JP6986095B2

JP6986095B2 - 中空コアフォトニック結晶ファイバ及びこれを製造する方法

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Publication number: JP6986095B2
Application number: JP2019560113A
Authority: JP
Inventors: バウアーシュミット，セバスチャン; ユーベル，パトリック; ラッセル，フィリップ
Original assignee: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV
Current assignee: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV
Priority date: 2017-05-17
Filing date: 2018-05-07
Publication date: 2021-12-22
Anticipated expiration: 2038-05-07
Also published as: US20200166699A1; CN110662990A; JP2020519941A; IL270669A; EP3404454B1; US11640028B2; KR102363698B1; US11029464B2; WO2018210598A1; CN110662990B; IL270669B1; US20210356656A1; KR20200003186A; DK3404454T3; IL270669B2; TWI757486B; TW201901206A; EP3404454A1

Description

本発明は中空コアフォトニック結晶ファイバ（ＨＣ−ＰＣＦ：hollow-core photonic crystal fiber）に関し、特に、非バンドギャップタイプ（すなわち中空コア反共振反射ファイバ（ＨＣ−ＡＦ：hollow-core anti-resonant-reflecting fibre））の、特に、軸方向中空コア及びこのコアを取り囲む反共振構造構成を含む内部クラッド領域を有し、少なくとも１つの光フィールドモードをガイドするために構成されたものに関する。更に、本発明は、ＨＣ−ＰＣＦを使用しＨＣ−ＰＣＦを製造する方法に関する。本発明の用途は、例えば光学メトロロジ、分光法、科学的研究、及び導光の分野において利用可能である。

本明細書において、本発明の技術的背景を示す以下の従来技術を参照する。
［１］P. Uebel et al, in "Opt. Lett." 41, 1961-1964 (2016)
［２］F. Benabid et al. in "Science" 298, 399-402 (2002)
［３］WO 2015/185761 A1
［４］P. St. J. Russell et al. in "Nature Photonics" 8, 278-286 (2014)
［５］EP 1 153 324 B2

ガス充填中空コアフォトニック結晶ファイバは、例えばメトロロジ及び分光法に適用される可能性のある新世代の高輝度光源のための技術プラットフォームである。図８（従来技術）は、ガス充填ＨＣ−ＰＣＦ１０’における非線形光学系に基づくそのような光源１００’の概念を概略的に示している。ＨＣ−ＰＣＦ１０’は、外装１２’と、内部クラッド１３’と、中空コア１４’とを含む（図８の上方のＨＣ−ＰＣＦ１０’の縦断面図を参照のこと）。内部クラッド１３’は、図９（従来技術）の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の断面像に例示され、例えば［１］に開示されているように、ＨＣ−ＰＣＦ１０’に沿って軸方向に延出すると共に中空コア１４’を取り囲む毛細管状の単一環状構成のような反共振構造１５’を含む。他のファイバ構造は、例えばカゴメタイプ（Kagome-type）又は入れ子構造［２、３］のように、より複雑なものである場合がある。

ポンプ源２０’からのパルス光フィールド１’は、ＨＣ−ＰＣＦ１０’のコア１４’への入力結合端（incoupling end）に発射され、主に基本横モードを励起し、これは出力結合端（outcoupling end）の方へガイドされる。ＨＣ−ＰＣＦ１０’は、最大で数１０バールの典型的な圧力に制御されたガス環境（例えば希ガス又はラマン活性ガス）を与えると共に光を透過させるための透明ウィンドウ３１’を有するガスセル３０’内に配置されている。ＨＣ−ＰＣＦ１０’の導波路の分散とガスの非線形性との相互作用により、例えばパルス圧縮及びスペクトル拡大［４］及び／又は他の光学的に非線形の効果を含む、ポンプパルス光フィールド１’の大きな変化が生じる。

図８の光源１００’の動作は実験で証明されているが、以下の重大な欠点が確認されている。本発明者等による寿命試験によって、すでに数１０Ｗｈの露光ポンプドーズでは平均出力パワーが大きく劣化し、日常的な用途においてＨＣ−ＰＣＦベースの光源１００’の有用性を著しく限定することが明らかになっている。別の欠点として、従来のＨＣ−ＰＣＦは、ＨＣ−ＰＣＦ１０’の非線形動作の開始時に発射効率が制限される可能性がある。

