JP7011303B2 - Manufacturing method of reflective substrate and electrodeposition liquid - Google Patents

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特許法第30条第2項適用 [事実1]発行日:平成29年6月29日,刊行物:電気学会研究会資料,DEI-17-070/EFM-17-08,第33~36頁,一般社団法人電気学会,「電気泳動堆積法により作製されるアルミナ-樹脂複合膜においてアルミナ粒子の粒径,モルフォロジーの違いが膜構造に与える影響」,公開者:青木 裕介,[事実2]発行日:平成29年8月29日,刊行物:平成29年電気情報通信学会エレクトロニクスソサエティ大会講演論文集(DVD-ROM),第2巻,第40頁,一般社団法人電気情報通信学会,「電気泳動堆積法によるアルミナ-樹脂複合膜の作製」,公開者:青木 裕介,[事実3]発行日:平成29年11月22日,刊行物:Molecular Crystals and Liquid Crystals,2017年,第654巻,第103-108頁,”Influence of deposition conditions on the structure of alumina coationg on metal via electrophoretic deposition with added polydimethylsiloxane-based organic-inorganic hybrid materials”,公開者:青木 裕介Application of Article 30, Paragraph 2 of the Patent Act [Fact 1] Date of issue: June 29, 2017, Publication: Institute of Electrical Engineers of Japan, DEI-17-070 / EFM-17-08, pp. 33-36 , Institute of Electrical Engineers of Japan, "Effects of differences in alumina particle particle size and morphology on the film structure in an alumina-resin composite film produced by the electrophoresis deposition method", Published by: Yusuke Aoki, [Fact 2] Date: August 29, 2017, Publication: 2017 IEICE Electronics Society Conference Proceedings (DVD-ROM), Volume 2, Page 40, Institute of Electrical Engineers of Japan, "Electrical Engineers" Preparation of Alumina-Resin Composite Film by Migration and Deposition Method ”, Published by: Yusuke Aoki, [Fact 3] Publication date: November 22, 2017, Publication: Molecular Cystals and Liquid Crystals, 2017, Vol. 654, Nos. 103-108, "Influence of depositions on the study of aluminum coationg on metallic ealectrophoretic diagnosis with digital reference"

本発明は、反射基板、反射基板の製造方法、電着液およびLEDパッケージに関する。 The present invention relates to a reflective substrate, a method for manufacturing the reflective substrate, an electrodeposition liquid, and an LED package.

アルミ基板と、上記アルミ基板上に設けられた複数の増反射処理層と、上記複数の増反射処理層上に装着されたLED素子と、上記アルミ基板上で、上記複数の増反射処理層が設けられた領域以外の領域に接着されたプリント配線基板と、上記プリント配線基板と上記LED素子とを接続するワイヤと、上記LED素子の周囲に配置されたダム材と、上記ダム材の内側領域に配置された蛍光体樹脂と、を有するLED(発光ダイオード)照明装置が知られている(特許文献1)。 The aluminum substrate, the plurality of antireflection processing layers provided on the aluminum substrate, the LED elements mounted on the plurality of antireflection processing layers, and the plurality of antireflection processing layers on the aluminum substrate. A printed wiring board bonded to an area other than the provided area, a wire connecting the printed wiring board and the LED element, a dam material arranged around the LED element, and an inner region of the dam material. There is known an LED (light emitting diode) lighting device having a phosphor resin arranged in (Patent Document 1).

特開2015-207743号公報JP-A-2015-207743

しかしながら、上記アルミ基板は反射率の点で改善の余地がある。また、その他の装置に応用される反射基板も反射率の点で改善の余地がある。 However, the aluminum substrate has room for improvement in terms of reflectance. In addition, there is room for improvement in the reflectance of the reflective substrate applied to other devices.

そこで、本発明の目的は、大きい反射率を有する反射基板を提供することにある。 Therefore, an object of the present invention is to provide a reflective substrate having a large reflectance.

本発明に係る反射基板は、金属基板と上記金属基板上に形成された反射層とを有する反射基板であって、上記反射層は、白色セラミック粒子とオルガノポリシロキサン架橋体とを含み、上記白色セラミック粒子は、比表面積が6m2/g以上50m2/g以下であり、粒子径が0.2μm以上2μm以下であることを特徴とする。 The reflective substrate according to the present invention is a reflective substrate having a metal substrate and a reflective layer formed on the metal substrate, and the reflective layer contains white ceramic particles and an organopolysiloxane crosslinked body, and is white. The ceramic particles are characterized by having a specific surface area of 6 m 2 / g or more and 50 m 2 / g or less and a particle size of 0.2 μm or more and 2 μm or less.

本発明の反射基板は、大きい反射率を有する。 The reflective substrate of the present invention has a large reflectance.

図1は、オルガノポリシロキサン架橋体の構造の具体例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a specific example of the structure of an organopolysiloxane crosslinked product. 図2は、電着液を用いた電気泳動電着法を説明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining an electrophoretic electrodeposition method using an electrodeposition liquid. 図3は、電着液を用いた電気泳動電着法を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining an electrophoretic electrodeposition method using an electrodeposition liquid. 図4は、実施形態に係るLEDパッケージの平面図である。FIG. 4 is a plan view of the LED package according to the embodiment. 図5は、図5のA-A’断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA'of FIG. 図6は、実施形態に係るLEDパッケージの変形例の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a modified example of the LED package according to the embodiment. 図7は、他の実施形態に係るLEDパッケージの断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of the LED package according to another embodiment. 図8は、比表面積に対する反射率の変化を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing the change in reflectance with respect to the specific surface area. 図9は、粒子径に対する反射率の変化を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing changes in reflectance with respect to particle size.

本発明を実施するための形態(実施形態)につき、詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。 An embodiment (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail. The present invention is not limited to the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be combined as appropriate. Further, various omissions, substitutions or changes of the configuration can be made without departing from the gist of the present invention.

<反射基板>
実施形態に係る反射基板は、金属基板と上記金属基板上に形成された反射層とを有する。
<Reflective substrate>
The reflective substrate according to the embodiment has a metal substrate and a reflective layer formed on the metal substrate.

上記金属基板としては、アルミニウム、ステンレス、チタン、銅などの基板が挙げられる。上記アルミニウム基板としては、具体的には、純アルミニウム基板、アルミニウムを主成分とする合金板、低純度のアルミニウムに高純度アルミニウムを蒸着させた基板、プラズマ電解酸化法を行ったアルミニウム基板などが挙げられる。上記金属基板の厚さは、特に限定されないが、たとえば0.1mm以上3mm以下である。 Examples of the metal substrate include substrates such as aluminum, stainless steel, titanium, and copper. Specific examples of the aluminum substrate include a pure aluminum substrate, an alloy plate containing aluminum as a main component, a substrate obtained by depositing high-purity aluminum on low-purity aluminum, and an aluminum substrate subjected to a plasma electrolytic oxidation method. Be done. The thickness of the metal substrate is not particularly limited, but is, for example, 0.1 mm or more and 3 mm or less.

上記反射層は、白色セラミック粒子およびオルガノポリシロキサン架橋体を含む。 The reflective layer contains white ceramic particles and an organopolysiloxane crosslinked product.

上記白色セラミック粒子としては、アルミナ(酸化アルミニウム)、ジルコニア(二酸化ジルコニウム)、チタニア(二酸化チタン)などの粒子が挙げられる。これらのうちで、ジルコニアが好適に用いられる。上記白色セラミック粒子は、1種単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the white ceramic particles include particles such as alumina (aluminum oxide), zirconia (zirconium dioxide), and titania (titanium dioxide). Of these, zirconia is preferably used. The white ceramic particles may be used alone or in combination of two or more.

上記白色セラミック粒子は、比表面積が6m2/g以上50m2/g以下であり、好ましくは6m2/g以上13m2/g以下である。比表面積が上記範囲にあると、反射層の反射率を大きくできる。比表面積が6m2/gよりも小さいとコストなどの点から大量生産が難しいことがある。ここで、比表面積は、JIS R1626に準拠し、気体吸着BET法によって求めた値である。 The white ceramic particles have a specific surface area of 6 m 2 / g or more and 50 m 2 / g or less, preferably 6 m 2 / g or more and 13 m 2 / g or less. When the specific surface area is in the above range, the reflectance of the reflective layer can be increased. If the specific surface area is smaller than 6 m 2 / g, mass production may be difficult due to cost and other factors. Here, the specific surface area is a value obtained by the gas adsorption BET method in accordance with JIS R1626.

