JP7015663B2 - Polishing composition, its manufacturing method and polishing method - Google Patents
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本発明は研磨用組成物及びその製造方法並びに研磨方法に関する。 The present invention relates to a polishing composition, a method for producing the same, and a polishing method.
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、単体シリコン（Ｓｉ）、シリコン化合物、金属等の研磨対象物を研磨する工程があり、例えば、シャロー・トレンチ素子分離（ＳＴＩ：Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）の工程においては、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を研磨する工程がある。
このシャロー・トレンチ素子分離の工程では、研磨対象物である酸化ケイ素の研磨を、その酸化ケイ素の下層に設けた窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）で停止させることがある。この窒化ケイ素で形成された膜は、一般にストッパー膜と呼ばれている。
In the process of manufacturing a semiconductor device, there is a step of polishing a single object to be polished such as silicon (Si), a silicon compound, and a metal. For example, in the process of shallow trench element separation (STI), oxidation is performed. There is a step of polishing silicon (SiO 2 ).
In this process of separating the shallow trench element, the polishing of silicon oxide, which is the object to be polished, may be stopped by the silicon nitride (Si 3 N 4 ) provided in the lower layer of the silicon oxide. The film formed of this silicon nitride is generally called a stopper film.
このストッパー膜が確実に機能するためには、研磨対象物である酸化ケイ素の研磨速度に対してストッパー膜である窒化ケイ素の研磨速度を充分に小さく、即ち、酸化ケイ素と窒化ケイ素の研磨速度の比（酸化ケイ素の研磨速度／窒化ケイ素の研磨速度）を充分に大きくする必要がある。
酸化ケイ素の研磨速度を窒化ケイ素の研磨速度に対して大きくした研磨用組成物に関する技術としては、例えば、特許文献１に記載の技術がある。
しかしながら、従来の研磨用組成物は、窒化ケイ素の研磨速度に関するユーザーの要求を充分に満足するものではなかった。
In order for this stopper film to function reliably, the polishing rate of silicon nitride, which is a stopper film, is sufficiently small with respect to the polishing rate of silicon oxide, which is the object to be polished, that is, the polishing rates of silicon oxide and silicon nitride. It is necessary to sufficiently increase the ratio (polishing rate of silicon oxide / polishing rate of silicon nitride).
As a technique for a polishing composition in which the polishing rate of silicon oxide is increased with respect to the polishing rate of silicon nitride, for example, there is a technique described in Patent Document 1.
However, the conventional polishing composition does not fully satisfy the user's request regarding the polishing rate of silicon nitride.
そこで、本発明は上記のような従来技術が有する問題点を解決し、単体シリコン、シリコン化合物、金属等の研磨対象物のうち、特定の研磨対象物、特に窒化ケイ素の研磨速度を低下させることが可能な研磨用組成物及びその製造方法並びに研磨方法を提供することを課題とする。 Therefore, the present invention solves the above-mentioned problems of the prior art and reduces the polishing speed of a specific polishing object, particularly silicon nitride, among the polishing objects such as single silicon, silicon compound, and metal. It is an object of the present invention to provide a polishing composition capable of polishing, a method for producing the same, and a polishing method.
前記課題を解決するため、本発明の一態様に係る研磨用組成物は、環構造を有し、且つ前記環構造に結合した３個以上のアニオン性官能基を有する化合物又はその塩を含む研磨抑制剤と、砥粒と、液状媒体と、を含有することを要旨とする。
上記一態様に係る研磨用組成物においては、環構造が芳香環を含んだ構造であってもよい。また、環構造が、シクロアルカン環、シクロアルケン環及びシクロジエン環の少なくとも１種を含んだ構造であってもよい。さらに、環構造の環員数が４以上１０以下であってもよい。さらに、アニオン性官能基がカルボキシ基又はスルホ基であってもよい。
In order to solve the above problems, the polishing composition according to one aspect of the present invention has a ring structure and is polished containing a compound having three or more anionic functional groups bonded to the ring structure or a salt thereof. The gist is that it contains an inhibitor, abrasive grains, and a liquid medium.
In the polishing composition according to the above aspect, the ring structure may include an aromatic ring. Further, the ring structure may be a structure containing at least one of a cycloalkane ring, a cycloalkene ring and a cyclodiene ring. Further, the number of ring members of the ring structure may be 4 or more and 10 or less. Further, the anionic functional group may be a carboxy group or a sulfo group.
さらに、上記一態様に係る研磨用組成物においては、アニオン性官能基を有する化合物又はその塩の濃度が１ｍｍｏｌ／Ｌ以上１００ｍｍｏｌ／Ｌ以下であってもよい。
さらに、上記一態様に係る研磨用組成物は、ｐＨが６以下の状態で正に帯電した領域を有する基板の研磨に用いることができる。
Further, in the polishing composition according to the above aspect, the concentration of the compound having an anionic functional group or a salt thereof may be 1 mmol / L or more and 100 mmol / L or less.
Further, the polishing composition according to the above aspect can be used for polishing a substrate having a positively charged region at a pH of 6 or less.
さらに、本発明の他の態様に係る研磨用組成物の製造方法は、上記一態様に係る研磨用組成物を製造する方法であって、研磨抑制剤と砥粒と液状媒体とを混合する工程を有することを要旨とする。
また、本発明の他の態様に係る研磨方法は、上記一態様に係る研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨する工程を有することを要旨とする。この研磨方法においては、研磨対象物が窒化ケイ素であってもよい。
さらに、本発明の他の態様に係る基板の製造方法は、上記一態様に係る研磨用組成物を用いて基板の表面を研磨する工程を有することを要旨とする。
Further, the method for producing a polishing composition according to another aspect of the present invention is a method for producing a polishing composition according to the above one aspect, which is a step of mixing a polishing inhibitor, abrasive grains, and a liquid medium. The gist is to have.
Further, the polishing method according to another aspect of the present invention has a gist of having a step of polishing an object to be polished using the polishing composition according to the above one aspect. In this polishing method, the object to be polished may be silicon nitride.
Furthermore, the gist of the method for producing a substrate according to another aspect of the present invention is to have a step of polishing the surface of the substrate using the polishing composition according to the above one aspect.
本発明の一態様に係る研磨用組成物及び研磨方法は、単体シリコン、シリコン化合物、金属等の研磨対象物のうち、特定の研磨対象物、特に窒化ケイ素の研磨速度を低下させることができる。また、本発明の一態様に係る研磨用組成物の製造方法は、単体シリコン、シリコン化合物、金属等の研磨対象物のうち、特定の研磨対象物、特に窒化ケイ素の研磨速度を低下させる研磨用組成物を製造することができる。 The polishing composition and the polishing method according to one aspect of the present invention can reduce the polishing rate of a specific polishing object, particularly silicon nitride, among the polishing objects such as single silicon, silicon compound, and metal. Further, the method for producing a polishing composition according to one aspect of the present invention is for polishing a specific polishing object, particularly silicon nitride, among the polishing objects such as elemental silicon, a silicon compound, and a metal. The composition can be produced.
本発明の実施の形態を詳細に説明する。本実施形態に係る研磨用組成物は、環構造を有し、且つその環構造に結合した３個以上のアニオン性官能基を有する化合物又はその塩を含む研磨抑制剤と、砥粒と、液状媒体と、を含有する。この研磨用組成物は、環構造を有し、且つその環構造に結合した３個以上のアニオン性官能基を有する化合物又はその塩を含む研磨抑制剤と、砥粒と、水、有機溶剤等の液状媒体と、を混合することによって製造することができる。 Embodiments of the present invention will be described in detail. The polishing composition according to the present embodiment has a polishing inhibitor containing a compound having a ring structure and having three or more anionic functional groups bonded to the ring structure or a salt thereof, abrasive grains, and a liquid. Contains a medium. This polishing composition contains a polishing inhibitor containing a compound having a ring structure and having three or more anionic functional groups bonded to the ring structure or a salt thereof, abrasive grains, water, an organic solvent, etc. It can be produced by mixing with the liquid medium of.
この研磨用組成物は、単体シリコン、シリコン化合物、金属等の研磨対象物を研磨する用途、例えば、半導体デバイスの製造プロセスにおいて半導体配線基板の単体シリコン、シリコン化合物、金属等を含んだ表面を研磨する用途に好適である。そして、窒化ケイ素含有層上に形成された酸化ケイ素含有層を研磨する用途に特に好適である。この研磨用組成物を用いて研磨を行えば、単体シリコン、シリコン化合物、金属等の研磨対象物のうち、特定の研磨対象物、特に窒化ケイ素の研磨速度を低下させることができる。
このため、本実施形態に係る研磨用組成物及び研磨方法であれば、例えば、半導体デバイスの製造プロセスにおいて、窒化ケイ素を、酸化ケイ素の研磨におけるストッパー膜として使用することができる。即ち、本実施形態に係る研磨用組成物及び研磨方法であれば、研磨対象物の相違による選択研磨性を促進することができる。
This polishing composition is used for polishing objects to be polished such as elemental silicon, silicon compounds, and metals, for example, polishing the surface of a semiconductor wiring substrate containing elemental silicon, silicon compounds, metals, etc. in the manufacturing process of semiconductor devices. Suitable for applications. The silicon nitride-containing layer formed on the silicon nitride-containing layer is particularly suitable for polishing. When polishing is performed using this polishing composition, it is possible to reduce the polishing speed of a specific polishing target, particularly silicon nitride, among the polishing targets such as single silicon, silicon compound, and metal.
Therefore, in the polishing composition and polishing method according to the present embodiment, for example, silicon nitride can be used as a stopper film in polishing silicon oxide in the manufacturing process of a semiconductor device. That is, the polishing composition and the polishing method according to the present embodiment can promote selective polishing property due to the difference in the object to be polished.
以下に、本実施形態に係る研磨用組成物について詳細に説明する。
１．研磨抑制物質について
研磨抑制剤に含まれる、環構造を有し、且つその環構造に結合した３個以上のアニオン性官能基を有する化合物又はその塩（以下、研磨抑制物質とも称する）は、特定の研磨対象物の研磨速度の低下に寄与する。特に、窒化ケイ素の研磨速度の低下に有効である。研磨対象物が窒化ケイ素の場合は、研磨抑制物質が窒化ケイ素の表面を覆うため、酸化ケイ素の研磨速度が低下すると考えられる。なお、この研磨速度の低下に関するメカニズムについては、後述する。
The polishing composition according to this embodiment will be described in detail below.
1. 1. Polishing inhibitor The compound having a ring structure and having three or more anionic functional groups bonded to the ring structure or a salt thereof (hereinafter, also referred to as a polishing inhibitor) contained in the polishing inhibitor is specified. Contributes to a decrease in the polishing speed of the object to be polished. In particular, it is effective in reducing the polishing speed of silicon nitride. When the object to be polished is silicon nitride, it is considered that the polishing rate of silicon oxide is lowered because the polishing inhibitor covers the surface of the silicon nitride. The mechanism for reducing the polishing speed will be described later.
メリット酸（メリト酸）等の、環構造を有し、且つその環構造に結合した３個以上のアニオン性官能基を有する化合物は、研磨用組成物にｐＨ調整剤（研磨用組成物のｐＨを調整し、研磨対象物の溶解を向上させる添加剤）として添加されることがあるが、特定の研磨対象物の研磨速度の低下に寄与することは知られていない。つまり、環構造を有し、且つその環構造に結合した３個以上のアニオン性官能基を有する化合物又はその塩が研磨抑制物質として機能することは知られていない。なお、環構造を有し、且つその環構造に結合した３個以上のアニオン性官能基を有する化合物が、研磨用組成物においてｐＨ調整剤としても機能することは勿論である。 A compound having a ring structure and having three or more anionic functional groups bonded to the ring structure, such as merit acid (meritoic acid), is used as a pH adjuster (pH of the polishing composition) in the polishing composition. It is not known that it contributes to a decrease in the polishing rate of a specific object to be polished. That is, it is not known that a compound having a ring structure and having three or more anionic functional groups bonded to the ring structure or a salt thereof functions as a polishing inhibitor. Of course, the compound having a ring structure and having three or more anionic functional groups bonded to the ring structure also functions as a pH adjuster in the polishing composition.