本発明の目的は、従来の技法の欠点を回避できる改良された中空コアフォトニック結晶ファイバ及びこれを製造する方法を提供することである。特に、ＨＣ−ＰＣＦは線形又は非線形の動作に適していると共に、長寿命化、及び／又は光パワーの増大、及び／又は発射効率の改善が得られる。更に、ＨＣ−ＰＣＦは簡単なプロセスで製造される。

これらの目的は、独立請求項の特徴（features）を含むＨＣ−ＰＣＦ及びこれを製造する方法によってそれぞれ解決される。本発明の好適な実施形態及び適用例は従属請求項から得られる。

本発明の第１の一般的な態様に従って、上述の目的は、ＨＣ−ＰＣＦの軸方向の長さに沿って延出している外装と、内部クラッドと、中空コアと、を有するＨＣ−ＰＣＦによって解決される。内部クラッドが取り囲む中空コアは、ＨＣ−ＰＣＦへの入力結合端に結合される光フィールド（ポンプフィールド）の少なくとも１つのモード、例えば基本横モードをガイドするためのＨＣ−ＰＣＦのモードガイドセクションを提供する。外装は固体材料で作製され、内部クラッドは外装の内面によって支持されている。内部クラッドは、ＨＣ−ＰＣＦの軸方向の長さに沿って延出すると共に中空コアを画定する反共振構造を含む。ＨＣ−ＰＣＦのモードガイドセクションに沿って、中空コアはモードガイドコア直径（ｄ）を有する。モードガイドコア直径は、中空コア内部隙間の内接円断面寸法である。従って、モードガイドセクションは特定の中心波長の光フィールドをガイドするために適合されている。すなわち、光フィールドの中心波長、対応する集束特性、及び、特にモードガイドコア直径には、相互関係がある。

本発明によれば、ＨＣ−ＰＣＦの少なくとも１つのファイバ端部は、中空コアが少なくとも１つのファイバ端部におけるファイバ端部コア直径（Ｄ）からモードガイドコア直径（ｄ）まで軸方向結合セクション長にわたってテーパ状である光フィールド結合セクションを有する。ファイバ端部コア直径は、ファイバ端部開口における中空コア内部隙間の断面寸法であり、モードガイドコア直径よりも大きい。

本発明者等は、特に高パワーポンプフィールドを使用する場合、従来のＨＣ−ＰＣＦの出力パワーの損失が、ファイバ入力面（ファイバ端部の開口）の劣化の結果であることを見出した。従来のＨＣ−ＰＣＦの横構造は通常、ファイバ長に沿って一定である。低いポンプエネルギ（例えば数Ｗｈ）露光を用いた非線形実験の間、入力側の構造は不変のままである。すなわち、ＳＥＭにおいて顕著な差は観察できない。しかしながら、本発明者等による寿命試験では、すでに数１０Ｗｈの露光ポンプドーズではファイバ入力面の大きな劣化が明らかになっている。劣化はポンプフィールドの入力結合効率を制限するので、これに対応してＨＣ−ＰＣＦの出力パワーが制限される。入力面の劣化は、ポンプフィールドと従来のＨＣ−ＰＣＦの内部クラッドとの突然の強い重複によって生じるガラスとガスの境界におけるフィールド増強（field enhancement）及びプラズマベースの浸食の結果である。

これに対し、本発明のＨＣ−ＰＣＦの少なくとも１つのファイバ端部における光フィールド結合セクションは、ファイバ端部において一定の内径で製造されている従来のＨＣ−ＰＣＦのファイバ端部とは別の構造を提供する。本発明の光フィールド結合セクションを提供することで、ファイバ端部におけるポンプフィールドと例えばガラスで作製された内装とのゼロ又は無視できる程度のフィールド重複からモードガイドセクションにおけるモード重複への円滑な遷移が生成され、この結果、フィールド増強が低減すると共にプラズマベースの浸食が抑制される。ゼロ又は無視できる程度のフィールド重複とは、内装に到達するポンプフィールド部分の強度がゼロであるか、又は内装浸食を発生させる臨界強度未満であることを意味する。有利な点として、１０００Ｗｈを超えるポンプドーズであっても本発明のＨＣ−ＰＣＦの劣化は観察されず、これに対応してＨＣ−ＰＣＦの寿命が延びる。寿命が延びることに加えて、発射効率が従来のＨＣ−ＰＣＦに比べて数％改善することがわかった。