上記白色セラミック粒子は、粒子径が0.2μm以上2μm以下である。粒子径が上記範囲にあると、緻密な反射層が得られる。また、反射層の反射率を大きくできる。ここで、粒子径は、JIS R1629に準拠し、レーザ回折・散乱法によって求めた粒度分布の中央値(メジアン径、d50)である。 The white ceramic particles have a particle diameter of 0.2 μm or more and 2 μm or less. When the particle size is in the above range, a dense reflective layer can be obtained. In addition, the reflectance of the reflective layer can be increased. Here, the particle size is the median value (median diameter, d50) of the particle size distribution obtained by the laser diffraction / scattering method in accordance with JIS R1629.

上記オルガノポリシロキサン架橋体は、上記白色セラミック粒子を結合するバインダの役割を有する。図1は、オルガノポリシロキサン架橋体の構造の具体例を示す図である。図1に示すように、このオルガノポリシロキサン架橋体では、オルガノポリシロキサン1はシリカガラス2を介して架橋されていると考えられる。上記オルガノポリシロキサン架橋体は、紫外線に強く、強度も大きい。このため、上記反射層は、LED素子を実装するために好適に用いられる。 The organopolysiloxane crosslinked body has a role of a binder for binding the white ceramic particles. FIG. 1 is a diagram showing a specific example of the structure of an organopolysiloxane crosslinked product. As shown in FIG. 1, in this organopolysiloxane crosslinked product, it is considered that the organopolysiloxane 1 is crosslinked via the silica glass 2. The organopolysiloxane crosslinked product is resistant to ultraviolet rays and has high strength. Therefore, the reflective layer is suitably used for mounting the LED element.

上記反射層において、上記白色セラミック粒子は通常10質量%以上90質量%以下の量で含まれている。上記白色セラミック粒子の量が上記範囲にあると、反射層の反射率を大きくできる。 In the reflective layer, the white ceramic particles are usually contained in an amount of 10% by mass or more and 90% by mass or less. When the amount of the white ceramic particles is in the above range, the reflectance of the reflective layer can be increased.

また、上記反射層の厚さは、通常5μm以上200μm以下である。厚さが上記範囲にあると、反射層の反射率を大きくできる。 The thickness of the reflective layer is usually 5 μm or more and 200 μm or less. When the thickness is in the above range, the reflectance of the reflective layer can be increased.

また、上記反射層の反射率は、通常90%以上である。反射率が上記範囲にあると、LED素子を実装するための反射層として好適に用いられる。ここで、反射率は、実施例に記載する方法によって測定した値である。ところで、従来の誘電体多層膜では、反射率を90%以上とすることは難しかった。これはTiO2が低波長側の光を吸収するためと考えられる。反射率を大きくするためには多層化が必要だが、コストが増大する問題があった。これに対して、実施形態に係る反射基板では、特定の比表面積および粒子径を有する白色セラミック粒子を用いているため、反射率が向上できる。 Further, the reflectance of the reflective layer is usually 90% or more. When the reflectance is in the above range, it is suitably used as a reflective layer for mounting the LED element. Here, the reflectance is a value measured by the method described in the examples. By the way, in the conventional dielectric multilayer film, it is difficult to make the reflectance 90% or more. It is considered that this is because TiO 2 absorbs light on the low wavelength side. In order to increase the reflectance, it is necessary to have multiple layers, but there is a problem that the cost increases. On the other hand, since the reflective substrate according to the embodiment uses white ceramic particles having a specific specific surface area and particle diameter, the reflectance can be improved.

なお、上記反射層には、本発明の目的を阻害しない範囲で、炭化ケイ素等のその他のセラミック粒子、シリカなどがさらに含まれていてもよい。 The reflective layer may further contain other ceramic particles such as silicon carbide, silica, and the like, as long as the object of the present invention is not impaired.

<反射基板の製造方法>
上記反射基板の製造方法は、電着液を用いた電気泳動電着法により、金属基板上に、電着層を形成する工程(電着層形成工程)と、上記金属基板上に形成された上記電着層から反射層を形成する工程(反射層形成工程)と含む。
<Manufacturing method of reflective substrate>
The method for manufacturing the reflective substrate includes a step of forming an electrodeposition layer on a metal substrate (electrodeposition layer forming step) and a step of forming the electrodeposition layer on the metal substrate by an electrophoresis electrodeposition method using an electrodeposition liquid. It includes a step of forming a reflective layer from the electrodeposition layer (a reflective layer forming step).

〔電着層形成工程〕
上記電着層形成工程に用いる電着液は、上記白色セラミック粒子と、上記オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分とを含む。上記オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分は、金属アルコキシド(A-1)または金属アルコキシドの加水分解縮合物(A-2)と、金属アルコキシドを末端に有するオルガノポリシロキサン(B)とを含む。本明細書において、上記金属アルコキシドを末端に有するオルガノポリシロキサンを変性オルガノポリシロキサン(B)ともいう。
[Electrodeposition layer forming process]
The electrodeposition liquid used in the electrodeposition layer forming step contains the white ceramic particles and a component for forming the organopolysiloxane crosslinked body. The components for forming the organopolysiloxane crosslinked product include a metal alkoxide (A-1) or a hydrolyzed condensate of a metal alkoxide (A-2) and an organopolysiloxane (B) having a metal alkoxide at the end. include. In the present specification, the organopolysiloxane having the metal alkoxide at the end is also referred to as a modified organopolysiloxane (B).

上記金属アルコキシド(A-1)としては、アルコキシシランが好適に用いられる。上記アルコキシシランとしては、具体的には、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ-n-プロポキシシラン、テトラ-i-プロポキシシラン、テトラ-n-ブトキシシランなどのテトラアルコキシシラン類が好適に用いられる。上記金属アルコキシド(A-1)は、1種単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Alkoxysilane is preferably used as the metal alkoxide (A-1). As the alkoxysilane, specifically, tetraalkoxysilanes such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-i-propoxysilane, and tetra-n-butoxysilane are preferably used. .. The metal alkoxide (A-1) may be used alone or in combination of two or more.

上記金属アルコキシドの加水分解縮合物(A-2)(上記金属アルコキシド(A-1)の部分加水分解オリゴマー)としては、アルコキシシランの加水分解縮合物(上記アルコキシシランの部分加水分解オリゴマー)が好適に用いられる。上記アルコキシシランの加水分解縮合物としては、具体的には、ポリメチルシリケート、ポリエチルシリケート、ポリプロポキシシリケート、ポリブトキシシリケートが挙げられる。これらのうちで、ポリエチルシリケートが特に好ましく用いられる。上記金属アルコキシドの加水分解縮合物は、1種単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。なお、上記金属アルコキシド(A-1)および上記金属アルコキシドの加水分解縮合物(A-2)を組み合わせて用いてもよい。 As the hydrolyzed condensate (A-2) of the metal alkoxide (partially hydrolyzed oligomer of the metal alkoxide (A-1)), the hydrolyzed condensate of alkoxysilane (partially hydrolyzed oligomer of the alkoxysilane) is suitable. Used for. Specific examples of the hydrolyzed condensate of alkoxysilane include polymethylsilicate, polyethylsilicate, polypropoxysilicate, and polybutoxysilicate. Of these, polyethyl silicate is particularly preferably used. The hydrolyzed condensate of the metal alkoxide may be used alone or in combination of two or more. The metal alkoxide (A-1) and the hydrolyzed condensate of the metal alkoxide (A-2) may be used in combination.

上記変性オルガノポリシロキサン(B)は、オルガノポリシロキサンの主鎖の片末端または両末端を、金属アルコキシドにて修飾したオルガノポリシロキサンである。あるいは、上記変性オルガノポリシロキサン(B)は、オルガノポリシロキサンの主鎖の片末端または両末端を、金属アルコキシドの加水分解縮合物(金属アルコキシドの部分加水分解オリゴマー)にて修飾したオルガノポリシロキサンである。修飾前のオルガノポリシロキサンは、たとえば下記式(1)で表される。また、修飾に用いる金属アルコキシドおよび金属アルコキシドの加水分解縮合物は、たとえば下記式(2)、(3)または(4)で表される。 The modified organopolysiloxane (B) is an organopolysiloxane in which one end or both ends of the main chain of the organopolysiloxane is modified with a metal alkoxide. Alternatively, the modified organopolysiloxane (B) is an organopolysiloxane in which one end or both ends of the main chain of the organopolysiloxane are modified with a hydrolysis condensate of a metal alkoxide (a partially hydrolyzed oligomer of a metal alkoxide). be. The organopolysiloxane before modification is represented by, for example, the following formula (1). The metal alkoxide used for modification and the hydrolyzed condensate of the metal alkoxide are represented by, for example, the following formulas (2), (3) or (4).