本実施形態に係る研磨抑制物質としては、例えば、環構造が芳香環、シクロアルカン環、シクロアルケン環及びシクロジエン環の少なくとも１種を含んだ構造であり、且つその環構造に結合した３個以上のアニオン性官能基を有する化合物又はその塩があげられる。これらの環式化合物の環員数は特に限定されるものではなく、４員環から１０員環の化合物であってもよい。ここで、４員環以上の化合物は、その環構造が安定であるため反応性が低く、取り扱いが容易となる。また、１０員環以下の化合物は、１１員環以下の化合物に比べて低分子量になり粘性が低くなるので、取り扱いが容易となる。 As the polishing inhibitor according to the present embodiment, for example, the ring structure is a structure containing at least one of an aromatic ring, a cycloalkane ring, a cycloalkene ring and a cyclodiene ring, and three or more are bonded to the ring structure. Examples thereof include compounds having an anionic functional group of the above or salts thereof. The number of ring members of these cyclic compounds is not particularly limited, and may be a compound having a 4-membered ring to a 10-membered ring. Here, the compound having a 4-membered ring or more has a stable ring structure and therefore has low reactivity and is easy to handle. Further, a compound having a 10-membered ring or less has a lower molecular weight and a lower viscosity than a compound having an 11-membered ring or less, and thus is easy to handle.
なお、これらの環式化合物は、ベンゼン環を母核（基本構造）とする化合物群であるベンゼン誘導体、ナフタレン環を母核とする化合物群であるナフタレン誘導体、シクロブタン環を母核とする化合物群であるシクロブタン誘導体、シクロペンタン環を母核とする化合物群であるシクロペンタン誘導体及びシクロヘキサン環を母核とする化合物群であるシクロヘキサン誘導体等であってもよい。また、これらの環式化合物は、シクロアルケン環を母核とする化合物群であるシクロアルケン誘導体、シクロジエン環を母核とする化合物群であるシクロジエン誘導体等であってもよい。 These cyclic compounds are a benzene derivative which is a compound group having a benzene ring as a mother nucleus (basic structure), a naphthalene derivative which is a compound group having a naphthalene ring as a mother nucleus, and a compound group having a cyclopentane ring as a mother nucleus. It may be a cyclopentane derivative, a cyclopentane derivative which is a compound group having a cyclopentane ring as a mother nucleus, a cyclohexane derivative which is a compound group having a cyclohexane ring as a mother nucleus, or the like. Further, these cyclic compounds may be a cycloalkene derivative which is a compound group having a cycloalkene ring as a mother nucleus, a cyclodiene derivative which is a compound group having a cyclodiene ring as a mother nucleus, or the like.
ベンゼン誘導体の具体例としては、例えば、トリメリット酸（１，２，４－ベンゼントリカルボン酸）、トリメシン酸（１，３，５－ベンゼントリカルボン酸）、３－スルホフタル酸含有４－スルホフタル酸、ピロメリット酸（ベンゼン－１，２，４，５－テトラカルボン酸)、メリット酸（ベンゼンヘキサカルボン酸）等があげられる。
ナフタレン誘導体の具体例としては、例えば、ナフタレン－１，３，６－トリスルホン酸三ナトリウム水和物等があげられる。
Specific examples of the benzene derivative include trimellitic acid (1,2,4-benzenetricarboxylic acid), trimesic acid (1,3,5-benzenetricarboxylic acid), 3-sulfophthalic acid-containing 4-sulfophthalic acid, and pyro. Examples thereof include merit acid (benzene-1,2,4,5-tetracarboxylic acid) and merit acid (benzene hexacarboxylic acid).
Specific examples of the naphthalene derivative include naphthalene-1,3,6-trisodium trisodium hydrate and the like.
シクロブタン誘導体の具体例としては、例えば、１，２，３，４－シクロブタンテトラカルボン酸、１α，２α，３α－シクロブタントリカルボン酸トリメチル等があげられる。
シクロペンタン誘導体の具体例としては、例えば、１，２，３，４－シクロペンタンテトラカルボン酸、２－カルボキシメチル－１，３，４－シクロペンタントリカルボン酸等があげられる。
Specific examples of the cyclobutane derivative include 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid, 1α, 2α, 3α-cyclobutanetricarboxylic acid trimethyl and the like.
Specific examples of the cyclopentane derivative include 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic acid, 2-carboxymethyl-1,3,4-cyclopentanetricarboxylic acid and the like.
シクロヘキサン誘導体の具体例としては、例えば、１，２，４，５－シクロヘキサンテトラカルボン酸、１，２，３，４，５，６－シクロヘキサンヘキサカルボン酸一水和物、フィチン酸等があげられる。
シクロアルケン誘導体の具体例としては、例えば、シクロヘキセントリカルボン酸等があげられる。
シクロジエン誘導体の具体例としては、例えば、シクロヘキサジエントリカルボン酸等があげられる。
Specific examples of the cyclohexane derivative include 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic acid, 1,2,3,4,5,6-cyclohexanehexacarboxylic acid monohydrate, phytic acid and the like. ..
Specific examples of the cycloalkene derivative include cyclohexene tricarboxylic acid and the like.
Specific examples of the cyclohexadiene derivative include cyclohexadiene carboxylic acid and the like.
また、アニオン性官能基の具体例としては、カルボキシ基、スルホ基、ホスホン酸基等があげられる。これらの中でも、カルボキシ基又はスルホ基が好ましく、カルボキシ基がより好ましい。
これら研磨抑制物質は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
なお、これらの研磨抑制物質の中でも、３－スルホフタル酸含有４－スルホフタル酸、ピロメリット酸、メリット酸、フィチン酸、１，２，３，４－シクロブタンテトラカルボン酸、１，２，３，４－シクロペンタンテトラカルボン酸、１，２，４，５－シクロヘキサンテトラカルボン酸、１，２，３，４，５，６－シクロヘキサンヘキサカルボン酸一水和物がより好ましい。
Specific examples of the anionic functional group include a carboxy group, a sulfo group, a phosphonic acid group and the like. Among these, a carboxy group or a sulfo group is preferable, and a carboxy group is more preferable.
These polishing inhibitores may be used alone or in combination of two or more.
Among these polishing inhibitors, 3-sulfophthalic acid-containing 4-sulfophthalic acid, pyromellitic acid, merit acid, phytic acid, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid, 1,2,3,4 -Cyclopentanetetracarboxylic acid, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic acid, 1,2,3,4,5,6-cyclohexanehexacarboxylic acid monohydrate are more preferred.
研磨抑制物質の研磨用組成物全体における濃度は、１ｍｍｏｌ／Ｌ以上であることが好ましい。このような範囲であれば、例えば、研磨対象物である酸化ケイ素の研磨速度と、窒化ケイ素の研磨速度との比（酸化ケイ素の研磨速度／窒化ケイ素の研磨速度）が大きくなる。
また、研磨抑制物質の研磨用組成物全体における濃度は、１００ｍｍｏｌ／Ｌ以下であることが好ましい。このような範囲であれば、研磨用組成物のコストを抑えることができる。
The concentration of the polishing inhibitor in the entire polishing composition is preferably 1 mmol / L or more. Within such a range, for example, the ratio of the polishing rate of silicon oxide, which is the object to be polished, to the polishing rate of silicon nitride (silicon oxide polishing rate / silicon nitride polishing rate) becomes large.
Further, the concentration of the polishing inhibitor in the entire polishing composition is preferably 100 mmol / L or less. Within such a range, the cost of the polishing composition can be suppressed.
以下、本実施形態に係る研磨抑制物質を研磨用組成物に含めることで、研磨対象物の相違による選択研磨性が促進するメカニズム、具体的には、窒化ケイ素の研磨速度が酸化ケイ素の研磨速度に比べて小さくなるメカニズムについては、必ずしも明確ではないが、例えば以下のように推察される。
図１（ａ）は、本実施形態に係る研磨抑制物質が研磨対象物である窒化ケイ素に接近した状態を示している。一方、図１（ｂ）は、本実施形態に係る研磨抑制物質が研磨対象物である酸化ケイ素に接近した状態を示している。
Hereinafter, by including the polishing inhibitor according to the present embodiment in the polishing composition, the mechanism by which the selective polishing property is promoted due to the difference in the polishing target, specifically, the polishing rate of silicon nitride is the polishing rate of silicon oxide. The mechanism that is smaller than that of is not always clear, but it can be inferred as follows, for example.
FIG. 1A shows a state in which the polishing inhibitor according to the present embodiment is close to silicon nitride, which is the object to be polished. On the other hand, FIG. 1B shows a state in which the polishing inhibitor according to the present embodiment is close to silicon oxide, which is the object to be polished.
図１（ａ）に示すように、研磨抑制物質が窒化ケイ素に接近すると、研磨抑制物質のアニオン性官能基が有する負電荷と、窒化ケイ素が有する正電荷との間に静電引力（クーロン力）が生じ、研磨抑制物質が窒化ケイ素の表面に吸着する。このように、研磨工程時、窒化ケイ素の表面が、研磨抑制物質が集合した保護膜で覆われるため、窒化ケイ素の研磨速度が低下する等が考えられる。なお、研磨抑制物質は、芳香環、シクロアルカン環、シクロアルケン環及びシクロジエン環の少なくとも１種の環構造を有しているため、研磨抑制物質の基本骨格（基本構造）の変化量が小さい。この点も研磨耐性を備えた保護膜を形成するための要因と考えられる。 As shown in FIG. 1 (a), when the polishing inhibitor approaches silicon nitride, an electrostatic attraction (Coolon force) is applied between the negative charge of the anionic functional group of the polishing inhibitor and the positive charge of the silicon nitride. ) Is generated, and the polishing inhibitor is adsorbed on the surface of the silicon nitride. As described above, during the polishing step, the surface of the silicon nitride is covered with the protective film in which the polishing inhibitor is aggregated, so that the polishing speed of the silicon nitride may decrease. Since the polishing inhibitor has at least one ring structure of an aromatic ring, a cycloalkane ring, a cycloalkene ring, and a cyclodiene ring, the amount of change in the basic skeleton (basic structure) of the polishing inhibitor is small. This point is also considered to be a factor for forming a protective film having polishing resistance.
一方、図１（ｂ）に示すように、研磨抑制物質が酸化ケイ素に接近しても、酸化ケイ素は正電荷を有していない、又は正の電荷量が極めて少ないため、アニオン性官能基と酸化ケイ素との間に発生する静電引力は極めて小さい。このため、研磨工程時、酸化ケイ素の表面には研磨耐性を備えた保護膜が形成されず、酸化ケイ素の研磨は、抑制されないと考えられる。
また、本実施形態に係る研磨抑制物質の環構造が芳香環を含んだ構造である場合に、芳香環のπ電子と他の芳香環のπ電子とが相互作用（π－πスタッキング）し、研磨抑制物質は積層体を形成し得る。このような積層体が保護膜として窒化ケイ素の表面に形成されると、窒化ケイ素の研磨速度がさらに低下する等が考えられる。
On the other hand, as shown in FIG. 1 (b), even if the polishing inhibitor approaches silicon oxide, silicon oxide does not have a positive charge or the amount of positive charge is extremely small, so that the silicon oxide is an anionic functional group. The electrostatic attraction generated with silicon oxide is extremely small. Therefore, it is considered that the protective film having polishing resistance is not formed on the surface of silicon oxide during the polishing step, and the polishing of silicon oxide is not suppressed.