本発明の第２の一般的な態様に従って、上記の目的は、本発明の第１の一般的な態様に従ったＨＣ−ＰＣＦを使用する方法によって解決される。特に強度、中心波長、集束ジオメトリ（focusing geometry）、及びビーム径のような入力光フィールドパラメータが選択され、ＨＣ−ＰＣＦは、少なくとも１つのファイバ端部の劣化なしにＨＣ−ＰＣＦが動作できるような寸法に設定される。第１の好適な適用例（非線形動作）に従って、本発明のＨＣ−ＰＣＦは、光学的に非線形のプロセス、特にスペクトル拡大及び／又はパルス圧縮を光フィールドに実行するため使用される。好ましくは、広帯域出力パルス（具体的には、真空又は深紫外線（ＵＶ）から近赤外線（ＩＲ）までのスペクトル範囲をカバーする）を発生するための、ポンプ源及びＨＣ−ＰＣＦを含む光源が提供される。本発明のＨＣ−ＰＣＦを含む光源は、本発明の別の独立した主題と見なされる。

本発明の第２の好適な適用例（線形動作）に従って、ＨＣ−ＰＣＦは、例えば材料処理のために適用場所へ光フィールドをガイドするため使用される。

本発明の第３の一般的な態様に従って、上記の目的は、本発明の第１の一般的な態様に従ったＨＣ−ＰＣＦを製造する方法によって解決される。この製造方法は、外装、内部クラッド、及び中空コアを含むＨＣ−ＰＣＦを提供するステップと、ＨＣ−ＰＣＦの熱処理によって少なくとも１つのファイバ端部に光フィールド結合セクションを提供するための内挿テーパ形状を形成するステップと、を含む。有利な点として、本発明のＨＣ−ＰＣＦは、好ましくはガラスであるファイバ材料の軟化点までファイバを局所的に加熱することによって製造される。表面張力のため、例えば毛細管のような内装構造は崩れる（collapse）傾向があるが、好ましくはＨＣ−ＰＣＦの外径はほとんど不変のままである。

本発明の好適な実施形態に従って、反共振構造は、光フィールド結合セクションにおいてファイバ端部開口からモードガイドセクションに向かって徐々に拡大する断面寸法を有する。有利な点として、ＨＣ−ＰＣＦのこの実施形態は、光フィールド結合における内部クラッドを変更した構造を有し、ＨＣ−ＰＣＦの外径は光フィールド結合セクションに沿って一定であるので、外装の変更は回避されると共に、例えばＨＣ−ＰＣＦと保持キャリアとの結合は影響を受けない。

本発明の別の好適な実施形態に従って、光フィールド結合セクションのファイバ端部コア直径及び軸方向結合セクション長は、内部クラッドとＨＣ−ＰＣＦによるガイドのため中空コアに集束される光フィールドとのフィールド重複がファイバ端部開口において排除されるか又は無視できる程度であるように選択される。有利な点として、これは、内部クラッドとモードガイドセクションにおける光フィールドとのフィールド重複への円滑な遷移を与える。好ましくは、ポンプ源及び光学機構（optical setup）は、ＨＣ−ＰＣＦのモードガイドセクションに対する光の最大結合効率を得るように構成される。

有利な点として、光フィールド結合セクションは、軸方向結合セクション長及び軸方向遷移長を含むパラメータのうち少なくとも１つによって特徴付けることができる。軸方向結合セクション長は、光フィールド結合セクションの全長である。光フィールド結合セクションは好ましくは、光フィールド結合セクションにおいてファイバコア直径寸法がファイバ端部コア直径（Ｄ）から（０．５＊（Ｄ＋ｄ））まで縮小するファイバ長である軸方向遷移長によって特徴付けられる。