Figure 0007011303000001
Figure 0007011303000001

上記式(1)中、R1およびR2は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、またはシクロアルキル基である。これらの具体例としては、メチル基、エチル基、フェニル基、ベンジル基、メチレン基、エチレン基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基が挙げられる。nは2以上の整数である。 In the above formula (1), R 1 and R 2 are independently an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an alkenyl group, or a cycloalkyl group, respectively. Specific examples of these include a methyl group, an ethyl group, a phenyl group, a benzyl group, a methylene group, an ethylene group, a cyclopropyl group and a cyclohexyl group. n is an integer of 2 or more.

上記修飾前のオルガノポリシロキサンとしては、具体的には、ポリジアルキルシロキサン、ポリジアリールシロキサン、ポリアルキルアリールシロキサンが好適に用いられ、ポリジメチルシロキサン、ポリジエチルシロキサン、ポリジフェニルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサン、ポリジフェニルジメチルシロキサンがより好適に用いられる。上記修飾前のオルガノポリシロキサンとしては、ポリジメチルシロキサンおよびポリジフェニルジメチルシロキサンが特に好ましく用いられる。上記修飾前のオルガノポリシロキサンは、1種単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 As the organopolysiloxane before the modification, specifically, polydialkylsiloxane, polydiarylsiloxane, and polyalkylarylsiloxane are preferably used, and polydimethylsiloxane, polydiethylsiloxane, polydiphenylsiloxane, and polymethylphenylsiloxane, Polydiphenyldimethylsiloxane is more preferably used. As the organopolysiloxane before the modification, polydimethylsiloxane and polydiphenyldimethylsiloxane are particularly preferably used. The unmodified organopolysiloxane may be used alone or in combination of two or more.

Figure 0007011303000002
Figure 0007011303000002

Figure 0007011303000003
Figure 0007011303000003

Figure 0007011303000004
Figure 0007011303000004

上記式(2)~(4)中、Mは、Si、Ti、Zrなどである。R3、R4およびR5は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、またはシクロアルキル基である。これらの具体例としては、メチル基、エチル基、フェニル基、ベンジル基、メチレン基、エチレン基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基が挙げられる。XおよびYは、それぞれ独立に、水素、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、またはシクロアルキル基である。これらの具体例としては、メチル基、エチル基、フェニル基、ベンジル基、メチレン基、エチレン基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基が挙げられる。上記修飾に用いる成分が金属アルコキシドの場合は、mは1である。また、上記修飾に用いる成分が金属アルコキシドの加水分解縮合物の場合は、mは2以上の整数である。なお、上記式(2)、(3)中、Mは、Alであってもよい。この場合、上記式(2)中、-Xはなく、-Yのみが存在し、上記式(3)中、-Xはなく、-OR4のみが存在する。 In the above formulas (2) to (4), M is Si, Ti, Zr, or the like. R 3 , R 4 and R 5 are independently alkyl, aryl, aralkyl, alkenyl, or cycloalkyl groups, respectively. Specific examples of these include a methyl group, an ethyl group, a phenyl group, a benzyl group, a methylene group, an ethylene group, a cyclopropyl group and a cyclohexyl group. X and Y are each independently a hydrogen, an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an alkenyl group, or a cycloalkyl group. Specific examples of these include a methyl group, an ethyl group, a phenyl group, a benzyl group, a methylene group, an ethylene group, a cyclopropyl group and a cyclohexyl group. When the component used for the above modification is a metal alkoxide, m is 1. When the component used for the above modification is a hydrolyzed condensate of metal alkoxide, m is an integer of 2 or more. In the above formulas (2) and (3), M may be Al. In this case, in the above formula (2), there is no -X and only -Y exists, and in the above formula (3), there is no -X and only -OR 4 exists.

上記オルガノポリシロキサンの修飾(変性)に用いる金属アルコキシドとしては、具体的には、アルコキシシランが好適に用いられる。 Specifically, alkoxysilane is preferably used as the metal alkoxide used for the modification (modification) of the organopolysiloxane.

上記アルコキシシランとしては、より具体的には、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ-n-プロポキシシラン、テトラ-i-プロポキシシラン、テトラ-n-ブトキシシランなどのテトラアルコキシシラン類;
トリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、n-プロピルトリメトキシシラン、n-プロピルトリエトキシシラン、i-プロピルトリメトキシシラン、i-プロピルトリエトキシシラン、n-ブチルトリメトキシシラン、n-ブチルトリエトキシシラン、n-ペンチルトリメトキシシラン、n-ヘキシルトリメトキシシラン、n-ヘプチルトリメトキシシラン、n-オクチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、3-クロロプロピルトリメトキシシラン、3-クロロプロピルトリエトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、2-ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、2-ヒドロキシエチルトリエトキシシラン、2-ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、2-ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、3-ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、3-ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3-イソシアナートプロピルトリメトキシシラン、3-イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、3-(メタ)アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、3-(メタ)アクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリメトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリエトキシシランなどのトリアルコキシシラン類;
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジ-n-プロピルジメトキシシラン、ジ-n-プロピルジエトキシシラン、ジ-i-プロピルジメトキシシラン、ジ-i-プロピルジエトキシシラン、ジ-n-ブチルジメトキシシラン、ジ-n-ブチルジエトキシシラン、ジ-n-ペンチルジメトキシシラン、ジ-n-ペンチルジエトキシシラン、ジ-n-ヘキシルジメトキシシラン、ジ-n-ヘキシルジエトキシシラン、ジ-n-ヘプチルジメトキシシラン、ジ-n-ヘプチルジエトキシシラン、ジ-n-オクチルジメトキシシラン、ジ-n-オクチルジエトキシシラン、ジ-n-シクロヘキシルジメトキシシラン、ジ-n-シクロヘキシルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどのジアルコキシシラン類が挙げられる。上記アルコキシシランとしては、テトラメトキシシラン、トリメトキシメチルシランが特に好ましく用いられる。上記アルコキシシランは、1種単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
More specifically, the alkoxysilanes include tetraalkoxysilanes such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-i-propoxysilane, and tetra-n-butoxysilane;
Trimethoxysilane, Methyltrimethoxysilane, Methyltriethoxysilane, Ethyltrimethoxysilane, Ethyltriethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, i-propyltrimethoxysilane, i-propyltriethoxysilane Silane, n-butyltrimethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-pentyltrimethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-heptyltrimethoxysilane, n-octyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyl Triethoxysilane, cyclohexyltrimethoxysilane, cyclohexyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 3-chloropropyltriethoxysilane, 3,3,3-trifluoropropyltri Methoxysilane, 3,3,3-trifluoropropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 2-hydroxyethyltrimethoxysilane, 2-hydroxyethyltriethoxysilane, 2- Hydroxypropyltrimethoxysilane, 2-hydroxypropyltriethoxysilane, 3-hydroxypropyltrimethoxysilane, 3-hydroxypropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-isosianate Propyltrimethoxysilane, 3-Isocyanatopropyltriethoxysilane, 3- (meth) acrylicoxypropyltrimethoxysilane, 3- (meth) acrylicoxypropyltriethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyl Trialkylsilanes such as triethoxysilane;
Dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, di-n-propyldimethoxysilane, di-n-propyldiethoxysilane, di-i-propyldimethoxysilane, di-i-propyldiethoxy Silane, di-n-butyldimethoxysilane, di-n-butyldiethoxysilane, di-n-pentyldimethoxysilane, di-n-pentyldiethoxysilane, di-n-hexyldimethoxysilane, di-n-hexyldi Ethoxysilane, di-n-heptyldimethoxysilane, di-n-heptyldiethoxysilane, di-n-octyldimethoxysilane, di-n-octyldiethoxysilane, di-n-cyclohexyldimethoxysilane, di-n-cyclohexyl Examples thereof include dialkoxysilanes such as diethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, and diphenyldiethoxysilane. As the alkoxysilane, tetramethoxysilane and trimethoxymethylsilane are particularly preferably used. The above alkoxysilane may be used alone or in combination of two or more.