Further, when the ring structure of the polishing inhibitor according to the present embodiment is a structure containing an aromatic ring, the π electron of the aromatic ring and the π electron of another aromatic ring interact (π-π stacking). The polishing inhibitor can form a laminate. If such a laminate is formed on the surface of silicon nitride as a protective film, it is considered that the polishing rate of silicon nitride is further reduced.
上記メカニズムでは研磨対象物をＳｉ３Ｎ４とＳｉＯ２を例にあげて説明したが、研磨対象物はＳｉ３Ｎ４とＳｉＯ２に限定されるものではない。表面に正電荷を有する研磨対象物であれば、上述の保護膜を研磨対象物の表面上に形成することができる。したがって、表面に正電荷を有する研磨対象物の研磨速度を、表面に正電荷を有さない（正の電荷量が少ない）研磨対象物の研磨速度に比べて低下させることができる。即ち、本実施形態に係る研磨抑制物質を含む研磨用組成物であれば、正電荷を有する研磨対象物の研磨速度と、正電荷を有さない研磨対象物の研磨速度との比（正電荷を有する研磨対象物の研磨速度／正電荷を有さない研磨対象物の研磨速度）を大きくすることができる。 In the above mechanism, the objects to be polished have been described by taking Si 3 N 4 and SiO 2 as an example, but the objects to be polished are not limited to Si 3 N 4 and SiO 2 . If the object to be polished has a positive charge on the surface, the above-mentioned protective film can be formed on the surface of the object to be polished. Therefore, the polishing rate of the polishing object having a positive charge on the surface can be lowered as compared with the polishing rate of the polishing object having no positive charge on the surface (the amount of positive charge is small). That is, in the case of the polishing composition containing the polishing inhibitor according to the present embodiment, the ratio of the polishing rate of the polishing object having a positive charge to the polishing rate of the polishing object having no positive charge (positive charge). The polishing rate of the object to be polished / the polishing rate of the object to be polished having no positive charge) can be increased.
２．砥粒について
２－１ 種類について
砥粒は、研磨対象物の表面を物理的に研磨する働きをする。砥粒の種類は特に限定されるものではないが、シリカ粒子、アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化クロム粒子、二酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化マグネシウム粒子、二酸化マンガン粒子、酸化亜鉛粒子、ベンガラ粒子等の酸化物粒子や、窒化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子等の窒化物粒子や、炭化ケイ素粒子、炭化ホウ素粒子等の炭化物粒子や、炭酸カルシウム、炭酸バリウム等の炭酸塩や、ダイヤモンド粒子等が挙げられる。
2. 2. About 2-1 types of abrasive grains Abrasive grains have the function of physically polishing the surface of the object to be polished. The type of abrasive grains is not particularly limited, but silica particles, alumina particles, cerium oxide particles, chromium oxide particles, titanium dioxide particles, zirconium oxide particles, magnesium oxide particles, manganese dioxide particles, zinc oxide particles, and red iron oxide particles. Oxide particles such as, silicon nitride particles, nitride particles such as boron nitride particles, carbide particles such as silicon carbide particles and boron carbide particles, carbonates such as calcium carbonate and barium carbonate, diamond particles and the like. Be done.
これらの具体例の中でもシリカが好ましい。シリカの具体例としては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、及びゾルゲル法シリカから選ばれるシリカ粒子が挙げられる。これらシリカ粒子の中でも、研磨対象物の被研磨面に生じるスクラッチを減少させるという観点において、コロイダルシリカ及びフュームドシリカから選ばれるシリカ粒子、特にコロイダルシリカを用いることが好ましい。砥粒は、これらのうち一種を単独で用いてもよいし、二種以上を組み合わせて用いてもよい。 Among these specific examples, silica is preferable. Specific examples of silica include silica particles selected from colloidal silica, fumed silica, and sol-gel process silica. Among these silica particles, it is preferable to use silica particles selected from colloidal silica and fumed silica, particularly colloidal silica, from the viewpoint of reducing scratches generated on the surface to be polished of the object to be polished. As the abrasive grains, one of these may be used alone, or two or more of them may be used in combination.
２－２ アスペクト比について
砥粒、即ち研磨粒子のアスペクト比は、１．４未満であることが好ましく、１．３以下であることがより好ましく、１．２５以下であることがさらに好ましい。そうすれば、砥粒の形状が原因となる研磨対象物の表面粗さを良好なものとすることができる。
なお、このアスペクト比は、研磨粒子に外接する最小の長方形の長辺の長さを同じ長方形の短辺の長さで除することにより得られる値の平均値であり、走査型電子顕微鏡によって得た研磨粒子の画像から、一般的な画像解析ソフトウエアを用いて求めることができる。
2-2 Aspect ratio The aspect ratio of the abrasive particles, that is, the abrasive particles is preferably less than 1.4, more preferably 1.3 or less, and further preferably 1.25 or less. Then, the surface roughness of the object to be polished due to the shape of the abrasive grains can be made good.
This aspect ratio is an average value obtained by dividing the length of the long side of the smallest rectangle circumscribing the abrasive particles by the length of the short side of the same rectangle, and is obtained by a scanning electron microscope. It can be obtained from the image of the polished particles using general image analysis software.
２－３ 平均一次粒子径について
砥粒の平均一次粒子径は、５ｎｍ以上であることが好ましく、７ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。また、砥粒の平均一次粒子径は、２００ｎｍ以下であることが好ましく、１５０ｎｍ以下であることがより好ましく、１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
2-3 Average primary particle diameter The average primary particle diameter of the abrasive grains is preferably 5 nm or more, more preferably 7 nm or more, and further preferably 10 nm or more. The average primary particle diameter of the abrasive grains is preferably 200 nm or less, more preferably 150 nm or less, and further preferably 100 nm or less.
このような範囲であれば、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度比（研磨速度が大きい研磨対象物の研磨速度／研磨速度が小さい研磨対象物の研磨速度）が大きくなる。また、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面にディッシングが生じることをより抑えることができる。
なお、砥粒の平均一次粒子径は、例えば、ＢＥＴ法で測定される砥粒の比表面積に基づいて算出される。
Within such a range, the polishing rate ratio of the object to be polished by the polishing composition (the polishing rate of the object to be polished with a high polishing rate / the polishing rate of the object to be polished having a low polishing rate) becomes large. In addition, it is possible to further suppress the occurrence of dishing on the surface of the object to be polished after polishing with the polishing composition.
The average primary particle diameter of the abrasive grains is calculated based on, for example, the specific surface area of the abrasive grains measured by the BET method.
２－４ 平均二次粒子径について
砥粒の平均二次粒子径は、２５ｎｍ以上であることが好ましく、３０ｎｍ以上であることがより好ましく、３５ｎｍ以上であることがさらに好ましい。また、砥粒の平均二次粒子径は、３００ｎｍ以下であることが好ましく、２６０ｎｍ以下であることがより好ましく、２２０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
2-4 About the average secondary particle diameter The average secondary particle diameter of the abrasive grains is preferably 25 nm or more, more preferably 30 nm or more, and further preferably 35 nm or more. The average secondary particle diameter of the abrasive grains is preferably 300 nm or less, more preferably 260 nm or less, and further preferably 220 nm or less.
このような範囲であれば、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度比（研磨速度が大きい研磨対象物の研磨速度／研磨速度が小さい研磨対象物の研磨速度）が大きくなる。また、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面に表面欠陥が生じることをより抑えることができる。
なお、ここでいう二次粒子とは、砥粒（一次粒子）が研磨用組成物中で会合して形成する粒子をいい、この二次粒子の平均二次粒子径は、例えば動的光散乱法により測定することができる。
Within such a range, the polishing rate ratio of the object to be polished by the polishing composition (the polishing rate of the object to be polished with a high polishing rate / the polishing rate of the object to be polished having a low polishing rate) becomes large. In addition, it is possible to further suppress the occurrence of surface defects on the surface of the object to be polished after polishing with the polishing composition.
The secondary particles referred to here refer to particles formed by the association of abrasive particles (primary particles) in the polishing composition, and the average secondary particle diameter of the secondary particles is, for example, dynamic light scattering. It can be measured by the method.
２－５ 粒度分布について
砥粒の粒度分布において、微粒子側からの積算粒子質量が全粒子質量の９０％に達したときの粒子の直径Ｄ９０と、微粒子側からの積算粒子質量が全粒子質量の１０％に達したときの粒子の直径Ｄ１０との比Ｄ９０／Ｄ１０は、１．５以上であることが好ましく、１．８以上であることがより好ましく、２．０以上であることがさらに好ましい。また、この比Ｄ９０／Ｄ１０は、５．０以下であることが好ましく、３．０以下であることがより好ましい。
このような範囲であれば、研磨対象物の研磨速度比（研磨速度が大きい研磨対象物の研磨速度／研磨速度が小さい研磨対象物の研磨速度）が大きくなり、また、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面に表面欠陥が生じることをより抑えることができる。
なお、砥粒の粒度分布は、例えばレーザー回折散乱法により求めることができる。
2-5 Particle size distribution In the particle size distribution of the abrasive grains, the particle diameter D90 when the integrated particle mass from the fine particle side reaches 90% of the total particle mass and the integrated particle mass from the fine particle side are the total particle mass. The ratio D90 / D10 of the particles to the diameter D10 when reaching 10% is preferably 1.5 or more, more preferably 1.8 or more, and further preferably 2.0 or more. .. Further, the ratio D90 / D10 is preferably 5.0 or less, and more preferably 3.0 or less.
Within such a range, the polishing rate ratio of the object to be polished (polishing speed of the object to be polished with a high polishing rate / polishing rate of the object to be polished with a small polishing rate) becomes large, and the polishing composition is used. It is possible to further suppress the occurrence of surface defects on the surface of the object to be polished after polishing.
The particle size distribution of the abrasive grains can be obtained by, for example, a laser diffraction / scattering method.
２－６ 砥粒の含有量について
砥粒の研磨用組成物全体における含有量は、０．００５質量％以上であることが好ましく、０．５質量％以上であることがより好ましく、１質量％以上であることがさらに好ましく、３質量％以上であることが特に好ましい。このような範囲であれば、研磨対象物の研磨速度比（研磨速度が大きい研磨対象物の研磨速度／研磨速度が小さい研磨対象物の研磨速度）が大きくなる。
2-6 Content of Abrasive Grains The content of the abrasive grains in the entire polishing composition is preferably 0.005% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, and 1% by mass. The above is more preferable, and 3% by mass or more is particularly preferable. Within such a range, the polishing rate ratio of the object to be polished (the polishing rate of the object to be polished with a high polishing rate / the polishing rate of the object to be polished having a small polishing rate) becomes large.
また、砥粒の研磨用組成物全体における含有量は、５０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以下であることがさらに好ましい。このような範囲であれば、研磨用組成物のコストを抑えることができる。また、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面に表面欠陥が生じることをより抑えることができる。 The content of the abrasive grains in the entire polishing composition is preferably 50% by mass or less, more preferably 30% by mass or less, and further preferably 20% by mass or less. Within such a range, the cost of the polishing composition can be suppressed. In addition, it is possible to further suppress the occurrence of surface defects on the surface of the object to be polished after polishing with the polishing composition.