軸方向遷移長は好ましくは、モードガイドコア直径（ｄ）の少なくとも０．５倍の下限、及び／又は遷移寸法（π（Ｄ^２ｄ^２−ｄ^４）^０．５／４λ））の最大で０．５倍の上限を有する。ここで、λはポンプ光フィールドの中心波長である。軸方向遷移長のこれらの限度は、ファイバ端部コア直径からモードガイドコア直径までの最小限であるが効果的な遷移に関して利点を有する。上限により、光フィールド結合セクションは特に、ガイドモードへの自由空間ビームの断熱的遷移（adiabatic transition）のために設計された光ファイバの従来のアップテーパ（up-tapering）（例えば［５］に記載されている）とは異なっている。特に好ましくは、軸方向遷移長は少なくとも１０μｍ及び／又は最大で１０００μｍである。

軸方向結合セクション長は好ましくは、少なくともモードガイドコア直径（ｄ）である下限、及び／又は最大で遷移寸法（π（Ｄ^２ｄ^２−ｄ^４）^０．５／４λ））である上限を有する。本発明を実際に用いる際の具体的な利点は、光フィールド結合セクションの軸方向結合セクション長が少なくとも２０μｍである及び／又は最大で５０００μｍである場合に得られる。

好ましくは、光フィールド結合セクションは、内部クラッドの鋭い（階段状又はブレード形状の）エッジが入力ポンプフィールドに露光されないように構成されている。有利な点として、内部クラッドのエッジにおけるフィールド増強は回避される。しかしながら、特に臨界光フィールド強度を有する領域の外へ移動させる場合、反共振構造の鋭いエッジを除去する必要はない。

本発明の更に別の好適な実施形態によれば、内部クラッドは少なくとも１つのファイバ端部の開口まで延出している。有利な点として、光フィールド結合セクションのコンパクトなサイズが得られる。あるいは、内部クラッドは少なくとも１つのファイバ端部の開口まで延出していない。言い換えると、内部クラッドは、少なくとも１つのファイバ端部の開口から軸方向に距離をあけて提供することができる。有利な点として、これにより、ＨＣ−ＰＣＦ内の厚さがゼロになった内部クラッドの縮小が可能となる。

ファイバ端部の劣化を抑制する利点は、ＨＣ−ＰＣＦの入力結合ファイバ端だけでなく出力結合端でも得られる。従って本発明によれば、光フィールド結合セクションは、入力結合ファイバ端及び出力結合ファイバ端のうち少なくとも一方に、例えば双方の端部に提供することができる。好ましくは、光フィールド結合セクションをＨＣ−ＰＣＦの入力結合端にのみ提供することで、ＨＣ−ＰＣＦの製造は有利に簡略化される。

ＨＣ−ＰＣＦ製造方法の好適な変形によれば、ある長さのＨＣ−ＰＣＦが、このＨＣ−ＰＣＦの端部からある距離に配置された少なくとも１つのファイバセクションで熱処理される。熱処理により、ＨＣ−ＰＣＦの長さに沿って内装のテーパ形状が形成される。その後ＨＣ−ＰＣＦは、少なくとも１つのファイバ端部において光ファイバ結合セクションを形成するため、少なくとも１つの熱処理したファイバセクションにおいて、例えばその中央部で、少なくとも１つの熱処理されたファイバセクションからある距離で、所定のファイバ長に切断される。入力結合端に光フィールド結合セクションを好適に提供したら、次いで、遷移領域を慎重に劈開して（cleave）高品質端面を生成することにより、入力結合端を調製する。ＨＣ−ＰＣＦ製造方法の代替的な変形によれば、ＨＣ−ＰＣＦを、取得すべき所定のファイバ長に切断し、切断したＨＣ−ＰＣＦの少なくとも１つのファイバ端部に対して、この少なくとも１つのファイバ端部に光フィールド結合セクションを形成するための熱処理を実行する。

適切な熱処理条件は、加熱に応じた、例えば表面張力による内部クラッド熱変形の試験又は数値シミュレーションによって見出すことができる。特に、熱処理条件は、取得すべきテーパ形状を形成するための処理温度と処理範囲に沿った温度分布を含む。