上記オルガノポリシロキサンの修飾(変性)に用いる金属アルコキシドの加水分解縮合物としては、具体的には、ポリメチルシリケート、ポリエチルシリケート、ポリプロポキシシリケート、ポリブトキシシリケートが好適に用いられる。上記金属アルコキシドの加水分解縮合物としては、ポリエチルシリケートが特に好ましく用いられる。上記金属アルコキシドの加水分解縮合物は、1種単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Specifically, polymethylsilicate, polyethylsilicate, polypropoxysilicate, and polybutoxysilicate are preferably used as the hydrolyzed condensate of the metal alkoxide used for the modification (modification) of the organopolysiloxane. As the hydrolyzed condensate of the metal alkoxide, polyethyl silicate is particularly preferably used. The hydrolyzed condensate of the metal alkoxide may be used alone or in combination of two or more.

上記変性オルガノポリシロキサンの質量平均分子量は、たとえば8000以上76000以下である。 The mass average molecular weight of the modified organopolysiloxane is, for example, 8000 or more and 76000 or less.

上記電着液は、脱水イソプロピルアルコール、脱水n-プロピルアルコール、脱水n-ブチルアルコール、脱水イソブチルアルコール、脱水n-ペンチルアルコール、脱水2-ペンチルアルコール、脱水3-ペンチルアルコールなどの溶媒、モノクロロ酢酸、酢酸などの安定化剤をさらに含んでいてもよい。 The electrodeposition solution is a solvent such as dehydrated isopropyl alcohol, dehydrated n-propyl alcohol, dehydrated n-butyl alcohol, dehydrated isobutyl alcohol, dehydrated n-pentyl alcohol, dehydrated 2-pentyl alcohol, dehydrated 3-pentyl alcohol, monochloroacetic acid, It may further contain a stabilizer such as acetic acid.

上記電着液は、たとえば以下の手順で調製される。まず、白色セラミック粒子を加熱して乾燥させる。次いで、乾燥させた白色セラミック粒子に、必要に応じて溶媒および安定化剤を加え、攪拌して、白色セラミック粒子含有混合液を得る。攪拌には、たとえば超音波ホモジナイザー、超音波バスを用いる。白色セラミック粒子、溶媒および安定化剤の量、ならびに攪拌条件は、好適な反射層が得られるように適宜調整する。 The electrodeposition liquid is prepared, for example, by the following procedure. First, the white ceramic particles are heated and dried. Then, if necessary, a solvent and a stabilizer are added to the dried white ceramic particles, and the mixture is stirred to obtain a white ceramic particle-containing mixture. For stirring, for example, an ultrasonic homogenizer or an ultrasonic bath is used. The amounts of white ceramic particles, solvent and stabilizer, and stirring conditions are appropriately adjusted to obtain a suitable reflective layer.

次に、白色セラミック粒子含有混合液に対して、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分を加える。具体的には、上述した金属アルコキシド(A-1)または金属アルコキシドの加水分解縮合物(A-2)と、変性オルガノポリシロキサン(B)とを予め混合して、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分(組成物溶液)を調製しておく。白色セラミック粒子含有混合液に対して、このオルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分(組成物溶液)を加える。これにより、上記電着液が調製できる。 Next, a component for forming an organopolysiloxane crosslinked body is added to the white ceramic particle-containing mixed solution. Specifically, the above-mentioned metal alkoxide (A-1) or the hydrolyzed condensate of the metal alkoxide (A-2) is mixed in advance with the modified organopolysiloxane (B) to form an organopolysiloxane crosslinked product. Ingredients (composition solution) for this purpose are prepared. A component (composition solution) for forming this organopolysiloxane crosslinked body is added to the white ceramic particle-containing mixture. Thereby, the electrodeposition liquid can be prepared.

上記電着層形成工程では、上述のようにして調製された電着液を用いて、電気泳動電着法により、金属基板上に電着層を形成する。図2および図3は、電着液を用いた電気泳動電着法を説明するための図である。 In the electrodeposition layer forming step, the electrodeposition layer is formed on the metal substrate by the electrophoretic electrodeposition method using the electrodeposition liquid prepared as described above. 2 and 3 are diagrams for explaining an electrophoretic electrodeposition method using an electrodeposition liquid.

電気泳動電着法は、具体的には、電着装置10により行われる。図2に示すように、電着装置10は、容器12と、電極14a、14bと、電極14a、14bとに接続された電源16とを備えている。容器12には電着液20が入れられ、電極14a、14bは電着液20に浸される。 Specifically, the electrophoretic electrodeposition method is performed by the electrodeposition device 10. As shown in FIG. 2, the electrodeposition device 10 includes a container 12, electrodes 14a and 14b, and a power supply 16 connected to the electrodes 14a and 14b. The electrodeposition liquid 20 is put in the container 12, and the electrodes 14a and 14b are immersed in the electrodeposition liquid 20.

電極14aは、上述した金属基板で構成される。電極14bはステンレス鋼材あるいは炭素材などにより構成される。電極14aには正の電圧が印加され、電極14bには負の電圧が印加される。したがって、電極14aは陽極、電極14bは陰極となる。本明細書において、電極14aを金属基板14aともいう。 The electrode 14a is composed of the above-mentioned metal substrate. The electrode 14b is made of a stainless steel material, a carbon material, or the like. A positive voltage is applied to the electrode 14a, and a negative voltage is applied to the electrode 14b. Therefore, the electrode 14a serves as an anode and the electrode 14b serves as a cathode. In the present specification, the electrode 14a is also referred to as a metal substrate 14a.

電着液20中には、白色セラミック粒子22が浮遊している。前述モノクロロ酢酸を安定化剤とする電着液を用いた場合、電着液20中にて、白色セラミック粒子22が負電荷に帯電する。図3に示すように、電界印加により、白色セラミック粒子22は陽極である金属基板14aに引き寄せられ、金属基板14a上へ固定または堆積される。また、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分も、白色セラミック粒子22とともに金属基板14a上へ電着される。ここで、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分は、未硬化もしくは半硬化状態である。このようにして、金属基板14a上に、白色セラミック粒子22およびオルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分を含む電着層24が形成される。 White ceramic particles 22 are suspended in the electrodeposition liquid 20. When the electrodeposition solution using monochloroacetic acid as a stabilizer is used, the white ceramic particles 22 are charged with a negative charge in the electrodeposition solution 20. As shown in FIG. 3, the white ceramic particles 22 are attracted to the metal substrate 14a, which is an anode, by applying an electric field, and are fixed or deposited on the metal substrate 14a. Further, the component for forming the organopolysiloxane crosslinked body is also electrodeposited on the metal substrate 14a together with the white ceramic particles 22. Here, the component for forming the organopolysiloxane crosslinked product is in an uncured or semi-cured state. In this way, the electrodeposition layer 24 containing the white ceramic particles 22 and the components for forming the organopolysiloxane crosslinked body is formed on the metal substrate 14a.

電流および電圧印加時間を適宜変更すると、最終的に得られる反射層の厚さなどの特性を調整できる。 By appropriately changing the current and voltage application time, characteristics such as the thickness of the finally obtained reflective layer can be adjusted.

〔反射層形成工程〕
反射層形成工程では、通常、上記電着層形成工程で形成された電着層を加熱して、反射層を形成する。電着層中のオルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分は、水の存在下で加水分解・脱水重縮合反応によって硬化して、オルガノポリシロキサン架橋体(硬化体)となる。なお、焼成を通常の大気下で行うことにより、反応に必要な水分として空気中の水分が利用できる。このようにして、金属基板上に、白色セラミック粒子およびオルガノポリシロキサン架橋体を含む反射層が形成される。反射層において、上記オルガノポリシロキサン架橋体は、バインダとして機能する。
[Reflective layer forming step]
In the reflective layer forming step, the electrodeposited layer formed in the electrodeposition layer forming step is usually heated to form a reflective layer. The component for forming the organopolysiloxane crosslinked product in the electrodeposition layer is cured by a hydrolysis / dehydration polycondensation reaction in the presence of water to become an organopolysiloxane crosslinked product (cured product). By performing the firing in a normal atmosphere, the moisture in the air can be used as the moisture required for the reaction. In this way, a reflective layer containing white ceramic particles and an organopolysiloxane crosslinked body is formed on the metal substrate. In the reflective layer, the organopolysiloxane crosslinked body functions as a binder.

