction. Therefore, the hollow inorganic particles (C) are not easily damaged even when subjected to an impact force. Therefore, in the resin composition according to the present embodiment, since the cracking of the hollow inorganic particles (C) can be suppressed, both the blister resistance and the process resistance can be improved.

上述した樹脂組成物の硬化物は、通常、誘電率を低くできる。よって、上述した樹脂組成物を用いることにより、誘電率の低い絶縁層を得ることができる。
一実施形態において、樹脂組成物を、乾燥させ、200℃で90分間加熱して硬化させて、硬化物を得る。この硬化物の比誘電率を、好ましくは3.0以下、より好ましくは2.9以下、更に好ましくは2.8以下、特に好ましくは2.6以下にできる。
硬化物の比誘電率は、長さ80mm、幅2mm、厚み40μmの硬化物からなる評価サンプルについて、分析装置(アジレントテクノロジーズ(Agilent Technologies)社製「HP8362B」)を用いた空洞共振摂動法により、測定周波数5.8GHz、測定温度23℃にて、測定できる。前記の樹脂組成物の硬化物の比誘電率を測定する具体的な操作は、実施例の[比誘電率Dkの測定]に記載の方法を採用できる。
The cured product of the above-mentioned resin composition can usually have a low dielectric constant. Therefore, by using the above-mentioned resin composition, an insulating layer having a low dielectric constant can be obtained.
In one embodiment, the resin composition is dried and heated at 200 ° C. for 90 minutes to cure to obtain a cured product. The relative permittivity of this cured product can be preferably 3.0 or less, more preferably 2.9 or less, still more preferably 2.8 or less, and particularly preferably 2.6 or less.
The relative permittivity of the cured product was determined by a cavity resonance permittivity method using an analyzer (“HP8632B” manufactured by Agilent Technologies) for an evaluation sample consisting of a cured product having a length of 80 mm, a width of 2 mm, and a thickness of 40 μm. It can be measured at a measurement frequency of 5.8 GHz and a measurement temperature of 23 ° C. As a specific operation for measuring the relative permittivity of the cured product of the resin composition, the method described in [Measurement of Relative Permittivity Dk] of Examples can be adopted.

上述した樹脂組成物の硬化物は、通常、線熱膨張係数を小さくできる。よって、上述した樹脂組成物を用いることにより、反りを生じ難い絶縁層を得ることができる。
一実施形態において、樹脂組成物を、乾燥させ、200℃で90分間加熱して硬化させて、硬化物を得る。この硬化物の25℃から150℃までの平均の線熱膨張整数を、好ましくは45ppm/℃以下、より好ましくは40ppm/℃以下、特に好ましくは38ppm/℃以下にできる。
硬化物の線熱膨張係数は、長さ約15mm、幅約5mm、厚み40μmの試験片について、熱機械分析装置(リガク社製「Thermo Plus TMA8310」)を使用して、引張加重法で熱機械分析を行うことにより、測定できる。この測定は、荷重1g、昇温速度5℃/分の測定条件にて行いうる。前記の樹脂組成物の硬化物の線熱膨張係数を測定する具体的な操作は、実施例の[線熱膨張係数CTEの評価]に記載の方法を採用できる。
The cured product of the above-mentioned resin composition can usually have a small coefficient of linear thermal expansion. Therefore, by using the above-mentioned resin composition, it is possible to obtain an insulating layer that is less likely to warp.
In one embodiment, the resin composition is dried and heated at 200 ° C. for 90 minutes to cure to obtain a cured product. The average linear thermal expansion integer from 25 ° C. to 150 ° C. of the cured product can be preferably 45 ppm / ° C. or lower, more preferably 40 ppm / ° C. or lower, and particularly preferably 38 ppm / ° C. or lower.
The coefficient of linear thermal expansion of the cured product is about 15 mm in length, about 5 mm in width, and 40 μm in thickness. It can be measured by performing an analysis. This measurement can be performed under the measurement conditions of a load of 1 g and a heating rate of 5 ° C./min. As a specific operation for measuring the linear thermal expansion coefficient of the cured product of the resin composition, the method described in [Evaluation of linear thermal expansion coefficient CTE] of the example can be adopted.

[18.樹脂組成物の用途]
上述した樹脂組成物は、プリント配線板の絶縁層を形成するための樹脂組成物(プリント配線板の絶縁層形成用の樹脂組成物)として好適に使用することができる。特に、ブリスター耐性に優れることを有効に活用する観点から、上述した樹脂組成物は、絶縁層上に導体層(再配線層を含む。)を形成するための当該絶縁層を形成するための樹脂組成物(導体層を形成するための絶縁層形成用の樹脂組成物)として用いることが望ましい。
[18. Uses of resin composition]
The above-mentioned resin composition can be suitably used as a resin composition for forming an insulating layer of a printed wiring board (a resin composition for forming an insulating layer of a printed wiring board). In particular, from the viewpoint of effectively utilizing the excellent blister resistance, the above-mentioned resin composition is a resin for forming the insulating layer for forming a conductor layer (including a rewiring layer) on the insulating layer. It is desirable to use it as a composition (resin composition for forming an insulating layer for forming a conductor layer).

また、上述した樹脂組成物は、多層プリント配線板の絶縁層を形成するための樹脂組成物(多層プリント配線板の絶縁層形成用の樹脂組成物)、プリント配線板の層間絶縁層を形成するための樹脂組成物(プリント配線板の層間絶縁層形成用の樹脂組成物)として好適に使用することができる。 Further, the above-mentioned resin composition forms a resin composition for forming an insulating layer of a multilayer printed wiring board (resin composition for forming an insulating layer of a multilayer printed wiring board) and an interlayer insulating layer of a printed wiring board. It can be suitably used as a resin composition (resin composition for forming an interlayer insulating layer of a printed wiring board).

[19.樹脂シート]
本発明の一実施形態に係る樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた、上述した樹脂組成物を含む樹脂組成物層とを含む。
[19. Resin sheet]
The resin sheet according to the embodiment of the present invention includes a support and a resin composition layer provided on the support and containing the above-mentioned resin composition.

樹脂組成物層の厚さは、プリント配線板の薄型化の観点から、好ましくは50μm以下、より好ましくは40μm以下、さらに好ましくは30μm以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、例えば、5μm以上、10μm以上等とし得る。 The thickness of the resin composition layer is preferably 50 μm or less, more preferably 40 μm or less, still more preferably 30 μm or less, from the viewpoint of reducing the thickness of the printed wiring board. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is not particularly limited, but may be, for example, 5 μm or more, 10 μm or more, and the like.

支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。 Examples of the support include a film made of a plastic material, a metal foil, and a release paper, and a film made of a plastic material and a metal foil are preferable.

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(以下「PET」と略称することがある。)、ポリエチレンナフタレート(以下「PEN」と略称することがある。)等のポリエステル、ポリカーボネート(以下「PC」と略称することがある。)、ポリメチルメタクリレート(以下「PMMA」と略称することがある。)等のアクリルポリマー、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース(以下「TAC」と略称することがある。)、ポリエーテルサルファイド(以下「PES」と略称することがある。)、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。 When a film made of a plastic material is used as the support, the plastic material may be, for example, polyethylene terephthalate (hereinafter abbreviated as "PET") or polyethylene naphthalate (hereinafter abbreviated as "PEN"). ) And other polyesters, polycarbonates (hereinafter abbreviated as "PC"), polymethylmethacrylates (hereinafter abbreviated as "PMMA") and other acrylic polymers, cyclic polyolefins, triacetyl celluloses (hereinafter abbreviated as "PMMA"). Examples thereof include "TAC"), polyether sulfide (hereinafter, may be abbreviated as "PES"), polyether ketone, polyimide and the like. Of these, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属(例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等)との合金からなる箔を用いてもよい。 When a metal foil is used as the support, examples of the metal foil include copper foil, aluminum foil, and the like, and copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, and a foil made of an alloy of copper and another metal (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used. You may use it.

支持体は、樹脂組成物層と接合する面に、マット処理、コロナ処理、帯電防止処理等の処理が施されていてもよい。 The surface of the support to be joined to the resin composition layer may be treated with a matte treatment, a corona treatment, an antistatic treatment, or the like.

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される1種類以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するPETフィルムである、リンテック社製の「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」;東レ社製の「ルミラーT60」;帝人社製の「ピューレックス」;ユニチカ社製の「ユニピール」;等が挙げられる。 Further, as the support, a support with a release layer having a release layer on the surface to be joined to the resin composition layer may be used. Examples of the release agent used for the release layer of the support with the release layer include one or more types of release agents selected from the group consisting of alkyd resin, polyolefin resin, urethane resin, and silicone resin. .. As the support with a release layer, a commercially available product may be used. For example, "SK-1" and "SK-1" manufactured by Lintec Corporation, which are PET films having a release layer containing an alkyd resin-based mold release agent as a main component. "AL-5", "AL-7"; "Lumilar T60" manufactured by Toray Industries, Inc .; "Purex" manufactured by Teijin Ltd.; "Unipeel" manufactured by Unitika Ltd.; and the like.

支持体の厚みとしては、特に限定されないが、5μm~75μmの範囲が好ましく、10μm~60μmの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚みが上記範囲であることが好ましい。 The thickness of the support is not particularly limited, but is preferably in the range of 5 μm to 75 μm, and more preferably in the range of 10 μm to 60 μm. When a support with a release layer is used, it is preferable that the thickness of the entire support with a release layer is within the above range.

樹脂シートは、必要に応じて、支持体及び樹脂組成物層以外の任意の層を含んでいてもよい。斯かる任意の層としては、例えば、樹脂組成物層の支持体と接合していない面(即ち、支持体とは反対側の面)に設けられた、支持体に準じた保護フィルム等が挙げられる。保護フィルムの厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、1μm~40μmである。保護フィルムにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを抑制することができる。 The resin sheet may include any layer other than the support and the resin composition layer, if necessary. Examples of such an arbitrary layer include a protective film similar to the support provided on a surface of the resin composition layer that is not bonded to the support (that is, a surface opposite to the support). Be done. The thickness of the protective film is not particularly limited, but is, for example, 1 μm to 40 μm. The protective film can suppress the adhesion of dust and the like to the surface of the resin composition layer and scratches.

