JP6993193B2 - 電気的接続装置及び特性測定方法 - Google Patents
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Description
上記のように本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
11…第1プローブヘッド
12…第2プローブヘッド
20…第1スペーストランスフォーマ
30…第2スペーストランスフォーマ
40…プリント基板
100…ウェハ
101…半導体集積回路
110…半導体チップ
111…入出力パッド
200…パッケージ品
210…再配線層
230…パッケージ端子
Claims (9)
- 第1構成の電気的接続装置を用いて、ウェハに形成された状態で半導体集積回路を測定するステップと、
半導体プロセスによって再配線層が形成された前記ウェハをチップ化して前記半導体集積回路ごとにパッケージングし、前記再配線層によって前記半導体集積回路の入出力パッドの間隔を拡張したパッケージ端子を有するパッケージ品を準備するステップと、
前記第1構成から一部の構成部品を変更した第2構成の前記電気的接続装置を用いて、前記パッケージ品を測定するステップと
を含み、
前記第2構成は、前記第1構成から前記入出力パッドに接続するように配置された第1プローブ群を保持する第1プローブヘッドを含む一部の構成部品が取り外され、先端部が前記パッケージ端子に接続するようにプローブが配置された第2プローブ群を保持する第2プローブヘッドを含む新たな構成部品を追加した構成である
ことを特徴とする特性測定方法。 - 前記第1構成が、
それぞれの先端部が前記半導体集積回路の前記入出力パッドに接続するように配置された前記第1プローブ群を保持する前記第1プローブヘッドと、
前記第1プローブ群のプローブのそれぞれと電気的に接続する複数の第1拡張端子を有し、前記第1拡張端子が前記第1プローブ群のプローブの基端部の間隔よりも広い第1の端子間隔で配置された第1スペーストランスフォーマと、
前記第1拡張端子のそれぞれと電気的に接続する複数の第2拡張端子を有し、前記第2拡張端子が前記第1の端子間隔よりも広い第2の端子間隔で配置された第2スペーストランスフォーマと、
前記第1スペーストランスフォーマと前記第2スペーストランスフォーマを介して前記第1プローブ群のプローブとそれぞれ電気的に接続される複数のランドが配置されたプリント基板と
をこの順に積層した構成であり、
前記第2構成が、
それぞれの先端部が前記パッケージ端子に接続し、且つ、基端部の間隔が前記第1の端子間隔であるようにプローブが配置された前記第2プローブ群を保持する前記第2プローブヘッドと、
前記第2拡張端子が前記第2プローブ群のプローブのそれぞれと電気的に接続する前記第2スペーストランスフォーマと、
前記ランドが、前記第2スペーストランスフォーマを介して前記第2プローブ群のプローブと電気的に接続される前記プリント基板と
をこの順に積層した構成である
ことを特徴とする請求項1に記載の特性測定方法。 - 前記第1スペーストランスフォーマの第1主面に、前記第1プローブ群のプローブの基端部とそれぞれ接続する複数の第1接続端子が配置され、
前記第1スペーストランスフォーマの第1主面と対向する前記第1スペーストランスフォーマの第2主面に、前記第1接続端子のそれぞれと電気的に接続する複数の前記第1拡張端子が配置されている
ことを特徴とする請求項2に記載の特性測定方法。 - 前記第2スペーストランスフォーマの第1主面に複数の第2接続端子が配置され、前記第2スペーストランスフォーマの第1主面に対向する前記第2スペーストランスフォーマの第2主面に前記第2接続端子のそれぞれと電気的に接続する複数の前記第2拡張端子が配置され、
前記第2接続端子が、前記第1構成においては前記第1スペーストランスフォーマの前記第1拡張端子と接触し、前記第2構成においては前記第2プローブヘッドが保持する前記第2プローブ群のプローブの基端部と接触する
ことを特徴とする請求項3に記載の特性測定方法。 - 前記再配線層によって前記半導体集積回路の前記入出力パッドの間隔が前記第1の端子間隔に拡張され、
前記パッケージ端子が前記第1の端子間隔で配置されている
ことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の特性測定方法。 - ウェハに形成された状態で半導体集積回路を測定するための第1構成と、
前記半導体集積回路の入出力パッドの間隔を拡張したパッケージ端子を有する前記半導体集積回路のパッケージ品を測定するための第2構成と
のいずれにも構成可能な電気的接続装置であって、
前記第1構成において前記入出力パッドと電気的に接続し前記第2構成において前記パッケージ端子と電気的に接続するランドが配置されたプリント基板、及び前記プリント基板に接続されて配線ピッチを変換するスペーストランスフォーマが前記第1構成と前記第2構成で共通であることを特徴とする電気的接続装置。 - 前記第1構成が、
それぞれの先端部が前記半導体集積回路の前記入出力パッドに接続するように配置された第1プローブ群を保持する第1プローブヘッドと、
前記第1プローブ群のプローブのそれぞれと電気的に接続する複数の第1拡張端子を有し、前記第1拡張端子が前記第1プローブ群のプローブの基端部の間隔よりも広い第1の端子間隔で配置された第1スペーストランスフォーマと、
前記第1拡張端子のそれぞれと電気的に接続する複数の第2拡張端子を有し、前記第2拡張端子が前記第1の端子間隔よりも広い第2の端子間隔で配置された第2スペーストランスフォーマと、
前記第1スペーストランスフォーマと前記第2スペーストランスフォーマを介して前記第1プローブ群のプローブとそれぞれ電気的に接続される複数の前記ランドが配置された前記プリント基板と
をこの順に積層した構成であり、
前記第2構成が、
それぞれの先端部が前記パッケージ端子に接続し、且つ、基端部の間隔が前記第1の端子間隔であるようにプローブが配置された第2プローブ群を保持する第2プローブヘッドと、
前記第2拡張端子が前記第2プローブ群のプローブのそれぞれと電気的に接続する前記第2スペーストランスフォーマと、
前記ランドが、前記第2スペーストランスフォーマを介して前記第2プローブ群のプローブと電気的に接続される前記プリント基板と
をこの順に積層した構成である
ことを特徴とする請求項6に記載の電気的接続装置。 - 前記第1スペーストランスフォーマの第1主面に、前記第1プローブ群のプローブの基端部とそれぞれ接続する複数の第1接続端子が配置され、
前記第1スペーストランスフォーマの第1主面と対向する前記第1スペーストランスフォーマの第2主面に、前記第1接続端子のそれぞれと電気的に接続する複数の前記第1拡張端子が配置されている
ことを特徴とする請求項7に記載の電気的接続装置。 - 前記第2スペーストランスフォーマの第1主面に複数の第2接続端子が配置され、前記第2スペーストランスフォーマの第1主面に対向する前記第2スペーストランスフォーマの第2主面に前記第2接続端子のそれぞれと電気的に接続する複数の前記第2拡張端子が配置され、
前記第2接続端子が、前記第1構成においては前記第1スペーストランスフォーマの前記第1拡張端子と接触し、前記第2構成においては前記第2プローブヘッドの前記第2プローブ群のプローブの基端部と接触する
ことを特徴とする請求項8に記載の電気的接続装置。
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JP2017222710A JP6993193B2 (ja) | 2017-11-20 | 2017-11-20 | 電気的接続装置及び特性測定方法 |
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JP2006173476A (ja) | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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JP6393542B2 (ja) * | 2014-07-18 | 2018-09-19 | 株式会社日本マイクロニクス | 接触検査装置 |
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