加熱温度は、たとえば室温(具体的には20℃)を超え300℃以下である。加熱時間としては、通常、上記加水分解・脱水重縮合反応が終了するまでの時間を適宜設定する。また、室温で反射層を形成させてもよい。いいかえると、室温で、上記加水分解・脱水重縮合反応が終了するまでの時間、電着層を形成した金属基板を置いておいてもよい。 The heating temperature is, for example, more than room temperature (specifically, 20 ° C.) and 300 ° C. or lower. As the heating time, usually, the time until the hydrolysis / dehydration polycondensation reaction is completed is appropriately set. Further, the reflective layer may be formed at room temperature. In other words, the metal substrate on which the electrodeposition layer is formed may be left at room temperature for a period of time until the hydrolysis / dehydration polycondensation reaction is completed.

なお、図2に示した電着装置10では、金属基板14aにおける電極14bと対向する面に電着層24が形成される。したがって、金属基板14aの両面に電着層24を形成する場合には、金属基板14aの向きを裏返してもよい。あるいは、金属基板14aの両面と対向するように2つの電極14bをそれぞれ配置してもよい。この場合は、最終的には金属基板の両面上に、白色セラミック粒子およびオルガノポリシロキサン架橋体を含む反射層が形成される。 In the electrodeposition device 10 shown in FIG. 2, the electrodeposition layer 24 is formed on the surface of the metal substrate 14a facing the electrode 14b. Therefore, when the electrodeposition layers 24 are formed on both surfaces of the metal substrate 14a, the orientation of the metal substrate 14a may be turned inside out. Alternatively, the two electrodes 14b may be arranged so as to face both sides of the metal substrate 14a. In this case, a reflective layer containing white ceramic particles and an organopolysiloxane crosslink is finally formed on both sides of the metal substrate.

なお、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分は、オルガノポリシロキサン系有機・無機ハイブリッド材料の原料液と呼ばれることがある。また、オルガノポリシロキサン架橋体は、オルガノポリシロキサン系有機・無機ハイブリッド材料と呼ばれることがある。 The component for forming the organopolysiloxane crosslinked product may be referred to as a raw material liquid for an organopolysiloxane-based organic / inorganic hybrid material. Further, the organopolysiloxane crosslinked product may be referred to as an organopolysiloxane-based organic / inorganic hybrid material.

<LEDパッケージ>
実施形態に係るLEDパッケージは、上述した反射基板と、上記反射基板に実装されたLED素子とを有する。図4は、実施形態に係るLEDパッケージの平面図である。図5は、図5のA-A’断面図である。
<LED package>
The LED package according to the embodiment includes the above-mentioned reflection substrate and the LED element mounted on the above-mentioned reflection substrate. FIG. 4 is a plan view of the LED package according to the embodiment. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA'of FIG.

LEDパッケージ100は、上述したような反射基板30を有する。反射基板30は、金属基板32と、金属基板32上に形成された反射層34とを有する。さらに、LEDパッケージ100は、プリント配線基板36、ダム材38、LED素子40、蛍光体樹脂42などから構成される。また、プリント配線基板36は、基台36a、電極36b(電極36b-1、36b-2)、レジスト36cから構成される。 The LED package 100 has a reflective substrate 30 as described above. The reflective substrate 30 has a metal substrate 32 and a reflective layer 34 formed on the metal substrate 32. Further, the LED package 100 is composed of a printed wiring board 36, a dam material 38, an LED element 40, a phosphor resin 42, and the like. The printed wiring board 36 is composed of a base 36a, electrodes 36b (electrodes 36b-1, 36b-2), and a resist 36c.

LED素子40は、シリコーン樹脂などによって略円形に配置されたダム材38によって仕切られた領域(素子実装領域44)に、ダイボンド材46により接着され、実装される。この素子実装領域44において、金属基板32上に反射層34が積層されている。したがって、LED素子40は、反射層34の表面に接着されている。なお、プリント配線基板36は、素子実装領域44の周囲に接着シート48により接着されている。 The LED element 40 is bonded and mounted by a die bond material 46 to a region (element mounting area 44) partitioned by a dam material 38 arranged in a substantially circular shape with a silicone resin or the like. In the element mounting region 44, the reflective layer 34 is laminated on the metal substrate 32. Therefore, the LED element 40 is adhered to the surface of the reflective layer 34. The printed wiring board 36 is adhered to the periphery of the element mounting area 44 by an adhesive sheet 48.

素子実装領域44には、プリント配線基板36上の電極36b-1と電極36b-2との間に、12個ずつ直列に接続された3グループのLED素子40が並列に接続されている。接続には通常金ワイヤ50が用いられる。電極36b-1および電極36b-2間に所定の電圧が供給されると、LED素子40が発光する。 In the element mounting area 44, three groups of LED elements 40 connected in series by 12 are connected in parallel between the electrodes 36b-1 and the electrodes 36b-2 on the printed wiring board 36. A gold wire 50 is usually used for connection. When a predetermined voltage is supplied between the electrodes 36b-1 and the electrodes 36b-2, the LED element 40 emits light.

LED素子40の周囲で、ダム材38の内側には、LED素子40を保護するための蛍光体樹脂42が存在している。蛍光体樹脂42には、たとえば透明性のあるエポキシ樹脂、シリコーン樹脂が用いられる。蛍光体樹脂42には、樹脂とともに蛍光体が含まれている。蛍光体は、LED素子40から発光された青色光の一部を吸収し、波長変換した黄色光を発光する。このため、青色光と黄色光とが混ざり合い、LEDパッケージ100からは白色光が出射される。 A phosphor resin 42 for protecting the LED element 40 exists inside the dam material 38 around the LED element 40. For the phosphor resin 42, for example, a transparent epoxy resin or a silicone resin is used. The phosphor resin 42 contains a phosphor together with the resin. The phosphor absorbs a part of the blue light emitted from the LED element 40 and emits the wavelength-converted yellow light. Therefore, blue light and yellow light are mixed, and white light is emitted from the LED package 100.

反射層34は、上述したように、上記白色セラミック粒子と、上記オルガノポリシロキサン架橋体とを含むため、反射率が大きい。したがって、LEDパッケージ100は、LED素子40の発光を効率よく活用できる。 As described above, the reflective layer 34 contains the white ceramic particles and the organopolysiloxane crosslinked product, and therefore has a high reflectance. Therefore, the LED package 100 can efficiently utilize the light emission of the LED element 40.

なお、実施形態に係るLEDパッケージ100では、12個ずつ直列に接続された3グループのLED素子40が並列に接続されている。しかしながら、直列に接続されるLED素子40の数、並列に接続されるグループ数は、これに限らない。 In the LED package 100 according to the embodiment, 12 LED elements 40 of 3 groups connected in series are connected in parallel. However, the number of LED elements 40 connected in series and the number of groups connected in parallel are not limited to this.

また、図6は、実施形態に係るLEDパッケージの変形例の断面図である。図6に示した変形例では、金属基板32全面に反射層34を設け、その上にプリント配線基板36を接着シート48により接着している。その他の点については、図4および図5に示した実施形態に係るLEDパッケージと同じであるため、説明を省略する。変形例もLED素子の発光を効率よく活用できる。さらに、基台36aおよび反射層34が積層され、両者で絶縁基板の役割を果たすようになるため、絶縁耐圧が向上する。また、LEDパッケージの製造においてマスキングが不要となり、一括処理できるため、生産的(コスト的)にも有利である。 Further, FIG. 6 is a cross-sectional view of a modified example of the LED package according to the embodiment. In the modified example shown in FIG. 6, the reflective layer 34 is provided on the entire surface of the metal substrate 32, and the printed wiring board 36 is adhered on the reflective layer 34 by the adhesive sheet 48. Since other points are the same as the LED package according to the embodiment shown in FIGS. 4 and 5, the description thereof will be omitted. In the modified example, the light emission of the LED element can be efficiently utilized. Further, the base 36a and the reflective layer 34 are laminated, and both of them play the role of an insulating substrate, so that the withstand voltage is improved. In addition, masking is not required in the manufacture of the LED package, and batch processing can be performed, which is advantageous in terms of production (cost).