好ましくは、熱処理は、例えばレーザ照射、アーク放電、又は外部抵抗ヒータにより、少なくとも１つのファイバセクション又は少なくとも１つのファイバ端部でＨＣ−ＰＣＦを加熱して、内部クラッドの共振構造を軟化させ、軟化させた反共振構造における表面張力効果によって光フィールド結合セクションを形成することを含む。反共振構造の収縮と同時に、その壁厚は増大する。更に、ＨＣ−ＰＣＦ、特に内部クラッドの反共振構造に真空を与えることができ、軟化した反共振構造における表面張力と与えた真空との組み合わせ効果によって光フィールド結合セクションが形成される。これに加えて又はこの代わりに、モードガイドコアに内圧を加えることで、軟化した反共振構造における表面張力と与えた圧力との組み合わせ効果によって光フィールド結合セクションを形成することも可能である。

添付図面を参照しながら、本発明の更なる詳細及び利点について以下で説明する。

本発明の好適な実施形態に従ったＨＣ−ＰＣＦの概略断面図である。ポンプ光フィールドの図示を含む、本発明の別の実施形態に従ったＨＣ−ＰＣＦの概略断面図である。光学顕微鏡写真（Ａ）及びＳＥＭ画像（Ｂ）を含む、本発明のＨＣ−ＰＣＦのファイバ端部の画像である。劣化した従来のＨＣ−ＰＣＦの入力側のＳＥＭ画像である。本発明のＨＣ−ＰＣＦ（曲線Ａ）及び従来のＨＣ−ＰＣＦ（曲線Ｂ）のＨＣ−ＰＣＦ出力パワーを測定した実験結果である。本発明に従ったＨＣ−ＰＣＦを含む光源デバイスの概略図である。本発明に従ったＨＣ−ＰＣＦの測定出力スペクトルである。従来のＨＣ−ＰＣＦを含むＨＣ−ＰＣＦベースの光源の概略図である。従来のＨＣ−ＰＣＦの入力側のＳＥＭ画像である。

本発明の好適な実施形態の特徴を、ＨＣ−ＰＣＦの入力ファイバ端部に光フィールド結合セクションを提供することに関連付けて以下で説明する。本発明はこれに対応して、ＨＣ−ＰＣＦの出力ファイバ端部で又は双方の端部で光フィールド結合セクションを用いて実施することも可能である。例示的に、毛細管状の単一環状構成によって内部クラッドが形成されているＨＣ−ＰＣＦを参照する。本発明はこれに対応して、カゴメタイプ又は入れ子構造のような他の反共振構造を用いて実施することも可能である。

図１及び図２は、本発明の好適な実施形態に従ったＨＣ−ＰＣＦ１０の概略拡大断面図を示す。図２は、ガウスビーム（入力光フィールド１）がＨＣ−ＰＣＦ１０（入力ファイバ端部のみが図示されている）に集束され結合されていることを示す。実際の用途では、ＨＣ−ＰＣＦ１０は図１及び図２に示されているよりも長い軸方向範囲を有し、ＨＣ−ＰＣＦ１０の機能に応じて、例えば１ｃｍ〜５ｍ、又はそれ以上の範囲内から選択される。

ＨＣ−ＰＣＦ１０は、例えば厚さが３０μｍであり内径Δが６０μである、例えば石英ガラスで作製された外装１２と、反共振構造１５を含む内部クラッド１３と、反共振構造間の空間によって与えられる中空コア１４と、を備えている。反共振構造は、例えば図９の従来技術を参照して示されるような５つの毛細管の単一環状構成を含む。毛細管は、例えば０．１μｍ〜１μｍ、又はそれ以上の厚さの石英ガラスで作製されている。内部クラッド１３は外装１２の内面によって支持されている。ＨＣ−ＰＣＦ１０はモードガイドセクション１１を含み、ここでは中空コア１４が例えば３０μｍのモードガイドコア直径ｄを有する。

ＨＣ−ＰＣＦ１０の入力ファイバ端部１６に、光フィールド結合セクション１７が設けられている。光フィールド結合セクション１７は軸方向結合セクション長Ｌを有し、これに沿ってＨＣ−ＰＣＦ１０の内径がファイバ端部コア直径Ｄからモードガイドコア直径ｄまで縮小する。モードガイドコア直径が３０μｍであるＨＣ−ＰＣＦ１０の例では、軸方向結合セクション長は好ましくは３００μｍ以下である。例えば５０μ以上のようなより大きいモードガイドコア直径では、軸方向結合セクション長は少なくとも１ｍｍ、具体的には数ｍｍである可能性がある。内部クラッド１４の毛細管１５は、部分的に崩れたもの（図３Ｂ）から未処理のファイバ構造（図９）の寸法まで円滑な遷移を形成する。

