JP6987842B2 - 媒体の物理パラメータを測定するシステム及び方法 - Google Patents
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Description
励起波は、媒体の少なくとも1つの目標領域内に放出され、それにより、前記波は、前記目標領域の位置において、所定の時間周期での少なくとも1つの物理的特徴の経時的な周期的変調を有し、
励起波に応答して放出された帰還波は、前記目標領域から受光され、
前記帰還波は、制御可能な偏向素子によって周期的に偏向波に偏向され、それにより、前記偏向波は、周期的変調の各周期でトランスデューサアレイを走査し、トランスデューサアレイの各トランスデューサは、前記周期的変調の所定の位相範囲に関連付けられ、
トランスデューサアレイの各トランスデューサによって生成された信号を含む位相画像は、偏向波に応答して、周期的変調の少なくとも1つの周期中に記録され、
帰還波の少なくとも1つの物理的特徴の経時的な周期的変調と、励起波の少なくとも1つの物理的特徴の経時的な周期的変調との間の位相ずれは、前記位相画像から決定され、
前記目標領域の物理パラメータは、前記位相ずれから決定される、方法である。
− 波は、電磁波、特に光波であり、
− トランスデューサは、光検知器、特にカメラであり、
− 少なくとも1つの物理的特徴の経時的な周期的変調は、励起波の偏光の経時的な周期的変調であり、前記目標領域の物理パラメータは、前記目標領域内に存在する発光体、特に蛍光体の方位に関する情報であり、
− 少なくとも1つの物理的特徴の経時的な周期的変調は、励起波の振幅の経時的な周期的変調であり、前記目標領域の物理パラメータは、前記目標領域内に存在する発光体、特に蛍光体の寿命に関する情報又は位置に関する情報であり、
− 励起波の放出のために、媒体内で空間的に変調される波は、生成され、及び媒体内で空間的に変調される前記波は、特に一定の所定速度で移動され、
特に、媒体内で空間的に変調される電磁波は、媒体内において2つのレーザービーム間で干渉パターンを生成することによって生成され、
− 前記励起波は、放出され、それにより、前記波は、前記目標領域の位置において、少なくとも1つの物理的特徴の複数の経時的な周期的変調を有し、複数の所定の時間周期は、それぞれ複数の周期的変調の各周期的変調に関連付けられ、
帰還波は、周期的に偏向波に偏向され、それにより、トランスデューサアレイの各トランスデューサは、前記複数の周期的変調の各周期的変調の所定の位相範囲に関連付けられ、
媒体の複数の位相ずれは、決定され、複数の位相ずれの各位相ずれは、帰還波の少なくとも1つの物理的特徴の経時的な周期的変調と、励起波の少なくとも1つの物理的特徴の経時的な周期的変調との間でそれぞれ決定され、
前記目標領域の複数の物理パラメータは、前記複数の位相ずれから決定され、
− 前記目標領域の前記複数の物理パラメータは、少なくとも前記目標領域内に存在する発光体、特に蛍光体の位置、及び/又は方位、及び/又は寿命に関する情報を含む。
励起波放出源であって、媒体の少なくとも1つの目標領域に励起波を放出することができ、それにより、前記波は、前記目標領域の位置において、所定の時間周期での少なくとも1つの物理的特徴の経時的な周期的変調を有する、励起波放出源、
トランスデューサアレイ、
制御可能な偏向素子であって、励起波に応答して放出された前記目標領域の帰還波を周期的に偏向波に偏向させることができ、それにより、前記偏向波は、周期的変調の各周期でトランスデューサアレイを走査し、トランスデューサアレイの各トランスデューサは、前記周期的変調の所定の位相範囲に関連付けられる、制御可能な偏向素子、
処理モジュールであって、
周期的変調の少なくとも1周期中、偏向波に応答して、トランスデューサアレイの各トランスデューサによって生成された信号を含む位相画像を記録することができるメモリ、
前記位相画像から、励起波の周期的変調の位相に対する、前記目標領域から出力された帰還波出力の位相ずれを決定し、且つ前記位相ずれから前記目標領域の物理パラメータを決定することができるプロセッサ
を含む処理モジュール
を含むシステムである。
− 制御可能な偏向素子は、回転鏡であり、
− 制御可能な偏向素子は、少なくとも1つの偏光制御素子、特に誘起複屈折光学素子、特に誘起複屈折光学素子であって、その複屈折は、電場、磁場又は機械的応力を介して誘起される、誘起複屈折光学素子を含む固定システムである。
Claims (11)
- 媒体の目標領域の物理パラメータを測定する方法であって、
− 励起波が、媒体の少なくとも1つの目標領域内に放出され、それにより、前記励起波は、前記目標領域の位置において、所定の時間周期での少なくとも1つの物理的特徴の経時的な周期的変調を有し、
− 前記励起波に応じて放出された帰還波が、前記目標領域から受け取られ、