樹脂シートは、例えば、有機溶剤及び樹脂組成物を含む樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等の塗布装置を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより、製造することができる。 For the resin sheet, for example, a resin varnish containing an organic solvent and a resin composition is prepared, and this resin varnish is applied onto a support using a coating device such as a die coater, and further dried to form a resin composition layer. By forming it, it can be manufactured.

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン(MEK)及びシクロヘキサノン等のケトン溶剤;酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル溶剤;セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール溶剤;トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素溶剤;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド(DMAc)及びN-メチルピロリドン等のアミド系溶剤;等を挙げることができる。有機溶剤は、1種類単独で使用してもよく、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。 Examples of the organic solvent include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone; acetate solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate; cellosolve and butyl carbitol and the like. Carbitol solvent; aromatic hydrocarbon solvent such as toluene and xylene; amide solvent such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone; and the like. The organic solvent may be used alone or in combination of two or more.

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の方法により実施してよい。乾燥条件は、特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が、通常10質量%以下、好ましくは5質量%以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば30質量%~60質量%の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、50℃~150℃で3分間~10分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。 Drying may be carried out by a method such as heating or blowing hot air. The drying conditions are not particularly limited, but the resin composition layer is dried so that the content of the organic solvent is usually 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less. Although it depends on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when a resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of an organic solvent is used, the resin composition is obtained by drying at 50 ° C. to 150 ° C. for 3 to 10 minutes. A layer can be formed.

樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、通常は、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。 The resin sheet can be rolled up and stored. When the resin sheet has a protective film, it can usually be used by peeling off the protective film.

[20.プリント配線板]
本発明の一実施形態に係るプリント配線板は、上述した樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。このプリント配線板の絶縁層が、前記の樹脂組成物の硬化物で形成されているので、(C)中空無機粒子の割れによる製品ロット毎の品質のバラツキを抑制でき、リフロー時の導体層の膨れを抑制できる。
[20. Printed wiring board]
The printed wiring board according to the embodiment of the present invention includes an insulating layer formed of a cured product of the above-mentioned resin composition. Since the insulating layer of this printed wiring board is formed of the cured product of the above resin composition, it is possible to suppress the variation in quality for each product lot due to (C) cracking of hollow inorganic particles, and the conductor layer during reflow can be suppressed. The swelling can be suppressed.

プリント配線板の製造方法に制限は無い。プリント配線板は、例えば、上述の樹脂シートを用いて、下記(I)及び(II)の工程を含む方法により製造することができる。
(I)内層基板上に、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、樹脂シートを積層する工程。
(II)樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する工程。
There are no restrictions on the manufacturing method of the printed wiring board. The printed wiring board can be manufactured, for example, by using the above-mentioned resin sheet by a method including the following steps (I) and (II).
(I) A step of laminating a resin sheet on the inner layer substrate so that the resin composition layer is bonded to the inner layer substrate.
(II) A step of thermally curing the resin composition layer to form an insulating layer.

工程(I)で用いる「内層基板」とは、プリント配線板の基板となる部材である。内層基板としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、BTレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等が挙げられる。内層基板は、その片面又は両面に、導体層を有していてもよい。この導体層は、例えば回路として機能させるために、パターン加工されていてもよい。基板の片面または両面に回路として導体層が形成された内層基板は、「内層回路基板」ということがある。また、プリント配線板を製造する際に更に絶縁層及び/又は導体層が形成されるべき中間製造物も、「内層基板」に含まれる。プリント配線板が部品内蔵回路板である場合、部品を内蔵した内層基板を使用してもよい。 The "inner layer board" used in the step (I) is a member that becomes a board of a printed wiring board. Examples of the inner layer substrate include a glass epoxy substrate, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, a thermosetting polyphenylene ether substrate, and the like. The inner layer substrate may have a conductor layer on one side or both sides thereof. This conductor layer may be patterned, for example, to function as a circuit. An inner layer board in which a conductor layer is formed as a circuit on one side or both sides of the board may be referred to as an "inner layer circuit board". Further, an intermediate product in which an insulating layer and / or a conductor layer should be further formed when the printed wiring board is manufactured is also included in the "inner layer substrate". When the printed wiring board is a circuit board with built-in components, an inner layer board containing built-in components may be used.

内層基板と樹脂シートとの積層は、例えば、支持体側から樹脂シートを内層基板に加熱圧着することにより、内層基板に樹脂組成物層を貼り合わせることで、行うことができる。樹脂シートを内層基板に加熱圧着する部材(以下、「加熱圧着部材」ということがある。)としては、例えば、加熱された金属板(SUS鏡板等)又は金属ロール(SUSロール)等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、内層基板の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。 The lamination of the inner layer substrate and the resin sheet can be performed, for example, by heat-pressing the resin sheet to the inner layer substrate from the support side and laminating the resin composition layer to the inner layer substrate. Examples of the member for heat-crimping the resin sheet to the inner layer substrate (hereinafter, may be referred to as “heat-crimping member”) include a heated metal plate (SUS end plate or the like) or a metal roll (SUS roll). .. It is preferable not to press the heat-bonded member directly onto the resin sheet, but to press it through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet sufficiently follows the surface irregularities of the inner layer substrate.

内層基板と樹脂シートとの積層は、例えば、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは60℃~160℃、より好ましくは80℃~140℃の範囲であり、加熱圧着圧力は、好ましくは0.098MPa~1.77MPa、より好ましくは0.29MPa~1.47MPaの範囲であり、加熱圧着時間は、好ましくは20秒間~400秒間、より好ましくは30秒間~300秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力26.7hPa以下の減圧条件下で実施する。 The laminating of the inner layer substrate and the resin sheet may be carried out by, for example, a vacuum laminating method. In the vacuum laminating method, the heat crimping temperature is preferably in the range of 60 ° C. to 160 ° C., more preferably 80 ° C. to 140 ° C., and the heat crimping pressure is preferably 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0. It is in the range of .29 MPa to 1.47 MPa, and the heat crimping time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds. Lamination is preferably carried out under reduced pressure conditions with a pressure of 26.7 hPa or less.

積層の後に、常圧下(大気圧下)で、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。平滑化処理は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、積層と平滑化処理は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。 After laminating, the laminated resin sheet may be smoothed by pressing the heat-bonded member from the support side under normal pressure (under atmospheric pressure), for example. The press conditions for the smoothing treatment can be the same as the heat-bonding conditions for the above-mentioned lamination. The smoothing process can be performed by a commercially available laminator. The laminating and smoothing treatment may be continuously performed using the above-mentioned commercially available vacuum laminator.

支持体は、工程(I)と工程(II)の間に除去してもよく、工程(II)の後に除去してもよい。 The support may be removed between steps (I) and step (II) or after step (II).

工程(I)の後で、工程(II)を行う。工程(II)においては、樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する。樹脂組成物層の熱硬化条件は、特に限定されず、プリント配線板の絶縁層を形成するに際して採用される条件を任意に使用してよい。 After the step (I), the step (II) is performed. In the step (II), the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer. The thermosetting conditions of the resin composition layer are not particularly limited, and the conditions adopted when forming the insulating layer of the printed wiring board may be arbitrarily used.

樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類等によっても異なりうる。硬化温度は、好ましくは120℃~240℃、より好ましくは150℃~220℃、さらに好ましくは170℃~200℃でありうる。硬化時間は、好ましくは5分間~120分間、より好ましくは10分間~100分間、さらに好ましくは15分間~90分間でありうる。 The thermosetting conditions of the resin composition layer may differ depending on the type of the resin composition and the like. The curing temperature may be preferably 120 ° C. to 240 ° C., more preferably 150 ° C. to 220 ° C., and even more preferably 170 ° C. to 200 ° C. The curing time may be preferably 5 minutes to 120 minutes, more preferably 10 minutes to 100 minutes, still more preferably 15 minutes to 90 minutes.

樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。例えば、樹脂組成物層を熱硬化させるのに先立ち、50℃以上120℃未満(好ましくは60℃以上115℃以下、より好ましくは70℃以上110℃以下)の温度にて、樹脂組成物層を5分間以上(好ましくは5分間~150分間、より好ましくは15分間~120分間、さらに好ましくは15分間~100分間)予備加熱してもよい。 Before the resin composition layer is thermally cured, the resin composition layer may be preheated at a temperature lower than the curing temperature. For example, prior to thermosetting the resin composition layer, the resin composition layer is heated at a temperature of 50 ° C. or higher and lower than 120 ° C. (preferably 60 ° C. or higher and 115 ° C. or lower, more preferably 70 ° C. or higher and 110 ° C. or lower). Preheating may be performed for 5 minutes or longer (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes, still more preferably 15 minutes to 100 minutes).

プリント配線板の製造方法は、更に、下記の工程(III)、工程(IV)及び工程(V)を含んでいてもよい。
(III)絶縁層に穴あけする工程。
(IV)絶縁層に粗化処理を施す工程。
(V)導体層を形成する工程。
The method for manufacturing a printed wiring board may further include the following steps (III), steps (IV), and steps (V).
(III) A step of drilling a hole in the insulating layer.
(IV) A step of roughening the insulating layer.
(V) A step of forming a conductor layer.

なお、支持体を工程(II)の後に除去する場合、該支持体の除去は、工程(II)と工程(III)との間、工程(III)と工程(IV)の間、又は工程(IV)と工程(V)との間のいずれの時点で実施してよい。中でも、抉れ部の発生をより抑制する観点から、絶縁層に穴あけする工程(III)の後に、支持体を除去することが好ましい。例えば、レーザー光の照射によって絶縁層に穴あけした後に支持体を剥離すると、良好な形状のホールを形成し易い。 When the support is removed after the step (II), the support may be removed between the steps (II) and the step (III), between the steps (III) and the step (IV), or the step ( It may be carried out at any time between IV) and step (V). Above all, from the viewpoint of further suppressing the generation of the hollowed portion, it is preferable to remove the support after the step (III) of drilling the insulating layer. For example, when the support is peeled off after making a hole in the insulating layer by irradiation with a laser beam, it is easy to form a hole having a good shape.