さらに、実施形態に係るLEDパッケージは、以下の構成を有するLEDパッケージであってもよい。図7は、他の実施形態に係るLEDパッケージの断面図である。他の実施形態に係るLEDパッケージ200は、上述したような反射基板60を有する。反射基板60は、金属基板62と、金属基板62上に形成された反射層64とを有する。さらに、LEDパッケージ200は、配線66、配線66と電気的に接合されたLED素子68などから構成される。図示していないが、LEDパッケージ200は、配線66およびLED素子68が蛍光体樹脂でモールドされていてもよい。配線66に所定の電圧が供給されると、LED素子68が発光する。 Further, the LED package according to the embodiment may be an LED package having the following configuration. FIG. 7 is a cross-sectional view of the LED package according to another embodiment. The LED package 200 according to another embodiment has a reflective substrate 60 as described above. The reflective substrate 60 has a metal substrate 62 and a reflective layer 64 formed on the metal substrate 62. Further, the LED package 200 is composed of a wiring 66, an LED element 68 electrically joined to the wiring 66, and the like. Although not shown, in the LED package 200, the wiring 66 and the LED element 68 may be molded with a phosphor resin. When a predetermined voltage is supplied to the wiring 66, the LED element 68 emits light.

反射層64は、上述したように、上記白色セラミック粒子と、上記オルガノポリシロキサン架橋体とを含むため、反射率が大きい。したがって、LEDパッケージ200は、LED素子68の発光を効率よく活用できる。 As described above, the reflective layer 64 contains the white ceramic particles and the organopolysiloxane crosslinked product, and therefore has a high reflectance. Therefore, the LED package 200 can efficiently utilize the light emission of the LED element 68.

なお、実施形態に係るLEDパッケージにおいては、青色LED素子と黄色蛍光体とを組み合わせた「擬似白色発光型」を例に挙げて説明した。しかしながら、これに限らない。実施形態に係るLEDパッケージは、たとえば、紫外~近紫外LED素子と、赤色蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍光体などとを組み合わせた「紫外~近紫外光源型」であってもよい。さらに、赤色LED素子、緑色LED素子および青色LED素子の3光源で白色発光させる「RGB光源型」であってもよい。 In the LED package according to the embodiment, a "pseudo-white light emitting type" in which a blue LED element and a yellow phosphor are combined has been described as an example. However, it is not limited to this. The LED package according to the embodiment may be, for example, a "ultraviolet to near-ultraviolet light source type" in which an ultraviolet to near-ultraviolet LED element and a red phosphor, a green phosphor, a blue phosphor and the like are combined. Further, it may be an "RGB light source type" that emits white light from three light sources of a red LED element, a green LED element, and a blue LED element.

なお、上述した反射基板は、LEDパッケージ以外のその他の装置にも好適に応用できる。これにより、上記装置においても反射率を改善できる。 The above-mentioned reflective substrate can be suitably applied to other devices other than the LED package. As a result, the reflectance can be improved even in the above device.

以上より、本発明は以下に関する。
[1] 金属基板と上記金属基板上に形成された反射層とを有する反射基板であって、上記反射層は、白色セラミック粒子とオルガノポリシロキサン架橋体とを含み、上記白色セラミック粒子は、比表面積が6m2/g以上50m2/g以下であり、粒子径が0.2μm以上2μm以下であることを特徴とする反射基板。
上記反射基板は、大きい反射率を有する。
[2] 電着液を用いた電気泳動電着法により、金属基板上に、白色セラミック粒子およびオルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分を含む電着層を形成する工程と、上記金属基板上に形成された上記電着層から、上記白色セラミック粒子およびオルガノポリシロキサン架橋体を含む反射層を形成する工程とを含み、上記電着液は、上記白色セラミック粒子と、上記オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分とを含み、上記白色セラミック粒子は、比表面積が6m2/g以上50m2/g以下であり、粒子径が0.2μm以上2μm以下であり、上記オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分は、金属アルコキシドまたは該金属アルコキシドの加水分解縮合物と、金属アルコキシドを末端に有するオルガノポリシロキサンとを含むことを特徴とする反射基板の製造方法。
上記反射基板の製造方法によれば、大きい反射率を有する反射基板が得られる。
[3] 電気泳動電着法により、金属基板上に反射層を形成するための電着液であって、白色セラミック粒子と、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分とを含み、上記白色セラミック粒子は、比表面積が6m2/g以上50m2/g以下であり、粒子径が0.2μm以上2μm以下であり、上記オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分は、金属アルコキシドまたは該金属アルコキシドの加水分解縮合物と、金属アルコキシドを末端に有するオルガノポリシロキサンとを含むことを特徴とする電着液。
上記電着液を用いると、大きい反射率を有する反射基板が製造できる。
[4] [1]に記載の反射基板と、上記反射基板に実装されたLED素子とを有することを特徴とするLEDパッケージ。
上記LEDパッケージは、上記反射基板を有するため、LED素子の発光を効率よく活用できる。
Based on the above, the present invention relates to the following.
[1] A reflective substrate having a metal substrate and a reflective layer formed on the metal substrate. The reflective layer contains white ceramic particles and an organopolysiloxane bridge, and the white ceramic particles have a specific surface area. A reflective substrate having a surface area of 6 m 2 / g or more and 50 m 2 / g or less and a particle size of 0.2 μm or more and 2 μm or less.
The reflective substrate has a large reflectance.
[2] A step of forming an electrodeposition layer containing white ceramic particles and a component for forming an organopolysiloxane crosslinked body on a metal substrate by an electrophoresis electrodeposition method using an electrodeposition liquid, and the above metal substrate. The electrodeposition solution comprises the steps of forming a reflective layer containing the white ceramic particles and the organopolysiloxane crosslinked product from the electrodeposited layer formed above, and the electrodeposition solution comprises the white ceramic particles and the organopolysiloxane crosslink. The white ceramic particles have a specific surface area of 6 m 2 / g or more and 50 m 2 / g or less, a particle size of 0.2 μm or more and 2 μm or less, and include the components for forming a body, and the organopolysiloxane crosslinks. A method for producing a reflective substrate, wherein the component for forming the body contains a metal alkoxide or a hydrolysis condensate of the metal alkoxide, and an organopolysiloxane having the metal alkoxide at the end.
According to the above-mentioned method for manufacturing a reflective substrate, a reflective substrate having a large reflectance can be obtained.
[3] An electrodeposition solution for forming a reflective layer on a metal substrate by an electrophoresis electrodeposition method, which contains white ceramic particles and a component for forming an organopolysiloxane crosslinked body, and is white. The ceramic particles have a specific surface area of 6 m 2 / g or more and 50 m 2 / g or less, a particle size of 0.2 μm or more and 2 μm or less, and the component for forming the organopolysiloxane bridge is metal alkoxide or the above. An electrodeposition liquid comprising a hydrolyzed condensate of a metal alkoxide and an organopolysiloxane having a metal alkoxide at the end.
By using the electrodeposition liquid, a reflective substrate having a large reflectance can be manufactured.
[4] An LED package comprising the reflective substrate according to [1] and an LED element mounted on the reflective substrate.
Since the LED package has the reflective substrate, the light emission of the LED element can be efficiently utilized.

以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on Examples, but the present invention is not limited to these Examples.