２－７ 表面修飾について
砥粒は、表面修飾を施されたものでもよい。表面修飾を施された砥粒は、例えば、アルミニウム、チタン、ジルコニウム等の金属又はそれらの酸化物を、表面修飾が施されていない砥粒と混合して、アルミニウム、チタン、ジルコニウム等の金属又はそれらの酸化物を砥粒の表面にドープすることや、有機酸を砥粒の表面に固定化することにより得ることができる。表面修飾を施された研磨粒子の中で特に好ましいのは、有機酸を固定化したコロイダルシリカである。
コロイダルシリカの表面への有機酸の固定化は、例えば、コロイダルシリカの表面に有機酸の官能基を化学的に結合させることにより行われる。コロイダルシリカと有機酸を単に共存させただけでは、コロイダルシリカへの有機酸の固定化は果たされない。
2-7 Surface Modification The abrasive grains may be surface-modified. The surface-modified abrasive grains are, for example, a metal such as aluminum, titanium, zirconium or an oxide thereof mixed with a metal such as aluminum, titanium, zirconium or the like by mixing the abrasive grains without surface modification. It can be obtained by doping the surface of the abrasive grains with these oxides or by immobilizing an organic acid on the surface of the abrasive grains. Among the surface-modified abrasive particles, particularly preferable is colloidal silica on which an organic acid is immobilized.
Immobilization of an organic acid on the surface of colloidal silica is carried out, for example, by chemically bonding a functional group of the organic acid to the surface of colloidal silica. The immobilization of the organic acid on the colloidal silica cannot be achieved by simply allowing the colloidal silica and the organic acid to coexist.
有機酸の一種であるスルホン酸をコロイダルシリカに固定化するのであれば、例えば、“Ｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ－ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ ｓｉｌｉｃａ ｔｈｒｏｕｇｈ ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｉｏｌ ｇｒｏｕｐｓ”，Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍｕｎ．２４６－２４７（２００３）に記載の方法で行うことができる。具体的には、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のチオール基を有するシランカップリング剤をコロイダルシリカの表面のヒドロキシ基に反応させてカップリングさせた後に、過酸化水素でチオール基を酸化することにより、スルホン酸が表面に固定化されたコロイダルシリカを得ることができる。 If a sulfonic acid, which is a kind of organic acid, is to be immobilized on colloidal silica, for example, "Sulfonic acid-functionallyzed silica thrugic quantitative oxidation of thiol groups", Chem. Commun. It can be carried out by the method described in 246-247 (2003). Specifically, a silane coupling agent having a thiol group such as 3-mercaptopropyltrimethoxysilane is reacted with a hydroxy group on the surface of colloidal silica to be coupled, and then the thiol group is oxidized with hydrogen peroxide. This makes it possible to obtain colloidal silica in which sulfonic acid is immobilized on the surface.
あるいは、カルボン酸をコロイダルシリカの表面に固定化するのであれば、例えば、“Ｎｏｖｅｌ Ｓｉｌａｎｅ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ Ａｇｅｎｔｓ Ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇａ Ｐｈｏｔｏｌａｂｉｌｅ ２－Ｎｉｔｒｏｂｅｎｚｙｌ Ｅｓｔｅｒ ｆｏｒ Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ ａ Ｃａｒｂｏｘｙ Ｇｒｏｕｐ ｏｎ ｔｈｅ Ｓｕｒｆａｃｅ ｏｆ Ｓｉｌｉｃａ Ｇｅｌ”，Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ，３，２２８－２２９（２０００）に記載の方法で行うことができる。具体的には、光反応性２－ニトロベンジルエステルを含むシランカップリング剤をコロイダルシリカの表面のヒドロキシ基に反応させてカップリングさせた後に、光照射することにより、カルボン酸が表面に固定化されたコロイダルシリカを得ることができる。 Alternatively, if the carboxylic acid is to be immobilized on the surface of colloidal silica, for example, "Novell Silane Coupling Agents Containinga Photolabile 2-Nitrobenzyl Ester for Introduction of a ChemistryGro" -It can be carried out by the method described in (2000). Specifically, a silane coupling agent containing a photoreactive 2-nitrobenzyl ester is reacted with a hydroxy group on the surface of colloidal silica to be coupled, and then irradiated with light to immobilize the carboxylic acid on the surface. Estered colloidal silica can be obtained.
その他では、スルフィン酸、ホスホン酸等の有機酸をコロイダルシリカの表面に固定化してもよい。
通常のコロイダルシリカは、酸性条件下ではゼータ電位の値がゼロに近いため、酸性条件下ではコロイダルシリカの粒子同士が互いに電気的に反発せず、凝集を起こしやすい。これに対して、表面に有機酸を固定化したコロイダルシリカは、酸性条件下でもゼータ電位が比較的大きな負の値を有するように表面修飾されているため、酸性条件下においてもコロイダルシリカの粒子同士が互いに強く反発して良好に分散する。その結果、研磨用組成物の保存安定性が向上する。
Alternatively, an organic acid such as sulfinic acid or phosphonic acid may be immobilized on the surface of colloidal silica.
Since the zeta potential value of ordinary colloidal silica is close to zero under acidic conditions, the particles of colloidal silica do not electrically repel each other under acidic conditions and are prone to aggregation. On the other hand, colloidal silica having an organic acid immobilized on the surface is surface-modified so that the zeta potential has a relatively large negative value even under acidic conditions, so that the particles of colloidal silica are also subjected to acidic conditions. They strongly repel each other and disperse well. As a result, the storage stability of the polishing composition is improved.
３．液状媒体について
液状媒体は、研磨用組成物の各成分（環構造を有し、且つその環構造に結合した３個以上のアニオン性官能基を有する化合物又はその塩、砥粒、添加剤等）を分散又は溶解することができる液体であればよく、分散媒又は溶媒として機能する液体であれば特に限定されない。液状媒体としては水、有機溶剤があげられ、１種を単独で用いることができるし、２種以上を混合して用いることができるが、水を含有することが好ましい。ただし、各成分の作用を阻害することを防止するという観点から、不純物をできる限り含有しない水を用いることが好ましい。具体的には、イオン交換樹脂にて不純物イオンを除去した後にフィルタを通して異物を除去した純水や超純水、あるいは蒸留水が好ましい。
3. 3. Liquid medium The liquid medium is each component of the polishing composition (a compound having a ring structure and having three or more anionic functional groups bonded to the ring structure or a salt thereof, abrasive grains, additives, etc.). Any liquid can be used as long as it can disperse or dissolve, and is not particularly limited as long as it is a liquid that functions as a dispersion medium or a solvent. Examples of the liquid medium include water and an organic solvent, and one type can be used alone, or two or more types can be mixed and used, but water is preferably contained. However, from the viewpoint of preventing the action of each component from being inhibited, it is preferable to use water containing as little impurities as possible. Specifically, pure water, ultrapure water, or distilled water from which foreign substances have been removed through a filter after removing impurity ions with an ion exchange resin is preferable.
４．添加剤について
研磨用組成物には、その性能を向上させるために、ｐＨ調整剤、酸化剤、錯化剤、界面活性剤、水溶性高分子、防カビ剤等の各種添加剤を添加してもよい。
４－１ ｐＨ調整剤について
研磨用組成物のｐＨの値は、１．５以上であることが好ましく、２以上であることがより好ましい。研磨用組成物のｐＨの値が高いほど研磨対象物の溶解が生じやすいので、このような範囲であれば、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度比（研磨速度が大きい研磨対象物の研磨速度／研磨速度が小さい研磨対象物の研磨速度）が大きくなる。また、研磨用組成物のｐＨの値が低くなるにしたがって取扱いが容易になるので、研磨用組成物のｐＨの値は、１２未満であることが好ましく、１０以下であることがより好ましい。
研磨用組成物のｐＨの値は、ｐＨ調整剤の添加により調整することができる。研磨用組成物のｐＨの値を所望の値に調整するために必要に応じて使用されるｐＨ調整剤は、酸及びアルカリのいずれであってもよく、また、無機化合物及び有機化合物のいずれであってもよい。
4. Additives Various additives such as pH adjusters, oxidizing agents, complexing agents, surfactants, water-soluble polymers, and fungicides are added to the polishing composition in order to improve its performance. May be good.
4-1 About the pH adjuster The pH value of the polishing composition is preferably 1.5 or more, and more preferably 2 or more. The higher the pH value of the polishing composition, the more likely it is that the object to be polished will dissolve. Therefore, within such a range, the polishing rate ratio of the object to be polished by the composition for polishing (the object to be polished having a high polishing rate). Polishing speed / polishing speed is small (polishing speed of the object to be polished) is increased. Further, the pH value of the polishing composition becomes easier to handle as the pH value of the polishing composition decreases, so that the pH value of the polishing composition is preferably less than 12, more preferably 10 or less.
The pH value of the polishing composition can be adjusted by adding a pH adjuster. The pH adjuster used as needed to adjust the pH value of the polishing composition to the desired value may be either an acid or an alkali, and may be an inorganic compound or an organic compound. There may be.
ｐＨ調整剤としての酸の具体例としては、無機酸や、カルボン酸、有機硫酸等の有機酸があげられる。無機酸の具体例としては、硫酸、硝酸、ホウ酸、炭酸、次亜リン酸、亜リン酸、リン酸等があげられる。また、カルボン酸の具体例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２－メチル酪酸、ｎ－ヘキサン酸、３，３－ジメチル酪酸、２－エチル酪酸、４－メチルペンタン酸、ｎ－ヘプタン酸、２－メチルヘキサン酸、ｎ－オクタン酸、２－エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、乳酸等があげられる。さらに、有機硫酸の具体例としては、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、イセチオン酸等があげられる。これらの酸は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of the acid as a pH adjuster include inorganic acids, carboxylic acids, organic acids such as organic sulfuric acid, and the like. Specific examples of the inorganic acid include sulfuric acid, nitric acid, boric acid, carbonic acid, hypophosphorous acid, phosphorous acid, phosphoric acid and the like. Specific examples of the carboxylic acid include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, 2-methylbutyric acid, n-hexanoic acid, 3,3-dimethylbutyric acid, 2-ethylbutyric acid, and 4-methylpentanoic acid. n-heptanoic acid, 2-methylhexanoic acid, n-octanoic acid, 2-ethylhexanoic acid, benzoic acid, glycolic acid, salicylic acid, glyceric acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid , Maleic acid, phthalic acid, malic acid, tartrate acid, citric acid, lactic acid and the like. Further, specific examples of organic sulfuric acid include methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, isethionic acid and the like. These acids may be used alone or in combination of two or more.
ｐＨ調整剤としての塩基の具体例としては、アルカリ金属の水酸化物又はその塩、アルカリ土類金属の水酸化物又はその塩、水酸化第四級アンモニウム又はその塩、アンモニア、アミン等があげられる。
アルカリ金属の具体例としては、カリウム、ナトリウム等があげられる。また、アルカリ土類金属の具体例としては、カルシウム、ストロンチウム等があげられる。さらに、塩の具体例としては、炭酸塩、炭酸水素塩、硫酸塩、酢酸塩等があげられる。さらに、第四級アンモニウムの具体例としては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等があげられる。
Specific examples of the base as a pH adjuster include alkali metal hydroxides or salts thereof, alkaline earth metal hydroxides or salts thereof, quaternary ammonium hydroxide or salts thereof, ammonia, amines and the like. Be done.
Specific examples of the alkali metal include potassium and sodium. Specific examples of alkaline earth metals include calcium and strontium. Further, specific examples of the salt include carbonate, hydrogen carbonate, sulfate, acetate and the like. Further, specific examples of the quaternary ammonium include tetramethylammonium, tetraethylammonium, tetrabutylammonium and the like.
水酸化第四級アンモニウム化合物としては、水酸化第四級アンモニウム又はその塩を含み、具体例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等があげられる。
さらに、アミンの具体例としては、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）エタノールアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、無水ピペラジン、ピペラジン六水和物、１－（２－アミノエチル）ピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、グアニジン等があげられる。
Examples of the quaternary ammonium hydroxide compound include quaternary ammonium hydroxide or a salt thereof, and specific examples thereof include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and tetrabutylammonium hydroxide.