工程(III)は、絶縁層に穴あけする工程であり、これにより絶縁層にビアホール、スルーホール等のホールを形成することができる。工程(III)は、絶縁層の形成に使用した樹脂組成物の組成等に応じて、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ等を使用して実施してよい。ホールの寸法及び形状は、プリント配線板のデザインに応じて適宜決定してよい。 The step (III) is a step of drilling holes in the insulating layer, whereby holes such as via holes and through holes can be formed in the insulating layer. The step (III) may be carried out by using, for example, a drill, a laser, a plasma, or the like, depending on the composition of the resin composition used for forming the insulating layer. The dimensions and shape of the holes may be appropriately determined according to the design of the printed wiring board.

工程(IV)は、絶縁層に粗化処理を施す工程である。工程(IV)では、通常、スミアの除去も行われる。粗化処理の手順、条件は特に限定されない。例えば、膨潤液による膨潤処理、粗化液としての酸化剤による粗化処理、及び、中和液による中和処理をこの順に実施して、絶縁層を粗化処理することができる。また、プラズマ処理等の乾式処理、サンドブラスト等の機械処理によっても粗化処理を行うことが出来る。 Step (IV) is a step of roughening the insulating layer. In step (IV), smear removal is also usually performed. The procedure and conditions of the roughening process are not particularly limited. For example, the insulating layer can be roughened by performing a swelling treatment with a swelling liquid, a roughening treatment with an oxidizing agent as a roughening liquid, and a neutralization treatment with a neutralizing liquid in this order. The roughening treatment can also be performed by a dry treatment such as plasma treatment or a mechanical treatment such as sandblasting.

膨潤液としては、特に限定されないが、例えば、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液が挙げられる。該アルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン社製の「スウェリング・ディップ・セキュリガンスP」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスSBU」等が挙げられる。また、膨潤液は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。膨潤液による膨潤処理は、特に限定されないが、例えば、30℃~90℃の膨潤液に絶縁層を1分間~20分間浸漬することにより行うことができる。絶縁層の樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、40℃~80℃の膨潤液に絶縁層を5分間~15分間浸漬させることが好ましい。 The swelling liquid is not particularly limited, and examples thereof include an alkaline solution, a surfactant solution, and the like, and an alkaline solution is preferable. As the alkaline solution, a sodium hydroxide solution and a potassium hydroxide solution are more preferable. Examples of commercially available swelling liquids include "Swelling Dip Security Guns P" and "Swelling Dip Security Guns SBU" manufactured by Atotech Japan. Further, one type of swelling liquid may be used alone, or two or more types may be used in combination. The swelling treatment with the swelling liquid is not particularly limited, but can be performed, for example, by immersing the insulating layer in the swelling liquid at 30 ° C. to 90 ° C. for 1 minute to 20 minutes. From the viewpoint of suppressing the swelling of the resin of the insulating layer to an appropriate level, it is preferable to immerse the insulating layer in a swelling liquid at 40 ° C to 80 ° C for 5 to 15 minutes.

酸化剤としては、特に限定されないが、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウム又は過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。また、酸化剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、60℃~80℃に加熱した酸化剤溶液に絶縁層を10分間~30分間浸漬させて行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は、5質量%~10質量%が好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン社製の「コンセントレート・コンパクトP」、「コンセントレート・コンパクトCP」、「ドージングソリューション・セキュリガンスP」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。 The oxidizing agent is not particularly limited, and examples thereof include an alkaline permanganate solution in which potassium permanganate or sodium permanganate is dissolved in an aqueous solution of sodium hydroxide. In addition, one type of oxidizing agent may be used alone, or two or more types may be used in combination. The roughening treatment with an oxidizing agent such as an alkaline permanganate solution is preferably performed by immersing the insulating layer in an oxidizing agent solution heated to 60 ° C to 80 ° C for 10 to 30 minutes. The concentration of permanganate in the alkaline permanganate solution is preferably 5% by mass to 10% by mass. Examples of commercially available oxidizing agents include alkaline permanganate solutions such as "Concentrate Compact P", "Concentrate Compact CP", and "Dosing Solution Security P" manufactured by Atotech Japan. ..

中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン社製の「リダクションソリューション・セキュリガントP」が挙げられる。また、中和液は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。中和液による処理は、酸化剤による粗化処理がなされた処理面を30℃~80℃の中和液に5分間~30分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤による粗化処理がなされた対象物を、40℃~70℃の中和液に5分間~20分間浸漬する方法が好ましい。 The neutralizing solution is preferably an acidic aqueous solution, and examples of commercially available products include "Reduction Solution Securigant P" manufactured by Atotech Japan. In addition, one type of neutralizing liquid may be used alone, or two or more types may be used in combination. The treatment with the neutralizing solution can be performed by immersing the treated surface that has been roughened with the oxidizing agent in the neutralizing solution at 30 ° C. to 80 ° C. for 5 to 30 minutes. From the viewpoint of workability and the like, a method of immersing the object roughened with an oxidizing agent in a neutralizing solution at 40 ° C to 70 ° C for 5 to 20 minutes is preferable.

一実施形態において、粗化処理後の絶縁層表面の算術平均粗さ(Ra)は、好ましくは400nm以下、より好ましくは350nm以下、さらに好ましくは300nm以下である。下限については特に限定されないが、好ましくは0.5nm以上、より好ましくは1nm以上等でありうる。また、粗化処理後の絶縁層表面の二乗平均平方根粗さ(Rq)は、好ましくは400nm以下、より好ましくは350nm以下、さらに好ましくは300nm以下である。下限については特に限定されないが、好ましくは0.5nm以上、より好ましくは1nm以上等でありうる。絶縁層表面の算術平均粗さ(Ra)及び二乗平均平方根粗さ(Rq)は、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。 In one embodiment, the arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the insulating layer after the roughening treatment is preferably 400 nm or less, more preferably 350 nm or less, still more preferably 300 nm or less. The lower limit is not particularly limited, but may be preferably 0.5 nm or more, more preferably 1 nm or more, and the like. The root mean square roughness (Rq) of the surface of the insulating layer after the roughening treatment is preferably 400 nm or less, more preferably 350 nm or less, and further preferably 300 nm or less. The lower limit is not particularly limited, but may be preferably 0.5 nm or more, more preferably 1 nm or more, and the like. The arithmetic mean roughness (Ra) and the root mean square roughness (Rq) of the insulating layer surface can be measured using a non-contact surface roughness meter.

工程(V)は、導体層を形成する工程であり、絶縁層上に導体層を形成する。導体層に使用する導体材料は、特に限定されない。好適な実施形態では、導体層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される1種類以上の金属を含む。導体層は、単金属層であってもよく、合金層であってもよい。合金層としては、例えば、上記の群から選択される2種類以上の金属の合金(例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金)から形成された層が挙げられる。中でも、導体層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層;又は、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層;が好ましい。さらには、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層;又はニッケル・クロム合金の合金層;がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。 The step (V) is a step of forming a conductor layer, and a conductor layer is formed on the insulating layer. The conductor material used for the conductor layer is not particularly limited. In a preferred embodiment, the conductor layer is one or more selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. Contains metal. The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer. Examples of the alloy layer include a layer formed of an alloy of two or more kinds of metals selected from the above group (for example, nickel-chromium alloy, copper-nickel alloy and copper-titanium alloy). Among them, from the viewpoint of versatility, cost, ease of patterning, etc. for forming the conductor layer, a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper; or a nickel-chromium alloy, copper. -Alloy layers of nickel alloys and copper-titanium alloys; are preferred. Further, a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper; or an alloy layer of a nickel-chromium alloy; is more preferable, and a single metal layer of copper is even more preferable.

導体層は、単層構造であってもよく、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層を2層以上含む複層構造であってもよい。導体層が複層構造である場合、絶縁層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層であることが好ましい。 The conductor layer may have a single-layer structure, or may have a single-metal layer made of different types of metals or alloys, or a multi-layer structure including two or more alloy layers. When the conductor layer has a multi-layer structure, the layer in contact with the insulating layer is preferably a single metal layer of chromium, zinc or titanium, or an alloy layer of nickel-chromium alloy.

導体層の厚さは、所望のプリント配線板のデザインによるが、一般に3μm~35μm、好ましくは5μm~30μmである。 The thickness of the conductor layer depends on the design of the desired printed wiring board, but is generally 3 μm to 35 μm, preferably 5 μm to 30 μm.

導体層は、メッキにより形成してよい。例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の技術により絶縁層の表面にメッキして、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。中でも、製造の簡便性の観点から、セミアディティブ法により形成することが好ましい。 The conductor layer may be formed by plating. For example, the surface of the insulating layer can be plated by a technique such as a semi-additive method or a full additive method to form a conductor layer having a desired wiring pattern. Above all, from the viewpoint of ease of production, it is preferable to form by the semi-additive method.

以下、導体層をセミアディティブ法により形成する例を示す。まず、絶縁層の表面に、無電解メッキによりメッキシード層を形成する。次いで、形成されたメッキシード層上に、所望の配線パターンに対応してメッキシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出したメッキシード層上に、電解メッキにより金属層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なメッキシード層をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。 Hereinafter, an example of forming the conductor layer by the semi-additive method will be shown. First, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Next, a mask pattern that exposes a part of the plating seed layer corresponding to a desired wiring pattern is formed on the formed plating seed layer. After forming a metal layer by electrolytic plating on the exposed plating seed layer, the mask pattern is removed. After that, the unnecessary plating seed layer can be removed by etching or the like to form a conductor layer having a desired wiring pattern.

また、必要に応じて、工程(I)~工程(V)による絶縁層及び導体層の形成を繰り返して実施し、多層プリント配線板を製造してもよい。 Further, if necessary, the formation of the insulating layer and the conductor layer by the steps (I) to (V) may be repeated to manufacture a multilayer printed wiring board.

[21.半導体装置]
本発明の一実施形態に係る半導体装置は、前記のプリント配線板を含む。この半導体装置は、プリント配線板を用いて製造することができる。
[21. Semiconductor device]
The semiconductor device according to the embodiment of the present invention includes the printed wiring board described above. This semiconductor device can be manufactured using a printed wiring board.