− 前記帰還波は、制御可能な偏向素子(4)によって周期的に偏向されて偏向波になり、前記偏向波は、前記周期的変調の各周期でトランスデューサアレイ(3)を走査し、前記トランスデューサアレイ(3)の各トランスデューサ(6)は、前記周期的変調の所定の位相範囲に関連付けられ、
− 前記トランスデューサアレイ(3)の各トランスデューサ(6)によって生成された信号を含む位相画像は、前記偏向波に応答して、前記周期的変調の少なくとも1つの周期中に記録され、
− 前記帰還波の少なくとも1つの物理的特徴の経時的な周期的変調と、前記励起波の少なくとも1つの物理的特徴の前記経時的な周期的変調との間の位相ずれは、前記位相画像から決定され、
− 前記目標領域の物理パラメータは、前記位相ずれから決定される、方法。 - 前記励起波および前記帰還波は、電磁波、特に光波である、請求項1に記載の方法。
- 前記トランスデューサ(6)は、光検知器であり、前記トランスデューサアレイ(3)は、カメラである、請求項2に記載の方法。
- 少なくとも1つの物理的特徴の前記経時的な周期的変調は、前記励起波の偏光の経時的な周期的変調であり、前記目標領域の前記物理パラメータは、前記目標領域内に存在する発光体特に蛍光体の向きに関する情報である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも1つの物理的特徴の前記経時的な周期的変調は、前記励起波の振幅の経時的な周期的変調であり、前記目標領域の前記物理パラメータは、前記目標領域内に存在する発光体、特に蛍光体の寿命に関する情報又は位置に関する情報である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記励起波の前記放出のために、前記媒体内で空間的に変調される波が、生成され、及び前記媒体内で空間的に変調される前記波は、一定の所定速度で移動され、
特に、前記媒体内で空間的に変調される前記波は、電磁波であり、前記媒体内において2つのレーザービーム間で干渉パターンを生成することによって生成される、請求項5に記載の方法。 - 前記励起波は、放出され、それにより、前記励起波は、前記目標領域の前記位置において、少なくとも1つの物理的特徴の複数の経時的な周期的変調を有し、複数の所定の時間周期は、それぞれ前記複数の周期的変調の各周期的変調に関連付けられ、
前記帰還波は、周期的に偏向されて偏向波になり、前記トランスデューサアレイ(3)の各トランスデューサ(6)は、前記複数の周期的変調の各周期的変調の所定の位相範囲に関連付けられ、
前記媒体の複数の位相ずれは、決定され、前記複数の位相ずれの各位相ずれは、前記帰還波の少なくとも1つの物理的特徴の経時的な周期的変調と、前記励起波の少なくとも1つのそれぞれの物理的特徴の経時的な周期的変調との間でそれぞれ決定され、
前記目標領域の複数の物理パラメータは、前記複数の位相ずれから決定される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。 - 前記目標領域の前記複数の物理パラメータは、少なくとも前記目標領域内に存在する発光体特に蛍光体の位置、及び/又は向き、及び/又は寿命に関する情報を含む、請求項7に記載の方法。
- 媒体の目標領域の物理パラメータを測定するシステム(1)であって、
− 励起波放出源(2)であって、媒体の少なくとも1つの目標領域内に励起波を放出することができ、それにより、前記励起波は、前記目標領域の位置において、所定の時間周期での少なくとも1つの物理的特徴の経時的な周期的変調を有する、励起波放出源(2)、
− トランスデューサアレイ(3)、
− 制御可能な偏向素子(4)であって、前記励起波に応じて放出された前記目標領域の帰還波を周期的に偏向させて偏向波にさせることができ、前記偏向波は、前記周期的変調の各周期でトランスデューサアレイ(3)を走査し、前記トランスデューサアレイ(3)の各トランスデューサ(6)は、前記周期的変調の所定の位相範囲に関連付けられる、制御可能な偏向素子(4)、
− 処理モジュール(5)であって、
前記周期的変調の少なくとも1つの周期中、前記偏向波に応答して、前記トランスデューサアレイ(3)の各トランスデューサ(6)によって生成された信号を含む位相画像を記録することができるメモリ、
前記位相画像から、前記励起波の前記周期的変調の位相に対する、前記目標領域から出力された帰還波出力の位相ずれを決定し、且つ前記位相ずれから前記目標領域の物理パラメータを決定することができるプロセッサ
を含む処理モジュール(5)
を含むシステム(1)。 - 前記制御可能な偏向素子(4)は、回転鏡である、請求項9に記載の測定システム(1)。
- 前記制御可能な偏向素子(4)は、少なくとも1つの偏光制御素子(8)を含み、可動部分を含まない固定システム(7)であり、前記少なくとも1つの偏光制御素子(8)は、特に誘起複屈折光学素子であり、特に、複屈折が、電場、磁場又は機械的応力を介して誘起される、誘起複屈折光学素子である、請求項9に記載の測定システム(1)。
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