Further, specific examples of amines include methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, ethylenediamine, monoethanolamine, N- (β-aminoethyl) ethanolamine, hexamethylenediamine, diethylenetriamine, triethylenetetramine, and the like. Examples thereof include anhydrous piperazine, piperazine hexahydrate, 1- (2-aminoethyl) piperazine, N-methylpiperazine, and guanidine.
これらの塩基は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらの塩基の中でも、アンモニア、アンモニウム塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属塩、水酸化第四級アンモニウム化合物、及びアミンが好ましく、さらに、アンモニア、カリウム化合物、水酸化ナトリウム、水酸化第四級アンモニウム化合物、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、及び炭酸ナトリウムがより好ましい。
また、研磨用組成物には、塩基として、金属汚染防止の観点からカリウム化合物を含むことがさらに好ましい。カリウム化合物としては、カリウムの水酸化物又はカリウム塩があげられ、具体的には水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、硫酸カリウム、酢酸カリウム、塩化カリウム等があげられる。
These bases may be used alone or in combination of two or more.
Among these bases, ammonia, ammonium salts, alkali metal hydroxides, alkali metal salts, quaternary ammonium hydroxide compounds, and amines are preferable, and ammonia, potassium compounds, sodium hydroxide, and quaternary hydroxides are preferable. Ammonium compounds, ammonium hydrogencarbonate, ammonium carbonate, sodium hydrogencarbonate, and sodium carbonate are more preferred.
Further, it is more preferable that the polishing composition contains a potassium compound as a base from the viewpoint of preventing metal contamination. Examples of the potassium compound include potassium hydroxide or potassium salt, and specific examples thereof include potassium hydroxide, potassium carbonate, potassium hydrogencarbonate, potassium sulfate, potassium acetate, and potassium chloride.
４－２ 酸化剤について
金属を酸化して酸化膜を形成し、研磨しやすくするために、研磨用組成物に酸化剤を添加してもよい。酸化剤の具体例としては、過酸化水素、過酢酸、過炭酸塩、過酸化尿素、過塩素酸、過硫酸塩等があげられる。過硫酸塩の具体例としては、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム等があげられる。これら酸化剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの酸化剤の中でも、過硫酸塩、過酸化水素が好ましく、特に好ましいのは過酸化水素である。
4-2 Oxidizing agent An oxidizing agent may be added to the polishing composition in order to oxidize the metal to form an oxide film and facilitate polishing. Specific examples of the oxidizing agent include hydrogen peroxide, peracetic acid, percarbonate, urea peroxide, perchloric acid, persulfate and the like. Specific examples of the persulfate include sodium persulfate, potassium persulfate, ammonium persulfate and the like. These oxidizing agents may be used alone or in combination of two or more. Among these oxidizing agents, persulfate and hydrogen peroxide are preferable, and hydrogen peroxide is particularly preferable.
研磨用組成物全体における酸化剤の含有量が多いほど、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度比（研磨速度が大きい研磨対象物の研磨速度／研磨速度が小さい研磨対象物の研磨速度）が大きくなる。よって、研磨用組成物全体における酸化剤の含有量は、０．０１質量％以上であることが好ましく、０．０５質量％以上であることがより好ましく、０．１質量％以上であることがさらに好ましい。
また、研磨用組成物全体における酸化剤の含有量が少ないほど、研磨用組成物の材料コストを抑えることができる。また、研磨使用後の研磨用組成物の処理、すなわち廃液処理の負荷を軽減することができる。さらに、酸化剤による研磨対象物の表面の過剰な酸化が起こりにくくなる。よって、研磨用組成物全体における酸化剤の含有量は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、３質量％以下であることがさらに好ましい。
The higher the content of the oxidizing agent in the entire polishing composition, the more the polishing rate ratio of the polishing object by the polishing composition (the polishing rate of the polishing object having a high polishing rate / the polishing rate of the polishing object having a small polishing rate). Becomes larger. Therefore, the content of the oxidizing agent in the entire polishing composition is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, and preferably 0.1% by mass or more. More preferred.
Further, the smaller the content of the oxidizing agent in the entire polishing composition, the lower the material cost of the polishing composition. Further, it is possible to reduce the load of the polishing composition after polishing, that is, the waste liquid treatment. Further, excessive oxidation of the surface of the object to be polished by the oxidizing agent is less likely to occur. Therefore, the content of the oxidizing agent in the entire polishing composition is preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, and further preferably 3% by mass or less.
４－３ 錯化剤について
研磨対象物の相違による選択研磨性を促進するために、即ち研磨速度の小さい研磨対象物に対する研磨速度の大きい研磨対象物の研磨速度比を高めるために、研磨用組成物に錯化剤を添加してもよい。錯化剤は、研磨対象物の表面を化学的にエッチングする作用を有する。錯化剤の具体例としては、無機酸又はその塩、有機酸又はその塩、ニトリル化合物、アミノ酸、キレート剤等があげられる。これらの錯化剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、これらの錯化剤は、市販品を用いてもよいし合成品を用いてもよい。
4-3 Complexing agent Polishing composition in order to promote selective polishability due to differences in the polishing target, that is, to increase the polishing rate ratio of the polishing target having a high polishing speed to the polishing target having a low polishing speed. A complexing agent may be added to the object. The complexing agent has an action of chemically etching the surface of the object to be polished. Specific examples of the complexing agent include inorganic acids or salts thereof, organic acids or salts thereof, nitrile compounds, amino acids, chelating agents and the like. These complexing agents may be used alone or in combination of two or more. Further, as these complexing agents, a commercially available product or a synthetic product may be used.
無機酸の具体例としては、塩酸、硫酸、硝酸、炭酸、ホウ酸、テトラフルオロホウ酸、次亜リン酸、亜リン酸、リン酸、ピロリン酸等があげられる。
また、有機酸の具体例としては、カルボン酸、スルホン酸等があげられる。カルボン酸の具体例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２－メチル酪酸、ｎ－ヘキサン酸、３，３－ジメチル酪酸、２－エチル酪酸、４－メチルペンタン酸、ｎ－ヘプタン酸、２－メチルヘキサン酸、ｎ－オクタン酸、２－エチルヘキサン酸、乳酸、グリコール酸、グリセリン酸、安息香酸、サリチル酸等の一価カルボン酸や、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、グルコン酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、フマル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸等の多価カルボン酸があげられる。また、スルホン酸の具体例としては、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、イセチオン酸等があげられる。
Specific examples of the inorganic acid include hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, carbonic acid, boric acid, tetrafluoroboric acid, hypophosphoric acid, phosphoric acid, phosphoric acid, pyrophosphoric acid and the like.
Specific examples of the organic acid include carboxylic acid and sulfonic acid. Specific examples of the carboxylic acid include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, 2-methylbutyric acid, n-hexanoic acid, 3,3-dimethylbutyric acid, 2-ethylbutyric acid, 4-methylpentanoic acid, n-. Monovalent carboxylic acids such as heptanic acid, 2-methylhexanoic acid, n-octanoic acid, 2-ethylhexanoic acid, lactic acid, glycolic acid, glyceric acid, benzoic acid, salicylic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutal Examples thereof include polyvalent carboxylic acids such as acid, gluconic acid, adipic acid, pimelli acid, maleic acid, phthalic acid, fumaric acid, malic acid, tartaric acid and citric acid. Specific examples of the sulfonic acid include methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, isethionic acid and the like.
錯化剤として、これらの無機酸又は有機酸の塩を用いることができるが、特に、弱酸と強塩基との塩、強酸と弱塩基との塩、又は弱酸と弱塩基との塩を用いた場合には、ｐＨの緩衝作用を期待することができる。このような塩の例としては、塩化カリウム、硫酸ナトリウム、硝酸カリウム、炭酸カリウム、テトラフルオロホウ酸カリウム、ピロリン酸カリウム、シュウ酸カリウム、クエン酸三ナトリウム、（＋）－酒石酸カリウム、ヘキサフルオロリン酸カリウム等があげられる。 Salts of these inorganic or organic acids can be used as the complexing agent, and in particular, a salt of a weak acid and a strong base, a salt of a strong acid and a weak base, or a salt of a weak acid and a weak base was used. In some cases, a pH buffering effect can be expected. Examples of such salts are potassium chloride, sodium sulfate, potassium nitrate, potassium carbonate, potassium tetrafluoroborate, potassium pyrophosphate, potassium oxalate, trisodium citrate, (+)-potassium tartrate, hexafluorophosphate. Potassium and the like can be mentioned.
また、ニトリル化合物の具体例としては、アセトニトリル、アミノアセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル、グルタロジニトリル、メトキシアセトニトリル等があげられる。
さらに、アミノ酸の具体例としては、グリシン、α－アラニン、β－アラニン、Ｎ－メチルグリシン、Ｎ，Ｎ－ジメチルグリシン、２－アミノ酪酸、ノルバリン、バリン、ロイシン、ノルロイシン、イソロイシン、フェニルアラニン、プロリン、サルコシン、オルニチン、リシン、タウリン、セリン、トレオニン、ホモセリン、チロシン、ビシン、トリシン、３，５－ジヨードチロシン、β－（３，４－ジヒドロキシフェニル）アラニン、チロキシン、４－ヒドロキシプロリン、システイン、メチオニン、エチオニン、ランチオニン、シスタチオニン、シスチン、システイン酸、アスパラギン酸、グルタミン酸、Ｓ－（カルボキシメチル）システイン、４－アミノ酪酸、アスパラギン、グルタミン、アザセリン、アルギニン、カナバニン、シトルリン、δ－ヒドロキシリシン、クレアチン、ヒスチジン、１－メチルヒスチジン、３－メチルヒスチジン、トリプトファンがあげられる。
Specific examples of the nitrile compound include acetonitrile, aminoacetonitrile, propionitrile, butyronitrile, isobutyronitrile, benzonitrile, glutaloginitrile, methoxynitrile and the like.
Further, specific examples of amino acids include glycine, α-alanine, β-alanine, N-methylglycine, N, N-dimethylglycine, 2-aminobutyric acid, norvaline, valine, leucine, norleucine, isoleucine, phenylalanine, and proline. Sarcosin, ornithine, lysine, taurine, serine, threonine, homoserine, tyrosine, bicin, tricin, 3,5-diiodotyrosine, β- (3,4-dihydroxyphenyl) alanine, tyrosin, 4-hydroxyproline, cysteine, methionine , Ethionin, lanthionin, cystathionin, cystine, tyrosine, aspartic acid, glutamic acid, S- (carboxymethyl) cysteine, 4-aminobutyric acid, asparagine, glutamine, azaserine, arginine, canabanine, citrulin, δ-hydroxylycine, creatin, histidine , 1-Methylhistidine, 3-Methylhistidine, tryptophan.
さらに、キレート剤の具体例としては、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、エチレンジアミン四酢酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチレンホスホン酸、エチレンジアミン－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチレンスルホン酸、トランスシクロヘキサンジアミン四酢酸、１，２－ジアミノプロパン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、エチレンジアミンジ琥珀酸（ＳＳ体）、Ｎ－（２－カルボキシラートエチル）－Ｌ－アスパラギン酸、β－アラニンジ酢酸、２－ホスホノブタン－１，２，４－トリカルボン酸、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸、Ｎ，Ｎ’－ビス（２－ヒドロキシベンジル）エチレンジアミン－Ｎ，Ｎ’－ジ酢酸、１，２－ジヒドロキシベンゼン－４，６－ジスルホン酸等があげられる。 Further, specific examples of the chelating agent include nitrilotriacetic acid, diethylenetriaminetetraacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, N, N, N-trimethylenephosphonic acid, ethylenediamine-N, N, N', N'-tetramethylenesulfonic acid, and the like. Transcyclohexanediaminetetraacetic acid, 1,2-diaminopropanetetraacetic acid, glycol etherdiaminetetraacetic acid, ethylenediamineorthohydroxyphenylacetic acid, ethylenediaminediaminediamine (SS form), N- (2-carboxylate ethyl) -L-aspartic acid , Β-alaninediacetic acid, 2-phosphonobutane-1,2,4-tricarboxylic acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, N, N'-bis (2-hydroxybenzyl) ethylenediamine-N, N'- Examples thereof include diacetic acid and 1,2-dihydroxybenzene-4,6-disulfonic acid.