半導体装置としては、電気製品(例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等)及び乗物(例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等)等に供される各種半導体装置が挙げられる。 Examples of the semiconductor device include various semiconductor devices used in electric products (for example, computers, mobile phones, digital cameras, televisions, etc.) and vehicles (for example, motorcycles, automobiles, trains, ships, aircraft, etc.).

半導体装置は、例えば、プリント配線板の導通箇所に、部品(半導体チップ)を実装することにより製造することができる。「導通箇所」とは、「プリント配線板における電気信号を伝える箇所」であって、その場所は表面であっても、埋め込まれた箇所であってもいずれでも構わない。また、半導体チップは、半導体を材料とする電気回路素子を任意に用いることができる。 The semiconductor device can be manufactured, for example, by mounting a component (semiconductor chip) on a conductive portion of a printed wiring board. The "conduction point" is a "place for transmitting an electric signal in the printed wiring board", and the place may be a surface or an embedded place. Further, as the semiconductor chip, an electric circuit element made of a semiconductor can be arbitrarily used.

半導体装置を製造する際の半導体チップの実装方法は、半導体チップが有効に機能しさえすれば、特に限定されない。実装方法の例としては、ワイヤボンディング実装方法、フリップチップ実装方法、バンプなしビルドアップ層(BBUL)による実装方法、異方性導電フィルム(ACF)による実装方法、非導電性フィルム(NCF)による実装方法、等が挙げられる。ここで、「バンプなしビルドアップ層(BBUL)による実装方法」とは、「半導体チップをプリント配線板の凹部に直接埋め込み、半導体チップとプリント配線板上の配線とを接続させる実装方法」のことである。 The mounting method of the semiconductor chip in manufacturing the semiconductor device is not particularly limited as long as the semiconductor chip functions effectively. Examples of mounting methods include wire bonding mounting method, flip chip mounting method, bumpless build-up layer (BBUL) mounting method, anisotropic conductive film (ACF) mounting method, and non-conductive film (NCF) mounting method. Methods, etc. can be mentioned. Here, the "mounting method using the bumpless build-up layer (BBUL)" means "a mounting method in which the semiconductor chip is directly embedded in the recess of the printed wiring board and the semiconductor chip is connected to the wiring on the printed wiring board". Is.

以下、本発明について、実施例を示して具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものでは無い。以下の説明において、量を表す「部」及び「%」は、別途明示の無い限り、それぞれ「質量部」及び「質量%」を意味する。また、以下に説明する操作は、別途明示の無い限り、常温常圧の環境で行った。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples. In the following description, "parts" and "%" representing quantities mean "parts by mass" and "% by mass", respectively, unless otherwise specified. Further, the operations described below were performed in an environment of normal temperature and pressure unless otherwise specified.

[無機粒子の平均粒径の測定方法]
無機粒子の平均粒径は、下記の方法で測定した。
無機粒子100mg、及びメチルエチルケトン10gをバイアル瓶に秤取り、超音波にて10分間分散した。レーザー回折式粒径分布測定装置(堀場製作所社製「LA-960」)を使用して、使用光源波長を青色および赤色とし、フローセル方式で無機粒子の粒径分布を体積基準で測定した。得られた粒径分布から、メディアン径として、無機粒子の平均粒径を算出した。
[Measuring method of average particle size of inorganic particles]
The average particle size of the inorganic particles was measured by the following method.
100 mg of inorganic particles and 10 g of methyl ethyl ketone were weighed in a vial and dispersed by ultrasonic waves for 10 minutes. Using a laser diffraction type particle size distribution measuring device (“LA-960” manufactured by HORIBA, Ltd.), the wavelengths of the light sources used were blue and red, and the particle size distribution of the inorganic particles was measured by the flow cell method on a volume basis. From the obtained particle size distribution, the average particle size of the inorganic particles was calculated as the median diameter.

[無機粒子の空孔率の測定方法]
無機粒子の空孔率は、下記の方法で測定した。
無機粒子の密度を、真密度測定装置(QUANTACHROME社製「ULTRAPYCNOMETER1000」)を用いて測定した。この測定では、窒素を測定ガスとして用いた。その後、測定された密度と、無機粒子を形成する無機材料(アルミノシリケート又はシリカ)の物質密度とを用いて、前記の式(X)に従い、無機粒子の空孔率を測定した。式(X)において、無機材料としてのシリカの物質密度は2.2g/cm、実施例および比較例で用いたアルミノシリケートの物質密度は2.5g・cmとした。
空孔率(体積%)={1-(測定した密度[g/cm]/無機材料の物質密度[g/cm])}×100 (X)
[Measurement method of porosity of inorganic particles]
The porosity of the inorganic particles was measured by the following method.
The density of the inorganic particles was measured using a true density measuring device (“ULTRAPYCNOMETER1000” manufactured by QUANTACHROME). In this measurement, nitrogen was used as the measurement gas. Then, using the measured density and the material density of the inorganic material (aluminosilicate or silica) forming the inorganic particles, the porosity of the inorganic particles was measured according to the above formula (X). In formula (X), the substance density of silica as an inorganic material was 2.2 g / cm 3 , and the substance density of aluminosilicate used in Examples and Comparative Examples was 2.5 g · cm 3 .
Pore ratio (% by volume) = {1- (measured density [g / cm 3 ] / material density of inorganic material [g / cm 3 ])} x 100 (X)

[合成例1.中空シリカ粒子1の製造]
特許第5940188号公報の記載に従い、中空シリカ粒子1を合成した。得られた中空シリカ粒子1の平均粒径は3μm、空孔率は20体積%であった。
[Synthesis example 1. Production of Hollow Silica Particles 1]
Hollow silica particles 1 were synthesized according to the description of Japanese Patent No. 5940188. The average particle size of the obtained hollow silica particles 1 was 3 μm, and the porosity was 20% by volume.

[合成例2.中空シリカ粒子2の製造]
前記合成例1と同様にして、中空シリカ粒子2を合成した。得られた中空シリカ粒子2の平均粒径は2.7μm、空孔率は10体積%であった。
[Synthesis example 2. Production of Hollow Silica Particles 2]
Hollow silica particles 2 were synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1. The average particle size of the obtained hollow silica particles 2 was 2.7 μm, and the porosity was 10% by volume.

[実施例1]
ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬社製「NC3000L」、エポキシ当量約269)7部、液状1,4-グリシジルシクロヘキサン(日鉄ケミカル&マテリアル社製「ZX1658」、エポキシ当量約135)7部、ビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱化学社製「YX4000H」、エポキシ当量約185)10部、活性エステル系硬化剤(DIC社製「HPC-8000-65T」、活性基当量約223、不揮発成分65質量%のトルエン溶液)60部、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤(DIC社製「LA-3018-50P」、水酸基当量約151、不揮発成分50%の2-メトキシプロパノール溶液)3部、フェノキシ樹脂(三菱化学社製「YX7553BH30」、不揮発成分30質量%のMEKとシクロヘキサノンの1:1溶液)8部、カルボジイミド化合物(日清紡ケミカル社製「V-03」、活性基当量約216、不揮発成分50質量%のトルエン溶液)10部、中空アルミノシリケート粒子(太平洋セメント社製「MG-005」、平均粒径1.6μm、空孔率80体積%、比表面積6.1m/g)20部、硬化促進剤(4-ジメチルアミノピリジン(DMAP)、不揮発成分5質量%のMEK溶液)5部、メチルエチルケトン15部、及び、シクロヘキサノン10部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
[Example 1]
7 parts of biphenyl type epoxy resin ("NC3000L" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent of about 269), 7 parts of liquid 1,4-glycidylcyclohexane ("ZX1658" manufactured by Nittetsu Chemical & Materials Co., Ltd., epoxy equivalent of about 135), bi 10 parts of xylenol type epoxy resin ("YX4000H" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent of about 185), active ester-based curing agent ("HPC-8000-65T" manufactured by DIC Co., Ltd., active group equivalent of about 223, non-volatile component 65% by mass) 60 parts of toluene solution), 3 parts of triazine skeleton-containing phenolic curing agent (DIC's "LA-3018-50P", hydroxyl group equivalent of about 151, 2-methoxypropanol solution of 50% non-volatile component), phenoxy resin (Mitsubishi Chemicals, Inc.) 8 parts of "YX7553BH30" manufactured by YX7553BH30, a 1: 1 solution of MEK and cyclohexanone having a non-volatile component of 30% by mass, a carbodiimide compound ("V-03" manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd., an active group equivalent of about 216, a toluene solution having a non-volatile component of 50% by mass). ) 10 parts, hollow aluminum nosilicate particles (“MG-005” manufactured by Pacific Cement Co., Ltd., average particle size 1.6 μm, pore ratio 80% by volume, specific surface area 6.1 m 2 / g) 20 parts, curing accelerator (4) -Dimethylaminopyridine (DMAP), 5 parts by mass of a non-volatile component MEK solution), 15 parts of methyl ethyl ketone, and 10 parts of cyclohexanone were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish.

支持体として、離型処理付きポリエチレンテレフタレートフィルム(リンテック社製「AL5」、厚さ38μm)を用意した。この支持体の離型面上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが30μmとなるように樹脂ワニスを均一に塗布し、80℃~120℃(平均100℃)で6分間乾燥させて、樹脂シートを作製した。 As a support, a polyethylene terephthalate film with a mold release treatment (“AL5” manufactured by Lintec Corporation, thickness 38 μm) was prepared. A resin varnish was uniformly applied onto the release surface of the support so that the thickness of the resin composition layer after drying was 30 μm, and dried at 80 ° C. to 120 ° C. (average 100 ° C.) for 6 minutes. A resin sheet was produced.

[実施例2]
樹脂ワニスの材料に、有機充填材としてのゴム粒子(ガンツ化成社製「スタフィロイドAC3816N」)1部を追加した。以上の事項以外は、実施例1と同様にして、樹脂ワニス及び樹脂シートを作製した。
[Example 2]
One part of rubber particles (“Staffyloid AC3816N” manufactured by Ganz Kasei Co., Ltd.) as an organic filler was added to the material of the resin varnish. Except for the above items, a resin varnish and a resin sheet were produced in the same manner as in Example 1.