[実施例] [Example]

[実施例1-1]
(ジルコニア粒子含有混合液の調製)
まず、球状のジルコニア(ZrO2)粒子を用意した。上記ジルコニア粒子は、比表面積が8m2/gであり、粒子径が0.55μmであった。上記ジルコニア粒子を、130℃で1時間乾燥させた。次いで、上記ジルコニア粒子に、脱水イソプロピルアルコール(IPA、和光純薬工業株式会社製、2-プロパノール(超脱水))およびモノクロロ酢酸(MCAA、和光純薬工業株式会社製、Chloroacetic Acid)を加えた。ここで、得られた溶液には、ジルコニア粒子が15質量%、MCAAが12.75質量%および脱水IPAが72.25質量%の濃度となるように配合した。
次に、上記溶液に対して、hielscher製、UP100Hによる超音波ホモジナイザー処理3分、Fine製、FU-3Hによる超音波バス処理1時間を行った。これらの処理は、脱水IPAおよびMCAA内にジルコニア粒子が均一に混合されるように、上記溶液を攪拌しながら行った。これにより、ジルコニア粒子含有混合液を得た。
[Example 1-1]
(Preparation of zirconia particle-containing mixture)
First, spherical zirconia (ZrO 2 ) particles were prepared. The zirconia particles had a specific surface area of 8 m 2 / g and a particle diameter of 0.55 μm. The zirconia particles were dried at 130 ° C. for 1 hour. Next, dehydrated isopropyl alcohol (IPA, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., 2-propanol (ultra-dehydrated)) and monochloroacetic acid (MCAA, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., Chloroacetic Acid) were added to the zirconia particles. Here, the obtained solution was blended with a concentration of 15% by mass of zirconia particles, 12.75% by mass of MCAA, and 72.25% by mass of dehydrated IPA.
Next, the above solution was subjected to ultrasonic homogenizer treatment with UP100H manufactured by hielscher for 3 minutes and ultrasonic bath treatment with FU-3H manufactured by Fine for 1 hour. These treatments were carried out while stirring the above solution so that the zirconia particles were uniformly mixed in the dehydrated IPA and MCAA. As a result, a zirconia particle-containing mixture was obtained.

(オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分の調製)
エチルシリケート末端変性ポリジメチルシロキサン(以下、ES-PDMS-Bともいう。)と、エチルシリケート(以下、ESともいう。)とを混合して、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分を調製した。
ES-PDMS-Bは、質量平均分子量22000であり、下記式(5)で表される。ES-PDMS-Bは、特開2016-65234号公報に記載された方法で作製した。また、ESは、下記式(6)で表される。ここで、下記式(5)、(6)中、nは8以上10以下の整数である。
(Preparation of components for forming an organopolysiloxane crosslink)
Ethyl silicate terminal-modified polydimethylsiloxane (hereinafter, also referred to as ES-PDMS-B) and ethyl silicate (hereinafter, also referred to as ES) are mixed to prepare a component for forming an organopolysiloxane crosslinked product. did.
ES-PDMS-B has a mass average molecular weight of 22000 and is represented by the following formula (5). ES-PDMS-B was prepared by the method described in JP-A-2016-65234. Further, ES is represented by the following formula (6). Here, in the following equations (5) and (6), n is an integer of 8 or more and 10 or less.

Figure 0007011303000005
Figure 0007011303000005

Figure 0007011303000006
Figure 0007011303000006

(電着液の調製) (Preparation of electrodeposition liquid)

ジルコニア粒子含有混合液を攪拌しながら、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分を添加して、電着液を得た。配合の例としては、前記のジルコニア粒子含有混合液100gに対して、ES、ES-PDMS-Bをそれぞれ5.1g、15.1gである。 While stirring the zirconia particle-containing mixture, a component for forming an organopolysiloxane crosslinked body was added to obtain an electrodeposited liquid. As an example of compounding, ES and ES-PDMS-B are 5.1 g and 15.1 g, respectively, with respect to 100 g of the above-mentioned zirconia particle-containing mixed solution.

(電着層形成工程)
上記電着液20を用いて、電気泳動電着法により、アルミニウム基板14a上に電着層24を形成した(図2、図3)。
電気泳動電着法は、具体的には、電着装置10により行った。容器12に電着液20を入れ、該電着液20にアルミニウム基板14aおよびステンレス鋼材14bを浸した。ここで、電源装置16として、Anatech製、Pro-3900を用いた。
電界印加により、アルミニウム基板14aに、電着液20中のジルコニア粒子22を固定または堆積した。また、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分も、白ジルコニア粒子22とともにアルミニウム基板14a上へ電着した。このようにして、アルミニウム基板14a上に、ジルコニア粒子22およびオルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分を含む電着層24を形成した。
電着は、電流を一定とし、電着層24の膜さが50μmとなるように電着時間を適宜調整して行った。
(Electrodeposition layer forming process)
The electrodeposition layer 24 was formed on the aluminum substrate 14a by the electrophoretic electrodeposition method using the electrodeposition liquid 20 (FIGS. 2 and 3).
Specifically, the electrophoresis electrodeposition method was performed by the electrodeposition device 10. The electrodeposition liquid 20 was placed in the container 12, and the aluminum substrate 14a and the stainless steel material 14b were immersed in the electrodeposition liquid 20. Here, as the power supply device 16, Pro-3900 manufactured by Anatech was used.
The zirconia particles 22 in the electrodeposition liquid 20 were fixed or deposited on the aluminum substrate 14a by applying an electric field. Further, the component for forming the organopolysiloxane crosslinked body was also electrodeposited on the aluminum substrate 14a together with the white zirconia particles 22. In this way, the electrodeposition layer 24 containing the zirconia particles 22 and the components for forming the organopolysiloxane crosslinked body was formed on the aluminum substrate 14a.
The electrodeposition was performed by keeping the current constant and appropriately adjusting the electrodeposition time so that the film of the electrodeposition layer 24 was 50 μm.

(反射層形成工程)
アルミニウム基板14a上に形成された電着層24から反射層を形成した。具体的には、電着層24が形成されたアルミニウム基板14aを、250℃で2時間加熱した。ここで、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分は、加熱により、加水分解・脱水重縮合反応によって硬化して、オルガノポリシロキサン架橋体(硬化体)となった。このようにして、ジルコニア粒子22およびオルガノポリシロキサン架橋体を含む反射層を形成した。
以上のようにして、アルミニウム基板と上記アルミニウム基板上に形成された反射層とを有する反射基板を作製した。
(Reflective layer forming process)
A reflective layer was formed from the electrodeposition layer 24 formed on the aluminum substrate 14a. Specifically, the aluminum substrate 14a on which the electrodeposition layer 24 was formed was heated at 250 ° C. for 2 hours. Here, the component for forming the organopolysiloxane crosslinked body was cured by a hydrolysis / dehydration polycondensation reaction by heating to become an organopolysiloxane crosslinked body (cured body). In this way, a reflective layer containing the zirconia particles 22 and the organopolysiloxane crosslinked product was formed.
As described above, a reflective substrate having an aluminum substrate and a reflective layer formed on the aluminum substrate was produced.

[実施例1-2]
比表面積が13m2/gであり、粒子径が0.55μmであるジルコニア粒子を用いた他は、実施例1-1と同様にして、反射基板を作製した。
[Example 1-2]
A reflective substrate was prepared in the same manner as in Example 1-1 except that zirconia particles having a specific surface area of 13 m 2 / g and a particle diameter of 0.55 μm were used.

[実施例1-3]
比表面積が36m2/gであり、粒子径が0.55μmであるジルコニア粒子を用いた他は、実施例1-1と同様にして、反射基板を作製した。
[Example 1-3]
A reflective substrate was produced in the same manner as in Example 1-1 except that zirconia particles having a specific surface area of 36 m 2 / g and a particle diameter of 0.55 μm were used.

[比較例1-1]
比表面積が54m2/gであり、粒子径が0.55μmであるジルコニア粒子を用いた他は、実施例1-1と同様にして、反射基板を作製した。
[Comparative Example 1-1]
A reflective substrate was prepared in the same manner as in Example 1-1 except that zirconia particles having a specific surface area of 54 m 2 / g and a particle size of 0.55 μm were used.

[比較例1-2]
比表面積が68m2/gであり、粒子径が0.55μmであるジルコニア粒子を用いた他は、実施例1-1と同様にして、反射基板を作製した。
[Comparative Example 1-2]
A reflective substrate was prepared in the same manner as in Example 1-1 except that zirconia particles having a specific surface area of 68 m 2 / g and a particle diameter of 0.55 μm were used.

[比較例1-3]
比表面積が82m2/gであり、粒子径が0.55μmであるジルコニア粒子を用いた他は、実施例1-1と同様にして、反射基板を作製した。
[Comparative Example 1-3]
A reflective substrate was produced in the same manner as in Example 1-1 except that zirconia particles having a specific surface area of 82 m 2 / g and a particle size of 0.55 μm were used.

[実施例2-1]
比表面積が10m2/gであり、粒子径が0.2μmであるジルコニア粒子を用いた他は、実施例1-1と同様にして、反射基板を作製した。
[Example 2-1]
A reflective substrate was prepared in the same manner as in Example 1-1 except that the zirconia particles having a specific surface area of 10 m 2 / g and a particle diameter of 0.2 μm were used.