これらの中でも、無機酸又はその塩、カルボン酸又はその塩、及びニトリル化合物からなる群より選択される少なくとも１種が好ましく、研磨対象物に含まれる金属化合物との錯体構造の安定性の観点から、無機酸又はその塩がより好ましい。また、上述した各種の錯化剤として、ｐＨ調整機能を有するもの（例えば、各種の酸）を用いる場合には、当該錯化剤をｐＨ調整剤の少なくとも一部として利用してもよい。 Among these, at least one selected from the group consisting of an inorganic acid or a salt thereof, a carboxylic acid or a salt thereof, and a nitrile compound is preferable, and from the viewpoint of stability of the complex structure with the metal compound contained in the object to be polished. , Inorganic acids or salts thereof are more preferred. Further, when the above-mentioned various complexing agents having a pH adjusting function (for example, various acids) are used, the complexing agent may be used as at least a part of the pH adjusting agent.
研磨用組成物全体における錯化剤の含有量の下限値は、少量でも効果を発揮するため特に限定されるものではないが、錯化剤の含有量が多いほど研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度比（研磨速度が大きい研磨対象物の研磨速度／研磨速度が小さい研磨対象物の研磨速度）を大きくなるので、研磨用組成物全体における錯化剤の含有量は、０．００１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、０．０１ｇ／Ｌ以上であることがより好ましく、１ｇ／Ｌ以上であることがさらに好ましい。
また、研磨用組成物全体における錯化剤の含有量が少ないほど、研磨対象物の溶解が生じにくく段差解消性が向上する。よって、研磨用組成物全体における錯化剤の含有量は、２０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、１５ｇ／Ｌ以下であることがより好ましく、１０ｇ／Ｌ以下であることがさらに好ましい。
The lower limit of the content of the complexing agent in the entire polishing composition is not particularly limited because it exerts an effect even in a small amount, but the larger the content of the complexing agent, the more the object to be polished by the polishing composition. Since the polishing rate ratio (polishing rate of a polishing object having a high polishing rate / polishing rate of a polishing object having a low polishing rate) is increased, the content of the complexing agent in the entire polishing composition is 0.001 g /. It is preferably L or more, more preferably 0.01 g / L or more, and even more preferably 1 g / L or more.
Further, the smaller the content of the complexing agent in the entire polishing composition, the less likely it is that the object to be polished is dissolved, and the better the step eliminating property. Therefore, the content of the complexing agent in the entire polishing composition is preferably 20 g / L or less, more preferably 15 g / L or less, and further preferably 10 g / L or less.
４－４ 界面活性剤について
研磨用組成物には界面活性剤を添加してもよい。界面活性剤は、研磨後の研磨対象物の研磨表面に親水性を付与する作用を有しているので、研磨後の研磨対象物の洗浄効率を良好にし、汚れの付着等を抑制することができる。界面活性剤としては、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、及び非イオン性界面活性剤のいずれも使用することができる。
4-4 Surfactant A surfactant may be added to the polishing composition. Since the surfactant has an effect of imparting hydrophilicity to the polished surface of the polished object after polishing, it is possible to improve the cleaning efficiency of the polished object after polishing and suppress the adhesion of dirt and the like. can. As the surfactant, any of anionic surfactant, cationic surfactant, amphoteric surfactant, and nonionic surfactant can be used.
陰イオン性界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアルキル硫酸エステル、アルキル硫酸エステル、ポリオキシエチレンアルキル硫酸、アルキル硫酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンスルホコハク酸、アルキルスルホコハク酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、又はこれらの塩があげられる。 Specific examples of anionic surfactants include polyoxyethylene alkyl ether acetic acid, polyoxyethylene alkyl sulfate ester, alkyl sulfate ester, polyoxyethylene alkyl sulfate, alkyl sulfuric acid, alkylbenzene sulfonic acid, alkyl phosphate ester, and polyoxy. Examples thereof include ethylene alkyl phosphate ester, polyoxyethylene sulfosuccinic acid, alkyl sulfosuccinic acid, alkylnaphthalene sulfonic acid, alkyldiphenyl ether disulfonic acid, or salts thereof.
また、陽イオン性界面活性剤の具体例としては、アルキルトリメチルアンモニウム塩、アルキルジメチルアンモニウム塩、アルキルベンジルジメチルアンモニウム塩、アルキルアミン塩があげられる。
さらに、両性界面活性剤の具体例としては、アルキルベタイン、アルキルアミンオキシドがあげられる。
さらに、非イオン性界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、アルキルアルカノールアミドがあげられる。
これらの界面活性剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
Specific examples of the cationic surfactant include an alkyltrimethylammonium salt, an alkyldimethylammonium salt, an alkylbenzyldimethylammonium salt, and an alkylamine salt.
Further, specific examples of the amphoteric tenside agent include alkyl betaine and alkyl amine oxide.
Further, specific examples of the nonionic surfactant include polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyalkylene alkyl ether, sorbitan fatty acid ester, glycerin fatty acid ester, polyoxyethylene fatty acid ester, polyoxyethylene alkylamine, and alkyl alkanolamide. can give.
These surfactants may be used alone or in combination of two or more.
研磨用組成物全体における界面活性剤の含有量が多いほど、研磨後の研磨対象物の洗浄効率がより向上するので、研磨用組成物全体における界面活性剤の含有量は０．０００１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、０．００１ｇ／Ｌ以上であることがより好ましい。
また、研磨用組成物全体における界面活性剤の含有量が少ないほど、研磨後の研磨対象物の研磨面への界面活性剤の残存量が低減され、洗浄効率がより向上するので、研磨用組成物全体における界面活性剤の含有量は１０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、１ｇ／Ｌ以下であることがより好ましい。
なお、界面活性剤を研磨用組成物に添加しない場合には、スラリーライン（研磨パッドに研磨用組成物を供給するライン）中に気泡が発生しにくいため、研磨用組成物の取り扱いが容易となる。
The higher the content of the surfactant in the entire polishing composition, the higher the cleaning efficiency of the object to be polished after polishing. Therefore, the content of the surfactant in the entire polishing composition is 0.0001 g / L or more. It is preferably 0.001 g / L or more, and more preferably 0.001 g / L or more.
Further, as the content of the surfactant in the entire polishing composition is smaller, the residual amount of the surfactant on the polishing surface of the object to be polished after polishing is reduced, and the cleaning efficiency is further improved. The content of the surfactant in the whole product is preferably 10 g / L or less, and more preferably 1 g / L or less.
When the surfactant is not added to the polishing composition, bubbles are less likely to be generated in the slurry line (the line for supplying the polishing composition to the polishing pad), so that the polishing composition can be easily handled. Become.
４－５ 水溶性高分子について
研磨用組成物には水溶性高分子を添加してもよい。研磨用組成物に水溶性高分子を添加すると、研磨後の研磨対象物の表面粗さがより低減する（平滑となる）。
水溶性高分子の具体例としては、ポリスチレンスルホン酸塩、ポリイソプレンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリグリセリン、ポリビニルピロリドン、イソプレンスルホン酸とアクリル酸の共重合体、ポリビニルピロリドンポリアクリル酸共重合体、ポリビニルピロリドン酢酸ビニル共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の塩、ジアリルアミン塩酸塩二酸化硫黄共重合体、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルセルロースの塩、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、プルラン、キトサン、及びキトサン塩類があげられる。これらの水溶性高分子は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
4-5 Water-soluble polymer A water-soluble polymer may be added to the polishing composition. When a water-soluble polymer is added to the polishing composition, the surface roughness of the object to be polished after polishing is further reduced (becomes smooth).
Specific examples of the water-soluble polymer include polystyrene sulfonate, polyisoprene sulfonate, polyacrylic acid salt, polymaleic acid, polyitaconic acid, polyvinyl acetate, polyvinyl alcohol, polyglycerin, polyvinylpyrrolidone, isoprene sulfonic acid and acrylic. Acid copolymer, polyvinylpyrrolidone polyacrylic acid copolymer, polyvinylpyrrolidone vinyl acetate copolymer, salt of naphthalenesulfonic acid formarin condensate, diallylamine hydrochloride sulfur dioxide copolymer, carboxymethylcellulose, salt of carboxymethylcellulose, hydroxy Examples thereof include ethyl cellulose, hydroxypropyl cellulose, purulan, chitosan, and chitosan salts. These water-soluble polymers may be used alone or in combination of two or more.
研磨用組成物全体における水溶性高分子の含有量が多いほど、研磨対象物の研磨面の表面粗さがより低減するので、研磨用組成物全体における水溶性高分子の含有量は、０．０００１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、０．００１ｇ／Ｌ以上であることがより好ましい。
また、研磨用組成物全体における水溶性高分子の含有量が少ないほど、研磨対象物の研磨面への水溶性高分子の残存量が低減され洗浄効率がより向上するので、研磨用組成物全体における水溶性高分子の含有量は、１０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、１ｇ／Ｌ以下であることがより好ましい。
なお、水溶性高分子を研磨用組成物に添加しない場合には、スラリーライン中に気泡が発生しにくいため、研磨用組成物の取り扱いが容易となる。
As the content of the water-soluble polymer in the entire polishing composition is higher, the surface roughness of the polished surface of the object to be polished is further reduced. Therefore, the content of the water-soluble polymer in the entire polishing composition is 0. It is preferably 0001 g / L or more, and more preferably 0.001 g / L or more.
Further, as the content of the water-soluble polymer in the entire polishing composition is smaller, the residual amount of the water-soluble polymer on the polishing surface of the object to be polished is reduced and the cleaning efficiency is further improved. The content of the water-soluble polymer in the above is preferably 10 g / L or less, and more preferably 1 g / L or less.
When the water-soluble polymer is not added to the polishing composition, bubbles are less likely to be generated in the slurry line, so that the polishing composition can be easily handled.
４－６ 防カビ剤、防腐剤について
研磨用組成物には防カビ剤、防腐剤を添加してもよい。防カビ剤、防腐剤の具体例としては、イソチアゾリン系防腐剤（例えば２－メチル－４－イソチアゾリン－３－オン、５－クロロ－２－メチル－４－イソチアゾリン－３－オン）、パラオキシ安息香酸エステル類、フェノキシエタノールがあげられる。これらの防カビ剤、防腐剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
4-6 Antifungal agents and preservatives Antifungal agents and preservatives may be added to the polishing composition. Specific examples of antifungal agents and preservatives include isothiazolinone-based preservatives (for example, 2-methyl-4-isothiazolin-3-one, 5-chloro-2-methyl-4-isothiazolin-3-one) and paraoxybenzoic acid. Examples include esters and phenoxyethanol. These fungicides and preservatives may be used alone or in combination of two or more.