[実施例3]
樹脂ワニスの材料に、リン系難燃剤(三光社製「HCA-HQ」、10-(2,5-ジヒドロキシフェニル)-10-ヒドロ-9-オキサ-10-フォスファフェナンスレン-10-オキサイド)2部を追加した。以上の事項以外は、実施例1と同様にして、樹脂ワニス及び樹脂シートを作製した。
[Example 3]
Phosphorus flame retardant ("HCA-HQ" manufactured by Sanko Co., Ltd., 10- (2,5-dihydroxyphenyl) -10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide ) Added two copies. Except for the above items, a resin varnish and a resin sheet were produced in the same manner as in Example 1.

[実施例4]
樹脂ワニスの材料に、フォスファゼン化合物(大塚化学社製「SPS-100」の不揮発成分50%シクロヘキサノン溶液)4部を追加した。以上の事項以外は、実施例1と同様にして、樹脂ワニス及び樹脂シートを作製した。
[Example 4]
To the material of the resin varnish, 4 parts of a phosphazen compound (a 50% cyclohexanone solution of a non-volatile component of "SPS-100" manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd.) was added. Except for the above items, a resin varnish and a resin sheet were produced in the same manner as in Example 1.

[実施例5]
活性エステル系硬化剤(DIC社製「HPC-8000-65T」、活性基当量約223、不揮発成分65質量%のトルエン溶液)の量を、60部から55部に変更した。また、樹脂ワニスの材料に、ベンゾオキサジン系硬化剤(四国化成社製のベンゾオキサジンモノマー「P-d」、活性基当量217、不揮発成分60質量%のMEK溶液)5部を追加した。以上の事項以外は、実施例1と同様にして、樹脂ワニス及び樹脂シートを作製した。
[Example 5]
The amount of the active ester-based curing agent (“HPC-8000-65T” manufactured by DIC Corporation, active group equivalent of about 223, toluene solution of 65% by mass of non-volatile component) was changed from 60 parts to 55 parts. Further, 5 parts of a benzoxazine-based curing agent (benzoxazine monomer "Pd" manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., active group equivalent 217, MEK solution having a non-volatile component of 60% by mass) was added to the material of the resin varnish. Except for the above items, a resin varnish and a resin sheet were produced in the same manner as in Example 1.

[実施例6]
硬化促進剤(4-ジメチルアミノピリジン(DMAP)、不揮発成分5質量%のMEK溶液)の量を、5部から3部に変更した。また、樹脂ワニスの材料に、硬化促進剤(四国化成社製「1B2PZ」、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール)0.1部を追加した。以上の事項以外は、実施例1と同様にして、樹脂ワニス及び樹脂シートを作製した。
[Example 6]
The amount of the curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), MEK solution having 5% by mass of the non-volatile component) was changed from 5 parts to 3 parts. Further, 0.1 part of a curing accelerator (“1B2PZ” manufactured by Shikoku Chemicals Corporation, 1-benzyl-2-phenylimidazole) was added to the material of the resin varnish. Except for the above items, a resin varnish and a resin sheet were produced in the same manner as in Example 1.

[実施例7]
中空アルミノシリケート粒子(太平洋セメント社製「MG-005」、平均粒径1.6μm、空孔率80体積%)20部を、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製「KBM573」)で表面処理された中空アルミノシリケート粒子(太平洋セメント社製「MG-005」、平均粒径1.6μm、空孔率80体積%)20部に変更した。以上の事項以外は、実施例1と同様にして、樹脂ワニス及び樹脂シートを作製した。
[Example 7]
20 parts of hollow aluminosilicate particles ("MG-005" manufactured by Taiheiyo Cement Co., Ltd., average particle size 1.6 μm, porosity 80% by volume) are surfaced with an aminosilane-based coupling agent ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.). The treated hollow aluminosilicate particles (“MG-005” manufactured by Taiheiyo Cement Co., Ltd., average particle size 1.6 μm, porosity 80% by volume) were changed to 20 parts. Except for the above items, a resin varnish and a resin sheet were produced in the same manner as in Example 1.

[実施例8]
ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬社製「NC3000L」、エポキシ当量約269)10部、ビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱化学社製「YX4000H」、エポキシ当量約185)10部、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂(三菱化学社製「YL7760」、エポキシ当量約238)10部、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製「828EL」、エポキシ当量約180)10部、活性エステル系硬化剤(DIC社製「HPC-8000-65T」、活性基当量約223、不揮発成分65質量%のトルエン溶液)50部、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤(DIC社製「LA-3018-50P」、水酸基当量約151、不揮発成分50%の2-メトキシプロパノール溶液)3部、フェノキシ樹脂(三菱化学社製「YX7553BH30」、不揮発成分30質量%のMEKとシクロヘキサノンの1:1溶液)8部、カルボジイミド化合物(日清紡ケミカル社製「V-03」、活性基当量約216、不揮発成分50質量%のトルエン溶液)5部、オリゴフェニレンエーテル・スチレン樹脂(三菱ガス化学社製「OPE-2St 1200」、不揮発成分72質量%のトルエン溶液)10部、ジクミルパーオキサイド(日油社製「パークミル D」)0.2部、硬化促進剤(四国化成工業社製の2-フェニル-4-メチルイミダゾール(2P4MZ)、不揮発成分5質量%のMEK溶液)5部、中空アルミノシリケート粒子(太平洋セメント社製「MG-005」、平均粒径1.6μm、空孔率80体積%)20部、メチルエチルケトン15部、及び、シクロヘキサノン10部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
[Example 8]
10 parts of biphenyl type epoxy resin ("NC3000L" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent of about 269), 10 parts of bixylenol type epoxy resin ("YX4000H" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent of about 185), bisphenol AF type epoxy resin ( Mitsubishi Chemical "YL7760", epoxy equivalent about 238) 10 parts, bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical "828EL", epoxy equivalent about 180) 10 parts, active ester curing agent (DIC "HPC-" 8000-65T ”, active group equivalent about 223, non-volatile component 65% by mass toluene solution) 50 parts, triazine skeleton-containing phenolic curing agent (“LA-3018-50P” manufactured by DIC, hydroxyl group equivalent about 151, non-volatile component 50 2 parts of 2-methoxypropanol solution), 8 parts of phenoxy resin ("YX7553BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., 1: 1 solution of MEK and cyclohexanone of 30% by mass of non-volatile component), carbodiimide compound ("V-" manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd.) 03 ”, active group equivalent of about 216, non-volatile component 50% by mass toluene solution) 5 parts, oligophenylene ether styrene resin (Mitsubishi Gas Chemicals Co., Ltd.“ OPE-2St 1200 ”, non-volatile component 72% by mass toluene solution) 10 Part, 0.2 part of dicumyl epoxy ("Park Mill D" manufactured by Nichiyu Co., Ltd.), curing accelerator (2-phenyl-4-methylimidazole (2P4MZ) manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.), MEK with 5% by mass of non-volatile component 5 parts of solution), 20 parts of hollow epoxynosilicate particles (“MG-005” manufactured by Pacific Cement Co., Ltd., average particle size 1.6 μm, pore ratio 80% by volume), 15 parts of methyl ethyl ketone, and 10 parts of cyclohexanone were mixed. A resin varnish was prepared by uniformly dispersing it with a high-speed rotating mixer.

支持体として、離型処理付きポリエチレンテレフタレートフィルム(リンテック社製「AL5」、厚さ38μm)を用意した。この離型面上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが30μmとなるように樹脂ワニスを均一に塗布し、80℃~120℃(平均100℃)で6分間乾燥させて、樹脂シートを作製した。 As a support, a polyethylene terephthalate film with a mold release treatment (“AL5” manufactured by Lintec Corporation, thickness 38 μm) was prepared. A resin varnish is uniformly applied onto the mold release surface so that the thickness of the resin composition layer after drying is 30 μm, and the resin sheet is dried at 80 ° C. to 120 ° C. (average 100 ° C.) for 6 minutes to obtain a resin sheet. Made.

[実施例9]
ビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱化学社製「YX4000H」、エポキシ当量約185)10部、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製「828EL」、エポキシ当量約180)20部、ナフタレン型エポキシ樹脂(日鉄ケミカル&マテリアル社製「ESN475V」、エポキシ当量約332)10部、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂(DIC社製「HP-6000」、エポキシ当量250)20部、活性エステル系硬化剤(DIC社製「HPC-8000-65T」、活性基当量約223、不揮発成分65質量%のトルエン溶液)30部、フェノキシ樹脂(三菱化学社製「YX7553BH30」、不揮発成分30質量%のMEKとシクロヘキサノンの1:1溶液)8部、3,3’-ジメチル-5,5’-ジエチル-4,4’-ジフェニルメタンビスマレイミド(ケイ・アイ化成社製「BMI-70」)12部、中空アルミノシリケート粒子(太平洋セメント社製「MG-005」、平均粒径1.6μm、空孔率80体積%)8部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(平均粒径0.5μm、空孔率0体積%、アドマテックス社製「SO-C2」)50部、硬化促進剤(4-ジメチルアミノピリジン(DMAP)、不揮発成分5質量%のMEK溶液)5部、メチルエチルケトン15部、及び、シクロヘキサノン10部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
[Example 9]
10 parts of bixirenol type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "YX4000H", epoxy equivalent about 185), 20 parts of bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "828EL", epoxy equivalent about 180), naphthalene type epoxy resin (Japan) Iron Chemical & Materials "ESN475V", epoxy equivalent about 332) 10 parts, naphthylene ether type epoxy resin (DIC "HP-6000", epoxy equivalent 250) 20 parts, active ester curing agent (DIC) "HPC-8000-65T", active group equivalent of about 223, non-volatile component 65% by mass toluene solution) 30 parts, epoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "YX7553BH30", non-volatile component 30% by mass MEK and cyclohexanone 1: 1 Solution) 8 parts, 3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethanebismaleimide ("BMI-70" manufactured by Keiai Kasei Co., Ltd.) 12 parts, hollow aluminum nosilicate particles (Pacific cement) Spherical silica (average grain) surface-treated with an aminosilane-based coupling agent ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.), 8 parts of "MG-005" manufactured by the company, average particle size 1.6 μm, pore ratio 80% by volume). Diameter 0.5 μm, pore ratio 0% by volume, 50 parts of Admatex “SO-C2”), 5 parts of curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), MEK solution of 5% by mass of non-volatile component), 15 parts of methyl ethyl ketone and 10 parts of cyclohexanone were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish.