光フィールド結合セクション１７の理論的な最大軸方向結合セクション長Ｌは、ガウスレーザビーム（入力光フィールド１）の集束特性から以下のように導出することができる。集束レーザビームは、ビーム径ｗ（ｚ）（ｚ：ビーム伝搬方向及びＨＣ−ＰＣＦ１０の軸方向。図２のｚ＜０の領域を参照のこと）、中心波長λ、焦点距離ｗ_０＝ｗ（０）によって特徴付けられる。ｗ（ｚ）は以下のように計算することができる。
ｗ（ｚ）＝ｗ_０（１＋（ｚ／ｚ_Ｒ）^２）^０．５
ここで、ｚ_Ｒ＝πｗ_０ ^２／（４π）はレイリー長である。

ファイバ端部における光重複を低減するため、光フィールド結合セクションの軸方向結合セクション長Ｌ及び端部直径Ｄは、ｗ（−Ｌ）＜Ｄであるように、すなわち以下であるように選択しなければならない。
Ｄ＞ｗ（−Ｌ）≒ｄ（１＋（Ｌ／ｚ_Ｒ）^２）^０．５≒ｄ（１＋（４Ｌλ／（πｄ^２））^２）^０．５
ここで、ｄ≒ｗ_０である。この式をＬについて解くと、以下が得られる。
Ｌ＜π（Ｄ^２ｄ^２−ｄ^４）^０．５／（４λ）

この長さの制約は好ましくは、ファイバ端部と向かい合い、初期コア直径Ｄが０．５＊（Ｄ＋ｄ）に縮小するすなわち低減全体の５０％に縮小するセクションに対する長さ制限に拡張される。好ましくは、この長さ（いわゆる軸方向遷移長）は、（π（Ｄ^２ｄ^２−ｄ^４）^０．５／４λ））の０．５倍よりも短い。

図３は、本発明のＨＣ−ＰＣＦの実用例の画像を示す。図３Ａは入力ファイバ端部１６の光学顕微鏡写真であり、光フィールド結合セクションは約２５０μｍの長さを有する。図３Ｂは、外装１２及び反共振構造１５を含む入力面のＳＥＭ画像である。本発明の本質的な利点は図３Ｂによって表されている。すなわち、寿命試験後の反共振構造１５が示され（図４及び図５も参照のこと）、目に見える劣化の兆候は存在しない。

図４及び図５に、従来のＨＣ−ＰＣＦのパワー誘発劣化と、本発明のＨＣ−ＰＣＦの有利な長い寿命が示されている。図４Ａ及び図４Ｂは、約＞１００Ｗｈのポンプ光フィールドに露光された従来のＨＣ−ＰＣＦの入力側のＳＥＭ画像を示す。本発明者等は、クラッド構造のこの顕著な劣化が、プラズマに促進された浸食の結果であることを見出した。プラズマは、ファイバ入力側の鋭いガス−ガラス界面におけるフィールド増強のために形成される。劣化の結果、従来のＨＣ−ＰＣＦの平均出力パワーは、すでに数１０Ｗｈの後で大幅に低下する（図５の破線の曲線Ｂを参照のこと）。本発明のＨＣ−ＰＣＦを非線形の実験で試験すると、劇的な寿命の改善が得られた（図５の実線の曲線Ａを参照のこと）。図５によると、外挿値を用いて、＞１０００Ｗｈの露光が実行可能である。

図６に、本発明のＨＣ−ＰＣＦ１０を含む広帯域高輝度光源１００の一実施形態が示されている。このような光源１００は好ましくは、光学メトロロジ（例えば半導体業界向け）、ＵＶ顕微鏡法、又は分光法のような、長い寿命が極めて望ましい用途で使用される。