５．研磨用組成物の製造方法について
本実施形態に係る研磨用組成物の製造方法は特に限定されるものではなく、環構造を有し、且つその環構造に結合した３個以上のアニオン性官能基を有する化合物又はその塩を含む研磨抑制剤と、砥粒と、所望により各種添加剤とを、水等の液状媒体中で攪拌、混合することによって製造することができる。
混合時の温度は特に限定されるものではないが、１０℃以上４０℃以下が好ましく、溶解速度を向上させるために加熱してもよい。また、混合時間も特に限定されない。
5. About the method for producing a polishing composition The method for producing a polishing composition according to the present embodiment is not particularly limited, and has a ring structure and has three or more anionic functional groups bonded to the ring structure. It can be produced by stirring and mixing a polishing inhibitor containing a compound having a compound or a salt thereof, abrasive grains, and various additives as desired in a liquid medium such as water.
The temperature at the time of mixing is not particularly limited, but is preferably 10 ° C. or higher and 40 ° C. or lower, and may be heated in order to improve the dissolution rate. Further, the mixing time is not particularly limited.
６．研磨対象物について
研磨対象物の種類は特に限定されるものではないが、一実施態様としては、単体シリコン、シリコン化合物、金属等があげられる。単体シリコン及びシリコン化合物は、シリコン含有材料を含む層を有する研磨対象物である。
単体シリコンとしては、例えば単結晶シリコン、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等があげられる。また、シリコン化合物としては、例えば窒化ケイ素、二酸化ケイ素、炭化ケイ素等があげられる。シリコン化合物膜には、比誘電率が３以下の低誘電率膜が含まれる。
6. The type of the object to be polished is not particularly limited, but one embodiment includes simple substance silicon, a silicon compound, a metal, and the like. Elemental silicon and silicon compounds are objects to be polished having a layer containing a silicon-containing material.
Examples of the single silicon include single crystal silicon, polycrystalline silicon (polysilicon), and amorphous silicon. Examples of the silicon compound include silicon nitride, silicon dioxide, and silicon carbide. The silicon compound film includes a low dielectric constant film having a relative permittivity of 3 or less.
さらに、金属としては、例えば、タングステン、銅、アルミニウム、ハフニウム、コバルト、ニッケル、チタン、タンタル、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、オスミウム等があげられる。これらの金属は、合金又は金属化合物の形態で含まれていてもよい。これらの金属の中では銅が好ましい。
また、研磨対象物は、研磨用組成物のｐＨが６以下の状態で正に帯電した領域を有する基板であってもよい。また、研磨対象物は、研磨用組成物のｐＨが６以下の状態で正に帯電した領域と、研磨用組成物のｐＨが６以下の状態で、負に帯電した領域又は帯電していない領域と、を有する基板が好ましい。ここで、「研磨用組成物のｐＨが６以下の状態で正に帯電」とは、ｐＨが６以下に調整された研磨用組成物が研磨対象物に接触している状態で正に帯電していることを意味する。
Further, examples of the metal include tungsten, copper, aluminum, hafnium, cobalt, nickel, titanium, tantalum, gold, silver, platinum, palladium, rhodium, ruthenium, iridium, osmium and the like. These metals may be included in the form of alloys or metal compounds. Of these metals, copper is preferred.
Further, the object to be polished may be a substrate having a positively charged region in a state where the pH of the polishing composition is 6 or less. Further, the polishing object is a positively charged region when the pH of the polishing composition is 6 or less, and a negatively charged region or an uncharged region when the pH of the polishing composition is 6 or less. A substrate having the above is preferable. Here, "positively charged when the pH of the polishing composition is 6 or less" means that the polishing composition whose pH is adjusted to 6 or less is positively charged when it is in contact with the object to be polished. It means that it is.
７．研磨方法について
研磨装置の構成は特に限定されるものではないが、例えば、研磨対象物を有する基板等を保持するホルダーと、回転速度を変更可能なモータ等の駆動部と、研磨パッド（研磨布）を貼り付け可能な研磨定盤と、を備える一般的な研磨装置を使用することができる。
研磨パッドとしては、一般的な不織布、ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等を特に制限なく使用することができる。研磨パッドには、液状の研磨用組成物が溜まるような溝加工が施されているものを使用することができる。
7. Polishing method The configuration of the polishing device is not particularly limited, but for example, a holder for holding a substrate or the like holding an object to be polished, a drive unit such as a motor whose rotation speed can be changed, and a polishing pad (polishing cloth). ) Can be attached to a polishing platen, and a general polishing device including the polishing platen can be used.
As the polishing pad, general non-woven fabric, polyurethane, porous fluororesin and the like can be used without particular limitation. As the polishing pad, one having a groove processing so as to collect a liquid polishing composition can be used.
研磨条件は特に制限はなく、例えば、研磨定盤の回転速度は、１０ｍｉｎ－１以上５００ｍｉｎ－１以下とすることができる。また、研磨対象物を有する基板に負荷する圧力（研磨圧力）は、０．７ｋＰａ以上６９ｋＰａ以下とすることができる。
また、研磨パッドに研磨用組成物を供給する方法も特に限定されるものではなく、例えば、ポンプ等で連続的に供給する方法が採用される。研磨用組成物の供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に研磨用組成物で覆われていることが好ましい。なお、研磨対象物の研磨においては、本実施形態に係る研磨用組成物の原液をそのまま用いて研磨を行ってもよいが、原液を水等の希釈液で例えば１０倍以上に希釈した研磨用組成物の希釈物を用いて研磨を行ってもよい。
The polishing conditions are not particularly limited, and for example, the rotation speed of the polishing surface plate can be 10 min -1 or more and 500 min -1 or less. Further, the pressure (polishing pressure) applied to the substrate having the object to be polished can be 0.7 kPa or more and 69 kPa or less.
Further, the method of supplying the polishing composition to the polishing pad is not particularly limited, and for example, a method of continuously supplying the polishing composition with a pump or the like is adopted. The supply amount of the polishing composition is not limited, but it is preferable that the surface of the polishing pad is always covered with the polishing composition. In the polishing of the object to be polished, the undiluted solution of the polishing composition according to the present embodiment may be used as it is for polishing, but for polishing, the undiluted solution is diluted with a diluted solution such as water, for example, 10 times or more. Polishing may be performed using a diluted product of the composition.
研磨終了後、基板を例えば流水で洗浄し、スピンドライヤ等により基板上に付着した水滴を払い落として乾燥させることにより、例えばシリコン含有材料を含む層を有する基板が得られる。
このように、本実施形態に係る研磨用組成物は、基板の研磨の用途に用いることができる。すなわち、本実施形態に係る研磨用組成物を用いて基板の表面を研磨することを含む方法により、基板の表面を高研磨速度で研磨して、基板を製造することができる。基板としては、例えば、単体シリコン、シリコン化合物、金属等を含む層を有するシリコンウェハがあげられる。
After the polishing is completed, the substrate is washed with running water, for example, and the water droplets adhering to the substrate are removed and dried by a spin dryer or the like to obtain a substrate having a layer containing, for example, a silicon-containing material.
As described above, the polishing composition according to the present embodiment can be used for polishing a substrate. That is, a substrate can be manufactured by polishing the surface of the substrate at a high polishing rate by a method including polishing the surface of the substrate using the polishing composition according to the present embodiment. Examples of the substrate include a silicon wafer having a layer containing elemental silicon, a silicon compound, a metal, and the like.
［実施例］
以下、実施例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
[Example]
Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
＜研磨用組成物の調製＞
表面にスルホン酸を固定化したコロイダルシリカと、各種の研磨抑制物質と、ｐＨ調整剤であるマレイン酸又は水酸化カリウムと、液状媒体（分散媒）である水とを、混合温度が約２５℃、混合時間が約１０分間の条件で混合して、実施例１～１７及び比較例１～４の研磨用組成物を製造した。この際、表１に示されるように、実施例１～１７及び比較例２～４においては、各種の研磨抑制物質を使用し、比較例１においては、研磨抑制物質を使用していない。
<Preparation of polishing composition>
Colloidal silica with sulfonic acid immobilized on the surface, various polishing inhibitors, maleic acid or potassium hydroxide as a pH adjuster, and water as a liquid medium (dispersion medium) are mixed at a mixing temperature of about 25 ° C. , The mixing time was about 10 minutes, and the polishing compositions of Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 to 4 were produced. At this time, as shown in Table 1, various polishing inhibitory substances are used in Examples 1 to 17 and Comparative Examples 2 to 4, and polishing inhibitory substances are not used in Comparative Example 1.
表面にスルホン酸を固定化したコロイダルシリカの平均一次粒子径は、実施例１～１５及び比較例１～４のいずれにおいても３２ｎｍであり、平均二次粒子径はいずれにおいても７０ｎｍである。また、実施例１６においては、表面にスルホン酸を固定化したコロイダルシリカの平均一次粒子径は、１４ｎｍであり、平均二次粒子径は、４０ｎｍである。また、実施例１７においては、表面にスルホン酸を固定化したコロイダルシリカの平均一次粒子径は、９０ｎｍであり、平均二次粒子径は、２２０ｎｍである。
表面にスルホン酸を固定化したコロイダルシリカの研磨用組成物全体における含有量は、実施例１～１２、１６、１７及び比較例１～４のいずれにおいても２質量％である。また、実施例１３～１５においては、表面にスルホン酸を固定化したコロイダルシリカの研磨用組成物全体における含有量は、０．３質量％である。
The average primary particle size of colloidal silica on which sulfonic acid is immobilized on the surface is 32 nm in each of Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 4, and the average secondary particle size is 70 nm in each of them. Further, in Example 16, the average primary particle size of the colloidal silica on which the sulfonic acid is immobilized is 14 nm, and the average secondary particle size is 40 nm. Further, in Example 17, the average primary particle size of the colloidal silica on which the sulfonic acid is immobilized is 90 nm, and the average secondary particle size is 220 nm.
The content of colloidal silica having sulfonic acid immobilized on the surface in the entire polishing composition is 2% by mass in any of Examples 1 to 12, 16, 17 and Comparative Examples 1 to 4. Further, in Examples 13 to 15, the content of colloidal silica having sulfonic acid immobilized on the surface in the entire polishing composition is 0.3% by mass.
さらに、ｐＨ調整剤により調整した研磨用組成物のｐＨの値は、実施例１～１１、１６、１７及び比較例１～４のいずれにおいても４．０である。また、実施例１２においては、研磨用組成物のｐＨの値は、６．０である。また、実施例１３においては、研磨用組成物のｐＨの値は、２．７である。また、実施例１４においては、研磨用組成物のｐＨの値は、２．１である。また、実施例１５においては、研磨用組成物のｐＨの値は、１．５である。なお、ｐＨはｐＨメーター（株式会社堀場製作所製 型番：ＬＡＱＵＡ）により測定した。
さらに、研磨抑制物質の研磨用組成物全体における含有量は、比較例１が０ｍｍｏｌ／Ｌ（含有しない）であり、それ以外はいずれも１０ｍｍｏｌ／Ｌである。
Further, the pH value of the polishing composition adjusted by the pH adjuster is 4.0 in any of Examples 1 to 11, 16 and 17 and Comparative Examples 1 to 4. Further, in Example 12, the pH value of the polishing composition is 6.0. Further, in Example 13, the pH value of the polishing composition is 2.7. Further, in Example 14, the pH value of the polishing composition is 2.1. Further, in Example 15, the pH value of the polishing composition is 1.5. The pH was measured with a pH meter (model number: LAQUA manufactured by HORIBA, Ltd.).
Further, the content of the polishing inhibitor in the entire polishing composition is 0 mmol / L (not contained) in Comparative Example 1 and 10 mmol / L in all other cases.
実施例１～１７及び比較例１～４の研磨用組成物を用いて、下記の研磨条件で直径２００ｍｍのウェハの研磨を行った。
研磨機：２００ｍｍウェハ用ＣＭＰ片面研磨
パッド：ポリウレタン製パッド
研磨圧力：３．２ｐｓｉ（約２２．１ｋＰａ）
研磨定盤の回転数：９０ｒｐｍ
研磨用組成物の流量：１３０ｍＬ／ｍｉｎ
研磨時間：１分間
Using the polishing compositions of Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 to 4, a wafer having a diameter of 200 mm was polished under the following polishing conditions.