支持体として、離型処理付きポリエチレンテレフタレートフィルム(リンテック社製「AL5」、厚さ38μm)を用意した。この離型面上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが30μmとなるように樹脂ワニスを均一に塗布し、80℃~120℃(平均100℃)で6分間乾燥させて、樹脂シートを作製した。 As a support, a polyethylene terephthalate film with a mold release treatment (“AL5” manufactured by Lintec Corporation, thickness 38 μm) was prepared. A resin varnish is uniformly applied onto the mold release surface so that the thickness of the resin composition layer after drying is 30 μm, and the resin sheet is dried at 80 ° C. to 120 ° C. (average 100 ° C.) for 6 minutes to obtain a resin sheet. Made.

[実施例10]
ビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱化学社製「YX4000H」、エポキシ当量約185)10部、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製「828EL」、エポキシ当量約180)20部、ナフタレン型エポキシ樹脂(日鉄ケミカル&マテリアル社製「ESN475V」、エポキシ当量約332)10部、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂(DIC社製「HP-6000」、エポキシ当量250)20部、活性エステル系硬化剤(DIC社製「HPC-8000-65T」、活性基当量約223、不揮発成分65質量%のトルエン溶液)20部、フェノキシ樹脂(三菱化学社製「YX7553BH30」、不揮発成分30質量%のMEKとシクロヘキサノンの1:1溶液)8部、ビスフェノールAジシアネート(ロンザジャパン社製「Primaset BADCy」、シアネート当量約139)10部、ビスフェノールAジシアネートのプレポリマー(ロンザジャパン社製「Primaset BA230S75」、シアネート当量約232、不揮発成分75質量%のMEK溶液)10部、中空アルミノシリケート粒子(太平洋セメント社製「MG-005」、平均粒径1.6μm、空孔率80体積%)85部、コバルト(III)アセチルアセトナート(東京化成社製、Co(III)AcAcの不揮発成分1質量%のMEK溶液)5部、硬化促進剤(4-ジメチルアミノピリジン(DMAP)、不揮発成分5質量%のMEK溶液)3部、メチルエチルケトン60部、及び、シクロヘキサノン40部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
[Example 10]
10 parts of bixirenol type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "YX4000H", epoxy equivalent of about 185), 20 parts of bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "828EL", epoxy equivalent of about 180), naphthalene type epoxy resin (Japan) Iron Chemical & Materials "ESN475V", epoxy equivalent about 332) 10 parts, naphthylene ether type epoxy resin (DIC "HP-6000", epoxy equivalent 250) 20 parts, active ester curing agent (DIC) "HPC-8000-65T", active group equivalent of about 223, non-volatile component 65% by mass toluene solution) 20 parts, epoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "YX7553BH30", non-volatile component 30% by mass MEK and cyclohexanone 1: 1 8 parts of solution), 10 parts of bisphenol A dicyanate ("Primaset BADCy" manufactured by Ronza Japan, cyanate equivalent of about 139), prepolymer of bisphenol A dicyanate ("Primaset BA230S75" manufactured by Ronza Japan, cyanate equivalent of about 232, non-volatile component 75) 10 parts by mass% MEK solution), 85 parts of hollow aluminum nosilicate particles (“MG-005” manufactured by Pacific Cement Co., Ltd., average particle size 1.6 μm, pore ratio 80% by volume), cobalt (III) acetylacetonate (Tokyo) Kasei Co., Ltd., 5 parts of CO (III) AcAc 1% by mass MEK solution), 3 parts of curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), 5 parts by mass of non-volatile component MEK solution), 60 parts of methyl ethyl ketone , And 40 parts of cyclohexanone were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish.

支持体として、離型処理付きポリエチレンテレフタレートフィルム(リンテック社製「AL5」、厚さ38μm)を用意した。この離型面上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが30μmとなるように樹脂ワニスを均一に塗布し、80℃~120℃(平均100℃)で6分間乾燥させて、樹脂シートを作製した。 As a support, a polyethylene terephthalate film with a mold release treatment (“AL5” manufactured by Lintec Corporation, thickness 38 μm) was prepared. A resin varnish is uniformly applied onto the mold release surface so that the thickness of the resin composition layer after drying is 30 μm, and the resin sheet is dried at 80 ° C. to 120 ° C. (average 100 ° C.) for 6 minutes to obtain a resin sheet. Made.

[比較例1]
中空アルミノシリケート粒子(太平洋セメント社製「MG-005」、平均粒径1.6μm、空孔率80体積%)20部を、合成例1で製造した中空シリカ粒子1(平均粒径3μm、空孔率20体積%)60部に変更した。以上の事項以外は、実施例1と同様にして、樹脂ワニス及び樹脂シートを作製した。
[Comparative Example 1]
20 parts of hollow aluminosilicate particles (“MG-005” manufactured by Pacific Cement Co., Ltd., average particle size 1.6 μm, porosity 80% by volume) were produced in Synthetic Example 1 with hollow silica particles 1 (average particle size 3 μm, empty). Porosity 20% by volume) was changed to 60 parts. Except for the above items, a resin varnish and a resin sheet were produced in the same manner as in Example 1.

[比較例2]
中空アルミノシリケート粒子(太平洋セメント社製「MG-005」、平均粒径1.6μm、空孔率80体積%)20部を、合成例2で製造した中空シリカ粒子2(平均粒径2.7μm、空孔率10体積%)70部に変更した。以上の事項以外は、実施例1と同様にして、樹脂ワニス及び樹脂シートを作製した。
[Comparative Example 2]
20 parts of hollow aluminosilicate particles (“MG-005” manufactured by Pacific Cement Co., Ltd., average particle size 1.6 μm, porosity 80% by volume) were produced in Synthetic Example 2 with hollow silica particles 2 (average particle size 2.7 μm). , Porosity 10% by volume) was changed to 70 parts. Except for the above items, a resin varnish and a resin sheet were produced in the same manner as in Example 1.

[比較例3]
中空アルミノシリケート粒子(太平洋セメント社製「MG-005」、平均粒径1.6μm、空孔率80体積%)20部を、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(平均粒径0.5μm、空孔率0体積%、アドマテックス社製「SO-C2」)75部に変更した。以上の事項以外は、実施例1と同様にして、樹脂ワニス及び樹脂シートを作製した。
[Comparative Example 3]
20 parts of hollow aluminosilicate particles (“MG-005” manufactured by Pacific Cement Co., Ltd., average particle size 1.6 μm, porosity 80% by volume) are surfaced with an aminosilane-based coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.). The treated spherical silica (average particle size 0.5 μm, porosity 0% by volume, “SO-C2” manufactured by Admatex) was changed to 75 parts. Except for the above items, a resin varnish and a resin sheet were produced in the same manner as in Example 1.

[比較例4]
中空アルミノシリケート粒子(太平洋セメント社製「MG-005」、平均粒径1.6μm、空孔率80体積%)20部を、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)粒子(ダイキン工業社製「ルブロンL-2」、平均粒子径3μm)25部、及び、アミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(平均粒径0.5μm、空孔率0体積%、アドマテックス社製「SO-C2」)50部の組み合わせに変更した。以上の事項以外は、実施例1と同様にして、樹脂ワニス及び樹脂シートを作製した。
[Comparative Example 4]
20 parts of hollow aluminosilicate particles (“MG-005” manufactured by Pacific Cement Co., Ltd., average particle size 1.6 μm, porosity 80% by volume), polytetrafluoroethylene (PTFE) particles (“Lubron L-” manufactured by Daikin Industries, Ltd.) 2 ”, 25 parts with an average particle size of 3 μm), and spherical silica surface-treated with an aminosilane-based coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.) (average particle size 0.5 μm, porosity 0% by volume, Changed to a combination of 50 copies of "SO-C2" manufactured by Admatex. Except for the above items, a resin varnish and a resin sheet were produced in the same manner as in Example 1.

[評価用硬化物の作製]
離型剤処理されたPETフィルム(リンテック社製「501010」、厚み38μm、240mm角)の離型剤未処理面に、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(パナソニック社製「R5715ES」、厚み0.7mm、255mm角)を重ね、四辺をポリイミド接着テープ(幅10mm)で固定した。このPETフィルムを、以下、「固定PETフィルム」ということがある。
[Preparation of cured product for evaluation]
A glass cloth base material epoxy resin double-sided copper-clad laminate (Panasonic "R5715ES") on the release agent-treated PET film (Lintec "501010", thickness 38 μm, 240 mm square), which has been treated with a mold release agent. (Thickness 0.7 mm, 255 mm square) were overlapped, and the four sides were fixed with polyimide adhesive tape (width 10 mm). This PET film may be hereinafter referred to as "fixed PET film".

実施例及び比較例で得た樹脂ワニスを、上記の固定PETフィルムの離型処理面上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが40μmとなるようにダイコーターを用いて塗布し、80℃~120℃(平均100℃)で10分間乾燥して、樹脂シートを得た。 The resin varnishes obtained in Examples and Comparative Examples were applied onto the mold release-treated surface of the above-mentioned fixed PET film using a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 40 μm, and 80 The resin sheet was obtained by drying at ° C. to 120 ° C. (average 100 ° C.) for 10 minutes.

次いで、この樹脂シートを200℃のオーブンに投入し、その後90分間加熱して、樹脂組成物層を熱硬化させた。 The resin sheet was then placed in an oven at 200 ° C. and then heated for 90 minutes to thermoset the resin composition layer.