光源１００は、ポンプ源２０と、任意選択的な安定化ユニット２１と、ガスセル３０内に配置されたＨＣ−ＰＣＦ１０と、任意選択的な追加の出力光学系２２と、を備えている。ポンプ源２０はパルスレーザであり、例えばμＪレベルのエネルギ及びサブｐｓパルス時間を有する、具体的には中心波長が１０３０ｎｍの１０μＪエネルギ及び３００ｆｓパルス時間を有するパルス光フィールド１を生成する。安定化ユニット２１は、ポンプ源２０からのパルス出力の空間位置を安定化するために提供される。ポンプパルスは、ガス充填された本発明のＨＣ−ＰＣＦ１０内へ発射される。ガスセルは、例えば３０バールのＡｒを含む。パルスはＨＣ−ＰＣＦ１０内でスペクトル拡大が実行され、広帯域出力２は出力光学系２２によってコリメートされてアプリケーションに送出される。図７に、約２４０ｎｍ〜１７００ｎｍの範囲であるこのような光源の例示的なスペクトル３が示されている。図７の挿入図は、出力２の測定ビーム断面（５７０ｎｍで１／ｅ^２直径３．９ｍｍ）であり、極めて高いビーム品質を示している。

あるいは、ＨＣ−ＰＣＦ１０は、例えば材料処理のため連続レーザ光又はパルスレーザ光を生成するレーザ源から、例えばワークピースのような適用場所への線形レーザ伝送のために使用することができる。

例えば図１によるＨＣ−ＰＣＦ１０は、融着接続機によって、ＨＣ−ＰＣＦのファイバセクションを、例えば１２００℃のガラス転移温度（溶融シリカ向け）を超える温度に３００ｍｓの加熱時間だけ加熱することによって製造される。ファイバセクションは、例えば５００μｍの長さを有する。加熱したファイバセクションの中央部から端部まで温度を低下させることにより、又は単にファイバセクションの中央部の加熱によって生成される温度フィールドにより、テーパ形状が形成される。続いて、冷却後にファイバセクションを切断する。

上記の記載、図面、及び特許請求の範囲において開示される本発明の特徴は、本発明を異なる実施形態で実施するため、個別に、組み合わせで、又はサブ組み合わせ（sub-combination）で、意義を持つ可能性がある。