[実施例2-2]
比表面積が6.5m2/gであり、粒子径が2μmであるジルコニア粒子を用いた他は、実施例1-1と同様にして、反射基板を作製した。
[Example 2-2]
A reflective substrate was prepared in the same manner as in Example 1-1 except that zirconia particles having a specific surface area of 6.5 m 2 / g and a particle size of 2 μm were used.

[比較例2-1]
比表面積が10m2/gであり、粒子径が17μmであるジルコニア粒子を用いた他は、実施例1-1と同様にして、反射基板を作製した。
[Comparative Example 2-1]
A reflective substrate was prepared in the same manner as in Example 1-1 except that zirconia particles having a specific surface area of 10 m 2 / g and a particle diameter of 17 μm were used.

<反射率>
作製した反射基板について、分光測色計CM-2600d(コニカミノルタセンシング株式会社製)を用いて、波長360nm以上740nm以下の全反射率(d/8 SCI)を測定した。この値を反射率とした。得られた結果を表1、表2および図8、図9に示す。
<Reflectance>
The total reflectance (d / 8 SCI) of the produced reflective substrate was measured using a spectrocolorimeter CM-2600d (manufactured by Konica Minolta Sensing Co., Ltd.) with a wavelength of 360 nm or more and 740 nm or less. This value was taken as the reflectance. The obtained results are shown in Table 1, Table 2 and FIGS. 8 and 9.

Figure 0007011303000007
Figure 0007011303000007

(粒子径:0.55μm) (Particle diameter: 0.55 μm)

Figure 0007011303000008
Figure 0007011303000008

図8には、実施例1-1~1-3および比較例1-1~1-3の反射率の結果を示した。2次曲線(y=-0.0022x2+0.0431x+93.287)でフィッティングしたところ、白色セラミック粒子の比表面積が50m2/g以下であると、反射率が90%以上となることが分かった。図9には、実施例2-1、1-1、2-2および比較例2-1の反射率の結果を示した。白色セラミック粒子の比表面積が6m2/g以上50m2/g以下であり、粒子径が0.2μm以上2μm以下であると、反射率が90%以上となることが分かった。 FIG. 8 shows the results of the reflectances of Examples 1-1 to 1-3 and Comparative Examples 1-1 to 1-3. When fitting with a quadratic curve (y = -0.0022 x 2 + 0.0431x + 93.287), it was found that the reflectance was 90% or more when the specific surface area of the white ceramic particles was 50 m 2 / g or less. .. FIG. 9 shows the results of the reflectances of Examples 2-1, 1-1, 2-2 and Comparative Example 2-1. It was found that when the specific surface area of the white ceramic particles was 6 m 2 / g or more and 50 m 2 / g or less and the particle diameter was 0.2 μm or more and 2 μm or less, the reflectance was 90% or more.

1 オルガノポリシロキサン
2 シリカガラス
10 電着装置
12 容器
14a、14b 電極
16 電源
20 電着液
22 白色セラミック粒子
24 電着層
100、200 LEDパッケージ
30、60 反射基板
32、62 金属基板
34、64 反射層
36 プリント配線基板
36a 基台
36b(36b-1、36b-2) 電極
36c レジスト
38 ダム材
40、68 LED素子
42 蛍光体樹脂
44 素子実装領域
46 ダイボンド材
48 接着シート
50 金ワイヤ
66 配線
1 Organopolysiloxane 2 Silica glass 10 Electrodeposition device 12 Container 14a, 14b Electrode 16 Power supply 20 Electrodeposition liquid 22 White ceramic particles 24 Electrodeposition layer 100, 200 LED package 30, 60 Reflection substrate 32, 62 Metal substrate 34, 64 Reflection Layer 36 Printed wiring board 36a Base 36b (36b-1, 36b-2) Electrode 36c Resist 38 Dam material 40, 68 LED element 42 Phosphoric resin 44 Element mounting area 46 Die bond material 48 Adhesive sheet 50 Gold wire 66 Wiring

Claims (2)

金属基板と前記金属基板上に形成された反射層とを有する反射基板の製造方法であって、
電着液を用いた電気泳動電着法により、前記金属基板上に、白色セラミック粒子およびオルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分を含む電着層を形成する工程と、前記金属基板上に形成された前記電着層から、前記白色セラミック粒子およびオルガノポリシロキサン架橋体を含む前記反射層を形成する工程とを含み、
前記電着液は、前記白色セラミック粒子と、前記オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分とを含み、
前記白色セラミック粒子は、比表面積が6m2/g以上50m2/g以下であり、粒子径が0.2μm以上2μm以下のジルコニア粒子であり、
前記オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分は、金属アルコキシドまたは該金属アルコキシドの加水分解縮合物と、金属アルコキシドを末端に有するオルガノポリシロキサンとを含むことを特徴とする反射基板の製造方法。
A method for manufacturing a reflective substrate having a metal substrate and a reflective layer formed on the metal substrate.
A step of forming an electrodeposition layer containing white ceramic particles and a component for forming an organopolysiloxane crosslinked body on the metal substrate by an electrophoresis electrodeposition method using an electrodeposition liquid, and a step on the metal substrate. The step of forming the reflective layer containing the white ceramic particles and the organopolysiloxane crosslinked product from the formed electrodeposition layer is included.
The electrodeposition liquid contains the white ceramic particles and a component for forming the organopolysiloxane crosslinked product.
The white ceramic particles are zirconia particles having a specific surface area of 6 m 2 / g or more and 50 m 2 / g or less and a particle diameter of 0.2 μm or more and 2 μm or less.
A method for producing a reflective substrate, wherein the component for forming the organopolysiloxane crosslinked product contains a metal alkoxide or a hydrolyzed condensate of the metal alkoxide, and an organopolysiloxane having a metal alkoxide at the end.
金属基板と前記金属基板上に形成された反射層とを有する反射基板の製造に用いる、電気泳動電着法により、前記金属基板上に前記反射層を形成するための電着液であって、
白色セラミック粒子と、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分とを含み、
前記白色セラミック粒子は、比表面積が6m2/g以上50m2/g以下であり、粒子径が0.2μm以上2μm以下のジルコニア粒子であり、
前記オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分は、金属アルコキシドまたは該金属アルコキシドの加水分解縮合物と、金属アルコキシドを末端に有するオルガノポリシロキサンとを含むことを特徴とする電着液。
An electrodeposition liquid for forming the reflective layer on the metal substrate by an electrophoretic electrodeposition method used for manufacturing a reflective substrate having a metal substrate and a reflective layer formed on the metal substrate.
It contains white ceramic particles and components for forming an organopolysiloxane crosslink.
The white ceramic particles are zirconia particles having a specific surface area of 6 m 2 / g or more and 50 m 2 / g or less and a particle diameter of 0.2 μm or more and 2 μm or less.
The component for forming the organopolysiloxane crosslinked product is an electrodeposition liquid containing a metal alkoxide or a hydrolyzed condensate of the metal alkoxide, and an organopolysiloxane having a metal alkoxide at the end.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP2013004923A (en) 2011-06-21 2013-01-07 Mitsubishi Chemicals Corp Post attached reflector for semiconductor light-emitting device, resin package for semiconductor light-emitting device, and semiconductor light-emitting device
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JP2015228512A (en) 2010-02-09 2015-12-17 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and method for manufacturing light emitting device
JP2016065234A (en) 2014-09-19 2016-04-28 国立大学法人三重大学 Electrodeposition liquid, metal core substrate, and process for producing metal core substrate

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015228512A (en) 2010-02-09 2015-12-17 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and method for manufacturing light emitting device
JP2012064928A (en) 2010-08-18 2012-03-29 Mitsubishi Chemicals Corp Resin molding material for semiconductor light-emitting device and resin molding
JP2012102007A (en) 2010-11-10 2012-05-31 E I Du Pont De Nemours & Co Insulating white glass paste for forming insulating reflective layer
JP2013004923A (en) 2011-06-21 2013-01-07 Mitsubishi Chemicals Corp Post attached reflector for semiconductor light-emitting device, resin package for semiconductor light-emitting device, and semiconductor light-emitting device
JP2014005167A (en) 2012-06-25 2014-01-16 Toray Ind Inc Zirconia powder for glass ceramic composition
JP2016065234A (en) 2014-09-19 2016-04-28 国立大学法人三重大学 Electrodeposition liquid, metal core substrate, and process for producing metal core substrate

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