熱硬化後、ポリイミド接着テープを剥がし、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板を剥がし、更にPETフィルム(リンテック社製「501010」)を剥がして、シート状の硬化物を得た。得られた硬化物を「評価用硬化物」という。 After thermosetting, the polyimide adhesive tape was peeled off, the glass cloth base material epoxy resin double-sided copper-clad laminate was peeled off, and the PET film (“501010” manufactured by Lintec Corporation) was peeled off to obtain a sheet-shaped cured product. The obtained cured product is called an "evaluation cured product".

[比誘電率Dkの測定]
評価用硬化物を切断して、長さ80mm、幅2mmの評価サンプルを得た。この評価サンプルについて、分析装置(アジレントテクノロジーズ(Agilent Technologies)社製「HP8362B」)を用いた空洞共振摂動法により、測定周波数5.8GHz、測定温度23℃にて、比誘電率を測定した。2つ試験片について測定を行い、その平均値を算出した。
[Measurement of relative permittivity Dk]
The cured product for evaluation was cut to obtain an evaluation sample having a length of 80 mm and a width of 2 mm. The relative permittivity of this evaluation sample was measured at a measurement frequency of 5.8 GHz and a measurement temperature of 23 ° C. by a cavity resonance perturbation method using an analyzer (“HP8632B” manufactured by Agilent Technologies). Measurements were made on the two test pieces, and the average value was calculated.

[線熱膨張係数CTEの評価]
評価用硬化物を切断して、長さ約15mm、幅約5mmの試験片を得た。この試験片について、熱機械分析装置(リガク社製「Thermo Plus TMA8310」)を使用して、引張加重法で熱機械分析を行った。試験片を前記装置に装着後、荷重1g、昇温速度5℃/分の測定条件にて連続して2回測定した。2回目の測定において、25℃から150℃までの平均の線熱膨張率を算出した。
[Evaluation of linear thermal expansion coefficient CTE]
The cured product for evaluation was cut to obtain a test piece having a length of about 15 mm and a width of about 5 mm. This test piece was subjected to thermomechanical analysis by a tensile weighting method using a thermomechanical analyzer (“Thermo Plus TMA8310” manufactured by Rigaku Corporation). After the test piece was attached to the apparatus, measurements were made twice in succession under the measurement conditions of a load of 1 g and a heating rate of 5 ° C./min. In the second measurement, the average linear thermal expansion rate from 25 ° C to 150 ° C was calculated.

[弾性率YMの評価]
評価用硬化物をダンベル状1号形に切り出し、試験片を得た。該試験片を、オリエンテック社製引張試験機「RTC-1250A」を用いて引張強度測定を行い、25℃における弾性率を求めた。測定は、JIS K7127に準拠して実施した。この操作を3回行い、その平均値を算出した(単位:GPa)。
[Evaluation of elastic modulus YM]
The cured product for evaluation was cut into a dumbbell-shaped No. 1 shape to obtain a test piece. The test piece was subjected to tensile strength measurement using a tensile tester "RTC-1250A" manufactured by Orientec, and the elastic modulus at 25 ° C. was determined. The measurement was carried out in accordance with JIS K7127. This operation was performed three times, and the average value was calculated (unit: GPa).

[中空粒子のプロセス耐性評価]
実施例および比較例で得た樹脂ワニスを、ホモミキサー(プライミクス社製「T.K. Agi-Homo-Mixer」)中に投入した。このホモミキサーを7000rpmで30分間回転させ、プロセス耐性評価用の試料ワニスを得た。
[Process resistance evaluation of hollow particles]
The resin varnishes obtained in Examples and Comparative Examples were put into a homomixer (“TK Agi-Homo-Mixer” manufactured by Primix Corporation). This homomixer was rotated at 7000 rpm for 30 minutes to obtain a sample varnish for process resistance evaluation.

こうして得られた試料ワニスを樹脂ワニスの代わりに用いること以外は、前記[評価用硬化物の作製]と同様の操作を行って、評価用硬化物を作製した。この評価用硬化物について、FIB-SEM複合装置(SIIナノテクノロジー社製「SMI3050SE」)を用いて、断面観察を行った。詳細には、評価用硬化物の表面に垂直な方向における断面をFIB(集束イオンビーム)により削り出し、断面SEM画像(観察幅30μm、観察倍率9,000倍)を取得した。また、前記の断面観察では、各評価用硬化物につき、無作為に選んだ5箇所の断面SEM画像を取得した。取得した断面SEM画像において、粒子の割れが見られるもののプロセス耐性を「×」、見られないもののプロセス耐性を「〇」と判定した。 Except for using the sample varnish thus obtained in place of the resin varnish, the same operation as in the above-mentioned [Preparation of cured product for evaluation] was performed to prepare a cured product for evaluation. A cross-sectional observation of this cured product for evaluation was carried out using a FIB-SEM composite device (“SMI3050SE” manufactured by SII Nanotechnology Inc.). Specifically, a cross section in a direction perpendicular to the surface of the cured product for evaluation was cut out by a FIB (focused ion beam), and a cross-section SEM image (observation width 30 μm, observation magnification 9,000 times) was obtained. Further, in the above-mentioned cross-sectional observation, SEM images of five randomly selected cross-sections were obtained for each evaluation cured product. In the acquired cross-sectional SEM image, the process resistance of the particles showing cracks was judged to be “x”, and the process resistance of those not seen was judged to be “〇”.

[ブリスター耐性の評価]
(1)樹脂シートのラミネート:
実施例及び比較例で得た樹脂シートを、バッチ式真空加圧ラミネーター(名機社製「MVLP-500」)を用いて、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(パナソニック社製「R5715ES」、厚み0.7mm、255mm角)の両面に樹脂組成物層が接するようにラミネートした。このラミネートは、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とし、その後30秒間、100℃、圧力0.74MPaでプレスすることにより行った。
[Evaluation of blister resistance]
(1) Lamination of resin sheet:
The resin sheets obtained in Examples and Comparative Examples were subjected to a glass cloth base material epoxy resin double-sided copper-clad laminate (Panasonic "R5715ES") using a batch type vacuum pressure laminator ("MVLP-500" manufactured by Meiki Co., Ltd.). , 0.7 mm thick, 255 mm square), laminated so that the resin composition layer is in contact with both sides. This laminating was performed by reducing the pressure for 30 seconds to a pressure of 13 hPa or less, and then pressing at 100 ° C. and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds.

(2)樹脂組成物層の硬化:
ラミネートされた樹脂シートから、支持体を剥離した。その後、180℃、30分の硬化条件で樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成した。これにより、絶縁層、積層板及び絶縁層をこの順に備える「積層基板A」を得た。
(2) Curing of resin composition layer:
The support was peeled off from the laminated resin sheet. Then, the resin composition layer was heat-cured at 180 ° C. for 30 minutes to form an insulating layer. As a result, a "laminated substrate A" having an insulating layer, a laminated board, and an insulating layer in this order was obtained.

(3)粗化処理:
作製した積層基板Aの絶縁層の表面を、膨潤液(アトテックジャパン社製のジエチレングリコールモノブチルエーテル含有のスエリングディップ・セキュリガンドP)に60℃で5分間浸漬し、次に粗化液(アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトP(KMnO:60g/L、NaOH:40g/Lの水溶液))に80℃で15分間浸漬し、その後、中和液(アトテックジャパン社製のリダクションショリューシン・セキュリガントP)に40℃で5分間浸漬して、「粗化基板B」を得た。
(3) Roughening treatment:
The surface of the insulating layer of the produced laminated substrate A is immersed in a swelling solution (Atotech Japan's diethylene glycol monobutyl ether-containing swelling dip seculigand P) at 60 ° C. for 5 minutes, and then a roughening solution (Atotech Japan's company). Immerse in Concentrate Compact P (KMnO 4 : 60 g / L, NaOH: 40 g / L aqueous solution) at 80 ° C. for 15 minutes, and then a neutralizing solution (Atotech Japan's Reduction Shorusin Security). It was immersed in Gantt P) at 40 ° C. for 5 minutes to obtain "roughened substrate B".

(4)セミアディティブ工法によるメッキ:
絶縁層の表面に回路を形成するために、粗化基板Bを、PdClを含む無電解メッキ用溶液に浸漬し、次に無電解銅メッキ液に浸漬した。150℃にて30分間加熱してアニール処理を行った後に、エッチングレジストを形成し、エッチングによるパターン形成を行った。その後、硫酸銅電解メッキを行い、30±5μmの厚さで導体層を形成した。次に、アニール処理を180℃にて60分間行った。これにより、絶縁層上に導体層を備える回路基板としての「評価用基板C」を得た。
(4) Plating by semi-additive method:
In order to form a circuit on the surface of the insulating layer, the roughened substrate B was immersed in an electroless plating solution containing PdCl 2 , and then immersed in an electroless copper plating solution. After heating at 150 ° C. for 30 minutes for annealing treatment, an etching resist was formed and a pattern was formed by etching. Then, copper sulfate electrolytic plating was performed to form a conductor layer with a thickness of 30 ± 5 μm. Next, the annealing treatment was performed at 180 ° C. for 60 minutes. As a result, an "evaluation substrate C" as a circuit board having a conductor layer on the insulating layer was obtained.

(5)リフロー工程でのふくれ評価:
評価用基板Cを切断して、100mm×50mmの小片を得た。この小片を、ピーク温度260℃の半田リフロー温度を再現するリフロー装置(日本アントム社製「HAS-6116」)に5回通す試験を行った(リフロー温度プロファイルは、IPC/JEDEC J-STD-020Cに準拠)。前記の試験を5つの小片で行い、試験後の小片を目視観察した。目視観察の結果、3つ以上の小片において導体層にふくれ等の異常があるもののブリスター耐性を「×」と判定した。また、1~2つの小片で導体層にふくれ等の異常があるもののブリスター耐性を「△」と判定した。さらに、全ての小片で全く異常のないもののブリスター耐性を「○」と判定した。
(5) Evaluation of blisters in the reflow process:
The evaluation substrate C was cut to obtain a small piece of 100 mm × 50 mm. This small piece was passed through a reflow device (“HAS-6116” manufactured by Antomu Japan, Inc.) that reproduces the solder reflow temperature with a peak temperature of 260 ° C. 5 times (the reflow temperature profile is IPC / JEDEC J-STD-020C). Compliant with). The above test was performed with 5 small pieces, and the small pieces after the test were visually observed. As a result of visual observation, the blister resistance was judged to be "x" although there were abnormalities such as blisters in the conductor layer in three or more small pieces. In addition, the blister resistance was judged to be "Δ" although there were abnormalities such as blisters in the conductor layer with one or two small pieces. Furthermore, the blister resistance of all the small pieces was judged to be "○", although there was no abnormality at all.