Claims

中空コアフォトニック結晶ファイバ（ＨＣ−ＰＣＦ）（１０）であって、前記ＨＣ−ＰＣＦ（１０）のモードガイドセクション（１１）に沿って光フィールド（１）の少なくとも１つのモードをガイドするために構成され、
前記ＨＣ−ＰＣＦ（１０）に沿って延出する外装（１２）、内部クラッド（１３）、及び中空コア（１４）を備え、
前記内部クラッド（１３）は、前記外装（１２）の内面上に配置され、前記中空コア（１４）を取り囲む反共振構造（１５）を含み、前記反共振構造（１５）は複数の毛細管の単一環状構成を含み、
前記中空コア（１４）は、前記ＨＣ−ＰＣＦ（１０）の前記モードガイドセクションに沿って与えられたモードガイドコア直径（ｄ）を有する、中空コアフォトニック結晶ファイバにおいて、
前記ＨＣ−ＰＣＦ（１０）の少なくとも１つのファイバ端部（１６）は、前記中空コア（１４）が前記少なくとも１つのファイバ端部（１６）におけるファイバ端部コア直径（Ｄ）から前記モードガイドコア直径（ｄ）まで軸方向結合セクション長にわたってテーパ状である光フィールド結合セクション（１７）を有することを特徴とする、中空コアフォトニック結晶ファイバ。
前記反共振構造（１５）は、前記光フィールド結合セクション（１７）において前記モードガイドセクションに向かって徐々に拡大する断面寸法を有する、請求項１に記載の中空コアフォトニック結晶ファイバ。
前記ファイバ端部コア直径（Ｄ）及び前記軸方向結合セクション長は、前記内部クラッド（１３）と前記ＨＣ−ＰＣＦ（１０）によるガイドのため前記中空コア（１４）に集束される前記光フィールドとの重複が前記ファイバ端部において排除されるか又は無視できる程度であるように選択される、請求項１から２のうち１項に記載の中空コアフォトニック結晶ファイバ。
前記ファイバコア直径の寸法が前記光フィールド結合セクション（１７）において前記ファイバ端部コア直径（Ｄ）から（０．５＊（Ｄ＋ｄ））まで縮小する軸方向遷移長は、前記モードガイドコア直径（ｄ）の少なくとも０．５倍、及び／又は遷移寸法（π（Ｄ^２ｄ^２−ｄ^４）^０．５／４λ））の最大で０．５倍であり、λは前記光フィールドの中心波長である、請求項１から３のうち１項に記載の中空コアフォトニック結晶ファイバ。
前記軸方向遷移長は少なくとも１０μｍ及び／又は最大で１０００μｍである、請求項４に記載の中空コアフォトニック結晶ファイバ。
前記光フィールド結合セクション（１７）の前記軸方向結合セクション長は、少なくとも前記モードガイドコア直径（ｄ）、及び／又は最大で遷移寸法（π（Ｄ^２ｄ^２−ｄ^４）^０．５／４λ））であり、λは前記光フィールドの中心波長である、請求項１から５のうち１項に記載の中空コアフォトニック結晶ファイバ。
前記光フィールド結合セクション（１７）の前記軸方向結合セクション長は少なくとも２０μｍ及び／又は最大で５０００μｍである、請求項６に記載の中空コアフォトニック結晶ファイバ。
前記内部クラッド（１３）は前記少なくとも１つのファイバ端部（１６）の開口まで延出している、請求項１から７のうち１項に記載の中空コアフォトニック結晶ファイバ。
前記内部クラッド（１３）は前記少なくとも１つのファイバ端部（１６）の開口まで延出していない、請求項１から７のうち１項に記載の中空コアフォトニック結晶ファイバ。
前記光フィールド結合セクション（１７）は前記ＨＣ−ＰＣＦ（１０）の入力結合端にのみ設けられている、請求項１から９のうち１項に記載の中空コアフォトニック結晶ファイバ。
前記ＨＣ−ＰＣＦ（１０）は、光学的に非線形のプロセス、特にスペクトル拡大を光フィールドに実行するため使用されるか、又は
前記ＨＣ−ＰＣＦ（１０）は光フィールドを適用場所へ送出するため使用される、請求項１から１０のうち１項に記載の中空コアフォトニック結晶ファイバ（１０）を使用する方法。
前記外装（１２）及び前記内部クラッド（１３）を含むＨＣ−ＰＣＦ（１０）を提供するステップと、
前記ＨＣ−ＰＣＦ（１０）の熱処理によって前記光フィールド結合セクション（１７）を形成するステップと、
を含む、請求項１から１０のうち１項に記載の中空コアフォトニック結晶ファイバを製造する方法。
前記ＨＣ−ＰＣＦ（１０）の少なくとも１つのファイバセクションに前記熱処理を実行するステップと、
前記少なくとも１つのファイバ端部（１６）において前記光フィールド結合セクション（１７）を形成するため、前記少なくとも１つの熱処理したファイバセクションにおいてある距離で前記ＨＣ−ＰＣＦ（１０）を所定のファイバ長に切断するステップと、
を含む、請求項１２に記載の方法。
前記ＨＣ−ＰＣＦ（１０）を、取得すべき所定のファイバ長に切断するステップと、
前記切断したＨＣ−ＰＣＦ（１０）の少なくとも１つのファイバ端部（１６）に対して、前記少なくとも１つのファイバ端部（１６）に前記光フィールド結合セクション（１７）を形成するための前記熱処理を実行するステップと、
を含む、請求項１２に記載の方法。
前記熱処理は、前記内部クラッド（１３）の前記反共振構造を軟化させ、前記軟化させた反共振構造（１５）における表面張力効果によって前記光フィールド結合セクション（１７）が形成されるように、前記ＨＣ−ＰＣＦ（１０）を加熱することを含む、請求項１３又は１４に記載の方法。
前記熱処理は、前記内部クラッド（１３）の前記反共振構造を軟化させ、前記軟化させた反共振構造（１５）における表面張力と前記反共振構造（１５）のうち少なくとも１つに与えられた真空との組み合わせ効果によって前記光フィールド結合セクション（１７）が形成されるように、前記ＨＣ−ＰＣＦ（１０）を加熱することを含む、請求項１３又は１４に記載の方法。
前記熱処理は、前記内部クラッド（１３）の前記反共振構造を軟化させ、前記軟化させた反共振構造（１５）における表面張力と前記中空コア（１４）に与えられた圧力との組み合わせ効果によって前記光フィールド結合セクション（１７）が形成されるように、前記ＨＣ−ＰＣＦ（１０）を加熱することを含む、請求項１３、１４、又は１６に記載の方法。