Polishing machine: CMP single-sided polishing pad for 200 mm wafer: Polyurethane pad Polishing pressure: 3.2 psi (about 22.1 kPa)
Rotation speed of polishing surface plate: 90 rpm
Flow rate of polishing composition: 130 mL / min
Polishing time: 1 minute
研磨に供したウェハ（研磨対象物）は、窒化ケイ素膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）付きシリコンウェハ及び酸化ケイ素膜（ＴＥＯＳ膜）付シリコンウェハである。なお、下記の表１においては、窒化ケイ素膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）付きシリコンウェハを「Ｓｉ３Ｎ４」、酸化ケイ素膜（テトラエトキシシラン膜）付シリコンウェハを「ＴＥＯＳ」と示した。なお、Ｓｉ３Ｎ４膜の形成方法は、低圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ）である。また、Ｓｉ３Ｎ４膜の膜厚は、３５００Åである。また、ＴＥＯＳ膜の形成方法は、物理気相成長法（ＰＶＤ）である。また、ＴＥＯＳ膜の膜厚は、１００００Åである。 The wafers (objects to be polished) used for polishing are a silicon wafer with a silicon nitride film (Si 3 N 4 film) and a silicon wafer with a silicon oxide film (TEOS film). In Table 1 below, a silicon wafer with a silicon nitride film (Si 3 N 4 film) is referred to as “Si 3 N 4 ”, and a silicon wafer with a silicon oxide film (tetraethoxysilane film) is referred to as “TEOS”. The method for forming the Si 3N 4 film is a low pressure chemical vapor deposition method (LPCVD). The film thickness of the Si 3 N 4 film is 3500 Å. The method for forming the TEOS film is a physical vapor deposition method (PVD). The film thickness of the TEOS film is 10,000 Å.
＜研磨用組成物の特性評価＞
各ウェハについては、光干渉式膜厚測定装置を用いて、研磨前と研磨後の各膜の膜厚をそれぞれ測定した。そして、膜厚差と研磨時間から、窒化ケイ素膜及び酸化ケイ素膜の研磨速度をそれぞれ算出した。結果を表１に示す。
なお、表１に示した「規格化した研磨速度比」とは、実施例１～１７及び比較例２～４の各研磨速度比（ＴＥＯＳ膜の研磨速度／Ｓｉ３Ｎ４膜の研磨速度）を、比較例１の研磨速度比（ＴＥＯＳ膜の研磨速度／Ｓｉ３Ｎ４膜の研磨速度）で規格化した値である。つまり、「規格化した研磨速度比」の値が８．１である実施例１の研磨用組成物は、比較例１の研磨用組成物に比べてＳｉ３Ｎ４膜の研磨速度が１／８．１倍（０．１２倍）であることを意味する。したがって、この「規格化した研磨速度比」の値が大きい程、比較例１の研磨用組成物に比べてＳｉ３Ｎ４膜の研磨速度が低下した（Ｓｉ３Ｎ４膜の研磨が抑制された）ことを意味する。
<Characteristic evaluation of polishing composition>
For each wafer, the film thickness of each film before and after polishing was measured using an optical interferometry film thickness measuring device. Then, the polishing speeds of the silicon nitride film and the silicon oxide film were calculated from the film thickness difference and the polishing time, respectively. The results are shown in Table 1.
The "standardized polishing rate ratio" shown in Table 1 is the polishing rate ratio of Examples 1 to 17 and Comparative Examples 2 to 4 (polishing rate of TEOS film / polishing rate of Si 3N 4 film ). Is a value standardized by the polishing rate ratio of Comparative Example 1 (polishing rate of TEOS film / polishing rate of Si 3 N 4 film). That is, the polishing composition of Example 1 having a value of “normalized polishing rate ratio” of 8.1 has a polishing rate of Si 3N 4 film which is 1 / that of the polishing composition of Comparative Example 1. It means that it is 8.1 times (0.12 times). Therefore, the larger the value of this "standardized polishing rate ratio", the lower the polishing rate of the Si 3 N 4 film as compared with the polishing composition of Comparative Example 1 (the polishing of the Si 3 N 4 film was suppressed. It means that.
表１に示す結果から、実施例１～１７の研磨用組成物を用いてＳｉ３Ｎ４膜及びＴＥＯＳ膜の各研磨を行うと、いずれのウェハにおいても、比較例１～４の研磨用組成物を用いた場合よりもＳｉ３Ｎ４膜の研磨速度を低下（Ｓｉ３Ｎ４膜の研磨を抑制）することができることが分かる。特に、比較例２の研磨用組成物の結果から、環構造を有し、且つその環構造に結合した２個のアニオン性官能基を有する化合物を含む研磨抑制剤を含有する研磨用組成物では、実施例１～１７に比較してＳｉ３Ｎ４膜の研磨を抑能する効果が劣ることから、環構造を有し、且つその環構造に結合した３個以上のアニオン性官能基を有する化合物又はその塩を含む研磨抑制剤を使用することが重要であることが分かる。 From the results shown in Table 1, when each of the Si 3N 4 film and the TEOS film was polished using the polishing compositions of Examples 1 to 17, the polishing compositions of Comparative Examples 1 to 4 were obtained on any of the wafers. It can be seen that the polishing speed of the Si 3 N 4 film can be reduced (suppressing the polishing of the Si 3 N 4 film) as compared with the case of using an object. In particular, from the results of the polishing composition of Comparative Example 2, the polishing composition containing a polishing inhibitor containing a compound having a ring structure and having two anionic functional groups bonded to the ring structure Since the effect of suppressing the polishing of the Si 3N 4 film is inferior to that of Examples 1 to 17, it has a ring structure and has three or more anionic functional groups bonded to the ring structure. It turns out that it is important to use a polishing inhibitor containing the compound or a salt thereof.
また、比較例３、４の研磨用組成物の結果から、３個以上のアニオン性官能基を有する化合物又はその塩が環構造を備えていない研磨用組成物では、実施例１～１７に比較してＳｉ３Ｎ４膜の研磨を抑能する効果が劣ることから、環構造を有し、且つその環構造に結合した３個以上のアニオン性官能基を有する化合物又はその塩を含む研磨抑制剤を使用することが重要であることが分かる。
なお、研磨抑制物質を含む研磨用組成物の研磨速度比（ＴＥＯＳ膜の研磨速度／Ｓｉ３Ｎ４膜の研磨速度）が、研磨抑制物質を含まない研磨用組成物の研磨速度比（ＴＥＯＳ膜の研磨速度／Ｓｉ３Ｎ４膜の研磨速度）に対して２．０より大きければ、半導体デバイスの製造プロセスにおいて、Ｓｉ３Ｎ４膜を、ＴＥＯＳ膜の研磨におけるストッパー膜として確実に使用することができる。
Further, from the results of the polishing compositions of Comparative Examples 3 and 4, the polishing compositions in which the compound having three or more anionic functional groups or the salt thereof does not have a ring structure are compared with Examples 1 to 17. Therefore, since the effect of suppressing the polishing of the Si 3N 4 film is inferior, polishing suppression containing a compound having a ring structure and having three or more anionic functional groups bonded to the ring structure or a salt thereof. It turns out that it is important to use the agent.
The polishing rate ratio of the polishing composition containing the polishing inhibitor (polishing rate of the TEOS film / polishing rate of the Si 3N 4 film ) is the polishing rate ratio of the polishing composition containing no polishing inhibitor (TEOS film). If it is larger than 2.0 with respect to the polishing rate of Si 3 N 4 film), the Si 3 N 4 film should be surely used as a stopper film in polishing the TEOS film in the process of manufacturing semiconductor devices. Can be done.
また、実施例５～８の研磨用組成物の結果から、研磨抑制物質が有する環構造の環員数が少ない、即ち研磨抑制物質の大きさが小さいもの程、研磨用組成物の研磨速度比の値が大きいことがわかる。これは、研磨抑制物質の大きさが小さいもの程、研磨対象物の表面上に形成される保護膜を密に形成することができるため、研磨速度比の値が大きくなったと考えられる。ここで、実施例５の研磨用組成物の研磨速度比の値が実施例８の研磨用組成物の研磨速度比の値よりも大きいのは、上述したπ－πスタッキングにより、実施例５の研磨用組成物に含まれる研磨抑制物質が積層し、より強固な保護膜を研磨対象物の表面上に形成したためと考えられる。なお、実施例９の研磨用組成物の研磨速度比と、実施例１０の研磨用組成物の研磨速度比との差も、上記π－πスタッキングの効果によって定性的に説明できる。 Further, from the results of the polishing compositions of Examples 5 to 8, the smaller the number of ring members of the ring structure of the polishing inhibitor, that is, the smaller the size of the polishing inhibitor, the higher the polishing rate ratio of the polishing composition. It can be seen that the value is large. It is considered that the smaller the size of the polishing inhibitor, the denser the protective film formed on the surface of the object to be polished can be formed, so that the value of the polishing rate ratio becomes larger. Here, the value of the polishing rate ratio of the polishing composition of Example 5 is larger than the value of the polishing rate ratio of the polishing composition of Example 8 due to the above-mentioned π-π stacking of Example 5. It is considered that this is because the polishing inhibitor contained in the polishing composition was laminated and a stronger protective film was formed on the surface of the polishing object. The difference between the polishing rate ratio of the polishing composition of Example 9 and the polishing rate ratio of the polishing composition of Example 10 can also be qualitatively explained by the effect of the π-π stacking.
また、実施例１３～１５の研磨用組成物の結果から、研磨用組成物のｐＨの値が大きい程、研磨用組成物の研磨速度比の値が大きいことがわかる。これは、研磨用組成物に含まれる酸によってＳｉ３Ｎ４膜の溶解が生じたためと考えられる。
また、実施例９、１６、１７の研磨用組成物の結果から、コロイダルシリカのサイズ（平均二次粒子径）が大きい程、研磨用組成物の研磨速度比の値が大きいことがわかる。これは、研磨対象物であるＴＥＯＳ膜の研磨速度が大きくなったためである。
Further, from the results of the polishing compositions of Examples 13 to 15, it can be seen that the larger the pH value of the polishing composition, the larger the value of the polishing rate ratio of the polishing composition. It is considered that this is because the acid contained in the polishing composition caused the dissolution of the Si 3N 4 film .
Further, from the results of the polishing compositions of Examples 9, 16 and 17, it can be seen that the larger the size (average secondary particle diameter) of the colloidal silica, the larger the value of the polishing rate ratio of the polishing composition. This is because the polishing speed of the TEOS film, which is the object to be polished, has increased.
Claims (9)
砥粒と、
液状媒体と、を含有し、
前記砥粒は、コロイダルシリカであり、
研磨対象物を単体シリコン、またはシリコン化合物とし、
研磨用組成物のｐＨが６以下の状態で正に帯電した領域を有する前記研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物。 A polishing inhibitor containing a compound having a ring structure and having three or more anionic functional groups bonded to the ring structure or a salt thereof, and
Abrasive grains and
Contains a liquid medium,
The abrasive grains are colloidal silica and
The object to be polished is a simple substance silicon or a silicon compound .
A polishing composition used for polishing the object to be polished, which has a positively charged region when the pH of the polishing composition is 6 or less .
前記研磨抑制剤と、前記砥粒と、前記液状媒体と、を混合する工程を有する研磨用組成物の製造方法。 The method for producing the polishing composition according to any one of claims 1 to 6 .
A method for producing a polishing composition, which comprises a step of mixing the polishing inhibitor, the abrasive grains, and the liquid medium.
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