[結果]
実施例及び比較例の結果を、下記の表に示す。下記の表において「液状成分割合」とは、樹脂組成物の不揮発成分100質量%に対する液状成分の質量割合を表す。前記の実施例及び比較例で使用された樹脂ワニスの不揮発成分のうち、液状成分は、液状1,4-グリシジルシクロヘキサン(日鉄ケミカル&マテリアル社製「ZX1658」)、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製「828EL」)及び硬化促進剤(四国化成社製「1B2PZ」)が該当する。また、下記の表において、樹脂組成物の調製に用いた成分の欄の数値は、各成分の配合量(不揮発分換算)を表す。
[result]
The results of Examples and Comparative Examples are shown in the table below. In the table below, the "liquid component ratio" represents the mass ratio of the liquid component to 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition. Among the non-volatile components of the resin varnish used in the above Examples and Comparative Examples, the liquid components are liquid 1,4-glycidylcyclohexane (“ZX1658” manufactured by Nittetsu Chemical & Materials Co., Ltd.) and bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi). "828EL" manufactured by Kagaku Co., Ltd.) and a curing accelerator ("1B2PZ" manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) are applicable. Further, in the table below, the numerical values in the column of the components used for preparing the resin composition represent the blending amount (non-volatile content conversion) of each component.

Figure 0007020378000004
Figure 0007020378000004

Figure 0007020378000005
Figure 0007020378000005

実施例において、(D)成分~(L)成分を含有しない場合であっても、程度に差はあるものの、上記実施例と同様の結果に帰着することを確認している。 In the examples, it has been confirmed that even when the components (D) to (L) are not contained, the same results as those in the above-mentioned examples are obtained, although the degree is different.

Claims (10)

(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、及び(C)中空無機粒子を含む樹脂組成物であって
(C)中空無機粒子が、下記の要件(c1)及び要件(c2)の少なくとも一方を満た
樹脂組成物を200℃で90分間加熱して硬化させて得られる硬化物の、25℃から150℃までの平均の線熱膨張整数が、42ppm/℃以下である、樹脂組成物。
(c1):(C)中空無機粒子が、無機複合酸化物で形成されている。
(c2):(C)中空無機粒子の空孔率が25体積%以上であり、且つ、(C)中空無機粒子の平均粒径が5.0μm以下である。
A resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) hollow inorganic particles.
(C) The hollow inorganic particles satisfy at least one of the following requirements (c1) and (c2).
A resin composition having a cured product obtained by heating the resin composition at 200 ° C. for 90 minutes and having an average linear thermal expansion integer of 42 ppm / ° C. or less from 25 ° C. to 150 ° C.
(C1): (C) Hollow inorganic particles are formed of an inorganic composite oxide.
(C2): The porosity of the hollow inorganic particles (C) is 25% by volume or more, and the average particle size of the hollow inorganic particles (C) is 5.0 μm or less.
(C)中空無機粒子の量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、50質量%以下である、請求項1に記載の樹脂組成物。 (C) The resin composition according to claim 1, wherein the amount of the hollow inorganic particles is 50% by mass or less with respect to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. (C)中空無機粒子が、アルミノシリケートで形成されている、請求項1又は2に記載の樹脂組成物。 (C) The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the hollow inorganic particles are formed of aluminosilicate. 要件(c2)において、(C)中空無機粒子の平均粒径が2.5μm以下である、請求項1~3のいずれか一項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein in the requirement (c2), the average particle size of the hollow inorganic particles (C) is 2.5 μm or less. 20℃で液状の成分を、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、3質量%以上含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the component liquid at 20 ° C. is contained in an amount of 3% by mass or more with respect to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition. 樹脂組成物の不揮発成分100質量%に対して0.1質量%以上15質量%以下の(D)熱可塑性樹脂を含む、請求項1~5のいずれか一項に記載の樹脂組成物。The resin composition according to any one of claims 1 to 5, which contains (D) a thermoplastic resin of 0.1% by mass or more and 15% by mass or less with respect to 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition. 導体層を形成するための絶縁層形成用である、請求項1~のいずれか一項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 6 , which is used for forming an insulating layer for forming a conductor layer. 支持体と、
支持体上に設けられた、請求項1~のいずれか一項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層とを含む、樹脂シート。
With the support,
A resin sheet provided on a support and comprising a resin composition layer containing the resin composition according to any one of claims 1 to 7 .
請求項1~のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物で形成された絶縁層を含む、プリント配線板。 A printed wiring board including an insulating layer formed of a cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 7 . 請求項記載のプリント配線板を含む、半導体装置。 A semiconductor device including the printed wiring board according to claim 9 .
JP2018217421A 2018-11-20 2018-11-20 Resin composition Active JP7020378B2 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018217421A JP7020378B2 (en) 2018-11-20 2018-11-20 Resin composition
KR1020190146976A KR20200059158A (en) 2018-11-20 2019-11-15 Resin composition
TW108141486A TWI825222B (en) 2018-11-20 2019-11-15 resin composition
CN201911133397.0A CN111196890B (en) 2018-11-20 2019-11-19 Resin composition
JP2022007094A JP7342980B2 (en) 2018-11-20 2022-01-20 resin composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018217421A JP7020378B2 (en) 2018-11-20 2018-11-20 Resin composition

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022007094A Division JP7342980B2 (en) 2018-11-20 2022-01-20 resin composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020083966A JP2020083966A (en) 2020-06-04
JP7020378B2 true JP7020378B2 (en) 2022-02-16

Family

ID=70744522

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018217421A Active JP7020378B2 (en) 2018-11-20 2018-11-20 Resin composition
JP2022007094A Active JP7342980B2 (en) 2018-11-20 2022-01-20 resin composition

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022007094A Active JP7342980B2 (en) 2018-11-20 2022-01-20 resin composition

Country Status (4)

Country Link
JP (2) JP7020378B2 (en)
KR (1) KR20200059158A (en)
CN (1) CN111196890B (en)
TW (1) TWI825222B (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117043266A (en) * 2021-03-16 2023-11-10 味之素株式会社 Resin sheet
JP2023165254A (en) 2022-05-02 2023-11-15 味の素株式会社 resin composition

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002088198A (en) 2000-09-12 2002-03-27 Toyota Motor Corp Tire
JP2002087831A (en) 2000-05-31 2002-03-27 Asahi Glass Co Ltd Microhollow glass spherical body and method for manufacturing the same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07108943B2 (en) * 1991-02-25 1995-11-22 新神戸電機株式会社 Laminated board and manufacturing method thereof
JP5433416B2 (en) * 2006-08-08 2014-03-05 ワールド プラパティーズ、 インコーポレイテッド Circuit materials, circuits and multilayer circuit laminates
CN102471590B (en) * 2009-07-14 2015-05-20 花王株式会社 Low-permittivity resin composition
JP5703547B2 (en) * 2009-07-24 2015-04-22 住友ベークライト株式会社 Resin composition, prepreg, laminate, multilayer printed wiring, and semiconductor device
JP5864299B2 (en) 2012-02-24 2016-02-17 味の素株式会社 Resin composition
WO2014069477A1 (en) * 2012-10-31 2014-05-08 日本バルカー工業株式会社 Piezoelectric stack
JP6389431B2 (en) 2014-12-24 2018-09-12 太平洋セメント株式会社 Fine aluminosilicate hollow particles
CN107251163A (en) * 2015-08-19 2017-10-13 积水化学工业株式会社 Conductive material and connection structural bodies
JP6897008B2 (en) * 2016-04-22 2021-06-30 昭和電工マテリアルズ株式会社 Thermosetting resin composition for interlayer insulation layer, resin film for interlayer insulation layer, multilayer resin film, multilayer printed wiring board and its manufacturing method
JP7151092B2 (en) * 2017-02-14 2022-10-12 味の素株式会社 resin composition

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002087831A (en) 2000-05-31 2002-03-27 Asahi Glass Co Ltd Microhollow glass spherical body and method for manufacturing the same
JP2002088198A (en) 2000-09-12 2002-03-27 Toyota Motor Corp Tire

Also Published As

Publication number Publication date
TW202030245A (en) 2020-08-16
JP2020083966A (en) 2020-06-04
CN111196890A (en) 2020-05-26
CN111196890B (en) 2024-02-13
JP7342980B2 (en) 2023-09-12
TWI825222B (en) 2023-12-11
JP2022048225A (en) 2022-03-25
KR20200059158A (en) 2020-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2021119245A (en) Resin composition, adhesive film, printed wiring board and semiconductor device
JP6939687B2 (en) Resin composition
JP7354525B2 (en) resin composition
JP2023033327A (en) resin composition
JP7156433B2 (en) resin composition
JP7342980B2 (en) resin composition
JP7444212B2 (en) resin composition
JP7287418B2 (en) resin composition
JP7222414B2 (en) resin composition
JP7379829B2 (en) Manufacturing method of printed wiring board
JP2022017350A (en) Adhesive sheet with support medium
JP7375610B2 (en) resin composition
JP6927149B2 (en) Resin composition
JP6927151B2 (en) Resin composition
JP7283125B2 (en) Method for manufacturing printed wiring board
JP6965823B2 (en) Adhesive sheet with support
JP7196551B2 (en) RESIN SHEET WITH SUPPORT AND RESIN COMPOSITION LAYER
JP7243032B2 (en) resin composition
JP2021014546A (en) Resin composition
JP7371606B2 (en) Manufacturing method of printed wiring board
JP7322427B2 (en) Method for manufacturing printed wiring board
WO2023135948A1 (en) Method for producing printed wiring board
JP2021181557A (en) Resin composition
JP2022066981A (en) Method of manufacturing printed wiring board

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210924

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20210924

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211026

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211208

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220104

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220117

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7020378

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150